JP2003147323A - 接着剤組成物、接着フィルム、半導体支持部材、半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

接着剤組成物、接着フィルム、半導体支持部材、半導体装置およびその製造方法

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禎一 稲田
Tetsuo Iwakura
哲郎 岩倉
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワニスや未硬化フィルム状態での安定性が高
く、硬化後に相分離した後は、耐熱性に優れる接着剤組
成物、また、この接着剤組成物を含む接着フィルム、及
びこの接着フィルムを用いて半導体チップと半導体支持
部材とを接着させた半導体装置を提供する。 【解決手段】 熱硬化性樹脂と重量平均分子量1万以上
の高分子化合物とを含む接着剤組成物であって、該熱硬
化性樹脂と該高分子化合物とのSP値の差の絶対値が
0.3(cal/cm1/2以上2(cal/cm
1/2以下であり、熱硬化性樹脂と高分子化合物
が、ワニス状態では相溶し、ワニスの溶剤乾燥後あるい
は熱硬化性樹脂の硬化後は相分離することを特徴とする
接着剤組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着剤組成物、接
着フィルム、半導体支持部材、半導体装置及びその製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】異なる組成を有する2つ以上の相からな
る相分離材料は、耐クラック性や接着性に優れるという
利点があり、成形加工品や電気電子用途の接着剤等に広
く使用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、相分離
相の大きさは加工方法や加熱条件等で異なるため、性能
がばらつくという課題があった。特に、ワニスを製造
し、塗工、乾燥後、接着剤として使用する接着フィルム
の用途では、ワニス状態で相分離が起きてワニスの安定
性が低下すること、さらに、相分離の大きさ等を制御で
きないため、耐熱性がばらつくこと等の問題点があっ
た。
【0004】本発明は、上記問題点に鑑み、ワニスや未
硬化フィルム状態での安定性が高く、硬化後に相分離し
た後は、耐熱性に優れる接着剤組成物に関するものであ
る。また、この接着剤組成物を含む接着フィルム、この
接着フィルムを備えた半導体支持部材、及びこの接着フ
ィルムを用いて半導体チップと半導体支持部材とを接着
させた半導体装置の提供を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、熱硬化性樹脂
と重量平均分子量1万以上の高分子化合物とを含む接着
剤組成物であって、該熱硬化性樹脂と該高分子化合物と
のSP値の差の絶対値が0.3(cal/cm
1/2以上2(cal/cm1/2以下であり、熱
硬化性樹脂と高分子化合物が、ワニス状態では相溶し、
ワニスの溶剤乾燥後あるいは熱硬化性樹脂の硬化後は相
分離することを特徴とする接着剤組成物に関する。特
に、不連続的に相分離した熱硬化性樹脂相の最大長さが
0.5μm以下であること、熱硬化性樹脂の重量平均分
子量が3000以下であること、高分子化合物が架橋性
官能基を有することが好ましい。また、本発明は、上記
接着剤組成物がフィルム状に形成された接着剤層を有す
る接着フィルムに関する。さらに、本発明は、半導体チ
ップ搭載面に上記接着フィルムを備えた半導体支持部材
に関する。さらにまた、本発明は、半導体チップに上記
接着フィルムが接着している半導体装置、および半導体
チップと半導体支持部材とを上記接着フィルムを介して
接着している半導体装置に関し、また、半導体ウエハに
上記接着フィルム及びダイシングテープをラミネートす
る工程と、前記ウエハ及び接着フィルムをチップに切断
する工程と、半導体支持部材と前記チップとを前記接着
フィルムを介して接着する工程とを含む半導体装置の製
造方法に関する。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の接着剤組成物に含まれる
熱硬化性樹脂は、硬化して接着作用を呈するものが使用
でき、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネー
ト樹脂、シリコーン樹脂、レゾール樹脂等が挙げられ
る。好ましくは、耐熱性の良好なエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、シアネート樹脂である。また、熱硬化性樹脂
の重量平均分子量が5000以下であるのが好ましく、
より好ましくは重量平均分子量が3000以下の熱硬化
性樹脂である。なお、重量平均分子量は、ゲル パーミ
エーション クロマトグラフィーにより標準ポリスチレ
ンの検量線を用いて測定することができる。
【0007】エポキシ樹脂は、二官能以上(1分子中に
エポキシ基を2個以上含有)で、エポキシ樹脂が使用で
きる。二官能エポキシ樹脂(1分子中にエポキシ基を2
個含有するエポキシ樹脂)としては、ビスフェノールA
型またはビスフェノールF型エポキシ樹脂等が例示され
る。市販のビスフェノールA型またはビスフェノールF
型エポキシ樹脂は、例えば油化シェルエポキシ株式会社
製商品名エピコート807、エピコート827、エピコ
ート828、ダウケミカル日本株式会社製商品名D.
