WO2022024510A1 - 接着剤用組成物及びフィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

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    • H01L2225/06562—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking at least one device in the stack being rotated or offset

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive composition and a film-like adhesive, and a semiconductor package using the film-like adhesive and a method for producing the same.
  • a film-like adhesive (dia-attach film) is used for adhering the wiring substrate and the semiconductor chip in the manufacturing process of such a memory package, and for adhering between the semiconductor chips (so-called die-attach), and this film-like form is used.
  • the adhesive is required to have sufficient adhesiveness.
  • it is also required to reduce the thickness of the film-like adhesive.
  • Patent Document 1 contains an acrylic acid ester-based polymer, a polyfunctional isocyanate-based cross-linking agent, an epoxy resin, a phenol resin, and silica, and shores.
  • a film roll for manufacturing a semiconductor device provided with an adhesive layer having a defined A hardness is described.
  • Patent Document 2 is a heat-dissipating film-like adhesive containing two or more types of heat-conducting fillers having different moth hardness and having a blade wear amount of 50 ⁇ m / m or less in a dying step, which is an epoxy.
  • a film-like adhesive containing a resin, an epoxy resin curing agent, and a phenoxy resin is described.
  • the semiconductor wafer to which the film-like adhesive is bonded is diced using a dicing tape as a base and individualized into semiconductor chips.
  • the semiconductor chip with the film-like adhesive which has been separated into individual pieces, is thermocompression-bonded to the surface of the wiring substrate or the surface of the semiconductor element through a pickup process in which the dicing tape is peeled off from the lower part of the dicing tape by a jig such as a needle or a slider. .. Since the surface of the wiring substrate and the surface of the semiconductor element are not necessarily in a smooth surface state, air may be entrained at the interface between the film-like adhesive and the adherend during thermocompression bonding.
  • the entrained air (void) not only reduces the adhesive force after thermosetting, but can also cause a decrease in heat dissipation.
  • the film-like adhesive may leave jig marks such as needles and sliders on the surface of the film-like adhesive in the pickup process. Such jig marks become voids when the film-like adhesive is thermocompression-bonded, which may cause problems such as a decrease in the adhesive strength described above.
  • the problem that the above-mentioned jig marks remain and become voids becomes more apparent as the film-like adhesive becomes thinner (for example, less than 20 ⁇ m).
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and even if the film-like adhesive is used as a thin film, the traces of the jig in the pick-up process are unlikely to remain on the surface of the film-like adhesive, and further, when mounting the film-like adhesive, the present invention is made. It is an object of the present invention to provide a film-like adhesive having good die attachability, which can suppress the formation of voids, and an adhesive composition suitable for obtaining the film-like adhesive. A further object of the present invention is to provide a semiconductor package using this film-like adhesive and a method for manufacturing the same.
  • the present inventor has adopted a combination of an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, a phenoxy resin, and an inorganic filler as a raw material for a film-like adhesive, and is constant as this phenoxy resin.
  • the content of the phenoxy resin in the total content of the epoxy resin and the phenoxy resin is set to a certain value or more, and the nanoindentation hardness and the young rate before curing are constant values. It has been found that the above-mentioned problems can be solved by using a film-like adhesive controlled so as to be as described above. Based on these findings, the present invention has been further studied and completed.
  • An adhesive composition containing an epoxy resin (A), an epoxy resin curing agent (B), a phenoxy resin (C), and an inorganic filler (D).
  • the elastic modulus of the phenoxy resin (C) at 25 ° C. is 500 MPa or more.
  • the ratio of the phenoxy resin (C) to the total content of the epoxy resin (A) and the phenoxy resin (C) is 10 to 60% by mass.
  • An adhesive composition formed by using the adhesive composition which has a nanoindentation hardness of 0.10 MPa or more and a Young's modulus of 100 MPa or more at 25 ° C. of a film-like adhesive before curing.
  • the average particle size (d50) of the inorganic filler (D) is 0.01 to 5.0 ⁇ m.
  • the ratio of the inorganic filler (D) to the total content of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C), and the inorganic filler (D) is 5.
  • the film-like adhesive according to [5] or [6] is thermocompression bonded to provide an adhesive layer on the back surface of a semiconductor wafer having at least one semiconductor circuit formed on the front surface, and dicing is provided via the adhesive layer.
  • the fourth step of thermosetting the adhesive layer and A method for manufacturing a semiconductor package including. [8] A semiconductor package in which a semiconductor chip and a wiring substrate or a semiconductor chip are bonded by a thermosetting body of the film-like adhesive according to [5] or [6].
  • the numerical range represented by using "-" means a range including the numerical values before and after "-" as the lower limit value and the upper limit value.
  • (meth) acrylic means one or both of acrylic and methacrylic. The same applies to (meth) acrylate.
  • the film-like adhesive of the present invention is a film-like adhesive having good die attachability, which makes it difficult for jig marks to remain on the surface of the film-like adhesive in the pickup process and can suppress the formation of voids during mounting. Is.
  • the adhesive composition of the present invention is suitable for obtaining the above-mentioned film-like adhesive. According to the manufacturing method of the present invention, a semiconductor package can be manufactured using the film-like adhesive.
  • FIG. 1 is a schematic vertical sectional view showing a preferred embodiment of the first step of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic vertical sectional view showing a preferred embodiment of the second step of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic vertical sectional view showing a preferred embodiment of the third step of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic vertical sectional view showing a preferred embodiment of a step of connecting bonding wires in the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic vertical sectional view showing an example of a multi-stage laminated embodiment of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic vertical sectional view showing another example of a multi-stage laminated embodiment of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic vertical sectional view showing a preferred embodiment of a semiconductor package manufactured by the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • the adhesive composition of the present invention can be suitably used for forming a film-like adhesive.
  • the adhesive composition of the present invention contains an epoxy resin (A), an epoxy resin curing agent (B), a phenoxy resin (C), and an inorganic filler (D).
  • the elastic modulus of the phenoxy resin (C) at 25 ° C. is 500 MPa or more.
  • the ratio of the phenoxy resin (C) to the total content of the epoxy resin (A) and the phenoxy resin (C) is 10 to 60% by mass.
  • the uncured film-like adhesive formed using the adhesive composition has a nanoindentation hardness of 0.10 MPa or more and a Young's modulus of 100 MPa or more at 25 ° C.
  • the film-like adhesive before curing means a state before the epoxy resin (A) is thermally cured.
  • the film-like adhesive before heat curing specifically means a film-like adhesive that has not been exposed to temperature conditions of 25 ° C. or higher after the formation of the film-like adhesive.
  • the cured film-like adhesive refers to a state in which the epoxy resin (A) is thermally cured.
  • the above description is for clarifying the characteristics of the adhesive composition of the present invention, and the film-like adhesive of the present invention is not exposed to a temperature condition of 25 ° C. or higher. Not limited. Further, when measuring the nanoindentation hardness and Young's modulus, it does not prevent the person from being exposed to a temperature at which it does not substantially cure.
  • the nanoindentation hardness of the film-like adhesive before curing at 25 ° C. is 0.10 MPa or more.
  • the nanoindentation hardness is preferably 0.10 to 5.00 MPa, more preferably 0.20 to 3.00 MPa, further preferably 1.00 to 2.50 MPa, and particularly preferably 1.40 to 2.20 MPa.
  • the nanoindentation hardness is measured by the method described in Examples in accordance with ISO14577 (2015 edition).
  • the nanoindentation hardness can be controlled by adjusting the content of each resin component, the elastic modulus of the phenoxy resin (C), the content and type of the inorganic filler, and the like.
  • the Young's modulus of the film-like adhesive before curing at 25 ° C. is 100 MPa or more.
  • the Young's modulus is preferably 100 to 5000 MPa, more preferably 200 to 3000 MPa, and even more preferably 1000 to 2000 MPa. Young's modulus can be measured by the method described in Examples. Young's modulus can be controlled by adjusting the content of each resin component, the elastic modulus of the phenoxy resin (C), the content and type of the inorganic filler, and the like.
  • the nanoindentation hardness and Young's modulus are values assuming that the film-like adhesive before curing has a thickness of 100 ⁇ m, and the film-like adhesive having a thickness of 100 ⁇ m as in the examples described later. Can be prepared to determine nanoindentation hardness and Young's modulus.
  • the epoxy resin (A) is a thermosetting resin having an epoxy group, and the epoxy equivalent is 500 g / eq or less.
  • the epoxy resin (A) may be liquid, solid or semi-solid.
  • a liquid means a softening point of less than 25 ° C.
  • a solid means a softening point of 60 ° C. or higher
  • a semi-solid means a softening point of the above liquid and a solid. It means that it is between the softening point of (25 ° C or higher and lower than 60 ° C).
  • the epoxy resin (A) used in the present invention has a softening point of 100 ° C.
  • the softening point is a value measured by a softening point test (ring-ball type) method (measurement conditions: based on JIS-2817).
  • the crosslink density of the cured product is high, and as a result, the contact probability between the inorganic fillers (D) to be blended is high and the contact area is widened, so that higher thermal conductivity is achieved.
  • the epoxy equivalent is preferably 150 to 450 g / eq.
  • the epoxy equivalent means the number of grams (g / eq) of the resin containing 1 gram equivalent of the epoxy group.
  • the mass average molecular weight of the epoxy resin (A) is usually preferably less than 10,000, more preferably 5,000 or less. The lower limit is not particularly limited, but 300 or more is practical.
  • the mass average molecular weight is a value obtained by GPC (Gel Permeation Chromatography) analysis.
  • the skeleton of the epoxy resin (A) includes phenol novolac type, orthocresol novolak type, cresol novolak type, dicyclopentadiene type, biphenyl type, fluorenbisphenol type, triazine type, naphthol type, naphthalenediol type, triphenylmethane type, Examples thereof include tetraphenyl type, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol AD type, bisphenol S type, and trimethylolmethane type.
  • triphenylmethane type bisphenol A type, cresol novolak type, and orthocresol novolak type are preferable from the viewpoint of obtaining a film-like adhesive having a low crystallinity of the resin and a good appearance.
  • the content of the epoxy resin (A) is 3 in 100 parts by mass of the total content of the components (specifically, components other than the solvent) constituting the film-like adhesive in the adhesive composition of the present invention. It is preferably up to 70 parts by mass, preferably 3 to 30 parts by mass, and more preferably 5 to 30 parts by mass.
  • epoxy resin curing agent (B) As the epoxy resin curing agent (B), any curing agent such as amines, acid anhydrides, and polyhydric phenols can be used.
  • a film-like adhesive having a low melt viscosity, exhibiting curability at a high temperature exceeding a certain temperature, having quick curability, and having high storage stability capable of long-term storage at room temperature. From this point of view, it is preferable to use a latent curing agent.
  • Potential curing agents include dicyandiamide compounds, imidazole compounds, curing catalyst complex polyvalent phenol compounds, hydrazide compounds, boron trifluoride-amine complexes, amineimide compounds, polyamine salts, and modified products thereof and microcapsules of these. Can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. It is more preferable to use an imidazole compound from the viewpoint of having more excellent potential (excellent stability at room temperature and exhibiting curability by heating) and having a faster curing rate.
  • the content of the epoxy resin curing agent (B) with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin (A) is preferably 0.5 to 100 parts by mass, more preferably 1 to 80 parts by mass, still more preferably 2 to 50 parts by mass, and 4 Up to 20 parts by mass is more preferable.
  • the curing time can be shortened by setting the content to the above-mentioned preferable lower limit value or more, and on the other hand, by setting the content to the above-mentioned preferable upper limit value or less, the residual of excess curing agent in the film-like adhesive can be suppressed. Can be done. As a result, the adsorption of water in the residual curing agent is suppressed, and the reliability of the semiconductor device can be improved.
  • the phenoxy resin (C) is a component that suppresses film tackiness at room temperature (25 ° C.) and imparts film-forming property (film-forming property) when a film-like adhesive is formed.
  • the phenoxy resin (C) has an elastic modulus of 500 MPa or more at room temperature (25 ° C.).
  • the normal temperature (25 ° C.) elastic modulus of the phenoxy resin (C) is preferably 1000 MPa or more, more preferably 1500 MPa or more.
  • the upper limit of the elastic modulus at room temperature (25 ° C.) is not particularly limited, but is preferably 2000 MPa or less.
  • the elastic modulus at room temperature (25 ° C.) can be determined by the method described in Examples described later.
  • the normal temperature (25 ° C.) elastic modulus when the composition for adhesive contains two or more kinds of phenoxy resins is used as an adhesive as a phenoxy resin film for measuring the normal temperature elastic modulus in the method described in Examples described later. It can be determined by using a film prepared by blending a phenoxy resin in a mixing ratio constituting the composition for use.
  • the mass average molecular weight of the phenoxy resin (C) is usually 10,000 or more.
  • the upper limit is not particularly limited, but 5,000,000 or less is practical.
  • the mass average molecular weight of the phenoxy resin (C) is determined by GPC [Gel Permeation Chromatography] in terms of polystyrene.
  • the glass transition temperature (Tg) of the phenoxy resin (C) is preferably less than 120 ° C, more preferably less than 100 ° C, and even more preferably less than 90 ° C.
  • the lower limit is preferably 0 ° C. or higher, more preferably 10 ° C. or higher.
  • the glass transition temperature of the phenoxy resin (C) is the glass transition temperature measured by DSC at a heating rate of 0.1 ° C./min.
  • the composition for an adhesive contains at least one kind of phenoxy resin as the phenoxy resin (C).
  • the phenoxy resin (C) has an epoxy equivalent (mass of the resin per equivalent epoxy group) exceeding 500 g / eq. That is, a resin having a structure of a phenoxy resin but having an epoxy equivalent of 500 g / eq or less is classified as an epoxy resin (A).
  • the phenoxy resin (C) can be obtained by a reaction between a bisphenol or a biphenol compound and epichlorohydrin such as epichlorohydrin, or a reaction between a liquid epoxy resin and a bisphenol or a biphenol compound.
  • the bisphenol or biphenol compound is preferably a compound represented by the following general formula (A).
  • La represents a single bond or a divalent linking group
  • Ra 1 and Ra 2 each independently represent a substituent
  • ma and na each independently represent an integer from 0 to 4.
  • the divalent linking group is preferably an alkylene group, a phenylene group, -O-, -S-, -SO-, -SO 2- , or a group in which an alkylene group and a phenylene group are combined.
  • the alkylene group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, further preferably 1 to 3 carbon atoms, particularly preferably 1 or 2 carbon atoms, and most preferably 1.
  • the alkylene group is preferably —C (R ⁇ ) (R ⁇ ) —, where R ⁇ and R ⁇ independently represent a hydrogen atom, an alkyl group and an aryl group, respectively.
  • R ⁇ and R ⁇ may be combined with each other to form a ring.
  • R ⁇ and R ⁇ are preferably hydrogen atoms or alkyl groups (eg, methyl, ethyl, isopropyl, n-propyl, n-butyl, isobutyl, hexyl, octyl, 2-ethylhexyl).
  • the alkylene group is preferably -CH 2- , -CH (CH 3 ), -C (CH 3 ) 2- , more preferably -CH 2- , -CH (CH 3 ), and further -CH 2- . preferable.
  • the phenylene group preferably has 6 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 8 carbon atoms, and even more preferably 6.
  • Examples of the phenylene group include p-phenylene, m-phenylene and o-phenylene, and p-phenylene and m-phenylene are preferable.
  • an alkylene-phenylene-alkylene group is preferable, and -C (R ⁇ ) (R ⁇ ) -phenylene-C (R ⁇ ) (R ⁇ )-is more preferable.
  • the ring formed by combining R ⁇ and R ⁇ is preferably a 5- or 6-membered ring, more preferably a cyclopentane ring or a cyclohexane ring, and even more preferably a cyclohexane ring.
  • La is preferably a single bond or an alkylene group, —O—, —SO2- , and more preferably an alkylene group.
  • an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an alkylthio group and a halogen atom are preferable, an alkyl group, an aryl group and a halogen atom are more preferable, and an alkyl group is further preferable.
  • Ma and na are preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and even more preferably 0.
  • the bisphenol or biphenol compound is, for example, bisphenol A, bisphenol AD, bisphenol AP, bisphenol AF, bisphenol B, bisphenol BP, bisphenol C, bisphenol E, bisphenol F, bisphenol G, bisphenol M, bisphenol S, bisphenol P, bisphenol PH, Bisphenol TMC, Bisphenol Z, 4,4'-biphenol, 2,2'-dimethyl-4,4'-biphenol, 2,2', 6,6'-tetramethyl-4,4'-biphenol, cardo skeleton
  • Examples thereof include bisphenol A, bisphenol AD, bisphenol C, bisphenol E, bisphenol F and 4,4'-biphenol, more preferably bisphenol A, bisphenol E and bisphenol F, and particularly preferably bisphenol A.
