JPH098111A - 半導体ウエハ固定用粘着テープ - Google Patents
半導体ウエハ固定用粘着テープInfo
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- JPH098111A JPH098111A JP17557195A JP17557195A JPH098111A JP H098111 A JPH098111 A JP H098111A JP 17557195 A JP17557195 A JP 17557195A JP 17557195 A JP17557195 A JP 17557195A JP H098111 A JPH098111 A JP H098111A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フルカットダイシング方式において切削屑の
半導体ウエハ表面への残留を防止しうるダイシング用粘
着テープを提供する。 【構成】 ＪＩＳ Ｋ ７２１０「熱可塑性プラスチッ
クの流れ試験方法」に示される試験方法における試験温
度１９０℃、試験荷重２１．１８ＮによるＭＦＲが３以
下で、かつ重合体の構成成分としてカルボキシル基（−
ＣＯＯＨ）を有する構成成分を含む樹脂層Ｂと粘着剤層
Ａとが積層されてなる半導体ウエハ固定用粘着テープ。
半導体ウエハ表面への残留を防止しうるダイシング用粘
着テープを提供する。 【構成】 ＪＩＳ Ｋ ７２１０「熱可塑性プラスチッ
クの流れ試験方法」に示される試験方法における試験温
度１９０℃、試験荷重２１．１８ＮによるＭＦＲが３以
下で、かつ重合体の構成成分としてカルボキシル基（−
ＣＯＯＨ）を有する構成成分を含む樹脂層Ｂと粘着剤層
Ａとが積層されてなる半導体ウエハ固定用粘着テープ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種半導体を製造する
工程において使用する粘着テープに関する。さらに詳し
くいえば、例えば、パターンを形成した半導体ウエハを
一つ一つのパターン毎に切断し、素子として分割する
際、半導体ウエハを固定するのに使用する半導体ウエハ
固定用の粘着テープに関するものである。
工程において使用する粘着テープに関する。さらに詳し
くいえば、例えば、パターンを形成した半導体ウエハを
一つ一つのパターン毎に切断し、素子として分割する
際、半導体ウエハを固定するのに使用する半導体ウエハ
固定用の粘着テープに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】回路パターンの形成された半導体ウエハ
を素子小片に切断分離するダイシング加工には、回転丸
刃により半導体ウエハのみを切断するセミ・フルカット
方式と、半導体ウエハを固定するためにウエハの裏面に
貼合したウエハ固定用テープの一部まで切り込むフルカ
ット方式とがある。半導体ウエハダイシング時のダイシ
ング条件はウエハの品種により適切な条件が設定されて
いるが、例えば、６インチ径２００μｍ厚さの４ＭＢ−
ＤＲＡＭウエハは、回転丸刃の周速度約１００ｍ／秒、
切削速度１００ｍｍ／秒、半導体ウエハ固定用粘着テー
プへの切り込み深さ３０μｍ、切削水（冷却水）の供給
量２０ｃｃ／秒でフルカットダイシングされる。ウエハ
固定用粘着テープには、半導体ウエハ切断時の素子小片
固定力と、素子小片を１つ１つ実装する際の易剥離性と
の２つの性能が要求されており、これに対応するものと
して近年特開平０１−２４９８７７号に開示されたよう
な放射線硬化性粘着テープが用いられるようになってき
ている。フルカットダイシング方式は、半導体製造工程
の省力化と半導体品質の向上を目的として、放射線硬化
性粘着テープの出現と相まって、広く用いられるように
なってきた。しかし、半導体ウエハの集積度の上昇に伴
ない、ウエハ表面の残留物管理に対する要求水準が厳し
くなり、フルカットダイシング時に発生する切削屑のウ
エハ表面への残留が対処すべき問題となりつつある。従
来、セミフルカット方式で発生する切削屑は成分がウエ
ハの粉だけであるため、洗浄水により容易に除去され半
導体ウエハ不良の原因となることはなかった。しかし、
フルカットダイシング方式で発生する切削屑として、ウ
エハ屑の他にウエハ固定用粘着テープが切削時に溶融・
延伸された糸状の屑が発生し、この切削屑がウエハ表面
の凹凸に引っかかり残留する問題が発生している。この
ような問題を解決するために、特開平５−１５６２１４
号、特開平５−２１１２３４号に開示された技術が提案
されているが、上記のような半導体ウエハについての残
留物管理に対する厳しい要求には、まだ十分対応しきれ
ていない。
を素子小片に切断分離するダイシング加工には、回転丸
刃により半導体ウエハのみを切断するセミ・フルカット
方式と、半導体ウエハを固定するためにウエハの裏面に
貼合したウエハ固定用テープの一部まで切り込むフルカ
ット方式とがある。半導体ウエハダイシング時のダイシ
ング条件はウエハの品種により適切な条件が設定されて
いるが、例えば、６インチ径２００μｍ厚さの４ＭＢ−
ＤＲＡＭウエハは、回転丸刃の周速度約１００ｍ／秒、
切削速度１００ｍｍ／秒、半導体ウエハ固定用粘着テー
プへの切り込み深さ３０μｍ、切削水（冷却水）の供給
量２０ｃｃ／秒でフルカットダイシングされる。ウエハ
固定用粘着テープには、半導体ウエハ切断時の素子小片
固定力と、素子小片を１つ１つ実装する際の易剥離性と
の２つの性能が要求されており、これに対応するものと
して近年特開平０１−２４９８７７号に開示されたよう
な放射線硬化性粘着テープが用いられるようになってき
ている。フルカットダイシング方式は、半導体製造工程
の省力化と半導体品質の向上を目的として、放射線硬化
性粘着テープの出現と相まって、広く用いられるように
なってきた。しかし、半導体ウエハの集積度の上昇に伴
ない、ウエハ表面の残留物管理に対する要求水準が厳し
くなり、フルカットダイシング時に発生する切削屑のウ
エハ表面への残留が対処すべき問題となりつつある。従
来、セミフルカット方式で発生する切削屑は成分がウエ
ハの粉だけであるため、洗浄水により容易に除去され半
導体ウエハ不良の原因となることはなかった。しかし、
フルカットダイシング方式で発生する切削屑として、ウ
エハ屑の他にウエハ固定用粘着テープが切削時に溶融・
延伸された糸状の屑が発生し、この切削屑がウエハ表面
の凹凸に引っかかり残留する問題が発生している。この
ような問題を解決するために、特開平５−１５６２１４
号、特開平５−２１１２３４号に開示された技術が提案
されているが、上記のような半導体ウエハについての残
留物管理に対する厳しい要求には、まだ十分対応しきれ
ていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決した半導体ウエハ固定用粘着テープを提供する
ことを目的とする。すなわち、本発明はフルカットダイ
シング方式においても切削屑の半導体ウエハ表面への残
留を防止しうるウエハ固定用粘着テープを提供するもの
である。
点を解決した半導体ウエハ固定用粘着テープを提供する
ことを目的とする。すなわち、本発明はフルカットダイ
シング方式においても切削屑の半導体ウエハ表面への残
留を防止しうるウエハ固定用粘着テープを提供するもの
である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために研究を重ねた結果、半導体ウエハ
ダイシング時に発生する切削屑が細長い糸状になるた
め、半導体ウエハ表面の凹凸に引っかかりやすくなるこ
と、さらに、回転丸刃が半導体ウエハを切削する時に
発生する熱により、ウエハとともに切削されるウエハ固
定用テープの構成樹脂が溶融状態になり、回転丸刃の回
転により糸状に延伸されることを見い出した。そして、
さらに鋭意研究を進めた結果、ウエハ固定用テープのベ
ースの樹脂層に特定の重合体を用いることにより、半導
体ウエハダイシング時に発生する切削屑が糸状となら
ず、ウエハ表面における残留を効果的に防止できること
を見い出し、この知見に基づき本発明を完成するに至っ
た。
的を達成するために研究を重ねた結果、半導体ウエハ
ダイシング時に発生する切削屑が細長い糸状になるた
め、半導体ウエハ表面の凹凸に引っかかりやすくなるこ
と、さらに、回転丸刃が半導体ウエハを切削する時に
発生する熱により、ウエハとともに切削されるウエハ固
定用テープの構成樹脂が溶融状態になり、回転丸刃の回
転により糸状に延伸されることを見い出した。そして、
さらに鋭意研究を進めた結果、ウエハ固定用テープのベ
ースの樹脂層に特定の重合体を用いることにより、半導
体ウエハダイシング時に発生する切削屑が糸状となら
ず、ウエハ表面における残留を効果的に防止できること
を見い出し、この知見に基づき本発明を完成するに至っ
た。
【０００５】すなわち本発明は、（１）ＪＩＳ Ｋ ７
２１０「熱可塑性プラスチックの流れ試験方法」に示さ
れる試験方法における試験温度１９０℃、試験荷重２
１．１８ＮによるＭＦＲが３以下で、かつ重合体の構成
成分としてカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を有する構成
成分を含む樹脂層Ｂと粘着剤層Ａとが積層されてなるこ
とを特徴とする半導体ウエハ固定用粘着テープ、（２）
樹脂層Ｂの樹脂が主に、エチレン、（メタ）アクリル酸
及び（メタ）アクリル酸アルキルエステルを重合体の構
成成分とする、３元共重合体であることを特徴とする
（１）項記載の半導体ウエハ固定用粘着テープ、（３）
樹脂層Ｂが、前記３元共重合体を金属イオンで架橋した
アイオノマー樹脂を主成分とすることを特徴とする
（２）項記載の半導体ウエハ固定用粘着テープ、（４）
前記樹脂層Ｂと粘着剤層Ａの間に厚さ２０μｍ以下でか
つＤＳＣ測定による融点が１００℃以上の樹脂層Ｂ−１
があり、粘着剤層Ａと樹脂層Ｂ−１の厚さの和が２０μ
ｍ以下であることを特徴とする（１）、（２）又は
（３）項記載の半導体ウエハ固定用粘着テープ、及び
（５）半導体ウエハ固定用粘着テープにおける樹脂層Ｂ
に１０μｍ以上回転丸刃が切り込むことを特徴とする、
（１）、（２）、（３）又は（４）項記載の半導体ウエ
ハ固定用粘着テープを用いた半導体ウエハのフルカット
ダイシング方法を提供するものである。
２１０「熱可塑性プラスチックの流れ試験方法」に示さ
れる試験方法における試験温度１９０℃、試験荷重２
１．１８ＮによるＭＦＲが３以下で、かつ重合体の構成
成分としてカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）を有する構成
成分を含む樹脂層Ｂと粘着剤層Ａとが積層されてなるこ
とを特徴とする半導体ウエハ固定用粘着テープ、（２）
樹脂層Ｂの樹脂が主に、エチレン、（メタ）アクリル酸
及び（メタ）アクリル酸アルキルエステルを重合体の構
成成分とする、３元共重合体であることを特徴とする
（１）項記載の半導体ウエハ固定用粘着テープ、（３）
樹脂層Ｂが、前記３元共重合体を金属イオンで架橋した
アイオノマー樹脂を主成分とすることを特徴とする
（２）項記載の半導体ウエハ固定用粘着テープ、（４）
前記樹脂層Ｂと粘着剤層Ａの間に厚さ２０μｍ以下でか
つＤＳＣ測定による融点が１００℃以上の樹脂層Ｂ−１
があり、粘着剤層Ａと樹脂層Ｂ−１の厚さの和が２０μ
ｍ以下であることを特徴とする（１）、（２）又は
（３）項記載の半導体ウエハ固定用粘着テープ、及び
（５）半導体ウエハ固定用粘着テープにおける樹脂層Ｂ
に１０μｍ以上回転丸刃が切り込むことを特徴とする、
（１）、（２）、（３）又は（４）項記載の半導体ウエ
ハ固定用粘着テープを用いた半導体ウエハのフルカット
ダイシング方法を提供するものである。
【０００６】以下に本発明を詳細に説明する。半導体ウ
エハダイシング時には、回転丸刃がウエハを切削する時
に発生する熱を冷却しかつウエハ表面を洗浄するため
に、ウエハ表面の切削点に切削水が供給されるが、被切
削物はウエハの切削熱により、切削水の沸点の１００℃
近くまで上昇する。また、ウエハ固定用粘着テープへの
回転丸刃の切り込み深さが深い場合、切削水の供給は不
十分となり、概略テープ厚さの表面２０μｍ程度までし
か十分な冷却効果は期待できず、それ以上の深さの部分
では切削水の供給量不足により被切削物の温度が１００
