CN116848627A - 电子部件的制造方法、制造用膜和制造用具 - Google Patents

电子部件的制造方法、制造用膜和制造用具 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于提供一种评价效率优异的部件制造方法、该部件制造方法中所使用的部件制造用膜和部件制造用具，本方法具备：在具有基板和保持层的支撑体上，经由保持层将多个电子部件以电极露出的状态进行排列的工序；以及使露出的电极的全部或一部分与探针接触，对配置于支撑体上的电子部件中的80个以上的电子部件的电特性同时进行通电评价的工序。本部件制造用膜具备：树脂制基层；保持层，其设置于树脂制基层的一面侧；以及接合层，其设置于树脂制基层的对面侧，且用于将本部件制造用膜接合于基板。本部件制造用具具备：基板、以及设置于基板的一面的保持层。

Description

电子部件的制造方法、制造用膜和制造用具
技术领域
本发明涉及一种对单片化后的多个电子部件同时进行通电评价的电子部件的制造方法、该电子部件的制造方法中所使用的电子部件制造用膜和电子部件制造用具。
背景技术
关于电子部件(封装部件、半导体芯片等)，期望能够在其制造时分别地进行评价(检查)，并在各阶段进行筛选，以便仅将评价合格的部件送至下一工序。即，有如下目的：在送至下一工序之前进行评价，去除不合适的部件，由此提高成品率并实现成本降低。
作为进行该评价的方法，已知有利用被称为插座的评价用底座(参照下述专利文献1)的方法、利用保持膜的技术(参照下述专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-112552号
专利文献2：国际公开第2017/002610号
发明内容
发明所要解决的课题
在上述评价工序时，也与电子部件制造整体中同样地，要求带来成本降低的高效率。
关于这一点，在成为评价对象的电子部件的种类被限制为较少且为已知规格的情况下，使用插座的方法能够获得高评价效率。但是，关于插座，针对成为测定对象的每一个电子部件，要专用设计尺寸、电极位置等，且随着电子部件的多样化，插座的种类也多样化。因此，相对于测定对象的自由度降低和评价效率降低成为问题。即，按照电子部件的新的规格，需要新的插座，因此存在如下课题：连测试运用都需要时间，或者在评价对象不同的批次中需要进行更换为所需插座的规格变更，会使评价效率降低。
对此，上述专利文献2中所公开的技术是利用在评价工序、单片化工序和拾取工序这三个工序中共通的保持膜的技术。通过利用该保持膜，能够排除插座，能够消除与插座利用相伴的制约。另一方面，得知：该技术是通过利用特征性材料作为保持膜的基层来实现的，如果要提高评价效率，则会产生被认为是由基层材料引起的课题。即，得知：如果利用该保持膜进行评价，则有时会发生位置偏移。该位置偏移有尤其是在评价对象数量多、测定温度高的情况下容易发生的倾向。
本发明是鉴于上述问题而成的，目的在于提供一种评价效率优异的部件制造方法、该部件制造方法中所使用的部件制造用膜和部件制造用具。
用于解决课题的方法
作为解决上述问题点的方法，本发明如下所述。
[1]一种电子部件的制造方法，其特征在于，具备：
配置工序，在具有基板和保持层的支撑体上，经由上述保持层将多个电子部件以电极露出的状态进行排列；以及
评价工序，使露出的该电极与探针同时连接，对配置于上述支撑体上的上述电子部件中的80个以上的电子部件的电特性进行通电评价。
[2]根据上述[1]所述的电子部件的制造方法，上述评价工序为在上述电子部件被加热的状态下进行上述通电评价的工序。
[3]根据上述[1]或上述[2]所述的电子部件的制造方法，其具备单片化工序，在上述配置工序前，在与上述支撑体不同的其他支撑体上，将前驱电子部件进行单片化而获得上述电子部件。
[4]根据上述[1]至[3]中任一项所述的电子部件的制造方法，上述保持层具有通过施加热或照射能量射线而使保持力降低的特性。
[5]根据上述[1]至[3]中任一项所述的电子部件的制造方法，上述保持层包含热膨胀性粒子，且具有通过加热而使保持力降低的特性。
[6]根据上述[1]至[5]中任一项所述的电子部件的制造方法，上述基板为金属制。
[7]根据上述[1]至[6]中任一项所述的电子部件的制造方法，上述支撑体具备贴附于上述基板的一面侧的部件制造用膜，
上述部件制造用膜具备：
树脂制基层；
上述保持层，其设置于上述树脂制基层的一面侧；以及
接合层，其设置于上述树脂制基层的对面侧，且用于将上述部件制造用膜接合于上述基板。
[8]根据上述[1]至[7]中任一项所述的电子部件的制造方法，上述树脂制基层的线热膨胀系数为100ppm/K以下。
[9]根据上述[1]至[8]中任一项所述的电子部件的制造方法，上述树脂制基层的熔点为180℃以上，并且温度160℃下的拉伸弹性模量E'(160)为50MPa以上。
[10]根据上述[1]至[9]中任一项所述的电子部件的制造方法，在上述配置工序中，排列的上述电子部件的个数为100以上。
[11]一种部件制造用膜，其为上述[1]至[10]中任一项所述的电子部件的制造方法中所使用的部件制造用膜，其特征在于，具备：
树脂制基层；
上述保持层，其设置于上述树脂制基层的一面侧；以及
接合层，其设置于上述树脂制基层的对面侧，且用于将本部件制造用膜接合于上述基板。
[12]一种电子部件制造，其为上述[1]至[10]中任一项所述的电子部件的制造方法中所使用的部件制造用具，其特征在于，具备：
上述基板；以及
上述保持层，其设置于上述基板的一面。
发明效果
根据本发明的电子部件的制造方法、该方法中所使用的电子部件制造用膜和电子部件制造用具，能够进行评价效率优异的电子部件的制造。
附图说明
图1是说明本发明中的配置工序和评价工序的说明图。
图2是说明本发明中的部件制造用膜的说明图。
图3是说明本发明中的部件制造用具的说明图。
图4是说明本发明中的单片化工序的说明图。
图5是说明本发明中的配置工序的详细情况的说明图。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边对本发明进行说明。此处所示的事项为例示性事项和用于对本发明的实施方式进行例示性说明的事项，其阐述目的在于提供能够最有效且容易地理解本发明的原理和概念性特征的说明。关于这一点，其为从根本上理解本发明所需要的说明，而并非意图在某种程度以上示出本发明的结构详情，本领域技术人员清楚如何根据与附图相应的说明来实际实现本发明的若干形态。
[1]电子部件的制造方法
本发明的电子部件的制造方法具备(参照图1)：
配置工序，在具有基板21和保持层12的支撑体45上，经由保持层12将多个电子部件31以电极315露出的状态进行排列；以及
评价工序，使露出的电极315与探针同时连接，对配置于支撑体45上的电子部件31中的80个以上的电子部件的电特性进行通电评价。
(1)配置工序
配置工序是在具有基板21和保持层12的支撑体45上，经由保持层12将多个电子部件31以电极315露出的状态进行排列的工序(参照图1(a))。
本发明中，电子部件31包含下述〈A〉和〈B〉。
〈A〉半导体部件：包含将半导体晶片进行单片化(切割)而获得的半导体芯片、硅片等。
〈B〉封装部件：包含从封装阵列进行单片化而得的部件、不经过封装阵列而分别地形成的封装部件等。
需要说明的是，在封装部件中，密封材料没有限定，可以使用有机材料(树脂)和无机材料(陶瓷、结晶化玻璃、玻璃等)。进一步，封装部件包含密封后不进行再配线的部件、密封后进行再配线的扇出方式(eWLB方式)的部件、晶片级芯片尺寸封装(WLCSP)方式的部件。
上述电子部件31具有与外部进行电连接的电极。电极可以仅具有一个，也可以具有多个。能够与外部进行电连接的电极形态没有限定，例如，在半导体部件中，包含焊盘电极、接合用电极、贯通电极的露出面等。另外，在封装部件中，包含焊盘型电极、针型电极、球型电极、引线框型电极等。即，作为封装部件，包含：PGA(Pin Grid Array，针栅阵列)型封装部件、CPGA(Ceramic Pin Grid Array，陶瓷针栅阵列)型封装部件、PPGA(Plastic PinGrid Array，塑料针栅阵列)型封装部件、SPGA(Staggered Pin Grid Array，交错式针栅阵列)型封装部件、BGA(Ball Grid Array，球栅阵列)型封装部件、LGA(Land Grid Array，地栅阵列)型封装部件、QFP(Quad Flat Package，四方扁平封装)型封装部件、PQFP(PlasticQuad Flat Package，塑料四方扁平封装)型封装部件、QFN(Quad Flat Non-leaded，四方扁平无引线)型封装部件、QFJ(Quad Flat J-leaded，四方扁平J引线)型封装部件、PQFJ(Plastic Quad Flat J-leaded，塑料四方扁平J引线)型封装部件、TCP(Tape CarrierPackage，带载封装)型封装部件、CSP(Chip Size Package，芯片尺寸封装)型封装部件等。
需要说明的是，电子部件31在经过配置工序和评价工序之后，与经过这些工序之前相比通常不产生构成上的变化。即，作为测定对象的电子部件31在经过配置工序和评价工序之后也为电子部件31。其中，在本发明的电子部件的制造方法中，在评价工序后经过对电子部件31附加其他构成的其他工序的情况下，作为测定对象的电子部件31可以改称为前驱电子部件31。
在配置工序中，将电子部件31所具有的电极315以露出到外部的状态进行排列，以便能够与外部进行电连接。即，在支撑体45上，经由保持层12，这些电极315以能够与外部进行电连接的方式排列。因此，通常会以电极315不被保持层12保持的方式排列。而且，电极315也可以以向电子部件31的侧方露出的方式配置，但从更容易进行与探针的接触的观点考虑，电极315优选以朝向保持层12的上方的方式排列。即，优选以隔着电子部件31的主体，电极315位于与保持层12相反一侧的方式排列。
在配置工序中，所排列的电子部件31的个数没有限定，由于本方法是对至少80个以上的电子部件31同时进行通电评价，因此所排列的电子部件31的个数通常也为80个以上。该下限个数例如可以设为100个以上，进一步也可以设为300个以上。另一方面，所排列的电子部件31的上限个数没有限定，通常为100,000个以下。该上限个数例如可以设为10,000个以下，进一步可以设为500个以下。具体而言，例如可以设为80个以上且100,000个以下、100个以上且100,000个以下、300个以上且100,000个以下、80个以上且10,000个以下、100个以上且10,000个以下、300个以上且10,000个以下、80个以上且500个以下、100个以上且500个以下、300个以上且500个以下。
电子部件31在支撑体45上排列时，排列于保持层12上。即，保持层12是用于保持电子部件31的层，电子部件31排列于保持层12上。
支撑体45除了具有基板21和保持层12以外没有限定，可以利用后述的本发明的部件制造用膜10(参照图2)和部件制造用具20(参照图3(a)和图3(b))。关于这些，后面详细叙述。
例如，如图5所示，在后述的单片化用支撑体40上配置的电子部件31的情况下，也可以为在配置工序前接受了评价(检查)的电子部件31。该情况下，可以从单片化用支撑体40上仅拾取适合转移到下一工序的电子部件31，并排列于评价用支撑体45上。而且，例如，在仅使单片化用支撑体40上的评价合格的一部分电子部件31转移到评价用支撑体45上的情况下，可以向评价用支撑体45上的空白空间添加其他单片化用支撑体40上的评价合格的电子部件31。如此，能够无浪费地利用评价用支撑体45上的空间来进行同时评价。
(2)评价工序
其为使露出的电极315与探针51同时连接，对配置于支撑体45上的电子部件31中的80个以上的电子部件的电特性进行通电评价的工序(参照图1(b))。此处，各电子部件存在多个电极，但无需分别与全部连接。
如果进一步说明该评价工序，则可以包含将具有露出的电极的电子部件中的80个以上的电子部件的该露出的电极与探针电连接的连接工序。而且，可以包含对与探针电连接的80个以上的电子部件的电特性一并进行通电评价的评价工序。
因此，本发明的电子部件的制造方法可以设为具备如下工序的电子部件的制造方法：
配置工序，在具有基板和保持层的支撑体上，经由上述保持层将多个电子部件以电极露出的状态进行排列；
连接工序，将具有露出的电极的上述电子部件中的80个以上的电子部件的该露出的电极与探针电连接；以及
评价工序，对与上述探针电连接的上述80个以上的电子部件的电特性一并进行通电评价。
探针51是与电子部件31的露出的电极315电接触的构件。探针51的结构没有限定，可以利用公知的结构。例如，可以具备具有电气导通性的通电针、调节该通电针与电极315的抵接力的弹性体(螺旋弹簧、弹性树脂等)、限制该通电针的可动方向的引导部等。
另一方面，电极315包含引线框的外引线电极、针栅电极、球栅电极(焊球)、焊盘电极、以及其他电极形态等。
另外，如上所述，在本方法中，由于使80个以上的电子部件同时连接来进行通电评价，因此探针51需要80组以上。1组中所含的探针数没有限定，至少为1根以上，可以设为10根以上，进一步可以设为100根以上(通常，1组中所含的探针数为10,000根以下)。这些探针51例如可以一体地配备于探针卡50(带探针的基板)。需要说明的是，当然，在通电评价时，可以利用探针51的全部，也可以仅利用一部分。
进行通电评价的电子部件31可以为排列于支撑体45上的全部电子部件中的一部分电子部件31，也可以为全部的电子部件31。可以根据其需求来进行，从制造效率和成本抑制的观点考虑，优选使更多的电子部件31同时连接并进行通电评价。
例如，如图1(b)所示，在评价工序中，可以使设置有多个探针51的探针卡50与从排列于保持层12上的电子部件31露出的电极315接触而进行电连接，并进行在探针51与形成于电子部件31上的电路之间交换的、例如信号的正确与否判定(探针测试)。
此处，露出的电极315与探针51的连接可以在所有的电极315与探针51之间同时进行，例如可以为如下方式等：从探针卡50的中心朝向外周侧而与电极315连接，结果在通电评价时，与80个以上的电子部件31完成电连接的方式；从探针卡50的外周侧朝向中心而与电极315连接，结果在通电评价时，与80个以上的电子部件31完成电连接的方式。即，连接工序可以将电极315与探针51同时连接，也可以将电极315与探针51暂时连接，只要结果上在通电评价开始时之前完成80个以上的电子部件的电极315与探针51之间的电连接即可。
探针卡50的具体构成没有限定，可以使用与同时进行评价的电子部件31的个数、支撑体45上的电子部件31的配置相应的设计的探针卡。尤其是在本方法中利用的评价机构中，可以使用具备能够与80个以上的多个电子部件的多个电极同时连接的大量探针的大型探针卡。此外，如果有需要，为了能够分别进行评价，即，例如可以具有具备能够与一个电子部件的多个电极同时连接的少量探针的小型探针卡。
通电评价的内容、目的等没有限定，例如可以列举动作确认、加速耐久试验等内容、目的。更具体而言，例如包含：能够进行有无断线、短路的评价、输入电压、输出电压和输出电流等的评价的直流通电测试、能够进行输出波形评价的交流通电测试、写入读取运算的可否、速度等的评价、保持时间的评价、相互干扰的评价等功能测试等。即，可以列举封装部件中的最终测试、结构化测试、扫描测试、适应性测试等、半导体部件中的晶片测试、老化测试(burn-in test)等。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
另外，在通电评价中，可以一并进行经电连接的80个以上的电子部件31的评价。该评价可以对80个以上的电子部件31同时进行，也可以逐次进行。即，只要能够在不消除电极315与探针51的电连接的情况下进行80个以上的电子部件31的评价即可。
另外，优选在本制造方法中的评价工序中，能够在电子部件31被加热的状态下进行通电评价。该情况下，例如，作为支撑体45，可以利用在部件制造用具20的保持层12上贴附电子部件31而成的形态的支撑体45。即，将部件制造用具20经由基板21而固定于真空夹盘台(省略图示)。而且，通过从真空夹盘台对部件制造用具20(即，支撑体45)进行加热，能够在加热状态下对电子部件31进行通电评价。
评价工序中的加热状态的温度区域根据电子部件31的用途而不同，没有特别限定。该温度区域的下限例如可以设为50℃以上，进一步可以设为100℃以上，进一步可以设为150℃以上。另一方面，该温度区域的上限通常为250℃以下。
在加热状态下进行通电评价的情况下，例如，如果使用膜状的支撑体作为支撑体，则在变成加热状态的情况下，由于热膨胀，电子部件31的位置可能发生变化。这样的电子部件31的位置变化会产生电子部件31相对于上述探针51的位置偏移，该位置偏移随着电子部件31的同时测定数量变多而变大，尤其是在同时测定数量为80个以上的情况下变得显著。
因此，在本方法中，利用具备基板21的支撑体45。即，作为支撑体45，可例示下述(A)和(B)。
(A)作为支撑体45，具备基板21以及贴附于基板21的一面侧的部件制造用膜10，且部件制造用膜10具备基层(树脂制基层)11、设置于基层11的一面侧的保持层12、以及设置于基层11的对面侧的基板21用的接合层13的构成的支撑体45(参照图3(a))
(B)具备基板21以及设置于基板21的一面侧的保持层12的构成的支撑体45(参照图3(b))
如此，通过支撑体45具备基板21，从而基板21能够以保持电子部件31的位置、尤其是显著地显现出与探针51的相对位置偏移的电子部件31在水平方向上的位置的方式发挥功能。
需要说明的是，在上述(B)中，也可以具备基板21和保持层12以外的构成，可以设为与(A)不同、不具备基层11的构成，进一步，也可以仅由基板21和保持层12构成。
根据这些支撑体45，能够以在加热时也防止电子部件31与探针51的相对位置偏移的方式发挥功能。即，例如，如果为(A)构成的支撑体45，则通过采用将部件制造用膜10贴附于基板21、作为形成部件制造用膜10的基层11而使用耐热树脂、增加基层11的厚度等构成，能够防止电子部件31与探针51的加热时的相对位置偏移。
因此，通过利用上述(A)和/或(B)作为支撑体45，能够在评价工序中，更确实地进行多个电子部件31的同时测定，能够实现制造效率的进一步提高。
(3)其他工序
本方法中，可以具备上述配置工序和评价工序以外的其他工序。关于其他工序，可以列举作为配置工序的前工序的获得经单片化的电子部件31的单片化工序、作为评价工序的后工序的使电子部件31从支撑体45分离的拾取工序等。
上述中，单片化工序是将结合有成为多个电子部件31的要素的前驱部件30(阵列状的电子部件、半导体晶片等)单片化(切割)而获得电子部件31的工序。此时，可以在背面贴附单片化用支撑体40来进行(参照图4)。单片化工序可以使用公知的方法来适宜进行。
在单片化工序中，单片化用支撑体40是以从框体41的背面覆盖其开口的方式贴附，前驱部件30是在该框体41的内侧贴附于单片化用支撑体40上。
单片化工序中所使用的前驱部件30在其表面形成有电极315。关于该电极，如上所述。另外，在半导体部件(晶片)中，通常在其表面形成电路。作为电路，可以列举配线、电容器、二极管和晶体管等。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
另外，在单片化时，在封装部件中，可以以在一个电子部件31内包含至少一个半导体部件(半导体芯片)的方式进行单片化，也可以以在一个电子部件31内包含两个以上的半导体部件(半导体芯片)的方式进行单片化。
需要说明的是，上述封装阵列是将大量半导体芯片(硅片)排列并密封而成的前驱部件30，是指使单片化前的封装部件包含于阵列中的形态。
另一方面，上述中，在仅拆下单片化用支撑体40上的一部分的多个电子部件31的情况、或者在逐个拆下单片化用支撑体40上的电子部件31的情况下，可以将所拆下的电子部件31以在保持单片化用支撑体40上的配置的状态下转印到评价用支撑体45上的方式排列，此外，也可以以与单片化用支撑体40上的配置不同的方式排列于评价用支撑体45上。
如上所述，在以往的评价中，在利用插座(评价用底座)来进行不同电子部件的评价的情况下、在不同种类的电子部件混合存在的情况下等，每次均需要更换插座来变更评价用板的规格。
相对于此，在本方法中，无需利用插座，作为支撑体45，可以利用膜、基板作为电子部件制造用膜、电子部件制造用具。因此，在本方法中，能够抑制与插座利用相伴的夹具成本。
进一步，电子部件31以成为其电极315露出的状态的方式直接排列于支撑体45上之后，可以利用该露出的电极315来评价电子部件31的电特性。因此，不需要变更评价用板的规格，能够抑制工时增加，提高制造效率，实现成本降低。
进一步，插座通常为了规定作为评价对象的电子部件的收纳位置而具有隔壁(侧壁)。因此，在评价用板上，对于一个电子部件，需要占用插座所具备的两个隔壁厚度的空间。因此，如果要使电子部件的一次评价中的评价数量更多，则在测定板上，插座的隔壁所占的面积也变大。即，如果要增多同时评价数量，则具有隔壁的占用面积会增加这样的困境，且具有能够配置的电子部件数难以增多这样的缺点。
相对于此，在本方法中，可以将电子部件31以成为其电极315露出的状态的方式排列于支撑体45上之后，利用该露出的电极315来评价电子部件31的电特性。即，由于不利用插座，因此能够排除隔壁，能够在与隔壁的占用面积相当的区域排列电子部件31。因此，能够同时评价更多的电子部件31。
此外，由于电子部件的收纳位置不会被插座固定，因此在支撑体45上排列的电子部件31的配置自由度高，可以针对每一评价批次，以每次评价数量均多的方式对各种类型的电子部件进行优化计算并进行配置。即，例如，可以以面积效率变得最好的方式排列电子部件31，也可以如后述那样，在利用探针卡的情况下等，以基于探针卡的同时评价数量变多的方式进行优化。
另外，在本发明的方法中，在通电评价时，有效利用探针。例如，可以在以电极315露出的方式排列于支撑体45上的电子部件31的上方配置探针卡，使任一者或两者接近而接触通电来进行评价。
而且，由于电子部件31只要以电极315能够与外部连接的方式露出并进行排列即可，因此能够将各种不同的电子部件自如地排列于支撑体45上。在通电评价时，例如可以利用探针卡以评价数变得最多的方式进行同时评价后，在维持支撑体45的状态下，对无法同时评价的电子部件分别地进行评价。即使在该情况下(即使接针次数增加)，也无需像利用插座的情况那样为了变更评价用板而停止装置，因此能够获得优异的作业效率。
进一步，在需要的情况下，除了探针卡以外，还可以具备能够进行图像取得和基于取得图像进行位置调节的单次测定用的接针评价机构。由此，个数多的类型的电子部件可以利用探针卡进行同时评价，个数少的类型的电子部件可以读取位置并分别地进行评价。
[2]部件制造用膜
本发明的部件制造用膜10(以下，也省略而记载为“膜10”)是为了评价电子部件31的电特性而与基板21的一面侧接合而利用的膜。
该膜10具备树脂制基层11(以下，也省略而记载为“基层11”)、保持层12、以及接合层13(参照图2)。
保持层12是为了将多个电子部件31排列并保持而设置于基层11的一面侧的层。
接合层13是为了将膜10接合于基板21而设置于基层11的对面侧的层。
以下，对膜10的各层进行说明。
(1)基层(树脂制基层)
基层11是出于提高膜10的操作性、机械特性等的目的而设置的层。
基层11中所使用的材料没有特别限定，优选为具有能够耐受后述的评价工序的测定环境的机械强度的材料，尤其优选为能够抑制加热状态下的热膨胀、伸长的材料。通常，基层11的材料可以利用树脂。
作为可以构成基层11的树脂，可以列举选自聚乙烯、聚丙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(1-丁烯)等聚烯烃系树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等芳香族聚酯系树脂；半芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰亚胺等聚酰亚胺系树脂；尼龙-6、尼龙-66、聚己二酰间苯二甲胺等聚酰胺系树脂；聚丙烯酸酯；聚甲基丙烯酸酯；聚氯乙烯；聚醚酰亚胺；聚丙烯腈；聚碳酸酯；聚苯乙烯；离聚物；聚砜；聚醚砜；聚苯醚等中的一种或两种以上的热塑性树脂。
上述树脂中，从抑制评价工序中的加热状态下的位置偏移的观点考虑，在具有熔点的情况下，其熔点优选为180℃以上，更优选为200℃以上，特别优选为220℃以上。另一方面，该熔点例如优选为800℃以下，更优选为600℃以下。具体而言，例如可以设为180℃以上且800℃以下、200℃以上且800℃以下、220℃以上且800℃以下、180℃以上且600℃以下、200℃以上且600℃以下、220℃以上且600℃以下。需要说明的是，该熔点设为基于JISK7121的熔解峰温度。
另外，基层11的线热膨胀系数优选为100ppm/K以下(温度25～150℃时的热膨胀率)。由此，能够更有效地抑制评价工序中的加热状态下的位置偏移。该值通常为5ppm/K以上。该线热膨胀系数进一步优选为90ppm/K以下，更优选为50ppm/K以下。需要说明的是，该热膨胀系数是依据JIS K7197测定的值。
进一步，基层11的温度160℃下的拉伸弹性模量E'(160)优选为50MPa以上。由此，能够更有效地抑制评价工序中的加热状态下的位置偏移。该值通常为5000MPa以下。E'(160)进一步优选为100MPa以上，更优选为200MPa以上。
需要说明的是，该拉伸弹性模量E'(160)可以利用动态粘弹性测定装置(DMA：Dynamic Mechanical Analysis)(制品名：RSA-3，TA仪器公司制)进行测定。具体而言，可以通过如下方式获得：将样品尺寸设为宽10mm、夹盘间的长度20mm，从在频率1Hz、升温速度5℃/分钟的测定条件下在-20℃至200℃进行测定而得的数据中，读取160℃时的数据。
作为能够充分满足上述耐热特性的任一者的树脂，例如可以列举聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺等。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
在上述树脂中，可以添加增塑剂、软化剂(矿物油等)、填充剂(碳酸盐、硫酸盐、钛酸盐、硅酸盐、氧化物(氧化钛、氧化镁)、二氧化硅、滑石、云母、粘土、纤维填料等)、抗氧化剂、光稳定剂、抗静电剂、润滑剂、着色剂等作为添加剂。这些添加剂可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
关于基层11中所使用的膜，无论有无延伸，都可以使用无延伸膜、单轴延伸膜或双轴延伸膜等延伸膜中的任一者。
另外，上述膜可以使用单层膜、具有多层的多层膜中的任一者。
从提高与保持层12和接合层13的粘接性的观点考虑，基层11优选使用经表面处理的膜。作为表面处理的具体例，可以列举电晕处理、等离子体处理、底涂处理、底漆涂布处理等。
基层11的厚度没有特别限定，例如可以设为1μm以上且1000μm以下，可以设为5μm以上且500μm以下，可以设为10μm以上且250μm以下。
(2)保持层
保持层12是用于将多个电子部件31排列并保持的层，例如可以由粘着剂形成。
形成保持层12的粘着剂的粘着力没有特别限定，优选在贴附于硅晶片表面并放置60分钟后从硅晶片表面剥离时的、除了将被粘物设为硅晶片以外依据JIS Z0237所测定的180°剥离粘着力为0.1N/25mm以上且10N/25mm以下。在粘着力为上述范围的情况下，能够确保与电子部件31的良好粘接性。该粘着力进一步更优选为0.2N/25mm以上且9N/25mm以下，进一步优选为0.3N/25mm以上且8N/25mm以下。需要说明的是，上述测定值是另行在38μm厚的双轴延伸PET膜上设置保持层12而测定的值。
从适宜地拾取电子部件31的观点考虑，保持层12优选具有通过施加热或照射能量射线而使保持力降低的特性。
保持层12中所使用的粘着剂没有特别限定，作为具有上述特性的粘着剂，可以列举通过施加热而使粘着力降低或丧失的发泡型粘着剂、通过照射能量射线而使粘着力降低或丧失的能量固化型粘着剂。
发泡型粘着剂和能量固化型粘着剂两者均至少包含粘着主剂。作为该粘着主剂，可以列举丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、橡胶系粘着剂等。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。这些中，优选丙烯酸系粘着剂。
作为丙烯酸系粘着剂，可以列举丙烯酸酯化合物的均聚物、丙烯酸酯化合物与共聚单体的共聚物等。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
另外，作为丙烯酸酯化合物，可以列举丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和丙烯酸2-乙基己酯等。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
进一步，作为共聚单体，可以列举乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺、苯乙烯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸、甲基丙烯酸羟基乙酯、甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、马来酸酐等。
粘着剂除了上述粘着主剂以外，还可以包含交联剂。
作为交联剂，可以列举环氧系交联剂(季戊四醇聚缩水甘油醚等)、异氰酸酯系交联剂(二苯基甲烷二异氰酸酯、甲苯二异氰酸酯、四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、聚异氰酸酯等)。这些交联剂可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
在粘着剂中包含交联剂的情况下，将粘着剂整体设为100质量份时优选将交联剂的含量设为10质量份以下。另外，粘着剂的粘着力可以通过交联剂的含量来调整。具体而言，可以利用日本特开2004-115591号公报中记载的方法。
发泡型粘着剂是通过施加热而发泡，从而能够使保持层12相对于电子部件31的粘着力降低或丧失的粘着剂。这样的发泡型粘着剂可以通过在粘着剂内配合热膨胀性发泡剂(以下，也简称为“发泡剂”)来实现。发泡剂可以以原本的状态直接配合于粘着剂中，也可以通过与粘着剂结合而含有，可以作为将发泡剂封入外壳(微胶囊等)中而成的热膨胀性微小球等热膨胀性粒子来利用。
上述中，热膨胀性粒子的机制没有限定，例如，可以例示下述(1)、(2)。即，(1)通过加热能够使热膨胀性粒子的内包物膨胀，并且通过该加热能够使构成外壳的材料软化，使热膨胀性粒子整体膨胀，使粘着剂内的热膨胀性粒子的体积增大。由此，保持于保持层12的电子部件31与粘着剂的粘着面积降低，能够使保持层12相对于电子部件31的粘着力降低或丧失。另外，(2)通过加热能够使热膨胀性粒子的内包物膨胀，通过该膨胀物而破坏外壳，使粘着剂内的该膨胀物的体积增大。由此，保持于保持层12的电子部件31与粘着剂的粘着面积降低，能够使保持层12相对于电子部件31的粘着力降低或丧失。这些机制可以仅使用任一者，也可以并用。进一步，由热膨胀性粒子引起的粘着力降低或丧失的机制并不限定于上述(1)和(2)。
作为上述发泡剂，可以列举无机系发泡剂、有机系发泡剂。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
其中，作为无机系发泡剂，可以列举碳酸铵、碳酸氢铵、碳酸氢钠、亚硝酸铵、硼氢化钠、各种无机系叠氮化合物(金属叠氮化合物等)、水等。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
另一方面，作为有机系发泡剂，可以列举：三氯单氟甲烷、二氯单氟甲烷等氯氟化烷烃系化合物；偶氮二异丁腈、偶氮二甲酰胺、偶氮二甲酸钡等偶氮系化合物；对甲苯磺酰肼、二苯基砜-3,3'-二磺酰肼、4,4'-氧代双(苯磺酰肼)、烯丙基双(磺酰肼)等肼系化合物；对甲苯磺酰氨基脲、4,4'-氧代双(苯磺酰氨基脲)等氨基脲系化合物；5-吗啉基-1,2,3,4-噻三唑等三唑系化合物；N,N'-二亚硝基五亚甲基四胺、N,N'-二甲基-N,N'-二亚硝基对苯二甲酰胺等N-亚硝基系化合物；有机叠氮化合物；米氏酸衍生物等。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
进一步，尤其是在利用发泡剂作为热膨胀性粒子的情况下，可以通过将异丁烷、丙烷、戊烷等沸点为100℃以下的烷烃类以液体状态封入到外壳内而作为发泡剂来利用。即，可以利用能够加热气化而膨胀的成分。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
另外，作为形成上述外壳的材料，例如可以列举偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚砜等。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
进一步，在使用发泡剂的情况下，其配合量没有限定，例如，在将构成发泡型粘着剂的粘着主剂设为100质量份的情况下，可以将发泡剂(尤其是热膨胀性粒子)配合1质量份以上、进一步5质量份以上、进一步10质量份以上。另一方面，其配合量例如可以设为150质量份以下、进一步130质量份以下、进一步100质量份以下。具体而言，例如可以设为1质量份以上且150质量份以下、5质量份以上且150质量份以下、10质量份以上且150质量份以下、1质量份以上且130质量份以下、5质量份以上且130质量份以下、10质量份以上且130质量份以下、1质量份以上且100质量份以下、5质量份以上且100质量份以下、10质量份以上且100质量份以下。
另外，在发泡型粘着剂中，发泡温度优选设定为超过后述的评价工序中的加热温度的温度。具体而言，发泡温度可以设为超过120℃，可以设为135℃以上，可以设为150℃以上。
另一方面，能量固化型粘着剂是通过对粘着剂进行能量射线照射而能够使粘着剂固化，从而使粘着力降低或丧失的粘着剂。
作为能量射线，可以列举紫外线、电子射线、红外线等。这些能量射线可以仅使用一种，也可以并用两种以上。具体而言，可以列举通过紫外线而固化的紫外线固化型粘着剂。
该能量固化型粘着剂除了上述粘着主剂以外，还可以包含在分子内具有碳-碳双键的化合物(以下，简称为“固化性化合物”)、以及能够与能量射线发生反应而引发固化性化合物的聚合的光聚合引发剂。该固化性化合物优选为在分子中具有碳-碳双键且能够通过自由基聚合而固化的单体、低聚物和/或聚合物。
具体而言，作为固化性化合物，可以列举：三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯等。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
在粘着剂包含固化性化合物的情况下，相对于粘着剂100质量份，固化性化合物的含量优选为0.1～20重量份。
需要说明的是，分子内的碳-碳双键也可以通过在分子内具有上述粘着主剂而含有。即，例如粘着主剂可以设为在侧链上具有碳-碳双键的能量固化型聚合物等。在这样粘着主剂在分子内具有固化性结构的情况下，上述固化性化合物可以配合也可以不配合。
作为光聚合引发剂，优选为能够通过能量射线的照射而生成自由基的化合物。
具体而言，可以列举：苯乙酮系光聚合引发剂{甲氧基苯乙酮等}、α-酮醇化合物{4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基环己基苯基酮等}、缩酮系化合物{苯偶酰二甲基缩酮等}、苯偶因系光聚合引发剂{苯偶因、苯偶因烷基醚类(苯偶因甲醚、苯偶因异丙醚、苯偶因异丁醚)等}、二苯甲酮系光聚合引发剂{二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸等}、芳香族缩酮类{苯偶酰二甲基缩酮等}等。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
在粘着剂包含光聚合引发剂的情况下，相对于粘着剂100质量份，光聚合引发剂的含量优选设为5～15质量份。
保持层12中，从能够良好地拾取在保持层12的表面上浮起的电子部件31的观点、以及与后述的接合层13的兼顾的观点考虑，上述发泡型粘着剂与能量固化型粘着剂中优选发泡型粘着剂，进一步，特别优选利用热膨胀性粒子。
保持层12的厚度没有特别限定，例如，可以设为1μm以上且1000μm以下，进一步可以设为3μm以上且500μm以下，进一步可以设为5μm以上且250μm以下，进一步可以设为10μm以上且150μm以下。
(3)接合层
接合层13是用于将膜10接合于基板21的层，由粘着剂形成。
该接合层13的厚度例如可以设为1μm以上且1000μm以下，进一步可以设为3μm以上且500μm以下，进一步可以设为5μm以上且250μm以下，进一步可以设为10μm以上且150μm以下。
接合层13中所使用的粘着剂如果能够将膜10接合于后述的基板21，则可以使用任一者，没有特别限定。
通常，该粘着剂至少包含粘着主剂。作为该粘着主剂，可以使用与上述保持层12中所列举的粘着主剂同样的粘着主剂。
另外，接合层13的粘着剂可以使用上述保持层12中所列举的能量固化型粘着剂。
尤其是在上述保持层12使用发泡型粘着剂的情况下，可以通过施加热或照射能量射线中的任一者的选择，根据期望来选择剥离对象。
例如，在保持层12使用发泡型粘着剂、接合层13使用能量固化型粘着剂的情况下，在施加热时，可以仅剥离电子部件31，在照射能量射线时，可以在保持着电子部件31的状态下将膜10从基板21剥离。
形成接合层13的粘着剂的粘着力没有特别限定，贴附于不锈钢并放置60分钟后从不锈钢的表面剥离时的、依据JIS Z0237所测定的180°剥离粘着力可以设为0.1N/25mm以上且50N/25mm以下，进一步可以设为0.2N/25mm以上且25N/25mm以下，进一步可以设为0.3N/25mm以上且8N/15mm以下。需要说明的是，上述测定值是另行在38μm厚的双轴延伸PET膜上设置接合层13而测定的值。
(4)其他层
本发明的膜10可以仅包含基层11、保持层12和接合层13，也可以具备其他层。
作为其他层，可以列举提高与粘着剂的界面强度的界面强度提高层、抑制低分子量成分从基层11向保持层12转移的转移防止层等。
它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。
[3]部件制造用具
本发明的部件制造用具20(参照图3(a)和图3(b))是为了在加热状态下对电子部件31的电特性同时进行评价而利用的。部件制造用具20具备基板21、以及保持层12(参照图3(a)和图3(b))。
该保持层12是为了将多个电子部件31排列并保持而设置于基板21的一面侧的层。
具体而言，部件制造用具20可以通过经由上述接合层13将上述膜10接合于基板21的一面侧而构成。
(1)基板
基板21是出于在后述的评价工序中将电子部件31配置于适当的测定位置的目的而设置的。
基板21的材质没有特别限定，优选为在评价工序时不会弯折那样的硬的材质。因此，基板21的材质可以使用不锈钢、铝、铁、铜等金属材料；玻璃、精细陶瓷、硅晶片等非金属无机材料；树脂材料等。它们可以仅使用一种，也可以并用两种以上。需要说明的是，上述中，作为树脂材料，可以列举作为形成构成部件制造用膜10的树脂制基层11(基层11)的材料而列举的各种树脂。
例如，基板21的杨氏模量可以设为10GPa以上。
进一步，基板21的厚度没有限定，例如，可以设为1mm以上且500mm以下，可以设为2mm以上且250mm以下，进一步可以设为3mm以上且150mm以下。
另外，如上所述，如图3(b)所示，部件制造用具20不限于接合上述膜10的结构，也可以在基板21的一面侧仅设置保持层12而构成。
该情况下，保持层12可以使用与上述膜10的保持层12中所使用的粘着剂同样的粘着剂。
产业上的可利用性
本发明的电子部件的制造方法、电子部件制造用膜和电子部件制造用具被广泛用于电子部件的制造用途中。尤其是，具有能够同时测定多个电子部件的特性，可适宜地用于进行生产率优异的部件制造。
符号说明
10：部件制造用膜、
11：基层、
12：保持层、
13：接合层、
20：部件制造用具、
21：基板、
30：前驱部件、
31：电子部件、
315：电极、
40：支撑体(单片化用支撑体)、
41：框体、
45：支撑体(评价用支撑体)、
50：探针卡、
51：探针。

Claims (12)

1.一种电子部件的制造方法，其特征在于，具备：
配置工序，在具有基板和保持层的支撑体上，经由所述保持层将多个电子部件以电极露出的状态进行排列；以及
评价工序，使露出的该电极与探针同时连接，对配置于所述支撑体上的所述电子部件中的80个以上的电子部件的电特性进行通电评价。
2.根据权利要求1所述的电子部件的制造方法，所述评价工序为在所述电子部件被加热的状态下进行所述通电评价的工序。
3.根据权利要求1或2所述的电子部件的制造方法，其具备单片化工序，在所述配置工序前，在与所述支撑体不同的其他支撑体上，将前驱电子部件进行单片化而获得所述电子部件。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电子部件的制造方法，所述保持层具有通过施加热或照射能量射线而使保持力降低的特性。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的电子部件的制造方法，所述保持层包含热膨胀性粒子，且具有通过加热而使保持力降低的特性。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的电子部件的制造方法，所述基板为金属制。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的电子部件的制造方法，所述支撑体具备贴附于所述基板的一面侧的部件制造用膜，
所述部件制造用膜具备：
树脂制基层；
所述保持层，其设置于所述树脂制基层的一面侧；以及
接合层，其设置于所述树脂制基层的对面侧，且用于将所述部件制造用膜接合于所述基板。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的电子部件的制造方法，所述树脂制基层的线热膨胀系数为100ppm/K以下。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的电子部件的制造方法，所述树脂制基层的熔点为180℃以上，并且温度160℃下的拉伸弹性模量E'(160)为50MPa以上。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的电子部件的制造方法，在所述配置工序中，排列的所述电子部件的个数为100以上。
11.一种电子部件制造用膜，其为权利要求1～10中任一项所述的电子部件的制造方法中所使用的部件制造用膜，其特征在于，具备：
树脂制基层；
所述保持层，其设置于所述树脂制基层的一面侧；以及
接合层，其设置于所述树脂制基层的对面侧，且用于将本部件制造用膜接合于所述基板。
12.一种电子部件制造用具，其为权利要求1～10中任一项所述的电子部件的制造方法中所使用的部件制造用具，其特征在于，具备：
所述基板；以及
所述保持层，其设置于所述基板的一面。
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