JPS5857730A - 半導体パツケ−ジの製造方法 - Google Patents
半導体パツケ−ジの製造方法Info
- Publication number
- JPS5857730A JPS5857730A JP15649481A JP15649481A JPS5857730A JP S5857730 A JPS5857730 A JP S5857730A JP 15649481 A JP15649481 A JP 15649481A JP 15649481 A JP15649481 A JP 15649481A JP S5857730 A JPS5857730 A JP S5857730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gold
- film
- layer
- recess
- gold paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L2224/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/831—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/15165—Monolayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
るものであり、更に詳しくはセラミックパッケージの基
板の凹部に金膜を形成する方法において、金膜の厚さを
均一にし、容易に大量生産し得る方法を提供せんとする
ものである。
板の凹部に金膜を形成する方法において、金膜の厚さを
均一にし、容易に大量生産し得る方法を提供せんとする
ものである。
従来、半導体素子を搭載する半導体パッケージとしては
、セラミック基板に凹部を設は該凹部の底面に金膜を形
成したものがある。この金膜の形成方法としては■スク
リーン印刷によって金ペースト層を凹部底面に形成し、
焼成する方法、■滴下によって金ペースト層を形成する
方法があった。
、セラミック基板に凹部を設は該凹部の底面に金膜を形
成したものがある。この金膜の形成方法としては■スク
リーン印刷によって金ペースト層を凹部底面に形成し、
焼成する方法、■滴下によって金ペースト層を形成する
方法があった。
しかしながら■の方法では、凹部への直接印刷が困難な
ため金ペースト層の膜厚が不均一になり易い。これは凹
部が深くなる程顕著である。又■の方法では凹部の側面
にも金ペーストが付着し易く、搭載後の半導体素子の回
路に悪影響を与えることが少なくない、又滴下量が一定
P−なりにくいため膜厚が不均一R−なる等の欠点があ
った。
ため金ペースト層の膜厚が不均一になり易い。これは凹
部が深くなる程顕著である。又■の方法では凹部の側面
にも金ペーストが付着し易く、搭載後の半導体素子の回
路に悪影響を与えることが少なくない、又滴下量が一定
P−なりにくいため膜厚が不均一R−なる等の欠点があ
った。
本発明者らは以上のような従来法の諸欠点に鑑みて種々
研究考察した結果、本発明を完成するに至ったものであ
る。即ち本発明は、離型性を有する基体シート1上Ic
!#着性を有する金ペースト層2を設けてなる転写材を
用いて、セラミック基板3上に設けられた凹部4の底面
に金ペースト層2を形成した後、焼成して全皮膜5を形
成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法で
ある。
研究考察した結果、本発明を完成するに至ったものであ
る。即ち本発明は、離型性を有する基体シート1上Ic
!#着性を有する金ペースト層2を設けてなる転写材を
用いて、セラミック基板3上に設けられた凹部4の底面
に金ペースト層2を形成した後、焼成して全皮膜5を形
成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法で
ある。
以下、本発明について更に詳しく説明する。
まず、本発明において用いる転写材について説明する(
第1図参照)。転写材は離型性を有する基体シート1お
よび接着性を有する金ペースト層2より構成される。離
型性を1有する基体シート1としては例えばポリエチレ
ンテレフタレート等のフィルムを使用する。必要に応じ
て該フィルムにメラミン樹脂を用いて離型処理を施した
り、フィルム上にワヮクスよりなる離型層或いはアクリ
シ樹脂よりなる剥離層を設けてもよい。
第1図参照)。転写材は離型性を有する基体シート1お
よび接着性を有する金ペースト層2より構成される。離
型性を1有する基体シート1としては例えばポリエチレ
ンテレフタレート等のフィルムを使用する。必要に応じ
て該フィルムにメラミン樹脂を用いて離型処理を施した
り、フィルム上にワヮクスよりなる離型層或いはアクリ
シ樹脂よりなる剥離層を設けてもよい。
接着性を有する金ペースト層2は、金ベースト及び接着
剤を含む混合物により構成されるか又は金ペーストを主
成分とする層及び接着剤層が積層されて構成される。使
用する金ペーストは例えば金粉末20〜90重量%、ガ
ラス分及び無機物0.51〜20重量%、残部は有機物
でペースト状又は液状にしたものを用いる。金ペースト
層の作製に際しては、スクリーン印刷、グラビア印刷等
の印刷手段tこて離型性を有する基体シート1上に形成
する。
剤を含む混合物により構成されるか又は金ペーストを主
成分とする層及び接着剤層が積層されて構成される。使
