KR102266340B1 - 전자 장치의 제조 방법, 전자 장치 제조용 점착성 필름 및 전자 부품 시험 장치 - Google Patents

전자 장치의 제조 방법, 전자 장치 제조용 점착성 필름 및 전자 부품 시험 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102266340B1
KR102266340B1 KR1020197011802A KR20197011802A KR102266340B1 KR 102266340 B1 KR102266340 B1 KR 102266340B1 KR 1020197011802 A KR1020197011802 A KR 1020197011802A KR 20197011802 A KR20197011802 A KR 20197011802A KR 102266340 B1 KR102266340 B1 KR 102266340B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electronic component
adhesive film
sensitive adhesive
pressure
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1020197011802A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190059936A (ko
Inventor
에이지 하야시시타
Original Assignee
미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 filed Critical 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤
Publication of KR20190059936A publication Critical patent/KR20190059936A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102266340B1 publication Critical patent/KR102266340B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67138—Apparatus for wiring semiconductor or solid state device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241—Polyolefin, e.g.rubber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/255—Polyesters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C09J7/381—Pressure-sensitive adhesives [PSA] based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/385—Acrylic polymers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2642—Testing semiconductor operation lifetime or reliability, e.g. by accelerated life tests
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2423/00—Presence of polyolefin
    • C09J2423/006—Presence of polyolefin in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2425/00—Presence of styrenic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2467/00—Presence of polyester
    • C09J2467/006—Presence of polyester in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2475/00—Presence of polyurethane
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2477/00—Presence of polyamide
    • C09J2477/006—Presence of polyamide in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2479/00—Presence of polyamine or polyimide
    • C09J2479/08—Presence of polyamine or polyimide polyimide
    • C09J2479/086—Presence of polyamine or polyimide polyimide in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2483/00—Presence of polysiloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H01L21/566—Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 전자 장치의 제조 방법은, 점착성 필름과, 그 점착면 상에 첩부된 1 또는 2 이상의 전자 부품을 구비하는 구조체를 준비하는 공정 (A)와, 전자 부품 탑재 영역을 갖는 시료대와, 시료대에 대향하는 위치에 마련되고, 또한 프로브 단자를 갖는 프로브 카드를 구비하는 전자 부품 시험 장치에 있어서의 시료대의 전자 부품 탑재 영역 상에 점착성 필름을 개재해서 전자 부품이 위치하도록, 구조체를 전자 부품 시험 장치 내에 배치하는 공정 (B)와, 점착성 필름 상에 첩부된 상태에서, 프로브 단자를 전자 부품의 단자에 접촉시켜서 전자 부품의 특성을 평가하는 공정 (C)와, 그 후에 점착성 필름으로부터 전자 부품을 픽업하는 공정 (D)를 구비한다. 그리고, 적어도 공정 (C)에 있어서, 구조체는 프레임의 틀 내에 배치되고, 또한 점착성 필름의 단부가 프레임에 고정되어 있고, 시료대의 수직 방향에 있어서, 프레임의 상면을 시료대의 전자 부품 탑재 영역의 상면보다 하방에 배치시킨다.

Description

전자 장치의 제조 방법, 전자 장치 제조용 점착성 필름 및 전자 부품 시험 장치
본 발명은 전자 장치의 제조 방법, 전자 장치 제조용 점착성 필름 및 전자 부품 시험 장치에 관한 것이다.
전자 장치의 제조 공정에 있어서, 전자 부품의 특성을 평가하는 경우가 있다.
이 전자 부품의 특성 평가 공정에서는, 예를 들어 고온 또는 저온에서 전자 부품의 특성 평가를 행한다. 이와 같이 함으로써, 불량 발생의 요인이 내재되어 있는 전자 부품의 열화를 가속할 수 있어, 전자 부품의 초기 불량을 조기에 발생시켜서, 그 불량품을 제거할 수 있다. 이에 의해, 신뢰성이 우수한 전자 부품을 효율적으로 얻을 수 있다.
이러한 전자 부품의 특성 평가의 가속 시험에 관한 기술로서는, 예를 들어 특허문헌 1(일본특허공개 평10-163281호 공보)에 기재된 것을 들 수 있다.
특허문헌 1에는, 복수개의 반도체 소자를 형성한 반도체 웨이퍼에 대하여 다이싱을 실시하고, 이 다이싱이 실시된 반도체 소자간의 위치 관계를 유지한 상태에서 상기 반도체 소자에 형성된 전극에 테스터에 접속된 접촉 단자를 밀어붙여서 전기적으로 접속하고, 이 접속한 상태에서 테스터에 의해 반도체 소자에 대하여 동작 특성 시험에 의한 검사를 행하여 반도체 소자를 제조하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법이 기재되어 있다.
일본특허공개 평10-163281호 공보
본 발명자는, 전자 부품(70A)의 특성 평가를 행할 때, 전자 부품(70A)을 고정하는 점착성 필름(50A)에 가열 또는 냉각에 의해 주름(53A)이 발생하고, 이 주름(53A)이 프로브 단자(95A)에 접촉해 버리는 경우가 있는 것을 지견했다(도 13 참조). 이 경우, 점착성 필름(50A)이 프로브 단자(95A)에 간섭해 버리기 때문에 전자 부품(70A)의 특성을 정확하게 평가할 수 없게 되어 버린다.
즉, 본 발명자는 전자 부품의 특성 평가 공정에는, 전자 부품의 특성 평가를 고정밀도로 안정적으로 행한다고 하는 관점에 있어서, 개선의 여지가 있는 것을 발견했다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 전자 부품의 특성 평가를 고정밀도로 안정적으로 행하는 것이 가능한 전자 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명자는, 상기 과제를 달성하기 위해서 예의 검토를 거듭했다. 그 결과, 전자 부품의 특성을 평가할 때 시료대의 수직 방향에 있어서, 점착성 필름의 단부를 고정하는 프레임의 상면을 시료대의 전자 부품 탑재 영역의 상면보다 하방에 배치시킴으로써, 전자 부품의 특성 평가를 행할 때 점착성 필름이 프로브 단자에 접촉해 버리는 것을 억제할 수 있고, 전자 부품의 특성 평가를 고정밀도로 안정적으로 행할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다.
본 발명에 따르면, 이하에 나타내는 전자 장치의 제조 방법, 전자 장치 제조용 점착성 필름 및 전자 부품 시험 장치가 제공된다.
[1]
점착성 필름과, 상기 점착성 필름의 점착면 상에 첩부된 1 또는 2 이상의 전자 부품을 구비하는 구조체를 준비하는 공정 (A)와,
전자 부품 탑재 영역을 갖는 시료대와, 상기 시료대에 대향하는 위치에 마련되고, 또한 프로브 단자를 갖는 프로브 카드를 구비하는 전자 부품 시험 장치에 있어서의 상기 시료대의 상기 전자 부품 탑재 영역 상에 상기 점착성 필름을 개재해서 상기 전자 부품이 위치하도록, 상기 구조체를 상기 전자 부품 시험 장치 내에 배치하는 공정 (B)와,
상기 점착성 필름 상에 첩부된 상태에서, 상기 프로브 단자를 상기 전자 부품의 단자에 접촉시켜서 상기 전자 부품의 특성을 평가하는 공정 (C)와,
상기 공정 (C) 후에 상기 점착성 필름으로부터 상기 전자 부품을 픽업하는 공정 (D)
를 구비하는 전자 장치의 제조 방법이며,
적어도 상기 공정 (C)에 있어서,
상기 구조체는 프레임의 틀 내에 배치되고, 또한 상기 점착성 필름의 단부가 상기 프레임에 고정되어 있고,
상기 시료대의 수직 방향에 있어서, 상기 프레임의 상면을 상기 시료대의 상기 전자 부품 탑재 영역의 상면보다 하방에 배치시키는 전자 장치의 제조 방법.
[2]
상기 [1]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 공정 (C)에서는, 0℃ 이하 또는 50℃ 이상 200℃ 이하의 온도 환경 하에서 상기 전자 부품의 특성 평가를 행하는 전자 장치의 제조 방법.
[3]
상기 [1] 또는 [2]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
적어도 상기 공정 (C)에 있어서,
상기 점착성 필름의 주름이 상기 프로브 카드의 상기 프로브 단자에 접촉하지 않도록, 상기 시료대의 수직 방향에 있어서 상기 프레임의 상면을 상기 시료대의 상기 전자 부품 탑재 영역의 상면보다 하방에 배치시키는 전자 장치의 제조 방법.
[4]
상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 공정 (D)에서는, 상기 점착성 필름에 있어서의 상기 전자 부품이 첩부된 영역을 필름의 면내 방향으로 확장시켜서, 인접하는 상기 전자 부품간의 간격을 확대시킨 상태에서, 상기 점착성 필름으로부터 상기 전자 부품을 픽업하는 전자 장치의 제조 방법.
[5]
상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 시료대가 적어도 상기 전자 부품 탑재 영역에, 진공 흡인함으로써 상기 구조체를 유지하는 제1 진공 흡인 수단을 갖는 전자 장치의 제조 방법.
[6]
상기 [5]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 시료대가 상기 전자 부품 탑재 영역과는 다른 외주측의 영역에, 상기 점착성 필름의 상기 전자 부품이 첩부되어 있지 않은 영역을 진공 흡인하는 제2 진공 흡인 수단을 갖는 전자 장치의 제조 방법.
[7]
상기 [6]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 제2 진공 흡인 수단이 상기 시료대의 외주에 걸쳐 연속적으로 폐쇄된 진공 흡착홈인 전자 장치의 제조 방법.
[8]
상기 [5] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 시료대의 외주부에 진공 씰부가 마련되어 있는 전자 장치의 제조 방법.
[9]
상기 [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 점착성 필름이 적어도 유연성 수지층 및 점착성 수지층을 갖는 전자 장치의 제조 방법.
[10]
상기 [9]에 기재된 전자 장치의 제조 방법에 있어서,
상기 유연성 수지층을 구성하는 유연성 수지가 폴리에스테르계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머 및 폴리부틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
[11]
상기 [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 전자 장치의 제조 방법에서 사용하는 상기 점착성 필름이며,
적어도 유연성 수지층 및 점착성 수지층을 갖는 전자 장치 제조용 점착성 필름.
[12]
상기 [11]에 기재된 전자 장치 제조용 점착성 필름에 있어서,
상기 유연성 수지층의 융점이 100℃ 이상 250℃ 이하인 전자 장치 제조용 점착성 필름.
[13]
상기 [11] 또는 [12]에 기재된 전자 장치 제조용 점착성 필름에 있어서,
상기 유연성 수지층을 구성하는 유연성 수지가 폴리에스테르계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머 및 폴리부틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 전자 장치 제조용 점착성 필름.
[14]
상기 [11] 내지 [13] 중 어느 하나에 기재된 전자 장치 제조용 점착성 필름에 있어서,
상기 점착성 수지층을 구성하는 점착제가 (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 올레핀계 점착제 및 스티렌계 점착제에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 전자 장치 제조용 점착성 필름.
[15]
전자 부품의 특성을 평가하기 위해서 사용하는 전자 부품 시험 장치이며,
전자 부품 탑재 영역을 갖는 시료대와,
상기 시료대에 대향하는 위치에 마련되고, 또한 프로브 단자를 갖는 프로브 카드와,
틀 내에 시험체인 상기 전자 부품 및 상기 전자 부품을 유지하는 점착성 필름을 배치하고, 또한 상기 점착성 필름의 단부를 고정하는 프레임
을 구비하고,
상기 프로브 단자를 상기 전자 부품의 단자에 접촉시켜서 상기 전자 부품의 특성을 평가할 때, 상기 시료대의 수직 방향에 있어서, 상기 프레임의 상면이 상기 시료대의 상기 전자 부품 탑재 영역의 상면보다 하방에 배치되어 있는 전자 부품 시험 장치.
[16]
상기 [15]에 기재된 전자 부품 시험 장치에 있어서,
상기 시료대가 적어도 상기 전자 부품 탑재 영역에, 진공 흡인함으로써 상기 전자 부품 및 상기 점착성 필름을 유지하는 제1 진공 흡인 수단을 갖는 전자 부품 시험 장치.
[17]
상기 [16]에 기재된 전자 부품 시험 장치에 있어서,
상기 시료대가 상기 전자 부품 탑재 영역과는 다른 외주측의 영역에, 상기 점착성 필름의 상기 전자 부품이 첩부되어 있지 않은 영역을 진공 흡인하는 제2 진공 흡인 수단을 갖는 전자 부품 시험 장치.
[18]
상기 [17]에 기재된 전자 부품 시험 장치에 있어서,
상기 제2 진공 흡인 수단이 상기 시료대의 외주에 걸쳐 연속적으로 폐쇄된 진공 흡착홈인 전자 부품 시험 장치.
[19]
상기 [16] 내지 [18] 중 어느 하나에 기재된 전자 부품 시험 장치에 있어서,
상기 시료대의 외주부에 진공 씰부가 마련되어 있는 전자 부품 시험 장치.
본 발명에 따르면, 전자 부품의 특성 평가를 고정밀도로 안정적으로 행하는 것이 가능한 전자 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
상술한 목적 및 그 밖의 목적, 특징 및 이점은, 이하에 설명하는 적합한 실시 형태 및 그것에 부수되는 이하의 도면에 의해 더욱 명백해진다.
도 1은 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 장치의 제조 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다.
도 2는 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 부품 시험 장치 및 구조체의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이며, (a)는 전자 부품 시험 장치 내에 구조체를 배치한 상태를 나타내고, (b)는 전자 부품의 특성을 평가하고 있는 상태를 나타낸다.
도 3은 본 발명에 관한 실시 형태의 구조체의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 부품 시험 장치 및 구조체의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이며, (a)는 전자 부품 시험 장치 내에 구조체를 배치한 상태를 나타내고, (b)는 전자 부품의 특성을 평가하고 있는 상태를 나타낸다.
도 5는 본 발명에 관한 실시 형태의 제1 진공 흡인 수단의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명에 관한 실시 형태의 제1 진공 흡인 수단의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명에 관한 실시 형태의 제1 진공 흡인 수단 및 제2 진공 흡인 수단의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 8은 본 발명에 관한 실시 형태의 제1 진공 흡인 수단 및 제2 진공 흡인 수단의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명에 관한 실시 형태의 제1 진공 흡인 수단 및 제2 진공 흡인 수단의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 평면도이다.
도 10은 본 발명에 관한 실시 형태의 진공 씰부의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 평면도이다.
도 11은 본 발명에 관한 실시 형태의 점착성 필름의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명에 관한 실시 형태의 점착성 필름의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 13은 전자 부품의 특성 평가를 행할 때 점착성 필름이 프로브 단자에 접촉해 버리는 것을 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서, 도면을 사용해서 설명한다. 또한, 모든 도면에 있어서, 동일 구성 요소에는 공통 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다. 또한, 도면은 개략도이며, 실제의 치수 비율과는 일치하지 않는다. 또한, 수치 범위의 「A 내지 B」는 특별한 언급이 없으면, A 이상 B 이하를 나타낸다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 「(메트)아크릴」이란, 아크릴 및 메타크릴의 한쪽 또는 양쪽을 의미한다.
1. 전자 장치의 제조 방법 및 전자 부품 시험 장치
먼저, 본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법 및 전자 부품 시험 장치에 대해서 설명한다.
도 1은 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 장치의 제조 방법의 일례를 나타내는 흐름도이다. 도 2 및 4는, 본 발명에 관한 실시 형태의 전자 부품 시험 장치(200) 및 구조체(100)의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이며, (a)는 전자 부품 시험 장치(200) 내에 구조체(100)를 배치한 상태를 나타내고, (b)는 전자 부품(70)의 특성을 평가하고 있는 상태를 나타낸다. 도 3은 본 발명에 관한 실시 형태의 구조체(100)의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 평면도이다.
본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법은, 이하의 4개의 공정을 적어도 구비하고 있다.
(A) 점착성 필름(50)과, 점착성 필름(50)의 점착면 상에 첩부된 1 또는 2 이상의 전자 부품(70)을 구비하는 구조체(100)를 준비하는 공정
(B) 전자 부품 탑재 영역(85)을 갖는 시료대(80)와, 시료대(80)에 대향하는 위치에 마련되고, 또한 프로브 단자(95)를 갖는 프로브 카드(90)를 구비하는 전자 부품 시험 장치(200)에 있어서의 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85) 상에 점착성 필름(50)을 개재해서 전자 부품(70)이 위치하도록, 구조체(100)를 전자 부품 시험 장치(200) 내에 배치하는 공정
(C) 점착성 필름(50) 상에 첩부된 상태에서, 프로브 단자(95)를 전자 부품(70)의 단자(75)에 접촉시켜서 전자 부품(70)의 특성을 평가하는 공정
(D) 공정 (C) 후에 점착성 필름(50)으로부터 전자 부품(70)을 픽업하는 공정
그리고, 적어도 공정 (C)에 있어서, 구조체(100)는 프레임(150)의 틀 내에 배치되고, 또한 점착성 필름(50)의 단부(55)가 프레임(150)에 고정되어 있고, 시료대(80)의 수직 방향 X에 있어서, 프레임(150)의 상면(155)을 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85)의 상면(88)보다 하방에 배치시킨다.
본 발명자는, 전자 부품(70A)의 특성 평가를 행할 때, 전자 부품(70A)을 고정하는 점착성 필름(50A)이 가열 또는 냉각에 의해 주름(53A)이 발생하고, 이 주름(53A)이 프로브 단자(95A)에 접촉해 버리는 경우가 있는 것을 지견했다(도 13 참조). 이 경우, 점착성 필름(50A)이 프로브 단자(95A)에 간섭해 버리기 때문에 전자 부품(70A)의 특성을 정확하게 평가할 수 없게 되어 버린다.
즉, 본 발명자는, 전자 부품의 특성 평가 공정에는, 전자 부품의 특성 평가를 고정밀도로 안정적으로 행한다고 하는 관점에 있어서, 개선의 여지가 있는 것을 발견했다.
본 발명자는, 상기 과제를 달성하기 위해서 예의 검토를 거듭했다. 그 결과, 전자 부품(70)의 특성을 평가할 때 시료대(80)의 수직 방향 X에 있어서, 점착성 필름(50)의 단부(55)를 고정하는 프레임(150)의 상면(155)을 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85)의 상면(88)보다 하방에 배치시킴으로써, 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 때 점착성 필름(50)이 프로브 단자(95)에 접촉해 버리는 것을 억제할 수 있어, 전자 부품(70)의 특성 평가를 고정밀도로 안정적으로 행할 수 있는 것을 발견했다.
즉, 적어도 공정 (C)에 있어서, 프레임(150)의 상면(155)을 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85)의 상면(88)보다 하방에 배치시킴으로써, 점착성 필름(50)이 가열 또는 냉각에 의해 주름(53)이 발생해도, 그 주름(53)이 프로브 단자(95)에 접촉해 버리는 것을 억제할 수 있고, 그 결과, 점착성 필름(50)이 프로브 단자(95)에 간섭해 버리는 것을 억제할 수 있어, 전자 부품(70)의 특성 평가를 고정밀도로 안정적으로 행할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법에 의하면, 상기 공정 (A) 내지 (D)를 구비함으로써, 전자 부품(70)의 특성 평가를 고정밀도로 안정적으로 행하는 것이 가능하게 된다.
이하, 본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법의 각 공정에 대해서 설명한다.
(공정 (A))
먼저, 점착성 필름(50)과, 점착성 필름(50)의 점착면 상에 첩부된 1 또는 2 이상의 전자 부품(70)을 구비하는 구조체(100)를 준비한다.
이러한 구조체는, 예를 들어 점착성 필름(50)의 점착면(예를 들어, 후술하는 점착성 수지층(10)의 표면)에 전자 부품(70)을 첩부하고, 필요에 따라 점착성 필름(50) 상의 전자 부품(70)을 개편화함으로써 제작할 수 있다.
이하, 전자 부품(70)이 반도체 기판 및 반도체 칩인 경우를 예로 들어, 구조체(100)의 제조 방법에 대해서 구체적으로 설명한다.
먼저, 점착성 필름(50)의 점착면에 반도체 기판을 첩부한다.
점착성 필름(50)에 첩부하는 반도체 기판으로서는, 예를 들어 실리콘, 게르마늄, 갈륨-비소, 갈륨-인, 갈륨-비소-알루미늄 등의 기판(예를 들어, 웨이퍼)을 들 수 있다.
또한, 반도체 기판으로서는, 표면에 회로가 형성된 반도체 기판을 사용하는 것이 바람직하다.
점착성 필름(50)의 점착면에 전자 부품(70)을 첩부할 때는, 점착성 필름(50)을 프레임(150)에 첩부하고, 그 후, 점착성 필름(50)의 점착면에 전자 부품(70)을 첩부해도 되고, 프레임(150)과 전자 부품(70)을 점착성 필름(50)에 동시에 첩부해도 된다.
점착성 필름(50)의 첩부는, 사람의 손으로 행해도 되지만, 통상, 롤 형상의 표면 보호 필름을 설치한 자동 부착기에 의해 행한다.
첩부 시의 점착성 필름(50) 및 반도체 기판의 온도에는 특별히 제한은 없지만, 25℃ 내지 80℃가 바람직하다.
또한, 첩부 시의 점착성 필름(50)과 반도체 기판과의 압력에 대해서는 특별히 제한은 없지만, 0.3㎫ 내지 0.5㎫가 바람직하다.
이어서, 점착성 필름(50) 상의 반도체 기판을 반도체 칩으로 다이싱한다.
여기에서 말하는 「다이싱」에는,
(a) 반도체 기판에 대하여 이 반도체 기판의 두께와 동일 깊이의 절입을 마련함으로써 반도체 기판을 분단하여, 복수의 분단된 반도체 칩을 얻는 조작(이하, 「풀컷 다이싱」이라고도 한다) 및,
(b) 레이저광이나 플라스마를 조사함으로써, 반도체 기판에 대하여, 반도체 기판의 절단까지는 이르지 않은 변질 영역을 마련하여, 복수의 반도체 칩을 얻는 조작(이하, 「스텔스 다이싱」이라고도 한다)이 포함된다.
상기 다이싱은, 다이싱 블레이드(다이싱 소), 레이저광, 플라스마 등을 사용해서 행할 수 있다.
다이싱이 풀컷 다이싱인 경우에는, 다이싱에 의해 반도체 기판이 복수의 반도체 칩으로 분단된다.
한편, 다이싱이 스텔스 다이싱인 경우에는, 다이싱에 의해서만 반도체 기판이 복수의 반도체 칩으로 분단되기까지는 이르지 않고, 다이싱 후의 점착성 필름(50)의 확장에 의해 반도체 기판이 분단되어 복수의 분단된 반도체 칩이 얻어진다. 또한, 스텔스 다이싱인 경우의 점착성 필름(50)의 확장은, 공정 (C) 전에 행해도 되고, 공정 (C) 후에 행해도 된다.
또한, 공정 (A)에 있어서의 전자 부품(70)에는, 풀컷 다이싱에 의해 얻어지는 분단된 복수의 반도체 칩과, 스텔스 다이싱에 의해 얻어지는 분단되기 전의 복수의 반도체 칩의 양쪽을 포함한다.
(공정 (B))
이어서, 전자 부품 시험 장치(200)에 있어서의 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85) 상에 점착성 필름(50)을 개재해서 전자 부품(70)이 위치하도록, 구조체(100)를 전자 부품 시험 장치(200) 내에 배치한다.
이하, 본 실시 형태에 따른 전자 부품 시험 장치(200)에 대해서 설명한다.
본 실시 형태에 따른 전자 부품 시험 장치(200)는, 전자 부품(70)의 특성을 평가하기 위해서 사용하는 전자 부품 시험 장치이며, 전자 부품 탑재 영역(85)을 갖는 시료대(80)와, 시료대(80)에 대향하는 위치에 마련되고, 또한 프로브 단자(95)를 갖는 프로브 카드(90)와, 틀 내에 시험체인 전자 부품(70) 및 전자 부품(70)을 유지하는 점착성 필름(50)을 배치하고, 또한 점착성 필름(50)의 단부(55)를 고정하는 프레임(150)을 구비한다. 그리고, 프로브 단자(95)를 전자 부품(70)의 단자(75)에 접촉시켜서 전자 부품(70)의 특성을 평가할 때, 시료대(80)의 수직 방향 X에 있어서, 프레임(150)의 상면(155)이 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85)의 상면(88)보다 하방에 배치할 수 있도록 구성되어 있다.
프로브 단자(95)를 갖는 프로브 카드(90)는 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 공지된 프로브 카드를 사용할 수 있다.
프레임(150)의 형상은 특별히 한정되지 않고, 원 형상, 타원 형상, 직사각 형상 등을 들 수 있다. 프레임(150)으로서는, 예를 들어 링 프레임을 들 수 있다.
프레임(150)의 상면(155)을 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85)의 상면(88)보다 하방에 배치하는 구성으로서는, 예를 들어 프레임(150) 또는 시료대(80)를 수직 방향으로 자유롭게 이동할 수 있도록 하는 기구나, 도 4에 도시한 바와 같은 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85)에 있어서의 단차(87) 등을 들 수 있다.
여기서, 도 5 및 6은, 본 발명에 관한 실시 형태의 제1 진공 흡인 수단(210)의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
도 5 및 6에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 전자 부품 시험 장치(200)에 있어서, 시료대(80)가 적어도 전자 부품 탑재 영역(85)에 제1 진공 흡인 수단(210)을 갖는 것이 바람직하다.
제1 진공 흡인 수단(210)은 진공 흡인함으로써 전자 부품(70) 및 점착성 필름(50)(구조체(100))을 유지한다. 전자 부품 시험 장치(200)가 제1 진공 흡인 수단(210)을 더 구비함으로써, 전자 부품(70)의 특성을 평가할 때 전자 부품(70) 및 점착성 필름(50)(구조체(100))을 보다 안정적으로 시료대(80)에 유지할 수 있다.
여기서, 도 7 및 8은, 본 발명에 관한 실시 형태의 제1 진공 흡인 수단(210) 및 제2 진공 흡인 수단(220)의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다. 도 9는 본 발명에 관한 실시 형태의 제1 진공 흡인 수단(210) 및 제2 진공 흡인 수단(220)의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 평면도이다.
도 7 및 8에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 전자 부품 시험 장치(200)에 있어서, 시료대(80)가 전자 부품 탑재 영역(85)과는 다른 외주측의 영역(89)에, 점착성 필름(50)의 전자 부품(70)이 첩부되어 있지 않은 영역(58)을 진공 흡인하는 제2 진공 흡인 수단(220)을 갖는 것이 바람직하다.
전자 부품 시험 장치(200)가 제2 진공 흡인 수단(220)을 더 구비함으로써, 점착성 필름(50)의 가열 또는 냉각에 의해 발생하는 주름(53)을 더 잡아 늘일 수 있어, 주름(53)의 고저차를 더 저감시킬 수 있다. 이에 의해, 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 때 점착성 필름(50)이 프로브 단자(95)에 접촉해 버리는 것을 한층 더 억제할 수 있어, 전자 부품(70)의 특성 평가를 한층 더 고정밀도로 행할 수 있다.
제1 진공 흡인 수단(210) 및 제2 진공 흡인 수단(220)은 특별히 한정되지 않고, 공지된 진공 흡인 수단을 사용할 수 있다. 예를 들어, 진공 흡인하는 펌프(예를 들어, 진공 펌프)와, 진공 펌프에 접속하는 흡착 구멍으로 구성되는 진공 흡인 수단 등을 들 수 있다. 여기서, 제1 진공 흡인 수단(210) 및 제2 진공 흡인 수단(220)의 진공 라인은 각각 독립되어 있어도 되고, 연결되어 있어도 된다. 여기서, 도 5 내지 10에서는, 제1 진공 흡인 수단(210) 및 제2 진공 흡인 수단(220)으로서는 흡착 구멍만을 나타내고, 진공 펌프는 도시하지 않는다. 이 흡착 구멍에 진공 펌프가 접속되고, 진공 펌프를 사용해서 흡착 구멍으로부터 전자 부품(70) 및 점착성 필름(50)(구조체(100))을 진공 흡인할 수 있다.
또한, 도 9에 도시한 바와 같이, 제2 진공 흡인 수단(220)은 시료대(80)의 외주에 걸쳐서 연속적으로 폐쇄된 진공 흡착홈인 것이 바람직하다.
이와 같이 함으로써, 연속적으로 폐쇄된 진공 흡착홈의 내측 영역에 기체가 유입되는 것을 억제할 수 있어, 점착성 필름(50)을 한층 더 효과적으로 흡인할 수 있다. 그 결과, 점착성 필름(50)의 가열 또는 냉각에 의해 발생하는 주름(53)을 한층 더 억제할 수 있다.
여기서, 도 10은 본 발명에 관한 실시 형태의 진공 씰부(230)의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 평면도이다.
본 실시 형태에 따른 전자 부품 시험 장치(200)에 있어서, 시료대(80)의 외주부에 진공 씰부(230)가 마련되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 진공 씰부(230)의 내측 영역의 진공도를 보다 양호하게 할 수 있기 때문에, 점착성 필름(50)을 한층 더 효과적으로 흡인할 수 있다. 그 결과, 점착성 필름(50)의 가열 또는 냉각에 의해 발생하는 주름(53)을 한층 더 억제할 수 있다. 진공 씰부(230)의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 실리콘 고무 등의 내열 엘라스토머가 바람직하다.
(공정 (C))
이어서, 점착성 필름(50) 상에 첩부된 상태에서, 프로브 단자(95)를 전자 부품(70)의 단자(75)에 접촉시켜서 전자 부품(70)의 특성을 평가한다.
전자 부품(70)의 특성 평가는, 예를 들어 전자 부품(70)의 동작 확인 테스트이며, 도 2의 (b) 및 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 프로브 단자(95)를 갖는 프로브 카드(90)를 사용해서 행할 수 있다.
예를 들어, 전자 부품(70)의 단자(75)에 대하여, 프로브 카드(90)를 개재해서 테스터에 접속된 프로브 단자(95)를 접촉시킨다. 이에 의해, 전자 부품(70)과 테스터 사이에서, 동작 전력이나 동작 시험 신호 등의 수수를 행하여, 전자 부품(70)의 동작 특성의 양부 등을 판별할 수 있다.
공정 (C)에 있어서, 구조체(100)는, 도 2 내지 4에 도시한 바와 같이, 프레임(150)의 틀 내에 배치되고, 또한 점착성 필름(50)의 단부(55)가 프레임(150)에 고정되어 있다.
그리고, 도 2의 (a) 및 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 시료대(80)의 수직 방향 X에 있어서, 프레임(150)의 상면(155)을 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85)의 상면(88)보다 하방에 배치시킨다.
여기서, 프레임(150)의 상면(155)을 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85)의 상면(88)보다 하방에 배치하는 방법으로서는, 예를 들어, 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 프레임(150)을 수직 방향 X의 하방으로 이동시키는 방법; 시료대(80)를 수직 방향 X의 상방으로 이동시키는 방법 등을 들 수 있다.
또한, 프레임(150)의 상면(155)을 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85)의 상면(88)보다 하방에 배치하는 방법으로서는, 예를 들어, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85)에 단차(87)를 내는 방법도 채용할 수 있다. 여기서, 단차(87)는 프레임(150)의 상면(155)이 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85)의 상면(88)보다 하방에 배치할 수 있는 구성이면 특별히 한정되지 않고, 시료대(80)와 일체화되어 있어도 되고, 일체화되어 있지 않아도 된다.
또한, 단차(87)의 높이는, 예를 들어 전자 부품 탑재 영역(85)의 상면(88)과 프레임(150)의 상면(155)의 고저차+전자 부품(70)의 높이>주름(53)의 높이가 되는 높이이다.
또한, 적어도 공정 (C)에 있어서, 도 2의 (b) 및 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 점착성 필름(50)의 가열 또는 냉각에 의해 발생하는 주름(53)이 프로브 카드(90)의 프로브 단자(95)에 접촉하지 않도록, 시료대(80)의 수직 방향 X에 있어서 프레임(150)의 상면(155)을 시료대(80)의 전자 부품 탑재 영역(85)의 상면(88)보다 하방에 배치시키는 것이 바람직하다.
이에 의해, 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 때 점착성 필름(50)이 프로브 단자(95)에 접촉해 버리는 것을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
여기서, 전자 부품 탑재 영역(85)의 상면(88)과 프레임(150)의 상면(155)과의 고저차는, 예를 들어 3 내지 20㎜, 바람직하게는 3 내지 15㎜ 정도이다. 상기 고저차가 상기 하한값 이상이면 점착성 필름(50)의 주름이 한층 더 해소되므로 바람직하다. 상기 고저차가 상기 상한값 이하이면, 점착성 필름(50)이 확장되어 전자 부품(70)의 간격이 변화하여 프로브 단자(95)와 전자 부품(70)의 위치 관계가 어긋나 버리는 것을 억제할 수 있다.
공정 (C)에서는, 0℃ 이하 또는 50℃ 이상 200℃ 이하의 온도 환경 하에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행하는 것이 바람직하고, 60℃ 이상 180℃ 이하의 온도 환경 하에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행하는 것이 보다 바람직하고, 80℃ 이상 160℃ 이하의 온도 환경 하에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행하는 것이 더욱 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 불량 발생의 요인이 내재되어 있는 전자 부품(70)의 열화를 가속할 수 있어, 전자 부품(70)의 초기 불량을 조기에 발생시켜서, 그 불량품을 제거할 수 있다. 이에 의해, 신뢰성이 우수한 전자 부품(70)을 높은 수율로 얻을 수 있다.
예를 들어, 구조체(100)를 항온조나 오븐에 넣거나 또는 시료대(80)에 마련된 히터로 가열함으로써, 상기의 온도 환경 하로 할 수 있다.
(공정 (D))
이어서, 공정 (C) 후에 점착성 필름(50)으로부터 전자 부품(70)을 픽업한다.
이 픽업에 의해, 점착성 필름(50)으로부터 전자 부품(70)을 박리할 수 있다.
전자 부품(70)의 픽업은, 공지된 방법으로 행할 수 있다.
공정 (D)에서는, 점착성 필름(50)에 있어서의 전자 부품(70)이 첩부된 영역을 필름의 면내 방향으로 확장시켜서, 인접하는 전자 부품(70) 사이의 간격을 확대시킨 상태에서, 점착성 필름(50)으로부터 전자 부품(70)을 픽업하는 것이 바람직하다.
이와 같이 함으로써, 인접하는 전자 부품(70) 사이의 간격이 확대되기 때문에, 점착성 필름(50)으로부터 전자 부품(70)을 픽업하기 쉬워진다. 또한, 점착성 필름(50)의 면내 방향의 확장에 의해 발생하는, 전자 부품(70)과 점착성 필름(50)의 전단 응력에 의해, 전자 부품(70)과 점착성 필름(50)의 점착력이 저하되기 때문에, 점착성 필름(50)으로부터 전자 부품(70)을 픽업하기 쉬워진다.
또한, 점착성 필름(50)으로서, 후술하는 내열성 수지층(30), 유연성 수지층(20) 및 점착성 수지층(10)을 이 순으로 갖는 필름을 사용하는 경우, 공정 (C) 후에 내열성 수지층(30)을 점착성 필름(50)으로부터 박리하여, 공정 (D)를 행하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 점착성 필름(50)의 면내 방향의 확장을 보다 용이하게 행할 수 있다. 내열성 수지층(30)의 박리는 손에 의해 행해지는 경우도 있지만, 일반적으로는 자동 박리기라 불리는 장치에 의해 행할 수 있다.
(공정 (E))
본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법에 있어서, 공정 (D) 전에 점착성 필름(50)에 대하여 방사선을 조사하고, 점착성 필름(50)을 가교시킴으로써, 전자 부품(70)에 대한 점착성 필름(50)의 점착력을 저하시키는 공정 (E)를 더 구비해도 된다.
공정 (E)를 행함으로써, 점착성 필름(50)으로부터 전자 부품(70)을 용이하게 픽업할 수 있다. 또한, 점착성 필름(50)을 구성하는 점착 성분에 의해 전자 부품(70)의 표면이 오염되는 것을 억제할 수 있다.
방사선은, 예를 들어 점착성 필름(50)의 점착면과는 반대측 면으로부터 조사된다.
방사선으로서 자외선을 사용하는 경우, 점착성 필름(50)에 대하여 조사하는 자외선의 선량은, 100mJ/㎠ 이상이 바람직하고, 350mJ/㎠ 이상이 보다 바람직하다.
자외선의 선량이 상기 하한값 이상이면, 점착성 필름(50)의 점착력을 충분히 저하시킬 수 있고, 그 결과, 전자 부품(70) 표면에 점착제 잔류가 발생하는 것을 보다 억제할 수 있다.
또한, 점착성 필름(50)에 대하여 조사하는 자외선의 선량의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 생산성의 관점에서, 예를 들어 1500mJ/㎠ 이하이고, 바람직하게는 1200mJ/㎠ 이하이다.
자외선 조사는, 예를 들어 고압 수은 램프를 사용해서 행할 수 있다.
공정 (E)를 행하는 타이밍은 특별히 제한되지 않고, 공정 (A)와 공정 (B) 사이, 공정 (B)와 공정 (C) 사이 혹은 공정 (C)와 공정 (D) 사이의 어느 것이든 좋지만, 전자 부품 탑재 영역(85)이 미리 가열되어 있는 경우에는 공정 (A)와 공정 (B) 사이에 행하는 것이 바람직하다. 구조체(100)를 전자 부품 탑재 영역(85)에 배치 후에 승온하는 경우에는, 공정 (B)와 공정 (C) 사이 혹은 공정 (C)와 공정 (D) 사이에 행해도 된다.
(그 밖의 공정)
본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법은, 상기 이외의 그 밖의 공정을 갖고 있어도 된다. 그 밖의 공정으로서는, 전자 장치의 제조 방법에 있어서 공지된 공정을 사용할 수 있다.
예를 들어, 공정 (D)를 행한 후, 얻어진 반도체 칩 등의 전자 부품(70)을 회로 기판에 실장하는 공정이나, 와이어 본딩 공정, 밀봉 공정 등의 전자 부품의 제조 공정에 있어서 일반적으로 행해지고 있는 임의의 공정을 더 행해도 된다.
또한, 전자 부품(70)으로서 회로면을 갖는 반도체 기판을 사용하는 경우, 예를 들어 반도체 기판의 회로 형성면에 통상 사용되는 방법에서 전극 형성 및 비회로면에 보호막 형성을 행하는 공정을 더 가져도 된다. 이 전극 형성 및 수지 밀봉을 행하는 공정이 마련된 제조 방법은, WLP(Wafer Level Package)라고도 칭한다.
또한, 전자 부품의 회로면에 재배선층을 형성하는 공정을 더 가져도 된다.
반도체 칩 면적을 초과하는 넓은 영역에 재배선층을 형성함으로써 얻어지는 전자 장치는, 팬-아웃 패키지(Fan-out Package)라고도 칭한다.
2. 점착성 필름
이어서, 본 실시 형태에 따른 전자 장치의 제조 방법에서 사용하는 점착성 필름(50)(전자 장치 제조용 점착성 필름이라고도 칭한다)에 대해서 설명한다.
도 11 및 12는, 본 발명에 관한 실시 형태의 점착성 필름(50)의 구조의 일례를 모식적으로 도시한 단면도이다.
점착성 필름(50)은 점착성 수지층(10)을 적어도 갖는다. 또한, 점착성 필름(50)의 유연성을 향상시켜서, 전자 부품(70)의 픽업성을 보다 향상시킨다는 관점에서, 점착성 필름(50)은 점착성 수지층(10)에 더하여, 유연성 수지층(20)을 더 갖는 것이 바람직하다.
또한, 점착성 필름(50)은 유연성 및 내열성의 밸런스를 보다 양호하게 한다는 관점에서, 점착성 수지층(10)에 더하여, 유연성 수지층(20) 및 내열성 수지층(30)의 양쪽을 더 갖는 것이 바람직하다.
점착성 필름(50)이 점착성 수지층(10), 유연성 수지층(20) 및 내열성 수지층(30)을 포함하는 경우, 점착성 필름(50)은 내열성 수지층(30), 유연성 수지층(20) 및 점착성 수지층(10)을 이 순으로 갖는 것이 바람직하다.
이와 같이 함으로써, 내열성 수지층(30)에 의해 점착성 수지층(10)의 변형이나 용융이 억제되어 전자 부품(70)의 위치 어긋남을 억제할 수 있고, 그 결과, 상기 공정 (D)에서의 전자 부품(70)의 픽업을 보다 정확하게 행할 수 있다. 즉, 점착성 필름(50)의 점착성, 내열성 및 유연성의 밸런스를 보다 양호하게 할 수 있다.
여기서, 본 실시 형태에 있어서, 내열성이란 고온 또는 저온에 있어서의 필름이나 수지층의 치수 안정성을 의미한다. 즉, 내열성이 우수한 필름이나 수지층일수록, 고온 또는 저온에 있어서의 팽창이나 수축, 연화 등의 변형이나 용융 등이 일어나기 어려운 것을 의미한다.
(점착성 수지층)
점착성 수지층(10)은 점착성 필름(50)을 전자 부품(70)에 첩부할 때, 전자 부품(70)의 표면에 접촉해서 점착하는 층이다.
점착성 수지층(10)을 구성하는 점착제는, (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 올레핀계 점착제, 스티렌계 점착제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 접착력의 조정을 용이하게 할 수 있는 점 등에서, (메트)아크릴계 중합체를 베이스 폴리머로 하는 (메트)아크릴계 점착제가 바람직하다.
점착성 수지층(10)을 구성하는 점착제로서는, 방사선에 의해 점착력을 저하시키는 방사선 가교형 점착제를 사용할 수 있다. 방사선 가교형 점착제에 의해 구성된 점착성 수지층(10)은, 방사선의 조사에 의해 가교해서 점착력이 현저하게 감소하기 때문에, 전자 부품(70)의 픽업 공정에 있어서, 점착성 수지층(10)으로부터 전자 부품(70)을 픽업하기 쉬워진다. 방사선으로서는, 자외선, 전자선, 적외선 등을 들 수 있다.
방사선 가교형 점착제로서는, 자외선 가교형 점착제가 바람직하다.
(메트)아크릴계 점착제에 포함되는 (메트)아크릴계 중합체로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 에스테르 화합물의 단독 중합체, (메트)아크릴산 에스테르 화합물과 코모노머와의 공중합체 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산 에스테르 화합물로서는, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들의 (메트)아크릴산 에스테르 화합물은 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해서 사용해도 된다.
또한, (메트)아크릴계 공중합체를 구성하는 코모노머로서는, 예를 들어 아세트산비닐, (메트)아크릴니트릴, (메트)아크릴아마이드, 스티렌, (메트)아크릴산, 이타콘산, (메트)아크릴아마이드, 메틸올(메트)아크릴아마이드, 무수 말레산 등을 들 수 있다. 이들 코모노머는 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해서 사용해도 된다.
방사선 가교형 점착제는, 예를 들어 상기 (메트)아크릴계 점착제 등의 점착제와, 가교성 화합물(탄소-탄소 이중 결합을 갖는 성분)과, 광중합 개시제 또는 열 중합 개시제를 포함한다.
가교성 화합물로서는, 예를 들어 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 라디칼 중합에 의해 가교 가능한 모노머, 올리고머 또는 폴리머 등을 들 수 있다. 이러한 가교성 화합물로서는, 예를 들어 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트 등의 (메트)아크릴산과 다가 알코올과의 에스테르; 에스테르(메트)아크릴레이트올리고머; 2-프로페닐디-3-부테닐시아누레이트, 2-히드록시에틸비스(2-(메트)아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸)이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트 또는 이소시아누레이트 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 점착제가 폴리머의 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 방사선 가교형 폴리머인 경우에는, 가교성 화합물을 첨가하지 않아도 된다.
가교성 화합물의 함유량은, 점착제 100질량부에 대하여 5 내지 900질량부가 바람직하고, 20 내지 200질량부가 보다 바람직하다. 가교성 화합물의 함유량이 상기 범위인 것에 의해, 상기 범위보다 적은 경우에 비해 점착력의 조정이 쉬워지고, 상기 범위보다 많은 경우에 비해, 열이나 광에 대한 감도가 너무 높은 것에 의한 보존 안정성의 저하가 일어나기 어렵다.
광중합 개시제로서는, 방사선을 조사함으로써 개열하여 라디칼을 생성하는 화합물이면 되고, 예를 들어 벤조인메틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인알킬에테르류; 벤질, 벤조인, 벤조페논, α-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 방향족케톤류; 벤질디메틸케탈 등의 방향족 케탈류; 폴리비닐벤조페논; 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤 등의 티오크산톤류 등을 들 수 있다.
열 중합 개시제로서는, 예를 들어 유기 과산화물 유도체나 아조계 중합 개시제 등을 들 수 있다. 가열 시에 질소가 발생하지 않는다는 점에서, 바람직하게는 유기 과산화물 유도체이다. 열 중합 개시제로서는, 예를 들어 케톤퍼옥사이드, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르 및 퍼옥시디카르보네이트 등을 들 수 있다.
점착제에는 가교제를 첨가해도 된다. 가교제로서는, 예를 들어 소르비톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르, 펜타에리트리톨폴리글리시딜에테르, 디글리세롤폴리글리시딜에테르 등의 에폭시계 화합물; 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), N,N'-헥사메틸렌-1,6-비스(1-아지리딘카르복시아미드) 등의 아지리딘계 화합물; 테트라메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 폴리이소시아네이트 등의 이소시아네이트계 화합물 등을 들 수 있다.
점착성 수지층(10)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 바람직하고, 3㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.
점착성 수지층(10)은, 예를 들어 기재층이나 유연성 수지층(20) 상에 점착제 도포액을 도포함으로써 형성할 수 있다.
점착제 도포액을 도포하는 방법으로서는, 종래 공지된 도포 방법, 예를 들어 롤 코터법, 리버스 롤 코터법, 그라비아 롤법, 바 코트법, 콤마 코터법, 다이 코터법 등을 채용할 수 있다. 도포된 점착제의 건조 조건에는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는, 80 내지 200℃의 온도 범위에 있어서, 10초 내지 10분간 건조하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 80 내지 170℃에 있어서, 15초 내지 5분간 건조한다. 가교제와 점착제의 가교 반응을 충분히 촉진시키기 위해서, 점착제 도포액의 건조가 종료된 후, 40 내지 80℃에 있어서 5 내지 300시간 정도 가열해도 된다.
(유연성 수지층)
유연성 수지층(20)은, 점착성 필름(50)의 유연성이나 신축성 등의 특성을 양호하게 하는 것을 목적으로 해서 마련되는 층이다.
유연성 수지층(20)을 마련함으로써, 점착성 필름(50)의 신축성이나 유연성이 향상되어, 전자 부품(70)을 픽업하는 공정 (D)에 있어서 점착성 필름(50)을 면내 방향으로 확장시키는 것을 보다 용이하게 할 수 있다.
유연성 수지층(20)은 면내 방향으로 확장할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 유연성이나 신축성 등의 특성이 우수하고, 또한 고온 또는 저온에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 때 점착성 수지층(10)과의 접착성을 유지할 수 있을 정도의 내열성이 있는 것이 바람직하다.
상기 유연성 수지층(20)을 구성하는 유연성 수지로서는, 예를 들어 폴리에스테르계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머 및 폴리부틸렌테레프탈레이트 등에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
유연성 수지층(20)의 융점은 100℃ 이상 250℃ 이하인 것이 바람직하다.
이러한 유연성 수지층(20)을 사용하면, 고온 또는 저온에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 때의 점착성 필름(50)의 열팽창을 한층 더 억제할 수 있다.
유연성 수지층(20)의 두께는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 10㎛ 이상 500㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20㎛ 이상 300㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 30㎛ 이상 250㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하고, 50㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다.
(내열성 수지층)
내열성 수지층(30)은, 점착성 필름(50)의 취급성이나 기계적 특성, 내열성 등의 특성을 보다 양호하게 하는 것을 목적으로 해서 마련되는 층이다.
내열성 수지층(30)은, 고온 또는 저온에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 때, 전자 부품(70)의 위치 어긋남이 일어날 정도의 변형이나 용융이 일어나지 않을 정도의 내열성이 있으면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 내열성 수지 필름을 사용할 수 있다.
상기 내열성 수지 필름을 구성하는 수지로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르; 나일론-6, 나일론-66, 폴리메타크실렌아디파미드 등의 폴리아미드; 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리아미드이미드; 폴리카르보네이트; 변성 폴리페닐렌에테르; 폴리아세탈; 폴리아릴레이트; 폴리술폰; 폴리에테르술폰; 폴리페닐렌술피드; 폴리에테르에테르케톤; 불소계 수지; 액정 폴리머; 염화 비닐리덴 수지; 폴리벤조이미다졸; 폴리벤조옥사졸; 폴리메틸펜텐 등에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다.
이들 중에서도, 내열성이나 기계적 강도, 투명성, 가격 등의 밸런스가 우수하다는 관점에서, 폴리이미드, 폴리아미드 및 폴리에스테르에서 선택되는 1종 또는 2종 이상이 바람직하다.
내열성 수지층(30)의 융점은 200℃ 이상인 것이 바람직하고, 220℃ 이상인 것이 보다 바람직하다. 혹은, 내열성 수지층(30)은 융점을 나타내지 않는 것인 것이 바람직하고, 분해 온도가 200℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 분해 온도가 220℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
이러한 내열성 수지층(30)을 사용하면, 고온 또는 저온에서 전자 부품(70)의 특성 평가를 행할 때의 점착성 필름(50)의 변형을 한층 더 억제할 수 있다.
내열성 수지층(30)은, 단층이어도 되고, 2종 이상의 층이어도 된다.
또한, 내열성 수지층(30)을 형성하기 위해서 사용하는 수지 필름의 형태로서는, 연신 필름이어도 되고, 1축 방향 또는 2축 방향으로 연신한 필름이어도 되지만, 내열성 수지층(30)의 내열성 및 기계적 강도를 향상시킨다는 관점에서, 1축 방향 또는 2축 방향으로 연신한 필름인 것이 바람직하다.
내열성 수지층(30)의 두께는, 양호한 필름 특성을 얻는다는 관점에서, 바람직하게는 10㎛ 이상 1000㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상 500㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 20㎛ 이상 300㎛ 이하이다.
내열성 수지층(30)은 다른 층과의 접착성을 개량하기 위해서, 표면 처리를 행해도 된다. 구체적으로는, 코로나 처리, 플라스마 처리, 언더코트 처리, 프라이머 코트 처리 등을 행해도 된다.
내열성 수지층(30)은 유연성 수지층(20)에 대하여 박리 가능하도록 적층되어 있는 것이 바람직하다.
박리 가능하게 적층하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 박리 가능한 접착층(도시 생략)을 개재하여 적층하는 방법을 들 수 있다. 박리 가능한 접착층이란, 박리 시에 방사선이나 열 등의 어떠한 자극을 가함으로써 용이하게 박리하는 것이 가능한 층을 말한다.
이러한 박리 가능한 접착층으로서는, 예를 들어 (1) 방사선 조사에 의해 점착력을 저감할 수 있는 방사선 가교형 점착제에 의해 구성된 접착층, (2) 가열에 의해 팽창해서 점착력을 저감할 수 있는 가열 팽창형 점착제에 의해 구성된 접착층, (3) 가열에 의해 수축해서 점착력을 저감할 수 있는, 수축성 필름을 기재로 한 양면 점착성 필름에 의해 구성된 접착층 등을 들 수 있다.
방사선 가교형 점착제는, 방사선 조사 전에는 내열성 수지층(30) 및 유연성 수지층(20)에 대하여 충분한 접착력을 갖고, 방사선 조사 후에는 접착력이 현저하게 감소하는 것이다. 즉, 방사선 조사 전에는 내열성 수지층(30) 및 유연성 수지층(20)을 접착할 수 있고, 방사선 조사 후에는 유연성 수지층(20)으로부터 내열성 수지층(30)을 용이하게 박리할 수 있다.
방사선 가교형 점착제로서는, 일반적으로 공지된 자외선 가교형 점착제 등의 방사선 가교형 점착제를 사용할 수 있다.
가열 팽창형 점착제는 점착제 중에 열팽창성 미립자나 발포제 등이 분산되어 있는 점착제를 말한다. 점착제로서는, 일반적으로 공지된 점착제를 사용할 수 있으며, 예를 들어 (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제, 폴리우레탄계 점착제, 폴리비닐에테르계 점착제 등을 들 수 있다.
열팽창성 미립자로서는, 예를 들어 이소부탄, 프로판, 펜탄 등의 가열에 의해 용이하게 가스화해서 팽창하는 물질을, 탄성을 갖는 껍질 내에 내포시킨 미립자를 들 수 있다.
발포제로서는, 예를 들어 열분해하여, 물, 탄산 가스, 질소를 발생시키는 능력을 갖는 화학 물질 등을 들 수 있다.
가열에 의해, 열팽창성 미립자나 발포제가 팽창하면, 접착층의 표면 상태가 변화하여, 유연성 수지층(20)과 내열성 수지층(30)의 접착력을 저하시킬 수 있고, 그 결과, 유연성 수지층(20)으로부터 내열성 수지층(30)을 용이하게 박리할 수 있다.
수축성 필름을 기재로 한 양면 점착성 필름에 사용되는 수축 필름으로서는, 가열에 의해 수축하는 열수축 필름을 들 수 있다. 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴 등의 1축 또는 2축 연신 필름 등을 들 수 있다.
수축성 필름의 양면에 마련되는 점착제로서는, 일반적으로 공지된 점착제를 사용할 수 있으며, 예를 들어 (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 고무계 점착제, 폴리우레탄계 점착제, 폴리비닐 에테르계 점착제 등을 들 수 있다.
가열에 의해, 기재의 수축성 필름이 수축하면, 접착층의 표면 상태가 변화하여, 유연성 수지층(20)과 내열성 수지층(30)의 접착력을 저하시킬 수 있고, 그 결과, 유연성 수지층(20)으로부터 내열성 수지층(30)을 용이하게 박리할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)은, 점착성 수지층(10) 상에 이형 필름을 더 적층시켜도 된다. 이형 필름으로서는, 예를 들어 이형 처리가 실시된 폴리에스테르 필름 등을 들 수 있다.
본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)의 전체 광선 투과율은, 바람직하게는 80% 이상이며, 보다 바람직하게는 85% 이상이다. 이와 같이 함으로써, 점착성 필름(50)에 투명성을 부여할 수 있다. 그리고, 점착성 필름(50)의 전체 광선 투과율을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 점착성 수지층(10)에 더 효과적으로 방사선을 조사할 수 있어, 방사선 조사 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 점착성 필름(50)의 전체 광선 투과율은, JIS K7105(1981)에 준하여 측정하는 것이 가능하다.
이어서, 본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)의 제조 방법의 일례에 대해서 설명한다.
본 실시 형태에 따른 점착성 필름(50)은, 기재층이나 유연성 수지층(20) 상에 점착제 도포액을 도포하여 건조시킴으로써 점착성 수지층(10)을 형성함으로써 얻을 수 있다.
유연성 수지층(20)은, 예를 들어 기재층이나 내열성 수지층(30)의 한쪽 면에 압출하여 라미네이트법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 내열성 수지층(30)과 유연성 수지층(20)은 공압출 성형에 의해 형성해도 되고, 필름 형상의 내열성 수지층(30)과 필름 형상의 유연성 수지층(20)을 라미네이트(적층)해서 형성해도 된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명했지만, 이들은 본 발명의 예시이며, 상기 이외의 다양한 구성을 채용할 수도 있다.
또한, 본 발명은 전술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함되는 것이다.
이 출원은, 2016년 10월 27일에 출원된 일본특허출원 제2016-210616호를 기초로 하는 우선권을 주장하며, 그 개시 모두를 여기에 원용한다.

Claims (19)

  1. 점착성 필름과, 상기 점착성 필름의 점착면 상에 첩부된 1 또는 2 이상의 전자 부품을 구비하는 구조체를 준비하는 공정 (A)와,
    전자 부품 탑재 영역을 갖는 시료대와, 상기 시료대에 대향하는 위치에 마련되고, 또한 프로브 단자를 갖는 프로브 카드를 구비하는 전자 부품 시험 장치에 있어서의 상기 시료대의 상기 전자 부품 탑재 영역 상에 상기 점착성 필름을 개재해서 상기 전자 부품이 위치하도록, 상기 구조체를 상기 전자 부품 시험 장치 내에 배치하는 공정 (B)와,
    상기 점착성 필름 상에 첩부된 상태에서, 상기 프로브 단자를 상기 전자 부품의 단자에 접촉시켜서 상기 전자 부품의 특성을 평가하는 공정 (C)와,
    상기 공정 (C) 후에 상기 점착성 필름으로부터 상기 전자 부품을 픽업하는 공정 (D)
    를 구비하는 전자 장치의 제조 방법이며,
    상기 공정 (C)에서는, 0℃ 이하 또는 50℃ 이상 200℃ 이하의 온도 환경 하에서 상기 전자 부품의 특성 평가를 행하고,
    적어도 상기 공정 (C)에 있어서,
    상기 구조체는 프레임의 틀 내에 배치되고, 또한 상기 점착성 필름의 단부가 상기 프레임에 고정되어 있고,
    상기 시료대의 수직 방향에 있어서, 상기 프레임의 상면을 상기 시료대의 상기 전자 부품 탑재 영역의 상면보다 하방에 배치시키는 전자 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 적어도 상기 공정 (C)에 있어서,
    상기 점착성 필름의 주름이 상기 프로브 카드의 상기 프로브 단자에 접촉하지 않도록, 상기 시료대의 수직 방향에 있어서 상기 프레임의 상면을 상기 시료대의 상기 전자 부품 탑재 영역의 상면보다 하방에 배치시키는 전자 장치의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공정 (D)에서는, 상기 점착성 필름에 있어서의 상기 전자 부품이 첩부된 영역을 필름의 면내 방향으로 확장시켜서, 인접하는 상기 전자 부품간의 간격을 확대시킨 상태에서, 상기 점착성 필름으로부터 상기 전자 부품을 픽업하는 전자 장치의 제조 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 시료대가 적어도 상기 전자 부품 탑재 영역에, 진공 흡인함으로써 상기 구조체를 유지하는 제1 진공 흡인 수단을 갖는 전자 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 시료대가 상기 전자 부품 탑재 영역과는 다른 외주측의 영역에, 상기 점착성 필름의 상기 전자 부품이 첩부되어 있지 않은 영역을 진공 흡인하는 제2 진공 흡인 수단을 갖는 전자 장치의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2 진공 흡인 수단이 상기 시료대의 외주에 걸쳐 연속적으로 폐쇄된 진공 흡착홈인 전자 장치의 제조 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 시료대의 외주부에 진공 씰부가 마련되어 있는 전자 장치의 제조 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 점착성 필름이 적어도 유연성 수지층 및 점착성 수지층을 갖는 전자 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유연성 수지층을 구성하는 유연성 수지가 폴리에스테르계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머 및 폴리부틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 전자 장치의 제조 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 기재된 전자 장치의 제조 방법에서 사용 하는 상기 점착성 필름이며,
    적어도 유연성 수지층 및 점착성 수지층을 갖는 전자 장치 제조용 점착성 필름.
  11. 제10항에 있어서, 상기 유연성 수지층의 융점이 100℃ 이상 250℃ 이하인 전자 장치 제조용 점착성 필름.
  12. 제10항에 있어서, 상기 유연성 수지층을 구성하는 유연성 수지가 폴리에스테르계 엘라스토머, 폴리아미드계 엘라스토머, 폴리이미드계 엘라스토머 및 폴리부틸렌테레프탈레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 전자 장치 제조용 점착성 필름.
  13. 제10항에 있어서, 상기 점착성 수지층을 구성하는 점착제가 (메트)아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제, 우레탄계 점착제, 올레핀계 점착제 및 스티렌계 점착제에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 전자 장치 제조용 점착성 필름.
  14. 전자 부품의 특성을 평가하기 위해서 사용하는 전자 부품 시험 장치이며,
    전자 부품 탑재 영역을 갖는 시료대와,
    상기 시료대에 대향하는 위치에 마련되고, 또한 프로브 단자를 갖는 프로브 카드와,
    틀 내에 시험체인 상기 전자 부품 및 상기 전자 부품을 유지하는 점착성 필름을 배치하고, 또한 상기 점착성 필름의 단부를 고정하는 프레임
    을 구비하고,
    상기 프로브 단자를 상기 전자 부품의 단자에 접촉시켜서 상기 전자 부품의 특성을 평가할 때, 0℃ 이하 또는 50℃ 이상 200℃ 이하의 온도 환경 하에서 행하고, 또한 상기 시료대의 수직 방향에 있어서, 상기 프레임의 상면이 상기 시료대의 상기 전자 부품 탑재 영역의 상면보다 하방에 배치되어 있는 전자 부품 시험 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 시료대가 적어도 상기 전자 부품 탑재 영역에, 진공 흡인함으로써 상기 전자 부품 및 상기 점착성 필름을 유지하는 제1 진공 흡인 수단을 갖는 전자 부품 시험 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 시료대가 상기 전자 부품 탑재 영역과는 다른 외주측의 영역에, 상기 점착성 필름의 상기 전자 부품이 첩부되어 있지 않은 영역을 진공 흡인하는 제2 진공 흡인 수단을 갖는 전자 부품 시험 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제2 진공 흡인 수단이 상기 시료대의 외주에 걸쳐 연속적으로 폐쇄된 진공 흡착홈인 전자 부품 시험 장치.
  18. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시료대의 외주부에 진공 씰부가 마련되어 있는 전자 부품 시험 장치.
  19. 삭제
KR1020197011802A 2016-10-27 2017-10-24 전자 장치의 제조 방법, 전자 장치 제조용 점착성 필름 및 전자 부품 시험 장치 KR102266340B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016210616 2016-10-27
JPJP-P-2016-210616 2016-10-27
PCT/JP2017/038365 WO2018079551A1 (ja) 2016-10-27 2017-10-24 電子装置の製造方法、電子装置製造用粘着性フィルムおよび電子部品試験装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190059936A KR20190059936A (ko) 2019-05-31
KR102266340B1 true KR102266340B1 (ko) 2021-06-16

Family

ID=62024982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020197011802A KR102266340B1 (ko) 2016-10-27 2017-10-24 전자 장치의 제조 방법, 전자 장치 제조용 점착성 필름 및 전자 부품 시험 장치

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10809293B2 (ko)
EP (1) EP3533850A4 (ko)
JP (1) JP6726295B2 (ko)
KR (1) KR102266340B1 (ko)
CN (1) CN109906385A (ko)
SG (1) SG11201903703WA (ko)
TW (1) TWI743239B (ko)
WO (1) WO2018079551A1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3442013B1 (en) * 2016-03-30 2021-01-06 Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. Semiconductor device manufacturing method
DE102016110503B4 (de) * 2016-06-07 2019-01-17 Infineon Technologies Ag Wafer-Expander und Verfahren zum Expandieren von Chips eines Wafers
JP6837859B2 (ja) * 2017-02-14 2021-03-03 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN116848627A (zh) * 2021-02-10 2023-10-03 三井化学东赛璐株式会社 电子部件的制造方法、制造用膜和制造用具
CN113075244B (zh) * 2021-04-06 2023-05-26 长安大学 一种电子探针薄片样品台及其使用方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012077190A1 (ja) * 2010-12-07 2012-06-14 パイオニア株式会社 半導体検査装置
JP2015109436A (ja) * 2013-10-23 2015-06-11 リンテック株式会社 ダイシングシート
JP2015169589A (ja) * 2014-03-10 2015-09-28 新日本無線株式会社 半導体試験装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5697884A (en) * 1980-01-07 1981-08-06 Mitsubishi Electric Corp Testing method for damp resistance of electronic parts
JPS6313339A (ja) * 1986-07-04 1988-01-20 Hitachi Ltd 異物有無検査装置
JPH02235355A (ja) * 1989-03-08 1990-09-18 Nec Kansai Ltd 半導体製造装置及び製造方法
JPH10163281A (ja) 1996-10-04 1998-06-19 Hitachi Ltd 半導体素子およびその製造方法
JP2000180469A (ja) * 1998-12-18 2000-06-30 Fujitsu Ltd 半導体装置用コンタクタ及び半導体装置用コンタクタを用いた試験装置及び半導体装置用コンタクタを用いた試験方法及び半導体装置用コンタクタのクリーニング方法
US6541989B1 (en) * 2000-09-29 2003-04-01 Motorola, Inc. Testing device for semiconductor components and a method of using the device
JP4137471B2 (ja) * 2002-03-04 2008-08-20 東京エレクトロン株式会社 ダイシング方法、集積回路チップの検査方法及び基板保持装置
KR101025404B1 (ko) * 2002-06-24 2011-03-28 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 열 경화성 접착제 조성물, 물품, 반도체 장치 및 방법
JP4447280B2 (ja) * 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
CN100570386C (zh) * 2004-03-08 2009-12-16 斯欧普迪克尔股份有限公司 晶片级光电测试装置及方法
JP4145293B2 (ja) * 2004-12-28 2008-09-03 株式会社ルネサステクノロジ 半導体検査装置および半導体装置の製造方法
TWI402325B (zh) * 2005-05-12 2013-07-21 Nitto Denko Corp 切割用黏著片以及使用此黏著片的切割方法
JP5054949B2 (ja) * 2006-09-06 2012-10-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JPWO2011004825A1 (ja) * 2009-07-08 2012-12-20 古河電気工業株式会社 ウエハ貼着用粘着シートおよびそれを用いたウエハの加工方法
WO2011016607A1 (ko) * 2009-08-02 2011-02-10 (주)큐엠씨 픽업장치 및 이를 포함하는 엘이디 칩 분류장치
JP2012241063A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用の接着シート
JP6159163B2 (ja) * 2013-06-21 2017-07-05 日東電工株式会社 粘着シート
WO2015125351A1 (ja) 2014-02-21 2015-08-27 株式会社村田製作所 電子部品供給体及びその製造方法
CN107210236B (zh) * 2015-02-06 2019-06-07 Ａｇｃ株式会社 膜、其制造方法以及使用该膜的半导体元件的制造方法
JP6587811B2 (ja) * 2015-02-24 2019-10-09 日東電工株式会社 熱剥離型粘着シート
AU2016201837B2 (en) 2015-04-28 2020-07-23 Tna Australia Pty Limited A bag stacker

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012077190A1 (ja) * 2010-12-07 2012-06-14 パイオニア株式会社 半導体検査装置
JP2015109436A (ja) * 2013-10-23 2015-06-11 リンテック株式会社 ダイシングシート
JP2015169589A (ja) * 2014-03-10 2015-09-28 新日本無線株式会社 半導体試験装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3533850A1 (en) 2019-09-04
JPWO2018079551A1 (ja) 2019-08-08
EP3533850A4 (en) 2020-06-17
KR20190059936A (ko) 2019-05-31
TWI743239B (zh) 2021-10-21
TW201816985A (zh) 2018-05-01
US20190271733A1 (en) 2019-09-05
US10809293B2 (en) 2020-10-20
SG11201903703WA (en) 2019-05-30
CN109906385A (zh) 2019-06-18
JP6726295B2 (ja) 2020-07-22
WO2018079551A1 (ja) 2018-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102266340B1 (ko) 전자 장치의 제조 방법, 전자 장치 제조용 점착성 필름 및 전자 부품 시험 장치
KR102091963B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR102074607B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
TWI759360B (zh) 黏著性積層膜及電子裝置的製造方法
US11747388B2 (en) Method for manufacturing electronic apparatus, adhesive film for manufacturing electronic apparatus, and electronic component testing apparatus
KR102121681B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR102167491B1 (ko) 반도체 장치 제조용 점착성 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7158567B2 (ja) 電子装置の製造方法
JP2023108372A (ja) 電子装置の製造方法および粘着性フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant