KR920006571B1 - 전도성 다이 어태치 테이프 - Google Patents
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 59
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 16
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 7
- -1 polyethylene Polymers 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4827—Materials
- H01L23/4828—Conductive organic material or pastes, e.g. conductive adhesives, inks
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
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Description
제1도는 본원 발명의 전도성 다이 어태치 테이프의 사시도.
제2도는 본원 발명의 바람직한 실시양태의 단면도.
다중 인쇄회로를 가진 실리코운 웨이퍼는 절삭 작업중 웨이퍼를 알맞는 위치에 유지하는 절삭필름(점착성 표면을 가진 중합성 지지 필름)위에 웨이퍼를 먼저 놓음에 의하여 개개의 회로(칩)내로 절삭된다. 그 다음에, 웨이퍼는 절삭기구(예를들면, 다이어몬드-함침 휘일)에 의하여 부분적으로 그 두께가 절단된다. 상기 웨이퍼는 개개의 칩으로 갈라지고, 그리고 지지필름을 신장함에 의하여 분리된다. 그 다음에, 칩은 칩 캐리어(칩을 지지하기 위하여 미리 점착제로 처리된) 위에 놓여지도록 진공 척(chuck)에 의하여 개별적으로 주어 올려진다. 그 다음에 점착제는 칩을 알맞는 자리에 고정시키고, 그리고 철선이 칩에 접합되는 단계동안 칩을 위한 터전을 제공하기 위하여 경화된다. 종래 점착제를 칩 캐리어에 적용하는 다수의 통상적인 방법(예를들면, 시린지의 사용, 스탬프 패드의 사용 및 기타 분배기술의 사용 등)이 사용되어 왔다. 그러나, 대부분의 상기 방법은 균일한 점착제 두께를 제공하지 목하며, 그리고 적용함에 있어서 취급하기 곤란하고 시간이 많이 걸린다.
본원 발명은 칩에 대한 두께 및 적용면적의 면에 있어서 소망하는 정도의 점착제의 균일성을 제공할 수 있는 테이프 생성물에 관한 것이다. 그것은 최소한 1개의 반도세 칩을 그 위에 지지하기 위한 크기 및 형태의 점착제의 패터언을 가진 지지 테이프로 이루어진다. 개개의 칩은 상웅하는 점착제 지지 위에 각기 위치하여, 그것과 접촉된다. 칩 및 지지필름/점착체 사이의 접촉이 되어진 후에, 칩은 부착된 그 점착제 지지와 함께 필름으로부터 제거된다. 그 다음에, 이 칩/점착제 복합물은 적합한 칩 캐리어 내로 놓여지고 적당한 방식으로 경화된다. 그후에, 통상적 방법에 의하여 철선은 칩에 접합되어질 수 있다.
본원 발명은 필름으로부터 반도체 칩이 제거(부착된 점착체와 함께)되어 적당한 칩 캐리어 내에 장착되기전에 상기 반도체 칩을 지지할 수 있는 지지 필름 및 점착제 패터언으로 이루어지는 전도성 다이 어태치 테이프(Conductive die attach tape) 및 그 장착방법에 관한 것이다.
본원 발명은 점착제(12)의 적당한 패터언을 가진 지지필름(11) 및 바람직한 실시양태에 있어서는 이 물질(예를들면, 불결물, 먼지 등)로부터 점착제로 보호하기 위한 릴리이스 라이너(13)로 이루어진다. 점착제는 칩/점착제 복합물이 지지필름(11)으로부터 제거될 때에 지지필름으로부터 탈리되어짐을 요한다. 그러므로, 일반적으로 적당한 릴리이스 층이 그것과 점착제(12) 사이에 위치하는 지지필름(11)에 놓여진다.
본원 발명의 생성물에서 사용할 수 있는 전형적인 지지필름(11)은 올레핀 중합체(예를들면, 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌), 비닐 핼라이드 중합체 및 폴리에스테르와 같은 잘 알려진 가소성 중합체로부터 만들어진 것들 뿐만 아니라 또한 종리를 포함한다. 지지필림의 두께는 약 12∼약 250미크론의 범위내일 수 있으며, 약 50∼약 125미크론의 두께가 바람직하다.
바람직한 실시양태에 있어서, 지지필름의 한쪽 위에 코우팅된 것은 적당한 릴리이스 층이며, 이 릴리이스층은, 후술되는 바와 같이, 칩 캐리어내에 배치되기 전에 지지필름(11)으로부터 전도성 점착제/칩 복합물의 분리를 용이하게 할 수 있다. 대표적인 릴리이스 층은 선행기술(예를들면, 캐프럴에 특허된 미합중국 특허 제 3,912,569호 및 제 3,575,917호)에 설명된 것들과 같은 실리코운 및 탄화불소를 포함할 수 있다. 이들릴리이스층은 소망하는 탈리 특성(연 당 약 0.23∼약 0.91kg)을 부여하기에 충분한 두께만을 필요로 한다. 만약, 지지필름의 표면이 본래의 릴리이스 층 기능을 가지고 있을 때에는 그 표면의 본래의 탈리특성이 "릴리이스 층"으로서 본원 발명에 따라 이용될 수 있다. 시판되고 있는 실리코운 릴리이스 코우팅된 중합성 필름(예를를면, SILOX 상표명의 릴리이스 코우팅을 가진 폴리프로필렌)은 미합중국 위스콘신주 메나사 소재의 애크로실 코오포레이숀의 제품이다.
또한, 가열되었을 때에 탈리특성을 가진 중합체가 사용된다면, 릴리이스층을 필요없게 할 수도 있다. 예를들면, 폴리프로필렌과 같은 폴리올레핀 필름(11)은 칩/점착제 복합물의 깨끗한 탈리를 확실하게 하기 위하여 가열(예를들면, 45°∼70℃로 0.25∼3분간)될 수 있다.
릴리이스층(또는 필림 11, 만약 릴리이스층이 사용되지 않을때에는)의 노출된 표면에 부착된 것은 후에 칩 캐리어로 이송되어질 반도체 칩을 위한 부착점을 형성하는 적당한 패터언의 전도성 점착제(12)이다. 일반적으로, 전도성 점착제 패터언은 그 위에 장착되어질 칩의 면적에 가까운 적당한 크기 및 적당한 형태로된 일련의 정방형 패터언으로 이루어진다. 점착제의 두께는 약 5미트론∼약 75미크론의 범위내일 수 있다. 이용될 수 있는 적당한 전도성 점착제 조성물은 전도성 필요조전(예를들면, 적당한 전도성물질의 2∼약 90중량%)를 달성하기 위하여 충전제와 함께 장전되는 점착제 물질을 포함한다. 대표적인 전도성 물질은 미세하게 분쇄된 전도성 금속(예를들면, 알루미늄, 동, 은, 금, 팔라듐) 또는 카아본 블랙을 포함한다. 전도성 물질을 위한 매트릭스를 형성할 수 있는 점착제 물질을 폴리이미드, 아크릴, 에폭시, 실리코운 및 소망하는 열 및 전도성 필요조건을 충족시키는 각종의 중합성 물질을 포함한다. 하나의 적당한 점착제는 은이 함유된 폴리이미드(p-1011 상표명인 에폭시 테클롤로지 인코오포레이티드 제품)이다.
바람직한 실시양태에 있어서는 본원 발명의 필름 생성물은 점착제의 노출된 표면 위에 그것을 오염 및/또는 손상(예를들면, 바람직한 실질적으로 평평한 상부면의 부주의로 인한 파괴)으로부터 보호하기 위하여 적당한 릴리이스 라이너를 포함함다. 예를들면, 릴리이스 라이너물질로서, 릴리이스 코우팅 페이퍼가 사용될 수 있다. 이 릴리이스 라이너는 만약 지지필름(11)위에 릴리이스 층이 사용될 때에는, 상이한 탈리특성을 지니게 된다.
본원 발명의 필름은 통상적인 적층 및 인쇄기술을 사용함에 의하여 형성될 수 있다. 릴리이스 층은 예를들면, 통상적인 코우팅 기술을 사용하고, 뒤이어 상기 층을 건조함에 의하여 지지필름 위에 코우팅될 수 있다. 전도성 점착체의 패터언은 적당한 인쇄공정(예를들면, 스크리인 인쇄 또는 스탬핑 공정)에 의하여 건조된 릴리이스 층 표면에 적용된 후에 점착제는 적층에 의하여 지지필름(12)로 이송된다. 만약, 릴리이스 라이너가 점착제의 노출된 표면 위에 소망된다면, 그것은 또한 통상적인 적층 공정에 의하여 적용될 수 있다.
