JP4744196B2 - 粘着シート - Google Patents

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本発明は、合成樹脂製のシート、このシートに粘着剤を積層した粘着シート及びこの粘着シートを用いたダイシング方法に係り、特に電子部品をダイシングする際に用いられるシート、粘着シート及びダイシング方法に関するものである。
粘着テープは、例えば半導体チップの製造において、回路パターンの形成された半導体ウエハを複数のチップに切断するときの半導体ウエハの固定に用いられる。該粘着テープは、基材層と粘着剤層から構成される。
ダイシング方法の一つとして、ブレード先端を半導体ウエハの背面の粘着テープ基材内部にまで到達させるが、このとき、粘着剤及び/又は基材由来の切削屑が発生することがありる。この切削屑は、半導体ウエハからチップ化されたチップのピックアップ不良及び製品歩留低下の原因となっている。切削屑は、ブレードで半導体ウエハをダイシングする時に発生する熱により、ウエハ固定用の粘着シートの基材が溶融され現れる糸状の樹脂をいう(特許文献1)。
特許文献2では、水素添加されたスチレン−ブタジエン共重合体とポリプロピレンの混合物とからなる熱可塑性エラストマ層を備えた粘着テープが開示されているが、ダイシング加工時に切削屑が発生する場合があった。
特開平9−8111号公報 特開11−199840号公報
そこで、本発明は、ダイシング加工時に発生する切削屑が抑制され、且つエキスパンド工程時にチップ間が十分拡張するダイシングテープ用の基材フィルムおよびこれを用いたダイシングテープを提供することを目的とする。
本願請求項1にかかる発明は、基材層と、基材層の上に積層された中間層と、中間層の上に積層された表層を有する粘着シートであって、表層及び基材層を形成する樹脂が、その融点を70〜90℃とする一方、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレンメタクリル酸共重合体、エチレンメチルメタクリレート共重合体、アクリル酸エチレン共重合体、アクリル酸エチルエチレン共重合体、アクリル酸メチルエチレン共重合体、又はこれらの共重合体を金属イオンにより架橋した樹脂の少なくともいずれか1種を含む樹脂であり、中間層を形成する樹脂が、完全水素添加されたスチレン−ブタジエンランダム共重合体であるシートの基材層の露出面又は表層の露出面の少なくとも一方又は双方に、粘着剤層を積層した粘着シートである。
本願請求項2にかかる発明は、電子部品ダイシング用である請求項1記載の粘着シートである。
本願請求項3にかかる発明は、電子部品ダイシング用である請求項2記載の粘着シートである。
本願請求項4にかかる発明は、請求項2記載の粘着シートに電子部品を貼り付け、貼り付けた電子部品をダイシングブレードによってチップ状にダイシングし、このダイシングの際にダイシングブレードの先を中間層にまで挿入させる電子部品のダイシング方法である。
本発明によれば、ダイシング時に発生する切削屑が抑制され、歩留まりの高いダイシング処理を行うことができ、且つピックアップ工程でチップの破損等がない。
請求項1にかかる発明において、基材層と、基材層の上に積層された中間層と、中間層の上に積層された表層の三層にしたのは、中間層で切削屑発生防止とエキスパンド性発揮に優れさせる一方、この素材を使うことによって発生するフィルム加工困難性、巻き戻し困難性を補うために表層と基材層を設けたものである。
中間層は、切削屑発生防止とエキスパンド性を発揮するものであり、具体的には完全又は部分水素添加されたスチレン−ブタジエンランダム共重合体で形成したものである。スチレン−ブタジエンランダム共重合体を採用したのは、スチレン相が均一に分散し、剛性が小さくなるためである。水素添加前のランダム共重合体におけるブタジエンに由来する炭素−炭素二重結合の水素添加率は50モル%以上であることが好ましく、より好ましくは70モル%以上である。水添ランダム共重合体中の炭素−炭素二重結合の含有量は、ヨウ素価測定、赤外分光光度計、核磁気共鳴法等により測定することができる。スチレン−ブタジエンランダム共重合体中のスチレン含有量は、少ないと基材フィルムの成膜性に劣る傾向にあり、多いと、硬くなってエキスパンド性が低下する傾向にあるため、好ましくは40〜90wt%が良い。
本発明における表層と基材層は、中間層単体で生じてしまうフィルム加工困難性、巻き戻し困難性を補うために採用されたものである。この機能を発揮する樹脂として、その融点を70〜90℃とする一方、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレンメタクリル酸共重合体、エチレンメチルメタクリレート共重合体、アクリル酸エチレン共重合体、アクリル酸エチルエチレン共重合体、アクリル酸メチルエチレン共重合体、又はこれらの共重合体を金属イオンにより架橋した樹脂の少なくともいずれか1種を含む樹脂とした。
この樹脂の融点を特定したのは、融点が90℃より高い場合、ダイシング加工時に切削屑が発生する場合があり、融点が70℃より低い場合にはフィルム化が困難になると共にダイシング中に発生する切削熱により基材全体が溶融してダイシング装置部品に基材が融着する場合があるためである。
本発明で好ましい樹脂のMFRは1〜15g/10minである。ダイシングテープとして用いる場合には、押出成型によって形成されることが好ましく、MFRが低い傾向にあると流動性が悪くなり均一な厚みのフィルムを得難い傾向にあり、高いとフィルム厚みの制御が困難となるためである。表層、中間層及び基材層の各々のMFRは、差が大きい場合、吐出量が安定せず、厚みの構成比率にムラが生じてしまうため、お互いに近い方が良い。
本発明にかかるシートの厚みは、好ましくは60〜300μm、より好ましくは80〜200である。薄いと基材融着の傾向にあり、厚いとエキスパンド性が悪くなる傾向にある。なお、エキスパンドとは、素子のピックアップ性を向上させるために、シートをその面の流れ方向、幅方向の双方に引き延ばすことである。中間層の厚みは、シート全体の厚みに対して、30〜90%であることが好ましい。中間層の比率が低いと剛性が高くなってエキスパンド性が低下し、ピックアップ不良を引き起こす場合があり、中間層の比率が高いと、フィルムの拡張性に劣るためである。
本発明で採用される粘着層は、特開昭62―69640号公報、特開2001−234136号公報に開示されているような従来の感圧性粘着剤又は特開昭60―196956号公報に開示されているような光硬化型感圧性粘着剤を用いることができる。粘着剤層の厚みは、一般に5〜100μmであり、10〜40μmが好ましい。
以下、本発明にかかる実施例について、表1を参照しつつ比較例と比較しながら詳細に説明する。
Figure 0004744196
実施例1にかかるシートは、表層及び基材層をEVA(エチレン酢酸ビニル共重合体、三井・デュポン・ポリケミカル社製、EVAFLEX EV460、融点84℃、メルトインデックス=2.5g/10分)で形成し、中間層を水素添加したランダムスチレン−ブタジエン共重合体(旭化成製、S.O.E.SS9000、スチレン含有量=70wt%、メルトインデックス=2.6g/10分)で形成した。このシートは、これらの樹脂の組成物をTダイ押出成型によって、表層、中間層、基材層の順に形成して、表層の厚み25μm、中間層の厚み100μm、基材層の厚み25μmの総厚150μmとなるように三層で形成したものである。なお、表層にはシボロール#600を使用しエンボス処理を施した。このようにして得られたシートの基材層の表面に感圧性粘着剤を転写塗工により15μm塗布して粘着テープを得た。
表1における「加工性」は、粘着剤層を積層する前のシートを測定したものであり、シートを巻き取った際の巻き取り開始端及び終了端から5mの箇所の2カ所におけるシート両端部及び中央部の3カ所、合計6箇所の厚み測定をダイヤルゲージで行い、全て150±10μmの範囲のものを「良」、1つでも外れていたものを「不可」とした。
表1における「ダイシング性」は、粘着テープに厚さ400μmのシリコンウエハを貼り合わせ、ダイシング装置:DISCO社製DAD341、ブレード:DISCO社製NBC−ZH2050−27HEEE、回転数:40,000r.p.m.、送り速度:80mm/秒、ダイシング深さ:テープ表面から50μm、冷却水の温度:25℃、流量:1リットル/分、ダイシングサイズ:10mm×10mmでダイシング後、切断されたシリコンウエハチップを全て剥がし、超深度形態観察顕微鏡(キーエンス社製VK―8500)を用い、倍率200倍で、中心に近い10ストリート(ストリート=粘着テープ上ダイシング切断痕)を第一方向と第二方向それぞれについて観察し、切削屑が一つでも確認されたものを「不可」とし、観察されないものを「良」とした。
表1における「エキスパンド性」は、エキスパンド装置HUGLE社製ELECTRONICS HS−1800を用い、引落量20mm、引落速度20mm/秒、加温条件40℃×1分でエキスパンド後、チップの間に形成される隙間のうち最も狭いものが0.3mm未満のもの又は粘着テープが破断したものを「不可」、0.3mm以上のものを「良」とした。
実施例1では、加工性、ダイシング性、エキスパンド性を持ち合わせた延着テープが得られた。なお、以下に説明する実施例及び比較例は、特に記載しない限り実施例1と同様のものである。
実施例2は、表層・基材層をEMMA(エチレンメチルメタクリレート共重合体、住友化学工業社製、アクリフトWK307、融点78℃)とした以外、実施例1と同様のものであり、実施例3は、表層・基材層をEMAA(エチレンメタクリル酸共重合体、三井・デュポン・ポリケミカル社製、ニュクレルAN4213C、融点=88℃)とした以外、実施例1と同様のものである。実施例4は、表層・基材層をEEA(アクリル酸エチルエチレン共重合体、三井・デュポン・ポリケミカル社製、EVAFLEX−EEA A702、融点84℃)とした以外、実施例1と同様のものであり、実施例5は、表層・基材層をアイオノマ(三井・デュポン・ポリケミカル製、ハイミラン1855、融点=86℃)とした以外は、実施例1と同様のものである。
比較例1は、中間層を水素添加したブロックスチレン−ブタジエン共重合体(旭化成社製、タフテックH1041とした以外、実施例1と同様としたものであり、比較例2は、中間層を水素添加したランダムスチレン−ブタジエン共重合体(旭化成社製、S.O.E.SS9000)50wt%とランダムPP(出光興産社製、F−724NP)50wt%の混合物にした以外、実施例1と同様としたものであり、比較例3は、表層・基材層をEVA(エチレン酢酸ビニル共重合体、三井・デュポン・ポリケミカル社製、EVAFLEX EV523、融点=63℃)とした以外、実施例1と同様としたものであり、比較例4は、表層・基材層をEVA(エチレン酢酸ビニル共重合体、三井・デュポン・ポリケミカル社製、EVAFLEX P1205、融点=94℃)とした以外、実施例1と同様としたものである。比較例5は、表層・基材層をEMMA(エチレンメチルメタクリレート共重合体、住友化学工業社製、アクリフトWD301、融点=100℃)とした以外、実施例1と同様としたものであり、比較例6は、表層・基材層をEMAA(エチレンメチルメタクリレート共重合体、三井・デュポン・ポリケミカル社製、ニュクレルN1108C、融点=98℃)とした以外、実施例1と同様としたものであり、比較例7は、表層・基材層をEEA(アクリル酸エチルエチレン共重合体、三井・デュポン・ポリケミカル社製、EVAFLEX−EEA A701、融点=98℃)とした以外、実施例1と同様としたものであり、比較例8は、表層・基材層をアイオノマ(三井・デュポン・ポリケミカル社製、ハイミラン1554、融点=97℃)とした以外、実施例1と同様としたものであり、比較例9は、表層・基材層をLDPE(低密度ポリエチレン、東ソー社製、ペトロセン226、融点=112℃)とした以外、実施例1と同様としたものであり、比較例10は、表層・基材層をランダムPP(ランダムポリプロピレン、出光興産社製、F−724NP、融点=146℃)とした以外、実施例1と同様としたものである。
各実施例にあっては、いずれも良好な結果であった。比較例にあっては、表1に示すように、いずれかの評価で好ましくない結果となった。
本発明は、合成樹脂製のシート、このシートを用いた粘着シート及びダイシング方法であり、半導体チップや電子部品を製造する工程において、半導体ウエハをチップ状にダイシングする際や、板状に複数個形成された電子部品群を個別にダイシングする際に利用される粘着テープ及び、そのダイシング方法に関するものである。

Claims (2)

  1. 基材層と、基材層の上に積層された中間層と、中間層の上に積層された表層を有する粘着シートであって、表層及び基材層を形成する樹脂が、その融点を70〜90℃とする一方、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレンメタクリル酸共重合体、エチレンメチルメタクリレート共重合体、アクリル酸エチレン共重合体、アクリル酸エチルエチレン共重合体、アクリル酸メチルエチレン共重合体、又はこれらの共重合体を金属イオンにより架橋した樹脂の少なくともいずれか1種を含む樹脂であり、中間層を形成する樹脂が、完全水素添加されたスチレン−ブタジエンランダム共重合体であるシートの基材層の露出面又は表層の露出面の少なくとも一方又は双方に、粘着剤層を積層した粘着シート。
  2. 電子部品ダイシング用である請求項1記載の粘着シート。
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