JP2012191048A - 保護フィルム付きダイシングフィルム - Google Patents

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    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
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    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862—Heat curing
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    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/9205—Intermediate bonding steps, i.e. partial connection of the semiconductor or solid-state body during the connecting process
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
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    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
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    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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Abstract

【課題】 ダウンタイムを短縮するとともに、ダイシングフィルムを半導体ウェハに位置ズレを起こすことなく貼り付けることを可能とする保護フィルム付きダイシングフィルムを提供すること。
【解決手段】 ダイシングフィルムと保護フィルムとが積層された保護フィルム付きダイシングフィルムであって、波長６００〜７００ｎｍにおける保護フィルムの透過率と、ダイシングフィルムのフィルム検出用の光が最初に透過する部分における保護フィルム付きダイシングフィルムの透過率との差が２０％以上であることを特徴とする保護フィルム付きダイシングフィルム。
【選択図】 図１

Description

本発明は、保護フィルム付きダイシングフィルムに関する。
従来、半導体ウェハは、予め大面積で作られた後、チップ状にダイシング（切断分離）され、エキスパンド工程に移される。ダイシングフィルムは、このダイシングに際して、半導体ウェハを固定するために用いられる。
ダイシングフィルムに固定された半導体ウェハは、チップ状にダイシングされ、各チップ同士を分離するためにエキスパンドリング上で面方向に一様にエキスパンドされた後、ピックアップされる。
また、従来、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシングフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上述したようなダイシングフィルムは、半導体ウェハの大きさに合わせて円形等に打ち抜かれ、長尺の保護フィルム上に所定の間隔をおいて配置されており、ウェハマウント装置等を用いて保護フィルムからダイシングフィルムが剥離されるとともに、半導体ウェハに貼り付けられる。このとき、ウェハマウント装置は、フィルム検出用の光の透過率が変化したとき、すなわち、光の透過率が、保護フィルムのみの透過率から保護フィルムとダイシングフィルムとの合計の透過率に変化したときに、ダイシングフィルムを検出したと判断し、この位置をダイシングフィルムの位置の基準として、ダイシングフィルムに半導体ウェハを位置ズレを起こさないように貼り付ける。
特開昭６０−５７６４２号公報
しかしながら、従来、ウェハマウント装置において、保護フィルム上のダイシングフィルムを検出できず、検出できなかったダイシングフィルムについては、そのままフィルムが送られてしまい使用されず、この間ダウンタイムが発生するといった問題があった。また、検出の遅れにより、ダイシングフィルムに位置ズレが生じた状態で半導体ウェハが貼り付けられてしまうといった問題があった。
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、ダウンタイムを短縮するとともに、ダイシングフィルムを半導体ウェハに位置ズレを起こすことなく貼り付けることを可能とする保護フィルム付きダイシングフィルムを提供することにある。
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、保護フィルム付きダイシングフィルムについて検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、ダウンタイムを短縮するとともに、ダイシングフィルムを半導体ウェハに位置ズレを起こすことなく貼り付けることが可能であることを見出して本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明に係る保護フィルム付きダイシングフィルムは、ダイシングフィルムと保護フィルムとが積層された保護フィルム付きダイシングフィルムであって、波長６００〜７００ｎｍにおける前記保護フィルムの透過率と、前記ダイシングフィルムのフィルム検出用の光が最初に透過する部分における前記保護フィルム付きダイシングフィルムの透過率との差が２０％以上であることを特徴とする。