用する金ペーストは例えば金粉末20〜90重量%、ガ
ラス分及び無機物0.51〜20重量%、残部は有機物
でペースト状又は液状にしたものを用いる。金ペースト
層の作製に際しては、スクリーン印刷、グラビア印刷等
の印刷手段tこて離型性を有する基体シート1上に形成
する。
尚、接着剤としては感熱性警着剤を用いるのが好ましい
。
。
以上のような転写材を用いて金ペースト層2をセフミブ
ク基板6上に設けられた凹部4の底面に転写する(第2
図参照)。転写は前記転写材を金ペースト層2が凹部4
に位置するように載置し、しかる後、例えばゴム製の加
圧体8を加熱したものを用いて/JI#加圧し、金ペー
スト層2のみを凹部4の底面に転写せしめる。このとき
の加熱は160〜180℃の温度が好ましい。
ク基板6上に設けられた凹部4の底面に転写する(第2
図参照)。転写は前記転写材を金ペースト層2が凹部4
に位置するように載置し、しかる後、例えばゴム製の加
圧体8を加熱したものを用いて/JI#加圧し、金ペー
スト層2のみを凹部4の底面に転写せしめる。このとき
の加熱は160〜180℃の温度が好ましい。
金ペースト層2を転写した後、焼成して金膜5を形成す
る。焼成はSOO〜900℃で行う。
る。焼成はSOO〜900℃で行う。
本発明は以上のような半導体パッケージの製造方法であ
るから、均一な厚さの金膜を凹部の底面に対して一定し
た位置に形定することができる。
るから、均一な厚さの金膜を凹部の底面に対して一定し
た位置に形定することができる。
又、凹部の底面積に対してほぼ同じ面積の全皮膜を形成
でき、しかも凹部側面に金ぺ゛−ストが付着することも
なく品質の優れた製品を得ることができる。更に転写1
稈も簡単な手段によってできるものであり、又転写材が
所謂ウェフトな材料ではないから品質管理、取扱いが容
易であるから大量生産に適した方法である。
でき、しかも凹部側面に金ぺ゛−ストが付着することも
なく品質の優れた製品を得ることができる。更に転写1
稈も簡単な手段によってできるものであり、又転写材が
所謂ウェフトな材料ではないから品質管理、取扱いが容
易であるから大量生産に適した方法である。
以下本発明の実施例について説明する。
く実施例1〉
ポリエチレンテレフタレートフィルム上にメラミン樹脂
を用いて離型層を設け、その上に下記の組成よりなる金
ペースト層をスクリーン印刷にて形成し、更にその上に
ポリアミド系樹脂よりなる接着剤゛を用いて接着剤層を
設けた。
を用いて離型層を設け、その上に下記の組成よりなる金
ペースト層をスクリーン印刷にて形成し、更にその上に
ポリアミド系樹脂よりなる接着剤゛を用いて接着剤層を
設けた。
金ペースト層のペースト状の配合例を褐げる。
金 粉 末 60(wtチ) 平均粒径 8μガラス粉
末 6 (wtO(70多Pbo −16%B2O3
。
末 6 (wtO(70多Pbo −16%B2O3
。
15慢5i02)
ベヒク A/ 34(wt、S) lO%x+ル*
wa−X90嘔ブチル・カルピトー〜 アセテート パターン面積 3.2×2.F1m 金ペースト層 10μ (焼成厚み 5μ)上記の転写
材を用いてセラミック基板上の凹部(3,5XLS■)
の底面に下記の転写条件で金ペースト層を転写した。し
かる後、下記の条件で焼成し凹部底面に均一な厚さの金
膜を形成した半導体パフケージを得た。
wa−X90嘔ブチル・カルピトー〜 アセテート パターン面積 3.2×2.F1m 金ペースト層 10μ (焼成厚み 5μ)上記の転写
材を用いてセラミック基板上の凹部(3,5XLS■)
の底面に下記の転写条件で金ペースト層を転写した。し
かる後、下記の条件で焼成し凹部底面に均一な厚さの金
膜を形成した半導体パフケージを得た。
転写条件
転写温度 180℃
転写時間 Q、 8 sea
焼成条件
焼成温度 850℃5m1n保持
焼成時間 550Iin
〈実施例!〉
ポリエチレンテレフタレートフィルム上にワックスより
なる離型層を設け、その上にアクリル系樹脂よりなる剥
離層を設け、更に下記組成の金ペースト層及びアクリル
系樹脂よりなる接着剤層を順次積層した。
なる離型層を設け、その上にアクリル系樹脂よりなる剥
離層を設け、更に下記組成の金ペースト層及びアクリル
系樹脂よりなる接着剤層を順次積層した。
金ペースト層のペースト状の配合例を掲げた。
金 粉 末 60 (wt−) 平均粒径 2μガフ
ス粉末 6 (wt%) (701G Pbo 、
151B20315*5iO2) ベヒク ル 34(wtlG) 101エチルセルロ
ース90’lブチル・カルピトール アセテート パターン面積 31XL3m+ 金ペースト層 lOμ (焼成厚み bμ)上記の転写
材を用いてセラミック基板上の凹部(s、 s X 5
1.6■)の底面に下記の転写条件で金ペースト層を転
写した。しかる後、下記の条件で焼成し凹部底面に均一
な厚さの金膜を形成した半導体バフケージを得た。
ス粉末 6 (wt%) (701G Pbo 、
151B20315*5iO2) ベヒク ル 34(wtlG) 101エチルセルロ
ース90’lブチル・カルピトール アセテート パターン面積 31XL3m+ 金ペースト層 lOμ (焼成厚み bμ)上記の転写
材を用いてセラミック基板上の凹部(s、 s X 5
1.6■)の底面に下記の転写条件で金ペースト層を転
写した。しかる後、下記の条件で焼成し凹部底面に均一
な厚さの金膜を形成した半導体バフケージを得た。
転写条件
転写温度 180 ℃
転写時間 0.8 Re・
焼成条件
焼成温度 860℃5m1n保持
焼成時間 55m1n
第1図は本発明において使用する転写材の部分拡大断面
図、第2図は本発明における転写工程を示す拡大断面図
、第8図は本発明にかかる製造方法によって得られた半
導体バグケージの一実施例の拡大断面図を各々示す。 図中、1・・・離型性を有する基体シート2・・・・接
着性を有する金ペースト層3−・・・セツミック基板
4・・・e凹 部5・・・・金 膜 8・
・・・加圧体社□、五日本写^印刷株式会社
図、第2図は本発明における転写工程を示す拡大断面図
、第8図は本発明にかかる製造方法によって得られた半
導体バグケージの一実施例の拡大断面図を各々示す。 図中、1・・・離型性を有する基体シート2・・・・接
着性を有する金ペースト層3−・・・セツミック基板
4・・・e凹 部5・・・・金 膜 8・
・・・加圧体社□、五日本写^印刷株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1離型性を有する基体シート上に接着性を有する金ペー
スト層を設けてなる転写材を用いて、セブミフク基板上
に設けられた凹部の底面に金ベースト層を形成した後、
焼成して金膜、を形成することを特徴とする半導体バグ
ケージの製造方法。 8接着性を有する金ペースト層が金ペースト及び接着剤
を含む混合物により構成されたものであることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の半導体パッケージの製
造方法。 8接着性を有する金ペースト層が金ペーストをノ 主成分とする層及び接着剤層が積層したものであること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体パブケ
ージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15649481A JPS5857730A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体パツケ−ジの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15649481A JPS5857730A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体パツケ−ジの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5857730A true JPS5857730A (ja) | 1983-04-06 |
JPH0249013B2 JPH0249013B2 (ja) | 1990-10-26 |
Family
ID=15628973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15649481A Granted JPS5857730A (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 半導体パツケ−ジの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5857730A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6063939A (ja) * | 1983-05-20 | 1985-04-12 | Tomoegawa Paper Co Ltd | セラミツク封止基板に半導体固定用被膜を形成する方法 |
JPS60182200A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-09-17 | ナショナル スタ−チ アンド ケミカル コ−ポレイション | 導電性ダイ取付テープとその応用 |
JPS6181641A (ja) * | 1984-04-30 | 1986-04-25 | ナショナル スタ−チ アンド ケミカル コ−ポレイション | 装置基板への装置取付用テ−プと方法他 |
US6717242B2 (en) | 1995-07-06 | 2004-04-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US6825249B1 (en) | 1994-12-26 | 2004-11-30 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device |
US6855579B2 (en) | 1995-07-06 | 2005-02-15 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54138371A (en) * | 1978-04-19 | 1979-10-26 | Nec Home Electronics Ltd | Solder supplying method |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP15649481A patent/JPS5857730A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54138371A (en) * | 1978-04-19 | 1979-10-26 | Nec Home Electronics Ltd | Solder supplying method |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6063939A (ja) * | 1983-05-20 | 1985-04-12 | Tomoegawa Paper Co Ltd | セラミツク封止基板に半導体固定用被膜を形成する方法 |
JPS60182200A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-09-17 | ナショナル スタ−チ アンド ケミカル コ−ポレイション | 導電性ダイ取付テープとその応用 |
JPS6181641A (ja) * | 1984-04-30 | 1986-04-25 | ナショナル スタ−チ アンド ケミカル コ−ポレイション | 装置基板への装置取付用テ−プと方法他 |
US6825249B1 (en) | 1994-12-26 | 2004-11-30 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device |
US6717242B2 (en) | 1995-07-06 | 2004-04-06 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US6855579B2 (en) | 1995-07-06 | 2005-02-15 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US7012320B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-03-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US7057265B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-06-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US7078094B2 (en) | 1995-07-06 | 2006-07-18 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US7387914B2 (en) | 1995-07-06 | 2008-06-17 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
US7781896B2 (en) | 1995-07-06 | 2010-08-24 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Semiconductor device and process for fabrication thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0249013B2 (ja) | 1990-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5089071A (en) | Process for producing a multilayered ceramic structure using an adhesive film | |
KR20170108508A (ko) | 입체 패턴을 갖는 실리콘 디자인 전사지 | |
JPS5857730A (ja) | 半導体パツケ−ジの製造方法 | |
JP2000183503A (ja) | 配線基板の製造方法およびそれに用いられる導体ペースト | |
JPH0796699A (ja) | 無機系化粧板の製造方法 | |
JP3156701B2 (ja) | 熱転写フォイル | |
JP2000218997A (ja) | 低温焼き付け転写紙 | |
JPH0233825A (ja) | 陰極線管の蛍光膜形成方法 | |
JPS62255186A (ja) | 転写方法とその方法に用いる転写シ−ト | |
JPH06113788A (ja) | 水溶性可食フィルムに描かれた文字や絵を食品に転写 する転写シート及びその転写方法 | |
JPS6115387A (ja) | 導電性図柄を有する曲面状基板の製造方法 | |
JPH01320196A (ja) | 転写シート | |
JPS61291199A (ja) | 転写シ−トの製造方法 | |
JPH0459400A (ja) | 化粧部材の製造方法 | |
CN113207221A (zh) | 耐热冲击的铝基板用导热胶膜 | |
JPH0697711B2 (ja) | セラミツク回路基板の製造方法 | |
JPS61297172A (ja) | 転写材 | |
JP2865158B2 (ja) | 広告用石鹸 | |
JPS5926287A (ja) | 立体転写箔 | |
JPH0131506Y2 (ja) | ||
JPS6041028B2 (ja) | 貼華焼成品の製造方法 | |
JPS63126799A (ja) | 化粧鋼板の製造方法 | |
JPH05276893A (ja) | 印刷層を有する可食フィルムの製造方法 | |
JPH0699195B2 (ja) | 曲面型写真陶磁器の製造方法 | |
JP2004063292A (ja) | プラズマディスプレイパネル用誘電体層形成材料 |