CN100383929C - 一种半导体处理制程 - Google Patents
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Abstract
半导体处理制程用于半导体的研磨、切割，也能够扩及于研磨、切割后续的半导体附贴于载具、半导体堆叠等封装的制程。其应用例之一为晶圆的研磨、切割，以及所得晶粒附贴于载具、所得晶粒堆叠等的封装。将透光物质贴于半导体电连接面，从半导体非电连接面研磨半导体后，经过该透光物质朝向该半导体执行切割，以得到一或多个较小的半导体，作业简易而能降低不良率。到晶粒附贴载具、晶粒堆叠等后续作业，透光物质一直附著晶粒，有效避免薄晶粒的破损，但该透光物质与该粘接物质却可以轻易移离晶粒，因为选用的该粘接物质具一特性：接收一种光线而丧失其与该半导体电连接面之间的粘性，借助该透光物质的透光，让该种光线到达该粘接物质，就可以轻易将该透光物质与该粘接物质移离晶粒。
Description
发明领域
本案是有关半导体研磨、切割的制程，尤其是有关半导体研磨、切割以及后续的半导体附贴于载具、半导体堆叠等封装的制程，更尤其是有关晶圆研磨、切割以及所得晶粒附贴于载具、所得晶粒堆叠等封装的制程。
背景技术
元件的轻薄短小化，乃集成电路半导体相关业界的趋势，例如美国专利5,793,108所揭露的，要在已知的封装架构下堆叠多晶片，须将晶片磨薄至2-4mils。
已知将晶片磨薄的制程，如美国专利6527627、6159071等所揭露的，其典型的步骤示于图1a-1f。图1a中，在晶圆1的正面2(具有焊垫6的表面)粘贴胶带3，以便对晶圆1的背面4，用研磨工具30进行研磨(如图1b所示)，研磨后得薄晶圆11(如图1c所示)，将晶圆切割要用的框架5粘贴于薄晶圆11的背面14(如图1d所示)，再将薄晶圆11的正面2所粘的胶带3移除(如图1e所示)，以便用切割工具40执行晶圆切割(如图1f所示)。
采用上述制程，研磨后的薄晶圆11因应力残留而常发生翘曲(如图2所示)，易导致后续作业的困难，以及易造成晶圆破裂。另薄化后的晶圆11在切割成晶片或晶粒21后(如图3所示)，因太薄，所以在晶片21移装于基板7(如图4所示)的制程(Die Bond)，容易在拾取(pick up)的作业(如图3所示以拾取头[pick-up head]50拾取晶片21)中发生晶片21的破裂8，甚至在将晶片21放置于基板7时(如图4所示)也会发生晶片的破裂8。
为解决晶圆薄化易造成品质不良的问题，美国专利6264535揭露一种技术(如图5a-5e所示)，其先由晶圆1的正面2将晶圆1仅切割(用切割工具40)到有凹陷9(未到底)，然后在晶圆的正面2贴胶带3，再从晶圆1的背面4进行研磨(用研磨工具30)，研磨后得到一批分割的晶粒21，接续在晶粒21的背面4贴以框架12，最后将晶粒正面2的胶带3移除。这种制程虽然可能减少薄化晶圆的翘曲所引发的晶圆破损问题，但其步骤繁复(例如多次的粘贴胶带、框架等等)，且成本较高；况且，其无助于解决薄晶粒(分割后所得)在后续制程易发生破损的问题。兹参考日本专利2003059871，日本专利2003059871也为解决同类问题，其对磨/切割制程所用胶带，贴以加强薄膜，该加强薄膜的加强作用来自于一支持层结构，是由一种具备特殊贮存弹性(storage elastictiy)的热软化树脂所构成。以此种加强结构作为解决方案，或许能发挥一些效果，但涉及特殊材料的使用，成本与作业复杂度升高。兹再参考日本专利11265928，日本专利11265928也为解决同类问题，其将待研磨的晶圆的正面贴到一特殊平板的一表面，该表面的粗糙度控制在特定范围内。这种将晶圆的正面贴到特殊表面的解决方案，即使能发挥某种程度的效果，也未必有助于避免已知晶圆薄化后续作业的难题与不良率。有监于理想的解决方案尚未存在，故本案提供一种制程，期使相关业界免除或降低薄化(例如研磨)、切割等作业对半导体元件所产生的不良效应或品质不良率，同时也对薄化、切割等作业的后续制程，提供简化的效果或降成本的效益。
发明内容
本案目的之一在于，免除或降低薄化作业(例如研磨)对半导体元件品质的不良效应。
本案目的之二在于，免除或降低切割作业对半导体元件品质的不良效应。
本案目的之三在于，对半导体元件切割作业的后续制程，例如DieBond(晶粒装接于基板)、晶粒堆叠等等封装作业，免除或降低半导体元件的不良率。
本案目的之四在于，对半导体元件切割作业的后续制程，提供简化的效果或降成本的效益。
