JP4534100B2 - 電子部品用両面接着フィルム、半導体搭載用有機基板および半導体装置 - Google Patents

電子部品用両面接着フィルム、半導体搭載用有機基板および半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4534100B2
JP4534100B2 JP31825398A JP31825398A JP4534100B2 JP 4534100 B2 JP4534100 B2 JP 4534100B2 JP 31825398 A JP31825398 A JP 31825398A JP 31825398 A JP31825398 A JP 31825398A JP 4534100 B2 JP4534100 B2 JP 4534100B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
double
core material
adhesive film
semiconductor
sided adhesive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP31825398A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000144072A (ja
Inventor
弘之 栗谷
靖 島田
裕子 田中
禎一 稲田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Showa Denko Materials Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP31825398A priority Critical patent/JP4534100B2/ja
Publication of JP2000144072A publication Critical patent/JP2000144072A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4534100B2 publication Critical patent/JP4534100B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造に好適に使用される電子部品用両面接着フィルムと半導体搭載用有機基板およびそれらを用いた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体チップを半導体搭載用有機基板に搭載する場合、ダイボンディングペーストと言われるエポキシ系またはポリイミド系接着剤が用いられている。しかし、半導体チップと半導体搭載用有機基板、更にはこれらからなる半導体装置を実装するマザーボードとの膨張係数の不整合により熱応力を生じ、半導体チップのクラックや接着剤層のクラック、マザーボードへの接合部であるはんだ付け部分のクラックなどの不良を引き起こす。この様な熱応力を緩和するためには低弾性な接着剤が有効である。
【0003】
また、熱応力を緩和するための接着剤の厚さはシミュレーション等により設計された適切な厚さが必要であり、厚さ精度を確保するためにはフィルム状の接着剤が用いられている。半導体装置の組立工程でもその取扱い性のよさや、ドライプロセスであることなどからフィルム状の接着剤が用いられている。
【0004】
接着フィルムを半導体搭載用有機基板に貼り付ける場合、基板上の配線と基材との段差を埋め込む必要がある。埋め込みが不十分であると接着界面にボイドを生じ、組み立てた半導体装置の耐熱、耐湿信頼性を低下させる原因となる。そのため、貼り付け時に充分流動し上記段差を埋め込むことが可能な熱硬化性樹脂組成物が用いられる。
【0005】
このような低弾性な接着フィルムの組成としては、アクリロニトリルブタジエンゴムを主成分とする系が多く用いられている。しかし、高温で長時間処理した後の接着力の低下が大きいことや、耐電食性に劣ることなどの欠点がある。特に、半導体関連部品の信頼性評価で用いられるPCT(プレッシャークッカーテスト)処理等の厳しい条件下で耐湿性試験を行った場合の劣化が大きい。さらにはアクリロニトリルブタジエンゴム系は溶融粘度が高いため、半導体搭載用有機基板に貼り付ける際に基板上の配線段差を埋め込みにくく、ボイドを発生しやすい。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
配線段差を埋め込みやすくするため流動性を向上させた接着剤では、貼り付け時に不要な部分にまで樹脂が流れてしまいその後のリードまたはワイヤボンディングなどの工程で接続不良を発生する恐れがある。また、流れ出した樹脂の分だけ厚さが減少したり、厚さにむらが出るなど厚さ精度が確保できなくなる。このような樹脂の流動性を制御しやすくするためには、特開平9−321084号公報や特開平10−22325号公報にあるように流動性を持たないコア材の両面に接着剤層を設けて三層構造とすることが有効である。
【0007】
このような三層構造のコア材に求められる性能として、耐熱性、接着剤層との接着性、低弾性、厚み精度などが挙げられるが、一般的には耐熱性が重視されるため耐熱性のある熱可塑性樹脂フィルムが用いられている。耐熱性のある熱可塑性樹脂としてポリイミドやポリエステル、ポリテトラフルオロエチレンなどの(スーパー)エンジニアリングプラスチックが一般的であるが、これらは何れも貯蔵弾性率が高く電子部品用両面接着フィルムとしたときの熱応力の緩和効果を低下させる。
【0008】
また、コア材の材質によってはコア材と接着剤層との接着力が十分でなくなる恐れがある。例えばポリイミドやポリテトラフルオロエチレンは極性の低い樹脂であるため、接着剤層との接着力が低下しやすい。接着力が低下するとコア材と接着剤層の界面に吸湿した水分が溜まりやすくなり、はんだリフロー時に吸湿した水分の蒸気圧により膨れるいわゆるリフロークラックの原因となる。また、コア材と接着剤層の熱膨張係数が異なると熱応力が発生し、接着力の低下と相まってコア材と接着剤層の界面剥離の原因となる。
【0009】
本発明は、半導体チップと半導体搭載用有機基板のように熱膨張係数の著しく異なるものを接着するための低弾性な電子部品用両面接着フィルムおよびそれを用いた半導体搭載用有機基板ならびに半導体装置を提供する上で、接着性を向上し耐温度サイクル性、耐リフロー性などの信頼性を向上することを課題とした。
具体的にはコア材と接着剤層からなる電子部品用両面接着フィルムにおいて、コア材の弾性率を低減しかつコア材と接着剤層との接着力を向上し更にはコア材と接着剤層の熱膨張係数を整合させることを課題とした。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明はコア材の両面に接着剤層が形成された電子部品用両面接着フィルムにおいて、該接着剤層が未硬化の熱硬化性樹脂組成物であり、該コア材が熱硬化性樹脂組成物の硬化物であることを特徴とする電子部品用両面接着フィルムである。
【0011】
接着剤層の硬化物およびコア材の動的粘弾性測定装置で測定される25℃の貯蔵弾性率は10〜2000MPaで、かつ260℃での貯蔵弾性率は3〜50MPaであることが好ましい。
【0012】
接着剤層およびコア材をなす熱硬化性樹脂組成物として、(1)エポキシ樹脂及びその硬化剤100重量部、(2)エポキシ当量が2000〜15000g/molでガラス転移温度が−10℃以上でかつ重量平均分子量が80万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体100〜300重量部、(3)硬化促進剤0.1〜5重量部からなる組成物が好適である。
【0013】
本発明は、上記電子部品用両面接着フィルムを備えた半導体搭載用有機基板である。
【0014】
また本発明は、半導体チップと半導体搭載用有機基板とを上記電子部品用両面接着フィルムを介して接着した半導体装置である。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明の電子部品用両面接着フィルムは、接着剤層を熱硬化性樹脂組成物の未硬化物としコア材を熱硬化性樹脂組成物の硬化物として、コア材の両面に接着剤層を形成してなる。
【0016】
接着剤層とコア材をなす熱硬化性樹脂組成物は(1)エポキシ樹脂及びその硬化剤100重量部、(2)エポキシ当量が2000〜15000g/molでガラス転移温度が−10℃以上でかつ重量平均分子量が80万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体100〜300重量部、(3)硬化促進剤0.1〜5重量部の範囲内において、接着剤層とコア材とで同一であってもよいし異なっていてもよいが、本発明の目的である接着性の向上と熱膨張係数の整合の点を満たす必要がある。一般的には同一であることが好ましいが本発明はこれに限定されるものではない。
【0017】
熱硬化性樹脂組成物の硬化物、すなわち接着剤層の硬化物およびコア材の動的粘弾性測定装置で測定した貯蔵弾性率が25℃で10〜2,000MPaかつ260℃で3〜50MPaであることが好ましい。貯蔵弾性率が25℃で2,000MPaを超えるものと260℃で50MPaを超えるものでは、半導体チップと半導体搭載用有機基板との熱膨張係数の差によって発生する熱応力を緩和させる効果が小さくなり、剥離やクラックを発生する恐れがある。一方、貯蔵弾性率が25℃で10MPa未満では電子部品用両面接着フィルムの取扱性や接着剤層の厚さ精度が悪くなり、260℃で3MPa未満ではリフロークラックを発生しやすくなる。
【0018】
このような熱硬化性樹脂組成物としては、エポキシ樹脂及びその硬化剤、エポキシ基含有アクリル系共重合体、硬化促進剤からなる組成物が好適である。
【0019】
エポキシ樹脂は、硬化して接着作用を呈するものであればよく、二官能以上で好ましくは分子量が5000未満、より好ましくは3000未満のエポキシ樹脂が使用できる。二官能エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型またはビスフェノールF型樹脂等が例示される。ビスフェノールA型またはビスフェノールF型液状樹脂は、油化シェルエポキシ株式会社から、エピコート807、エピコート827、エピコート828という商品名で市販されている。また、ダウケミカル日本株式会社からは、D.E.R.330、D.E.R.331、D.E.R.361という商品名で市販されている。さらに、東都化成株式会社から、YD8125、YDF8170という商品名で市販されている。エポキシ樹脂としては、高Tg化を目的に多官能エポキシ樹脂を加えてもよく、多官能エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が例示される。フェノールノボラック型エポキシ樹脂は、日本化薬株式会社から、EPPN−201という商品名で市販されている。クレゾールノボラック型エポキシ樹脂は、住友化学工業株式会社から、ESCN−190、ESCN−195という商品名で市販されている。また、前記日本化薬株式会社から、EOCN1012、EOCN1025、EOCN1027という商品名で市販されている。さらに、前記東都化成株式会社から、YDCN701、YDCN702、YDCN703、YDCN704という商品名で市販されている。
【0020】
硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化剤として通常用いられているものが使用でき、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィッド、三弗化硼素及びフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有する化合物であるビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れるためフェノール樹脂であるフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂等を用いるのが好ましい。このような好ましいとした硬化剤は、大日本インキ化学工業株式会社から、フェノライトLF2882、フェノライトLF2822、フェノライトTD−2090、フェノライトTD−2149、フェノライトVH4150、フェノライトVH4170という商品名で市販されている。その配合量はエポキシ樹脂のエポキシ当量に合わせた論理当量比が好ましいが、これに限定されるものではない。
【0021】
硬化剤とともに硬化促進剤を用いるのが好ましく、硬化促進剤としては、各種イミダゾール類を用いるのが好ましい。イミダゾールとしては、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられる。イミダゾール類は、四国化成工業株式会社から、2E4MZ、2PZ−CN、2PZ−CNSという商品名で市販されている。その配合量は、硬化速度やBステージ状態を制御するため調整が必要であるが、エポキシ樹脂及びその硬化剤100重量部に対し0.1〜5重量部が好ましい。
【0022】
エポキシ基含有アクリル系共重合体はエポキシ当量が2000〜15000g/molでTgが−10℃以上でかつ重量平均分子量が80万以上である共重合体が好ましい。カルボン酸基や水酸基を含有した共重合体では接着剤組成にした時の架橋反応が進行しやすく、接着剤層の流動性が低下したり接着力が低下するなどの問題を発生しやすく好ましくない。コア材用組成物としてはこの限りではない。エポキシ当量は2000〜15000g/molの範囲が好ましく、2000g/mol未満では共重合体がゲル化しやすくなり15000g/molを超えると接着力が低下する。エポキシ基を導入する方法は特に限定するものではなく、例えばグリシジル(メタ)アクリレートのようなエポキシ基を持ったモノマを共重合する方法、水酸基を持ったモノマを共重合した後エピクロルヒドリンを付加する方法、水酸基を持ったモノマを共重合した後ジイソシアネートを用いてグリシドールを付加する方法などがある。共重合体の残部はエチル(メタ)アクリレートやブチル(メタ)アクリレート、アクリロニトリルまたはそれらの混合物を用いることができるが、混合比率は共重合体のTgを考慮して決定することができる。これらのモノマーから共重合体を得る重合方法はパール重合、溶液重合等の公知の方法を用いることができる。エポキシ基含有アクリル系共重合体のTgは、−10℃未満であるとBステージ状態での接着剤層のタック性が大きくなり取扱い性が悪化する恐れがある。また重量平均分子量は80万以上が好ましく、接着剤層の強度や可撓性、タック性等の点で良好な組成物が得られる。このようなエポキシ基含有アクリル系共重合体はHTR−860P−3という商品名で帝国化学産業株式会社から市販されている。エポキシ基含有アクリル系共重合体の添加量は、接着剤層およびコア材の貯蔵弾性率や接着時の流動性、接着性を考慮するとエポキシ樹脂及びその硬化剤100重量部に対し100〜300重量部が好ましい。
【0023】
接着剤層やコア材の取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与などを目的として無機フィラーを配合することができる。無機フィラーとしては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。
【0024】
異種材料間の界面結合をよくするためにカップリング剤を配合することもでき、特にシランカップリング剤が好適である。シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランがNUC A−187、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランがNUC A−189、γ−アミノプロピルトリエトキシシランがNUC A−1100、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランがNUC A−1160、N−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシランがNUC A−1120という商品名で、いずれも日本ユニカ−株式会社から市販されている。
【0025】
さらに、イオン性不純物を吸着して吸湿時の絶縁信頼性をよくする目的でイオン捕捉剤を配合することができる。イオン捕捉剤としては、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、例えばトリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤がある。ビスフェノール系還元剤としては、2,2’−メチレン−ビス(4−メチル−6−第3−ブチルフェノール)、4,4’−チオ−ビス(3−メチル−6−第3−ブチルフェノール)等が挙げられる。また、無機イオン吸着剤としては、ジルコニウム系化合物、アンチモンビスマス系化合物、マグネシウム・アルミニウム系化合物等が挙げられる。トリアジンチオール化合物を成分とする銅害防止剤は三協製薬株式会社からジスネットDBという商品名で市販されている。ビスフェノール系還元剤を成分とする銅害防止剤は吉富製薬株式会社からヨシノックスBBという商品名で市販されている。また、無機イオン吸着剤は東亜合成化学工業株式会社からIXEという商品名で各種市販されている。
【0026】
コア材の両面に接着剤層を形成する方法は特に限定するものではない。例えば、ラミネート、コーティング、ディッピングなどの公知の方法で形成することができる。好ましい方法は、ラミネートとコーティングであり、電子部品用両面接着フィルムの厚さを精度よく制御することが可能である。特にラミネートは予め接着剤層のみを形成しておくことができるため量産性にすぐれる。このときのコア材および接着剤層の厚さは特に限定するものではないが、これらを合わせた電子部品用両面接着フィルムのトータルの厚さは10〜500μmが好ましい。10μm未満では熱応力の緩和効果が小さくなり剥離やクラックを生ずる恐れがある。500μmを超えるとリードまたはワイヤボンディングがしずらくなり、また半導体装置の厚さが厚くなる。さらに好ましくは50〜250μmである。
【0027】
コア材の両面に接着剤層をラミネートして形成する場合の接着剤層は、予め接着剤組成の各成分を溶剤に溶解ないし分散してワニスとし、キャリアフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することにより得られる。キャリアフィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルムが使用できる。キャリアフィルムはコア材へのラミネート前に剥離してもよいし、キャリアフィルムとともにコア材にラミネートし使用時に剥離することもできる。キャリアフィルムの例として、ポリイミドフィルムは、東レ・デュポン株式会社からカプトンという商品名で、鐘淵化学工業株式会社からアピカルという商品名で市販されている。ポリエチレンテレフタレートフィルムは、東レ・デュポン株式会社からルミラーという商品名で、帝人株式会社からピューレックスという商品名で市販されている。
【0028】
ワニス化の溶剤は、比較的低沸点の、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、2−エトキシエタノール、トルエン、ブチルセルソルブ、メタノール、エタノール、2−メトキシエタノールなどを用いるのが好ましい。また、塗膜性を向上するなどの目的で、高沸点溶剤を加えても良い。高沸点溶剤としては、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどが挙げられる。ワニスの製造は、無機フィラーの分散を考慮した場合には、らいかい機、3本ロール及びビーズミル等により、またこれらを組み合わせて行なうことができる。フィラーと低分子量物をあらかじめ混合した後、高分子量物を配合することにより、混合に要する時間を短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真空脱気によりワニス中の気泡を除去することが好ましい。コア材の両面に接着剤層をコーティングにより形成する場合は、このワニスをそのまま用いることができる。
【0029】
コア材の作製方法は上記接着剤層の作製方法と同様に、コア材組成の各成分を溶剤に溶解ないし分散してワニスとしキャリアフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することにより得られる。コア材は加熱しても流動しないよう硬化させる必要があり、この硬化処理は溶剤の除去工程で同時に行ってもよいし、別途恒温槽に放置して行ってもよい。その硬化度は特に限定するものではなく、本発明の目的から半導体搭載用有機基板への貼り付け時および半導体チップ搭載時に加熱により流動しなければよい。
【0030】
本発明の半導体搭載用有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたFR−4基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含浸させたBT基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。配線の形状としては、片面配線、両面配線、多層配線いずれの構造でもよく,必要に応じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けてもよい。配線が半導体装置の外部表面に現われる場合には保護樹脂層を設けてもよい。電子部品用両面接着フィルムを半導体搭載用有機基板へ張り付ける方法としては、電子部品用両面接着フィルムを所定の形状に切断し、半導体搭載用有機基板の所望の位置に熱圧着する方法が一般的ではあるが、これに限定されるものではない。
【0031】
本発明の半導体装置は、半導体搭載用有機基板に前述の電子部品用両面接着フィルムを介して半導体チップを搭載したものである。半導体チップの搭載方法はフェイスダウンまたはフェイスアップのどちらであってもかまわない。半導体搭載用有機基板への半導体チップの搭載方法としては、電子部品用両面接着フィルムを所定の形状に切断し、半導体搭載用有機基板の所望の位置に熱圧着して本接着または仮接着し、さらに半導体チップを熱圧着する方法が一般的ではあるが、これに限定されるものではない。半導体チップに先に電子部品用両面接着フィルムを接着しておき、その後半導体搭載用有機基板へ接着してもよい。接着剤層の硬化処理は上記熱圧着時に行ってもよいし別途熱処理を行ってもよく他の工程、例えば封止工程やはんだ付け工程で行ってもよい。
【0032】
【実施例】
以下本発明の実施例を具体的に説明する。
【0033】
(実施例1)
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エピコート828、油化シェルエポキシ株式会社製商品名)45重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(ESCN195、住友化学工業株式会社製商品名)15重量部、フェノールノボラック樹脂(プライオーフェンLF2882、大日本インキ化学工業株式会社製商品名)40重量部、エポキシ基含有アクリルゴム(HTR−860P−3、帝国化学産業株式会社製商品名、分子量100万、Tg−7℃)150重量部、硬化促進剤1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール(キュアゾール2PZ−CN、四国化成工業株式会社製商品名)0.5重量部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(NUC A−187、日本ユニカー株式会社製商品名)0.7重量部に、メチルエチルケトンを加えて撹拌溶解し接着剤ワニスとした。この接着剤ワニスを、厚さ75μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、140℃で5分間加熱乾燥して膜厚が50μmの塗膜とし、接着剤フィルムを作製した。この接着剤フィルムを170℃で1時間加熱硬化させたもの貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置(レオロジ製、DVE−V4)を用いて測定(サンプルサイズ 長さ20mm、幅4mm、膜厚50μm、昇温速度5℃/分、引張りモード、10Hz、自動静荷重)した結果、25℃で360MPa、260℃で4MPaであった。接着剤フィルムと同様の方法で膜厚が100μmの塗膜を作製し、これを170℃で1時間加熱処理して硬化させコア材を得た。コア材の貯蔵弾性率は接着剤フィルムの貯蔵弾性率と同値であった。接着剤フィルムを接着剤層としてコア材の両面に80℃、0.3MPaで熱ラミネートし、電子部品用両面接着フィルムを得た。
【0034】
(比較例1)
コア材として実施例1の接着剤層と同じ組成で厚さ100μmの未硬化の接着剤フィルムを用いた以外は実施例1と同様の方法で電子部品用両面接着フィルムを得た。
【0035】
(比較例2)
コア材として厚さ100μmのポリイミドフィルム(ユーピレックスS、宇部興産株式会社製商品名)を用いた以外は実施例1と同様の方法で電子部品用両面接着フィルムを得た。
【0036】
得られた電子部品用両面接着フィルムを用いて半導体装置を組み立てる方法を図1を例に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
電子部品用両面接着フィルム(1)は接着剤層(11)とコア材(12)よりなる。まず、配線(4)を形成したポリイミドフィルム基板(3)の配線側に、所定の大きさに切り抜いた電子部品用両面接着フィルム(1)を140℃、0.5MPa、5秒の条件で熱圧着した。次に、電子部品用両面接着フィルムの基板と反対側に半導体チップ(2)を170℃、1MPa、5秒の条件で熱圧着した。この時の電子部品用両面接着フィルムの平面方向の変形量を測定し、はみ出し量とした。これを170℃、1時間加熱して電子部品用両面接着フィルムの接着剤層を硬化させた後、図1(a)では半導体チップのパッドと基板上の配線とをボンディングワイヤ(51)で接続し、図1(b)では半導体チップのパッドに基板のインナーリード(52)をボンディングして半導体装置を得た。この半導体装置は一般的にはんだボール(6)を介して基板に実装される。
【0037】
得られた半導体装置を用いて、接着性、耐温度サイクル性、耐リフロー性を調べた。接着性は、半導体チップを固定してポリイミドフィルム基板を引っ張った時の90度剥離強度を測定した。耐温度サイクル性は、半導体装置を−55℃雰囲気に30分間放置し、その後125℃の雰囲気に30分間放置する工程を1サイクルとして、1000サイクル後のコア材と接着剤層の界面剥離を超音波探傷装置で観察し、剥離の発生していないものを○、発生していたものを×とした。耐リフロー性は、85℃、85%RHで168時間吸湿させた半導体装置を240℃、20秒の条件のIRリフロー炉に通した後のコア材と接着剤層の界面剥離を超音波探傷装置で観察し、剥離の発生していないものを○、発生していたものを×とした。これらの結果を表1に示す。
【0038】
【表1】
Figure 0004534100
* 接着剤層およびコア材の弾性率および膨張係数は硬化物での値。
【0039】
表1から明らかなように実施例は貼り付け時のはみ出し量が少なく、コア材と接着剤層との接着性が良好であり耐温度サイクル性および耐リフロー性にすぐれていた。これに対し電子部品用両面接着フィルムを全て未硬化の熱硬化性樹脂組成物とした比較例1では、耐温度サイクル性および耐リフロー性にすぐれていたものの、電子部品用両面接着フィルムのはみ出し量が多いため貼り付け時に流れ出し、ワイヤまたはリードボンディングで不良を発生した。ポリイミドをコア材に用いた比較例2では接着剤層とコア材の接着性が劣りかつ熱膨張係数が異なるため、耐温度サイクル性および耐リフロー性で不良を発生した。
【0040】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の電子部品用両面接着フィルムを用いて半導体チップと半導体搭載用有機基板を接着した半導体装置は、電子部品用両面接着フィルムのコア材と接着剤層の接着性が良好であり、半導体チップと有機基板との熱膨張率係数の差から発生する熱応力を緩和するため耐温度サイクル性および耐リフロー性に優れている。したがって、本発明の電子部品用両面接着フィルムを用いることにより信頼性にすぐれた半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による電子部品用両面接着フィルムを用いた半導体装置の断面図であり、(a)は半導体チップのパッドと基板上の配線とをボンディングワイヤで接続した半導体装置、(b)は半導体チップのパッドに基板のインナーリードをボンディングした半導体装置の断面図を示す。
【符号の説明】
1.電子部品用両面接着フィルム
11.接着剤層
12.コア材
2.半導体チップ
3.ポリイミド基板
4.配線
51.ボンディングワイヤ
52.インナーリード
6.はんだボール

Claims (4)

  1. コア材の両面に接着剤層が形成された電子部品用両面接着フィルムにおいて、該接着剤層が未硬化の熱硬化性樹脂組成物であり、該コア材が熱硬化性樹脂組成物の硬化物であり、接着剤層およびコア材をなす熱硬化性樹脂組成物が、(1)エポキシ樹脂及びその硬化剤100重量部、(2)エポキシ当量が2000〜15000g/molでガラス転移温度が−10℃以上でかつ重量平均分子量が80万以上であるエポキシ基含有アクリル系共重合体100〜300重量部、(3)硬化促進剤0.1〜5重量部からなることを特徴とする電子部品用両面接着フィルム。
  2. 接着剤層の硬化物およびコア材の動的粘弾性測定装置で測定される25℃の貯蔵弾性率が10〜2000MPaかつ260℃での貯蔵弾性率が3〜50MPaであることを特徴とする請求項1に記載の電子部品用両面接着フィルム。
  3. 半導体搭載用有機基板において、チップ搭載部に請求項1または請求項2に記載の電子部品用両面接着フィルムを備えた半導体搭載用有機基板。
  4. 半導体チップと半導体搭載用有機基板とを請求項1または請求項2に記載の電子部品用両面接着フィルムを介して接着した半導体装置。
JP31825398A 1998-11-10 1998-11-10 電子部品用両面接着フィルム、半導体搭載用有機基板および半導体装置 Expired - Fee Related JP4534100B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31825398A JP4534100B2 (ja) 1998-11-10 1998-11-10 電子部品用両面接着フィルム、半導体搭載用有機基板および半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31825398A JP4534100B2 (ja) 1998-11-10 1998-11-10 電子部品用両面接着フィルム、半導体搭載用有機基板および半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000144072A JP2000144072A (ja) 2000-05-26
JP4534100B2 true JP4534100B2 (ja) 2010-09-01

Family

ID=18097151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31825398A Expired - Fee Related JP4534100B2 (ja) 1998-11-10 1998-11-10 電子部品用両面接着フィルム、半導体搭載用有機基板および半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4534100B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002212536A (ja) * 2001-01-22 2002-07-31 Hitachi Chem Co Ltd 接着部材とその製造方法、該接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JP2002226808A (ja) * 2001-01-31 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着剤
JP2007294977A (ja) * 2001-06-29 2007-11-08 Hitachi Chem Co Ltd 接着部材
JP2010045382A (ja) * 2001-06-29 2010-02-25 Hitachi Chem Co Ltd 接着部材
JP2003298196A (ja) 2002-04-03 2003-10-17 Japan Gore Tex Inc プリント配線板用誘電体フィルム、多層プリント基板および半導体装置
US7629695B2 (en) 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
JP2006265411A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Sekisui Chem Co Ltd シート状もしくはペースト状接着剤、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置
JP2007216306A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Disco Abrasive Syst Ltd 研削ホイールの製造方法
JP5131109B2 (ja) * 2007-09-20 2013-01-30 東レ株式会社 電子部品用接着剤組成物およびそれを用いた電子部品用接着剤シート
JP7225994B2 (ja) * 2019-03-22 2023-02-21 三菱ケミカル株式会社 フィルム状接着剤

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03105932A (ja) * 1989-09-20 1991-05-02 Hitachi Ltd シート状接着剤並びに当該接着剤を用いた半導体装置
JPH04312237A (ja) * 1991-04-08 1992-11-04 Mitsui Petrochem Ind Ltd 積層型制振材料および該制振材料を内層に有する繊維            強化複合材料ならびにその作製方法
JPH09321084A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Hitachi Ltd 接着フィルムを有する配線テープ,半導体装置及び製造方法
WO1998015975A1 (fr) * 1996-10-08 1998-04-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. Dispositif semi-conducteur, substrat de montage d'une puce de semi-conducteur, leurs procedes de fabrication, adhesif, et film a double couche d'adhesif

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02252779A (ja) * 1989-03-27 1990-10-11 Nitto Denko Corp 熱硬化性接着テープ
JP2862453B2 (ja) * 1993-03-17 1999-03-03 積水化学工業株式会社 両面粘着テープ及びその製造方法
JPH09316408A (ja) * 1996-05-31 1997-12-09 Mitsui Petrochem Ind Ltd ポリイミド樹脂接着フィルムの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03105932A (ja) * 1989-09-20 1991-05-02 Hitachi Ltd シート状接着剤並びに当該接着剤を用いた半導体装置
JPH04312237A (ja) * 1991-04-08 1992-11-04 Mitsui Petrochem Ind Ltd 積層型制振材料および該制振材料を内層に有する繊維            強化複合材料ならびにその作製方法
JPH09321084A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Hitachi Ltd 接着フィルムを有する配線テープ,半導体装置及び製造方法
WO1998015975A1 (fr) * 1996-10-08 1998-04-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. Dispositif semi-conducteur, substrat de montage d'une puce de semi-conducteur, leurs procedes de fabrication, adhesif, et film a double couche d'adhesif

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000144072A (ja) 2000-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100603484B1 (ko) 접착제 및 양면 접착 필름
JP3559137B2 (ja) 熱伝導性接着剤組成物及び該組成物を用いた熱伝導性接着フィルム
JP3787889B2 (ja) 多層配線板及びその製造方法
JP2002265888A (ja) 接着フィルムおよびその用途ならびに半導体装置の製造方法
JPH11265960A (ja) 金属製補強材付き半導体装置
JP3539242B2 (ja) 接着部材、接着部材を設けた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JP4534100B2 (ja) 電子部品用両面接着フィルム、半導体搭載用有機基板および半導体装置
JP3411748B2 (ja) 接着剤付き金属箔、接着シート及び多層配線板
JP3528639B2 (ja) 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JP4505769B2 (ja) 接着フィルム、接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、半導体装置及びその製造方法
JP4265397B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP4161544B2 (ja) 半導体素子搭載用接着フィルム
JP3617504B2 (ja) 半導体素子搭載用接着フィルム
JPH11209724A (ja) 難燃化接着剤、難燃化接着部材、難燃化接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JPH11260838A (ja) 両面接着フィルムを用いて作製した半導体装置
KR100483102B1 (ko) 접착제 및 양면 접착 필름
JP4618464B2 (ja) 接着剤組成物、これを用いた接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置
JP2000144077A (ja) 両面接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP2000106372A (ja) 両面接着フィルム、半導体搭載用有機基板および半導体装置
JP4699620B2 (ja) 感光性接着フィルムおよびその用途ならびに半導体装置の製造方法
JP5585542B2 (ja) 接着フィルムおよびその用途ならびに半導体装置の製造方法
JP2000154360A (ja) 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置
JP3601443B2 (ja) 接着フィルムとその製造方法、半導体搭載用配線基板及び半導体装置
JP2001181586A (ja) 接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置
JP2001131501A (ja) 三層接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051027

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090911

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090917

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091116

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100520

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100602

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees