TW200930785A - Pressure sensitive adhesive tape for processing semiconductor wafer - Google Patents

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200930785 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在保持半導體晶圓之狀態下擴張之半導 體晶圓加工用粘著膠帶。 【先前技術】 半導體裝置之製造步驟係實施有在半導體晶圓上貼附 Ο 具有伸縮性之黏著膠帶後，以晶片單位切斷（切割）半導體 晶圓之步驟，使黏著膠帶擴張之步驟，進而拾取經切斷之 晶片之步驟。 上述半導體裝置之製造步驟中使用之黏著膠帶，提案 有具有在基材薄片上設置黏著劑層之切割膠帶（dicing tape)或、使固晶薄膜（die bonding film)(亦稱爲附晶薄膜 (die attach film))與切割薄膜層合構造之切斷·固晶薄膜 且已實用化。 ® 於使用切割膠帶作爲黏著膠帶之情況之例，關於一般 半導體晶圓之切割步驟、黏著膠帶之擴張步驟以及拾取步 驟參考圖7加以說明。 首先，如圖7(a)所示，於具有基材薄片51及黏著劑 層52之黏著膠帶上貼合半導體晶圓W之背面’於環型框 架20上貼合黏著膠帶之外周部，使用未圖示之切割刀’ 機械地切斷半導體晶圓W，分割成複數片之半導體晶片c 。接著，如圖7(b)所示，將保持分割之複數個半導體晶片 C之黏著膠帶載置於擴張裝置之台階21上。圖中，符號 -5- 200930785 22爲擴張裝置之中空圓柱形狀之頂起構件。 接著，如圖7(c)所示，藉由使頂起構件22上升’使 黏著膠帶於周邊方向擴張，而擴張晶片彼此間之間隔。此 擴張步驟之實施是爲了提高CCD照相機對晶片之辨識性 ，以及爲了於晶片拾取時防止因鄰接晶片彼此接觸而產生 之晶片破損。 又近幾年來，半導體晶圓之切斷方法，提案有使用雷 © 射加工裝置，以非接觸切斷晶圓之方法。 例如，於專利文獻1中，揭示有半導體基板之切斷方 法，其具備下列步驟：於介以固晶樹脂層（固晶薄膜）貼附 有薄片（切割膠帶）之半導體基板內部，藉由對準焦點光照 射雷射光，而於半導體基板內部藉吸收多光子而形成改質 區域，於此改質區域形成預定切斷部之步驟；及藉由使薄 片擴張（expand)，而沿著切斷預定部切斷半導體基板及固 晶樹脂層之步驟。 ® 專利文獻1之半導體基板之切斷方法，由於係藉由雷 射光照射及薄片之擴張而可以非接觸地切斷半導體晶圓及 固晶樹脂層（固晶薄膜），故如使用切割刀之情況般可不發 生捲刀（tipping)而切斷半導體晶圓。因此，特別可用於切 斷例如50μιη以下之極薄半導體晶圓之情況。 專利文獻1 :特開2003-338467號公報 【發明內容】 [發明欲解決之課題] -6 - 200930785 如上述’擴張步驟係爲了藉由切割刀使單片化晶片彼 此間隔擴大’或者爲了以晶片單位分割經雷射光照射之晶 圓及固晶薄膜而實施者。 然而，於黏著膠帶之擴張中，黏著膠帶於接觸到頂起 構件22之部分局部伸長，至膠帶中央部分爲止無法充分 伸展，有發生縮頸（necking)之情況。若至黏著膠帶中央部 分爲止未充分伸展，則中央部之晶片彼此間間隔無法擴大 ® 而發生晶片時取不良，無法100%分割切斷晶圓及固晶膠 帶’而有半導體晶片生產良率降低之問題。 因此，本發明之目的係提供至中央部分爲止可良好地 擴張、擴張性優異之半導體晶圓加工用黏著膠帶。 [用以解決問題之手段] 本發明人等對於上述問題積極探討之結果，發現作爲 半導體晶圓加工用黏著膠帶之基材薄片，使用由在應力-® 伸長率曲線中伸長率在30%以下時不存在屈服點，且斷裂 強度爲ION/10mm以上、伸長率爲200%以上之材料所構 成之薄片，擴張時之力可傳達到黏著膠帶中央部分，而至 中央部分爲止可良好地伸展，因而完成本發明。 亦即，本發明之半導體晶圓加工用黏著膠帶，其特徵 爲具有基材薄片與設置在基材薄片上之黏著劑層，上述基 材薄片於應力-伸長率曲線中伸長率在30%以下時不存在 屈服點，且斷裂強度爲ION/10mm以上、伸長率爲200% 以上。 200930785 作爲基材薄片，較好係選自於應力-伸長率曲線中伸 長率在30%以下時不存在屈服點之聚烯烴及聚氯乙烯。 又，本發明之半導體晶圓加工用黏著膠帶於黏著劑層 上又可進而具有接著劑層。 又，本發明之半導體晶圓加工用黏著膠帶特別可用於 包含將上述半導體晶圓加工用黏著膠帶擴張’藉由沿著分 割預定線切斷該黏著膠帶上所保持之上述半導體晶圓或上 © 述接著劑層，獲得複數個半導體晶片之步驟之半導體裝置 之製造方法中。 [發明效果] 本發明之半導體晶圓加工用黏著膠帶由於在擴張時到 中央部分可良好地擴張’固可抑制晶片之拾取不良且可提 高晶圓與接著劑層（固晶薄膜）之切斷性。 【實施方式】 以下基於圖式詳細說明本發明。 本發明之半導體晶圓加工用黏著膠帶’可爲如圖1所 示之在基材薄片11上層合有黏著劑層12及接著劑層13 之切割.固晶薄膜，亦可爲如圖2所示之在基材薄片11 上設有黏著劑層12之切割膠帶。以下’分別對基材薄片 、黏著劑層及接著劑層加以詳細說明。 <基材薄片> -8- 200930785 基材薄片11係由藉由拉伸試驗獲得之應力-伸長率曲 線中至伸長率在30%以下時不存在屈服點且斷裂強度爲 1 ON/10mm以上、伸長率爲200%以上之材料所構成。藉由 使用此種特性之基材薄片，使擴張時之力可傳達到黏著膠 帶中央部分，可使中央部分良好伸張。另外，所謂應力-伸長率曲線中至伸長率在3 0%以下時不存在屈服點之基材 薄片，包含於該曲線中於斷裂點之前未出現屈服點之基材 〇 薄片，以及伸長率30%以上時存在有屈服點之基材薄片。 (應力-伸長率曲線） 圖3中，顯示至伸長率在3 0%以下時不存在屈服點之 本發明基材薄片之應力-伸長率曲線之一例。又，圖4顯 示作爲比較例之至伸長率在3 0%以下時存在有屈服點之基 材薄片之應力-伸長率曲線之例。 如圖4所示，比較例之基材薄片於應力-伸長率曲線 ❹ 中至伸長率30%以下時存在有屈服點a(最初極大點）。此 種基材薄片於擴張時，接觸頂起構件之部份屈服，僅該部 分伸長，到中央部分之前無法均勻拉伸。相對於此，圖3 中所示之本發明之基材薄片在應力-伸長率曲線中未出現 屈服點，且至斷裂點b之前之應力亦未降低。使用此種至 伸長率30%以下時不存在屈服點之基材薄片時，於擴張時 之力可傳達到黏著膠帶之中央部分，使到達中央部份可爲 良好拉伸。 -9- 200930785 (斷裂強度及伸長率） 本發明之基材薄片具有10N/10mm以上之斷裂強度， 及200%以上之伸長率。當斷裂強度小於ion/10mm時， 機械強度不足，擴張時容易斷裂。另外，當伸長率小於 200%時，擴張性不良。 本發明中，斷裂強度及伸長率係使用拉伸試驗裝置 (JIS B 772 1 )，藉由如下之拉伸試驗獲得。 ❹ 斷裂強度：將基材薄片沖壓成1號鐘形形狀（JIS K： 630 1 )製作試驗片，且測定標線間距離40mm，拉伸速度 300 mm/min之標線間斷裂時之荷重（拉伸應力）。 伸長率：斷裂強度測定中，測定斷裂時之伸長率。 至於構成基材薄片之材料只要具有上述特性者則無特 別限制，但較好選自聚烯烴及聚氯乙烯。 上述聚烯烴列舉爲聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚 物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚 ❹ 物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、 乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物等烯烴之均聚物或共 聚物或該等之混合物等。 使用藉由輻射線照射硬化使黏著力降低之類型作爲後 述之黏著劑層時’基材薄片較好具有上述特性且爲輻射線 透過性。基材薄片之厚度就確保強度及晶片之拾取性之觀 點而W ’以 50〜300μιη爲較佳。又，基材薄片可爲單層， 亦可以複數層構成。 -10- 200930785 <黏著劑層> 黏著劑層12克可藉由在基材薄片11上塗佈黏著劑而 製造。至於黏著劑層12並無特別限制，只要是具有擴張 時接著劑層13及半導體晶圓不會剝離之程度之維持性， 及拾取時容易與接著劑層13剝離之特性者即可。爲提升 拾取性，黏著劑層1 2較好具有優異之輻射線硬化性，且 容易與接著劑層13剝離之材料較佳。 〇 例如，本發明中係以相對於主鏈分別具有至少含有輻 射線硬化性碳-碳雙健之基、羥基及羧基之基之丙烯酸系 共聚物作爲主成份，且膠凝分率在60%以上爲較佳。而且 較好爲使分子中具有碘價〇.5~20之輻射線硬化性碳-碳雙 鍵之化合物（A)與選自聚異氰酸酯類、三聚氰胺.甲醛樹 脂及環氧樹脂之至少一種之化合物（B)進行加成反應而成 之聚合物。 就爲黏著劑層主成分之一之化合物（A)加以說明。化 ® 合物（A)之輻射線硬化性碳-碳雙鍵之較佳導入量爲碘價 0.5〜20，較好爲0.8〜10。若碘價爲0.5以上，則獲得輻射 線照射後之黏著力降低之效果，碘價若爲20以下，由於 輻射線照射後之黏著劑流動性充分，延伸後之元件間隙充 分，故可抑制於拾取時對各元件圖像辨識困難之問題。再 者，化合物（A)本身具有安定性，製造變容易。

上述化合物（A)較好玻璃轉移點爲-70°C~0°C，更好 爲-66°C〜-28°C。玻璃轉移點（以下稱爲Tg)若爲-70°C以上 ，則對於輻射線照射所伴隨之熱的耐熱性充分，若爲0 °C -11 - 200930785 以下’可充分獲得表面狀態粗糙之晶圓中切割後之元件飛 散的防止效果。 化合物（A)可爲以任何方式製造者，例如使用使丙烯 酸系共聚物或甲基丙烯酸系共聚物等之具有輻射線硬化性 碳-碳雙鍵且具有官能基之化合物（（1))與具有可與其官能 基反應之官能基之化合物（（2))反應所得者。 其中’具有輻射線硬化性碳-碳雙鍵及官能基之化合 ® 物（（1))可使丙烯酸系共聚物或甲基丙烯酸系共聚物等之具 有輻射線硬化性碳-碳雙鍵之單體（（1)- 1)雨具有官能基之 單體（（1)-2)共聚合而獲得。黏著劑雙鍵量系藉由使經加熱 乾燥之黏著劑約10克中所含之碳-碳雙鍵量於真空中在暗 處進行溴加承反應之重量增加法加以定量測定。 作爲單體（（1)-1)，可舉例爲碳數6〜12之丙烯酸己酯 、丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸2-已基己酯、丙 烯酸十二烷酯、丙烯酸癸酯，或碳數5以下之單體之丙烯 〇 酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸乙酯、丙 烯酸甲酯或與該等同樣之甲基丙烯酸酯等。 作爲單體（（1)-1)，由於使用碳數越大的單體玻璃轉移 點越降低，故可製作所需之玻璃轉移點者。又，玻璃轉移 點以外，爲提高相溶性及各種性能之目的亦可配合乙酸乙 烯酯、苯乙烯、丙烯腈等之具有碳-碳雙鍵之低分子量化 合物，單體（（1)-1)之總質量可在5質量％以下之範圍內。 單體（（1)-2)所具有之官能基’可舉例爲羧基、羥基、 胺基、環狀酸酐基、環氧基、異氰酸酯基等，作爲單體 -12- 200930785 ((1)-2)之具體例，可舉例爲丙烯酸、甲基丙烯酸、桂皮酸 、衣康酸、富馬酸、苯二甲酸、丙烯酸2-羥基烷酯類、甲 基丙烯酸2-羥基烷酯類、二醇單丙烯酸酯類、二醇單甲基 丙烯酸酯類、N-羥甲基丙烯醯胺、N-羥甲基甲基丙烯醯胺 、烯丙醇、丙烯酸N-烷基胺基乙酯類、甲基丙烯酸N-烷 基胺基乙酯類、丙烯醯胺類、甲基丙烯醯胺類、馬來酸酐 、衣康酸酐、富馬酸酐、苯二甲酸酐、丙烯酸縮水甘油酯 ❹ 、甲基丙烯酸縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚、聚異氰酸 酯化合物之異氰酸酯基之一部分以具有羥基或羧基以及輻 射線硬化性碳-碳雙鍵之單體予以胺基甲酸酯化之化合物 等。 化合物（2)中，作爲所用之官能基，於化合物（1 )，即 單體（（1)-2)所具有之官能基爲羧基或環狀酸酐之情況，可 舉例爲羥基、環氧基、異氰酸酯基等，於羥基之情況，可 舉例爲環狀酸酐基、異氰酸酯基等，於胺基之情況，可舉 ® 例爲環氧基、異氰酸酯基等，於環氧基之情況，可舉例爲 羧基、環狀酸酐基、胺基等，作爲具體例，可舉例有與單 體（（1-2))所具體列舉者同樣者。 化合物（1)與化合物（2)之反應中，藉由殘留未反應官 能基’可製造關於酸價或羥基價等特性之於本發明所規定 者。 上述化合物（A)之合成中’反應以溶液聚合進行時之 有機溶劑’可使用酮系、酯系、醇系、芳香族系者，其中 ，較好爲甲苯、乙酸乙酯、異丙醇、苯甲基溶纖素、乙基 -13- 200930785 溶纖素、丙酮、甲基乙基酮等之一般爲丙烯酸 良好溶劑、沸點60〜1 20°C之溶劑，作爲聚合起 使用α,α’-偶氮雙異丁腈等之偶氮雙系、苯甲 物等之有機過氧化物系等之自由基發生劑。此 要可倂用觸媒、聚合抑制劑，藉由調節聚合溫 間，可獲得所需分子量之化合物（Α)。又，關 節，較好使用硫醇、四氯化碳系之溶劑。又， 〇 限定爲溶液聚合，以塊狀聚合、懸浮聚合等之 無妨。 如以上，可獲得化合物（Α)，但本發明中 之重量平均分子量較好爲30萬〜100萬左右。方 ，由輻射線照射引起之凝集力變小，於晶圓切 產生元件偏移，有圖像辨識變困難之情況。爲 元件之偏移，重量平均分子量較好爲40萬以 量平均分子量若超過100萬，有合成時及塗佈 © 可能性。 又，本發明中所謂之重量平均分子量，爲 算之重量平均分子量。 又，化合物（Α)若具有羥基價成爲5〜100 . 則藉由輻射線照射後之黏著力減少，可進而降 之危險性故而較佳。又，化合物（A)較好爲具 0.5〜30 之 COOH 基。 此處，化合物（A)之羥基價若過低，則輻 黏著力減低效果不足，若過高，則有損及輻射 系聚合物之 始劑，通常 醯基過氧化 時，依據需 度及聚合時 於分子量調 此反應並不 其他方法亦 ^化合物（A) 令未達30萬 割時，容易 極力防止此 上。又，重 時膠凝化之 聚苯乙烯換 之OH基， 低拾取錯誤 有成爲酸價 射線照射後 線照射後之 -14- 200930785 黏著劑流動性之傾向。又若酸價過低，則膠帶復原性之改 善效果不足’過高則有損及黏著劑流動之傾向。 其次，說明黏著劑之一主成分之化合物（B)。化合物 (B)爲選自異氰酸酯類、三聚氰胺.甲醛樹脂以及環氧樹 脂之化合物，其可單獨或組合2種類以上使用。此化合物 (B)係作爲交聯劑發揮作用，藉由與化合物（A)或基材薄膜 反應結果之交聯結構，使以化合物（A)及化合物（B)作爲主 © 成分之黏著劑凝集力在黏著劑塗佈後可提高。 聚異氰酸酯類並無特別限制，可舉例爲例如4,4 ’ -二 苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、二甲苯二異氫酸 酯、4,4’-二苯基醚二異氰酸酯、4,4’-[2,2-雙（4-苯氧基苯 基）丙烷]二異氰酸酯等之芳香族異氰酸酯，六亞甲基二異 氰酸酯、2,2,4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二 異氰酸酯、4,4’-二環己基甲烷二異氰酸酯、2,4’-二環己基 甲烷二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、離銨酸三異氰酸酯 ❿ 等。具體可使用CORONET L(日本聚胺基甲酸酯股份有限 公司製，商品名）等。 又，作爲三聚氰胺·甲醛樹脂，具體而言，可使用 NICARAC MX-45(三和化學股份有限公司製，商品名）、 MEL AN(日立化成工業股份有限公司製，商品名）等。 再者，作爲環氧樹脂’可使用 TETRAD-X(三菱化學 股份有限公司製，商品名）等。 本發明中，尤其較好使用聚異氰酸酯類。 至於（B)之添加量’有必要選擇使得對於化合物 -15- 200930785 (A)100質量份，成爲0·1〜10質量份，較好成爲0.4〜3質 量份之比例。藉由在此範圍內選擇，可成爲適當凝集力， 不會進行激烈的交聯反應，故黏著劑之配合及塗佈等之作 業性成爲良好。 又，本發明中’黏著劑層12中，較好含有光聚合起 始劑（C)。黏著劑層12中所含之光聚合起始劑（〇並無特別 限制，可使用以往已知者。可舉例爲例如二苯甲酮、4,4 ΐ-Ο 二甲基胺基二苯甲酮、4，4’-二乙基胺基二苯甲酮、4，4’-二 氯二苯甲酮等之二苯甲酮類，苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等 之苯乙酮類，2-乙基蒽醌、第三丁基蒽醌等之蒽醌類，2-氯噻噸酮、苯偶因乙醚、苯偶因異丙醚、苄基、2，4,5-三 芳基咪唑二聚物（洛吩鹼（lophine)二聚物），吖啶系化合 物等，該等可單獨或組合兩種類以上使用。 至於（C)之添加量，較好對化合物（A)100質量份，成 爲0.1〜10質量份，更好成爲0.5~5質量份。 ® 再者，本發明中所用之輻射線硬化性黏著劑中，依據 需要可調配有黏著賦予劑、黏著調整劑、界面活性劑或其 他改質劑。又亦可適當添加無機化合物塡充劑。 黏著劑層之厚度至少5μιη，更好爲ΙΟμιη以上。又， 黏著劑層亦可以複數層層合之構成。 <接著劑層> 接著劑層13係在貼合半導體晶圓並切斷後，於拾取 晶片之際，可將切斷後之接著劑層1 3自黏著劑層1 2剝離 -16- 200930785 附著於晶片上’於晶片固定於封裝基板或引腳框架之際作 爲黏合薄膜之機能者。 作爲接著劑層1 3，並無特別限制，但可適當使用一 般作爲固晶薄膜所使用之薄膜狀接著劑，較好爲聚醯亞胺 系接著劑、丙烯酸系黏接著劑、環氧樹脂/酚樹脂/丙烯酸 樹脂/無機塡充劑之摻合系黏接著劑。其厚度可適當設定 ，但較好爲5〜ΙΟΟμπι左右。 〇 本發明之半導體晶圓加工用黏著膠帶可藉由將預先切 成圓形形狀之作爲接著劑層之接著薄膜直接層合在黏著膠 帶上而形成。於層合時之溫度爲10〜100 °c之範圍時，較好 爲0.01〜ΙΟΝ/m之線壓。 又，本發明之半導體晶圓加工用黏著膠帶包含切斷成 每一片晶圓之形態，及形成有複數晶圓之長條薄片捲取成 滾筒狀之形態。 接著，對使用圖1所示之本發明半導體晶圓加工用黏 © 著膠帶，製造附有半導體晶片之方法，參見圖5及圖6加 以說明。 首先，如圖5所示’於半導體晶圓W之預定分割部 分照射雷射光，藉由於晶圓內之多光子吸收而形成改質區 域30。接著，如圖6(a)所示，貼合半導體晶圓W及半導 體晶圓加工用膠帶之接著劑層13 ’於黏著劑層12之外周 部貼負環狀框架20，將黏著膠帶之基材薄片Η之下面載 製於擴張裝置之台階21上。圖中’符號22爲擴張裝置之 中空圓柱形狀之頂起構件。 -17- 200930785 再者，在對半導體晶圓W照射雷射光之前，亦可實 施半導體晶圓加工用黏著膠帶之貼合步驟。 接著，如圖6(b)所示，以環狀框架20固定之狀態’ 使擴張裝置之頂起構件22上升，使半導體晶圓加工用黏 著膠帶擴張。藉此黏著膠帶於圚周方向拉伸，半導體晶圓 W以改質區域作爲起點以晶片爲單位加以切斷，亦切斷接 著劑層1 3。 〇 隨後，對黏著劑層1 2施加輻射線硬化處理或熱硬化 處理等，於拾取半導體晶片C時，可獲得附有接著劑層之 半導體晶片。 於如上述附有接著薄膜之半導體晶片之製造方法中， 使用於應力-伸長率曲線中之伸長率在30%以下時不存在 有屈服點，且斷裂強度爲 1 ON/1 0mm以上、伸長率爲 20 0%以上之半導體晶圓加工用黏著膠帶，可使黏著膠帶直 至中央部份均勻拉伸，可提高晶圓W及黏著劑層13之切 ❹ 斷性。 又，本發明之半導體晶圓加工用黏著膠帶於以晶片爲 單位切斷上述經雷射光照射之晶圓W及接著劑層1 3之際 使用特別有效，但並不限定於此。例如，使用如圖1或圖 2所示之黏著膠帶，實施使用切割刀之切割步驟及擴張步 驟時亦有效。此時，黏著劑膠帶至中央部份可均勻拉伸， 故可提高由CCD照相機等之晶片辨識性，同時可防止在 晶片拾取之際因鄰接晶片彼此接觸而產生之晶片破損。 接著就本發明實施例加以說明，但本發明不限定於該 -18- 200930785 等實施例。 所使用之基材薄片、黏著劑層組成物以及接著劑層組 成物顯示如下。 基材薄片1A:陰離子聚合物樹脂薄片（厚度150μιη) 基材薄片1Β:乙烯-甲基丙烯酸共聚物樹脂薄片（厚度 1 5 0 μιη) 基材薄片1C:乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂薄片（厚度 ❹ ΙΟΟμιη) 黏著劑層組成物2Α :丙烯酸系輻射線硬化性黏著劑 組成物 接著劑層組成物3Α :環氧基-丙烯酸系接著劑 (實施例1) 於基材薄片1Α上，塗佈溶解在有機溶劑中之黏著劑 層組成物2Α使成乾燥膜厚10 μιη，於110 °C乾燥3分鐘， © 製作黏著膠帶。另外，將溶解於有機溶劑中之接著劑層組 成物3A塗佈在經離型處理之聚對苯二甲酸乙二酯（PET)薄 膜上，於1 l〇°C加熱乾燥1分鐘，製作膜厚40μιη之B階 段狀態之接著薄膜。黏著膠帶及接著薄膜分別切割成直徑 370 mm、320 mm之圓形，將黏著膠帶之黏著劑層與接著薄 膜之接著劑層貼合。最後，將接著薄膜之PET薄膜自接著 劑層剝離，獲得實施例1之晶圓加工用黏著膠帶。 (比較例1) -19- 200930785 除使用基材薄片1B作爲基材薄片以外’餘與實施例 1同樣，製作比較例1之晶圓加工用黏著膠帶。 (比較例2 ) 除使用基材薄片1C作爲基材薄片以外’餘與實施例 1同樣，製作比較例2之晶圓加工用黏著膠帶。 G <基材薄片之拉伸試驗> 對實施例1、比較例1及比較例2所使用之基材薄片 ，使用拉伸試驗裝置（JIS B 7721)，在溫度24±2°c、溼度 64±5%乙如下般進行拉伸試驗。又，由拉伸試驗所得之應 力-伸長率曲線確認於伸長率30%以下時有無屈服點。其 結果示於表1。 (斷裂強度） ® 將基材薄片沖壓成1號鐘形形狀（JIS K 63 0 1 )製作試 驗片’且測定標線間距離40mm，拉伸速度3 00 mm/min之 標線間斷裂時之荷重（拉伸應力）。 (伸長率） 上述斷裂強度測定中，測定斷裂時之伸長率。 <接著劑層之切斷性試驗> 對半導體晶圓（厚度50μπι，直徑30〇mm)照射雷射光 -20- 200930785 ，於晶圓內部形成改質區域。雷 不銹鋼製之環形框架上，層合實 晶圓加工用膠帶。接著，於晶圓 內徑33 0mm之樹脂製擴張環， 導體晶圓加工用薄膜於下列擴張 擴張速度：lOOmm /秒 擴張量：15mm G 隨後，對半導體晶圓加工用 膠帶之黏著劑層硬化，使黏著力 <接著劑層之切斷性評價方法> 擴張後，以光學顯微鏡觀察 圓同時切斷。結果示於表1。表 對於晶片總數，以百分比表示良 又，雷射加工後之晶片總數約 © 1 Ommx 1 Omm。 射照射後之半導體晶圓及 施例1及比較例1、2之 加工用薄膜之外周部貼附 藉由擴張裝置固定環，半 條件下進行擴張。 薄膜照射紫外線，使黏著 降低。 接著劑層是否與半導體晶 1所示之切斷性係表示相 好切斷之接著劑層之數。 爲400個’晶片尺寸爲 -21 - 200930785 [表i] 實施例1 比較例1 比較例2 基材薄片 1A IB 1C 基材薄片厚度（μηι) 150 150 100 黏著劑層 2A 2A 2A 黏著劑層厚度（μιη) 10 10 10 接著劑層 3A 3A 3A 接著劑層厚度（μηι) 40 40 40 基材薄片之屈服點 /frrr 有 Ατττ. 川I: 基材薄片之斷裂強度（Ν/1 0mm) 50 35 10 基材薄片之斷裂伸長率（％) 300 650 150 接著劑層之切斷性 100% 0% 膠帶斷裂 比較例1使用之基材薄片1B於應力-伸長率曲線上在 伸長率30%以下時出現屈服點。因此，使用基材薄片1B 之比較例1之晶圓加工用黏著膠帶，於擴張時僅接觸到頂 起構件之部分拉伸，接著劑層無法切斷。又，比較例2所 使用之基材薄片1C於伸長率30 %以下雖未出現屈服點， 但斷裂時之伸長率低如1 50%，因此，可了解使用基材薄 片1C之比較例2之晶圓加工用黏著膠帶於擴張時斷裂， 無法作爲擴張膠帶使用。 相對於此，實施例1中使用之基材薄片1A於應力-伸 長率曲線尙未出現屈服點且斷裂強度及斷裂伸長率滿足本 發明之範圍，故實施例1之晶圓加工用黏著膠帶到中央部 份爲止之擴張良好，接著劑層可10 0%切斷。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示本發明之半導體晶圓加工用黏著膠帶之一 -22- 200930785 例之剖面圖。 圖2係顯示本發明之半導體晶圓加工用黏著膠帶之另 一例之剖面圖。 圖3係顯示關於本發明之半導體晶圓加工用黏著膠帶 之基材薄片之應力-伸長率曲線之一例之作圖。 圖4係顯示關於比較例之半導體晶圓加工用黏著膠帶 之基材薄片之應力-伸長率曲線之一例之作圖。 ^ 圖5係顯不藉雷射加工於半導體晶圓中形成改質區域 之狀況之剖面圖。 圖6係顯示於半導體晶圓加工用黏著膠帶上貼合半導 體晶圚W及擴張用環形框架之狀態之剖面圖。 圖7(a)係顯示貼合有半導體晶圓之半導體晶圓加工用 黏著膠帶搭載於擴張裝置上之狀態之剖面圖；圖7(bH系顯 示擴張後之半導體晶圓加工用黏著膠帶與半導體晶圓之剖 面圖。 【主要元件符號說明】 1 1 :基材薄片 1 2 :黏著劑層 1 3 :接著劑層 20 :環形框架 21 :台階 22 :頂起構件 -23-

Claims (1)

1. 200930785 十、申請專利範圍 1. 一種半導體晶圓加工用黏著膠帶，其特徵爲具有基 材薄片與設置在基材薄片上之黏著劑層， 上述基材薄片係於應力-伸長率曲線中之伸長率在 3 0%以下時不存在屈服點，且斷裂強度爲1 ON/10mm以上 、伸長率爲200%以上。 2 .如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工用黏著膠 〇 帶，其中上述基材薄片係選自於應力-伸長率曲線中伸長 率在30%以下時不存在屈服點之聚烯烴及聚氯乙烯。 3 .如申請專利範圍第1或2項之半導體晶圓加工用黏 著膠帶，其中上述黏著劑層上進而具有接著劑層。 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之半導體晶圓 加工用黏著膠帶，其中上述半導體晶圓加工用黏著膠帶係 使用於包含以下步驟之半導體裝置之製造方法中： 將上述半導體晶圓加工用黏著膠帶擴張’藉由沿著分 © 割預定線切斷該黏著膠帶上所保持之上述半導體晶圓或上 述接著劑層，獲得複數個半導體晶片之步驟。 -24-