本案一种半导体处理制程，应用于一半导体，该半导体包含一半导体电连接面与一半导体非电连接面，该半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离定义该半导体的原始厚度，其特征在于，该半导体处理制程包含：
将一种透光物质贴于该半导体电连接面；
从该半导体非电连接面研磨该半导体，得到一新半导体非电连接面，该新半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离小于该原始厚度；以及
经过该透光物质朝向该半导体执行一切割作业而得到至少一第一晶粒，该第一晶粒包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面，该第一晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的一部份，该第一晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的一部份，该第一晶粒的晶粒电连接面附有该透光物质。
其中还包含：研磨该半导体之前，将该半导体连同该透光物质置于一研磨支持台，该非电连接面暴露；以及
执行该切割作业之前，将该半导体连同该透光物质置于一切割支持台，该非电连接面朝向该切割支持台，该透光物质暴露。
其中该透光物质贴于该半导体电连接面，使用一种粘接物质于该透光物质与该半导体电连接面之间，该粘接物质具备一特性：因应一种光线而丧失其与该半导体电连接面之间的粘性。
其中还包含：
借助该透光物质的透光，让该种光线到达该粘接物质，使该粘接物质与该第一晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第一晶粒。
其中还包含：
将该第一晶粒连同该透光物质移置于一载具，该第一晶粒的晶粒非电连接面粘贴该载具；
借助该透光物质的透光，让该种光线到达该粘接物质，使该粘接物质与该第一晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第一晶粒。
其中该粘接物质包含一第一粘胶层、一第二粘胶层、以及一薄膜层，该第一粘胶层接触该透光物质，该第二粘胶层接触该半导体电连接面，该薄膜层介于该第一粘胶层与该第二粘胶层之间，该薄膜层与该第一粘胶层具备一特性：让该种光线穿透，该第二粘胶层具备一特性：因应该种光线而丧失粘性。
其中该种光线是紫外线。
其中该透光物质包含玻璃、塑胶等两者中的至少一种。
其中该切割作业包含：
经过该透光物质识得该半导体电连接面的影像；以及
根据该半导体电连接面的影像对该透光物质与该半导体进行切割。
其中还包含：
借由该切割作业而得到至少一第二晶粒，该第二晶粒也包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面，该第二晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的一部份，该第二晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的一部份，该第二晶粒的晶粒电连接面也附有该透光物质；
将该第二晶粒的晶粒非电连接面粘贴该第一晶粒的晶粒电连接面形成两晶粒的堆叠；
借助该透光物质的透光，让该种光线到达该透光物质与该第二晶粒之间的该粘接物质，使该粘接物质与该第二晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第二晶粒。
其中还包含：
该第一晶粒粘贴该载具之前，于该载具的一指定部位与该第一晶粒的晶粒非电连接面等两者中的至少一种，涂布一种粘著剂。
其中该粘著剂包含银胶、不导电胶、B-stage胶等三者中的至少一种。
其中还包含：
该第二晶粒粘贴该第一晶粒之前，于该第二晶粒的晶粒非电连接与该第一晶粒的晶粒电连接面等两者中的至少一种，涂布一种粘著剂。
其中该粘著剂包含银胶、不导电胶、B-stage胶等三者中的至少一种。
其中还包含：
提供一载具；
于该载具的一指定部位与该第一晶粒的晶粒非电连接面等两者中的至少一种，涂布一种B-stage胶；
将该第一晶粒置于该载具，该第一晶粒的晶粒非电连接面经由该B-stage胶而连接该指定部位；
执行一加热作业，让该B-stage胶升温而产生粘性；
借助该透光物质的透光，让一种光线到达该粘接物质，使该粘接物质与该第一晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第一晶粒。
其中还包含：
借由该切割作业而得到至少一第二晶粒，该第二晶粒也包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面，该第二晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的一部份，该第二晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的一部份，该第二晶粒的晶粒电连接面贴有该透光物质；
于该第二晶粒的晶粒非电连接面与该第一晶粒的晶粒电连接面等两者中的至少一种，涂布一种B-stage胶；
执行该加热作业之前，将该第二晶粒的晶粒非电连接面经由该B-stage胶而连接该第一晶粒的晶粒电连接面；
借助该透光物质的透光，让一种光线到达该透光物质与该第二晶粒之间的该粘接物质，使该粘接物质与该第二晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第二晶粒。
本发明一种半导体处理制程，应用于一半导体，该半导体包含一半导体电连接面与一半导体非电连接面，该半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离定义该半导体的原始厚度，其特征在于，该半导体处理制程包含：
将一种透光物质经由一种粘接物质贴于该半导体电连接面；
从该半导体非电连接面研磨该半导体，得到一新半导体非电连接面，该新半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离小于该原始厚度；
在该新半导体非电连接面，涂布一种B-stage胶；以及
经过该透光物质朝向该半导体执行一切割作业而得到至少一晶粒，该第一晶粒包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面，该第一晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的一部份，该第一晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的一部份，该第一晶粒的晶粒电连接面贴有该透光物质，该第一晶粒的晶粒非电连接面附有该种B-stage胶；以及
将该第一晶粒连同该透光物质置于一载具，该第一晶粒的晶粒非电连接面经过该种B-stage胶连接该载具；
执行一加热作业，让该B-stage胶升温而产生粘性；
借助该透光物质的透光，让一种光线到达该粘接物质，使该粘接物质与该第一晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第一晶粒。
其中还包含：
借由该切割作业而得到至少一第二晶粒，该第二晶粒也包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面，该第二晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的另一部份，该第二晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的另一部份，该第二晶粒的晶粒电连接面也贴有该透光物质，该第二晶粒的晶粒非电连接面也附有该B-stage胶；
执行该加热作业之前，将该第二晶粒的晶粒非电连接面经过该B-stage胶连接该第一晶粒的晶粒电连接面；
让一种光线到达该透光物质与该第二晶粒之间的该粘接物质，使该粘接物质与该第二晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第二晶粒。
本发明一种半导体处理制程，应用于一半导体，该半导体包含一半导体电连接面与一半导体非电连接面，该半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离定义该半导体的原始厚度，其特征在于，该半导体处理制程包含：
将一种透光物质经由一种粘接物质贴于该半导体电连接面；
从该半导体非电连接面研磨该半导体，得到一新半导体非电连接面，该新半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离小于该原始厚度；以及
根据该半导体经过该透光物质所显现的影像，朝向该半导体执行切割作业而得到至少一较小半导体，该较小半导体附有该透光物质的部份以及该粘接物质的一部份。