前記構成によれば、波長６００〜７００ｎｍにおける前記保護フィルムの透過率と、前記ダイシングフィルムのフィルム検出用の光が最初に透過する部分における前記保護フィルム付きダイシングフィルムの透過率との差が２０％以上であるため、フィルム検出用の光を検出するセンサーは、保護フィルムのみの透過率から、ダイシングフィルムを含む保護フィルム付きダイシングフィルムの透過率に変化したことを確実に検出することができる。その結果、検出できなかったダイシングフィルムが送られてしまい、使用されないといったことを防止でき、この間のダウンタイムを削減することができる。また、検出の遅れにより、ダイシングフィルムに位置ズレが生じた状態で半導体ウェハが貼り付けられてしまうといったことを防止でき、ダイシングフィルムを半導体ウェハに位置ズレを起こすことなく貼り付けることが可能となる。
前記構成において、前記ダイシングフィルムは、基材と前記基材上に積層された粘着剤層とを有しており、前記基材には、エンボス処理が施されていることが好ましい。前記基材にエンボス処理が施されていると、保護フィルムのみの透過率と、ダイシングフィルムを含む保護フィルム付きダイシングフィルムの透過率との差をより確実に２０％以上とすることができる。
前記構成において、前記ダイシングフィルムは、基材と前記基材上に積層された粘着剤層とを有しており、前記基材が着色されていることが好ましい。前記基材が着色されていると、保護フィルムのみの透過率と、ダイシングフィルムを含む保護フィルム付きダイシングフィルムの透過率との差をより確実に２０％以上とすることができる。
前記構成において、前記ダイシングフィルムのフィルム検出用の光が最初に透過する部分における前記保護フィルム付きダイシングフィルムの透過率は、０〜７０％であることが好ましい。前記透過率が０〜７０％であると前記透過率の差を２０％以上とし易くなる。
前記構成において、前記保護フィルムの透過率は、７５〜１００％であることが好ましい。前記透過率が７５〜１００％であると前記透過率の差を２０％以上とし易くなる。
前記構成において、前記ダイシングフィルムの前記粘着剤層上に、ダイボンドフィルムが積層されていることが好ましい。ダイシングフィルムの粘着剤層上に、ダイボンドフィルムが積層されていると、ダイボンドフィルムを貼り付ける工程を省略することができ、製造効率を向上することができる。
（ａ）は、本発明の一実施形態に係る保護フィルム付きダイシングフィルムを示す断面模式図であり、（ｂ）は、その平面図である。 図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した保護フィルム付きダイシングフィルムの一部を示す断面模式図である。 他の実施形態に係る保護フィルム付きダイシングフィルムを示す断面模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 図１及び図２に示した保護フィルム付きダイシングフィルムに於ける接着剤層を介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。
（保護フィルム付きダイシングフィルム）
本発明の一実施形態に係る保護フィルム付きダイシングフィルムについて、以下に説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る保護フィルム付きダイシングフィルムを示す断面模式図であり、図１（ｂ）は、その平面図である。図２は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した保護フィルム付きダイシングフィルムの一部を示す断面模式図である。
図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、保護フィルム付きダイシングフィルム１０は、長尺の保護フィルム１４上に平面視円形状のダイシングフィルム１１が積層された構成を有する。ダイシングフィルム１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、粘着剤層２にはダイシングフィルム１１よりも径の小さいダイボンドフィルム３が積層されている。ダイシングフィルム１１は、粘着剤層２及びダイボンドフィルム３と対向させるように保護フィルム１４に積層されている。なお、本発明においては、ダイボンドフィルムが積層されていなくともよい。
保護フィルム付きダイシングフィルム１０は、半導体装置の製造工程において、一定方向（図１（ｂ）では、左方向）に繰り出されるとともに、保護フィルム１４の幅方向中央部分１６にフィルム検出用の光Ｌが照射される。このとき、波長６００〜７００ｎｍにおける保護フィルム１４の透過率Ｔ１（図１（ａ）参照）と、ダイシングフィルム１１の光Ｌが最初に透過する部分１７における保護フィルム付きダイシングフィルム１０（本実施形態では、保護フィルム１４とダイシングフィルム１１との積層部分）の透過率Ｔ２（図１（ａ）参照）との差は、２０％以上である。前記透過率の差は、２０％以上４０％以下であることが好ましく、３０％以上４０％以下であることがより好ましい。前記透過率の差が２０％以上であるため、フィルム検出用の光を検出するセンサーは、保護フィルム１４のみの透過率Ｔ１から保護フィルム１４とダイシングフィルム１１との積層部分の透過率Ｔ２に変化したことを確実に認識することができる。その結果、検出できなかったダイシングフィルムが送られてしまい、使用されないといったことを防止でき、この間のダウンタイムを削減することができる。また、ダイシングフィルムを半導体ウェハに位置ズレを起こすことなく貼り付けることが可能となる。
透過率Ｔ１は、７５〜１００％であることが好ましく、８０〜１００％であることがより好ましく、８５〜１００％であることがさらに好ましい。透過率Ｔ１が７５〜１００％であると前記透過率の差を２０％以上とし易くなる。
透過率Ｔ２は、０〜７０％であることが好ましく、０〜６５％であることがより好ましく、０〜６５％であることがさらに好ましい。透過率Ｔ２が０〜７０％であると前記透過率の差を２０％以上とし易くなる。
前記基材１は紫外線透過性を有するものが好ましく、ダイシングフィルム１１の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。
また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム３との接着面積を低下させて、半導体チップ（半導体素子）の回収の容易化を図ることができる。
基材１は、着色されていることが好ましい。基材１が着色されていると、保護フィルム１４のみの透過率Ｔ１と、保護フィルム１４及びダイシングフィルムの積層部分１１の透過率Ｔ２との差をより確実に２０％以上とすることができる。基材１を着色する際には、目的とする光の透過率に応じて、色材（着色剤）を用いることができる。このような色材としては、黒系色材、青系色材、赤系色材などの各種濃色系色材を好適に用いることができ、特に黒系色材が好適である。色材としては、顔料、染料などいずれであってもよい。色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カチオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。
特に、色材として染料を用いると、基材１中には、染料が溶解により均一又はほぼ均一に分散した状態となるため、着色濃度が均一な基材１を容易に製造することができる。
黒系色材としては、特に制限されないが、例えば、無機の黒系顔料、黒系染料から適宜選択することができる。また、黒系色材としては、シアン系色材（青緑系色材）、マゼンダ系色材（赤紫系色材）およびイエロー系色材（黄系色材）が混合された色材混合物であってもよい。黒系色材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。もちろん、黒系色材は、黒以外の色の色材と併用することもできる。
具体的には、黒系色材としては、例えば、カーボンブラック（ファーネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラック、サーマルブラック、ランプブラックなど）、グラファイト（黒鉛）、酸化銅、二酸化マンガン、アゾ系顔料（アゾメチンアゾブラックなど）、アニリンブラック、ペリレンブラック、チタンブラック、シアニンブラック、活性炭、フェライト（非磁性フェライト、磁性フェライトなど）、マグネタイト、酸化クロム、酸化鉄、二硫化モリブデン、クロム錯体、複合酸化物系黒色色素、アントラキノン系有機黒色色素などが挙げられる。
本発明では、黒系色材としては、Ｃ．Ｉ．ソルベントブラック３、同７、同２２、同２７、同２９、同３４、同４３、同７０、Ｃ．Ｉ．ダイレクトブラック１７、同１９、同２２、同３２、同３８、同５１、同７１、Ｃ．Ｉ．アシッドブラック１、同２、同２４、同２６、同３１、同４８、同５２、同１０７、同１０９、同１１０、同１１９、同１５４Ｃ．Ｉ．ディスパーズブラック１、同３、同１０、同２４等のブラック系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブラック１、同７等のブラック系顔料なども利用することができる。
このような黒系色材としては、例えば、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ＢＹ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋ ＢＳ」、商品名「ＯｉｌＢｌａｃｋ ＨＢＢ」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ８０３」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ８６０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９７０」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９０６」、商品名「Ｏｉｌ Ｂｌａｃｋ ５９０５」（オリエント化学工業株式会社製）などが市販されている。
黒系色材以外の色材としては、例えば、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などが挙げられる。シアン系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントブルー２５、同３６、同６０、同７０、同９３、同９５；Ｃ．Ｉ．アシッドブルー６、同４５等のシアン系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー１、同２、同３、同１５、同１５：１、同１５：２、同１５：３、同１５：４、同１５：５、同１５：６、同１６、同１７、同１７：１、同１８、同２２、同２５、同５６、同６０、同６３、同６５、同６６；Ｃ．Ｉ．バットブルー４；同６０、Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン７等のシアン系顔料などが挙げられる。
また、マゼンダ系色材において、マゼンダ系染料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントレッド１、同３、同８、同２３、同２４、同２５、同２７、同３０、同４９、同５２、同５８、同６３、同８１、同８２、同８３、同８４、同１００、同１０９、同１１１、同１２１、同１２２；Ｃ．Ｉ．ディスパースレッド９；Ｃ．Ｉ．ソルベントバイオレット８、同１３、同１４、同２１、同２７；Ｃ．Ｉ．ディスパースバイオレット１；Ｃ．Ｉ．ベーシックレッド１、同２、同９、同１２、同１３、同１４、同１５、同１７、同１８、同２２、同２３、同２４、同２７、同２９、同３２、同３４、同３５、同３６、同３７、同３８、同３９、同４０；Ｃ．Ｉ．ベーシックバイオレット１、同３、同７、同１０、同１４、同１５、同２１、同２５、同２６、同２７、２８などが挙げられる。
