JP2022102458A - 半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤及びその製造方法、並びにダイシング・ダイボンディング一体型フィルム - Google Patents

Abstract

【課題】優れた放熱性を有する半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基材層４０と、粘着剤層３０と、フィルム状接着剤からなる接着剤層１０とをこの順に備える、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００を準備する工程と、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００の接着剤層１０に半導体ウェハＷを貼り付ける工程と、接着剤層１０を貼り付けた半導体ウェハＷをダイシングすることによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体チップ６０を作製する工程と、接着剤片付き半導体チップ６０を支持部材８０に接着剤片１０ａを介して接着する工程とを備える。フィルム状接着剤は、第１の銀粒子と、平均粒径が第１の銀粒子よりも大きい第２の銀粒子と、熱硬化性樹脂成分とを含有する。【選択図】図３

Description

本開示は、半導体装置の製造方法、フィルム状接着剤及びその製造方法、並びにダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに関する。

従来、半導体装置は以下の工程を経て製造される。まず、ダイシング用粘着シートに半導体ウェハを貼り付け、その状態で半導体ウェハを半導体チップに個片化する（ダイシング工程）。その後、ピックアップ工程、圧着工程、及びダイボンディング工程等が実施される。特許文献１には、ダイシング工程において半導体ウェハを固定する機能と、ダイボンディング工程において半導体チップを基板と接着させる機能とを併せ持つ粘接着フィルム（ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム）が開示されている。ダイシング工程において、半導体ウェハ及び接着剤層を個片化することによって、接着剤片付き半導体チップを得ることができる。

近年、電力の制御等を行うパワー半導体装置と称されるデバイスが普及している。パワー半導体装置は供給される電流に起因して熱が発生し易く、優れた放熱性が求められる。特許文献２には、硬化前の放熱性より硬化後の放熱性が高い導電性フィルム状接着剤（フィルム状接着剤）及びフィルム状接着剤付きダイシングテープ（ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム）が開示されている。

特開２００８－２１８５７１号公報 特開２０１６－１０３５２４号公報

しかしながら、従来のフィルム状接着剤又はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いて製造される半導体装置は、放熱性が充分でなく、未だ改善の余地がある。

そこで、本開示は、優れた放熱性を有する半導体装置の製造方法を提供することを主な目的とする。

本開示の発明者らが上記課題を検討すべく検討したところ、半導体チップと支持部材とを接着する接着部材として、所定の組み合わせの銀粒子を用いたフィルム状接着剤を用いたところ、得られる半導体装置の放熱性が向上することを見出し、本開示の発明を完成するに至った。

本開示の一側面は、半導体装置の製造方法に関する。当該半導体装置の製造方法は、基材層と、粘着剤層と、フィルム状接着剤からなる接着剤層とをこの順に備える、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層に半導体ウェハを貼り付ける工程と、接着剤層を貼り付けた半導体ウェハをダイシングすることによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体チップを作製する工程と、接着剤片付き半導体チップを支持部材に接着剤片を介して接着する工程とを備える。当該フィルム状接着剤は、第１の銀粒子と、平均粒径が第１の銀粒子よりも大きい第２の銀粒子と、熱硬化性樹脂成分とを含有する。このような半導体装置の製造方法によれば、接着部材が放熱パスを形成して高い熱伝導率を示すものとなり、得られる半導体装置は、優れた放熱性を有するものとなる。

第１の銀粒子の平均粒径及び第２の銀粒子の平均粒径はいずれも０．０１～１０μｍであってよい。第２の銀粒子の平均粒径は、第１の銀粒子の平均粒径の２倍を超えていてもよい。

第１の銀粒子及び第２の銀粒子の合計の含有量は、フィルム状接着剤全量を基準として、７５～９５質量％あってよい。フィルム状接着剤全量を基準としたとき、第１の銀粒子の含有量に対する第２の銀粒子の含有量の質量比は、３．１倍以上であってよい。フィルム状接着剤全量を基準としたとき、第１の銀粒子の含有量と第２の銀粒子の含有量との質量比は、７６：２４～８４：１６であってよい。

フィルム状接着剤の硬化物の熱伝導率は、５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってよい。

フィルム状接着剤は、エラストマーをさらに含有していてもよい。熱硬化性樹脂成分は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含んでいてもよい。エポキシ樹脂は、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。

本開示の他の一側面は、フィルム状接着剤の製造方法に関する。当該フィルム状接着剤の製造方法は、第１の銀粒子と、平均粒径が第１の銀粒子よりも大きい第２の銀粒子と、有機溶媒とを含有する原料ワニスを混合し、第１の銀粒子と、第２の銀粒子と、有機溶媒と、熱硬化性樹脂成分とを含有する接着剤ワニスを調製する工程と、接着剤ワニスを用いて、フィルム状接着剤を形成する工程とを備える。このような製造方法によって得られるフィルム状接着剤を用いることによって、優れた放熱性を有する半導体装置を作製することができる。

本開示の他の一側面は、フィルム状接着剤に関する。当該フィルム状接着剤は、第１の銀粒子と、平均粒径が第１の銀粒子よりも大きい第２の銀粒子と、熱硬化性樹脂成分とを含有する。このようなフィルム状接着剤を用いることによって、優れた放熱性を有する半導体装置を作製することができる。

本開示の他の一側面は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに関する。当該ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、基材層と、粘着剤層と、上記のフィルム状接着剤からなる接着剤層とをこの順に備える。このようなダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いることによって、優れた放熱性を有する半導体装置を作製することができる。

本開示は、優れた放熱性を有する半導体装置の製造方法が提供される。また、本開示によれば、優れた放熱性を有する半導体装置を製造することが可能なフィルム状接着剤及びその製造方法、並びにダイシング・ダイボンディング一体型フィルムが提供される。

図１は、フィルム状接着剤の一実施形態を示す模式断面図である。 図２は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。 図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）は、各工程を模式的に示す断面図である。 図４は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。

以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。

本明細書中、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。また、個別に記載した上限値及び下限値は任意に組み合わせ可能である。また、本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート、及び、それに対応するメタクリレートの少なくとも一方を意味する。「（メタ）アクリロイル」等の他の類似の表現においても同様である。また、「（ポリ）」とは「ポリ」の接頭語がある場合とない場合の双方を意味する。また、「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。また、以下で例示する材料は、特に断らない限り、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。

［フィルム状接着剤］
図１は、フィルム状接着剤の一実施形態を示す模式断面図である。図１に示されるフィルム状接着剤１０Ａは、熱硬化性であり、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、硬化処理後に完全硬化（Ｃステージ）状態となるものである。フィルム状接着剤１０Ａは、図１に示すとおり、支持フィルム２０上に設けられていてもよい。フィルム状接着剤１０Ａは、半導体チップと支持部材との接着又は半導体チップ同士の接着に使用されるダイボンディングフィルムであり得る。

支持フィルム２０としては、特に制限されないが、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等のフィルムなどが挙げられる。支持フィルムは、離型処理が施されていてもよい。支持フィルム２０の厚さは、例えば、１０～２００μｍ又は２０～１７０μｍであってよい。

フィルム状接着剤１０Ａは、第１の銀粒子（以下、「（Ａ）成分」という場合がある。）と、平均粒径が第１の銀粒子よりも大きい第２の銀粒子（以下、「（Ｂ）成分」という場合がある。）と、熱硬化性樹脂成分（以下、「（Ｃ）成分」という場合がある。）とを含有し、必要に応じて、エラストマー（以下、「（Ｄ）成分」という場合がある。）、カップリング剤（以下、「（Ｅ）成分」という場合がある。）、硬化促進剤（以下、「（Ｆ）成分」という場合がある。）等をさらに含有していてもよい。

（Ａ）成分：第１の銀粒子、（Ｂ）成分：第２の銀粒子
（Ａ）成分及び（Ｂ）成分としての銀粒子は、フィルム状接着剤における放熱性を高めるための成分である。（Ｂ）成分は、平均粒径が（Ａ）成分よりも大きい銀粒子である。銀粒子は、例えば、銀から構成される粒子（銀単独で構成される粒子）又は金属粒子（銅粒子等）の表面を銀で被覆した銀被覆金属粒子であってもよい。銀被覆金属粒子としては、例えば、銀被覆銅粒子等が挙げられる。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分は、銀から構成される粒子であってよい。

（Ａ）成分及び（Ｂ）成分としての銀粒子としては、特に制限されないが、例えば、還元法によって製造された銀粒子（還元剤を用いた液相（湿式）還元法によって製造された銀粒子）、アトマイズ法によって製造された銀粒子等が挙げられる。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分としての銀粒子は、いずれも還元法によって製造された銀粒子であってよい。

還元剤を用いた液相（湿式）還元法においては、通常、粒径制御、凝集・融着防止の観点から表面処理剤（滑剤）が添加されており、還元剤を用いた液相（湿式）還元法によって製造された銀粒子は、表面処理剤（滑剤）によって表面が被覆されている。そのため、還元法によって製造された銀粒子は、表面処理剤で表面処理された銀粒子ということもできる。表面処理剤は、オレイン酸（融点：１３．４℃）、ミリスチン酸（融点：５４．４℃）、パルミチン酸（融点：６２．９℃）、ステアリン酸（融点：６９．９℃）等の脂肪酸化合物、オレイン酸アミド（融点：７６℃）、ステアリン酸アミド（融点：１００℃）等の脂肪酸アミド化合物、ペンタノール（融点：－７８℃）、ヘキサノール（融点：－５１．６℃）、オレイルアルコール（融点：１６℃）、ステアリルアルコール（融点：５９．４℃）等の脂肪族アルコール化合物、オレアニトリル（融点：－１℃）等の脂肪族ニトリル化合物などが挙げられる。表面処理剤は、融点が低く（例えば、融点１００℃以下）、有機溶媒への溶解性が高い表面処理剤であってよい。

（Ａ）成分及び（Ｂ）成分としての銀粒子の形状は、特に制限されず、例えば、フレーク状、樹脂状、球状等であってよく、球状であってもよい。銀粒子の形状が球状であると、フィルム状接着剤の表面粗さ（Ｒａ）が改善され易い傾向にある。

（Ａ）成分及び（Ｂ）成分としての銀粒子の平均粒径は、０．０１～１０μｍであってよい。銀粒子の平均粒径が０．０１μｍ以上であると、接着剤ワニスを作製したときの粘度上昇を防ぎことができる、所望の量の銀粒子をフィルム状接着剤に含有させることができる、フィルム状接着剤の被着体への濡れ性を確保してより良好な接着性を発揮させることができる等の効果が奏される傾向にある。銀粒子の平均粒径が１０μｍ以下であると、フィルム成形性により優れ、銀粒子の添加による放熱性をより向上させることができる傾向にある。また、銀粒子の平均粒径が１０μｍ以下であることによって、フィルム状接着剤の厚さをより薄くすることができ、さらに半導体チップを高積層化することができるとともに、フィルム状接着剤から銀粒子が突き出すことによる半導体チップのクラックの発生を防止することができる傾向にある。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分としての銀粒子の平均粒径は、０．１μｍ以上、０．３μｍ以上、又は０．５μｍ以上であってもよく、８．０μｍ以下、７．０μｍ以下、６．０μｍ以下、５．０μｍ以下、４．０μｍ以下、又は３．０μｍ以下であってもよい。

なお、本明細書において、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分としての銀粒子の平均粒径は、銀粒子全体の体積に対する比率（体積分率）が５０％のときの粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ_５０））を意味する。平均粒径（Ｄ_５０）は、レーザー散乱型粒径測定装置（例えば、マイクロトラック）を用いて、水中に銀粒子を懸濁させた懸濁液をレーザー散乱法によって測定することによって求めることができる。

（Ａ）成分としての銀粒子の平均粒径は、例えば、０．０１μｍ以上１μｍ以下であり得る。（Ａ）成分としての銀粒子の平均粒径は、０．１μｍ以上１μｍ以下又は０．５μｍ以上１μｍ以下であってよい。

（Ｂ）成分としての銀粒子の平均粒径は、１μｍを超え１０μｍ以下であり得る。（Ｂ）成分としての銀粒子の平均粒径は、１μｍを超え８．０μｍ以下、１μｍを超え７．０μｍ以下、１μｍを超え６．０μｍ以下、１μｍを超え５．０μｍ以下、１μｍを超え４．０μｍ以下、又は１μｍを超え３．０μｍ以下であってよい。

（Ｂ）成分は、平均粒径が（Ａ）成分よりも大きい銀粒子であり、（Ａ）成分の平均粒径の２倍を超えていてもよい。（Ｂ）成分は、例えば、（Ａ）成分の平均粒径の１０倍以下、８倍以下、６倍以下、又は５倍以下であってよい。

（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、７５～９５質量％であってよい。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、７５質量％以上であると、フィルム状接着剤の熱伝導率をより向上させることができ、半導体装置の放熱性をより向上させることができる傾向にある。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、７８質量％以上、８０質量％以上、又は８２質量％以上であってもよい。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量が、フィルム状接着剤の全量を基準として、９５質量％以下であると、フィルム状接着剤に他の成分をより充分に含有させることができ、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを形成した場合において、接着剤層と粘着剤層との接着性がより充分となる傾向にある。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、９２質量％以下、９０質量％以下、９０質量％未満、又は８８質量％以下であってもよい。なお、接着剤ワニスの固形分全量を基準としたときの（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計の含有量は上記範囲と同様であってよい。

