WO2013105455A1 - 粘着シートおよび電子部品の製造方法 - Google Patents

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WO2013105455A1
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adhesive sheet
sensitive adhesive
pressure
meth
acrylate
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齊藤 岳史
友也 津久井
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電気化学工業株式会社
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    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive sheet and a method for producing an electronic component using the adhesive sheet.
  • the semiconductor wafer or substrate is attached to each process such as cutting (dicing), stretching (expanding) the adhesive sheet, and peeling (pickup) the element small piece from the adhesive sheet after bonding the adhesive sheet. Is done.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet (dicing tape) used in these processes has sufficient adhesive strength to the cut element pieces (chips) in the dicing process, but does not have adhesive residue during the pick-up process. It is hoped that is reduced.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet there is one in which a pressure-sensitive adhesive layer that undergoes a polymerization and curing reaction with ultraviolet light or the like is applied on a base material that is transparent to active rays such as ultraviolet light and / or electron beams.
  • a pressure-sensitive adhesive layer that undergoes a polymerization and curing reaction with ultraviolet light or the like is applied on a base material that is transparent to active rays such as ultraviolet light and / or electron beams.
  • ultraviolet light or the like is irradiated to the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer is polymerized and cured to reduce the pressure-sensitive adhesive force, and then a cut chip is picked up.
  • Patent Document 1 and Patent Document 2 disclose a compound having a photopolymerizable unsaturated double bond in its molecule (polyfunctional) that can be three-dimensionally reticulated on the substrate surface by, for example, actinic rays.
  • An adhesive sheet coated with an adhesive containing an oligomer) is disclosed.
  • the cut element pieces (chips) do not scatter, so the adhesive of the adhesive sheet may contain a tackifying resin, but when irradiated with actinic rays In some cases, the tackifying resin adversely affects the curing of the pressure-sensitive adhesive, and it may not be peeled off during the pick-up process, or an adhesive residue may be generated. Furthermore, the tackifying resin may bleed out over time on the semiconductor wafer or substrate surface.
  • the main object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive sheet in which chips do not scatter during dicing, can be easily picked up, and adhesive residue hardly occurs.
  • the present inventors are pressure-sensitive adhesive sheets obtained by laminating a photocurable pressure-sensitive adhesive layer on a substrate, and the photocurable pressure-sensitive adhesive comprises a (meth) acrylic acid ester copolymer, a photopolymerizable compound, and a polyfunctional compound. It was set as the adhesive sheet which is a terpene phenol resin which contains the isocyanate hardening
  • the completely or partially hydrogenated terpene phenol resin has a hydroxyl value of 50 to 250.
  • the completely or partially hydrogenated terpene phenol resin has a hydrogenation rate of 30 to 100%.
  • the photocurable pressure-sensitive adhesive comprises 100 parts by mass of a (meth) acrylic acid ester copolymer, 5 to 200 parts by mass of a photopolymerizable compound, and 0.5 to 20 polyfunctional isocyanate curing agent. Parts by weight, 0.1 to 20 parts by weight of a photopolymerization initiator, and 0.5 to 100 parts by weight of a completely or partially hydrogenated terpene phenol resin.
  • the photocurable pressure-sensitive adhesive comprises a (meth) acrylic acid ester copolymer having a hydroxyl group, a photopolymerization initiator having a hydroxyl group, and a terpene phenol resin completely or partially hydrogenated. And chemically bonded by an isocyanate curing agent.
  • the present invention is a method for manufacturing an electronic component using the pressure-sensitive adhesive sheet according to claims 1 to 5, wherein a bonding step of bonding a semiconductor wafer or a substrate to the pressure-sensitive adhesive sheet bonded to a ring frame; A dicing step of dicing the semiconductor wafer or the substrate into a semiconductor chip or a semiconductor component, a light irradiation step of irradiating the adhesive sheet with an actinic ray, and an adhesive sheet for widening the interval between the semiconductor chips or the semiconductor components There is also provided a method for manufacturing an electronic component, which includes an expanding step of stretching the substrate and a pickup step of picking up the semiconductor chip or the semiconductor component from the adhesive sheet.
  • an adhesive sheet in which chips are not scattered during dicing, pickup can be easily performed, and adhesive residue is hardly generated.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention is formed by laminating a photocurable pressure-sensitive adhesive layer (hereinafter also simply referred to as “pressure-sensitive adhesive layer”) on a base material, and the photocurable pressure-sensitive adhesive is a (meth) acrylic acid ester copolymer. It is a terpene phenol resin containing a coalescence, a photopolymerizable compound, a polyfunctional isocyanate curing agent, a photopolymerization initiator, and a tackifying resin, and the tackifying resin is completely or partially hydrogenated.
  • a photocurable pressure-sensitive adhesive layer hereinafter also simply referred to as “pressure-sensitive adhesive layer”
  • the photocurable pressure-sensitive adhesive is a (meth) acrylic acid ester copolymer. It is a terpene phenol resin containing a coalescence, a photopolymerizable compound, a polyfunctional isocyanate curing agent, a photopolymerization initiator, and
  • (meth) acrylic acid ester copolymer is a polymer of only a (meth) acrylic acid ester monomer or a (meth) acrylic acid ester monomer And a vinyl compound monomer.
  • (meth) acrylate is a general term for acrylate and methacrylate.
  • a compound containing (meth) such as (meth) acrylic acid is a general term for a compound having “meta” in the name and a compound not having “meta”.
  • Examples of the (meth) acrylic acid ester monomer include butyl (meth) acrylate, 2-butyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, 2- Ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, myristyl ( (Meth) acrylate, cetyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acryl
  • Vinyl compound monomers copolymerizable with (meth) acrylic acid ester monomers include hydroxyl groups, carboxyl groups, epoxy groups, amide groups, amino groups, methylol groups, sulfonic acid groups, sulfamic acid groups, or (sub) Examples thereof include a functional group-containing monomer having one or more functional groups such as a phosphate group.
  • Examples of the monomer having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate.
  • Examples of the monomer having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, maleic anhydride, itaconic acid, fumaric acid, acrylamide N-glycolic acid and cinnamic acid.
  • Examples of the monomer having an epoxy group include allyl glycidyl ether and (meth) acrylic acid glycidyl ether.
  • Examples of the monomer having an amide group include (meth) acrylamide.
  • Examples of the monomer having an amino group include N, N-dimethylaminoethyl (meth) acrylate.
  • Examples of the monomer having a methylol group include N-methylolacrylamide.
  • Photopolymerizable compound examples include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipenta. Erythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, cyanuric acid triethyl acrylate, commercially available oligoester acrylate, and the like are used.
  • a urethane acrylate oligomer can be used in addition to the acrylate compound.
  • the urethane acrylate oligomer is obtained by reacting a (meth) acrylate having a hydroxy group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound such as a polyester type or a polyether type with a polyvalent isocyanate compound.
  • polyvalent isocyanate compound examples include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate. , Hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate and the like can be used.
  • Examples of the (meth) acrylate having a hydroxy group include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, pentaerythritol triacrylate, and glycidol di (meth). Acrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, etc. are used.
  • a urethane acrylate oligomer having 4 or more vinyl groups is preferable because the adhesive is cured well after irradiation with ultraviolet rays or the like.
  • the blending amount of the photopolymerizable compound is preferably 5 parts by mass or more and 200 parts by mass or less, and more preferably 20 parts by mass or more and 120 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic acid ester copolymer. If the blending amount of the photopolymerizable compound is reduced, the peelability of the pressure-sensitive adhesive sheet after irradiation is reduced, and the pick-up failure of the semiconductor chip is likely to occur. On the other hand, when the blending amount of the photopolymerizable compound is increased, pick-up failure is likely to occur due to the glue being picked up during dicing, and a minute adhesive residue due to a reaction residue is generated, which causes contamination.
  • polyfunctional isocyanate curing agent has two or more isocyanate groups.
  • aromatic polyisocyanate, aliphatic polyisocyanate, alicyclic polyisocyanate, and dimers of these. Body, trimer, adduct body, etc. are used.
  • Aromatic polyisocyanates include, for example, 1,3-phenylene diisocyanate, 4,4′-diphenyl diisocyanate, 1,4-phenylene diisocyanate, 4,4′-diphenylmethane diisocyanate, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6- Tolylene diisocyanate, 4,4'-toluidine diisocyanate, 2,4,6-triisocyanate toluene, 1,3,5-triisocyanate benzene, dianisidine diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, 4,4 ', 4 ”-Triphenylmethane triisocyanate, ⁇ , ⁇ ′-diisocyanate-1,3-dimethylbenzene, ⁇ , ⁇ ′-diisocyanate-1,4-dimethylbenzene, ⁇ , ⁇ ′-diisocyanate-1,4-diethylbenzene
  • aliphatic polyisocyanate examples include trimethylene diisocyanate, tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, pentamethylene diisocyanate, 1,2-propylene diisocyanate, 2,3-butylene diisocyanate, 1,3-butylene diisocyanate, dodecamethylene diisocyanate and 2 4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate.
  • Examples of the alicyclic polyisocyanate include 3-isocyanate methyl-3,5,5-trimethylcyclohexyl isocyanate, 1,3-cyclopentane diisocyanate, 1,3-cyclohexane diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, methyl-2, There are 4-cyclohexane diisocyanate, methyl-2,6-cyclohexane diisocyanate, 4,4′-methylene bis (cyclohexyl isocyanate), 1,4-bis (isocyanate methyl) cyclohexane and 1,4-bis (isocyanate methyl) cyclohexane.
  • dimers, trimers and adducts examples include diphenylmethane diisocyanate dimer, hexamethylene diisocyanate trimer, trimethylolpropane and tolylene diisocyanate adducts, trimethylolpropane and hexamethylene diisocyanate. There is an adduct body.
  • polyisocyanates those having three or more isocyanate groups are preferable, and in particular, a trimer of hexamethylene diisocyanate, an adduct of trimethylolpropane and tolylene diisocyanate, an adduct of trimethylolpropane and hexamethylene diisocyanate. Is preferred.
  • the blending ratio of the polyfunctional isocyanate curing agent is preferably 0.5 part by mass or more and 20 parts by mass or less, and more preferably 1.0 part by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic acid ester copolymer. preferable. If the polyfunctional isocyanate curing agent is 0.5 parts by mass or more, since the adhesive strength is not too strong, the occurrence of pick-up failure can be suppressed, and the photopolymerization initiator having a hydroxyl group is completely or partially hydrogenated.
  • the terpene phenol resin completely or partially hydrogenated with the photopolymerization initiator can suppress contamination due to bleed-out to the pressure-sensitive adhesive surface by chemical bonding with the terpene phenol resin. If it is less than or equal to the portion, the adhesive strength does not decrease, and the retention of the semiconductor chip is maintained during dicing.
  • Photopolymerization initiator benzoin, benzoin alkyl ethers, acetophenones, anthraquinones, thioxanthones, ketals, benzophenones or xanthones are used.
  • benzoin examples include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin propyl ether.
  • acetophenones examples include benzoin alkyl ethers, acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-acetophenone, 2,2-diethoxy-2-acetophenone, 1,1-dichloroacetophenone, and the like.
  • Anthraquinones include 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-tertiarybutylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone and the like.
  • Examples of thioxanthones include 2,4-dimethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, and 2,4-diisopropylthioxanthone.
  • Examples of ketals include acetophenone dimethyl ketal, benzyldimethylmethal, benzyldiphenylsulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, ⁇ -chloranthraquinone, and the like.
  • 2-hydroxy-1- ⁇ 4- [4- (2-hydroxy-2-methyl-propionyl) -benzyl] having a hydroxyl group capable of reacting with an isocyanate curing agent in order to prevent contamination of the adherend -Phenyl ⁇ -2-methyl-propan-1-one (manufactured by BASF Japan, product name IRGACURE127) is preferred.
  • the blending amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.1 parts by mass or more and 20 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic acid ester polymer. If the blending amount is too small, the peelability of the pressure-sensitive adhesive sheet after irradiation is lowered, and the pick-up failure of the semiconductor chip is likely to occur. On the other hand, if the amount is too large, the photopolymerization initiator bleeds out to the pressure-sensitive adhesive surface, causing contamination.
  • the photopolymerization initiator may be used in combination with one or more conventionally known photopolymerization accelerators, if necessary.
  • group, a tertiary amine, etc. can be used for a photoinitiator.
  • the tertiary amine include triethylamine, tetraethylpentamine, dimethylamino ether and the like.
  • Tackifying resin As the tackifying resin, a terpene phenol resin obtained by completely or partially hydrogenating a terpene phenol resin is preferable.
  • the terpene phenol resin can be produced, for example, by reacting 1 mol of a terpene compound with 0.1 to 50 mol of phenol.
  • terpene compounds include myrcene, alloocimene, ocimene, ⁇ -pinene, ⁇ -pinene, dipentene, limonene, ⁇ -ferrandrene, ⁇ -terpinene, ⁇ -terpinene, terpinolene, 1,8-cineole, 1,4-cineole, Examples include ⁇ -terpineol, ⁇ -terpineol, ⁇ -terpineol, camphene, tricyclene, sabinene, paramentadienes, and carenes. Among these compounds, ⁇ -pinene, ⁇ -pinene, limonene, myrcene, alloocimene and ⁇ -terpinene are particularly preferably used in the present invention.
  • Phenols include, but are not limited to, phenol, cresol, xylenol, catechol, resorcin, hydroquinone, bisphenol A and the like.
  • the ratio of phenols in the terpene phenol resin is about 25 to 50 mol%, but is not limited thereto.
  • the hydroxyl value of the completely or partially hydrogenated terpene phenol resin is preferably 50 to 250.
  • the reaction with the isocyanate curing agent is not sufficient, bleeds out to the surface of the pressure-sensitive adhesive, causing contamination, and when it exceeds 250, the viscosity increases and the (meth) acrylic acid ester This is because uneven mixing with a polymer or the like occurs and the pickup characteristics are not stable.
  • the hydrogenation method is not particularly limited, and for example, a noble metal such as palladium, ruthenium, rhodium or the like supported on a carrier such as activated carbon, activated alumina, or diatomaceous earth is used as a catalyst.
  • a noble metal such as palladium, ruthenium, rhodium or the like supported on a carrier such as activated carbon, activated alumina, or diatomaceous earth is used as a catalyst.
  • the method of performing is mentioned.
  • the hydrogenation rate can be measured by bromine number measurement, iodine number measurement, or the like.
  • the hydrogenation rate of the terpene phenol resin completely or partially hydrogenated is preferably 30% or more, more preferably 70% or more. If it is less than 30%, the adhesive force is not sufficiently lowered due to the inhibition of the reaction of the photopolymerizable compound by irradiation with actinic rays, and the pick-up property is lowered.
  • the blending ratio of the fully or partially hydrogenated terpene phenol resin is preferably 0.5 parts by mass or more and 100 parts by mass or less, and 1.0 part by mass or more and 50 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic acid ester copolymer. Less than the mass part is more preferable. If the completely or partially hydrogenated terpene phenol resin is 0.5 parts by mass or more, the adhesive strength is not too low, so the retention of the semiconductor chip is maintained during dicing, and if it is 100 parts by mass or less, the pickup is poor. Can be suppressed.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 3 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, and particularly preferably 5 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less. If the pressure-sensitive adhesive layer is too thick, the pressure-sensitive adhesive strength becomes too high and the pick-up property is lowered. On the other hand, if the pressure-sensitive adhesive layer is too thin, the pressure-sensitive adhesive force becomes too low, chip retention during dicing is lowered, and peeling may occur between the ring frame and the sheet.
  • additives such as anti-aging agents, fillers, ultraviolet absorbers and light stabilizers may be added to the adhesive.
  • Base material examples include polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid-acrylate film, ethylene-ethyl acrylate copolymer, polyethylene, and polypropylene. , Propylene-based copolymers, ethylene-acrylic acid copolymers, ethylene- (meth) acrylic acid copolymers, ethylene- (meth) acrylic acid- (meth) acrylic acid ester copolymers, etc. with metal ions Examples include crosslinked ionomer resins.
  • the base material may be a mixture or copolymer of these resins, and may be a laminate of films and sheets made of these resins.
  • an ionomer resin as a material for the base film.
  • ionomer resins if an ionomer resin obtained by crosslinking a copolymer having an ethylene unit, a methacrylic acid unit, and a (meth) acrylic acid alkyl ester unit with a metal ion such as Na + , K + , or Zn 2+ is used, cutting The dust suppressing effect is remarkable and is preferably used.
  • the base material may be a single layer or a multilayer film or sheet made of the above material, or may be a laminate of films made of different materials.
  • the thickness of the substrate is 50 to 200 ⁇ m, preferably 70 to 150 ⁇ m.
  • an antistatic treatment it is preferable to apply an antistatic treatment to the substrate.
  • the antistatic treatment include a treatment for adding an antistatic agent to the substrate, a treatment for applying the antistatic agent to the substrate surface, and a treatment by corona discharge.
  • a quaternary amine salt monomer can be used as the antistatic agent.
  • the quaternary amine salt monomer include dimethylaminoethyl (meth) acrylate quaternary chloride, diethylaminoethyl (meth) acrylate quaternary chloride, methylethylaminoethyl (meth) acrylate quaternary chloride, p-dimethyl.
  • examples include aminostyrene quaternary chloride and p-diethylaminostyrene quaternary chloride. Of these, dimethylaminoethyl methacrylate quaternary chloride is preferred.
  • an adhesive sheet is affixed to a semiconductor wafer (or substrate) and a ring frame.
  • the wafer may be a conventional general-purpose wafer such as a silicon wafer and a gallium nitride wafer, a silicon carbide wafer, or a sapphire wafer.
  • the substrate may be a general-purpose substrate such as a package substrate in which a chip is sealed with a resin or an LED package substrate.
  • actinic rays such as ultraviolet rays are irradiated from the substrate side to the photocurable pressure-sensitive adhesive layer.
  • actinic rays such as ultraviolet rays are irradiated from the substrate side to the photocurable pressure-sensitive adhesive layer.
  • the ultraviolet light source a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high pressure mercury lamp, or a metal halide lamp can be used.
  • an electron beam may be used instead of ultraviolet rays, and ⁇ -rays, ⁇ -rays, and ⁇ -rays can be used as a light source for the electron beams.
  • the light-sensitive adhesive layer is three-dimensionally reticulated and cured by light irradiation, and the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer is reduced. At this time, as described above, since the pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention does not excessively adhere to a wafer or the like even when heated, a sufficient decrease in adhesive force can be obtained by irradiation with ultraviolet rays or the like.
  • a photocurable pressure-sensitive adhesive was prepared according to the formulation shown in “Table 1”. This photocurable pressure-sensitive adhesive was coated on a polyethylene terephthalate separator film, and coated so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying was 20 ⁇ m. This pressure-sensitive adhesive layer was laminated on a base film and aged at 40 ° C. for 7 days to obtain a pressure-sensitive adhesive sheet.
  • the base film is an ionomer resin mainly composed of an ethylene-methacrylic acid-methacrylic acid alkyl ester copolymer Zn salt, MFR value 1.0 g / 10 min (JIS K7210, 210 ° C.), melting point 86
  • a material containing Zn2 + ions (Mitsui / DuPont Polychemical Co., Ltd., product number: HM1855) formed into a film of 100 ⁇ m by T-die extrusion was used.
  • A-1 SK dyne 1496 manufactured by Soken Chemical Co., Ltd. A copolymer of 96% 2-ethylhexyl acrylate and 4% 2-hydroxyethyl acrylate, obtained by solution polymerization.
  • A-2 Acrylic rubber AR53L manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd .; a copolymer of ethyl acrylate 42%, butyl acrylate 22%, methoxyethyl acrylate 36%, obtained by emulsion polymerization.
  • B-1 UN-905 manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd. A trimer of isophorone diisocyanate is reacted with an acrylate containing dipetaerythritol pentaacrylate as a main component, and has 15 vinyl groups.
  • B-2 Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. A-TMPT; trimethylolpropane triacrylate, having 3 vinyl groups.
  • Multifunctional isocyanate curing agent C-1: Coronate L-45E manufactured by Nippon Polyurethane; Adduct body of 2,4-tolylene diisocyanate with trimethylolpropane.
  • D-1 IRGACURE127 manufactured by BASF Japan; 2-hydroxy-1- ⁇ 4- [4- (2-hydroxy-2-methyl-propionyl) -benzyl] -phenyl ⁇ -2-methyl-propan-1-one.
  • D-2 IRGACURE651 manufactured by BASF Japan Ltd .; benzyldimethyl ketal.
  • E-1 In-house synthesized product having a hydroxyl value of 120 and a hydrogenation rate of 75% The following is a terpene phenol that has been completely or partially hydrogenated using a terpene phenol resin that has been reacted by changing the molar ratio of ⁇ -pinene and phenol. A resin was obtained.
  • E-2 In-house synthesized product with a hydroxyl value of 5 and a hydrogenation rate of 75%
  • E-3 In-house synthesized product with a hydroxyl value of 250 and a hydrogenation rate of 75%
  • E-4 In-house synthesis with a hydroxyl value of 3 and a hydrogenation rate of 75%
  • Product E-5 In-house synthetic product with hydroxyl value 300 and hydrogenation rate 75%
  • E-6 In-house synthesized product with hydroxyl value 120 and hydrogenation rate 30%
  • E-7 In-house product with hydroxyl value 120 and hydrogenation rate 20%
  • Synthetic product E-8 In-house synthetic product with hydroxyl value 120 and hydrogenation rate 0%
  • E-9 In-house synthetic product with hydroxyl value 120 and hydrogenation rate 100%
  • the obtained adhesive sheet was bonded to a silicon wafer having a diameter of 8 inches and a thickness of 0.1 mm on which a dummy circuit pattern was formed and a ring frame, and diced. Then, each process of light irradiation, an expand, and a pick-up was performed.
  • the conditions for the dicing process were as follows.
  • Dicing machine DAD341 manufactured by DISCO Dicing blade: NBC-ZH205O-27HEEE made by DISCO Dicing blade shape: outer diameter 55.56 mm, blade width 35 ⁇ m, inner diameter 19.05 mm
  • Dicing blade rotation speed 40,000 rpm
  • Dicing blade feed rate 50 mm / sec.
  • Dicing size 10 mm square cutting depth: 40 ⁇ m
  • Cutting water volume 1.0 l / min
  • UV irradiation 150 mJ / cm 2 with a high-pressure mercury lamp
  • Chip Retention The chip retention was evaluated according to the following criteria based on the remaining ratio of the semiconductor chips held on the adhesive sheet after the dicing step. Excellent ( ⁇ ): Chip skip is less than 5% Good ( ⁇ ): Chip skip is 5% or more and less than 10% Impossible ( ⁇ ): Chip skip is 10% or more
  • Chip pickup success rate is 95% or more
  • Chip pickup success rate is 80% or more and less than 95%
  • Impossible Chip pickup success rate is less than 80%

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Abstract

【課題】 本発明は、ダイシング時にチップが飛散せず、ピックアップが容易にでき、糊残りが生じ難い粘着シートを提供することを主な目的とする。 【解決手段】 基材に光硬化型粘着剤層を積層してなる粘着シートであって、該光硬化型粘着剤が、(メタ)アクリル酸エステル共重合体と光重合性化合物と多官能イソシアネート硬化剤と光重合開始剤と粘着付与樹脂とを含み、前記粘着付与樹脂が完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂である粘着シートを提供する。

Description

粘着シートおよび電子部品の製造方法
 本発明は、粘着シートおよび該粘着シートを用いた電子部品の製造方法に関する。
 半導体ウエハ又は基板は、粘着シートを貼合してから、素子小片への切断(ダイシング)、粘着シートの延伸(エキスパンディング)、粘着シートからの素子小片の剥離(ピックアップ)などの各工程へ配される。これらの工程で使用される粘着シート(ダイシングテープ)には、ダイシング工程では切断された素子小片(チップ)に対して充分な粘着力を有しながら、ピックアップ工程時には糊残りのない程度に粘着力が減少していることが望まれる。
 粘着シートとして、紫外線および/又は電子線などの活性光線に対し透過性を有する基材上に紫外線等により重合硬化反応をする粘着剤層を塗布したものがある。この粘着シートでは、ダイシング工程後に紫外線等を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化させて粘着力を低下させた後、切断されたチップをピックアップする方法がとられる。
 このような粘着シートとしては、特許文献1および特許文献2には、基材面に例えば活性光線によって三次元網状化しうる、分子内に光重合性不飽和二重結合を有する化合物(多官能性オリゴマー)を含有してなる粘着剤を塗布した粘着シートが開示されている。
特開昭60-196956号公報 特開昭60-223139号公報
 半導体ウエハ又は基板の加工工程のうち、ダイシング工程では切断された素子小片(チップ)が飛散しないために、粘着シートの粘着剤に粘着付与樹脂を含有する場合があるが、活性光線を照射した際に粘着付与樹脂が悪影響し、粘着剤の硬化阻害を引き起こし、ピックアップ工程時に剥離ができなかったり、糊残りが生じる場合があった。さらに、粘着付与樹脂が半導体ウエハ又は基板表面に経時でブリードアウトする場合があった。
 そこで、本発明は、ダイシング時にチップが飛散せず、ピックアップが容易にでき、糊残りが生じ難い粘着シートを提供することを主な目的とする。
 本発明者らは、基材に光硬化型粘着剤層を積層してなる粘着シートであって、光硬化型粘着剤が、(メタ)アクリル酸エステル共重合体と光重合性化合物と多官能イソシアネート硬化剤と光重合開始剤と粘着付与樹脂を含み、粘着付与樹脂が完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂である粘着シートとした。
 本発明の一態様においては、前記完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂が、水酸基価50~250である。また、前記完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂が、水添率30~100%である。
 また本発明の一態様においては、前記光硬化型粘着剤が、(メタ)アクリル酸エステル共重合体100質量部と光重合性化合物5~200質量部と多官能イソシアネート硬化剤0.5~20質量部と光重合開始剤0.1~20質量部と完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂0.5~100質量部とを含む。
 また本発明の一態様においては、前記光硬化型粘着剤は、水酸基を有する(メタ)アクリル酸エステル共重合体と水酸基を有する光重合開始剤と完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂とが、イソシアネート硬化剤により化学結合している。
 さらに、本発明は、請求項1~5記載の前記粘着シートを用いた電子部品の製造方法であって、リングフレームに貼り合わせられた前記粘着シートに半導体ウェハ又は基板を貼り付ける貼付工程と、前記半導体ウエハ又は前記基板をダイシングして半導体チップ又は半導体部品にするダイシング工程と、前記粘着シートに活性光線を照射する光照射工程と、前記半導体チップ又は前記半導体部品同士の間隔を広げるため粘着シートを引き伸ばすエキスパンド工程と、前記粘着シートから前記半導体チップ又は前記半導体部品をピックアップするピックアップ工程と、を含む電子部品の製造方法をも提供する。
 本発明により、ダイシング時にチップが飛散せず、ピックアップが容易にでき、糊残りが生じ難い粘着シートが提供される。
 以下、本発明を実施するための好適な形態について説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本発明の範囲が狭く解釈されることはない。
1.粘着シート
 本発明に係る粘着シートは、基材に光硬化型粘着剤層(以下、単に「粘着剤層」とも称する)を積層してなり、光硬化型粘着剤が、(メタ)アクリル酸エステル共重合体と光重合性化合物と多官能イソシアネート硬化剤と光重合開始剤と粘着付与樹脂を含み、粘着付与樹脂が完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂であることを特徴とする。
(1-1)(メタ)アクリル酸エステル共重合体
 (メタ)アクリル酸エステル共重合体は、(メタ)アクリル酸エステル単量体のみの重合体、又は、(メタ)アクリル酸エステル単量体とビニル化合物単量体との共重合体である。なお、(メタ)アクリレートとはアクリレートおよびメタアクリレートの総称である。(メタ)アクリル酸等の(メタ)を含む化合物等も同様に、名称中に「メタ」を有する化合物と「メタ」を有さない化合物の総称である。
 (メタ)アクリル酸エステルの単量体としては、例えばブチル(メタ)アクリレート、2-ブチル(メタ)アクリレート、t-ブチル(メタ)アクリレート、ペンチル(メタ)アクリレート、オクチル(メタ)アクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、トリデシル(メタ)アクリレート、ミリスチル(メタ)アクリレート、セチル(メタ)アクリレート、ステアリル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボロニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、メトキシエチル(メタ)アクリレート、エトキシエチル(メタ)アクリレート、ブトキシメチル(メタ)アクリレートおよびエトキシ-n-プロピル(メタ)アクリレートが挙げられる。
 (メタ)アクリル酸エステル単量体に共重合可能なビニル化合物単量体としては、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基、アミド基、アミノ基、メチロール基、スルホン酸基、スルファミン酸基又は(亜)リン酸エステル基といった官能基群の1種以上を有する官能基含有単量体が挙げられる。
 水酸基を有する単量体としては、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレートがある。
 カルボキシル基を有する単量体としては、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイン酸、イタコン酸、フマール酸、アクリルアミドN-グリコール酸およびケイ皮酸がある。
 エポキシ基を有する単量体としては、例えば、アリルグリシジルエーテルおよび(メタ)アクリル酸グリシジルエーテルがある。
 アミド基を有する単量体としては、例えば、(メタ)アクリルアミドがある。
 アミノ基を有する単量体としては、例えば、N,N-ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレートがある。
 メチロール基を有する単量体としては、例えば、N-メチロールアクリルアミドがある。
 このうち、被着体への汚染を防止するため、イソシアネート硬化剤と反応し得る水酸基を有する単量体を含むことが好ましい。
(1-2)光重合性化合物
 光重合性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4-ブチレングリコールジアクリレート、1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、シアヌル酸トリエチルアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。
 光重合性化合物として、上記アクリレート系化合物の他に、ウレタンアクリレートオリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレートオリゴマーは、ポリエステル型又はポリエーテル型などのポリオール化合物と多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマに、ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートを反応させて得られる。
 多価イソシアネート化合物には、例えば、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシレンジイソシアネート、1,4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン4,4-ジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどが用いらえる。また、ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートには、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、グリシドールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレートなどが用いられる。
 光重合性化合物としては、ビニル基を4個以上有するウレタンアクリレートオリゴマーが、紫外線等の照射後の粘着剤の硬化が良好である点で好ましい。
 光重合性化合物の配合量は、(メタ)アクリル酸エステル共重合体100質量部に対して5質量部以上200質量部以下とすることが好ましく、20質量部以上120質量部以下がより好ましい。光重合性化合物の配合量を少なくすると、放射線照射後の粘着シートの剥離性が低下し、半導体チップのピックアップ不良を生じやすくなる。一方、光重合性化合物の配合量を多くすると、ダイシング時の糊の掻き上げによりピックアップ不良が生じ易くなるとともに反応残渣による微小な糊残りが発生し、汚染の原因となる。
(1-3)多官能イソシアネート硬化剤
 多官能イソシアネート硬化剤には、イソシアネート基を2個以上有するものであり、例えば芳香族ポリイソシアネート、脂肪族ポリイソシアネート、脂環族ポリイソシアネート、これらの二量体や三量体、アダクト体などが用いられる。
 芳香族ポリイソシアネートとしては、例えば1,3-フェニレンジイソシアネート、4,4’-ジフェニルジイソシアネート、1,4-フェニレンジイソシアネート、4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、4,4’-トルイジンジイソシアネート、2,4,6-トリイソシアネートトルエン、1,3,5-トリイソシアネートベンゼン、ジアニシジンジイソシアネート、4,4’-ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4’,4”-トリフェニルメタントリイソシアネート、ω,ω’-ジイソシアネート-1,3-ジメチルベンゼン、ω,ω’-ジイソシアネート-1,4-ジメチルベンゼン、ω,ω’-ジイソシアネート-1,4-ジエチルベンゼン、1,4-テトラメチルキシリレンジイソシアネートおよび1,3-テトラメチルキシリレンジイソシアネートがある。
 脂肪族ポリイソシアネートとしては、例えばトリメチレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ペンタメチレンジイソシアネート、1,2-プロピレンジイソシアネート、2,3-ブチレンジイソシアネート、1,3-ブチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネートおよび2,4,4-トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートがある。
 脂環族ポリイソシアネートとしては、例えば3-イソシアネートメチル-3,5,5-トリメチルシクロヘキシルイソシアネート、1,3-シクロペンタンジイソシアネート、1,3-シクロヘキサンジイソシアネート、1,4-シクロヘキサンジイソシアネート、メチル-2,4-シクロヘキサンジイソシアネート、メチル-2,6-シクロヘキサンジイソシアネート、4,4’-メチレンビス(シクロヘキシルイソシアネート)、1,4-ビス(イソシアネートメチル)シクロヘキサンおよび1,4-ビス(イソシアネートメチル)シクロヘキサンがある。
 二量体や三量体、アダクト体としては、例えばジフェニルメタンジイソシアネートの二量体、ヘキサメチレンジイソシアネートの三量体、トリメチロールプロパンとトリレンジイソシアネートとのアダクト体、トリメチロールプロパンとヘキサメチレンジイソシアネートとのアダクト体がある。
 上述のポリイソシアネートのうち、イソシアネート基を3個以上有するものが好ましく、特にヘキサメチレンジイソシアネートの三量体、トリメチロールプロパンとトリレンジイソシアネートとのアダクト体、トリメチロールプロパンとヘキサメチレンジイソシアネートとのアダクト体が好ましい。
 多官能イソシアネート硬化剤の配合比は、(メタ)アクリル酸エステル共重合体100質量部に対して0.5質量部以上20質量部以下が好ましく、1.0質量部以上10質量部以下がより好ましい。多官能イソシアネート硬化剤が0.5質量部以上であれば、粘着力が強すぎないので、ピックアップ不良の発生を抑制することができ、さらに水酸基を有する光重合開始剤と完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂との化学結合により、光重合開始剤と完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂が粘着剤表面へのブリードアウトによる汚染を抑制することができ、多官能イソシアネート硬化剤が20質量部以下であれば、粘着力が低下せず、ダイシング時に半導体チップの保持性が維持される。
(1-4)光重合開始剤
 光重合開始剤には、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル類、アセトフェノン類、アントラキノン類、チオキサントン類、ケタール類、ベンゾフェノン類またはキサントン類などが用いられる。
 ベンゾインとしては、例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテルなどがある。
 アセトフェノン類としては、例えばベンゾインアルキルエーテル類、アセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-アセトフェノン、2,2―ジエトキシ-2-アセトフェノン、1,1-ジクロロアセトフェノンなどがある。
 アントラキノン類としては、2-メチルアントラキノン、2-エチルアントラキノン、2-ターシャリブチルアントラキノン、1-クロロアントラキノンなどがある。
 チオキサントン類としては、例えば2,4-ジメチルチオキサントン、2,4-ジイソプロピルチオキサントン、2-クロロチオキサントン、2,4-ジイソプロピルチオキサントンなどがある。
 ケタール類としては、例えばアセトフェノンジメチルケータル、ベンジルジメチルメタール、ベンジルジフエニルサルフアイド、テトラメチルチウラムモノサルフアイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β-クロールアンスラキノンなどがある。
 このうち、被着体への汚染を防止するため、イソシアネート硬化剤と反応し得る水酸基を有する2-ヒドロキシ-1-{4-[4-(2-ヒドロキシ-2-メチル-プロピオニル)-ベンジル]-フェニル}-2-メチル-プロパン-1-オン(BASFジャパン社製、製品名IRGACURE127)などが好ましい。
 光重合開始剤の配合量は、(メタ)アクリル酸エステル重合体100質量部に対して0.1質量部以上20質量部以下が好ましい。配合量が少な過ぎると、放射線照射後の粘着シートの剥離性が低下し、半導体チップのピックアップ不良を生じやすくなる。一方、配合量が多過ぎると、光重合開始剤が粘着剤表面へブリードアウトし、汚染の原因となる。
 光重合開始剤には、必要に応じて従来公知の光重合促進剤を1種または2種以上を組合せて併用してもよい。光重合促進剤には、安息香酸系や第三級アミンなどを用いることができる。第三級アミンとしては、トリエチルアミン、テトラエチルペンタアミン、ジメチルアミノエーテルなどが挙げられる。
(1-5)粘着付与樹脂
 粘着付与樹脂としては、テルペンフェノール樹脂を完全又は部分水添したテルペンフェノール樹脂が好ましい。
 テルペンフェノール樹脂は、例えば、テルペン化合物1モルとフェノール類0.1~50モルを反応させて製造することが出来る。
 テルペン化合物としては、ミルセン、アロオシメン、オシメン、α-ピネン、β-ピネン、ジペンテン、リモネン、α-フェランドレン、α-テルピネン、γ-テルピネン、テルピノレン、1,8-シネオール、1,4-シネオール、α-テルピネオール、β-テルピネオール、γ-テルピネオール、カンフェン、トリシクレン、サビネン、パラメンタジエン類、カレン類等が挙げられる。これらの化合物の中で、α-ピネン、β-ピネン、リモネン、ミルセン、アロオシメン、α-テルピネンが本発明では特に好ましく用いられる。
 フェノール類としては、フェノール、クレゾール、キシレノール、カテコール、レゾルシン、ヒドロキノン、ビスフェノールA等が挙げられるが、これらに限定はされない。
 テルペンフェノール樹脂のフェノール類の比率は、25~50モル%程度であるが、これらに限定はされない。
 完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂の水酸基価は、50~250が好ましい。水酸基価が50未満の場合は、イソシアネート系硬化剤との反応が十分ではなく、粘着剤表面へブリードアウトし、汚染の原因となり、250より多いと粘度が上昇し、(メタ)アクリル酸エステル共重合体等との混合ムラが生じ、ピックアップ特性が安定しないためである。
 水添する方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、パラジウム、ルテニウム、ロジウムなどの貴金属またはそれらを活性炭素、活性アルミナ、珪藻土などの坦体上に担持したものを触媒として使用して行う方法が挙げられる。また、水添率は、臭素価測定、ヨウ素価測定等により測定することができる。
 完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂の水添率は、30%以上であることが好ましく、より好ましくは70%以上である。30%未満の場合、活性光線の照射による光重合性化合物の反応阻害により粘着力が十分低下せず、ピックアップ性が低下するためである。
 完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂の配合比は、(メタ)アクリル酸エステル共重合体100質量部に対して0.5質量部以上100質量部以下が好ましく、1.0質量部以上50質量部以下がより好ましい。完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂が0.5質量部以上であれば、粘着力が低すぎないので、ダイシング時に半導体チップの保持性が維持され、100質量部以下であれば、ピックアップ不良の発生を抑制することができる。
 粘着剤層の厚みは、3μm以上100μm以下が好ましく、5μm以上20μm以下が特に好ましい。粘着剤層が厚過ぎると粘着力が高くなり過ぎ、ピックアップ性が低下する。また、粘着剤層が薄過ぎると粘着力が低くなり過ぎ、ダイシング時のチップ保持性が低下し、リングフレームとシートとの間で剥離が生じる場合がある。
 粘着剤には、老化防止剤、充填剤、紫外線吸収剤および光安定剤などの各種添加剤が添加されていてもよい。
(2)基材
 基材の材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-アクリル酸-アクリル酸エステルフィルム、エチレン-エチルアクリレート共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、プロピレン系共重合体、エチレン-アクリル酸共重合体、および、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体やエチレン-(メタ)アクリル酸-(メタ)アクリル酸エステル共重合体等を金属イオンで架橋したアイオノマ樹脂などが挙げられる。基材は、これら樹脂の混合物又は共重合体であってよく、これら樹脂からなるフィルムやシートの積層体であってもよい。
 基材フィルムの素材はアイオノマ樹脂を用いることが好ましい。アイオノマ樹脂の中でも、エチレン単位、メタアクリル酸単位、及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル単位を有する共重合体をNa、K、Zn2+等の金属イオンで架橋したアイオノマ樹脂を用いると、切削屑抑制効果が顕著であり、好適に用いられる。
 基材は、上記材料からなる単層あるいは多層のフィルムあるいはシートであってよく、異なる材料からなるフィルム等を積層したものであってもよい。基材の厚さは50~200μm、好ましくは70~150μmである。
 基材には、帯電防止処理を施すことが好ましい。帯電防止処理としては、基材に帯電防止剤を配合する処理、基材表面に帯電防止剤を塗布する処理、コロナ放電による処理がある。
 帯電防止剤としては、例えば四級アミン塩単量体などを用いることができる。四級アミン塩単量体としては、例えばジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート四級塩化物、ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート四級塩化物、メチルエチルアミノエチル(メタ)アクリレート四級塩化物、p-ジメチルアミノスチレン四級塩化物、およびp-ジエチルアミノスチレン四級塩化物が挙げられる。このうち、ジメチルアミノエチルメタクリレート四級塩化物が好ましい。
2.電子部品の製造方法
 本発明に係る電子部品の製造方法の具体的な工程を順に説明する。
(2-1)貼付工程
 まず、貼付工程において、粘着シートを半導体ウエハ(又は基板)とリングフレームに貼り付ける。ウエハは、シリコンウエハおよびガリウムナイトライドウエハ、炭化ケイ素ウエハ、サファイアウエハなどの従来汎用のウエハであってよい。基板は樹脂でチップを封止したパッケージ基板、LEDパッケージ基板などの汎用の基板であってよい。
(2-2)ダイシング工程
 ダイシング工程では、シリコンウエハ等をダイシングして半導体チップ又は半導体部品にする。
(2-3)光照射工程
 光照射工程では、基材側から光硬化型粘着剤層に紫外線等の活性光線を照射する。紫外線の光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプを用いることができる。また、紫外線に替えて電子線を用いてもよく、電子線の光源としてはα線、β線、γ線を用いることができる。
 光照射により粘着剤層は三次元網状化して硬化し、粘着剤層の粘着力が低下する。この際、上述したように、本発明に係る粘着シートは加温してもウエハ等に過度に密着することがないため、紫外線等の照射により十分な接着力の低下が得られる。
(2-4)エキスパンド工程/ピックアップ工程
 エキスパンド工程/ピックアップ工程では、半導体チップ又は半導体部品同士の間隔を広げるため粘着シートを引き伸ばし、チップ又は部品をニードルピン等で突き上げる。その後、チップ又は部品を真空コレットまたはエアピンセット等で吸着し、粘着シートの粘着剤層から剥離してピックアップする。この際、本発明に係る粘着シートでは紫外線等の照射により十分な接着力の低下が得られているため、チップ又は部品と粘着剤層との間の剥離が容易となり、良好なピックアップ性が得られ、糊残りなどの不良が生じることもない。
<実施例1>
 「表1」に示す配合に従って光硬化型粘着剤を調製した。この光硬化型粘着剤をポリエチレンテレフタレート製のセパレーターフィルム上に塗布し、乾燥後の粘着層の厚みが20μmとなるように塗工した。この粘着層を基材フィルムに積層し、40℃で7日間熟成し、粘着シートを得た。
 基材フィルムには、エチレン-メタアクリル酸-メタアクリル酸アルキルエステル共重合体のZn塩を主体とするアイオノマ樹脂であり、MFR値1.0g/10分(JIS K7210、210℃)、融点86℃、Zn2+イオンを含有するもの(三井・デュポンポリケミカル社製、品番:HM1855)をTダイ押出しにより100μmに成膜したものを用いた。
[光硬化型粘着剤]
〔(メタ)アクリル酸エステル共重合体〕
 A-1:綜研化学社製SKダイン1496;2-エチルヘキシルアクリレート96%、2-ヒドロキシエチルアクリレート4%の共重合体、溶液重合により得られる。
 A-2:日本ゼオン社製アクリルゴムAR53L;エチルアクリレート42%、ブチルアクリレート22%、メトキシエチルアクリレート36%の共重合体、乳化重合により得られる。
〔光重合性化合物〕
 B-1:根上工業社製UN-905;イソホロンジイソシアネートの三量体にジペタエリスリトールペンタアクリレートを主成分とするアクリレートを反応させたものであり、ビニル基の数が15個。
 B-2:新中村化学社製A-TMPT;トリメチロールプロパントリアクリレート、ビニル基の数が3個。
〔多官能イソシアネート硬化剤〕
 C-1:日本ポリウレタン社製コロネートL-45E;2,4-トリレンジイソシアネートのトリメチロールプロパンとのアダクト体。
〔光重合開始剤〕
 D-1:BASFジャパン社製IRGACURE127;2-ヒドロキシ-1-{4-[4-(2-ヒドロキシ-2-メチル-プロピオニル)-ベンジル]-フェニル}-2-メチル-プロパン-1-オン。
 D-2:BASFジャパン社製IRGACURE651;ベンジルジメチルケタール。
〔粘着付与樹脂〕
 α-ピネン(ヤスハラケミカル(株)製α-ピネン、純度95%)1モルとフェノール(関東化学(株)製フェノール、純度99%)0.5モルを反応させ、GPCによる数平均分子量600、重量平均分子量800のテルペンフェノール樹脂を用い、E-1の部分水添されたテルペンフェノール樹脂を得た。
 E-1:水酸基価120、水添率75%の自社合成品
 以下は、α-ピネンとフェノールのモル比率を変更し反応させた、テルペンフェノール樹脂を用い、完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂を得た。
 E-2:水酸基価5、水添率75%の自社合成品
 E-3:水酸基価250、水添率75%の自社合成品
 E-4:水酸基価3、水添率75%の自社合成品
 E-5:水酸基価300、水添率75%の自社合成品
 E-6:水酸基価120、水添率30%の自社合成品
 E-7:水酸基価120、水添率20%の自社合成品
 E-8:水酸基価120、水添率0%の自社合成品
 E-9:水酸基価120、水添率100%の自社合成品
 得られた粘着シートをダミーの回路パターンを形成した直径8インチ、厚さ0.1mmのシリコンウエハとリングフレームに貼り合わせ、ダイシングした。その後、光照射、エキスパンド、ピックアップの各工程を行った。
 ダイシング工程の条件は以下の通りとした。
ダイシング装置:DISCO社製DAD341
ダイシングブレード:DISCO社製NBC-ZH205O-27HEEE
ダイシングブレード形状:外径55.56mm、刃幅35μm、内径19.05mm
ダイシングブレード回転数:40,000rpm
ダイシングブレード送り速度:50mm/秒
ダイシングサイズ:10mm角
粘着シートへの切り込み量:40μm
切削水温度:25℃
切削水量:1.0リットル/分
 光照射工程の条件は以下の通りとした。
紫外線照射:高圧水銀灯で照射量150mJ/cm
 エキスパンド・ピックアップ工程の条件は以下の通りとした。
ピックアップ装置:キヤノンマシナリー社製CAP-300II
エキスパンド量:8mm
ニードルピン形状:250μmR
ニードルピン数:5本
ニードルピン突き上げ高さ:0.3mm
 ダイシング工程およびエキスパンド・ピックアップ工程において、以下の評価を行った。
(1)チップ保持性
 チップ保持性は、ダイシング工程後において、半導体チップが粘着シートに保持されている半導体チップの残存率に基づき、以下の基準により評価した。
 優(◎) :チップ飛びが5%未満
 良(○) :チップ飛びが5%以上10%未満
 不可(×):チップ飛びが10%以上
(2)ピックアップ性
 ピックアップ性は、ピックアップ工程において、半導体チップがピックアップできた率に基づき、以下の基準により評価した。
 優(◎) :チップのピックアップ成功率が95%以上
 良(○) :チップのピックアップ成功率が80%以上95%未満
 不可(×):チップのピックアップ成功率が80%未満
(3)汚染性
 粘着シートをシリコン製ミラーウエハに貼り付けて、20分後に高圧水銀灯で紫外線を150mJ/cm照射した後、粘着シートを剥離した。シリコン製ミラーウエハの貼り付け面上に残留した0.28μm以上の粒子数をパーティクルカウンターにて測定した。
 優(◎) :パーティクルが500個未満
 良(○) :パーティクルが2000個未満
 不可(×):パーティクルが2000個以上
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001

Claims (6)

  1.  基材に光硬化型粘着剤層を積層してなる粘着シートであって、該光硬化型粘着剤が、(メタ)アクリル酸エステル共重合体と光重合性化合物と多官能イソシアネート硬化剤と光重合開始剤と粘着付与樹脂とを含み、前記粘着付与樹脂が完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂である粘着シート。
  2.  前記完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂が、水酸基価50~250である請求項1記載の粘着シート。
  3.  前記完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂が、水添率30~100%である請求項1又は2記載の粘着シート。
  4.  前記光硬化型粘着剤が、(メタ)アクリル酸エステル共重合体100質量部と光重合性化合物5~200質量部と多官能イソシアネート硬化剤0.5~20質量部と光重合開始剤0.1~20質量部と完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂0.5~100質量部とを含む請求項1~3記載の粘着シート。
  5.  前記光硬化型粘着剤は、水酸基を有する(メタ)アクリル酸エステル共重合体と水酸基を有する光重合開始剤と完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂とが、イソシアネート硬化剤により化学結合している請求項1~4記載の粘着シート。
  6.  請求項1~5記載の前記粘着シートを用いた電子部品の製造方法であって、
     リングフレームに貼り合わせられた前記粘着シートに半導体ウェハ又は基板を貼り付ける貼付工程と、
     前記半導体ウエハ又は前記基板をダイシングして半導体チップ又は半導体部品にするダイシング工程と、
     前記粘着シートに活性光線を照射する光照射工程と、
     前記半導体チップ又は前記半導体部品同士の間隔を広げるため粘着シートを引き伸ばすエキスパンド工程と、
     前記粘着シートから前記半導体チップ又は前記半導体部品をピックアップするピックアップ工程と、を含む電子部品の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104130726A (zh) * 2013-07-19 2014-11-05 日东电工株式会社 再剥离粘合剂组合物、粘合片及电子部件的切断加工方法
JP2015165000A (ja) * 2014-02-06 2015-09-17 住友ゴム工業株式会社 部分水添フェノール系樹脂、ゴム組成物および空気入りタイヤ
EP2905307A3 (en) * 2014-02-06 2015-10-07 Sumitomo Rubber Industries, Ltd. Partially hydrogenated phenolic resin, rubber composition and pneumatic tire
JP2015230916A (ja) * 2014-06-03 2015-12-21 アキレス株式会社 半導体製造工程用テープの基材フィルム
WO2016009879A1 (ja) * 2014-07-14 2016-01-21 電気化学工業株式会社 粘着シート、電子部品の製造方法
WO2017110839A1 (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 積水化学工業株式会社 粘着剤組成物及び粘着テープ
JP2018508622A (ja) * 2015-02-06 2018-03-29 テーザ・ソシエタス・ヨーロピア 黄色度指数の減少した接着剤化合物

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI678409B (zh) * 2015-01-09 2019-12-01 日商電化股份有限公司 切割膠帶
JP2020097737A (ja) * 2018-12-14 2020-06-25 三菱ケミカル株式会社 粘着剤樹脂組成物、粘着剤樹脂硬化物、粘着シート及び画像表示装置積層体

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007224258A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Yasuhara Chemical Co Ltd アクリル系粘着剤組成物
JP2007291147A (ja) * 2005-04-19 2007-11-08 Denki Kagaku Kogyo Kk 粘着剤、それを用いた粘着シート、粘着シートを用いた電子部品製造方法。
JP2008103516A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ及び/又は基板加工用粘着シート

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0616524B2 (ja) 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS60223139A (ja) 1984-04-18 1985-11-07 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPH0733832A (ja) * 1992-10-27 1995-02-03 Sekisui Chem Co Ltd 光重合性組成物及び粘弾性製品の製造方法
JP2003277695A (ja) * 2002-03-22 2003-10-02 Dainippon Ink & Chem Inc Uv硬化型アクリル系粘着剤組成物
JP2003292910A (ja) * 2002-03-29 2003-10-15 Oji Paper Co Ltd 粘着シート
JP2009124135A (ja) * 2007-10-24 2009-06-04 Hitachi Chem Co Ltd 半導体用接着部材及び半導体装置
JP5428158B2 (ja) * 2007-12-27 2014-02-26 Dic株式会社 両面粘着テープ
JP2010053192A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Nitto Denko Corp 粘着テープ又はシート
JP5530621B2 (ja) * 2008-11-12 2014-06-25 株式会社寺岡製作所 紫外線重合性粘着剤組成物、紫外線重合性粘着剤組成物を用いた感圧性接着剤及びこの感圧性接着剤を用いた接着シ―ト
JP2010168541A (ja) * 2008-12-22 2010-08-05 Nitto Denko Corp 粘着テープ又はシート
JP5607401B2 (ja) * 2010-03-30 2014-10-15 古河電気工業株式会社 帯電防止型半導体加工用粘着テープ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007291147A (ja) * 2005-04-19 2007-11-08 Denki Kagaku Kogyo Kk 粘着剤、それを用いた粘着シート、粘着シートを用いた電子部品製造方法。
JP2007224258A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Yasuhara Chemical Co Ltd アクリル系粘着剤組成物
JP2008103516A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ及び/又は基板加工用粘着シート

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104130726A (zh) * 2013-07-19 2014-11-05 日东电工株式会社 再剥离粘合剂组合物、粘合片及电子部件的切断加工方法
JP2015021083A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 日東電工株式会社 再剥離粘着剤組成物、粘着シート及びテープ
JP2015165000A (ja) * 2014-02-06 2015-09-17 住友ゴム工業株式会社 部分水添フェノール系樹脂、ゴム組成物および空気入りタイヤ
EP2905307A3 (en) * 2014-02-06 2015-10-07 Sumitomo Rubber Industries, Ltd. Partially hydrogenated phenolic resin, rubber composition and pneumatic tire
JP2015230916A (ja) * 2014-06-03 2015-12-21 アキレス株式会社 半導体製造工程用テープの基材フィルム
CN106488963A (zh) * 2014-07-14 2017-03-08 电化株式会社 粘合片、电子部件的制造方法
WO2016009879A1 (ja) * 2014-07-14 2016-01-21 電気化学工業株式会社 粘着シート、電子部品の製造方法
KR20170033327A (ko) * 2014-07-14 2017-03-24 덴카 주식회사 점착 시트, 전자 부품의 제조 방법
JPWO2016009879A1 (ja) * 2014-07-14 2017-06-01 デンカ株式会社 粘着シート、電子部品の製造方法
US9934997B2 (en) 2014-07-14 2018-04-03 Denka Company Limited Adhesive sheet and method of manufacturing electronic component
KR102360607B1 (ko) 2014-07-14 2022-02-08 덴카 주식회사 점착 시트, 전자 부품의 제조 방법
JP2018508622A (ja) * 2015-02-06 2018-03-29 テーザ・ソシエタス・ヨーロピア 黄色度指数の減少した接着剤化合物
US10144853B2 (en) 2015-02-06 2018-12-04 Tesa Se Adhesive compound with reduced yellowness index
WO2017110839A1 (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 積水化学工業株式会社 粘着剤組成物及び粘着テープ

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