E.R.330、D.E.R.331、D.E.R.3
61、東都化成株式会社製商品名YD8125、YDF
8170等が挙げられる。
【0008】また、本発明におけるエポキシ樹脂として
は三官能以上(1分子中にエポキシ基を3個以上含有)
の多官能エポキシ樹脂を用いてもよく、二官能エポキシ
樹脂50〜100重量%と三官能以上の多官能エポキシ
0〜50重量%を用いることが好ましい。特に、高Tg
化のためには二官能エポキシ樹脂50〜90重量%とと
もに、三官能以上の多官能エポキシ樹脂を10〜50重
量%用いることが好ましい。三官能以上の多官能エポキ
シ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が例示され
る。市販品は、フェノールノボラック型エポキシ樹脂
は、例えば、日本化薬株式会社製商品名EPPN−20
1等、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂は、例えば
住友化学工業株式会社製商品名ESCN−190、ES
CN−195、前記日本化薬株式会社製商品名EOCN
1012、EOCN1025、EOCN1027、前記
東都化成株式会社製商品名YDCN701、YDCN7
02、YDCN703、YDCN704等が挙げられ
る。
【0009】難燃化を効果的にするためにはエポキシ樹
脂のうち、臭素化エポキシ樹脂を用いることが好まし
い。臭素化エポキシ樹脂としては、臭素原子を含む二官
能エポキシ樹脂やノボラック型の臭素化エポキシ樹脂を
使用できる。臭素原子を含む二官能エポキシ樹脂の市販
品は、東都化成株式会社製商品名YDB−360、YD
B−400等、ノボラック型の臭素化エポキシ樹脂は、
日本化薬株式会社製商品名BREN−S、BREN−1
04、BREN−301等が例示される。
【0010】エポキシ樹脂の硬化剤は、エポキシ樹脂の
硬化剤として通常用いられているものを使用でき、アミ
ン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三弗化硼
素及びフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有する
化合物であるビスフェノールA、ビスフェノールF、ビ
スフェノールS等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食性
に優れるためフェノール樹脂であるフェノールノボラッ
ク樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂またはクレゾー
ルノボラック樹脂等を用いるのが好ましい。市販品とし
て、フェノールノボラック樹脂は、大日本インキ化学工
業株式会社から商品名バーカムTD−2090、バーカ
ムTD−2131等、変性フェノールノボラック樹脂は
大日本インキ化学工業株式会社から商品名プライオーフ
ェンVH4150、プライオーフェンVH4170等、
ビスフェノールノボラック樹脂は大日本インキ化学工業
株式会社から商品名フェノライトLF2882、フェノ
ライトLF2822等が例示される。
【0011】難燃性向上のためには臭素化エポキシ樹脂
と併せて、二官能以上の臭素化フェノール化合物を硬化
剤として用いることが好ましい。臭素化フェノール化合
物としては、例えばテトラブロモビスフェノールAを用
いることができる。市販品のテトラブロモビスフェノー
ルAは、例えば帝人化成工業株式会社製商品名ファイヤ
ーガードFG2000等が挙げられる。
【0012】硬化剤は、エポキシ樹脂のエポキシ基1当
量に対して、硬化剤のエポキシ基との反応基が0.6〜
1.4当量使用することが好ましく、0.8〜1.2当
量使用するのがより好ましい。硬化剤が少なすぎたり多
すぎたりすると耐熱性が低下する傾向がある。
【0013】エポキシ樹脂及び表面を活性基保護材料で
コートした潜在性硬化剤または潜在性硬化促進剤の混合
物としては、例えば旭化成株式会社製商品名ノバキュア
HX−3748、ノバキュアHX−3088等が挙げら
れる。特に、潜在性が高い点で、ノバキュアHX−30
88等が好ましい。これらは他のエポキシ樹脂あるいは
硬化剤と組み合わせて使用することが可能であり、その
場合、保存安定性の向上やコストの低下等の利点があ
る。また、単独で使用しても良く、その場合には速硬化
性が高くなる利点がある。
【0014】本発明の接着剤組成物に含まれる高分子化
合物は、フィルムとしての取り扱い性や高い耐熱性を保
持するために、重量平均分子量1万以上である必要があ
る。このような高分子化合物としては、アクリル系共重
合体、アクリルゴム、シリコーン樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリエステル樹脂、シリコーン変性ポリアミドイミ
ド等のシリコーン変性樹脂、非晶性ポリエステル樹脂、
変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられるが、こ
れらに限定されるものではない。ここでのアクリルゴム
とはアクリル酸エステルを主成分としたゴムであり、主
としてブチルアクリレートとアクリロニトリル等の共重
合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリル等の共
重合体等からなるゴムである。
【0015】このようなアクリルゴムとしては、例えば
ナガセケムテックス株式会社製HTR−600LBD
R、HTR−280DR等が挙げられる。また、非晶性
ポリエステル樹脂としては、東洋紡株式会社製商品名バ
イロン500、同550、同270等、変性ポリフェニ
レンエーテル樹脂としては三菱エンジニアリングプラス
チック株式会社製商品名ユピエースAH40、同AH9
0、同AN20等が挙げられる。
【0016】また、高分子化合物としては、ブロック共
重合体並びにグラフト共重合体等のように、不均一な構
造を有する高分子化合物を使用しても良い。これらを使
用すると、均一な高分子化合物を使用した場合に比べ
て、耐衝撃性、接着性及び耐熱性に優れる等の効果があ
る。ブロック共重合体としては、ラジカル重合、アニオ
ン重合等で形成した高分子化合物並びにグラフト共重合
体等で得られるものでも良い。ブロック共重合体として
はシリコーン変性ポリイミド、ウレタン変性ポリイミド
が挙げられる。また、グラフト共重合体としてはABS
樹脂(例えば、テクノポリマ(株)製ABS−145)
等が例示される。
【0017】高分子化合物は、架橋性官能基を有するの
が耐熱性の点で好ましい。架橋性官能基を有する高分子
化合物としては、グリシジルアクリレート又はグリシジ
ルメタクリレート0.5〜6.0重量%を含む、Tgが
−50℃以上でかつ重量平均分子量が10万以上のエポ
キシ基含有アクリル共重合体等が挙げられ、例えば帝国
化学産業株式会社から商品名HTR−860P3DRが
市販されている。特に、熱硬化性樹脂の硬化反応率が1
0%以下の場合に高分子化合物が反応ゲル化している
と、不連続的に相分離した熱硬化性樹脂相の最大長さが
小さくなり、耐熱性が向上する点で好ましい。
【0018】SP値(solubility parameter)δは、液
体の分子凝集エネルギーをEとし、その分子容をVとす
ると、下式 δ=(E/V)1/2 で定義される。SP値は液体間の混合性の尺度となる物
理化学定数として使用され、蒸発熱、沸点、溶解度等か
ら計算した常温でのSP値は、多くの化合物について報
告されている。本発明の接着剤組成物における熱硬化性
樹脂と高分子化合物とは、SP値の差の絶対値が0.3
(cal/cm1/2以上2(cal/cm
1/2以下である必要がある。
【0019】熱硬化性樹脂と、該熱硬化性樹脂のSP値
の差の絶対値が0.3(cal/cm1/2以上2
(cal/cm1/2以下である重量平均分子量1
万以上の高分子化合物との組合せの例としては、SP値
10.9(cal/cm 1/2のエポキシ樹脂組成
物およびSP値10.0(cal/cm1/2のポ
リウレタンの組合せや、SP値10.5(cal/cm
1/2のエポキシ樹脂組成物およびSP値12.0
(cal/cm1/2のアクリルゴムの組合せ等が
挙げられる。
【0020】熱硬化性樹脂及び高分子化合物のSP値の
差の絶対値が2(cal/cm 1/2を超えると、
ワニス状態で相分離するためワニスの安定性が低下する
点、溶剤乾燥時に相分離すると不連続相分離相の最大長
さが大きくなりすぎ、耐熱性が低下する点で好ましくな
い。また、0.3(cal/cm1/2未満の場合
は、硬化後も相分離しないため、耐クラック性が低下す
る点で好ましくない。また、前記SP値の差の絶対値
は、ワニスの安定性と硬化後の接着性が特に良好である
点で、0.5(cal/cm1/2以上1.5(c
al/cm 1/2以下であることが好ましい。さら
に好ましくは0.7(cal/cm 1/2以上1.
3(cal/cm1/2以下であり、この範囲内の
場合、熱硬化性樹脂のモノマが溶剤乾燥後では高分子化
合物中に溶解しているため、未硬化フィルム状態での保
存安定性が向上する。本発明の接着剤組成物は、ワニス
状態では熱硬化性樹脂と高分子化合物とが相溶した状態
であり、ワニスの溶剤乾燥後あるいは熱硬化性樹脂の硬
化後には相分離することが必要である。ワニス状態で熱
硬化性樹脂と高分子化合物とが相分離した場合、ワニス
が分離、不均一化するため、特性のばらつきが大きくな
る点で好ましくない。また、溶剤乾燥後あるいは熱硬化
性樹脂の硬化後に、相分離せずに相溶している場合、耐
クラック性や接着性が低下するため、好ましくない。な
お、相溶および相分離の判定は、50μmの間隙に満た
したワニスあるいは50μm厚のフィルムの、可視光
(600nm)透過率から定義し、該透過率が50%以
上を相溶とし、50%未満を相分離とした。
【0021】接着剤組成物において、不連続的に相分離
した熱硬化性樹脂相の最大長さが0.5μm以下である
のが、耐熱性が優れる点で好ましい。さらに耐熱性が向
上する点で、0.3μm以下であるのがより好ましい。
前記最大長さは、熱硬化性樹脂相が円形であれば直径に
相当する。
【0022】接着剤組成物には、異種材料間の界面結合
をよくするために、カップリング剤を配合することもで
きる。カップリング剤としては、シラン系カップリング
剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カッ
プリング剤が挙げられ、その中でもシランカップリング
剤が好ましい。配合量は、添加による効果や耐熱性およ
びコストから、接着剤組成物の樹脂全体で100重量部
に対し、0.1〜10重量部を配合するのが好ましい。
【0023】シランカップリング剤としては、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシ
ラン、N−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン等が挙げられる。
【0024】前記したシランカップリング剤は、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシランがNUC A−
187、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランが
NUC A−189、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シランがNUC A−1100、γ−ウレイドプロピル
トリエトキシシランがNUC A−1160、N−β−
アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
がNUC A−1120という商品名で、いずれも日本
ユニカ−株式会社から市販されている。
【0025】さらに、イオン性不純物を吸着して、吸湿
時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を配合
することができる。イオン捕捉剤の配合量は、添加によ
