KR101883648B1 - 필름 및 점착 시트 - Google Patents

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Abstract

[과제] 본 발명은 레이저 다이싱에 있어서 레이저광에 의한 레이저 다이싱 점착 시트 절단, 척 테이블 손상 및 레이저 다이싱 점착 시트의 척 테이블에 융착을 방지하고, 익스펜드 후의 형상 복원성이 높은 필름 및 그 필름을 사용한 점착 시트를 제공한다.
[해결 수단] 본 발명의 필름은 폴리우레탄아크릴레이트로 이루어진 필름으로서, 폴리우레탄아크릴레이트가 에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄아크릴레이트 올리고머와 에너지선 경화성 모노머를 함유하는 배합물에 에너지선을 조사하여 얻어지는 경화물이며, 에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄아크릴레이트 올리고머의 카보네이트 결합부가 알킬렌카보네이트기(-(-ORO-CO-)n-) (단, R은 불포화 결합을 함유하지 않은 알킬렌기이며, n은 2~100의 정수)인 것을 특징으로 한다.

Description

필름 및 점착 시트{FILM AND ADHESIVE SHEET}
본 발명은 폴리우레탄 아크릴레이트로 이루어지는 필름, 그 필름의 적어도 한면에 점착제층을 적층시킨 점착 시트에 관한 것이다.
점착 시트의 기재(基材)로서, 광중합성의 우레탄 아크릴레이트계 올리고머를 중합·경화한 수지로 이루어지는 필름 등이 이용되고 있다. 이러한 필름은 반도체 워크의 다이싱 테이프용 기재로서 이용될 수 있다.
한편, 반도체 워크를 다이싱하는 수단으로서는, 블레이드 다이싱이나 레이저 다이싱 등을 예로 들 수 있지만, 블레이드 다이싱에서는 절단이 어려운 워크도 레이저 다이싱에서는 절단 가능한 경우가 있고, 최근 특히 주목받고 있다. 그러한 레이저 다이싱에 사용되는 레이저 다이싱 시트의 일례는 본 출원인에 의해 개시되어 있다(특허 문헌1).
레이저 다이싱에서는 다이싱 시트상에 고정된 워크에 레이저광을 주사하여 워크를 절단(다이싱)하고 있다. 이 때, 레이저광의 초점은 다음과 같이 이동한다. 즉, 워크가 첩부되지 않은 다이싱 시트 표면(워크의 외연부)에서 가속되어, 워크 표면을 일정 속도로 주사하고, 워크의 다른 쪽의 외연부에서 감속, 정지한다. 그 후, 진행 방향을 반전하여 가속 후, 워크 표면을 주사하고, 다시 감속, 정지, 반전한다.
따라서, 레이저광 초점의 이동에서의 가속·감속시에는, 워크가 첩부되지 않은 다이싱 시트의 단부에 직접 레이저광이 조사되고 있다. 이 때, 레이저광이 다이싱 시트를 투과하고, 척(chuck) 테이블을 손상시키는 문제가 발생할 수 있었다. 또한, 레이저광에 의해 가열된 척 테이블에 접하는 다이싱 시트의 면이 용융하고, 척 테이블에 욕착도오루 융착(融着)한다는 문제가 발생하기도 했다.
이러한 문제를 회피하기 위해서, 두꺼운 다이싱 시트를 이용하여, 워크와 척 테이블 표면과의 거리를 길게하는 수법이 채택되었다(특허 문헌2). 이 수법에서는 기재를 익스펜드 필름과 보호 필름과의 2층 구조로 하는 것으로, 다이싱 시트의 두께를 두껍게 하고 있다. 레이저 다이싱시에는 두께가 있는 기재를 사용하고 있기 때문에, 척 테이블에 도달한 레이저광은 초점이 맞지 않고, 따라서 에너지 밀도가 낮기 때문에 척 테이블의 손상에는 이르지 않는다. 또한, 상기의 다이싱 시트의 융착 문제도 일어나지 않는다. 레이저 다이싱 종료 후에, 기재를 구성하는 보호 필름을 박리한 후에, 익스펜드 및 칩의 픽업을 실시한다. 그러나, 레이저 다이싱 종료 후에, 기재의 구성층의 한쪽을 박리할 필요가 있어 공정이 번잡하게 된다. 또한, 레이저 다이싱시에 익스펜드 필름이 레이저광에 의해 절단되는 경우도 있고, 익스펜드를 실시할 수 없을 경우도 있다.
또한, 특허 문헌 3에는 우레탄 아크릴레이트계 올리고머 등의 경화성 수지를 제막·경화해서 얻어지는 기재상에 점착제층을 마련하여 이루어지는 다이싱 시트가 개시되어 있다. 그러나, 특허 문헌 3에서는 블레이드 다이싱에의 적용이 의도되고 있어, 상술한 바와 같은 레이저 다이싱에 특유의 과제는 인식되지 않는다.
또한, 특허 문헌 4에 의하면, 입수 용이성, 범용성 및 반응성의 관점에서 레이저 다이싱 시트용 기재에 적응할 수 있는 우레탄 아크릴레이트 올리고머로서, 폴리프로필렌글리콜(PPG)이나 폴리에틸렌글리콜(PEG) 등의 알킬렌 옥시기를 포함하는 폴리에테르디올을 주골격으로 한 우레탄 아크릴레이트 올리고머가 바람직하다고 기재되어 있다. 그러나, 특허 문헌 5에서는, 폴리에테르 폴리올을 주골격으로 한 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 사용한 단독 기재에서는, 레이저 다이싱 후의 익스펜드 공정으로 다이싱 시트의 형상 복원성이 충분하지 않기 때문에, 공정 결함을 발생시킬 수 있는 것이 지적되고 있다. 그 때문에, 특허 문헌 5에서는, 폴리에테르 폴리올을 주골격으로 한 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 사용한 기재와 형상 복원성이 높은 기재를 적층한 복합 필름을 이용하는 것으로, 익스펜드 공정 후의 다이싱 시트의 형상 복원성의 과제를 해결하고 있다. 그러나, 복합 필름은 그 제조 공정이 복잡하고 제조 비용도 높아진다.
특허 문헌 1: 일본 특허 공개 2002-343747호 공보 특허 문헌 2: 일본 특허 공개 2006-245487호 공보 특허 문헌 3: 일본 특허 공개 2002-141306호 공보 특허 문헌 4: 일본 특허 공개 2008-166727호 공보 특허 문헌 5: 일본 특허 공개 2008-166728호 공보
종래, 폴리카보네이트형 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 제조하기 위한 폴리올 화합물로서는, 비스페놀A형 폴리카보네이트디올이 주류였다. 그러나, 레이저 다이싱 점착 시트용 기재에 비스페놀A형 폴리카보네이트디올을 이용하면, 비스페놀A형 폴리카보네이트디올 중 방향환(芳香環)이 레이저광에서 발생하는 파장의 에너지를 흡수하고, 그 결과 기재가 절단되어 버린다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술에 따른 문제를 해결하자로 하는 것이다. 즉, 본 발명은 레이저 다이싱에 있어서, 레이저광에 의한 레이저 다이싱 점착 시트의 절단, 척 테이블의 손상 및 레이저 다이싱 점착 시트의 척 테이블에의 융착을 방지하고, 익스펜드 후의 형상 복원성이 높은 필름 및 그 필름을 이용한 점착 시트를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은 이하의 요지를 포함한다.
〔1〕폴리우레탄 아크릴레이트로 이루어지는 필름으로서,
폴리우레탄 아크릴레이트가 에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄 아크릴레이트 올리고머와, 에너지선 경화성 모노머를 함유하는 배합물에 에너지선을 조사해서 얻어지는 경화물이며,
상기 에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄 아크릴레이트 올리고머의 카보네이트　결합부가, 알킬렌카보네이트기(-(-O-R-O-CO-)n-) (단, R는 불포화 결합을 함유하지 않는 알킬렌기이며, n은 2∼100의 정수)인 것을 특징으로 하는 필름.
〔2〕상기 알킬렌카보네이트기(-(-O-R-O-CO-)n-)의 알킬렌기 R이 탄소수 2∼12의 지방족 또는 지환족(脂環族) 탄화수소기인 〔1〕에 기재된 필름.
