KR920006571B1 - 전도성 다이 어태치 테이프 - Google Patents

전도성 다이 어태치 테이프 Download PDF

Info

Publication number
KR920006571B1
KR920006571B1 KR1019850000498A KR850000498A KR920006571B1 KR 920006571 B1 KR920006571 B1 KR 920006571B1 KR 1019850000498 A KR1019850000498 A KR 1019850000498A KR 850000498 A KR850000498 A KR 850000498A KR 920006571 B1 KR920006571 B1 KR 920006571B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
conductive
adhesive
tape
support film
Prior art date
Application number
KR1019850000498A
Other languages
English (en)
Other versions
KR850006304A (ko
Inventor
앤토니 오리키오 죠세프
Original Assignee
내쇼날 스타치 앤드 캐미칼 코포레이숀
허버트 제이. 범가튼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 내쇼날 스타치 앤드 캐미칼 코포레이숀, 허버트 제이. 범가튼 filed Critical 내쇼날 스타치 앤드 캐미칼 코포레이숀
Publication of KR850006304A publication Critical patent/KR850006304A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR920006571B1 publication Critical patent/KR920006571B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H01L23/4827Materials
    • H01L23/4828Conductive organic material or pastes, e.g. conductive adhesives, inks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Packages (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

전도성 다이 어태치 테이프
제1도는 본원 발명의 전도성 다이 어태치 테이프의 사시도.
제2도는 본원 발명의 바람직한 실시양태의 단면도.
다중 인쇄회로를 가진 실리코운 웨이퍼는 절삭 작업중 웨이퍼를 알맞는 위치에 유지하는 절삭필름(점착성 표면을 가진 중합성 지지 필름)위에 웨이퍼를 먼저 놓음에 의하여 개개의 회로(칩)내로 절삭된다. 그 다음에, 웨이퍼는 절삭기구(예를들면, 다이어몬드-함침 휘일)에 의하여 부분적으로 그 두께가 절단된다. 상기 웨이퍼는 개개의 칩으로 갈라지고, 그리고 지지필름을 신장함에 의하여 분리된다. 그 다음에, 칩은 칩 캐리어(칩을 지지하기 위하여 미리 점착제로 처리된) 위에 놓여지도록 진공 척(chuck)에 의하여 개별적으로 주어 올려진다. 그 다음에 점착제는 칩을 알맞는 자리에 고정시키고, 그리고 철선이 칩에 접합되는 단계동안 칩을 위한 터전을 제공하기 위하여 경화된다. 종래 점착제를 칩 캐리어에 적용하는 다수의 통상적인 방법(예를들면, 시린지의 사용, 스탬프 패드의 사용 및 기타 분배기술의 사용 등)이 사용되어 왔다. 그러나, 대부분의 상기 방법은 균일한 점착제 두께를 제공하지 목하며, 그리고 적용함에 있어서 취급하기 곤란하고 시간이 많이 걸린다.
본원 발명은 칩에 대한 두께 및 적용면적의 면에 있어서 소망하는 정도의 점착제의 균일성을 제공할 수 있는 테이프 생성물에 관한 것이다. 그것은 최소한 1개의 반도세 칩을 그 위에 지지하기 위한 크기 및 형태의 점착제의 패터언을 가진 지지 테이프로 이루어진다. 개개의 칩은 상웅하는 점착제 지지 위에 각기 위치하여, 그것과 접촉된다. 칩 및 지지필름/점착체 사이의 접촉이 되어진 후에, 칩은 부착된 그 점착제 지지와 함께 필름으로부터 제거된다. 그 다음에, 이 칩/점착제 복합물은 적합한 칩 캐리어 내로 놓여지고 적당한 방식으로 경화된다. 그후에, 통상적 방법에 의하여 철선은 칩에 접합되어질 수 있다.
본원 발명은 필름으로부터 반도체 칩이 제거(부착된 점착체와 함께)되어 적당한 칩 캐리어 내에 장착되기전에 상기 반도체 칩을 지지할 수 있는 지지 필름 및 점착제 패터언으로 이루어지는 전도성 다이 어태치 테이프(Conductive die attach tape) 및 그 장착방법에 관한 것이다.
본원 발명은 점착제(12)의 적당한 패터언을 가진 지지필름(11) 및 바람직한 실시양태에 있어서는 이 물질(예를들면, 불결물, 먼지 등)로부터 점착제로 보호하기 위한 릴리이스 라이너(13)로 이루어진다. 점착제는 칩/점착제 복합물이 지지필름(11)으로부터 제거될 때에 지지필름으로부터 탈리되어짐을 요한다. 그러므로, 일반적으로 적당한 릴리이스 층이 그것과 점착제(12) 사이에 위치하는 지지필름(11)에 놓여진다.
본원 발명의 생성물에서 사용할 수 있는 전형적인 지지필름(11)은 올레핀 중합체(예를들면, 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌), 비닐 핼라이드 중합체 및 폴리에스테르와 같은 잘 알려진 가소성 중합체로부터 만들어진 것들 뿐만 아니라 또한 종리를 포함한다. 지지필림의 두께는 약 12∼약 250미크론의 범위내일 수 있으며, 약 50∼약 125미크론의 두께가 바람직하다.
바람직한 실시양태에 있어서, 지지필름의 한쪽 위에 코우팅된 것은 적당한 릴리이스 층이며, 이 릴리이스층은, 후술되는 바와 같이, 칩 캐리어내에 배치되기 전에 지지필름(11)으로부터 전도성 점착제/칩 복합물의 분리를 용이하게 할 수 있다. 대표적인 릴리이스 층은 선행기술(예를들면, 캐프럴에 특허된 미합중국 특허 제 3,912,569호 및 제 3,575,917호)에 설명된 것들과 같은 실리코운 및 탄화불소를 포함할 수 있다. 이들릴리이스층은 소망하는 탈리 특성(연 당 약 0.23∼약 0.91kg)을 부여하기에 충분한 두께만을 필요로 한다. 만약, 지지필름의 표면이 본래의 릴리이스 층 기능을 가지고 있을 때에는 그 표면의 본래의 탈리특성이 "릴리이스 층"으로서 본원 발명에 따라 이용될 수 있다. 시판되고 있는 실리코운 릴리이스 코우팅된 중합성 필름(예를를면, SILOX 상표명의 릴리이스 코우팅을 가진 폴리프로필렌)은 미합중국 위스콘신주 메나사 소재의 애크로실 코오포레이숀의 제품이다.
또한, 가열되었을 때에 탈리특성을 가진 중합체가 사용된다면, 릴리이스층을 필요없게 할 수도 있다. 예를들면, 폴리프로필렌과 같은 폴리올레핀 필름(11)은 칩/점착제 복합물의 깨끗한 탈리를 확실하게 하기 위하여 가열(예를들면, 45°∼70℃로 0.25∼3분간)될 수 있다.
릴리이스층(또는 필림 11, 만약 릴리이스층이 사용되지 않을때에는)의 노출된 표면에 부착된 것은 후에 칩 캐리어로 이송되어질 반도체 칩을 위한 부착점을 형성하는 적당한 패터언의 전도성 점착제(12)이다. 일반적으로, 전도성 점착제 패터언은 그 위에 장착되어질 칩의 면적에 가까운 적당한 크기 및 적당한 형태로된 일련의 정방형 패터언으로 이루어진다. 점착제의 두께는 약 5미트론∼약 75미크론의 범위내일 수 있다. 이용될 수 있는 적당한 전도성 점착제 조성물은 전도성 필요조전(예를들면, 적당한 전도성물질의 2∼약 90중량%)를 달성하기 위하여 충전제와 함께 장전되는 점착제 물질을 포함한다. 대표적인 전도성 물질은 미세하게 분쇄된 전도성 금속(예를들면, 알루미늄, 동, 은, 금, 팔라듐) 또는 카아본 블랙을 포함한다. 전도성 물질을 위한 매트릭스를 형성할 수 있는 점착제 물질을 폴리이미드, 아크릴, 에폭시, 실리코운 및 소망하는 열 및 전도성 필요조건을 충족시키는 각종의 중합성 물질을 포함한다. 하나의 적당한 점착제는 은이 함유된 폴리이미드(p-1011 상표명인 에폭시 테클롤로지 인코오포레이티드 제품)이다.
바람직한 실시양태에 있어서는 본원 발명의 필름 생성물은 점착제의 노출된 표면 위에 그것을 오염 및/또는 손상(예를들면, 바람직한 실질적으로 평평한 상부면의 부주의로 인한 파괴)으로부터 보호하기 위하여 적당한 릴리이스 라이너를 포함함다. 예를들면, 릴리이스 라이너물질로서, 릴리이스 코우팅 페이퍼가 사용될 수 있다. 이 릴리이스 라이너는 만약 지지필름(11)위에 릴리이스 층이 사용될 때에는, 상이한 탈리특성을 지니게 된다.
본원 발명의 필름은 통상적인 적층 및 인쇄기술을 사용함에 의하여 형성될 수 있다. 릴리이스 층은 예를들면, 통상적인 코우팅 기술을 사용하고, 뒤이어 상기 층을 건조함에 의하여 지지필름 위에 코우팅될 수 있다. 전도성 점착체의 패터언은 적당한 인쇄공정(예를들면, 스크리인 인쇄 또는 스탬핑 공정)에 의하여 건조된 릴리이스 층 표면에 적용된 후에 점착제는 적층에 의하여 지지필름(12)로 이송된다. 만약, 릴리이스 라이너가 점착제의 노출된 표면 위에 소망된다면, 그것은 또한 통상적인 적층 공정에 의하여 적용될 수 있다.