フィルム状接着剤全量を基準としたとき、（Ａ）成分の含有量に対する（Ｂ）成分の含有量の質量比（（Ｂ）成分の含有量／（Ａ）成分の含有量）は、３．１倍以上であってよい。当該質量比が３．１倍以上であると、フィルム状接着剤の接着力と熱伝導率とをより両立させることができる。当該質量比は、３．２倍以上又は３．３倍以上であってもよい。当該質量比の上限は、例えば、６倍以下、５倍以下、又は４倍以下であってよい。なお、接着剤ワニスの固形分全量を基準としたときの当該質量比は上記範囲と同様であってよい。

フィルム状接着剤全量を基準としたとき、（Ａ）成分の含有量と（Ｂ）成分の含有量との質量比は、７６：２４～８４：１６であってよい。当該質量比がこのような範囲であると、フィルム状接着剤の接着力と熱伝導率とをより両立させることができる。当該質量比は、７６：２４～８２：１８又は７６：２４～８０：２０であってよい。なお、接着剤ワニスの固形分全量を基準としたときの当該質量比は上記範囲と同様であってよい。

（Ｃ）成分：熱硬化性樹脂成分
（Ｃ）成分は、例えば、熱硬化性樹脂（以下、「（Ｃ１）成分」という場合がある。）と硬化剤（以下、「（Ｃ２）成分」という場合がある。）との組み合わせであってよい。（Ｃ１）成分は、加熱等によって、分子間で三次元的な結合を形成し硬化する性質を有する成分であり、硬化後に接着作用を示す成分である。（Ｃ１）成分は、エポキシ樹脂であってよい。（Ｃ２）成分は、エポキシ樹脂の硬化剤となり得るフェノール樹脂であってよい。（Ｃ）成分は、（Ｃ１）成分としてのエポキシ樹脂及び（Ｃ２）成分としてのフェノール樹脂を含んでいてもよい。

（エポキシ樹脂）
エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。エポキシ樹脂は、分子内に２以上のエポキシ基を有しているものであってよい。エポキシ樹脂は、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

エポキシ樹脂は、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。このようなエポキシ樹脂を含むことによって、フィルム状接着剤の表面粗さ（Ｒａ）が改善され易い傾向にある。２５℃で液状のエポキシ樹脂の市販品としては、例えば、ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製）、ＹＤＦ－８１７０Ｃ（商品名、日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社）等が挙げられる。

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、特に制限されないが、９０～３００ｇ／ｅｑ又は１１０～２９０ｇ／ｅｑであってよい。エポキシ樹脂のエポキシ当量がこのような範囲にあると、フィルム状接着剤のバルク強度を維持しつつ、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤ワニスの流動性を確保し易い傾向にある。

（Ｃ１）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、０．１質量％以上、１質量％以上、２質量％以上、又は３質量％以上であってよく、１５質量％以下、１２質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、又は６質量％以下であってよい。なお、接着剤ワニスの固形分全量を基準としたときの（Ｃ１）成分の含有量は上記範囲と同様であってよい。

（Ｃ１）成分として２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む場合、（Ｃ１）成分の全量に対する当該エポキシ樹脂の質量比（当該エポキシ樹脂の質量／（Ｃ１）成分の全質量）は、百分率で、１０～１００％、４０～１００％、６０％～１００％、又は８０％～１００％であってよい。なお、接着剤ワニスにおける（Ｃ１）成分の全量に対する当該エポキシ樹脂の質量比は上記範囲と同様であってよい。（Ｃ１）成分として２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む場合、当該エポキシ樹脂の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、０．１質量％以上、１質量％以上、２質量％以上、又は３質量％以上であってよく、１５質量％以下、１２質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、又は６質量％以下であってよい。なお、接着剤ワニスの固形分全量を基準としたときの当該エポキシ樹脂の含有量は上記範囲と同様であってよい。

（フェノール樹脂）
フェノール樹脂は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、フェニルアラルキル型フェノール樹脂などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

フェノール樹脂の水酸基当量は、４０～３００ｇ／ｅｑ、７０～２９０ｇ／ｅｑ、又は１００～２８０ｇ／ｅｑであってよい。フェノール樹脂の水酸基当量が４０ｇ／ｅｑ以上であると、フィルムの貯蔵弾性率がより向上する傾向にあり、３００ｇ／ｅｑ以下であると、発泡、アウトガス等の発生による不具合を防ぐことが可能となる。

（Ｃ１）成分であるエポキシ樹脂のエポキシ当量と（Ｃ２）成分であるフェノール樹脂の水酸基当量との比（（Ｃ１）成分であるエポキシ樹脂のエポキシ当量／（Ｃ２）成分であるフェノール樹脂の水酸基当量）は、硬化性の観点から、０．３０／０．７０～０．７０／０．３０、０．３５／０．６５～０．６５／０．３５、０．４０／０．６０～０．６０／０．４０、又は０．４５／０．５５～０．５５／０．４５であってよい。当該当量比が０．３０／０．７０以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が０．７０／０．３０以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。

（Ｃ２）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、０．１質量％以上、０．５質量％以上、１質量％以上、又は２質量％以上であってよく、１５質量％以下、１２質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、又は６質量％以下であってよい。なお、接着剤ワニスの固形分全量を基準としたときの（Ｃ２）成分の含有量は上記範囲と同様であってよい。

（Ｃ）成分の含有量（（Ｃ１）成分及び（Ｃ２）成分の合計の含有量）は、フィルム状接着剤の全量を基準として、０．１質量％以上、１質量％以上、３質量％以上、又は５質量％以上であってよく、３０質量％以下、２５質量％以下、２０質量％以下、又は１５質量％以下であってよい。なお、接着剤ワニスの固形分全量を基準としたときの（Ｃ）成分の含有量は上記範囲と同様であってよい。

（Ｄ）成分：エラストマー
（Ｄ）成分としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。（Ｄ）成分は、これらの樹脂であって、架橋性官能基を有する樹脂であってよく、架橋性官能基を有するアクリル樹脂であってもよい。ここで、アクリル樹脂とは、（メタ）アクリレート（（メタ）アクリル酸エステル）に由来する構成単位を含む（メタ）アクリル（共）重合体を意味する。アクリル樹脂は、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシ基等の架橋性官能基を有する（メタ）アクリレートに由来する構成単位を含む（メタ）アクリル（共）重合体であってよい。また、アクリル樹脂は、（メタ）アクリレートとアクリルニトリルとの共重合体等のアクリルゴムであってもよい。これらのエラストマーは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

