JP2001279217A - 接着剤組成物、難燃性接着剤組成物、接着フィルム、半導体搭載用配線基板及び半導体装置とその製造方法 - Google Patents

接着剤組成物、難燃性接着剤組成物、接着フィルム、半導体搭載用配線基板及び半導体装置とその製造方法

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JP2001279217A
JP2001279217A JP2000101254A JP2000101254A JP2001279217A JP 2001279217 A JP2001279217 A JP 2001279217A JP 2000101254 A JP2000101254 A JP 2000101254A JP 2000101254 A JP2000101254 A JP 2000101254A JP 2001279217 A JP2001279217 A JP 2001279217A
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adhesive film
film
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semiconductor
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禎一 稲田
Yuji Hasegawa
雄二 長谷川
Masaya Nishiyama
雅也 西山
Takeo Tomiyama
健男 富山
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Hitachi Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ガラスエポキシ基板やフレキシブ
ル基板等のインターポーザと呼ばれる配線基板に熱膨張
係数の差が大きい半導体チップを実装する場合に必要な
低弾性、耐熱性、耐湿性を損なうことなく、低い貼り付
け荷重で張り付けすることができ、貫通孔からのしみだ
しがない接着フィルムと、この接着フィルムを備えた半
導体搭載用配線基板、半導体装置の提供を目的とした。 【解決手段】 エポキシ樹脂及びその硬化剤1
00重量部、官能基を含む重量平均分子量が10万以上
でTgが−40℃以上0℃以下である高分子量成分10
〜100重量部、硬化促進剤0.1〜20重量部を含む
ことを特徴とする接着剤組成物を用いて、接着フィル
ム、半導体搭載用配線基板、半導体装置を作製する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、接着剤組成物、難
燃性接着剤組成物、接着フィルム、半導体搭載用配線基
板及び半導体装置とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】CSPは他の電子部品と一括して実装で
きるために、日刊工業新聞社発行表面実装技術1997
−3号記事「実用化に入ったCSP(ファインピッチB
GA)のゆくえ」中に示されたような各種構造が提案さ
れている。その中でも、インターポーザと呼ばれる配線
基板にテープやキャリア基板を用いた方式の実用化が進
んでいる。これらはインターポーザと呼ばれる配線基板
を介するために、信学技報CPM96−121,ICD
96−160(1996−12)「テープBGAタイプ
CSPの開発」やシャープ技報第66号(1996−1
2)「チップサイズパッケージ(Chip Size
Package)開発」に発表されているように優れた
接続信頼性を示している。
【0003】これらのCSPの半導体チップとインター
ポーザと呼ばれる配線基板との間には、それぞれの熱膨
張率差から生じる熱応力を低減するような接着フィルム
が使われる。このような接着フィルムには耐湿性や高温
耐久性が要求されている。
【0004】フィルムタイプの接着剤は、フレキシブル
プリント配線板等で用いられており、アクリロニトリル
ブタジエンゴムを主成分とする系が多く用いられてい
る。
【0005】プリント配線板関連材料として耐湿性を向
上させたものとしては、特開昭60−243180号公
報に示されるアクリル系樹脂、エポキシ樹脂、ポリイソ
シアネート及び無機フィラーを含む接着剤があり、また
特開昭61−138680号公報に示されるアクリル系
樹脂、エポキシ樹脂、分子中にウレタン結合を有する両
末端が第1級アミン化合物及び無機フィラーを含む接着
剤がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の接着フィルムに
は、熱応力の緩和の作用、耐熱性や耐湿性を有すること
が必要である。それに加え、製造プロセスの上からは、
半導体チップに設けられた電気信号を出力するための電
極部分に接着剤が流出してこないことが必要であり、ま
た、貫通孔付き配線基板を用いた場合には貫通孔から、
接着剤が流出してこないことが必要である。これは電極
部分に接着剤が流出すると電極の接続不良が発生し、貫
通孔から接着剤が流出した場合、金型を汚染するため不
良発生の原因となるからである。さらに配線基板に設け
られた回路との間に空隙を残してはならない。回路と接
着剤との間に空隙があると耐熱性、耐湿性の低下が起こ
りやすい。しかし、チップ上の回路を破損しない程度の
低い圧力や低い温度で熱圧着した場合、接着剤の侵みだ
し防止と十分な回路充填性を満足することは難しかっ
た。
【0007】本発明は、ガラスエポキシ基板やフレキシ
ブル基板等のインターポーザと呼ばれる配線基板に熱膨
張係数の差が大きい半導体チップを実装する場合に必要
な低弾性と回路充填性を持ち、耐熱性、耐湿性を損なう
ことなく、かつ貫通孔からのしみだしがない接着フィル
ム、この接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、
及びこの接着フィルムを用いて半導体チップと配線基板
を接着させた半導体装置の提供を目的とした。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は以下に記載の
(1)〜(10)の事項に関する。 (1) エポキシ樹脂及びその硬化剤100重量部、官
能基を含む重量平均分子量が10万以上でTgが−50
℃以上0℃以下である高分子量成分10〜100重量
