KR102032006B1 - 점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법 - Google Patents

점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법

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Abstract

과제
본 발명은 다이싱시에 칩이 비산하지 않고, 픽업을 용이하게 할 수 있으며, 점착제 잔류 현상이 발생하기 어려운 점착 시트를 제공하는 것을 주요 목적으로 한다.
해결 방법
기재에 광경화형 점착제층을 적층하여 이루어지는 점착 시트로서, 상기 광경화형 점착제가 (메타)아크릴산에스테르 공중합체와, 광중합성 화합물과, 다관능 이소시아네이트 경화제와, 광중합 개시제와, 점착 부여 수지를 포함하며, 상기 점착 부여 수지가 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지인 점착 시트를 제공한다.

Description

점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법{ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 점착 시트 및 상기 점착 시트를 이용한 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 또는 기판은 점착 시트를 첩합한 후에 소자 소편(小片)에 대한 절단(다이싱), 점착 시트의 연신(익스팬딩), 점착 시트로부터의 소자 소편의 박리(픽업) 등의 각 공정으로 할당된다. 이들 공정에서 사용되는 점착 시트(다이싱 테이프)로는 다이싱 공정에서는 절단된 소자 소편(칩)에 대하여 충분한 점착력을 가지지만 픽업 공정시에는 점착제 잔류 현상이 없을 정도로 점착력이 감소되어 있는 것이 요구된다.
점착 시트로서, 자외선 및/또는 전자선 등의 활성 광선에 대하여 투과성을 갖는 기재 위에 자외선 등에 의해 중합 경화 반응을 하는 점착제층을 도포한 것이 있다. 이 점착 시트에서는 다이싱 공정 후에 자외선 등을 점착제 층에 조사(照射)하고, 점착제 층을 중합 경화시켜 점착력을 저하시킨 후, 절단된 칩을 픽업하는 방법이 채용된다.
이러한 점착 시트로는 특허문헌 1 및 특허문헌 2에는, 기재 면에 예를 들면 활성 광선에 따라 3차원 망상화(網狀化)할 수 있는, 분자 내에 광중합성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물(다관능성 올리고머)을 함유하여 이루어지는 점착제를 도포한 점착 시트가 개시되어 있다.
일본 특개 소60-196956호 공보 일본 특개 소60-223139호 공보
반도체 웨이퍼 또는 기판의 가공 공정 중, 다이싱 공정에서는 절단된 소자 소편(칩)이 비산하지 않도록 점착 시트의 점착제에 점착 부여 수지를 함유하는 경우가 있지만, 활성 광선을 조사한 때에 점착 부여 수지가 악영향을 미쳐 점착제의 경화 저해를 유발하여 픽업 공정시에 박리를 할 수 없다거나 점착제가 잔존한다거나 하는 경우가 있었다. 또한, 점착 부여 수지가 반도체 웨이퍼 또는 기판 표면에 경시(經時)적으로 흡출(bleed out)되는 경우가 있었다.
여기에서, 본 발명은 다이싱시에 칩이 비산하지 않고, 픽업을 용이하게 할 수 있으며, 점착제 잔류 현상이 발생하기 힘든 점착 시트를 제공하는 것을 주요 목적으로 한다.
본 발명자들은 기재에 광경화형 점착제층을 적층하여 이루어지는 점착 시트로서, 광경화형 점착제가 (메타)아크릴산에스테르 공중합체와, 광중합성 화합물과, 다관능 이소시아네이트 경화제와, 광중합 개시제와, 점착 부여 수지를 포함하며, 점착 부여 수지가 완전 또는 부분 수첨(水添)된 테르펜 페놀 수지인 점착 시트로 하였다.
본 발명의 일 태양에 있어서는 상기 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지가 수산기값(水酸基價) 50∼250이다. 또한, 상기 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지가 수첨률 30∼100%이다.
