JP2002265888A - 接着フィルムおよびその用途ならびに半導体装置の製造方法 - Google Patents
接着フィルムおよびその用途ならびに半導体装置の製造方法Info
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】小さな圧着圧力で熱圧着しても圧着時に空隙の
発生がなく、半導体チップと外部接続用部材または半導
体チップ同士を接続できる、圧着性および圧着プロセス
での作業性に優れた半導体チップ接続用接着フィルム、
及びこの接着フィルムを用いた信頼性に優れる半導体搭
載用接続部材および半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体チップと、これを搭載する配線付
き外部接続用部材または別の半導体チップとを０．０１
〜０．５MPaの圧着圧力で熱圧着し得る接着フィルムで
あって、圧着圧力Ｆ、圧着時間ｔ、および圧着温度での
溶融粘度ηが、式１を満たす条件で熱圧着し得る接着フ
ィルム。 １×１０≦Ｆ（Ｐａ）・ｔ（ｓ）／η（Ｐａ−ｓ）≦５
×１０３ （１） 好ましくは、ラミネート温度域である１００℃以下での
溶融粘度が１×１０4 Pa・s以上、圧着温度での溶融粘度
が５×１０〜１×１０5 Pa・sを有する接着フィルム。
発生がなく、半導体チップと外部接続用部材または半導
体チップ同士を接続できる、圧着性および圧着プロセス
での作業性に優れた半導体チップ接続用接着フィルム、
及びこの接着フィルムを用いた信頼性に優れる半導体搭
載用接続部材および半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体チップと、これを搭載する配線付
き外部接続用部材または別の半導体チップとを０．０１
〜０．５MPaの圧着圧力で熱圧着し得る接着フィルムで
あって、圧着圧力Ｆ、圧着時間ｔ、および圧着温度での
溶融粘度ηが、式１を満たす条件で熱圧着し得る接着フ
ィルム。 １×１０≦Ｆ（Ｐａ）・ｔ（ｓ）／η（Ｐａ−ｓ）≦５
×１０３ （１） 好ましくは、ラミネート温度域である１００℃以下での
溶融粘度が１×１０4 Pa・s以上、圧着温度での溶融粘度
が５×１０〜１×１０5 Pa・sを有する接着フィルム。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップをそ
の支持部材に接着する接着フィルムに関し、特に小さな
圧着圧力で優れた接着性を発揮する接着フィルムに関す
る。
の支持部材に接着する接着フィルムに関し、特に小さな
圧着圧力で優れた接着性を発揮する接着フィルムに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、パソコンや携帯電話などの電子機
器の小型化、高性能化に伴い、半導体パッケージは、半
導体チップとほぼ同じ大きさまで小型化したものまで開
発、実用化されている。これら半導体パッケージは、チ
ップサイズパッケージ（以下「ＣＳＰ」という。）と称
され、その一般的な構造は、接着材を用いて、半導体チ
ップを配線層を有する外部接続部材に接着保持させ、チ
ップと外部接続端子をワイヤーボンディングまたはＴＡ
Ｂ（Tape Automated Bonding）のインナーリードボンデ
ィングなどの各種方法により、電気的に接続し、さらに
必要に応じてパッケージの一部又は全体を樹脂封止して
いる。また近年では、外部接続部材に接着した半導体チ
ップの上に、さらに別の半導体チップを接着材で接着す
ることによって、半導体チップが積層された構造の半導
体パッケージも提案、実用化されている。
器の小型化、高性能化に伴い、半導体パッケージは、半
導体チップとほぼ同じ大きさまで小型化したものまで開
発、実用化されている。これら半導体パッケージは、チ
ップサイズパッケージ（以下「ＣＳＰ」という。）と称
され、その一般的な構造は、接着材を用いて、半導体チ
ップを配線層を有する外部接続部材に接着保持させ、チ
ップと外部接続端子をワイヤーボンディングまたはＴＡ
Ｂ（Tape Automated Bonding）のインナーリードボンデ
ィングなどの各種方法により、電気的に接続し、さらに
必要に応じてパッケージの一部又は全体を樹脂封止して
いる。また近年では、外部接続部材に接着した半導体チ
ップの上に、さらに別の半導体チップを接着材で接着す
ることによって、半導体チップが積層された構造の半導
体パッケージも提案、実用化されている。
【０００３】半導体チップと外部接続部材または半導体
チップ同士の接着に、フィルム状の接着材、すなわち接
着フィルムを用いると、短時間で接着が可能となるの
で、接着フィルムを用いる方法が増加している。接着フ
ィルムを用いる接着方法としては、個片圧着方法または
ウェハ裏面貼付圧着方法などがある。個片圧着方法は、
フィルム打ち抜き機構と熱圧着機構とを兼備したフィル
ム圧着機を用い、まず金型でシート状またはリール状の
接着フィルムを所定の大きさに打ち抜き、これを外部接
続部材の所定位置に仮圧着する。次に圧着治具を用い
て、接着フィルムを熱圧着する。さらに、半導体チップ
を接着フィルムの上に位置合せした後、熱圧着すること
によって、外部接続部材と半導体チップとを接着する。
チップ同士の接着に、フィルム状の接着材、すなわち接
着フィルムを用いると、短時間で接着が可能となるの
で、接着フィルムを用いる方法が増加している。接着フ
ィルムを用いる接着方法としては、個片圧着方法または
ウェハ裏面貼付圧着方法などがある。個片圧着方法は、
フィルム打ち抜き機構と熱圧着機構とを兼備したフィル
ム圧着機を用い、まず金型でシート状またはリール状の
接着フィルムを所定の大きさに打ち抜き、これを外部接
続部材の所定位置に仮圧着する。次に圧着治具を用い
て、接着フィルムを熱圧着する。さらに、半導体チップ
を接着フィルムの上に位置合せした後、熱圧着すること
によって、外部接続部材と半導体チップとを接着する。
【０００４】一方、ウェハ裏面貼付圧着方式は、半導体
素子が形成されたウエハの裏面に、接着フィルムを加熱
加圧ラミネート法などにより貼り付け、次ぎにダイシン
グテープをラミネートした後、ウエハおよび接着フィル
ムを一体に切断する。さらに、ダイシングテープを剥離
し、接着フィルム付き半導体チップとし、これを配線付
き外部接続部材や別の半導体チップへ熱圧着する。
素子が形成されたウエハの裏面に、接着フィルムを加熱
加圧ラミネート法などにより貼り付け、次ぎにダイシン
グテープをラミネートした後、ウエハおよび接着フィル
ムを一体に切断する。さらに、ダイシングテープを剥離
し、接着フィルム付き半導体チップとし、これを配線付
き外部接続部材や別の半導体チップへ熱圧着する。
【０００５】いずれの圧着方式においても、チップ裏面
が外部接続部材側に位置するフェイスアップ構造の場
合、チップ素子面側から治具を用いて加圧圧着するの
で、素子の破壊を防ぐために小さな圧着圧力で圧着する
必要がある。特に近年、半導体チップの薄型化、積層化
の傾向に伴い、従来よりも小さな圧着圧力および低い温
度で圧着する必要がある。
が外部接続部材側に位置するフェイスアップ構造の場
合、チップ素子面側から治具を用いて加圧圧着するの
で、素子の破壊を防ぐために小さな圧着圧力で圧着する
必要がある。特に近年、半導体チップの薄型化、積層化
の傾向に伴い、従来よりも小さな圧着圧力および低い温
度で圧着する必要がある。
【０００６】一方、外部接続部材は、ポリイミドなどの
フィルム基板やＢＴ樹脂などのリジッド基板からなる基
材に配線層が形成された構造である。配線層が半導体チ
ップ側または外部接続端子部側に配置されている構造
と、基板両面側に配置されている構造とに分類される。
配線層が半導体チップ側に配置されているサーキットイ
ン構造では、接着フィルムを圧着する外部接続部材表面
に、配線層のパターンによる５〜２０μm程度の凹凸が
存在する。
フィルム基板やＢＴ樹脂などのリジッド基板からなる基
材に配線層が形成された構造である。配線層が半導体チ
ップ側または外部接続端子部側に配置されている構造
と、基板両面側に配置されている構造とに分類される。
配線層が半導体チップ側に配置されているサーキットイ
ン構造では、接着フィルムを圧着する外部接続部材表面
に、配線層のパターンによる５〜２０μm程度の凹凸が
存在する。
【０００７】しかし、従来の接着フィルム、たとえば、
特開２０００−２５６６２８号公報に開示された接着フ
ィルムでは、圧着圧力が０．５〜３．０MPaにおいて
は、凹凸への充填性が良好であるが、圧着圧力が０．５
MPaを下回ると、接着フィルムの充填が十分に行なわれ
ず、接着界面に空隙（ボイド）が残存する。接着界面に
空隙が存在すると、耐熱性および耐湿性などの信頼性が
低下するという問題が発生するので、圧着圧力が０．５
MPa以下の圧着圧力での圧着は、これまで採用されてい
なかった。
特開２０００−２５６６２８号公報に開示された接着フ
ィルムでは、圧着圧力が０．５〜３．０MPaにおいて
は、凹凸への充填性が良好であるが、圧着圧力が０．５
MPaを下回ると、接着フィルムの充填が十分に行なわれ
ず、接着界面に空隙（ボイド）が残存する。接着界面に
空隙が存在すると、耐熱性および耐湿性などの信頼性が
低下するという問題が発生するので、圧着圧力が０．５
MPa以下の圧着圧力での圧着は、これまで採用されてい
なかった。
【０００８】圧着時の空隙の発生は接着フィルムの流動
性に依存するので、圧着温度での溶融粘度を小さくする
ことにより、空隙の発生を防止することができる。しか
し溶融粘度が小さ過ぎると、チップ圧着時に、接着フィ
ルム端部から接着組成物の過剰なはみ出しが生じ、リー
ド端子部のボンディング不良を引き起こす問題がある。
また、ウエハ裏面貼付圧着方法の場合、接着フィルムを
ウエハへラミネートする際にも、過剰なはみ出しが生じ
て、ウエハ表面やラミネート装置を汚染させることにな
る。さらに、圧着プロセスでの作業性に関しても、個片
圧着方式では、接着フィルムが打ち抜き金型や搬送路へ
付着したり、また、ウェハ裏面貼付圧着方式では、ダイ
シングテープとの剥離性が困難な問題があった。したが
って、従来の接着フィルムでは、小さな圧着圧力での圧
着性と作業性を両立させることができなかった。
性に依存するので、圧着温度での溶融粘度を小さくする
ことにより、空隙の発生を防止することができる。しか
し溶融粘度が小さ過ぎると、チップ圧着時に、接着フィ
ルム端部から接着組成物の過剰なはみ出しが生じ、リー
ド端子部のボンディング不良を引き起こす問題がある。
また、ウエハ裏面貼付圧着方法の場合、接着フィルムを
ウエハへラミネートする際にも、過剰なはみ出しが生じ
て、ウエハ表面やラミネート装置を汚染させることにな
る。さらに、圧着プロセスでの作業性に関しても、個片
圧着方式では、接着フィルムが打ち抜き金型や搬送路へ
付着したり、また、ウェハ裏面貼付圧着方式では、ダイ
シングテープとの剥離性が困難な問題があった。したが
って、従来の接着フィルムでは、小さな圧着圧力での圧
着性と作業性を両立させることができなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体チッ
プとこれを支持する配線付き外部接続部材または半導体
チップ同士を接続する接着フィルムにおいて、０．０１
〜０．５MPaの圧着圧力で熱圧着し得る、圧着性および
圧着プロセスでの作業性に優れる半導体チップ接続用接
着フィルムを提供することを目的とする。また本発明
は、この接着フィルムを用いた信頼性に優れる半導体搭
載用接続部材および半導体装置を提供することを目的と
する。
プとこれを支持する配線付き外部接続部材または半導体
チップ同士を接続する接着フィルムにおいて、０．０１
〜０．５MPaの圧着圧力で熱圧着し得る、圧着性および
圧着プロセスでの作業性に優れる半導体チップ接続用接
着フィルムを提供することを目的とする。また本発明
は、この接着フィルムを用いた信頼性に優れる半導体搭
載用接続部材および半導体装置を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明者らは、接着フィルムのウエハ裏面へのラミ
ネートおよび外部接続部材へ圧着する際の空隙やはみ出
しの支配因子を調査し、その結果、小さな圧着圧力で熱
圧着しても、圧着時に空隙を発生することがなく、半導
体チップとこれを支持する配線付き外部接続部材または
半導体チップ同士を接続できる接着フィルムの発明を完
成させた。
め、本発明者らは、接着フィルムのウエハ裏面へのラミ
ネートおよび外部接続部材へ圧着する際の空隙やはみ出
しの支配因子を調査し、その結果、小さな圧着圧力で熱
圧着しても、圧着時に空隙を発生することがなく、半導
体チップとこれを支持する配線付き外部接続部材または
半導体チップ同士を接続できる接着フィルムの発明を完
成させた。
【００１１】すなわち、本発明は、半導体チップと、こ
れを搭載する配線付き外部接続用部材または別の半導体
チップとを接続する接着フィルムであって、０．０１〜
０．５MPaの圧着圧力で熱圧着し得ることを特徴とする
接着フィルムである。
れを搭載する配線付き外部接続用部材または別の半導体
チップとを接続する接着フィルムであって、０．０１〜
０．５MPaの圧着圧力で熱圧着し得ることを特徴とする
接着フィルムである。
【００１２】また本発明は、半導体チップと、これを搭
載する配線付き外部接続用部材または別の半導体チップ
とを接続する接着フィルムであって、圧着温度での溶融
粘度が５×１０〜１×１０5 Pa・sの範囲にあることを特
徴とする接着フィルムである。
載する配線付き外部接続用部材または別の半導体チップ
とを接続する接着フィルムであって、圧着温度での溶融
粘度が５×１０〜１×１０5 Pa・sの範囲にあることを特
徴とする接着フィルムである。
【００１３】さらに本発明は、半導体チップと、これを
搭載する配線付き外部接続用部材または別の半導体チッ
プとを接続する接着フィルムであって、圧着圧力
（Ｆ）、圧着時間（ｔ）、および圧着温度での溶融粘度
（η）が、下記式（１）の関係を満たす条件で、半導体
チップと、これを搭載する配線付き外部接続用部材また
は別の半導体チップとを熱圧着し得ることを特徴とする
接着フィルムである。 １×１０≦Ｆ（Pa）・ｔ（s）／η（Pa・s）≦５×１０3 （１）
搭載する配線付き外部接続用部材または別の半導体チッ
プとを接続する接着フィルムであって、圧着圧力
（Ｆ）、圧着時間（ｔ）、および圧着温度での溶融粘度
（η）が、下記式（１）の関係を満たす条件で、半導体
チップと、これを搭載する配線付き外部接続用部材また
は別の半導体チップとを熱圧着し得ることを特徴とする
接着フィルムである。 １×１０≦Ｆ（Pa）・ｔ（s）／η（Pa・s）≦５×１０3 （１）
【００１４】また本発明は、半導体チップと、これを搭
載する配線付き外部接続用部材または別の半導体チップ
とを接続する接着フィルムであって、プローブタック試
験法で測定した２５℃でのタック荷重が２〜２０gfの範
囲にあることを特徴する接着フィルムである。
載する配線付き外部接続用部材または別の半導体チップ
とを接続する接着フィルムであって、プローブタック試
験法で測定した２５℃でのタック荷重が２〜２０gfの範
囲にあることを特徴する接着フィルムである。
【００１５】さらに本発明の、エポキシ樹脂とエポキシ
樹脂硬化剤とエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体
とを含む接着剤組成物を用いて、半導体チップと、これ
を搭載する配線付き外部接続用部材または別の半導体チ
ップとを接続する接着フィルムを作製する方法は、基材
に塗布した前記接着剤組成物のワニスを８０〜１００℃
の範囲で加熱乾燥し、ついで１１０〜１５０℃の範囲で
加熱乾燥することを特徴とする接着フィルムの製造方法
である。
樹脂硬化剤とエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体
とを含む接着剤組成物を用いて、半導体チップと、これ
を搭載する配線付き外部接続用部材または別の半導体チ
ップとを接続する接着フィルムを作製する方法は、基材
に塗布した前記接着剤組成物のワニスを８０〜１００℃
の範囲で加熱乾燥し、ついで１１０〜１５０℃の範囲で
加熱乾燥することを特徴とする接着フィルムの製造方法
である。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の接着フィルムは、エポキ
シ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤およびエポキシ基含有（メ
タ）アクリル共重合体を含む熱硬化性樹脂が挙げられ
る。しかし、樹脂組成は、熱硬化性樹脂に限定されず、
たとえば、ポリイミド、ポリエーテルアミドなどの熱可
塑性樹脂を使用することもできる。エポキシ樹脂として
は、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ
樹脂などを使用することができる。
シ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤およびエポキシ基含有（メ
タ）アクリル共重合体を含む熱硬化性樹脂が挙げられ
る。しかし、樹脂組成は、熱硬化性樹脂に限定されず、
たとえば、ポリイミド、ポリエーテルアミドなどの熱可
塑性樹脂を使用することもできる。エポキシ樹脂として
は、たとえば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂やビス
フェノールＦ型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ
樹脂などを使用することができる。
【００１７】熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合は、硬
化剤として、たとえば、フェノール性水酸基を１分子中
に２個以上有する化合物である、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＦ、ビスフェノールＳなどのビスフェノー
ル類を使用することができる。そのなかで、吸湿時の耐
電食性に優れる点から、フェノールノボラック樹脂、ビ
スフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂などのフェノール樹脂が好ましい。
化剤として、たとえば、フェノール性水酸基を１分子中
に２個以上有する化合物である、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＦ、ビスフェノールＳなどのビスフェノー
ル類を使用することができる。そのなかで、吸湿時の耐
電食性に優れる点から、フェノールノボラック樹脂、ビ
スフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂などのフェノール樹脂が好ましい。
【００１８】エポキシ樹脂と硬化剤としてフェノール樹
脂を使用する場合の配合量は、接着フィルムにしたとき
の硬化性の観点から、それぞれエポキシ当量と水酸基当
量の当量比が、好ましくは０．７０／０．３０〜０．３
０／０．７０、より好ましくは０．６５／０．３５〜
０．３５／０．６５、さらに好ましくは０．６０／０．
４０〜０．４０／０．６０、特に好ましくは０．５５／
０．４５〜０．４５／０．５５である。
脂を使用する場合の配合量は、接着フィルムにしたとき
の硬化性の観点から、それぞれエポキシ当量と水酸基当
量の当量比が、好ましくは０．７０／０．３０〜０．３
０／０．７０、より好ましくは０．６５／０．３５〜
０．３５／０．６５、さらに好ましくは０．６０／０．
４０〜０．４０／０．６０、特に好ましくは０．５５／
０．４５〜０．４５／０．５５である。
【００１９】エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体
を使用する場合は、−１０℃以上のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）を有し、重量平均分子量が１０万以上の共重合体が
挙げられ、なかでもアクリルゴムが好ましい。アクリル
ゴムは、エポキシ樹脂と非相溶であるグリシジルアクリ
レートまたはグリシジルメタクリレートを官能性モノマ
ーとし、接着力の確保とゲル化の防止の点から、このエ
ポキシ基含有反復単位の量が、エポキシ基含有（メタ）
アクリル共重合体に０．５〜６．０重量％含有されるこ
とが好ましい。このようなアクリルゴムとして、グリシ
ジルを３重量％含有する帝国化学産業（株）製のＨＴＲ
―８６０Ｐ−３が市販されている。
を使用する場合は、−１０℃以上のガラス転移温度（Ｔ
ｇ）を有し、重量平均分子量が１０万以上の共重合体が
挙げられ、なかでもアクリルゴムが好ましい。アクリル
ゴムは、エポキシ樹脂と非相溶であるグリシジルアクリ
レートまたはグリシジルメタクリレートを官能性モノマ
ーとし、接着力の確保とゲル化の防止の点から、このエ
ポキシ基含有反復単位の量が、エポキシ基含有（メタ）
アクリル共重合体に０．５〜６．０重量％含有されるこ
とが好ましい。このようなアクリルゴムとして、グリシ
ジルを３重量％含有する帝国化学産業（株）製のＨＴＲ
―８６０Ｐ−３が市販されている。
【００２０】アクリルゴムを使用する場合は、エポキシ
基含有（メタ）アクリル共重合体の配合量ｂは、エポキ
シ樹脂とその硬化剤の合計量ａに対して、ａ／ｂの比率