部、硬化促進剤0.1〜20重量部を成分として含むこ
とを特徴とする接着剤組成物。 (2) エポキシ樹脂及びその硬化剤として、臭素原子
を含むエポキシ樹脂及び/又は臭素原子を含む硬化剤を
用いたことを特徴とする(1)記載の接着フィルム。 (3) 官能基を含む重量平均分子量が10万以上でT
gが−50℃以上0℃以下である高分子量成分がグリシ
ジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート0.5
〜6.0重量%を含む重量平均分子量が10万以上であ
るエポキシ基含有アクリル共重合体であることを特徴と
する(1)及び(2)記載の接着剤組成物。 (4) 動的粘弾性測定装置を用いて測定した場合の接
着剤硬化物の貯蔵弾性率が25℃で20〜2000MP
aであり、260℃で3〜50MPaである(1)〜
(3)に記載の接着剤組成物。 (5) (1)〜(4)のいずれかに記載の接着剤をフ
ィルム状に形成して得られる接着フィルム。 (6) 配線基板の半導体チップ搭載面に(5)に記載
の接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板。 (7) 半導体チップに(5)に記載の接着フィルムを
備えた半導体装置。 (8) 半導体チップと回路付き基板または回路付きフ
ィルムを(5)に記載の接着フィルムを介して接着する
ことを特徴とする半導体装置。 (9) 半導体ウエハに(5)に記載の接着フィルム及
びダイシングテープをラミネートした後、ウエハ及び接
着フィルムをチップに切断し、その後、回路付き基板ま
たは回路付きフィルムとチップを接着フィルムを介して
接着することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明において使用するエポキシ
樹脂は、硬化して接着作用を呈するものであればよく、
二官能以上(1分子中にエポキシ基を2個以上含有)
で、好ましくは平均分子量が5000未満、より好まし
くは平均分子量が3000未満のエポキシ樹脂が使用で
きる。二官能エポキシ樹脂(1分子中にエポキシ基を2
個含有するエポキシ樹脂)としては、ビスフェノールA
型またはビスフェノールF型エポキシ樹脂等が例示され
る。ビスフェノールA型またはビスフェノールF型エポ
キシ樹脂は、油化シェルエポキシ株式会社から、エピコ
ート807、エピコート827、エピコート828とい
う商品名で市販されている。また、ダウケミカル日本株
式会社からは、D.E.R.330、D.E.R.33
1、D.E.R.361という商品名で市販されてい
る。さらに、東都化成株式会社から、YD8125、Y
DF8170という商品名で市販されている。
【0010】また、本発明におけるエポキシ樹脂として
は三官能以上(1分子中にエポキシ基を3個以上含有)
の多官能エポキシ樹脂を用いてもよく、二官能エポキシ
樹脂50〜100重量%と三官能以上の多官能エポキシ
0〜50重量%を用いることが好ましい。特に、高Tg
化のためには二官能エポキシ樹脂50〜90重量%とと
もに、三官能以上の多官能エポキシ樹脂を10〜50重
量%用いることが好ましい。三官能以上の多官能エポキ
シ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が例示され
る。フェノールノボラック型エポキシ樹脂は、日本化薬
株式会社から、EPPN−201という商品名で市販さ
れている。クレゾールノボラック型エポキシ樹脂は、住
友化学工業株式会社から、ESCN−190、ESCN
−195という商品名で市販されている。また、前記日
本化薬株式会社から、EOCN1012、EOCN10
25、EOCN1027という商品名で市販されてい
る。さらに、前記東都化成株式会社から、YDCN70
1、YDCN702、YDCN703、YDCN704
という商品名で市販されている。
【0011】難燃化を効果的にするためにはエポキシ樹
脂として、臭素化エポキシ樹脂を用いることが好まし
い。臭素化エポキシ樹脂としては、臭素原子を含む二官
能エポキシ樹脂やノボラック型の臭素化エポキシ樹脂を
使用できる。臭素原子を含む二官能エポキシ樹脂は、東
都化成株式会社から、YDB−360、 YDB−40
0という商品名で市販されている。また、ノボラック型
の臭素化エポキシ樹脂は、日本化薬株式会社から、BR
EN−S、 BREN−104、 BREN−301とい
う商品名で市販されている。
【0012】エポキシ樹脂の硬化剤は、エポキシ樹脂の
硬化剤として通常用いられているものを使用でき、アミ
ン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三弗化硼
素及びフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有する
化合物であるビスフェノールA、ビスフェノールF、ビ
スフェノールS等が挙げられる。特に吸湿時の耐電食性
に優れるためフェノール樹脂であるフェノールノボラッ
ク樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂またはクレゾー
ルノボラック樹脂等を用いるのが好ましい。フェノール
ノボラック樹脂は、大日本インキ化学工業株式会社から
バーカムTD−2090、バーカムTD−2131、変
性フェノールノボラック樹脂は大日本インキ化学工業株
式会社からプライオーフェンVH4150、プライオー
フェンVH4170、ビスフェノールノボラック樹脂は
大日本インキ化学工業株式会社からフェノライトLF2
882、フェノライトLF2822という商品名で市販
されている。
【0013】難燃性向上のためには臭素化エポキシ樹脂
と併せて、二官能以上の臭素化フェノール化合物を硬化
剤として用いることが好ましい。臭素化フェノール化合
物としては、例えばテトラブロモビスフェノールAを用
いることができる。テトラブロモビスフェノールAは、
帝人化成工業株式会社から、ファイヤーガードFG20
00という商品名で市販されている。
【0014】硬化剤は、エポキシ樹脂のエポキシ基1当
量に対して、硬化剤のエポキシ基との反応基が0.6〜
1.4当量使用することが好ましく、0.8〜1.2当
量使用することがより好ましい。硬化剤が少なすぎたり
多すぎると耐熱性が低下する傾向がある。
【0015】硬化剤とともに硬化促進剤を用いるのが好
