DE4413529C2 - Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement - Google Patents

Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement

Info

Publication number
DE4413529C2
DE4413529C2 DE4413529A DE4413529A DE4413529C2 DE 4413529 C2 DE4413529 C2 DE 4413529C2 DE 4413529 A DE4413529 A DE 4413529A DE 4413529 A DE4413529 A DE 4413529A DE 4413529 C2 DE4413529 C2 DE 4413529C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
hot melt
surface wave
component
melt adhesive
housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE4413529A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4413529A1 (de
Inventor
Wilfried Laun
Peter Radvan
Christian Prof Dr Ing Haelsig
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TELE FILTER TFT GmbH
Original Assignee
TELE FILTER TFT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TELE FILTER TFT GmbH filed Critical TELE FILTER TFT GmbH
Priority to DE4413529A priority Critical patent/DE4413529C2/de
Priority to PCT/DE1995/000511 priority patent/WO1995028739A1/de
Priority to EP95915782A priority patent/EP0755573A1/de
Priority to AU22541/95A priority patent/AU2254195A/en
Publication of DE4413529A1 publication Critical patent/DE4413529A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4413529C2 publication Critical patent/DE4413529C2/de
Priority to NO964367A priority patent/NO964367D0/no
Priority to FI964115A priority patent/FI964115A/fi
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/8388Hardening the adhesive by cooling, e.g. for thermoplastics or hot-melt adhesives
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/1515Shape
    • H01L2924/15153Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/15165Monolayer substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein gemäß dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement. Das erfindungsgemäß hergestellte Bauelement ist insbesondere in der Informations- und Kommunikationstechnik anwendbar.
Ein wesentlicher Anteil der in der modernen Elektrotechnik und Elektronik Verwendung findenden Bauelemente besteht aus einem geeigneten Gehäuse, in welchem ein Bauelementechip oder auch mehrere Bauelementechips angeordnet sind. Das Ge­ häuse ist dabei sowohl Träger des Chips, dient dem Handling bei der weiteren Verarbeitung, der Kontaktierung, dem me­ chanischen Schutz des Chips und erfüllt ggf. weitere Funk­ tionen wie beispielsweise die Bauelementekühlung oder die elektrische bzw. elektromagnetische Abschirmung.
Die Befestigung des Bauelementechips an dem Gehäuse oder auch an Trägerstreifen erfolgt bei bekannten Herstellungs­ verfahren durch eine Klebstoffverbindung, wobei aus Effek­ tivitätsgründen schnell und selbstaushärtende Klebstoffsy­ steme bevorzugt werden. Nach Aushärtung des Klebstoffes wird das Bauelement den gemäß dem jeweiligen technologi­ schen Ablauf vorgesehenen weiteren Bearbeitungsprozessen zugeführt und nach Abschluß der Bearbeitung mit einer Kappe oder einem Deckel verschlossen.
Nachteilig an dieser Lösung ist, daß die durch die weiteren Bearbeitungsprozesse und den Verschluß des Bauelementes in dem Bauelementechip und/oder zwischen Bauelementechip und Gehäuse entstandenen mechanischen Spannungen nicht oder nur unvollständig abgebaut bzw. ausgeglichen werden können. Nachteilige Folgen hiervon sind unzureichende Grenzwerte, schlechte Reproduzierbarkeit der Parameter, höhere Aus­ schußrate und letztendlich höhere Herstellungskosten.
Weiterhin beschreibt die EP 0 051 165 A1 einen reparierbaren integrierten Schaltkreis mit mehreren Chips, welche mit einem thermoplastischen Material auf dem Substrat befestigt sind. So können nach einem Prüfvorgang als defekt erkannte Chips durch Erwärmung des thermoplastischen Materials ausgetauscht werden. Zur Befestigung der Chips ohne einen Austausch wird das thermoplastische Material nur einmal erhitzt.