℃以上まで上昇することがある。このため、従来のウエ
ハ固定用粘着テープでは、基材フィルムの樹脂が切削時
に溶融・延伸され、糸状の切削屑が発生していた。本発
明のウエハ固定用粘着テープは、このような高温状態に
おける糸状の切削屑の発生を防止する。本発明のウエハ
固定用粘着テープの一実施態様は、図１に示される。同
図は粘着テープの縦断面図であり、１の粘着剤層Ａと２
の樹脂層Ｂが積層されている。樹脂層Ｂが、ＭＦＲが３
以下の樹脂で、かつ、重合体構成成分としてカルボキシ
ル基を有するものを含む樹脂であることを特徴としてい
る。この樹脂層は、ウエハダイシング時に、樹脂層Ｂの
樹脂が切削熱により溶融状態になっても、その溶融粘度
は樹脂のＭＦＲが３以下であることから非常に高粘度で
あり、かつカルボキシル基を含有するため切削水との親
和性が良い。この結果切削屑は回転丸刃により引き伸ば
されるとき細かく切断されやすく、細長く引き伸ばされ
ることがないため、糸状の切削屑の発生を防止すること
ができると考えられる。ここでカルボキシル基の含有量
としては、樹脂層Ｂの主構成樹脂１００質量部に対し、
重合体構成成分としてカルボキシル基を有する成分（例
えばＭＡＡ：メタクリル酸コモノマー）として５重量部
以上、より好ましくは８重量部以上２０以下が適当であ
る。また、樹脂層Ｂに用いられる樹脂の前記のＭＦＲ
は、好ましくは０．１〜３である。
エハダイシング時には、回転丸刃がウエハを切削する時
に発生する熱を冷却しかつウエハ表面を洗浄するため
に、ウエハ表面の切削点に切削水が供給されるが、被切
削物はウエハの切削熱により、切削水の沸点の１００℃
近くまで上昇する。また、ウエハ固定用粘着テープへの
回転丸刃の切り込み深さが深い場合、切削水の供給は不
十分となり、概略テープ厚さの表面２０μｍ程度までし
か十分な冷却効果は期待できず、それ以上の深さの部分
では切削水の供給量不足により被切削物の温度が１００
℃以上まで上昇することがある。このため、従来のウエ
ハ固定用粘着テープでは、基材フィルムの樹脂が切削時
に溶融・延伸され、糸状の切削屑が発生していた。本発
明のウエハ固定用粘着テープは、このような高温状態に
おける糸状の切削屑の発生を防止する。本発明のウエハ
固定用粘着テープの一実施態様は、図１に示される。同
図は粘着テープの縦断面図であり、１の粘着剤層Ａと２
の樹脂層Ｂが積層されている。樹脂層Ｂが、ＭＦＲが３
以下の樹脂で、かつ、重合体構成成分としてカルボキシ
ル基を有するものを含む樹脂であることを特徴としてい
る。この樹脂層は、ウエハダイシング時に、樹脂層Ｂの
樹脂が切削熱により溶融状態になっても、その溶融粘度
は樹脂のＭＦＲが３以下であることから非常に高粘度で
あり、かつカルボキシル基を含有するため切削水との親
和性が良い。この結果切削屑は回転丸刃により引き伸ば
されるとき細かく切断されやすく、細長く引き伸ばされ
ることがないため、糸状の切削屑の発生を防止すること
ができると考えられる。ここでカルボキシル基の含有量
としては、樹脂層Ｂの主構成樹脂１００質量部に対し、
重合体構成成分としてカルボキシル基を有する成分（例
えばＭＡＡ：メタクリル酸コモノマー）として５重量部
以上、より好ましくは８重量部以上２０以下が適当であ
る。また、樹脂層Ｂに用いられる樹脂の前記のＭＦＲ
は、好ましくは０．１〜３である。
【０００７】糸状の切削屑の発生を防止するためには、
切削屑の糸状化を抑制する効果を有する樹脂層Ｂへの回
転丸刃の切り込み深さを深くすることが好ましいが、通
常、フルカットダイシング時のテープ切り込み深さは、
３０μｍ前後に設定されることが多いため、ウエハと樹
脂層Ｂの間に位置する粘着剤層Ａは薄い程好ましく、例
えば３〜２０μｍが好ましく、より好ましくは５〜１５
μｍである。
切削屑の糸状化を抑制する効果を有する樹脂層Ｂへの回
転丸刃の切り込み深さを深くすることが好ましいが、通
常、フルカットダイシング時のテープ切り込み深さは、
３０μｍ前後に設定されることが多いため、ウエハと樹
脂層Ｂの間に位置する粘着剤層Ａは薄い程好ましく、例
えば３〜２０μｍが好ましく、より好ましくは５〜１５
μｍである。
【０００８】樹脂層Ｂの樹脂としては、切削熱により溶
融状態になることを想定して選定するため、樹脂の融点
よりも樹脂が溶融状態になったときの粘度が重要であ
る。このような樹脂としてはＭＦＲ３以下で、かつ重合
体構成単位としてカルボキシル基を有する化合物を含む
樹脂が用いられ、例えばＭＦＲ３以下のエチレン−（メ
タ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル
酸共重合体のアイオノマー樹脂などを用いることができ
る。さらに、理由は定かではないが、切削屑の糸状化を
防止するうえで樹脂層Ｂの樹脂として、エチレン、（メ
タ）アクリル酸及び（メタ）アクリル酸アルキルエステ
ルを重合体の構成単位とするＭＦＲ３以下の３元共重合
体であると、より効果がある。この３元共重合体におい
て、エチレン成分は好ましくは５０〜９０重量％、（メ
タ）アクリル酸成分は好ましくは５〜２０重量％、（メ
タ）アクリル酸アルキルエステル成分は好ましくは５〜
３０重量％とする。３元共重合体の（メタ）アクリル酸
アルキルエステルとしては、アルキル部の炭素数が３以
上８以下のアルキルエステルが好ましく用いられ、具体
的には、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリ
ル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）ア
クリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−メチルプロ
ピル、（メタ）アクリル酸２−エチルプロピル、（メ
タ）アクリル酸２−メチルブチル、（メタ）アクリル酸
２−エチルブチル、（メタ）アクリル酸２−メチルヘキ
シル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メ
タ）アクリル酸１，２−ジメチルブチル等が挙げられ
る。また、前記３元共重合体のカルボキシル基を陽イオ
ンで一部中和したアイオノマー樹脂を主成分とするとよ
り効果があり好ましい。カルボキシル基を中和する陽イ
オンとしては、金属イオン、有機アミンが通常用いられ
るが、その中でも主にＮａ+ 、Ｌｉ+ 、Ｍｇ++、Ｚｎ++
等の金属イオンが用いられる。なお、半導体ウエハへの
悪影響を防止するためには陽イオンとしてＺｎ++を用い
たアイオノマーが好ましく用いられる。カルボキシル基
の陽イオンによる中和度は好ましくは５〜９０ｍｏｌ％
である。樹脂層Ｂの厚さは通常の半導体ウエハ固定用粘
着テープの基材樹脂層と特に異ならない。通常３０〜３
００μｍ、より好ましくは５０〜２００μｍである。
融状態になることを想定して選定するため、樹脂の融点
よりも樹脂が溶融状態になったときの粘度が重要であ
る。このような樹脂としてはＭＦＲ３以下で、かつ重合
体構成単位としてカルボキシル基を有する化合物を含む
樹脂が用いられ、例えばＭＦＲ３以下のエチレン−（メ
タ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル
酸共重合体のアイオノマー樹脂などを用いることができ
る。さらに、理由は定かではないが、切削屑の糸状化を
防止するうえで樹脂層Ｂの樹脂として、エチレン、（メ
タ）アクリル酸及び（メタ）アクリル酸アルキルエステ
ルを重合体の構成単位とするＭＦＲ３以下の３元共重合
体であると、より効果がある。この３元共重合体におい
て、エチレン成分は好ましくは５０〜９０重量％、（メ
タ）アクリル酸成分は好ましくは５〜２０重量％、（メ
タ）アクリル酸アルキルエステル成分は好ましくは５〜
３０重量％とする。３元共重合体の（メタ）アクリル酸
アルキルエステルとしては、アルキル部の炭素数が３以
上８以下のアルキルエステルが好ましく用いられ、具体
的には、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリ
ル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）ア
クリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−メチルプロ
ピル、（メタ）アクリル酸２−エチルプロピル、（メ
タ）アクリル酸２−メチルブチル、（メタ）アクリル酸
２−エチルブチル、（メタ）アクリル酸２−メチルヘキ
シル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メ
タ）アクリル酸１，２−ジメチルブチル等が挙げられ
る。また、前記３元共重合体のカルボキシル基を陽イオ
ンで一部中和したアイオノマー樹脂を主成分とするとよ
り効果があり好ましい。カルボキシル基を中和する陽イ
オンとしては、金属イオン、有機アミンが通常用いられ
るが、その中でも主にＮａ+ 、Ｌｉ+ 、Ｍｇ++、Ｚｎ++
等の金属イオンが用いられる。なお、半導体ウエハへの
悪影響を防止するためには陽イオンとしてＺｎ++を用い
たアイオノマーが好ましく用いられる。カルボキシル基
の陽イオンによる中和度は好ましくは５〜９０ｍｏｌ％
である。樹脂層Ｂの厚さは通常の半導体ウエハ固定用粘
着テープの基材樹脂層と特に異ならない。通常３０〜３
００μｍ、より好ましくは５０〜２００μｍである。
【０００９】さらに、糸状の切削屑の発生をさらに防止
するための他の実施態様が、断面図として図２に示され
る。同図は、切削水の供給により、切削温度が１００℃
以下に抑えられる位置に融点１００℃以上の、３の樹脂
層Ｂ−１を用いたものである。この理由としては、切削
水の冷却効果により樹脂層Ｂ−１の切削温度が樹脂層Ｂ
−１の溶融温度以下に抑えられるため、切削時の溶融・
延伸を避けられ、樹脂層Ｂ−１が糸状切削屑となりにく
いためである。また、同時に切削される樹脂層Ｂに、切
削により削り取られ溶融せず微細化した樹脂層Ｂ−１の
樹脂が混ぜ合わされ、樹脂層Ｂの糸状化を防止する効果
が高まるためである。切削温度を１００℃以下に抑えら
れる樹脂層Ｂ−１の位置としては、切削水の冷却効果を
考慮し、粘着テープ表面より２０μｍ程度までの厚さが
好ましいが、この場合、粘着テープの粘着剤層Ａと融点
１００℃以上の樹脂層Ｂ−１の厚さの和を２０μｍ以下
に抑えることが好ましい。
するための他の実施態様が、断面図として図２に示され
る。同図は、切削水の供給により、切削温度が１００℃
以下に抑えられる位置に融点１００℃以上の、３の樹脂
層Ｂ−１を用いたものである。この理由としては、切削
水の冷却効果により樹脂層Ｂ−１の切削温度が樹脂層Ｂ
−１の溶融温度以下に抑えられるため、切削時の溶融・
延伸を避けられ、樹脂層Ｂ−１が糸状切削屑となりにく
いためである。また、同時に切削される樹脂層Ｂに、切
削により削り取られ溶融せず微細化した樹脂層Ｂ−１の
樹脂が混ぜ合わされ、樹脂層Ｂの糸状化を防止する効果
が高まるためである。切削温度を１００℃以下に抑えら
れる樹脂層Ｂ−１の位置としては、切削水の冷却効果を
考慮し、粘着テープ表面より２０μｍ程度までの厚さが
好ましいが、この場合、粘着テープの粘着剤層Ａと融点
１００℃以上の樹脂層Ｂ−１の厚さの和を２０μｍ以下
に抑えることが好ましい。
【００１０】樹脂層Ｂ−１の樹脂としては、切削熱によ
る溶融を避けるため樹脂の融点が重要であり、切削水の
沸点との関係から融点１００℃以上であることが好まし
い。また溶融粘度については、樹脂が融点以下の温度で
用いられるため特に限定されるものではなく、フィルム
の製膜のしやすさ等から適当な樹脂が選択されるが、溶
融粘度が低い樹脂の方が好ましく用いられる。また、樹
脂層Ｂ−１は樹脂層Ｂと粘着剤層Ａの間に位置するた
め、両者の接着性も必要とされる。樹脂層Ｂとの接着性
を得るためには、樹脂層Ｂ−１の樹脂は樹脂層Ｂの樹脂
と同類もしくはそれに近い樹脂であると好ましい。粘着
剤層Ａとの接着性を得るためには、樹脂層Ｂ−１の樹脂
が極性基をもつかまたはコロナ処理等のフィルム表面の
改質により容易に極性基をもつことのできる樹脂である
ことが好ましい。このような樹脂としては、例えば エチレン−メタクリル酸共重合体（ＥＭＡＡ） エチレン−メタクリル酸メチル共重合体（ＥＭＭＡ） エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ） エチレン−アクリル酸エチル共重合体（ＥＥＡ） エチレン−アクリル酸共重合体（ＥＡＡ） エチレン−アクリル酸メチル共重合体（ＥＭＡ） 等で融点が１００℃以上の樹脂を挙げることができる。
る溶融を避けるため樹脂の融点が重要であり、切削水の
沸点との関係から融点１００℃以上であることが好まし
い。また溶融粘度については、樹脂が融点以下の温度で
用いられるため特に限定されるものではなく、フィルム
の製膜のしやすさ等から適当な樹脂が選択されるが、溶
融粘度が低い樹脂の方が好ましく用いられる。また、樹
脂層Ｂ−１は樹脂層Ｂと粘着剤層Ａの間に位置するた
め、両者の接着性も必要とされる。樹脂層Ｂとの接着性
を得るためには、樹脂層Ｂ−１の樹脂は樹脂層Ｂの樹脂
と同類もしくはそれに近い樹脂であると好ましい。粘着
剤層Ａとの接着性を得るためには、樹脂層Ｂ−１の樹脂
が極性基をもつかまたはコロナ処理等のフィルム表面の
改質により容易に極性基をもつことのできる樹脂である
ことが好ましい。このような樹脂としては、例えば エチレン−メタクリル酸共重合体（ＥＭＡＡ） エチレン−メタクリル酸メチル共重合体（ＥＭＭＡ） エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ） エチレン−アクリル酸エチル共重合体（ＥＥＡ） エチレン−アクリル酸共重合体（ＥＡＡ） エチレン−アクリル酸メチル共重合体（ＥＭＡ） 等で融点が１００℃以上の樹脂を挙げることができる。
【００１１】なお、樹脂層Ｂ、樹脂層Ｂ−１は、それぞ
れ１層に限定されるものではなく、樹脂層Ｂ、樹脂層Ｂ
−１としての要求される条件を満たしていればよい。さ
らに別の実施態様を断面図として図３に示す。同図は、
樹脂層Ｂの樹脂層Ｂ−１または粘着剤層Ａと積層された
側と反対面に、４で示される他の樹脂層Ｂ−２を積層し
た例を示す。ただし、樹脂層Ｂ−２は１層に限定される
ものではないが、ダイシング時に回転丸刃より切り込ま
れる場合は、樹脂層Ｂに要求される条件を満たす必要が
ある。なお、この実施態様において、樹脂層Ｂまたは樹
脂層Ｂに積層した樹脂層Ｂ−２の、粘着剤層Ａを塗布す
る側と反対側表面をシボ加工もしくは滑剤コーティング
すると、ブロッキング防止、粘着テープの放射状延伸時
の粘着テープと治具との摩擦を減少することによる基材
フィルムのネッキング防止などの効果があるので好まし
い。なお、図１〜３において同符号は同じものを示す。
れ１層に限定されるものではなく、樹脂層Ｂ、樹脂層Ｂ
−１としての要求される条件を満たしていればよい。さ
らに別の実施態様を断面図として図３に示す。同図は、
樹脂層Ｂの樹脂層Ｂ−１または粘着剤層Ａと積層された
側と反対面に、４で示される他の樹脂層Ｂ−２を積層し
た例を示す。ただし、樹脂層Ｂ−２は１層に限定される
ものではないが、ダイシング時に回転丸刃より切り込ま
れる場合は、樹脂層Ｂに要求される条件を満たす必要が
ある。なお、この実施態様において、樹脂層Ｂまたは樹
脂層Ｂに積層した樹脂層Ｂ−２の、粘着剤層Ａを塗布す
る側と反対側表面をシボ加工もしくは滑剤コーティング
すると、ブロッキング防止、粘着テープの放射状延伸時
の粘着テープと治具との摩擦を減少することによる基材
フィルムのネッキング防止などの効果があるので好まし
い。なお、図１〜３において同符号は同じものを示す。
【００１２】次に、本発明において粘着剤層Ａに用いら
れる粘着剤としては、特に制限はないが、アクリル系粘
着剤を用いることが好ましい。また、放射線反応性を付
与するために、必要に応じ、アクリル系粘着剤中に炭素
−炭素２重結合を持ったモノマー、オリゴマー、ポリマ
ーや光反応開始剤等の添加剤を処方し用いることもでき
る。このような粘着剤自体は公知のものを用いることが
でき、例えば特開平１−２４９８７７号、特願平５−１
９６７６８号、特開昭６３−１７９８０号などに記載の
ものを用いることができる。本発明の半導体ウエハ固定
用粘着テープを使用して行う半導体ウエハのダイシング
方法自体は、上述した点以外は通常の方法と同様にして
行うことができるが、これらのウエハ固定用粘着テープ
を使用してダイシング時の糸状切削屑を防止するために
は、半導体ダイシング時の回転丸刃のダイシングテープ
切り込み量を、ウエハ固定用粘着テープにおける樹脂層
Ｂに１０μｍ以上回転丸刃が切り込むのが好ましい。
れる粘着剤としては、特に制限はないが、アクリル系粘
着剤を用いることが好ましい。また、放射線反応性を付
与するために、必要に応じ、アクリル系粘着剤中に炭素
−炭素２重結合を持ったモノマー、オリゴマー、ポリマ
ーや光反応開始剤等の添加剤を処方し用いることもでき
る。このような粘着剤自体は公知のものを用いることが
でき、例えば特開平１−２４９８７７号、特願平５−１
９６７６８号、特開昭６３−１７９８０号などに記載の
ものを用いることができる。本発明の半導体ウエハ固定
用粘着テープを使用して行う半導体ウエハのダイシング
方法自体は、上述した点以外は通常の方法と同様にして
行うことができるが、これらのウエハ固定用粘着テープ
を使用してダイシング時の糸状切削屑を防止するために
は、半導体ダイシング時の回転丸刃のダイシングテープ
切り込み量を、ウエハ固定用粘着テープにおける樹脂層
Ｂに１０μｍ以上回転丸刃が切り込むのが好ましい。
【００１３】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づきさらに詳細に
説明する。なお、以下の実施例で各特性は次のように試
験し、評価した。 融点 ＪＩＳ Ｋ ７１２１「プラスチックの転移温度測定方
法」に示されるＤＳＣ（指差走査熱量測定）により、窒
素ガス雰囲気中で昇温速度毎分１０℃の試験条件にて測
定した値を用いた。 ＭＦＲ ＪＩＳ Ｋ ７２１０「熱可塑性プラスチックの流れ試
験方法」に示される、試験温度１９０℃、試験荷重２
１．１８Ｎ｛２．１６０ｋｇｆ｝の試験条件により測定
した。 切削屑残留性試験 以下の条件でダイシング処理された半導体ウエハの素子
