TWI535816B - Diaphragm and adhesive sheet - Google Patents

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Description

膜片及黏著板片
本發明，係關於由聚氨酯丙烯酸酯所形成之膜片，與在該膜片之至少單面層積黏著劑層之黏著板片。
做為黏著板片之基材，係使用將光聚合性之氨基丙烯酸酯低聚物聚合‧硬化後之樹脂所形成之膜片等。如此之膜片，有做為半導體工作物之切割膠帶用基材來使用。
另一方面，做為切割半導體工作物的手段，可舉出切割刀切割或雷射切割等，即使是在切割刀切割難以切斷之工作物在也有雷射切割可切斷之情況，近年來特別受到注目。用於如此之雷射切割之雷射切割板片之一例係由本申請人開示(專利文獻1)。
在雷射切割中，對於固定於切割板片上之工作物掃描雷射光而將工作物切斷(切割)。此時，雷射光的焦點會如下述移動。亦即，從沒有貼付工作物之切割板片表面(工作物的外緣部)加速，以一定速度將工作物表面掃描，在工作物之另外一方的外緣部減速，停止。之後，反轉行進方向，加速後，掃描工作物表面，再度減速，停止，反轉。
因此，在雷射光焦點之移動中在加速‧減速時，對於沒有貼付工作物之切割板片的端部直接照射雷射光。此時，有雷射光透過切割板片，而發生損傷工作盤之問題。更且，也有發生被雷射光加熱之與工作盤鄰接的切割板片 之面溶融，而融著於工作盤之問題。
為迴避這些問題，使用厚的切割板片，拉長工作物與工作盤表面之距離的手法被採用(專利文獻2)。在此手法，藉由使基材為擴張膜片與保護膜片之2層構造，而可得到切割板片的厚度。由於在雷射切割時使用有厚度的基材，因此在到達工作盤時雷射光的焦點不會聚焦，因此能源密度低，所以不至於造成工作盤之損傷。又，上述切割板片之融著的問題也不會發生。在雷射切割終了後，將構成基材之保護膜片剝離後，進行擴張以及晶圓的選取。然而，在雷射切割終了後，必須將基材之構成層的一方剝離，工程變得很煩雜。又，在雷射切割時，擴張膜片也有可能被雷射光切斷，而有無法進行擴張的情況。
又，在專利文獻3中，開示了在將氨基丙烯酸酯系低聚物等之硬化性樹脂製膜．硬化而得到之基材上設置黏著劑層而成之切割板片。然而，在專利文獻3，係意圖適用於切割刀切割，而沒有認知如上述之雷射切割特有的課題。
更且，根據專利文獻4，從取得容易性、泛用性、以及反應性的觀點來看，記載著做為可適用於雷射切割板片用基材之氨基丙烯酸酯低聚物，以聚丙二醇(PPG)或聚乙二醇(PEG)等之含有氧化烯基之聚醚二醇為主骨架之氨基丙烯酸酯低聚物為佳。然而，在專利文獻5中，指謫在使用以聚醚多元醇為主骨架之氨基丙烯酸酯低聚物之單獨的基材，在雷射切割後之擴張工程，切割板片之形狀復原性不充分，因此有使工程不良產生的情況。因此，在專利文獻 5，藉由使用層積使用了以聚醚多元醇為主骨架之氨基丙烯酸酯低聚物之基材與形狀復原性高的基材之複合膜片，而解決了擴張工程後之切割板片的形狀復原性課題。然而，複合膜片，其製造工程繁雜，且製造成本也變高。
先行專利文獻： 【專利文獻】
【專利文獻1】日本專利特開2002-343747號公報
【專利文獻2】日本專利特開2006-245487號公報
【專利文獻3】日本專利特開2002-141306號公報
【專利文獻4】日本專利特開2008-166727號公報
【專利文獻5】日本專利特開2008-166728號公報
以往，做為為了製造聚碳酸酯型氨基丙烯酸酯低聚物之多元醇化合物，以雙酚A型聚碳酸酯二醇為主流。然而，若將雙酚A型聚碳酸酯二醇使用於雷射切割黏著板片用基材，則由於雙酚A型聚碳酸酯二醇中的芳香環吸收雷射光所發出之波長的能量，其結果，基材被切斷。
本發明係為了解決伴隨如上述之先前技術之問題而做成。亦即，本發明，係提供在雷射切割中，防止由於雷射光造成之雷射切割黏著板片之切斷，工作盤之損傷以及雷射切割黏著板片對於工作盤之融著，擴張後之形狀復原性 高的膜片及使用該膜片之黏著板片為目的。
本發明，係包含以下的要旨。
[1]一種膜片，由聚氨酯丙烯酸酯所形成之膜片，聚氨酯丙烯酸酯為對於含有能源線硬化性聚碳酸酯型氨基丙烯酸酯低聚物與能源線硬化性單體之調配物照射能源線而得到的硬化物，其特徵在於：能源線硬化性聚碳酸酯型氨基丙烯酸酯低聚物之碳酸酯鍵結部，為烯烴碳酸酯基(-(-O-R-C-CO-)n-)(但是，R為不含有不飽和鍵結之烯烴基，n為2~100之整數)。
[2]如[1]所記載之膜片，其中，前述烯烴碳酸酯基(-(-O-R-C-CO-)n-)之烯烴基R為碳數2~12之脂肪族或是脂環族碳氫基。
[3]如[1]或[2]所記載之膜片，其中，前述烯烴碳酸酯基(-(-O-R-C-CO-)n-)之烯烴基R，四甲撐、五甲撐、六甲撐。
[4]如[1]~[3]中任一項所記載膜片，其中，破斷伸度為100%以上。
[5]如[1]~[4]中任一項所記載膜片，其中，拉伸彈性率為1~1000MPa。
[6]如[1]~[5]中任一項所記載膜片，其中，埃爾門多夫式撕裂強度為100mN/mm2以上。
[7]如[1]~[6]中任一項所記載膜片，其中，前述調配 物含有光聚合起始劑，光聚合起始劑之含有量，相對於前述能源線硬化性聚碳酸酯型氨基丙烯酸酯低聚物與前述能源線硬化性單體之合計100重量分，為未滿2重量分。
[8]一種黏著板片，其特徵在於：係將[1]~[7]之中任一項所記載膜片之單面上層積黏著劑層。
[9]如[8]所記載之黏著板片，其中，係使用於雷射切割。
[10]如[8]或[9]所記載之黏著板片，其中，係使用於藉由飛秒(femto秒)雷射之雷射切割。
[11]一種晶片體之製造方法，其特徵在於：在[8]~[10]項之中任一項所記載黏著板片之黏著劑層上，貼付工作物，藉由雷射光將工作物個片化成晶片體。
本發明之膜片，由於係由特定的聚氨酯丙烯酸酯所形成，因此在做為雷射切割用黏著板片之基材使用時，即使被雷射光照射，基材所受到的損傷也小而不會被切斷。又，即使基材沒受到損傷，透過基材而到達工作盤為止之光量也會減低。此結果，可防止在雷射切割中，由於雷射光造成之雷射切割黏著板片之切斷，工作盤之損傷以及雷射切割黏著板片對於工作盤之融著，藉由雷射切割之晶片體的製造工程可圓滑得進行。又，本發明之雷射切割用黏著板片，由於其形狀復原性高，因此不會使在擴張工程後之工程不良產生，由於雷射切割用黏著板片之製造工程也變得 容易而可減低製造成本。
以下，對於本發明更具體說明。與本發明有關之膜片，係由特定的聚氨酯丙烯酸酯所形成。本發明所使用之聚氨酯丙烯酸酯，係將含有特定的能源線硬化性聚碳酸酯型氨基丙烯酸酯低聚物與能源性線硬化性單體之調配物製膜後，對其照射能源線而得到之硬化物。在以下，對於能源線硬化性聚碳酸酯型氨基丙烯酸酯低聚物與能源性線硬化性單體詳細說明。
(能源線硬化性聚碳酸酯型氨基丙烯酸酯低聚物)
能源線硬化性聚碳酸酯型氨基丙烯酸酯低聚物，係對於使特定的聚碳酸酯型聚多元醇化合物與多價異氰酸酯化合物反應而得到之末端異氰酸酯聚氨酯預聚物，與具有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應而得到。又，能源線硬化性聚碳酸酯型氨基丙烯酸酯低聚物，也可使聚碳酸酯型聚多元醇化合物與具有異氰酸酯基之(甲基)丙烯酸酯反應而得到。
將與本發明有關之膜片做為雷射切割用黏著板片之基材使用之情況，為防止由於雷射光造成之基材的切斷，以不含有雷射光波長之吸收域為佳。藉由在與本發明有關之膜片中使用特定之聚碳酸酯型聚多元醇化合物，而可在氨基丙烯酸酯低聚物中，導入不含有雷射光波長之吸收域之僅由烯烴骨架來構成之碳酸酯鍵結部。因此不僅可防止由於雷射光造成之基材的切斷，且可防止雷射切割用黏著板 片之對於工作盤的融著，在擴張後之雷射切割用黏著板片之形狀復原性提升。又，只要為聚多元醇化合物則並沒有特別限定，可為2官能之二元醇化合物、3官能之三元醇化合物，但從取得容易性、泛用性、反應性等之觀點來看，特別以使用二元醇化合物為佳。因此，使用聚碳酸酯型二元醇較佳。又從前述理由來看，特別以使用不具有不飽和基之聚碳酸酯型二元醇化合物較佳。
聚碳酸酯型二元醇化合物，一般而言係以HO-(-R-O-CO-O-)n-R-OH來表示。在此，R為不含有不飽和鍵結之烯烴基，較佳的情況為碳數2~20之脂肪族或之環族碳氫基，更佳的情況為四甲撐、五甲撐或六甲撐。又，n為2~100整數，較佳的情況為3~50之整數，而以4~25之整數更佳。因此，做為構成特別為佳之聚碳酸酯型多元醇化合物之碳酸酯型多元醇化合物，可舉出1,4-四甲撐碳酸酯二醇、1,5-五甲撐碳酸酯二醇、1,6-六甲撐碳酸酯二醇、1,2-丙烯碳酸酯二醇、1,3-丙烯碳酸酯二醇、2,2-二甲基丙烯碳酸酯二醇、1,7-七甲撐碳酸酯二醇、1,8-八甲撐碳酸酯二醇、1,9-九甲撐碳酸酯二醇、1,4-環己烷碳酸酯二醇等。
聚碳酸酯型多元醇化合物，係藉由與多價異氰酸酯化合物之反應，誘導碳酸酯鍵結部(-(O-R-O-CO-)n-)，生成末端異氰酸酯聚氨酯預聚物。具有如此之碳酸酯鍵結部之預聚物之製造方法並沒有特別限定，可從已知的製造方法來選擇。例如，使用具有烯烴基之脂肪族2價醇(HO-R-OH) 與碳酸酯(二甲基碳酸酯、二乙基碳酸酯、二丁基碳酸酯、二苯基碳酸酯等。)之酯交換反應而合成之物，或是從具有烯烴基之環狀碳酸酯之開環聚合衍生之物也可。
做為多價異氰酸酯化合物，可舉出四甲撐二異氰酸酯、環己二異氰酸酯、三甲基環己二異氰酸酯等之脂肪族系聚異氰酸酯類，異佛爾酮二異氰酸酯、降莰烷二異氰酸酯、二環已基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環已基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、ω,ω’-二異氰酸酯二甲基環己烷等之脂環族系二異氰酸酯類等。在其中，又以使用異佛爾酮二異氰酸酯或環己烷二異氰酸酯，可維持氨基丙烯酸酯低聚物之黏度低，操作性良好所以為佳。
接著，使末端異氰酸酯聚氨酯預聚物，與含有羥基之(甲基)丙烯酸酯反應，而可得到氨基丙烯酸酯低聚物。做為含有羥基之(甲基)丙烯酸酯，只要為在1分子中含有羥基以及具有(甲基)丙烯醯基之化合物，並沒有特別限定，可使用眾所周知之物。具體而言，例如，可舉出2-羥乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥丙基(甲基)丙烯酸酯、4-羥丁基(甲基)丙烯酸酯、4-羥環己基(甲基)丙烯酸酯、5-羥環辛基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基-3-苯基氧基丙基(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯等之羥烷基(甲基)丙烯酸酯、N-羥甲烷基(甲基)丙烯酰胺等之含羥基(甲基)丙烯酰胺、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、α-羥甲基(甲基)丙烯酸酯等α-羥烷基(甲基)丙烯酸酯，對於縮水甘油醚使(甲基)丙烯酸反應而得到之 反應物等。
聚碳酸酯型多元醇化合物、多價異氰酸酯化合物、以及含羥基(甲基)丙烯酸酯的使用量，並沒有特別限定，但(多價異氰酸酯化合物之異氰酸酯基之當量)/(含羥基(甲基)丙烯酸酯之羥基當量與聚碳酸酯型多元醇化合物之羥基的當量的和)在0.5~1程度左右為佳。
做為為了使聚碳酸酯型多元醇化合物、多價異氰酸酯化合物以及含羥基(甲基)丙烯酸酯反應之條件，使聚碳酸酯型多元醇化合物、多價異氰酸酯化合物以及含羥基(甲基)丙烯酸酯，根據必要在溶劑、觸媒的存在下，在60~100℃左右，使其反應1~4小時程度即可。又，也可使異氰酸酯基可以殘存，而將聚碳酸酯型多元醇化合物及多價異氰酸酯化合物根據必要在溶劑、觸媒的存在下，在60~100℃左右，使其反應1~4小時程度後，追加含羥基(甲基)丙烯酸酯，在60~100℃左右，使其反應1~4小時程度。
所得到之氨基丙烯酸酯低聚物，係以一般式：Z-(Y-(X-Y)m)-Z所表示(在此，X為由於聚碳酸酯型多元醇化合物衍生之構成單位，Y為從多價異氰酸酯化合物衍生之構成單位，Z為從含羥基(甲基)丙烯酸酯衍生之構成單位。)。在上述一般式中，m為1~200為佳，更佳的情況為使m成為1~50來選擇。
又，如上述，也可使前述聚多元醇化合物與含異氰酸酯基(甲基)丙烯酸酯反應，而得到氨基丙烯酸酯低聚物。聚多元醇化合物係與前述相同，做為含異氰酸酯基(甲基) 丙烯酸酯，例如2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯或用2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯等被使用，特別是2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯被使用。
所得到之氨基丙烯酸酯低聚物，係以一般式：W-X-W來表示(在此，X為由聚碳酸酯型聚多元醇化合物衍生之構成單位，W為從含異氰酸酯基(甲基)丙烯酸酯衍生之構成單位)。
所得到之氨基丙烯酸酯低聚物，具有分子內光聚合性之雙重鍵結，藉由照射能源性而聚合硬化，而具有形成皮膜的性質。
在本發明被使用之較佳的氨基丙烯酸酯低聚物的重量平均分子量(Mw)，以1000~50000為佳，而以在2000~40000之範圍更佳。又，在本發明被使用之較佳的氨基丙烯酸酯低聚物之分子量分布(Mw/Mn，Mn為數平均分子量)，較佳的情況為1.0~5.0，更佳的情況為1.5~3.0。藉由使氨基丙烯酸酯低聚物之重量平均分子量或分子量分布在上述範圍，可使後述與本發明有關之膜片的埃爾門多夫式撕裂強度容易調整於既定範圍。上述的氨基丙烯酸酯低聚物可使用單獨一種，或是組合使用二種以上使用。由於若僅使用如上述之氨基丙烯酸酯低聚物，很多情況會難以製膜，因此在本發明，以能源線硬化性之單體稀釋製膜後，將其硬化而得到本發明之基材。
(能源線硬化性單體)
能源線硬化性單體，係在分子內具有能源線聚合性之 雙重鍵結，特別是在本發明，具有容積較大之基的丙烯酸酯系化合物喜好被使用。
做為為了稀釋如此之氨基丙烯酸酯低聚物而被使用之能源線硬化性單體之具體例，可舉出甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、n-丙基(甲基)丙烯酸酯、異丙基(甲基)丙烯酸酯、n-丁基(甲基)丙烯酸酯、異丁基(甲基)丙烯酸酯、t-丁基(甲基)丙烯酸酯、n-戊基(甲基)丙烯酸酯、n-己基(甲基)丙烯酸酯、2-乙己基(甲基)丙烯酸酯、n-辛基(甲基)丙烯酸酯、壬基(甲基)丙烯酸酯、癸基(甲基)丙烯酸酯、十一基(甲基)丙烯酸酯、十二基(甲基)丙烯酸酯、十三基(甲基)丙烯酸酯、十四基(甲基)丙烯酸酯、十五基(甲基)丙烯酸酯、十八基(甲基)丙烯酸酯、二十基(甲基)丙烯酸酯等之烯烴基之碳數在1~30之(甲基)丙烯酸酯；異冰片(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯基(甲基)丙烯酸酯、二環戊二醇(甲基)丙烯酸酯、二環戊烯氧基(甲基)丙烯酸酯、環己基(甲基)丙烯酸酯、金剛酮(甲基)丙烯酸酯等之具有脂環式構造之(甲基)丙烯酸酯；苯基羥丙基(甲基)丙烯酸酯、芐基(甲基)丙烯酸酯、苯氧乙基(甲基)丙烯酸酯等之具有芳香族構造的(甲基)丙烯酸酯；或是四氫呋喃(甲基)丙烯酸酯、嗎啉(甲基)丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮或N-乙烯基己內酰胺等之具有複數元素環式構造之(甲基)丙烯酸酯。又，也可根據必要而使用多官能(甲基)丙烯酸酯。如此之能源線硬化性單體可單獨或是組合複數使用。
在其中，從與氨基丙烯酸酯低聚物之相溶性的觀點來看，以具有較大容積之基之具有脂環式構造的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族構造之(甲基)丙烯酸酯、具有複數元素環式構造之(甲基)丙烯酸酯為佳。
上述能源線硬化性單體，相對於氨基丙烯酸酯低聚物100重量分(固形分)，較佳的情況為5~900重量分，更佳的情況為10~500重量分，特別為佳的情況為以30~200重量分之比率來使用。
本發明之膜片，係將含有氨基丙烯酸酯低聚物以及能源線硬化性單體之調配物製膜，硬化而可得到。此時，藉由在該調配物中混入光聚合起始劑，而可使藉由能源線照射之聚合硬化時間以及能源線照射少。做為如此之光聚合起始劑並沒有特別限制，例如可舉出2,2-二甲氧基-1,2-二苯乙烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、1-[4-(2-羥乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1丙烷-1-酮、2-羥基-1-[4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙酰)-芐基]苯基]-2-甲基-丙烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲基硫代苯基)-2-嗎啉丙烷-1-酮、2-芐基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉苯基)-丁酮-1、2-(甲基氨基)-2-[(4-甲基芐基)甲基]-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮、低聚(2-羥基-2-甲基-1-(4-(1-甲基乙烯)苯基)丙酮)等之烯烴基酮系光聚合起始劑；2,4,6-三甲基苯酰-二苯基-氧化膦、雙(2,4,6-三甲基苯 酰)-苯基氧化膦等之酰基氧化膦系光聚合起始劑；雙(η5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙[2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基]鈦等之茂鈦系光聚合起始劑；1,2-辛二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯酰肟)]、乙酮-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯酰基)-9H-咔唑-3-基]-1-(O-乙醯肟)等之肟酯系光聚合起始劑、二苯甲酮、p-氯二苯甲酮、苯酰基安息香酸、o-苯酰基安息香酸甲基、4-甲基二苯甲酮、4-苯基二苯甲酮、羥基二苯甲酮、丙烯酸化二苯甲酮、4-苯酰基-4’-甲基-二苯基硫化物、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、2,4,6-三甲基二苯甲酮、4-(13-丙烯酰基-1,4,7,10,13-五氧雜十三基)-二苯甲酮等之二苯甲酮系光聚合起始劑；噻吨酮、2-氯噻吨酮、3-甲基噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二異丙基噻吨酮、2,4-二氯噻吨酮、1-氯-4-丙氧基噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-異丙基噻吨酮、4-異丙基噻吨酮等噻吨酮系光聚合起始劑等。
在此其中，又以α-羥基酮系光聚合起始劑，或α-氨基烯烴基酮系光聚合起始劑，或是酰基氧化膦系光聚合起始劑為佳。
做為上述α-羥基酮系光聚合起始劑之市售品，例如，可舉出Ciba股份公司製之IRGACURE184、DAROCUR1173、IRGACURE2959、IRGACURE127等。
做為上述α-氨基烯烴基酮系光聚合起始劑之市售品，例如，可舉出Ciba股份公司製之IRGACURE369、 IRGACURE907等。
做為上述酰基膦氧化合物系光聚合起始劑之市售品，例如可舉出Ciba股份公司製之IRGACURE819、DAROCURE TOP、ADEKA公司製之SP-246等。
這些光聚合起始劑，可單獨使用1種，也可組合2種以上使用。又，對於前述光聚合起始劑，也可併用例如三異丙醇或4,4’-二乙基氨基二苯甲酮等之光聚合起始助劑。
光聚合起始劑之使用量，對於氨基丙烯酸酯低聚物及能源線硬化性單體之合計100重量分(固形分)，以未滿2重量分為佳，而以0.1重量分以上未滿2重量分更佳，而以0.3重量分~1.0重量分特別為佳。若光聚合起始劑之使用量為2重量分以上，則在本發明之黏著板片之黏著劑層上貼付工作物，藉由雷射光將工作物個片化成晶片體之工程中，光聚合起始劑會吸收雷射光，而黏著板片有切斷的情況。
又，在上述調配物中，也可添加碳酸鈣、二氧化矽、雲母等之無機填充劑；鐵、鉛等之金屬填充劑；聚苯乙烯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、苯乙烯丁二烯橡膠等之有機填充劑。更且，除了上述成分以外，在本發明之基材中也可含有顏料或染料等之著色劑等得添加物。
做為製膜方法，以被稱為流延製膜(澆鑄製膜)之手法被喜好採用。具體而言，係藉由將含有上述氨基丙烯酸酯低聚物與上述能源線硬化性單體之液狀的調配物(硬化前 的樹脂、樹脂的溶液等)，在例如工程板片上澆鑄成薄膜狀後，在塗膜上照射紫外線、電子線等之能源線使其聚合硬化而膜片化而可製造本發明之膜片。又，照射能源線將塗膜半硬化後，在半硬化之塗膜上更重疊工程板片，藉由再照射能源線使其硬化而膜片化而製造本發明之膜片也可。藉由如此之製法，在製膜時對於樹脂施加的應力少，魚眼之形成少。又，膜厚的均一性也高，厚度精度通常為2%以內。如此而製造之膜片，破斷伸度變大。又，做為別的製膜方法，也可藉由T模或擴張法之押出成型或藉由壓延成形製造。
做為能源線，通常，可使用紫外線、電子線等。能源線之照射量，係根據能源線之種類而不同，例如紫外線的情況，以光量為10~2000mJ/cm2程度為佳，電子線的情況為10~1000krad程度為佳。紫外線照射，可藉由高壓水銀燈、Fusion H燈、氙氣燈等來進行。
與本發明有關之膜片之破斷伸度，以在100%以上為佳，而以在120%以上更佳。破斷伸度為100%以上之膜片，在做為半導體加工用切割板片之基材使用之情況，在進行切割後將切割板片拉伸時不易破斷，容易使將被加工物切斷而形成之晶片分離而較佳。
與本發明有關之膜片的拉伸彈性率，以1~1000MPa為佳，而以50~800MPa更佳，而以100~500MPa更佳。拉伸彈性率在上述範圍之膜片，在用於藉由切割刀或雷射光而切割之工程所使用黏著板片之情況時，由於可追從被加工物 表面的凹凸而吸收凹凸差，因此不會受到被加工物表面之凹凸影響而可保持被加工物，而可抑制切斷被加工物而形成之晶片的欠損或破裂。
又，與本發明有關之膜片的埃爾門多夫式撕裂強度，以在100mN/mm2以上為佳。埃爾門多夫式撕裂強度若在100mN/mm2以上，在將與本發明有關之膜片做為半導體加工用切割板片之基材使用之情況時，在進行切割後拉伸切割板片時不容易破斷，可得到擴張性優良之膜片。特別是，若與本發明有關之膜片之破斷深度在上述範圍，且埃爾門多夫式撕裂強度在上述範圍，則即使在雷射切割中在膜片上形成割痕，膜片也不會破斷而顯示優良之擴張性。
與本發明有關之膜片的厚度並沒有特別限制，從作業性等的面來看，較佳的情況為10~500μm，而以30~300μm更佳，特別以50~200μm為佳。
與本發明有關之膜片，具有形狀復原性。以往所開發之氨基丙烯酸酯膜片，應力緩和性高，即使延伸該形狀也不會復原。相對於此，與本發明有關之膜片，即使為延伸後，仍在應力除去後具有復原成延伸前的形狀之性質。形狀復原性係指具有一定程度之擴張性，在擴張後復原成相近於擴張前之形狀之性質。
與本發明有關之黏著板片，係如上述，藉由在膜片之至少單面上層積黏著劑層來製造。又，以紫外線硬化性黏著劑形成黏著劑層，在使用紫外線做為為了硬化黏著劑而照射之能源線之情況，以對於紫外線為透明之膜片為佳。 又，在使用電子線做為能源線之情況不需要為透明。上述膜片以外，也可使用將其著色之透明膜片、不透明膜片等。
在藉由本發明所得到之膜片上設置黏著劑層之情況，為了使與黏著劑層之密著性提高，也可施以電暈處理、或是設置底層。又，在與黏著劑層相反之板片面上也可做塗工各種塗膜。
黏著劑層，可藉由以往所週知之各種黏著劑來形成而得到。做為如此之黏著劑，沒有特別限定，例如可使用橡膠系、丙烯酸系、矽膠系、聚乙烯醚等之黏著劑。又，也可使用能源線硬化性或加熱發泡形、水膨潤形之黏著劑。做為能源線硬化劑(紫外線硬化、電子線硬化)型黏著劑，特別是使用紫外線硬化性黏著劑為佳。又，在黏著劑層上，也可在其使用前層積為了保護黏著劑層之剝離板片。
黏著劑層之厚度並沒有特別限定，較佳的情況為1~100μm，更佳的情況為3~80μm，特別為佳的情況為5~50μm。
剝離板片，並沒有特別限定，可使用在膜片或紙等之板片上，以剝離劑剝離處理者。做為膜片，例如，可舉出使用聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯、聚乙烯等之由樹脂形成之膜片或其發泡膜片。做為紙，例如，可舉出格拉辛紙、銅板紙、層壓紙等紙。做為剝離劑，可舉出例如，矽膠系、氟系、含有長鍊烯烴基之氨基甲酸酯等之剝離劑。
做為在膜片表面上設置黏著劑層之方法，可在剝離板片上使成為既定膜厚塗布而形成之黏著劑層轉寫於膜片表面，或是也可在膜片表面上直接塗布而形成黏著劑層。
接著，說明將本發明之黏著板片使用於雷射切割之情況，亦即做為雷射切割用黏著板片使用時之晶片體之製造方法。
在本發明中之晶片體之製法，係在上述雷射切割用黏著板片之黏著劑層上貼付工作物，以雷射光掃描工作物表面，切斷工作物而得到晶片體。如此之雷射切割方法本身為眾所週知的。在雷射切割中，雷射光的焦點會如下述移動。亦即，從沒有貼付工作物之切割板片之露出表面(工作物的外緣部)加速，以一定速度將工作物表面掃描，在工作物之另外一方的外緣部減速，停止。之後，反轉行進方向，加速後，再度掃描工作物表面，再度減速，停止，反轉。通常，一個切割線，會進行1~複數次程度之雷射光掃描。
雷射光焦點之移動中在加速‧減速時，對於沒有貼付工作物之切割板片的端部直接照射雷射光。此時，雷射光將切割板片切斷。又，有雷射光透過切割板片，而發生損傷工作盤之問題。更且，也有發生被雷射光加熱之與工作盤鄰接的切割板片之面溶融，而融著於工作盤之問題。
然而，在本發明中，藉由使用上述由聚氨酯丙烯酸酯所形成之膜片做為雷射切割用黏著板片之基材，而解決上述課題。亦即，使用本發明之膜片之情況，可確認到即使雷射光直接照射於雷射切割用黏著板片，基材也不容易受到由於雷射光造成之損傷。具體而言，在基材表面上不會發生由於雷射光造成的割痕，或是僅有基材表面之一部分被雷射光切割，基材不會全層整體被切斷。又，具有高能 量之雷射光(強度高之雷射光)不會透過基材而到達工作盤，也沒有確認到雷射切割用黏著板片之融著。
在結束雷射切割後，根據必要，將雷射切割用黏著板片擴張，擴大晶片間隔。藉由擴大晶片間隔，晶片之間的互相接觸造成的損傷降低。之後，選取晶片而取出，得到晶片體。又，黏著劑層為紫外線硬化性黏著劑形成之情況，根據必要，在選取之前進行紫外線照射。紫外線硬化性黏著劑，係藉由紫外線之照射而聚合硬化，由於黏著力低下，因此可順利進行晶片之選取。
選取晶片後，在雷射切割用黏著板片張開設置於環框架之狀態下，收納回收於回收匣。回收後，除去雷射切割用黏著板片，環框架經過洗淨工程等而被再使用。由於擴張而雷射切割用黏著板片被延伸，因此形狀復原性低之雷射切割用黏著板片，會成為從環框架垂下的狀態。在此狀態，鬆弛的雷射切割用黏著板片在被收納於回收匣時，會與其他的環框架或是板片接觸，因此對於回收匣之收納無法順利進行。例如，通常之聚氨酯丙烯酸酯膜片雖然擴張性優良，但形狀復原性差。
然而，在本發明，由於使用上述之由特殊的聚氨酯丙烯酸酯所形成之膜片，因此可簡便地解決雷射切割用黏著板片之垂下。此結果，對於回收匣之環框架的收納變得順利，而提升晶片體之生產效率。
作為可在本發明中適用之工作物，只要可藉由雷射光實施切斷處理，並沒有限定其素材，例如可舉出半導體晶 圓、玻璃基板、陶瓷基板、FPC等之有機材料基板，或是精密零件等之金屬材料等各種物品。
雷射為波長及相位一致的光，已知有YAG(基本波長=1064nm)、或是紅寶石(基本波長=694nm)等之固體雷射，或是氬離子雷射(基本波長=1930nm)等之氣體雷射以及這些的高諧波等，本發明可以使用這些的各種雷射。
雷射的強度I，可以I=E/St之式來表示(E表示脈衝能量、S表示光點的面積，t表示雷射脈衝之時間幅度)。亦即，若脈衝能量之總量E為相同，則雷射脈衝之時間幅度t小者可得到高雷射強度I。做為雷射脈衝之時間幅度t小的雷射，例如可舉出奈秒雷射、皮秒雷射、飛秒雷射等。其中又以雷射脈衝之時間幅度t為飛秒(10-15秒)之飛秒雷射，相較於奈秒(10-9秒)雷射或皮秒(10-12秒)雷射，其雷射強度高，可達成以往至今之雷射切割製程無法達成之極高速的加工速度、高加工品質。
在本發明中，由於使用特定之聚氨酯丙烯酸酯所形成之膜片，即使對於膜片照射雷射光，膜片受到之損傷小，或可減低透過膜片而到達工作盤之光量。此結果，在雷射切割中，可防止由於雷射光造成之工作盤之損傷及雷射切割用黏著板片之對於工作盤之融著，而可使藉由雷射切割之晶片體之製造工程順利進行。
【實施例】
以下，藉由實施例說明本發明，但本發明並非限定於 這些實施例。又，在以下之實施例及比較例中，使用下述黏著劑組成物(1)做為黏著劑。
[黏著劑組成物(1)]
對於丙烯酸丁酯84重量分、甲基丙烯酸甲酯10重量分、丙烯酸1重量分、2-羥乙基丙烯酸酯5重量分所形成之聚合體(重量平均分子量700,000)之30重量%甲苯溶液，混合多價異氰酸酯化合物(coronateL(日本聚氨酯公司製))3重量分而得到黏著劑組成物(1)。
又，與本發明有關之膜片及黏著板片之評價方法與雷射切割條件如以下所示。
[破斷伸度及拉伸彈性率測定]
將膜片切出15mm× 140mm，將該膜片之兩端20mm部分貼付於膜片拉伸用的固定具，做成15mm×100mm之啞鈴型的試料。使用拉伸試驗機(島津製作所公司製，Autograph AG-IS 500N)，測定以拉伸速度200mm/分拉伸時之破斷伸度(%)及拉伸彈性率(MPa)。
[埃爾門多夫式撕裂強度之測定]
埃爾門多夫式撕裂強度，係依據JIS K 7128-2；1998而測定之值。
1.雷射切割適性
[雷射切割條件(1)]
‧裝置：Nd-YAG雷射(DISCO公司製DFL7160)
‧工作盤材質：石英
‧波長：355nm(第3高諧波)
‧輸出：7.0W
‧反覆周波數：10kHz
‧脈衝幅度：35nsec
‧照射次數：8次/每一線
‧切割速度：200mm/分
‧散焦：從膠帶表面上+100μm(焦點在晶圓的表面上)
‧晶圓材質：矽
‧晶圓厚度：100μm
‧晶圓尺寸：8吋
‧切出晶片尺寸：5mm□
‧在晶圓外雷射掃描之距離：5mm
[雷射切割條件(2)]
‧裝置：Nd-YAG雷射(DISCO公司製DFL7161)
‧工作盤材質：石英
‧波長：355nm(第3高諧波)
‧輸出：6.0W
‧照射次數：2次/每一線
‧切割速度：100mm/秒
‧散焦：從膠帶表面上+30μm
‧晶圓材質：矽
‧晶圓厚度：30μm
‧晶圓尺寸：12吋
‧切出晶片尺寸：5mm□
‧在晶圓外雷射掃描之距離：5mm
[雷射切割條件(3)]
‧裝置：Nd-YAG雷射(Cyber-Laser公司製IFRIT)
‧工作盤材質：石英
‧波長：390nm(SHG變換)
‧輸出：200mW
‧雷射脈衝能量：24μJ
‧反覆周波數：1kHz
‧脈衝幅度：230fsec
‧照射次數：10次/每一線
‧切割速度：5mm/秒
‧散焦：從膠帶表面上+30μm
‧晶圓材質：矽
‧晶圓厚度：30μm
‧晶圓尺寸：8吋
‧切出晶片尺寸：30mm□
‧在晶圓外雷射掃描之距離：5mm
[割痕深度評價]
在雷射切割結束後，使用數位顯微鏡對於切割線剖面觀察，計測不含有黏著劑層之從膜片表面之割痕深度(μm)(觀察部位為沒有貼付晶圓，雷射直射的部分)。板片完全切斷者記述為「切斷」。
[工作盤之損傷]
在雷射切割條件(1)及(2)中雷射切割結束後，以目視觀察工作盤表面。確認有無損傷。在盤上沒有損傷者表示 為「無」，有損傷者表示為「有」。
[對於工作盤之融著]
在雷射切割條件(1)及(2)中雷射切割後，以雷射切割裝置內藏之搬運機構從切割工作盤將附有雷射切割用黏著板片之晶圓取出時，搬運上沒有問題者表示為融著「無」，雷射切割用黏著板片熱融著於工作盤而順利的搬運變得困難者為融著「有」。
2.擴張適性
將矽晶圓(直徑6吋，厚度350μm)，透過實施例或比較例之黏著板片而貼付於6吋用金屬製環框架，使用切割裝置(DISCO公司製DFD651)，以以下的條件來進行切割刀切割而晶片化。之後，在23℃之環境下使用擴張裝置(JCM公司製，ME-300B)，將黏著板片擴張(拉下7mm)。即使拉下7mm也沒有黏著板片之破斷或晶片的脫落者為「A」，拉下5~7mm而有黏著板片之破斷或晶片的脫落者為「B」，拉下5mm前有黏著板片之破斷或晶片的脫落者為「C」。
<切割條件>
‧裝置：DISCO公司製DFD651
‧切割速度：50mm/秒
‧切割刀種類：DISCO公司製NBC-ZH2050HECC
‧切割刀回轉數：30000rpm
‧黏著板片割痕深度：30μm
‧切割方式：單順切
‧晶片尺寸：8mm× 8mm
3.形狀復原性
將評價擴張適性後之實施例或比較例之黏著板片在擴張的狀態(拉下量7mm)保持5分鐘，從擴張裝置取下，投入50℃之乾燥機10秒鐘。回到室溫後，如第1圖所示，計測定義於環框架下面之平面與黏著板片之最大距離(以下稱為「鬆弛量」)。鬆弛量在5mm以下者為「良好」，超過5mm者為「不良」。
4.搬運性
以雷射切割條件(2)進行雷射切割。此時以自動搬運可在裝置內搬運而沒有不良之黏著板片評價為「良好」，發生不良而無法搬運之黏著板片評價為「不良」。
5.切割刀切割適性
將矽晶圓(直徑6吋，厚度350μm)，透過實施例或比較例之黏著板片而貼付於6吋用金屬製環框架，使用切割裝置(DISCO公司製DFD651)，以以下的條件來進行切割刀切割而晶片化。
<切割刀切割條件>
‧裝置：DISCO公司製DFD651
‧切割速度：50mm/秒
‧切割刀種類：DISCO公司製Z1110LS3(#400)
‧切割刀回轉數：30000rpm
‧黏著板片割痕深度：50μm
‧切割方式：單順切
‧晶片尺寸：8mm×8mm
[撓曲評價]
從晶片分割後之工作物之外觀狀態，將有黏著板片之撓曲的工作物評價為「不良」，沒有撓曲之工作物評價為「良好」。
[切削屑之評價]
以光學顯微鏡觀察晶片分割後之黏著板片之切割道(切割線)，調查在切割線上切削屑的發生之有無。沒有發生切削屑者為「良好」，發生者為「不良」。
(實施例1)
對於含有在兩末端具有2重鍵結官能基之具有1,5-五甲撐碳酸酯二醇，以及1,6-六甲撐碳酸酯二醇之骨架之含聚碳酸酯二醇之2官能氨基丙烯酸酯低聚物(Mw=10,700，Mw/Mn=1.75)，與做為能源線硬化性單體之含有異冰片丙烯酸酯之調配物(調配比(氨基丙烯酸酯低聚物：異冰片丙烯酸酯)=70：30，η=26,500mPa．S(40℃))100重量分，添加0.5重量分之2,4,6-三甲基苯酰-二苯基-氧化膦(BASF公司製DAROCUR TPO，固形分濃度100質量%)做為光聚合起始劑而調整能源線硬化性組成物。
將所得到之能源線硬化性組成物在60℃一邊加溫一邊以噴泉塗布方式在PET膜片(三菱化學聚酯製T-100 38μm品)上使厚度成為100μm來塗布，形成能源線硬化性組成物層。做為紫外線照射裝置係使用Eyegraphics公司製皮帶輸送式紫外線照射裝置(製品名：ECS-401GX)，以高壓水銀燈(Eyegraphics公司製高壓水銀燈 製品名： H04-L41)，以紫外線燈高度150mm、紫外線燈輸出3kw(換算輸出120mW/cm)，光線波長365nm之照度為271mW/cm2，光量為177mJ/cm2(紫外線光量計：股份公司ORC製作所公司製UV-351)之裝置條件進行紫外線照射。紫外線照射後，馬上在能源線硬化性組成物層上覆層剝離膜片(Lintec公司製SP-PET3801)。又，覆層係使剝1離膜片之剝離處裡面與能源線硬化性組成物接觸。接著，使用同紫外線照射裝置，以紫外線燈高度150mm，光線波長365nm之照度為271mW/cm2，光量為600mJ/cm2(紫外線光量計：股份公司ORC製作所公司製UV-351)之條件，從覆層後之剝離膜片側進行2次紫外線照射，對於能源線硬化性組成物層付與之紫外線之總光量為1377mJ/cm2，使能源線硬化性組成物層交聯．硬化。
接著，將剝離膜片從硬化後之能源線硬化性組成物層剝離，而得到厚度100μm之膜片。之後，將另外調整之厚度10μm之黏著劑組成物(1)，使用層壓機貼合於膜片，而得到黏著板片。對於所得到之膜片及黏著板片，進行各種評價。其結果示於表1。
(實施例2)
使用含有在兩末端具有2重鍵結官能基之具有1,5-五甲撐碳酸酯二醇，以及1,6-六甲撐碳酸酯二醇之骨架之含聚碳酸酯二醇之2官能氨基丙烯酸酯低聚物(Mw=10,400，Mw/Mn=2.19)，與做為能源線硬化性單體之含有異冰片丙烯酸酯之調配物(調配比(氨基丙烯酸酯低聚 物：異冰片丙烯酸酯)=50：50，η=6,400mPa．S(25℃))調整能源線硬化性組成物，除了將該能源線硬化性組成物在25℃塗布以外，以同於實施例1之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(實施例3)
使用含有在兩末端具有2重鍵結官能基之具有1,5-五甲撐碳酸酯二醇，以及1,6-六甲撐碳酸酯二醇之骨架之含聚碳酸酯二醇之2官能氨基丙烯酸酯低聚物(Mw=10,700，Mw/Mn=1.77)，與做為能源線硬化性單體之含有異冰片丙烯酸酯之調配物(調配比(氨基丙烯酸酯低聚物：異冰片丙烯酸酯)=60：40，η=21,500mPa．S(25℃))調整能源線硬化性組成物，除了將該能源線硬化性組成物在25℃塗布以外，以同於實施例1之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(實施例4)
使用含有在兩末端具有2重鍵結官能基之具有1,5-五甲撐碳酸酯二醇，以及1,6-六甲撐碳酸酯二醇之骨架之含聚碳酸酯二醇之2官能氨基丙烯酸酯低聚物(Mw=6,100，Mw/Mn=1.68)，與做為能源線硬化性單體之含有異冰片丙烯酸酯之調配物(配合比(氨基丙烯酸酯低聚物：異冰片丙烯酸酯)=70：30，η=18,700mPa．S(25℃))調整能源線硬化性組成物，除了將該能源線硬化性組成物在25℃塗布以外，以同於實施例1之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(實施例5)
使用含有在兩末端具有2重鍵結官能基之具有1,4-四甲撐碳酸酯二醇，以及1,6-六甲撐碳酸酯二醇之骨架之含聚碳酸酯二醇之2官能氨基丙烯酸酯低聚物(Mw=5,800，Mw/Mn=1.54)，與做為能源線硬化性單體之含有異冰片丙烯酸酯及四氫呋喃丙烯酸酯之調配物(調配比(氨基丙烯酸酯低聚物：異冰片丙烯酸酯：四氫呋喃丙烯酸酯)=60：20：20，η=5,200mPa．S(25℃))調整能源線硬化性組成物，除了將該能源線硬化性組成物在25℃塗布以外，以同於實施例1之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(實施例6)
使用含有在兩末端具有2重鍵結官能基之具有1,4-四甲撐碳酸酯二醇，以及1,6-六甲撐碳酸酯二醇之骨架之含聚碳酸酯二醇之2官能氨基丙烯酸酯低聚物(Mw=5,900，Mw/Mn=1.52)，與做為能源線硬化性單體之含有異冰片丙烯酸酯及苯氧基乙基丙烯酸酯之調配物(調配比(氨基丙烯酸酯低聚物：異冰片丙烯酸酯：苯氧基乙基丙烯酸酯)=60：20：20，η=9,500mPa．S(25℃))調整能源線硬化性組成物，除了將該能源線硬化性組成物在25℃塗布以外，以同於實施例1之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(實施例7)
使用含有在兩末端具有2重鍵結官能基之具有1,4- 四甲撐碳酸酯二醇，以及1,6-六甲撐碳酸酯二醇之骨架之含聚碳酸酯二醇之2官能氨基丙烯酸酯低聚物(Mw=12,200，Mw/Mn=1.70)，與做為能源線硬化性單體之含有異冰片丙烯酸酯之調配物(調配比(氨基丙烯酸酯低聚物：異冰片丙烯酸酯)=50：50，η=9,500mPa．S(25℃))調整能源線硬化性組成物，除了將該能源線硬化性組成物在25℃塗布以外，以同於實施例1之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(實施例8)
除了將光聚合起始劑之添加量變更為1.0重量分以外，以同於實施例5之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(實施例9)
除了使用2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF公司製DAROCUR 1173，固形分濃度100質量%)做為光聚合起始劑，添加0.5重量分來調整能源線硬化性組成物以外，以同於實施例5之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(實施例10)
除了將光聚合起始劑之添加量變更為1.0重量分以外，以同於實施例9之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(實施例11)
除了使用低聚(2-羥基-2-甲基-1(4-(1-甲基乙 烯)苯基)丙烷)(Lamberti公司製Esacure KIP150，固形分濃度100質量%)做為光聚合起始劑，添加0.5重量分來調整能源線硬化性組成物以外，以同於實施例5之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(實施例12)
除了將光聚合起始劑之添加量變更為1.0重量分以外，以同於實施例11之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(實施例13)
使用含有在兩末端具有2重鍵結官能基之具有1,6-六甲撐碳酸酯二醇之骨架之含聚碳酸酯二醇之2官能氨基丙烯酸酯低聚物(Mw=26,000，Mw/Mn=2.17)，與做為能源線硬化性單體之含有異冰片丙烯酸酯之調配物(調配比(氨基丙烯酸酯低聚物：異冰片丙烯酸酯)=50：50，η=17,600mPa．S(25℃))調整能源線硬化性組成物，除了將該能源線硬化性組成物在25℃塗布以外，以同於實施例1之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(實施例14)
使用含有在兩末端具有2重鍵結官能基之具有1,6-六甲撐碳酸酯二醇之骨架之含聚碳酸酯二醇之2官能氨基丙烯酸酯低聚物(Mw=25,400，Mw/Mn=2.09)，與做為能源線硬化性單體之含有異冰片丙烯酸酯之調配物(調配比(氨基丙烯酸酯低聚物：異冰片丙烯酸酯)=50：50，η=47,000mPa．S(25℃))調整能源線硬化性組成物，除了將該 能源線硬化性組成物在25℃塗布以外，以同於實施例1之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(比較例1)
除了對於含有在兩末端具有2重鍵結官能基之具有雙酚A型芳香族環狀骨架之含聚碳酸酯二醇之2官能氨基丙烯酸酯低聚物(η=250,000mPa．S(25℃))50重量分，添加做為能源線硬化性單體之異冰片丙烯酸酯50重量分所得到之調配物來調整能源線硬化性組成物，將該能源線硬化性組成物在25℃塗布以外，以同於實施例1之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
(比較例2)
除了使用厚度為100μm之乙烯-甲基丙烯酸共聚物膜片(甲基丙烯酸共聚比率9%)做為膜片以外，以同於實施例1之方法得到黏著板片。各評價結果示於表1。
(比較例3)
除了使用厚度為70μm之氯乙烯膜片(含有鄰苯二甲酸二辛酯25重量%做為可塑劑)做為膜片以外，以同於實施例1之方法得到黏著板片。各評價結果示於表1。
(比較例4)
將2-羥乙基丙烯酸酯(2HEA)、酮異氰酸鹽(IPDI)以及聚四亞甲基醚二醇(PTMG：重量平均分子量650)，以2HEA：IPDI：PTMG=2：5：4之莫耳比準備，首先使IPDI與PTMG反應，在所得到之聚氨酯預聚物中，藉由付加2HEA而得到氨基丙烯酸酯低聚物。接著，混合此氨基丙烯酸酯 低聚物50重量分、與能源線硬化性單體(異冰片丙烯酸酯)50重量分、與光起始劑(BASF公司製DAROCUR 1173)0.5重量分，調整液狀之能源線硬化性組成物(η=1,700mPa‧S(25℃))。除了使用在此所得到之液狀的能源線硬化性組成物以外，以同於實施例1之方法得到膜片及黏著板片。各評價結果示於表1。
從表1可知，實施例1~14之黏著板片，在任一種雷射切割條件，黏著板片都不會切斷，也不會發生對於工作盤之融著等，且擴張適性及形狀復原性野良好，相較於比較例1~4之黏著板片，雷射切割適性、擴張適性、形狀復原性之平衡優良。
又，對於上述實施例1、3、4以及上述比較例1、2、4，評價切割刀切割適性。評價結果示於表2。
從表2可知，本發明之黏著板片，在使用切割刀之切割也可適合使用。
第1圖係說明在實施例所評價之「鬆弛量」之圖式。

Claims (13)

  1. 一種膜片，由聚氨酯丙烯酸酯所形成之膜片，該聚氨酯丙烯酸酯為對於含有能源線硬化性聚碳酸酯型氨基丙烯酸酯低聚物與能源線硬化性單體之調配物照射能源線而得到的硬化物，其特徵在於：該能源線硬化性聚碳酸酯型氨基丙烯酸酯低聚物之碳酸酯鍵結部，為烯烴碳酸酯基(-(-O-R-C-CO-)n-)(但是，R為不含有不飽和鍵結之烯烴基，n為2~100之整數)。
  2. 如申請專利範圍第1項之膜片，其中，前述烯烴碳酸酯基(-(-O-R-C-CO-)n-)之烯烴基R為碳數2~12之脂肪族或是脂環族碳氫基。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之膜片，其中，前述烯烴碳酸酯基(-(-O-R-C-CO-)n-)之烯烴基R為四甲撐、五甲撐、六甲撐。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之膜片，其破斷伸度為100%以上。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之膜片，其拉伸彈性率為1~1000MPa。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之膜片，其埃爾門多夫(Elmendorf)式撕裂強度為100mN/mm2以上。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之膜片，其中，前述調配物含有光聚合起始劑，光聚合起始劑之含有量，相對於前述能源線硬化性聚碳酸酯型氨基丙烯酸酯低聚物與前述能源線硬化性單體之合計100重量分，為未滿2重量分。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之膜片，其破斷伸度為102%以上。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之膜片，其拉伸彈性率為50~800MPa。
  10. 一種黏著板片，其特徵在於：將申請專利範圍第1至9項中任一項之膜片之至少一面層積黏著劑層。
  11. 如申請專利範圍第10項之黏著板片，其係使用於雷射切割。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之黏著板片，其係使用於藉由飛秒(femto秒)雷射之雷射切割。
  13. 一種晶片體之製造方法，其特徵在於：在申請專利範圍第10至12項中任一項黏著板片之黏著劑層上，貼付工作物，藉由雷射光將工作物個片化成晶片體。
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