  • the liquid epoxy resin the aliphatic diol compound diglycidyl ether is preferable, and the compound represented by the following general formula (B) is more preferable.
  • X represents an alkylene group and nb represents an integer of 1 to 10.
  • the alkylene group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 8 carbon atoms, still more preferably 3 to 8 carbon atoms, particularly preferably 4 to 6 carbon atoms, and most preferably 6 carbon atoms.
  • Examples thereof include ethylene, propylene, butylene, pentylene, hexylene and octylene, with ethylene, trimethylene, tetramethylene, pentamethylene, heptamethylene, hexamethylene and octamethylene being preferred.
  • Nb is preferably 1 to 6, more preferably 1 to 3, and even more preferably 1.
  • nb is 2 to 10
  • ethylene or propylene is preferable for X, and ethylene is more preferable.
  • Examples of the aliphatic diol compound in diglycidyl ether include ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, polyethylene glycol, 1,3-propanediol, 1,4-butanediol, 1,5-heptanediol, and 1,6.
  • -Hexene diol, 1,7-pentane diol, 1,8-octane diol can be mentioned.
  • phenoxy resin one or more of bisphenol or biphenol compound can be used in the above reaction.
  • aliphatic diol compound one kind or two or more kinds can be used.
  • a phenoxy resin obtained by reacting diglycidyl ether of 1,6-hexanediol with a mixture of bisphenol A and bisphenol F can be mentioned.
  • the phenoxy resin (C) is preferably a phenoxy resin obtained by reacting a liquid epoxy resin with a bisphenol or a biphenol compound, and more preferably a repeating unit phenoxy resin represented by the following general formula (I).
  • La, Ra1 , Ra2 , ma and na are synonymous with La , Ra1 , Ra2 , ma and na in the general formula ( A ), and the preferred range is also the same.
  • X and nb are synonymous with X and nb in the general formula (B), and the preferred range is also the same.
  • a polymer of bisphenol A and diglycidyl ether of 1,6-hexanediol is preferable. Focusing on the skeleton of the phenoxy resin, in the present invention, a bisphenol A type phenoxy resin and a bisphenol A / F type copolymer phenoxy resin can be preferably used. Further, a low elasticity and high heat resistant phenoxy resin can be preferably used.
  • the mass average molecular weight of the phenoxy resin (C) is preferably 10,000 or more, more preferably 10,000 to 100,000. Further, the amount of the epoxy group slightly remaining in the phenoxy resin (C) is preferably more than 5000 g / eq in terms of epoxy equivalent.
  • the glass transition temperature (Tg) of the phenoxy resin (C) is preferably less than 100 ° C, more preferably less than 90 ° C.
  • the lower limit is preferably 0 ° C. or higher, more preferably 10 ° C. or higher.
  • the phenoxy resin (C) may be synthesized by the method as described above, or a commercially available product may be used.
  • commercially available products include 1256 (bisphenol A type phenoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), YP-50 (bisphenol A type phenoxy resin, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.), YP-70 (bisphenol A).
  • F-type phenoxy resin manufactured by Shin-Nikka Epoxy Mfg. Co., Ltd.
  • FX-316 bisphenol F-type phenoxy resin, manufactured by Shin-Nikka Epoxy Mfg.
  • the ratio of the phenoxy resin (C) to the total content of the epoxy resin (A) and the phenoxy resin (C) in the adhesive composition is 10 to 60% by mass, and 15 to 50% by mass. It is also preferable, and it is also preferable that it is 18 to 45% by mass.
  • the inorganic filler usually used in the adhesive composition can be used without particular limitation.
  • the inorganic filler (D) include ceramics such as silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina (aluminum oxide), beryllium oxide, magnesium oxide, silicon carbide, silicon nitride, aluminum nitride, and boron nitride.
  • Ceramics such as silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina (aluminum oxide), beryllium oxide, magnesium oxide, silicon carbide, silicon nitride, aluminum nitride, and boron nitride.
  • the average particle size (d50) of the inorganic filler (D) is not particularly limited, but is preferably 0.01 to 6.0 ⁇ m from the viewpoint of improving the die attachability while suppressing the formation of jig marks, preferably 0.01. It is preferably ⁇ 5.0 ⁇ m, more preferably 0.1 to 3.5 ⁇ m, and even more preferably 0.6 to 1.0 ⁇ m.
  • the average particle size (d50) is the so-called median diameter, and the particle size when the particle size distribution is measured by the laser diffraction / scattering method and the total particle size is 100% in the cumulative distribution, the particle size is 50% cumulative. Means.
  • composition for an adhesive of the present invention includes an inorganic filler having an average particle size (d50) of 0.1 to 3.5 ⁇ m when focusing on the inorganic filler (D).
  • another preferred embodiment includes an inorganic filler having an average particle size (d50) of more than 3.5 ⁇ m.
  • the Mohs hardness of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 2 or more, more preferably 2 to 9, and 8 to 9 from the viewpoint of improving the die attachability while suppressing the generation of jig marks. It is more preferably 9.
  • the Mohs hardness can be measured with a Mohs hardness meter.
  • the inorganic filler (D) can also be an inorganic filler having thermal conductivity. Such an inorganic filler (D) imparts thermal conductivity to the adhesive layer.
  • the adhesive composition of the present invention may include an inorganic filler having thermal conductivity (an inorganic filler having a thermal conductivity of 12 W / m ⁇ K or more).
  • the embodiment may include an inorganic filler having no thermal conductivity (an inorganic filler having a thermal conductivity of less than 12 W / m ⁇ K).
  • the thermally conductive inorganic filler (D) is a particle made of a thermally conductive material or a particle surface-coated with the thermally conductive material, and the thermal conductivity of these thermally conductive materials is 12 W / m. -It is preferably K or more, and more preferably 30 W / m ⁇ K or more.
  • the thermal conductivity of the heat conductive material is at least the preferable lower limit value, the amount of the inorganic filler (D) blended to obtain the desired heat conductivity can be reduced, and the adhesive layer is melted. The increase in viscosity is suppressed, and the embedding property in the uneven portion of the substrate when crimping to the substrate can be further improved.
  • the thermal conductivity of the above-mentioned thermally conductive material means the thermal conductivity at 25 ° C.
  • the literature values of each material can be used. Even if there is no description in the literature, for example, the value measured by JIS R 1611 can be substituted for ceramics, and the value measured by JIS H 7801 can be substituted for metal.
  • thermally conductive inorganic filler (D) examples include thermally conductive ceramics, which include alumina particles (thermal conductivity: 36 W / m ⁇ K) and aluminum nitride particles (thermal conductivity: 150 to 290 W). / M ⁇ K), boron nitride particles (thermal conductivity: 60 W / m ⁇ K), zinc oxide particles (thermal conductivity: 54 W / m ⁇ K), silicon nitride filler (thermal conductivity: 27 W / m ⁇ K) , Silicon carbide particles (thermal conductivity: 200 W / m ⁇ K) and magnesium oxide particles (thermal conductivity: 59 W / m ⁇ K) are preferably mentioned.
  • alumina particles have high thermal conductivity and are preferable in terms of dispersibility and availability.
  • aluminum nitride particles and boron nitride particles are preferable from the viewpoint of having a higher thermal conductivity than the alumina particles.
  • alumina particles and aluminum nitride particles are particularly preferable.
  • particles whose surface is coated with a metal having thermal conductivity can also be mentioned.
  • silicone surface-coated with a metal such as silver (thermal conductivity: 429 W / m ⁇ K), nickel (heat conductivity: 91 W / m ⁇ K) and gold (heat conductivity: 329 W / m ⁇ K).
  • Resin particles, acrylic resin particles and the like are preferably mentioned.
  • silicone resin particles surface-coated with silver are preferable from the viewpoint of stress relaxation and high heat resistance.
  • the inorganic filler (D) may be surface-treated or surface-modified, and the surface modifier used for such surface treatment or surface modification includes a silane coupling agent, phosphoric acid or a phosphoric acid compound, and the like.
  • Surface active agents are mentioned, and other than the matters described in the present specification, for example, silane in the section of heat conductive filler in International Publication No. 2018/203527 or the section of aluminum nitride filler in International Publication No. 2017/158949. Descriptions of coupling agents, phosphoric acid or phosphoric acid compounds and surfactants can be applied.
  • a powdery inorganic filler and, if necessary, are used.
  • a method of blending a slurry-like inorganic filler in which an inorganic filler treated with a surface treatment agent such as the above is dispersed in an organic solvent can be used.
  • the method for treating the inorganic filler (D) with the silane coupling agent is not particularly limited, and is a wet method in which the inorganic filler (D) and the silane coupling agent are mixed in a solvent, and inorganic filling in the gas phase. Examples thereof include a dry method in which the material (D) and a silane coupling agent are mixed, and the above-mentioned inorganic blending method.
  • aluminum nitride particles contribute to high thermal conductivity, they tend to generate ammonium ions by hydrolysis, so they should be used in combination with a phenol resin with a low moisture absorption rate, or hydrolysis should be suppressed by surface modification. Is preferable.
  • a method for modifying the surface of aluminum nitride a method of providing an oxide layer of aluminum oxide on the surface layer to improve water resistance and surface treatment with phosphoric acid or a phosphoric acid compound to improve the affinity with the resin is particularly preferable. ..
  • a silane coupling agent is one in which at least one hydrolyzable group such as an alkoxy group or an aryloxy group is bonded to a silicon atom, and in addition to this, an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group may be bonded. good.
  • the alkyl group is preferably substituted with an amino group, an alkoxy group, an epoxy group or a (meth) acryloyloxy group, and is preferably an amino group (preferably a phenylamino group), an alkoxy group (preferably a glycidyloxy group), or a (meth) acryloyl. Those substituted with an oxy group are more preferable.
  • silane coupling agent examples include 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, and 3-glycidyloxypropylmethyldimethoxy.
  • Silane 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltri Examples thereof include methoxysilane, 3-methacryloyl oxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloyl oxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, and 3-methacryloyl oxypropyltriethoxysilane.
  • the surface modifier is preferably contained in an amount of 0.1 to 25.0 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, and 0.1 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic filler (D). It is more preferable to contain ⁇ 2.0 parts by mass.
  • the semiconductor assembly heating step for example, reflow step
  • the semiconductor assembly heating step of excess silane coupling agent and surfactant while suppressing aggregation of the inorganic filler (D). It is possible to suppress peeling at the adhesive interface due to volatilization, suppress the generation of voids, and improve the die attachability.
  • the shape of the inorganic filler (D) may be flake-shaped, needle-shaped, filament-shaped, spherical, or scaly-shaped, but spherical is preferable from the viewpoint of high filling and fluidity.
  • the adhesive composition of the present invention comprises the inorganic filler (D) in the total content of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C) and the inorganic filler (D). Is preferably 5 to 70% by volume.
  • the content ratio of the inorganic filler (D) is at least the above lower limit value, it is possible to improve the die attachability while suppressing the generation of jig marks when the film-like adhesive is used. Further, it may be possible to impart a desired melt viscosity. Further, when it is not more than the above upper limit value, a desired melt viscosity can be imparted to the film-like adhesive, and the generation of voids can be suppressed.
  • the ratio of the inorganic filler (D) to the total content of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C) and the inorganic filler (D) is 20 to 70% by volume.
  • 20 to 60% by volume is more preferable, and 20 to 50% by volume is further preferable.
  • the above ratio may be 30 to 70% by volume, 30 to 50% by volume, or 35 to 50% by volume.
  • the content (% by volume) of the inorganic filler (D) is calculated from the content mass and specific gravity of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C) and the inorganic filler (D). be able to.
  • the preferred form of the adhesive composition of the present invention is that the average particle size (d50) of the inorganic filler (D) is 0.01 to 5.0 ⁇ m, and the epoxy resin (A) and the epoxy resin curing agent (B) are used.
  • the ratio of the inorganic filler (D) to the total content of the phenoxy resin (C) and the inorganic filler (D) is 5 to 70% by volume.
  • the composition for an adhesive of the present invention is, in addition to the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C) and the inorganic filler (D), to the extent that the effects of the present invention are not impaired. It may contain a polymer compound other than these. Examples of the polymer compound include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, silicone rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, and ethylene- (meth) acrylic acid ester.
  • Copolymers polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon and 6,6-nylon, (meth) acrylic resin, polyester resin such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, polyamideimide resin, Fluororesin and the like can be mentioned. These polymer compounds may be used alone or in combination of two or more. Further, the adhesive composition of the present invention further contains an organic solvent (methyl ethyl ketone, etc.), an ion trapping agent (ion trapping agent), a curing catalyst, a viscosity modifier, an antioxidant, a flame retardant, a coloring agent, and the like. You may. For example, other additives of International Publication No. 2017/158949 can be included.
  • the ratio of the total content of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C) and the inorganic filler (D) to the adhesive composition of the present invention is, for example, 60. It can be mass% or more, preferably 70% by mass or more, more preferably 80% by mass or more, and even 90% by mass or more. Further, the above ratio may be 100% by mass or 95% by mass or less.
  • the adhesive composition of the present invention can be suitably used for obtaining the film-like adhesive of the present invention. However, the adhesive is not limited to a film-like adhesive, and can be suitably used for obtaining a liquid adhesive.
  • the composition for an adhesive of the present invention can be obtained by mixing each of the above components at a temperature at which the epoxy resin (A) does not substantially cure.
  • the order of mixing is not particularly limited. Resin components such as the epoxy resin (A) and the phenoxy resin (C) may be mixed with a solvent, if necessary, and then the inorganic filler (D) and the epoxy resin curing agent (B) may be mixed. In this case, the mixing in the presence of the epoxy resin curing agent (B) may be performed at a temperature at which the epoxy resin (A) does not substantially cure, and the resin component in the absence of the epoxy resin curing agent (B) may be used. May be mixed at a higher temperature.
  • the adhesive composition of the present invention is preferably stored under a temperature condition of 10 ° C. or lower before use (before forming a film-like adhesive). ..
  • the film-like adhesive of the present invention is a film-like adhesive obtained from the adhesive composition of the present invention, and is the above-mentioned epoxy resin (A), epoxy resin curing agent (B), and phenoxy resin. It contains (C) and an inorganic filler (D).
  • additives other than the organic solvent may be contained.
  • the organic solvent is usually removed from the adhesive composition by drying, but may be contained as long as it is about 0.1 to 1000 ppm.
  • the film means a thin film having a thickness of 200 ⁇ m or less.
  • the shape, size, etc. are not particularly limited and can be appropriately adjusted according to the usage mode.
  • the film-like adhesive of the present invention has the above-mentioned nanoindentation hardness and Young's modulus before curing.
  • the film-like adhesive of the present invention suppresses the formation of jig marks and is also excellent in die attachability.
  • the composition for an adhesive containing an epoxy resin (A), an epoxy resin curing agent (B), a phenoxy resin (C) and an inorganic filler (D) is prepared, and then the phenoxy resin is used.
  • the surface hardness is maintained and it is difficult for jig marks to remain, and at the time of mounting, the melt viscosity is low, and while absorbing the jig marks and unevenness of the adherend to some extent, the air caught in the interface with the adherend is absorbed. It is thought that it is due to the fact that it can be discharged.
  • the film-like adhesive of the present invention has a melt viscosity of 100 at 120 ° C. when the temperature of the film-like adhesive before thermosetting is raised from 25 ° C. to 5 ° C./min. It is preferably in the range of ⁇ 10000 Pa ⁇ s, more preferably in the range of 200 to 10000 Pa ⁇ s, more preferably in the range of 500 to 10000 Pa ⁇ s, and more preferably in the range of 1000 to 10000 Pa ⁇ s. Is more preferably in the range of 1500 to 10000 Pa ⁇ s, more preferably in the range of 8000 to 10000 Pa ⁇ s, and even more preferably in the range of 8000 to 9200 Pa ⁇ s.
  • the melt viscosity can be determined by the method described in Examples described later.
  • the melt viscosity is determined by the coexistence of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the phenoxy resin (C), etc., in addition to the content of the inorganic filler (D) and the type of the inorganic filler (D). It can be controlled by the type of compound or resin to be used and the content thereof.
  • the film-like adhesive of the present invention preferably has a thickness of 1 to 60 ⁇ m.
  • the thickness is more preferably 3 to 30 ⁇ m, and particularly preferably 5 to 20 ⁇ m. Even if the film-like adhesive is made into a thin film, it is in the form of a film from the viewpoint that the effect of the present invention can be further exhibited, that is, it exhibits excellent die attachability that can suppress the generation of jig marks and voids at the time of pickup.
  • the thickness of the adhesive is preferably 5 to 15 ⁇ m.
  • the thickness of the film-like adhesive can be measured by a contact / linear gauge method (desktop contact type thickness measuring device).
  • the film-like adhesive of the present invention is formed by preparing the adhesive composition (varnish) of the present invention, applying this composition on a release-treated base film, and drying it as necessary. can do.