る効果や耐熱性、コストより、接着剤組成物の樹脂全体
で100重量部に対し、1〜10重量部が好ましい。イ
オン捕捉剤としては、銅がイオン化して溶け出すのを防
止するため銅害防止剤として知られる化合物、例えば、
トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤を
配合することもできる。ビスフェノール系還元剤として
は、2,2´−メチレン−ビス−(4−メチル−6−第
3−ブチルフェノール)、4,4´−チオ−ビス−(3
−メチル−6−第3−ブチルフェノール)等が挙げられ
る。また、無機イオン吸着剤を配合することもできる。
無機イオン吸着剤としては、ジルコニウム系化合物、ア
ンチモンビスマス系化合物、マグネシウムアルミニウム
系化合物等が挙げられる。
【0026】トリアジンチオール化合物を成分とする銅
害防止剤は、例えば三協製薬株式会社製の商品名ジスネ
ットDB等、ビスフェノール系還元剤を成分とする銅害
防止剤は、吉富製薬株式会社製の商品名ヨシノックスB
B等、無機イオン吸着剤は、東亜合成化学工業株式会社
製の商品名IXE等が例示される。
【0027】さらに、本発明の接着剤組成物には、接着
剤組成物の取扱性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の
調整、チクソトロピック性の付与等を目的として、無機
フィラーを配合しても良い。無機フィラーとしては、水
酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウ
ム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグ
ネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミ
ナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホ
ウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物
等が挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、
窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性
シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピッ
ク性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マ
グネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ
酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、
酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シ
リカ等が好ましい。また、耐湿性を向上させるためには
アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、アンチモン酸
化物が好ましい。
【0028】上記無機フィラー配合量は、接着剤組成物
の樹脂分100体積部に対して1〜20体積部が好まし
い。配合の効果の点から配合量が1体積部以上、配合量
が多くなると、接着剤組成物の貯蔵弾性率の上昇、接着
性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が
起きやすくなるので20体積部以下とするのが好まし
い。
【0029】本発明の接着フィルムは、上記接着剤組成
物をフィルム状に形成した接着剤層を有する。接着剤組
成物をフィルム状に形成するには、例えば、接着剤組成
物の各成分を溶剤に溶解ないし分散してワニスとし、こ
のワニスをキャリアフィルム上に塗布し、次いで加熱、
減圧等で溶剤を乾燥することにより、接着剤組成物を含
む接着剤層をキャリアフィルム上に形成することができ
る。一般に、好ましい乾燥温度は60〜200℃で、よ
り好ましくは130〜160℃である。また、好ましい
乾燥時間は1〜60分で、より好ましくは4〜10分で
あるが、これらに限定されるものではなく、ワニスの組
成や溶剤量等により適宜選択される。また、低温および
高温の2段階で乾燥することもできる。キャリアフィル
ムとしては、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポ
リエチレンテレフタレートフィルム、離型処理したポリ
エチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィル
ム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィ
ルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムが
使用できる。
【0030】本発明で用いるキャリアフィルムとしては
市販のフィルムを利用でき、例えばポリイミドフィルム
は東レ・デュポン株式会社製商品名カプトン、鐘淵化学
工業株式会社製商品名アピカル等、またポリエチレンテ
レフタレートフィルムは、東レ・デュポン株式会社製商
品名ルミラー、帝人株式会社製商品名ピューレックス等
が挙げられる。
【0031】ワニス調製のための溶剤は、メチルエチル
ケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、2−エト
キシエタノール、トルエン、ブチルセルソルブ、メタノ
ール、エタノール、2−メトキシエタノール等を用いる
ことができる。また、塗膜性を向上する等の目的で、高
沸点溶剤を加えても良い。高沸点溶剤としては、ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、メチルピロリ
ドン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
【0032】接着フィルムの接着剤層中の残存溶媒量
(上記ワニス調製に用いた溶剤の乾燥後の残存量)は3
重量%以下であることが好ましい。残存溶媒量が3重量
%を超える場合、硬化時の発泡等により、信頼性が低下
する点で好ましくない。3重量%以下に保持するために
は、乾燥温度、乾燥時間を接着フィルムの膜厚や組成に
応じて適宜調整すればよい。
【0033】ワニスの調製には、無機フィラー等の分散
を考慮して、らいかい機、3本ロール及びビーズミル
等、またはこれらを適宜組み合わせて使用できる。フィ
ラーと接着剤組成物の低分子量成分をあらかじめ混合し
た後、高分子量成分を配合することにより、混合に要す
る時間を短縮することも可能となる。また、ワニスとし
た後、真空脱気によりワニス中の気泡を除去するのが好
ましい。
【0034】本発明の接着フィルムは、接着剤層を含ん
でいれば、接着剤層単層からなっても、コア材の両面に
接着剤層を形成したものであってもよい。単層からなる
接着フィルムの厚みは、25〜250μmが好ましい
が、これに限定されるものではない。25μmよりも薄
いと接着性が乏しくなる傾向があり、厚いとコスト高に
なりやすい。また、接着フィルムの厚さが回路厚よりも
薄い場合、埋め込み性が落ちる傾向がある。
【0035】コア材の厚みは5〜200μmの範囲内で
あることが好ましいが、これに限定されるものではな
い。コア材の両面に形成される接着剤層の厚みは、各々
10〜200μmの範囲が好ましい。これより薄いと接
着性や応力緩和効果に乏しい傾向があり、厚いとコスト
高になりやすい。
【0036】本発明でコア材に用いられるフィルムとし
ては、耐熱性ポリマまたは液晶ポリマ、フッ素系ポリマ
等を用いた耐熱性熱可塑フィルムが好ましく、ポリアミ
ドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエー
テルスルホン、全芳香族ポリエステル、ポリテトラフル
オロエチレン、エチレンテトラフルオロエチレンコポリ
マー、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピ
レンコポリマー、テトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロアルキルビニルエーテルコポリマー等が好適に用いら
れる。また、コア材は、接着フィルムの弾性率低減のた
めに多孔質フィルムを用いることもできる。軟化点温度
が260℃未満の熱可塑性フィルムをコア材に用いた場
合は、はんだリフロー時等の高温時に接着剤層との剥離
を起こす場合がある。
【0037】ポリイミドフィルムは、宇部興産株式会社
からユーピレックスという商品名で、東レ・デュポン株
式会社からカプトンという商品名で、鐘淵化学工業株式
会社からアピカルという商品名で市販されている。ポリ
テトラフルオロエチレンフィルムは、三井・デュポンフ
ロロケミカル株式会社からテフロンという商品名で、ダ
イキン工業株式会社からポリフロンという商品名で市販
されている。エチレンテトラフルオロエチレンコポリマ
ーフィルムは、旭硝子株式会社からアフロンCOPとい
う商品名で、ダイキン工業株式会社からネオフロンET
FEという商品名で市販されている。テトラフルオロエ
チレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマーフィルム
は、三井・デュポンフロロケミカル株式会社からテフロ
ンFEPという商品名で、ダイキン工業株式会社からネ
オフロンFEPという商品名で市販されている。テトラ
フルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテ
ルコポリマーフィルムは、三井・デュポンフロロケミカ
ル株式会社からテフロンPFAという商品名で、ダイキ
ン工業株式会社からネオフロンPFAという商品名で市
販されている。液晶ポリマフィルムは、株式会社クラレ
からベクトラという商品名で市販されている。さらに、
多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムは、住友電
気工業株式会社からポアフロンという商品名で、ジャパ
ンゴアテックス株式会社からゴアテックスという商品名
で市販されている。
【0038】コア材の両面に形成される接着剤層は、接
着剤組成物の各成分を溶剤に溶解ないし分散してワニス
とすることができる。このワニスをコア材となる耐熱性
熱可塑フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することに
より接着剤層を耐熱性熱可塑フィルム上に形成すること
ができる。この工程を耐熱性熱可塑フィルムの両面につ
いて行うことにより、コア材の両面に接着剤層を形成し
た接着フィルムを作製することができる。この場合に
は、両面の接着剤層同士がブロッキングしないようにカ
バーフィルムで表面を保護することが望ましい。しか
し、ブロッキングが起こらない場合には、経済的な理由
からカバーフィルムを用いないことが好ましく、制限を
加えるものではない。
【0039】また、接着剤組成物の各成分を溶剤に溶解
ないし分散してワニスとしたものを、前述のキャリアフ
ィルム上に塗布、乾燥(例えば100℃30分程度で加
熱)して溶剤を除去することにより接着剤層をキャリア
フィルム上に形成し、この接着剤層をコア材の両面に熱
圧着(例えば100℃程度)によって貼り合わせること
によりコア材の両面に接着剤層を形成した接着フィルム
を作製することができる。例えば接着剤組成物、コア
材、接着剤組成物の順で積層し、ホットロールラミネー
ターで貼合わせることによりコア材の両面に接着剤層を
形成した接着フィルムを作製することができる。このと
き接着フィルムはキャリアフィルムを剥離してフィルム
状の接着剤層のみを使用することもできるし、キャリア
フィルムを剥離せずに使用してもよい。キャリアフィル
ムを剥離せずに使用した場合、キャリアフィルムはカバ