〔3〕상기 알킬렌카보네이트기(-(-O-R-O-CO-)n-)의 알킬렌기 R이 테트라 메틸렌, 펜타메틸렌 또는 헥사메틸렌인 〔1〕또는〔2〕에 기재된 필름.
〔4〕파단 신도가 100% 이상인 〔1〕∼〔3〕중 어느 하나에 기재된 필름.
〔5〕인장 탄성률이 1∼1000MPa인 〔1〕∼〔4〕중 어느 하나에 기재된 필름.
〔6〕엘멘돌프 인열 강도가 100mN/㎟ 이상인 〔1〕∼〔5〕중 어느 하나에 기재된 필름.
〔7〕상기 배합물이 광중합 개시제를 함유하고,
광중합 개시제의 함유량이 상기 에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄 아크릴레이트 올리고머와 상기 에너지선 경화성 모노머와의 합계 100 중량부에 대하여, 2 중량부 미만인 〔1〕∼〔6〕중 어느 하나에 기재된 필름.
〔8〕 상기 〔1〕∼ 〔7〕 중 어느 하나에 기재된 필름의 적어도 한면에 점착제층을 적층시킨 점착 시트.
〔9〕레이저 다이싱에 이용하는 〔8〕에 기재된 점착 시트.
〔10〕 펨토초 레이저에 의한 레이저 다이싱으로 이용하는 〔8〕 또는 〔9〕에 기재된 점착 시트.
〔11〕상기 〔8〕∼ 〔10〕중 어느 하나에 기재된 점착 시트의 점착제층에 워크를 첩부하고, 레이저광에 의해 워크를 칩체에 개편화하는 칩체의 제조 방법.
본 발명의 필름은 특정 폴리우레탄 아크릴레이트로 이루어지기 때문에 레이저 다이싱용 점착 시트의 기재로 이용할 때에, 레이저광이 조사되어도, 기재가 받는 손상은 작고 절단되지 않는다. 또한 기재는 손상을 받지 않더라도 기재를 투과하여 척 테이블까지 도달하는 광량은 저감된다. 이 결과, 레이저 다이싱에 서 레이저광에 의한 레이저 다이싱용 점착 시트의 절단, 척 테이블의 손상 및 레이저 다이싱용 점착 시트의 척 테이블에의 융착이 방지되어, 레이저 다이싱에 의한 칩체의 제조 공정이 원활하게 이루어지게 된다. 또한, 본 발명의 레이저 다이싱용 점착 시트는 그 형상 복원성이 높기 때문에, 익스펜드 공정후의 공정 결함을 발생시키는 일도 없고, 레이저 다이싱용 점착 시트의 제조 공정도 용이하기 때문 제조 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 실시예에서 평가한 「처짐량(sag amount)」을 설명하는 도면이다.
이하, 본 발명에 대해서 더욱 구체적으로 설명한다. 본 발명에 따른 필름은 특정 폴리우레탄 아크릴레이트로 이루어진다. 본 발명으로 이용되는 폴리우레탄 아크릴레이트는 특정 에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄 아크릴레이트 올리고머와 에너지선 경화성 모노머를 함유하는 배합물을 제막 후, 이것에 에너지선을 조사해서 얻어지는 경화물이다. 이하에 에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄 아크릴레이트 올리고머와 에너지선 경화성 모노머에 대해서 상술한다.
(에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄 아크릴레이트 올리고머)
에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄 아크릴레이트 올리고머는, 예를 들면 특정 폴리카보네이트형 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물을 반응시켜서 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 프레폴리머에, 히드록시기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 반응시켜서 얻을 수 있다. 또한, 에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄 아크릴레이트 올리고머는, 폴리카보네이트형 폴리올 화합물과 이소시아네이트기를 갖는 (메타)아크릴레이트를 반응시켜서 얻을 수도 있다.
본 발명에 따른 필름을 레이저 다이싱용 점착 시트의 기재로서 이용하는 경우는 레이저광에 의한 기재의 절단을 방지하기 위해서, 레이저광 파장의 흡수대(吸收帶)을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 본 발명에 따른 필름에 특정 폴리카보네이트형 폴리올 화합물을 이용하는 것으로, 우레탄 아크릴레이트 올리고머중에 레이저광 파장의 흡수대를 포함하지 않는 알킬렌 골격만으로 구성된 카보네이트 결합부를 도입할 수 있다. 그 때문에, 레이저광에 의한 기재의 절단을 방지할 수 있는 동시에, 레이저 다이싱용 점착 시트의 척 테이블에의 융착(融着)을 방지하고, 익스펜드 후의 레이저 다이싱용 점착 시트의 형상 복원성이 향상된다. 또한, 폴리올 화합물이면 특별히 한정되지 않고, 2관능의 디올 화합물, 3관능의 트리올 화합물이면 좋지만, 입수의 용이성, 범용성, 반응성 등의 관점에서 디올 화합물을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 따라서, 폴리카보네이트형 디올 화합물이 바람직하게 사용된다. 또한 전술의 이유로 특히 불포화기를 갖지 않는 폴리카보네이트형 디올 화합물이 바람직하게 사용된다.
폴리카보네이트형 디올 화합물은 일반적으로 HO-(-R-O-CO-O-)n-R-OH로 나타낸다. 여기에서, R는 불포화 결합을 함유하지 않는 알킬렌기, 바람직하게는 탄소수 2∼20의 지방족 또는 지환족 탄화수소기, 보다 바람직하게는 테트라 메틸렌, 펜타메틸렌 또는 헥사메틸렌이다. 또한, n은 2∼100의 정수, 바람직하게는 3∼50의 정수, 보다 바람직하게는 4∼25의 정수다. 따라서, 특히 바람직한 폴리카보네이트형 디올 화합물을 구성하는 카보네이트형 디올 화합물로서는, 1,4-테트라메틸렌카보네이트디올, 1,5-펜타메틸렌카보네이트디올, 1,6-헥사메틸렌카보네이트디올, 1,2-프로필렌카보네이트디올, 1,3-프로필렌카보네이트디올, 2,2-디메틸프로필렌카보네이트디올, 1,7-헵타메틸렌카보네이트디올, 1,8-옥타메틸렌카보네이트디올, 1,9-노난메틸렌카보네이트디올, 1,4-시클로헥산카보네이트디올 등을 예로 들 수 있다.
폴리카보네이트형 디올 화합물은 다가 이소시아네이트 화합물과의 반응에 의해, 카보네이트 결합부 (-(-O-R-O-CO-)n-)을 유도하고, 말단 이소시아네이트 우레탄 프레폴리머를 생성한다. 이러한 카보네이트 결합부를 갖는 프레폴리머의 제조 방법은 특별히 한정되는 것이 아니고, 공지된 제조 방법에서 선택할 수 있다. 예를 들면, 알킬렌기를 갖는 지방족 2가 알코올(HO-R-OH)과 카보네이트에스테르(디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디부틸카보네이트, 디페닐카보네이트 등)과의 에스테르 교환 반응을 이용하여 합성된 것이나, 알킬렌기를 갖는 환형상(環狀) 탄산 에스테르의 개환중합(開環重合)에서 유도된 것이라도 좋다.
다가 이소시아네이트 화합물로서는, 테트라메틸렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트 등의 지방족계 폴리 이소시아네이트류, 이소포론디이소시아네이트, 노르보르난 디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, ω, ω'-디이소시아네이트 디메틸시클로헥산 등의 지환족계 디이소시아네이트류 등을 예를 들 수 있다. 이들 중에서는, 이소포론디이소시아네이트나 헥사메틸렌 디이소시아네이트를 이용하는 것이, 우레탄 아크릴레이트 올리고머의 점도를 낮게 유지할 수 있고, 취급성이 양호가 때문에 바람직하다.
계속해서, 말단 이소시아네이트 우레탄 프레폴리머와 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트를 반응시켜서, 우레탄 아크릴레이트 올리고머가 얻어진다. 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트로서는, 1분자중에 히드록시기 및 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않고, 공지된 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 4-히드록시시클로헥실(메타)아크릴레이트, 5-히드록시시클로옥틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페닐옥시프로필(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메타)아크릴레이트, N-메티롤알킬(메타)아크릴아미드 등의 히드록시기 함유 (메타)아크릴아미드, 폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, α-히드록시메틸(메타)아크릴산에스테르 등의 α-히드록시알킬(메타)아크릴산에스테르, 디글리시딜에테르(메타)아크릴산을 반응시켜서 얻어진 반응물 등을 들 수 있다.
폴리카보네이트형 폴리올 화합물, 다가 이소시아네이트 화합물 및 히드록실기 함유(메타)아크릴레이트의 사용량은 특별히 한정되지 않지만, (다가 이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기의 당량)/(히드록실기 함유(메타)아크릴레이트의 히드록시기의 당량과 폴리카보네이트형 폴리올 화합물의 히드록시기의 당량의 합)을 0.5∼1 정도로 하는 것이 바람직하다.
폴리카보네이트형 폴리올 화합물, 다가 이소시아네이트 화합물 및 히드록실기 함유 (메타)아크릴레이트를 반응시키기 위한 조건으로서는, 폴리카보네이트형 폴리올 화합물, 다가 이소시아네이트 화합물 및 히드록실기 함유 (메타)아크릴레이트를, 필요에 따라 용제, 촉매의 존재하에서, 60∼100℃ 정도로, 1∼4시간 정도 반응시키면 좋다. 또한, 폴리카보네이트형 폴리올 화합물 및 다가 이소시아네이트 화합물을 이소시아네이트기가 잔존하도록 필요에 따라 용제, 촉매의 존재 하에서, 60∼100℃ 정도로, 1∼4시간 정도 반응시킨 후, 히드록실기 함유 (메타)아크릴레이트를 추가하여 60∼100℃ 정도로, 1∼4시간 정도 반응시켜도 좋다.
얻어진 우레탄 아크릴레이트 올리고머는 일반식: Z-(Y-(X-Y)m)-Z로 나타낸다(여기에서, X는 폴리카보네이트형 폴리올 화합물에 의해 유도되는 구성 단위이며, Y는 다가 이소시아네이트 화합물로 유도되는 구성 단위이며, Z는 히드록실기 함유 (메타)아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위이다.). 상기 일반식에서 m은 바람직하게는 1∼200, 더욱 바람직하게는 1∼50이 되도록 선택된다.
또한, 상기한 바와 같이 상기 폴리올 화합물과 이소시아네이트기 함유 (메타)아크릴레이트를 반응시켜서, 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 얻을 수도 있다. 폴리올 화합물은 상기와 동일하며, 이소시아네이트기 함유 (메타)아크릴레이트로서는 예를 들면 2-아크릴로일 옥시에틸 이소시아네이트 또는 2-메타크릴로일 옥시에틸 이소시아네이트 등이 이용되고, 특히 2-메타크릴로일 옥시에틸 이소시아네이트를 이용할 수 있다.
얻어지는 우레탄 아크릴레이트 올리고머는 일반식: W-X-W로 나타낸다(여기에서, X는 폴리카보네이트형 폴리올 화합물에 의해 유도되는 구성 단위이며, W는 이소시아네이트기 함유 (메타)아크릴레이트로부터 유도되는 구성 단위이다.)
얻어지는 우레탄 아크릴레이트 올리고머는 분자내에 광중합성의 이중 결합을 갖고, 에너지선 조사에 의해 중합 경화하고, 피막을 형성하는 성질을 갖는다.
본 발명에서 바람직하게 이용되는 우레탄 아크릴레이트 올리고머의 중량 평균 분자량(Mw)은 바람직하게는 1000∼50000, 더욱 바람직하게는 2000∼40000의 범위에 있다. 또한, 본 발명에서 바람직하게 이용되는 우레탄 아크릴레이트 올리고머의 분자량 분포(Mw/Mn, Mn은 수평균 분자량)은 바람직하게는 1.0∼5.0, 더욱 바람직하게는 1.5∼3.0이다. 우레탄 아크릴레이트 올리고머의 중량 평균 분자량이나 분자량 분포를 상기 범위로 하는 것으로, 후술하는 본 발명에 따른 필름의 엘멘돌프 인열 강도를 소정의 범위로 조정하는 것이 용이하게 된다. 상기의 우레탄 아크릴레이트 올리고머는 1종 단독, 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 상기와 같은 우레탄 아크릴레이트 올리고머만으로는, 제막이 어려운 경우가 많기 때문에, 본 발명에서는 에너지선 경화성의 모노머로 희석해서 제막한 후 이것을 경화하여 본 발명의 기재를 얻는다.
(에너지선 경화성 모노머)
에너지선 경화성 모노머는 분자내에 에너지선 중합성의 이중 결합을 갖고, 특히 본 발명에서는 비교적 부피가 큰 기를 갖는 아크릴 에스테르계 화합물이 바람직하게 이용된다.
이러한 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 희석하기 위해서 사용되는 에너지선 경화성의 모노머의 구체예로서는, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, n-펜틸(메타)아크릴레이트, n-헥실(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 운데실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 트리데실(메타)아크릴레이트, 테트라데실(메타)아크릴레이트, 헥사데실(메타)아크릴레이트, 옥타데실(메타)아크릴레이트, 에이코실(메타)아크릴레이트 등의 알킬기의 탄소수가 1∼30의 (메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 아다만탄(메타)아크릴레이트 등의 지환식 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트, 페닐 히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트, 페녹시 에틸(메타)아크릴레이트 등의 방향족 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트, 또는 테트라히드로푸르푸릴(메타)아크릴레이트, 모르폴린(메타)아크릴레이트, N-비닐피롤리돈 또는 N-비닐카프로락탐 등의 복소환식(複素環式) 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트를 들 수 있다. 또한, 필요에 따라 다관능(메타)아크릴레이트를 이용해도 좋다. 이러한 에너지선 경화성 모노머는 단독 또는 복수를 조합하여 사용해도 좋다.
이 중에서도 우레탄 아크릴레이트 올리고머와의 상용성의 측면에서 비교적 부피가 큰 기를 갖는 지환식(脂環式) 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트, 방향족 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트, 복소환식 구조를 갖는 (메타)아크릴레이트가 바람직하다.
상기 에너지선 경화성 모노머는 우레탄 아크릴레이트 올리고머 100 중량부(고형분)에 대하여, 바람직하게는 5∼900 중량부, 더욱 바람직하게는 10∼500 중량부, 특히 바람직하게는 30∼200 중량부의 비율로 이용된다.
본 발명의 필름은 우레탄 아크릴레이트 올리고머 및 에너지선 경화성 모노머를 포함하는 배합물을 제막, 경화하여 얻어진다. 이때, 그 배합물에 광중합 개시제를 혼입하여, 에너지선 조사에 의한 중합 경화 시간 및 에너지선 조사량을 적게할 수 있다. 이러한 광중합 개시제로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 1-[4-(2-히드록시에톡시)-페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 2-히드록시-1-[4-[4-(2-히드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]페닐]-2-메틸-프로판-1-온, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온-1, 2-(디메틸아미노)-2- [(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부탄온, 올리고 (2-히드록시-2-메틸-1-(4-(1-메틸비닐)페닐)프로파논) 등의 알킬페논계 광중합 개시제, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제, 비스(η５-2,4-시클로펜타디엔-1-일)-비스[2,6-디플루오로-3-(1H-피롤-1-일)-페닐]티타늄 등의 티타노센계 광중합 개시제, 1,2-옥탄디온-1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심 에스테르계 광중합 개시제, 벤조페논, p-클로로 벤조페논, 베조일안식향산, o-베조일안식향산메틸, 4-메틸 벤조페논, 4-페닐 벤조페논, 히드록시 벤조페논, 아크릴화 벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸-디페닐술파이드, 3,3'-디메틸-4-메톡시 벤조페논, 2,4,6-트리메틸 벤조페논, 4-(13-아크릴로일-1,4,7,10,13-펜타옥사트리데실)-벤조페논 등의 벤조페논계 광중합 개시제, 티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 3-메틸티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 2,4-디이소프로필티옥산톤, 2,4-디클로로옥산톤, 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 4-이소프로필티옥산톤 등의 티옥산톤계 광중합 개시제 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 α-히드록시 케톤계 광중합 개시제나, α-아미노알킬케톤계 광중합 개시제나, 아실포스핀　옥사이드계 광중합 개시제가 바람직하다.
상기α-히드록시 케톤계 광중합 개시제의 시판품으로서는, 예를 들면　치바·스페셜티·케미컬(주)제의 Irgacure 184, Darocur 1173, Irgacure 2959, Irgacure 127 등을 들 수 있다.
상기α-아미노알킬케톤계 광중합 개시제의 시판품으로서는, 예를 들면 치바·스페셜티·케미컬(주)제의 Irgacure 369, Irgacure 907 등을 들 수 있다.
상기 아실포스핀 옥사이드계 광중합 개시제의 시판품으로서는, 예를 들면 치바·스페셜티·케미컬(주)제의 Irgacure -819, DAROCUR TPO, ADEKA사제의 SP-246 등을 들 수 있다.
이들 광중합 개시제는 1종을 단독으로 이용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. 또한, 상기 광중합 개시제에는 예를 들면 트리이소프로판올아민이나, 4,4'-디에틸아미노 벤조페논 등의 광중합 개시 조제 등을 병용해도 좋다.
광중합 개시제의 사용량은 우레탄 아크릴레이트 올리고머 및 에너지선 경화성 모노머의 합계 100 중량부 (고형분)에 대하여, 바람직하게는 2 중량부 미만, 더욱 바람직하게는 0.1 중량부 이상 2 중량부 미만, 특히 바람직하게는 0.3∼1.0중량부이다. 광중합 개시제의 사용량이 2 중량부 이상이면, 본 발명의 점착 시트의 점착제층에 워크를 첩부하고, 레이저광에 의해 워크를 칩체에 개편화하는 공정에서, 광중합 개시제가 레이저광을 흡수하고 점착 시트가 절단되어 버리는 경우가 있다.
또한, 상술의 배합물 중에는, 탄산 칼슘, 실리카, 운모 등의 무기 필러, 철, 납 등의 금속 필러, 폴리스티렌, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, 스티렌-부타디엔 고무 등의 유기 필러를 첨가해도 좋다. 또한, 상기 성분 이외에도 본 발명의 기재에는 안료나 염료 등 착색제 등의 첨가물이 함유되어 있어도 좋다.
제막 방법으로서는, 유연제막(流延製膜, 캐스트 제막)이라는 수법을 바람직하게 채용할 수 있다. 구체적으로는, 상기 우레탄 아크릴레이트 올리고머와 상기 에너지선 경화성 모노머를 함유하는 액상의 배합물 (경화전의 수지, 수지의 용액 등)을 예를 들면 공정 시트상에 박막형상으로 캐스트한 후에 도막에 자외선, 전자선 등의 에너지선을 조사하여 중합 경화시켜서 필름화하는 것으로 본 발명의 필름을 제조할 수 있다. 또한, 에너지선 조사해서 도막을 반경화 후, 반경화한 도막상에 더욱 공정 시트를 중첩하고, 더욱 에너지 선을 조사하여 경화시켜서 필름화하는 것으로 본 발명의 필름을 제조해도 좋다. 이러한 제조법에 의하면, 제막시 수지에 미치는 응력이 적고, 피시아이의 형성이 적다. 또한, 막 두께의 균일성도 높고, 두께 정밀도는 통상 2% 이내가 된다. 이렇게 제조된 필름은 파단 신도는 커진다. 또한, 다른 제막 방법으로서, T 다이나 인플레이션법에 의한 압출 성형이나 캘린더법에 의해 제조할 수도 있다.
에너지선으로서는 통상 자외선, 전자선 등을 이용할 수 있다. 에너지선의 조사량은 에너지선의 종류에 따라 다르지만, 예를 들면 자외선의 경우에는 광량 10∼2000mJ/㎠ 정도가 바람직하고, 전자선의 경우에는 10∼1000krad 정도가 바람직하다. 자외선 조사는 고압 수은 램프, 퓨전 H 램프, 크세논 램프 등에 의해 실시할 수 있다.
본 발명에 따른 필름의 파단 신도는 100% 이상인 것이 바람직하고, 120% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 파단 신도가 100% 이상의 필름은 반도체 가공용 다이싱 시트의 기재로 이용한 경우, 다이싱을 실시한 후에 다이싱 시트를 늘렸을 때에 파단되기 어렵고, 피가공물을 절단하여 형성한 칩을 이간하기 쉽게 되어 바람직하다.
본 발명에 따른 필름의 인장 탄성률은 바람직하게는 1∼1000MPa, 보다 바람직하게는 50∼800MPa, 더욱 바람직하게는 100∼500MPa다. 인장 탄성률이 상기범위의 필름은 블레이드나 레이저광에 의한 다이싱 공정에 사용되는 점착 시트의 기재에 이용한 경우에, 피가공물 표면의 요철에 추종하여 요철차를 흡수할 수 있기 때문에, 피가공물 표면의 요철에 영향을 받지 않고 피가공물을 보유할 수 있기 때문에 피가공물을 절단해서 형성한 칩의 이빠짐이나 깨짐을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 필름의 엘멘돌프 인열 강도는 100mN/㎟ 이상인 것이 바람직하다. 엘멘돌프 인열 강도가 100mN/㎟ 이상이면, 본 발명에 따른 필름을 반도체 가공용 다이싱 시트의 기재로서 이용한 경우, 다이싱을 한 후에 다이싱 시트를 늘렸을 때에 파단하기 어렵고, 익스펜드성이 뛰어단 필름을 얻을 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 필름의 파단 신도가 상기 범위이며, 또한 엘멘돌프 인열 강도가 상기 범위에 있으면, 레이저 다이싱에서 필름에 절삭이 형성되어도, 필름이 파단되는 일 없이 뛰어난 익스펜드성을 나타낸다.
본 발명에 따른 필름의 두께는 특별히 제한되지 않고, 작업성 등의 면에서 바람직하게는 10∼500㎛, 더욱 바람직하게는 30∼300㎛, 특히 바람직하게는 50∼200㎛이다.
본 발명에 따른 필름은 형상 복원성을 갖는다. 종래에 개발되어 온 폴리우레탄아크릴레이트 필름은 응력 완화성이 높으며, 연신(延伸)해도 그 형상이 복원되는 것은 아니다. 이에 대하여, 본 발명에 관련되는 필름은 연신 후에도 응력제거 후에는 연신전의 형상으로 복원되는 성질이 있다. 형상 복원성이란 어느 정도의 익스펜드성이 있고, 익스펜드 후에 익스펜드 전의 형상에 가깝게 복원하는 성질을 의미한다.
본 발명에 관련되는 점착 시트는 상기와 같은 필름의 적어도 한면에 점착제층을 적층하는 것으로 제조된다. 한편, 점착제층을 자외선 경화형 점착제로 형성하고, 점착제를 경화하기 위해 조사하는 에너지선으로서 자외선을 이용하는 경우에는, 자외선에 대하여 투명한 필름이 바람직하다. 또한, 에너지선으로서 전자선을 이용할 경우에는 투명할 필요는 없다. 상기 필름 외에 이것들을 착색한 투명 필름, 불투명 필름 등을 이용할 수 있다.
본 발명에 의해 얻어진 필름에 점착제층을 마련하는 경우는, 점착제층과의 밀착성을 향상시키기 위해 코로나 처리를 실시하거나, 프라이머층을 마련해도 좋다. 또한, 점착제층과는 반대의 시트면에 각종 도막을 코팅(塗工)해도 좋다.
점착제층은 종래부터 공지된 다양한 점착제에 의해 형성될 수 있다. 이러한 점착제로서는 한정되는 것이 아니지만, 예를 들면 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐 에테르 등의 점착제를 이용할 수 있다. 또한, 에너지선 경화형이나 가열 발포형, 수팽윤형(水膨潤型)의 점착제도 이용할 수 있다. 에너지선 경화(자외선 경화, 전자선 경화)형 점착제로서는 특히 자외선 경화형 점착제를 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제층에는 그 사용전에 점착제층을 보호하기 위해서 박리 시트가 적층되어 있어도 좋다.
점착제층의 두께는 특별히 한정되지 않지만 바람직하게는 1∼100㎛, 더욱 바람직하게는 3∼80㎛, 특히 바람직하게는 5∼50㎛이다.
박리 시트는 특별히 한정되는 것이 아니며, 필름이나 종이 등의 시트에 박리제로 박리 처리한 것을 사용할 수 있다. 필름으로서는 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 수지로 이루어지는 필름 또는 그것들의 발포 필름을 들 수 있고, 종이로서는 예를 들면 글라신지, 코팅지, 라미네이트지 등의 종이를 들 수 있다. 박리제로서는 예를 들면 실리콘계, 불소계, 긴사슬 알킬기 함유 카바메이트 등의 박리제를 들 수 있다.
필름 표면에 점착제층을 마련하는 방법은 박리 시트상에 소정의 막 두께가 되도록 도포하여 형성한 점착제층을 필름 표면에 전사해도 상관 없으며, 필름 표면에 직접 도포하여 점착제층을 형성해도 상관없다.
계속해서 본 발명의 점착 시트를 레이저 다이싱에 이용했을 경우, 즉 레이저 다이싱용 점착 시트로서 사용한 칩체의 제조 방법에 대해서 설명한다.
본 발명의 칩체의 제조법에서는 상기 레이저 다이싱용 점착 시트의 점착제층에 워크를 첩부하고, 워크 표면을 레이저광으로 주사하고, 워크를 절단하여 칩체를 얻는다. 이러한 레이저 다이싱 방법 자체는 공지된 것이다. 레이저 다이싱에서는 레이저광의 초점은 다음과 같이 이동하고 있다. 즉, 워크가 첩부되지 않은 다이싱 시트의 노출 표면(워크의 외연부)로부터 가속되고, 워크 표면을 일정 속도로 주사하고, 워크의 다른 쪽의 외연부에서 감속, 정지한다. 그 후, 진행 방향을 반전하여 가속 후 다시 워크 표면을 주사하고, 다시 감속, 정지, 반전한다. 통상은 하나의 다이싱 라인 당, 1∼복수회 정도의 레이저광 주사를 실시한다.
레이저광 초점의 이동에 있어서의 가속·감속시에는 워크가 첩부되지 않은 레이저 다이싱용 점착 시트의 단부에 직접 레이저광이 조사되어 있다. 이 때, 레이저광이 레이저 다이싱용 점착 시트를 절단하는 경우가 있었다. 또한, 레이저광이 레이저 다이싱용 점착 시트를 투과하고, 척(chuck) 테이블을 손상시키는 문제가 발생하는 경우 있었다. 또한, 레이저광에 의해 가열된 척 테이블에 접하는 레이저 다이싱용 점착 시트 면이 용융되어, 척 테이블에 융착하는 문제가 발생하는 경우도 있었다.
그러나, 본 발명에 있어서는, 상술한 폴리우레탄 아크릴레이트로 이루어지는 필름을 레이저 다이싱용 점착 시트의 기재로서 사용하여 상기의 과제를 해결하고 있다. 즉, 본 발명의 필름을 사용하는 경우, 가령 레이저광이 레이저 다이싱용 점착 시트에 직접 조사되어도, 기재는 레이저광에 의한 손상을 받기 어려운 것이 확인되었다. 구체적으로는 기재 표면에 레이저광에 의한 절삭이 발생하지 않거나, 또는 기재 표면의 일부가 레이저광에 의해 절삭될 뿐, 기재가 전층에 걸쳐 절단되는 일이 없다. 또한, 높은 에너지를 가진 레이저광(강도가 높은 레이저광)이 기재를 투과해서 척 테이블에 이르는 것도 없고, 레이저 다이싱용 점착 시트의 융착도 확인되지 않았다.
레이저 다이싱을 마친 후, 필요에 따라 레이저 다이싱용 점착 시트를 익스펜드하여 칩 간격을 넓힌다. 칩 간격을 넓히는 것으로 칩끼리의 접촉에 의한 손상이 저감된다. 그 후, 칩을 픽업해서 추출하여 칩체를 얻는다. 또한, 점착제층이 자외선 경화형 점착제로 이루어지는 경우는, 필요에 따라 픽업 전에 자외선조사를 실시한다. 자외선 경화형 점착제는 자외선의 조사에 의해 중합 경화하고, 점착력이 저하하기 때문에 칩의 픽업을 원활하게 실시할 수 있게 된다.
칩을 픽업한 후, 레이저 다이싱용 점착 시트는 링 프레임에 장설(張設)된 상태로 회수 카세트에 수납되어 회수된다. 회수 후, 레이저 다이싱용 점착 시트를 제거하고, 링 프레임은 세정 공정 등을 거쳐 재사용된다. 익스펜드에 의해 레이저 다이싱용 점착 시트는 연신되어 있기 때문에, 형상 복원성이 낮은 레이저 다이싱용 점착 시트는 링 프레임으로부터 늘어진 상태가 된다. 이 상태에서는, 처진 레이저 다이싱용 점착 시트가 회수 카세트에 수납될 때에, 다른 링 프레임이나 시트에 접촉되기 때문에, 회수 카세트에의 수납이 원활하게 이루어지지 않는다. 예를 들면, 통상의 폴리우레탄 아크릴레이트 필름은 익스펜드성에 뛰어나지만 형상 복원성에 떨어진다.
그러나, 본 발명에서는 상기한 특수한 폴리우레탄 아크릴레이트로 이루어지는 필름을 이용하고 있기 때문에, 레이저 다이싱용 점착 시트의 늘어짐을 간단하게 해소할 수 있다. 이 결과, 회수 카세트에의 링 프레임의 수납이 원활해져, 칩체의 생산 효율이 향상된다.
본 발명에 있어서 적용 가능한 워크로서는 레이저광에 의해 절단 처리를 실시할 수 있는 한, 그 소재에 한정은 없고 예를 들면 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, FPC 등의 유기 재료 기판 또는 정밀 부품 등의 금속 재료 등 여러가지 물품을 들 수 있다.
레이저는 파장 및 위상이 갖추어진 빛이며, YAG(기본 파장=1064㎚), 또는 루비(기본 파장=694㎚) 등의 고체 레이저, 또는 아르곤 이온 레이저(기본 파장=1930㎚) 등의 기체 레이저 및 이 고조파 등이 알려져 있으며, 본 발명에서는 이러한 다양한 레이저를 이용할 수 있다.
레이저의 강도 I는 I=E/St의 식으로 나타낸다(E는 펄스 에너지, S는 빔스 포트의 면적, t는 레이저 펄스의 시간폭을 나타낸다.). 즉, 펄스 에너지의 총량 E가 동일하면, 레이저 펄스의 시간폭 t가 작은 쪽이 높은 레이저 강도 I를 얻을 수 있다. 레이저 펄스의 시간폭 t가 작은 레이저로서는, 예를 들면 나노초 레이저, 피코초 레이저, 펨토초 레이저를 들 수 있다. 이들 중에서도 레이저 펄스의 시간폭 t를 펨토초(10-15초)로 한 펨토초 레이저는 나노초(10-9초) 레이저나 피코초(10-12초) 레이저와 비교하여 레이저 강도가 높고, 지금까지의 레이저 다이싱 프로세스에서 달성할 수 없었던, 매우 빠른 가공 속도와 높은 가공 품질을 달성할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 특정 폴리우레탄 아크릴레이트로 이루어지는 필름을 이용하고 있기 때문에, 필름에 레이저광이 조사되어도, 필름이 받는 손상은 적으며, 또한 필름을 투과해서 척 테이블에까지 도달하는 광량은 감소된다. 그 결과, 레이저 다이싱에서, 레이저광에 의한 척 테이블의 손상 및 레이저 다이싱용 점착 시트의 척 테이블에의 융착이 방지되어, 레이저 다이싱에 의한 칩체의 제조 공정이 원활하게 이루어지게 된다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시예 및 비교예에 있어서, 점착제로서 하기의 점착제 조성물(1)을 이용했다.
[점착제 조성물(1)]
부틸아크릴레이트 84 중량부, 메틸메타크릴레이트 10 중량부, 아크릴산 1 중량부, 2-히드록시에틸아크릴레이트 5 중량부로 이루어지는 공중합체(중량 평균 분자량 700,000)의 톨루엔 30 중량% 용액에 대하여, 다가 이소시아네이트 화합물(Coronate L (일본 폴리우레탄사제)) 3 중량부를 혼합하여 점착제 조성물(1)을 얻었다.
또한, 본 발명에 따른 필름 및 점착 시트의 평가 방법과 레이저 다이싱 조건을 이하에 나타낸다.
[파단 신도 및 인장 탄성률 측정]
필름을 15㎜×140㎜로 잘라, 그 필름의 양단 20㎜ 부분에 필름 인장용 고정구를 첩부하고, 15㎜×100㎜의 덤벨형의 샘플을 작성했다. 인장 시험기 (시마즈제작소사제, 오토그래프 AG-IS 500N)을 사용하고, 인장 속도 200㎜/분으로 인장했을 때의 파단 신도(%) 및 인장 탄성률 (MPa)을 측정했다.
[엘멘돌프 인열 강도의 측정]
엘멘돌프 인열 강도는 JIS K 7128-2; 1998에 준하여 측정한 값이다.
1. 레이저 다이싱 적성
[레이저 다이싱 조건(1)]
·장치: Nd-YAG 레이저(DISCO사제 DFL7160)
·척 테이블 재질: 석영
·파장: 355㎚(제3고조파)
·출력: 7.0W
·반복 주파수: 10kHz
·펄스폭: 35nsec
·조사 횟수: 8회/1라인
·커트 속도: 200㎜/분
·디포커스량: 테이프 표면상에서 +100㎛ (웨이퍼의 표면상에 초점)
·웨이퍼 재질: 실리콘
·웨이퍼 두께: 100㎛
·웨이퍼 사이즈: 8인치
·커트 칩 사이즈: 5㎜□
·웨이퍼 외에 레이저가 주사하는 거리: 5㎜
[레이저 다이싱 조건(2)]
·장치: Nd-YAG레이저(DISCO사제 DFL7161)
·척 테이블 재질: 석영
·파장: 355㎚(제3고조파)
·출력: 6.0W
·조사 횟수: 2회/1라인
·커트 속도: 100㎜/초
·디포커스량: 테이프 표면상에서 +30㎛
·웨이퍼 재질: 실리콘
·웨이퍼 두께: 30㎛
·웨이퍼 사이즈: 12인치
·커트 칩 사이즈: 5㎜□
·웨이퍼 외에 레이저가 주사하는 거리: 5㎜
[레이저 다이싱 조건(3)]
·장치: Nd-YAG레이저(사이버 레이저사제 IFRIT)
·척 테이블 재질: 석영
·파장: 390㎚(SHG 변환)
·출력: 200mW
·레이저 펄스 에너지량: 24μJ
·반복 주파수: 1kHz
·펄스 폭: 230fsec
·조사 횟수: 10회/1라인
·커트 속도: 5㎜/초
·디포커스량: 테이프 표면상에서 +30㎛
·웨이퍼 재질: 실리콘
·웨이퍼 두께: 30㎛
·웨이퍼 사이즈: 8인치
·커트 칩 사이즈: 30㎜□
·웨이퍼 외에 레이저가 주사하는 거리: 5㎜
[절삭 깊이 평가]
레이저 다이싱이 종료된 후에 커트라인을 디지털 현미경을 이용하여 단면관찰하고, 점착제층을 포함하지 않고 필름 표면에서의 절삭 깊이(㎛)을 계측했다 (관찰 부위는 웨이퍼가 부착되지 않은 레이저가 직사되는 부분). 시트가 완전히 절단되어 버린 것은「절단」이라고 표기했다.
[척 테이블의 손상]
레이저 다이싱 조건 (1) 및 (2)에서의 레이저 다이싱이 종료된 후에 테이블 표면을 육안으로 관찰하고 손상이 없는지 확인했다. 테이블에 손상이 없었던 것을 「없음」으로 하고, 손상이 있었던 것을 「있음」로 했다.
[척 테이블에의 융착]
레이저 다이싱 조건 (1) 및 (2)에서의 레이저 다이싱 후에 레이저 다이싱장치 내장의 반송 기구로 다이싱 데이블로부터 레이저 다이싱용 점착 시트 부착의 웨이퍼를 추출할 때, 반송에 문제가 없었던 것을 융착 「없음」으로 하고, 레이저 다이싱용 점착 시트가 테이블에 열 융착해서 원활한 반송이 어려웠던 것을 융착 「있음」로 했다.
2. 익스펜드 적성
실리콘 웨이퍼(직경 6인치, 두께 350㎛)을 실시예 또는 비교예의 점착 시트를 통해 6인치용 금속제 링프레임에 첩부하고, 다이싱 장치(DISCO사제 DFD651)을 사용하여 이하의 조건으로 블레이드 다이싱을 실시하여 칩화하였다.
그 후, 23℃의 환경에서 익스펜드 장치(JCM사제, ME-300B)을 사용하여, 점착 시트를 익스펜드(7㎜ 늘어뜨림)하였다. 7㎜ 늘어뜨려도 점착 시트의 파단이나 칩의 탈락이 없는 것을 「A」, 5∼7㎜ 늘어뜨려 점착 시트의 파단이나 칩의 탈락이 있었던 것을 「B」, 5㎜ 늘어뜨리기 전에 점착 시트의 파단이나 칩의 탈락이 있었던 것을 「C」로 했다.
<다이싱조건>
·장치: DISCO사제 DFD651
·다이싱 속도: 50㎜/초
·블레이드 종류: DISCO사제 NBC-ZH2050HECC
·블레이드 회전수: 30000rpm
·점착 시트 절삭 깊이: 30㎛
·커트 방법: 싱글 다운 커트
·칩 사이즈: 8㎜×8㎜
3. 형상 복원성
익스펜드 적성을 평가한 후의 실시예 또는 비교예의 점착 시트를 익스펜드 상태(늘어뜨림량 7㎜)로 5분간 유지하고, 익스펜드 장치로부터 분리하여, 50℃의 건조기에 10초간 투입해서 가열했다. 실온에 돌아온 후, 도 1에 도시된 바와 같이, 링프레임의 하면에 정의되는 평면과, 점착 시트와의 최대거리 (이하 「처짐량」)을 계측했다. 처짐량이 5㎜ 이하인 것을 「양호」, 5㎜을 넘는 것을 「불량」으로 했다.
4. 반송성
레이저 다이싱 조건 (2)로 레이저 다이싱을 실시했다. 그 때 자동 반송으로 장치내 불량없이 반송할 수 있었던 점착 시트를 「양호」, 불량이 발생하여 반송하지 못한 점착 시트를 「불량」으로 평가했다.
5. 블레이드 다이싱 적성
실리콘 웨이퍼(직경 6인치, 두께 350㎛)를 실시예 또는 비교예의 점착 시트를 통하여 6인치용 금속제 링프레임에 첩부하고, 다이싱 장치(DISCO사제 DFD651)을 사용하여, 이하의 조건으로 블레이드 다이싱을 실시하여 칩화했다.
<블레이드 다이싱 조건>
·장치: DISCO사제 DFD651
·다이싱 속도: 50㎜/초
·블레이드 종류: DISCO사제 Z1110LS3(#400)
·블레이드 회전수: 30000rpm
·점착 시트 절삭 깊이: 50㎛
·커트 방법: 싱글 다운 커트
·칩 사이즈: 8㎜×8㎜
[휨 평가]
칩 분할후의 워크의 외관 상태에서 점착 시트의 휨이 있는 워크를 「불량」, 휨이 없는 워크를 「양호」로 했다.
[절삭 찌꺼기(切削屑) 의 평가]
칩 분할후의 점착 시트의 다이싱 스트리트(다이싱 라인)을 광학 현미경으로 관찰하고, 다이싱 스트리트상의 절삭 찌꺼기의 발생 유무를 조사했다. 절삭 찌꺼기가 발생하지 않은 것을 「양호」, 발생한 것을 「불량」으로 했다.
(실시예 1)
양 말단에 반응성 2중 결합 관능기를 갖고, 1,5-펜타메틸렌 카보네이트디올 및 1,6-헥사메틸렌 카보네이트디올 골격을 갖는 폴리카보네이트디올 함유 2관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Mw=10,700, Mw/Mn=1.75)와, 에너지선 경화성 모노머로서 이소보닐 아크릴레이트를 함유하는 배합물(배합비(우레탄 아크릴레이트 올리고머: 이소보닐 아크릴레이트)=70:30, η=26,500mPa·s(40℃)) 100 중량부에 대하여, 광중합 개시제로서 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐-포스핀 옥사이드(BASF사제 Darocur TPO, 고형분 농도 100 질량%)을 0.5 중량부 더한 에너지선 경화형 조성물을 조정했다.
얻어진 에너지선 경화형 조성물을 60℃로 가온하면서 파운틴 다이 방식으로 PET 필름(미츠비시 화학 폴리에스테르제 T-100 38㎛)상에 두께가 100㎛가 되도록 도포하고, 에너지선 경화형 조성물층을 형성했다. 자외선 조사 장치로 아이 그래픽스사제 벨트 콘베이어식 자외선 조사 장치(제품명: ECS-401GX)을 사용하고, 고압 수은 램프(아이 그래픽스사제 고압 수은 램프 제품명: H04-L41)에서, 자외선 램프 높이 150㎜, 자외선 램프 출력 3kw(환산 출력120mW/㎝), 광선 파장 365㎚의 조도가 271mW/㎠, 광량이 177mJ/㎠(자외선 광량계: 주식회사 오크 제작소사제 UV-351)이 되는 장치 조건으로 자외선 조사를 실시했다. 자외선 조사 직후에, 에너지선 경화형 조성물층 상에 박리 필름(린텍사제 SP-PET3801)을 라미네이트했다. 또한, 라미네이트는 박리 필름의 박리 처리면이 에너지선 경화형 조성물과 접하도록 했다. 계속해서, 동일 자외선 조사 장치를 사용하여 자외선 램프 높이 150㎜, 광선 파장 365㎚의 조도가 271mW/㎠, 광량이 600mJ/㎠(자외선 광량계: 주식회사 오크 제작소사제 UV-351)의 조건으로 라미네이트한 박리 필름측에서 2회의 자외선 조사를 실시하고, 에너지선 경화형 조성물층에 준 자외선의 총광량을 1377mJ/㎠로 하여 에너지선 경화형 조성물층을 가교·경화시켰다.
계속해서, 경화시킨 에너지선 경화형 조성물층으로부터 박리 필름을 박리하여 두께 100㎛의 필름을 얻었다. 그 후, 별도 조정한 두께 10㎛의 점착제 조성물(1)을 라미네이터를 사용하여 필름에 서로 붙여 점착 시트를 얻었다. 얻어진 필름 및 점착 시트에 대하여 각 평가를 실시했다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 2)
양 말단에 반응성 2중 결합 관능기를 갖고, 1,5-펜타메틸렌카보네이트디올 및 1,6-헥사메틸렌 카보네이트디올 골격을 갖는 폴리카보네이트디올 함유 2관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Mw=10,400, Mw/Mn=2.19)와, 에너지선 경화성 모노머로서 이소보닐 아크릴레이트를 함유하는 배합물(배합비(우레탄 아크릴레이트 올리고머: 이소보닐 아크릴레이트)=50:50, η=6,400mPa·s(25℃))을 사용하여 에너지선 경화형 조성물을 조정하고, 그 에너지선 경화형 조성물을 25℃로 도포한 것 이외에는, 실시예 1과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 3)
양 말단에 반응성 2중 결합 관능기를 갖고, 1,5-펜타메틸렌 카보네이트디올 및 1,6-헥사메틸렌 카보네이트디올 골격을 갖는 폴리카보네이트디올 함유 2관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Mw=10,700, Mw/Mn=1.77)와, 에너지선 경화성 모노머로서 이소보닐 아크릴레이트를 함유하는 배합물(배합비(우레탄 아크릴레이트 올리고머: 이소보닐 아크릴레이트)=60:40, η=21,500mPa·s(25℃))을 사용하여 에너지선 경화형 조성물을 조정하고, 그 에너지선 경화형 조성물을 25℃로 도포한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 4)
양 말단에 반응성 2중 결합 관능기를 갖고, 1,5-펜타메틸렌 카보네이트디올 및 1,6-헥사메틸렌 카보네이트디올 골격을 갖는 폴리카보네이트디올 함유 2관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Mw=6,100, Mw/Mn=1.68)과, 에너지선 경화성 모노머로서 이소보닐 아크릴레이트를 함유하는 배합물(배합비(우레탄 아크릴레이트 올리고머: 이소보닐 아크릴레이트)=70:30, η=18,700mPa·s(25℃))을 사용하여 에너지선 경화형 조성물을 조정하고, 그 에너지선 경화형 조성물을 25℃로 도포한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 5)
양 말단에 반응성 2중 결합 관능기를 갖고, 1,4-테트라메틸렌 카보네이트디올 및 1,6-헥사메틸렌 카보네이트디올 골격을 갖는 폴리카보네이트디올 함유 2관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Mw=5,800, Mw/Mn=1.54)와, 에너지선 경화성 모노머로서 이소보닐 아크릴레이트 및 테트라히드로푸르푸릴 아크릴레이트를 함유하는 배합물(배합비(우레탄 아크릴레이트 올리고머: 이소보닐 아크릴레이트: 테트라히드로푸르푸릴 아크릴레이트)=60:20:20, η=5,200mPa·s(25℃))을 사용하여 에너지선 경화형 조성물을 조정하고, 그 에너지선 경화형 조성물을 25℃로 도포한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 6)
양 말단에 반응성 2중 결합 관능기를 갖고, 1,4-테트라메틸렌 카보네이트디올 및 1,6-헥사메틸렌 카보네이트디올 골격을 갖는 폴리카보네이트디올 함유 2관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Mw=5,900, Mw/Mn=1.52)와, 에너지선 경화성 모노머로서 이소보닐 아크릴레이트 및 페녹시에틸 아크릴레이트를 함유하는 배합물(배합비(우레탄 아크릴레이트 올리고머: 이소보닐 아크릴레이트: 페녹시에틸 아크릴레이트)=60:20:20, η=9,500mPa·s(25℃))을 사용하여 에너지선 경화형 조성물을 조정하고, 그 에너지선 경화형 조성물을 25℃로 도포한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 7)
양 말단에 반응성 2중 결합 관능기를 갖고, 1,4-테트라메틸렌 카보네이트디올 및 1,6-헥사메틸렌 카보네이트디올 골격을 갖는 폴리카보네이트디올 함유 2관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Mw=12,200, Mw/Mn=1.70)와, 에너지선 경화성 모노머로서 이소보닐 아크릴레이트를 함유하는 배합물(배합비(우레탄 아크릴레이트 올리고머: 이소보닐 아크릴레이트)=50:50, η=9,500mPa·s(25℃))을 사용하여 에너지선 경화형 조성물을 조정하고, 그 에너지선 경화형 조성물을 25℃로 도포한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 8)
광중합 개시제의 첨가량을 1.0 중량부로 변경한 것 이외에는 실시예 5와 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 9)
광중합 개시제로서 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온(BASF사제 Darocur 1173, 고형분 농도 100 질량%)을 사용하고, 0.5 중량부 더한 에너지선 경화형 조성물을 조정한 것 이외에는 실시예 5과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 10)
광중합 개시제의 첨가량을 1.0 중량부에 변경한 것 이외에는 실시예 9와 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 11)
광중합 개시제로서 올리고(2-히드록시-2-메틸-1-(4-(1-메틸비닐)페닐)프로파논) (Lamberti사제 Esacure KIP150, 고형분 농도 100 질량%)을 사용하고, 0.5중량부 더한 에너지선 경화형 조성물을 조정한 것 이외에는 실시예 5과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 12)
광중합 개시제의 첨가량을 1.0 중량부로 변경한 것 이외에는 실시예 11과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예13)
양 말단에 반응성 2중 결합 관능기를 갖고, 1,6-헥사메틸렌 카보네이트디올 골격을 갖는 폴리카보네이트디올 함유 2관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Mw=26,000, Mw/Mn=2.17)와, 에너지선 경화성 모노머로서 이소보닐 아크릴레이트를 함유하는 배합물(배합비 (우레탄 아크릴레이트 올리고머: 이소보닐 아크릴레이트)=50:50, η=17,600mPa·s(25℃))을 사용하여 에너지선 경화형 조성물을 조정하고, 그 에너지선 경화형 조성물을 25℃로 도포한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(실시예 14)
양 말단에 반응성 2중 결합 관능기를 갖고, 1,6-헥사메틸렌 카보네이트디올 골격을 갖는 폴리카보네이트디올 함유 2관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머(Mw=25,400, Mw/Mn=2.09)와, 에너지선 경화성 모노머로서 이소보닐 아크릴레이트를 함유하는 배합물(배합비 (우레탄 아크릴레이트 올리고머: 이소보닐 아크릴레이트)=50:50, η=47,000mPa·s(25℃))을 사용하여 에너지선 경화형 조성물을 조정하고, 그 에너지선 경화형 조성물을 25℃로 도포한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 1)
양 말단에 반응성 2중 결합 관능기를 갖고, 비스페놀A형 방향족환상 골격을 갖는 폴리카보네이트디올 함유 2관능 우레탄 아크릴레이트 올리고머(η=250,000mPa·s(25℃)) 50 중량부에 대하여, 에너지선 경화성 모노머로서 이소보닐 아크릴레이트 50 중량부를 더해서 얻은 배합물을 사용하여 에너지선 경화형 조성물을 조정하고, 그 에너지선 경화형 조성물을 25℃로 도포한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 2)
필름으로서 두께 100㎛의 에틸렌-메타크릴산 공중합체 필름(메타크릴산 공중합 비율 9 중량%)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 3)
필름으로서 두께 70㎛의 염화 비닐 필름(가소제로서 디옥틸프탈레이트를 25 중량% 함유)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
(비교예 4)
2-히드록시에틸 아크릴레이트(2HEA), 이소포론디이소시아네이트(IPDI) 및 폴리테트라메틸렌글리콜(PTMG: 중량 평균 분자량 650)을 2HEA:IPDI:PTMG=2:5:4의 몰비로 준비하고, 처음에 IPDI와 PTMG을 반응시켜 얻어진 우레탄 프레폴리머에 2HEA를 부가시킴으로서 우레탄 아크릴레이트 올리고머를 얻었다. 계속해서 이 우레탄 아크릴레이트 올리고머 50 중량부와, 에너지선 경화성 모노머(이소보닐 아크릴레이트) 50 중량부와, 광개시제(BASF사제 Darocur 1173) 0.5 중량부를 혼합하고, 액상의 에너지선 경화형 조성물(η=1,700mPa·s(25℃))을 조정했다. 여기에서 얻어진 액상의 에너지선 경화형 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 필름 및 점착 시트를 얻었다. 각 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112018026750991-pct00003
표 1에서 알 수 있듯이, 실시예 1∼14의 점착 시트는, 어느 하나의 레이저 다이싱 조건에서도, 점착 시트가 절단되는 일 없이, 또한 척 테이블에의 융착 등도 발생되지 않고, 또한 익스펜드 적성 및 형상 복원성도 양호해서, 비교예 1∼4의 점착 시트에 비해 레이저 다이싱 적성, 익스펜드 적성, 형상 복원성의 바란스가 뛰어나다.
삭제
또한, 상기의 실시예 1, 3, 4 및 상기의 비교예 1, 2, 4에 대하여 블레이드 다이싱 적성을 평가했다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
파단 신도
(%)		 블레이드 다이싱 적성
휨 평가 절삭 찌꺼기
실시예1 140 양호 양호
실시예3 179 양호 양호
실시예4 125 양호 양호
비교예1 3 양호 양호
비교예2 560 양호 불량
비교예4 100 불량 양호
표 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 점착 시트는 블레이드를 이용한 다이싱에서도 바람직하게 사용할 수 있다.

Claims (13)

  1. 폴리우레탄 아크릴레이트로 이루어지는 필름으로서,
    폴리우레탄 아크릴레이트가 에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄 아크릴레이트 올리고머와, 에너지선 경화성 모노머를 함유하는 배합물에 에너지선을 조사해서 얻어진 경화물이며,
    상기 에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄 아크릴레이트 올리고머의 카보네이트 결합부가 알킬렌카보네이트기(-(-O-R-O-CO-)n-)(단, R는 불포화 결합을 함유하지 않는 알킬렌기이며, n은 2∼100의 정수)인 것을 특징으로 하는 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 알킬렌카보네이트기(-(-O-R-O-CO-)n-)의 알킬렌기 R이 탄소수 2∼12의 지방족 또는 지환족(脂環族) 탄화수소기인 것을 특징으로 하는 필름.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 알킬렌카보네이트기(-(-O-R-O-CO-)n-)의 알킬렌기 R이 테트라메틸렌, 펜타메틸렌 또는 헥사메틸렌인 것을 특징으로 하는 필름.
  4. 제1항에 있어서,
    파단 신도가 100% 이상인 것을 특징으로 하는 필름.
  5. 제1항에 있어서,
    인장 탄성률이 1∼1000MPa인 것을 특징으로 하는 필름.
  6. 제1항에 있어서,
    엘멘돌프 인열 강도가 100mN/㎟ 이상인 것을 특징으로 하는 필름.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 배합물이 광중합 개시제를 함유하고,
    광중합 개시제의 함유량이 상기 에너지선 경화성 폴리카보네이트형 우레탄 아크릴레이트 올리고머와 상기 에너지선 경화성 모노머와의 합계 100 중량부에 대하여 2 중량부 미만인 것을 특징으로 하는 필름.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 필름은 파단신도가 102% 이상인 필름.
  9. 제1항에 있어서, 상기 필름은 인장 탄성률이 50~800MPa인 필름.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 필름의 적어도 한면에 점착제층을 적층시킨 점착 시트.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 점착 시트는 레이저 다이싱에 사용되는 점착 시트.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 점착 시트는 펨토초 레이저에 의한 레이저 다이싱에 사용되는 점착 시트.
  13. 제10항에 기재된 점착 시트의 점착제층에 워크를 첩부하고, 레이저광에 의해 워크를 칩체로 개편화하는 칩체의 제조 방법.



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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6876540B2 (ja) * 2017-06-27 2021-05-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型接着性シート
PL3428199T3 (pl) * 2017-07-12 2021-01-25 Arkema France Kompozycja powłokowa do utwardzania promieniowaniem do poprawy właściwości powierzchniowych tworzyw sztucznych
KR102296592B1 (ko) * 2018-11-23 2021-09-01 주식회사 엘지화학 윈도우 데코 필름용 점착 시트 및 이를 포함하는 윈도우 데코 필름
JP2022089364A (ja) * 2020-12-04 2022-06-16 日東電工株式会社 粘着シート

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011004825A1 (ja) * 2009-07-08 2011-01-13 古河電気工業株式会社 ウエハ貼着用粘着シートおよびそれを用いたウエハの加工方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62140385A (ja) * 1985-12-16 1987-06-23 三理株式会社 尖鋭発熱体
JP2002141306A (ja) 2000-11-02 2002-05-17 Lintec Corp ダイシングシート
JP4886937B2 (ja) 2001-05-17 2012-02-29 リンテック株式会社 ダイシングシート及びダイシング方法
JP2004186200A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Sekisui Chem Co Ltd 半導体チップの製造方法
JP4476848B2 (ja) 2005-03-07 2010-06-09 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよびレーザーダイシング方法
JP4549239B2 (ja) * 2005-06-22 2010-09-22 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート
EP2091073B1 (en) * 2006-12-05 2017-03-01 Lintec Corporation Laser dicing using an adhesive sheet
US20090261084A1 (en) 2006-12-05 2009-10-22 Lintec Corporation Laser Dicing Sheet and Manufacturing Method For Chip Body
JP5059559B2 (ja) 2006-12-05 2012-10-24 リンテック株式会社 レーザーダイシングシートおよびチップ体の製造方法
JP5009659B2 (ja) * 2007-03-23 2012-08-22 リンテック株式会社 ダイシングシートおよびチップ体の製造方法
JP5314308B2 (ja) * 2008-03-25 2013-10-16 リンテック株式会社 レーザーダイシング・ダイボンド兼用シートおよびチップ複合体の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011004825A1 (ja) * 2009-07-08 2011-01-13 古河電気工業株式会社 ウエハ貼着用粘着シートおよびそれを用いたウエハの加工方法

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