JPH0630353B2 - 半導体ウエハの保護方法 - Google Patents
半導体ウエハの保護方法Info
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- JPH0630353B2 JPH0630353B2 JP59047742A JP4774284A JPH0630353B2 JP H0630353 B2 JPH0630353 B2 JP H0630353B2 JP 59047742 A JP59047742 A JP 59047742A JP 4774284 A JP4774284 A JP 4774284A JP H0630353 B2 JPH0630353 B2 JP H0630353B2
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Description
【発明の詳細な説明】 この発明は、ＩＣ素子の形成を終えた半導体ウエハを研
摩する際にこのウエハを保護するための方法に関する。
摩する際にこのウエハを保護するための方法に関する。
半導体ウエハの製造工程において、一般に、ＩＣ素子の
形成を終えたウエハをできるだけ薄く均一にするため
に、このウエハの裏面を研摩することが行われており、
この研摩により例えば０．５mm程度の厚みのウエハは
０．２〜０．３mm程度の厚みとされる。
形成を終えたウエハをできるだけ薄く均一にするため
に、このウエハの裏面を研摩することが行われており、
この研摩により例えば０．５mm程度の厚みのウエハは
０．２〜０．３mm程度の厚みとされる。
この研摩工程において半導体ウエハが破損したりＩＣ素
子の形成されたウエハ表面が傷付くのを防ぐために、ア)
ウエハ表面に塗料を用いて被膜を形成したのち裏面を研
摩し、研摩後この被膜を溶剤により除去する、イ)薄葉シ
ートをスペーサーとしてウエハ表面に積層して裏面研摩
したのちこのシートを取り除く、ウ)ウエハ表面に感圧性
接着フイルムを貼り付けたのち裏面を研摩し、研摩後こ
のフイルムを剥離するなどの方法がとられていた。
子の形成されたウエハ表面が傷付くのを防ぐために、ア)
ウエハ表面に塗料を用いて被膜を形成したのち裏面を研
摩し、研摩後この被膜を溶剤により除去する、イ)薄葉シ
ートをスペーサーとしてウエハ表面に積層して裏面研摩
したのちこのシートを取り除く、ウ)ウエハ表面に感圧性
接着フイルムを貼り付けたのち裏面を研摩し、研摩後こ
のフイルムを剥離するなどの方法がとられていた。
しかしながら、上記のアの方法では、被膜形成の作業性
の面から被膜の厚みが通常１０μｍ以下とされるため、
研摩時にウエハ表面が傷付いたりウエハに割れが生じる
などウエハの保護が充分に行えなかつた。また、上記の
イの方法でも、薄葉シートがウエハに接着していないた
めウエハに対する補強効果が不充分で、ウエハが欠けた
り割れたりするなどウエハの保護は充分ではなかつた。
の面から被膜の厚みが通常１０μｍ以下とされるため、
研摩時にウエハ表面が傷付いたりウエハに割れが生じる
などウエハの保護が充分に行えなかつた。また、上記の
イの方法でも、薄葉シートがウエハに接着していないた
めウエハに対する補強効果が不充分で、ウエハが欠けた
り割れたりするなどウエハの保護は充分ではなかつた。
これに対して上記のウの方法は、通常８０μｍ程度まで
厚みの感圧性接着フイルムをウエハ表面に貼り付けるた
め、すぐれた保護効果が得られるとともに研摩によるウ
エハの厚み精度が良好であるという利点を有している。
この方法で用いられる感圧性接着フイルムの接着力は、
ウエハの表面と良好に接着しうるだけの大きさでしかも
研摩後の接着フイルムの剥離に困難をきたさない程度の
大きさに制御されている。
厚みの感圧性接着フイルムをウエハ表面に貼り付けるた
め、すぐれた保護効果が得られるとともに研摩によるウ
エハの厚み精度が良好であるという利点を有している。
この方法で用いられる感圧性接着フイルムの接着力は、
ウエハの表面と良好に接着しうるだけの大きさでしかも
研摩後の接着フイルムの剥離に困難をきたさない程度の
大きさに制御されている。
しかしながら、この方法では、半導体ウエハの表面状態
によつては上記のフイルムの接着状態にばらつきを生じ
やすいという問題があり、例えば研摩時のウエハの保護
が不充分であつたり、研摩後の剥離作業性が低下した
り、あるいは剥離時にウエハを破損するなどの事態が生
じる場合があつた。
によつては上記のフイルムの接着状態にばらつきを生じ
やすいという問題があり、例えば研摩時のウエハの保護
が不充分であつたり、研摩後の剥離作業性が低下した
り、あるいは剥離時にウエハを破損するなどの事態が生
じる場合があつた。
そこで、この発明者らは、上記のウの方法におけるこの
問題を解決することを目的として鋭意検討した結果、こ
の発明をなすに至つた。
問題を解決することを目的として鋭意検討した結果、こ
の発明をなすに至つた。
すなわち、この発明は、半導体ウエハの裏面を研摩する
にあたり、このウエハの表面に感圧性接着フイルムを貼
り付け、上記の研摩後にこの接着フイルムを剥離する半
導体ウエハの保護方法において、上記の感圧性接着フイ
ルムが光透過性の支持体とこの支持体上に設けられた光
照射により硬化し三次元網状化する性質を有する感圧性
接着剤層とからなり、研摩後この接着フイルムを剥離す
る前にこの接着フイルムに光照射することを特徴とする
半導体ウエハの保護方法に係るものである。
にあたり、このウエハの表面に感圧性接着フイルムを貼
り付け、上記の研摩後にこの接着フイルムを剥離する半
導体ウエハの保護方法において、上記の感圧性接着フイ
ルムが光透過性の支持体とこの支持体上に設けられた光
照射により硬化し三次元網状化する性質を有する感圧性
接着剤層とからなり、研摩後この接着フイルムを剥離す
る前にこの接着フイルムに光照射することを特徴とする
半導体ウエハの保護方法に係るものである。
この発明の保護方法によれば、使用する感圧性接着フイ
ルムの接着力を研摩後の剥離作業性を考慮せずに充分な
大きさとすることができるため、この接着フイルムは、
研摩時にはウエハの表面状態にかかわらずウエハ表面に
良好に接着してすぐれた保護機能を発揮することができ
る。
ルムの接着力を研摩後の剥離作業性を考慮せずに充分な
大きさとすることができるため、この接着フイルムは、
研摩時にはウエハの表面状態にかかわらずウエハ表面に
良好に接着してすぐれた保護機能を発揮することができ
る。
一方、研摩後には、この接着フイルムの支持体側から光
照射し感圧性接着剤層を硬化させて三次元網状化させる
ことにより、この接着剤層は、凝集力が上昇し、これに
ともない粘着性をほとんど失うため、接着フイルムのウ
エハ表面に対する接着力は大幅に低下する。このため、
ウエハの表面状態にかかわりなくこの接着フイルムの剥
離を容易に行うことができる。
照射し感圧性接着剤層を硬化させて三次元網状化させる
ことにより、この接着剤層は、凝集力が上昇し、これに
ともない粘着性をほとんど失うため、接着フイルムのウ
エハ表面に対する接着力は大幅に低下する。このため、
ウエハの表面状態にかかわりなくこの接着フイルムの剥
離を容易に行うことができる。
このように、この発明の半導体ウエハの保護方法によれ
ば、ウエハの表面状態にかかわりなくすぐれた保護効果
が得られるとともに研摩後の感圧性接着フイルムの剥離
作業性にもすぐれている。
ば、ウエハの表面状態にかかわりなくすぐれた保護効果
が得られるとともに研摩後の感圧性接着フイルムの剥離
作業性にもすぐれている。
この発明の方法において用いる感圧性接着フイルムを構
成する光透過性の支持体としては、ポリ塩化ビニル、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピ
レンなどのプラスチツクフイルムが挙げられる。このフ
イルムの厚みとしては通常１０〜１００μｍ程度とする
のがよい。
成する光透過性の支持体としては、ポリ塩化ビニル、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピ
レンなどのプラスチツクフイルムが挙げられる。このフ
イルムの厚みとしては通常１０〜１００μｍ程度とする
のがよい。
この光透過性の支持体上に設けられた光照射により硬化
し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤層は、た
とえば通常のゴム系あるいはアクリル系の感圧性接着剤
に分子中に少なくとも２個の光重合性炭素−炭素二重結
合を有する低分子量化合物（以下、光重合性化合物とい
う）および光重合開始剤が配合されてなる感圧性接着剤
組成物を用いて形成される。
し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤層は、た
とえば通常のゴム系あるいはアクリル系の感圧性接着剤
に分子中に少なくとも２個の光重合性炭素−炭素二重結
合を有する低分子量化合物（以下、光重合性化合物とい
う）および光重合開始剤が配合されてなる感圧性接着剤
組成物を用いて形成される。
上記のゴム系あるいはアクリル系の感圧性接着剤は天然
ゴム、各種の合成ゴムなどのゴム系ポリマーあるいはポ
リ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アク
リル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他の不飽
和単量体との共重合物などのアクリル系ポリマーをベー
スポリマーとし、これに必要に応じてポリイソシアネー
ト化合物、アルキルエーテル化メラミン化合物の如き架
橋剤などが配合されたものである。なお、上記のベース
ポリマーが分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を持つ
ものであつてもよい。
ゴム、各種の合成ゴムなどのゴム系ポリマーあるいはポ
リ（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アク
リル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他の不飽
和単量体との共重合物などのアクリル系ポリマーをベー
スポリマーとし、これに必要に応じてポリイソシアネー
ト化合物、アルキルエーテル化メラミン化合物の如き架
橋剤などが配合されたものである。なお、上記のベース
ポリマーが分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を持つ
ものであつてもよい。
上記の光重合性化合物は、その分子量が通常１０，００
０以下程度であるのがよく、より好ましくは、光照射に
よる感圧性接着剤層の三次元網状化が効率よくなされる
ように、その分子量が５，０００以下でかつ分子内の光
重合性炭素−炭素二重結合の数が２〜６個のものを用い
るのがよい。このようなとくに好ましい光重合性化合物
としては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレ
ート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモ
ノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリト
ールヘキサアクリレートなどが挙げられる。また、その
他の光重合性化合物としては、１・４−ブチレングリコ
ールジアクリレート、１・６−ヘキサンジオールジアク
リレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市
販のオリゴエステルアクリレートなどが挙げられる。
０以下程度であるのがよく、より好ましくは、光照射に
よる感圧性接着剤層の三次元網状化が効率よくなされる
ように、その分子量が５，０００以下でかつ分子内の光
重合性炭素−炭素二重結合の数が２〜６個のものを用い
るのがよい。このようなとくに好ましい光重合性化合物
としては、例えばトリメチロールプロパントリアクリレ
ート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリ
トールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモ
ノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリト
ールヘキサアクリレートなどが挙げられる。また、その
他の光重合性化合物としては、１・４−ブチレングリコ
ールジアクリレート、１・６−ヘキサンジオールジアク
リレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市
販のオリゴエステルアクリレートなどが挙げられる。
光重合性化合物としては、上記の化合物のうちの１種を
単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよく、その
使用量は、通常上記のベースポリマー１００重量部に対
して１〜１００重量部の範囲とするのがよい。この使用
量が少なすぎると、感圧性接着剤層の光照射による三次
元網状化が不充分となり、感圧性接着フイルムの接着力
の低下の程度が小さすぎて好ましくない。また、この使
用量が多すぎると、感圧性接着剤層の可塑化が著しく半
導体ウエハ研摩時に必要な接着力が得られないため好ま
しくない。
単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよく、その
使用量は、通常上記のベースポリマー１００重量部に対
して１〜１００重量部の範囲とするのがよい。この使用
量が少なすぎると、感圧性接着剤層の光照射による三次
元網状化が不充分となり、感圧性接着フイルムの接着力
の低下の程度が小さすぎて好ましくない。また、この使
用量が多すぎると、感圧性接着剤層の可塑化が著しく半
導体ウエハ研摩時に必要な接着力が得られないため好ま
しくない。
上記の光重合開始剤としては、例えばイソプロピルベン
ゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベン
ゾフエノン、ミヒラー氏ケトン、クロロチオキサント
ン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサント
ン、ジエチルチオキサントン、アセトフエノンジエチル
ケタール、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシ
シクロヘキシルフエニルケトン、２−ヒドロキシメチル
フエニルプロパンなどが挙げられ、これらのうちの１種
を単独であるいは２種以上の混合で使用すればよい。
ゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベン
ゾフエノン、ミヒラー氏ケトン、クロロチオキサント
ン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサント
ン、ジエチルチオキサントン、アセトフエノンジエチル
ケタール、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシ
シクロヘキシルフエニルケトン、２−ヒドロキシメチル
フエニルプロパンなどが挙げられ、これらのうちの１種
を単独であるいは２種以上の混合で使用すればよい。
この光重合開始剤の使用量としては、通常上記のベース
ポリマー１００重量部に対して０．１〜５重量部の範囲
とするのがよい。この使用量が少なすぎると、感圧性接
着剤層の光照射による三次元網状化が不充分となり、感
圧性接着フイルムの接着力の低下の程度が小さすぎて好
ましくない。また、この使用量が多すぎるとそれに見合
う効果が得られないばかりか、ウエハの表面にこの光重
合開示剤が残留するため好ましくない。なお、必要に応
じてこの光重合開始剤とともにトリエチルアミン、テト
ラエチルペンタアミン、ジメチルアミノエタノールなど
のアミン化合物を光重合促進剤として併用してもよい。
ポリマー１００重量部に対して０．１〜５重量部の範囲
とするのがよい。この使用量が少なすぎると、感圧性接
着剤層の光照射による三次元網状化が不充分となり、感
圧性接着フイルムの接着力の低下の程度が小さすぎて好
ましくない。また、この使用量が多すぎるとそれに見合
う効果が得られないばかりか、ウエハの表面にこの光重
合開示剤が残留するため好ましくない。なお、必要に応
じてこの光重合開始剤とともにトリエチルアミン、テト
ラエチルペンタアミン、ジメチルアミノエタノールなど
のアミン化合物を光重合促進剤として併用してもよい。
上記の各成分が混合されてなる感圧性接着剤組成物を用
いて感圧性接着剤層を形成するには、上記の光透過性の
支持体上にこの組成物を塗布し、必要に応じて加熱すれ
ばよい。このようにして形成される感圧性接着剤層の厚
みとしては通常５〜１００μｍであるのがよい。
いて感圧性接着剤層を形成するには、上記の光透過性の
支持体上にこの組成物を塗布し、必要に応じて加熱すれ
ばよい。このようにして形成される感圧性接着剤層の厚
みとしては通常５〜１００μｍであるのがよい。
また、この感圧性接着剤層は、通常１００％モジユラス
（２０℃）が１０kg／cm2以下であるのがよく、また、
通常はトルエンに２４時間浸漬して求めたゲル分率が５
５重量％未満でゲルの膨潤度が２０倍以上であるのがよ
い。
（２０℃）が１０kg／cm2以下であるのがよく、また、
通常はトルエンに２４時間浸漬して求めたゲル分率が５
５重量％未満でゲルの膨潤度が２０倍以上であるのがよ
い。
この発明の半導体ウエハの保護方法は、上記の光透過性
の支持体と感圧性接着剤層とからなる感圧性接着フイル
ムを用いて行う。この方法においては、まず、ＩＣ素子
の形成を終えた半導体ウエハ表面に上記の感圧性接着フ
イルムを貼り付けたのち、ウエハの裏面の研摩を行う。
研摩後、接着フイルムの支持体側から高圧水銀ランプ、
超高圧水銀ランプなどにより、１８０〜４６０ｎｍの波
長の光を通常２〜１８０秒間程度照射し、次いでこの接
着フイルムをウエハ表面から剥離する。
の支持体と感圧性接着剤層とからなる感圧性接着フイル
ムを用いて行う。この方法においては、まず、ＩＣ素子
の形成を終えた半導体ウエハ表面に上記の感圧性接着フ
イルムを貼り付けたのち、ウエハの裏面の研摩を行う。
研摩後、接着フイルムの支持体側から高圧水銀ランプ、
超高圧水銀ランプなどにより、１８０〜４６０ｎｍの波
長の光を通常２〜１８０秒間程度照射し、次いでこの接
着フイルムをウエハ表面から剥離する。
上記の感圧性接着フイルムの半導体ウエハ表面に対する
１８０゜剥離接着力（剥離速度３００mm／分）は、光照
射前には通常２００〜１０００ｇ／２０mmである。この
ため、ウエハの研摩時には、この接着フイルムはウエハ
表面に良好に接着しており、しかもこの接着フイルムが
クツシヨンとしても有効に機能するのでウエハの破損や
ウエハ表面の傷の発生を効果的に防止することができ
る。また、接着フイルムとウエハ表面との接着が良好で
この間に研摩時の洗浄水が侵入することがなく研摩によ
るウエハの厚み精度も安定的にすぐれたものとすること
ができる。
１８０゜剥離接着力（剥離速度３００mm／分）は、光照
射前には通常２００〜１０００ｇ／２０mmである。この
ため、ウエハの研摩時には、この接着フイルムはウエハ
表面に良好に接着しており、しかもこの接着フイルムが
クツシヨンとしても有効に機能するのでウエハの破損や
ウエハ表面の傷の発生を効果的に防止することができ
る。また、接着フイルムとウエハ表面との接着が良好で
この間に研摩時の洗浄水が侵入することがなく研摩によ
るウエハの厚み精度も安定的にすぐれたものとすること
ができる。
一方、上記の接着フイルムは光照射されると、このフイ
ルムにおける感圧性接着剤層において、光重合性化合物
どうしが重合するとともにベースポリマーにもラジカル
が発生してこのポリマーと光重合性化合物とが反応する
ことにより、接着剤層は硬化し三次元網状化する。
ルムにおける感圧性接着剤層において、光重合性化合物
どうしが重合するとともにベースポリマーにもラジカル
が発生してこのポリマーと光重合性化合物とが反応する
ことにより、接着剤層は硬化し三次元網状化する。
なお、ここでいう三次元網状化とは、通常、接着剤層を
トルエンに２４時間浸漬して求めたゲル分率が光照射前
の約１．４倍以上となり、かつこのゲル分率が５５重量
％以上となることを意味する。また、この光照射後の接
着剤層は上記と同様にして求めたゲルの膨潤度が通常１
８倍以下となるのがよい。
トルエンに２４時間浸漬して求めたゲル分率が光照射前
の約１．４倍以上となり、かつこのゲル分率が５５重量
％以上となることを意味する。また、この光照射後の接
着剤層は上記と同様にして求めたゲルの膨潤度が通常１
８倍以下となるのがよい。
このように三次元網状化することにより、接着剤層の凝
集力は光照射前に比べて著しく上昇し、通常１００％モ
ジユラス（２０℃）が２０Kg／cm2以上となる。これに
ともない接着剤層の接着性はほとんど失われて、接着フ
イルムの接着力は大幅に低下し、このときの半導体ウエ
ハ表面に対する１８０゜剥離接着力（剥離速度３００mm
／分）は通常１５０ｇ／２０mm以下となる。このため、
ウエハの表面状態にかかわりなく接着フイルムのウエハ
表面からの剥離を容易に行うことができる。
集力は光照射前に比べて著しく上昇し、通常１００％モ
ジユラス（２０℃）が２０Kg／cm2以上となる。これに
ともない接着剤層の接着性はほとんど失われて、接着フ
イルムの接着力は大幅に低下し、このときの半導体ウエ
ハ表面に対する１８０゜剥離接着力（剥離速度３００mm
／分）は通常１５０ｇ／２０mm以下となる。このため、
ウエハの表面状態にかかわりなく接着フイルムのウエハ
表面からの剥離を容易に行うことができる。
以下にこの発明の実施例を記載する。なお、以下におい
て部とあるのは重量部を意味する。
て部とあるのは重量部を意味する。
実施例１ アクリル酸ブチル１００部、アクリロニトリル５部およ
びアクリル酸５部からなる配合組成物をトルエン中で共
重合させて、数平均分子量 ３００，０００のアクリル系共重合物を得た。
びアクリル酸５部からなる配合組成物をトルエン中で共
重合させて、数平均分子量 ３００，０００のアクリル系共重合物を得た。
この共重合物１００部にポリイソシアネート化合物（日
本ポリウレタン社製商品名コロネートＬ）５部、ジペン
タエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート１
５部およびα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケト
ン１部を添加し合成して感圧性接着剤組成物を調製し
た。
本ポリウレタン社製商品名コロネートＬ）５部、ジペン
タエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート１
５部およびα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニルケト
ン１部を添加し合成して感圧性接着剤組成物を調製し
た。
この組成物を５０μｍの厚みのポリエチレンテフタレー
トフイルムの片面に接着剤層の厚みが３０μｍとなるよ
うに塗工し、１３０℃で３分間加熱して感圧性接着フイ
ルムを得た。
トフイルムの片面に接着剤層の厚みが３０μｍとなるよ
うに塗工し、１３０℃で３分間加熱して感圧性接着フイ
ルムを得た。
この接着フイルムをＩＣ素子の形成された直径５インチ
の大きさで厚みが０．５mmの半導体ウエハの表面に貼り
付けたのち、このウエハの裏面を常法により研摩した。
この研摩時にウエハが割れたり欠けたりすることがなく
ウエハ表面にも傷が付かなかつた。また、ウエハと接着
フイルムの間に水が侵入することもなかつた。
の大きさで厚みが０．５mmの半導体ウエハの表面に貼り
付けたのち、このウエハの裏面を常法により研摩した。
この研摩時にウエハが割れたり欠けたりすることがなく
ウエハ表面にも傷が付かなかつた。また、ウエハと接着
フイルムの間に水が侵入することもなかつた。
研摩後、上記の接着フイルムのポリエチレンテレフタレ
ートフイルム側から高圧水銀ランプ（４０ｗ／cm）で１
５cmの距離から２０秒間光照射したのち、接着フイルム
を剥離した。この剥離は極めて容易に行え、ウエハ表面
への感圧性接着剤層の移行も全く認められなかつた。ま
た、研摩後のウエハの厚みは０．２５mmで全体的に均一
な厚みであつた。
ートフイルム側から高圧水銀ランプ（４０ｗ／cm）で１
５cmの距離から２０秒間光照射したのち、接着フイルム
を剥離した。この剥離は極めて容易に行え、ウエハ表面
への感圧性接着剤層の移行も全く認められなかつた。ま
た、研摩後のウエハの厚みは０．２５mmで全体的に均一
な厚みであつた。
実施例２ アクリル系共重合体（実施例１と同じもの）１００部に
ポリイソシアネート化合物（実施例１と同じもの）５
部、ペンタエリスリトールトリアクリレート２０部およ
びイソブチルベンゾインエーテル０．５部を添加し混合
して感圧性接着剤組成物を調製した。この組成物を用い
て実施例１と同様にして感圧性接着フイルムを作製し
た。
ポリイソシアネート化合物（実施例１と同じもの）５
部、ペンタエリスリトールトリアクリレート２０部およ
びイソブチルベンゾインエーテル０．５部を添加し混合
して感圧性接着剤組成物を調製した。この組成物を用い
て実施例１と同様にして感圧性接着フイルムを作製し
た。
この接着フイルムを実施例１と同様の半導体ウエハの表
面に貼り付けたのち、このウエハの裏面を研摩した。こ
の研摩後上記の接着フイルムに実施例１と同様に光照射
したのち、接着フイルムを剥離した。上記の研摩時のウ
エハの保護は実施例１と同様に良好に行え、また剥離作
業性も良好でウエハ表面にのり残りも認められなかつ
た。また、研摩後のウエハの厚みは０．２５mmで全体的
に均一な厚みであつた。
面に貼り付けたのち、このウエハの裏面を研摩した。こ
の研摩後上記の接着フイルムに実施例１と同様に光照射
したのち、接着フイルムを剥離した。上記の研摩時のウ
エハの保護は実施例１と同様に良好に行え、また剥離作
業性も良好でウエハ表面にのり残りも認められなかつ
た。また、研摩後のウエハの厚みは０．２５mmで全体的
に均一な厚みであつた。
比較例１ ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレ
ート１５部およびα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニ
ルケトン１部を使用しなかつた以外は実施例１と同様に
して感圧性接着剤組成物を調製し、この組成物を用いて
実施例１と同様にして感圧性接着フイルムを作製した。
ート１５部およびα−ヒドロキシシクロヘキシルフエニ
ルケトン１部を使用しなかつた以外は実施例１と同様に
して感圧性接着剤組成物を調製し、この組成物を用いて
実施例１と同様にして感圧性接着フイルムを作製した。
この接着フイルムを実施例１と同様の半導体ウエハの表
面に貼り付けたのち、このウエハの裏面を研摩したとこ
ろ実施例１と同様に良好にウエハの保護が行えた。研摩
後、この接着フイルムをウエハ表面から剥離しようとし
たところ、接着フイルムとウエハとの接着が強固で剥離
できなかつた。次に、この接着フイルムのポリエチレン
テレフタレートフイルム側から実施例１と同様に光照射
したのち、接着フイルムを剥離しようとしたところ、上
記の場合と同様に剥離が困難であつたが、さらに強力に
剥離しようとしたところウエハが破損した。
面に貼り付けたのち、このウエハの裏面を研摩したとこ
ろ実施例１と同様に良好にウエハの保護が行えた。研摩
後、この接着フイルムをウエハ表面から剥離しようとし
たところ、接着フイルムとウエハとの接着が強固で剥離
できなかつた。次に、この接着フイルムのポリエチレン
テレフタレートフイルム側から実施例１と同様に光照射
したのち、接着フイルムを剥離しようとしたところ、上
記の場合と同様に剥離が困難であつたが、さらに強力に
剥離しようとしたところウエハが破損した。
比較例２ アクリル系共重合物（実施例１と同じもの）１００部に
ポリイソシアネート化合物（実施例１と同じもの）１０
部を添加し混合して感圧性接着剤組成物を調製し、この
組成物を５０μｍの厚みのポリエチレンテレフタレート
フイルムの片面に接着剤層の厚みが１０μｍとなるよう
に塗工し、１３０℃で３分間加熱して感圧性接着フイル
ムを作製した。
ポリイソシアネート化合物（実施例１と同じもの）１０
部を添加し混合して感圧性接着剤組成物を調製し、この
組成物を５０μｍの厚みのポリエチレンテレフタレート
フイルムの片面に接着剤層の厚みが１０μｍとなるよう
に塗工し、１３０℃で３分間加熱して感圧性接着フイル
ムを作製した。
この接着フイルムを実施例１と同様の半導体ウエハの表
面に貼り付けたのち、このウエハの裏面を常法により研
摩したところ、このウエハと接着フイルムとの間の接着
が不充分でこの間に洗浄水が侵入した。
面に貼り付けたのち、このウエハの裏面を常法により研
摩したところ、このウエハと接着フイルムとの間の接着
が不充分でこの間に洗浄水が侵入した。
研摩後、接着フイルムのウエハ表面からの剥離は容易に
行えたが、研摩時の水の侵入により研摩後のウエハの厚
みは０．２４〜０．２６mmと不均一であつた。
行えたが、研摩時の水の侵入により研摩後のウエハの厚
みは０．２４〜０．２６mmと不均一であつた。
試験例 ＜１８０゜剥離接着力＞ 上記の実施例１，２および比較例１，２で得られた感圧
性接着フイルムの半導体ウエハ表面に対する１８０゜剥
離接着力（剥離速度３００mm／分）を測定し、また、上
記の接着フイルムを半導体ウエハに貼り付けてポリエチ
レンテレフタレートフイルム側から高圧水銀ランプ（４
０Ｗ／cm）で１５cmの距離から２０秒間光照射したの
ち、上記の接着力を測定した。
性接着フイルムの半導体ウエハ表面に対する１８０゜剥
離接着力（剥離速度３００mm／分）を測定し、また、上
記の接着フイルムを半導体ウエハに貼り付けてポリエチ
レンテレフタレートフイルム側から高圧水銀ランプ（４
０Ｗ／cm）で１５cmの距離から２０秒間光照射したの
ち、上記の接着力を測定した。
＜１００％モジユラス＞ 上記の実施例１，２および比較例１，２で用いた感圧性
接着剤組成物をそれぞれ剥離処理を施した５０μｍの厚
みのポリエチレンテレフタレートフイルムの表面に厚み
が１０μｍとなるように塗工し、１３０℃で３分間乾燥
したのち５０mm×５０mmの大きさに切断し棒状にまとめ
ることにより断面積が０．５mm2の糸状の試験片を得
た。この試験片について２０℃における１００％モジユ
ラスを測定した。また、この試験片に上記と同様の条件
で光照射したのち、同様の１００％モジユラスを測定し
た。
接着剤組成物をそれぞれ剥離処理を施した５０μｍの厚
みのポリエチレンテレフタレートフイルムの表面に厚み
が１０μｍとなるように塗工し、１３０℃で３分間乾燥
したのち５０mm×５０mmの大きさに切断し棒状にまとめ
ることにより断面積が０．５mm2の糸状の試験片を得
た。この試験片について２０℃における１００％モジユ
ラスを測定した。また、この試験片に上記と同様の条件
で光照射したのち、同様の１００％モジユラスを測定し
た。
＜ゲル分率，ゲルの膨潤度＞ 上記の感圧性接着剤組成物をそれぞれ１００％モジユラ
ス用試験片の場合と同様にして塗工，乾燥を行つたの
ち、５０mm×５０mmの大きさに切断したものを試験片と
した。この試験片をトルエンに２４時間浸漬してゲル分
率とゲルの膨潤度を調べた。また、この試験片に上記と
同様の条件で光照射したのち、これをトルエンに２４時
間浸漬してゲル分率とゲルの膨潤度を調べた。
ス用試験片の場合と同様にして塗工，乾燥を行つたの
ち、５０mm×５０mmの大きさに切断したものを試験片と
した。この試験片をトルエンに２４時間浸漬してゲル分
率とゲルの膨潤度を調べた。また、この試験片に上記と
同様の条件で光照射したのち、これをトルエンに２４時
間浸漬してゲル分率とゲルの膨潤度を調べた。
上記の試験結果を下記の表に示した。なお、下記の表に
おいてＡ欄は光照射前の測定値を示し、Ｂ欄は光照射後
の測定値を示す。
おいてＡ欄は光照射前の測定値を示し、Ｂ欄は光照射後
の測定値を示す。
上記の実施例および比較例から明らかなように、この発
明の半導体ウエハの保護方法によれば、ウエハの研摩時
には、感圧性接着フイルムとウエハとを強固に接着させ
ることができるため、ウエハの表面状態にかかわりなく
ウエハの保護を効果的に行え、しかも研摩後には、上記
の接着フイルムの支持体側から光照射することによりウ
エハ表面からの接着フイルムの剥離を極めて容易に行え
る。
明の半導体ウエハの保護方法によれば、ウエハの研摩時
には、感圧性接着フイルムとウエハとを強固に接着させ
ることができるため、ウエハの表面状態にかかわりなく
ウエハの保護を効果的に行え、しかも研摩後には、上記
の接着フイルムの支持体側から光照射することによりウ
エハ表面からの接着フイルムの剥離を極めて容易に行え
る。
また、このように接着フイルムの剥離を容易に行えるの
は、接着フイルムの感圧性接着剤層が光照射により三次
元網状化して凝集力が著しく上昇し、これにともない接
着フイルムの半導体ウエハ表面に対する接着力が大幅に
低下するためであることがわかる。
は、接着フイルムの感圧性接着剤層が光照射により三次
元網状化して凝集力が著しく上昇し、これにともない接
着フイルムの半導体ウエハ表面に対する接着力が大幅に
低下するためであることがわかる。
Claims (4)
- 【請求項１】半導体ウエハの裏面を研摩するにあたり、
このウエハの表面に感圧性接着フイルムを貼り付け、上
記の研摩後この接着フイルムを剥離する半導体ウエハの
保護方法において、上記の感圧性接着フイルムが光透過
性の支持体とこの支持体上に設けられた光照射により硬
化し三次元網状化する性質を有する感圧性接着剤層とか
らなり、研摩後この接着フイルムを剥離する前にこの接
着フイルムに光照射することを特徴とする半導体ウエハ
の保護方法。 - 【請求項２】感圧性接着フイルムが光照射前には半導体
ウエハ表面に対して２００〜１，０００ｇ／２０mmの１
８０゜剥離接着力を有し、光照射後にはこの接着力が１
５０ｇ／２０mm以下となる特許請求の範囲第(1)項記載
の半導体ウエハの保護方法。 - 【請求項３】感圧性接着剤層がベースポリマー１００重
量部、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくと
も２個有する低分子量化合物１〜１００重量部および光
重合開始剤０．１〜５重量部を必須成分として含む感圧
性接着剤組成物を塗工して設けられた特許請求の範囲第
(2)項記載の半導体ウエハの保護方法。 - 【請求項４】感圧性接着剤層が光照射によりそのゲル分
率が５５重量％以上でかつ光照射前のゲル分率の１．４
倍以上となる特許請求の範囲第(3)項記載の半導体ウエ
ハ保護方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047742A JPH0630353B2 (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 半導体ウエハの保護方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59047742A JPH0630353B2 (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 半導体ウエハの保護方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60189938A JPS60189938A (ja) | 1985-09-27 |
| JPH0630353B2 true JPH0630353B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=12783803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59047742A Expired - Lifetime JPH0630353B2 (ja) | 1984-03-12 | 1984-03-12 | 半導体ウエハの保護方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630353B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6469013A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Fujitsu Ltd | Grinding method |
| JP2601956B2 (ja) * | 1991-07-31 | 1997-04-23 | リンテック株式会社 | 再剥離型粘着性ポリマー |
| TW425625B (en) | 1997-11-18 | 2001-03-11 | Mitsui Chemicals Inc | Method of producing semiconductor wafer |
| US6235387B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
| US6159827A (en) * | 1998-04-13 | 2000-12-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Preparation process of semiconductor wafer |
| WO2003081653A1 (fr) | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Mitsui Chemicals, Inc. | Film adhesif sensible a la pression destine a la protection de surface de plaquettes de semi-conducteurs et procede de protection de plaquettes de semi-conducteurs a l'aide de ce film |
| US7935424B2 (en) | 2006-04-06 | 2011-05-03 | Lintec Corporation | Adhesive sheet |
| JP2008060151A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ裏面加工方法、基板裏面加工方法、及び放射線硬化型粘着シート |
| JP2012072367A (ja) * | 2010-08-30 | 2012-04-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱分解性の樹脂組成物および基板 |
| JP2012177084A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-09-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 耐熱仮着用の粘着剤組成物及び粘着テープ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745929A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-16 | Nec Corp | Grinding method for semiconductor wafer |
| JPS5850164A (ja) * | 1981-09-19 | 1983-03-24 | Nippon Steel Corp | 連続鋳造設備 |
| JPS58121644A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエ−ハの厚さの調整方法 |
| JPS5921038A (ja) * | 1982-07-27 | 1984-02-02 | Nec Home Electronics Ltd | ペレツト剥離方法 |
-
1984
- 1984-03-12 JP JP59047742A patent/JPH0630353B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60189938A (ja) | 1985-09-27 |
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