アクリル樹脂の市販品としては、例えば、ＳＧ－Ｐ３、ＳＧ－７０Ｌ、ＳＧ－７０８－６、ＷＳ－０２３ ＥＫ３０、ＳＧ－２８０ ＥＫ２３、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ－３ＤＢ（いずれもナガセケムテックス株式会社製）等が挙げられる。

（Ｄ）成分としてのエラストマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、－５０～５０℃又は－３０～２０℃であってよい。Ｔｇが－５０℃以上であると、フィルム状接着剤のタック性が低くなるため取り扱い性がより向上する傾向にある。Ｔｇが５０℃以下であると、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤ワニスの流動性をより充分に確保できる傾向にある。ここで、（Ｄ）成分としてのエラストマーのＴｇは、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、株式会社リガク製、商品名：Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ２）を用いて測定した値を意味する。

（Ｄ）成分としてのエラストマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５万～１６０万、１０万～１４０万、又は３０万～１２０万であってよい。（Ｄ）成分としてのエラストマーのガラス転移温度が５万以上であると、成膜性により優れる傾向にある。（Ｄ）成分の重量平均分子量が１６０万以下であると、フィルム状接着剤を形成する際の接着剤ワニスの流動性により優れる傾向にある。ここで、（Ｄ）成分としてのエラストマーのＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。

（Ｄ）成分としてのエラストマーのＭｗの測定装置、測定条件等は、例えば、以下のとおりである。
ポンプ：Ｌ－６０００（株式会社日立製作所製）
カラム：ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ－Ｒ４４０（日立化成株式会社製）、ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ－Ｒ４５０（日立化成株式会社製）、及びゲルパックＧＬ－Ｒ４００Ｍ（日立化成株式会社製）（各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラム
溶離液：テトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」という。）
サンプル：試料１２０ｍｇをＴＨＦ５ｍＬに溶解させた溶液
流速：１．７５ｍＬ／分

（Ｄ）成分の含有量は、フィルム状接着剤の全量を基準として、０．１質量％以上、０．５質量％以上、１質量％以上、２質量％以上、又は３質量％以上であってよく、１５質量％以下、１２質量％以下、１０質量％以下、８質量％以下、又は６質量％以下であってよい。なお、接着剤ワニスの固形分全量を基準としたときの（Ｄ）成分の含有量は上記範囲と同様であってよい。

（Ｅ）成分：カップリング剤
（Ｅ）成分は、シランカップリング剤であってよい。シランカップリング剤としては、例えば、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

（Ｆ）成分：硬化促進剤
（Ｆ）成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、反応性の観点から（Ｆ）成分はイミダゾール類及びその誘導体であってもよい。

イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

フィルム状接着剤は、その他の成分をさらに含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、顔料、イオン補捉剤、酸化防止剤等が挙げられる。

（Ｅ）成分、（Ｆ）成分、及びその他の成分の合計の含有量は、フィルム状接着剤の全質量を基準として、０．００５～１０質量％であってよい。なお、接着剤ワニスの固形分全量を基準としたときの（Ｅ）成分、（Ｆ）成分、及びその他の成分の合計の含有量は上記範囲と同様であってよい。

［フィルム状接着剤の製造方法］
図１に示されるフィルム状接着剤１０Ａは、例えば、（Ａ）成分と、（Ｂ）成分と、有機溶媒とを含有する原料ワニスを混合し、（Ａ）成分と、（Ｂ）成分と、有機溶媒と、（Ｃ）成分とを含有する接着剤ワニスを調製する工程（混合工程）と、接着剤ワニスを用いて、フィルム状接着剤を形成する工程（形成工程）とを備える製造方法によって得ることができる。接着剤ワニスは、必要に応じて、（Ｄ）成分、（Ｅ）成分、（Ｆ）成分、その他の成分等をさらに含有していてもよい。

（混合工程）
混合工程は、（Ａ）成分と、（Ｂ）成分と、有機溶媒とを含有する原料ワニスを混合し、（Ａ）成分と、（Ｂ）成分と、有機溶媒と、（Ｃ）成分とを含有する接着剤ワニスを調製する工程である。

有機溶媒は、（Ａ）成分以外の成分を溶解できるものであれば特に制限されない。有機溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミド、ブチルカルビトール、エチルカルビトール等のアルコールなどが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、有機溶媒は、表面処理剤の溶解性及び沸点の観点から、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ブチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート、又はシクロヘキサノンであってもよい。原料ワニス中の固形成分濃度は、原料ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。

原料ワニスは、例えば、撹拌機で使用する容器に各成分を添加することによって得ることができる。この場合、各成分の添加の順序は特に制限されず、各成分の性状に合わせて適宜設定することができる。

混合は、ホモディスパー、スリーワンモーター、ミキシングローター、プラネタリー、らいかい機等の通常の撹拌機を適宜組み合わせて行うことができる。撹拌機は、原料ワニス又は接着剤ワニスの温度条件を管理できるヒーターユニット等の加温設備を備えていてもよい。混合にホモディスパーを用いる場合、ホモディスパーの回転数は４０００回転／分以上であってよい。

混合工程の混合温度は、特に制限されないが、５０℃以上であってよい。混合工程の混合温度は、必要に応じて、加温設備等で加温してもよい。本開示の発明者らの検討によると、混合工程の混合温度が５０℃以上であると、例えば、銀粒子（好ましくは還元法によって製造された銀粒子）を用いた場合において、得られるフィルム状接着剤は、Ｃステージ状態において、銀粒子の焼結体を含むものとなり得ることが見出された。このような現象は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分として、還元法によって製造された銀粒子を用いたときにより顕著に発現する。このような現象が発現する理由は、必ずしも明らかではないが、本開示の発明者らは、以下のように考えている。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分としての（還元剤を用いた液相（湿式）還元法によって製造された）銀粒子は、通常、表面処理剤（滑剤）によって表面が被覆されている。ここで、混合工程の混合温度が５０℃以上であると、銀粒子を被覆している表面処理剤が解離して（還元状態にある）銀表面が露出し易くなると推測される。さらに、このような銀表面が露出した銀粒子同士は、直接接触し易いことから、フィルム状接着剤を硬化させる条件で加熱すると、銀粒子同士が焼結して銀粒子の焼結体を形成し易くなると推測される。これによって、フィルム状接着剤は、Ｃステージ状態において、銀粒子の焼結体を含むものになると考えられる。アトマイズ法によって製造された銀粒子は、その製造方法上の特性により、銀粒子の表面に酸化銀膜で覆われている。本開示の発明者らの検討によると、アトマイズ法によって製造された銀粒子を用いた場合、混合工程の混合温度が５０℃以上であっても、得られるフィルム状接着剤は、Ｃステージ状態において、銀粒子の焼結体を含むものとなり難いことを確認している。混合工程の混合温度は、５５℃以上、６０℃以上、６５℃以上、又は７０℃以上であってもよい。混合工程の混合温度の上限は、例えば、１２０℃以下、１００℃以下、又は８０℃以下であってよい。混合工程の混合時間は、例えば、１分以上、５分以上、又は１０分以上であってよく、６０分以下、４０分以下、又は２０分以下であってよい。

（Ｃ）成分、（Ｄ）成分、（Ｅ）成分、（Ｆ）成分、又はその他の成分は、各成分の性状に合わせて、任意の段階で接着剤ワニスに含有させることができる。これらの成分は、例えば、混合工程前に原料ワニスに添加することによって接着剤ワニスに含有させてもよいし、混合工程後に、接着剤ワニスに添加することによって含有させてもよい。（Ｅ）成分及び（Ｆ）成分は、混合工程後に、接着剤ワニスに添加することによって含有させることが好ましい。混合工程後に、接着剤ワニスに添加する場合、添加後において、例えば、５０℃未満の温度条件（例えば、室温（２５℃））下で混合してもよい。この場合の条件は、室温（２５℃））下で０．１～４８時間であってよい。

このようにして、（Ａ）成分と、（Ｂ）成分と、有機溶媒と、（Ｃ）成分とを含有する接着剤ワニスを調製することができる。接着剤ワニスは、調製後において、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去してもよい。

接着剤ワニス中の固形成分濃度は、接着剤ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。

（形成工程）
形成工程は、接着剤ワニスを用いて、フィルム状接着剤を形成する工程である。フィルム状接着剤を形成する方法としては、例えば、接着剤ワニスを支持フィルムに塗布する方法等が挙げられる。

接着剤ワニスを支持フィルムに塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。

接着剤ワニスを支持フィルムに塗布した後、必要に応じて、有機溶媒を加熱乾燥してもよい。加熱乾燥は、使用した有機溶媒が充分に揮発する条件であれば特に制限はないが、例えば、加熱乾燥温度は５０～２００℃であってよく、加熱乾燥時間は０．１～３０分であってよい。加熱乾燥は、異なる加熱乾燥温度又は加熱乾燥時間で段階的に行ってもよい。

このようにして、フィルム状接着剤１０Ａを得ることができる。フィルム状接着剤１０Ａの厚さは、用途に合わせて適宜調整することができるが、例えば、３μｍ以上、５μｍ以上、又は１０μｍ以上であってよく、２００μｍ以下、１００μｍ以下、５０μｍ以下、又は３０μｍ以下であってよい。

Ｃステージ状態において、フィルム状接着剤１０Ａの熱伝導率（３５℃）は、５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってよい。熱伝導率が５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であると、半導体装置の放熱性がより優れる傾向にある。熱伝導率は、５．２Ｗ／ｍ・Ｋ以上、５．４Ｗ／ｍ・Ｋ以上、５．６Ｗ／ｍ・Ｋ以上、５．８Ｗ／ｍ・Ｋ以上、又は６．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってもよい。フィルム状接着剤１０ＡのＣステージ状態における熱伝導率（３５℃）の上限は、特に制限されないが、３０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であってよい。なお、本明細書において、熱伝導率は、実施例に記載の方法で算出される値を意味する。また、フィルム状接着剤１０Ａを硬化させてＣステージ状態とするための加熱条件は、例えば、加熱温度１１０℃で加熱時間１時間、次いで、加熱温度１７０℃で加熱時間３時間とすることができる。

［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法］
図２は、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す模式断面図である。図２に示されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、基材層４０と、粘着剤層３０と、フィルム状接着剤１０Ａからなる接着剤層１０とをこの順に備えている。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、基材層４０及び基材層４０上に設けられた粘着剤層３０を備えるダイシングテープ５０と、ダイシングテープ５０の粘着剤層３０上に設けられた接着剤層１０とを備えているということもできる。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、フィルム状、シート状、テープ状等であってもよい。ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、接着剤層１０の粘着剤層３０とは反対側の表面上に支持フィルム２０が備えられていてもよい。

ダイシングテープ５０における基材層４０としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。また、基材層４０は、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が施されていてもよい。

ダイシングテープ５０における粘着剤層３０は、ダイシング時には半導体チップが飛散しない充分な粘着力を有し、その後の半導体チップのピックアップ工程においては半導体チップを傷つけない程度の低い粘着力を有するものであれば特に制限されず、ダイシングテープの分野で従来公知のものを使用することができる。粘着剤層３０は、感圧型粘着剤からなる粘着剤層であっても、紫外線硬化型の粘着剤からなる粘着剤層であってもよい。粘着剤層が紫外線硬化型の粘着剤からなる粘着剤層である場合、粘着剤層は紫外線を照射することによって粘着性を低下させることができる。

ダイシングテープ５０（基材層４０及び粘着剤層３０）の厚さは、経済性及びフィルムの取扱い性の観点から、６０～１５０μｍ又は７０～１３０μｍであってよい。

図２に示されるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、フィルム状接着剤１０Ａ、並びに、基材層４０及び基材層４０上に設けられた粘着剤層３０を備えるダイシングテープ５０を準備する工程と、フィルム状接着剤１０Ａと、ダイシングテープ５０の粘着剤層３０とを貼り合わせる工程とを備える製造方法によって得ることができる。フィルム状接着剤１０Ａと、ダイシングテープ５０の粘着剤層３０とを貼り合わせる方法としては、公知の方法を用いることができる。

［半導体装置の製造方法］
図３は、半導体装置の製造方法の一実施形態を示す模式断面図である。図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、及び（ｆ）は、各工程を模式的に示す断面図である。半導体装置の製造方法は、上記のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００の接着剤層１０に半導体ウェハＷを貼り付ける工程（ウェハラミネート工程、図３（ａ）、（ｂ）参照）と、接着剤層１０を貼り付けた半導体ウェハＷをダイシングすることによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体チップ６０を作製する工程（ダイシング工程、図３（ｃ）参照）と、接着剤片付き半導体チップ６０を支持部材８０に接着剤片１０ａを介して接着する工程（半導体チップ接着工程、図３（ｆ）参照））とを備えている。半導体装置の製造方法は、ダイシング工程と半導体チップ接着工程との間に、必要に応じて、粘着剤層３０に対して（基材層４０を介して）紫外線を照射する工程（紫外線照射工程、図３（ｄ）参照）と、粘着剤層３０ａから接着剤片１０ａが付着した半導体チップＷａ（接着剤片付き半導体チップ６０）をピックアップする工程（ピックアップ工程、図３（ｅ）参照）と、支持部材８０に接着された接着剤片付き半導体チップ６０における接着剤片１０ａを熱硬化させる工程（熱硬化工程）とをさらに備えていてもよい。

＜ウェハラミネート工程＞
本工程では、まず、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００を所定の装置に配置する。続いて、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００の接着剤層１０に半導体ウェハＷの表面Ｗｓを貼り付ける（図３（ａ）、（ｂ）参照）。半導体ウェハＷの回路面は、表面Ｗｓとは反対側の面に設けられていてもよい。

半導体ウェハＷとしては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウムヒ素等の化合物半導体などが挙げられる。

＜ダイシング工程＞
本工程では、半導体ウェハＷ及び接着剤層１０をダイシングして個片化する（図３（ｃ）参照）。このとき、粘着剤層３０の一部、又は、粘着剤層３０の全部及び基材層４０の一部がダイシングされて個片化されていてもよい。このように、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１００は、ダイシングシートとしても機能する。

＜紫外線照射工程＞
粘着剤層３０が紫外線硬化型の粘着剤層である場合、半導体装置の製造方法は、紫外線照射工程を備えていてもよい。本工程では、粘着剤層３０に対して（基材層４０を介して）紫外線を照射する（図３（ｄ）参照）。紫外線照射において、紫外線の波長は２００～４００ｎｍであってよい。紫外線照射条件は、照度及び照射量をそれぞれ３０～２４０ｍＷ／ｃｍ^２の範囲及び５０～５００ｍＪ／ｃｍ^２の範囲であってよい。

＜ピックアップ工程＞
本工程では、基材層４０をエキスパンドすることによって、個片化された接着剤片付き半導体チップ６０を互いに離間させつつ、基材層４０側からニードル７２で突き上げられた接着剤片付き半導体チップ６０を吸引コレット７４で吸引して粘着剤層３０ａからピックアップする（図３（ｅ）参照）。なお、接着剤片付き半導体チップ６０は、半導体チップＷａ及び接着剤片１０ａを有する。半導体チップＷａは半導体ウェハＷが個片化されたものであり、接着剤片１０ａは接着剤層１０が個片化されたものである。また、粘着剤層３０ａは粘着剤層３０が個片化されたものである。粘着剤層３０ａは接着剤片付き半導体チップ６０をピックアップした後に基材層４０上に残存し得る。本工程では、必ずしも基材層４０をエキスパンドすることは必要ないが、基材層４０をエキスパンドすることによってピックアップ性をより向上させることができる。

ニードル７２による突き上げ量は、適宜設定することができる。さらに、極薄ウェハに対しても充分なピックアップ性を確保する観点から、例えば、２段又は３段の突き上げを行ってもよい。また、吸引コレット７４を用いる方法以外の方法で接着剤片付き半導体チップ６０をピックアップしてもよい。

＜半導体チップ接着工程＞
本工程では、ピックアップされた接着剤片付き半導体チップ６０を、熱圧着によって、接着剤片１０ａを介して支持部材８０に接着する（図３（ｆ）参照）。支持部材８０には、複数の接着剤片付き半導体チップ６０を接着してもよい。

熱圧着における加熱温度は、例えば、８０～１６０℃であってよい。熱圧着における荷重は、例えば、５～１５Ｎであってよい。熱圧着における加熱時間は、例えば、０．５～２０秒であってよい。

＜熱硬化工程＞
本工程では、支持部材８０に接着された接着剤片付き半導体チップ６０における接着剤片１０ａを熱硬化させる。半導体チップＷａと支持部材８０とを接着している接着剤片１０ａ又は接着剤片の硬化物１０ａｃを（さらに）熱硬化させることによって、より強固に接着固定が可能となる。また、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分が還元法によって製造された銀粒子である場合、接着剤片１０ａ又は接着剤片の硬化物１０ａｃを（さらに）熱硬化させることによって、銀粒子の焼結体がより一層得られ易くなる傾向にある。熱硬化を行う場合、圧力を同時に加えて硬化させてもよい。本工程における加熱温度は、接着剤片１０ａの構成成分によって適宜変更することができる。加熱温度は、例えば、６０～２００℃であってよく、９０～１９０℃又は１２０～１８０℃であってもよい。加熱時間は、３０分～５時間であってよく、１～３時間又は２～３時間であってもよい。なお、温度又は圧力は、段階的に変更しながら行ってもよい。

接着剤片１０ａは、半導体チップ接着工程又は熱硬化工程を経ることによって硬化して、接着剤片の硬化物１０ａｃとなり得る。（Ａ）成分及び（Ｂ）成分が還元法によって製造された銀粒子である場合、接着剤片の硬化物１０ａｃは、銀粒子の焼結体を含み得る。そのため、得られる半導体装置は、優れた放熱性を有するものとなり得る。

半導体装置の製造方法は、必要に応じて、支持部材の端子部（インナーリード）の先端と半導体素子上の電極パッドとをボンディングワイヤで電気的に接続する工程（ワイヤボンディング工程）を備えていてもよい。ボンディングワイヤとしては、例えば、金線、アルミニウム線、銅線等が用いられる。ワイヤボンディングを行う際の温度は、８０～２５０℃又は８０～２２０℃の範囲内であってよい。加熱時間は数秒～数分であってよい。ワイヤボンディングは、上記温度範囲内で加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧とによる圧着エネルギーの併用によって行ってもよい。

半導体装置の製造方法は、必要に応じて、封止材によって半導体素子を封止する工程（封止工程）を備えていてもよい。本工程は、支持部材に搭載された半導体素子又はボンディングワイヤを保護するために行われる。本工程は、封止用の樹脂（封止樹脂）を金型で成型することによって行うことができる。封止樹脂としては、例えばエポキシ系の樹脂であってよい。封止時の熱及び圧力によって支持部材及び残渣が埋め込まれ、接着界面での気泡による剥離を防止することができる。

半導体装置の製造方法は、必要に応じて、封止工程で硬化不足の封止樹脂を完全に硬化させる工程（後硬化工程）を備えていてもよい。封止工程において、接着剤片が熱硬化されない場合でも、本工程において、封止樹脂の硬化とともに接着剤片を熱硬化させて接着固定が可能になる。本工程における加熱温度は、封止樹脂の種類よって適宜設定することができ、例えば、１６５～１８５℃の範囲内であってよく、加熱時間は０．５～８時間程度であってよい。