  • the composition for an adhesive usually contains an organic solvent.
  • any known film may be used as long as it functions as a cover film for the obtained film-like adhesive.
  • PP polypropylene
  • PE polyethylene
  • PET mold-released polyethylene terephthalate
  • the coating method a known method can be appropriately adopted, and examples thereof include a method using a roll knife coater, a gravure coater, a die coater, a reverse coater, and the like.
  • Drying may be performed by removing the organic solvent from the adhesive composition to obtain a film-like adhesive without curing the epoxy resin (A).
  • the drying temperature can be appropriately set depending on the types of the epoxy resin (A), the phenoxy resin (C) and the epoxy resin curing agent (B) used, and is held at a temperature of 80 to 150 ° C. for 1 to 20 minutes, for example. It can be done by doing.
  • the film-like adhesive of the present invention may be composed of the film-like adhesive of the present invention alone, and the above-mentioned release-treated base film is bonded to at least one surface of the film-like adhesive. It may be in the form. Further, the film-like adhesive of the present invention may be in the form of a film cut out to an appropriate size, or may be in the form of a roll of the film.
  • the film-like adhesive of the present invention preferably has an arithmetic average roughness Ra of at least one surface (that is, at least one surface to be bonded to the adherend) of 3.0 ⁇ m or less, and is bonded to the adherend. It is more preferable that the arithmetic average roughness Ra of the surface on either side is 3.0 ⁇ m or less.
  • the arithmetic mean roughness Ra is more preferably 2.0 ⁇ m or less, and further preferably 1.5 ⁇ m or less.
  • the lower limit is not particularly limited, but it is practically 0.1 ⁇ m or more.
  • the film-like adhesive of the present invention is preferably stored under a temperature condition of 10 ° C. or lower before use (before curing) from the viewpoint of suppressing the curing of the epoxy resin (A).
  • the semiconductor package of the present invention is formed by adhering at least one between a semiconductor chip and a wiring substrate and between the semiconductor chips with a heat-cured body of the film-like adhesive of the present invention.
  • As the half-way chip and the wiring board ordinary ones can be used. The bonding conditions will be described later in the description of the manufacturing method.
  • the semiconductor package manufacturing method of the present invention is manufactured by a normal semiconductor package manufacturing method except that the film-like adhesive of the present invention is used for bonding at least one of the semiconductor chip and the wiring substrate and between the semiconductor chips. be able to.
  • 1 to 7 are schematic vertical sectional views showing a preferred embodiment of each step of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • 1 to 7 are schematic views, and for convenience of explanation, the size and relative magnitude relationship of each member such as a semiconductor wafer may differ from the actual ones.
  • the back surface of the semiconductor wafer 1 having at least one semiconductor circuit formed on the front surface that is, that is, The film-like adhesive of the present invention is thermocompression-bonded to the surface of the semiconductor wafer 1 on which the semiconductor circuit is not formed
  • the dicing tape 3 is provided via the adhesive.
  • the product in which the adhesive layer 2 and the dicing tape 3 are integrated may be thermocompression bonded to the back surface of the semiconductor wafer 1 at one time.
  • the conditions for thermocompression bonding are such that the epoxy resin (A) is not substantially thermoset. For example, the conditions of 70 ° C.
  • the semiconductor wafer 1 a semiconductor wafer having at least one semiconductor circuit formed on its surface can be appropriately used, and examples thereof include a silicon wafer, a SiC wafer, a GaAs wafer, and a GaN wafer.
  • the adhesive layer 2 the film-like adhesive of the present invention may be used alone as one layer or may be used by laminating two or more layers.
  • a method of providing such an adhesive layer 2 on the back surface of the wafer 1 a method capable of laminating a film-like adhesive on the back surface of the semiconductor wafer 1 can be appropriately adopted, and the method can be appropriately adopted on the back surface of the semiconductor wafer 1.
  • a method of sequentially laminating the film-shaped adhesive until the desired thickness is obtained, or after laminating the film-shaped adhesive to the desired thickness in advance examples thereof include a method of bonding to the back surface of the semiconductor wafer 1.
  • the device used when providing such an adhesive layer 2 on the back surface of the semiconductor wafer 1 is not particularly limited, and for example, a known device such as a roll laminator or a manual laminator can be appropriately used.
  • the dicing tape 3 is not particularly limited, and a known dicing tape can be used as appropriate.
  • the semiconductor wafer 1 semiconductor wafer 4
  • the adhesive layer 2 are placed on the dicing tape 3.
  • a semiconductor chip 5 with an adhesive layer comprising the above is obtained.
  • the device used for dicing is not particularly limited, and a known dicing device can be used as appropriate.
  • the dicing tape 3 is removed from the adhesive layer 2, and the semiconductor chip 5 with the adhesive layer and the wiring substrate 6 are thermocompression bonded via the adhesive layer 2.
  • the semiconductor chip 5 with an adhesive layer is mounted on the wiring board 6.
  • a substrate having a semiconductor circuit formed on its surface can be appropriately used.
  • a printed circuit board (PCB) various lead frames, and electronic components such as resistance elements and capacitors are mounted on the surface of the substrate. The board is mentioned.
  • a pick-up method using a normal jig can be adopted, specifically, a needle, a slider, or the like.
  • a method of peeling from the dicing tape 3 with a jig can be mentioned.
  • jig marks are less likely to occur on the surface of the film-like adhesive in this step.
  • the method of mounting the semiconductor chip 5 with an adhesive layer on the wiring board 6 is not particularly limited, and the semiconductor chip 5 with an adhesive layer is mounted on the wiring board 6 or the surface of the wiring board 6 by using the adhesive layer 2.
  • a conventional method capable of adhering to the electronic component is appropriately adopted.
  • a mounting method conventionally known heating such as a method using a mounting technique using a flip-chip bonder having a heating function from the upper part, a method using a die bonder having a heating function only from the lower part, and a method using a laminator. , Pressurization method can be mentioned.
  • the mounting (thermocompression bonding) conditions are such that the epoxy resin (A) is not substantially thermoset. For example, the conditions of 120 ° C., pressure of 0.1 MPa, and 1.0 second can be mentioned.
  • the uneven portion on the wiring board 5 caused by the electronic components is formed. Since the film-like adhesive can be made to follow, the semiconductor chip 4 and the wiring substrate 6 can be brought into close contact with each other and fixed. According to the manufacturing method of the present invention, in this step, voids are less likely to occur at the interface between the adhesive layer made of a film-like adhesive and the wiring substrate, and mounting can be performed with high reliability.
  • the adhesive layer 2 (the film-like adhesive of the present invention) is thermoset to obtain a thermosetting body.
  • the thermosetting temperature is not particularly limited as long as it is equal to or higher than the thermosetting start temperature of the film-shaped adhesive of the present invention. It varies depending on the type and cannot be unconditionally stated, but for example, 100 to 180 ° C. is preferable, and 140 to 180 ° C. is more preferable from the viewpoint that curing at a higher temperature is possible in a short time. .. If the temperature is lower than the thermosetting start temperature, the thermosetting does not proceed sufficiently and the strength of the adhesive layer 2 tends to decrease.
  • the curing treatment time is preferably, for example, 10 to 120 minutes.
  • connection method is not particularly limited, and a conventionally known method, for example, a wire bonding method, a TAB (Tape Automated Bonding) method, or the like can be appropriately adopted.
  • a plurality of semiconductor chips 4 can be laminated by thermocompression bonding, thermosetting, and reconnecting to the wiring board 6 by a wire bonding method on the surface of the mounted semiconductor chip 4. For example, a method of staggering and laminating semiconductor chips as shown in FIG. 5, or a method of laminating while embedding a bonding wire 7 by thickening the second and subsequent adhesive layers 2 as shown in FIG. be.
  • the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention as shown in FIG. 7, it is preferable to seal the wiring board 6 and the semiconductor chip 5 with an adhesive layer with a sealing resin 8, and thus the semiconductor package 9 is formed.
  • the encapsulating resin 8 is not particularly limited, and an appropriately known encapsulating resin that can be used for manufacturing a semiconductor package can be used. Further, the sealing method using the sealing resin 8 is not particularly limited, and a known method can be appropriately adopted.
  • the formation of jig marks in the pickup process can be suppressed even in the form of a thin film, and the generation of voids in the die attach process can be suppressed.
  • room temperature means 25 ° C.
  • MEK is methyl ethyl ketone
  • PET is polyethylene terephthalate.
  • Triphenylmethane type epoxy resin (trade name: EPPN-501H, mass average molecular weight: 1000, softening point: 55 ° C, semi-solid, epoxy equivalent: 167 g / eq, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 56 parts by mass, bisphenol A Type Epoxy resin (trade name: YD-128, mass average molecular weight: 400, softening point: 25 ° C or less, liquid, epoxy equivalent: 190 g / eq, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.) 49 parts by mass, bisphenol A type Phenoxy resin (trade name: YP-50, mass average molecular weight: 70000, Tg: 84 ° C., room temperature (25 ° C.) elasticity: 1700 MPa, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.) 30 parts by mass and 67 parts by mass of MEK 1000 ml A resin varnish was obtained by heating and stirring at a temperature of 110 ° C
  • a film-like adhesive with a film was obtained.
  • the obtained film-like adhesive was stored at 10 ° C. or lower. After the above drying, the epoxy resin has not been cured.
  • Example 2 Alumina filler (trade name: AO-502, manufactured by Admatex Co., Ltd., average particle size (d50): 0.6 ⁇ m, Mohs hardness: 9 Mohs, thermal conductivity: 36 W / m ⁇ K) is used in an amount of 320 parts by mass.
  • a film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1.
  • Example 3 Alumina filler (trade name: AO-502, manufactured by Admatex Co., Ltd., average particle size (d50): 0.6 ⁇ m, Mohs hardness: 9 Mohs, thermal conductivity: 36 W / m ⁇ K) is used in an amount of 480 parts by mass.
  • a film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1.
  • Example 4 Replacing the phenoxy resin with a bisphenol A / F copolymerized phenoxy resin (trade name: YP-70, mass average molecular weight: 55000, Tg: 72 ° C., room temperature elasticity 1400 MPa, manufactured by Shin-Nippon Epoxy Manufacturing Co., Ltd.) A film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 2 except for the above.
  • Example 5 Except for replacing the phenoxy resin with a low elasticity and high heat resistant phenoxy resin (trade name: FX-310, mass average molecular weight: 40,000, Tg: 110 ° C, normal temperature elastic modulus 500 MPa, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.) A film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 2.
  • Example 6 Bisphenol A type phenoxy resin (trade name: YP-50, mass average molecular weight: 70000, Tg: 84 ° C., normal temperature elastic modulus 1700 MPa, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.) is used in 44 parts by mass, and the alumina filler is used. (Product name: AO-502, manufactured by Admatex Co., Ltd., average particle size (d50): 0.6 ⁇ m, moth hardness: 9 Mohs, thermal conductivity: 36 W / m ⁇ K) was used in an amount of 350 parts by mass. A film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • Example 7 Bisphenol A type phenoxy resin (trade name: YP-50, mass average molecular weight: 70000, Tg: 84 ° C., normal temperature elastic modulus 1700 MPa, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.) is used in an amount of 70 parts by mass, and the alumina filler is used. (Product name: AO-502, manufactured by Admatex Co., Ltd., average particle size (d50): 0.6 ⁇ m, moth hardness: 9 Mohs, thermal conductivity: 36 W / m ⁇ K) was used in an amount of 400 parts by mass. A film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
  • Example 8 Bisphenol A type phenoxy resin (trade name: YP-50, mass average molecular weight: 70000, Tg: 84 ° C., normal temperature elastic modulus 1700 MPa, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.) is used in an amount of 50 parts by mass and is filled with inorganic substances.
  • Material is silver filler (trade name: AG-4-8F, manufactured by DOWA Electronics Co., Ltd., average particle size (d50): 2.0 ⁇ m, moth hardness: 2 Mohs, thermal conductivity: 429 W / m ⁇ K) 360 parts by mass
  • a film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive was replaced with.
  • Example 9 Bisphenol A type phenoxy resin (trade name: YP-50, mass average molecular weight: 70000, Tg: 84 ° C., normal temperature elastic modulus 1700 MPa, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.) is used in an amount of 50 parts by mass and is filled with inorganic substances.
  • Material is silver filler (trade name: AG-4-8F, manufactured by DOWA Electronics Co., Ltd., average particle size (d50): 2.0 ⁇ m, moth hardness: 2 Mohs, thermal conductivity: 429 W / m ⁇ K) 610 parts by mass.
  • a film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive was replaced with.
  • Example 10 Bisphenol A type phenoxy resin (trade name: YP-50, mass average molecular weight: 70000, Tg: 84 ° C., normal temperature elastic modulus 1700 MPa, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.) is used in an amount of 50 parts by mass and is filled with inorganic substances.
  • Material is silver filler (trade name: AG-4-8F, manufactured by DOWA Electronics Co., Ltd., average particle size (d50): 2.0 ⁇ m, moth hardness: 2 Mohs, thermal conductivity: 429 W / m ⁇ K) 950 parts by mass
  • a film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive was replaced with.
  • Example 11 Replace the inorganic filler with 14 parts by mass of silica filler (trade name: SO-25R, manufactured by SO-25R Co., Ltd., average particle size (d50): 0.5 ⁇ m, moth hardness: 7 Mohs, thermal conductivity: 1 W / m ⁇ K).
  • silica filler trade name: SO-25R, manufactured by SO-25R Co., Ltd., average particle size (d50): 0.5 ⁇ m, moth hardness: 7 Mohs, thermal conductivity: 1 W / m ⁇ K.
  • Example 12 Replace the inorganic filler with 67 parts by mass of silica filler (trade name: SO-25R, manufactured by SO-25R, average particle size (d50): 0.5 ⁇ m, moth hardness: 7 Mohs, thermal conductivity: 1 W / m ⁇ K).
  • silica filler trade name: SO-25R, manufactured by SO-25R, average particle size (d50): 0.5 ⁇ m, moth hardness: 7 Mohs, thermal conductivity: 1 W / m ⁇ K.
  • Example 13 Replaced the inorganic filler with 14 parts by mass of nanosilica filler (trade name: RY-200, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., average particle size (d50): 12 nm, moth hardness: 7 Mohs, thermal conductivity: 1 W / m ⁇ K).
  • nanosilica filler trade name: RY-200, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., average particle size (d50): 12 nm, moth hardness: 7 Mohs, thermal conductivity: 1 W / m ⁇ K.
  • Example 14 Replaced the inorganic filler with 67 parts by mass of nanosilica filler (trade name: RY-200, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., average particle size (d50): 12 nm, moth hardness: 7 Mohs, thermal conductivity: 1 W / m ⁇ K).
  • nanosilica filler trade name: RY-200, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., average particle size (d50): 12 nm, moth hardness: 7 Mohs, thermal conductivity: 1 W / m ⁇ K.
  • Example 15 Except for the fact that the amount of bisphenol A type phenoxy resin (trade name: YP-50, mass average molecular weight: 70000, Tg: 84 ° C., normal temperature elastic modulus 1700 MPa, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.) was set to 15 parts by mass. Made a film-like adhesive in the same manner as in Example 1.
  • bisphenol A type phenoxy resin trade name: YP-50, mass average molecular weight: 70000, Tg: 84 ° C., normal temperature elastic modulus 1700 MPa, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.
  • Example 16 Except for the fact that the amount of bisphenol A type phenoxy resin (trade name: YP-50, mass average molecular weight: 70000, Tg: 84 ° C., normal temperature elastic modulus 1700 MPa, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.) was set to 130 parts by mass. Made a film-like adhesive in the same manner as in Example 1.
  • bisphenol A type phenoxy resin trade name: YP-50, mass average molecular weight: 70000, Tg: 84 ° C., normal temperature elastic modulus 1700 MPa, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.
  • Example 17 Silica filler whose particle size distribution is adjusted using a 10.0 ⁇ m mesh filter for the inorganic filler (trade name: FB-7SDS, DENKA Co., Ltd., average particle size (d50): 5.4 ⁇ m, moth hardness: 7Mohs, thermal conductivity Rate: 1 W / m ⁇ K)
  • a film-like adhesive was produced in the same manner as in Example 1 except that it was replaced with 30 parts by mass.
  • Phenoxy resin is bisphenol F + 1,6-hexanediol diglycidyl ether type phenoxy resin (trade name: YX-7180, mass average molecular weight: 50,000, Tg: 15 ° C., room temperature elasticity 200 MPa, manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) 10 parts by mass Instead, use an alumina filler (trade name: AO-502, manufactured by Admatex Co., Ltd., average particle size (d50): 0.6 ⁇ m, moth hardness: 9 Mohs, thermal conductivity: 36 W / m ⁇ K).
  • a film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the amount was 275 parts by mass.