ましく、硬化促進剤としては、各種イミダゾール類が使
用できる。イミダゾールとしては、2−メチルイミダゾ
ール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シア
ノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチ
ル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙
げられる。イミダゾール類は、四国化成工業株式会社か
ら、2E4MZ、2PZ−CN、2PZ−CNSという
商品名で市販されている。また、フィルムの可使期間が
長くなる点で、潜在性硬化促進剤が好ましく、その代表
例としてはジシアンジミド、アジピン酸ジヒドラジド等
のジヒドラジド化合物、グアナミン酸、メラミン酸、エ
ポキシ化合物とイミダゾールの化合物との付加化合物、
エポキシ化合物とジアルキルアミン類との付加化合物、
アミンとチオ尿素との付加化合物、アミンとイソシアネ
ートとの付加化合物が挙げられるが、これらに限定され
るものではない。室温での活性を低減できる点でアダク
ト型の構造をとっているものが特に好ましい。アダクト
型硬化促進剤の代表的な例を以下に示すがこれらに限定
されるものではない。アミン−エポキシアダクト系とし
ては、味の素株式会社からはアミキュアPN−23、ア
ミキュアMY−24、アミキュアMY−D、アミキュア
MY−H等、エー・シー・アール株式会社からはハード
ナーX−3615S、ハードナーX−3293S等、旭
化成株式会社からはノバキュアHX−3748、ノバキ
ュアHX−3088等、パシフィック アンカー ケミ
カルからはAncamine2014AS、Ancam
ine2014FG等がそれぞれ上記の商品名で市販さ
れている。また、アミン−尿素型アダクト系としては富
士化成株式会社からフジキュアFXE−1000、フジ
キュアFXR−1030という商品名で市販されてい
る。
【0016】硬化促進剤の配合量は好ましくは、エポキ
シ樹脂及び硬化剤の合計100重量部に対して0.1〜
20重量部、より好ましくは0.5〜15重量部であ
る。0.1重量部未満であると硬化速度が遅くなる傾向
にあり、また20重量部を超えると可使期間が短くなる
傾向がある。
【0017】官能基を含む重量平均分子量が10万以上
でTgが−50℃以上0℃以下である高分子量成分とし
ては、エポキシ基、カルボキシル基、水酸基などを架橋
点として含むゴムを用いることができ、例えば官能基を
含有した、NBRやアクリルゴムが挙げられる。ここで
のアクリルゴムとはアクリル酸エステルを主成分とした
ゴムであり、主としてブチルアクリレートとアクリロニ
トリル等の共重合体や、エチルアクリレートとアクリロ
ニトリル等の共重合体などからなるゴムである。
【0018】このようなゴムとしては、例えば、グリシ
ジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート0.5
〜6.0重量%を含む、Tgが−50℃以上でかつ重量
平均分子量が10万以上のエポキシ基含有アクリル共重
合体であり、帝国化学産業株式会社から市販されている
商品名HTR−860P3DR(C)を使用することが
できる。官能基モノマーがカルボン酸タイプのアクリル
酸や、水酸基タイプのヒドロキシメチルアクリレート又
はヒドロキシメチルメタクリレート等を用いると、架橋
反応が進行しやすく、ワニス状態でのゲル化、Bステー
ジ状態での硬化度の上昇により接着力が低下する傾向が
ある。また、官能基モノマーとして用いるグリシジルア
クリレート又はグリシジルメタクリレートの共重合体比
は、耐熱性を確保するため、0.5重量%以上が好まし
く、ゴム添加量を低減し、ワニス固形分比を上げるため
に6.0重量%以下が好ましい。6.0重量%を超えた
場合には、分子量が高いため、接着剤ワニスの粘度が上
昇する。このワニス粘度が高いと、フィルム化が困難に
なるため、粘度低下を目的に適量の溶剤で希釈する必要
があり、接着剤ワニスの固形分が低下し、接着剤ワニス
作製量が増大して、製造の効率が低下する傾向がある。
グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート
以外の残部はエチルアクリレートやエチルメタクリレー
ト、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート及びこ
れらの混合物を用いることができるが、混合比率は、共
重合体のTgを考慮して決定する。Tgが−50℃未満
であるとBステージ状態での接着フィルムのタック性が
大きくなり取扱性が悪化するので、−50℃以上とされ
る。このTgは0℃以下であることが好ましい。このT
gが高すぎるとフィルムの取り扱い時室温で破断しやす
くなる。重合方法はパール重合、溶液重合等が挙げら
れ、これらにより得ることができる。
【0019】高分子量成分の重量平均分子量は10万以
上とされる。重量平均分子量は10万より小さい場合、
シート状、フィルム状での強度や可撓性の低下、タック
性の増大がみられるため、好ましくない。また、分子量
が大きくなるにつれフロー性が小さく配線の回路充填性
が低下してくるので、高分子量成分の重量平均分子量
は、200万以下であることが好ましい。なお、本発明
において、重量平均分子量はゲルパーミエーションクロ
マトグラフィーによって、標準ポリスチレンの検量線を
用いて測定したものである。
【0020】上記高分子量成分の配合量は、エポキシ樹
脂と硬化剤の合計量100重量部に対して、10重量部
以上100重量部以下とされる。弾性率低減や成形時の
フロー性付与のため10重量部以上が必要とされ、10
0重量部を越えると貼付荷重が少ない場合に流動性が低
下し、回路充填性が低下する点で好ましくない。さらに
40〜80重量部とされることが好ましい。
【0021】接着剤には、異種材料間の界面結合をよく
するために、カップリング剤を配合することもできる。
カップリング剤としては、シラン系カップリング剤、チ
タネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリン
グ剤が挙げられ、その中でもシランカップリング剤が好
ましい。配合量は、添加による効果や耐熱性およびコス
トから、接着剤の樹脂全体で100重量部に対し、0.
1〜10重量部を配合するのが好ましい。
【0022】シランカップリング剤としては、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリ
エトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシ
ラン、N−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン等が挙げられる。
【0023】前記したシランカップリング剤は、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシランがNUC A−
187、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランが
NUC A−189、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シランがNUC A−1100、γ−ウレイドプロピル
トリエトキシシランがNUC A−1160、N−β−
アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
がNUC A−1120という商品名で、いずれも日本
ユニカ−株式会社から市販されている。
【0024】さらに、イオン性不純物を吸着して、吸湿
時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を配合
することができる。イオン捕捉剤の配合量は、添加によ
る効果や耐熱性、コストより、接着剤の樹脂全体で10
0重量部に対し、1〜10重量部が好ましい。イオン捕
捉剤としては、銅がイオン化して溶け出すのを防止する
ため銅害防止剤として知られる化合物、例えば、トリア
ジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤を配合す
ることもできる。ビスフェノール系還元剤としては、
2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−第3−
ブチルフェノール)、4,4’−チオ−ビス−(3−メ
チル−6−第3−ブチルフェノール)等が挙げられる。
また、無機イオン吸着剤を配合することもできる。無機
イオン吸着剤としては、ジルコニウム系化合物、アンチ
モンビスマス系化合物、マグネシウムアルミニウム系化
合物等が挙げられる。トリアジンチオール化合物を成分
とする銅害防止剤は、三協製薬株式会社から、ジスネッ
トDBという商品名で市販されている。ビスフェノール
系還元剤を成分とする銅害防止剤は、吉富製薬株式会社
から、ヨシノックスBBという商品名で市販されてい
る。また、無機イオン吸着剤は、東亜合成化学工業株式
会社からIXEという商品名で各種市販されている。
【0025】トリアジンチオール化合物を成分とする銅
害防止剤は、三協製薬株式会社から、ジスネットDBと
いう商品名で市販されている。ビスフェノール系還元剤
を成分とする銅害防止剤は、吉富製薬株式会社から、ヨ
シノックスBBという商品名で市販されている。また、
無機イオン吸着剤は、東亜合成化学工業株式会社からI
XEという商品名で各種市販されている。
【0026】さらに、本発明の接着剤には、接着剤の取
扱性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソ
トロピック性の付与などを目的として、無機フィラーを
配合することが好ましい。無機フィラーとしては、水酸
化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウ
ム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグ
ネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミ
ナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホ
ウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物
などが挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミ
ナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非
晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロ
ピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸
化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、
ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウ
ム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶
性シリカ等が好ましい。また、耐湿性を向上させるため
にはアルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、アンチモ
ン酸化物が好ましい。
【0027】上記無機フィラー配合量は、接着剤樹脂分
100体積部に対して1〜20体積部が好ましい。配合
の効果の点から配合量が1体積部以上、配合量が多くな
ると、接着剤の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイ
ド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくなる
ので20体積部以下とするのが好ましい。
【0028】接着フィルム中の残存溶媒量は3重量%以
下であることが好ましい。また、接着フィルム硬化物の
動的粘弾性測定装置で測定した貯蔵弾性率は25℃で2
0〜2000MPaであり、260℃で3〜50MPa
であることが好ましい。貯蔵弾性率の測定は、接着剤硬
化物に引張り荷重をかけて、周波数10Hz、昇温速度
5〜10℃/分で−50℃から300℃まで測定する温
度依存性測定モードで行った。貯蔵弾性率が25℃で2
000MPaを超えるものと260℃で50MPaを超
えるものでは、半導体チップと配線基板であるインター
ポーザとの熱膨張係数の差によって発生する熱応力を緩
和させる効果が小さくなる傾向があり、剥離やクラック
を発生する恐れがある。一方、貯蔵弾性率が25℃で2
0MPa未満では接着剤の取扱性や接着剤層の厚み精度
が悪くなる傾向があり、260℃で3MPa未満ではリ
