WO2023210427A1 - 接着剤用組成物及びフィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

接着剤用組成物及びフィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法 Download PDF

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憲司 徳久
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古河電気工業株式会社
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    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive composition, a film adhesive, a semiconductor package using the film adhesive, and a method for manufacturing the same.
  • stacked MCPs Multi Chip Packages
  • semiconductor chips are stacked in multiple stages
  • packages are becoming more dense and highly integrated.
  • multi-layer stacking of semiconductor chips is progressing.
  • thermosetting film adhesive (die attach film, die bond film) is used for adhesion between a wiring board and a semiconductor chip and for adhesion between semiconductor chips in the manufacturing process of such a memory package.
  • die attach films are required to be made thinner.
  • heat is more likely to be generated on the surface of semiconductor elements. Therefore, in order to release heat to the outside of the package, a thermally conductive filler is added to the die attach film to achieve high thermal conductivity.
  • thermosetting film adhesive intended for so-called die attach film use
  • a composition combining a curable resin having a weight average molecular weight of less than 10,000, a curing agent, and eucryptite is known.
  • Patent Document 1 a composition combining a curable resin having a weight average molecular weight of less than 10,000, a curing agent, and eucryptite is known.
  • a semiconductor package is composed of members made of various materials, such as a substrate (semiconductor, glass), a lead frame (metal), a circuit, an adhesive layer, and a sealing layer. For this reason, the semiconductor package may warp due to the difference in the coefficient of thermal expansion of each member. This trend is becoming stronger as semiconductor packages become smaller and thinner. Further, in a multi-tiered package with a large number of laminated layers, the effect of warpage is greater than in a single-tiered semiconductor package. If a semiconductor package is warped, various problems may occur during assembly and use, such as poor connection between external terminals and a mounting board, cracks in the internal structure, and wire breakage.
  • Patent Document 1 points out the problems when using an inorganic filler as a means to reduce thermal expansion, and uses a curable resin with a specific weight average molecular weight, a curing agent, and Eucrypt as a filler. It is stated that the coefficient of thermal expansion can be reduced depending on the composition.
  • the composition described in Patent Document 1 mentioned above has manufacturing limitations in that it uses a special inorganic filler.
  • a material containing resin is used as an adhesive or a sealant, it is required to exhibit sufficient adhesion to the adherend. Conventionally, it has been known that adhesion strength decreases when a large amount of inorganic filler is contained, and it has been difficult to achieve both reduced warpage and excellent adhesive strength using methods using inorganic fillers. Ta.
  • the present invention provides a film adhesive that can effectively suppress warpage and exhibits excellent adhesive strength with an adherend, and an adhesive composition suitable for preparing this film adhesive. That is the issue.
  • Another object of the present invention is to provide a semiconductor package using the above film adhesive and a method for manufacturing the same.
  • the present inventors have conducted intensive studies in view of the above problems, and have found that when preparing a film adhesive using an adhesive composition containing an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, and a polymer component, It has been found that the above problems can be solved by using an epoxy resin having a condensed ring skeleton as the resin and containing a specific amount of a polyrotaxane compound therein.
  • the present invention has been completed through further studies based on the above findings.
  • a method of manufacturing a semiconductor package including: [8] A semiconductor package obtained by the manufacturing method described in [7]. [9] [5] or [6] A wire bonding semiconductor package comprising a thermoset film adhesive according to [6].
  • the numerical range expressed using " ⁇ ” means a range that includes the numerical values written before and after " ⁇ " as the lower limit and upper limit.
  • the film adhesive of the present invention can suppress warpage and exhibits excellent adhesive strength with adherends.
  • the adhesive composition of the present invention is suitable for obtaining the above-mentioned film adhesive. According to the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, a semiconductor package that is less likely to warp and has excellent adhesion reliability can be obtained.
  • FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view showing a preferred embodiment of the first step of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic vertical sectional view showing a preferred embodiment of the second step of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic vertical sectional view showing a preferred embodiment of the third step of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic longitudinal sectional view showing a preferred embodiment of the step of connecting bonding wires in the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic vertical cross-sectional view showing a multi-layer stacked embodiment of the semiconductor package manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic vertical cross-sectional view showing another multi-layer stacked embodiment of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic longitudinal sectional view showing a preferred embodiment of a semiconductor package manufactured by the semiconductor package manufacturing method of the present invention.
  • the adhesive composition of the present invention is a composition suitable for forming the film adhesive of the present invention.
  • the adhesive composition of the present invention contains an epoxy resin (A) having a condensed ring structure, an epoxy resin curing agent (B), a polyrotaxane compound (C), and a polymer component (D). Furthermore, the content of the polyrotaxane compound (C) is controlled to be 5 to 15 parts by mass relative to the total content of each of the epoxy resin (A) and the polymer component (D), which is 100 parts by mass.
  • the adhesive composition of the present invention may further contain an inorganic filler (E).
  • the adhesive composition of the present invention is less likely to warp in a laminate with an adherend, and has excellent adhesive strength to the adherend.
  • epoxy resin (A) having a fused ring structure The above-mentioned epoxy resin (A) having a condensed ring structure (hereinafter also simply referred to as epoxy resin (A)) is a thermosetting resin having an epoxy group, and has a condensed ring structure in its molecule.
  • the number of rings constituting this condensed ring structure is preferably 2 to 7, more preferably 2 to 5, even more preferably 2 to 4, even more preferably 2 or 3, and particularly preferably 2. Further, each ring constituting the condensed ring structure may have a bridged structure.
  • the number of ring members in each ring constituting the condensed ring structure is preferably a 5-membered ring and/or a 6-membered ring (for example, the dicyclopentadiene structure is a fused ring of a 5-membered ring and a 6-membered ring, and the 6-membered ring is (has a bridging structure).
  • the condensed ring structure that the epoxy resin (A) has include a dicyclopentadiene structure, a fluorene structure (preferably a fluorene bisphenol structure), a naphthalene structure (preferably including a naphthol structure and a naphthalene diol structure), and the like.
  • the epoxy resin (A) preferably contains a dicyclopentadiene-type epoxy resin and/or a naphthalene-type epoxy resin, and more preferably contains a dicyclopentadiene-type epoxy resin.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin (A) is preferably 500 g/eq or less.
  • the epoxy resin (A) may be liquid, solid or semi-solid.
  • liquid means that the softening point is less than 25°C
  • solid means that the softening point is 60°C or higher
  • semi-solid means that the softening point is equal to the softening point of the above liquid. (25°C or higher and lower than 60°C) between the softening point of
  • the epoxy resin (A) used in the present invention should have a softening point of 100°C or lower from the viewpoint of obtaining a film adhesive that can reach a low melt viscosity in a suitable temperature range (for example, 60 to 120°C). It is preferable that there be.
  • the softening point is a value measured by a softening point test (ring and ball method) (measurement conditions: based on JIS-K7234:1986).
  • the epoxy equivalent is preferably 150 to 450 g/eq from the viewpoint of increasing the crosslinking density of the thermoset product.
  • epoxy equivalent refers to the number of grams (g/eq) of a resin containing 1 gram equivalent of epoxy groups.
  • the weight average molecular weight of the epoxy resin (A) is usually preferably less than 10,000, more preferably 5,000 or less. There is no particular limit to the lower limit, but 300 or more is practical.
  • the weight average molecular weight is a value determined by GPC (Gel Permeation Chromatography) analysis (hereinafter, the same applies to other resins unless otherwise specified).
  • the content of the epoxy resin (A) is preferably 20 to 70 parts by mass, more preferably 30 to 60 parts by mass, and more preferably 40 to 60 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total content of the epoxy resin (A) and the polymer component (D). 60 parts by mass is more preferred.
  • Epoxy resin curing agent (B) As the epoxy resin curing agent (B), any curing agent such as amines, acid anhydrides, polyhydric phenols, etc. can be used. In the present invention, we have developed a film adhesive that has low melt viscosity, exhibits curing properties at high temperatures exceeding a certain temperature, has fast curing properties, and has high storage stability that can be stored for long periods at room temperature. From this viewpoint, it is preferable to use a latent curing agent.
  • latent curing agents examples include dicyandiamide compounds, imidazole compounds, curing catalyst complex polyhydric phenol compounds, hydrazide compounds, boron trifluoride-amine complexes, amine imide compounds, polyamine salts, and modified products and microcapsule types of these. can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more. It is more preferable to use an imidazole compound from the viewpoint of having better latent properties (excellent stability at room temperature and exhibiting curability by heating) and faster curing speed.
  • the content of the epoxy resin curing agent (B) in the adhesive composition may be appropriately set depending on the type of curing agent and the reaction form.
  • the amount may be 0.5 to 100 parts by weight, 1 to 80 parts by weight, 2 to 50 parts by weight, 4 to 20 parts by weight, based on 100 parts by weight of the epoxy resin (A). It is also preferable to do so.
  • the amount of the imidazole compound is 0.5 to 10 parts by mass, and 2 to 9 parts by mass based on 100 parts by mass of the epoxy resin (A).
  • the curing time can be further shortened.
  • the content of the epoxy resin curing agent (B) By setting the content of the epoxy resin curing agent (B) to the above-mentioned preferable lower limit or more, the curing time can be further shortened.
  • the content of the epoxy resin curing agent (B) By setting the content of the epoxy resin curing agent (B) to the above-mentioned preferable upper limit or less, film-like adhesion of excess curing agent can be achieved. Remaining in the agent can be suppressed. As a result, adsorption of moisture by the residual curing agent is suppressed, and the reliability of the semiconductor device can be improved.
  • a polyrotaxane compound is a high-molecular compound having end-capping groups at both ends of a pseudopolyrotaxane in which the opening of a cyclic molecule is encapsulated in a skewered manner by a linear molecule.
  • the polyrotaxane compounds used in the present invention may be one type or two or more types.
  • linear molecule forming the polyrotaxane compound is not particularly limited as long as it can be included in the opening of the cyclic molecule in a skewered manner.
  • linear molecules include polyvinyl alcohol, polyolefin resin, polyester resin, polyvinyl chloride resin, polystyrene resin, acrylic resin, polycarbonate resin, polyurethane resin, polydienes, polyalkylene glycol, polyimide, Examples include melamine resin and epoxy resin.
  • linear molecules described in paragraph [0030] of JP-A-2016-58138 and paragraph [0026] of JP-A-2015-203037 are mentioned, and these descriptions are incorporated herein by reference. Incorporated.
  • polyethylene glycol polyisoprene, polyisobutylene, polybutadiene, polypropylene glycol, polytetrahydrofuran, polydimethylsiloxane, polyethylene, polypropylene, polyvinyl alcohol and polyvinyl methyl ether are preferred, and polyethylene glycol is more preferred.
  • the weight average molecular weight of the linear molecule is not particularly limited, but is, for example, preferably 1,000 or more, more preferably 3,000 to 100,000, and still more preferably 6,000 to 50,000.
  • cyclic molecule forming the polyrotaxane compound has a cyclic molecular structure and has an opening in the center through which the linear molecule passes.
  • cyclic molecules are not particularly limited, and include, for example, cyclodextrin, crown ether, cryptand, macrocyclic amine, calixarene, cyclophane, and the like.
  • cyclodextrin ⁇ -cyclodextrin, ⁇ -cyclodextrin, or ⁇ -cyclodextrin
  • ⁇ -cyclodextrin is preferred because it has a hydroxyl group.
  • the cyclic molecule may have a functional group, such as a hydroxyl group, a mercapto group, a carbon-carbon unsaturated group, an amino group, a nitrile group, a carboxyl group, a diazo group, an aldehyde group, an ester. These are the basics.
  • the carbon-carbon unsaturated group include a vinyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, and an acetylene group.
  • the terminal capping group forming the polyrotaxane compound is not particularly limited as long as it is a group that can prevent the cyclic molecule from detaching from the linear molecule by binding to the linear molecule.
  • Examples of such groups include methyl group, ethyl group, butyl group, tert-butyl group, tert-butoxycarbonyl group, benzyloxycarbonyl group, acetyl group, adamantyl group, 2,4-dinitrophenyl group, and trityl group.
