JP7223090B1 - 接着剤用組成物及びフィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フィルム状接着剤を薄膜としてもピックアップ工程における治具痕（ニードル痕）がフィルム状接着剤表面に残りにくく、実装においてボイドの形成を抑制でき、半導体パッケージの厳しい信頼性試験においても十分な接着力を示して剥離不良を抑制できるフィルム状接着剤、及びこれを得るのに好適な接着剤用組成物を提供する。さらに、このフィルム状接着剤を用いた半導体パッケージとその製造方法を提供する。【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）及び無機充填材（Ｄ）を含有し、前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）が、動的粘弾性測定におけるｔａｎδのピークトップ温度が０℃以上であり、前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占める前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の割合が２～５０質量％である、接着剤用組成物、これを用いたフィルム状接着剤、半導体パッケージ及びその製造方法。【選択図】なし

Description

本発明は、接着剤用組成物及びフィルム状接着剤、並びに、フィルム状接着剤を用いた半導体パッケージ及びその製造方法に関する。

近年、半導体チップを多段に積層したスタックドＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａｃｋａｇｅ）が普及しており、携帯電話、携帯オーディオ機器用のメモリパッケージとして搭載されている。また、携帯電話等の多機能化に伴い、パッケージの高密度化・高集積化も推し進められている。これに伴い、半導体チップの多段積層化が進行している。

このようなメモリパッケージの製造過程における配線基板と半導体チップとの接着や半導体チップ間の接着には、熱硬化性のフィルム状接着剤（ダイアタッチフィルム、ダイボンドフィルム）が使用されている。チップの多段積層化に伴い、ダイアタッチフィルムはより薄型化してきている。また、ウェハ配線ルールの微細化に伴い、半導体素子表面には熱が発生しやすくなっている。それゆえ、熱をパッケージ外部へ逃がすために、ダイアタッチフィルムには熱伝導性のフィラーが配合され、高熱伝導性を実現している。

半導体チップ表面には一般に、回路面を保護するためのポリイミド層からなるパッシベーション膜が設けられている。半導体チップを多段積層する場合には、ダイアタッチフィルム付き半導体チップはパッシベーション膜表面に実装される。従って、ダイアタッチフィルムのポリイミド膜に対する高い接着力は、半導体パッケージの信頼性において重要である。

いわゆるダイアタッチフィルム用途を意図した熱硬化性のフィルム状接着剤の材料として、例えば、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂の硬化剤、高分子化合物及び無機充填材（無機フィラー）を組み合わせた組成が知られており、高分子化合物としてはポリウレタン樹脂やフェノキシ樹脂を用いることなどが提案されている（例えば特許文献１及び２）。

国際公開第２０１２／１６０９１６号 国際公開第２０２１／０３３３６８号

フィルム状接着剤をダイアタッチフィルムとして用いる場合、フィルム状接着剤を貼合した半導体ウェハを、ダイシングテープを土台にしてダイシングし、個片化（チップ化）する。その後、個片化した、フィルム状接着剤付きの半導体チップは、ダイシングテープ下部よりニードルやスライダー等の治具によりダイシングテープからピックアップされて、配線基板表面や半導体素子面に熱圧着される。
配線基板表面や半導体素子表面は必ずしも平滑な面状態ではないため、上記の熱圧着時にフィルム状接着剤と被着体との界面に空気を巻き込むことがある。巻き込まれた空気（ボイド）は熱硬化後の接着力を低下させる。それゆえ、半導体パッケージの信頼性試験において、ボイドの発生は接着剤と被着体との界面で剥離を生じる原因となる。
また、ピックアップ工程におけるニードルやスライダー等の治具痕がフィルム状接着剤表面に残る場合がある。このような治具痕も、上記の熱圧着の際にボイドを生じる原因となる。治具痕によるボイドは、フィルム状接着剤の薄膜化（例えば、２０μｍ未満）により顕在化する傾向にある。

本発明は、フィルム状接着剤を薄膜としてもピックアップ工程における治具痕（ニードル痕）がフィルム状接着剤表面に残りにくく、実装においてボイドの形成を抑制でき、半導体パッケージの厳しい信頼性試験においても十分な接着力を維持して接着剤と被着体との間の剥離を抑制できるフィルム状接着剤、及びこれを得るのに好適な接着剤用組成物を提供することを課題とする。また本発明は、このフィルム状接着剤を用いた半導体パッケージとその製造方法を提供することを課題とする。

本発明者は上記課題に鑑み鋭意検討を重ねた結果、フィルム状接着剤を、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、ポリウレタン樹脂及び無機充填材を組合せた組成とした上で、このポリウレタン樹脂として特定のガラス転移温度のものを特定量用いることにより、上記課題を解決できることを見出した。
本発明は上記知見に基づきさらに検討を重ねて完成されるに至ったものである。

本発明の上記課題は下記の手段により解決される。
〔１〕
エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）及び無機充填材（Ｄ）を含有し、
前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）が、動的粘弾性測定におけるｔａｎδのピークトップ温度が０℃以上であり、
前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占める前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の割合が２～５０質量％である、接着剤用組成物。
〔２〕
前記接着剤用組成物を用いて形成した、硬化前のフィルム状接着剤を、２５℃から５℃／分の昇温速度で昇温したとき、１２０℃における溶融粘度が１００～１００００Ｐａ・ｓの範囲にある、〔１〕に記載の接着剤用組成物。
〔３〕
〔１〕又は〔２〕に記載の接着剤用組成物により得られてなるフィルム状接着剤。
〔４〕
厚みが１～２０μｍである、〔３〕に記載のフィルム状接着剤。
〔５〕
半導体パッケージの製造方法であって、
表面に少なくとも１つの半導体回路が形成された半導体ウェハの裏面に、〔３〕又は〔４〕に記載のフィルム状接着剤を熱圧着して接着剤層を設け、前記接着剤層を介してダイシングフィルムを設ける第１の工程と、
前記半導体ウェハと前記接着剤層とを一体にダイシングすることにより、ダイシングフィルム上に、フィルム状接着剤片と半導体チップとを備える接着剤層付き半導体チップを得る第２の工程と、
前記接着剤層付き半導体チップを前記ダイシングフィルムから剥離して、前記接着剤層付き半導体チップと配線基板とを前記接着剤層を介して熱圧着する第３の工程と、
前記接着剤層を熱硬化する第４の工程と、
を含む、半導体パッケージの製造方法。
〔６〕
半導体チップと配線基板、又は、半導体チップ間が、〔３〕又は〔４〕に記載のフィルム状接着剤の熱硬化体により接着されてなる、半導体パッケージ。

本発明において「～」を用いて表される数値範囲は、「～」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。

本発明のフィルム状接着剤は、薄膜としてもピックアップ工程における治具痕がフィルム状接着剤表面に残りにくく、実装においてボイドの形成を抑制でき、半導体パッケージの厳しい信頼性試験においても十分な接着力を維持して接着剤と被着体との間の剥離を抑制できる。
本発明の接着剤用組成物は、上記フィルム状接着剤を得るのに好適である。
本発明の半導体パッケージは、厳しい信頼性試験においても半導体チップと被着体との間の十分な接着力を維持でき、信頼性に優れる。
本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、厳しい信頼性試験においても半導体チップと被着体との間の十分な接着力を維持でき、高信頼性の半導体パッケージを得ることができる。

図１は、本発明の半導体パッケージの製造方法の第１の工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。 図２は、本発明の半導体パッケージの製造方法の第２の工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。 図３は、本発明の半導体パッケージの製造方法の第３の工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。 図４は、本発明の半導体パッケージの製造方法のボンディングワイヤーを接続する工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。 図５は、本発明の半導体パッケージの製造方法の多段積層実施形態例を示す概略縦断面図である。 図６は、本発明の半導体パッケージの製造方法の別の多段積層実施形態例を示す概略縦断面図である。 図７は、本発明の半導体パッケージの製造方法により製造される半導体パッケージの好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。

［接着剤用組成物］
本発明の接着剤用組成物は、本発明のフィルム状接着剤の形成に好適な組成物である。
本発明の接着剤用組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）及び無機充填材（Ｄ）を含有する。ポリウレタン樹脂（Ｃ）は、動的粘弾性測定におけるｔａｎδのピークトップ温度（すなわちガラス転移温度、Ｔｇ）が０℃以上である。また、エポキシ樹脂（Ａ）と前記ウレタン樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占める前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の割合は２～５０質量％に制御される。
以下、接着剤用組成物に含まれる各成分について説明する。

＜エポキシ樹脂（Ａ）＞
上記エポキシ樹脂（Ａ）は、エポキシ基を持つ熱硬化型の樹脂であり、エポキシ当量は５００ｇ／ｅｑ以下であることが好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）は液体、固体または半固体のいずれであってもよい。本発明において液体とは、軟化点が２５℃未満であることをいい、固体とは、軟化点が６０℃以上であることをいい、半固体とは、軟化点が上記液体の軟化点と固体の軟化点との間（２５℃以上６０℃未満）にあることをいう。本発明で使用するエポキシ樹脂（Ａ）としては、好適な温度範囲（例えば６０～１２０℃）で低溶融粘度に到達することができるフィルム状接着剤を得る観点から、軟化点が１００℃以下であることが好ましい。なお、本発明において、軟化点とは、軟化点試験（環球式）法（測定条件：ＪＩＳ－Ｋ７２３４：１９８６に準拠）により測定した値である。

本発明で使用するエポキシ樹脂（Ａ）において、熱硬化体の架橋密度を高める観点から、エポキシ当量は１５０～４５０ｇ／ｅｑであることが好ましい。なお、本発明において、エポキシ当量とは、１グラム当量のエポキシ基を含む樹脂のグラム数（ｇ／ｅｑ）をいう。
エポキシ樹脂（Ａ）の量平均分子量は、通常、１００００未満が好ましく、５０００以下がより好ましい。下限値に特に制限はないが、３００以上が実際的である。
質量平均分子量は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）分析による値である。

エポキシ樹脂（Ａ）の骨格としては、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、クレゾールノボラック型、ジシクロペンタジエン型、ビフェニル型、フルオレンビスフェノール型、トリアジン型、ナフトール型、ナフタレンジオール型、トリフェニルメタン型、テトラフェニル型、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型、トリメチロールメタン型等が挙げられる。このうち、樹脂の結晶性が低く、良好な外観を有するフィルム状接着剤を得られるという観点から、トリフェニルメタン型、ビスフェノールＡ型、クレゾールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型が好ましい。

エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、本発明の接着剤用組成物のうち、フィルム状接着剤を構成する成分（具体的には溶媒以外の成分、すなわち固形分）の総含有量１００質量部中、３～７０質量部が好ましく、１０～６０質量部が好ましく、１５～５０質量部がより好ましく、２０～４０質量部とすることも好ましい。含有量を上記好ましい範囲内とすることにより、治具痕の形成を抑制しつつ、ダイアタッチ性を高めることができる。また、上記好ましい上限値以下とすることにより、オリゴマー成分の生成を抑え、少しの温度変化ではフィルム状態（フィルムタック性等）の変化を生じにくくすることができる。

（エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ））
上記エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）としては、アミン類、酸無水物類、多価フェノール類等の任意の硬化剤を用いることができる。本発明では、低溶融粘度で、かつある温度を超える高温で硬化性を発揮し、速硬化性を有し、さらに、室温での長期保存が可能な保存安定性の高いフィルム状接着剤とする観点から、潜在性硬化剤を用いることが好ましい。
潜在性硬化剤としては、ジシアンジアミド化合物、イミダゾール化合物、硬化触媒複合系多価フェノール化合物、ヒドラジド化合物、三弗化ホウ素－アミン錯体、アミンイミド化合物、ポリアミン塩、およびこれらの変性物やマイクロカプセル型のものを挙げることができる。これらは１種を単独で用いても、もしくは２種以上を組み合わせて用いてもよい。より優れた潜在性（室温での安定性に優れ、かつ、加熱により硬化性を発揮する性質）を有し、硬化速度がより速い観点から、イミダゾール化合物を用いることがより好ましい。

接着剤用組成物中のエポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の含有量は、硬化剤の種類、反応形態に応じて適宜に設定すればよい。例えば、エポキシ樹脂（Ａ）１００質量部に対して０．５～１００質量部とすることができ、１～８０質量部としてもよく、２～５０質量部としてもよく、４～２０質量部とすることも好ましい。また、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）としてイミダゾール化合物を用いる場合には、エポキシ樹脂（Ａ）１００質量部に対してイミダゾール化合物を０．５～１０質量部とすることが好ましく、１～５質量部とすることも好ましい。エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の含有量を上記好ましい下限値以上とすることにより硬化時間をより短くすることができ、他方、上記好ましい上限値以下とすることにより、過剰の硬化剤のフィルム状接着剤中への残留を抑えることができる。結果、残留硬化剤の水分の吸着が抑えられ、半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。

＜ポリウレタン樹脂（Ｃ）＞
ポリウレタン樹脂（Ｃ）は、主鎖中にウレタン（カルバミド酸エステル）結合を持つ重合体である。ポリウレタン樹脂（Ｃ）は、ポリオール由来の構成単位と、ポリイソシアネート由来の構成単位とを有し、さらにポリカルボン酸由来の構成単位を有していてもよい。ポリウレタン樹脂は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ポリウレタン樹脂（Ｃ）は、動的粘弾性測定におけるｔａｎδのピークトップ温度（ガラス転移温度と同義、Ｔｇとも称す。）が０℃以上である。ポリウレタン樹脂（Ｃ）のＴｇは２℃以上が好ましく、３℃以上がより好ましい。また、ポリウレタン樹脂（Ｃ）のＴｇは通常は１００℃以下であり、６０℃以下が好ましく、５０℃以下がより好ましく、４５℃以下であることも好ましい。Ｔｇが上記範囲内にあることにより、フィルム状接着剤を形成したときに、エポキシ樹脂や無機充填材と一体となってフィルム状接着剤の貯蔵弾性率が高まるなどして、ピックアップ後の治具痕を生じにくく、半導体パッケージの厳しい信頼性試験も十分にクリアする特性を実現することができる。
Ｔｇは後述する実施例に記載の方法により決定されるものである。すなわち、ポリウレタン樹脂を有機溶媒に溶解してなるワニスを用いて塗膜を形成し、次いで乾燥し、得られたポリウレタン樹脂からなるフィルムを、動的粘弾性測定装置（商品名：Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００Ｆ、（株）ユービーエム製）を用いて、測定温度範囲２０～３００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、及び周波数１Ｈｚの条件下で測定し、ｔａｎδピークトップ温度（ｔａｎδが極大を示す温度）をガラス転移温度（Ｔｇ）とする。

ポリウレタン樹脂（Ｃ）自体の貯蔵弾性率は、２５℃において５０ＭＰａ以上が好ましく、８０ＭＰａ以上がより好ましく、１００ＭＰa以上がさらに好ましい。ポリウレタン樹脂（Ｃ）の貯蔵弾性率は通常は１０００ＭＰａ以下であり、７００ＭＰａがより好ましく、６５０ＭＰａ以下であることも好ましい。貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（商品名：Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００Ｆ、（株）ユービーエム製）を用いて決定できる。具体的には、ポリウレタン樹脂を有機溶媒に溶解してなるワニスを用いて塗膜を形成し、次いで乾燥し、得られたポリウレタン樹脂からなるフィルムを、測定温度範囲０～１００℃、昇温速度５℃／分、及び周波数１Ｈｚの条件下で測定し、２５℃における貯蔵弾性率の値を決定することができる。

ポリウレタン樹脂（Ｃ）の重量平均分子量は特に制限されず、通常は５０００～５０００００の範囲内にあるものが用いられる。

ポリウレタン樹脂（Ｃ）の含有量は、エポキシ樹脂（Ａ）とポリウレタン樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占めるポリウレタン樹脂（Ｃ）の割合として２～５０質量％であり、４～４０質量％が好ましく、６～３５質量％がより好ましく、８～３３質量％がさらに好ましく、１０～３０質量％がさらに好ましく、１２～２８質量％とすることがさらに好ましく、１５～２５質量％とすることがさらに好ましい。

ポリウレタン樹脂（Ｃ）は、常法により合成でき、また、市場から入手することもできる。ポリウレタン樹脂（Ｃ）として適用できる市販品として、ダイナレオＶＡ－９３２０Ｍ、ダイナレオＶＡ－９３１０ＭＦ、ダイナレオＶＡ－９３０３ＭＦ（いずれもトーヨーケム社製）などを挙げることができる。

＜無機充填材（Ｄ）＞
無機充填材（Ｄ）は、通常、接着剤用組成物に使用される無機充填材を特に制限なく用いることができる。
無機充填材（Ｄ）としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ（酸化アルミニウム）、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鈴、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、カーボンナノチューブ、グラフェン等のカーボン類等の種々の無機粉末が挙げられる。

無機充填材（Ｄ）の平均粒径（ｄ５０）は特に限定されないが、治具痕の形成を抑制しつつ、ダイアタッチ性を高める観点から、０．０１～６．０μｍが好ましく、０．０１～５．０μｍが好ましく、０．１～３．５μｍがより好ましく、０．３～３．０μｍがさらに好ましい。平均粒径（ｄ５０）とは、いわゆるメジアン径であり、レーザー回折・散乱法により粒度分布を測定し、累積分布において粒子の全体積を１００％としたときに５０％累積となるときの粒径を意味する。

無機充填材のモース硬度は特に限定されないが、治具痕の発生を抑制しつつ、ダイアタッチ性を高める観点から、２以上であることが好ましく、２～９であることがより好ましい。モース硬度は、モース硬度計により測定することができる。

上記無機充填材（Ｄ）は、熱伝導性を有する無機充填材（熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の無機充填材）を含む態様でもよいし、熱伝導性を有さない無機充填材（熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ未満の無機充填材）を含む態様でもよい。
熱伝導性を有する無機充填材（Ｄ）は、熱伝導性材料からなる粒子または熱伝導性材料で表面被覆されてなる粒子であって、これらの熱伝導性材料の熱伝導率が１２Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが好ましく、３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましい。
上記熱伝導性材料の熱伝導率が上記好ましい下限値以上であると、目的の熱伝導率を得るために配合する無機充填材（Ｄ）の量を低減することができ、ダイアタッチフィルムの溶融粘度の上昇が抑制されて、基板に圧着する際に基板の凹凸部への埋め込み性をより向上させることができる。結果、ボイドの発生をより確実に抑制できる。
本発明において、上記熱伝導性材料の熱伝導率は、２５℃における熱伝導率を意味し、各材料の文献値を用いることができる。文献に記載がない場合にも、例えば、セラミックスであればＪＩＳ Ｒ １６１１：２０１０により測定される値、金属であれば、ＪＩＳ Ｈ ７８０１：２００５により測定される値を代用することができる。

熱伝導性を有する無機充填材（Ｄ）としては、例えば、熱伝導性のセラミックスがあげられ、アルミナ粒子（熱伝導率：３６Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化アルミニウム粒子（熱伝導率：１５０～２９０Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化ホウ素粒子（熱伝導率：６０Ｗ／ｍ・Ｋ）、酸化亜鉛粒子（熱伝導率：５４Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化ケイ素粒子（熱伝導率：２７Ｗ／ｍ・Ｋ）、炭化ケイ素粒子（熱伝導率：２００Ｗ／ｍ・Ｋ）および酸化マグネシウム粒子（熱伝導率：５９Ｗ／ｍ・Ｋ）が好ましく挙げられる。
特にアルミナ粒子は高熱伝導率を有し、分散性、入手容易性の点で好ましい。また、窒化アルミニウム粒子や窒化ホウ素粒子は、アルミナ粒子よりもさらに高い熱伝導率を有する観点で好ましい。本発明では、なかでもアルミナ粒子と窒化アルミニウム粒子が好ましい。
また、セラミックより高い熱伝導性を有する金属粒子、もしくは金属で表面被覆された粒子も挙げられる。例えば、銀（熱伝導率：４２９Ｗ／ｍ・Ｋ）、ニッケル（熱伝導率：９１Ｗ／ｍ・Ｋ）及び金（熱伝導率：３２９Ｗ／ｍ・Ｋ）等の単一金属フィラーや、これら金属により表面被覆された、アクリルやシリコーン樹脂等の高分子粒子が好ましく挙げられる。
本発明では、なかでも高熱伝導率と耐酸化劣化の観点で金、もしくは銀粒子等がより好ましい。

無機充填材（Ｄ）は、表面処理や表面改質されていてもよく、このような表面処理や表面改質としては、シランカップリング剤やリン酸もしくはリン酸化合物、界面活性剤が挙げられ、本明細書において記載する事項以外は、例えば、国際公開第２０１８／２０３５２７号における熱伝導フィラーの項又は国際公開第２０１７／１５８９９４号の窒化アルミニウム充填材の項における、シランカップリング剤、リン酸もしくはリン酸化合物及び界面活性剤の記載を適用することができる。

無機充填材（Ｄ）を、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）及びポリウレタン樹脂（Ｃ）等の樹脂成分に配合する方法としては、粉体状の無機充填材と必要に応じてシランカップリング剤、リン酸もしくはリン酸化合物や界面活性剤とを直接配合する方法（インテグラルブレンド法）、もしくはシランカップリング剤、リン酸もしくはリン酸化合物や界面活性剤等の表面処理剤で処理された無機充填材を有機溶剤に分散させたスラリー状無機充填材を配合する方法を使用することができる。
また、シランカップリング剤により無機充填材（Ｄ）を処理する方法としては特に限定されず、溶媒中で無機充填材（Ｄ）とシランカップリング剤を混合する湿式法、気相中で無機充填材（Ｄ）とシランカップリング剤を混合する乾式法、上記インテグラルブレンド法などが挙げられる。

特に、窒化アルミニウム粒子は、高熱伝導化に貢献するものの、加水分解によりアンモニウムイオンを生成しやすいため、吸湿率が小さいフェノール樹脂と併用することや、表面改質により加水分解が抑制されていることが好ましい。窒化アルミニウムの表面改質方法としては、表面層に酸化アルミニウムの酸化物層を設け耐水性を向上させ、リン酸もしくはリン酸化合物による表面処理を行い樹脂との親和性を向上させる方法が特に好ましい。

シランカップリング剤は、ケイ素原子にアルコキシ基、アリールオキシ基のような加水分解性基が少なくとも１つ結合したものであり、これに加えて、アルキル基、アルケニル基、アリール基が結合してもよい。アルキル基は、アミノ基、アルコキシ基、エポキシ基、（メタ）アクリロイルオキシ基が置換したものが好ましく、アミノ基（好ましくはフェニルアミノ基）、アルコキシ基（好ましくはグリシジルオキシ基）、（メタ）アクリロイルオキシ基が置換したものがより好ましい。
シランカップリング剤は、例えば、２－（３，４－エポキシシクロへキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロイルオキプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロイルオキプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロイルオキプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロイルオキプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。

シランカップリング剤や界面活性剤は、無機充填材（Ｄ）１００質量部に対し、０．１～２５．０質量部含有させるのが好ましく、０．１～１０質量部含有させるのがより好ましく、０．１～２．０質量部含有させるのがさらに好ましい。
シランカップリング剤や界面活性剤の含有量を上記好ましい範囲とすることにより、無機充填材（Ｄ）の凝集を抑制しながら、過剰なシランカップリング剤や界面活性剤の半導体組立加熱工程（例えばリフロー工程）における揮発による接着界面での剥離を抑制することができ、ボイドの発生が抑えられ、ダイアタッチ性を向上させることができる。

無機充填材（Ｄ）の形状は、フレーク状、針状、フィラメント状、球状、鱗片状のものが挙げられるが、高充填化及び流動性の観点から球状粒子が好ましい。

本発明の接着剤用組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）の各含有量の合計に占める無機充填材（Ｄ）の割合が、５～７０体積％であることが好ましい。上記無機充填材（Ｄ）の含有割合が上記下限値以上であると、フィルム状接着剤とした際に治具痕の発生を抑制しつつ、ダイアタッチ性を向上させることができる。さらに、所望とする溶融粘度を付与できる場合がある。また、上記上限値以下であると、フィルム状接着剤に所望とする溶融粘度を付与することができ、ボイドの発生を抑制することができる。また、熱変化時に半導体パッケージに生じる内部応力を緩和することもでき、接着力も向上させることができる場合がある。
エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）の各含有量の合計に占める無機充填材（Ｄ）の割合は、３０～７０体積％が好ましく、２０～６０体積％がより好ましく、２０～５０体積％がさらに好ましい。
上記無機充填材（Ｄ）の含有量（体積％）は、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）の含有質量と比重から算出することができる。

（その他の成分）
本発明の接着剤用組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）の他に、本発明の効果を損なわない範囲で、これら以外の高分子化合物を含有してもよい。
上記高分子化合物としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、シリコーンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ナイロンや６，６－ナイロン等のポリアミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート及びポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。これらの高分子化合物は単独で用いてもよく、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、本発明の接着剤用組成物は、有機溶媒（メチルエチルケトン等）、イオントラップ剤（イオン捕捉剤）、硬化触媒、粘度調整剤、酸化防止剤、難燃剤、着色剤等をさらに含有していてもよい。例えば、国際公開第２０１７／１５８９９４号のその他の添加物を含むことができる。

本発明の接着剤用組成物中に占める、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）の各含有量の合計の割合は、例えば、６０質量％以上とすることができ、７０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がさらに好ましく、９０質量％以上とすることもできる。また、上記割合は１００質量％でもよく、９５質量％以下とすることもできる。
本発明の接着剤用組成物は、本発明のフィルム状接着剤を得るために好適に用いることができる。ただし、フィルム状接着剤に限定されず、液状の接着剤を得るためにも好適に用いることができる。

本発明の接着剤用組成物は、上記各成分を、エポキシ樹脂（Ａ）が事実上、硬化しない温度において混合することにより得ることができる。混合の順は特に限定されない。エポキシ樹脂（Ａ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）等の樹脂成分を必要に応じて溶媒と共に混合し、その後、無機充填材（Ｄ）及びエポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）を混合してもよい。この場合、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の存在下での混合を、エポキシ樹脂（Ａ）が事実上、硬化しない温度で行えばよく、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）の非存在下での樹脂成分の混合はより高い温度で行ってもよい。

本発明の接着剤用組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）の硬化を抑制する観点から、使用前（フィルム状接着剤とする前）には１０℃以下の温度条件下で保管されることが好ましい。

［フィルム状接着剤］
本発明のフィルム状接着剤は、本発明の接着剤用組成物より得られてなるフィルム状の接着剤である。したがって、上述の、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）を含有してなる。また、ポリウレタン樹脂（Ｃ）は、動的粘弾性測定におけるｔａｎδのピークトップ温度（ガラス転移温度、Ｔｇ）が０℃以上であり、エポキシ樹脂（Ａ）と前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占める前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の割合は２～５０質量％である。
有機溶媒を含有する接着剤用組成物を用いて本発明のフィルム状接着剤を形成する場合は、溶媒は通常、乾燥により接着剤用組成物から除去される。したがって、本発明のフィルム状接着剤中の溶媒の含有量は１０００ｐｐｍ（ｐｐｍは質量基準）以下であり、通常は０．１～１０００ｐｐｍである。
ここで、本発明において「フィルム」とは、厚み２００μｍ以下の薄膜を意味する。形状、大きさ等は、特に制限されず、使用態様にあわせて適宜調整することができる。
本発明のフィルム状接着剤は、半導体製造工程においてダイアタッチフィルムとして好適に用いることができる。この場合、本発明のフィルム状接着剤はピックアップ工程において治具痕を生じにくく、ダイアタッチ性にも優れ、半導体パッケージの高度な信頼性も実現することが可能となる。

本発明のフィルム状接着剤は、ダイアタッチ性をより高める観点から、硬化前のフィルム状接着剤を２５℃から５℃／分の昇温速度で昇温したとき、１２０℃における溶融粘度が１００～１００００Ｐａ・ｓの範囲にあることが好ましく、２００～１００００Ｐａ・ｓの範囲にあることがより好ましく、２３０～８０００Ｐａ・ｓの範囲にあることがより好ましく、３００～６０００Ｐａ・ｓの範囲にあることがより好ましく、５００～６０００Ｐａ・ｓの範囲にあることがより好ましく、７００～５５００Ｐａ・ｓの範囲にあることがさらに好ましい。また、上記の１２０℃における溶融粘度は７００～３０００Ｐａ・ｓの範囲にあってもよく、７００～２５００Ｐａ・ｓの範囲にあることも好ましい。
溶融粘度は、後述する実施例に記載の方法により決定することができる。
溶融粘度は、無機充填材（Ｄ）の含有量、さらには、無機充填材（Ｄ）の種類に加え、エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）及びポリウレタン樹脂（Ｃ）等の、共存する化合物もしくは樹脂の種類やこれらの含有量により適宜に制御できる。
本発明において、硬化前のフィルム状接着剤とは、エポキシ樹脂（Ａ）が熱硬化する前の状態にあるものをいう。熱硬化前のフィルム状接着剤とは、具体的には、フィルム状接着剤を調製後、２５℃以上の温度条件下に曝されていないフィルム状接着剤を意味する。一方、硬化後のフィルム状接着剤とは、エポキシ樹脂（Ａ）が熱硬化した状態にあるものをいう。なお、上記の説明は、本発明の接着剤組成物の特性を明確にするためのものであり、本発明のフィルム状接着剤が、２５℃以上の温度条件下に曝されていないものに限定されるものではない。

本発明のフィルム状接着剤は、厚みが１～６０μｍであることが好ましい。厚みは、３～３０μｍがより好ましく、５～２０μｍが特に好ましい。フィルム状接着剤を薄膜としても、ピックアップ時の治具痕、及びボイドの発生を抑制できる優れたダイアタッチ性を示すという、本発明の効果をより発揮することができるという観点からは、フィルム状接着剤の厚みは、５～１５μｍが好ましい。
フィルム状接着剤の厚みは、接触・リニアゲージ方式（卓上型接触式厚み計測装置）により測定することができる。

本発明のフィルム状接着剤は、本発明の接着剤用組成物（ワニス）を調製し、この組成物を、離型処理された基材フィルム上に塗布し、必要に応じて乾燥させて形成することができる。接着剤用組成物は、通常は有機溶媒を含有する。
離型処理された基材フィルムとしては、得られるフィルム状接着剤のカバーフィルムとして機能するものであればよく、公知のものを適宜採用することができる。例えば、離型処理されたポリプロピレン（ＰＰ）、離型処理されたポリエチレン（ＰＥ）、離型処理されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
塗工方法としては、公知の方法を適宜採用することができ、例えば、ロールナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーター等を用いた方法が挙げられる。
乾燥は、エポキシ樹脂（Ａ）を硬化せずに、接着剤用組成物から有機溶媒を除去してフィルム状接着剤とできればよく、例えば、８０～１５０℃の温度で１～２０分保持することにより行うことができる。

本発明のフィルム状接着剤は、本発明のフィルム状接着剤単独で構成されていてもよく、フィルム状接着剤の少なくとも一方の面に上述の離型処理された基材フィルムが貼り合わされてなる形態であってもよい。また、本発明のフィルム状接着剤は、フィルムを適当な大きさに切り出した形態であってもよく、フィルムをロール状に巻いてなる形態であってもよい。

本発明のフィルム状接着剤は、少なくとも一方の表面（すなわち、被着体と貼り合わせる少なくとも一方の面）の算術平均粗さＲａが３．０μｍ以下であることが好ましく、被着体と貼り合わせるいずれの側の表面の算術平均粗さＲａも３．０μｍ以下であることがより好ましい。
上記の算術平均粗さＲａは、２．０μｍ以下であることがより好ましく、１．５μｍ以下であることがさらに好ましい。下限値は特に制限はないが、０．１μｍ以上であることが実際的である。

本発明のフィルム状接着剤は、エポキシ樹脂（Ａ）の硬化を抑制する観点から、使用前（硬化前）には１０℃以下の温度条件下で保管されることが好ましい。

［半導体パッケージおよびその製造方法］
次いで、図面を参照しながら本発明の半導体パッケージおよびその製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明および図面中、同一または相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。図１～図７は、本発明の半導体パッケージの製造方法の各工程の好適な一実施形態を示す概略縦断面図である。

本発明の半導体パッケージの製造方法においては、先ず、第１の工程として、図１に示すように、表面に少なくとも１つの半導体回路が形成された半導体ウェハ１の裏面（すなわち、半導体ウェハ１の半導体回路が形成されていない面）に、本発明のフィルム状接着剤２（ダイアタッチフィルム２）を熱圧着し、次いで、このフィルム状接着剤２を介して、ダイシングフィルム３（ダイシングテープ３）を設ける。図１では、フィルム状接着剤２をダイシングフィルム３よりも小さく示しているが、両フィルムの大きさ（面積）は、目的に応じて適宜に設定される。熱圧着の条件は、エポキシ樹脂（Ａ）が事実上熱硬化しない温度で行う。例えば、７０℃程度で、圧力０．３ＭＰａ程度の条件が挙げられる。
半導体ウェハ１としては、表面に少なくとも１つの半導体回路が形成された半導体ウェハを適宜用いることができ、例えば、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ、ＧａＮウェハが挙げられる。本発明のダイシングダイアタッチフィルムを半導体ウェハ１の裏面に設けるには、例えば、ロールラミネーター、マニュアルラミネーターのような公知の装置を適宜用いることができる。

次いで、第２の工程として、図２に示すように、半導体ウェハ１とダイアタッチフィルム２とを一体にダイシングすることにより、ダイシングフィルム３上に、半導体ウェハが個片化された半導体チップ４と、フィルム状接着剤２が個片化されたフィルム状接着剤片２とを備える接着剤層付き半導体チップ５を得る。ダイシング装置は特に制限されず、通常のダイシング装置を適宜に用いることができる。

次いで、第３の工程として、必要によりダイシングフィルムをエネルギー線で硬化して粘着力を低減し、ピックアップによりフィルム状接着剤片２をダイシングフィルム３から剥離する。次いで、図３に示すように、接着剤層付き半導体チップ５と配線基板６とをフィルム状接着剤片２を介して熱圧着し、配線基板６に接着剤層付き半導体チップ５を実装する。配線基板６としては、表面に半導体回路が形成された基板を適宜用いることができ、例えば、プリント回路基板（ＰＣＢ）、各種リードフレーム、および、基板表面に抵抗素子やコンデンサー等の電子部品が搭載された基板が挙げられる。
このような配線基板６に接着剤層付き半導体チップ５を実装する方法としては特に制限されず、従来の熱圧着による実装方法を適宜に採用することができる。

次いで、第４の工程として、フィルム状接着剤片２を熱硬化させる。熱硬化の温度としては、フィルム状接着剤片２の熱硬化開始温度以上であれば特に制限がなく、使用するエポキシ樹脂（Ａ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）及びエポキシ硬化剤（Ｂ）の種類により適宜に調整される。例えば、１００～１８０℃が好ましく、より短時間で硬化させる観点からは１４０～１８０℃がより好ましい。温度が高すぎると、硬化過程中にフィルム状接着剤片２中の成分が揮発して発泡しやすくなる傾向にある。この熱硬化処理の時間は、加熱温度に応じて適宜に設定すればよく、例えば、１０～１２０分間とすることができる。

本発明の半導体パッケージの製造方法では、図４に示すように、配線基板６と接着剤層付き半導体チップ５とをボンディングワイヤー７を介して接続することが好ましい。このような接続方法としては特に制限されず、従来公知の方法、例えば、ワイヤーボンディング方式の方法、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の方法等を適宜採用することができる。

また、搭載された半導体チップ４の表面に、別の半導体チップ４を熱圧着、熱硬化し、再度ワイヤーボンディング方式により配線基板６と接続することにより、複数個積層することもできる。例えば、図５に示すように半導体チップをずらして積層する方法、もしくは図６に示すように２層目以降のフィルム状接着剤片２を厚くすることで、ボンディングワイヤー７を埋め込みながら積層する方法等がある。

本発明の半導体パッケージの製造方法では、図７に示すように、封止樹脂８により配線基板６と接着剤層付き半導体チップ５とを封止することが好ましく、このようにして半導体パッケージ９を得ることができる。封止樹脂８としては特に制限されず、半導体パッケージの製造に用いることができる適宜公知の封止樹脂を用いることができる。また、封止樹脂８による封止方法としても特に制限されず、通常行われている方法を採用することができる。

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、室温とは２５℃を意味し、ＭＥＫはメチルエチルケトン、ＩＰＡはイソプロピルアルコール、ＰＥＴはポリエチレンテレフタレートである。「％」、「部」は、特に断りのない限り質量基準である。

［実施例１］
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：Ｅ０ＣＮ－１０４Ｓ、重量平均分子量：５０００、軟化点：９２℃、固体、エポキシ当量：２１８、日本化薬（株）製）５６質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤ－１２８、重量平均分子量：４００、軟化点：２５℃以下、液体、エポキシ当量：１９０、新日化エポキシ製造（株）製）４９質量部、及び、ポリウレタン樹脂溶液（商品名：ダイナレオＶＡ－９３２０Ｍ、ポリウレタン樹脂の重量平均分子量：１２００００、Ｔｇ：３９℃、２５℃における貯蔵弾性率：５９４ＭＰａ、溶媒：ＭＥＫ／ＩＰＡ混合溶媒、トーヨーケム（株）製）１２０質量部（ポリウレタン樹脂として３０質量部）を１０００ｍＬのセパラブルフラスコ中に入れて、温度１１０℃で２時間加熱攪拌し、樹脂ワニスを得た。
次いで、この樹脂ワニス２２５質量部を８００ｍＬのプラネタリーミキサーに移し、アルミナフィラー（商品名：ＡＯ－５０２、平均粒径（ｄ５０）：０．６μｍ（株）アドマテックス製）１９６質量部を添加して、イミダゾール型硬化剤（商品名：２ＰＨＺ－ＰＷ、四国化成(株)製）２．０質量部、シランカップリング剤（商品名：Ｓ－５１０、ＪＮＣ株式会社製）３．０質量部を加えて室温において１時間攪拌後、真空脱泡して混合ワニス（接着剤用組成物）を得た。
次いで、得られた混合ワニスを厚み３８μｍの離型処理されたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）上に塗布して、１３０℃で１０分間加熱乾燥し、縦３００ｍｍ、横２００ｍｍ、厚みが１０μｍのフィルム状接着剤が剥離フィルム上に形成された２層積層フィルム（剥離フィルム付きフィルム状接着剤）を得た。
上記乾燥後にエポキシ樹脂は硬化しておらず、このことは下記の各実施例及び比較例においても同様である。

［実施例２］
ポリウレタン樹脂として、ポリウレタン樹脂溶液（商品名：ダイナレオＶＡ－９３１０ＭＦ、重量平均分子量：１１００００、Ｔｇ：２７℃、２５℃における貯蔵弾性率：２８９ＭＰａ、溶媒：ＭＥＫ／ＩＰＡ混合溶媒、トーヨーケム（株）製）１２０質量部（ポリウレタン樹脂として３０質量部）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして接着剤用組成物及び２層積層フィルムを得た。

［実施例３］
ポリウレタン樹脂として、ポリウレタン樹脂溶液（商品名：ダイナレオＶＡ－９３０３ＭＦ、重量平均分子量：１０５０００、Ｔｇ：４℃、２５℃における貯蔵弾性率：１００ＭＰａ、溶媒：ＭＥＫ／ＩＰＡ混合溶媒、トーヨーケム（株）製）１２０質量部（ポリウレタン樹脂として３０質量部）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして接着剤用組成物及び２層積層フィルムを得た。

［実施例４］
ポリウレタン樹脂溶液の配合量を２００質量部（ポリウレタン樹脂として５０質量部）とし、アルミナフィラーの配合量を２２４質量部としたこと以外は、実施例２と同様にして接着剤用組成物及び２層積層フィルムを得た。

［実施例５］
ポリウレタン樹脂溶液の配合量を４０質量部（ポリウレタン樹脂として１０質量部）とし、アルミナフィラーの配合量を１６８質量部としたこと以外は、実施例２と同様にして接着剤用組成物及び２層積層フィルムを得た。

［実施例６］
アルミナフィラーの配合量を３０５質量部としたこと以外は、実施例２と同様にして接着剤用組成物及び２層積層フィルムを得た。

［比較例１］
ポリウレタン樹脂として、ポリウレタン樹脂（商品名：Ｔ－８１７５Ｎ、重量平均分子量：８００００、Ｔｇ：－２３℃、２５℃における貯蔵弾性率：３．４ＭＰａ、ディーアイシーコベストロポリマー（株）製）３０質量部を用い、さらにシクロヘキサノン９０質量部を配合したこと以外は、実施例１と同様にして接着剤用組成物及び２層積層フィルムを得た。

［比較例２］
ポリウレタン樹脂として、ポリウレタン樹脂溶液（商品名：ダイナレオＶＡ－９３０２ＭＦ、重量平均分子量：９５０００、Ｔｇ：－５℃、２５℃における貯蔵弾性率：８．７ＭＰａ、溶媒：ＭＥＫ／ＩＰＡ混合溶媒、トーヨーケム（株）製）１２０質量部（ポリウレタン樹脂として３０質量部）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして接着剤用組成物及び２層積層フィルムを得た。

［比較例３］
ポリウレタン樹脂に代えて、アクリル樹脂（商品名：ＳＧ－２８０ＥＫ２３、重量平均分子量：８０００００、Ｔｇ：－２９℃、２５℃における貯蔵弾性率：６．５ＭＰａ、ナガセケムテックス（株）製）３０質量部を配合し、さらにシクロヘキサノン９０質量部を配合したこと以外は、実施例１と同様にして接着剤用組成物及び２層積層フィルムを得た。

［比較例４］
ポリウレタン樹脂に代えて、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（商品名：ＹＰ－５０、重量平均分子量：７００００、Ｔｇ：８５℃、２５℃における貯蔵弾性率１７００ＭＰａ、新日化エポキシ製造（株）製）３０質量部を配合し、さらにＭＥＫ９０質量部を配合したこと以外は、実施例１と同様にして接着剤用組成物及び２層積層フィルムを得た。

［比較例５］
ポリウレタン樹脂溶液の配合量を５２０質量部（ポリウレタン樹脂として１３０質量部）とし、アルミナフィラーの配合量を３３７質量部としたこと以外は、実施例２と同様にして接着剤用組成物及び２層積層フィルムを得た。

［比較例６］
ポリウレタン樹脂の配合量を８質量部（ポリウレタン樹脂として２質量部）とし、アルミナフィラーの配合量を１５７質量部としたこと以外は、実施例２と同様にして接着剤用組成物及び２層積層フィルムを得た。

［試験例］
＜樹脂の動的粘弾性測定におけるｔａｎδのピークトップ温度（ガラス転移温度（Ｔｇ））の測定＞
ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂及びフェノキシ樹脂の各溶液を、厚み３８μｍの離型処理されたＰＥＴフィルム（剥離フィルム）上に塗布して、１３０℃で１０分間の加熱により乾燥し、縦３００ｍｍ、横２００ｍｍ、厚みが３０μｍの樹脂フィルムが剥離フィルム上に形成された２層積層フィルムを得た。得られた樹脂フィルムを５ｍｍ×１７ｍｍのサイズに切り取り、剥離フィルムを剥がして、動的粘弾性測定装置（商品名：Ｒｈｅｏｇｅｌ－Ｅ４０００Ｆ、（株）ユービーエム製）を用いて、測定温度範囲２０～３００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、及び周波数１Ｈｚの条件下で測定し、ｔａｎδピークトップ温度（ｔａｎδが極大を示す温度）をガラス転移温度（Ｔｇ）とした。

＜硬化前溶融粘度の測定＞
各実施例及び比較例において得られた剥離フィルム付フィルム状接着剤から縦５．０ｃｍ×横５．０ｃｍのサイズの正方形を切り取り、剥離フィルムを剥離した状態で切り取ったフィルム状接着剤を積層した。この積層物を、７０℃のステージ上で、ハンドローラーにて貼り合わせて、厚さが約１．０ｍｍである試験片を得た。この試験片について、レオメーター（ＲＳ６０００、Ｈａａｋｅ社製）を用い、温度範囲２５～２５０℃、昇温速度５℃／分での粘性抵抗の変化を測定した。得られた温度－粘性抵抗曲線から、硬化前のフィルム状接着剤の１２０℃における溶融粘度（Ｐａ・ｓ）を算出した。

＜ニードル痕評価＞
各実施例及び比較例において得られた剥離フィルム付フィルム状接着剤を、先ず、マニュアルラミネーター（商品名：ＦＭ－１１４、テクノビジョン社製）を用いて温度７０℃、圧力０．３ＭＰａにてダミーシリコンウェハ（８ｉｎｃｈサイズ、厚さ１００μｍ）の一方の面に接着させた。その後、フィルム状接着剤から剥離フィルムを剥離した後、同マニュアルラミネーターを用いて室温、圧力０．３ＭＰａにてフィルム状接着剤の前記ダミーシリコンウェハとは反対側の面上にダイシングテープ（商品名：Ｋ－１３、古河電気工業（株）製）及びダイシングフレーム（商品名：ＤＴＦ２－８－１Ｈ００１、ＤＩＳＣＯ社製）を接着させた。次いで、２軸のダイシングブレード（Ｚ１：ＮＢＣ－ＺＨ２０５０（２７ＨＥＤＤ）、ＤＩＳＣＯ社製／Ｚ２：ＮＢＣ－ＺＨ１２７Ｆ－ＳＥ（ＢＣ）、ＤＩＳＣＯ社製）が設置されたダイシング装置（商品名：ＤＦＤ－６３４０、ＤＩＳＣＯ社製）を用いて５ｍｍ×５ｍｍのサイズになるようにダミーシリコンウェハ側からダイシングを実施して、フィルム状接着剤片付きダミーチップを得た。
次いで、ダイボンダー（商品名：ＤＢ－８００、（株）日立ハイテクノロジーズ製）にて、前記フィルム状接着剤付きダミーチップをダイシングテープから下記条件にてピックアップし、ピックアップ後のフィルム状接着剤上のニードル痕状態を観察し、下記評価基準に当てはめ評価した。

（ピックアップ条件）
ニードル本数４本、ニードルＲ１５０（μｍ）、ニードルピッチ３．５ｍｍ、突き上げ速度５ｍｍ／秒、突き上げ高さ２００μｍ、ピックアップ時間１００ｍ秒

（評価基準）
ＡＡ：ピックアップした半導体チップ２４個のすべてにおいて、フィルム状接着剤表面にニードル痕が観察されない。
Ａ：ピックアップした半導体チップ２４個のうち１～３個においてフィルム状接着剤表面にニードル痕が観察され、かつ、当該ニードル痕が観察されたフィルム状接着剤表面におけるニードル痕の数が１～３である。
Ｂ：ピックアップした半導体チップ２４個のうち１～３個においてフィルム状接着剤表面にニードル痕が観察され、かつ、当該ニードル痕が観察されたフィルム状接着剤表面におけるニードル痕の数が４つのものがある。
Ｃ：ピックアップした半導体チップ２４個のうち４個以上においてフィルム状接着剤表面にニードル痕が観察される。

＜ダイアタッチ性評価＞
各実施例及び比較例において得られた剥離フィルム付きフィルム状接着剤を、先ず、マニュアルラミネーター（商品名：ＦＭ－１１４、テクノビジョン社製）を用いて温度７０℃、圧力０．３ＭＰａにてダミーシリコンウェハ（８ｉｎｃｈサイズ、厚さ１００μｍ）の一方の面に接着させた。その後、フィルム状接着剤から剥離フィルムを剥離した後、同マニュアルラミネーターを用いて室温、圧力０．３ＭＰａにてフィルム状接着剤の前記ダミーシリコンウェハとは反対側の面上にダイシングテープ（商品名：Ｋ－１３、古河電気工業（株）製）及びダイシングフレーム（商品名：ＤＴＦ２－８－１Ｈ００１、ＤＩＳＣＯ社製）を接着させた。次いで、２軸のダイシングブレード（Ｚ１：ＮＢＣ－ＺＨ２０５０（２７ＨＥＤＤ）、ＤＩＳＣＯ社製／Ｚ２：ＮＢＣ－ＺＨ１２７Ｆ－ＳＥ（ＢＣ）、ＤＩＳＣＯ社製）が設置されたダイシング装置（商品名：ＤＦＤ－６３４０、ＤＩＳＣＯ社製）を用いて１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズになるようにダミーシリコンウェハ側からダイシングを実施して、フィルム状接着剤片付きダミーチップを得た。
次いで、ダイボンダー（商品名：ＤＢ－８００、（株）日立ハイテクノロジーズ製）にて、前記フィルム状接着剤付きダミーチップをダイシングテープからピックアップし、１２０℃、圧力０．１ＭＰａ（荷重４００ｇｆ）、時間１．０秒の条件にて、前記フィルム状接着剤片付きダミーチップのフィルム状接着剤側と、リードフレーム基板（４２Ａｌｌｏｙ系、凸版印刷（株）製）の実装面側とを貼り合わせるように、熱圧着した。ここで、上記リードフレーム基板の実装面は、僅かな表面粗さを持つ金属面である。
基板上に熱圧着したフィルム状接着剤付きダミーチップについて、超音波探傷装置（ＳＡＴ）（日立パワーソリューションズ製 ＦＳ３００ＩＩＩ）を用いて、フィルム状接着剤とリードフレーム基板実装面との界面におけるボイドの有無を観察し、下記評価基準に基づいて、ダイアタッチ性を評価した。

（評価基準）
Ａ：実装した２４個のダミーチップの全てにおいてボイドが観察されない。
Ｂ：実装した２４個のダミーチップのうち１個以上３個以下のダミーチップにおいてボイドが観察される。
Ｃ：実装した２４個のダミーチップのうち４個以上のダミーチップにおいてボイドが観察される。

＜吸湿後ダイシェア強度＞
各実施例及び比較例において得られた剥離フィルム付フィルム状接着剤を、先ず、マニュアルラミネーター（商品名：ＦＭ－１１４、テクノビジョン社製）を用いて温度７０℃、圧力０．３ＭＰａにてダミーシリコンウェハ（８ｉｎｃｈサイズ、厚さ４００μｍ）の一方の面に接着させた。その後、フィルム状接着剤から剥離フィルムを剥離した後、同マニュアルラミネーターを用いて室温、圧力０．３ＭＰａにてフィルム状接着剤の前記ダミーシリコンウェハとは反対側の面上にダイシングテープ（商品名：Ｋ－１３、古河電気工業（株）製）及びダイシングフレーム（商品名：ＤＴＦ２－８－１Ｈ００１、ＤＩＳＣＯ社製）を接着させた。次いで、２軸のダイシングブレード（Ｚ１：ＮＢＣ－ＺＨ２０５０（２７ＨＥＤＤ）、ＤＩＳＣＯ社製／Ｚ２：ＮＢＣ－ＺＨ１２７Ｆ－ＳＥ（ＢＣ）、ＤＩＳＣＯ社製）が設置されたダイシング装置（商品名：ＤＦＤ－６３４０、ＤＩＳＣＯ社製）を用いて２ｍｍ×２ｍｍのサイズになるようにダミーシリコンウェハ側からダイシングを実施して、フィルム状接着剤片付きダミーチップを得た。
次いで、ポリイミド膜付きシリコンウェハ（ポリイミド種；パイメル、旭化成エレクトロニクス（株）製、ポリイミド膜；約８μｍ、シリコンウェハ７００μｍ厚、ウェハサイズ８インチ）を、マニュアルラミネーターを用いて、室温、圧力０．３ＭＰａにてシリコンウェハ側（ポリイミド膜とは反対側）の面上にダイシングテープ（商品名：Ｋ－８、古河電気工業（株）製）及びダイシングフレーム（商品名：ＤＴＦ２－８－１Ｈ００１、ＤＩＳＣＯ社製）を接着させた。次いで、２軸のダイシングブレード（Ｚ１：ＮＢＣ－ＺＨ２０５０（２７ＨＥＤＤ）、ＤＩＳＣＯ社製／Ｚ２：ＮＢＣ－ＺＨ１２７Ｆ－ＳＥ（ＢＣ）、ＤＩＳＣＯ社製）が設置されたダイシング装置（商品名：ＤＦＤ－６３４０、ＤＩＳＣＯ社製）を用いて１２ｍｍ×１２ｍｍのサイズになるようにポリイミド膜付きシリコンウェハ側からダイシングを実施して、ポリイミド膜付きシリコンチップを得た。
次いで、ダイボンダー（商品名：ＤＢ－８００、（株）日立ハイテクノロジーズ製）にて、前記フィルム状接着剤片付きダミーチップをダイシングテープからピックアップし、１２０℃、圧力０．５ＭＰａ（荷重２００ｇｆ）、時間１．０秒の条件において、前記フィルム状接着剤片付きダミーチップのフィルム状接着剤側と、１２×１２ｍｍサイズのポリイミド膜付きシリコンチップの実装面側（ポリイミド膜）とを貼り合わせるように、熱圧着した。これを乾燥機中に配置して温度１２０℃で２時間加熱することによりフィルム状接着剤を熱硬化させた。その後、恒温恒湿器（商品名：ＰＲ－１Ｊ、エスペック（株）製）を用いて、得られたサンプルを、半導体技術協会ＪＥＤＥＣが定める吸湿リフロー試験のＭｏｉｓｕｔｒｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｌｅｖｅｌ（ＭＳＬ） Ｌｖ１の水準（温度８５℃、相対湿度８５％ＲＨ、１６８時間）にて１６８時間吸湿させた後、前記フィルム状接着剤片付きダミーチップのポリイミド表面に対するダイシェア強度（ＭＰａ）をボンドテスター（商品名：４０００万能型ボンドテスター、デージ（株））を用いて測定した。８回の試験回数の平均値を吸湿後ダイシェア強度として算出した。また、上記吸湿前のダイシェア強度（８回の試験回数の平均値）に対する上記吸湿後ダイシェア強度の割合（１００×吸湿後／吸湿前）をダイシェア強度維持率（％）とした。

＜信頼性評価＞
各実施例及び比較例において得られた剥離フィルム付きフィルム状接着剤を、先ず、マニュアルラミネーター（商品名：ＦＭ－１１４、テクノビジョン社製）を用いて温度７０℃、圧力０．３ＭＰａにてポリイミド膜付きシリコンウェハ（ポリイミド種；パイメル、旭化成エレクトロニクス（株）製、ポリイミド膜；約８μｍ、シリコンウェハ１００μｍ厚）のシリコンウェハ側に接着させた。その後、フィルム状接着剤から剥離フィルムを剥離した後、同マニュアルラミネーターを用いて室温、圧力０．３ＭＰａにてフィルム状接着剤面上にダイシングテープ（商品名：Ｋ－１３、古河電気工業（株）製）及びダイシングフレーム（商品名：ＤＴＦ２－８－１Ｈ００１、ＤＩＳＣＯ社製）を接着させた。次いで、２軸のダイシングブレード（Ｚ１：ＮＢＣ－ＺＨ２０５０（２７ＨＥＤＤ）、ＤＩＳＣＯ社製／Ｚ２：ＮＢＣ－ＺＨ１２７Ｆ－ＳＥ（ＢＣ）、ＤＩＳＣＯ社製）が設置されたダイシング装置（商品名：ＤＦＤ－６３４０、ＤＩＳＣＯ社製）を用いて８ｍｍ×９ｍｍのサイズになるようにポリイミド付きシリコンウェハ側からダイシングを実施して、フィルム状接着剤片付きのポリイミド膜付きシリコンチップを得た。
次いで、ダイボンダー（商品名：ＤＢ－８００、（株）日立ハイテクノロジーズ製）にて、前記フィルム状接着剤片付きのポリイミド膜付きシリコンチップをダイシングテープからピックアップし、１２０℃、圧力０．１ＭＰａ（荷重７２０ｇｆ）、時間１．５秒の条件において、前記フィルム状接着剤片付きのポリイミド膜付きシリコンチップのフィルム状接着剤側と、リードフレーム基板（４２Ａｌｌｏｙ系、凸版印刷（株）製）の実装面側とを貼り合わせるように、熱圧着した。更に、同条件にて別のフィルム状接着剤片付きのポリイミド膜付きシリコンチップのフィルム状接着剤側を、先に搭載したフィルム状接着剤片付きのポリイミド膜付きシリコンチップのポリイミド膜表面に貼り合わせるように、熱圧着した。これを乾燥機中に配置して温度１２０℃で２時間加熱することによりフィルム状接着剤を熱硬化させて試験片を得た。
次に、モールド装置（商品名：Ｖ１Ｒ、ＴＯＷＡ（株）製）を用いて、モールド剤（京セラ製、ＫＥ－３０００Ｆ５－２）により試験片を封止し、温度１８０℃において５時間加熱して熱硬化させ、半導体パッケージを得た。恒温恒湿器（商品名：ＰＲ－１Ｊ、エスペック（株）製）を用いて、得られた半導体パッケージを半導体技術協会ＪＥＤＥＣが定める吸湿リフロー試験のＭｏｉｓｕｔｒｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｌｅｖｅｌ（ＭＳＬ） Ｌｖ１の水準（温度８５℃、相対湿度８５％、１６８時間）、又はＬｖ２の水準（温度８５℃、相対湿度６０％、１６８時間）にて吸湿させた後、ＩＲリフロー炉で温度２６０℃において１０秒間加熱処理した。加熱後の半導体パッケージをダイヤモンドカッターで切断し、光学顕微鏡で観察して、リードフレームとフィルム状接着剤片との界面、及びポリイミド膜とフィルム状接着剤片との界面に、剥離が発生しているか否かを観察し、信頼性を評価した。半導体パッケージは２４個組立て、以下の基準で信頼性を評価した。

（評価基準）
ＡＡ：温度８５℃、相対湿度８５％において１６８時間吸湿させた後、２４個全ての半導体パッケージにおいて剥離不良の発生が認められない
Ａ：上記ＡＡには該当しないが、温度８５℃、相対湿度６０％において１６８時間吸湿させた後、２４固全ての半導体パッケージにおいて剥離不良の発生が認められない
Ｂ：温度８５℃、相対湿度６０％ＲＨにおいて１６８時間吸湿させた後、１個以上の半導体パッケージにおいて剥離不良が発生し、剥離箇所が全てフィルム状接着剤とリードフレーム間で発生
Ｃ：温度８５℃、相対湿度６０％ＲＨにおいて１６８時間吸湿させた後、１個以上の半導体パッケージにおいて剥離不良が発生し、フィルム状接着剤とポリイミド膜間で少なくとも１つの剥離不良が発生

上記の各試験結果を下表に示す。

上記表１及び２に示される通り、フィルム状接着剤に使用するポリウレタン樹脂のＴｇが本発明で規定するよりも低いと、ピックアップ後にニードル痕が残りやすく、ダイアタッチ後にはボイドを生じやすく、また、信頼性評価においては良好な結果を示すものの、本発明で規定するポリウレタン樹脂を用いた場合に比べると、明らかに劣る結果となった（比較例１、２）
また、エポキシ樹脂に組み合わせる樹脂としてポリウレタン樹脂以外の樹脂を適用した場合、ダイシェア強度維持率が低く、信頼性にも劣る結果となった（比較例３、４）
また、本発明で規定するポリウレタン樹脂を用いた場合でも、含有量が本発明で規定するよりも多いと、実装においてボイドを生じやすく、また、ダイシェア強度とその維持率がいずれも低く、半導体パッケージの信頼性にも劣る結果となった（比較例５）。逆にポリウレタン樹脂の含有量が本発明で規定するよりも少ないと、比較例５に比べて、さらにニードル痕も残りやすいものとなった（比較例６）。
これに対し、本発明で規定する成分組成のフィルム状接着剤は、いずれもピックアップ工程においてニードル痕を生じにくく、実装においてはボイドを生じにくく、ダイシェア強度も十分に高く、高温高湿条件下でもダイシェア強度を十分に維持でき、半導体パッケージの信頼性にも優れていた（実施例１～６）。

１ 半導体ウェハ
２ 接着剤層（フィルム状接着剤）
３ ダイシングフィルム（ダイシングテープ）
４ 半導体チップ
５ フィルム状接着剤片付き半導体チップ
６ 配線基板
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
９ 半導体パッケージ

Claims (9)

1. エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）及び無機充填材（Ｄ）を含有し、
   前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）が、動的粘弾性測定におけるｔａｎδのピークトップ温度が０℃以上であり、
   前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占める前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の割合が２～５０質量％である、ダイアタッチフィルム用接着剤用組成物。
2. 前記ダイアタッチフィルム用接着剤用組成物を用いて形成した、硬化前のフィルム状接着剤を、２５℃から５℃／分の昇温速度で昇温したとき、１２０℃における溶融粘度が１００～１００００Ｐａ・ｓの範囲にある、請求項１に記載のダイアタッチフィルム用接着剤用組成物。
3. 請求項１又は２に記載のダイアタッチフィルム用接着剤用組成物により得られてなるダイアタッチフィルム用フィルム状接着剤。
4. 厚みが１～２０μｍである、請求項３に記載のダイアタッチフィルム用フィルム状接着剤。
5. 半導体パッケージの製造方法であって、
   表面に少なくとも１つの半導体回路が形成された半導体ウェハの裏面に、請求項３又は４に記載のダイアタッチフィルム用フィルム状接着剤を熱圧着して接着剤層を設け、前記接着剤層を介してダイシングフィルムを設ける第１の工程と、
   前記半導体ウェハと前記接着剤層とを一体にダイシングすることにより、ダイシングフィルム上に、フィルム状接着剤片と半導体チップとを備える接着剤層付き半導体チップを得る第２の工程と、
   前記接着剤層付き半導体チップを前記ダイシングフィルムから剥離して、前記接着剤層付き半導体チップと配線基板とを前記接着剤層を介して熱圧着する第３の工程と、
   前記接着剤層を熱硬化する第４の工程と、
   を含む、半導体パッケージの製造方法。
6. 半導体チップと配線基板、又は、半導体チップ間が、請求項３又は４に記載のダイアタッチフィルム用フィルム状接着剤の熱硬化体により接着されてなる、半導体パッケージ。
7. エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）及び無機充填材（Ｄ）を含有し、
   前記エポキシ樹脂（Ａ）のエポキシ当量が５００ｇ／ｅｑ以下であり、
   前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）が、動的粘弾性測定におけるｔａｎδのピークトップ温度が０℃以上６０℃以下であり、
   前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占める前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の割合が４～４０質量％である、接着剤用組成物。
8. エポキシ樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂硬化剤（Ｂ）、ポリウレタン樹脂（Ｃ）及び無機充填材（Ｄ）を含有し、
   前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）が、動的粘弾性測定におけるｔａｎδのピークトップ温度が０℃以上６０℃以下であり、
   前記エポキシ樹脂（Ａ）と前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の各含有量の合計に占める前記ポリウレタン樹脂（Ｃ）の割合が４～４０質量％である、接着剤用組成物（ただし、重量平均分子量が５０万以上、１００万以下で、エポキシ基を有するアクリル系樹脂を含む接着剤用組成物を除く）。
9. 請求項７又は８に記載の接着剤用組成物により得られてなるフィルム状接着剤。
   

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