フロークラックが発生しやすい傾向がある。
【0029】本発明の接着フィルムは、上記接着剤をキ
ャリアフィルム上に形成させて得ることができる。接着
剤の各成分を溶剤に溶解ないし分散してワニスとし、キ
ャリアフィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することに
より、接着剤層をキャリアフィルム上に形成して得られ
る。キャリアフィルムとしては、ポリテトラフルオロエ
チレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム、離型処理したポリエチレンテレフタレートフィル
ム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、
ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなど
のプラスチックフィルムが使用できる。
【0030】本発明で用いるキャリアフィルムとしては
市販の物を利用でき、例えばポリイミドフィルムは東レ
・デュポン株式会社からカプトンという商品名で、鐘淵
化学工業株式会社からアピカルという商品名で市販され
ている。またポリエチレンテレフタレートフィルムは、
東レ・デュポン株式会社からルミラーという商品名で、
帝人株式会社からピューレックスという商品名で市販さ
れている。
【0031】ワニス化の溶剤は、メチルエチルケトン、
アセトン、メチルイソブチルケトン、2−エトキシエタ
ノール、トルエン、ブチルセルソルブ、メタノール、エ
タノール、2−メトキシエタノールなどを用いることが
できる。また、塗膜性を向上するなどの目的で、高沸点
溶剤を加えても良い。高沸点溶剤としては、ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、メチルピロリド
ン、シクロヘキサノンなどが挙げられる。
【0032】ワニスの製造は、無機フィラーの分散を考
慮した場合には、らいかい機、3本ロール及びビーズミ
ル等により、またこれらを組み合わせて行なうことがで
きる。フィラーと低分子量物をあらかじめ混合した後、
高分子量物を配合することにより、混合に要する時間を
短縮することも可能となる。また、ワニスとした後、真
空脱気によりワニス中の気泡を除去することが好まし
い。
【0033】単層からなる接着フィルムの厚みは、25
〜250μmが好ましいが、これに限定されるものでは
ない。25μmよりも薄いと応力緩和効果が乏しくなる
傾向があり、厚いとコスト高になりやすい。また、接着
フィルムの厚さが回路厚よりも薄い場合、埋め込み性が
落ちる傾向がある。
【0034】本発明の接着フィルムは、コア材の両面に
接着剤を形成したものであってもよい。コア材の厚みは
5〜200μmの範囲内であることが好ましいが、これ
に限定されるものではない。コア材の両面に形成される
接着剤の厚みは、各々10〜200μmの範囲が好まし
い。これより薄いと接着性や応力緩和効果に乏しい傾向
があり、厚いとコスト高になりやすい。
【0035】本発明でコア材に用いられるフィルムとし
ては、耐熱性ポリマまたは液晶ポリマ、フッ素系ポリマ
などを用いた耐熱性熱可塑フィルムが好ましく、ポリア
ミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエ
ーテルスルホン、全芳香族ポリエステル、ポリテトラフ
ルオロエチレン、エチレンテトラフルオロエチレンコポ
リマー、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロ
ピレンコポリマー、テトラフルオロエチレン−パーフル
オロアルキルビニルエーテルコポリマーなどが好適に用
いられる。また、コア材は、接着フィルムの弾性率低減
のために多孔質フィルムを用いることもできる。軟化点
温度が260℃未満の熱可塑性フィルムをコア材に用い
た場合は、はんだリフロー時などの高温時に接着剤との
剥離を起こす場合がある。
【0036】ポリイミドフィルムは、宇部興産株式会社
からユーピレックスという商品名で、東レ・デュポン株
式会社からカプトンという商品名で、鐘淵化学工業株式
会社からアピカルという商品名で市販されている。ポリ
テトラフルオロエチレンフィルムは、三井・デュポンフ
ロロケミカル株式会社からテフロンという商品名で、ダ
イキン工業株式会社からポリフロンという商品名で市販
されている。エチレンテトラフルオロエチレンコポリマ
ーフィルムは、旭硝子株式会社からアフロンCOPとい
う商品名で、ダイキン工業株式会社からネオフロンET
FEという商品名で市販されている。テトラフルオロエ
チレン−ヘキサフルオロプロピレンコポリマーフィルム
は、三井・デュポンフロロケミカル株式会社からテフロ
ンFEPという商品名で、ダイキン工業株式会社からネ
オフロンFEPという商品名で市販されている。テトラ
フルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテ
ルコポリマーフィルムは、三井・デュポンフロロケミカ
ル株式会社からテフロンPFAという商品名で、ダイキ
ン工業株式会社からネオフロンPFAという商品名で市
販されている。液晶ポリマフィルムは、株式会社クラレ
からベクトラという商品名で市販されている。さらに、
多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムは、住友電
気工業株式会社からポアフロンという商品名で、ジャパ
ンゴアテックス株式会社からゴアテックスという商品名
で市販されている。
【0037】コア材の両面に形成される接着剤は、接着
剤の各成分を溶剤に溶解ないし分散してワニスとするこ
とができる。このワニスをコア材となる耐熱性熱可塑フ
ィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することにより接着
剤層を耐熱性熱可塑フィルム上に形成することができ
る。この工程を耐熱性熱可塑フィルムの両面について行
うことにより、コア材の両面に接着剤を形成した接着フ
ィルムを作製することができる。この場合には、両面の
接着剤層同士がブロッキングしないようにカバーフィル
ムで表面を保護することが望ましい。しかし、ブロッキ
ングが起こらない場合には、経済的な理由からカバーフ
ィルムを用いないことが好ましく、制限を加えるもので
はない。
【0038】また、接着剤の各成分を溶剤に溶解ないし
分散してワニスとしたものを、前述のキャリアフィルム
上に塗布、加熱し溶剤を除去することにより接着剤層を
キャリアフィルム上に形成し、この接着剤層をコア材の
両面に熱圧着によって貼合わせることによりコア材の両
面に接着剤を形成した接着フィルムを作製することがで
きる。例えば接着剤、コア材、接着剤の順で積層し、ホ
ットロールラミネーターで貼合わせることによりコア材
の両面に接着剤を形成した接着フィルムを作製すること
ができる。このとき接着剤はキャリアフィルムを剥離し
てフィルム状の接着剤のみを使用することもできるし、
キャリアフィルムを剥離せずに使用してもよい。キャリ
アフィルムを剥離せずに使用した場合、キャリアフィル
ムはカバーフィルムとしても利用できる。
【0039】本発明の接着フィルムを備えた半導体搭載
用配線基板に用いる配線基板としては、セラミック基板
や有機基板など基板材質に限定されることなく用いるこ
とができる。例えばセラミック基板としては、アルミナ
基板、窒化アルミ基板などを用いることができる。ま
た、有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を
含浸させたFR−4基板、ビスマレイミド−トリアジン
樹脂を含浸させたBT基板、さらにはポリイミドフィル
ムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用
いることができる。配線の形状としては、片面配線、両
面配線、多層配線いずれの構造でもよく、必要に応じて
電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けてもよい。
【0040】さらに、配線が半導体装置の外部表面に現
われる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。
接着フィルムを配線基板へ張り付ける方法としては、接
着フィルムを所定の形状に切断し、その切断された接着
フィルムを配線基板の所望の位置に熱圧着する方法が一
般的ではあるが、これに限定されるものではない。
【0041】半導体チップと配線基板とを接着した半導
体装置は、半導体チップと配線基板の間に接着フィルム
を配設し、熱圧着することによって製造することができ
る。また、前記の接着フィルムを備えた半導体搭載用配
線基板に半導体チップを載せ、熱圧着しても良い。半導
体ウエハに接着フィルム、及びダイシングテープをラミ
ネートした後、ウエハ及び接着フィルムをチップに切断
し、その後、回路付き基板または回路付きフィルムとチ
ップを、接着フィルムを介して接着する半導体装置の製
造工程は、チップ毎の接着フィルム貼付の工程を省くこ
とができる点で好ましい。
【0042】本発明の半導体装置の構造としては、半導
体チップの電極と配線基板とがワイヤボンディングで接
続されている構造、半導体チップの電極と配線基板とが
テープオートメーテッドボンディング(TAB)のイン
ナーリードボンディングで接続されている構造等があげ
られる。
【0043】半導体チップと回路付き基板または回路付
きフィルムを、接着フィルムを介して接着する半導体装
置の製造工程において、熱圧着の条件は配線板の回路を
空隙無く埋め込み、十分な接着性を発現する程度の温
度、荷重、時間で貼りつければよい。チップの破損が起
こりにくい点で荷重が196kPa以下であることが好
ましく、特に98kPa以下が好ましい。
【0044】図1(a)は本発明による接着フィルムを
示す断面図であり、接着剤1からなる。図1(b)は本
発明によるコア材の両面に接着剤層を備えた接着フィル
ムを示す断面図であり、コア材(耐熱性熱可塑フィル
ム)2の両面に接着剤1が積層されてなる。図2(a)
は図1(a)に示した接着フィルムを用いた半導体搭載
用配線基板を示す断面図であり、配線3を備えた配線基
板4に接着フィルムを配設してなる。図2(b)は図1
(b)に示した接着フィルムを用いた半導体搭載用配線
基板を示す断面図であり、配線3を備えた配線基板4に
接着フィルムを配設してなる。図3(a)は図1(a)
に示した接着フィルムを用いて半導体チップ5と配線基
板を接着させ、半導体チップのパッドと基板上の配線と
をボンディングワイヤ6で接続し、封止材7で封止して
外部接続端子8を設けた半導体装置の断面図であり、図
3(b)は図1(b)に示した接着フィルムを用いて半
導体チップ5と配線基板を接着させ、半導体チップのパ
ッドと基板上の配線とをボンディングワイヤ6で接続
し、封止材7で封止して外部接続端子8を設けた半導体
装置の断面図である。また、図3(c)は図1(a)に
示した接着フィルムを用いて半導体チップ5と配線基板
を接着させ、半導体チップ5のパッドに基板のインナー
リード6’をボンディングし、封止材7で封止して外部
接続端子8を設けた半導体装置の断面図であり、図3
(d)は図1(b)に示した接着フィルムを用いて半導
体チップ5と配線基板を接着させ、半導体チップ5のパ
ッドに基板のインナーリード6’をボンディングし、封
止材7で封止して外部接続端子8を設けた半導体装置の
断面図である。
【0045】接着フィルムは、図1(a)に示すように
フィルム状の接着剤単層の接着フィルムでも、図1
(b)に示すようにコア材の両面に接着剤を備えた接着
フィルムでも良く、図2(a)、(b)に示す配線を形
成した配線基板の配線側に、所定の大きさに切り抜いた
接着フィルムを熱圧着し接着フィルムを備えた半導体搭
載用配線基板を得ることができる。また、接着フィルム
を挟む形で配線基板と半導体チップ5を熱圧着し、加熱
して接着フィルムの接着剤層を硬化させた後、図3
(a)、(b)では半導体チップのパッドと配線基板上
の配線とをボンディングワイヤで接続し、図3(c)、
(d)では半導体チップのパッドに基板のインナーリー
ドをボンディングして、封止材で封止、外部接続端子で
あるはんだボールを設けて半導体装置を得ることができ
る。また、図2に示した半導体搭載用配線基板や図3に
示した半導体装置のように、配線基板に接する接着剤の
接着後の厚さが配線基板の回路厚より厚い場合、十分な
回路充填性を得ることができる点で好ましい。
【0046】本発明の接着フィルムを用いて半導体チッ
プと配線基板を接着させた半導体装置は、耐リフロー
性、温度サイクルテスト、耐湿性(耐PCT性)等に優
れていた。さらに接着剤の可使期間が長く、25℃で3
ヶ月保管後のものを用いて作製した半導体装置も初期と
ほぼ同等の特性を示していた。
【0047】以下実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
【実施例】実施例1 エポキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂
(エポキシ当量175、東都化成株式会社製商品名YD
−8125を使用)45重量部、クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂(エポキシ当量210、東都化成株式会
社製商品名YDCN−703を使用)15重量部、エポ
キシ樹脂の硬化剤としてフェノールノボラック樹脂(大
日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフェン
LF2882を使用)40重量部、エポキシ基含有アク
リル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム(ゲ
ル パーミエーション クロマトグラフィーによる重量
平均分子量100万、グリシジルメタクリレート3重量
%、Tgは−7℃、帝国化学産業株式会社製商品名HT
R−860P−3DR(C)を使用)66重量部、硬化
促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤(四国化成工業
株式会社製キュアゾール2PZ−CNを使用)0.5重
量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて撹
拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、厚さ7
5μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィ
ルム上に塗布し、90℃20分間、120℃で5分間加
熱乾燥して膜厚が60μmの塗膜とし、接着剤フィルム
を作製した。この接着剤フィルムを170℃で1時間加
熱硬化させてその貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置(レ
オロジ社製、DVE−V4)を用いて測定(サンプルサ
イズ:長さ20mm、幅4mm、膜厚60μm、昇温速
度5℃/分、引張りモード、10Hz、自動静荷重)し
た結果、25℃で600MPa、260℃で5MPaで
あった。また、残存溶媒量は、1.4重量%であった。
【0048】 実施例2 HTR−860P−3DRを42重量部にした他は実施
例1と同様である。 実施例3 HTR−860P−3DRを24重量部にした他は実施
例1と同様である。
【0049】実施例4 エポキシ樹脂として臭素化フェノールノボラックのポリ
グリシジルエーテルである(エポキシ当量285、日本
化薬株式会社製商品名BREN−Sを使用)55重量
部、エポキシ樹脂の硬化剤として臭素化フェノール樹脂
(帝人化成株式会社製のファイヤーガードFG2000
を使用)40.8重量部、フェノールノボラック樹脂
(大日本インキ化学工業株式会社製商品名プライオーフ
ェンLF2882を使用)5.9重量部、エポキシ基含
有アクリル系重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム
(重量平均分子量100万、グリシジルメタクリレート
3重量%、Tgは−7℃、帝国化学産業株式会社製商品
名HTR−860P−3DR(C)を使用)68重量
部、硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤(四国
化成工業株式会社製キュアゾール2PZ−CNを使用)
0.5重量部、アンチモン酸化物として三酸化二アンチ
モン(日本精鉱株式会社製PATOX−Uを使用)21
重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて
撹拌混合し、真空脱気した。この接着剤ワニスを、厚さ
75μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に塗布し、90℃20分間+120℃で5分間
加熱乾燥して膜厚が60μmの塗膜とし、接着剤フィル
ムを作製した。この接着剤フィルムを170℃で1時間
加熱硬化させてその貯蔵弾性率を動的粘弾性測定装置
(レオロジ社製、DVE−V4)を用いて測定(サンプ
ルサイズ:長さ20mm、幅4mm、膜厚60μm、昇
温速度5℃/分、引張りモード、10Hz、自動静荷
重)した結果、25℃で1000MPa、260℃で5
MPaであった。また、残存溶媒量は、1.2重量%で
あった。
【0050】実施例5 HTR−860P−3DRを44重量部にした他は実施
例4と同様である。 実施例6 HTR−860P−3DRを26重量部にした他は実施
例4と同様である。
【0051】比較例1 HTR−860P−3DRを110重量部にした他は実
施例1と同様である。 比較例2 HTR−860P−3DRを5重量部にした他は実施例
1と同様である。
【0052】得られた接着フィルムを用いて、半導体チ
ップと厚み25μmのポリイミドフィルムを基材に用い
た配線基板を、表1に示した条件(温度、圧力)で5秒
間熱圧着し、170℃で1時間加熱して接着フィルムの
接着剤を硬化させて貼り合せた半導体装置サンプル(片
面にはんだボールを形成)を作製し、耐熱性、難燃性、
耐湿性、発泡の有無を調べた。耐熱性の評価方法には、
耐リフロークラック性と温度サイクル試験を適用した。
耐リフロークラック性の評価は、サンプル表面の最高温
度が240℃でこの温度を20秒間保持するように温度
設定したIRリフロー炉にサンプルを通し、室温で放置
することにより冷却する処理を2回繰り返したサンプル
中のクラックを目視と超音波顕微鏡で観察した。クラッ
クの発生していないものを○とし、発生していたものを
×とした。耐温度サイクル性は、サンプルを−55℃雰
囲気に30分間放置し、その後125℃の雰囲気に30
分間放置する工程を1サイクルとして、1000サイク
ル後において超音波顕微鏡を用いて剥離やクラック等の
破壊が発生していないものを○、発生したものを×とし
た。また、耐湿性評価は、温度121℃、湿度100
%、2気圧の雰囲気(プレッシャークッカーテスト:P
CT処理)で72時間処理後に剥離を観察することによ
り行った。接着フィルムの剥離の認められなかったもの
を○とし、剥離のあったものを×とした。発泡の有無は
前記半導体装置サンプルについて超音波顕微鏡を用いて
確認し、接着フィルムに発泡が認められなかったものを
○とし、発泡のあったものを×とした。また埋め込み性
の評価は前記半導体装置サンプルを作製し、光学顕微鏡
を用いて接着剤の回路への埋め込み性を確認した。可使
期間の評価は、得られた接着フィルムを25℃で3ヶ月
保管したものを用いて前記半導体装置サンプルを作製
し、埋め込み性を確認することにより行った。配線基板
に設けられた回路との間に空隙がなかったものを○、空
隙が認められたものを×とした。その結果を表1に示