  • the method of introducing an end-capping group into a linear molecule is not particularly limited, and for example, a compound having a group capable of reacting with the terminal functional group of a linear molecule and the above-mentioned end-capping group, and a linear molecule. Examples include a method of reacting (bonding) with a terminal functional group using a conventional method.
  • the polyrotaxane compound may be one formed by the above-mentioned linear molecule, cyclic molecule, and end-capping group, and the combination of the linear molecule, cyclic molecule, and end-capping group is not particularly limited.
  • a combination of polyethylene glycol as a linear molecule, cyclodextrin as a cyclic molecule, and adamantyl group as an end-capping group is preferred.
  • the polyrotaxane compound may be synthesized or a commercially available product may be used.
  • the synthesis method is not particularly limited, and for example, the methods described in International Publication No. 2005/080469A1, International Publication No. 2005-108464A1, or each publication described in paragraph [0042] of Patent Document 2 may be referred to. Can be done.
  • Commercially available polyrotaxane compounds include, for example, the "CELM (registered trademark) Super Polymer” series (manufactured by Advanced Soft Materials).
  • the content of the polyrotaxane compound (C) is preferably 5 to 15 parts by mass, more preferably 5 to 12 parts by mass, based on the total of 100 parts by mass of each content of the epoxy resin (A) and the polymer component (D). Preferably, 5 to 10 parts by mass is more preferable.
  • ⁇ Polymer component (D)> The above-mentioned polymer component (D) suppresses film tackiness (the property that the film state easily changes even with a slight temperature change) at room temperature (25°C) when forming a film-like adhesive, and provides sufficient Any component that imparts adhesiveness and film-forming properties (film-forming properties) may be used.
  • Natural rubber butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, thermoplastic Examples include polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, (meth)acrylic resins, polyester resins such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, polyamideimide resins, fluororesins, polyurethane resins, etc. . These polymer components (D) may be used alone or in combination of two or more. As the polymer component (D), phenoxy resins, (meth)acrylic resins, and polyurethane resins are preferred, and phenoxy resins are more preferred.
  • the weight average molecular weight of the polymer component (D) is 10,000 or more. There is no particular limit to the upper limit, but 5,000,000 or less is practical.
  • the weight average molecular weight of the polymer component (D) is a value determined in terms of polystyrene by GPC [Gel Permeation Chromatography]. Hereinafter, the value of the weight average molecular weight of the specific polymer component (D) is also the same.
  • the glass transition temperature (Tg) of the polymer component (D) is preferably less than 100°C, more preferably less than 90°C.
  • the lower limit is preferably 0°C or higher, more preferably 10°C or higher.
  • the glass transition temperature of the polymer component (D) is the glass transition temperature measured by DSC at a heating rate of 0.1° C./min.
  • the value of the glass transition temperature of the specific polymer component (D) is also synonymous.
  • a resin that can have an epoxy group such as a phenoxy resin is a resin having an epoxy equivalent of 500 g/eq or less. , those that do not apply are classified as component (D).
  • Phenoxy resin There is no particular restriction on the phenoxy resin, and a wide variety of known phenoxy resins can be used as the film component of the film adhesive. Phenoxy resin can be obtained by conventional methods. For example, phenoxy resins can be obtained by reacting bisphenols or biphenol compounds with epihalohydrins such as epichlorohydrin, or by reacting liquid epoxy resins with bisphenols or biphenol compounds.
  • the weight average molecular weight of the phenoxy resin is preferably 10,000 or more, more preferably 10,000 to 100,000. Further, the amount of epoxy groups slightly remaining in the phenoxy resin is preferably 5000 g/eq or more in terms of epoxy equivalent.
  • the glass transition temperature (Tg) of the phenoxy resin is preferably less than 100°C, more preferably less than 90°C.
  • the lower limit is preferably 0°C or higher, more preferably 10°C or higher.
  • the (meth)acrylic resin is not particularly limited, and resins made of known (meth)acrylic copolymers can be widely used as film components of film adhesives.
  • the (meth)acrylic resin include poly(meth)acrylic acid esters or derivatives thereof.
  • copolymers containing monomer components such as 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate, etc. Can be mentioned.
  • (meth)acrylic acid esters having a cyclic skeleton for example, (meth)acrylic acid cycloalkyl ester, (meth)acrylic acid benzyl ester, isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl Copolymers using (meth)acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth)acrylate, imido(meth)acrylate, etc. as monomers are also preferred.
  • (meth)acrylic acid alkyl esters in which the alkyl group has 1 to 18 carbon atoms for example, methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, and butyl (meth)acrylate. , etc. are also preferable as monomer components. It may also be copolymerized with vinyl acetate, (meth)acrylonitrile, styrene, or the like. It is preferable for the (meth)acrylic resin to have a hydroxyl group in terms of compatibility with the epoxy resin.
  • the weight average molecular weight of the (meth)acrylic copolymer is preferably 10,000 to 2,000,000, more preferably 100,000 to 1,500,000. By setting the above-mentioned weight average molecular weight within the above-mentioned preferable range, tackiness can be reduced and an increase in melt viscosity can also be suppressed.
  • the glass transition temperature of the (meth)acrylic copolymer is preferably -35°C to 50°C, more preferably -10°C to 50°C, even more preferably 0°C to 40°C, particularly preferably 0°C to 30°C. in range. By setting the glass transition temperature within the above preferable range, tackiness can be reduced and generation of voids between the semiconductor wafer and the film adhesive can be suppressed.
  • Polyurethane resin is a polymer having urethane (carbamate ester) bonds in its main chain.
  • the polyurethane resin has a structural unit derived from a polyol, a structural unit derived from a polyisocyanate, and may further have a structural unit derived from a polycarboxylic acid.
  • the polyurethane resins may be used alone or in combination of two or more.
  • the Tg of the polyurethane resin is usually 100°C or less, preferably 60°C or less, more preferably 50°C or less, and also preferably 45°C or less.
  • the weight average molecular weight of the polyurethane resin is not particularly limited, and those within the range of 5,000 to 500,000 are usually used.
  • Polyurethane resins can be synthesized by conventional methods, or can also be obtained from the market. Commercially available products that can be used as polyurethane resins include Dynaleo VA-9320M, Dynaleo VA-9310MF, and Dynaleo VA-9303MF (all manufactured by Toyochem).
  • the content of the polymer component (D) is preferably 20 to 70 parts by mass, more preferably 30 to 60 parts by mass, out of the total 100 parts by mass of each content of the epoxy resin (A) and the polymer component (D). , more preferably 40 to 60 parts by mass.
  • the content of the polymer component (D) can be 30 to 80 parts by mass, and may be 40 to 70 parts by mass, out of the total 100 parts by mass of the epoxy resin (A) and the polymer component (D). , 40 to 60 parts by mass.
  • any inorganic filler that is normally used in adhesive compositions can be used without particular limitation.
  • the inorganic filler (E) include ceramics such as silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina (aluminum oxide), beryllium oxide, magnesium oxide, silicon carbide, silicon nitride, aluminum nitride, and boron nitride.
  • various inorganic powders such as metals such as aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, lead, tin, zinc, palladium, solder, alloys, carbons such as carbon nanotubes, carbon nanofibers, and graphene. It will be done.
  • the average particle size (d50) of the inorganic filler (E) is not particularly limited, but from the viewpoint of making the film adhesive thinner, it is preferably 0.01 to 6.0 ⁇ m, preferably 0.01 to 5.0 ⁇ m, The thickness is more preferably 0.1 to 3.5 ⁇ m, and even more preferably 0.1 to 1.0 ⁇ m.
  • the average particle size (d50) is the so-called median diameter, which is the particle size when particle size distribution is measured by laser diffraction/scattering method and the cumulative distribution is 50% when the total volume of particles is 100%. means.
  • the Mohs hardness of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 2 or more, more preferably 2 to 9. Mohs hardness can be measured using a Mohs hardness meter.
  • the inorganic filler (E) may include an inorganic filler with thermal conductivity (an inorganic filler with a thermal conductivity of 12 W/m ⁇ K or more), or an inorganic filler without thermal conductivity. (An inorganic filler having a thermal conductivity of less than 12 W/m ⁇ K) may also be used.
  • the thermally conductive inorganic filler (E) is a particle made of a thermally conductive material or a particle whose surface is coated with a thermally conductive material, and the thermal conductivity of these thermally conductive materials is 12 W/m. - It is preferable that it is K or more, and it is more preferable that it is 30 W/m ⁇ K or more.
  • the thermal conductivity of the thermally conductive material is equal to or higher than the preferable lower limit value, the amount of the inorganic filler (E) blended to obtain the desired thermal conductivity can be reduced, and the melting of the die attach film can be reduced.
  • the increase in viscosity is suppressed, and the ability to embed the material into the uneven portions of the substrate can be further improved when the material is pressure-bonded to the substrate. As a result, the generation of voids can be suppressed more reliably.
  • the thermal conductivity of the thermally conductive material means the thermal conductivity at 25° C., and literature values for each material can be used. Even if there is no description in the literature, for example, a value measured according to JIS R 1611:2010 for ceramics, and a value measured according to JIS H 7801:2005 for metals can be substituted.
  • thermally conductive ceramics such as alumina particles (thermal conductivity: 36 W/m ⁇ K), aluminum nitride particles (thermal conductivity: 150 to 290 W). /m ⁇ K), boron nitride particles (thermal conductivity: 60 W/m ⁇ K), zinc oxide particles (thermal conductivity: 54 W/m ⁇ K), silicon nitride particles (thermal conductivity: 27 W/m ⁇ K) , silicon carbide particles (thermal conductivity: 200 W/m ⁇ K) and magnesium oxide particles (thermal conductivity: 59 W/m ⁇ K).
  • thermally conductive ceramics such as alumina particles (thermal conductivity: 36 W/m ⁇ K), aluminum nitride particles (thermal conductivity: 150 to 290 W). /m ⁇ K), boron nitride particles (thermal conductivity: 60 W/m ⁇ K), zinc oxide particles (thermal conductivity: 54 W/m ⁇ K), silicon nitride particles (thermal conductivity: 27 W/m ⁇ K
  • examples of the inorganic filler (E) having thermal conductivity include metal particles having higher thermal conductivity than ceramics or particles whose surface is coated with metal.
  • single metal fillers such as silver (thermal conductivity: 429 W/m ⁇ K), nickel (thermal conductivity: 91 W/m ⁇ K), and gold (thermal conductivity: 329 W/m ⁇ K)
  • Preferred examples include polymer particles such as acrylic and silicone resin whose surfaces are coated with.
  • the inorganic filler (E) may be surface-treated or surface-modified, and surface-treating agents used for such surface treatment or surface modification include silane coupling agents, phosphoric acid or phosphoric acid compounds, and interface
  • surface-treating agents used for such surface treatment or surface modification include silane coupling agents, phosphoric acid or phosphoric acid compounds, and interface
  • activators include silane cups other than those described herein, for example, in the thermally conductive filler section of WO 2018/203527 or the aluminum nitride filler section of WO 2017/158994.
  • the descriptions of ring agents, phosphoric acid or phosphoric acid compounds and surfactants are applicable.
  • the inorganic filler (E) As a method for blending the inorganic filler (E) with resin components such as the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the polyrotaxane compound (C), and the polymer component (D), powdered inorganic
  • the method of treating the inorganic filler (E) with the silane coupling agent is not particularly limited, and may include a wet method of mixing the inorganic filler (E) and the silane coupling agent in a solvent, and a method of inorganic filling in a gas phase. Examples include a dry method of mixing material (E) and a silane coupling agent, and the above-mentioned integral blend method.
  • aluminum nitride particles contribute to high thermal conductivity, they tend to generate ammonium ions when hydrolyzed, so it is recommended that they be used in combination with phenolic resins, which have a low moisture absorption rate, or that hydrolysis be suppressed by surface modification. is preferred.
  • As a method for surface modification of aluminum nitride it is particularly preferable to provide an oxide layer of aluminum oxide on the surface layer to improve water resistance, and to perform surface treatment with phosphoric acid or a phosphoric acid compound to improve affinity with resin. .
  • a silane coupling agent has at least one hydrolyzable group such as an alkoxy group or an aryloxy group bonded to a silicon atom, and may also have an alkyl group, an alkenyl group, or an aryl group bonded to the silicon atom. good.
  • the alkyl group is preferably substituted with an amino group, an alkoxy group, an epoxy group, or a (meth)acryloyloxy group; Those substituted with an oxy group are more preferred.
  • silane coupling agent examples include 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, and 3-glycidyloxypropylmethyldimethoxysilane.
  • Silane 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltri Examples include methoxysilane, 3-methacryloyloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropylmethyldiethoxysilane, and 3-methacryloyloxypropyltriethoxysilane.
  • the silane coupling agent and surfactant are preferably contained in an amount of 0.1 to 25.0 parts by mass, and preferably 0.1 to 10.0 parts by mass, per 100 parts by mass of the inorganic filler (E). More preferably, it is contained in an amount of 0.1 to 2.0 parts by mass.
  • the shape of the inorganic filler (E) includes flakes, needles, filaments, spheres, and scales, but spherical particles are preferred from the viewpoint of high filling and fluidity.
  • the adhesive composition of the present invention contains an inorganic filler (E), the content of the inorganic filler (E) with respect to a total of 100 parts by mass of each content of the epoxy resin (A) and the polymer component (D).
  • the amount is 45 parts by weight or less. Within the above range, even if the inorganic filler (E) is contained, the adhesive strength will not be significantly reduced.
  • the adhesive composition of the present invention contains an inorganic filler (E), the content of the inorganic filler (E) with respect to a total of 100 parts by mass of each content of the epoxy resin (A) and the polymer component (D).
  • the amount is preferably 10 to 45 parts by weight, more preferably 20 to 45 parts by weight, and even more preferably 30 to 40 parts by weight.
  • the adhesive composition of the present invention contains, in addition to an epoxy resin (A), an epoxy resin curing agent (B), a polyrotaxane compound (C), a polymer component (D), and an inorganic filler (E). It may further contain an organic solvent (such as methyl ethyl ketone), an ion trapping agent, a curing catalyst, a viscosity modifier, an antioxidant, a flame retardant, a coloring agent, etc., within a range that does not impair the effect. For example, other additives of WO 2017/158994 may be included.
  • the total proportion of each content of the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the polyrotaxane compound (C), and the polymer component (D) in the adhesive composition of the present invention is, for example, , can be 60% by mass or more, preferably 70% by mass or more, more preferably 80% by mass or more, and can also be 90% by mass or more. Moreover, the said ratio may be 100 mass % and can also be made into 95 mass % or less.
  • the adhesive composition of the present invention contains an inorganic filler (E), the epoxy resin (A), the epoxy resin curing agent (B), the polyrotaxane compound (C), and the polymer component (D ) and the inorganic filler (E) can be, for example, 60% by mass or more, preferably 70% by mass or more, more preferably 80% by mass or more, and 90% by mass or more. It is also possible to do this. Moreover, the said ratio may be 100 mass % and can also be made into 98 mass % or less.
  • the adhesive composition of the present invention can be suitably used to obtain the film adhesive of the present invention. However, the present invention is not limited to film adhesives, and can also be suitably used to obtain liquid or paste adhesives, for example.
  • the adhesive composition of the present invention can be obtained by mixing the above-mentioned components at a temperature at which the epoxy resin (A) does not actually harden.
  • the order of mixing is not particularly limited.
  • Resin components such as the epoxy resin (A), the polyrotaxane compound (C), and the polymer component (D) may be mixed together with a solvent if necessary, and then the epoxy resin curing agent (B) may be mixed.
  • the polyrotaxane compound (C) may be mixed separately from the epoxy resin (A) and the polymer component (D), for example, the epoxy resin (A) and the polymer component (D) may be mixed together as necessary.
  • the epoxy resin curing agent (B) and the polyrotaxane compound (C) may be mixed together with a solvent.
  • mixing in the presence of the epoxy resin curing agent (B) may be carried out at a temperature at which the epoxy resin (A) does not actually harden, and in the absence of the epoxy resin curing agent (B).
  • the mixing of the resin components may be carried out at higher temperatures.
  • the order of mixing the inorganic filler (E) is not particularly limited, but it can be mixed at the same time as the epoxy resin curing agent (B).
  • the adhesive composition of the present invention is preferably stored at a temperature of 10° C. or lower before use (before forming into a film adhesive). .
  • the film adhesive of the present invention is a film adhesive obtained from the adhesive composition of the present invention. Therefore, the film adhesive of the present invention contains the above-mentioned epoxy resin (A), epoxy resin curing agent (B), polyrotaxane compound (C), and polymer component (D).
  • the film adhesive of the present invention may further contain an inorganic filler (E), and other additives other than organic solvents may be included in the adhesive composition of the present invention as other additives. may contain additives.
  • the film adhesive of the present invention is specified as follows. Contains an epoxy resin (A), an epoxy resin curing agent (B), a polyrotaxane compound (C), and a polymer component (D), A film adhesive containing 5 to 15 parts by mass of the polyrotaxane compound (C) based on a total of 100 parts by mass of the epoxy resin (A) and the polymer component (D).
  • the solvent is usually removed from the adhesive composition by drying. Therefore, the content of the solvent in the film adhesive of the present invention is 1000 ppm (ppm is based on mass) or less, and usually 0.1 to 1000 ppm.
  • the term "film” means a thin film having a thickness of 200 ⁇ m or less. The shape, size, etc. are not particularly limited and can be adjusted as appropriate depending on the manner of use.
  • the film adhesive of the present invention is in a state before curing, that is, in a B stage state.
  • the film adhesive before curing refers to an adhesive in a state before the epoxy resin (A) is thermally cured.
  • a film adhesive before thermosetting is one that has not been exposed to a temperature condition of 25°C or higher for 72 hours or more after preparation, and has not been exposed to a temperature condition of over 30°C. means a film adhesive that is not
  • the film adhesive after curing refers to an epoxy resin (A) in a thermoset state.
  • the film adhesive of the present invention can be suitably used as a die attach film in semiconductor manufacturing processes.
  • the film adhesive of the present invention is formed by preparing the adhesive composition (varnish) of the present invention, applying this composition onto a release-treated base film, and drying as necessary. can do.
  • Adhesive compositions usually contain an organic solvent.
  • the release-treated base film may be any film that functions as a cover film for the obtained film adhesive, and any known film may be used as appropriate. Examples include release-treated polypropylene (PP), release-treated polyethylene (PE), and release-treated polyethylene terephthalate (PET).
  • PP release-treated polypropylene
  • PE release-treated polyethylene
  • PET release-treated polyethylene terephthalate
  • any known method can be appropriately employed, and examples thereof include methods using a roll knife coater, a gravure coater, a die coater, a reverse coater, and the like. Drying may be performed as long as the organic solvent is removed from the adhesive composition to form a film adhesive without curing the epoxy resin (A), for example, by holding at a temperature of 80 to 150°C
  • the film adhesive of the present invention may be composed of the film adhesive of the present invention alone, or may be formed by laminating the above-mentioned release-treated base film on at least one surface of the film adhesive. It may be a form. Furthermore, it may be integrated with a dicing film to form a dicing/die attach film. Further, the film adhesive of the present invention may be in the form of a film cut out to an appropriate size, or may be in the form of a film wound into a roll.
  • the film adhesive of the present invention is preferably stored at a temperature of 10° C. or lower before use (before curing) from the viewpoint of suppressing curing of the epoxy resin (A).
  • FIG. 1 to 7 are schematic longitudinal cross-sectional views showing a preferred embodiment of each step of the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention.
  • the film adhesive 2 (die attach film 2) of the present invention is thermocompression bonded to the surface (on which no circuit is formed) to form an adhesive layer (film adhesive 2).
  • a dicing film 3 (dicing tape 3) is provided via the adhesive 2).
  • the film adhesive 2 is shown smaller than the dicing film 3, but the sizes (areas) of both films are appropriately set depending on the purpose.
  • the thermocompression bonding is carried out at a temperature at which the epoxy resin (A) is not practically cured by heat. For example, conditions include a temperature of about 70° C. and a pressure of about 0.3 MPa.
  • a semiconductor wafer having at least one semiconductor circuit formed on its surface can be appropriately used, and examples thereof include a silicon wafer, a SiC wafer, a GaAs wafer, and a GaN wafer.
  • a known device such as a roll laminator or a manual laminator can be used as appropriate.
  • the die attach film and the dicing film are attached separately, but when the film adhesive of the present invention is in the form of a dicing/die attach film, the film adhesive and the dicing film are attached together. Can be pasted together.
  • the semiconductor wafer 1 and the adhesive layer are diced together, and the semiconductor wafer is diced onto the dicing film 3.
  • a semiconductor chip 5 with an adhesive layer is obtained, which includes a semiconductor chip 4 with a film-like adhesive layer and film-like adhesive pieces 2 in which the film-like adhesive 2 is cut into pieces.
  • the dicing device is not particularly limited, and a normal dicing device can be used as appropriate.
  • the semiconductor chip 5 with the adhesive layer is peeled off from the dicing film 3.
  • the dicing film may be cured with energy rays to reduce the adhesive strength. Peeling can be performed by picking up the semiconductor chip 5 with the adhesive layer.
  • the semiconductor chip 5 with the adhesive layer and the wiring board 6 are bonded together by thermocompression via the film adhesive piece 2, and the semiconductor chip 5 with the adhesive layer is mounted on the wiring board 6.
  • the wiring board 6 a board on which a semiconductor circuit is formed can be used as appropriate, such as a printed circuit board (PCB), various lead frames, and electronic components such as resistive elements and capacitors mounted on the board surface. Examples include substrates that have been
  • the method of mounting the semiconductor chip 5 with an adhesive layer on such a wiring board 6 is not particularly limited, and a conventional mounting method using thermocompression bonding can be adopted as appropriate.
  • thermosetting temperature is not particularly limited as long as it is above the thermosetting start temperature of the film adhesive piece 2, and is adjusted as appropriate depending on the type of epoxy resin (A) and epoxy resin curing agent (B) used. .
  • the temperature is preferably 100 to 180°C, and more preferably 140 to 180°C from the viewpoint of curing in a shorter time. If the temperature is too high, the components in the film adhesive piece 2 will tend to volatilize and foam during the curing process.
  • the time for this thermosetting treatment may be appropriately set depending on the heating temperature, and can be, for example, 10 to 120 minutes.
  • connection method is not particularly limited, and conventionally known methods such as a wire bonding method, a TAB (Tape Automated Bonding) method, etc. can be appropriately employed.
  • a plurality of semiconductor chips 4 can be stacked by thermocompression bonding and thermosetting another semiconductor chip 4 on the surface of the mounted semiconductor chip 4, and then connecting it to the wiring board 6 again using a wire bonding method.
  • the semiconductor chips are stacked while being shifted, or as shown in FIG. 6, the thickness of the film-like adhesive piece 2 from the second layer onward is increased so that the bonding wire 7 is embedded in the stack. etc.
  • the sealing resin 8 is not particularly limited, and any known sealing resin that can be used for manufacturing semiconductor packages can be used. Furthermore, the method of sealing with the sealing resin 8 is not particularly limited, and any commonly used method may be employed.
  • the semiconductor package of the present invention is manufactured by the above-described semiconductor package manufacturing method, and the semiconductor chip and the wiring board, or at least one location between the semiconductor chips, are bonded with the thermoset of the film-like adhesive of the present invention. There is.
  • the semiconductor package of the present invention is preferably a wire bonding type semiconductor package containing a thermoset of the film adhesive of the present invention.
  • Example 1 In a 1000 mL separable flask, 50 parts by mass of HP-7200 (dicyclopentadiene type epoxy resin, manufactured by DIC Corporation) was used as an epoxy resin, and YP-50 (phenoxy resin, Tg 84°C, Nippon Steel Chemical & Materials Co., Ltd.) was used as a polymer component. 50 parts by weight of MEK) and 30 parts by weight of MEK were heated and stirred at a temperature of 110° C. for 2 hours to obtain a resin varnish.
  • HP-7200 dicyclopentadiene type epoxy resin, manufactured by DIC Corporation
  • YP-50 phenoxy resin, Tg 84°C, Nippon Steel Chemical & Materials Co., Ltd.
  • this resin varnish was transferred to an 800 mL planetary mixer, and SH2400P (trade name, linear molecule: polyethylene glycol (weight average molecular weight 20,000), cyclic molecule: cyclodextrin, end-capping group: adamantyl group, ASM) was added as a polyrotaxane compound.
  • SH2400P trade name, linear molecule: polyethylene glycol (weight average molecular weight 20,000), cyclic molecule: cyclodextrin, end-capping group: adamantyl group, ASM
  • 2PHZ-PW trade name, imidazole type hardener, manufactured by Shikoku Kasei
  • a mixed varnish was obtained.
  • the obtained mixed varnish was applied onto a release-treated PET film with a thickness of 20 ⁇ m and dried by heating at 130° C. for 10 minutes to form a release film with a length of 300 mm, a width of 200 mm, and a thickness of 5 ⁇ m of film adhesive.
  • Example 2 A film adhesive with a release film was obtained in the same manner as in Example 1, except that the amount of the polyrotaxane compound used was 5 parts by mass.
  • Example 3 In Example 1, SH1300P (trade name, linear molecule: polyethylene glycol (weight average molecular weight 11,000), cyclic molecule: cyclodextrin, terminal capping group: adamantyl group, manufactured by ASM) was used instead of SH2400P when preparing the mixed varnish. A film adhesive with a release film was obtained in the same manner as in Example 1, except that 10 parts by mass of was used.
  • Example 4 A film adhesive with a release film was obtained in the same manner as in Example 1, except that 5 parts by mass of SH1300P was used in place of SH2400P when preparing the mixed varnish.
  • Example 5 A film adhesive with a release film was obtained in the same manner as in Example 1, except that 40 parts by mass of SO-C2 (trade name, silica filler, manufactured by Admatec) was added when preparing the mixed varnish. Ta.
  • SO-C2 trade name, silica filler, manufactured by Admatec
  • Example 6 A film adhesive with a release film was obtained in the same manner as in Example 2, except that 40 parts by mass of SO-C2 was added when preparing the mixed varnish.
  • Example 7 A film adhesive with a release film was obtained in the same manner as in Example 6, except that the epoxy resin was HP-4710 (trade name, naphthalene type epoxy resin, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.).
  • Example 3 A film adhesive with a release film was obtained in the same manner as in Example 1, except that the amount of polyrotaxane compound used was 3 parts by mass, and 40 parts by mass of SO-C2 was added to the mixed varnish. .
  • Example 5 In Example 1, a release film was attached in the same manner as in Example 1, except that 3 parts by mass of SH1300P was used instead of SH2400P when preparing the mixed varnish, and 40 parts by mass of silica filler SO-C2 was added to the mixed varnish. Obtained film adhesive
  • Example 7 A film adhesive with a release film was obtained in the same manner as in Example 1, except that 20 parts by mass of SH1300P was used in place of SH2400P when preparing the mixed varnish.
  • Table 1 shows the composition of the film adhesive created in each Example and Comparative Example. A blank column means that the component is not contained.
  • test piece To measure warpage, place the test piece on a surface plate with the side with the film adhesive facing up, and use a ruler to measure the height from the surface of the surface plate to the warped end of the test piece. This was done by measuring.
  • the center of the surface of the test piece is in contact with the surface plate, and the four sides of the test piece are placed above the surface plate (the side where the film adhesive is pasted on the test piece). is warped.
  • the warpage was measured at the side opposite to the side with the largest warp among the four sides of the test piece. The same measurement was performed on three specimens and the average value was determined.
  • the film adhesive with a release film obtained in each Example and Comparative Example was coated using a manual laminator (trade name: FM-114, manufactured by Technovision Co., Ltd.) under conditions of a temperature of 70°C and a pressure of 0.3 MPa. Then, it was bonded to one side of a dummy silicon wafer (8 inch size, 0.35 mm thick). Thereafter, after peeling off the release film from the film adhesive, using the same manual laminator, place a dicing tape on the surface of the film adhesive opposite to the dummy silicon wafer at room temperature and under a pressure of 0.3 MPa.
  • a manual laminator trade name: FM-114, manufactured by Technovision Co., Ltd.
  • a dicing device product name: DFD-6340, product name: DFD-6340, Dicing was performed from the dummy silicon wafer side using a dummy silicon wafer (manufactured by DISCO) to form squares of 2 mm x 2 mm in size, and the individual pieces with a film adhesive (adhesive layer) were placed on the dicing film.
  • a dummy chip semiconductor chip
  • the dummy chip with film adhesive was picked up from the dicing tape using a die bonder (product name: DB-800, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation), and was placed at 130° C., under a pressure of 0.1 MPa (load: 400 gf), for 0 hours.
  • the film-like adhesive side of the dummy chip with film-like adhesive and the mounting surface side of the lead frame substrate (42Alloy system, manufactured by Toppan Printing Co., Ltd.) were bonded together by thermocompression for 5 seconds.
  • the film adhesive was thermally cured by heating at 180° C. for 1 hour in a dryer.
  • a universal bond tester product name: Series 4000PXY, manufactured by Nordson Advanced Technologies
  • shear peeling force shear peeling force
  • the adhesive compositions of Comparative Examples 1 to 5 do not contain a polyrotaxane compound, or the content thereof is less than that specified in the present invention. Film adhesives formed using these adhesive compositions resulted in warping of 8 mm or more.
  • the adhesive compositions of Comparative Examples 6 and 7 have a higher content of polyrotaxane compound than specified in the present invention. Film adhesives formed using these adhesive compositions had adhesive strength of 18 MPa or less, resulting in poor adhesive strength.
  • the adhesive composition of Comparative Example 8 does not use an epoxy resin having a condensed ring structure. A film adhesive formed using this adhesive composition had an adhesive force of 15 MPa, which resulted in poor adhesive force.