半導体装置の製造方法は、必要に応じて、支持部材に接着された接着剤片付き半導体素子に対して、リフロー炉を用いて加熱する工程（加熱溶融工程）を備えていてもよい。本工程では支持部材上に、樹脂封止した半導体装置を表面実装してもよい。表面実装の方法としては、例えば、プリント配線板上に予めはんだを供給した後、温風等によって加熱溶融し、はんだ付けを行うリフローはんだ付けなどが挙げられる。加熱方法としては、例えば、熱風リフロー、赤外線リフロー等が挙げられる。また、加熱方法は、全体を加熱するものであってもよく、局部を加熱するものであってもよい。加熱温度は、例えば、２４０～２８０℃の範囲内であってよい。

［半導体装置］
図４は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図４に示される半導体装置２００は、半導体チップＷａと、半導体チップＷａを搭載する支持部材８０と、接着部材１２とを備えている。接着部材１２は、半導体チップＷａ及び支持部材８０の間に設けられ、半導体チップＷａと支持部材８０とを接着している。接着部材１２は、銀粒子の焼結体を含むフィルム状接着剤の硬化物（接着剤片の硬化物１０ａｃ）である。半導体チップＷａの接続端子（図示せず）はワイヤ７０を介して外部接続端子（図示せず）と電気的に接続されていてもよい。半導体チップＷａは、封止材から形成される封止材層９２によって封止されていてもよい。支持部材８０の表面８０Ａと反対側の面に、外部基板（マザーボード）（図示せず）との電気的な接続用として、はんだボール９４が形成されていてもよい。

半導体チップＷａ（半導体素子）は、例えば、ＩＣ（集積回路）等であってよい。支持部材８０としては、例えば、４２アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム；ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックフィルム；ガラス不織布等基材にポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等のプラスチックを含浸、硬化させた変性プラスチックフィルム；アルミナ等のセラミックスなどが挙げられる。

半導体装置２００は、接着部材として、上記フィルム状接着剤の硬化物を備えることから、優れた放熱性を有する。

以下に、本開示を実施例に基づいて具体的に説明するが、本開示はこれらに限定されるものではない。

（実施例１－１及び比較例１－１）
＜接着剤ワニスの調製＞
表１に示す記号及び組成比（単位：質量部）で、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分に、有機溶媒としてのシクロヘキサノンを加え、原料ワニスを調製した。当該原料ワニスをホモディスパー（田島化学機械株式会社製、Ｔ．Ｋ．ＨＯＭＯ ＭＩＸＥＲ ＭＡＲＫ ＩＩ）を用いて、３０℃の混合温度条件で４０００回転／分で２０分撹拌し、接着剤ワニスを得た。次いで、接着剤ワニスに（Ｅ）成分及び（Ｆ）成分を添加し、スリーワンモーターを用いて２５０回転／分で終夜撹拌した。このようにして、実施例１－１及び比較例１－１の固形分６１質量％の接着剤ワニスを調製した。

なお、表１及び後述の表２の各成分の記号は下記のものを意味する。

（Ａ）成分：第１の銀粒子
（Ａ－１）ＡＧ－２－１Ｃ（商品名、ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、形状：球状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ_５０））：０．７μｍ）

（Ｂ）成分：第２の銀粒子
（Ｂ－１）ＡＧ－５－１Ｆ（商品名、ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、形状：球状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ_５０））：２．９μｍ）
（Ｂ－２）ＡＧ－４－１Ｆ（商品名、ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、形状：球状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ_５０））：２．５μｍ）
（Ｂ－３）ＡＧ－３－１Ｆ（商品名、ＤＯＷＡエレクトロニクス株式会社製、形状：球状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ_５０））：１．５μｍ）
（Ｂ－４）Ａｇ－ＨＷＱ（商品名、福田金属箔粉工業株式会社、アトマイズ法によって製造された銀粒子、形状：球状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ_５０））：１．５μｍ）

（Ｃ）成分：熱硬化性樹脂成分
（Ｃ１）成分：熱硬化性樹脂
（Ｃ１－１）ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５９ｇ／ｅｑ、２５℃で液状）
（Ｃ２）成分：硬化剤
（Ｃ２－１）ＭＥＨ－７８００Ｍ（商品名、明和化成株式会社製、フェノール樹脂、水酸基当量：１７５ｇ／ｅｑ）

（Ｄ）成分：エラストマー
（Ｄ－１）ＳＧ－Ｐ３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製、アクリルゴム、重量平均分子量：８０万、Ｔｇ：－７℃）

（Ｅ）成分：カップリング剤
（Ｅ－１）Ａ－１１６０（商品名、ＧＥ東芝シリコーン株式会社製、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）

（Ｆ）成分：硬化促進剤
（Ｆ－１）２ＰＺ－ＣＮ（商品名、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）

＜フィルム状接着剤の作製＞
実施例１－１及び比較例１－１の接着剤ワニスを用いてフィルム状接着剤を作製した。各接着剤ワニスについて真空脱泡を行い、その後の接着剤ワニスを、支持フィルムである離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ：３８μｍ）上に塗布した。塗布した接着剤ワニスを、９０℃で５分、続いて１３０℃で５分の２段階で加熱乾燥することによって、支持フィルム上に、Ｂステージ状態にある厚さ２０μｍの実施例１－１及び比較例１－１のフィルム状接着剤を得た。

＜熱伝導率の測定＞
（熱伝導率測定用フィルムの作製）
実施例１－１及び比較例１－１のフィルム状接着剤をそれぞれ複数枚ゴムロールにて張り合わせて、１００μｍ以上の厚さの積層フィルムを作製した。得られた積層フィルムを両面がＰＥＴフィルムで覆われた状態で、１１０℃で１時間、次いで、１７０℃で３時間の条件で熱硬化させてＣステージ状態にある熱伝導率測定用フィルムを得た。

（熱伝導率の測定）
熱伝導率測定用フィルムの熱伝導率λは、下記式によって算出した。結果を表１に示す。
熱伝導率λ（Ｗ／ｍ・Ｋ）＝熱拡散率α（ｍｍ^２／ｓ）×比熱Ｃｐ（Ｊ／ｇ・Ｋ）×比重ρ（ｇ／ｃｍ^３）
なお、熱拡散率α、比熱Ｃｐ、及び比重ρは以下の方法によって測定した。熱伝導率λが大きいことは、半導体装置において、放熱性により優れることを意味する。