또한 본 발명의 일 태양에 있어서는 상기 광경화형 점착제가 (메타)아크릴산에스테르 공중합체 100중량부와, 광중합성 화합물 5∼200중량부와, 다관능 이소시아네이트 경화제 0.5∼20중량부와, 광중합 개시제 0.1∼20중량부와, 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지 0.5∼100중량부를 포함한다.
또한 본 발명의 일 태양에 있어서는 상기 광경화형 점착제는 수산기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체와, 수산기를 갖는 광중합 개시제와, 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지가 이소시아네이트 경화제에 의해 화학 결합하고 있다.
아울러, 본 발명은 청구항 1∼5 기재의 상기 점착 시트를 이용한 전자 부품의 제조 방법으로서, 링 프레임에 첩합된 상기 점착 시트에 반도체 웨이퍼 또는 기판을 첩부(貼付)하는 첩부 공정과, 상기 반도체 웨이퍼 또는 상기 기판을 다이싱하여 반도체 칩 또는 반도체 부품으로 하는 다이싱 공정과, 상기 점착 시트에 활성 광선을 조사하는 광 조사 공정과, 상기 반도체 칩 또는 상기 반도체 부품끼리의 간격을 넓히기 위해 점착 시트를 연신하는 익스팬드 공정과, 상기 점착 시트로부터 상기 반도체 칩 또는 상기 반도체 부품을 픽업하는 픽업 공정을 포함하는 전자 부품의 제조 방법도 제공한다.
본 발명에 의해, 다이싱시에 칩이 비산하지 않고, 픽업을 용이하게 할 수 있으며, 점착제 잔류 현상이 발생하기 어려운 점착 시트가 제공된다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 바람직한 형태에 대하여 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 실시형태는 본 발명의 대표적인 실시형태의 일례를 나타낸 것이며, 이에 따라 본 발명의 범위가 좁게 해석되는 것은 아니다.
1. 점착 시트
본 발명에 관한 점착 시트는 기재에 광경화형 점착제층(이하, 간단히 「점착제층」으로도 명명)을 적층하여 이루어지고, 광경화형 점착제가 (메타)아크릴산에스테르 공중합체와, 광중합성 화합물과, 다관능 이소시아네이트 경화제와, 광중합 개시제와, 점착 부여 수지를 포함하며, 점착 부여 수지가 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지인 것을 특징으로 한다.
(1-1) (메타)아크릴산에스테르 공중합체
(메타)아크릴산에스테르 공중합체는 (메타)아크릴산에스테르 단량체만의 중합체 또는 (메타)아크릴산에스테르 단량체와 비닐 화합물 단량체의 공중합체이다. 또한, (메타)아크릴레이트란 아크릴레이트 및 메타아크릴레이트의 총칭이다. (메타)아크릴산 등의 (메타)를 포함하는 화합물 등도 마찬가지로, 각 명칭 중에 「메타」를 갖는 화합물과 「메타」를 갖지 않는 화합물의 총칭이다.
(메타)아크릴산에스테르 단량체로는 예를 들면 부틸(메타)아크릴레이트, 2-부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, 펜틸(메타)아크릴레이트, 옥틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, 트리데실(메타)아크릴레이트, 미리스틸(메타)아크릴레이트, 세틸(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 메톡시에틸(메타)아크릴레이트, 에톡시에틸(메타)아크릴레이트, 부톡시메틸(메타)아크릴레이트 및 에톡시-n-프로필(메타)아크릴레이트를 들 수 있다.
(메타)아크릴산에스테르 단량체에 공중합 가능한 비닐 화합물 단량체로는 수산기, 카복시기, 에폭시기, 아미드기, 아미노기, 메틸올기, 설폰산기, 설파민산기 또는 (아)인산에스테르기와 같은 관능기 군 중 1종 이상을 갖는 관능기 함유 단량체를 들 수 있다.
수산기를 갖는 단량체로는 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트가 있다.
카복시기를 갖는 단량체로는 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산, 말레산, 무수말레산, 이타콘산, 푸마르산, 아크릴아미도 N-글리콜산 및 신남산(cinnamic acid)이 있다.
에폭시기를 갖는 단량체로는 예를 들면, 알릴글리시딜에테르 및 (메타)아크릴산글리시딜에테르가 있다.
아미드기를 갖는 단량체로는 예를 들면, (메타)아크릴아미드가 있다.
아미노기를 갖는 단량체로는 예를 들면, N,N-디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트가 있다.
메틸올기를 갖는 단량체로는 예를 들면, N-메틸올아크릴아미드가 있다.
이 중, 피착체에 대한 오염을 방지하기 위해, 이소시아네이트 경화제와 반응할 수 있는 수산기를 갖는 단량체를 포함하는 것이 바람직하다.
(1-2) 광중합성 화합물
광중합성 화합물로는 예를 들면, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄 테트라아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리스리톨모노히드록시 펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 시아누르산 트리에틸아크릴레이트, 시판되는 올리고에스테르아크릴레이트 등이 이용된다.
광중합성 화합물로 상기 아크릴레이트계 화합물 외에, 우레탄아크릴레이트 올리고머를 이용할 수도 있다. 우레탄아크릴레이트 올리고머는 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머에 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 반응시켜 얻어진다.
다가 이소시아네이트 화합물로는 예를 들면, 2,4-톨리렌디이소시아네이트, 2,6-톨리렌디이소시아네이트, 1,3-크실렌디이소시아네이트, 1,4-크실렌디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트 등이 이용된다. 또한, 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트로는 예를 들면, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리아크릴레이트, 글리시돌 디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 모노히드록시 펜타아크릴레이트 등이 이용된다.
광중합성 화합물로는 비닐기를 4개 이상 갖는 우레탄아크릴레이트 올리고머가 자외선 등의 조사 후의 점착제의 경화가 양호한 점에서 바람직하다.
광중합성 화합물의 배합량은 (메타)아크릴산에스테르 공중합체 100중량부에 대하여 5중량부 이상 200중량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 20중량부 이상 120중량부 이하가 보다 바람직하다. 광중합성 화합물의 배합량을 적게 하면 방사선 조사 후의 점착 시트의 박리성이 저하하여, 반도체 칩의 픽업 불량을 발생시키기 쉬워진다. 한편, 광중합성 화합물의 배합량을 많게 하면 다이싱시 점착제가 딸려 올라옴에 의해 픽업 불량이 발생하기 쉬워질 뿐만 아니라 반응 잔사에 의한 미소한 점착제 잔류 현상이 발생하여 오염의 원인이 된다.
(1-3) 다관능 이소시아네이트 경화제
다관능 이소시아네이트 경화제로는 이소시아네이트기를 2개 이상 갖는 것이며, 예를 들면 방향족 폴리이소시아네이트, 지방족 폴리이소시아네이트, 지환족 폴리이소시아네이트, 이들의 2량체나 3량체, 부가체 등이 이용된다.
방향족 폴리이소시아네이트로는 예를 들면, 1,3-페닐렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐디이소시아네이트, 1,4-페닐렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 2,4-톨리렌디이소시아네이트, 2,6-톨리렌디이소시아네이트, 4,4'-톨루이딘디이소시아네이트, 2,4,6-트리이소시아네이트톨루엔, 1,3,5-트리이소시아네이트벤젠, 디아니시딘디이소시아네이트, 4,4'-디페닐에테르디이소시아네이트, 4,4',4"-트리페닐메탄트리이소시아네이트, ω,ω'-디이소시아네이트-1,3-디메틸벤젠, ω,ω'-디이소시아네이트-1,4-디메틸벤젠, ω,ω'-디이소시아네이트-1,4-디에틸벤젠, 1,4-테트라메틸크실릴렌 디이소시아네이트 및 1,3-테트라메틸크실릴렌 디이소시아네이트가 있다.
지방족 폴리이소시아네이트로는 예를 들면, 트리메틸렌 디이소시아네이트, 테트라메틸렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 펜타메틸렌 디이소시아네이트, 1,2-프로필렌 디이소시아네이트, 2,3-부틸렌 디이소시아네이트, 1,3-부틸렌 디이소시아네이트, 도데카메틸렌 디이소시아네이트 및 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트가 있다.
지환족 폴리이소시아네이트로는 예를 들면, 3-이소시아네이트메틸-3,5,5-트리메틸시클로헥실이소시아네이트, 1,3-시클로펜탄 디이소시아네이트, 1,3-시클로헥산 디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산 디이소시아네이트, 메틸-2,4-시클로헥산 디이소시아네이트, 메틸-2,6-시클로헥산 디이소시아네이트, 4,4'-메틸렌비스(시클로헥실이소시아네이트), 1,4-비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산 및 1,4-비스(이소시아네이트메틸)시클로헥산이 있다.
2량체나 3량체, 부가체로는 예를 들면, 디페닐메탄 디이소시아네이트의 2량체, 헥사메틸렌디이소시아네이트의 3량체, 트리메틸올프로판과 톨리렌디이소시아네이트의 부가체, 트리메틸올프로판과 헥사메틸렌디이소시아네이트의 부가체가 있다.
상술하는 폴리이소시아네이트 중, 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 것이 바람직하고, 특히 헥사메틸렌디이소시아네이트의 3량체, 트리메틸올프로판과 톨리렌디이소시아네이트의 부가체, 트리메틸올프로판과 헥사메틸렌디이소시아네이트의 부가체가 바람직하다.
다관능 이소시아네이트 경화제의 배합비는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체 100중량부에 대하여 0.5중량부 이상 20중량부 이하가 바람직하고, 1.0중량부 이상 10중량부 이하가 보다 바람직하다. 다관능 이소시아네이트 경화제가 0.5중량부 이상이면 점착력이 너무 강하지 않으므로 픽업 불량의 발생을 억제할 수 있으며, 또한 수산기를 갖는 광중합 개시제와 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지의 화학 결합에 의해 광중합 개시제와 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지가 점착제 표면으로 흡출되는 것에 의한 오염을 억제할 수 있으며, 다관능 이소시아네이트 경화제가 20중량부 이하이면 점착력이 저하하지 않고 다이싱시에 반도체 칩의 보유성이 유지된다.
(1-4) 광중합 개시제
광중합 개시제로는 벤조인, 벤조인알킬에테르류, 아세토페논류, 안트라퀴논류, 티옥산톤류, 케탈류, 벤조페논류 또는 크산톤류 등이 이용된다.
벤조인으로는 예를 들면 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인프로필에테르 등이 있다.
아세토페논류로는 예를 들면 벤조인알킬에테르류, 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-아세토페논, 2,2-디에톡시-2-아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논 등이 있다.
안트라퀴논류로는 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-터셔리부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논 등이 있다.
티옥산톤류로는 예를 들면 2,4-디메틸티옥산톤, 2,4-디이소프로필티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디이소프로필티옥산톤 등이 있다.
케탈류로는 예를 들면, 아세토페논 디메틸케탈, 벤질디메틸케탈, 벤질디페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논 등이 있다.
이 중, 피착체에 대한 오염을 방지하기 위해, 이소시아네이트 경화제와 반응할 수 있는 수산기를 갖는 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]-페닐}-2-메틸-프로판-1-온(BASF 제팬사 제, 제품명 IRGACURE 127) 등이 바람직하다.
광중합 개시제의 배합량은 (메타)아크릴산에스테르 중합체 100중량부에 대하여 0.1중량부 이상 20중량부 이하가 바람직하다. 배합량이 너무 적으면 방사선 조사 후의 점착 시트의 박리성이 저하하여 반도체 칩의 픽업 불량을 일으키기 쉽게 된다. 한편, 배합량이 너무 많으면 광중합 개시제가 점착제 표면으로 흡출하여 오염의 원인이 된다.
광중합 개시제로는 필요에 따라 종래 공지의 광중합 촉진제를 1종 또는 2종 이상을 조합하여 병용해도 된다. 광중합 촉진제로는 벤조산계나 제3급 아민 등을 이용할 수 있다. 제3급 아민으로는 트리에틸아민, 테트라에틸펜타아민, 디메틸아미노에테르 등을 들 수 있다.