其中还包含：
以一种光线射向该较小半导体所附有的该粘接物质，使该粘接物质与该较小半导体之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该较小半导体。
其中该粘接物质包含一粘胶层，该粘胶层具备一特性：接收该种光线而使该粘接物质与该较小半导体之间的粘性丧失。
其中该粘胶层是一种紫外线胶，该种光线是紫外线。
附图说明
为进一步说明本发明的具体技术内容，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中：
图1a-1f说明一种相关前案例。
图2-4说明相关前案例的一些缺点。
图5a-5e说明另一种相关前案例。
图6a-6h说明本案半导体处理制程的一代表实施例。
图7a-7c说明本案图6a-6h的后续作业的一代表实施例。
图8a-8c说明本案半导体处理制程的晶粒堆叠的一代表实施例。
图9说明本案半导体处理制程中粘接物质69的一代表实施例。
具体实施方式
参考图6a-6h说明本案半导体处理制程的一代表实施例，其应用于一半导体60，该半导体60包含一半导体电连接面61与一半导体非电连接面62，并且有一原始厚度63，该原始厚度63由该半导体非电连接面62到该半导体电连接面61的距离定义的，这半导体处理制程的代表实施例包含：
将一种透光物质64，例如玻璃、塑胶等，贴于该半导体电连接面61；
从该半导体非电连接面62研磨(用研磨工具30)该半导体60，得到一新半导体非电连接面65，该新半导体非电连接面65到该半导体电连接面61的距离70小于该原始厚度63，也就是该半导体60薄化了，较佳方案是，研磨该半导体60前，将该半导体60安置于一研磨支持台(未示于图)；以及
经过该透光物质64朝向该半导体60执行一切割作业(用切割工具40)而得到一第一晶粒66(或较小的半导体)或多个晶粒，该第一晶粒66包含一晶粒电连接面67与一晶粒非电连接面68，该第一晶粒66的晶粒电连接面67为该半导体电连接面61的一部份，该第一晶粒66的晶粒非电连接面68为该新半导体非电连接面65的一部份，该第一晶粒66的晶粒电连接面67仍附有该透光物质64(也就是晶粒电连接面67仍贴附有透光物质64的一部份)，较佳方案是，切割该半导体60前，将该半导体60安置于一切割支持台73。
上述的半导体处理制程中，该透光物质64的贴于该半导体电连接面61，是使用一种粘接物质69于该透光物质64与该半导体电连接面61之间，该粘接物质69具备一特性：因应一种光线(例如紫外线)而丧失其与该半导体电连接面61之间的粘性。如此，借助该透光物质64的透光，让该种光线到达该粘接物质69，使该粘接物质69与该第一晶粒66的晶粒电连接面67之间的粘性丧失，就可以轻易将该透光物质64与该粘接物质69移离该第一晶粒66。例如图6g所示，用一拾取头(pick-up head)74，将该第一晶粒66连同该透光物质64移置于一载具71(如图6h所示)，该第一晶粒66的晶粒非电连接面68粘贴该载具71的一指定部位(例如该载具71的一表面76或该表面76的局部)，借助该透光物质64的透光，让该种光线72到达该粘接物质69，使该粘接物质69与该第一晶粒66的晶粒电连接面67之间的粘性丧失，就可以方便将该透光物质64与该粘接物质69移离该第一晶粒66。
上述第一晶粒66的晶粒非电连接面68的粘贴该载具71，是采用一种粘著剂75(例如银胶、不导电胶、B-stage胶等等)，也就是：该第一晶粒66粘贴该载具71之前，于该载具71的表面76(或该表面76的局部)与该第一晶粒66的晶粒非电连接面68等两者中的至少一种，涂布该粘著剂75。若该粘著剂75是一种B-stage胶，则须执行一加热作业，让该B-stage胶升温而产生粘性。
图7a-7c示出图6a-6h的薄化切割等作业所得多个晶粒66粘贴(以其非电连接面68粘贴)于载具71，并且以紫外线光束77经过透光物质64到达粘接物质69，使该粘接物质69与该第一晶粒66的晶粒电连接面67之间的粘性丧失，然后用一拾取头(pick-up head)74将该透光物质64与该粘接物质69移离该第一晶粒66。
图8a示出晶粒堆叠，将图6a-6h的薄化切割等作业所得第一晶粒66粘贴于载具71，以及将图6a-6h的薄化切割等作业所得一第二晶粒86粘贴于该第一晶粒66的晶粒电连接面67(第一晶粒66的晶粒电连接面67原附有的透光物质64与粘接物质69已移除，如图7b所示66)。该第二晶粒86也包含一晶粒电连接面67与一晶粒非电连接面68，该第二晶粒86的晶粒电连接面67也是该半导体电连接面61(如图6a-6f所示)的一部份，该第二晶粒86的晶粒非电连接面68为该新半导体非电连接面65(如图6a-6f所示)的一部份，该第二晶粒86的晶粒电连接面67也附有该透光物质64(亦如图6a-6f所示)的一部份。上述第二晶粒86的粘贴于该第一晶粒66的晶粒电连接面67，是采用一种粘著剂85(例如银胶、不导电胶、B-stage胶等等)，也就是：该第二晶粒86粘贴于该第一晶粒66的晶粒电连接面67之前，于第二晶粒86的晶粒非电连接面68与该第一晶粒66的晶粒电连接面67等两者中的至少一种，涂布该粘著剂85。若该粘著剂85如同粘著剂75，也是一种B-stage胶，则须执行一加热作业，让该B-stage胶升温而产生粘性，较佳方案是：于载具71完成全部(多个晶粒)堆叠后，执行该加热作业。
完成图8a所示各晶粒的堆叠后，得到图8b所示的，然后比照图7b所示，以紫外线光束77经过透光物质64到达粘接物质69(附著于第二晶粒86的晶粒电连接面67)，使该粘接物质69(附著于第二晶粒86的晶粒电连接面67)与该第二晶粒86的晶粒电连接面67之间的粘性丧失，然后如图8c所示，用一拾取头(pick-up head)74将该透光物质64与该粘接物质69移离该第二晶粒86(从该第二晶粒86的晶粒电连接面67)。
上述的半导体处理制程中，也可以在薄化(例如上述的研磨)该半导体60的后，于该新半导体非电连接面65(示于图6d)涂布该粘著剂75(未示于图)，如此，切割作业得到的各晶粒(例如图6f所示第一晶粒66、图8a所示第二晶粒86等等)的晶粒非电连接面68皆附有该粘著剂75(未示于图)，然后比照图6g、6h，将第一晶粒66的晶粒非电连接面68直接贴于载具71，也可以比照图8a，将第二晶粒86的晶粒非电连接面68直接贴于该第一晶粒66的晶粒电连接面67。粘著剂75可以是银胶、不导电胶、B-stage胶等等，若采用的粘著剂75是B-stage胶，则第一晶粒66贴于载具71，以及第二晶粒86贴于该第一晶粒66的后，需要执行一加热作业，让该B-stage胶升温而产生粘性。
上述该粘接物质69的的一代表实施例示于图9。图9中粘接物质69是一紫外线胶片(UV胶片)，其包含一第一粘胶层81、一第二粘胶层82、以及一薄膜层83，该第一粘胶层81接触该透光物质64，该第二粘胶层82接触该半导体电连接面(例如半导体60的电连接面61，晶粒66、晶粒86的电连接面67等)，该薄膜层83介于该第一粘胶层81与该第二粘胶层82之间，该薄膜层83与该第一粘胶层81具备一特性：让紫外线光束穿透，该第二粘胶层82是一种紫外线胶(UV胶)，其具备一特性：因应紫外线光束而丧失粘性，例如，该第二粘胶层82接收到一紫外线光束92就丧失粘性，由此，若有紫外线光束92到达该第二粘胶层82，该第二粘胶层82就丧失粘性，也就是使该粘接物质与该半导体电连接面67之间的粘性丧失，该透光物质64与该粘接物质69也就可以方便地被移离该半导体电连接面(例如晶粒66、晶粒86的电连接面67，或半导体60的电连接面61等)。紫外线光束92到达该第二粘胶层82的较佳途径是，经过该透光物质64、该第一粘胶层81、该薄膜层83等。
Claims (21)
1.一种半导体处理制程，应用于一半导体，该半导体包含一半导体电连接面与一半导体非电连接面，该半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离定义该半导体的原始厚度，其特征在于，该半导体处理制程包含：
将一种透光物质贴于该半导体电连接面；
从该半导体非电连接面研磨该半导体，得到一新半导体非电连接面，该新半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离小于该原始厚度；以及
经过该透光物质朝向该半导体执行一切割作业而得到至少一第一晶粒，该第一晶粒包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面，该第一晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的一部份，该第一晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的一部份，该第一晶粒的晶粒电连接面附有该透光物质。
2.根据权利要求1所述的半导体处理制程，其特征在于，其中还包含：研磨该半导体之前，将该半导体连同该透光物质置于一研磨支持台，该非电连接面暴露；以及
执行该切割作业之前，将该半导体连同该透光物质置于一切割支持台，该非电连接面朝向该切割支持台，该透光物质暴露。
3.根据权利要求1所述的半导体处理制程，其特征在于，其中该透光物质贴于该半导体电连接面，使用一种粘接物质于该透光物质与该半导体电连接面之间，该粘接物质具备一特性：因应一种光线而丧失其与该半导体电连接面之间的粘性。
4.根据权利要求3所述的半导体处理制程，其特征在于，其中还包含：
借助该透光物质的透光，让该种光线到达该粘接物质，使该粘接物质与该第一晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第一晶粒。
5.根据权利要求3所述的半导体处理制程，其特征在于，其中还包含：
将该第一晶粒连同该透光物质移置于一载具，该第一晶粒的晶粒非电连接面粘贴该载具；
借助该透光物质的透光，让该种光线到达该粘接物质，使该粘接物质与该第一晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第一晶粒。
6.根据权利要求3所述的半导体处理制程，其特征在于，其中该粘接物质包含一第一粘胶层、一第二粘胶层、以及一薄膜层，该第一粘胶层接触该透光物质，该第二粘胶层接触该半导体电连接面，该薄膜层介于该第一粘胶层与该第二粘胶层之间，该薄膜层与该第一粘胶层具备一特性：让该种光线穿透，该第二粘胶层具备一特性：因应该种光线而丧失粘性。
7.根据权利要求3所述的半导体处理制程，其特征在于，其中该种光线是紫外线。
8.根据权利要求1所述的半导体处理制程，其特征在于，其中该透光物质包含玻璃、塑胶等两者中的至少一种。
9.根据权利要求5所述的半导体处理制程，其特征在于，其中还包含：
借由该切割作业而得到至少一第二晶粒，该第二晶粒也包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面，该第二晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的一部份，该第二晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的一部份，该第二晶粒的晶粒电连接面也附有该透光物质；
将该第二晶粒的晶粒非电连接面粘贴该第一晶粒的晶粒电连接面形成两晶粒的堆叠；
借助该透光物质的透光，让该种光线到达该透光物质与该第二晶粒之间的该粘接物质，使该粘接物质与该第二晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第二晶粒。
10.根据权利要求5所述的半导体处理制程，其特征在于，其中还包含：
该第一晶粒粘贴该载具之前，于该载具的一指定部位与该第一晶粒的晶粒非电连接面等两者中的至少一种，涂布一种粘著剂。
11.根据权利要求10所述的半导体处理制程，其特征在于，其中该粘著剂包含银胶、不导电胶、B-stage胶等三者中的至少一种。
12.根据权利要求9所述的半导体处理制程，其特征在于，其中还包含：
该第二晶粒粘贴该第一晶粒之前，于该第二晶粒的晶粒非电连接与该第一晶粒的晶粒电连接面等两者中的至少一种，涂布一种粘著剂。
13.根据权利要求12所述的半导体处理制程，其特征在于，其中该粘著剂包含银胶、不导电胶、B-stage胶等三者中的至少一种。
14.根据权利要求3所述的半导体处理制程，其特征在于，其中还包含：
提供一载具；
于该载具的一指定部位与该第一晶粒的晶粒非电连接面等两者中的至少一种，涂布一种B-stage胶；
将该第一晶粒置于该载具，该第一晶粒的晶粒非电连接面经由该B-stage胶而连接该指定部位；
执行一加热作业，让该B-stage胶升温而产生粘性；
借助该透光物质的透光，让一种光线到达该粘接物质，使该粘接物质与该第一晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第一晶粒。
15.根据权利要求14所述的半导体处理制程，其特征在于，其中还包含：
借由该切割作业而得到至少一第二晶粒，该第二晶粒也包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面，该第二晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的一部份，该第二晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的一部份，该第二晶粒的晶粒电连接面贴有该透光物质；
于该第二晶粒的晶粒非电连接面与该第一晶粒的晶粒电连接面等两者中的至少一种，涂布一种B-stage胶；
执行该加热作业之前，将该第二晶粒的晶粒非电连接面经由该B-stage胶而连接该第一晶粒的晶粒电连接面；
借助该透光物质的透光，让一种光线到达该透光物质与该第二晶粒之间的该粘接物质，使该粘接物质与该第二晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第二晶粒。
16.一种半导体处理制程，应用于一半导体，该半导体包含一半导体电连接面与一半导体非电连接面，该半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离定义该半导体的原始厚度，其特征在于，该半导体处理制程包含：
将一种透光物质经由一种粘接物质贴于该半导体电连接面；
从该半导体非电连接面研磨该半导体，得到一新半导体非电连接面，该新半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离小于该原始厚度；
在该新半导体非电连接面，涂布一种B-stage胶；以及
经过该透光物质朝向该半导体执行一切割作业而得到至少一晶粒，该第一晶粒包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面，该第一晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的一部份，该第一晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的一部份，该第一晶粒的晶粒电连接面贴有该透光物质，该第一晶粒的晶粒非电连接面附有该种B-stage胶；以及
将该第一晶粒连同该透光物质置于一载具，该第一晶粒的晶粒非电连接面经过该种B-stage胶连接该载具；
执行一加热作业，让该B-stage胶升温而产生粘性；
借助该透光物质的透光，让一种光线到达该粘接物质，使该粘接物质与该第一晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第一晶粒。
17.根据权利要求16所述的半导体处理制程，其特征在于，其中还包含：
借由该切割作业而得到至少一第二晶粒，该第二晶粒也包含一晶粒电连接面与一晶粒非电连接面，该第二晶粒的晶粒电连接面为该半导体电连接面的另一部份，该第二晶粒的晶粒非电连接面为该新半导体非电连接面的另一部份，该第二晶粒的晶粒电连接面也贴有该透光物质，该第二晶粒的晶粒非电连接面也附有该B-stage胶；
执行该加热作业之前，将该第二晶粒的晶粒非电连接面经过该B-stage胶连接该第一晶粒的晶粒电连接面；
让一种光线到达该透光物质与该第二晶粒之间的该粘接物质，使该粘接物质与该第二晶粒的晶粒电连接面之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该第二晶粒。
18.一种半导体处理制程，应用于一半导体，该半导体包含一半导体电连接面与一半导体非电连接面，该半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离定义该半导体的原始厚度，其特征在于，该半导体处理制程包含：
将一种透光物质经由一种粘接物质贴于该半导体电连接面；
从该半导体非电连接面研磨该半导体，得到一新半导体非电连接面，该新半导体非电连接面到该半导体电连接面的距离小于该原始厚度；以及
根据该半导体经过该透光物质所显现的影像，朝向该半导体执行一切割作业而得到至少一较小半导体，该较小半导体附有该透光物质的一部份以及该粘接物质的一部份。
19.根据权利要求18所述的半导体处理制程，其特征在于，其中还包含：
以一种光线射向该较小半导体所附有的该粘接物质，使该粘接物质与该较小半导体之间的粘性丧失；以及
将该透光物质与该粘接物质移离该较小半导体。
20.根据权利要求19所述的半导体处理制程，其特征在于，其中该粘接物质包含一粘胶层，该粘胶层具备一特性：接收该种光线而使该粘接物质与该较小半导体之间的粘性丧失。
21.根据权利要求20所述的半导体处理制程，其特征在于，其中该粘胶层是一种紫外线胶，该种光线是紫外线。
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