Claims (38)
- (a) 지지필름과, (b) 상기 지지필름의 한쪽에 탈리 가능하게 부착된 전도성 점착제의 패터언으로 이루어지며, 상기 점착성 패터언은 최소한 1개의 반도체 칩을 그 위에 지지하기 위하여 적합한 크기 및 형태로 이루어지는, 전도성 점착제 위에 반도체 칩을 탈리 가능하게 지지하는데 있어서 유용한 전도성 다이 어태치 테이프.
- 지지필름은 폴리올레핀 중합체로 만들어지는 특허청구의 범위 1기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
- 지지필름은 폴리에틸렌으로 만들어지는 특허청구의 범위 1기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
- 지지필름은 약 12미크론∼약 250미크론의 두께를 가지는 특허청구의 범위 1기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
- 릴리이스 층을 그것과 점착제 사이의 지지필름 위에 포함하는 특허청구의 범위 1기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
- 릴리이스 층은 실리코운 조성물로 이루어지는 특허청구의 범위 5 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
- 릴리이스 층은 탄화불소 조성물로 이루어지는 특허청구의 범위 5 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
- 전도성 점착제는 약 5미크론∼약 75 미크론의 두께를 가지는 특허청구의 범위 1기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
- 전도성 점착제는 매트릭스내에 전도성 금속의 전도성을 위한 유효량을 함유하는 특허청구의 범위 1 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
- 지지필름은 약 12미크론∼약 250미크론의 두께를 가지는 특허청구의 범위 2 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
- 릴리이스 층을 그것과 점착에 사이의 필름 위에 가지며, 그리고 상기 릴리이스 층은 실리코운 조성물로 이루어지는 특허청구의 범위 9기재의 전도성 어태치 테이프.
- 약 5미크론∼약 75미크론의 두께의 전도성 점착제를 가지며, 그리고 상기 점착제는 점착제 매트릭스내에 전도성 금속의 전도성을 위한 유효량을 함유하는 특허청구의 범위 11 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
- 전도성 점착제의 패터언 위에 릴리이스 라이너를 가지는 특허청구의 범위 1 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
- 전도성 점착체의 패터언 위에 릴리이스 라이너를 가지는 특허청구의 범위 12 기재의 전도성 다이 어태치 테이프.
- 반도체 칩과 특허청구의 범위 1 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
- 반도체 칩과 특허청구의 범위 2 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
- 반도체 칩과 특허청구의 범위 3 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
- 반도체 칩과 특허청구의 범위 4 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
- 반도체 칩과 특허청구의 범위 5 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
- 반도체 칩과 특허청구의 범위 6 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
- 반도체 칩과 특허청구의 범위 7 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
- 반도체 칩과 특허청구의 범위 8 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
- 반도체 칩과 특허청구의 범위 9 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
- 반도체 칩과 특허청구의 범위 10 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
- 반도체 칩과 특허청구의 범위 11 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
- 반도체 칩과 특허청구의 범위 12 기재의 테이프 생성물과의 복합물.
- 특허청구의 범위 1 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
- 특허청구의 범위 2 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
- 특허청구의 범위 3 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
- 특허청구의 범위 4 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 침 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
- 특허청구의 범위 5 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
- 특허청구의 범위 6 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
- 특허청구의 범위 7 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
- 특허청구의 범위 8 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로씨 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
- 특허청구의 범위 9 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
- 특허청구의 범위 10 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
- 특허청구의 범위 11 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
- 특허청구의 범위 12 기재의 테이프 생성물에 칩을 결합한 후에, 상기 칩 및 전도성 점착제를 지지필름으로부터 제거하고, 그리고 상기 칩 및 전도성 및 점착제를 칩 캐리어에 결합함으로써 이루어지는 칩 캐리어내에 반도체 칩을 장착하는 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US57481584A | 1984-01-30 | 1984-01-30 | |
US84-574,815 | 1984-01-30 | ||
US574815 | 1990-08-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR850006304A KR850006304A (ko) | 1985-10-02 |
KR920006571B1 true KR920006571B1 (ko) | 1992-08-08 |
Family
ID=24297759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019850000498A KR920006571B1 (ko) | 1984-01-30 | 1985-01-28 | 전도성 다이 어태치 테이프 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0150882B1 (ko) |
JP (1) | JPS60182200A (ko) |
KR (1) | KR920006571B1 (ko) |
CA (1) | CA1222071A (ko) |
DE (1) | DE3573192D1 (ko) |
IL (1) | IL73615A (ko) |
MY (1) | MY101869A (ko) |
PH (1) | PH20980A (ko) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5049434A (en) * | 1984-04-30 | 1991-09-17 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Pre-patterned device substrate device-attach adhesive transfer system |
KR870002636A (ko) * | 1985-08-08 | 1987-04-06 | 로버트 씨. 술리반 | 부착 콤포넨트 본드접착제에 의한 반도체 콤포넨트의 형성방법 |
EP0252739B1 (en) * | 1986-07-09 | 1993-10-06 | LINTEC Corporation | Adhesive sheets for sticking wafers thereto |
KR910006367B1 (ko) * | 1987-07-09 | 1991-08-21 | 스미도모덴기고오교오 가부시기가이샤 | 칩고정테이프 |
DE3808667A1 (de) * | 1988-03-15 | 1989-10-05 | Siemens Ag | Montageverfahren zur herstellung von led-zeilen |
DE3923023A1 (de) * | 1989-07-12 | 1991-01-24 | Siemens Ag | Uv-haertbarer klebstoff fuer ein halbleiterchipmontageverfahren |
WO1991012187A1 (en) * | 1990-02-06 | 1991-08-22 | Sumitomo Bakelite Company Limited | Covering tape for electronic component chip |
MY107463A (en) * | 1991-02-28 | 1995-12-30 | Sumitomo Bakelite Co | Cover tape for packaging chip type electronic parts. |
DE4413529C2 (de) * | 1994-04-15 | 1996-07-25 | Tele Filter Tft Gmbh | Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement |
JP3903447B2 (ja) * | 1998-01-21 | 2007-04-11 | リンテック株式会社 | 粘着シート |
JP4573442B2 (ja) * | 2001-01-11 | 2010-11-04 | 日東電工株式会社 | 電子部品キャリア用ボトムカバーテープ |
JP4107417B2 (ja) | 2002-10-15 | 2008-06-25 | 日東電工株式会社 | チップ状ワークの固定方法 |
JP4283596B2 (ja) | 2003-05-29 | 2009-06-24 | 日東電工株式会社 | チップ状ワークの固定方法 |
JP4275522B2 (ja) | 2003-12-26 | 2009-06-10 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
JP4443962B2 (ja) | 2004-03-17 | 2010-03-31 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3912569A (en) * | 1974-02-27 | 1975-10-14 | Akrosil Corp | Coating substrate with thermosetting resin containing printed design |
DE3001613C2 (de) * | 1980-01-17 | 1986-04-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Befestigung eines, eine monolithisch integrierte Halbleiterschaltung enthaltenden Halbleiterkörpers aus Silicium an einer Unterlage mit einem entsprechenden Verfahren hierzu |
DD158076A1 (de) * | 1981-04-06 | 1982-12-22 | Ruediger Uhlmann | Verfahren zum kleben von halbleiterchips auf traegerkoerpern |
JPS5857730A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Nissha Printing Co Ltd | 半導体パツケ−ジの製造方法 |
-
1984
- 1984-11-21 CA CA000468276A patent/CA1222071A/en not_active Expired
- 1984-11-23 IL IL73615A patent/IL73615A/xx not_active IP Right Cessation
-
1985
- 1985-01-15 PH PH31717A patent/PH20980A/en unknown
- 1985-01-24 DE DE8585200069T patent/DE3573192D1/de not_active Expired
- 1985-01-24 EP EP85200069A patent/EP0150882B1/en not_active Expired
- 1985-01-28 KR KR1019850000498A patent/KR920006571B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1985-01-29 JP JP60013678A patent/JPS60182200A/ja active Pending
-
1987
- 1987-09-30 MY MYPI87002367A patent/MY101869A/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL73615A0 (en) | 1985-02-28 |
EP0150882B1 (en) | 1989-09-20 |
EP0150882A1 (en) | 1985-08-07 |
PH20980A (en) | 1987-06-18 |
KR850006304A (ko) | 1985-10-02 |
IL73615A (en) | 1989-05-15 |
DE3573192D1 (en) | 1989-10-26 |
CA1222071A (en) | 1987-05-19 |
MY101869A (en) | 1992-01-31 |
JPS60182200A (ja) | 1985-09-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |