JP2011071486A - ダイシングシート付き接着フィルム及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 基材上に粘着剤層を有し、当該粘着剤層上には、剥離可能に設けられた接着フィルムを有するダイシングシート付き接着フィルムであって、半導体ウェハが薄型の場合にもこれをダイシングする際の保持力を損なうことなく、ダイシングにより得られる半導体チップをその接着フィルムと一体に剥離する際の剥離性に優れたダイシングシート付き接着フィルム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のダイシングシート付き接着フィルムは、基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングシート付き接着フィルムであって、前記粘着剤層において、前記接着剤層に対する貼り合わせ面の少なくとも一部領域が、Ｓｉ−Ｋα線強度で０．０１〜１００ｋｃｐｓである。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体チップと電極部材とを固着するための接着剤を、ダイシング前に半導体ウエハに付設した状態で、半導体ウェハのダイシングに供するダイシングシート付き接着フィルム、及びその製造方法に関する。また、本発明は前記ダイシングシート付き接着フィルムを用いて製造された半導体装置に関する。

回路パターンを形成した半導体ウェハは、必要に応じて裏面研磨により厚さを調整した後、半導体チップにダイシングされる（ダイシング工程）。ダイシング工程では、切断層の除去のため半導体ウェハを適度な液圧（通常、２ｋｇ／ｃｍ^２程度）で洗浄するのが一般的である。次いで、前記半導体チップを接着剤にてリードフレーム等の被着体に固着（マウント工程）した後、ボンディング工程に移される。前記マウント工程に於いては、接着剤をリードフレームや半導体チップに塗布していた。しかし、この方法では接着剤層の均一化が困難であり、また接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１に記載のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材１上に接着剤層を剥離可能に設けてなるものである。即ち、接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、基材１を延伸して半導体チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレーム等の被着体に固着させるようにしたものである。

この種のダイシング・ダイボンドフィルムの接着剤層には、ダイシング不能や寸法ミス等が生じないように、半導体ウェハに対する良好な保持力と、ダイシング後の半導体チップを接着剤層と一体に基材１から剥離し得る良好な剥離性が望まれる。しかし、この両特性をバランスさせることは容易ではない。

そこで、この様な問題を克服するために、種々の改良法が提案されている。例えば、下記特許文献２には、基材１と接着剤層との間に紫外線硬化が可能な粘着剤層を介在させ、これをダイシング後に紫外線硬化して、粘着剤層と接着剤層との間の接着力を低下させ、両者間の剥離により半導体チップのピックアップを容易にする方法が提案されている。

しかしながら、半導体ウェハの大型化（１０ｍｍ×１０ｍｍ以上）や薄型化（１５〜１００μｍ程度）に伴い、従来のダイシング・ダイボンドフィルムでは、ダイシングの際に必要な高い接着性と、ピックアップの際に必要な剥離性を同時に満たすことが難しく、ダイシングシートから接着剤付きの半導体チップを剥離することが困難になっている。その結果、ピックアップ不良やチップの変形による破損の問題がある。

特開昭６０−５７６４２号公報 特開平２−２４８０６４号公報

本発明は、基材上に粘着剤層を有し、当該粘着剤層上には、剥離可能に設けられた接着フィルムを有するダイシングシート付き接着フィルムであって、半導体ウェハが薄型の場合にもこれをダイシングする際の保持力を損なうことなく、ダイシングにより得られる半導体チップをその接着フィルムと一体に剥離する際の剥離性に優れたダイシングシート付き接着フィルム、及びその製造方法を提供することを目的とする。

本願発明者等は、前記従来の課題を解決すべく、ダイシングシート付き接着フィルム及びその製造方法について検討した。その結果、下記構成を採用することにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。

即ち、本発明に係るダイシングシート付き接着フィルムは、前記の課題を解決する為に、基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングシート付き接着フィルムであって、前記粘着剤層において、前記接着剤層に対する貼り合わせ面の少なくとも一部領域が、Ｓｉ−Ｋα線強度で０．０１〜１００ｋｃｐｓであることを特徴とする。

前記構成に於けるＳｉ−Ｋα線強度は、前記粘着剤層の貼り合わせ面に於いて、ケイ素原子がどの程度存在するかを示す指標となり得る。前記貼り合わせ面がＳｉ−Ｋα線強度に於いて０．０１ｋｃｐｓ以上となる様に表面改質されていることで、前記接着剤層に対する剥離性の維持が図れる。これにより、例えば、半導体チップをピックアップする際に、糊残りやピックアップ不良の発生を防止することができる。その一方、前記貼り合わせ面に於けるＳｉ−Ｋα線強度を１００ｋｃｐｓ以下となる様に表面改質することで、接着剤層に対する接着性の過度な低下を防止する。これにより、例えば、接着剤層上に貼り付けられた半導体ウェハをダイシングする際にも、当該工程により得られる半導体チップを確実に接着固定する。その結果、チップ飛びやチッピングの発生を防止することができる。

前記の構成に於いて、前記領域の引き剥がし粘着力は、温度２５℃、相対湿度５５％、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０°で引き剥がしを行ったときに、前記接着剤層に対し、０．０１〜０．２Ｎ／２０ｍｍであることが好ましい。前記粘着剤層の貼り合わせ面の少なくとも一部を、Ｓｉ−Ｋα線強度が０．０１〜１００ｋｃｐｓとなるように表面改質することで、粘着剤層の接着剤層に対する引き剥がし粘着力を０．０１〜０．２Ｎ／２０ｍｍの範囲内に制御できる。ここで、前記粘着力を０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上にすることで、接着剤層との接着性の過度な低下を防止することができる。その一方、０．２Ｎ／２０ｍｍ以下にすることで、接着剤層との過度な接着を防止することができる。これにより、粘着剤層と接着剤層の間での良好な剥離性を維持する。その結果、例えば、半導体チップをピックアップする際に、糊残りやピックアップ不良の発生を防止することができる。

また前記の構成に於いては、前記領域が、前記接着剤層のワーク貼り合わせ領域に対応するものであることが好ましい。前記接着剤層の半導体ウェハ貼り合わせ領域とは半導体ウェハ等の半導体ウェハを貼り合わせる領域を意味する。この様な構成にすることで、半導体ウェハのダイシングの際に於ける半導体チップのチップ飛びやチッピングの発生を防止すると共に、ピックアップ性も良好に維持することができる。