（熱拡散率αの測定）
得られた熱伝導率測定用フィルムを１０ｍｍ角に切断した。ブラックガードスプレー（ＦＣ－１５３、ファインケミカルジャパン株式会社製）を切断した熱伝導率測定用フィルムの両面に塗布し、測定用サンプルとした。測定には、フラッシュアナライザー（ＬＦＡ４６７ ＨｙｐｅｒＦｌａｓｈ、ネッチ・ジャパン株式会社製）を用い、３５℃における熱拡散率αを測定した。

（比熱Ｃｐの測定）
示差走査熱量測定（ＤＳＣ）装置（高感度示差走査熱量計ＤＳＣ８２３１（株式会社リガク製））を用いて、昇温速度１０℃／分、温度２５℃～７０℃の条件で測定することによって、３５℃における比熱Ｃｐを算出した。

（比重ρの測定）
電子比重計（ＥＷ－３００ＳＧ、アルファーミラージュ株式会社製）を用いて、アルキメデス法によって測定した。

表１に示すとおり、所定の組み合わせの銀粒子を用いた実施例１－１のフィルム状接着剤は、所定の組み合わせでない銀粒子を用いた比較例１－１のフィルム状接着剤に比べて、熱伝導率の点に優れていた。

（実施例２－１～２－５及び比較例２－１）
＜接着剤ワニスの調製＞
表２に示す記号及び組成比（単位：質量部）で、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分に、有機溶媒としてのシクロヘキサノンを加え、原料ワニスを調製した。当該原料ワニスをホモディスパー（田島化学機械株式会社製、Ｔ．Ｋ．ＨＯＭＯ ＭＩＸＥＲ ＭＡＲＫ ＩＩ）を用いて、７０℃の混合温度条件で４０００回転／分で２０分撹拌し、接着剤ワニスを得た。次いで、接着剤ワニスを２０～３０℃になるまで放置した後、接着剤ワニスに（Ｅ）成分及び（Ｆ）成分を添加し、スリーワンモーターを用いて２５０回転／分で終夜撹拌した。このようにして、実施例２－１～２－５及び比較例２－１の固形分６１質量％の接着剤ワニスを調製した。

＜フィルム状接着剤の作製＞
実施例１－１及び比較例１－１の接着剤ワニスに代えて、実施例２－１～２－５及び比較例２－１の接着剤ワニスを用いた以外は、実施例１－１及び比較例１－１のフィルム状接着剤の作製と同様にして、実施例２－１～２－５及び比較例２－１のフィルム状接着剤を作製した。

＜熱伝導率の測定＞
実施例１－１及び比較例１－１のフィルム状接着剤に代えて、実施例２－１～２－５及び比較例２－１のフィルム状接着剤を用いた以外は、実施例１－１及び比較例１－１のフィルム状接着剤の熱伝導率の測定と同様にして、実施例２－１～２－５及び比較例２－１のフィルム状接着剤の熱伝導率を測定した。結果を表２に示す。

表２に示すとおり、所定の組み合わせの銀粒子を用いた実施例２－１～２－５のフィルム状接着剤は、所定の組み合わせでない銀粒子を用いた比較例２－１のフィルム状接着剤に比べて、熱伝導率の点に優れていた。また、表１に示す結果と比較して、混合温度を高くすることによって、得られるフィルム状接着剤の熱伝導率が向上することが判明した。

以上の結果から、本開示のフィルム状接着剤は、Ｃステージ状態において、熱伝導率が高く、高い放熱性を示すことが確認された。半導体装置においては、フィルム状接着剤の硬化物が半導体装置の接着部材を構成する。そのため、本開示のフィルム状接着剤を半導体装置に適用した場合は、本開示のフィルム状接着剤の硬化物が半導体装置の接着部材となることから、得られる半導体装置は、優れた放熱性を有することが期待できる。

１０…接着剤層、１０Ａ…フィルム状接着剤、１０ａ…接着剤片、１０ａｃ…接着剤片の硬化物、１２…接着部材、２０…支持フィルム、３０，３０ａ…粘着剤層、４０…基材層、５０…ダイシングテープ、６０…接着剤片付き半導体チップ、７０…ワイヤ、７２…ニードル、７４…吸引コレット、８０…支持部材、９２…封止材層、９４…はんだボール、１００…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、２００…半導体装置、Ｗ…半導体ウェハ、Ｗａ…半導体チップ。

Claims (13)

1. 基材層と、粘着剤層と、フィルム状接着剤からなる接着剤層とをこの順に備える、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、
   前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層に半導体ウェハを貼り付ける工程と、
   前記接着剤層を貼り付けた前記半導体ウェハをダイシングすることによって、複数の個片化された接着剤片付き半導体チップを作製する工程と、
   前記接着剤片付き半導体チップを支持部材に接着剤片を介して接着する工程と、
   を備え、
   前記フィルム状接着剤が、第１の銀粒子と、平均粒径が前記第１の銀粒子よりも大きい第２の銀粒子と、熱硬化性樹脂成分とを含有する、半導体装置の製造方法。
2. 前記第１の銀粒子の平均粒径及び前記第２の銀粒子の平均粒径が０．０１～１０μｍである、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第２の銀粒子の平均粒径が前記第１の銀粒子の平均粒径の２倍を超える、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第１の銀粒子及び前記第２の銀粒子の合計の含有量が、フィルム状接着剤全量を基準として、７５～９５質量％である、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
5. フィルム状接着剤全量を基準としたとき、前記第１の銀粒子の含有量に対する前記第２の銀粒子の含有量の質量比が３．１倍以上である、請求項１～４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
6. フィルム状接着剤全量を基準としたとき、前記第１の銀粒子の含有量と前記第２の銀粒子の含有量との質量比が７６：２４～８４：１６である、請求項１～５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記フィルム状接着剤の硬化物の熱伝導率が５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である、請求項１～６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記フィルム状接着剤がエラストマーをさらに含有する、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記熱硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂及びフェノール樹脂を含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記エポキシ樹脂が２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
11. 第１の銀粒子と、平均粒径が前記第１の銀粒子よりも大きい第２の銀粒子と、有機溶媒とを含有する原料ワニスを混合し、前記第１の銀粒子と、前記第２の銀粒子と、前記有機溶媒と、熱硬化性樹脂成分とを含有する接着剤ワニスを調製する工程と、
    前記接着剤ワニスを用いて、フィルム状接着剤を形成する工程と、
    を備える、フィルム状接着剤の製造方法。
12. 第１の銀粒子と、平均粒径が前記第１の銀粒子よりも大きい第２の銀粒子と、熱硬化性樹脂成分とを含有する、フィルム状接着剤。
13. 基材層と、粘着剤層と、請求項１２に記載のフィルム状接着剤からなる接着剤層とをこの順に備える、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。

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