Die Verwendung von Schmelzklebstoffen bei der Chip-Montage in der Elektronik wird ferner beschrieben in der DE 36 00 895 A1, der DE 39 07 261 A1, der EP 0 150 882 A1 sowie der US 5,159,432. Die Verwendung von Klebstoff speziell zur Herstellung von Oberflächenwellenbauelementen ist in der US 5,212,115 beschrieben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von elektronischen Oberflächenwellenbauelemen­ ten zu schaffen, womit die Bauelemente einfach und effektiv produziert werden können, sehr gute und reproduzierbare technische Parameter aufweisen und das Verfahren problemlos in den technologischen Bauelementeherstellungsprozeß inte­ grierbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Merkma­ le im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 in Verbindung mit den Merkmalen im Oberbegriff. Zweckmäßige Ausge­ staltungen der Erfindung sowie ein gemäß dem Verfahren hergestelltes Bauelement sind in den Unteransprüchen ent­ halten.
Der besondere Vorteil der Erfindung resultiert aus der Ver­ wendung von Schmelzklebstoff bei der Befestigung der Baue­ lementechips am Gehäuse bzw. am Trägerstreifen, indem zwi­ schen der Unterseite des Bauelementechips und der Innen­ seite des Gehäusebodens eine Schicht aus Schmelzklebstoff angeordnet wird und durch einen zusätzlichen Erwärmungs­ schritt, durch welchen die infolge des Bearbeitungsprozes­ ses und des Verschlusses des Bauelementes entstandenen me­ chanischen Spannungen in dem Bauelementechip und/oder zwi­ schen dem Bauelementechip und dem Gehäuse abgebaut werden. Erfindungsgemäß eignen sich insbesondere Schmelzklebstoffe, deren Erweichungstemperatur höher als 85°C ist und deren Verarbeitungstemperatur zwischen 120°C und 240°C liegt.
In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der Erfin­ dung liegt die Erweichungstemperatur bei etwa 140°C und die Verarbeitungstemperatur zwischen 180°C und 210°C, wobei die Viskosität der Schmelze eine Wert haben sollte, der eine Tropfbarkeit des Klebstoffes möglich macht.
Schmelzklebstoffe auf der Basis von Ethylen-Ethylacrylat- Copolymeren (EEA), Ethylen-Vinylacetat-Copolymeren (EVA), Polyamiden (PA), Polyestern (PES), Polyisobutylenen (PIB) und Polyvinylbutyraten (PVB) sind erfindungsgemäß besonders vorteilhaft einsetzbar.
Die Herstellung der elektronischen Bauelemente erfolgt in einfacher und kostengünstiger Weise, indem auf die vorgese­ hene Verbindungsstelle zwischen Bauelementechip und Gehäuse eine definierte Menge Schmelzklebstoff aufgebracht und der Bauelementechip nachfolgend positioniert und angedrückt wird. Das so vorgefertigte Bauelement wird nachfolgend ab­ gekühlt und einer weiteren Bearbeitung unterzogen. Nach Ab­ schluß der Bearbeitung und Verschluß des Gehäuses des Bau­ elementes erfolgt eine nochmalige Erwärmung des gesamten elektronischen Bauelementes mindestens bis zum Erweichungs­ punkt, so daß der Schmelzklebstoff erneut erweicht und bei nachfolgender Abkühlung wieder erstarrt. Die Verfahrensschritte sind problemlos in den Bauelementeher­ stellungsprozeß integrierbar.
Ein zusätzlicher Vorteil der Erfindung resultiert daraus, daß Auftragungsort und Auftragungsmenge des flüssigen Kleb­ stoffes sehr genau definiert werden. Erreicht wird dies durch die Verwendung von Düsen, wobei die Temperatur der Düsen wesentlich höher ist als die Temperatur des flüssigen Klebstoffes in dem Vorratstank.
Die Erfindung soll nachstehend anhand von Ausführungsbei­ spielen näher erläutert werden.
Der prinzipielle Aufbau eines gemäß der Erfindung herge­ stellten elektronischen Bauelementes ist in Fig. 1 darge­ stellt.
Das elektronische Bauelement besteht aus einem Gehäuse und einem Bauelementechip (1), wobei zwischen der Unterseite (1a) des Bauelementechips (1) und der Innenseite (2a) des Gehäusebodens (2) eine Schicht (3) aus Schmelzklebstoff an­ geordnet ist. Die Klebstoffschicht (3) ist im vorliegenden Ausführungsbeispiel vollflächig ausgebildet. Für spezielle Anwendungsfälle ist es ebenfalls möglich, die Schicht (3) lediglich punktuell auszubilden. Das Gehäuse besteht im vorliegenden Ausführungsbeispiel aus einer Mehrschichtkera­ mik, es sind jedoch ebenso Gehäuse aus Metall oder aus Kunststoff verwendbar. Der Bauelementechip, im vorliegenden Ausführungsbeispiel ein SAW-Filter aus ST-Quarz, ist mit dem Gehäuse (2) rein mechanisch über die Schicht (3) aus Schmelzklebstoff verbunden. Die elektrischen Kontaktstellen (5) des Bauelementechips (1) sind an der Oberseite (1b) des Bauelementechips (1) angeordnet. Die Verbindung zu den Bondstellen (6) am Gehäuseboden (2) wird mittels Bonddräh­ ten (4) realisiert.
Nachfolgend soll eine Variante des Herstellungsverfahrens näher beschrieben werden.
Der Schmelzklebstoff, welcher in Stangen oder als Granulat zur Verfügung steht, wird in einem Tank, welcher zu einem Drittel gefüllt ist, aufgeschmolzen. Die Vorrichtung ist hinsichtlich Heiztemperatur und Förderdruck so ausgestal­ tet, daß optimale Arbeitsbedingungen beim Auftragen des flüssigen Klebstoffes bestehen. Der Klebstoff in dem Tank wird im vorliegenden Ausführungsbeispiel auf eine Tempera­ tur von 140°C aufgeheizt, der Förderdruck im Tank beträgt 0,1 bar. Die Gehäuse werden in einem geeigneten Magazin bzw. auf einer Trägerstreifeneinheit zum Auftropfen des Klebstoffes bereitgestellt. Die Austrittsdüse für den Schmelzklebstoff wird mittels einer Düsenheizung auf 220°C erhitzt. Ist die dosierte Klebstoffmenge auf das Gehäuse aufgetragen, wird der Bauelementechip aufgesetzt. Magazin bzw. Träger werden einer temperaturgeregelten Wärmeplatte zugeführt, so daß die Klebestelle auf die benötigte Verarbeitungstemperatur gebracht wird. Ist die Temperatur erreicht, wird der Chip durch eine Vorrichtung exakt positioniert und angedrückt. Danach wird das Bauelement abgekühlt und zur Bearbeitung den weiteren Arbeits­ schritten zugeführt und schließlich durch eine entspre­ chende Gehäusekappe bzw. einen Deckel verschlossen.
Die durch die Bearbeitung und durch den Verschluß des elek­ tronischen Bauelementes entstandenen mechanischen Spannun­ gen, die zur Beeinträchtigung des Bauelementes führen wür­ den, werden dadurch ausgeglichen, daß nach den Bearbeitun­ gen das Bauelement im verschlossenen Zustand nochmals einer Erwärmung auf ca. 150°C zugeführt wird, so daß sich der Schmelzklebstoff erneut erweicht und bei nachfolgender Abkühlung wieder erstarrt.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel des Verfahrens wird der Klebstoff nicht flüssig bereitgestellt, sondern ist vor dem Bearbeitungsprozeß in eine Folie verarbeitet worden. Diese dünne Folie befindet sich auf einem geeigneten Grund­ material und wird kurz vor der Verarbeitung von diesem Grundmaterial getrennt. Die notwendige Menge des Klebstof­ fes wird von der Folie abgetrennt und an die Stelle des Ge­ häuses eingebracht, auf der der Bauelementechip montiert werden soll. Nach Erwärmen der Folie im Gehäuse wird der Klebstoff verflüssigt und der Bauelementechip kann wie im voranstehenden Ausführungsbeispiel eingelegt und weiter verarbeitet werden.
Die Erfindung ist nicht auf die hier beschriebenen Ausfüh­ rungsbeispiele beschränkt. Vielmehr ist es möglich, durch Variationen der aufgezeigten Merkmale und Parameter weitere Ausführungsformen zu realisieren, ohne den Rahmen der Er­ findung zu verlassen.

Claims (16)

1. Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächen­ wellenbauelemente, welche aus einem Gehäuse und darin mittels Schmelzklebstoff befestigten Bauelementechips bestehen, wobei
  • - auf die vorgesehene Verbindungsstelle zwischen Baue­ lementechip und Gehäuse eine definierte Menge Schmelzklebstoff aufgebracht,
  • - der Bauelementechip positioniert und angedrückt,
  • - das so vorgefertigte Bauelement abgekühlt und der weiteren Bearbeitung unterzogen wird und
  • - nach Abschluß der Bearbeitung und Verschluß des Ge­ häuses das Bauelement einer nochmaligen Erwärmung un­ terzogen wird, so daß sich der Schmelzklebstoff er­ neut erweicht und bei nachfolgender Abkühlung wieder erstarrt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die definierte Menge Schmelzklebstoff auf die vorgese­ hene Verbindungsstelle in flüssiger Form aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die definierte Menge Schmelzklebstoff auf die vorgese­ hene Verbindungsstelle in fester Form aufgebracht und nachfolgend erwärmt und damit verflüssigt wird.
4. Verfahren nach mindestens einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die vorgesehene Verbindungsstelle am Gehäuse bzw. Trä­ ger vorgewärmt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der feste Klebstoff in eine Folie eingebunden ist, wel­ che sich auf einem Grundmaterial befindet und von die­ sem kurz vor der Verarbeitung abgetrennt, an der Ver­ bindungsstelle positioniert und verflüssigt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der flüssige Klebstoff der Verbindungsstelle aus einem Vorratstank über mindestens eine Düse dosiert zugeführt wird, wobei die Temperatur der Düse wesentlich höher ist als die Temperatur des flüssigen Klebstoffes in dem Vorratstank.
7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schmelzklebstoff eingesetzt wird, der eine Wärmestandfestigkeitstemperatur von mindestens 85°C besitzt.
8. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüchen 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Schmelzklebstoff eingesetzt wird, der eine Verarbeitungstemperatur zwischen 120°C und 240°C besitzt.
9. Elektronisches Oberflächenwellenbauelement, hergestellt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Unterseite (1a) des Bauelementechips (1) und der Innenseite (2a) des Gehäusebodens (2) eine Schicht (3) aus im Herstellungsprozeß des Bauelementes mindestens zweimalig erhitzten Schmelzklebstoff angeordnet ist.
10. Elektronisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (3) vollflächig ausgebildet ist.
11. Elektronisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (3) punktuell ausgebildet ist.
12. Elektronisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktstellen (5) des Bauelementechips (1) an der Oberseite (1b) angeordnet sind und die Verbindung zu den Bondstellen (6) am Gehäuseboden (2) mittels Bonddrähten (4) realisiert ist.
13. Elektronisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse ein Mehrschichtkeramikgehäuse ist.
14. Elektronisches Oberflächenwellenbauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Bauelementechip ein Akustisches-Oberflächenwellen-Filter aus ST-Quarz ist.
15. Elektronisches Oberflächenwellenbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 9 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelzklebstoff eine Wärmestandfestigkeits­ temperatur von mindestens 85°C aufweist.
16. Elektronisches Oberflächenwellenbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Schmelzklebstoff eine Verarbeitungstemperatur zwischen 120°C und 240°C aufweist.
DE4413529A 1994-04-15 1994-04-15 Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement Expired - Fee Related DE4413529C2 (de)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4413529A DE4413529C2 (de) 1994-04-15 1994-04-15 Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement
PCT/DE1995/000511 WO1995028739A1 (de) 1994-04-15 1995-04-13 Elektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
EP95915782A EP0755573A1 (de) 1994-04-15 1995-04-13 Elektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
AU22541/95A AU2254195A (en) 1994-04-15 1995-04-13 Electronic component and process for producing same
NO964367A NO964367D0 (no) 1994-04-15 1996-10-14 Elektronikkomponent og dens fremstilling
FI964115A FI964115A (fi) 1994-04-15 1996-10-14 Elektroninen komponentti ja sen valmistusmenetelmä

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4413529A DE4413529C2 (de) 1994-04-15 1994-04-15 Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4413529A1 DE4413529A1 (de) 1995-10-19
DE4413529C2 true DE4413529C2 (de) 1996-07-25

Family

ID=6515837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4413529A Expired - Fee Related DE4413529C2 (de) 1994-04-15 1994-04-15 Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0755573A1 (de)
AU (1) AU2254195A (de)
DE (1) DE4413529C2 (de)
FI (1) FI964115A (de)
NO (1) NO964367D0 (de)
WO (1) WO1995028739A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6180261B1 (en) 1997-10-21 2001-01-30 Nitto Denko Corporation Low thermal expansion circuit board and multilayer wiring circuit board

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US515942A (en) * 1894-03-06 scates
EP0051165A1 (de) * 1980-11-03 1982-05-12 BURROUGHS CORPORATION (a Michigan corporation) Aufnahmevorrichtung für auswechselbare ICs mit thermoplastischer Befestigung
US4346124A (en) * 1981-05-04 1982-08-24 Laurier Associates, Inc. Method of applying an adhesive to a circuit chip
CA1222071A (en) * 1984-01-30 1987-05-19 Joseph A. Aurichio Conductive die attach tape
US4624724A (en) * 1985-01-17 1986-11-25 General Electric Company Method of making integrated circuit silicon die composite having hot melt adhesive on its silicon base
US4908086A (en) * 1985-06-24 1990-03-13 National Semiconductor Corporation Low-cost semiconductor device package process
DE3907261C2 (de) * 1989-03-07 2001-04-05 Nematel Dr Rudolf Eidenschink Klebstoff
US5212115A (en) * 1991-03-04 1993-05-18 Motorola, Inc. Method for microelectronic device packaging employing capacitively coupled connections

Also Published As

Publication number Publication date
AU2254195A (en) 1995-11-10
WO1995028739A1 (de) 1995-10-26
FI964115A (fi) 1996-12-13
FI964115A0 (fi) 1996-10-14
NO964367L (no) 1996-10-14
NO964367D0 (no) 1996-10-14
DE4413529A1 (de) 1995-10-19
EP0755573A1 (de) 1997-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69727014T2 (de) Ein Montierungsverfahren für eine Vielzahl elektronischer Teile auf einer Schaltungsplatte
DE3414961C2 (de)
EP2027600B1 (de) Verfahren zum Einbetten zumindest eines Bauelements in einem Leiterplattenelement
DE102015107724B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Substratanordnung, Substratanordnung, Verfahren zum Verbinden eines Elektronikbauteils mit einer Substratanordnung und Elektronikbauteil
DE102006033702B3 (de) Herstellungsverfahren für eine elektronische Schaltung in einer Package-on-Package-Konfiguration und elektronisches Bauelement in einer solchen Konfiguration
DE2363833A1 (de) Verfahren und vorrichtung fuer den zusammenbau von halbleiterelementen
DE3533159A1 (de) Verfahren zum verkapseln von auf einem traegerband montierten bauelementen, insbesondere von halbleiterbauelementen
DE10232788B4 (de) Elektronisches Bauteil mit einem Halbleiterchip auf einem Systemträger, Systemträger und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils
WO2014086519A1 (de) Verfahren zum verbinden von wenigstens zwei komponenten unter verwendung eines sinterprozesses
DE2925509A1 (de) Packung fuer schaltungselemente
DE4424831C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung
EP3086361A2 (de) Verfahren zum herstellen einer substratanordnung mit einem vorfixiermittel, entsprechende substratanordnung, verfahren zum verbinden eines elektronikbauteils mit einer substratanordnung mit anwendung eines auf dem elektronikbauteil und/oder der substratanordnung aufgebrachten vorfixiermittels und mit einer substratanordnung verbundenes elektronikbauteil
DE4413529C2 (de) Verfahren zur Herstellung elektronischer Oberflächenwellenbauelemente sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement
DE10303588B3 (de) Verfahren zur vertikalen Montage von Halbleiterbauelementen
DE3444699A1 (de) Elektrisches leistungsbauteil
EP1239412B1 (de) Verfahren zum Heissverkleben eines Chipmoduls mit einem Trägersubstrat
DE3703925C2 (de) Verfahren zur Herstellung der elektrischen und mechanischen Verbindung von plattenförmigen Körpern
DE10151657C1 (de) Verfahren zur Montage eines Chips auf einem Substrat
DE10341186A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Kontaktieren von Halbleiterchips
DE102009002288A1 (de) Verfahren zur Fixierung von THT-Bauteilen und zur Herstellung von Leiterplatten mit darauf fixierten THT-Bauteilen
DE102004030383A1 (de) Bondfolie und Halbleiterbauteil mit Bondfolie sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE2546443B2 (de) Zusammengesetzte Mikroschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP3741562B1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleitermoduls
DE102010041917B4 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE10120928C1 (de) Verfahren zum Erstellen einer Kontaktverbindung zwischen einem Halbleiterchip und einem Substrat, insbesondere zwischen einem Speichermodulchip und einem Speichermodulboard

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8339 Ceased/non-payment of the annual fee