が１〜１０の範囲にあることが好ましい。この範囲にあ
ると、圧着温度でのηが１×１０5Pa・s以下を満たすこ
とができる。
基含有（メタ）アクリル共重合体の配合量ｂは、エポキ
シ樹脂とその硬化剤の合計量ａに対して、ａ／ｂの比率
が１〜１０の範囲にあることが好ましい。この範囲にあ
ると、圧着温度でのηが１×１０5Pa・s以下を満たすこ
とができる。
【００２１】接着フィルムの特性値は、接着フィルムの
圧着性やラミネート性に極めて大きな影響を及ぼす。す
なわち、空隙の有無やはみ出しの大小で評価される接着
フィルムの圧着性やラミネート性の支配因子は、圧着温
度、接着フィルムの溶融粘度、圧着圧力、圧着時間およ
び接着フィルムの厚みなどが挙げられる。しかし、圧着
時間および接着フィルムの厚みは、生産効率、フィルム
に対する要求値によって定められるので、限定された範
囲で運用されているおり、自由度は少ない。したがっ
て、主な支配因子は、圧着温度およびラミネート温度で
の接着フィルムの溶融粘度および圧着圧力である。そこ
で、溶融粘度の異なる接着フィルムを用いて、圧着性や
ラミネート性に及ぼす溶融粘度の影響を定量的に調査し
たところ、接着フィルムは、１００℃以下で約１×１０
4 Pa・s以上の溶融粘度を有し、かつ圧着温度での約５×
１０〜１×１０5 Pa・sの範囲の溶融粘度を有する場合
に、良好な圧着性およびラミネート性が得られることが
明らかになった。
圧着性やラミネート性に極めて大きな影響を及ぼす。す
なわち、空隙の有無やはみ出しの大小で評価される接着
フィルムの圧着性やラミネート性の支配因子は、圧着温
度、接着フィルムの溶融粘度、圧着圧力、圧着時間およ
び接着フィルムの厚みなどが挙げられる。しかし、圧着
時間および接着フィルムの厚みは、生産効率、フィルム
に対する要求値によって定められるので、限定された範
囲で運用されているおり、自由度は少ない。したがっ
て、主な支配因子は、圧着温度およびラミネート温度で
の接着フィルムの溶融粘度および圧着圧力である。そこ
で、溶融粘度の異なる接着フィルムを用いて、圧着性や
ラミネート性に及ぼす溶融粘度の影響を定量的に調査し
たところ、接着フィルムは、１００℃以下で約１×１０
4 Pa・s以上の溶融粘度を有し、かつ圧着温度での約５×
１０〜１×１０5 Pa・sの範囲の溶融粘度を有する場合
に、良好な圧着性およびラミネート性が得られることが
明らかになった。
【００２２】ここでの接着フィルムの溶融粘度は、平行
平板プラストメータ法により測定、算出した値で評価さ
れる。すなわち、接着フィルムの溶融粘度（η）は、半
径ｒの接着フィルムに荷重を一定時間加え、接着フィル
ムの厚さの変化を測定することにより、下記式（２）か
らηについて解いて算出した。
平板プラストメータ法により測定、算出した値で評価さ
れる。すなわち、接着フィルムの溶融粘度（η）は、半
径ｒの接着フィルムに荷重を一定時間加え、接着フィル
ムの厚さの変化を測定することにより、下記式（２）か
らηについて解いて算出した。
【００２３】
【数１】
【００２４】ここでｚ0は荷重を加える前の接着フィル
ムの厚さ、ｚは荷重を加えた後の接着フィルムの厚さ、
Ｖは接着フィルムの体積、Ｆは加えた荷重、ｔは荷重を
加えた時間である。
ムの厚さ、ｚは荷重を加えた後の接着フィルムの厚さ、
Ｖは接着フィルムの体積、Ｆは加えた荷重、ｔは荷重を
加えた時間である。
【００２５】数種類の樹脂組成を変化させた接着フィル
ムを用意し、圧着温度を、また一部は圧着時間も変化さ
せて、接着フィルムを凹凸部のある外部接続部材へ圧着
し、溶融粘度と圧着圧力が接着フィルムの圧着性および
ラミネート性、すなわち空隙やはみ出しに与える影響を
調べた。その結果、０．５MPa以下の小さな圧着圧力で
空隙なく圧着するためには、圧着温度での接着フィルム
の溶融粘度を約１×１０5 Pa・s以下とする必要があっ
た。はみ出し量に関しても、はみ出し量を５０μm以下
にするためには、圧着温度での接着フィルムの溶融粘度
を約５×１０ Pa・s以上にする必要があった。
ムを用意し、圧着温度を、また一部は圧着時間も変化さ
せて、接着フィルムを凹凸部のある外部接続部材へ圧着
し、溶融粘度と圧着圧力が接着フィルムの圧着性および
ラミネート性、すなわち空隙やはみ出しに与える影響を
調べた。その結果、０．５MPa以下の小さな圧着圧力で
空隙なく圧着するためには、圧着温度での接着フィルム
の溶融粘度を約１×１０5 Pa・s以下とする必要があっ
た。はみ出し量に関しても、はみ出し量を５０μm以下
にするためには、圧着温度での接着フィルムの溶融粘度
を約５×１０ Pa・s以上にする必要があった。
【００２６】ここで、圧力範囲を０．５MPa以下とした
のは、チップ素子面側から治具を用いて加圧する方式の
場合では、圧着圧力がこれより大きいと、素子を破壊す
る恐れがあるからである。またはみ出し量を５０μm以
下としたのは、近年、高密度化が進み、チップ端部と外
部接続部材側リードボンディング端子の距離が小さくな
り、接着フィルムのはみ出しが５０μm以上になると端
子部まで達し、リードボンディングできなくなるからで
ある。したがって、圧着温度での接着フィルムの溶融粘
度を、約５×１０〜１×１０5 Pa・sの範囲、特に好まし
くは、１４０〜１８０℃での溶融粘度を約１×１０2〜
１×１０4 Pa・sの範囲に設定することにより、空隙や過
剰なはみ出しがなく、圧着できることを見いだした。
のは、チップ素子面側から治具を用いて加圧する方式の
場合では、圧着圧力がこれより大きいと、素子を破壊す
る恐れがあるからである。またはみ出し量を５０μm以
下としたのは、近年、高密度化が進み、チップ端部と外
部接続部材側リードボンディング端子の距離が小さくな
り、接着フィルムのはみ出しが５０μm以上になると端
子部まで達し、リードボンディングできなくなるからで
ある。したがって、圧着温度での接着フィルムの溶融粘
度を、約５×１０〜１×１０5 Pa・sの範囲、特に好まし
くは、１４０〜１８０℃での溶融粘度を約１×１０2〜
１×１０4 Pa・sの範囲に設定することにより、空隙や過
剰なはみ出しがなく、圧着できることを見いだした。
【００２７】また、接着フィルムが、上記範囲内の溶融
粘度において、実施例および比較例のデータを整理する
と、図１に示すように、溶融粘度が小さくなるにつれ
て、圧着圧力が小さくなっても熱圧着し得ることを知見
した。
粘度において、実施例および比較例のデータを整理する
と、図１に示すように、溶融粘度が小さくなるにつれ
て、圧着圧力が小さくなっても熱圧着し得ることを知見
した。
【００２８】さらに、圧着温度における溶融粘度
（η）、圧着圧力（Ｆ）および圧着時間（ｔ）を用いた
Ｆ（Pa）・ｔ（s）／η（Pa・s）というパラメータと圧
着性の関係を整理すると、図２に示すように、下記式
（１）の関係にある接着フィルムが、空隙や過剰なはみ
出しがなく、圧着できることを見いだした。 １×１０≦Ｆ（Pa）・ｔ（s）／η（Pa・s）≦５×１０3 （１）
（η）、圧着圧力（Ｆ）および圧着時間（ｔ）を用いた
Ｆ（Pa）・ｔ（s）／η（Pa・s）というパラメータと圧
着性の関係を整理すると、図２に示すように、下記式
（１）の関係にある接着フィルムが、空隙や過剰なはみ
出しがなく、圧着できることを見いだした。 １×１０≦Ｆ（Pa）・ｔ（s）／η（Pa・s）≦５×１０3 （１）
【００２９】また、ウエハ裏面貼付圧着方法では、接着
フィルムのウエハ裏面へのラミネートは、外部接続部材
とは異なり表面の凹凸がないので、圧着温度より低温の
１００℃前後、線圧０．１〜１０MPaの条件で行われ
る。この場合も、接着フィルムの溶融粘度とラミネート
後のウエハ端からの接着フィルムのはみ出しとの関係を
調べたところ、接着フィルム樹脂のウエハ表面への廻り
こみなくラミネートするためには、ラミネート温度での
接着フィルムの溶融粘度を、約１×１０4 Pa・s以上とす
る必要があった。
フィルムのウエハ裏面へのラミネートは、外部接続部材
とは異なり表面の凹凸がないので、圧着温度より低温の
１００℃前後、線圧０．１〜１０MPaの条件で行われ
る。この場合も、接着フィルムの溶融粘度とラミネート
後のウエハ端からの接着フィルムのはみ出しとの関係を
調べたところ、接着フィルム樹脂のウエハ表面への廻り
こみなくラミネートするためには、ラミネート温度での
接着フィルムの溶融粘度を、約１×１０4 Pa・s以上とす
る必要があった。
【００３０】以上の結果から、接着フィルムの１００℃
と１８０℃での溶融粘度の比を、１×１０〜１×１０3
の範囲にすることが好ましい。溶融粘度の比がこの範囲
にあると、溶融粘度の温度依存性が適切であるため、圧
着可能な温度範囲が十分広くとることができ、また上記
１００℃以下と圧着温度である１４０〜１８０℃での溶
融粘度の上記の好適な範囲を達成することができるから
である。
と１８０℃での溶融粘度の比を、１×１０〜１×１０3
の範囲にすることが好ましい。溶融粘度の比がこの範囲
にあると、溶融粘度の温度依存性が適切であるため、圧
着可能な温度範囲が十分広くとることができ、また上記
１００℃以下と圧着温度である１４０〜１８０℃での溶
融粘度の上記の好適な範囲を達成することができるから
である。
【００３１】さらに、打ち抜き金型または搬送路などへ
の接着フィルムの付着やダイシングテープとの剥離につ
いても、接着フィルムの物性との相関を調べたところ、
室温での粘着性と相関があることが分かった。粘着性、
すなわちタック性の指標としては、ＪＩＳＺ０２３７に
記載のプローブタック試験法を用いた。プローブタック
試験法とは、プローブを接着フィルムに一定荷重をかけ
ながら一定時間接触させた後、接着フィルムから垂直方
向にプローブを引きはがすのに要する力を求める方法で
ある。金型への付着やダイシングテープとの剥離性は、
プローブタック法によって２５℃で測定したタック荷重
が２〜２０gfの範囲にあると、金型への付着は見られ
ず、またダイシングテープとの剥離も可能であり、作業
性に優れ、さらに、接着フィルムと保護フィルムとの密
着性が良好であるからである。
の接着フィルムの付着やダイシングテープとの剥離につ
いても、接着フィルムの物性との相関を調べたところ、
室温での粘着性と相関があることが分かった。粘着性、
すなわちタック性の指標としては、ＪＩＳＺ０２３７に
記載のプローブタック試験法を用いた。プローブタック
試験法とは、プローブを接着フィルムに一定荷重をかけ
ながら一定時間接触させた後、接着フィルムから垂直方
向にプローブを引きはがすのに要する力を求める方法で
ある。金型への付着やダイシングテープとの剥離性は、
プローブタック法によって２５℃で測定したタック荷重
が２〜２０gfの範囲にあると、金型への付着は見られ
ず、またダイシングテープとの剥離も可能であり、作業
性に優れ、さらに、接着フィルムと保護フィルムとの密
着性が良好であるからである。
【００３２】さらに、接着フィルムとしては、半導体チ
ップと実装基板の熱膨張係数差から生ずる熱応力を低減
するために、低弾性率であることが好ましい。動的粘弾
性測定装置を用いて測定した場合の熱硬化後の接着フィ
ルムの貯蔵弾性率は、２５℃で２０〜２０００MPa、２
６０℃で３〜５０MPaであり、また−６５〜１５０℃で
の平均熱膨張係数は２００ppm／℃以下であることが好
ましい。なお、貯蔵弾性率の測定は、硬化させた接着フ
ィルムに引張り荷重をかけて、周波数１０Hz、昇温速度
５〜１０℃／分の条件で行った。平均熱膨張係数が２０
０ppm／℃以下であると、接着フィルムに発生する熱応
力が小さく、また貯蔵弾性率が、２５℃で２０００MPa
以下および２６０℃で５０MPa以下であると、半導体チ
ップと配線基板であるインターポーザとの熱膨張係数の
差によって発生する熱応力を緩和させる効果が十分維持
でき、剥離やクラックの発生を回避できる。一方、貯蔵
弾性率が、２５℃で２０MPa以上あると接着フィルムの
取扱性は良好であり、２６０℃で３MPa以上あるとリフ
ロークラックの発生も抑制できる。
ップと実装基板の熱膨張係数差から生ずる熱応力を低減
するために、低弾性率であることが好ましい。動的粘弾
性測定装置を用いて測定した場合の熱硬化後の接着フィ
ルムの貯蔵弾性率は、２５℃で２０〜２０００MPa、２
６０℃で３〜５０MPaであり、また−６５〜１５０℃で
の平均熱膨張係数は２００ppm／℃以下であることが好
ましい。なお、貯蔵弾性率の測定は、硬化させた接着フ
ィルムに引張り荷重をかけて、周波数１０Hz、昇温速度
５〜１０℃／分の条件で行った。平均熱膨張係数が２０
０ppm／℃以下であると、接着フィルムに発生する熱応
力が小さく、また貯蔵弾性率が、２５℃で２０００MPa
以下および２６０℃で５０MPa以下であると、半導体チ
ップと配線基板であるインターポーザとの熱膨張係数の
差によって発生する熱応力を緩和させる効果が十分維持
でき、剥離やクラックの発生を回避できる。一方、貯蔵
弾性率が、２５℃で２０MPa以上あると接着フィルムの
取扱性は良好であり、２６０℃で３MPa以上あるとリフ
ロークラックの発生も抑制できる。
【００３３】接着フィルムは、上記物性値の範囲にあれ
ば、単独フィルムの構造でも、またはコア材の両面に接
着フィルムを形成した構造でもよい。接着フィルムの厚
みは、接着フィルム単独の場合は１０〜２００μm、コ
ア材を用いる場合はコア材両面に形成した状態で５０〜
２５０μm程度が好ましい。また、コア材の両面に形成
する接着フィルムの厚みは、各々が同じ厚みであって
も、また異なる厚みであってもよい。外部接続部材の配
線層への埋込性を向上するために、外部接続部材側の接
着フィルムの厚みを、半導体チップ側の接着フィルムの
厚みよりも厚くすることもできる。さらに、コア材両面
に形成する接着フィルムの種類が異なっていることもで
きる。
ば、単独フィルムの構造でも、またはコア材の両面に接
着フィルムを形成した構造でもよい。接着フィルムの厚
みは、接着フィルム単独の場合は１０〜２００μm、コ
ア材を用いる場合はコア材両面に形成した状態で５０〜
２５０μm程度が好ましい。また、コア材の両面に形成
する接着フィルムの厚みは、各々が同じ厚みであって
も、また異なる厚みであってもよい。外部接続部材の配
線層への埋込性を向上するために、外部接続部材側の接
着フィルムの厚みを、半導体チップ側の接着フィルムの
厚みよりも厚くすることもできる。さらに、コア材両面
に形成する接着フィルムの種類が異なっていることもで
きる。
【００３４】コア材は、ガラス転移温度が２００℃以上
のポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアミド、ポ
リエーテルイミド、ポリエステルポリスルホン、ポリエ
ーテルエーテルケトン、ポリウレタンなどの耐熱性熱可
塑フィルム、またはこれらの耐熱性熱可塑多孔質フィル
ムが好ましい。
のポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアミド、ポ
リエーテルイミド、ポリエステルポリスルホン、ポリエ
ーテルエーテルケトン、ポリウレタンなどの耐熱性熱可
塑フィルム、またはこれらの耐熱性熱可塑多孔質フィル
ムが好ましい。
【００３５】接着フィルムは、半硬化状態（Ｂステー
ジ）で外部接続部材へ圧着し、その後硬化させる。この
とき、接着フィルム中の残存揮発成分が多いと、硬化時
にフィルム自身が発泡し、フィルム内部に空隙が生じ、
信頼性の低下原因となる。そこで、硬化時の発泡と残存
揮発分量の関係を調べた結果、残存揮発分を３．０％以
下とすることによって、硬化時の発泡を低減することが
できる。
ジ）で外部接続部材へ圧着し、その後硬化させる。この
とき、接着フィルム中の残存揮発成分が多いと、硬化時
にフィルム自身が発泡し、フィルム内部に空隙が生じ、
信頼性の低下原因となる。そこで、硬化時の発泡と残存
揮発分量の関係を調べた結果、残存揮発分を３．０％以
下とすることによって、硬化時の発泡を低減することが
できる。
【００３６】接着フィルムの溶融粘度（η）の制御は、
樹脂組成のほかに、樹脂組成の配合に基づく接着フィル
ム作製時の塗工条件、すなわちＢステージ化度によって
行なうことができる。
樹脂組成のほかに、樹脂組成の配合に基づく接着フィル
ム作製時の塗工条件、すなわちＢステージ化度によって
行なうことができる。
【００３７】樹脂ワニスをフィルム化するときの塗工条
件は、塗工温度および塗工時間などにより、フィルムの
半硬化状態を調整することによって、接着フィルムの溶
融粘度を制御することができる。特に、樹脂ワニスを塗
布した後、８０〜１００℃の比較的低温度で加熱乾燥さ
せ、次いで樹脂の組成に応じて、１１０〜１５０℃の範
囲で、適切な加熱温度と加熱時間を選択することによ
り、接着フィルムの溶融粘度を本発明の範囲に制御す
る。
件は、塗工温度および塗工時間などにより、フィルムの
半硬化状態を調整することによって、接着フィルムの溶
融粘度を制御することができる。特に、樹脂ワニスを塗
布した後、８０〜１００℃の比較的低温度で加熱乾燥さ
せ、次いで樹脂の組成に応じて、１１０〜１５０℃の範
囲で、適切な加熱温度と加熱時間を選択することによ
り、接着フィルムの溶融粘度を本発明の範囲に制御す
る。
【００３８】また後述する無機フィラーの添加も、接着
フィルムの溶融粘度の微調整に寄与する。
フィルムの溶融粘度の微調整に寄与する。
【００３９】接着フィルムのタック荷重の制御も、溶融
粘度の制御と同様に、樹脂組成物の配合とフィルム作製
時の塗工条件で制御することができる。なお、タック荷
重には、樹脂組成物中の残存揮発分の量も影響を及ぼす
因子である。
粘度の制御と同様に、樹脂組成物の配合とフィルム作製
時の塗工条件で制御することができる。なお、タック荷
重には、樹脂組成物中の残存揮発分の量も影響を及ぼす
因子である。
【００４０】接着フィルムの樹脂には、溶融粘度の微調
整に加えて、難燃化および吸湿率の低減を目的として、
無機フィラーを配合することができる。無機フィラーと
しては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭
酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、
ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウ
ム、アルミナ、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィス
カ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチ
モン酸化物などが挙げられる。さらに、異種材料界面で
の接着を向上するために、カップリング剤を配合するこ
ともできる。また、イオン性不純物を吸着して吸湿時の
絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を配合する
こともできる。
整に加えて、難燃化および吸湿率の低減を目的として、
無機フィラーを配合することができる。無機フィラーと
しては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭
酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、
ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウ
ム、アルミナ、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウィス
カ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチ
モン酸化物などが挙げられる。さらに、異種材料界面で
の接着を向上するために、カップリング剤を配合するこ
ともできる。また、イオン性不純物を吸着して吸湿時の
絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を配合する
こともできる。
【００４１】接着フィルムを用いた半導体チップと配線
付き外部接続部材の接続方法は、個片圧着方法またはウ
ェハ裏面貼付圧着方法などがある。個片圧着方法は、フ
ィルム打ち抜き機構と熱圧着機構とを兼備した接着フィ
ルム圧着機を用いて、まずシート状またはリール状の接
着フィルムを所定の大きさに金型で打ち抜き、外部接続
部材の所定位置に仮圧着する。次に、圧着治具を用い接
着フィルムを熱圧着する。さらに、半導体チップを接着
フィルムの上に位置合せした後、熱圧着することによっ
て、外部接続部材と半導体チップとを接着する。一方、
ウェハ裏面貼付圧着方式は、半導体素子が形成されたウ
エハの裏面に、接着フィルムを加熱加圧ラミネート法な
どで貼り付け、さらにダイシングテープをラミネートし
た後、ウエハおよび接着フィルムを一体に切断する。さ
らに、ダイシングテープを剥離し、接着フィルム付き半
導体チップとし、これを配線付き外部接続部材や他の半
導体チップへ熱圧着する。
付き外部接続部材の接続方法は、個片圧着方法またはウ
ェハ裏面貼付圧着方法などがある。個片圧着方法は、フ
ィルム打ち抜き機構と熱圧着機構とを兼備した接着フィ
ルム圧着機を用いて、まずシート状またはリール状の接
着フィルムを所定の大きさに金型で打ち抜き、外部接続
部材の所定位置に仮圧着する。次に、圧着治具を用い接
着フィルムを熱圧着する。さらに、半導体チップを接着
フィルムの上に位置合せした後、熱圧着することによっ
て、外部接続部材と半導体チップとを接着する。一方、
ウェハ裏面貼付圧着方式は、半導体素子が形成されたウ
エハの裏面に、接着フィルムを加熱加圧ラミネート法な
どで貼り付け、さらにダイシングテープをラミネートし
た後、ウエハおよび接着フィルムを一体に切断する。さ
らに、ダイシングテープを剥離し、接着フィルム付き半
導体チップとし、これを配線付き外部接続部材や他の半
導体チップへ熱圧着する。
【００４２】いずれの圧着方法でも、半導体素子の破壊
を防ぐため、圧着圧力は０．５MPa以下が必要である。
ラミネートまたは圧着温度と圧着時間は、接着界面に空
隙や過剰なはみ出しがなく接着できれば、特に限定され
ないが、ラミネート温度は１００℃前後、圧着温度は外
部接続部材の耐熱性の点から１００〜２００℃、特に１
４０〜１８０℃が好ましい。また、圧着時間は生産性を
考慮すると０．５〜５秒が好ましい。
を防ぐため、圧着圧力は０．５MPa以下が必要である。
ラミネートまたは圧着温度と圧着時間は、接着界面に空
隙や過剰なはみ出しがなく接着できれば、特に限定され
ないが、ラミネート温度は１００℃前後、圧着温度は外
部接続部材の耐熱性の点から１００〜２００℃、特に１
４０〜１８０℃が好ましい。また、圧着時間は生産性を
考慮すると０．５〜５秒が好ましい。
【００４３】本発明の半導体搭載用外部接続基板に用い
る基板材料は、セラミック基板または有機基板を用いる
ことができる。セラミック基板としては、アルミナ基
板、窒化アルミニウム基板などを用いることができる。
有機基板としては、ポリイミドフィルムを基材として用
いたポリイミドフィルム基板、ガラスクロスにエポキシ
樹脂を含浸させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリ
アジン樹脂を含浸させたＢＴ基板などを用いることがで
きる。配線層は、片面配線、両面配線または多層配線の
いずれかの構造であることができる。また、基板には、
リフロー時に発生する蒸気圧を半導体パッケージ外へ逃
がすための微小な貫通孔を設けることもできる。
る基板材料は、セラミック基板または有機基板を用いる
ことができる。セラミック基板としては、アルミナ基
板、窒化アルミニウム基板などを用いることができる。
有機基板としては、ポリイミドフィルムを基材として用
いたポリイミドフィルム基板、ガラスクロスにエポキシ
樹脂を含浸させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリ
アジン樹脂を含浸させたＢＴ基板などを用いることがで
きる。配線層は、片面配線、両面配線または多層配線の
いずれかの構造であることができる。また、基板には、
リフロー時に発生する蒸気圧を半導体パッケージ外へ逃
がすための微小な貫通孔を設けることもできる。
【００４４】本発明の接着フィルムの構造は、図３
（ａ）に示すように、単独の接着フィルム１でも、図３
（ｂ）に示すように、コア材２の両面に接着フィルム１
を備えた接着フィルムでも良い。また、本発明の半導体
搭載用外部接続部材は、図４に示すように、配線３を形
成した外部接続部材４の上に、上記接着フィルム１が接
着された構造である。さらに、本発明の半導体装置の例
としては、図５に示すように、図４に示した半導体搭載
用外部接続部材と半導体チップ５、さらにその上の別の
半導体チップ５が接着フィルム１で接着され、半導体チ
ップのパッドと外部接続部材とをボンディングワイヤ６
で接続し、半導体チップ５および外部接続部材を封止材
７で封止、外部接続端子８にはんだボールを設けた構造
などがある。
（ａ）に示すように、単独の接着フィルム１でも、図３
（ｂ）に示すように、コア材２の両面に接着フィルム１
を備えた接着フィルムでも良い。また、本発明の半導体
搭載用外部接続部材は、図４に示すように、配線３を形
成した外部接続部材４の上に、上記接着フィルム１が接
着された構造である。さらに、本発明の半導体装置の例
としては、図５に示すように、図４に示した半導体搭載
用外部接続部材と半導体チップ５、さらにその上の別の
半導体チップ５が接着フィルム１で接着され、半導体チ
ップのパッドと外部接続部材とをボンディングワイヤ６
で接続し、半導体チップ５および外部接続部材を封止材
７で封止、外部接続端子８にはんだボールを設けた構造
などがある。
【００４５】
【実施例】実施例１ エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂（東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＣＮ−７０３）
４２重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノ
ボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製，商品
名：プライオーフェンＬＦ２８８２）１２重量部および
フェノール樹脂（三井化学工業株式会社製、商品名：Ｘ
ＬＣ−ＬＬ）１８重量部、エポキシ基含有アクリルゴム
（帝国化学産業株式会社製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ
−３）４４重量部、硬化促進剤として１−シアノエチル
−２−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社
製、商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．０２５重
量部、カップリング剤として３−メルカプトプロピルト
リメトキシシラン１重量部および３−ウレイドプロピル
トリメトキシシラン２重量部、フィラーとして平均粒径
０．０１６μmの煙霧質シリカ（日本アエロジル（株）
製、商品名：アエロジルＲ９７２）５．３重量部に、溶
剤としてメチルエチルケトンを加えて、撹拌溶解し、樹
脂ワニスとした。このワニスを、ポリエチレンテレフタ
レートフィルム上に塗布し、９０℃で２０分間加熱乾燥
し、次いで１２０℃で５分間加熱乾燥し、厚み約５０μ
mのＢステージの接着フィルムＡを作製した。
脂（東都化成株式会社製、商品名：ＹＤＣＮ−７０３）
４２重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノ
ボラック樹脂（大日本インキ化学工業株式会社製，商品
名：プライオーフェンＬＦ２８８２）１２重量部および
フェノール樹脂（三井化学工業株式会社製、商品名：Ｘ
ＬＣ−ＬＬ）１８重量部、エポキシ基含有アクリルゴム
（帝国化学産業株式会社製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ
−３）４４重量部、硬化促進剤として１−シアノエチル
−２−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社
製、商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ）０．０２５重
量部、カップリング剤として３−メルカプトプロピルト
リメトキシシラン１重量部および３−ウレイドプロピル
トリメトキシシラン２重量部、フィラーとして平均粒径
０．０１６μmの煙霧質シリカ（日本アエロジル（株）
製、商品名：アエロジルＲ９７２）５．３重量部に、溶
剤としてメチルエチルケトンを加えて、撹拌溶解し、樹
脂ワニスとした。このワニスを、ポリエチレンテレフタ
レートフィルム上に塗布し、９０℃で２０分間加熱乾燥
し、次いで１２０℃で５分間加熱乾燥し、厚み約５０μ
mのＢステージの接着フィルムＡを作製した。
【００４６】実施例２ 実施例１のエポキシ基含有アクリルゴム（ＨＴＲ−８６
０Ｐ−３）の配合量を４４重量部から３１重量部に変更
した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニスを作製し
た。このワニスをポリエチレンテレフタレートフィルム
上に塗布し、９０℃で５分間加熱乾燥し、次いで１４０
℃で５分間加熱乾燥し、厚み約５０μmの接着フィルム
Ｂを作製した。
０Ｐ−３）の配合量を４４重量部から３１重量部に変更
した以外は、実施例１と同様にして樹脂ワニスを作製し
た。このワニスをポリエチレンテレフタレートフィルム
上に塗布し、９０℃で５分間加熱乾燥し、次いで１４０
℃で５分間加熱乾燥し、厚み約５０μmの接着フィルム
Ｂを作製した。
【００４７】比較例１ エポキシ樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート
８２８）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂（住友化学工業株式会社製、商品名：ＥＳＣＮ１９
５）１０重量部、フェノールノボラック樹脂（大日本イ
ンキ化学工業株式会社製，商品名：プライオーフェンＬ
Ｆ２８８２）２５重量部、エポキシ基含有アクリルゴム
（帝国化学産業株式会社製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ
−３）１５０重量部、硬化促進剤として１−シアノエチ
ル−２−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社
製、商品名：２ＰＺ−ＣＮ）０．５重量部、カップリン
グ剤として３−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシランを各々２
重量部に、溶剤としてメチルエチルケトンを加えて、撹
拌溶解し樹脂ワニスとした。このワニスを、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム上に塗布し、９０℃で２０分
間加熱乾燥し、次いで１４０℃で５分間加熱乾燥し、厚
み約５０μｍの接着フィルムＣを作製した。
（油化シェルエポキシ株式会社製、商品名：エピコート
８２８）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ
樹脂（住友化学工業株式会社製、商品名：ＥＳＣＮ１９
５）１０重量部、フェノールノボラック樹脂（大日本イ
ンキ化学工業株式会社製，商品名：プライオーフェンＬ
Ｆ２８８２）２５重量部、エポキシ基含有アクリルゴム
（帝国化学産業株式会社製、商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ
−３）１５０重量部、硬化促進剤として１−シアノエチ
ル−２−フェニルイミダゾール（四国化成工業株式会社
製、商品名：２ＰＺ−ＣＮ）０．５重量部、カップリン
グ剤として３−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシランを各々２
重量部に、溶剤としてメチルエチルケトンを加えて、撹
拌溶解し樹脂ワニスとした。このワニスを、ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム上に塗布し、９０℃で２０分
間加熱乾燥し、次いで１４０℃で５分間加熱乾燥し、厚
み約５０μｍの接着フィルムＣを作製した。
【００４８】比較例２ 実施例１で作製した樹脂ワニスをポリエチレンテレフタ
レートフィルム上に塗布し、９０℃で２０分間加熱乾燥
し、次いで１６０℃で５分間加熱乾燥し、厚み約５０μ
mの接着フィルムＤを作製した。
レートフィルム上に塗布し、９０℃で２０分間加熱乾燥
し、次いで１６０℃で５分間加熱乾燥し、厚み約５０μ
mの接着フィルムＤを作製した。
【００４９】比較例３ 実施例１で作製した樹脂ワニスをポリエチレンテレフタ
レートフィルム上に塗布し、９０℃で２０分間加熱乾燥
し、次いで１００℃で５分間加熱乾燥し、厚み約５０μ
mの接着フィルムＥを作製した。
レートフィルム上に塗布し、９０℃で２０分間加熱乾燥
し、次いで１００℃で５分間加熱乾燥し、厚み約５０μ
mの接着フィルムＥを作製した。
【００５０】比較例４ 実施例２で作製した樹脂ワニスをポリエチレンテレフタ
レートフィルム上に塗布し、９０℃で２０分間加熱乾燥
し、次いで１００℃で５分間加熱乾燥し、厚み約５０μ
mの接着フィルムＦを作製した。
レートフィルム上に塗布し、９０℃で２０分間加熱乾燥
し、次いで１００℃で５分間加熱乾燥し、厚み約５０μ
mの接着フィルムＦを作製した。
【００５１】比較例５ 実施例２で作製した樹脂ワニスをポリエチレンテレフタ
レートフィルム上に塗布し、９０℃で２５分間加熱乾燥
し、厚み約５０μmの接着フィルムＧを作製した。
レートフィルム上に塗布し、９０℃で２５分間加熱乾燥
し、厚み約５０μmの接着フィルムＧを作製した。
【００５２】作製した接着フィルムについて、Ｂステー
ジでのフィルムの物性、硬化物の物性、圧着性と作業性
の評価、および信頼性の評価を行った。結果を、表１〜
表４に示す。なお、フィルムおよび加熱硬化物の物性値
の測定方法ならびに圧着性、作業性の評価および信頼性
の評価は、以下の方法で行った。
ジでのフィルムの物性、硬化物の物性、圧着性と作業性
の評価、および信頼性の評価を行った。結果を、表１〜
表４に示す。なお、フィルムおよび加熱硬化物の物性値
の測定方法ならびに圧着性、作業性の評価および信頼性
の評価は、以下の方法で行った。
【００５３】Ｂステージの接着フィルムの溶融粘度は以
下の方法で測定した。接着フィルムを８枚ラミネート
し、厚み約４００μmの接着フィルムを作製した。この
接着フィルムを直径１１．３mmの円形に打ち抜き、設定
温度において荷重２．５kgfで５秒間加圧し、加圧前後
の接着フィルムの厚みから、前述の式（２）を用いて、
溶融粘度を算出した。接着フィルムのタック荷重は、Ｒ
ＨＥＳＣＡ社製タッキング試験機を用いて、ＪＩＳ Ｚ
０２３７−１９９１参考欄に記載の方法により２５℃で
測定した。測定条件は、プローブ径５．１φmm、引きは
がし速度１０mm／秒、接触荷重１００gf/cm2、接触時間
１．０秒で行った。接着フィルムの残存揮発分は、接着
フィルムの１７０℃／１ｈの硬化前後での重量から、下
記式（３）を用いて算出した。
下の方法で測定した。接着フィルムを８枚ラミネート
し、厚み約４００μmの接着フィルムを作製した。この
接着フィルムを直径１１．３mmの円形に打ち抜き、設定
温度において荷重２．５kgfで５秒間加圧し、加圧前後
の接着フィルムの厚みから、前述の式（２）を用いて、
溶融粘度を算出した。接着フィルムのタック荷重は、Ｒ
ＨＥＳＣＡ社製タッキング試験機を用いて、ＪＩＳ Ｚ
０２３７−１９９１参考欄に記載の方法により２５℃で
測定した。測定条件は、プローブ径５．１φmm、引きは
がし速度１０mm／秒、接触荷重１００gf/cm2、接触時間
１．０秒で行った。接着フィルムの残存揮発分は、接着
フィルムの１７０℃／１ｈの硬化前後での重量から、下
記式（３）を用いて算出した。
【００５４】 残存揮発分（％）＝［（硬化前のフィルム重量−硬化後のフィルム重量） ／硬化前のフィルム重量］×１００ （３）
【００５５】接着フィルム硬化物の物性は、Ｂステージ
の接着フィルムを１７０℃で１時間加熱硬化させたサン
プルを用いて測定した。貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定
装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて、サンプ
ルサイズ：長さ２０mm、幅４mm、膜厚６０μm、昇温速
度５℃／分、引張りモード、１０Hz、自動静荷重の条件
で測定した。また熱膨張係数熱は、熱膨張率測定機（真
空理工（株）製、ＴＭ−７０００）を用いて測定し、−
６５〜１５０℃の平均熱膨張係数を求めた。
の接着フィルムを１７０℃で１時間加熱硬化させたサン
プルを用いて測定した。貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定
装置（レオロジ社製、ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて、サンプ
ルサイズ：長さ２０mm、幅４mm、膜厚６０μm、昇温速
度５℃／分、引張りモード、１０Hz、自動静荷重の条件
で測定した。また熱膨張係数熱は、熱膨張率測定機（真
空理工（株）製、ＴＭ−７０００）を用いて測定し、−
６５〜１５０℃の平均熱膨張係数を求めた。
【００５６】接着フィルムのラミネート性、圧着性は以
下の方法で評価した。接着フィルムを２８０μm厚のウ
エハの裏面に、温度１００℃、線圧１MPa、速度０．２
ｍ／分の条件でラミネートした。この時、接着フィルム
がウエハ端部からはみ出しウエハ表面まで達した場合
を、ラミネート性不良と判断した。さらにダイシングテ
ープ（古河電工株式会社製、商品名：ＵＣ−３３４Ｅ
Ｐ）を室温でラミネートした後、接着フィルム付きウエ
ハを７．０×９．０mmに切断し、紫外線（高圧水銀灯）
をダイシングテープに５００mJ/cm2照射した後、ダイシ
ングテープを剥離して接着フィルム付き半導体チップと
した。これを表２に示した条件で配線付き外部接続部材
へ熱圧着し、空隙が接着フィルム全体の面積に対して１
０％以内、またはチップ端からのはみ出しが５０μm以
内の場合を、圧着性良好と判断した。
下の方法で評価した。接着フィルムを２８０μm厚のウ
エハの裏面に、温度１００℃、線圧１MPa、速度０．２
ｍ／分の条件でラミネートした。この時、接着フィルム
がウエハ端部からはみ出しウエハ表面まで達した場合
を、ラミネート性不良と判断した。さらにダイシングテ
ープ（古河電工株式会社製、商品名：ＵＣ−３３４Ｅ
Ｐ）を室温でラミネートした後、接着フィルム付きウエ
ハを７．０×９．０mmに切断し、紫外線（高圧水銀灯）
をダイシングテープに５００mJ/cm2照射した後、ダイシ
ングテープを剥離して接着フィルム付き半導体チップと
した。これを表２に示した条件で配線付き外部接続部材
へ熱圧着し、空隙が接着フィルム全体の面積に対して１
０％以内、またはチップ端からのはみ出しが５０μm以
内の場合を、圧着性良好と判断した。
【００５７】また硬化時の発泡は、接着フィルムを外部
接続部材へ圧着し、オーブンで１７０℃／１時間硬化し
た後に、顕微鏡でフィルム断面を観察し、微細な空隙が
ある場合を発泡ありと判断した。外部接続部材には、配
線層の配線幅３０μm、最狭配線間幅４０μm、配線層厚
み２０μm、厚み５０μmのポリイミド系フィルムからな
る貫通孔付きのＴＡＢテープを用いた。圧着条件は加圧
時間を１秒間および３秒間とし、温度を１４０〜１８０
℃、圧着圧力を０．０５〜０．２MPaの範囲で行った。
ダイシングテープとの剥離性は、接着フィルムと露光後
のダイシングテープとの室温でのピール強度を測定し、
４０gf/cm以上の場合を剥離困難と判断した。
接続部材へ圧着し、オーブンで１７０℃／１時間硬化し
た後に、顕微鏡でフィルム断面を観察し、微細な空隙が
ある場合を発泡ありと判断した。外部接続部材には、配
線層の配線幅３０μm、最狭配線間幅４０μm、配線層厚
み２０μm、厚み５０μmのポリイミド系フィルムからな
る貫通孔付きのＴＡＢテープを用いた。圧着条件は加圧
時間を１秒間および３秒間とし、温度を１４０〜１８０
℃、圧着圧力を０．０５〜０．２MPaの範囲で行った。
ダイシングテープとの剥離性は、接着フィルムと露光後
のダイシングテープとの室温でのピール強度を測定し、
４０gf/cm以上の場合を剥離困難と判断した。
【００５８】信頼性は、上記の半導体チップ付き外部接
続部材を封止用樹脂（日立化成工業株式会社製、商品
名：ＣＥＬ−９１２０）で封止して作製した半導体パッ
ケージを用いて評価した。信頼性項目としては、耐リフ
ロー性、耐ＰＣＴ性および耐温度サイクル性を評価し
た。耐リフロー性は、作製した半導体パッケージを８５
℃、８５％の雰囲気で２４時間吸湿した後、赤外線リフ
ロー装置で半導体パッケージ表面の最大到達温度が２６
５℃で１０秒間となる条件で３回処理を行った後、超音
波探査探傷装置で半導体パッケージ内部を検査し、接着
界面の剥離やクラックなどを評価した。耐ＰＣＴ性は、
リフロー処理した半導体パッケージを、１２１℃、１０
０％の雰囲気で２００時間処理した後、同様に接着界面
の剥離や外部接続部材の貫通孔から接着フィルム樹脂の
しみ出しの有無を評価した。耐温度サイクル性は、半導
体パッケージを−５５℃〜１２５℃で１５分間の雰囲気
で処理した後、超音波探査探傷装置で半導体パッケージ
内部を検査し、接着界面の剥離やクラックなどを評価し
た。
続部材を封止用樹脂（日立化成工業株式会社製、商品
名：ＣＥＬ−９１２０）で封止して作製した半導体パッ
ケージを用いて評価した。信頼性項目としては、耐リフ
ロー性、耐ＰＣＴ性および耐温度サイクル性を評価し
た。耐リフロー性は、作製した半導体パッケージを８５
℃、８５％の雰囲気で２４時間吸湿した後、赤外線リフ
ロー装置で半導体パッケージ表面の最大到達温度が２６
５℃で１０秒間となる条件で３回処理を行った後、超音
波探査探傷装置で半導体パッケージ内部を検査し、接着
界面の剥離やクラックなどを評価した。耐ＰＣＴ性は、
リフロー処理した半導体パッケージを、１２１℃、１０
０％の雰囲気で２００時間処理した後、同様に接着界面
の剥離や外部接続部材の貫通孔から接着フィルム樹脂の
しみ出しの有無を評価した。耐温度サイクル性は、半導
体パッケージを−５５℃〜１２５℃で１５分間の雰囲気
で処理した後、超音波探査探傷装置で半導体パッケージ
内部を検査し、接着界面の剥離やクラックなどを評価し
た。
【００５９】
【表１】
【００６０】
【表２】
【００６１】
【表３】
【００６２】
【表４】
【００６３】
【発明の効果】表１〜４より、本発明の接着フィルム
は、１００℃以下での溶融粘度が１×１０4Pa・s以上、
圧着温度での溶融粘度が５×１０〜１×１０5Pa・s、タ
ック荷重が２〜２０gf、残存揮発分が３％以下を有し、
０．０１〜０．５MPaの小さな圧着圧力で、半導体チッ
プとこれを塔載する配線付き外部接続用部材を接続する
ことができる。したがって、本発明は、圧着性、作業性
および信頼性に優れた接着フィルムを提供することがで
きる。
は、１００℃以下での溶融粘度が１×１０4Pa・s以上、
圧着温度での溶融粘度が５×１０〜１×１０5Pa・s、タ
ック荷重が２〜２０gf、残存揮発分が３％以下を有し、
０．０１〜０．５MPaの小さな圧着圧力で、半導体チッ
プとこれを塔載する配線付き外部接続用部材を接続する
ことができる。したがって、本発明は、圧着性、作業性
および信頼性に優れた接着フィルムを提供することがで
きる。
【図１】接着フィルムの圧着性に及ぼす圧着圧力（Ｆ）
と圧着温度での溶融粘度（η）との関係を示す図であ
る。
と圧着温度での溶融粘度（η）との関係を示す図であ
る。
【図２】接着フィルムの圧着性およびはみ出し性に及ぼ
す、圧着圧力（Ｆ）、圧着時間（ｔ）と圧着温度での溶
融粘度（η）との関係を示す図である。
す、圧着圧力（Ｆ）、圧着時間（ｔ）と圧着温度での溶
融粘度（η）との関係を示す図である。
【図３】（ａ）は本発明による接着フィルム単体からな
る接着フィルムを示す断面図、（ｂ）は本発明によるコ
ア材の両面に接着フィルムを備えた接着フィルムを示す
断面図である。
る接着フィルムを示す断面図、（ｂ）は本発明によるコ
ア材の両面に接着フィルムを備えた接着フィルムを示す
断面図である。
【図４】本発明による接着フィルムを用いた半導体搭載
用外部接続部材を示す断面図である。
用外部接続部材を示す断面図である。
【図５】本発明による接着フィルム付き半導体搭載用外
部接続部材に半導体チップが接着された半導体装置の断
面図である。
部接続部材に半導体チップが接着された半導体装置の断
面図である。
１ 接着フィルム ２ コア材 ３ 配線 ４ 外部接続部材 ５ 半導体チップ ６ ボンディングワイヤ ７ 封止用樹脂 ８ 外部接続端子
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 25/065 Ｈ０１Ｌ 25/08 Ｚ 25/07 25/18 (72)発明者 安田 雅昭 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 稲田 禎一 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 松崎 隆行 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 宇留野 道生 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4J004 AA13 AB03 BA02 FA05 4J040 EC001 EC231 JA09 JB01 KA16 LA08 5F047 AA00 AA11 AA17 BA34 BB03 BC16
Claims (15)
- 【請求項１】 半導体チップと、これを搭載する配線付
き外部接続用部材または別の半導体チップとを接続する
接着フィルムであって、０．０１〜０．５MPaの圧着圧
力で熱圧着し得ることを特徴とする接着フィルム。 - 【請求項２】 半導体チップと、これを搭載する配線付
き外部接続用部材または別の半導体チップとを接続する
接着フィルムであって、圧着温度での溶融粘度が５×１
０〜１×１０5 Pa・sの範囲にあることを特徴とする接着
フィルム。 - 【請求項３】 半導体チップと、これを搭載する配線付
き外部接続用部材または別の半導体チップとを接続する
接着フィルムであって、圧着圧力（Ｆ）、圧着時間
（ｔ）、および圧着温度での溶融粘度（η）が、下記式
（１）の関係を満たす条件で熱圧着し得ることを特徴と
する接着フィルム。 １×１０≦Ｆ（Pa）・ｔ（s）／η（Pa・s）≦５×１０3 （１） - 【請求項４】 前記接着フィルムが、さらに、１００℃
以下で１×１０4 Pa・s以上の溶融粘度を有する、請求項
２または３記載の接着フィルム。 - 【請求項５】 前記接着フィルムの１００℃と１８０℃
での溶融粘度の比が、１×１０〜１×１０3 の範囲にあ
る、請求項４記載の接着フィルム。 - 【請求項６】 半導体チップと、これを搭載する配線付
き外部接続用部材または別の半導体チップとを接続する
接着フィルムであって、プローブタック試験法で測定し
た２５℃でのタック荷重が２〜２０gfの範囲にあること
を特徴する接着フィルム。 - 【請求項７】 前記接着フィルムが、２５℃で２０〜２
０００MPaおよび２６０℃で３〜５０MPaの貯蔵弾性率
と、−６５〜１５０℃の温度域で２００ppm/℃以下の平
均熱膨張係数を有する、請求項１〜６のいずれか１項記
載の接着フィルム。 - 【請求項８】 前記接着フィルムが、３．０％以下の残
存揮発分を有する、請求項１〜７のいずれか１項記載の
接着フィルム。 - 【請求項９】 前記接着フィルムが、１０〜２００μm
の厚さを有する、請求項１〜８のいずれか１項記載の接
着フィルム。 - 【請求項１０】 前記接着フィルムが、エポキシ樹脂と
エポキシ樹脂硬化剤とエポキシ基含有（メタ）アクリル
共重合体とを含む、請求項１〜９のいずれか１項記載の
接着フィルム。 - 【請求項１１】 エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤と
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体と、を含む接
着剤組成物を用いて、半導体チップと、これを搭載する
配線付き外部接続用部材または別の半導体チップと、を
接続する接着フィルムを作製する方法であって、基材に
塗布した前記接着剤組成物のワニスを８０〜１００℃の
範囲で加熱乾燥し、ついで１１０〜１５０℃の範囲で加
熱乾燥することを特徴とする接着フィルムの製造方法。 - 【請求項１２】 （１）半導体素子が形成されたウエハ
の裏面に、請求項２〜１０のいずれか１項記載の接着フ
ィルムをラミネートする工程と、（２）前記ラミネート
した接着フィルム上にダイシングテープをラミネートす
る工程と、（３）前記ラミネートしたウエハおよび接着
フィルムを一体に切断する工程と、（４）前記ダイシン
グテープを剥離し、接着フィルム付き半導体チップを形
成する工程と、（５）前記接着フィルム付き半導体チッ
プを、配線付き外部接続用配線部材または別の半導体チ
ップに熱圧着する工程と、を備えた半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記（５）の工程が、０．０１〜０．
５MPaの圧着圧力で熱圧着する、請求項１２記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記（５）の工程が、接着フィルムの
圧着温度での溶融粘度（η）に対して、下記式（１）の
関係にある圧着圧力（Ｆ）と圧着時間（ｔ）で熱圧着す
る、請求項１２記載の半導体装置の製造方法。 １×１０≦Ｆ（Pa）・ｔ（s）／η（Pa・s）≦５×１０3 （１） - 【請求項１５】 請求項１〜１０のいずれか１項記載の
接着フィルムを介して、半導体チップを、配線付き外部
接続用部材または別の半導体チップに接着した半導体装
置。
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Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004123796A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2004256695A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、ならびにこれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
| WO2005036633A1 (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-21 | Nagase & Co., Ltd. | 電子部材の製造方法、及び、接着材付ｉｃチップ |
| JP2006120725A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置 |
| JP2006183020A (ja) * | 2004-04-20 | 2006-07-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2006199756A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Sekisui Chem Co Ltd | 接合フィルム、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置 |
| JP2006216790A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Sekisui Chem Co Ltd | 電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
| JP2007126622A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-05-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007157758A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2008153426A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップのボンディング方法 |
| JP2008172275A (ja) * | 2008-03-24 | 2008-07-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009100000A (ja) * | 2008-12-01 | 2009-05-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置用ダイボンディング材及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2009206507A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-09-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2010016393A (ja) * | 2009-08-27 | 2010-01-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011165716A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Nitto Denko Corp | 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置 |
| JP2011166159A (ja) * | 2008-08-28 | 2011-08-25 | Nitto Denko Corp | 熱硬化型ダイボンドフィルム |
| US8017444B2 (en) | 2004-04-20 | 2011-09-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive sheet, semiconductor device, and process for producing semiconductor device |
| JP2012052126A (ja) * | 2011-10-24 | 2012-03-15 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置 |
| US20120135242A1 (en) * | 2008-08-28 | 2012-05-31 | Yuki Sugo | Thermosetting die-bonding film |
| JP2012167174A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Lintec Corp | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2013203795A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Lintec Corp | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2014090173A (ja) * | 2013-11-01 | 2014-05-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品 |
| JP2016135856A (ja) * | 2015-01-15 | 2016-07-28 | リンテック株式会社 | 接着剤組成物、フィルム状接着剤及び積層体の製造方法 |
| WO2023281906A1 (ja) * | 2021-07-09 | 2023-01-12 | 日東電工株式会社 | 熱硬化性接着シート |
-
2001
- 2001-03-15 JP JP2001074268A patent/JP4258984B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004123796A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2004256695A (ja) * | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、ならびにこれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
| JP4529357B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2010-08-25 | 日立化成工業株式会社 | 接着シート、ならびにこれを用いた半導体装置およびその製造方法 |
| WO2005036633A1 (ja) * | 2003-10-07 | 2005-04-21 | Nagase & Co., Ltd. | 電子部材の製造方法、及び、接着材付ｉｃチップ |
| JPWO2005036633A1 (ja) * | 2003-10-07 | 2007-11-22 | 長瀬産業株式会社 | 電子部材の製造方法、及び、接着材付ｉｃチップ |
| JP2006183020A (ja) * | 2004-04-20 | 2006-07-13 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
| KR101165131B1 (ko) * | 2004-04-20 | 2012-07-12 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접착시트, 반도체장치, 및 반도체장치의 제조방법 |
| US8017444B2 (en) | 2004-04-20 | 2011-09-13 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive sheet, semiconductor device, and process for producing semiconductor device |
| JP2006120725A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート及びそれを用いた半導体装置の製造方法、並びに半導体装置 |
| JP4599983B2 (ja) * | 2004-10-19 | 2010-12-15 | 日立化成工業株式会社 | 接着シート |
| JP2006199756A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Sekisui Chem Co Ltd | 接合フィルム、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置 |
| JP4625342B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2011-02-02 | 積水化学工業株式会社 | 電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
| JP2006216790A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Sekisui Chem Co Ltd | 電子部品装置及び電子部品装置の製造方法 |
| JP2007126622A (ja) * | 2005-10-06 | 2007-05-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007157758A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2008153426A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップのボンディング方法 |
| JP2009206507A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-09-10 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2008172275A (ja) * | 2008-03-24 | 2008-07-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US8580617B2 (en) | 2008-08-28 | 2013-11-12 | Nitto Denko Corporation | Thermosetting die-bonding film |
| JP2011166159A (ja) * | 2008-08-28 | 2011-08-25 | Nitto Denko Corp | 熱硬化型ダイボンドフィルム |
| US20120135242A1 (en) * | 2008-08-28 | 2012-05-31 | Yuki Sugo | Thermosetting die-bonding film |
| JP2009100000A (ja) * | 2008-12-01 | 2009-05-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置用ダイボンディング材及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2010016393A (ja) * | 2009-08-27 | 2010-01-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2011165716A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Nitto Denko Corp | 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置 |
| JP2012167174A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-06 | Lintec Corp | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2012052126A (ja) * | 2011-10-24 | 2012-03-15 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2013203795A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Lintec Corp | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2014090173A (ja) * | 2013-11-01 | 2014-05-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着フィルム、半導体装置、多層回路基板および電子部品 |
| JP2016135856A (ja) * | 2015-01-15 | 2016-07-28 | リンテック株式会社 | 接着剤組成物、フィルム状接着剤及び積層体の製造方法 |
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