  • Phenoxy resin is bisphenol F + 1,6-hexanediol diglycidyl ether type phenoxy resin (trade name: YX-7180, mass average molecular weight: 50,000, Tg: 15 ° C., room temperature elasticity 200 MPa, manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) 190 parts by mass Instead, use an alumina filler (trade name: AO-502, manufactured by Admatex Co., Ltd., average particle size (d50): 0.6 ⁇ m, moth hardness: 9 Mohs, thermal conductivity: 36 W / m ⁇ K).
  • a film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the amount was 670 parts by mass.
  • Phenoxy resin is bisphenol F + 1,6-hexanediol diglycidyl ether type phenoxy resin (trade name: YX-7180, mass average molecular weight: 50,000, Tg: 15 ° C., room temperature elasticity 200 MPa, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) 30 parts by mass.
  • a film-like adhesive was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive was replaced with.
  • Epoxy resin is a triphenylmethane type epoxy resin (trade name: EPPN-501H, mass average molecular weight: 1000, softening point: 55 ° C., semi-solid, epoxy equivalent: 167 g / eq, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 50 parts by mass
  • the amount of bisphenol A type phenoxy resin (trade name: YP-50, mass average molecular weight: 70000, Tg: 84 ° C., room temperature elasticity 1700 MPa, manufactured by Shin Nikka Epoxy Manufacturing Co., Ltd.) was set to 100 parts by mass.
  • Alumina filler (trade name: AO-502, manufactured by Admatex Co., Ltd., average particle size (d50): 0.6 ⁇ m, moth hardness: 9 Mohs, thermal conductivity: 36 W / m ⁇ K) is used in an amount of 450 parts by mass.
  • a film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the amount of the silane coupling agent (trade name: Sila Ace S-510, manufactured by JNC Co., Ltd.) was 7.0 parts by mass. did.
  • Silicone filler for inorganic filler (trade name: MSP-SN05, manufactured by Nikko Rika Co., Ltd., average particle size (d50): 0.5 ⁇ m, moth hardness: 1 Mohs or less, thermal conductivity: 0.2 W / m ⁇ K)
  • a film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the amount was 8 parts by mass.
  • Silicone filler for inorganic filler (trade name: MSP-SN05, manufactured by Nikko Rika Co., Ltd., average particle size (d50): 0.5 ⁇ m, moth hardness: 1 Mohs or less, thermal conductivity: 0.2 W / m ⁇ K)
  • a film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the amount was 95 parts by mass.
  • Silicone filler for inorganic filler (trade name: MSP-SN05, manufactured by Nikko Rika Co., Ltd., average particle size (d50): 0.5 ⁇ m, moth hardness: 1 Mohs or less, thermal conductivity: 0.2 W / m ⁇ K)
  • a film-like adhesive with a release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the amount was 220 parts by mass.
  • the elastic modulus of the phenoxy resin and the acrylic resin used in each Example and Comparative Example at 25 ° C. was measured as follows. ⁇ Normal temperature (25 ° C) elastic modulus> 30 parts by mass of various phenoxy resins and 70 parts by mass of MEK (methyl ethyl ketone) were heated and stirred in a 500 ml separable flask at a temperature of 110 ° C. for 2 hours to obtain a resin varnish. Next, this resin varnish was applied onto a PET film (release film) having a thickness of 38 ⁇ m and subjected to a mold release treatment, and dried by heating at 130 ° C. for 10 minutes.
  • This phenoxy resin film is cut into a size of 5 mm ⁇ 17 mm, and a dynamic viscoelasticity measuring device (trade name: Rheogel-E4000F, manufactured by UBM Co., Ltd.) is used to measure a temperature range of 0 to 100 ° C. and a temperature rise rate of 5. The measurement was carried out under the conditions of ° C./min and a frequency of 1 Hz, and the value of the elastic modulus at 25 ° C. was determined. As with the phenoxy resin, the elastic modulus of the acrylic resin at 25 ° C. was determined according to the above method.
  • the average particle size (d50) of the inorganic filler used in each Example and Comparative Example was measured as follows. ⁇ Measurement of average particle size (d50)> 0.1 g of each inorganic filler used above and 9.9 g of MEK were weighed, and a mixture thereof was subjected to ultrasonic dispersion treatment for 5 minutes to prepare a sample for measurement. For this measurement sample, the average particle size (d50) was obtained from the cumulative curve of the volume fraction of the particle size distribution measured by the laser diffraction / scattering method (model: LMS-2000e, manufactured by Seishin Co., Ltd.). rice field.
  • a triangular pyramid diamond indenter (Berkovich type; 115 °) was pushed from the surface of the film-like adhesive at a loading time of 80 seconds, a waiting time of 17 seconds, and an unloading time of 80 seconds, and measurements were carried out. Young's modulus and nanoindentation hardness were determined from the Poisson's ratio of each sample. Although the test pieces are bonded at 70 ° C. when prepared, the epoxy resin does not substantially undergo a curing reaction even when exposed to 70 ° C. for the above short time. Therefore, the above measurement result is substantially the same as the result using the film-like adhesive which has not been exposed to the temperature of 25 ° C. or higher.
  • melt viscosity From the film-like adhesive with a release film obtained in each Example and Comparative Example, a square having a size of 5.0 cm in length ⁇ 5.0 cm in width was cut out, and the sample cut out with the release film peeled off was laminated and laminated at 70 ° C. A test piece having a thickness of about 1.0 mm was obtained by laminating with a hand roller on the stage of. For this test piece, a rheometer (RS6000, manufactured by Hake) was used to measure the change in viscous resistance in a temperature range of 20 to 250 ° C. and a heating rate of 5 ° C./min. From the obtained temperature-viscosity resistance curve, the melt viscosity (Pa ⁇ s) at 120 ° C. was calculated.
  • RS6000 rheometer
  • the film-like adhesive with a release film obtained in each Example and Comparative Example was subjected to dummy silicon at a temperature of 70 ° C. and a pressure of 0.3 MPa using a manual laminator (trade name: FM-114, manufactured by Technovision Co., Ltd.). It was adhered to one surface of a wafer (8 inch size, thickness 100 ⁇ m). Then, after peeling the release film from the film-like adhesive, a dicing tape (trade name:) is used on the surface of the film-like adhesive on the surface opposite to the dummy silicon wafer at room temperature and pressure of 0.3 MPa using the same manual laminator.
  • a manual laminator trade name: FM-114, manufactured by Technovision Co., Ltd.
  • dicing frame (trade name: DTF2-8-1H001, manufactured by DISCO) were adhered.
  • a dicing device (trade name: DFD-6340, manufactured by DISCO) equipped with a two-axis dicing blade (Z1: NBC-ZH2050 (27HEDD), Z2: NBC-ZH127F-SE (BC), DISCO). Dicing was performed from the dummy silicon wafer side so as to have a size of 5 mm ⁇ 5 mm using DISCO) to obtain a dummy chip with a film-like adhesive.
  • a die bonder (trade name: DB-800, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) picks up the dummy chip with a film-like adhesive from the dicing tape under the following conditions, and puts it on the film-like adhesive after pickup. The state of the needle mark was observed, and the needle mark was evaluated by the following evaluation. In this test, evaluation ranks "AA" and "A” are pass levels. Pickup conditions 4 needles, needle R150 ( ⁇ m), needle pitch 3.5 mm, push-up speed 5 mm / sec, push-up height 200 ⁇ m, pick-up time 100 msec Evaluation criteria AA: Film-like in all 24 picked-up semiconductor chips No needle marks are observed on the adhesive surface.
  • Needle marks were observed on the surface of the film-like adhesive in 1 to 3 of the 24 semiconductor chips picked up, and the number of needle marks on the surface of the film-like adhesive in which the needle marks were observed was 1 to 3.
  • Is. B Needle marks are observed on the surface of the film-like adhesive in 1 to 3 of the 24 semiconductor chips picked up, and the number of needle marks on the surface of the film-like adhesive in which the needle marks are observed is 4. .. C: Needle marks are observed on the surface of the film-like adhesive in 4 or more of the 24 semiconductor chips picked up.
  • the film-like adhesive with a release film obtained in each Example and Comparative Example was subjected to dummy silicon at a temperature of 70 ° C. and a pressure of 0.3 MPa using a manual laminator (trade name: FM-114, manufactured by Technovision Co., Ltd.). It was adhered to one surface of a wafer (8 inch size, thickness 100 ⁇ m). Then, after peeling the release film from the film-like adhesive, a dicing tape (trade name:) is used on the surface of the film-like adhesive on the surface opposite to the dummy silicon wafer at room temperature and pressure of 0.3 MPa using the same manual laminator.
  • a manual laminator trade name: FM-114, manufactured by Technovision Co., Ltd.
  • dicing frame (trade name: DTF2-8-1H001, manufactured by DISCO) were adhered.
  • a dicing device (trade name: DFD-6340, manufactured by DISCO) equipped with a two-axis dicing blade (Z1: NBC-ZH2050 (27HEDD), Z2: NBC-ZH127F-SE (BC), DISCO). Dicing was performed from the dummy silicon wafer side so as to have a size of 10 mm ⁇ 10 mm using DISCO) to obtain a dummy chip with a film-like adhesive.
  • the dummy chip with a film-like adhesive was picked up from the dicing tape by a die bonder (trade name: DB-800, manufactured by Hitachi High-Technologies Co., Ltd.), 120 ° C., pressure 0.1 MPa (load 400 gf), time. Under the condition of 1.0 second, heat is applied so that the film-like adhesive side of the dummy chip with the film-like adhesive and the mounting surface side of the lead frame substrate (42 Alloy system, manufactured by Letterpress Printing Co., Ltd.) are bonded together. It was crimped.
  • the mounting surface of the lead frame substrate is a metal surface having a slight surface roughness.
  • the film-like adhesives obtained by using the adhesive compositions that do not satisfy any of the composition, the ratio of the phenoxy resin, the Young's modulus, and the nanoindentation hardness specified in the present invention are all used for needle mark evaluation and needle mark evaluation.
  • One of the die attachability evaluations failed, and the suppression of jig marks and the improvement of the die attachability could not be achieved.
  • the film-like adhesives obtained by using the adhesive compositions of Examples 1 to 17 of the present invention did not easily leave jig marks and were excellent in die attachability.

Abstract

エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）及び無機充填材（Ｄ）を含有する接着剤用組成物であって、前記フェノキシ樹脂（Ｃ）の２５℃における弾性率が５００ＭＰａ以上であり、前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記フェノキシ樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占める前記フェノキシ樹脂（Ｃ）の割合が、１０～６０質量％であり、前記接着剤用組成物を用いて形成した、硬化前のフィルム状接着剤の２５℃におけるナノインデンテーション硬さが０．１０ＭＰａ以上、ヤング率が１００ＭＰａ以上である接着剤用組成物、これを用いたフィルム状接着剤、このフィルム状接着剤を用いた半道体パッケージとその製造方法。

Description

接着剤用組成物及びフィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法
　本発明は、接着剤用組成物及びフィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
　近年、半導体チップを多段に積層したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ　Ｃｈｉｐ　Ｐａｃｋａｇｅ）が普及しており、携帯電話、携帯オーディオ機器用のメモリパッケージとして搭載されている。また、携帯電話等の多機能化に伴い、パッケージの高密度化・高集積化も推し進められている。これに伴い、半導体チップの多段積層化が進行している。
　このようなメモリパッケージの製造過程における配線基板と半導体チップとの接着、また、半導体チップ間の接着（いわゆる、ダイアタッチ）には、フィルム状接着剤（ダイアタッチフィルム）が使用され、このフィルム状接着剤には、十分な接着性が求められる。加えて、半導体チップの多段積層化に伴い、フィルム状接着剤の薄膜化も要求されている。
　従来、いわゆる薄型フィルム状接着剤として用いることができる材料としては、例えば、特許文献１に、アクリル酸エステル系ポリマー、多官能イソシアネート系架橋剤、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びシリカを含有し、ショアＡ硬度を規定した接着剤層を設けた半導体装置製造用フィルムロールが記載されている。
　また、特許文献２には、モース硬度の異なる２種類以上の熱伝導性フィラーを含有し、ダイシング工程でのブレードの摩耗量が５０μｍ／ｍ以下である放熱性フィルム状接着剤であって、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、フェノキシ樹脂を含有するフィルム状接着剤が記載されている。
特許第５３２２６０９号公報 特開２０１９－２１８２９号公報
　通常、フィルム状接着剤を使用する場合、フィルム状接着剤を貼合した半導体ウェハを、ダイシングテープを土台にして、ダイシングし、半導体チップに個片化する。その後、個片化した、フィルム状接着剤付きの半導体チップは、ダイシングテープ下部よりニードルやスライダー等の治具によりダイシングテープから剥がすピックアップ工程を経て、配線基板表面や半導体素子面に熱圧着される。
　配線基板表面や半導体素子表面は必ずしも平滑な面状態ではないため、熱圧着時にフィルム状接着剤と被着体との界面に空気を巻き込むことがある。巻き込まれた空気（ボイド）は熱硬化後の接着力を低下させるだけでなく、放熱性の低下等の原因となりうる。
　加えて、フィルム状接着剤には、ピックアップ工程におけるニードルやスライダー等の治具跡がフィルム状接着剤表面に残る場合がある。このような治具痕は、フィルム状接着剤を熱圧着した際にボイドとなり、上述の接着力の低下等の問題の発生の要因となる場合がある。上述の治具痕が残りボイドとなる問題は、フィルム状接着剤の薄膜化（例えば、２０μｍ未満）につれてより顕在化する。
　本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、フィルム状接着剤を薄膜としてもピックアップ工程における治具跡がフィルム状接着剤表面に残りにくく、さらに、実装の際にはボイドの形成を抑制しうる、ダイアタッチ性が良好なフィルム状接着剤、及びこれを得るのに好適な接着剤用組成物を提供することを課題とする。さらに本発明は、このフィルム状接着剤を用いた半導体パッケージとその製造方法を提供することを課題とする。
　本発明者は上記課題に鑑み鋭意検討を重ねた結果、フィルム状接着剤の原料としてエポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、フェノキシ樹脂、及び無機充填材の組み合わせを採用した上で、このフェノキシ樹脂として一定以上の弾性率を示すものを用い、エポキシ樹脂とフェノキシ樹脂の各含有量の合計に占めるフェノキシ樹脂の含有量を一定以上とし、さらに、硬化前のナノインデンテーション硬さ及びヤング率が一定の値以上となるように制御したフィルム状接着剤とすることにより、上記課題を解決できることを見出した。
　本発明はこれらの知見に基づきさらに検討を重ねて完成されるに至ったものである。
　本発明の上記課題は下記の手段により解決される。
〔１〕
　エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）及び無機充填材（Ｄ）を含有する接着剤用組成物であって、
　前記フェノキシ樹脂（Ｃ）の２５℃における弾性率が５００ＭＰａ以上であり、
　前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記フェノキシ樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占める前記フェノキシ樹脂（Ｃ）の割合が、１０～６０質量％であり、
　前記接着剤用組成物を用いて形成した、硬化前のフィルム状接着剤の２５℃におけるナノインデンテーション硬さが０．１０ＭＰａ以上、ヤング率が１００ＭＰａ以上である接着剤用組成物。
〔２〕
　前記無機充填材（Ｄ）の平均粒径（ｄ５０）が０．０１～５．０μｍであり、
　前記エポキシ樹脂（Ａ）、前記エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、前記フェノキシ樹脂（Ｃ）及び前記無機充填材（Ｄ）の各含有量の合計に占める前記無機充填材（Ｄ）の割合が、５～７０体積％である〔１〕に記載の接着剤用組成物。
〔３〕
　前記無機充填材（Ｄ）が、モース硬度２以上の無機充填材を含む〔２）に記載の接着剤用組成物。
〔４〕
　前記接着剤用組成物を用いて形成した、硬化前のフィルム状接着剤を２５℃から５℃／分の昇温速度で昇温したとき、１２０℃における溶融粘度が１００～１００００Ｐａ・ｓの範囲にある〔１〕～〔３〕のいずれか１項に記載の接着剤用組成物。
〔５〕
　〔１〕～〔４〕のいずれか１項に記載の接着剤用組成物により得られてなるフィルム状接着剤。
〔６〕
　厚みが１～６０μｍである、〔５〕に記載のフィルム状接着剤。
〔７〕
　半導体パッケージの製造方法であって、
　表面に少なくとも１つの半導体回路が形成された半導体ウェハの裏面に、〔５〕又は〔６〕に記載のフィルム状接着剤を熱圧着して接着剤層を設け、前記接着剤層を介してダイシングテープを設ける第１の工程と、
　前記半導体ウェハと前記接着剤層とを同時にダイシングすることにより、ダイシングテープ上に、前記半導体ウェハ及び前記接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを得る第２の工程と、
　前記接着剤層から前記ダイシングテープを取り除き、前記接着剤層付き半導体チップと配線基板とを前記接着剤層を介して熱圧着する第３の工程と、
　前記接着剤層を熱硬化する第４の工程と、
　を含む半導体パッケージの製造方法。
〔８〕
　半導体チップと配線基板、又は、半導体チップ間が、〔５〕又は〔６〕に記載のフィルム状接着剤の熱硬化体により接着されてなる、半導体パッケージ。
　本発明において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　本発明において、（メタ）アクリルとは、アクリル及びメタクリルの一方又は両方を意味する。（メタ）アクリレートについても同様である。
　本発明のフィルム状接着剤は、ピックアップ工程における治具跡がフィルム状接着剤表面に残りにくく、さらに、実装の際にはボイドの形成を抑制しうる、ダイアタッチ性が良好なフィルム状接着剤である。
　本発明の接着剤用組成物は、上記フィルム状接着剤を得るのに好適である。
　本発明の製造方法によれば、上記フィルム状接着剤を用いて半導体パッケージを製造することができる。
図１は、本発明の半導体パッケージの製造方法の第１の工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。 図２は、本発明の半導体パッケージの製造方法の第２の工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。 図３は、本発明の半導体パッケージの製造方法の第３の工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。 図４は、本発明の半導体パッケージの製造方法のボンディングワイヤーを接続する工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。 図５は、本発明の半導体パッケージの製造方法の多段積層実施形態例を示す概略縦断面図である。 図６は、本発明の半導体パッケージの製造方法の別の多段積層実施形態例を示す概略縦断面図である。 図７は、本発明の半導体パッケージの製造方法により製造される半導体パッケージの好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。
＜＜接着剤用組成物及びフィルム状接着剤＞＞
　本発明の接着剤用組成物は、フィルム状接着剤の形成に好適に使用できる。
　本発明の接着剤用組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）及び無機充填材（Ｄ）を含有しており、
　フェノキシ樹脂（Ｃ）の２５℃における弾性率が５００ＭＰａ以上であり、
　エポキシ樹脂（Ａ）とフェノキシ樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占めるフェノキシ樹脂（Ｃ）の割合が、１０～６０質量％であり、
　接着剤用組成物を用いて形成した、硬化前のフィルム状接着剤の２５℃における、ナノインデンテーション硬さが０．１０ＭＰａ以上、ヤング率が１００ＭＰａ以上である。
　本発明において、硬化前のフィルム状接着剤とは、エポキシ樹脂（Ａ）が熱硬化する前の状態にあるものをいう。熱硬化前のフィルム状接着剤とは、具体的には、フィルム状接着剤形成後、２５℃以上の温度条件下に曝されていないフィルム状接着剤を意味する。一方、硬化後のフィルム状接着剤とは、エポキシ樹脂（Ａ）が熱硬化した状態にあるものをいう。なお、上記の説明は、本発明の接着剤用組成物の特性を明確にするためのものであり、本発明のフィルム状接着剤が、２５℃以上の温度条件下に曝されていないものに限定されるものではない。
　また、上記ナノインデンテーション硬さ及びヤング率の測定の際に、実質的に硬化しない程度の温度にさらされることを妨げるものではない。
　治具痕の形成を抑制しつつ、ダイアタッチ性を高める観点から、硬化前のフィルム状接着剤の２５℃におけるナノインデンテーション硬さは０．１０ＭＰａ以上である。ナノインデンテーション硬さは、０．１０～５．００ＭＰａが好ましく、０．２０～３．００ＭＰａがより好ましく、１．００～２．５０ＭＰａがさらに好ましく、１．４０～２．２０ＭＰａが特に好ましい。ナノインデンテーション硬さは、ＩＳＯ１４５７７　（２０１５版）に準拠して、実施例に記載の方法で測定されるものである。ナノインデンテーション硬さは、各樹脂成分の含有量、フェノキシ樹脂（Ｃ）の弾性率、無機充填材の含有量及び種類等を調整することにより制御することができる。
　治具痕の形成を抑制しつつ、ダイアタッチ性を高める観点から、硬化前のフィルム状接着剤の２５℃におけるヤング率は、１００ＭＰａ以上である。ヤング率は、１００～５０００ＭＰａが好ましく、２００～３０００ＭＰａがより好ましく、１０００～２０００ＭＰａがより好ましい。ヤング率は、実施例に記載の方法で測定することができる。ヤング率は、各樹脂成分の含有量、フェノキシ樹脂（Ｃ）の弾性率、無機充填材の含有量及び種類等を調整することにより制御することができる。
　なお、上記ナノインデンテーション硬さ及びヤング率は、硬化前のフィルム状接着剤が厚さ１００μｍである場合を想定した値であり、後述する実施例のようにして厚さ１００μｍのフィルム状接着剤を調製してナノインデンテーション硬さ及びヤング率を決定することができる。
　以下、接着剤用組成物に含まれる各成分について説明する。
（エポキシ樹脂（Ａ））
　上記エポキシ樹脂（Ａ）は、エポキシ基を持つ熱硬化型の樹脂であり、エポキシ当量は５００ｇ／ｅｑ以下である。エポキシ樹脂（Ａ）は液体、固体または半固体のいずれであってもよい。本発明において液体とは、軟化点が２５℃未満であることをいい、固体とは、軟化点が６０℃以上であることをいい、半固体とは、軟化点が上記液体の軟化点と固体の軟化点との間（２５℃以上６０℃未満）にあることをいう。本発明で使用するエポキシ樹脂（Ａ）としては、好適な温度範囲（例えば６０～１２０℃）で低溶融粘度に到達することができるフィルム状接着剤を得る観点から、軟化点が１００℃以下であることが好ましい。なお、本発明において、軟化点とは、軟化点試験（環球式）法（測定条件：ＪＩＳ－２８１７に準拠）により測定した値である。
　本発明で使用するエポキシ樹脂（Ａ）において、硬化体の架橋密度が高くなり、結果として、配合される無機充填材（Ｄ）同士の接触確率が高く接触面積が広くなることでより高い熱伝導率が得られるという観点から、エポキシ当量は１５０～４５０ｇ／ｅｑであることが好ましい。なお、本発明において、エポキシ当量とは、１グラム当量のエポキシ基を含む樹脂のグラム数（ｇ／ｅｑ）をいう。
　エポキシ樹脂（Ａ）の質量平均分子量は、通常、１０，０００未満が好ましく、５，０００以下がより好ましい。下限値に特に制限はないが、３００以上が実際的である。
　質量平均分子量は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）分析による値である。
　エポキシ樹脂（Ａ）の骨格としては、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、クレゾールノボラック型、ジシクロペンタジエン型、ビフェニル型、フルオレンビスフェノール型、トリアジン型、ナフトール型、ナフタレンジオール型、トリフェニルメタン型、テトラフェニル型、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型、トリメチロールメタン型等が挙げられる。このうち、樹脂の結晶性が低く、良好な外観を有するフィルム状接着剤を得られるという観点から、トリフェニルメタン型、ビスフェノールＡ型、クレゾールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型が好ましい。
　エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、本発明の接着剤用組成物のうち、フィルム状接着剤を構成する成分（具体的には、溶媒以外の成分）の総含有量１００質量部中、３～７０質量部が好ましく、３～３０質量部が好ましく、５～３０質量部がより好ましい。含有量を上記好ましい範囲内とすることにより、治具痕の形成を抑制しつつ、ダイアタッチ性を高めることができる。また、上記好ましい上限値以下とすることにより、オリゴマー成分の生成を抑え、少しの温度変化ではフィルム状態（フィルムタック性等）の変化を生じにくくすることができる。
（エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ））
　上記エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）としては、アミン類、酸無水物類、多価フェノール類等の任意の硬化剤を用いることができる。本発明では、低溶融粘度で、かつ、ある温度を超える高温で硬化性を発揮し、速硬化性を有し、さらに、室温での長期保存が可能な保存安定性の高いフィルム状接着剤とする観点から、潜在性硬化剤を用いることが好ましい。
　潜在性硬化剤としては、ジシアンジアミド化合物、イミダゾール化合物、硬化触媒複合系多価フェノール化合物、ヒドラジド化合物、三弗化ホウ素－アミン錯体、アミンイミド化合物、ポリアミン塩、およびこれらの変性物やこれらをマイクロカプセル型としたものを挙げることができる。これらは１種を単独で用いても、もしくは２種以上を組み合わせて用いてもよい。より優れた潜在性（室温での安定性に優れ、かつ、加熱により硬化性を発揮する性質）を有し、硬化速度がより速い観点から、イミダゾール化合物を用いることがより好ましい。
　エポキシ樹脂（Ａ）１００質量部に対するエポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の含有量は、０．５～１００質量部が好ましく、１～８０質量部がより好ましく、２～５０質量部がさらに好ましく、４～２０質量部がさらに好ましい。含有量を上記好ましい下限値以上とすることにより硬化時間をより短くすることができ、他方、上記好ましい上限値以下とすることにより、過剰の硬化剤のフィルム状接着剤中への残留を抑えることができる。結果、残留硬化剤の水分の吸着が抑えられ、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
（フェノキシ樹脂（Ｃ））
　フェノキシ樹脂（Ｃ）は、フィルム状接着剤を形成した際に、常温（２５℃）でのフィルムタック性を抑制し、造膜性（フィルム形成性）を付与する成分である。
　上記フェノキシ樹脂（Ｃ）は、常温（２５℃）弾性率が５００ＭＰａ以上である。上記フェノキシ樹脂（Ｃ）の常温（２５℃）弾性率は、１０００ＭＰａ以上が好ましく、１５００ＭＰａ以上がより好ましい。また、常温（２５℃）弾性率の上限は特に限定されないが、２０００ＭＰａ以下が好ましい。このような弾性率を有するフェノキシ樹脂を用いることにより、治具痕の抑制とダイアタッチ性との両立をより高いレベルで実現することが可能になる。
　常温（２５℃）弾性率は、後述する実施例に記載の方法により決定することができる。なお、接着剤用組成物が２種以上のフェノキシ樹脂を含有する場合の常温（２５℃）弾性率は、後述する実施例に記載の方法における常温弾性率測定用のフェノキシ樹脂フィルムとして、接着剤用組成物を構成する混合比率でフェノキシ樹脂を配合して作製したフィルムを用いて決定することができる。
　上記フェノキシ樹脂（Ｃ）としては、質量平均分子量は、通常、１００００以上である。上限値に特に制限はないが、５００００００以下が実際的である。
　上記フェノキシ樹脂（Ｃ）の質量平均分子量は、ＧＰＣ〔ゲル浸透クロマトグラフィー（Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）〕によるポリスチレン換算で求める。
　上記フェノキシ樹脂（Ｃ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１２０℃未満が好ましく、１００℃未満がより好ましく、９０℃未満がより好ましい。下限は、０℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましい。
　上記フェノキシ樹脂（Ｃ）のガラス転移温度は、昇温速度０．１℃／分でＤＳＣにより測定されたガラス転移温度である。
　接着剤用組成物は、フェノキシ樹脂（Ｃ）として、少なくとも１種のフェノキシ樹脂を含有する。
　なお、本発明においてフェノキシ樹脂（Ｃ）とは、エポキシ当量（１当量のエポキシ基あたりの樹脂の質量）が５００ｇ／ｅｑを越えるものである。つまり、フェノキシ樹脂の構造を有していても、エポキシ当量が５００ｇ／ｅｑ以下である樹脂はエポキシ樹脂（Ａ）に分類される。
　フェノキシ樹脂（Ｃ）は、ビスフェノールもしくはビフェノール化合物とエピクロルヒドリンのようなエピハロヒドリンとの反応、液状エポキシ樹脂とビスフェノールもしくはビフェノール化合物との反応で得ることができる。
　いずれの反応においても、ビスフェノールもしくはビフェノール化合物としては、下記一般式（Ａ）で表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　一般式（Ａ）において、Ｌａは、単結合または２価の連結基を表し、Ｒａ１およびＲａ２は、各々独立に置換基を表す。ｍａおよびｎａは各々独立に、０～４の整数を表す。
　Ｌａにおいて、２価の連結基は、アルキレン基、フェニレン基、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ－、－ＳＯ２－、または、アルキレン基とフェニレン基とが組み合わされた基が好ましい。
　アルキレン基は、炭素数が１～１０が好ましく、１～６がより好ましく、１～３がさらに好ましく、１または２が特に好ましく、１が最も好ましい。
　アルキレン基は、－Ｃ（Ｒα）（Ｒβ）－が好ましく、ここで、ＲαおよびＲβは各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基を表す。ＲαとＲβが互いに結合して、環を形成してもよい。ＲαおよびＲβは、水素原子またはアルキル基（例えば、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ－プロピル、ｎ－ブチル、イソブチル、ヘキシル、オクチル、２－エチルヘキシル）が好ましい。アルキレン基は、なかでも－ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）、－Ｃ（ＣＨ３）２－が好ましく、－ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）がより好ましく、－ＣＨ２－がさらに好ましい。
　フェニレン基は、炭素数が６～１２が好ましく、６～８がより好ましく、６がさらに好ましい。フェニレン基は、例えば、ｐ－フェニレン、ｍ－フェニレン、ｏ－フェニレンが挙げられ、ｐ－フェニレン、ｍ－フェニレンが好ましい。
　アルキレン基とフェニレン基が組み合わされた基としては、アルキレン－フェニレン－アルキレン基が好ましく、－Ｃ（Ｒα）（Ｒβ）－フェニレン－Ｃ（Ｒα）（Ｒβ）－がより好ましい。
　ＲαとＲβが結合して形成する環は、５または６員環が好ましく、シクロペンタン環、シクロヘキサン環がより好ましく、シクロヘキサン環がさらに好ましい。
　Ｌａは、単結合またはアルキレン基、－Ｏ－、－ＳＯ２－が好ましく、アルキレン基がより好ましい。
　Ｒａ１およびＲａ２は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ハロゲン原子が好ましく、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子がより好ましく、アルキル基がさらに好ましい。
　ｍａおよびｎａは、０～２が好ましく、０または１がより好ましく、０がさらに好ましい。
　ビスフェノールもしくはビフェノール化合物は、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＡＰ、ビスフェノールＡＦ、ビスフェノールＢ、ビスフェノールＢＰ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＥ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＧ、ビスフェノールＭ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＰ、ビスフェノールＰＨ、ビスフェノールＴＭＣ、ビスフェノールＺや、４，４’－ビフェノール、２，２’－ジメチル－４，４’－ビフェノール、２，２’，６，６’－テトラメチル－４，４’－ビフェノール、カルド骨格型ビスフェノール等が挙げられ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、ビスフェノールＣ、ビスフェノールＥ、ビスフェノールＦ、４，４’－ビフェノールが好ましく、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＥ、ビスフェノールＦがより好ましく、ビスフェノールＡが特に好ましい。
　上記の液状エポキシ樹脂としては、脂肪族ジオール化合物のジグリシジルエーテルが好ましく、下記一般式（Ｂ）で表される化合物がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　一般式（Ｂ）において、Ｘはアルキレン基を表し、ｎｂは１～１０の整数を表す。
　アルキレン基は、炭素数が２～１０が好ましく、２～８がより好ましく、３～８がさらに好ましく、４～６が特に好ましく、６が最も好ましい。
　例えば、エチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、へキシレン、オクチレンが挙げられ、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘプタメチレン、ヘキサメチレン、オクタメチレンが好ましい。
　ｎｂは１～６が好ましく、１～３がより好ましく、１がさらに好ましい。
　ここで、ｎｂが２～１０の場合、Ｘはエチレンまたはプロピレンが好ましく、エチレンがさらに好ましい。
　ジグリシジルエーテルにおける脂肪族ジオール化合物としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、１，３－プロパンジオール、１，４－ブタンジオール、１，５－ヘプタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、１，７－ペンタンジオール、１，８－オクタンジオールが挙げられる。
　フェノキシ樹脂は、上記反応において、ビスフェノールもしくはビフェノール化合物の１種又は２種以上を用いることができる。また。脂肪族ジオール化合物についても１種又は２種以上を用いることができる。例えば、１，６－ヘキサンジオールのジグリシジルエーテルとビスフェノールＡとビスフェノールＦの混合物とを反応させて得られたフェノキシ樹脂が挙げられる。
　フェノキシ樹脂（Ｃ）は、本発明では、液状エポキシ樹脂とビスフェノールもしくはビフェノール化合物との反応で得られたフェノキシ樹脂が好ましく、下記一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位のフェノキシ樹脂がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　一般式（Ｉ）において、Ｌａ、Ｒａ１、Ｒａ２、ｍａおよびｎａは、一般式（Ａ）におけるＬａ、Ｒａ１、Ｒａ２、ｍａおよびｎａと同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｘおよびｎｂは、一般式（Ｂ）におけるＸおよびｎｂと同義であり、好ましい範囲も同じである。
　本発明では、これらのなかでも、ビスフェノールＡと１，６－ヘキサンジオールのジグリシジルエーテルとの重合体が好ましい。
　フェノキシ樹脂の骨格に着目すると、本発明では、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡ・Ｆ型共重合型フェノキシ樹脂を好ましく用いることができる。また、低弾性高耐熱型フェノキシ樹脂を好ましく用いることができる。
　フェノキシ樹脂（Ｃ）の質量平均分子量は、１００００以上が好ましく、１００００～１０００００がより好ましい。
　また、フェノキシ樹脂（Ｃ）中に僅かに残存するエポキシ基の量は、エポキシ当量で、５０００ｇ／ｅｑを越えることが好ましい。
　フェノキシ樹脂（Ｃ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１００℃未満が好ましく、９０℃未満がより好ましい。下限は、０℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましい。
　フェノキシ樹脂（Ｃ）は、上記のような方法で合成してもよく、また市販品を使用しても構わない。市販品としては、例えば、１２５６（ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、三菱化学（株）製）、ＹＰ－５０（ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、新日化エポキシ製造（株）製）、ＹＰ－７０（ビスフェノールＡ／Ｆ型フェノキシ樹脂、新日化エポキシ製造（株）製）、ＦＸ－３１６（ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂、新日化エポキシ製造（株）製）、および、ＦＸ－２８０Ｓ（カルド骨格型フェノキシ樹脂、新日化エポキシ製造（株）製）、４２５０（ビスフェノールＡ型／Ｆ型フェノキシ樹脂、三菱化学（株）製）、ＦＸ－３１０（低弾性高耐熱型フェノキシ樹脂、新日化エポキシ製造（株）製）等が挙げられる。
　接着剤用組成物中、エポキシ樹脂（Ａ）とフェノキシ樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占めるフェノキシ樹脂（Ｃ）の割合は１０～６０質量％であり、１５～５０質量％とすることも好ましく、１８～４５質量％とすることも好ましい。
（無機充填材（Ｄ））
　無機充填材（Ｄ）は、通常、接着剤用組成物に使用される無機充填材を特に制限なく用いることができる。
　無機充填材（Ｄ）としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ（酸化アルミニウム）、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鈴、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、カーボンナノチューブ、グラフェン等のカーボン類等の種々の無機粉末が挙げられる。
　無機充填材（Ｄ）の平均粒径（ｄ５０）は特に限定されないが、治具痕の形成を抑制しつつ、ダイアタッチ性を高める観点から、０．０１～６．０μｍが好ましく、０．０１～５．０μｍが好ましく、０．１～３．５μｍがより好ましく、０．６～１．０μｍがさらに好ましい。平均粒径（ｄ５０）とは、いわゆるメジアン径であり、レーザー回折・散乱法により粒度分布を測定し、累積分布において粒子の全体積を１００％としたときに５０％累積となるときの粒径を意味する。本発明の接着剤用組成物の一態様は、無機充填材（Ｄ）に着目した場合、平均粒径（ｄ５０）が０．１～３．５μｍの無機充填材を含む。また、別の好ましい態様は、平均粒径（ｄ５０）が３．５μｍを超える無機充填材を含む。
　無機充填材のモース硬度は特に限定されないが、治具痕の発生を抑制しつつ、ダイアタッチ性を高める観点から、２以上であることが好ましく、２～９であることがより好ましく、８～９であることがさらに好ましい。モース硬度は、モース硬度計により測定することができる。
　上記無機充填材（Ｄ）は、熱伝導性を有する無機充填材とすることもできる。このような無機充填材（Ｄ）は、接着剤層に熱伝導性を付与する。本発明の接着剤用組成物は、無機充填材（Ｄ）に着目した場合、熱伝導性を有する無機充填材（熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機充填材）を含む態様でもよいし、熱伝導性を有さない無機充填材（熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ未満の無機充填材）を含む態様でもよい。
　熱伝導性を有する無機充填材（Ｄ）は、熱伝導性材料からなる粒子または熱伝導性材料で表面被覆されてなる粒子であって、これらの熱伝導性材料の熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。
　上記熱伝導性材料の熱伝導率が上記好ましい下限値以上であると、目的の熱伝導率を得るために配合する無機充填材（Ｄ）の量を低減することができ、接着剤層の溶融粘度の上昇が抑制されて、基板に圧着する際に基板の凹凸部への埋め込み性をより向上させることができる。結果、ボイドの発生をより確実に抑制できる。
　本発明において、上記熱伝導性材料の熱伝導率は、２５℃における熱伝導率を意味し、各材料の文献値を用いることができる。文献に記載がない場合にも、例えば、セラミックスであればＪＩＳ　Ｒ　１６１１により測定される値、金属であれば、ＪＩＳ　Ｈ　７８０１により測定される値を代用することができる。
　熱伝導性を有する無機充填材（Ｄ）としては、例えば、熱伝導性のセラミックスがあげられ、アルミナ粒子（熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化アルミニウム粒子（熱伝導率：１５０～２９０Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化ホウ素粒子（熱伝導率：６０Ｗ／ｍ・Ｋ）、酸化亜鉛粒子（熱伝導率：５４Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化ケイ素フィラー（熱伝導率：２７Ｗ／ｍ・Ｋ）、炭化ケイ素粒子（熱伝導率：２００Ｗ／ｍ・Ｋ）および酸化マグネシウム粒子（熱伝導率：５９Ｗ／ｍ・Ｋ）が好ましく挙げられる。
　特にアルミナ粒子は高熱伝導率を有し、分散性、入手容易性の点で好ましい。また、窒化アルミニウム粒子や窒化ホウ素粒子は、アルミナ粒子よりもさらに高い熱伝導率を有する観点で好ましい。本発明では、なかでもアルミナ粒子と窒化アルミニウム粒子が好ましい。
　また、熱伝導性を有する金属で表面被覆された粒子も挙げられる。例えば、銀（熱伝導率：４２９Ｗ／ｍ・Ｋ）、ニッケル（熱伝導率：９１Ｗ／ｍ・Ｋ）及び金（熱伝導率：３２９Ｗ／ｍ・Ｋ）等の金属で表面被覆された、シリコーン樹脂粒子及びアクリル樹脂粒子等が好ましく挙げられる。
　特に、銀で表面被覆されたシリコーン樹脂粒子は、応力緩和性並びに高耐熱性の観点から好ましい。
　無機充填材（Ｄ）は、表面処理や表面改質されていてもよく、このような表面処理や表面改質に用いる表面改質剤としては、シランカップリング剤、リン酸もしくはリン酸化合物及び界面活性剤が挙げられ、本明細書において記載する事項以外は、例えば、国際公開第２０１８／２０３５２７号における熱伝導フィラーの項又は国際公開第２０１７／１５８９９４号の窒化アルミニウム充填材の項における、シランカップリング剤、リン酸もしくはリン酸化合物及び界面活性剤の記載を適用することができる。
　無機充填材（Ｄ）を、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）及びフェノキシ樹脂（Ｃ）等の樹脂成分に配合する方法としては、粉体状の無機充填材と必要に応じてシランカップリング剤、リン酸もしくはリン酸化合物及び界面活性剤等の表面改質剤とを直接配合する方法（インテグラルブレンド法）、もしくはシランカップリング剤、リン酸もしくはリン酸化合物及び界面活性剤等の表面処理剤で処理された無機充填材を有機溶剤に分散させたスラリー状無機充填材を配合する方法を使用することができる。
　また、シランカップリング剤により無機充填材（Ｄ）を処理する方法としては特に限定されず、溶媒中で無機充填材（Ｄ）とシランカップリング剤を混合する湿式法、気相中で無機充填材（Ｄ）とシランカップリング剤を混合する乾式法、上記インテグラルブレンド法などが挙げられる。
　特に、窒化アルミニウム粒子は、高熱伝導化に貢献するものの、加水分解によりアンモニウムイオンを生成しやすいため、吸湿率が小さいフェノール樹脂と併用することや、表面改質により加水分解が抑制されていることが好ましい。窒化アルミニウムの表面改質方法としては、表面層に酸化アルミニウムの酸化物層を設け耐水性を向上させ、リン酸もしくはリン酸化合物による表面処理を行い樹脂との親和性を向上させる方法が特に好ましい。
　シランカップリング剤は、ケイ素原子にアルコキシ基、アリールオキシ基のような加水分解性基が少なくとも１つ結合したものであり、これに加えて、アルキル基、アルケニル基、アリール基が結合してもよい。アルキル基は、アミノ基、アルコキシ基、エポキシ基、（メタ）アクリロイルオキシ基が置換したものが好ましく、アミノ基（好ましくはフェニルアミノ基）、アルコキシ基（好ましくはグリシジルオキシ基）、（メタ）アクリロイルオキシ基が置換したものがより好ましい。
　シランカップリング剤は、例えば、２－（３，４－エポキシシクロへキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロイルオキプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロイルオキプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロイルオキプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロイルオキプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
　表面改質剤は、無機充填材（Ｄ）１００質量部に対し、０．１～２５．０質量部含有させるのが好ましく、０．１～１０質量部含有させるのがより好ましく、０．１～２．０質量部含有させるのがさらに好ましい。
　表面改質剤の含有量を上記好ましい範囲とすることにより、無機充填材（Ｄ）の凝集を抑制しながら、過剰なシランカップリング剤及び界面活性剤の、半導体組立加熱工程（例えばリフロー工程）における揮発による接着界面での剥離を抑制することができ、ボイドの発生が抑えられ、ダイアタッチ性を向上させることができる。
　無機充填材（Ｄ）の形状は、フレーク状、針状、フィラメント状、球状、鱗片状のものが挙げられるが、高充填化及び流動性の観点から球状が好ましい。
　本発明の接着剤用組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）の各含有量の合計に占める無機充填材（Ｄ）の割合が、５～７０体積％であることが好ましい。上記無機充填材（Ｄ）の含有割合が上記下限値以上であると、フィルム状接着剤とした際に治具痕の発生を抑制しつつ、ダイアタッチ性を向上させることができる。さらに、所望とする溶融粘度を付与できる場合がある。また、上記上限値以下であると、フィルム状接着剤に所望とする溶融粘度を付与することができ、ボイドの発生を抑制することができる。また、熱変化時に半導体パッケージに生じる内部応力を緩和することもでき、接着力も向上させることができる場合がある。
　エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）の各含有量の合計に占める無機充填材（Ｄ）の割合は、２０～７０体積％が好ましく、２０～６０体積％がより好ましく、２０～５０体積％がさらに好ましい。上記割合は、３０～７０体積％でもよく、３０～５０体積％とすることもでき、３５～５０体積％とすることもできる。
　上記無機充填材（Ｄ）の含有量（体積％）は、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）の含有質量と比重から算出することができる。
　本発明の接着剤用組成物の好ましい形態は、無機充填材（Ｄ）の平均粒径（ｄ５０）が０．０１～５．０μｍであり、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）及び無機充填材（Ｄ）の各含有量の合計に占める無機充填材（Ｄ）の割合が、５～７０体積％である形態である。
（その他の成分）
　本発明の接着剤用組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、これら以外の高分子化合物を含有してもよい。
　上記高分子化合物としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ナイロンや６，６－ナイロン等のポリアミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート及びポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの高分子化合物は単独で用いてもよく、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　また、本発明の接着剤用組成物は、有機溶媒（メチルエチルケトン等）、イオントラップ剤（イオン捕捉剤）、硬化触媒、粘度調整剤、酸化防止剤、難燃剤、着色剤等をさらに含有していてもよい。例えば、国際公開第２０１７／１５８９９４号のその他の添加物を含むことができる。
　本発明の接着剤用組成物中に占める、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）の含有量の合計の割合は、例えば、６０質量％以上とすることができ、７０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がさらに好ましく、９０質量％以上とすることもできる。また、上記割合は１００質量％でもよく、９５質量％以下とすることもできる。
　本発明の接着剤用組成物は、本発明のフィルム状接着剤を得るために好適に用いることができる。ただし、フィルム状接着剤に限定されず、液状の接着剤を得るためにも好適に用いることができる。
　本発明の接着剤用組成物は、上記各成分を、エポキシ樹脂（Ａ）が事実上、硬化しない温度において混合することにより得ることができる。混合の順は特に限定されない。エポキシ樹脂（Ａ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）等の樹脂成分を必要に応じて溶媒と共に混合し、その後、無機充填材（Ｄ）及びエポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）を混合してもよい。この場合、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の存在下での混合を、エポキシ樹脂（Ａ）が事実上、硬化しない温度で行えばよく、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の非存在下での樹脂成分の混合はより高い温度で行ってもよい。
　本発明の接着剤用組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）の硬化を抑制する観点から、使用前（フィルム状接着剤とする前）には１０℃以下の温度条件下で保管されることが好ましい。
＜＜フィルム状接着剤＞＞
　本発明のフィルム状接着剤は、本発明の接着剤用組成物より得られてなるフィルム状の接着剤であって、上述の、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）を含有してなる。その他、本発明の接着剤用組成物においてその他の添加物として記載する添加物のうち、有機溶媒以外の添加物を含有していてもよい。有機溶媒は、通常、乾燥により接着剤用組成物から除去されるが、０．１～１０００ｐｐｍ程度であれば含有されていてもよい。
　ここで、フィルムとは、厚み２００μｍ以下の薄膜を意味する。形状、大きさ等は、特に制限されず、使用態様にあわせて適宜調整することができる。
　本発明のフィルム状接着剤は、硬化前において上述のナノインデンテーション硬さ及びヤング率を有する。
　本発明のフィルム状接着剤は、治具痕の形成が抑制されており、その上、ダイアタッチ性に優れる。その理由は定かではないが、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）及び無機充填材（Ｄ）を含有する接着剤用組成物とした上で、フェノキシ樹脂の弾性率及び含有量を特定のものとし、さらに、硬化前のフィルム状接着剤の２５℃におけるナノインデンテーション硬さ及びヤング率を特定の範囲のものとしたことにより、ピックアップ時においては十分なフィルム表面硬度を保持して治具痕が残りにくく、実装時においては低溶融粘度となって治具痕や被着体の凹凸をある程度吸収しつつ、被着体との界面に巻き込まれた空気を排出できることに起因すると考えられる。
　本発明のフィルム状接着剤は、ダイアタッチ性を高める観点から、熱硬化前のフィルム状接着剤を２５℃から５℃／分の昇温速度で昇温したとき、１２０℃における溶融粘度が１００～１００００Ｐａ・ｓの範囲にあることが好ましく、２００～１００００Ｐａ・ｓの範囲にあることがより好ましく、５００～１００００Ｐａ・ｓの範囲にあることがより好ましく、１０００～１００００Ｐａ・ｓの範囲にあることがより好ましく、１５００～１００００Ｐａ・ｓの範囲にあることがより好ましく、８０００～１００００Ｐａ・ｓの範囲にあることがより好ましく、８０００～９２００Ｐａ・ｓの範囲にあることがさらに好ましい。１２０℃における溶融粘度が上記好ましい範囲内であることにより、フィルム状接着剤を設けた半導体チップを配線基板上に熱圧着する際に配線基板凹凸部間におけるボイドの発生を、より効果的に低減することができる。
　溶融粘度は、後述する実施例に記載の方法により決定することができる。
　溶融粘度は、無機充填材（Ｄ）の含有量、さらには、無機充填材（Ｄ）の種類に加え、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）及びフェノキシ樹脂（Ｃ）等の共存する化合物もしくは樹脂の種類やこれらの含有量により制御できる。
　本発明のフィルム状接着剤は、厚みが１～６０μｍであることが好ましい。厚みは、３～３０μｍがより好ましく、５～２０μｍが特に好ましい。フィルム状接着剤を薄膜としても、ピックアップ時の治具痕、及びボイドの発生を抑制できる優れたダイアタッチ性を示すという、本発明の効果をより発揮することができるという観点からは、フィルム状接着剤の厚みは、５～１５μｍが好ましい。
　フィルム状接着剤の厚みは、接触・リニアゲージ方式（卓上型接触式厚み計測装置）により測定することができる。
　本発明のフィルム状接着剤は、本発明の接着剤用組成物（ワニス）を調製し、この組成物を、離型処理された基材フィルム上に塗布し、必要に応じて乾燥させて形成することができる。接着剤用組成物は、通常は有機溶媒を含有する。
　離型処理された基材フィルムとしては、得られるフィルム状接着剤のカバーフィルムとして機能するものであればよく、公知のものを適宜採用することができる。例えば、離型処理されたポリプロピレン（ＰＰ）、離型処理されたポリエチレン（ＰＥ）、離型処理されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
　塗工方法としては、公知の方法を適宜採用することができ、例えば、ロールナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーター等を用いた方法が挙げられる。
　乾燥は、エポキシ樹脂（Ａ）を硬化せずに、接着剤用組成物から有機溶媒を除去してフィルム状接着剤とできればよい。乾燥温度は、使用するエポキシ樹脂（Ａ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）及びエポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の種類により適宜に設定することができ、例えば、８０～１５０℃の温度で１～２０分保持することにより行うことができる。
　本発明のフィルム状接着剤は、本発明のフィルム状接着剤単独で構成されていてもよく、フィルム状接着剤の少なくとも一方の面に上述の離型処理された基材フィルムが貼り合わされてなる形態であってもよい。また、本発明のフィルム状接着剤は、フィルムを適当な大きさに切り出した形態であってもよく、フィルムをロール状に巻いてなる形態であってもよい。
　本発明のフィルム状接着剤は、少なくとも一方の表面（すなわち、被着体と貼り合わせる少なくとも一方の面）の算術平均粗さＲａが３．０μｍ以下であることが好ましく、被着体と貼り合わせるいずれの側の表面の算術平均粗さＲａも３．０μｍ以下であることがより好ましい。
　上記の算術平均粗さＲａは、２．０μｍ以下であることがより好ましく、１．５μｍ以下であることがさらに好ましい。下限値は特に制限はないが、０．１μｍ以上であることが実際的である。
　本発明のフィルム状接着剤は、エポキシ樹脂（Ａ）の硬化を抑制する観点から、使用前（硬化前）には１０℃以下の温度条件下で保管されることが好ましい。
＜＜半導体パッケージおよびその製造方法＞＞
　本発明の半導体パッケージは、半導体チップと配線基板間、及び半導体チップ間の少なくとも一方が、本発明のフィルム状接着剤の熱硬化体で接着されてなる。半道体チップ及び配線基板は、通常のものを使用することができる。接着の条件については、後述の、製造方法の説明において説明する。
　本発明の半導体パッケージの製造方法は、半導体チップと配線基板間、及び半導体チップ間の少なくとも一方の接着に、本発明のフィルム状接着剤を用いる以外は、通常の半導体パッケージの製造方法により製造することができる。
　以下、図面を参照しながら本発明の半導体パッケージおよびその製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明および図面中、同一または相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。図１～図７は、本発明の半導体パッケージの製造方法の各工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。図１～図７は模式図であり、説明の便宜上、半導体ウェハ等の各部材のサイズや相対的な大小関係等は実際のものと異なる場合がある。
　本発明の半導体パッケージの製造方法の好適な実施形態においては、先ず、第１の工程として、図１に示すように、表面に少なくとも１つの半導体回路が形成された半導体ウェハ１の裏面（すなわち、半導体ウェハ１の半導体回路が形成されていない面）に、本発明のフィルム状接着剤を熱圧着して接着剤層２を設け、この接着剤を介して、ダイシングテープ３を設ける。この際、接着剤層２とダイシングテープ３とが一体となった製品を半導体ウェハ１の裏面に一度に熱圧着してもよい。熱圧着の条件は、エポキシ樹脂（Ａ）が事実上熱硬化しない温度で行う。例えば、７０℃、圧力０．３ＭＰａの条件が挙げられる。
　半導体ウェハ１としては、表面に少なくとも１つの半導体回路が形成された半導体ウェハを適宜用いることができ、例えば、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ、ＧａＮウェハが挙げられる。
　接着剤層２としては、本発明のフィルム状接着剤を１層で単独で用いても２層以上を積層して用いてもよい。このような接着剤層２をウェハ１の裏面に設ける方法としては、フィルム状接着剤を半導体ウェハ１の裏面に積層させることが可能な方法を適宜採用することができ、半導体ウェハ１の裏面にフィルム状接着剤を貼り合せた後、２層以上を積層する場合には所望の厚さとなるまで順次フィルム状接着剤を積層させる方法や、フィルム状接着剤を予め目的の厚さに積層した後に半導体ウェハ１の裏面に貼り合せる方法等を挙げることができる。また、このような接着剤層２を半導体ウェハ１の裏面に設ける際に用いる装置としては特に制限されず、例えば、ロールラミネーター、マニュアルラミネーターのような公知の装置を適宜用いることができる。
　ダイシングテープ３としては特に制限されず、適宜公知のダイシングテープを用いることができる。
　次いで、第２の工程として、図２に示すように、半導体ウェハ１と接着剤層２とを同時にダイシングすることにより、ダイシングテープ３上に、半導体ウェハ１（半導体チップ４）と接着剤層２とを備える接着剤層付き半導体チップ５を得る。ダイシングに用いる装置は特に制限されず、適宜公知のダイシング装置を用いることができる。
　次いで、第３の工程として、図３に示すように、接着剤層２からダイシングテープ３を取り除き、接着剤層付き半導体チップ５と配線基板６とを接着剤層２を介して熱圧着する。このようにして、配線基板６に接着剤層付き半導体チップ５を実装する。配線基板６としては、表面に半導体回路が形成された基板を適宜用いることができ、例えば、プリント回路基板（ＰＣＢ）、各種リードフレーム、および、基板表面に抵抗素子やコンデンサー等の電子部品が搭載された基板が挙げられる。
　接着剤層からダイシングテープ３を取り除く（はがす）方法（接着剤層付半導体チップのピックアップ方法）としては、通常の治具を用いたピックアップ方法を採用でき、具体的には、ニードルやスライダー等の治具によりダイシングテープ３から剥がす方法が挙げられる。本発明の製造方法によれば、この工程において、フィルム状接着剤表面に治具痕が生じにくい。
　配線基板６に接着剤層付き半導体チップ５を実装する方法としては特に制限されず、接着剤層２を利用して接着剤層付き半導体チップ５を配線基板６または配線基板６の表面上に搭載された電子部品に接着させることが可能な従来の方法を適宜採用することができる。このような実装方法としては、上部からの加熱機能を有するフリップチップボンダーを用いた実装技術を用いる方法、下部からのみの加熱機能を有するダイボンダーを用いる方法、ラミネーターを用いる方法等の従来公知の加熱、加圧方法を挙げることができる。実装（熱圧着）の条件は、エポキシ樹脂（Ａ）が事実上熱硬化しない条件で行う。例えば、１２０℃、圧力０．１ＭＰａ、１．０秒の条件が挙げられる。
　このように、本発明のフィルム状接着剤からなる接着剤層２を介して接着剤層付き半導体チップ５を配線基板６上に実装することで、電子部品により生じる配線基板５上の凹凸部にフィルム状接着剤を追従させることができるため、半導体チップ４と配線基板６とを密着させて固定することが可能となる。
　本発明の製造方法によれば、この工程において、フィルム状接着剤からなる接着剤層と配線基板との界面にボイドが生じにくく、高い信頼性で実装を行うことができる。
　次いで、第４の工程として、接着剤層２（本発明のフィルム状接着剤）を熱硬化させて熱硬化体とする。熱硬化の温度としては、本発明のフィルム状接着剤の熱硬化開始温度以上であれば特に制限がなく、使用するエポキシ樹脂（Ａ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）及びエポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の種類により異なるものであり、一概に言えるものではないが、例えば、１００～１８０℃が好ましく、より高温にて硬化した方が短時間で硬化可能であるという観点から、１４０～１８０℃がより好ましい。温度が熱硬化開始温度未満であると、熱硬化が十分に進まず、接着層２の強度が低下する傾向にあり、他方、上記上限を超えると硬化過程中にフィルム状接着剤中のエポキシ樹脂、硬化剤や添加剤等が揮発して発泡しやすくなる傾向にある。また、硬化処理の時間は、例えば、１０～１２０分間が好ましい。
　次いで、本発明の半導体パッケージの製造方法では、図４に示すように、配線基板６と接着剤層付き半導体チップ５とをボンディングワイヤー７を介して接続することが好ましい。このような接続方法としては特に制限されず、従来公知の方法、例えば、ワイヤーボンディング方式の方法、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の方法等を適宜採用することができる。
　また、搭載された半導体チップ４の表面に、別の半導体チップ４を熱圧着、熱硬化し、再度ワイヤーボンディング方式により配線基板６と接続することにより、複数個積層することもできる。例えば、図５に示すように半導体チップをずらして積層する方法、もしくは図６に示すように２層目以降の接着剤層２を厚くすることで、ボンディングワイヤー７を埋め込みながら積層する方法等がある。
　本発明の半導体パッケージの製造方法では、図７に示すように、封止樹脂８により配線基板６と接着剤層付き半導体チップ５とを封止することが好ましく、このようにして半導体パッケージ９を得ることができる。封止樹脂８としては特に制限されず、半導体パッケージの製造に用いることができる適宜公知の封止樹脂を用いることができる。また、封止樹脂８による封止方法としても特に制限されず、適宜公知の方法を採用することが可能である。
　本発明の半導体パッケージの製造方法によって、薄型フィルムの形態であっても、ピックアップ工程における治具痕の形成を抑制でき、しかも、ダイアタッチ工程においてボイドの発生を抑制できる。
　以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、室温とは２５℃を意味し、ＭＥＫはメチルエチルケトン、ＰＥＴはポリエチレンテレフタレートである。
（実施例１）
　トリフェニルメタン型エポキシ樹脂（商品名：ＥＰＰＮ－５０１Ｈ、質量平均分子量：１０００、軟化点：５５℃、半固体、エポキシ当量：１６７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５６質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤ－１２８、質量平均分子量：４００、軟化点：２５℃以下、液体、エポキシ当量：１９０ｇ／ｅｑ、新日化エポキシ製造（株）製）４９質量部、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－５０、質量平均分子量：７００００、Ｔｇ：８４℃、常温（２５℃）弾性率：１７００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）３０質量部及びＭＥＫ６７質量部を１０００ｍｌのセパラブルフラスコ中において温度１１０℃で２時間加熱攪拌し、樹脂ワニスを得た。
　次いで、この樹脂ワニスを８００ｍｌのプラネタリーミキサーに移し、アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ、モース硬度：９Ｍｏｈｓ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）５５質量部を添加して、イミダゾール型硬化剤（商品名：２ＰＨＺ－ＰＷ、四国化成（株）製）８．５質量部、シランカップリング剤（商品名：サイラエースＳ－５１０、ＪＮＣ株式会社製）３．０質量部を加えて室温において１時間攪拌混合後、真空脱泡して混合ワニスを得た。
　次いで、得られた混合ワニスを厚み３８μｍの離型処理されたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）上に塗布して、１３０℃で１０分間加熱乾燥し、縦３００ｍｍ、横２００ｍｍ、厚みが１０μｍである、剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。得られたこのフィルム状接着剤は、１０℃以下で保存した。上記乾燥後に、エポキシ樹脂は硬化していない。
（実施例２）
　アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ、モース硬度：９Ｍｏｈｓ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）の使用量を３２０質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（実施例３）
　アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ、モース硬度：９Ｍｏｈｓ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）の使用量を４８０質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（実施例４）
　フェノキシ樹脂をビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－７０、質量平均分子量：５５０００、Ｔｇ：７２℃、常温弾性率１４００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）に代えたこと以外は実施例２と同様にして剥離フィルム付きフィルム状接着剤を作製した。
（実施例５）
　フェノキシ樹脂を低弾性高耐熱型フェノキシ樹脂（商品名：ＦＸ－３１０、質量平均分子量：４００００、Ｔｇ：１１０℃、常温弾性率５００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）に代えたこと以外は実施例２と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（実施例６）
　ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－５０、質量平均分子量：７００００、Ｔｇ：８４℃、常温弾性率１７００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）の使用量を４４質量部とし、アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ、モース硬度：９Ｍｏｈｓ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）の使用量を３５０質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（実施例７）
　ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－５０、質量平均分子量：７００００、Ｔｇ：８４℃、常温弾性率１７００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）の使用量を７０質量部とし、アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ、モース硬度：９Ｍｏｈｓ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）の使用量を４００質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（実施例８）
　ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－５０、質量平均分子量：７００００、Ｔｇ：８４℃、常温弾性率１７００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）の使用量を５０質量部とし、無機充填材を銀フィラー（商品名：ＡＧ－４－８Ｆ、（株）ＤＯＷＡエレクトロニクス製、平均粒径（ｄ５０）：２．０μｍ、モース硬度：２Ｍｏｈｓ、熱伝導率：４２９Ｗ／ｍ・Ｋ）３６０質量部に代えたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（実施例９）
　ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－５０、質量平均分子量：７００００、Ｔｇ：８４℃、常温弾性率１７００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）の使用量を５０質量部とし、無機充填材を銀フィラー（商品名：ＡＧ－４－８Ｆ、（株）ＤＯＷＡエレクトロニクス製、平均粒径（ｄ５０）：２．０μｍ、モース硬度：２Ｍｏｈｓ、熱伝導率：４２９Ｗ／ｍ・Ｋ）６１０質量部に代えたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（実施例１０）
　ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－５０、質量平均分子量：７００００、Ｔｇ：８４℃、常温弾性率１７００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）の使用量を５０質量部とし、無機充填材を銀フィラー（商品名：ＡＧ－４－８Ｆ、（株）ＤＯＷＡエレクトロニクス製、平均粒径（ｄ５０）：２．０μｍ、モース硬度：２Ｍｏｈｓ、熱伝導率：４２９Ｗ／ｍ・Ｋ）９５０質量部に代えたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（実施例１１）
　無機充填材をシリカフィラー（商品名：ＳＯ－２５Ｒ、（株）製、平均粒径（ｄ５０）：０．５μｍ、モース硬度：７Ｍｏｈｓ、熱伝導率：１Ｗ／ｍ・Ｋ）１４質量部に代えたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（実施例１２）
　無機充填材をシリカフィラー（商品名：ＳＯ－２５Ｒ、（株）製、平均粒径（ｄ５０）：０．５μｍ、モース硬度：７Ｍｏｈｓ、熱伝導率：１Ｗ／ｍ・Ｋ）６７質量部に代えたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（実施例１３）
　無機充填材をナノシリカフィラー（商品名：ＲＹ－２００、日本アエロジル（株）製、平均粒径（ｄ５０）：１２ｎｍ、モース硬度：７Ｍｏｈｓ、熱伝導率：１Ｗ／ｍ・Ｋ）１４質量部に代えたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（実施例１４）
　無機充填材をナノシリカフィラー（商品名：ＲＹ－２００、日本アエロジル（株）製、平均粒径（ｄ５０）：１２ｎｍ、モース硬度：７Ｍｏｈｓ、熱伝導率：１Ｗ／ｍ・Ｋ）６７質量部に代えたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（実施例１５）
　ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－５０、質量平均分子量：７００００、Ｔｇ：８４℃、常温弾性率１７００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）の使用量を１５質量部としたこと以外は実施例１と同様にしてフィルム状接着剤を作製した。
（実施例１６）
　ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－５０、質量平均分子量：７００００、Ｔｇ：８４℃、常温弾性率１７００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）の使用量を１３０質量部としたこと以外は実施例１と同様にしてフィルム状接着剤を作製した。
（実施例１７）
　無機充填材を１０．０μｍメッシュフィルターを用いて粒度分布を調整したシリカフィラー（商品名：ＦＢ－７ＳＤＳ、（株）ＤＥＮＫＡ、平均粒径（ｄ５０）：５．４μｍ、モース硬度：７Ｍｏｈｓ、熱伝導率：１Ｗ／ｍ・Ｋ）３０質量部に代えたこと以外は実施例１と同様にしてフィルム状接着剤を作製した。
（比較例１）
　ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－５０、質量平均分子量：７００００、Ｔｇ：８４℃、常温弾性率１７００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）の使用量を１０質量部とし、アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ、モース硬度：９Ｍｏｈｓ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）の使用量を２７５質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（比較例２）
　ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－５０、質量平均分子量：７００００、Ｔｇ：８４℃、常温弾性率１７００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）の使用量を１９０質量部とし、アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ、モース硬度：９Ｍｏｈｓ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）の使用量を６７０質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（比較例３）
　フェノキシ樹脂をビスフェノールＦ＋１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＸ－７１８０、質量平均分子量：５００００、Ｔｇ：１５℃、常温弾性率２００ＭＰａ、三菱ケミカル（株）製）１０質量部に代え、アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ、モース硬度：９Ｍｏｈｓ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）の使用量を２７５質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（比較例４）
　フェノキシ樹脂をビスフェノールＦ＋１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＸ－７１８０、質量平均分子量：５００００、Ｔｇ：１５℃、常温弾性率２００ＭＰａ、三菱ケミカル（株）製）１９０質量部に代え、アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ、モース硬度：９Ｍｏｈｓ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）の使用量を６７０質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（比較例５）
　フェノキシ樹脂をビスフェノールＦ＋１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＸ－７１８０、質量平均分子量：５００００、Ｔｇ：１５℃、常温弾性率２００ＭＰａ、三菱ケミカル（株）製）３０質量部に代えたこと以外は実施例１と同様にしてフィルム状接着剤を作製した。
（比較例６）
　フェノキシ樹脂をアクリルポリマー溶液（商品名：Ｓ－２０６０、固形分２５％（有機溶媒：トルエン）、東亜合成（株）製）４０質量部（うちアクリルポリマー１０質量部）に代え、アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ、モース硬度：９Ｍｏｈｓ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）の使用量を２７５質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（比較例７）
　フェノキシ樹脂をアクリルポリマー溶液（商品名：Ｓ－２０６０、固形分２５％（有機溶媒：トルエン）、東亜合成（株）製）７６０質量部（うちアクリルポリマー１９０質量部）に代え、アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ、モース硬度：９Ｍｏｈｓ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）の使用量を６７０質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（比較例８）
　フェノキシ樹脂をアクリルポリマー溶液（商品名：Ｓ－２０６０、固形分２５％（有機溶媒：トルエン）、東亜合成（株）製）１６００質量部（うちアクリルポリマー４００質量部）に代えたこと以外は実施例１と同様にしてフィルム状接着剤を作製した。
（比較例９）
　フェノキシ樹脂をアクリルポリマー溶液（商品名：Ｓ－２０６０、固形分２５％（有機溶媒：トルエン）、東亜合成（株）製）１２０質量部（うちアクリルポリマー３０質量部）に代えたこと以外は実施例１と同様にしてフィルム状接着剤を作製した。
（比較例１０）
　エポキシ樹脂をトリフェニルメタン型エポキシ樹脂（商品名：ＥＰＰＮ－５０１Ｈ、質量平均分子量：１０００、軟化点：５５℃、半固体、エポキシ当量：１６７ｇ／ｅｑ、日本化薬（株）製）５０質量部とし、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－５０、質量平均分子量：７００００、Ｔｇ：８４℃、常温弾性率１７００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）の使用量を１００質量部とし、アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、（株）アドマテックス製、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ、モース硬度：９Ｍｏｈｓ、熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）の使用量を４５０質量部とし、シランカップリング剤（商品名：サイラエースＳ－５１０、ＪＮＣ株式会社製）の使用量を７．０質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（比較例１１）
　無機充填材をシリコーンフィラー（商品名：ＭＳＰ－ＳＮ０５、日興リカ（株）製、平均粒径（ｄ５０）：０．５μｍ、モース硬度：１Ｍｏｈｓ以下、熱伝導率：０．２Ｗ／ｍ・Ｋ）８質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（比較例１２）
　無機充填材をシリコーンフィラー（商品名：ＭＳＰ－ＳＮ０５、日興リカ（株）製、平均粒径（ｄ５０）：０．５μｍ、モース硬度：１Ｍｏｈｓ以下、熱伝導率：０．２Ｗ／ｍ・Ｋ）９５質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（比較例１３）
　無機充填材をシリコーンフィラー（商品名：ＭＳＰ－ＳＮ０５、日興リカ（株）製、平均粒径（ｄ５０）：０．５μｍ、モース硬度：１Ｍｏｈｓ以下、熱伝導率：０．２Ｗ／ｍ・Ｋ）２２０質量部としたこと以外は実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を作製した。
（比較例１４）
　無機充填材を使用しないこと以外は実施例１と同様にしてフィルム状接着剤を作製した。
　各実施例及び比較例で用いたフェノキシ樹脂及びアクリル樹脂の２５℃における弾性率は、以下のようにして測定した。
＜常温（２５℃）弾性率＞
　各種フェノキシ樹脂３０質量部及びＭＥＫ（メチルエチルケトン）７０質量部を５００ｍｌのセパラブルフラスコ中において、温度１１０℃で２時間加熱攪拌し、樹脂ワニスを得た。
　次いで、この樹脂ワニスを厚み３８μｍの離型処理されたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）上に塗布して、１３０℃で１０分間加熱乾燥し、縦３００ｍｍ、横２００ｍｍ、厚みが１００μｍである、フェノキシ樹脂フィルムを得た。
　このフェノキシ樹脂フィルムを５ｍｍ×１７ｍｍのサイズに切り取り、動的粘弾性測定装置（商品名：Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００Ｆ、（株）ユービーエム製）を用いて、測定温度範囲０～１００℃、昇温速度５℃／分、及び周波数１Ｈｚの条件下で測定を行い、２５℃における弾性率の値を求めた。
　アクリル樹脂についても、フェノキシ樹脂と同様に、上記方法に従って２５℃における弾性率を求めた。
　各実施例及び比較例で用いた無機充填材の平均粒径（ｄ５０）は、以下のようにして測定した。
＜平均粒径（ｄ５０）の測定＞
　上記で用いた各無機充填材０．１ｇとＭＥＫ９．９ｇを秤量し、これらの混合物に超音波分散処理を５分行い、測定用試料を調製した。この測定用試料について、レーザー回折・散乱法（型式：ＬＭＳ－２０００ｅ、（株）セイシン企業製）により測定した粒度分布の粒径の体積分率の累積カーブから、平均粒径（ｄ５０）を求めた。
　各実施例及び比較例において、ヤング率及びナノインデンテーション硬さ測定、溶融粘度測定、ニードル痕評価、並びにダイアタッチ性評価はそれぞれ以下に示す方法により実施した。その結果を表１、２に示す。
＜ヤング率及びナノインデンテーション硬さ測定＞
　各実施例及び比較例において得られた剥離フィルム付フィルム状接着剤から縦５．０ｃｍ×横５．０ｃｍのサイズの正方形を切り取り、剥離フィルムを剥離した状態で切り取った試料を積層し、７０℃のステージ上で、ハンドローラーにて貼り合わせて、厚さが約１００μｍである試験片を得た。この試験片から縦１．０ｃｍ×横１．０ｃｍのサイズの正方形を切り取り、超微小押し込み硬さ試験機（ＥＮＴ－ＮＥＸＵＳ　、ＥＬＩＯＮＩＸ製）にて、室温（２５℃）にて、最大荷重１０μＮ、負荷時間８０秒、待機時間１７秒、除荷時間８０秒にて三角錘型ダイヤモンド圧子（Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈタイプ；１１５°）をフィルム状接着剤表面から押し込み、測定を実施した。各試料のポアソン比より、ヤング率とナノインデンテーション硬さを求めた。なお、試験片の作製時に貼り合わせを７０℃で行っているが、７０℃に上記の短時間晒されても、エポキシ樹脂の硬化反応は実質的に生じない。したがって、上記の測定結果は、２５℃以上の温度に晒されていないフィルム状接着剤を用いた結果と実質的に同じである。
＜溶融粘度の測定＞
　各実施例及び比較例において得られた剥離フィルム付フィルム状接着剤から縦５．０ｃｍ×横５．０ｃｍのサイズの正方形を切り取り、剥離フィルムを剥離した状態で切り取った試料を積層し、７０℃のステージ上で、ハンドローラーにて貼り合わせて、厚さが約１．０ｍｍである試験片を得た。この試験片について、レオメーター（ＲＳ６０００、Ｈａａｋｅ社製）を用い、温度範囲２０～２５０℃、昇温速度５℃／分での粘性抵抗の変化を測定した。得られた温度－粘性抵抗曲線から、１２０℃における溶融粘度（Ｐａ・ｓ）をそれぞれ算出した。
＜ニードル痕評価＞
　各実施例及び比較例において得られた剥離フィルム付フィルム状接着剤を、先ず、マニュアルラミネーター（商品名：ＦＭ－１１４、テクノビジョン社製）を用いて温度７０℃、圧力０．３ＭＰａにおいてダミーシリコンウェハ（８ｉｎｃｈサイズ、厚さ１００μｍ）の一方の面に接着させた。その後、フィルム状接着剤から剥離フィルムを剥離した後、同マニュアルラミネーターを用いて室温、圧力０．３ＭＰａにおいてフィルム状接着剤の前記ダミーシリコンウェハとは反対側の面上にダイシングテープ（商品名：Ｋ－１３、古河電気工業（株）製）及びダイシングフレーム（商品名：ＤＴＦ２－８－１Ｈ００１、ＤＩＳＣＯ社製）を接着させた。次いで、２軸のダイシングブレード（Ｚ１：ＮＢＣ－ＺＨ２０５０（２７ＨＥＤＤ）、ＤＩＳＣＯ社製／Ｚ２：ＮＢＣ－ＺＨ１２７Ｆ－ＳＥ（ＢＣ）、ＤＩＳＣＯ社製）が設置されたダイシング装置（商品名：ＤＦＤ－６３４０、ＤＩＳＣＯ社製）を用いて５ｍｍ×５ｍｍのサイズになるようにダミーシリコンウェハ側からダイシングを実施して、フィルム状接着剤付ダミーチップを得た。
　次いで、ダイボンダー（商品名：ＤＢ－８００、（株）日立ハイテクノロジーズ製）にて、前記フィルム状接着剤付ダミーチップをダイシングテープから下記条件にてピックアップし、ピックアップ後のフィルム状接着剤上のニードル痕状態を観察し、下記評価によってニードル痕評価を行った。本試験において、評価ランク「ＡＡ」及び「Ａ」が合格レベルである。
ピックアップ条件
　ニードル本数４本、ニードルＲ１５０（μｍ）、ニードルピッチ３．５ｍｍ、突き上げ速度５ｍｍ／秒、突き上げ高さ２００μｍ、ピックアップ時間１００ｍ秒
評価基準
　　ＡＡ：ピックアップした半導体チップ２４個のすべてにおいて、フィルム状接着剤表面にニードル痕が観察されない。
　　Ａ：ピックアップした半導体チップ２４個のうち１～３個においてフィルム状接着剤表面にニードル痕が観察され、かつ、当該ニードル痕が観察されたフィルム状接着剤表面におけるニードル痕の数が１～３である。
　　Ｂ：ピックアップした半導体チップ２４個のうち１～３個においてフィルム状接着剤表面にニードル痕が観察され、かつ、当該ニードル痕が観察されたフィルム状接着剤表面におけるニードル痕の数が４である。
　　Ｃ：ピックアップした半導体チップ２４個のうち４個以上においてフィルム状接着剤表面にニードル痕が観察される。
＜ダイアタッチ性評価＞
　各実施例及び比較例において得られた剥離フィルム付フィルム状接着剤を、先ず、マニュアルラミネーター（商品名：ＦＭ－１１４、テクノビジョン社製）を用いて温度７０℃、圧力０．３ＭＰａにおいてダミーシリコンウェハ（８ｉｎｃｈサイズ、厚さ１００μｍ）の一方の面に接着させた。その後、フィルム状接着剤から剥離フィルムを剥離した後、同マニュアルラミネーターを用いて室温、圧力０．３ＭＰａにおいてフィルム状接着剤の前記ダミーシリコンウェハとは反対側の面上にダイシングテープ（商品名：Ｋ－１３、古河電気工業（株）製）及びダイシングフレーム（商品名：ＤＴＦ２－８－１Ｈ００１、ＤＩＳＣＯ社製）を接着させた。次いで、２軸のダイシングブレード（Ｚ１：ＮＢＣ－ＺＨ２０５０（２７ＨＥＤＤ）、ＤＩＳＣＯ社製／Ｚ２：ＮＢＣ－ＺＨ１２７Ｆ－ＳＥ（ＢＣ）、ＤＩＳＣＯ社製）が設置されたダイシング装置（商品名：ＤＦＤ－６３４０、ＤＩＳＣＯ社製）を用いて１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズになるようにダミーシリコンウェハ側からダイシングを実施して、フィルム状接着剤付ダミーチップを得た。
　次いで、ダイボンダー（商品名：ＤＢ－８００、（株）日立ハイテクノロジーズ製）にて、前記フィルム状接着剤付ダミーチップをダイシングテープからピックアップし、１２０℃、圧力０．１ＭＰａ（荷重４００ｇｆ）、時間１．０秒の条件において、前記フィルム状接着剤付きダミーチップのフィルム状接着剤側と、リードフレーム基板（４２Ａｌｌｏｙ系、凸版印刷（株）製）の実装面側とを貼り合わせるように、熱圧着した。ここで、上記リードフレーム基板の実装面は、僅かな表面粗さを持つ金属面である。
　基板上に熱圧着したフィルム状接着剤付きダミーチップについて、超音波探傷装置（ＳＡＴ）（日立パワーソリューションズ製　ＦＳ３００ＩＩＩ）を用いて、フィルム状接着剤とリードフレーム基板実装面との界面におけるボイドの有無を観察し、下記評価基準に基づいて、ダイアタッチ性評価を行った。本試験において、評価ランク「Ａ」が合格レベルである。
評価基準
　　Ａ：実装した２４個のダミーチップの全てにおいてボイドが観察されない。
　　Ｂ：実装した２４個のダミーチップのうち１個以上３個以下のダミーチップにおいてボイドが観察される。
　　Ｃ：実装した２４個のダミーチップのうち４個以上のダミーチップにおいてボイドが観察される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
＜表の注＞
　接着剤層の欄における「－」は、その成分を含有していないことを意味する。
　＊：比較例５～９においては、アクリル樹脂量／（エポキシ樹脂量＋アクリル樹脂量）を示す。
　ＢｉｓＡ型エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
　ＢｉｓＡ型フェノキシ樹脂：ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂
　ＢｉｓＡ／ＢｉｓＦ共重合型フェノキシ樹脂：ビスフェノールＡ・Ｆ共重合型フェノキシ樹脂
　フェノキシ樹脂の欄における「弾性率」は、「常温（２５℃）弾性率」を意味する。
　上記表１及び２から、以下のことがわかる。
　本発明で規定する組成、フェノキシ樹脂の割合、ヤング率及びナノインデンテーション硬さのいずれかを満たさない接着剤用組成物を用いて得られたフィルム状接着剤は、いずれも、ニードル痕評価及びダイアタッチ性評価のいずれかが不合格であり、治具痕の抑制及びダイアタッチ性の向上を達成することができていない。
　これに対して、本発明の実施例１～１７の接着剤用組成物を用いて得られたフィルム状接着剤は、治具痕が残りにくく、ダイアタッチ性にも優れていた。
　本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。
　本願は、２０２０年７月３０日に日本国で特許出願された特願２０２０－１２９４９３に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
１　　半導体ウェハ
２　　接着剤層（フィルム状接着剤）
３　　ダイシングテープ
４　　半導体チップ
５　　フィルム状接着剤付き半導体チップ
６　　配線基板
７　　ボンディングワイヤー
８　　封止樹脂
９　　半導体パッケージ

 

Claims (8)

  1. 　エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、フェノキシ樹脂（Ｃ）及び無機充填材（Ｄ）を含有する接着剤用組成物であって、
    　前記フェノキシ樹脂（Ｃ）の２５℃における弾性率が５００ＭＰａ以上であり、
    　前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記フェノキシ樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占める前記フェノキシ樹脂（Ｃ）の割合が、１０～６０質量％であり、
    　前記接着剤用組成物を用いて形成した、硬化前のフィルム状接着剤の２５℃におけるナノインデンテーション硬さが０．１０ＭＰａ以上、ヤング率が１００ＭＰａ以上である接着剤用組成物。
  2. 　前記無機充填材（Ｄ）の平均粒径（ｄ５０）が０．０１～５．０μｍであり、
    　前記エポキシ樹脂（Ａ）、前記エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、前記フェノキシ樹脂（Ｃ）及び前記無機充填材（Ｄ）の各含有量の合計に占める前記無機充填材（Ｄ）の割合が、５～７０体積％である請求項１に記載の接着剤用組成物。
  3. 　前記無機充填材（Ｄ）が、モース硬度２以上の無機充填材を含む請求項２に記載の接着剤用組成物。
  4. 　前記接着剤用組成物を用いて形成した、硬化前のフィルム状接着剤を２５℃から５℃／分の昇温速度で昇温したとき、１２０℃における溶融粘度が１００～１００００Ｐａ・ｓの範囲にある請求項１～３のいずれか１項に記載の接着剤用組成物。
  5. 　請求項１～４のいずれか１項に記載の接着剤用組成物により得られてなるフィルム状接着剤。
  6. 　厚みが１～６０μｍである、請求項５に記載のフィルム状接着剤。
  7. 　半導体パッケージの製造方法であって、
    　表面に少なくとも１つの半導体回路が形成された半導体ウェハの裏面に、請求項５又は６に記載のフィルム状接着剤を熱圧着して接着剤層を設け、前記接着剤層を介してダイシングテープを設ける第１の工程と、
    　前記半導体ウェハと前記接着剤層とを同時にダイシングすることにより、ダイシングテープ上に、前記半導体ウェハ及び前記接着剤層を備える接着剤層付き半導体チップを得る第２の工程と、
    　前記接着剤層から前記ダイシングテープを取り除き、前記接着剤層付き半導体チップと配線基板とを前記接着剤層を介して熱圧着する第３の工程と、
    　前記接着剤層を熱硬化する第４の工程と、
    　を含む半導体パッケージの製造方法。
  8. 　半導体チップと配線基板、又は、半導体チップ間が、請求項５又は６に記載のフィルム状接着剤の熱硬化体により接着されてなる、半導体パッケージ。
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