(1-5) 점착 부여 수지
점착 부여 수지로는 테르펜 페놀 수지를 완전 또는 부분 수첨한 테르펜 페놀 수지가 바람직하다.
테르펜 페놀 수지는 예를 들면 테르펜 화합물 1몰과 페놀류 0.1∼50몰을 반응시켜 제조할 수 있다.
테르펜 화합물로는 미르센(myrcene), 알로오시멘(alloocimene), 오시멘, α-피넨, β-피넨, 디펜텐, 리모넨, α-페란드렌, α-테르피넨, γ-테르피넨, 테르피놀렌, 1,8-시네올, 1,4-시네올, α-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 칸펜, 트리시클렌, 사비넨, 파라멘타디엔류, 카렌류 등을 들 수 있다. 이들 화합물 중에서 α-피넨, β-피넨, 리모넨, 미르센, 알로오시멘, α-테르피넨이 본 발명에서는 특히 바람직하게 이용된다.
페놀류로는 페놀, 크레졸, 크실레놀, 카테콜, 레조르신, 히드로퀴논, 비스페놀A 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
테르펜 페놀 수지의 페놀류의 비율은 25∼50몰% 정도이지만 이들에 한정되는 것은 아니다.
완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지의 수산기값은 50∼250이 바람직하다. 수산기값이 50 미만인 경우는 이소시아네이트계 경화제와의 반응이 충분하지 않고, 점착제 표면으로 흡출되어 오염의 원인이 되며, 250보다 많으면 점도가 상승하고 (메타)아크릴산에스테르 공중합체 등과의 혼합 얼룩이 발생하여 픽업 특성이 안정되지 않기 때문이다.
수첨하는 방법으로는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 팔라듐, 루테늄, 로듐 등의 귀금속 또는 이들을 활성 탄소, 활성 알루미늄, 규조토 등의 담체상에 담지한 것을 촉매로서 사용하여 실시하는 방법을 들 수 있다. 또한, 수첨률은 브롬값 측정, 요오드값 측정 등에 의해 측정할 수 있다.
완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지의 수첨률은 30% 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 70% 이상이다. 30% 미만인 경우, 활성 광선의 조사에 의한 광중합성 화합물의 반응 저해에 따라 점착력이 충분히 저하되지 않아 픽업성이 저하하기 때문이다.
완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지의 배합비는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체 100중량부에 대하여 0.5중량부 이상 100중량부 이하가 바람직하고, 1.0중량부 이상 50중량부 이하가 보다 바람직하다. 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지가 0.5중량부 이상이면 점착력이 너무 낮지 않으므로 다이싱시에 반도체 칩의 보유성이 유지되며, 100중량부 이하이면 픽업 불량 발생을 억제할 수 있다.
점착제층의 두께는 3㎛ 이상 100㎛ 이하가 바람직하고, 5㎛ 이상 20㎛ 이하가 특히 바람직하다. 점착제층이 너무 두꺼우면 점착력이 너무 높게 되어 픽업성이 저하된다. 또한, 점착제층이 너무 얇으면 점착력이 너무 낮게 되어 다이싱시의 칩 보유성이 저하하여 링 프레임과 시트 사이에서 박리가 일어나는 경우가 있다.
점착제에는 노화 방지제, 충전제, 자외선 흡수제 및 광 안정제 등의 각종 첨가제가 첨가되어 있어도 된다.
(2) 기재
기재의 재료로는 예를 들면, 폴리염화비닐, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산-아크릴산에스테르필름, 에틸렌-에틸아크릴레이트 공중합체, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 프로필렌계 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체 및 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체나 에틸렌-(메타)아크릴산-(메타)아크릴산에스테르 공중합체 등을 금속 이온으로 가교한 이오노머 수지 등을 들 수 있다. 기재는 이들 수지의 혼합물 또는 공중합체라도 되며, 이들 수지로 이루어진 필름이나 시트의 적층체여도 된다.
기재 필름의 소재는 이오노머 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 이오노머 수지 중에서도 에틸렌 단위, 메타아크릴산 단위 및 (메타)아크릴산 알킬에스테르 단위를 갖는 공중합체를 Na+, K+, Zn2 + 등의 금속 이온으로 가교한 이오노머 수지를 이용하면 절삭찌꺼기 억제 효과가 현저하여 바람직하게 이용된다.
기재는 상기 재료로 이루어진 단층 또는 다층의 필름 또는 시트여도 되며, 상이한 재료로 이루어진 필름 등을 적층한 것이어도 된다. 기재의 두께는 50∼200㎛, 바람직하게는 70∼150㎛이다.
기재에는 대전 방지 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 대전 방지 처리로는 기재에 대전 방지제를 배합하는 처리, 기재 표면에 대전 방지제를 도포하는 처리, 코로나 방전에 의한 처리가 있다.
대전 방지제로는 예를 들면 4급 아민염 단량체 등을 이용할 수 있다. 4급 아민 단량체로는 예를 들면 디메틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 4급 염화물, 디에틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 4급 염화물, 메틸에틸아미노에틸(메타)아크릴레이트 4급 염화물, p-디메틸아미노스티렌 4급 염화물 및 p-디에틸아미노스티렌 4급 염화물을 들 수 있다. 이 중, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트 4급 염화물이 바람직하다.
2. 전자 부품의 제조 방법
본 발명에 관한 전자 부품의 제조 방법의 구체적인 공정을 순서대로 설명한다.
(2-1) 첩부 공정
우선, 첩부 공정에 있어서 점착 시트를 반도체 웨이퍼(또는 기판)와 링 프레임에 첩부한다. 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼 및 갈륨나이트라이드 웨이퍼, 탄화규소 웨이퍼, 사파이어 웨이퍼 등의 종래 범용의 웨이퍼여도 된다. 기판은 수지로 칩을 봉지한 패키지 기판, LED 패키지 기판 등의 범용 기판이어도 된다.
(2-2) 다이싱 공정
다이싱 공정에서는 실리콘 웨이퍼 등을 다이싱하여 반도체 칩 또는 반도체 부품으로 한다.
(2-3) 광 조사 공정
광 조사 공정에서는 기재측으로부터 광경화형 점착제층에 자외선 등의 활성 광선을 조사한다. 자외선의 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 메탈 할라이드 램프를 이용할 수 있다. 또한, 자외선 대신에 전자선을 이용해도 되며, 전자선의 광원으로는 α선, β선, γ선을 이용할 수 있다.
광 조사에 의해 점착제층은 3차원 망상화하여 경화하고, 점착제층의 점착력이 저하한다. 이때, 상술한 바와 같이, 본 발명에 관한 점착 시트는 가온해도 웨이퍼 등에 과도하게 밀착하는 일이 없기 때문에 자외선 등의 조사에 의해 충분한 접착력의 저하를 얻을 수 있다.
(2-4) 익스팬드 공정/픽업 공정
익스팬드 공정/픽업 공정에서는 반도체 칩 또는 반도체 부품끼리의 간격을 넓히기 위한 점착 시트를 연신하여, 칩 또는 부품을 니들 핀 등으로 밀어 올린다. 그 후, 칩 또는 부품을 진공 콜릿(vacuum collet) 또는 에어 핀셋 등으로 흡착하고, 점착시트의 점착제층으로부터 박리하여 픽업한다. 이때, 본 발명에 관한 점착 시트에서는 자외선 등의 조사에 의해 충분한 접착력의 저하를 얻을 수 있기 때문에 칩 또는 부품과 점착제층 사이의 박리가 용이하게 되며 양호한 픽업성을 얻을 수 있어 점착제 잔류 등의 불량이 발생하는 경우도 없다.
실시예
<실시예 1>
「표 1」에 나타내는 배합에 따라 광경화형 점착제를 조제하였다. 이 광경화형 점착제를 폴리에틸렌테레프탈레이트제의 세퍼레이터 필름 위에 도포하고, 건조 후의 점착층의 두께가 20㎛가 되도록 도공하였다. 이 점착층을 기재 필름에 적층하고 40℃에서 7일간 숙성하여 점착 시트를 얻었다.
기재 필름으로는 에틸렌-메타아크릴산-메타아크릴산알킬에스테르 공중합체의 Zn염을 주체로 하는 이오노머 수지로서, MFR값 1.0g/10분(JIS K7210, 210℃), 융점 86℃, Zn2 + 이온을 함유하는 것(미츠이·듀퐁 폴리케미컬사 제, 제품번호: HM1855)을 T 다이 압출하여 100㎛로 성막한 것을 이용하였다.
[광경화형 점착제]
[(메타)아크릴산에스테르 공중합체]
A-1: 소켄화학사 제 SK 다인 1496; 2-에틸헥실아크릴레이트 96%, 2-히드록시에틸아크릴레이트 4%의 공중합체, 용액 중합으로 얻어진다.
A-2: 일본제온사 제 아크릴 고무 AR53L; 에틸아크릴레이트 42%, 부틸아크릴레이트 22%, 메톡시에틸아크릴레이트 36%의 공중합체, 유화중합에 의해 얻어진다.
[광중합성 화합물]
B-1: 네가미공업사 제 UN-905; 이소포론디이소시아네이트의 3량체에 디펜타에리스리톨 펜타아크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴레이트를 반응시킨 것으로, 비닐기의 수가 15개.
B-2: 신나카무라화학사 제 A-TMPT; 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 비닐기 수가 3개.
[다관능 이소시아네이트 경화제]
C-1: 일본 폴리우레탄사 제 콜로네이트 L-45E; 2,4-톨리렌디이소시아네이트의 트리메틸올프로판과의 부가체.
[광중합 개시제]
D-1: BASF 제팬사 제 IRGACURE 127; 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]-페닐}-2-메틸-프로판-1-온.
D-2: BASF 제팬사 제 IRGACURE 651; 벤질디메틸케탈.
[점착 부여 수지]
α-피넨(야스하라케미컬(주) 제 α-피넨, 순도 95%) 1몰과 페놀(칸토화학(주) 제 페놀, 순도 99%) 0.5몰을 반응시켜, GPC에 의한 수평균 분자량 600, 중량 평균 분자량 800의 테르펜 페놀 수지를 이용하여, E-1의 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지를 얻었다.
E-1: 수산기값 120, 수첨률 75%의 자사 합성품
이하는, α-피넨과 페놀의 몰비율을 변경하여 반응시킨 테르펜 페놀 수지를 이용하여 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지를 얻었다.
E-2: 수산기값 5, 수첨률 75%의 자사 합성품
E-3: 수산기값 250, 수첨률 75%의 자사 합성품
E-4: 수산기값 3, 수첨률 75%의 자사 합성품
E-5: 수산기값 300, 수첨률 75%의 자사 합성품
E-6: 수산기값 120, 수첨률 30%의 자사 합성품
E-7: 수산기값 120, 수첨률 20%의 자사 합성품
E-8: 수산기값 120, 수첨률 0%의 자사 합성품
E-9: 수산기값 120, 수첨률 100%의 자사 합성품
얻어진 점착 시트를 더미(dummy) 회로패턴을 형성한 직경 8인치, 두께 0.1mm의 실리콘 웨이퍼와 링 프레임에 첩합하여 다이싱하였다. 그 후, 광 조사, 익스팬드, 픽업의 각 공정을 수행하였다.
다이싱 공정의 조건은 아래와 같이 하였다.
다이싱 장치: DISCO사 제 DAD341
다이싱 블레이드: DISCO사 제 NBC-ZH2050-27HEEE
다이싱 블레이드 형상: 외경 55.56mm, 칼날 폭 35㎛, 내경 19.05mm
다이싱 블레이드 회전수: 40,000rpm
다이싱 블레이드 전송 속도: 50mm/초
다이싱 크기: 10mm 각(角)
점착 시트에 대한 절삭량: 40㎛
절삭수 온도: 25℃
절삭수 양: 1.0리터/분
광 조사 공정의 조건은 아래와 같이 하였다.
자외선 조사: 고압 수은등으로 조사한 양 150mJ/cm2
익스팬드·픽업 공정의 조건은 아래와 같이 하였다.
픽업 장치: 캐논 머시너리사 제 CAP-300II
익스팬드 양: 8mm
니들 핀 형상: 250㎛ R
니들 핀 수: 5개
니들 핀 밀어올림 높이: 0.3mm
다이싱 공정 및 익스팬드·픽업 공정에 있어서, 아래의 평가를 실시하였다.
(1) 칩 보유성
칩 보유성은 다이싱 공정 후에 있어서, 반도체 칩이 점착 시트에 보유되어 있는 반도체 칩의 잔존율에 기초하여 이하의 기준으로 평가하였다.
우(優)(◎) : 비산된 칩이 5% 미만
양(良)(○) : 비산된 칩이 5% 이상 10% 미만
불가(×) : 비산된 칩이 10% 이상
(2) 픽업성
픽업성은 픽업 공정에 있어서, 반도체 칩이 픽업될 수 있었던 비율에 기초하여 이하의 기준으로 평가하였다.
우(◎) : 칩의 픽업 성공률이 95% 이상
양(○) : 칩의 픽업 성공률이 80% 이상 95% 미만
불가(×) : 칩의 픽업 성공률이 80% 미만
(3) 오염성
점착 시트를 실리콘제 미러 웨이퍼에 첩부하고, 20분 후에 고압 수은등으로 자외선을 150mJ/cm2 조사한 후, 점착 시트를 박리하였다. 실리콘제 미러 웨이퍼의 첩부면 위에 잔류한 0.28㎛ 이상의 입자 수를 파티클 카운터로 측정하였다.
우(◎) : 파티클이 500개 미만
양(○) : 파티클이 2000개 미만
불가(×) : 파티클이 2000개 이상

Claims (6)

  1. 기재에 광경화형 점착제층을 적층하여 이루어지는 점착 시트로서, 상기 광경화형 점착제가 (메타)아크릴산에스테르 공중합체와, 광중합성 화합물과, 다관능 이소시아네이트 경화제와, 수산기를 갖는 광중합 개시제와, 점착 부여 수지를 포함하며, 상기 점착 부여 수지가 수첨률 30∼100%인 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지인 점착 시트.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지가 수산기값(水酸基價) 50∼250인 점착 시트.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 광경화형 점착제가 (메타)아크릴산에스테르 공중합체 100중량부와, 광중합성 화합물 5∼200중량부와, 다관능 이소시아네이트 경화제 0.5∼20중량부와, 광중합 개시제 0.1∼20중량부와, 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지 0.5∼100중량부를 포함하는 점착 시트.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 광경화형 점착제는 수산기를 갖는 (메타)아크릴산에스테르 공중합체와, 수산기를 갖는 광중합 개시제와, 완전 또는 부분 수첨된 테르펜 페놀 수지가 이소시아네이트 경화제에 의해 화학 결합하고 있는 점착 시트.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2의 점착 시트를 이용한 전자 부품의 제조 방법으로서,
    링 프레임에 첩합된 상기 점착 시트에 반도체 웨이퍼 또는 기판을 첩부하는 첩부 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼 또는 상기 기판을 다이싱하여 반도체 칩 또는 반도체 부품으로 하는 다이싱 공정과,
    상기 점착 시트에 활성 광선을 조사하는 광 조사 공정과,
    상기 반도체 칩 또는 상기 반도체 부품끼리의 간격을 넓히기 위해 점착 시트를 연신하는 익스팬드 공정과,
    상기 점착 시트로부터 상기 반도체 칩 또는 상기 반도체 부품을 픽업하는 픽업 공정을 포함하는 전자 부품의 제조 방법.
  6. 삭제
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