Claims (38)

  1. (a) 지지필름과, (b) 상기 지지필름의 한쪽에 탈리 가능하게 부착된 전도성 점착제의 패터언으로 이루어지며, 상기 점착성 패터언은 최소한 1개의 반도체 칩을 그 위에 지지하기 위하여 적합한 크기 및 형태로 이루어지는, 전도성 점착제 위에 반도체 칩을 탈리 가능하게 지지하는데 있어서 유용한 전도성 다이 어태치 테이프.
  2. 지지필름은 폴리올레핀 중합체로 만들어지는 특허청구의 범위 1기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
  3. 지지필름은 폴리에틸렌으로 만들어지는 특허청구의 범위 1기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
  4. 지지필름은 약 12미크론∼약 250미크론의 두께를 가지는 특허청구의 범위 1기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
  5. 릴리이스 층을 그것과 점착제 사이의 지지필름 위에 포함하는 특허청구의 범위 1기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
  6. 릴리이스 층은 실리코운 조성물로 이루어지는 특허청구의 범위 5 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
  7. 릴리이스 층은 탄화불소 조성물로 이루어지는 특허청구의 범위 5 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
  8. 전도성 점착제는 약 5미크론∼약 75 미크론의 두께를 가지는 특허청구의 범위 1기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
  9. 전도성 점착제는 매트릭스내에 전도성 금속의 전도성을 위한 유효량을 함유하는 특허청구의 범위 1 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
  10. 지지필름은 약 12미크론∼약 250미크론의 두께를 가지는 특허청구의 범위 2 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
  11. 릴리이스 층을 그것과 점착에 사이의 필름 위에 가지며, 그리고 상기 릴리이스 층은 실리코운 조성물로 이루어지는 특허청구의 범위 9기재의 전도성 어태치 테이프.
  12. 약 5미크론∼약 75미크론의 두께의 전도성 점착제를 가지며, 그리고 상기 점착제는 점착제 매트릭스내에 전도성 금속의 전도성을 위한 유효량을 함유하는 특허청구의 범위 11 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
  13. 전도성 점착제의 패터언 위에 릴리이스 라이너를 가지는 특허청구의 범위 1 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
  14. 전도성 점착체의 패터언 위에 릴리이스 라이너를 가지는 특허청구의 범위 12 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
  15. 반도체 칩과 특허청구의 범위 1 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
  16. 반도체 칩과 특허청구의 범위 2 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
  17. 반도체 칩과 특허청구의 범위 3 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
  18. 반도체 칩과 특허청구의 범위 4 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
  19. 반도체 칩과 특허청구의 범위 5 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
  20. 반도체 칩과 특허청구의 범위 6 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
  21. 반도체 칩과 특허청구의 범위 7 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
  22. 반도체 칩과 특허청구의 범위 8 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
  23. 반도체 칩과 특허청구의 범위 9 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
  24. 반도체 칩과 특허청구의 범위 10 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
  25. 반도체 칩과 특허청구의 범위 11 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
  26. 반도체 칩과 특허청구의 범위 12 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
  27. 특허청구의 범위 1 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
  28. 특허청구의 범위 2 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
  29. 특허청구의 범위 3 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
  30. 특허청구의 범위 4 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 침 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
  31. 특허청구의 범위 5 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
  32. 특허청구의 범위 6 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
  33. 특허청구의 범위 7 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
  34. 특허청구의 범위 8 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로씨 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
  35. 특허청구의 범위 9 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
  36. 특허청구의 범위 10 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
  37. 특허청구의 범위 11 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
  38. 특허청구의 범위 12 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
KR1019850000498A 1984-01-30 1985-01-28 전도성 다이 어태치 테이프 KR920006571B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US57481584A 1984-01-30 1984-01-30
US84-574,815 1984-01-30
US574815 1990-08-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR850006304A KR850006304A (ko) 1985-10-02
KR920006571B1 true KR920006571B1 (ko) 1992-08-08

Family

ID=24297759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019850000498A KR920006571B1 (ko) 1984-01-30 1985-01-28 전도성 다이 어태치 테이프

Country Status (8)

Country Link
EP (1) EP0150882B1 (ko)
JP (1) JPS60182200A (ko)
KR (1) KR920006571B1 (ko)
CA (1) CA1222071A (ko)
DE (1) DE3573192D1 (ko)
IL (1) IL73615A (ko)
MY (1) MY101869A (ko)
PH (1) PH20980A (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5049434A (en) * 1984-04-30 1991-09-17 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Pre-patterned device substrate device-attach adhesive transfer system
KR870002636A (ko) * 1985-08-08 1987-04-06 로버트 씨. 술리반 부착 콤포넨트 본드접착제에 의한 반도체 콤포넨트의 형성방법
EP0252739B1 (en) * 1986-07-09 1993-10-06 LINTEC Corporation Adhesive sheets for sticking wafers thereto
KR910006367B1 (ko) * 1987-07-09 1991-08-21 스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤 칩고정테이프
DE3808667A1 (de) * 1988-03-15 1989-10-05 Siemens Ag Montageverfahren zur herstellung von led-zeilen
DE3923023A1 (de) * 1989-07-12 1991-01-24 Siemens Ag Uv-haertbarer klebstoff fuer ein halbleiterchipmontageverfahren
WO1991012187A1 (en) * 1990-02-06 1991-08-22 Sumitomo Bakelite Company Limited Covering tape for electronic component chip
MY107463A (en) * 1991-02-28 1995-12-30 Sumitomo Bakelite Co Cover tape for packaging chip type electronic parts.
DE4413529C2 (de) * 1994-04-15 1996-07-25 Tele Filter Tft Gmbh Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement
JP3903447B2 (ja) * 1998-01-21 2007-04-11 リンテック株式会社 粘着シート
JP4573442B2 (ja) * 2001-01-11 2010-11-04 日東電工株式会社 電子部品キャリア用ボトムカバーテープ
JP4107417B2 (ja) 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4283596B2 (ja) 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4275522B2 (ja) 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4443962B2 (ja) 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3912569A (en) * 1974-02-27 1975-10-14 Akrosil Corp Coating substrate with thermosetting resin containing printed design
DE3001613C2 (de) * 1980-01-17 1986-04-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Befestigung eines, eine monolithisch integrierte Halbleiterschaltung enthaltenden Halbleiterkörpers aus Silicium an einer Unterlage mit einem entsprechenden Verfahren hierzu
DD158076A1 (de) * 1981-04-06 1982-12-22 Ruediger Uhlmann Verfahren zum kleben von halbleiterchips auf traegerkoerpern
JPS5857730A (ja) * 1981-09-30 1983-04-06 Nissha Printing Co Ltd 半導体パツケ−ジの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
IL73615A0 (en) 1985-02-28
EP0150882B1 (en) 1989-09-20
EP0150882A1 (en) 1985-08-07
PH20980A (en) 1987-06-18
KR850006304A (ko) 1985-10-02
IL73615A (en) 1989-05-15
DE3573192D1 (en) 1989-10-26
CA1222071A (en) 1987-05-19
MY101869A (en) 1992-01-31
JPS60182200A (ja) 1985-09-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5158818A (en) Conductive die attach tape
KR920006571B1 (ko) 전도성 다이 어태치 테이프
CA1244294A (en) Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers
US4961804A (en) Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers and dicing method employing same
US5882956A (en) Process for producing semiconductor device
US6007920A (en) Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
EP0146197A2 (en) Removal of semiconductor wafers from dicing film
US5476565A (en) Dicing-die bonding film
US5049434A (en) Pre-patterned device substrate device-attach adhesive transfer system
KR850007317A (ko) 미리 형성된 패터언을 가진 장치기판 장치-부착 점착제 트랜스퍼 장치
KR100466533B1 (ko) 칩의제조방법및칩제조를위한점착시트
US6225194B1 (en) Process for producing chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process
US6544371B2 (en) Method of using a transfer tape
KR20010051970A (ko) 반도체 장치의 제조방법
JPH037685A (ja) 片側が粘着性である可撓性の多層ボディ部材を工作物の表面に対し機械的に付着させるための装置
JPH02248064A (ja) 半導体チップ固着キャリヤの製造方法及びウエハ固定部材
JP3592018B2 (ja) ポリイミド接着シートおよびポリイミド用工程フィルム
JPS62271451A (ja) ウエハ加工用フイルムの貼付け方法
US5930652A (en) Semiconductor encapsulation method
JPH10233373A (ja) チップ体の製造方法および該製造方法に用いられる粘着シート
JPH01104682A (ja) 熱収縮性粘着シート
JPS644339B2 (ko)
JP4045674B2 (ja) Icチップの接続方法
JPH06334033A (ja) ダイシング用接着シート及びダイシング切断方法
JP2004031956A (ja) チップ体製造用の粘着シート

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee