JP7158567B2 - 電子装置の製造方法 - Google Patents
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Description
このダイシング工程では、例えば、電子部品が粘着性フィルム上に貼り付けられた状態で、電子部品をダイシングして複数の電子部品を得る。
まず、ダイシング工程で用いられるダイシングブレードの先端は、通常、平坦ではなく、半円状や半楕円状、V字状等の先細り形状になっている。そのため、図4(a)に示すように、このようなダイシングブレード60を用いて電子部品70Aを複数の電子部品70Aにダイシングする工程において、ダイシングブレード60の先端を電子部品70Aと粘着性フィルム50Aとの界面まで切り込んだ場合、ダイシングした電子部品70Aの側面が直線状にならない場合があった。
そのため、図4(b)に示すように、ダイシングブレード60の先端を粘着性フィルム50Aまで切り込む必要があった。こうすることで、直線状の良好な側面を有する電子部品70Aを得ることができる。
しかし、ダイシングブレードの先端を粘着性フィルムまで切り込むためには粘着性フィルムの厚みを厚くする必要があった。粘着性フィルムの厚みが厚くなると、粘着性フィルムの柔軟性が低下し、その結果、電子部品が貼り付けられたフィルムを変形させることが困難になり、ダイシングした電子部品のピックアップが上手くできなくなってしまうことが明らかになった。
すなわち、本発明者は、従来の電子装置の製造方法には、直線状の良好な側面を有する電子部品を得ることと、ダイシングした電子部品のピックアップ性とを両立させるという観点において、改善の余地があることを見出した。
電子部品と、上記電子部品に貼り付けられた粘着性フィルムと、を備える構造体を準備する工程(A)と、
上記粘着性フィルムに貼り付けられた状態で、ダイシングブレードにより上記電子部品をダイシングする工程(B)と、を含み、
上記粘着性フィルムが、基材層、中間層および粘着性樹脂層をこの順番に備え、
上記基材層の厚みをX1とし、上記中間層の厚みをX2としたとき、
X2>X1の関係を満たす電子装置の製造方法。
[2]
上記[1]に記載の電子装置の製造方法において、
上記基材層の厚み(X1)が1μm以上100μm以下であり、
上記中間層の厚み(X2)が10μm以上500μm以下である電子装置の製造方法。
[3]
上記[1]または[2]に記載の電子装置の製造方法において、
上記ダイシングブレードの先端が先細り形状である電子装置の製造方法。
[4]
上記[3]に記載の電子装置の製造方法において、
上記ダイシングブレードの先端径をRとしたとき、X2>Rの関係を満たす電子装置の製造方法。
[5]
上記[1]乃至[4]のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記基材層の85℃における貯蔵弾性率E’が50MPa以上10GPa以下であり、かつ、上記中間層の85℃における貯蔵弾性率E’が1MPa以上50MPa未満である電子装置の製造方法。
[6]
上記[1]乃至[5]のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記中間層が熱可塑性樹脂を含む電子装置の製造方法。
[7]
上記[6]に記載の電子装置の製造方法において、
上記熱可塑性樹脂はエチレン・α-オレフィン共重合体およびエチレン・ビニルエステル共重合体からなる群から選択される一種または二種以上の樹脂を含む電子装置の製造方法。
[8]
上記[7]に記載の電子装置の製造方法において、
上記エチレン・ビニルエステル共重合体がエチレン・酢酸ビニル共重合体を含む電子装置の製造方法。
[9]
上記[1]乃至[8]のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記工程(B)の後に、0℃以下または50℃以上の温度環境下、上記粘着性フィルムに貼り付けられた状態で、ダイシングした上記電子部品の特性評価をおこなう工程(C)をさらに含む電子装置の製造方法。
[10]
上記[1]乃至[9]のいずれか一つに記載の電子装置の製造方法において、
上記工程(B)の後に、上記粘着性フィルムから、ダイシングした上記電子部品をピックアップする工程(D)をさらに含む電子装置の製造方法。
[11]
電子部品のダイシング工程に用いられる粘着性フィルムであって、
基材層、中間層および粘着性樹脂層をこの順番に備え、
上記基材層の厚みをX1とし、上記中間層の厚みをX2としたとき、
X2>X1の関係を満たす粘着性フィルム。
[12]
上記[11]に記載の粘着性フィルムにおいて、