マゼンダ系色材において、マゼンダ系顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同８、同９、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同１８、同１９、同２１、同２２、同２３、同３０、同３１、同３２、同３７、同３８、同３９、同４０、同４１、同４２、同４８：１、同４８：２、同４８：３、同４８：４、同４９、同４９：１、同５０、同５１、同５２、同５２：２、同５３：１、同５４、同５５、同５６、同５７：１、同５８、同６０、同６０：１、同６３、同６３：１、同６３：２、同６４、同６４：１、同６７、同６８、同８１、同８３、同８７、同８８、同８９、同９０、同９２、同１０１、同１０４、同１０５、同１０６、同１０８、同１１２、同１１４、同１２２、同１２３、同１３９、同１４４、同１４６、同１４７、同１４９、同１５０、同１５１、同１６３、同１６６、同１６８、同１７０、同１７１、同１７２、同１７５、同１７６、同１７７、同１７８、同１７９、同１８４、同１８５、同１８７、同１９０、同１９３、同２０２、同２０６、同２０７、同２０９、同２１９、同２２２、同２２４、同２３８、同２４５；Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット３、同９、同１９、同２３、同３１、同３２、同３３、同３６、同３８、同４３、同５０；Ｃ．Ｉ．バットレッド１、同２、同１０、同１３、同１５、同２３、同２９、同３５などが挙げられる。
また、イエロー系色材としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ソルベントイエロー１９、同４４、同７７、同７９、同８１、同８２、同９３、同９８、同１０３、同１０４、同１１２、同１６２等のイエロー系染料；Ｃ．Ｉ．ピグメントオレンジ３１、同４３；Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１、同２、同３、同４、同５、同６、同７、同１０、同１１、同１２、同１３、同１４、同１５、同１６、同１７、同２３、同２４、同３４、同３５、同３７、同４２、同５３、同５５、同６５、同７３、同７４、同７５、同８１、同８３、同９３、同９４、同９５、同９７、同９８、同１００、同１０１、同１０４、同１０８、同１０９、同１１０、同１１３、同１１４、同１１６、同１１７、同１２０、同１２８、同１２９、同１３３、同１３８、同１３９、同１４７、同１５０、同１５１、同１５３、同１５４、同１５５、同１５６、同１６７、同１７２、同１７３、同１８０、同１８５、同１９５；Ｃ．Ｉ．バットイエロー１、同３、同２０等のイエロー系顔料などが挙げられる。
シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材は、それぞれ、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、シアン系色材、マゼンダ系色材、イエロー系色材などの各種色材を２種以上用いる場合、これらの色材の混合割合（または配合割合）としては、特に制限されず、各色材の種類や目的とする光の透過率等に応じて適宜選択することができる。
基材１の表面は、エンボス処理が施されていることが好ましい。基材１にエンボス処理が施されていると、保護フィルム１４のみの透過率Ｔ１と、保護フィルム１４及びダイシングフィルム１１の積層部分の透過率Ｔ２との差をさらに確実に２０％以上とすることができる。エンボス処理の方法としては、例えば、フィルムをエンボスロールに添わせる方法、サンドマット処理による方法、エッチング等の化学的に処理する方法などが挙げられる。エンボス処理の基準としては、例えば、ヘイズ値が挙げられる。基材１の表面のヘイズ値は、１０〜１００％であることが好ましく、より好ましくは、２０〜１００％、さらに好ましくは、３０〜１００％である。基材１の表面のヘイズ値を１０〜１００％とすることにより、透過率Ｔ１と透過率Ｔ２との差を確実に２０％以上とすることができる。
また、基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。
基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２のワーク貼り付け部分に対応する部分２ａのみを放射線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。
また、図２に示すダイボンドフィルム３に合わせて放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム３が貼付けられる為、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム３との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。前記部分２ｂには、ウェハリングを固定することができる。
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
粘着剤層２中には、基材１に色材を添加することに変えて、又は、基材１に色材を添加することに加えて、色材を添加することができる。粘着剤層２に添加する色材としては、上述した基材１に添加する色材と同様のものを用いることができる。色材の添加方法としては、例えば、粘着剤組成物溶液に色材を溶解又は分散させる方法が挙げられる。
粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層２に於ける前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を放射線照射してもよい。
前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、支持基材１に放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、前記部分２ａ以外に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。
また、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材１の少なくとも片面の、前記部分２ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、前記部分２ａを硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく保護フィルム付きダイシングフィルム１０を製造可能である。
尚、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。
粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。
ダイボンドフィルム３の積層構造は、本実施形態のように、接着剤層の単層のみからなるものや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。
ダイボンドフィルム３を構成する接着剤組成物としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したものが挙げられる。
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、フェノールビフェニル樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等の様なグリシジル基含有モノマー、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマー、スチレンモノマー、又は、アクリロニトリルが挙げられる。
また、ダイボンドフィルム３には、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。フィラーの配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられるが、取り扱い性の向上、熱電導性の向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性付与等の特性の観点から、無機フィラーが好ましい。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。熱電導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが好ましい。また、上記各特性のバランスがよいという観点からは、結晶質シリカ、又は、非晶質シリカが好ましい。また、導電性の付与、熱電導性の向上等の目的で、無機フィラーとして、導電性物質（導電フィラー）を用いることとしてもよい。導電フィラーとしては、銀、アルミニウム、金、胴、ニッケル、導電性合金等を球状、針状、フレーク状とした金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。前記フィラーの平均粒径は、０．１〜８０μｍとすることができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
前記フィラー配合量は、熱硬化性樹脂成分、及び、熱可塑性樹脂成分、及び、フィラーの合計１００重量部に対して、５重量部以上であることが好ましく、１００重量部以上５００重量部以下であることがより好ましく、２００重量部以上４００重量部以下であることがさらに好ましい。
尚、ダイボンドフィルム３には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
ダイボンドフィルム３の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、１〜２００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜８０μｍである。
保護フィルム１４は、実用に供するまでダイボンドフィルム３を保護する保護材としての機能等を有している。また、保護フィルム１４は、更に、粘着剤層２にダイボンドフィルム３を転写する際の支持基材として用いることができる。保護フィルム１４はダイボンドフィルム３上にワークを貼着する際に剥がされる。保護フィルム１４の材質としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等を挙げることができる。
本実施の形態に係る保護フィルム付きダイシングフィルム１０は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。基材１を着色する場合には、上記色材を添加する。
次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。粘着剤層２を着色する場合には、上記色材を上記粘着剤組成物溶液に添加する。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングフィルム１１が作製される。
ダイボンドフィルム３は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、ダイボンドフィルム３の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前述の通り、前記接着剤組成物やフィラー、その他各種の添加剤等が配合されている。
次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着剤層を形成してもよい。その後、基材セパレータ上に接着剤層をセパレータと共に貼り合わせる。
