JPH0582868B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野 本発明は、光架橋した表層部を有する感圧性接
着剤層を設けた感圧性接着フイルムからなり、半
導体ウエハ上に感圧性接着剤層成分が残存するこ
とを防止した、回路パターンが形成された半導体
ウエハの裏面を研磨する際に用いられる半導体ウ
エハの保護部材に関する。 従来の技術 半導体ウエハの製造工程においては通常、IC
素子用等の回路パターンの形成工程を終えたウエ
ハはこれをできるだけ薄く、かつ均一厚さにする
ために裏面研磨工程におかれ、例えば厚さ0.5mm
程度のものが0.2〜0.3mm程度のものとされる。 裏面研磨工程においては半導体ウエハが破損し
たり、回路パターン形成面が研磨屑等で汚染ある
いは損傷したりすることを防ぐために、半導体ウ
エハの回路パターン形成面側に予め保護手段が講
じられる。 従来、その保護手段としては、感圧性接着剤か
らなる均質な層を設けた感圧性接着フイルムを貼
着する方式が知られていた。すなわち、該感圧性
接着フイルムを半導体ウエハの回路パターン形成
面側に貼着したのちウエハの裏面を研磨し、研磨
後感圧性接着フイルムを剥離離去するなどの方式
が知られていた。 この感圧性接着フイルムを用いる方式は、それ
までの塗料塗布方式あるいは薄葉シートからなる
スペーサを単に載置する方式が有していたウエハ
の破損防止等に対する保護能力不足の問題を解決
したものであり、保護能力、研磨精度に優れるな
どの利点を有している。 発明が解決しようとする問題点 ところで、前記した感圧性接着フイルムは研磨
後半導体ウエハより離去するものであるため、そ
の感圧性接着剤層の半導体ウエハの回路パターン
形成面側に対する接着力に過不足のないこと、及
び離去後に感圧性接着剤層成分による汚染のない
ことが望まれる。 しかしながら、従来の感圧性接着フイルムでは
感圧性接着剤層成分による半導体ウエハの汚染が
あり、そのため離去後に半導体ウエハを有機溶剤
で洗浄する必要があつた。有機溶剤の使用による
環境衛生や防災上の問題もさりながら、IC素子
等の大量生産体制下における工程数の増加は重要
な問題であつた。 問題点を解決するための手段 本発明は、感圧性接着フイルムにおける感圧性
接着剤層の表層部を光照射により硬化して三次元
網状化したものにより構成することにより、上記
の問題点を克服したものである。 すなわち、本発明は、回路パターンが形成され
た半導体ウエハの裏面を研磨する際にその回路パ
ターンの形成面側に貼着される、三次元網状化し
ていない内部層の上に光照射により硬化して三次
元網状化した表層部を有する感圧性接着剤層と、
これに支持する基材とで構成された感圧性接着フ
イルムからなる半導体ウエハの保護部材を提供す
るものである。 作 用 三次元網状化していない内部層の上に光照射に
より硬化して三次元網状化した表層部を有する感
圧性接着剤層とすることにより、半導体ウエハの
回路パターン形成面側に対する過不足のない接着
力が得られると共に、離去後に洗浄処理を要する
半導体ウエハの感圧性接着剤層成分による汚染を
実質的に防止することができる。また、内部層の
三次元網状化していない感圧性接着剤層の緩衝作
用に基づく半導体ウエハ保護機能も発現する。 なお、光照射により硬化して三次元網状化した
表層部を設けることにより半導体ウエハの汚染が
防止される理由は明らかでないが、感圧性接着剤
層中の表面移行しやすくて半導体ウエハ表面に転
着しやすい成分が表層部でその移行が遮られるこ
とによるもの、と本発明者らは考えている。 発明の構成要素の例示 本発明の半導体ウエハの保護部材としての感圧
性接着フイルムは、三次元網状化していない内部
層の上に、光照射により硬化して三次元網状化し
た表層部を有する感圧性接着剤層と、この感圧性
接着剤層を支持する基材からなる。 感圧性接着剤層における光照射により硬化して
三次元網状化した表層部の形成方式としては、例
えば表層形成材を別途に調製してこれを内部層に
相当する感圧性接着剤層の上に塗布して形成する
方式、光重合開始剤を感圧性接着剤層の表面より
塗布してその表層部を光架橋性に改質させて形成
する方式などをあげることができる。その際、三
次元網状化させるための光照射による硬化処理に
は一般に、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプな
どが用いられる。また、その硬化処理としては波
長180〜460nｍの光を５〜30cm離れた所より２〜
60秒間照射することで通常の場合充分である。 なお、表層部を形成するための光照射前におけ
る表層形成材の塗布層等の層厚は通常の場合0.1
〜5μｍで充分である。 本発明における感圧性接着剤層の三次元網状化
していない内部層を形成するための感圧性接着剤
については特に限定はなく、例えば天然ゴム、ポ
リイソブチレン、イソプレン、アクリル酸エステ
ルなどで代表される化合物を主成分とする合成ゴ
ム、合成樹脂等をベースポリマとするものなど公
知のものが用いられる。 本発明における感圧性接着剤層の表層部を形成
するための表層形成材としては、例えば前記した
ベースポリマ100重量部あたり分子中に炭素−炭
素二重結合を少なくとも２個有する低分子量化合
物を１〜100重量部、光重合開始剤を0.1〜５重量
部含有する組成物、あるいは分子中に炭素−炭素
二重結合を少なくとも２個有する低分子量化合物
100重量部あたり光重合開始剤を0.05〜５重量部
含有する組成物などをあげることができる。 上記した表層形成材における低分子量化合物又
は光重合開始剤の含有量が過少であると、形成さ
れる表層部の三次元網状化が不充分となつて満足
できる感圧性接着剤層成分の残存防止効果が得ら
れないし、過多であると形成される表層部の三次
元網状化が過度となつて半導体ウエハに対する接
着力不足になると共に、裏面研磨時における半導
体ウエハ保護機能が低下することとなつて好まし
くない。 前記表層形成材における分子中に炭素−炭素二
重結合を少なくとも２個有する低分子量化合物と
しては、その分子量が約10000程度以下のものが
一般に用いられる。就中、分子量が5000以下で分
子中の光重合性炭素−炭素二重結合の数が２〜６
個のものが、光照射による三次元網状化を効率よ
く行いうるので好ましく用いられる。好ましい低
分子量化合物の具体例としては、トリメチロール
プロパントリアクリレート、テトラメチロールメ
タンテトラアクリレート、ペンタエリスリトール
トリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ
アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒド
ロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリト
ールヘキサアクリレートなどをあげることがで
き、その他の低分子量化合物として１，４−ブチ
レングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサ
ンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコ
ールジアクリレート、オリゴエステルアクリレー
トなどをあげることができる。 光重合開始剤としては、例えばイソプロピルベ
ンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテ
ル、ベンゾフエノン、ミヒラー氏ケトン、クロロ
チオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメ
チルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、
アセトフエノンジエチルケタール、ベンジルジメ
チルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフ
エニルケトン、２−ヒドロキシメチルフエニルプ
ロパンなどをあげることができる。 なお、低分子量化合物又は光重合開始剤は単独
で使用してもよいし、２種以上を併用してもよ
い。 また、トリエチルアミン、テトラエチルペンタ
ミン、ジメチルアミノエタノールなどのアミン化
合物で代表される光重合促進剤を併用してもよ
い。 他方、感圧性接着剤層に塗布する光重合開始剤
としては上記したものと同様のものを用いること
ができる。 本発明において感圧性接着剤層を支持するため
の基材としては、半導体ウエハの汚染に関与しな
いものが用いられる。具体的にはポリエチレン、
ポリプロピレンのようなポリオレフイン類、ポリ
エチレンテレフタレートのようなポリエステル類
などからなるフイルムないしシートのような薄葉
体が一般に用いられる。 なお、本発明の保護部材においては感圧性接着
剤層の厚さ１〜500μｍ、基材の厚さ20〜500μｍ
のものが一般である。 発明の効果 本発明によれば、三次元網状化していない内部
層の上に光照射により硬化して三次元網状化した
表層部を有する感圧性接着剤層を設けた感圧性接
着フイルムで保護部材を構成したので半導体ウエ
ハに対して充分な接着力を有し、しかも半導体ウ
エハ上に感圧性接着剤層成分を実質的に残存させ
ないで容易に剥離離去できるものとすることがで
き、緩衝能力に優れるものとすることができる。 その結果、保護部材を離去したのちに半導体ウ
エハを洗浄処理する必要がなく、しかも破損、損
傷等を与えるこなく半導体ウエハの裏面研磨処理
を高い研磨精度で、かつ効率よく行うことができ
る。 実施例 以下、部は重量部を意味する。 実施例 １ アクリル酸ブチル 80部 アクリロニトリル 15部 アクリル酸 ５部 酢酸エチル 200部 上記組成の混合物にベンゾイルパーオキシド１
部を加え、溶液重合させて得られた重量平均分子
量約300000のアクリルゴム(A)100部にジイソシア
ネート系架橋剤（アクリルゴムの分子量増量剤）
５部を加えて感圧性接着剤組成物を得た。 次に、得られた該組成物を厚さ50μｍのポリエ
ステルフイルム上に塗布し、これを乾燥（130℃
×２分）させて合計厚さ90μｍの感圧性接着フイ
ルムベースを得た。 一方、 アクリルゴム(A) 100部 トリメチロールプロパントリアクリレート 50部 ベンジルジメチルケタール １部 上記の組成からなる表層形成材を調製し、これ
を前記の感圧性接着フイルムベースにおける感圧
性接着剤層の上に塗布し乾燥させて厚さ1μｍの
層としたのち、80W／cmの高圧水銀ランプを10cm
の距離から５秒間照射して硬化により三次元網状
化した表層部を有する感圧性接着フイルムを得
た。 実施例 ２ 表層形成材として下記の組成物を用いたほかは
実施例１に準じて感圧性接着フイルムを得た。 ペンタエリスリトールトリアクリレート 100部 ベンジルジメチルケタール １部 実施例 ３ 表層形成材を用いずにベンジルジメチルケター
ルの0.1重量％酢酸エチル溶液を感圧性接着フイ
ルムベースにおける感圧性接着剤層の上面より塗
布したのち、実施例１に準じ光照射処理しても感
圧性接着フイルムを得た。 実施例 ４ アクリルゴム(A)に代えてポリイソブチレンを用
いた感圧性接着剤及び表層形成材を調製し、これ
らを用いて実施例１に準じ感圧性接着フイルムを
得た。 比較例 １ 実施例１における感圧性接着フイルムベースを
そのまま感圧性接着フイルムとして用いた。 比較例 ２ 実施例４における感圧性接着フイルムベースを
そのまま感圧性接着フイルムとして用いた。 適用試験 実施例、比較例で得た感圧性接着フイルムを、
IC回路パターンが形成された直径５インチ、厚
さ0.5mmの半導体ウエハの回路パターン形成面側
に貼着したのち常法により半導体ウエハの裏面研
磨処理を行い、厚さ0.25mmの半導体ウエハとした
のち、研磨処理を終えた半導体ウエハより感圧性
接着フイルムを剥離離去した。 そして、剥離離去後の半導体ウエハの感圧性接
着フイルムを貼着した面における汚染状態を異物
検出機により調べた。結果を表に示した。 なお、表中の〇、△、×は下記の状態を意味す
る。 〇：感圧性接着フイルムを貼着する前の半導体ウ
エハの汚染程度と同じか貼着前以上に清浄な状
態。 △：感圧性接着フイルムを貼着する前の半導体ウ
エハの汚染程度よりも若干汚染程度が高い状
態。 ×：感圧性接着フイルムを貼着する前の半導体ウ
エハの汚染程度よりも著しく汚染程度が高い状
態。 また、表中の接着力はSUS304 BA仕上げステ
ンレス板に対する180度ピール試験（引張速度：
300mm／分）における測定値である。

【表】 表より、本発明の保護部材においては感圧性接
着剤層成分の移行等による半導体ウエハの汚染が
実質的にないことがわかる。 なお、研磨処理による半導体ウエハの破損、回
路パターン形成面の損傷なども認められなかつた
し、半導体ウエハと感圧性接着フイルムの間への
洗浄水の浸入も認められなかつた。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 回路パターンが形成された半導体ウエハの裏
   面を研磨する際にその回路パターンの形成面側に
   貼着される、三次元網状化していない内部層の上
   に光照射により硬化して三次元網状化した表層部
   を有する感圧性接着剤層と、これを支持する基材
   とで構成された感圧性接着フイルムからなる半導
   体ウエハの保護部材。 ２ 表層部が光照射により硬化して三次元網状化
   する表層形成材の厚さ0.1〜5μｍの塗布層の硬化
   処理層からなるものである特許請求の範囲第１項
   記載の保護部材。 ３ 表層形成材が感圧性接着剤層の内部層におけ
   るベースポリマと同じポリマ100重量部、分子中
   に炭素−炭素二重結合を少なくとも２固有する低
   分子量化合物10〜100重量部及び光重合開始剤0.1
   〜５重量部を含有する組成物からなるものである
   特許請求の範囲第２項記載の保護部材。 ４ 表層形成材が分子中に炭素−炭素二重結合を
   少なくとも２固有する低分子量化合物100重量部
   及び光重合開始剤0.05〜５重量部を含有する組成
   物からなるものである特許請求の範囲第２項記載
   の保護部材。 ５ 表層部が感圧性接着剤層の表面に光重合開始
   剤を塗布し、これを光照射により硬化処理して三
   次元網状化させたものである特許請求の範囲第１
   項記載の保護部材。