上記基材層の厚み(X1)が1μm以上100μm以下であり、
上記中間層の厚み(X2)が10μm以上500μm以下である粘着性フィルム。
[13]
上記[11]または[12]に記載の粘着性フィルムにおいて、
上記基材層の85℃における貯蔵弾性率E’が50MPa以上10GPa以下であり、かつ、上記中間層の85℃における貯蔵弾性率E’が1MPa以上50MPa未満である粘着性フィルム。
[14]
上記[11]乃至[13]のいずれか一つに記載の粘着性フィルムにおいて、
上記中間層が熱可塑性樹脂を含む粘着性フィルム。
[15]
上記[14]に記載の粘着性フィルムにおいて、
上記熱可塑性樹脂はエチレン・α-オレフィン共重合体およびエチレン・ビニルエステル共重合体からなる群から選択される一種または二種以上の樹脂を含む粘着性フィルム。
[16]
上記[15]に記載の粘着性フィルムにおいて、
上記エチレン・ビニルエステル共重合体がエチレン・酢酸ビニル共重合体を含む粘着性フィルム。
以下、本実施形態に係る粘着性フィルム50について説明する。
図1は、本発明に係る実施形態の粘着性フィルム50の構造の一例を模式的に示した断面図である。
そして、本実施形態に係る粘着性フィルム50において、基材層10の厚みをX1とし、中間層20の厚みをX2としたとき、X2>X1の関係を満たす。
よって、本実施形態に係る粘着性フィルム50によれば、直線状の良好な側面を有する電子部品70が得られるとともに、ダイシングした電子部品70を精度よくピックアップすることが可能となる。
基材層10は、粘着性フィルム50の取り扱い性や機械的特性、耐熱性等の特性をより良好にすることを目的として設けられる層である。ここで、本実施形態において、耐熱性とは高温または低温におけるフィルムや樹脂層の寸法安定性を意味する。すなわち、耐熱性に優れるフィルムや樹脂層ほど、高温または低温における膨張や収縮、軟化等の変形や溶融等が起き難いことを意味する。
また、基材層10は、高温または低温で電子部品70の特性評価をおこなう際に、電子部品70の位置ズレが起きるほどの変形や溶融が起きない程度の耐熱性があるものが好ましい。
上記樹脂フィルムを構成する樹脂としては、耐熱性に優れる点から、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル;ナイロン-6、ナイロン-66、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド;ポリイミド;ポリエーテルイミド;ポリアミドイミド;ポリカーボネート;変性ポリフェニレンエーテル;ポリアセタール;ポリアリレート;ポリスルホン;ポリエーテルスルホン;ポリフェニレンスルフィド;ポリエーテルエーテルケトン;フッ素系樹脂;液晶ポリマー;塩化ビニリデン樹脂;ポリベンゾイミダゾール;ポリベンゾオキサゾール;ポリメチルペンテン等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。
このような基材層10を用いると、高温または低温で電子部品70の特性評価をおこなう際の粘着性フィルム50の変形をより一層抑制することができる。
また、基材層10を形成するために使用する樹脂フィルムの形態としては、延伸フィルムであってもよいし、一軸方向または二軸方向に延伸したフィルムであってもよい。
基材層10の85℃における貯蔵弾性率E’は、例えば、基材層10を構成する各成分の種類や配合割合を制御することにより上記範囲内に制御することができる。
また、基材層10の厚み(X1)は、粘着性フィルム50の面内方向の拡張性をより一層良好にする観点から、100μm以下であることが好ましく、75μm以下であることがより好ましく、50μm以下であることがさらに好ましく、40μm以下であることがさらにより好ましく、30μm以下であることが特に好ましい。
基材層10は他の層との接着性を改良するために、表面処理を行ってもよい。具体的には、コロナ処理、プラズマ処理、アンダーコート処理、プライマーコート処理等を行ってもよい。
中間層20は、粘着性フィルム50の粘着性樹脂層30側の可撓性を良好に保ちつつ、ダイシングブレードの先端を切り込むことができるような範囲に粘着性フィルム50の厚さを調整するために設けられる層である。
すなわち、中間層20を設けることにより、直線状の良好な側面を有する電子部品を得ることと、ダイシングした電子部品のピックアップ性とを両立させることができる。
本実施形態に係る熱可塑性樹脂としては中間層20を形成できる樹脂であれば特に限定されないが、例えば、エチレンおよび炭素数3~20のα-オレフィンとを含むエチレン・α-オレフィン共重合体、高密度エチレン系樹脂、低密度エチレン系樹脂、中密度エチレン系樹脂、超低密度エチレン系樹脂、直鎖状低密度ポリエチレン(LLDPE)系樹脂、プロピレン(共)重合体、1-ブテン(共)重合体、4-メチルペンテン-1(共)重合体、エチレン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α-オレフィン・環状オレフィン共重合体、エチレン・α-オレフィン・非共役ポリエン共重合体、エチレン・α-オレフィン・共役ポリエン共重合体、エチレン・芳香族ビニル共重合体、エチレン・α-オレフィン・芳香族ビニル共重合体等のオレフィン系樹脂;エチレン・(メタ)アクリル酸エチル共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸メチル共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸プロピル共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸ブチル共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸ヘキシル共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸-2-ヒドロキシエチル共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸-2-ヒドロキシプロピル共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸グリシジル共重合体等のエチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体;エチレン・酢酸ビニル共重合体、エチレン・プロピオン酸ビニル共重合体、エチレン・酪酸ビニル共重合体、エチレン・ステアリン酸ビニル共重合体等のエチレン・ビニルエステル共重合体;ポリ塩化ビニル;ポリ塩化ビニリデン;ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー;ポリスチレン系熱可塑性エラストマー;ポリウレタン系熱可塑性エラストマー;1,2-ポリブタジエン系熱可塑性エラストマー;トランスポリイソプレン系熱可塑性エラストマー;塩素化ポリエチレン系熱可塑性エラストマー;ポリエステル系エラストマー等から選択される一種または二種以上を用いることができる。
上記エチレン・酢酸ビニル共重合体中の酢酸ビニル単位の含有量は、好ましくは10質量%以上35質量%以下、より好ましくは12質量%以上30質量%以下、さらに好ましくは15質量%以上25質量%以下である。酢酸ビニル単位の含有量がこの範囲にあると、架橋性、柔軟性、耐候性、透明性のバランスにより一層優れる。
酢酸ビニル含有量は、JIS K6730に準拠して測定可能である。
また、中間層20の厚み(X2)は、粘着性フィルム50の粘着性樹脂層30側の可撓性をより一層良好にする観点から、500μm以下であることが好ましく、400μm以下であることがより好ましく、300μm以下であることがさらに好ましく、200μm以下であることがさらにより好ましく、150μm以下であることがさらにより好ましく、130μm以下であることが特に好ましい。
中間層20の85℃における貯蔵弾性率E’は、例えば、中間層20を構成する各成分の種類や配合割合を制御することにより上記範囲内に制御することができる。
中間層20の架橋方法としては中間層20を構成する樹脂を架橋できる方法であれば特に限定されないが、ラジカル重合開始剤による架橋;硫黄や硫黄系化合物による架橋;紫外線や電子線、γ線等の放射線による架橋等の架橋方法が挙げられる。これらの中でも電子線による架橋が好ましい。
ラジカル重合開始剤による架橋は、中間層20を構成する樹脂の架橋に用いられているラジカル重合開始剤を用いることができる。ラジカル重合開始剤としては、公知の熱ラジカル重合開始剤、光ラジカル重合開始剤およびこれらを併用することができる。
硫黄や硫黄系化合物を用いて中間層20を架橋する場合には、中間層20に加硫促進剤、加硫促進助剤等を配合して架橋をおこなってもよい。
また、いずれの架橋方法においても中間層20に架橋助剤を配合して中間層20の架橋をおこなってもよい。
粘着性樹脂層30は粘着性フィルム50を電子部品70に貼り付ける際に、電子部品70の表面に接触して粘着する層である。
放射線架橋型粘着剤としては、紫外線架橋型粘着剤が好ましい。