ーフィルムとしても利用できる。
【0040】本発明の半導体支持部材は、半導体チップ
搭載面に上記接着フィルムを備えたものである。半導体
支持部材としては、半導体チップ搭載面を持つもの、例
えばリードフレーム、配線基板、有機配線基板等が挙げ
られる。配線基板としては、セラミック基板や有機基板
等基板材質に限定されることなく用いることができる。
セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基
板等を用いることができる。また、有機配線基板として
は、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたFR−4
基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含浸させたB
T基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用い
たポリイミドフィルム基板等を用いることができる。配
線の形状としては、片面配線、両面配線、多層配線いず
れの構造でもよく、必要に応じて電気的に接続された貫
通孔、非貫通孔を設けてもよい。
【0041】さらに、配線が半導体装置の外部表面に現
われる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。
半導体支持部材の半導体チップ搭載面に上記接着フィル
ムを備える一般的な方法としては、接着フィルムを所定
の形状に切断し、その切断された接着フィルムを半導体
支持部材の所望の位置に熱圧着して貼り付ける方法が挙
げられるが、これに限定されるものではない。
【0042】本発明の半導体装置は、前記接着フィルム
が半導体チップに接着していることを特徴とする。特
に、半導体チップと半導体支持部材とを前記接着フィル
ムを介して接着していることを特徴とする。このような
半導体装置は、例えば、半導体チップと配線基板の間に
接着フィルムが熱圧着されたものが挙げられる。配線基
板として、回路付き基板、回路付きフィルム等が例示さ
れる。また、接着フィルムを備えた前記本発明の半導体
支持部材に半導体チップを載せ、熱圧着したものでも良
い。
【0043】半導体装置の構造の例として、半導体チッ
プの電極と配線基板とをワイヤボンディングで接続した
構造、半導体チップの電極と配線基板とをテープオート
メーテッドボンディング(TAB)のインナリードボン
ディングで接続した構造等が挙げられる。
【0044】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
ウエハに前記接着フィルム及びダイシングテープをラミ
ネートする工程と、前記ウエハ及び接着フィルムをチッ
プに切断する工程と、半導体支持部材と前記チップとを
前記接着フィルムを介して接着する工程とを含む。この
ような製造方法は、チップ毎の接着フィルム貼付の工程
を省くことができる点で好ましい。前記接着する工程の
後、ワイヤボンド、モールド等の従来公知の工程を経て
半導体装置が得られる。
【0045】本発明の半導体装置の製造工程における接
着する工程は、具体的には、回路付き基板または回路付
きフィルムと、前工程で得られた裏面に接着フィルムが
ラミネートされている半導体チップとを、該接着フィル
ムを間にして配設し、熱圧着して接着する方法が挙げら
れる。接着する工程の接着条件は、半導体支持部材の回
路を空隙無く埋め込み、かつ十分な接着性を発現する程
度の温度、荷重、時間で貼りつければよい。チップの破
損が起こりにくい点で荷重が196kPa以下であるこ
とが好ましく、特に98kPa以下が好ましい。
【0046】図1(a)は本発明の接着フィルムの一実
施形態を示す断面図であり、接着剤層1からなる。図1
(b)はコア材の両面に接着剤層を備えた本発明の接着
フィルムの別の実施形態を示す断面図であり、コア材
(耐熱性熱可塑フィルム)2の両面に接着剤層1が積層
されてなる。図2(a)は本発明の半導体支持部材の一
実施形態である、配線3を備えた配線基板4に図1
(a)に示した接着フィルムを配設した半導体搭載用配
線基板を示す断面図である。図2(b)は本発明の半導
体支持部材の別の実施形態である、配線3を備えた配線
基板4に図1(b)に示した接着フィルムを配設した半
導体搭載用配線基板を示す断面図である。
【0047】図3に、本発明の半導体装置の実施形態を
示す。図3(a)は図1(a)に示した接着フィルムを
用いて半導体チップ5と配線基板を接着させ、半導体チ
ップのパッドと基板上の配線とをボンディングワイヤ6
で接続し、封止材7で封止して外部接続端子8を設けた
半導体装置の断面図である。図3(b)は図1(b)に
示した接着フィルムを用いて半導体チップ5と配線基板
を接着させ、半導体チップのパッドと基板上の配線とを
ボンディングワイヤ6で接続し、封止材7で封止して外
部接続端子8を設けた半導体装置の断面図である。ま
た、図3(c)は図1(a)に示した接着フィルムを用
いて半導体チップ5と配線基板を接着させ、半導体チッ
プ5のパッドに基板のインナリード6aをボンディング
し、封止材7で封止して外部接続端子8を設けた半導体
装置の断面図である。図3(d)は図1(b)に示した
接着フィルムを用いて半導体チップ5と配線基板を接着
させ、半導体チップ5のパッドに基板のインナリード6
aをボンディングし、封止材7で封止して外部接続端子
8を設けた半導体装置の断面図である。
【0048】接着フィルムは、図1(a)に示すように
フィルム状の接着剤層単層の接着フィルムでも、図1
(b)に示すようにコア材の両面に接着剤層を備えた接
着フィルムでも良く、図2(a)、(b)に示す配線を
形成した配線基板の配線側に、所定の大きさに切り抜い
た接着フィルムを熱圧着して接着フィルムを備えた半導
体搭載用配線基板を得ることができる。また、接着フィ
ルムを挟む形で配線基板と半導体チップ5を熱圧着し、
加熱して接着フィルムの接着剤層を硬化させた後、図3
(a)、(b)では半導体チップのパッドと配線基板上
の配線とをボンディングワイヤで接続し、図3(c)、
(d)では半導体チップのパッドに基板のインナリード
をボンディングして、封止材で封止、外部接続端子であ
るはんだボールを設けて半導体装置を得ることができ
る。また、図2に示した半導体搭載用配線基板や図3に
示した半導体装置のように、配線基板に接する接着剤層
の接着後の厚さが配線基板の回路厚より厚い場合、十分
な回路充填性を得ることができる点で好ましい。
【0049】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。 (実施例1)熱硬化性樹脂として、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂(エポキシ当量175、東都化成株式会社
製商品名YD−8125を使用)45重量部、クレゾー
ルノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量210、東
都化成株式会社製商品名YDCN−703を使用)15
重量部、エポキシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラ
ック樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製商品名プラ
イオーフェンLF2882を使用)40重量部及び硬化
促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤(四国化成工業
株式会社製キュアゾール2PZ−CNを使用)0.5重
量部からなる組成物を使用した。熱硬化性樹脂の重量平
均分子量は950であった。また、溶剤を乾燥した状態
でのこれらの混合物のSP値は10.4(cal/cm
1/ であった。高分子化合物として、アクリルゴ
ム(Nipol AR51 日本ゼオン株式会社製)2
50重量部を用いた。溶剤を乾燥した状態での高分子化
合物のSP値は11.2(cal/cm1/2であ
った。これらを混合して作製した接着剤ワニスを、厚さ
75μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に塗布し、90℃20分間、120℃で5分間
加熱乾燥して膜厚が60μmのフィルム状の塗膜として
接着フィルムを得た。残存溶媒量は、1.6重量%であ
った。得られた接着フィルムを170℃1h乾燥したも
のの断面をSEMで観察したところ、不連続的に相分離
した熱硬化性樹脂相100個について、断面の直径の平
均値を直径としたところ、0.5μmであった。
【0050】(実施例2)高分子化合物として、高分子
化合物としてエポキシ基含有アクリルゴム(ゲルパーミ
エーション クロマトグラフィーによる重量平均分子量
20万、グリシジルメタクリレート3重量%、エチルア
クリレート37重量%、ブチルアクリレート35重量
%、アクリロニトリル25重量%)250重量部を用い
た他は実施例1と同様に接着フィルムを作製した。溶剤
を乾燥した状態での高分子化合物のSP値は11.8
(cal/cm1/2であった。接着フィルムの残
存溶媒量は、1.6重量%であった。得られた接着フィ
ルムを170℃1h乾燥したものの断面をSEMで観察
したところ、不連続的に相分離した熱硬化性樹脂相10
0個について断面の最大長さの平均値は、0.7μmで
あった。
【0051】(比較例1)高分子化合物としてフェノキ
シ樹脂(東都化成株式会社製YP−50)250重量部
を用いた他は実施例1と同様に接着フィルムを作製し
た。溶剤を乾燥した状態での高分子化合物のSP値は1
0.6(cal/cm1/2であった。接着フィル
ムの残存溶媒量は、1.4重量%であった。得られた接
着フィルムを170℃1h乾燥したものの断面をSEM
で観察したところ、相分離は観察されなかった。
【0052】実施例1、2及び比較例1で得られた各接
着フィルムを用いて以下の評価を行った。 (1) 100℃で10時間放置後に接着フィルムをM
EK中に浸透させ、ゲル化するものは保存安定性不良
(×)、溶解するものは保存安定性良好(○)とした。 (2) 得られた接着フィルムを170℃10分放置し
た後、MEK中に浸透させ、ゲル化するものは硬化性良
好(○)、溶解するものは硬化性不良(×)とした。ま
た、得られた接着フィルムを用いて、半導体チップと厚
み25μmのポリイミドフィルムを基材に用いた配線基
板を、温度170℃、圧力65kPaの条件で5秒間熱
圧着し、170℃で1時間加熱して接着フィルムの接着
剤層を硬化させて貼り合せた半導体装置サンプル(片面
にはんだボールを形成)を作製し、耐熱性、耐湿性、発
泡の有無を調べた。耐熱性の評価方法には、以下の耐リ
フロークラック性と温度サイクル試験を適用した。 (3) 耐リフロークラック性の評価は、半導体装置サ
ンプル(以下、サンプルという。)表面の最高温度が2
40℃でこの温度を20秒間保持するように温度設定し
たIRリフロー炉にサンプルを通し、室温で放置するこ
とにより冷却する処理を2回繰り返したサンプル中のク
ラックを目視と超音波顕微鏡で観察した。クラックの発
生していないものを○とし、発生していたものを×とし
た。 (4) 耐温度サイクル性は、前記サンプルを−55℃
雰囲気に30分間放置し、その後125℃の雰囲気に3
0分間放置する工程を1サイクルとして(温度サイクル
試験)、1000サイクル後において超音波顕微鏡を用
いて剥離やクラック等の破壊が発生していないものを
○、発生したものを×とした。 (5) 耐湿性評価は、前記サンプルを温度121℃、
湿度100%、2気圧の雰囲気(プレッシャークッカー
テスト:PCT処理)で72時間処理後に剥離を観察し
て行った。接着フィルムの剥離の認められなかったもの
を○とし、剥離のあったものを×とした。 (6) 発泡の有無は前記サンプルについて超音波顕微
鏡を用いて観察し、接着フィルムに最大長さ0.2mm
以上の発泡が認められなかったものを○とし、最大長さ
0.2mm以上の発泡のあったものを×とした。さらに
以下の評価を行った。 (7) 埋め込み性の評価は前記サンプルを作製し、光
学顕微鏡を用いて接着剤層の回路への埋め込み性を観察
し、配線基板に設けられた回路との間に空隙がなかった
ものを○、空隙が認められたものを×とした。 (8)可使期間の評価は、前記接着フィルムを25℃で
10ヶ月保管したものを用いて前記半導体装置サンプル
を作製し、埋め込み性を観察し、配線基板に設けられた
回路との間に空隙がなかったものを○、空隙が認められ
たものを×とした。 (9) 半導体装置サンプルの貫通孔、端部からの樹脂
しみだしは、光学顕微鏡を用いて樹脂のしみだしを観察
した。しみだしがないものを○、しみだしがあるものを
×とした。 以上の評価の結果を表1に示す。
【0053】
【表1】 評価項目 実施例1 実施例2 比較例1 (1)100℃10時間放置後の硬化性 ○ ○ ○ (2)170℃10分後の硬化性 ○ ○ ○ (3)耐リフロー性 ○ ○ × (4)耐温度サイクル性 ○ ○ × (5)耐湿性 ○ ○ × (6)発泡 ○ ○ ○ (7)埋め込み性 ○ ○ ○ (8)可使期間 ○ ○ ○ (9)貫通孔、端部のしみだし ○ ○ ○
【0054】
【発明の効果】本発明によれば、接着剤ワニスの安定性
を向上させ、かつ硬化時には、相分離するため、耐熱
性、接着性に優れる接着剤組成物を提供する。また、本
発明の接着フィルムは保存安定性とに硬化性に優れ、ま
た耐熱性、耐湿性が良好である。これらの効果により、
優れた信頼性を発現する半導体装置に必要な接着材料を
効率良く提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の接着フィルムの一実施形態で
ある接着剤層単層からなる接着フィルムを示す断面図、
(b)は本発明の接着フィルムの別の実施形態であるコ
ア材の両面に接着剤層を備えた接着フィルムを示す断面
図である。
【図2】(a)は本発明の半導体支持部材の一実施形態
である半導体搭載用配線基板を示す断面図、(b)は本
発明の半導体支持部材の別の実施形態である半導体搭載
用配線基板を示す断面図である。
【図3】(a)は本発明の半導体装置の一実施形態であ
って、図1(a)の接着フィルムを用いて半導体チップ
と配線基板を接着させ、半導体チップのパッドと基板上
の配線とをボンディングワイヤで接続した半導体装置の
断面図、(b)は本発明の半導体装置の別の実施形態で
あって、図1(b)の接着フィルムを用いて半導体チッ
プと配線基板を接着させ、半導体チップのパッドと基板
上の配線とをボンディングワイヤで接続した半導体装置
の断面図、(c)は本発明の半導体装置の別の実施形態
であって、図1(a)の接着フィルムを用いて半導体チ
ップと配線基板を接着させ、半導体チップのパッドに基
板のインナリードをボンディングした半導体装置の断面
図、(d)は本発明の半導体装置の別の実施形態であっ
て、図1(b)の接着フィルムを用いて半導体チップと
配線基板を接着させ、半導体チップのパッドに基板のイ
ンナリードをボンディングした半導体装置の断面図であ
る。
【符号の説明】
1 接着剤層 2 コア材(耐熱性熱可塑フィルム) 3 配線 4 配線基板 5 半導体チップ 6 ボンディン
グワイヤ 6a インナリード 7 封止材 8 外部接続端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4J004 AA11 AA12 AA13 AA14 AB05 BA02 FA05 FA08 4J040 DF001 DF081 DL121 DL141 DM001 EB031 EC061 EC071 ED001 EE061 EG001 EK031 FA172 GA11 HD30 HD41 JA02 KA16 KA25 LA01 LA06 LA09 NA20 PA30 5F047 AA17 BA33 BB03

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱硬化性樹脂と重量平均分子量1万以上
    の高分子化合物とを含む接着剤組成物であって、該熱硬
    化性樹脂と該高分子化合物とのSP値の差の絶対値が
    0.3(cal/cm1/2以上2(cal/cm
    1/2以下であり、熱硬化性樹脂と高分子化合物
    が、ワニス状態では相溶し、ワニスの溶剤乾燥後あるい
    は熱硬化性樹脂の硬化後は相分離することを特徴とする
    接着剤組成物。
  2. 【請求項2】 不連続的に相分離した熱硬化性樹脂相の
    最大長さが0.5μm以下である請求項1記載の接着剤
    組成物。
  3. 【請求項3】 熱硬化性樹脂の重量平均分子量が300
    0以下である請求項1または2記載の接着剤組成物。
  4. 【請求項4】 高分子化合物が架橋性官能基を有する請
    求項1〜3のいずれか記載の接着剤組成物。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の接着剤
    組成物がフィルム状に形成された接着剤層を有する接着
    フィルム。
  6. 【請求項6】 半導体チップ搭載面に請求項5に記載の
    接着フィルムを備えた半導体支持部材。
  7. 【請求項7】 半導体チップに請求項5に記載の接着フ
    ィルムが接着していることを特徴とする半導体装置。
  8. 【請求項8】 半導体チップと半導体支持部材とを請求
    項5記載の接着フィルムを介して接着していることを特
    徴とする半導体装置。
  9. 【請求項9】 半導体ウエハに請求項5記載の接着フィ
    ルム及びダイシングテープをラミネートする工程と、前
    記ウエハ及び接着フィルムをチップに切断する工程と、
    半導体支持部材と前記チップとを前記接着フィルムを介
    して接着する工程とを含むことを特徴とする半導体装置
    の製造方法。
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