続いて、ダイシングフィルム１１及びダイボンドフィルム３からそれぞれセパレータを剥離し、ダイボンドフィルム３と粘着剤層２とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、ダイボンドフィルム３上の基材セパレータを剥離し、保護フィルム１４と貼り合わせて、本実施の形態に係る保護フィルム付きダイシングフィルム１０が得られる。本実施形態では、保護フィルム１４に長尺のものを使用し、複数のダイシングフィルム１１（ダイボンドフィルム３が貼り合わされたダイシングフィルム１１）を所定の間隔をおいて保護フィルム１４に貼り合わせる。
図３は、他の実施形態に係る保護フィルム付きダイシングフィルムを示す断面模式図である。
基材１には、図３に示す保護フィルム付きダイシングフィルム２０のように、基材１と粘着剤層２との間に、印刷層１５が設けられていてもよい。印刷層１５が設けられていると、保護フィルム１４のみの透過率と、ダイシングフィルム１１を含む保護フィルム付きダイシングフィルム２０の透過率との差をより確実に２０％以上とすることができる。
印刷層１５は、例えば、凸版式印刷法、平版式印刷法、凹版印刷法、孔版印刷法等の印刷法により形成することができる。この場合、印刷層１５に用いる色材（着色剤）としては、上記と同様のものを用いることができる。
（半導体装置の製造方法）
以下では、図４（ａ）、図４（ｂ）及び図５を参照しながら保護フィルム付きダイシングフィルム１０を用いた場合を例にして説明する。図４（ａ）、図４（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図５は、図１及び図２に示した保護フィルム付きダイシングフィルムに於ける接着剤層を介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。
図４（ａ）に示すように、保護フィルム付きダイシングフィルム１０は、一定方向（図４（ａ）では、左方向）に繰り出されており、保護フィルム１４の幅方向中央部分にはフィルム検出用の光Ｌが照射されている。図４（ａ）では、光Ｌは、保護フィルム１４のみを透過しており、透過した光Ｌは、図示しないセンサーにより検出され、透過率が算出される。このときの透過率は透過率Ｔ１となる。
その後、保護フィルム付きダイシングフィルム１０がさらに繰り出されると、図４（ｂ）に示すように、光Ｌは、保護フィルム１４とダイシングフィルム１１との積層部分を透過することとなる。透過した光Ｌは、図示しないセンサーにより検出され、透過率が算出される。このときの透過率は透過率Ｔ２となる。
フィルム検出用の光は、波長６００ｎｍ〜７００ｎｍであり、波長６２０ｎｍ〜６８０ｎｍであることが好ましく、波長６４０ｎｍ〜６６０ｎｍであることがより好ましい。
センサーは、透過率が２０％以上変化したとき、すなわち、透過率が透過率Ｔ１から透過率Ｔ２へと変化したとき、保護フィルム１４上のダイシングフィルム１１を検出したと判断する。そして、ウェハマウント装置は、この検出結果を基にダイシングフィルム１１の位置を認識し、ダイシングフィルム１１を保護フィルム１４から剥離して半導体ウェハ４を圧着する（貼り付け工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば２０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。本実施形態では、透過率Ｔ１と透過率Ｔ２との差が２０％以上であるため、センサーは保護フィルム１４のみの透過率Ｔ１から保護フィルム１４とダイシングフィルム１１との積層部分の透過率Ｔ２に変化したことを確実に認識することができる。その結果、検出できなかったダイシングフィルムが送られてしまい、使用されないといったことを防止でき、この間のダウンタイムを削減することができる。また、ダイシングフィルムを半導体ウェハに位置ズレを起こすことなく貼り付けることが可能となる。
次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する（図５参照）。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイボンドフィルム３まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハ４は、ダイボンドフィルム３付きのダイシングフィルム１１により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。
ダイボンドフィルム３付きのダイシングフィルム１１に接着固定された半導体チップ５を剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングフィルム１１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム３に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。
ピックアップした半導体チップ５は、ダイボンドフィルム３を介して被着体６に接着固定する（ダイボンド）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。
前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。
ダイボンドフィルム３が熱硬化型である場合、加熱硬化により、半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱温度は、８０〜２００℃、好ましくは１００〜１７５℃、より好ましくは１００〜１４０℃で行うことができる。また、加熱時間は、０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜３時間、より好ましくは０．２〜１時間で行うことができる。尚、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。
熱硬化後のダイボンドフィルム３の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。
尚、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、ダイボンドフィルム３の加熱処理による熱硬化工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップ５を封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアしてもよい。この場合、ダイボンドフィルム３の仮固着時の剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の仮固着時に於ける剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。
前記のワイヤーボンディングは、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する工程である。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３の熱硬化を行うことなく実行してもよい。
前記封止工程は、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する工程である。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム３による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。
前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３が完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３の完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
上述の実施形態では、ダイボンドフィルムの径がダイシングフィルムの径よりも小さい場合について説明したが、本発明においてはこの例に限定されず、ダイボンドフィルムの径は、ダイシングフィルムと同じ又はそれより大きくてもよい。この場合、ダイシングフィルムのフィルム検出用の光が最初に透過する部分は、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムとが積層されていることとなる。すなわち、この場合、ダイシングフィルムのフィルム検出用の光が最初に透過する部分における保護フィルム付きダイシングフィルムの透過率は、保護フィルムとダイシングフィルムとダイボンドフィルムとの積層体の透過率に相当する。このとき、ダイボンドフィルムの波長６００〜７００ｎｍにおける透過率は、５０〜８０％であることが好ましい。また、ダイボンドフィルムとダイシングフィルムとの透過率の差は、１０％以上であることが好ましい。また、ダイボンドフィルムと保護フィルムとの透過率の差は、１０％以上であることが好ましい。
上述した実施形態では、ダイシングフィルム１１の全体が着色されている、ダイシングフィルム１１の全体に印刷層１５が設けられている、又は、ダイシングフィルム１１の基材１の全面がエンボス処理されており、これにより透過率Ｔ１と透過率Ｔ２との差が２０%以上となっている場合について説明した。しかしながら、本発明はこの例に限定されず、前記透過率の差は、保護フィルムの透過率と、ダイシングフィルムのフィルム検出用の光が最初に透過する部分における保護フィルム付きダイシングフィルムの透過率との差が２０％以上であればよく、例えば、保護フィルムの透過率との透過率の差が２０％以上ある部分は、ダイシングフィルムのフィルム検出用の光が最初に透過する部分（例えば、図１の部分１７）から、フィルムの搬送方向に沿って所定距離（例えば、１００μｍ〜５０００μｍ）の部分のみであってもよい。このような構成とする場合、例えば、前記透過率の差を２０％以上とする部分を着色すればよい。
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。
（ダイシングフィルムの粘着剤層の作製）
アクリル酸ブチル７０部、アクリル酸エチル３０部、アクリル酸５部を酢酸エチル中で常法により共重合させ、重量平均分子量８０万のアクリル系ポリマーを得た。次に、このアクリル系ポリマー１００部に、架橋剤として多官能エポキシ化合物（三菱ガス化学（株）社製、製品名「ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ」）８部と、光重合開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン７部とを配合し、これらを有機溶剤としてのトルエンに均一に溶解させて、濃度３０重量％のアクリル系粘着剤組成物溶液を得た。このアクリル系粘着剤組成物溶液を表１、表２に示す各実施例、各比較例の基材面上に厚さが１０μｍとなるように塗布し、１２０℃で３分間乾燥を行った。その後、マスクを介して、半導体ウェハが貼り付けられる部分にのみ紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２照射して、半導体ウェハが貼り付けられる部分が紫外線硬化されたダイシングフィルムを得た。なお、実施例１に係る基材（ＰＰ（ポリプロピレン））は、フタムラ化学株式会社社製、製品名「FVHK-LB#40 N100」である。実施例２に係る基材（ＰＰ（ポリプロピレン））は、フタムラ化学株式会社社製、製品名「FBS-LB#40 S-400X」である。実施例３に係る基材（ＰＯ（ポリオレフィン））は、三井化学株式会社社製、製品名「TPX」である。実施例４に係る基材（ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル））は、日東電工株式会社社製、製品名「SPV-M4001」である。実施例５に係る基材（ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル））は、日東電工株式会社社製、製品名「SPV-320」である。比較例１に係る基材（ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート））は、三菱樹脂株式会社社製、製品名「MRA-38」である。比較例２に係る基材（ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート））は、三菱樹脂株式会社社製、製品名「MRF-50」である。
（ダイボンドフィルムの作製）
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００１） ３２重量部
（ｂ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ） ３４重量部
（ｃ）アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−７０８−６） １００重量部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） １１０重量部
この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１２０℃で３分間乾燥させた。これにより、厚さ１０μｍのダイボンドフィルムを作製した。
（保護フィルム付きダイシングフィルムの作製）
作製した各実施例、各比較例のダイシングフィルムをそれぞれ直径３７０ｍｍになるように円形に打ち抜いた。次に、作製したダイボンドフィルムを直径３２０ｍｍになるように円形に打ち抜き、各ダイシングフィルムに転写した。転写は、ダイシングフィルムの粘着剤層とダイボンドフィルムとが対向するように行った。その後、シリコーン離型処理した厚さ３５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの保護フィルムをダイボンドフィルム側に貼り合わせ、本実施例、本比較例の保護フィルム付きダイシングフィルムを得た。
（透過率の測定）
透過率の測定には、日本分光社製の分光光度計（製品名「Ｖ−６７０」）を用い、測定モードを％Ｔ（透過率測定）、測定波長領域を１９０〜８００ｎｍとして行った。その際の波長６５０ｎｍでの透過率を測定値とした。その結果、保護フィルムの波長６５０ｎｍでの透過率は、８８．８％であった。また、ダイシングフィルムの波長６５０ｎｍでの透過率（％）、保護フィルムとダイシングフィルムの積層部分の透過率（％）は、表１、表２に示す通りとなった。なお、表１、表２には、保護フィルムとダイシングフィルムの積層部分の透過率と、保護フィルムの透過率との差も示している。
（センサー認識性）
保護フィルム上のダイシングフィルムを検出するセンサーと、検出したダイシングフィルムを保護フィルムから剥離して半導体ウェハを貼り付けるウェハーマウント装置とを用い、センサー認識性試験を行った。センサーがダイシングフィルムを認識し、ウェハマウントが行えたものを○、ダイシングフィルムを認識せず、ウェハマウントが行えなかったものを×とした。結果を表１、表２に示す。
＜センサーの条件＞
センサー：キーエンス社製、ＬＶ−１１ＳＢ
センサーヘッド：直線光回帰反射型（型式：ＬＶ−Ｓ６２）
検出距離５０ｍｍ
＜貼り合わせ条件＞
ウェハーマウント装置：日東精機社製：ＭＡ−３０００ＩＩＩ
貼り合わせ速度：１０ｍｍ／秒
繰り出し速度：１０ｍｍ／秒
（ヘイズ値）
実施例３の基材について、ヘイズ値を測定した。ヘイズ値の測定は、具体的には、ヘイズメーター（「NDH2000」，日本電色工業（株）製）にて行なった。
ヘイズ(％)＝Td/Tt x 100
Td : 拡散透過率
Tt : 全光線透過率
結果を表１に示す。
Figure 2012191048
Figure 2012191048
（結果）
表１、表２の結果から分かる通り、保護フィルムとダイシングフィルムの積層部分の透過率と、保護フィルムの透過率との差が２０％以上であると、センサーによりダイシングフィルムを認識することができた。
１ 基材
２ 粘着剤層
３ ダイボンドフィルム
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１０、２０ 保護フィルム付きダイシングフィルム
１１ ダイシングフィルム
１４ 保護フィルム
１５ 印刷層

Claims (6)

  1. ダイシングフィルムと保護フィルムとが積層された保護フィルム付きダイシングフィルムであって、
    波長６００〜７００ｎｍにおける前記保護フィルムの透過率と、前記ダイシングフィルムのフィルム検出用の光が最初に透過する部分における前記保護フィルム付きダイシングフィルムの透過率との差が２０％以上であることを特徴とする保護フィルム付きダイシングフィルム。
  2. 前記ダイシングフィルムは、基材と前記基材上に積層された粘着剤層とを有しており、
    前記基材には、エンボス処理が施されていることを特徴とする請求項１に記載の保護フィルム付きダイシングフィルム。
  3. 前記ダイシングフィルムは、基材と前記基材上に積層された粘着剤層とを有しており、前記基材が着色されていることを特徴とする請求項１に記載の保護フィルム付きダイシングフィルム。
  4. 前記ダイシングフィルムのフィルム検出用の光が最初に透過する部分における前記保護フィルム付きダイシングフィルムの透過率は、０〜７０％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の保護フィルム付きダイシングフィルム。
  5. 前記保護フィルムの透過率は、７５〜１００％であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載の保護フィルム付きダイシングフィルム。
  6. 前記ダイシングフィルムの前記粘着剤層上に、ダイボンドフィルムが積層されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載の保護フィルム付きダイシングフィルム。
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