JPS62101677A - 半導体ウエハの保護部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光架橋した表層部を有する感圧性接着剤層を
設けた感圧性接着フィルムがらなり、半導体ウェハ上に
感圧性接着剤層成分が残存することを防＋ｈ　Ｌ、た、
回路パターンが形成された半導体ウェハの裏面を研磨す
る際に用いられる半導体ウェハの保護部材に関する。

従来の技６れト ’４Ｌ　；Ｗ　トム・＾〒７、／Ｉｓ　Ｊｌｌｌ　Ｊム
Ｔ−ｆｎ　Ｉ−十・ｒ　、　フｌ謙：吊尋Ｉ　／’素子
用等の回路パターンの形成工程を終えたウェハはこれを
できるだけ薄く、かつ均一厚さにするために裏面研磨工
程におかれ、例えば厚さ０．５ｎ＋ｍ程度のものか０．
２〜０　、３　ｍｍ程度のものとされる。

裏面研磨工程においては半導体ウエノ＼が破損したり、
回路パターン形成面が研摩屑等で汚染あるいは損傷した
りすることを防ぐために、半導体ウェハの回路パターン
形成面側に予め保護子“段が講じられる。

従来、その保護手段としては、感圧性接着剤からなる均
質な層を設けた感圧性接着フィルムを貼着する方式が知
られていた。すなわち、該感圧性接着フィルムを半導体
ウェハの回路パターン形成面側に貼着したのちウェハの
裏面を研磨し、研磨後感圧性接着フィルムを剥離離去す
るなどの方式％式％ この感圧性接着フィルｔ１を用いる方式は、それまでの
塗料塗布方式あるいは薄葉シートからなるスペーサを単
に載置する方式が有していたウェハの破１′ｕ防由等に
対する保護能力不足の問題を解決したものであり、保護
能力、研磨精度に優れるなどの利点を有している。

発明が解決しようとする問題点 ところで、前記した感圧性接着フィルムは研磨　　。

後半導体ウェハより離去するものであるため、その感圧
性接着剤層の半導体ウェハの回路パターン形成面側に対
する接着力に過不足のないこと、及び離去後に感圧性接
着剤層成分による汚染のないことが望まれる。

しかしながら、従来の感圧性接着フィルムでは感圧性接
着剤層成分による半導体ウェハの汚染があり、そのため
離去後に半導体ウェハを有機溶剤で洗浄する必要があっ
た。有機溶剤の使用による環境衛生や防災上の問題もさ
りながら、ＩＣ素子等の大量生産体制下における工程数
の増加は重要な問題であった。

問題点を解決するための手段 本発明は、感圧性接着フィルムにおける感圧性接着剤層
の表層部を光照射により硬化して三次元網状化したもの
により構成することにより、上記の問題点を克服したも
のである。

すなわち、本発明は、回路パターンが形成された半導体
ウェハの裏面を研磨する際にその回路パターンの形成面
側に貼着される、光照射により硬化して三次元網状化し
た表層部を有する感圧性接着剤層と、これを支持する基
材とで構成された感圧性接着フィルムからなる半導体ウ
ェハの保護部材を提供するものである。

作　　用 光Ｈｑ射により硬化して三次元網状化した表層部を有す
る感圧性接着剤層とすることにより、半導体ウェハの回
路パターン形成面側に対する過不足のない接着力が得ら
れると共に、離去後に洗浄処理を要する半導体ウェハの
感圧性接着剤層成分によるＭ染を実質的に防止すること
ができる。また、内部層の三次元網状化していない感圧
性接着剤層の緩衝作用に基づく半導体ウェハ保護機能も
発現ｄろ。

なお、光照射により硬化して三次元網状化した：ｌ；１
ｍ、’＋ｕ？Ｊａ＋ＪＬ１＋＋−１＋Ｌｊ＊Ｈ７：書Ｔ
ｊ４−ｒ”ｙγｒ−、ｌＴ１、；：２−；；？ｈＪ＋シ
防止される理由は明らかでないが、感圧性接着剤層中の
表面移行しやすくて半導体ウェハ表面に転着しやすい成
分が表層部でその移行が遮られることによるもの、と本
発明者らは考えている。

発明の構成要素の例示 本発明の半導体ウェハの保護部材としての感圧性接着フ
ィルムは、光照射により硬化して三次元網状化した表層
部を有する感圧性接着剤層と、この感圧性接着剤層を支
持する基材からなる。

感圧性接着剤層における光照射により硬化して三次元網
状化した表層部の形成方式としては、例えば表層形成材
を別途に調製してこれを内部層に相当する感圧性接着剤
層の上に塗布して形成する方式、光重合開始剤を感圧性
接着剤層の表面より塗布してその表層部を光架橋性に改
質させて形成する方式などをあげることができる。その
際、三次元網状化させるための光照射による硬化処理に
は一般に、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプなとが用
いられる。また、その硬化処理としては波長１８０〜４
６０　ｎ　ｍの光を５〜３０ｃｍ離れた所より２〜６０
秒間照射することで通常の場合充分である。

なお、表層部を形成するための光照射前における表層形
成材の塗布層等の層厚は通常の場合０．１〜５　μｍて
充分である。

本発明における感圧性接着剤層の内部層を形成″、：ｌ
−るための感圧性接着剤については特に限定はなく、例
えば天然ゴム、ポリイソブチレン、イソプレン、アクリ
ル酸エステルなとで代表される化合物を主成分とする合
成ゴム、合成樹脂等をベースポリマとするｔ）のなと公
知のものが用いられろ。

本発明におけろ感圧性接着剤層の表層部を形成するため
の表層形成材としては、例えば前記したベースポリマ１
００重量部あたり分子中に炭素−炭素二重結合を少なく
と＜）２個有する低分子量化合物を１０〜１００重量部
、光重合開始剤を０．１〜５重量部含有する組成物、あ
るいは分子中に炭素−炭素二重結合を少なくとも２個有
する低分子量化合物１（１０重Ｆｌｒ部あたり光重合開
始剤を０．０５〜５重着部含へする組成物なとをあげる
ことができる。

ヒｉｉＴ、’、　Ｌ／た表層形成材における低分子量化
合物又は光重合開始剤の含有機が過少であると、形成さ
れる表層部の三次元網状化が不充分となって、ゐ１足で
きる感圧性接着剤層成分の残存防止効果が得られないし
、過多であると形成されろ表層部の三次元網状化が過度
となって半導体１クエハに対する接着力不足になると共
に、裏面研磨時における半導体ウェハ保護機能が低下す
ることとなって好ましくない。

前記表層形成材における分子中に炭素−炭素二重結合を
少な（とも２個有する低分子量化合物としては、その分
子量が約１０，０００程度以下のものが一般に用いられ
る。就中、分子量が５，０００以下で分子中の光重合性
炭素−炭素二重結合の数が２〜０個のものが、光照射に
よる三次元網状化を効率よく行いうるので好ましく用い
られる。好ましい低分子酸化合物の具体例としては、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロ
ールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトール
トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレ
ート、ジペンタエリスリドールモノヒトロキシペンタア
クリレート、ジペンタエリスリトールへキサアクリレー
トなとをあげることができ、その他の低分子量化合物と
して１．４−ブチレングリコールジアクリレート、１．
６−ヘキサンシオールシアクリレート、ポリエチレング
リコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート
なとをあげることができる。

光重合開始剤としては、例えばイソプロビルヘンジイン
エーテル、イツブチルベンゾインエーテル、ベンツフェ
ノン、ミヒラー氏ケトン、クロ「Ｉチオキサン（・ン、
ドデシルヂオギサントン、ジメチルチオキサントン、ジ
エチルチオキサントン、アー４５　トフーノンシエチル
ケタール、ヘンシルジメチル′γタール、α−ヒドロキ
シシクロへキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチ
ルフェニルプロパンなどをあげることができる。

なお、低分子量化合物又は光重合開始剤は単独で使用し
てもよいし、２種以上を併用してもよい。

また、トリエチルアミン、テトラエチルペンタミン、ジ
メチルアミノエタノールなどのアミン化合物で代表され
る光重合促進剤を併用してｔ）よい。

他方、感圧性接着剤層に塗布する）セ重合開始剤として
は上記したものと同様の４）のを用いることができる。

本発明において感圧性接着剤層を支持するための基材と
しては、半導体ウェハの汚染に関与しないものが用いら
れる。具体的にはポリエチレン、ポリプロピレンの、よ
うなポリオレフィン頚、ポリエチレンテレフタレートの
ようなポリエステル類などからなるフィルムないしシー
トのような薄葉体が一般に用いられる。

なお、本発明の保護部材においては感圧性接着剤層の厚
さ１〜５００μｍ１基材の厚さ２０〜５００　μｍのら
のが一般である。

発明の効果 本発明によれば、光翌射により硬化して三次元網状化し
た表層部を有する感圧性接着剤層を設けた感圧性接着フ
ィルムで保護部材を構成したので半導体ウェハに対して
充分な接着力を有し、しがち半導体つＬハ上に感圧性接
着剤層成分を実盲的に残存させないで容易に剥離離去で
きるものとすることができ、緩衝能力に優れるものとす
ることができる。

その結果、保護部材を離去したのちに半導体ウェハを洗
浄処理する必要がなく、シかも破損、損傷等を与えるこ
となく半導体ウェハの裏面研磨処理を高い研磨精度で、
かつ効率よく行うことができる。

実施例 以下、部は重量部を意味する。

実施例１ アクリル酸ブチル　　８０部 アクリロニトリル　　１５部 アクリル酸　　　　　５部 酢酸エチル　　　　２００部 上記組成の混合物にベンゾイルパーオキシド１部を加え
、溶液重合させて得られた重量平均分子啼杓３０（１，
０００のアクリルゴム（Ａ　）　１００部にジイソシア
ネート系架橋剤５部を加えて感圧性接着剤組成物を得た
。