小片１００〜１００００個の表面を光学顕微鏡により、
測定倍率１００倍にて切削屑の有無を観察し、切削屑の
付着の発生しているチップの発生率を調査した。０．３
％以下を合格（○）とし、０．３％を越えるものを不合
格（×）とした。 （ダイシング条件） ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ社製 ＤＴＦ−２／６型 回転丸刃：ＤＩＳＣＯ社製 ２０６０−２７ＨＦＤＤ 回転丸刃 回転数：３０，０００ｒｐｍ 切削速度：１００ｍｍ／ｓ 切削水流量：２０ｍｌ／ｓ ダイシングサイズ：２ｍｍ角
説明する。なお、以下の実施例で各特性は次のように試
験し、評価した。 融点 ＪＩＳ Ｋ ７１２１「プラスチックの転移温度測定方
法」に示されるＤＳＣ（指差走査熱量測定）により、窒
素ガス雰囲気中で昇温速度毎分１０℃の試験条件にて測
定した値を用いた。 ＭＦＲ ＪＩＳ Ｋ ７２１０「熱可塑性プラスチックの流れ試
験方法」に示される、試験温度１９０℃、試験荷重２
１．１８Ｎ｛２．１６０ｋｇｆ｝の試験条件により測定
した。 切削屑残留性試験 以下の条件でダイシング処理された半導体ウエハの素子
小片１００〜１００００個の表面を光学顕微鏡により、
測定倍率１００倍にて切削屑の有無を観察し、切削屑の
付着の発生しているチップの発生率を調査した。０．３
％以下を合格（○）とし、０．３％を越えるものを不合
格（×）とした。 （ダイシング条件） ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ社製 ＤＴＦ−２／６型 回転丸刃：ＤＩＳＣＯ社製 ２０６０−２７ＨＦＤＤ 回転丸刃 回転数：３０，０００ｒｐｍ 切削速度：１００ｍｍ／ｓ 切削水流量：２０ｍｌ／ｓ ダイシングサイズ：２ｍｍ角
【００１４】実施例１ 樹脂層Ｂとして、ＭＦＲ３．０、融点９８℃のＥＭＡＡ
樹脂*1（三井・デュポンポリケミカル社製、ニュクレル
Ｎ０９０３ＨＣ）を使用し、樹脂層Ｂ厚さ１００μｍの
フィルムを作成した。さらに樹脂層Ｂの表面に粘着剤の
粘着性向上のためコロナ処理を施した後、アクリル系粘
着剤を樹脂層Ｂの表面に乾燥後１０μｍの厚さになるよ
う塗工し、図１に示すと同様の粘着テープを作成した。
ダイシング処理においてはテープへの回転丸刃の切り込
み深さ設定を３０μｍとし、評価を行った。
樹脂*1（三井・デュポンポリケミカル社製、ニュクレル
Ｎ０９０３ＨＣ）を使用し、樹脂層Ｂ厚さ１００μｍの
フィルムを作成した。さらに樹脂層Ｂの表面に粘着剤の
粘着性向上のためコロナ処理を施した後、アクリル系粘
着剤を樹脂層Ｂの表面に乾燥後１０μｍの厚さになるよ
う塗工し、図１に示すと同様の粘着テープを作成した。
ダイシング処理においてはテープへの回転丸刃の切り込
み深さ設定を３０μｍとし、評価を行った。
【００１５】実施例２ 樹脂層Ｂとして、ＭＦＲ２．２、融点９７℃のエチレン
−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）
３元共重合体樹脂（三井・デュポンポリケミカル社製、
ニュクレルＡＮ４２１７−３Ｃ）を使用し、樹脂層Ｂ厚
さ１００μｍのフィルムを作成し、実施例１と同様に、
図１に示すと同様の粘着テープを作成し、ダイシング
し、評価を行った。
−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）
３元共重合体樹脂（三井・デュポンポリケミカル社製、
ニュクレルＡＮ４２１７−３Ｃ）を使用し、樹脂層Ｂ厚
さ１００μｍのフィルムを作成し、実施例１と同様に、
図１に示すと同様の粘着テープを作成し、ダイシング
し、評価を行った。
【００１６】実施例３ 樹脂層Ｂとして、ＭＦＲ２．２、融点９７℃のエチレン
−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）
３元共重合体樹脂（三井・デュポンポリケミカル社製、
ニュクレルＡＮ４２１７−３Ｃ）、樹脂層Ｂ−１とし
て、ＭＦＲ７、融点１０３℃のＥＭＡＡ樹脂（三井・デ
ュポンポリケミカル社製、ニュクレルＮ０４０７）を使
用し、樹脂層Ｂ厚さ９０μｍ、樹脂層Ｂ−１厚さ１０μ
ｍの２層フィルムを共押出し機を用いて作成し、実施例
１と同様に、粘着剤を塗工し、図２に示すと同様の粘着
テープを作成し、ダイシングし、評価を行った。
−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）
３元共重合体樹脂（三井・デュポンポリケミカル社製、
ニュクレルＡＮ４２１７−３Ｃ）、樹脂層Ｂ−１とし
て、ＭＦＲ７、融点１０３℃のＥＭＡＡ樹脂（三井・デ
ュポンポリケミカル社製、ニュクレルＮ０４０７）を使
用し、樹脂層Ｂ厚さ９０μｍ、樹脂層Ｂ−１厚さ１０μ
ｍの２層フィルムを共押出し機を用いて作成し、実施例
１と同様に、粘着剤を塗工し、図２に示すと同様の粘着
テープを作成し、ダイシングし、評価を行った。
【００１７】実施例４ 樹脂層Ｂとして、ＭＦＲ１．２、融点７１℃のエチレン
−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）
３元共重合体−Ｚｎ++−アイオノマー樹脂（三井・デュ
ポンポリケミカル社製、ハイミランＡＭ−７３１６）、
樹脂層Ｂ−１として、ＭＦＲ７、融点１０２℃のＥＭＭ
Ａ樹脂（住友化学社製、アクリフトＷＤ３０６−１）を
使用した以外は、実施例３と同様に、粘着剤を塗工し、
図２に示すと同様の粘着テープを作成し、ダイシング
し、評価を行った。
−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）
３元共重合体−Ｚｎ++−アイオノマー樹脂（三井・デュ
ポンポリケミカル社製、ハイミランＡＭ−７３１６）、
樹脂層Ｂ−１として、ＭＦＲ７、融点１０２℃のＥＭＭ
Ａ樹脂（住友化学社製、アクリフトＷＤ３０６−１）を
使用した以外は、実施例３と同様に、粘着剤を塗工し、
図２に示すと同様の粘着テープを作成し、ダイシング
し、評価を行った。
【００１８】実施例５ 図３に示すと同様の粘着テープを作成した。樹脂層Ｂと
して、ＭＦＲ１．２、融点７１℃のエチレン−メタクリ
ル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）３元共重合
体−Ｚｎ++−アイオノマー樹脂（三井・デュポンポリケ
ミカル社製、ハイミランＡＭ−７３１６）、樹脂層Ｂ−
１及び樹脂層Ｂ−２として、ＭＦＲ２、融点１０６℃の
ＥＭＭＡ樹脂（住友化学社製、アクリフトＷＤ２０３−
１）を使用し、樹脂層Ｂ厚さ８０μｍ、樹脂層Ｂ−１厚
さ１０μｍ、樹脂層Ｂ−２厚さ１０μｍの３層フィルム
を共押出し機を用いて作成し、実施例１と同様に、粘着
剤を塗工し、粘着テープを作成し、ダイシングし、評価
を行った。
して、ＭＦＲ１．２、融点７１℃のエチレン−メタクリ
ル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）３元共重合
体−Ｚｎ++−アイオノマー樹脂（三井・デュポンポリケ
ミカル社製、ハイミランＡＭ−７３１６）、樹脂層Ｂ−
１及び樹脂層Ｂ−２として、ＭＦＲ２、融点１０６℃の
ＥＭＭＡ樹脂（住友化学社製、アクリフトＷＤ２０３−
１）を使用し、樹脂層Ｂ厚さ８０μｍ、樹脂層Ｂ−１厚
さ１０μｍ、樹脂層Ｂ−２厚さ１０μｍの３層フィルム
を共押出し機を用いて作成し、実施例１と同様に、粘着
剤を塗工し、粘着テープを作成し、ダイシングし、評価
を行った。
【００１９】実施例６ 粘着剤層Ａの厚さを５μｍとした以外は実施例３と同様
にして粘着テープを作成し、ダイシングし、評価を行っ
た。
にして粘着テープを作成し、ダイシングし、評価を行っ
た。
【００２０】実施例７ ダイシング処理におけるテープへの回転丸刃の切り込み
深さ設定を５０μｍとした以外は実施例３と同様にし
て、粘着テープを作成しダイシングし、評価を行った。
深さ設定を５０μｍとした以外は実施例３と同様にし
て、粘着テープを作成しダイシングし、評価を行った。
【００２１】比較例１ 樹脂層Ｂとして、ＭＦＲ１．５、融点９０℃のＥＶＡ樹
脂*3（東ソー社製、ウルトラセンＵＥ−６３０）を使用
した以外は実施例１と同様にして、粘着テープを作成
し、ダイシングし、評価を行った。
脂*3（東ソー社製、ウルトラセンＵＥ−６３０）を使用
した以外は実施例１と同様にして、粘着テープを作成
し、ダイシングし、評価を行った。
【００２２】比較例２ 樹脂層Ｂとして、ＭＦＲ１０、融点９７℃のＥＭＡＡ樹
脂*1（三井・デュポンポリケミカル社製、ニュクレルＮ
４１０）を使用した以外は実施例１と同様にして、粘着
テープを作成し、ダイシングし、評価を行った。
脂*1（三井・デュポンポリケミカル社製、ニュクレルＮ
４１０）を使用した以外は実施例１と同様にして、粘着
テープを作成し、ダイシングし、評価を行った。
【００２３】比較例３ 樹脂層Ｂとして、ＭＦＲ１．２、融点７１℃のエチレン
−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）
３元共重合体−Ｚｎ++−アイオノマー樹脂（三井・デュ
ポンポリケミカル社製、ハイミランＡＭ−７３１６）、
樹脂層Ｂ−１として、ＭＦＲ２．５、融点１０３℃のＥ
ＶＡ樹脂（東ソー社製、ウルトラセンＵＥ−５１０）を
使用し、樹脂層Ｂ厚さ７０μｍ、樹脂層Ｂ−１厚さ３０
μｍの２層フィルムを共押出し機を用いて作成し、実施
例１と同様にして、粘着テープを作成し、ダイシング
し、評価を行った。
−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）
３元共重合体−Ｚｎ++−アイオノマー樹脂（三井・デュ
ポンポリケミカル社製、ハイミランＡＭ−７３１６）、
樹脂層Ｂ−１として、ＭＦＲ２．５、融点１０３℃のＥ
ＶＡ樹脂（東ソー社製、ウルトラセンＵＥ−５１０）を
使用し、樹脂層Ｂ厚さ７０μｍ、樹脂層Ｂ−１厚さ３０
μｍの２層フィルムを共押出し機を用いて作成し、実施
例１と同様にして、粘着テープを作成し、ダイシング
し、評価を行った。
【００２４】比較例４ 樹脂層Ｂとして、ＭＦＲ０．７、融点９５℃のＥＥＡ樹
脂*4（日本ユニカー社製、ＮＵＣ−８３０）、樹脂層Ｂ
−１として、ＭＦＲ７、融点１０２℃のＥＭＭＡ樹脂
（住友化学社製、アクリフトＷＤ３０６−１）を使用
し、粘着剤層Ａの厚さを１０μｍとした以外は実施例３
と同様にして、粘着テープを作成し、ダイシングし、評
価を行った。
脂*4（日本ユニカー社製、ＮＵＣ−８３０）、樹脂層Ｂ
−１として、ＭＦＲ７、融点１０２℃のＥＭＭＡ樹脂
（住友化学社製、アクリフトＷＤ３０６−１）を使用
し、粘着剤層Ａの厚さを１０μｍとした以外は実施例３
と同様にして、粘着テープを作成し、ダイシングし、評
価を行った。
【００２５】比較例５ 樹脂層Ｂとして、ＭＦＲ３．７、融点９４℃のエチレン
−メタクリル酸（アクリル酸２−メチル−プロピル）３
元共重合体樹脂（三井・デュポンポリケミカル社製、ニ
ュクレルＴＷ４０３６−１）を使用した以外は実施例３
と同様にして、粘着テープを作成し、ダイシングし、評
価を行った。
−メタクリル酸（アクリル酸２−メチル−プロピル）３
元共重合体樹脂（三井・デュポンポリケミカル社製、ニ
ュクレルＴＷ４０３６−１）を使用した以外は実施例３
と同様にして、粘着テープを作成し、ダイシングし、評
価を行った。
【００２６】比較例６ ダイシング処理におけるテープへの回転丸刃の切り込み
深さ設定を２０μｍとした他は実施例２と同様にして、
粘着テープを作成し、ダイシングし、評価を行った。
深さ設定を２０μｍとした他は実施例２と同様にして、
粘着テープを作成し、ダイシングし、評価を行った。
【００２７】（注） ＥＭＡＡ樹脂*1：エチレン−メタクリル酸共重合体 ＥＭＭＡ樹脂*2：エチレン−メタクリル酸メチル共重合
体 ＥＶＡ樹脂*3：エチレン−酢酸ビニル共重合体 ＥＥＡ樹脂*4：エチレン−アクリル酸エチル共重合体
体 ＥＶＡ樹脂*3：エチレン−酢酸ビニル共重合体 ＥＥＡ樹脂*4：エチレン−アクリル酸エチル共重合体
【００２８】
【表１】
【００２９】
【表２】
【００３０】
【発明の効果】本発明の半導体ウエハ固定用粘着テープ
はフルカットダイシング方式に用いるのに特に好適であ
り、フルカットダイシング方式において、半導体ウエハ
表面に切削屑が残留することがなく、半導体ウエハの生
産歩留まりの向上、信頼性の向上に大きく寄与するとい
う優れた効果を奏する。
はフルカットダイシング方式に用いるのに特に好適であ
り、フルカットダイシング方式において、半導体ウエハ
表面に切削屑が残留することがなく、半導体ウエハの生
産歩留まりの向上、信頼性の向上に大きく寄与するとい
う優れた効果を奏する。
【図１】本発明の半導体ウエハ固定用粘着テープの一実
施態様を示す縦断面図である。
施態様を示す縦断面図である。
【図２】本発明の半導体ウエハ固定用粘着テープの他の
実施態様を示す縦断面図である。
実施態様を示す縦断面図である。
【図３】本発明の半導体ウエハ固定用粘着テープのさら
に他の実施態様を示す縦断面図である。
に他の実施態様を示す縦断面図である。
１ 粘着剤層Ａ ２ 樹脂層Ｂ ３ 樹脂層Ｂ−１ ４ 樹脂層Ｂ−２
フロントページの続き (72)発明者 上山 倫生 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 ＪＩＳ Ｋ ７２１０「熱可塑性プラス
チックの流れ試験方法」に示される試験方法における試
験温度１９０℃、試験荷重２１．１８ＮによるＭＦＲが
３以下で、かつ重合体の構成成分としてカルボキシル基
（−ＣＯＯＨ）を有する構成成分を含む樹脂層Ｂと粘着
剤層Ａとが積層されてなることを特徴とする半導体ウエ
ハ固定用粘着テープ。 - 【請求項２】 樹脂層Ｂの樹脂が主に、エチレン、（メ
タ）アクリル酸及び（メタ）アクリル酸アルキルエステ
ルを重合体の構成成分とする、３元共重合体であること
を特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ固定用粘着テ
ープ。 - 【請求項３】 樹脂層Ｂが、前記３元共重合体を金属イ
オンで架橋したアイオノマー樹脂を主成分とすることを
特徴とする請求項２記載の半導体ウエハ固定用粘着テー
プ。 - 【請求項４】 前記樹脂層Ｂと粘着剤層Ａの間に厚さ２
０μｍ以下でかつＤＳＣ測定による融点が１００℃以上
の樹脂層Ｂ−１があり、粘着剤層Ａと樹脂層Ｂ−１の厚
さの和が２０μｍ以下であることを特徴とする請求項
１、２又は３記載の半導体ウエハ固定用粘着テープ。 - 【請求項５】 半導体ウエハ固定用粘着テープにおける
樹脂層Ｂに１０μｍ以上回転丸刃が切り込むことを特徴
とする、請求項１、２、３又は４記載の半導体ウエハ固
定用粘着テープを用いた半導体ウエハのフルカットダイ
シング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17557195A JP3845129B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 半導体ウエハ固定用粘着テープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17557195A JP3845129B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 半導体ウエハ固定用粘着テープ |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005321216A Division JP2006148096A (ja) | 2005-11-04 | 2005-11-04 | 半導体ウエハ固定用粘着テープ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098111A true JPH098111A (ja) | 1997-01-10 |
| JP3845129B2 JP3845129B2 (ja) | 2006-11-15 |
Family
ID=15998416
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17557195A Expired - Lifetime JP3845129B2 (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 半導体ウエハ固定用粘着テープ |
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| JP2007031535A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 粘着シートおよびそれを用いた電子部品の製造方法。 |
| CN1301536C (zh) * | 2003-05-26 | 2007-02-21 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 一种避免晶圆切割时微粒掉落至晶圆上的方法 |
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| WO2013099778A1 (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-04 | 三井・デュポンポリケミカル株式会社 | レーザーダイシング用フィルム基材、レーザーダイシング用フィルム、及び電子部品の製造方法 |
| KR20130142136A (ko) | 2010-10-21 | 2013-12-27 | 아키레스 가부시키가이샤 | 반도체 제조 공정용 테이프의 기재필름 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012042869A1 (ja) | 2010-09-30 | 2012-04-05 | 三井化学株式会社 | 拡張性フィルム、ダイシングフィルム、および半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP17557195A patent/JP3845129B2/ja not_active Expired - Lifetime
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