す。貫通孔、端部からの樹脂しみだしは光学顕微鏡を用
いて樹脂のしみだしを確認した。しみだしがないものを
○、しみだしがあるものを×とした。
【0053】
【表1】
【0054】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の接着フィ
ルムはチップの回路破壊を防止できる程度の低い貼付荷
重、貼付温度でも回路の埋め込み性が良好であり、貫通
孔、端部からの樹脂の侵みだしを防止する。また耐熱
性、耐湿性が良好である。これらの効果により、優れた
信頼性を発現する半導体装置に必要な接着材料を効率良
く提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)は本発明による接着剤単層からなる接
着フィルムを示す断面図、(b)は本発明によるコア材
の両面に接着剤を備えた接着フィルムを示す断面図であ
る。
【図2】 (a)は本発明による接着剤単層からなる接
着フィルムを用いた半導体搭載用配線基板を示す断面
図、(b)は本発明によるコア材の両面に接着剤を備え
た接着フィルムを用いた半導体搭載用配線基板を示す断
面図である。
【図3】 (a)は本発明による接着剤単層からなる接
着フィルムを用いて半導体チップと配線基板を接着さ
せ、半導体チップのパッドと基板上の配線とをボンディ
ングワイヤで接続した半導体装置の断面図、(b)は本
発明によるコア材の両面に接着剤を備えた接着フィルム
を用いて半導体チップと配線基板を接着させ、半導体チ
ップのパッドと基板上の配線とをボンディングワイヤで
接続した半導体装置の断面図、(c)は本発明による接
着剤単層からなる接着フィルムを用いて半導体チップと
配線基板を接着させ、半導体チップのパッドに基板のイ
ンナーリードをボンディングした半導体装置の断面図、
(d)は本発明によるコア材の両面に接着剤を備えた接
着フィルムを用いて半導体チップと配線基板を接着さ
せ、半導体チップのパッドに基板のインナーリードをボ
ンディングした半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
1 . 接着剤 2 . コア材(耐熱性熱可塑フィルム) 3 . 配線 4 . 配線基板 5 . 半導体チップ 6 . ボンディングワイヤ 6’. インナリード 7 . 封止材 8 . 外部接続端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西山 雅也 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 富山 健男 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 Fターム(参考) 4J004 AA02 AA10 AA13 AB05 CA03 CA06 CC02 CE01 DB01 DB02 FA05 FA07 FA08 4J040 CA071 CA072 DF041 DF042 DF081 DF082 EB022 EC061 EC062 EC071 EC072 EC151 EC152 GA05 GA07 GA11 HA086 HB22 HB38 HB39 HC01 HC15 HC16 HC19 HC21 HD05 HD08 KA16 KA17 KA30 KA36 KA42 LA01 LA02 LA06 LA08 MA02 MA04 MA10 MB03 MB09 NA20

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エポキシ樹脂及びその硬化剤100重量
    部、官能基を含む重量平均分子量が10万以上でTgが
    −50℃以上0℃以下である高分子量成分10〜100
    重量部、硬化促進剤0.1〜20重量部を成分として含
    むことを特徴とする接着剤組成物。
  2. 【請求項2】 エポキシ樹脂及びその硬化剤として、臭
    素原子を含むエポキシ樹脂及び/又は臭素原子を含む硬
    化剤を用いたことを特徴とする請求項1記載の接着フィ
    ルム。
  3. 【請求項3】 官能基を含む重量平均分子量が10万以
    上でTgが−50℃以上0℃以下である高分子量成分が
    グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート
    0.5〜6.0重量%を含む重量平均分子量が10万以
    上であるエポキシ基含有アクリル共重合体であることを
    特徴とする請求項1及び2記載の接着剤組成物。
  4. 【請求項4】 動的粘弾性測定装置を用いて測定した場
    合の接着剤硬化物の貯蔵弾性率が25℃で20〜200
    0MPaであり、260℃で3〜50MPaである請求
    項1〜3に記載の接着剤組成物。
  5. 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の接着剤
    をフィルム状に形成して得られる接着フィルム。
  6. 【請求項6】 配線基板の半導体チップ搭載面に請求項
    5に記載の接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基
    板。
  7. 【請求項7】 半導体チップに請求項5に記載の接着フ
    ィルムを備えた半導体装置。
  8. 【請求項8】 半導体チップと回路付き基板または回路
    付きフィルムを請求項5に記載の接着フィルムを介して
    接着することを特徴とする半導体装置。
  9. 【請求項9】 半導体ウエハに請求項5に記載の接着フ
    ィルム及びダイシングテープをラミネートした後、ウエ
    ハ及び接着フィルムをチップに切断し、その後、回路付
    き基板または回路付きフィルムとチップを接着フィルム
    を介して接着することを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
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TW090107672A TWI245791B (en) 2000-03-31 2001-03-30 Adhesive films, and semiconductor devices using the same
TW098125792A TWI332024B (en) 2000-03-31 2001-03-30 Method for making a semiconductor device
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