次に、得られた該組成物を厚さ５０μｍのポリエステル
フィルム上に塗布し、これを乾燥（１３０℃×２分）さ
せて合計厚さ９０部ｍの感圧性接着フィルムベースを得
た。

一方、 アクリルゴム（Ａ）　　　　　　１００部トリメチロー
ルプロパン トリアクリレート　　　　　　　５０部ベンジルジメチ
ルケクール　　１部 上記の組成からなる表層形成材を調製し、これを前記の
感圧性接着フィルムベースにおける感圧性接着剤層の上
に塗布し乾燥させて厚さｌ　μｍの層としたのち、８０
Ｗ／ｃｍの高圧水銀ランプを１０ｃｍの距離から５秒間
照射して硬化により三次元網状化した表層部を有する感
圧性接着フィルムを得た。

実施例２ 表層形成材として下記の組成物を用いたはケは実施例１
に準じて感圧性接着フィルムを得た。

ペンタエリスリトール トリアクリレート　　　　　　１００部ベンジルジメチ
ルケクール　　１部 実施例３ 表層形成材を用いずにベンジルジメチルケタールの０．
１重着％酢酸エチル溶液を感圧性接着フィルムベースに
おける感圧性接着剤層の上面より塗布したのち、実施例
■に準じ光照射処理して感圧性接着フィルムを得た。

実施例４ アクリルゴム（Ａ＞に代えてポリイソブチレンを用いた
感圧性接着剤及び表層形成材を調製し、これらを用いて
実施例１に準じ感圧性接着フィルムを得た。

比較例１ 実施例Ｉにおける感圧性接着フィルムベースをそのまま
感圧性接着フィルムとして用いた。

比較例２ 実施例４における感圧性接着フィルムベースをそのまま
感圧性接着フィルムとして用いた。

濃用試験 寞怖例−１：ｌ−較例で温を一鵡庄牲培妥フィルムを、
ＩＣ回路パターンが形成された直径５インチ、厚さ０　
、５　ｍｍの半導体ウェハの回路パターン形成面側に貼
着したのち常法により半導体ウェハの裏面研磨処理を行
い、厚さ０．２５ｍｍの半導体ウェハとしたのち、研磨
処理を終えた半導体ウェハより感圧性接着フィルムを剥
離離去した。

そして、剥離離去後の半導体ウェハの感圧性接着フィル
ムを貼着した面における汚染状態を異物検出機により調
べた。結果を表に示した。

なお、表中の０１△、×は下記の状態を意味する。

○：感圧性接着フィルムを貼着する前の半導体ウェハの
汚染程度と同じか貼着前以上に清浄な状態。

△：感圧性接着フィルムを貼着する前の半導体ウェハの
汚染程度よりｔ）若干汚染程度が高い状態。

×：感圧性接着フィルムを貼着する前の半導体ウェハの
汚染程度よりも著しく汚染程度が高い状態。

また、表中の接着力は５ＵＳ３０４　　ＢＡ仕上げステ
ンレス仮に対する１８０度ビール試験（引張速度：３０
０ｍｍ　／分）における測定値である。

表よ０、本発明の保護部材においては感圧性接着剤層成
分の移行等による半導体ウェハの汚染が実′ｄ的にない
ことがわかる。

なお、研磨処理による半導体ウェハの破損、回路パター
ン形成面の損傷なども認められなかったし、半導体ウェ
ハと感圧性接着フィルムの間への洗浄水の浸入も認めら
れなかった。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、回路パターンが形成された半導体ウエハの裏面を研
   磨する際にその回路パターンの形成面側に貼着される、
   光照射により硬化して三次元網状化した表層部を有する
   感圧性接着剤層と、これを支持する基材とで構成された
   感圧性接着フィルムからなる半導体ウエハの保護部材。 ２、表層部が光照射により硬化して三次元網状化する表
   層形成材の厚さ０．１〜５μｍの塗布層の硬化処理層か
   らなるものである特許請求の範囲第１項記載の保護部材
   。 ３、表層形成材が感圧性接着剤層の内部層におけるベー
   スポリマと同じポリマ１００重量部、分子中に炭素−炭
   素二重結合を少なくとも、２個有する低分子量化合物１
   ０〜１００重量部及び光重合開始剤０．１〜５重量部の
   含有組成物からなるものである特許請求の範囲第２項記
   載の保護部材。 ４、表層形成材が分子中に炭素−炭素二重結合を少なく
   とも２個有する低分子量化合物１００重量部及び光重合
   開始剤０．０５〜５重量部の含有組成物からなるもので
   ある特許請求の範囲第２項記載の保護部材。 ５、表層部が感圧性接着剤層の表面に光重合開始剤を塗
   布し、これを光照射により硬化処理して三次元網状化さ
   せたものである特許請求の範囲第１項記載の保護部材。