また、本発明に係るダイシングシート付き接着フィルムの製造方法は、前記の課題を解決する為に、基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングシート付き接着フィルムの製造方法であって、前記基材上に粘着剤層を形成する工程と、前記粘着剤層の表面の少なくとも一部領域を、Ｓｉ−Ｋα線強度０．０１〜１００ｋｃｐｓとなるように表面改質する工程と、前記粘着剤層に於ける表面改質がなされた表面上に、前記接着剤層を形成する工程とを有することを特徴とする。

前記方法においは、基材上に形成された粘着剤層に対し、その表面の少なくとも一部に、Ｓｉ−Ｋα線強度０．０１〜１００ｋｃｐｓとなるように表面改質を行うことで、その後に形成される接着剤層に対する接着性と剥離性の良好なバランス状態を容易に作り出すことができる。その結果、例えば、半導体ウェハをダイシングする際の半導体チップのチップ飛びやチッピングの発生を防止すると共に、当該半導体チップをピックアップする際の糊残りやピックアップ不良の発生も同時に防止することができる。

前記粘着剤層の前記貼り合わせ面に於ける表面改質は、少なくともシリコーン樹脂を含む溶液を霧状に散布させて行う方法、別フィルム上にシリコーン樹脂を塗布したものを転写させて行う方法、又は、粘着剤層表面にシリコーンディスパージョンを塗布・乾燥させて行う方法が好ましい。特に、少なくともシリコーン樹脂を含む溶液を霧状に散布する方法では、表面改質の工程を簡易に行うことができ作業性の向上が図れる。

また、本発明に係る半導体装置は、前記の課題を解決する為に、前記に記載のダイシングシート付き接着フィルムにより製造されたものであることを特徴とする。

本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。
即ち、本発明のダイシングシート付き接着フィルムによれば、基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層された構造を有しており、当該粘着剤層の接着剤層との貼り合わせ面に於ける少なくとも一部の領域には、表面改質が施されている。表面改質は、Ｓｉ−Ｋα線強度に於いて０．０１〜１００ｋｃｐｓとなる様に処理されたものであるので、これにより粘着剤層と接着剤層の間に於ける接着性と剥離性のバランスを良好なものにできる。その結果、例えば、半導体ウェハをダイシングする際の半導体チップのチップ飛びやチッピングの発生を防止すると共に、当該半導体チップをピックアップする際にも糊残りやピックアップ不良の発生を同時に防止することができ、製造上のスループットの向上が図れる。

本発明の実施の一形態に係るダイシングシート付き接着フィルムを示す断面模式図である。 本発明の他の実施の形態に係るダイシングシート付き接着フィルムを示す断面模式図である。 本発明の実施の一形態に係る接着フィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。 前記接着フィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。 前記接着フィルムを用いて、２つの半導体チップをスペーサを介して３次元実装した例を示す断面模式図である。

（ダイシングシート付き接着フィルム）
本実施の形態に係るダイシングシート付き接着フィルムについて、以下に説明する。

図１（ａ）に示すように、ダイシングシート付き接着フィルム１０は、基材１上に粘着剤層２及び接着剤層３が順次積層された構成である。また、図２に示すように、半導体ウェハの貼り付け部分にのみ接着剤層３’を形成した構成であってもよい。なお、本明細書中、接着剤層３、及び、接着剤層３’は、接着フィルムに相当する。

本発明の接着フィルムは、ダイボンドフィルムや、フリップチップ型半導体裏面用フィルムとして用いることができる。フリップチップ型半導体裏面用フィルムとは、被着体（例えば、リードフレームや回路基板等の各種基板）上にフリップチップ接続された半導体素子（例えば、半導体チップ）の裏面に形成するために用いられるものである。

前記粘着剤層２の接着剤層３との貼り合わせ面は、Ｓｉ−Ｋα線強度が０．０１〜１００ｋｃｐｓ、より好ましくは０．０５〜５０ｋｃｐｓ、特に好ましくは０．１〜１０ｋｃｐｓとなるように表面改質されている。Ｓｉ−Ｋα線強度を１００ｋｃｐｓ以下にすることにより、粘着剤層２の接着剤層３に対する接着性が過度に低下するのを防止することができる。その結果、例えば、接着剤層３上に貼り合わされた半導体ウェハをダイシングして半導体チップを形成する際に、当該半導体チップがチップ飛びしたり、チッピングが発生するのを防止できる。その一方、Ｓｉ−Ｋα線強度を０．０１ｋｃｐｓ以上にすることにより、粘着剤層２の接着剤層３に対する剥離性の過度な低下を抑制する。その結果、例えば、前記半導体チップをピックアップする際に、粘着剤層２を構成する粘着剤の糊残りが発生するのを防止することができる。また、ピックアップ不良も低減でき、歩留まりの低減が図れる。

尚、前記Ｓｉ−Ｋα線強度とは、蛍光Ｘ線分析で測定された値である。分析装置としては（株）リガク製のＺＳＸ１００ｅ等を用いることができる。また、測定条件としては、例えば、縦型Ｒｈ管を用い、分析面積は３００ｍｍφ、分光結晶はＲＸ４、出力は５０ｋＶ、７０ｍＡとすることができる。

また、粘着剤層２の貼り合わせ面に於ける表面改質された領域の引き剥がし粘着力は、Ｓｉ−Ｋα線強度が０．０１〜１００ｋｃｐｓとなるように表面改質することで、接着剤層に対し、０．０１〜０．２Ｎ／２０ｍｍの範囲内にすることができる。引き剥がし粘着力を０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上にすることにより、接着剤層３との接着性の過度な低下を防止することができる。その一方、引き剥がし粘着力を０．２Ｎ／２０ｍｍ以下にすることで、接着剤層３との過度な接着を防止することができる。前記粘着力はより好ましくは、０．０１５〜０．１８Ｎ／２０ｍｍの範囲である。尚、前記粘着力は、温度２５℃、相対湿度５５％Ｒｈ、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０°で引き剥がしを行って測定したときの値である。

粘着剤層２の表面改質がされた領域には、例えば、離型処理剤としてのシリコーン樹脂を含む溶液が霧状に散布されたことにより、前記シリコーン樹脂に由来するケイ素原子が存在している。粘着剤層２に於ける表面改質の領域は、接着剤層３との貼り合わせ面であれば特に限定されない。但し、接着剤層３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応させた部分２ａを表面改質するのが好ましい。半導体ウェハの貼り合わせに寄与しない部分３ｂに対応させた部分２ｂのみを表面改質させると、粘着剤層２の接着剤層３に対する接着性と剥離性のバランス状態を良好することができない。その結果、ダイシング時のチップ飛び等やピックアップ不良が生じる。

前記シリコーン樹脂としては、例えば、シリコーンオイル、シリコーンゴム、ジメチルポリシロキサン等が挙げられる。これらのうち、作業性の観点からは、シリコーンオイルが好ましい。

また、粘着剤層２の前記部分２ａと部分２ｂに於いて、表面改質の程度に差を設けてもよい。具体的には、前記部分２ｂに於けるＳｉ−Ｋα線強度を０．０１〜１００ｋｃｐｓ、より好ましくは０．０５〜５０ｋｃｐｓとなるように表面改質する。当該数値範囲内にすることで、前記部分２ａの接着剤層３に対する粘着力を、前記部分２ｂの接着剤層３に対する粘着力よりも小さくなる様に制御することができる。具体的には０．０１〜０．２Ｎ／２０ｍｍであり、より好ましくは０．０１２〜０．１９Ｎ／２０ｍｍ、特に好ましくは０．０１５〜０．１８Ｎ／２０ｍｍの範囲内にすることができる。尚、粘着力の測定条件は前記と同様である。この様な構成とすることで、例えば図２に示すダイシングシート付き接着フィルム１１においては、粘着剤層２の前記部分２ｂ上に貼り付けられるダイシングリングの確実な固定が可能になる。

また、表面改質する領域は接着剤層３との貼り合わせ面に於いて、Ｓｉ−Ｋα線強度が０．０１〜１００ｋｃｐｓとなる範囲内で均一に形成してもよく、不均一に形成してもよい。更に、表面改質された領域とそうでない領域とが帯状、同心円状等に混在していてもよい。接着剤層３との貼り合わせ面に於ける全面を表面改質する場合には、膜厚の厚いシリコーン樹脂層が形成されないようにするのが好ましい。その様なシリコーン樹脂層が形成されると、粘着剤層２の接着性が失われる場合がある。

次に、本実施の形態に係るダイシングシート付き接着フィルム１０を構成する各構成部材について詳述する。
前記基材１はダイシングシート付き接着フィルム１０、１２の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフィド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。尚、粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、基材１は紫外線透過性を有するものを採用するのが好ましい。

また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２と接着剤層３、３’との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。

基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。

前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１には、帯電防止能を付与する為、前記の基材１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。

基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。

粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

前記アクリル系ポリマーとしては、アクリル酸エステルを主モノマー成分として用いたものが挙げられる。前記アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為に、多官能性モノマー等も必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の重量平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。

粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図２に示す粘着剤層２の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分２ａのみを放射線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。

また、図２に示す接着剤層３’に合わせて放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａに接着剤層３’が貼付けられる為、粘着剤層２の前記部分２ａと接着剤層３’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。

前述の通り、図１に示すダイシングシート付き接着フィルム１０の粘着剤層２に於いて、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂは接着剤層３と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、半導体チップ（半導体チップ等）を基板等の被着体に固着する為の接着剤層３を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図２に示すダイシングシート付き接着フィルム１１の粘着剤層２に於いては、前記部分２ｂがウェハリングを固定することができる。

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。

前記放射線硬化型の粘着剤層２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。即ち、図１に示す半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分２ａを着色することができる。従って、粘着剤層２に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、半導体ウェハ貼り付け部分３ａを認識し易く、半導体ウェハの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体素子を検出する際に、その検出精度が高まり、半導体素子のピックアップ時に誤動作が生ずることがない。

放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。

これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、更に、色調を変化させる場合は種々の発色剤を組合せて用いることもできる。

この様な放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層２中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、更に好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層２に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまう為、粘着剤層２の前記部分２ａの硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。

粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層２に於ける前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を放射線照射してもよい。

前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、基材１１に放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、半導体ウェハ貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを基材１１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。

また、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、基材１１の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシングシート付き接着フィルム１０を製造可能である。

尚、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。

粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の観点から１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には好ましくは５〜２５μｍである。

前記接着剤層３、３’は接着機能を有する層であり、その構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。又、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂単独でも使用可能である。

接着剤層３、３’の積層構造は特に限定されず、例えば単層のみからなるものや、コア材料の片面又は両面に接着剤層を形成した多層構造のもの等が挙げられる。前記コア材料としては、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、シリコン基板又はガラス基板等が挙げられる。

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

尚、本発明に於いては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を用いた接着剤層が特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体素子の信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分１００重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が１０〜２００重量部である。

エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。

本発明では、接着剤層３、３’には、必要に応じて着色しても良い。接着剤層３、３’において、着色により呈している色としては特に制限されないが、例えば、黒色、青色、赤色、緑色などが好ましい。接着フィルムは、ダイボンドフィルムとして用いる場合は、通常、着色されていないが（着色されていても良いが）、フリップチップ型半導体裏面用フィルムとして用いる場合、通常、着色されている。着色に際しては、顔料、染料などの公知の着色剤の中から適宜選択して用いることができる。

本発明の接着剤層３、３’を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくのがよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。

前記架橋剤としては、特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。

また、接着剤層３、３’には、無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、接着剤層３、３’の表面に凹凸を付与する。また、導電性の付与や熱伝導性の向上、貯蔵弾性率の調節等も可能にする。

前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。

無機充填剤の平均粒径は、０．１〜５μｍの範囲内であることが好ましく、０．２〜３μｍの範囲内であることがより好ましい。無機充填剤の平均粒径が０．１μｍ未満であると、前記接着剤層のＲａを０．１５μｍ以上にすることが困難になる。その一方、前記平均粒径が５μｍを超えると、Ｒａを１μｍ未満にすることが困難になる。尚、本発明に於いては、平均粒径が相互に異なる無機充填剤同士を組み合わせて使用してもよい。また、平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。

前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し２０〜８０重量部に設定することが好ましい。特に好ましくは２０〜７０重量部である。無機充填剤の配合量が２０重量部未満であると、耐熱性が低下するため、長時間高温の熱履歴にさらされると接着剤層３、３’が硬化し、流動性や埋め込み性が低下する場合がある。また、８０重量部を超えると、接着剤層３、３’の貯蔵弾性率が大きくなる。このため、硬化した接着剤が応力緩和しづらくなり、封止工程に於いて凹凸に対する埋め込み性が低下する場合がある。

尚、接着剤層３、３’には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

接着剤層３、３’の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、５〜１００μｍ程度、好ましくは５〜５０μｍ程度である。

前記ダイシングシート付き接着フィルム１０、１２の接着剤層３、３’は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまで接着剤層３、３’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層２に接着剤層３、３’を転写する際の基材１として用いることができる。セパレータはダイシングシート付き接着フィルムの接着剤層３、３’上に半導体ウェハを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。

（ダイシングシート付き接着フィルムの製造方法）
本実施の形態に係るダイシングシート付き接着フィルムの製造方法は、基材１上に粘着剤層２を形成する工程と、粘着剤層２の表面を表面改質する工程と、表面改質後の粘着剤層２上に接着剤層３を形成する工程とを有する。

前記基材１の製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、粘着剤層２は、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗工した後、所定条件下で乾燥させる（必要に応じて加熱架橋させる）ことにより形成することができる。塗工方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。塗工の際の塗工厚みとしては、塗布層を乾燥して最終的に得られる粘着剤層２の厚さが１〜５０μｍの範囲内となる様に適宜設定すればよい。更に、粘着材組成物溶液の粘度としては特に限定されず、１００〜５０００ｍＰａ・ｓが好ましく、２００〜３０００ｍＰａ・ｓがより好ましい。

前記塗布層の乾燥方法としては特に限定されず、例えば、表面が平滑な粘着剤層を形成する場合には、乾燥風を用いずに乾燥させることが好ましい。乾燥時間は粘着材組成物溶液の塗工量に応じて適宜設定され、通常は０．５〜５ｍｉｎ、好ましくは２〜４ｍｉｎの範囲内である。乾燥温度は特に限定されず、通常は８０〜１５０℃であり、好ましくは８０〜１３０℃である。

尚、粘着剤層２の形成は、セパレータ上に粘着剤組成物を塗工してその塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材上に粘着剤層２を転写する。

次に、粘着剤層２の表面の表面改質を行う。この工程では、接着剤層３との貼り合わせを予定する面に対し、少なくとも表面改質が行われる。表面改質の方法としては特に限定されないが、例えば、少なくともシリコーン樹脂を含む溶液を霧状にスプレー等する方法、別フィルム上にシリコーン樹脂を塗布したものを転写させて行う方法、又は、粘着剤層表面にシリコーンディスパージョンを塗布・乾燥させて行う方法が好ましい。シリコーン樹脂を含む溶液を霧状にスプレーする場合の散布量は表面改質を行う領域の面積に応じて適宜設定され得る。但し、スプレーの速度、その高さ、吐出量等を調整することにより、スプレー等された領域がＳｉ−Ｋα線強度で０．０１〜１００ｋｃｐｓの範囲内となるように表面改質を行うのが好ましい。

前記接着剤層３を形成する工程としては、例えば、離型フィルム上に接着剤組成物溶液を塗工して塗布層を形成する工程を行い、その後、前記塗布層を乾燥させる工程を行う方法が挙げられる。

前記接着剤組成物溶液の塗工方法としては特に限定されず、例えば、コンマコート法、ファウンテン法、グラビア法などを用いて塗工する方法が挙げられる。塗工厚みとしては、塗布層を乾燥して最終的に得られる接着剤層の厚さが５〜１００μｍの範囲内となる様に適宜設定すればよい。更に、接着剤組成物溶液の粘度としては特に限定されず、４００〜２５００ｍＰａ・ｓが好ましく、８００〜２０００ｍＰａ・ｓがより好ましい。

前記離型フィルムとしては特に限定されず、例えば、離型フィルムの基材における接着剤層との貼り合わせ面に、シリコーン層等の離型コート層が形成されたものが挙げられる。また、離型フィルムの基材としては、例えば、グラシン紙のような紙材や、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル等よりなる樹脂フィルムが挙げられる。

前記塗布層の乾燥は、塗布層に乾燥風を吹き付けることにより行う。当該乾燥風の吹き付けは、例えば、その吹き付け方向を離型フィルムの搬送方向と平行となる様に行う方法や、塗布層の表面に垂直となる様に行う方法が挙げられる。乾燥風の風量は特に限定されず、通常は５〜２０ｍ／ｍｉｎ、好ましくは５〜１５ｍ／ｍｉｎである。乾燥風の風量が５ｍ／ｍｉｎ以上にすることにより、塗布層の乾燥が不十分になるのを防止することができる。その一方、乾燥風の風量を２０ｍ／ｍｉｎ以下にすることにより、塗布層の表面近傍における有機溶剤の濃度を均一にするので、その蒸発を均一にすることができる。その結果、表面状態が面内において均一な接着剤層の形成が可能になる。

乾燥時間は接着剤組成物溶液の塗工厚みに応じて適宜設定され、通常は１〜５ｍｉｎ、好ましくは２〜４ｍｉｎの範囲内である。乾燥時間が１ｍｉｎ未満であると、硬化反応が十分に進行せず、未反応の硬化成分や残存する溶媒量が多く、これにより、後工程にてアウトガスやボイドの問題が発生する場合がある。その一方、５ｍｉｎを超えると、硬化反応が進行しすぎる結果、流動性や被着体に対する埋まり込み性が低下する場合がある。

乾燥温度は特に限定されず、通常は７０〜１６０℃の範囲内で設定される。但し、本発明に於いては、乾燥時間の経過と共に、乾燥温度を段階的に上昇させて行うことが好ましい。具体的には、例えば乾燥初期（乾燥直後から１ｍｉｎ以下）では７０℃〜１００℃の範囲内で設定され、乾燥後期（１ｍｉｎを超えて５ｍｉｎ以下）では１００〜１６０℃の範囲内で設定される。これにより、塗工直後に乾燥温度を急激に上昇させた場合に生じる塗布層表面のピンホールの発生を防止することができる。その結果、表面が凹凸状で、かつ、算術平均粗さＲａが０．０１５〜１μｍの接着剤層３を形成することができる。

続いて、粘着剤層２上に接着剤層３の転写を行う。当該転写は圧着により行われる。貼り合わせ温度は３０〜５０℃であり、好ましくは３５〜４５℃である。また、貼り合わせ圧力は０．１〜０．６ＭＰａであり、好ましくは０．２〜０．５ＭＰａである。

前記離型フィルムは、粘着剤層２上に接着剤層３を貼り合わせ後に剥離してもよく、あるいは、そのままダイシングシート付き接着フィルムの保護フィルムとして使用し、半導体ウエハ等との貼り合わせの際に剥離してもよい。これにより、本実施の形態に係るダイシングシート付き接着フィルムを製造することができる。

（半導体装置の製造方法）
本発明のダイシングシート付き接着フィルム１０、１２は、接着剤層３、３’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図３を参照しながらダイシングシート付き接着フィルム１０を用いた場合を例にして説明する。

先ず、ダイシングシート付き接着フィルム１０に於ける接着剤層３の半導体ウェハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り付け工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば２０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。

次に、半導体ウェハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウェハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウェハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシングシート付き接着フィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウェハは、ダイシングシート付き接着フィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウェハ４の破損も抑制できる。

ダイシングシート付き接着フィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、例えば、個々の半導体チップ５をダイシングシート付き接着フィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。

ここでピックアップは、粘着剤層２は紫外線硬化型である為、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２の接着剤層３に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。

次に、図３に示すように、ダイシングにより形成された半導体チップ５を、接着剤層１２を介して被着体６にダイボンドする。ダイボンドは圧着により行われる。ダイボンドの条件としては特に限定されず、適宜必要に応じて設定することができる。具体的には、例えば、ダイボンド温度８０〜１６０℃、ボンディング圧力５Ｎ〜１５Ｎ、ボンディング時間１〜１０秒の範囲内で行うことができる。

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。

続いて、接着剤層１２を加熱処理することによりこれを熱硬化させ、半導体チップ５と被着体６とを接着させる。加熱処理条件としては、温度８０〜１８０℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜４時間、より好ましくは０．１〜１時間の範囲内であることが好ましい。

次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着エネルギーの併用により行われる。

ここで、熱硬化後の接着剤層１２は、１７５℃において０．０１ＭＰａ以上の剪断接着力を有していることが好ましく、０．０１〜５ＭＰａがより好ましい。熱硬化後の１７５℃における剪断接着力を０．０１ＭＰａ以上にすることにより、ワイヤーボンディング工程の際の超音波振動や加熱に起因して、接着剤層１２と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形が生じるのを防止できる。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これにより、ワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。

尚、ワイヤーボンディング工程は、加熱処理により接着剤層３を熱硬化させることなく行ってもよい。この場合、接着剤層１２の２５℃における剪断接着力は、被着体６に対し０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、０．２〜１０ＭＰａであることがより好ましい。前記剪断接着力を０．２ＭＰａ以上にすることにより、接着剤層１２を熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、接着剤層１２と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることがない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことがなく、これにより、ワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。

また、未硬化の接着剤層１２は、ワイヤーボンディング工程を行っても完全に熱硬化することはない。更に、接着剤層１２の剪断接着力は、８０〜２５０℃の温度範囲内であっても、０．２ＭＰａ以上であることが必要である。当該温度範囲内で剪断接着力が０．２ＭＰａ未満であると、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動き、ワイヤーボンディングを行うことができず、歩留まりが低下するからである。

続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行う。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、接着剤層１２が熱硬化されていない場合は当該接着剤層１２も熱硬化させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いて接着剤層１２を熱硬化させて接着させることが可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。

前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いて接着剤層１２が熱硬化されない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８の硬化と共に接着剤層１２を熱硬化させて接着固定が可能になる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。

また、本発明のダイシングシート付き接着フィルムは、図４に示すように、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図４は、接着剤層を介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。図４に示す３次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した少なくとも１つの接着剤層１２を被着体６上に貼り付けた後、接着剤層１２を介して半導体チップ５を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。次に、接着剤層１３を半導体チップ５の電極パッド部分を避けて貼り付ける。更に、他の半導体チップ１５を接着剤層１３上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。その後、接着剤層１２、１３を加熱することにより熱硬化させて接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱条件としては、前述と同様、温度８０〜２００℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内であることが好ましい。

また本発明においては、接着剤層１２、１３を熱硬化させず、単にダイボンドさせてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。

次に、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。尚、本工程は、接着剤層１２、１３の加熱工程を経ることなく実施される。

続いて、封止樹脂８により半導体チップ５等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。それと共に、熱硬化が行われていない場合は、接着剤層１２の熱硬化により被着体６と半導体チップ５との間を接着固定する。また、接着剤層１３の熱硬化により、半導体チップ５と他の半導体チップ１５との間も接着固定させる。尚、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。

半導体チップの３次元実装の場合に於いても、接着剤層１２、１３の加熱による加熱処理を行わないので、製造工程の簡素化及び歩留まりの向上が図れる。また、被着体６に反りが生じたり、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５にクラックが発生したりすることもないので、半導体素子の一層の薄型化が可能になる。

また、図５に示すように、半導体チップ間に接着フィルムを介してスペーサを積層させた３次元実装としてもよい。図５は、２つの半導体チップをスペーサを介して接着剤層により３次元実装した例を示す断面模式図である。

図５に示す３次元実装の場合、先ず被着体６上に接着剤層３、半導体チップ５及び接着剤層２１を順次積層してダイボンドする。更に、接着剤層２１上に、スペーサ９、接着剤層２１、接着剤層１２及び半導体チップ５を順次積層してダイボンドする。その後、接着剤層１２、２１を加熱することにより熱硬化させて接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱条件としては、前述と同様、温度８０〜２００℃の範囲内であり、かつ、加熱時間０．１〜２４時間の範囲内であることが好ましい。

また本発明においては、接着剤層１２、２１を熱硬化させず、単にダイボンドさせてもよい。その後、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップを封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアすることもできる。

次に、図５に示すように、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５に於ける電極パッドと被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。尚、本工程は、接着剤層１２、２１の加熱工程を経ることなく実施される。

続いて、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する封止工程を行い、封止樹脂８を硬化させると共に、接着剤層１２、２１が未硬化の場合は、これらを熱硬化させることにより、被着体６と半導体チップ５との間、及び半導体チップ５とスペーサ９との間を接着固定させる。これにより、半導体パッケージが得られる。封止工程は、半導体チップ５側のみを片面封止する一括封止法が好ましい。封止は粘着シート上に貼り付けられた半導体チップ５を保護するために行われ、その方法としては封止樹脂８を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型からなる金型を用いて、同時に封止工程を行うのが一般的である。樹脂封止時の加熱温度は、例えば１７０〜１８０℃の範囲内であることが好ましい。封止工程の後に、後硬化工程を行ってもよい。

尚、前記スペーサ９としては、特に限定されるものではなく、例えばシリコンチップ、ポリイミドフィルム等を用いることができる。また、前記スペーサとしてコア材料を用いることができる。コア材料としては特に限定されるものではなく、従来公知のものを用いることができる。具体的には、フィルム（例えばポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム等）、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維で強化された樹脂基板、ミラーシリコンウェハ、シリコン基板又はガラス被着体を使用できる。

（他の半導体装置の製造方法）
次に、本発明の他の形態に係る半導体装置の製造方法について、以下に説明する。

前記他の半導体装置の製造方法は、前記ダイシングシート付き接着フィルムを用いてフリップチップ実装の半導体装置を製造することができる。具体的には、前記ダイシングシート付き接着フィルム上に半導体ウエハを貼着する工程と、前記半導体ウエハをダイシングする工程と、ダイシングにより得られた半導体素子をピックアップする工程と、前記半導体素子を被着体上にフリップチップ接続する工程とを少なくとも具備する。

［マウント工程］
先ず、ダイシングシート付き接着フィルムの接着フィルム上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、当該接着フィルム上に半導体ウエハを貼着して、これを接着保持させ固定する（マウント工程）。このとき前記接着フィルムは未硬化状態（半硬化状態を含む）にある。また、ダイシングシート付き接着フィルムは、半導体ウエハの裏面に貼着される。半導体ウエハの裏面とは、回路面とは反対側の面（非回路面、非電極形成面などとも称される）を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。

［ダイシング工程」
次に、半導体ウエハのダイシングを行う。これにより、半導体ウエハを所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップを製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハの回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、ダイシングシート付き接着フィルムまで切込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハは、接着フィルムを有するダイシングシート付き接着フィルムにより優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハの破損も抑制できる。なお、接着フィルムがエポキシ樹脂を含む樹脂組成物により形成されていると、ダイシングにより切断されても、その切断面において接着フィルムの接着剤層の糊はみ出しが生じるのを抑制又は防止することができる。その結果、切断面同士が再付着（ブロッキング）することを抑制又は防止することができ、後述のピックアップを一層良好に行うことができる。

なお、ダイシングシート付き接着フィルムのエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。エキスパンド装置は、ダイシングリングを介してダイシングシート付き接着フィルムを下方へ押し下げることが可能なドーナッツ状の外リングと、外リングよりも径が小さくダイシングシート付き接着フィルムを支持する内リングとを有している。このエキスパンド工程により、後述のピックアップ工程において、隣り合う半導体チップ同士が接触して破損するのを防ぐことが出来る。

［ピックアップ工程］
ダイシングシート付き接着フィルムに接着固定された半導体チップを回収する為に、半導体チップのピックアップを行って、半導体チップを接着フィルムとともにダイシングテープより剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップをダイシングシート付き接着フィルムの基材側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップをピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体チップは、その裏面が接着フィルムにより保護されている。

［フリップチップ接続工程］
ピックアップした半導体チップは、基板等の被着体に、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により固定させる。具体的には、半導体チップを、半導体チップの回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）が被着体と対向する形態で、被着体に常法に従い固定させる。例えば、半導体チップの回路面側に形成されているバンプを、被着体の接続パッドに被着された接合用の導電材（半田など）に接触させて押圧しながら導電材を溶融させることにより、半導体チップと被着体との電気的導通を確保し、半導体チップを被着体に固定させることができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、半導体チップと被着体との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。尚、半導体チップを被着体上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、半導体チップと被着体との対向面や間隙を洗浄し、該間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止することが重要である。

前記被着体としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。

フリップチップボンディング工程において、バンプや導電材の材質としては、特に限定されず、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材などが挙げられる。

なお、フリップチップボンディング工程では、導電材を溶融させて、半導体チップ５の回路面側のバンプと、被着体６の表面の導電材とを接続させているが、この導電材の溶融時の温度としては、通常、２６０℃程度（例えば、２５０℃〜３００℃）となっている。本発明のダイシングシート付き接着フィルムは、接着フィルムをエポキシ樹脂等により形成することにより、このフリップチップボンディング工程における高温にも耐えられる耐熱性を有するものとすることができる。

本工程では、半導体チップと被着体との対向面（電極形成面）や間隙の洗浄を行うのが好ましい。当該洗浄に用いられる洗浄液としては、特に制限されず、例えば、有機系の洗浄液や、水系の洗浄液が挙げられる。本発明のダイシングシート付き接着フィルムにおける接着フィルムは、洗浄液に対する耐溶剤性を有しており、これらの洗浄液に対して実質的に溶解性を有していない。そのため、前述のように、洗浄液としては、各種洗浄液を用いることができ、特別な洗浄液を必要とせず、従来の方法により洗浄させることができる。

次に、フリップチップボンディングされた半導体チップと被着体との間の間隙を封止するための封止工程を行う。封止工程は、封止樹脂を用いて行われる。このときの封止条件としては特に限定されないが、通常、１７５℃で６０秒間〜９０秒間の加熱を行うことにより、封止樹脂の熱硬化が行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５℃〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。当該工程における熱処理においては、封止樹脂だけでなく接着フィルムの熱硬化も同時に行われる。これにより、封止樹脂及び接着フィルムの双方が、熱硬化の進行に伴い硬化収縮をする。その結果、封止樹脂の硬化収縮に起因して半導体チップに加えられる応力は、接着フィルムが硬化収縮することにより相殺ないし緩和することができる。また、当該工程により、接着フィルムを完全に又はほぼ完全に熱硬化させることができ、優れた密着性で半導体素子の裏面に貼着させることができる。更に、本発明に係る接着フィルムは、未硬化状態であっても当該封止工程の際に、封止材と共に熱硬化させることができるので、接着フィルムを熱硬化させるための工程を新たに追加する必要がない。

前記封止樹脂としては、絶縁性を有する樹脂（絶縁樹脂）であれば特に制限されず、公知の封止樹脂等の封止材から適宜選択して用いることができるが、弾性を有する絶縁樹脂がより好ましい。封止樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物等が挙げられる。エポキシ樹脂としては、前記に例示のエポキシ樹脂等が挙げられる。また、エポキシ樹脂を含む樹脂組成物による封止樹脂としては、樹脂成分として、エポキシ樹脂以外に、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（フェノール樹脂など）や、熱可塑性樹脂などが含まれていてもよい。なお、フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂の硬化剤としても利用することができ、このようなフェノール樹脂としては、前記に例示のフェノール樹脂などが挙げられる。

前記ダイシングシート付き接着フィルムや接着フィルムを用いて製造された半導体装置（フリップチップ実装の半導体装置）は、半導体チップの裏面に接着フィルムが貼着されているため、各種マーキングを優れた視認性で施すことができる。特に、マーキング方法がレーザーマーキング方法であっても、優れたコントラスト比でマーキングを施すことができ、レーザーマーキングにより施された各種情報（文字情報、図研情報など）を良好に視認することが可能である。なお、レーザーマーキングを行う際には、公知のレーザーマーキング装置を利用することができる。また、レーザーとしては、気体レーザー、個体レーザー、液体レーザーなどの各種レーザーを利用することができる。具体的には、気体レーザーとしては、特に制限されず、公知の気体レーザーを利用することができるが、炭酸ガスレーザー（ＣＯ_２レーザー）、エキシマレーザー（ＡｒＦレーザー、ＫｒＦレーザー、ＸｅＣｌレーザー、ＸｅＦレーザーなど）が好適である。また、固体レーザーとしては、特に制限されず、公知の固体レーザーを利用することができるが、ＹＡＧレーザー（Ｎｄ：ＹＡＧレーザーなど）、ＹＶＯ_４レーザーが好適である。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。

（実施例１）
＜粘着剤層の形成＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」という。）９５部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」という。）５部、及びトルエン６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。

次に、アクリル系ポリマーＡ１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）３部を加えて、粘着剤組成物溶液を作製した。

前記で調製した粘着剤組成物溶液を、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、８０℃で３分間加熱架橋して、厚さ１０μｍの粘着剤層を形成した。次に、得られた粘着剤層を厚さ１００μｍのポリエチレンフィルムに転写した。

続いて、前記粘着剤層の表面に、シリコーンスプレー（商品名；ＫＦ９６ＳＰ、信越化学工業（株）製）を用いてシリコーン樹脂を散布して表面改質を行った。散布量はＳｉ−Ｋα線強度で０．０１ｋｃｐｓとなる様に行った。これにより、本実施例に係るダイシングシートを作製した。

＜ダイシングシート付き接着フィルムの作製＞
エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名；ＥＰＰＮ５０１ＨＹ）５０部、フェノール樹脂（明和化成（株）製、商品名；ＭＥＨ７８５１）５０部、アクリル共重合体（ノガワケミカル（株）製、商品名；レビタルＡＲ３１）１００部、及びフィラーとしての球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；Ｓ０−２５Ｒ、平均粒径０．５μｍ）７０部をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ１０μｍの接着剤層を形成した。更に、接着剤層を前述の粘着剤層上に転写して、本実施例に係るダイシングシート付き接着フィルムを得た。

（実施例２）
本実施例に於いては、粘着剤層表面を表面改質する際のシリコーンスプレーによる散布量をＳｉ−Ｋα線強度で１００ｋｃｐｓとなる様に行ったこと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例に係るダイシングシート付き接着フィルムを作製した。

（実施例３）
本実施例に於いては、粘着剤層表面を表面改質する際、シリコーン樹脂塗布フィルム(三菱樹脂(株)製、商品名；ダイヤホイル MRA38)を用いて、粘着剤層表面にシリコーン樹脂を転写させた(粘着剤層表面のSi-Kα線強度：０．９kcps)こと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例の係るダイシングシート付き接着フィルムを作製した。

（実施例４）
本実施例に於いては、粘着剤層表面を表面改質する際、シリコーン樹脂塗布フィルム(三菱樹脂(株)製、商品名；ダイヤホイル MRF38)を用いて、粘着剤層表面にシリコーン樹脂を転写させた(粘着剤層表面のSi-Kα線強度：１．２kcps)こと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例の係るダイシングシート付き接着フィルムを作製した。

（実施例５）
本実施例に於いては、粘着剤層表面を表面改質する際、粘着剤層表面にシリコーンディパージョン(東レダウコーニング(株)製、商品名；SD7226)を塗工し、７０℃で５分間乾燥させて、粘着剤層を表面改質させた(粘着剤層表面のSi-Kα線強度：８５kcps)こと以外は、前記実施例１と同様にして、本実施例の係るダイシングシート付き接着フィルムを作製した。

（比較例１）
本比較例に於いては、粘着剤層表面を表面改質する際のシリコーンスプレーによる散布量をＳｉ−Ｋα線強度で０．００１ｋｃｐｓとなる様に行ったこと以外は、前記実施例１と同様にして、本比較例に係るダイシングシート付き接着フィルムを作製した。

（比較例２）
本比較例に於いては、粘着剤層表面を表面改質する際のシリコーンスプレーによる散布量をＳｉ−Ｋα線強度で０．００５ｋｃｐｓとなる様に行ったこと以外は、前記実施例１と同様にして、本比較例に係るダイシングシート付き接着フィルムを作製した。

（比較例３）
本比較例に於いては、粘着剤層表面を表面改質する際のシリコーンスプレーによる散布量をＳｉ−Ｋα線強度で２００ｋｃｐｓとなる様に行ったこと以外は、前記実施例１と同様にして、本比較例に係るダイシングシート付き接着フィルムを作製した。

（比較例４）
本比較例に於いては、粘着剤層表面を表面改質する際のシリコーンスプレーによる散布量をＳｉ−Ｋα線強度で５００ｋｃｐｓとなる様に行ったこと以外は、前記実施例１と同様にして、本比較例に係るダイシングシート付き接着フィルムを作製した。

（引き剥がし粘着力評価）
実施例及び比較例で得られたダイシングシート付き接着フィルムを、２０ｍｍテープ幅で短冊状に切断し、接着剤層にテープ（商品名：ＢＴ−３１５（日東電工（株）製、２０ｍｍ幅））を貼り合わせた。その後、温度２５℃、相対湿度５５％Ｒｈの環境下で３分間静置した。

続いて、粘着剤表面とシリコンミラーウェハ表面とのなす角が１８０°となる様に、ダイシングシートを引き剥がした。このときの剥離速度は３００ｍｍ／分とした。結果を下記表１に示す。

（ダイシング）
各実施例及び比較例のそれぞれダイシングシート付き接着フィルムを用いて、以下の要領で、実際に半導体ウェハのダイシングを行い、各ダイシングシート付き接着フィルムの性能を評価した。

半導体ウェハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍ）を裏面研磨処理し、厚さ０．０２５ｍｍのミラーウェハをワークとして用いた。ダイシングシート付き接着フィルムからセパレータを剥離した後、その接着フィルム上にミラーウェハを４０℃でロール圧着して貼り合わせ、更にダイシングを行った。また、ダイシングは１０ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。このダイシングにより１００個の半導体チップを形成し、そのうちチップ飛びした半導体チップの個数をカウントした。結果を下記表１に示す。

＜ウェハ研削条件＞
研削装置：ディスコ社製 ＤＦＧ−８５６０
半導体ウェハ：８インチ径（厚さ０．６ｍｍから０．０２５ｍｍに裏面研削）

＜貼り合わせ条件＞
貼り付け装置：日東精機製、ＭＡ−３０００II
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：４０℃

＜ダイシング条件＞
ダイシング装置：ディスコ社製、ＤＦＤ−６３６１
ダイシングリング：２−８−１（ディスコ社製）
ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：ディスコ社製ＮＢＣ−ＺＨ２２６Ｊ２７ＨＡＡＡ
ダイシングブレード回転数：４０，０００ｒｐｍ
ブレード高さ：０．０８５ｍｍ
カット方式：シングルステップカット
ウェハチップサイズ：１０．０ｍｍ角

（ピックアップ）
各実施例及び比較例のそれぞれダイシングシート付き接着フィルムを用いて、以下の要領で、実際に半導体ウェハのダイシングを行った後にピックアップを行い、各ダイシングシート付き接着フィルムの性能を評価した。

半導体ウェハ（直径８インチ、厚さ０．６ｍｍ）を裏面研磨処理し、厚さ０．０２５ｍｍのミラーウェハをワークとして用いた。ダイシングシート付き接着フィルムからセパレータを剥離した後、その接着フィルム上にミラーウェハを４０℃でロール圧着して貼り合わせ、更にダイシングを行った。また、ダイシングは１０ｍｍ角のチップサイズとなる様にフルカットした。

次に、各ダイシングシート付き接着フィルムを引き伸ばして、各チップ間を所定の間隔とするエキスパンド工程を行った。更に、各ダイシングシート付き接着フィルムの基材側からニードルによる突き上げ方式で半導体チップをピックアップしピックアップ性の評価を行った。具体的には、後述の条件で１００個の半導体チップを連続してピックアップし、ピックアップができなかった半導体チップの個数をカウントした。結果を下記表１に示す。

＜ウェハ研削条件＞
研削装置：ディスコ社製 ＤＦＧ−８５６０
半導体ウェハ：８インチ径（厚さ０．６ｍｍから０．０２５ｍｍに裏面研削）

＜貼り合わせ条件＞
貼り付け装置：日東精機製、ＭＡ−３０００II
貼り付け速度計：１０ｍｍ／ｍｉｎ
貼り付け圧力：０．１５ＭＰａ
貼り付け時のステージ温度：４０℃

＜ダイシング条件＞
ダイシング装置：ディスコ社製、ＤＦＤ−６３６１
ダイシングリング：２−８−１（ディスコ社製）
ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：ディスコ社製ＮＢＣ−ＺＨ２２６Ｊ２７ＨＡＡＡ
ダイシングブレード回転数：３０，０００ｒｐｍ
ブレード高さ：０．０８５ｍｍ
カット方式：シングルステップカット
ウェハチップサイズ：１０．０ｍｍ角

＜エキスパンド条件＞
ダイボンダー：新川（株）製、装置名：ＳＰＡ−３００
内リングに対する外リングの引落し量：３ｍｍ

＜ピックアップ条件＞
ダイボンド装置：新川（株）製
ニードル本数：９本
ニードル突き上げ量：３００μｍ
ニードル突き上げ速度：５ｍｍ／秒
コレット保持時間：１秒

（結果）
下記表１から明らかな通り、比較例１及び２では、粘着剤層の接着剤層に対する接着性が良好であったことから、半導体ウェハのダイシングの際のチップ飛びが防止できている。しかしながら、粘着剤層の粘着力が強すぎた結果、半導体チップのピックアップの際にピックアップ不良が発生した。また、比較例３及び４では、粘着剤層の接着剤層に対する剥離性が良好であったことから、半導体チップのピックアップの際に全ての半導体チップが良好にピックアップすることができた。しかしながら、粘着剤層の粘着力が弱すぎた結果、半導体ウェハのダイシングの際にチップ飛びが発生した。これに対し、実施例１及び２においては、粘着剤層の接着剤層との貼り合わせ面における接着性及び剥離性のバランスが良好な状態にあるため、ダイシングの際のチップ飛びを防止すると共に、ピックアップ性も良好であった。

１ 基材
２ 粘着剤層
３、１３、２１ 接着剤層
４ 半導体ウェハ
５、１５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
９ スペーサ
１０、１１ ダイシングシート付き接着フィルム

Claims (8)

1. 基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングシート付き接着フィルムであって、
   前記粘着剤層において、前記接着剤層に対する貼り合わせ面の少なくとも一部領域が、Ｓｉ−Ｋα線強度で０．０１〜１００ｋｃｐｓであるダイシングシート付き接着フィルム。
2. 前記領域の引き剥がし粘着力は、温度２５℃、相対湿度５５％、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０°で引き剥がしを行ったときに、前記接着剤層に対し、０．０１〜０．２Ｎ／２０ｍｍである請求項１に記載のダイシングシート付き接着フィルム。
3. 前記領域が、前記接着剤層のワーク貼り合わせ領域に対応するものである請求項１又は２に記載のダイシングシート付き接着フィルム。
4. 基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層されたダイシングシート付き接着フィルムの製造方法であって、
   前記基材上に粘着剤層を形成する工程と、
   前記粘着剤層の表面の少なくとも一部領域を、Ｓｉ−Ｋα線強度０．０１〜１００ｋｃｐｓとなるように表面改質する工程と、
   前記粘着剤層に於ける表面改質がなされた表面上に、前記接着剤層を形成する工程とを有するダイシングシート付き接着フィルムの製造方法。
5. 前記粘着剤層の前記貼り合わせ面に於ける表面改質は、少なくともシリコーン樹脂を含む溶液を霧状に散布させて行う請求項４に記載のダイシングシート付き接着フィルムの製造方法。
6. 前記粘着剤層の前記貼り合わせ面に於ける表面改質は、別フィルム上にシリコーン樹脂を塗布したものを転写させて行う請求項４に記載のダイシングシート付き接着フィルムの製造方法。
7. 前記粘着剤層の前記貼り合わせ面に於ける表面改質は、粘着剤層表面にシリコーンディスパージョンを塗布・乾燥させて行う請求項４に記載のダイシングシート付き接着フィルムの製造方法。
8. 請求項１〜３の何れか１項に記載のダイシングシート付き接着フィルムにより製造された半導体装置。
   

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