また、(メタ)アクリル系共重合体を構成するコモノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、(メタ)アクリルニトリル、(メタ)アクリルアマイド、スチレン、(メタ)アクリル酸、イタコン酸、(メタ)アクリルアマイド、メチロール(メタ)アクリルアマイド、無水マレイン酸等が挙げられる。これらのコモノマーは一種単独で用いてもよく、二種以上を併用して用いてもよい。
なお、粘着剤が、ポリマーの側鎖に炭素-炭素二重結合を有する放射線架橋型ポリマーである場合は、架橋性化合物を加えなくてもよい。
粘着剤塗布液を塗布する方法としては、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコーター法、リバースロールコーター法、グラビアロール法、バーコート法、コンマコーター法、ダイコーター法等が採用できる。塗布された粘着剤の乾燥条件には特に制限はないが、一般的には、80~200℃の温度範囲において、10秒~10分間乾燥することが好ましい。更に好ましくは、80~170℃において、15秒~5分間乾燥する。架橋剤と粘着剤との架橋反応を十分に促進させるために、粘着剤塗布液の乾燥が終了した後、40~80℃において5~300時間程度加熱してもよい。
本実施形態に係る粘着性フィルム50は、粘着性樹脂層30上に離型フィルムをさらに積層させてもよい。離型フィルムとしては、例えば、離型処理が施されたポリエステルフィルム等が挙げられる。
次に、本実施形態に係る粘着性フィルム50の製造方法の一例について説明する。
本実施形態に係る粘着性フィルム50は、例えば、基材層10の一方の面に中間層20を押出しラミネート法によって形成し、中間層20上に粘着剤塗布液を塗布し乾燥させることによって、粘着性樹脂層30を形成することにより得ることができる。
また、基材層10と中間層20とは共押出成形によって形成してもよいし、フィルム状の基材層10とフィルム状の中間層20とをラミネート(積層)して形成してもよい。
次に、本実施形態に係る電子装置の製造方法について説明する。
図2および図3は、本発明に係る実施形態の電子装置の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。
本実施形態に係る電子装置の製造方法は、以下の2つの工程を少なくとも備えている。
(A)電子部品70と、電子部品70に貼り付けられた粘着性フィルム50と、を備える構造体100を準備する工程
(B)粘着性フィルム50に貼り付けられた状態で、ダイシングブレードにより電子部品70をダイシングする工程
そして、本実施形態に係る電子装置の製造方法では、粘着性フィルム50として、前述した、基材層10、中間層20および粘着性樹脂層30をこの順番に備え、基材層10の厚みをX1とし、中間層20の厚みをX2としたとき、X2>X1の関係を満たす粘着性フィルムを使用する。
はじめに、電子部品70と、電子部品70に貼り付けられた粘着性フィルム50と、を備える構造体100を準備する。
粘着性フィルム50に貼り付ける電子部品70としては、例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム-ヒ素、ガリウム-リン、ガリウム-ヒ素-アルミニウム等の半導体基板(例えば、ウェハ);モールドアレイパッケージ基板、ファンアウトパッケージ基板、ウエハレベルパッケージ基板等の複数の半導体チップを封止樹脂にて一括封止された状態のパッケージ基板等が挙げられる。
また、半導体基板としては、表面に回路が形成された半導体基板を用いることが好ましい。
貼り付け時の粘着性フィルム50および電子部品70の温度には特に制限はないが、25℃~80℃が好ましい。
また、貼り付け時の粘着性フィルム50と電子部品70との圧力については特に制限はないが、0.3MPa~0.5MPaが好ましい。
次に、粘着性フィルム50に貼り付けられた状態で、ダイシングブレードにより電子部品70をダイシングして複数の電子部品70を得る。
ここでいう「ダイシング」は、電子部品70を分断し、複数の分断された電子部品70を得る操作をいう。
上記ダイシングは、例えば、先端が先細り形状であるダイシングブレードを用いて行うことができる。
本実施形態に係る電子装置の製造方法において、工程(B)の後に、0℃以下または50℃以上の温度環境下、粘着性フィルム50に貼り付けられた状態で、ダイシングした電子部品70の特性評価をおこなう工程(C)をさらにおこなってもよい。
電子部品70の特性評価は、例えば、電子部品70の動作確認テストであり、図3(c)に示すように、プローブ端子95を有するプローブカード92を用いておこなうことができる。
例えば、電子部品70の端子75に対して、プローブカード92を介してテスタに接続されたプローブ端子95を接触させる。これにより、電子部品70とテスタとの間で、動作電力や動作試験信号等の授受を行い、電子部品70の動作特性の良否等を判別することができる。
例えば、構造体100を恒温槽やオーブンに入れるか、または試料台90に設けられたヒーターで加熱することによって、上記の温度環境下とすることができる。
本実施形態に係る電子装置の製造方法において、工程(B)あるいは工程(C)の後に、粘着性フィルム50から、ダイシングした電子部品70をピックアップする工程(D)をさらにおこなってもよい。
このピックアップにより、粘着性フィルム50から電子部品70を剥離することができる。電子部品70のピックアップは、公知の方法で行うことができる。
本実施形態に係る電子装置の製造方法において、工程(D)の前に粘着性フィルム50に対して放射線を照射し、粘着性樹脂層30を架橋させることで、電子部品70に対する粘着性樹脂層30の粘着力を低下させる工程(E)をさらにおこなってもよい。
工程(E)をおこなうことで、粘着性樹脂層30から電子部品70を容易にピックアップすることができる。また、粘着性樹脂層30を構成する粘着成分により電子部品70の表面が汚染されることを抑制することができる。
放射線は、例えば、粘着性フィルム50の粘着性樹脂層30側の面とは反対側の面から照射される。
放射線として紫外線を用いる場合、粘着性フィルム50に対して照射する紫外線の線量は、100mJ/cm2以上が好ましく、350mJ/cm2以上がより好ましい。
紫外線の線量が上記下限値以上であると、粘着性樹脂層30の粘着力を十分に低下させることができ、その結果、電子部品70表面に糊残りが発生することをより抑制することができる。
また、粘着性フィルム50に対して照射する紫外線の線量の上限は特に限定されないが、生産性の観点から、例えば、1500mJ/cm2以下であり、好ましくは1200mJ/cm2以下である。
紫外線照射は、例えば、高圧水銀ランプやLEDを用いておこなうことができる。
本実施形態に係る電子装置の製造方法は、上記以外のその他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、電子装置の製造方法において公知の工程を用いることができる。
20 中間層
30 粘着性樹脂層
50 粘着性フィルム
50A 粘着性フィルム
60 ダイシングブレード
70 電子部品
70A 電子部品
75 端子
90 試料台
92 プローブカード
95 プローブ端子
100 構造体
Claims (5)
- 電子部品と、前記電子部品に貼り付けられた粘着性フィルムと、を備える構造体を準備する工程(A)と、
前記粘着性フィルムに貼り付けられた状態で、ダイシングブレードにより前記電子部品をダイシングする工程(B)と、を含み、
前記粘着性フィルムが、基材層、中間層および粘着性樹脂層をこの順番に備え、
前記基材層の厚みをX1とし、前記中間層の厚みをX2としたとき、
X2>X1の関係を満たし、
前記ダイシングブレードの先端が先細り形状であり、
前記ダイシングブレードの先端径をRとしたとき、X 2 >Rの関係を満たし、
前記基材層の85℃における貯蔵弾性率E’が50MPa以上10GPa以下であり、かつ、前記中間層の85℃における貯蔵弾性率E’が1MPa以上50MPa未満であり、
前記中間層が熱可塑性樹脂を含み、前記熱可塑性樹脂はエチレン・α-オレフィン共重合体およびエチレン・ビニルエステル共重合体からなる群から選択される一種または二種以上の樹脂を含む電子装置の製造方法。 - 請求項1に記載の電子装置の製造方法において、
前記基材層の厚み(X1)が1μm以上100μm以下であり、
前記中間層の厚み(X2)が10μm以上500μm以下である電子装置の製造方法。 - 請求項1または2に記載の電子装置の製造方法において、
前記エチレン・ビニルエステル共重合体がエチレン・酢酸ビニル共重合体を含む電子装置の製造方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記工程(B)の後に、0℃以下または50℃以上の温度環境下、前記粘着性フィルムに貼り付けられた状態で、ダイシングした前記電子部品の特性評価をおこなう工程(C)をさらに含む電子装置の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電子装置の製造方法において、
前記工程(B)の後に、前記粘着性フィルムから、ダイシングした前記電子部品をピックアップする工程(D)をさらに含む電子装置の製造方法。
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