  • the film adhesives formed using the adhesive compositions of Examples 1 to 7 that meet the provisions of the present invention have a warpage of 0 to 0.5 mm and a shear adhesive strength of 58 MPa or more. there were. It can be seen that by using the adhesive composition of the present invention, a package with reduced warpage can be formed without significantly impairing the adhesive strength with the adherend. Furthermore, it can be seen that even when an inorganic filler is contained, a sufficiently high adhesive force can be maintained.

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Abstract

縮合環を骨格に有するエポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリロタキサン化合物（Ｃ）、及び高分子成分（Ｄ）を含有する接着剤用組成物であって、前記エポキシ樹脂（Ａ）及び前記高分子成分（Ｄ）の各含有量の合計１００質量部に対して、前記ポリロタキサン化合物（Ｃ）を５～１５質量部含有する接着剤用組成物、これを用いたフィルム状接着剤、半導体パッケージ及びその製造方法。

Description

接着剤用組成物及びフィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法
　本発明は、接着剤用組成物及びフィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
　近年、半導体チップを多段に積層したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ　Ｃｈｉｐ　Ｐａｃｋａｇｅ）が普及しており、携帯電話、携帯オーディオ機器用のメモリパッケージとして搭載されている。また、携帯電話等の多機能化に伴い、パッケージの高密度化・高集積化も推し進められている。これに伴い、半導体チップの多段積層化が進行している。
　このようなメモリパッケージの製造過程における配線基板と半導体チップとの接着や半導体チップ間の接着には、熱硬化性のフィルム状接着剤（ダイアタッチフィルム、ダイボンドフィルム）が使用されている。チップの多段積層化に伴い、ダイアタッチフィルムはより薄型状に形成することが求められている。また、ウェハ配線ルールの微細化に伴い、半導体素子表面には熱が発生しやすくなっている。それゆえ、熱をパッケージ外部へ逃がすために、ダイアタッチフィルムには熱伝導性の充填材が配合され、高熱伝導性を実現している。
　いわゆるダイアタッチフィルム用途を意図した熱硬化性のフィルム状接着剤の材料として、例えば、重量平均分子量が１００００未満の硬化性樹脂と、硬化剤と、ユークリプタイトと、を組み合わせた組成が知られている（例えば特許文献１）。
特開２０２１－２４９６３号公報
　半導体パッケージは、基板（半導体、ガラス）、リードフレーム（金属）、回路、接着層、封止層など様々な材質の部材により構成されている。このため、各部材の熱膨張率の違いから、半導体パッケージに反りが生じる場合がある。半導体パッケージが小型化、薄型化するのに伴い、その傾向は強まっている。また、積層数の多い、多段化パッケージでは、一段の半導体パッケージと比較して反りの影響は大きい。半導体パッケージに反りが生じると、外部端子と実装基板との接続不良、内部構造中でのクラックの発生、ワイヤの破断など、組立時及び使用時に様々な問題が生じうる。
　半導体パッケージを構成する材料の中でも、樹脂を含む材料は、その熱膨張率が、金属材料に対して相対的に大きいため、低熱膨張率化するために様々な検討がなされている。例えば、特許文献１は、低熱膨張化させる手段として無機充填材を採用した場合の問題点を指摘し、特定の重量平均分子量の硬化性樹脂と、硬化剤と、充填材としてユークリプトを用いた組成により、熱膨張率を低減できることを記載している。しかし、上述の特許文献１に記載の組成物は、特殊な無機充填材を用いるという点で製造上の制約がある。
　一方で、樹脂を含む材料を、接着剤又は封止剤として使用する場合、被着物に対して十分な接着性を示すことが要求される。従来、無機充填材を多く含有させることにより、接着力が低下することは知られており、無機充填材を用いた手法により、反りの低減と優れた接着力とを両立させることは困難であった。
　本発明は、反りを効果的に抑制でき、被着体との間で優れた接着力を示すフィルム状接着剤、及び、このフィルム状接着剤の調製に好適な接着剤用組成物を提供することを課題とする。また本発明は、上記フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法を提供することを課題とする。
　本発明者らは上記課題に鑑み鋭意検討を重ねた結果、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、及び高分子成分を含有させた接着剤用組成物を用いてフィルム状接着剤を調製するに当たり、エポキシ樹脂として、縮合環骨格を有するエポキシ樹脂を採用し、これにポリロタキサン化合物を特定量で含有させることにより、上記課題を解決できることを見出した。
　本発明は上記知見に基づきさらに検討を重ねて完成されるに至ったものである。
　本発明の上記課題は下記の手段により解決される。
〔１〕
　縮合環構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリロタキサン化合物（Ｃ）、及び高分子成分（Ｄ）を含有する接着剤用組成物であって、
　前記エポキシ樹脂（Ａ）及び前記高分子成分（Ｄ）の各含有量の合計１００質量部に対して、前記ポリロタキサン化合物（Ｃ）を５～１５質量部含有する接着剤用組成物。
〔２〕
　前記エポキシ樹脂（Ａ）が、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を含む、〔１〕に記載の接着剤用組成物。
〔３〕
　前記高分子成分（Ｄ）が、フェノキシ樹脂を含む、〔１〕又は〔２〕に記載の接着剤用組成物。
〔４〕
　無機充填材（Ｅ）を含有する、〔１〕～〔３〕のいずれか１項に記載の接着剤用組成物。
〔５〕
　〔１〕～〔４〕のいずれか１項に記載の接着剤用組成物により得られてなるフィルム状接着剤。
〔６〕
　厚みが１～８０μｍの範囲である、〔５〕に記載のフィルム状接着剤。
〔７〕
　表面に半導体回路が形成された半導体ウェハの裏面に、〔５〕又は〔６〕に記載のフィルム状接着剤を熱圧着して接着剤層を設け、この接着剤層を介してダイシングフィルムを設ける第１の工程と、
　前記半導体ウェハと前記接着剤層とを一体にダイシングすることにより、前記ダイシングフィルム上に、フィルム状接着剤片と半導体チップとを備える接着剤層付き半導体チップを得る第２の工程と、
　前記接着剤層付き半導体チップを前記ダイシングフィルムから剥離して前記接着剤層付き半導体チップと配線基板とを前記接着剤層を介して熱圧着する第３の工程と、
　前記接着剤層を熱硬化する第４の工程と、
を含む、半導体パッケージの製造方法。
〔８〕
　〔７〕に記載の製造方法により得られる、半導体パッケージ。
〔９〕
　〔５〕又は〔６〕に記載のフィルム状接着剤の熱硬化体を含む、ワイヤーボンディング方式半導体パッケージ。
　本発明において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　本発明のフィルム状接着剤は、反りを抑制でき、被着体との間で優れた接着力を示す。本発明の接着剤用組成物は、上記フィルム状接着剤を得るのに好適である。
　本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、反りが生じにくく、接着信頼性にも優れた半導体パッケージを得ることができる。
図１は、本発明の半導体パッケージの製造方法の第１の工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。 図２は、本発明の半導体パッケージの製造方法の第２の工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。 図３は、本発明の半導体パッケージの製造方法の第３の工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。 図４は、本発明の半導体パッケージの製造方法のボンディングワイヤーを接続する工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。 図５は、本発明の半導体パッケージの製造方法の多段積層実施形態例を示す概略縦断面図である。 図６は、本発明の半導体パッケージの製造方法の別の多段積層実施形態例を示す概略縦断面図である。 図７は、本発明の半導体パッケージの製造方法により製造される半導体パッケージの好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。
［接着剤用組成物］
　本発明の接着剤用組成物は、本発明のフィルム状接着剤の形成に好適な組成物である。
　本発明の接着剤用組成物は、縮合環構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリロタキサン化合物（Ｃ）、高分子成分（Ｄ）を含有する。また、エポキシ樹脂（Ａ）及び高分子成分（Ｄ）の各含有量の合計１００質量部に対して、ポリロタキサン化合物（Ｃ）の含有量は５～１５質量部に制御される。本発明の接着剤用組成物は、さらに、無機充填材（Ｅ）を含有していてもよい。
　本発明の接着剤用組成物は、被着体との積層体において、反りを生じにくく、また、被着体への接着力に優れる。
　以下、接着剤用組成物に含まれる各成分について説明する。
＜縮合環構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）＞
　上記縮合環構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）（以下、単にエポキシ樹脂（Ａ）ともいう）は、エポキシ基を持つ熱硬化型の樹脂であり、その分子中に縮合環構造を有する。この縮合環構造を構成する環の数は２～７が好ましく、２～５がより好ましく、２～４がさらに好ましく、２又は３がさらに好ましく、２が特に好ましい。また、縮合環構造を構成する各環は橋かけ構造を有してもよい。縮合環構造を構成する各環の環員数は、５員環及び／又は６員環が好ましい（例えばジシクロペンタジエン構造は、５員環と６員環との縮合環であり、６員環が橋かけ構造を有する）。
　エポキシ樹脂（Ａ）が有する縮合環構造としては、ジシクロペンタジエン構造、フルオレン構造（好ましくはフルオレンビスフェノール構造）、ナフタレン構造（好ましくはナフトール構造、ナフタレンジオール構造を含む）等が挙げられる。なかでもジシクロペンタジエン構造、及びナフタレン構造が好ましい。すなわち、エポキシ樹脂（Ａ）はジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、及び／又はナフタレン型エポキシ樹脂を含むことが好ましく、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を含むことがより好ましい。
　エポキシ樹脂（Ａ）のエポキシ当量は５００ｇ／ｅｑ以下であることが好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）は液体、固体又は半固体のいずれであってもよい。本発明において液体とは、軟化点が２５℃未満であることをいい、固体とは、軟化点が６０℃以上であることをいい、半固体とは、軟化点が上記液体の軟化点と固体の軟化点との間（２５℃以上６０℃未満）にあることをいう。本発明で使用するエポキシ樹脂（Ａ）としては、好適な温度範囲（例えば６０～１２０℃）で低溶融粘度に到達することができるフィルム状接着剤を得る観点から、軟化点が１００℃以下であることが好ましい。なお、本発明において、軟化点とは、軟化点試験（環球式）法（測定条件：ＪＩＳ－Ｋ７２３４：１９８６に準拠）により測定した値である。
　本発明で使用するエポキシ樹脂（Ａ）において、熱硬化体の架橋密度を高める観点から、エポキシ当量は１５０～４５０ｇ／ｅｑであることが好ましい。なお、本発明において、エポキシ当量とは、１グラム当量のエポキシ基を含む樹脂のグラム数（ｇ／ｅｑ）をいう。
　エポキシ樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、通常、１００００未満が好ましく、５０００以下がより好ましい。下限値に特に制限はないが、３００以上が実際的である。
　重量平均分子量は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）分析による値である（以下、特に断らない場合には他の樹脂についても同様）。
　エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、エポキシ樹脂（Ａ）及び高分子成分（Ｄ）の総含有量１００質量部中、２０～７０質量部が好ましく、３０～６０質量部がより好ましく、４０～６０質量部がさらに好ましい。
＜エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）＞
　上記エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）としては、アミン類、酸無水物類、多価フェノール類等の任意の硬化剤を用いることができる。本発明では、低溶融粘度で、かつ、ある温度を超える高温で硬化性を発揮し、速硬化性を有し、さらに、室温での長期保存が可能な保存安定性の高いフィルム状接着剤とする観点から、潜在性硬化剤を用いることが好ましい。
　潜在性硬化剤としては、ジシアンジアミド化合物、イミダゾール化合物、硬化触媒複合系多価フェノール化合物、ヒドラジド化合物、三弗化ホウ素－アミン錯体、アミンイミド化合物、ポリアミン塩、及びこれらの変性物やマイクロカプセル型のものを挙げることができる。これらは１種を単独で用いても、もしくは２種以上を組み合わせて用いてもよい。より優れた潜在性（室温での安定性に優れ、かつ、加熱により硬化性を発揮する性質）を有し、硬化速度がより速い観点から、イミダゾール化合物を用いることがより好ましい。
　接着剤用組成物中のエポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の含有量は、硬化剤の種類、反応形態に応じて適宜に設定すればよい。例えば、エポキシ樹脂（Ａ）１００質量部に対して０．５～１００質量部とすることができ、１～８０質量部としてもよく、２～５０質量部としてもよく、４～２０質量部とすることも好ましい。また、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）としてイミダゾール化合物を用いる場合には、エポキシ樹脂（Ａ）１００質量部に対してイミダゾール化合物を０．５～１０質量部とすることが好ましく、２～９質量部とすることがより好ましい。エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の含有量を上記好ましい下限値以上とすることにより硬化時間をより短くすることができ、他方、上記好ましい上限値以下とすることにより、過剰の硬化剤のフィルム状接着剤中への残留を抑えることができる。結果、残留硬化剤の水分の吸着が抑えられ、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。
＜ポリロタキサン化合物（Ｃ）＞
　ポリロタキサン化合物は、環状分子の開口部が直鎖状分子によって串刺し状に包接された擬ポリロタキサンの両端に末端封鎖基を有する高分子化合物である。
　本発明に用いるポリロタキサン化合物は、１種でも２種以上でもよい。
　－　直鎖状分子　－
　ポリロタキサン化合物を形成する直鎖状分子は、環状分子の開口部に串刺し状に包接され得るものであれば、特に限定されない。
　このような直鎖状分子としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリジエン類、ポリアルキレングリコール、ポリイミド、メラミン樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。具体的には、特開２０１６－５８１３８号公報段落［００３０］及び特開２０１５－２０３０３７号公報の段落［００２６］に記載された各直鎖状分子が挙げられ、これらの記載は本明細書に組み込まれる。
　中でも、ポリエチレングリコール、ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリプロピレングリコール、ポリテトラヒドロフラン、ポリジメチルシロキサン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニルアルコール及びポリビニルメチルエーテルから選ばれるものが好ましく、ポリエチレングリコールがより好ましい。
　直鎖状分子の重量平均分子量は、特に限定されないが、例えば、好ましくは１０００以上、より好ましくは３０００～１０００００、更に好ましくは６０００～５００００である。
　－環状分子－
　ポリロタキサン化合物を形成する環状分子は、その分子構造が環状になっており、その中央に上記直鎖状分子が貫通する開口部を有する分子である。このような環状分子としては、特に限定されず、例えば、シクロデキストリン、クラウンエーテル、クリプタンド、大環状アミン、カリックスアレーン、シクロファン等が挙げられる。中でも、水酸基を有している点で、シクロデキストリン（α－シクロデキストリン、β－シクロデキストリン又はγ－シクロデキストリン）が好ましい。
　環状分子は、官能基を有していてもよく、このような官能基としては、水酸基、メルカプト基、炭素－炭素不飽和基、アミノ基、ニトリル基、カルボキシル基、ジアゾ基、アルデヒド基、エステル基等である。炭素－炭素不飽和基としては、例えば、ビニル基、アクリロイル基、メタアクリロイル基、アセチレン基等が挙げられる。
　－末端封鎖基－
　ポリロタキサン化合物を形成する末端封鎖基は、上記直鎖状分子に結合することによって、上記環状分子の直鎖状分子からの脱離を防止できる基であれば特に限定されない。このような基としては、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、アセチル基、アダマンチル基、２，４－ジニトロフェニル基、トリチル基、ダンシル基、２，４，６－トリニトロフェニル基、トリイソプロピルシリル基、ナフタレン由来の基又はアントラセン由来の基などが挙げられる。中でも、アダマンチル基が好ましい。
　直鎖状分子への末端封鎖基の導入方法は、特に限定されず、例えば、直鎖状分子の末端官能基と反応しうる基と上記末端封鎖基とを有する化合物と、直鎖状分子の末端官能基とを常法により反応（結合）させる方法が挙げられる。
　ポリロタキサン化合物は、上記直鎖状分子、環状分子及び末端封鎖基により形成されるものであればよく、直鎖状分子、環状分子及び末端封鎖基の組み合わせについても特に限定されない。好ましくは、直鎖状分子としてポリエチレングリコールと、環状分子としてシクロデキストリンと、末端封鎖基としてアダマンチル基との組み合わせが好ましい。
　ポリロタキサン化合物は、合成してもよく、市販品を使用してもよい。
　合成する場合、その合成方法は特に限定されず、例えば、国際公開第２００５／０８０４６９Ａ１号、国際公開第２００５－１０８４６４Ａ１号又は特許文献２の段落［００４２］に記載の各公報に記載の方法を参考にできる。ポリロタキサン化合物の市販品としては、例えば、「セルム（登録商標）　スーパーポリマー」シリーズ（アドバンスト・ソフトマテリアルズ社製）が挙げられる。
　ポリロタキサン化合物（Ｃ）の含有量は、エポキシ樹脂（Ａ）及び高分子成分（Ｄ）の各含有量の合計１００質量部に対して、５～１５質量部が好ましく、５～１２質量部がより好ましく、５～１０質量部がさらに好ましい。
＜高分子成分（Ｄ）＞
　上記高分子成分（Ｄ）としては、フィルム状接着剤を形成した際に、常温（２５℃）でのフィルムタック性（少しの温度変化でもフィルム状態が変化しやすい性質）を抑制し、十分な接着性および造膜性（フィルム形成性）を付与する成分であればよい。天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ナイロンや６，６－ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート及びポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらの高分子成分（Ｄ）は単独で用いてもよく、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。高分子成分（Ｄ）としては、フェノキシ樹脂、（メタ）アクリル樹脂、及びポリウレタン樹脂が好ましく、フェノキシ樹脂がより好ましい。
　高分子成分（Ｄ）の重量平均分子量は、１００００以上である。上限値に特に制限はないが、５００００００以下が実際的である。
　上記高分子成分（Ｄ）の重量平均分子量は、ＧＰＣ〔ゲル浸透クロマトグラフィー（Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）〕によるポリスチレン換算で求めた値である。以降、具体的な高分子成分（Ｄ）の重量平均分子量の値も同義である。
　また、上記高分子成分（Ｄ）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１００℃未満が好ましく、９０℃未満がより好ましい。下限は、０℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましい。
　上記高分子成分（Ｄ）のガラス転移温度は、昇温速度０．１℃／分でＤＳＣにより測定されたガラス転移温度である。以降、具体的な高分子成分（Ｄ）のガラス転移温度の値も同義である。
　なお、本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）と高分子成分（Ｄ）のうちフェノキシ樹脂等のエポキシ基を有し得る樹脂とは、エポキシ当量が５００ｇ／ｅｑ以下である樹脂がエポキ樹脂（Ａ）に、該当しないものが成分（Ｄ）に、それぞれ分類される。
（フェノキシ樹脂）
　フェノキシ樹脂に特に制限はなく、フィルム状接着剤のフィルム成分として公知のフェノキシ樹脂を広く用いることができる。
　フェノキシ樹脂は常法により得ることができる。例えば、フェノキシ樹脂は、ビスフェノールもしくはビフェノール化合物とエピクロルヒドリンのようなエピハロヒドリンとの反応、液状エポキシ樹脂とビスフェノールもしくはビフェノール化合物との反応で得ることができる。
　フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、１００００以上が好ましく、１００００～１０００００がより好ましい。
　また、フェノキシ樹脂中に僅かに残存するエポキシ基の量は、エポキシ当量で、５０００ｇ／ｅｑ以上が好ましい。
　フェノキシ樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１００℃未満が好ましく、９０℃未満がより好ましい。下限は、０℃以上が好ましく、１０℃以上がより好ましい。
（（メタ）アクリル樹脂）
　（メタ）アクリル樹脂に特に制限はなく、フィルム状接着剤のフィルム成分として公知の（メタ）アクリル共重合体からなる樹脂を広く用いることができる。
　上記（メタ）アクリル樹脂としては、ポリ（メタ）アクリル酸エステル系あるいはその誘導体が挙げられる。例えば、２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシエチルメタクリレート、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシプロピルメタクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレートなどをモノマー成分とする共重合体が挙げられる。
　また、環状骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル：例えば、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸ベンジルエステル、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどをモノマーとして用いた共重合体も好ましい。
　また、アルキル基の炭素数が１～１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル：例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル及び（メタ）アクリル酸ブチル、等もモノマー成分として好ましい。
　また酢酸ビニル、（メタ）アクリロニトリル、スチレン等と共重合されていてもよい。
　（メタ）アクリル樹脂は水酸基を有している方が、エポキシ樹脂との相溶性の点で好ましい。
　（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量は１００００～２００００００であることが好ましく、１０００００～１５０００００であることがより好ましい。上記重量平均分子量を上記好ましい範囲内とすることにより、タック性を低減でき、溶融粘度の上昇も抑制することができる。
　（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度は、好ましくは－３５℃～５０℃、より好ましくは－１０℃～５０℃、さらに好ましくは０℃～４０℃、特に好ましくは０℃～３０℃の範囲にある。上記ガラス転移温度を上記好ましい範囲内とすることにより、タック性を低減でき、半導体ウェハとフィルム状接着剤との間等におけるボイドの発生を抑制することができる。
（ポリウレタン樹脂）
　ポリウレタン樹脂は、主鎖中にウレタン（カルバミド酸エステル）結合を持つ重合体である。ポリウレタン樹脂は、ポリオール由来の構成単位と、ポリイソシアネート由来の構成単位とを有し、さらにポリカルボン酸由来の構成単位を有していてもよい。ポリウレタン樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　ポリウレタン樹脂のＴｇは通常は１００℃以下であり、６０℃以下が好ましく、５０℃以下がより好ましく、４５℃以下であることも好ましい。
　ポリウレタン樹脂の重量平均分子量は特に制限されず、通常は５０００～５０００００の範囲内にあるものが用いられる。
　ポリウレタン樹脂は、常法により合成でき、また、市場から入手することもできる。ポリウレタン樹脂として適用できる市販品として、ダイナレオＶＡ－９３２０Ｍ、ダイナレオＶＡ－９３１０ＭＦ、ダイナレオＶＡ－９３０３ＭＦ（いずれもトーヨーケム社製）などを挙げることができる。
　高分子成分（Ｄ）の含有量は、エポキシ樹脂（Ａ）及び高分子成分（Ｄ）の各含有量の合計１００質量部中、２０～７０質量部が好ましく、３０～６０質量部がより好ましく、４０～６０質量部がさらに好ましい。高分子成分（Ｄ）の含有量は、エポキシ樹脂（Ａ）及び高分子成分（Ｄ）の各含有量の合計１００質量部中、３０～８０質量部とでき、４０～７０質量部としてもよく、４０～６０質量部としてもよい。含有量をこのような範囲とすることで、硬化前のフィルム状接着剤の剛性と柔軟性を調整することができる。フィルム状態が良好（フィルムタック性が低減）となり、フィルム脆弱性も抑制することができる。
＜無機充填材（Ｅ）＞
　無機充填材（Ｅ）は、通常、接着剤用組成物に使用される無機充填材を特に制限なく用いることができる。
　無機充填材（Ｅ）としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ（酸化アルミニウム）、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、グラフェン等のカーボン類等の種々の無機粉末が挙げられる。
　無機充填材（Ｅ）の平均粒径（ｄ５０）は特に限定されないが、フィルム状接着剤の薄型化の観点から、０．０１～６．０μｍが好ましく、０．０１～５．０μｍが好ましく、０．１～３．５μｍがより好ましく、０．１～１．０μｍがさらに好ましい。平均粒径（ｄ５０）とは、いわゆるメジアン径であり、レーザー回折・散乱法により粒度分布を測定し、累積分布において粒子の全体積を１００％としたときに５０％累積となるときの粒径を意味する。
　無機充填材のモース硬度は特に限定されないが、２以上であることが好ましく、２～９であることがより好ましい。モース硬度は、モース硬度計により測定することができる。
　上記無機充填材（Ｅ）は、熱伝導性を有する無機充填材（熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機充填材）を含む態様でもよいし、熱伝導性を有さない無機充填材（熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ未満の無機充填材）を含む態様でもよい。
　熱伝導性を有する無機充填材（Ｅ）は、熱伝導性材料からなる粒子又は熱伝導性材料で表面被覆されてなる粒子であって、これらの熱伝導性材料の熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。
　上記熱伝導性材料の熱伝導率が上記好ましい下限値以上であると、目的の熱伝導率を得るために配合する無機充填材（Ｅ）の量を低減することができ、ダイアタッチフィルムの溶融粘度の上昇が抑制されて、基板に圧着する際に基板の凹凸部への埋め込み性をより向上させることができる。結果、ボイドの発生をより確実に抑制できる。
　本発明において、上記熱伝導性材料の熱伝導率は、２５℃における熱伝導率を意味し、各材料の文献値を用いることができる。文献に記載がない場合にも、例えば、セラミックスであればＪＩＳ　Ｒ　１６１１：２０１０により測定される値、金属であれば、ＪＩＳ　Ｈ　７８０１：２００５により測定される値を代用することができる。
　熱伝導性を有する無機充填材（Ｅ）としては、例えば、熱伝導性のセラミックスがあげられ、アルミナ粒子（熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化アルミニウム粒子（熱伝導率：１５０～２９０Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化ホウ素粒子（熱伝導率：６０Ｗ／ｍ・Ｋ）、酸化亜鉛粒子（熱伝導率：５４Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化ケイ素粒子（熱伝導率：２７Ｗ／ｍ・Ｋ）、炭化ケイ素粒子（熱伝導率：２００Ｗ／ｍ・Ｋ）及び酸化マグネシウム粒子（熱伝導率：５９Ｗ／ｍ・Ｋ）が好ましく挙げられる。
　特にアルミナ粒子は高熱伝導率を有し、分散性、入手容易性の点で好ましい。また、窒化アルミニウム粒子や窒化ホウ素粒子は、アルミナ粒子よりもさらに高い熱伝導率を有する観点で好ましい。本発明では、なかでもアルミナ粒子と窒化アルミニウム粒子が好ましい。
　また、熱伝導性を有する無機充填材（Ｅ）として、セラミックより高い熱伝導性を有する金属粒子、もしくは金属で表面被覆された粒子も挙げられる。例えば、銀（熱伝導率：４２９Ｗ／ｍ・Ｋ）、ニッケル（熱伝導率：９１Ｗ／ｍ・Ｋ）及び金（熱伝導率：３２９Ｗ／ｍ・Ｋ）等の単一金属フィラーや、これら金属により表面被覆された、アクリルやシリコーン樹脂等の高分子粒子が好ましく挙げられる。
　本発明では、無機充填材（Ｅ）として、シリカを使用することが好ましい。
　無機充填材（Ｅ）は、表面処理や表面改質されていてもよく、このような表面処理や表面改質に用いる表面処理剤としては、シランカップリング剤やリン酸もしくはリン酸化合物、界面活性剤が挙げられ、本明細書において記載する事項以外は、例えば、国際公開第２０１８／２０３５２７号における熱伝導フィラーの項又は国際公開第２０１７／１５８９９４号の窒化アルミニウム充填材の項における、シランカップリング剤、リン酸もしくはリン酸化合物及び界面活性剤の記載を適用することができる。
　無機充填材（Ｅ）を、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリロタキサン化合物（Ｃ）及び高分子成分（Ｄ）等の樹脂成分に配合する方法としては、粉体状の無機充填材と必要に応じてシランカップリング剤、リン酸もしくはリン酸化合物や界面活性剤とを直接配合する方法（インテグラルブレンド法）、もしくはシランカップリング剤、リン酸もしくはリン酸化合物や界面活性剤等の表面処理剤で処理された無機充填材を有機溶剤に分散させたスラリー状無機充填材を配合する方法を使用することができる。
　また、シランカップリング剤により無機充填材（Ｅ）を処理する方法としては特に限定されず、溶媒中で無機充填材（Ｅ）とシランカップリング剤を混合する湿式法、気相中で無機充填材（Ｅ）とシランカップリング剤とを混合する乾式法、上記インテグラルブレンド法などが挙げられる。
　特に、窒化アルミニウム粒子は、高熱伝導化に貢献するものの、加水分解によりアンモニウムイオンを生成しやすいため、吸湿率が小さいフェノール樹脂と併用することや、表面改質により加水分解が抑制されていることが好ましい。窒化アルミニウムの表面改質方法としては、表面層に酸化アルミニウムの酸化物層を設け耐水性を向上させ、リン酸もしくはリン酸化合物による表面処理を行い樹脂との親和性を向上させる方法が特に好ましい。
　シランカップリング剤は、ケイ素原子にアルコキシ基、アリールオキシ基のような加水分解性基が少なくとも１つ結合したものであり、これに加えて、アルキル基、アルケニル基、アリール基が結合してもよい。アルキル基は、アミノ基、アルコキシ基、エポキシ基、（メタ）アクリロイルオキシ基が置換したものが好ましく、アミノ基（好ましくはフェニルアミノ基）、アルコキシ基（好ましくはグリシジルオキシ基）、（メタ）アクリロイルオキシ基が置換したものがより好ましい。
　シランカップリング剤は、例えば、２－（３，４－エポキシシクロへキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロイルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロイルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
　シランカップリング剤や界面活性剤は、無機充填材（Ｅ）１００質量部に対し、０．１～２５．０質量部含有させるのが好ましく、０．１～１０．０質量部含有させるのがより好ましく、０．１～２．０質量部含有させるのがさらに好ましい。
　シランカップリング剤や界面活性剤の含有量を上記好ましい範囲とすることにより、無機充填材（Ｅ）の凝集を抑制しながら、過剰なシランカップリング剤や界面活性剤の半導体組立加熱工程（例えばリフロー工程）における揮発による接着界面での剥離を抑制することができ、ボイドの発生を抑制することができる。
　無機充填材（Ｅ）の形状は、フレーク状、針状、フィラメント状、球状、鱗片状のものが挙げられるが、高充填化及び流動性の観点から球状粒子が好ましい。
　本発明の接着剤用組成物が無機充填材（Ｅ）を含有する場合、エポキシ樹脂（Ａ）及び高分子成分（Ｄ）の各含有量の合計１００質量部に対する無機充填材（Ｅ）の含有量は、４５質量部以下であることが好ましい。上記範囲であると、無機充填剤（Ｅ）を含有させても接着力が大きく低下することがない。
　本発明の接着剤用組成物が無機充填材（Ｅ）を含有する場合、エポキシ樹脂（Ａ）及び高分子成分（Ｄ）の各含有量の合計１００質量部に対する無機充填材（Ｅ）の含有量、１０～４５質量部が好ましく、２０～４５質量部がより好ましく、３０～４０質量部がさらに好ましい。
＜その他の成分＞
　本発明の接着剤用組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリロタキサン化合物（Ｃ）、高分子成分（Ｄ）、無機充填材（Ｅ）の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、有機溶媒（メチルエチルケトン等）、イオントラップ剤（イオン捕捉剤）、硬化触媒、粘度調整剤、酸化防止剤、難燃剤、着色剤等をさらに含有していてもよい。例えば、国際公開第２０１７／１５８９９４号のその他の添加物を含むことができる。
　本発明の接着剤用組成物中に占める、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリロタキサン化合物（Ｃ）、及び高分子成分（Ｄ）の各含有量の合計の割合は、例えば、６０質量％以上とすることができ、７０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がさらに好ましく、９０質量％以上とすることもできる。また、当該割合は１００質量％でもよく、９５質量％以下とすることもできる。本発明の接着剤用組成物が、無機充填材（Ｅ）を含有する場合についても同様に、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリロタキサン化合物（Ｃ）、高分子成分（Ｄ）、及び無機充填材（Ｅ）の各含有量の合計の割合は、例えば、６０質量％以上とすることができ、７０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がさらに好ましく、９０質量％以上とすることもできる。また、当該割合は１００質量％でもよく、９８質量％以下とすることもできる。
　本発明の接着剤用組成物は、本発明のフィルム状接着剤を得るために好適に用いることができる。ただし、フィルム状接着剤に限定されず、例えば、液状ないしペースト状の接着剤を得るためにも好適に用いることができる。
　本発明の接着剤用組成物は、上記各成分を、エポキシ樹脂（Ａ）が事実上、硬化しない温度において混合することにより得ることができる。混合の順は特に限定されない。エポキシ樹脂（Ａ）、ポリロタキサン化合物（Ｃ）、高分子成分（Ｄ）等の樹脂成分を必要に応じて溶媒と共に混合し、その後、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、を混合してもよい。ここで、ポリロタキサン化合物（Ｃ）は、エポキシ樹脂（Ａ）及び高分子成分（Ｄ）とは別に混合してもよく、例えば、エポキシ樹脂（Ａ）及び高分子成分（Ｄ）を必要に応じて溶媒と共に混合し、その後、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）とポリロタキサン化合物（Ｃ）を混合してもよい。いずれの場合においても、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の存在下での混合を、エポキシ樹脂（Ａ）が事実上、硬化しない温度で行えばよく、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の非存在下での樹脂成分の混合はより高い温度で行ってもよい。
　また、無基充填材（Ｅ）を用いる場合には、無機充填材（Ｅ）の混合の順は得に限定されないが、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）と同じ時期に混合することができる。
　本発明の接着剤用組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）の硬化を抑制する観点から、使用前（フィルム状接着剤とする前）には１０℃以下の温度条件下で保管されることが好ましい。
［フィルム状接着剤］
　本発明のフィルム状接着剤は、本発明の接着剤用組成物より得られてなるフィルム状の接着剤である。したがって、本発明のフィルム状接着剤は、上述の、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリロタキサン化合物（Ｃ）、及び高分子成分（Ｄ）を含有してなる。本発明のフィルム状接着剤は、さらに無機充填材（Ｅ）を含有していてもよく、その他、本発明の接着剤用組成物においてその他の添加物として記載する添加物のうち、有機溶媒以外の添加物を含有していてもよい。
　より具体的には、本発明のフィルム状接着剤は次の通り特定されるものである。
　エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリロタキサン化合物（Ｃ）、及び高分子成分（Ｄ）を含有し、
　前記エポキシ樹脂（Ａ）及び前記高分子成分（Ｄ）の各含有量の合計１００質量部に対して、前記ポリロタキサン化合物（Ｃ）を５～１５質量部含有するフィルム状接着剤。
　有機溶媒を含有する接着剤用組成物を用いて本発明のフィルム状接着剤を形成する場合は、溶媒は通常、乾燥により接着剤用組成物から除去される。したがって、本発明のフィルム状接着剤中の溶媒の含有量は１０００ｐｐｍ（ｐｐｍは質量基準）以下であり、通常は０．１～１０００ｐｐｍである。
　ここで、本発明において「フィルム」とは、厚み２００μｍ以下の薄膜を意味する。形状、大きさ等は、特に制限されず、使用態様にあわせて適宜調整することができる。
　本発明のフィルム状接着剤は硬化前の状態、すなわちＢステージの状態にある。
　本発明において、硬化前のフィルム状接着剤とは、エポキシ樹脂（Ａ）が熱硬化する前の状態にあるものをいう。熱硬化前のフィルム状接着剤とは、具体的には、フィルム状接着剤を調製後、２５℃以上の温度条件に７２時間以上曝されておらず、かつ、３０℃を越える温度条件に曝されていないフィルム状接着剤を意味する。一方、硬化後のフィルム状接着剤とは、エポキシ樹脂（Ａ）が熱硬化した状態にあるものをいう。なお、上記の説明は、本発明の接着剤用組成物の特性を明確にするためのものであり、本発明のフィルム状接着剤が、２５℃以上の温度条件に７２時間以上曝されておらず、かつ、３０℃を越える温度条件に曝されていないものに限定されるものではない。
　本発明のフィルム状接着剤は、半導体製造工程においてダイアタッチフィルムとして好適に用いることができる。
　本発明のフィルム状接着剤は、本発明の接着剤用組成物（ワニス）を調製し、この組成物を、離型処理された基材フィルム上に塗布し、必要に応じて乾燥させて形成することができる。接着剤用組成物は、通常は有機溶媒を含有する。
　離型処理された基材フィルムとしては、得られるフィルム状接着剤のカバーフィルムとして機能するものであればよく、公知のものを適宜採用することができる。例えば、離型処理されたポリプロピレン（ＰＰ）、離型処理されたポリエチレン（ＰＥ）、離型処理されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
　塗工方法としては、公知の方法を適宜採用することができ、例えば、ロールナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーター等を用いた方法が挙げられる。
　乾燥は、エポキシ樹脂（Ａ）を硬化せずに、接着剤用組成物から有機溶媒を除去してフィルム状接着剤とできればよく、例えば、８０～１５０℃の温度で１～２０分保持することにより行うことができる。
　本発明のフィルム状接着剤は、本発明のフィルム状接着剤単独で構成されていてもよく、フィルム状接着剤の少なくとも一方の面に上述の離型処理された基材フィルムが貼り合わされてなる形態であってもよい。さらに、ダイシングフィルムと一体として、ダイシング・ダイアタッチフィルムの形態としてもよい。また、本発明のフィルム状接着剤は、フィルムを適当な大きさに切り出した形態であってもよく、フィルムをロール状に巻いてなる形態であってもよい。
　本発明のフィルム状接着剤は、エポキシ樹脂（Ａ）の硬化を抑制する観点から、使用前（硬化前）には１０℃以下の温度条件下で保管されることが好ましい。
［半導体パッケージ及びその製造方法］
　次いで、図面を参照しながら本発明の半導体パッケージ及びその製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明及び図面中、同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。図１～図７は、本発明の半導体パッケージの製造方法の各工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。
　本発明の半導体パッケージの製造方法においては、先ず、第１の工程として、図１に示すように、表面に少なくとも１つの半導体回路が形成された半導体ウェハ１の裏面（すなわち、半導体ウェハ１の半導体回路が形成されていない面）に、本発明のフィルム状接着剤２（ダイアタッチフィルム２）を熱圧着して接着剤層（フィルム状接着剤２）を設け、次いで、この接着剤層（フィルム状接着剤２）を介して、ダイシングフィルム３（ダイシングテープ３）を設ける。図１では、フィルム状接着剤２をダイシングフィルム３よりも小さく示しているが、両フィルムの大きさ（面積）は、目的に応じて適宜に設定される。熱圧着の条件は、エポキシ樹脂（Ａ）が事実上熱硬化しない温度で行う。例えば、７０℃程度で、圧力０．３ＭＰａ程度の条件が挙げられる。
　半導体ウェハ１としては、表面に少なくとも１つの半導体回路が形成された半導体ウェハを適宜用いることができ、例えば、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ、ＧａＮウェハが挙げられる。本発明のフィルム状接着剤（ダイアタッチフィルム）を半導体ウェハ１の裏面に設けるには、例えば、ロールラミネーター、マニュアルラミネーターのような公知の装置を適宜用いることができる。
　上記においては、ダイアタッチフィルムとダイシングフィルムとを別々に貼り付けているが、本発明のフィルム状接着剤がダイシング・ダイアタッチフィルムの形態である場合には、フィルム状接着剤とダイシングフィルムとを一体に貼り付けることができる。
　次いで、第２の工程として、図２に示すように、半導体ウェハ１と接着剤層（ダイアタッチフィルム２）とを一体にダイシングすることにより、ダイシングフィルム３上に、半導体ウェハが個片化された半導体チップ４と、フィルム状接着剤２が個片化されたフィルム状接着剤片２とを備える接着剤層付き半導体チップ５を得る。ダイシング装置は特に制限されず、通常のダイシング装置を適宜に用いることができる。
　次いで、第３の工程として、接着剤層付き半導体チップ５をダイシングフィルム３から剥離する。この際、必要によりダイシングフィルムをエネルギー線で硬化して粘着力を低減してもよい。剥離は、接着剤層付き半導体チップ５をピックアップすることにより行うことができる。次いで、図３に示すように、接着剤層付き半導体チップ５と配線基板６とをフィルム状接着剤片２を介して熱圧着し、配線基板６に接着剤層付き半導体チップ５を実装する。配線基板６としては、表面に半導体回路が形成された基板を適宜用いることができ、例えば、プリント回路基板（ＰＣＢ）、各種リードフレーム、及び、基板表面に抵抗素子やコンデンサー等の電子部品が搭載された基板が挙げられる。
