JP2018152420A - 半導体加工用粘着テープ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材と、該基材の片面に設けられた粘着剤層とからなる粘着テープであって、前記基材が複層構造からなり、該複層構造の少なくとも1層が環状オレフィンポリマーを80質量%以上含有する層Aであって、該層Aとは別に、直鎖状低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含有する層Bを有することを特徴とする、半導体加工用粘着テープ。
【選択図】図1
Description
また、本発明者らは鋭意検討した結果、テープの基材として特定の層を有する複層構造からなる基材を用いた場合には、複層構造を構成する層同士での密着性が重要となり、この層間密着性が十分でないと、剥離性が低下したり、被着体である半導体ウェハの加工中に層間で剥離が発生し、ウェハが破損したりすることが分かってきた。
(1)
基材と、該基材の片面に設けられた粘着剤層とからなる粘着テープであって、前記基材が複層構造からなり、該複層構造の少なくとも1層が環状オレフィンポリマーを80質量%以上含有する層Aであって、該層Aとは別に、直鎖状低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含有する層Bを有することを特徴とする、半導体加工用粘着テープ。
(2)
前記直鎖状低密度ポリエチレンの密度が0.95g/cm3以下であることを特徴とする、(1)に記載の半導体加工用粘着テープ。
(3)
前記直鎖状低密度ポリエチレンのメルトフローレートが4.0g/10min以下であることを特徴とする、(1)または(2)に記載の半導体加工用粘着テープ。
(4)
前記直鎖状低密度ポリエチレンが、メタロセンポリエチレンであることを特徴とする、(1)〜(3)のいずれか1項に記載の半導体加工用粘着テープ。
(5)
各チップの個片化予定領域に沿ってレーザーを照射して半導体ウェハ内部に改質層を形成した半導体ウェハ、または、各チップの個片化予定領域に沿って機械的手段により溝を形成した半導体ウェハを、前記半導体ウェハの裏面研削によりチップへ個片化する半導体チップの製造に用いられることを特徴とする、(1)〜(4)のいずれか1項に記載の半導体加工用粘着テープ。
また、本発明の半導体加工用粘着テープは、半導体ウェハの裏面研削によりチップの個片化を行う半導体チップの製造方法に使用することで、薄膜に研削しても、剥離性に優れ、また層間密着性に優れ、さらに不良チップの発生を十分に抑制することができる。
本発明の半導体加工用粘着テープは、基材と、該基材の片面に設けられた粘着剤層とからなる粘着テープであって、前記基材は複層構造からなり、この複層構造の少なくとも1層は、環状オレフィンポリマーを80質量%以上含有する層Aであって、この層Aとは別に、直鎖状低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含有する層Bを有する。
本発明の半導体加工用粘着テープの好ましい形態について、以下に説明する。
本発明の半導体加工用粘着テープ1の基材2は複層構造からなる。この複層構造の少なくとも1層は、環状オレフィンポリマー(以下、「COP」と称す。)を含有する層Aであって、この層Aとは別に、複層構造の少なくとも1層として、直鎖状低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含有する層Bを有する。
モノマーとしての環状オレフィンは、環状の、アルケンまたはアルキンであって、開環重合または付加重合によりポリマーを形成可能な化合物であればよい。炭素数は4〜12が好ましい。環状オレフィンは、二環式オレフィンを含んでいればよく、さらに単環式オレフィン及び/又は三環以上の多環式オレフィンを含んでいてもよい。単環式オレフィンとしては、例えば、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘプテン、シクロオクテンなどの炭素数4〜12の環状シクロオレフィン類などが挙げられる。二環式オレフィン又は三環以上の多環式オレフィンとしては、例えば、ジシクロペンタジエン;2,3−ジヒドロジシクロペンタジエン、メタノオクタヒドロフルオレン、ジメタノオクタヒドロナフタレン、ジメタノシクロペンタジエノナフタレン、メタノオクタヒドロシクロペンタジエノナフタレンなどの誘導体;6−エチル−オクタヒドロナフタレンなどの置換基を有する誘導体;シクロペンタジエンとテトラヒドロインデン等との付加物、シクロペンタジエンの3〜4量体、ノルボルネン、及びテトラシクロドデセン等が挙げられ、ノルボルネン及びテトラシクロドデセンが好ましい。
また、鎖状オレフィンは、鎖状の、アルケンまたはアルキンであって、環状オレフィンとの付加重合によりポリマーを形成可能な化合物であればよい。炭素数は2〜10が好ましく、2〜8がより好ましく、2〜4がさらに好ましい。具体的には、エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブテン、1−ペンテン、3−メチル−1−ペンテン、4−メチル−1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテンなどの炭素数2〜10の鎖状オレフィン類などが挙げられる。これらの鎖状オレフィンは、単独で又は二種以上組み合わせて使用することができ、特にエチレンが好ましい。
上記層A中、COPの含有量は80質量%以上であり、90質量%以上が好ましい。上限値に特に制限はなく、100質量%以下である。なお、COPがCOCである場合には、COPの含有量とはCOCの含有量である。
上記COPとしては、具体的には、いずれも商品名で、日本ゼオン社製の「ZEONOR」およびポリプラスチックス社製の「Topas」などが挙げられる。
一方、COCは環状オレフィンとエチレンとの共重合体であるため、柔軟性と延性を有する。また、重合比(含有量比)を調整することで、様々な特性を有するCOCが得られる。
COCの構成成分中、エチレン成分含有量は30〜40質量%が好ましく、35〜40質量%がより好ましい。エチレン成分含有量が少なすぎると、基材が非常に脆く、半導体加工用粘着テープが破断するおそれがある。また、エチレン成分含有量が多すぎると、エチレン成分の性質が強くなり、十分な剛性が得られないおそれがある。
LLDPE及びHDPEがエチレンとα−オレフィンとの共重合体である場合、共重合体の全構成成分中、エチレン成分の含有量は95〜99質量%が好ましく96〜98質量%がより好ましい。
LLDPEのメルトフローレート(MFR)は、4.0g/10min以下が好ましく、2.0g/10min以下がより好ましく、1.0g/10min以下がさらに好ましい。下限値は、0.5g/10min以上が実際的である。
また、HDPEの密度は、0.97g/cm3以下が好ましく、0.96g/cm3以下がより好ましい。下限値は、0.5g/cm3以上が実際的である。
HDPEのMFR(melt flow rate)は、6.0g/10min以下が好ましく、5.0g/10min以下がより好ましい。下限値は、0.5g/10min以上が実際的である。
MFRは温度190℃、荷重21.18Nでの値であり、密度及びMFRは、実施例記載の方法により測定することができる。
本明細書において「メタロセンポリエチレン」とは、メタロセン触媒を用いて得られるエチレン系ポリオレフィン(以下、「メタロセン触媒エチレン系ポリオレフィン」ということがある。)を意味し、エチレン、または、エチレンとα−オレフィンの混合単量体を、メタロセン触媒の存在下に重合させることにより得られる。したがって、メタロセン触媒を用いて得られるエチレン系ポリオレフィンは、メタロセン触媒の存在下で重合反応を行って得られるポリエチレン、および、エチレンとα−オレフィンとの共重合体を含む。
(Cp)2MR2
(式中、Cpは置換または未置換のシクロペンタジエニル環であり、Mは遷移金属であり、Rはハロゲン原子またはアルキル基である。)で表されるものが一般的に使用されている。
各々の樹脂は、単独で基材2を構成する層として使用してもよく、樹脂同士を組み合わせてブレンドして用いてもよい。また、基材2を構成する層は、上記樹脂以外に、着色剤、酸化防止剤、帯電防止剤などの添加物を、必要に応じて物性に影響が出ない範囲で含有していてもよい。
上記層Aの厚さは、剛性の点から、20〜100μmが好ましく、30〜60μmがより好ましい。また、上記層Bの厚さは、柔軟性の点から、10〜100μmが好ましく、20〜80μmがより好ましい。
基材2が、2層以上の層A、2層以上の層Bを有する場合は、「層Aの厚さ」、「層Bの厚さ」は、各層の合計厚さを意味する。
本発明の半導体加工用粘着テープ1の粘着剤層3は、粘着剤を含有する層であればよく、例えば、粘着剤組成物を用いて形成される。この粘着剤組成物は、特に制限されず、通常のアクリル、ゴム、シリコーン等の粘着剤を含有する組成物が挙げられる。耐候性や価格等の点から、アクリル粘着剤が好適に用いられる。
また、本発明においては(メタ)アクリル系単量体は、アクリル系単量体とメタクリル系単量体の両者を含むものとする。
(メタ)アクリル系共重合体の構成成分中、上記(メタ)アクリル酸エステル成分の含有量は80質量%以上が好ましく、90質量%以上がより好ましく、95〜99.9質量%がより好ましい。
その他の構成成分としては、例えば、(メタ)アクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、及びクロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸や無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート(好ましくは、上記アルキル(メタ)アクリレートがヒドロキシ基で置換されたもの)などのヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート及び(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー、(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリル酸N−ヒドロキシメチルアミド、(メタ)アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル(例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、t−ブチルアミノエチルメタクリレート等)、N−ビニルピロリドン、アクリロイルモルホリン、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等が挙げられる。これら構成成分は単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
放射線重合性(メタ)アクリル系共重合体は、共重合体の分子中に、放射線、特に紫外線照射で重合反応することが可能な反応性の基を有する共重合体である。
このような反応性の基とは、エチレン性不飽和基すなわち、炭素−炭素二重結合(エチレン性不飽和結合)を有する基であり、ビニル基、アリル基、スチリル基、(メタ)アクリロイルオキシ基、(メタ)アクリロイルアミノ基などが挙げられる。
上記の放射線重合性(メタ)アクリル系共重合体は、各種の溶剤中で溶液重合することにより得ることができる。溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができる。一般にアクリル系重合体の良溶媒で、沸点60〜120℃の溶剤を使用することが好ましい。例えば、トルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどを使用することができる。重合開始剤としては、α,α’−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を用いることができる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の共重合体を得ることができる。なお、合成方法は、溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
剥離フィルム4は、セパレータや剥離層、剥離ライナーとも呼ばれ、放射線硬化型粘着剤層を保護する目的のため、また放射線硬化型粘着剤層を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。剥離フィルム4の構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。剥離フィルム4の表面には粘着剤層3からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていてもよい。また、必要に応じて、粘着剤層3の環境紫外線による反応を防止するため、紫外線防止処理が施されていてもよい。剥離フィルム4の厚みは、通常10〜50μmであり、好ましくは25〜38μmである。
本発明の半導体加工用粘着テープは、各チップの個片化予定領域に沿ってレーザーを照射して半導体ウェハ内部に改質層を形成した半導体ウェハ(以下、「半導体ウェハA」と称す。)、または、各チップの個片化予定領域に沿って機械的手段により溝を形成した半導体ウェハ(以下、「半導体ウェハB」と称す。)を、前記半導体ウェハの裏面研削によりチップへ個片化(分割)する半導体チップの製造に、好ましく用いられる。
ここで、「半導体ウェハの裏面」とは、半導体ウェハがその表面に半導体素子の回路などが形成されたパターン面に対して、反対側に位置する面を意味する。パターン面とは、具体的には、半導体ウェハAにおける改質層形成面、半導体ウェハBにおける溝形成面である。
「各チップの個片化予定領域」とは、ウェハのスクライブラインを意味する。
また、「チップへ個片化」とは、半導体ウェハから半導体チップが個片化された状態を意味し、個片化された半導体チップが本発明の半導体加工用粘着テープ上に貼合されている状態を含む。
この方式は、ステルスダイシングと先ダイシングを併せた方式で、狭スクライブ幅対応チップ個片化方式とも呼ばれる。この方式によれば、ウェハ裏面研削加工中に応力でシリコン(半導体ウェハ)の改質層が劈開し個片化するため、カーフ幅がゼロであり、チップ収率は高く、抗折強度も向上する。
半導体ウェハBは、各チップの個片化予定領域に沿って機械的手段により溝を形成した半導体ウェハである。機械的手段(例えば、ダイシングブレード)により、半導体ウェハ5に厚みTBの溝を形成しておくことで、その後の半導体ウェハの裏面研削加工時に、半導体ウェハ5が上記厚みTBと同じか上記厚みTBよりも薄くなるように研削することで、半導体ウェハ5の薄膜化と半導体チップへの個片化を同時に行うことができる。厚みTBは、裏面研削前の半導体ウェハの厚みよりも小さい限り特に制限はないが、ウェハの最終厚さより20〜30μmほど大きいことが実際的である。
この方式は、DBG(先ダイシング)方式と呼ばれる。この方式によれば、チップ同士の間隔であるカーフ(スクライブライン、ストリートともいう)幅の狭小化に限界があるものの、チップの抗折強度がアップし、チップの破損を抑えることが可能である。
本発明の半導体加工用粘着テープ1は、粘着剤層3上に剥離フィルム4を有する場合は、剥離フィルム4を剥がして接着剤層3を剥き出しにし、基材2、粘着剤層3が積層された半導体加工用粘着テープ1を使用する(図2(a)参照)。本発明の半導体加工用粘着テープ1は半導体ウェハ5に、半導体ウェハ5の凸部51と粘着剤層3とが接するように貼合せ、凸部51が本発明の半導体加工用粘着テープ1で被覆された半導体ウェハ5を得る(図2(b)参照)。ここで、凸部51とは、半導体ウェハにおいて、個片化された際に半導体チップを構成し得る部分を意味し、通常、半導体素子の回路などが形成されたパターン面を有する。
個片化された半導体チップは、チャックテーブル上に吸着した状態での剥離テープによる剥離等の常法により、本発明の半導体加工用粘着テープ1からピックアップされる。この際、粘着剤層3が紫外線硬化型である場合には、紫外線照射により粘着剤層3の粘着力を低下させることで、個片化された半導体チップから粘着剤層3を容易に剥離することが可能となる。
なお、以下で使用する樹脂の密度は、JIS K7112により、また、樹脂のMFRは、JIS K7210により、温度190℃、荷重21.18Nでの値を、それぞれ測定した。
1.粘着剤組成物の調製
アクリレートモノマーとして2−エチルヘキシルアクリレートを80質量部、官能基を持つアクリレートモノマーとして2−ヒドロキシエチルアクリレートを20質量部、メチルメタクリレート1質量部を構成成分とする(メタ)アクリル共重合体に対し、分子中に紫外線重合性炭素−炭素二重結合と、水酸基に反応するイソシアネート基とを有する2−イソシアナトエチルメタクリレートを3質量部反応させ、紫外線重合性炭素−炭素二重結合を有する(メタ)アクリル系共重合体を得た。この共重合体100質量部に対し、架橋剤としてイソシアネート化合物(日本ポリウレタン工業社製、商品名:コロネートL)0.9質量部と、光重合開始剤(BASF社製、商品名:イルガキュア184)5.0質量部とを混合し、紫外線硬化型の粘着剤組成物を得た。
2.基材の作製
押出し法にて作製した、LLDPE(直鎖状低密度ポリエチレン、メタロセン触媒重合体)25μm、COP(環状オレフィンポリマー)50μm、LLDPE25μmがこの順に積層された、総厚100μmの基材を得た。ここで、COPのエチレン含有量は30質量%、MFRは0.8g/10minであった。また、LLDPEのMFRは2.5g/10min、密度は0.925g/cm3であった。
3.半導体加工用粘着テープの作製
離型処理が施されたPETフィルム(厚さ25μm)上に、上記粘着剤組成物を乾燥後の厚さが30μmとなるように塗工し、乾燥させて溶剤である酢酸エチルを蒸発させた後に、基材と貼り合わせて粘着剤を基材側に転写し、実施例1に係る半導体加工用粘着テープを得た。この半導体加工用粘着テープ1は、図1に示すように、基材フィルム2、粘着剤層3、剥離フィルム4がこの順に積層された構造を有する。また、基材フィルム2は、粘着剤層3側から順に、層B1、層A、層B2がこの順に積層された構造を有する。
LLDPEを、MFRが4g/10minのLLDPE(メタロセン触媒重合体)に変更した以外は実施例1と同様の方法で、実施例2に係る半導体加工用粘着テープを得た。
基材の厚さを、LLDPE35μm、COP80μm、LLDPE35μmの総厚150μmに変更した以外は実施例2と同様の方法で、実施例3に係る半導体加工用粘着テープを得た。
LLDPEを、MFRは7.0g/10min、密度は0.964g/cm3のHDPEに変更し、COPを、エチレン含有量は35質量%、MFRは2.0g/10minのCOPに変更した以外は実施例1と同様の方法で、実施例4に係る半導体加工用粘着テープを得た。
LLDPEを、MFRが2.0g/10min、密度は0.918g/cm3のLLDPE(メタロセン触媒重合体)に変更した以外は実施例1と同様の方法で、実施例5に係る半導体加工用粘着テープを得た。
LLDPEを、MFRが4.0g/10min、密度は0.944g/cm3のLLDPEに変更し、基材の厚さを、LLDPE16μm、COP48μm、LLDPE16μmの総厚80μmに変更した以外は実施例1と同様の方法で、実施例6に係る半導体加工用粘着テープを得た。
LLDPEを、MFRは3.1g/10min、密度は0.925g/cm3のLDPEに変更した以外は実施例1と同様の方法で、比較例1に係る半導体加工用粘着テープを得た。
COPを、エチレン含有量は35質量%、MFRは2.0g/10minのCOPに変更した以外は比較例1と同様の方法で、比較例2に係る半導体加工用粘着テープを得た。
LLDPEを、MFRは2.5g/10min、密度は0.928g/cm3のエチレン酢酸ビニル共重合体に変更した以外は比較例1と同様の方法で、比較例3に係る半導体加工用粘着テープを得た。
層B1及び層B2を構成する樹脂と、層Aを構成する樹脂を用いて、それぞれ縦1300mm、横25mm、厚さ100μmのフィルムを作製した。作製した2種類のフィルムの25mm×10mmの領域を重ね、220℃で5秒、熱圧着して、接合部を形成した。ストログラフ(東洋精機社製)で、速度300mm/min、剥離角度180°で剥離した際の剥離強度を測定した。剥離強度が5N以上のものを「○」、5N未満のものを「×」と評価した。
表面が平滑な8インチのダミーウェハに、実施例、比較例に係る半導体加工用粘着テープの各テープの粘着剤層側を貼合し、ディスコ社製グラインダーDGP8760(商品名)を用いて、ウェハを厚さ50μmまで研削した。研削後、テープ側がホットプレートと接するようにしてホットプレートにて70℃まで加熱し、外観に変化が無かったものを「○」、変化があったもの「×」と評価した。
8インチのダミーウェハに、上記で作製した半導体加工用粘着テープ(以下、粘着テープと称す。)を貼合し、ディスコ社製グラインダーDGP8760(商品名)を用いて、ウェハを厚さ50μmまで研削した。研削後、粘着テープ側から高圧水銀灯を用いて、積算照射量500mJ/cm2の紫外線を照射し、粘着剤層を硬化させて粘着力を低減させた後、粘着テープ面を上にした状態でチャックテーブル上に吸着し、剥離テープ(日東電工社製)を用いて粘着テープを剥離した。ウェハと粘着剤層の界面で剥離したものを「○」、剥離できなかったあるいはそれ以外の箇所で剥離したものを「×」と評価した。
チップの大きさが縦10mm×横12mmの、個片化予定領域に沿って深さ75μmの溝を形成した8インチのダミーウェハ(厚さ725μm)に、上記で作製した半導体加工用粘着テープ(以下、粘着テープと称す。)を、溝を形成した面側で貼合し、ディスコ社製グラインダーDGP8760(商品名)を用いて、ウェハを厚さ50μmまで研削し、チップを個片化した。研削後、粘着テープ側から高圧水銀灯を用いて、積算照射量500mJ/cm2の紫外線を照射し、粘着剤層を硬化させて粘着力を低減させた後、粘着テープから各チップを剥離して、チップ端部のクラックを顕微鏡で観察した。クラックの発生したチップ数が10個以下のものを「○」、10〜20個のものを「△」、20個以上のものを「×」と評価した。
2 基材
3 粘着剤層
4 剥離フィルム
5 半導体ウェハ
7 研磨機
51 凸部
Claims (5)
- 基材と、該基材の片面に設けられた粘着剤層とからなる粘着テープであって、前記基材が複層構造からなり、該複層構造の少なくとも1層が環状オレフィンポリマーを80質量%以上含有する層Aであって、該層Aとは別に、直鎖状低密度ポリエチレンまたは高密度ポリエチレンを含有する層Bを有することを特徴とする、半導体加工用粘着テープ。
- 前記直鎖状低密度ポリエチレンの密度が0.95g/cm3以下であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体加工用粘着テープ。
- 前記直鎖状低密度ポリエチレンのメルトフローレートが4.0g/10min以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体加工用粘着テープ。
- 前記直鎖状低密度ポリエチレンが、メタロセンポリエチレンであることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体加工用粘着テープ。
- 各チップの個片化予定領域に沿ってレーザーを照射して半導体ウェハ内部に改質層を形成した半導体ウェハ、または、各チップの個片化予定領域に沿って機械的手段により溝を形成した半導体ウェハを、前記半導体ウェハの裏面研削によりチップへ個片化する半導体チップの製造に用いられることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体加工用粘着テープ。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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