　このような配線基板６に接着剤層付き半導体チップ５を実装する方法としては特に制限されず、従来の熱圧着による実装方法を適宜に採用することができる。
　次いで、第４の工程として、フィルム状接着剤片２を熱硬化させる。熱硬化の温度としては、フィルム状接着剤片２の熱硬化開始温度以上であれば特に制限がなく、使用するエポキシ樹脂（Ａ）及びエポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の種類により適宜に調整される。例えば、１００～１８０℃が好ましく、より短時間で硬化させる観点からは１４０～１８０℃がより好ましい。温度が高すぎると、硬化過程中にフィルム状接着剤片２中の成分が揮発して発泡しやすくなる傾向にある。この熱硬化処理の時間は、加熱温度に応じて適宜に設定すればよく、例えば、１０～１２０分間とすることができる。
　本発明の半導体パッケージの製造方法では、図４に示すように、配線基板６と接着剤層付き半導体チップ５とをボンディングワイヤー７を介して接続することが好ましい。このような接続方法としては特に制限されず、従来公知の方法、例えば、ワイヤーボンディング方式の方法、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の方法等を適宜採用することができる。
　また、搭載された半導体チップ４の表面に、別の半導体チップ４を熱圧着、熱硬化し、再度ワイヤーボンディング方式により配線基板６と接続することにより、複数個積層することもできる。例えば、図５に示すように半導体チップをずらして積層する方法、もしくは図６に示すように２層目以降のフィルム状接着剤片２を厚くすることで、ボンディングワイヤー７を埋め込みながら積層する方法等がある。
　本発明の半導体パッケージの製造方法では、図７に示すように、封止樹脂８により配線基板６と接着剤層付き半導体チップ５とを封止することが好ましく、このようにして半導体パッケージ９を得ることができる。封止樹脂８としては特に制限されず、半導体パッケージの製造に用いることができる適宜公知の封止樹脂を用いることができる。また、封止樹脂８による封止方法としても特に制限されず、通常行われている方法を採用することができる。
　本発明の半導体パッケージは、上述の半導体パッケージの製造法により製造され、半導体チップと配線基板、又は半導体チップ間の少なくとも１か所が、本発明のフィルム状接着剤の熱硬化体により接着されている。本発明の半導体パッケージは、本発明のフィルム状接着剤の熱硬化体を含む、ワイヤーボンディング方式の半導体パッケージであることが好ましい。
　以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
　実施例及び比較例において、室温とは２５℃を意味し、ＭＥＫはメチルエチルケトン、ＰＥＴはポリエチレンテレフタレートである。「％」、「部」は、特に断りのない限り質量基準である。
［実施例１］
　１０００ｍＬのセパラブルフラスコ中において、エポキシ樹脂としてＨＰ－７２００（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製）５０質量部、高分子成分としてＹＰ－５０（フェノキシ樹脂、Ｔｇ８４℃、日鉄ケミカル＆マテリアル社製）５０質量部及びＭＥＫ３０質量部を、温度１１０℃で２時間、加熱攪拌し、樹脂ワニスを得た。
　さらに、この樹脂ワニスを８００ｍＬのプラネタリーミキサーに移し、ポリロタキサン化合物としてＳＨ２４００Ｐ（商品名、直鎖状分子：ポリエチレングリコール（重量平均分子量２００００）、環状分子：シクロデキストリン、末端封鎖基：アダマンチル基、ＡＳＭ社製）を１０質量部、エポキシ樹脂硬化剤として２ＰＨＺ－ＰＷ（商品名、イミダゾール型硬化剤、四国化成製）２質量部を加えて、室温で１時間攪拌混合した後、真空脱泡して混合ワニスを得た。
　次いで、得られた混合ワニスを、厚み２０μｍの離型処理されたＰＥＴフィルム上に塗布して、１３０℃で１０分間加熱乾燥し、縦３００ｍｍ、横２００ｍｍ、フィルム状接着剤の厚み５μｍの剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
［実施例２］
　実施例１において、ポリロタキサン化合物の使用量を５質量部としたこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
［実施例３］
　実施例１において、混合ワニスの調製時にＳＨ２４００Ｐに代えてＳＨ１３００Ｐ（商品名、直鎖状分子：ポリエチレングリコール（重量平均分子量１１０００）、環状分子：シクロデキストリン、末端封鎖基：アダマンチル基、ＡＳＭ社製）を１０質量部用いたこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
［実施例４］
　実施例１において、混合ワニスの調製時にＳＨ２４００Ｐに代えてＳＨ１３００Ｐを５質量部用いたこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
［実施例５］
　実施例１において、混合ワニスの調製時にＳＯ－Ｃ２（商品名、シリカフィラー、アドマテック社製）を４０質量部加えたこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
［実施例６］
　実施例２において、混合ワニスの調製時にＳＯ－Ｃ２を４０質量部加えたこと以外は、実施例２と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
［実施例７］
　実施例６において、エポキシ樹脂をＨＰ－４７１０（商品名、ナフタレン型エポキシ樹脂、日本化薬社製）とした以外は、実施例６と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た
［比較例１］
　実施例１において、混合ワニスの調製時にポリロタキサン化合物を用いなかったこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
［比較例２］
　実施例１において、ポリロタキサン化合物の使用量を３質量部としたこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
［比較例３］
　実施例１において、ポリロタキサン化合物の使用量を３質量部とし、混合ワニス中にＳＯ－Ｃ２を４０質量部加えたこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
［比較例４］
　実施例１において、混合ワニスの調製時にＳＨ２４００Ｐに代えてＳＨ１３００Ｐを３質量部用いたこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
［比較例５］
　実施例１において、混合ワニスの調製時にＳＨ２４００Ｐに代えてＳＨ１３００Ｐを３質量部用い、混合ワニス中にシリカフィラーＳＯ－Ｃ２を４０質量部加えたこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た
［比較例６］
　実施例１において、ポリロタキサン化合物の使用量を２０質量部としたこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
［比較例７］
　実施例１において、混合ワニスの調製時にＳＨ２４００Ｐに代えてＳＨ１３００Ｐを２０質量部用いたこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
［比較例８］
　実施例１において、エポキシ樹脂としてエチレングリコールジグリシジルエーテル（東京化成製）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして剥離フィルム付フィルム状接着剤を得た。
　各実施例及び比較例で作成されたフィルム状接着剤の組成を表１に示す。空欄は、その成分を含有していないことを意味する。
　上記で得られた実施例及び比較例のフィルム状接着剤について、反り及び接着力の測定を行った。
　結果をまとめて表１に示す。
＜反り測定＞
　得られた剥離フィルム付フィルム状接着剤を、マニュアルラミネーター（商品名：ＦＭ－１１４、テクノビジョン社製）を用いて、温度６０℃、圧力０．３ＭＰａの条件で、縦１００ｍｍ、横１００ｍｍ、厚さ０．０５ｍｍのガラス板に張り付け、剥離フィルムをフィルム状接着剤から剥離して、試験体を得た。得られた試験体を、恒温槽にて１８０℃で１時間保持し、フィルム状接着剤を熱硬化した。その後、その試験体を恒温槽より取り出し、室温まで冷却したのちに、試験体の反りを測定した。
　反りの測定は、試験体を、フィルム状接着剤が張り付けてある面を上にして定盤に設置し、定盤表面から試験体の反り上がった端部までの高さを、ものさしを用いて測定することにより行った。試験体を上記のように設置すると、試験体の面中央付近が定盤に接触した状態で、定盤上方（試験体のフィルム状接着剤が張り付けてある面）側に、試験体の４辺が反り上がる。反りの測定箇所は、試験体の４辺の内、最も反りの大きな辺の反対側の辺とした。同じ測定を３枚の試験体で行いその平均値を求めた。
＜接着力の測定＞
　各実施例及び比較例において得られた剥離フィルム付フィルム状接着剤を、先ず、マニュアルラミネーター（商品名：ＦＭ－１１４、テクノビジョン社製）を用いて、温度７０℃、圧力０．３ＭＰａの条件で、ダミーシリコンウェハ（８インチサイズ、厚さ０．３５ｍｍ）の一方の面に接着させた。その後、フィルム状接着剤から剥離フィルムを剥離した後、同マニュアルラミネーターを用いて、室温、圧力０．３ＭＰａの条件で、フィルム状接着剤の前記ダミーシリコンウェハとは反対側の面上にダイシングテープ（商品名：Ｋ－１３、古河電気工業（株）製）及びダイシングフレーム（商品名：ＤＴＦ２－８－１Ｈ００１、ＤＩＳＣＯ社製）を接着させた。次いで、２軸のダイシングブレード（Ｚ１：ＮＢＣ－ＺＨ２０５０（２７ＨＥＤＤ）、ＤＩＳＣＯ社製／Ｚ２：ＮＢＣ－ＺＨ１２７Ｆ－ＳＥ（ＢＣ）、ＤＩＳＣＯ社製）が設置されたダイシング装置（商品名：ＤＦＤ－６３４０、ＤＩＳＣＯ社製）を用いて２ｍｍ×２ｍｍのサイズの正方形になるようにダミーシリコンウェハ側からダイシングを実施して、ダイシングフィルム上に、個片化されたフィルム状接着剤（接着剤層）付きのダミーチップ（半導体チップ）を得た。
　次いで、ダイボンダー（商品名：ＤＢ－８００、（株）日立ハイテクノロジーズ製）にて前記フィルム状接着剤付ダミーチップをダイシングテープからピックアップし、１３０℃、圧力０．１ＭＰａ（荷重４００ｇｆ）、時間０．５秒の条件において前記フィルム状接着剤付きダミーチップのフィルム状接着剤側と、リードフレーム基板（４２Ａｌｌｏｙ系、凸版印刷（株）製）の実装面側とを貼り合わせるように、熱圧着し、さらに乾燥機中において温度１８０℃で１時間加熱することにより、フィルム状接着剤を熱硬化させた。
　基板上に接着したフィルム状接着剤付きダミーチップについて、万能型ボンドテスター（商品名：シリーズ４０００ＰＸＹ、ノードソンアドバンストテクノロジー社製）を用いて、接着したチップのリードフレーム基板に対するせん断剥離力（接着力）を測定した。測定時の条件は、ステージ温度２６０℃、ヘッド高さ２５μｍ、速度０．５ｍｍ／ｓｅｃとした。
　上記の各試験結果を下表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
＜表の注＞
　上記表において、「エポキシ樹脂」、「高分子成分」、「無機充填材」、「ポリロタキサン化合物」及び「エポキシ樹脂硬化剤」欄に記載の数値の単位は、いずれも、「質量部」である。
　比較例１～５の接着剤用組成物は、ポリロタキサン化合物を含有しないか、その含有量が本発明で規定するよりも少ない。これらの接着剤用組成物を用いて形成されたフィルム状接着剤は、８ｍｍ以上の反りを生じる結果となった。
　比較例６及び７の接着剤用組成物は、ポリロタキサン化合物の含有量が本発明で規定するよりも多い。これらの接着剤用組成物を用いて形成されたフィルム状接着剤は、接着力が１８ＭＰａ以下であり、接着力に劣る結果となった。
　比較例８の接着剤用組成物は、縮合環構造を有するエポキシ樹脂を用いていない。この接着剤用組成物を用いて形成されたフィルム状接着剤は、接着力が１５ＭＰａであり、接着力に劣る結果となった。
　これに対して、本発明の規定を満たす実施例１～７の接着剤用組成物を用いて形成されたフィルム状接着剤は、反りが０～０．５ｍｍであり、せん断接着力も５８ＭＰａ以上であった。本発明の接着剤用組成物を用いれば、被着体との接着力を大きく損なわずに、反りの低減されたパッケージを形成できることがわかる。さらに、無機充填材を含有させても、十分に高い接着力を維持できることがわかる。
　本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。
　本願は、２０２２年４月２８日に日本国で特許出願された特願２０２２－０７５３６８に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
１　　半導体ウェハ
２　　接着剤層（フィルム状接着剤）
３　　ダイシングフィルム（ダイシングテープ）
４　　半導体チップ
５　　フィルム状接着剤片付き半導体チップ
６　　配線基板
７　　ボンディングワイヤー
８　　封止樹脂
９　　半導体パッケージ

 

Claims (9)

  1. 　縮合環構造を有するエポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリロタキサン化合物（Ｃ）、及び高分子成分（Ｄ）を含有する接着剤用組成物であって、
    　前記エポキシ樹脂（Ａ）及び前記高分子成分（Ｄ）の各含有量の合計１００質量部に対して、前記ポリロタキサン化合物（Ｃ）を５～１５質量部含有する接着剤用組成物。
  2. 　前記エポキシ樹脂（Ａ）が、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の接着剤用組成物。
  3. 　前記高分子成分（Ｄ）が、フェノキシ樹脂を含む、請求項１又は２に記載の接着剤用組成物。
  4. 　無機充填材（Ｅ）を含有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の接着剤用組成物。
  5. 　請求項１～４のいずれか１項に記載の接着剤用組成物により得られてなるフィルム状接着剤。
  6. 　厚みが１～８０μｍの範囲である、請求項５に記載のフィルム状接着剤。
  7. 　表面に半導体回路が形成された半導体ウェハの裏面に、請求項５又は請求項６に記載のフィルム状接着剤を熱圧着して接着剤層を設け、この接着剤層を介してダイシングフィルムを設ける第１の工程と、
    　前記半導体ウェハと前記接着剤層とを一体にダイシングすることにより、前記ダイシングフィルム上に、フィルム状接着剤片と半導体チップとを備える接着剤層付き半導体チップを得る第２の工程と、
    　前記接着剤層付き半導体チップを前記ダイシングフィルムから剥離して前記接着剤層付き半導体チップと配線基板とを前記接着剤層を介して熱圧着する第３の工程と、
    　前記接着剤層を熱硬化する第４の工程と、
    を含む、半導体パッケージの製造方法。
  8. 　請求項７に記載の製造方法により得られる、半導体パッケージ。
  9. 　請求項５又は６に記載のフィルム状接着剤の熱硬化体を含む、ワイヤーボンディング方式半導体パッケージ。
     
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