TW201429710A - 玻璃積層體及其製造方法、以及附聚矽氧樹脂層之支持基材 - Google Patents

玻璃積層體及其製造方法、以及附聚矽氧樹脂層之支持基材 Download PDF

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Abstract

本發明係有關於一種玻璃積層體，其依序具有支持基材、聚矽氧樹脂層及玻璃基板，且支持基材與前述聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度大於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度，並且聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，而以奈米壓痕法測得之前述聚矽氧樹脂層的彈性率為0.5~2.5MPa。

Description

玻璃積層體及其製造方法、以及附聚矽氧樹脂層之支持基材 發明領域
本發明係有關於玻璃積層體及其製造方法，特別是有關於具有展現預定彈性率之聚矽氧樹脂層的玻璃積層體及其製造方法。
又，本發明係有關於附聚矽氧樹脂層之支持基材，特別是有關於玻璃基板以可剝離的方式積層於其表面的附聚矽氧樹脂層之支持基材及其製造方法。
發明背景
近年來，太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)等裝置(電子機器)的薄型化及輕量化在進行，用於該等裝置之玻璃基板的薄板化亦正進行中。若玻璃基板之強度因薄板化而不足，則於裝置之製造步驟中，玻璃基板之操作性便會降低。
故過去以來，廣泛採用以下方法：於厚度大於最終厚度之玻璃基板上形成裝置用構件(例如，薄膜電晶體)後，藉由化學蝕刻處理而使玻璃基板薄板化。
但是，在此方法中，例如，在將1片玻璃基板的厚度由 0.7mm薄板化至0.2mm或0.1mm時，會以蝕刻液將原本玻璃基板的大半材料削去，故就生產性或原材料使用效率等觀點來說是欠佳的。又，上述利用化學蝕刻的玻璃基板進行薄板化方法中，於玻璃基板表面存在微細之傷痕之情形時，可能會有因蝕刻處理而以傷痕為起點形成微細之凹坑(Etch pit，蝕斑)並成為光學缺陷之情況。
最近，為了應對上述課題，有人提出下述方法：準備積層有薄板玻璃基板與補強板的玻璃積層體，於玻璃積層體之薄板玻璃基板上形成顯示裝置等電子裝置用構件後，將支持板從薄板玻璃基板分離(例如，專利文獻1)。補強板係具有支持板以及固定於該支持板上的聚矽氧樹脂層，且聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板係以可剝離的方式密接。讓玻璃積層體之聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板之界面剝離，而從薄板玻璃基板分離的補強板可與新的薄板玻璃基板積層，作為玻璃積層體再利用。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：國際公開第2007/018028號
發明概要
關於專利文獻1所記載的玻璃積層體，近年來逐漸要求更高的耐熱性。隨著玻璃積層體之玻璃基板上所形成之電子裝置用構件的高機能化及複雜化，形成電子裝置 用構件時的溫度變得更加高溫，同時，需要長時間暴露在該高溫下的狀況亦不少見。又，所使用的玻璃基板也已更為薄膜化，故其操作性變得困難。
專利文獻1所記載的玻璃積層體係可耐受在大氣中300℃、1小時的處理。但是，據本發明人等的探討，參照專利文獻1，在對使用了較厚的薄型玻璃基板的玻璃積層體進行360℃、1小時的處理的狀況下，則在將玻璃基板從聚矽氧樹脂層表面剝離時，會有玻璃基板未能從樹脂層表面剝除而其一部份遭破壞、或樹脂層的部份樹脂殘留在玻璃基板上，結果導致電子裝置的生產性低下。
本發明係有鑑於上述課題而作成者，其目的在於提供一種玻璃積層體及其製造方法，該玻璃積層體即使在高溫加熱處理後，仍可抑制玻璃基板與聚矽氧樹脂層之剝離強度的上升，而可輕易地將玻璃基板剝離。
又，本發明之目的亦在於提供一種用於製造該玻璃積層體的附聚矽氧樹脂層之支持基材。
本發明人等為解決上述課題致力進行開發的結果，遂完成本發明。
即，本發明之第1態樣係一種玻璃積層體，其依序具有支持基材、聚矽氧樹脂層及玻璃基板，且支持基材與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度大於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度，並且聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，而以奈米壓痕法測得之聚矽 氧樹脂層的彈性率為0.5~2.5MPa。
於第1態樣中，交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，係使具有烯基之有機聚矽氧烷與具有氫矽基之有機聚矽氧烷起反應而獲得之交聯物為宜。
於第1態樣中，烯基與前述氫矽基的混合莫耳比(烯基莫耳數/氫矽基莫耳數)係1/1~1/0.8為宜。
於第1態樣中，聚矽氧樹脂層係更包含聚矽氧油為宜。
於第1態樣中，聚矽氧樹脂層的厚度係2~100μm為宜。
於第1態樣中，支持基材係玻璃板為宜。
本發明之第2態樣係一種製造第1態樣之玻璃積層體的方法，其係於支持基材之單面形成含交聯性有機聚矽氧烷之層，且在支持基材面上使交聯性有機聚矽氧烷交聯而形成聚矽氧樹脂層，接著在聚矽氧樹脂層之表面積層玻璃基板。
本發明之第3態樣係一種附聚矽氧樹脂層之支持基材，其具有支持基材及設於支持基材面上的聚矽氧樹脂層，而聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，並且以奈米壓痕法測得之前述聚矽氧樹脂層的彈性率為0.5~2.5MPa。。
依據本發明，可提供一種玻璃積層體及其製造方法，其即使在高溫加熱處理後，仍能抑制玻璃基板與聚矽氧樹脂層之剝離強度的上升，而可輕易地將玻璃基板剝離。
又，依據本發明，亦可提供一種使用於製造該玻璃積層體的附聚矽氧樹脂層之支持基材。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基材
14‧‧‧聚矽氧樹脂層
14a‧‧‧聚矽氧樹脂層之第1主面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧附聚矽氧樹脂層之支持基材
20‧‧‧電子裝置用構件
22‧‧‧附電子裝置用構件之積層體
24‧‧‧附構件之玻璃基板
圖1係本發明之玻璃積層體之一實施形態的示意性剖面圖。
圖2(A)~圖2(D)係依步驟順序顯示本發明之附構件之玻璃基板之製造方法之一實施形態的示意性剖面圖。
用以實施發明之形態
以下，參照圖式就用以實施本發明之形態加以說明，惟本發明並不受限於以下實施形態，在未脫離本發明之範圍下，可對以下實施形態施加各種變化及替代。
本發明之玻璃積層體，係依序具有支持基材、聚矽氧樹脂層及玻璃基板。亦即，在支持基材與玻璃基板之間有聚矽氧樹脂層，從而，聚矽氧樹脂層之一側係與支持基材相接，另一側則與玻璃基板相接。
本發明之玻璃積層體的特徵點之一，可舉如以奈米壓痕法測得之聚矽氧樹脂層的彈性率在預定範圍內此一特點。特別是，形成於支持基材上的聚矽氧樹脂層之彈性率在預定範圍內。彈性率在預定範圍內的聚矽氧樹脂層，與習知的聚矽氧樹脂層相比較為柔軟。若使用此種柔軟的聚矽氧樹脂層，便對配置在該聚矽氧樹脂層上的玻璃基板有一定程度的密接以防止其位置偏移，而可較輕易將玻璃基板剝離。雖不清楚獲得如上述特性的詳細理由，但推測如下。 首先，當玻璃基板積層於聚矽氧樹脂層上時，由於聚矽氧樹脂層是柔軟的所以會順著玻璃基板表面的形狀而變形，則聚矽氧樹脂層與玻璃基板之間不會有空隙等發生，而聚矽氧樹脂層與玻璃基板能良好地密接。又，在高溫加熱處理後，將玻璃基板從聚矽氧樹脂層剝離時，由於聚矽氧樹脂層容易變形故亦能避免對玻璃基板局部地施加應力，結果可以輕易地將玻璃基板剝離。
圖1係本發明之玻璃積層體之一例的示意性剖面圖。
如圖1所示，玻璃積層體10，係支持基材12、玻璃基板16及存在於其等之間之聚矽氧樹脂層14的積層體。聚矽氧樹脂層14，其一面係與支持基材12相接，同時其另一面係與玻璃基板16的第1主面16a相接。換言之，聚矽氧樹脂層14係與玻璃基板16的第1主面16a相接。
由支持基材12及聚矽氧樹脂層14構成的2層部分，係於製造液晶面板等的電子裝置用構件之構件形成步驟中補強玻璃基板16。另，為了玻璃積層體10的製造而預先製造的由支持基材12與聚矽氧樹脂層14構成之2層部分，係稱為附聚矽氧樹脂層之支持基材18。
該玻璃積層體10，係使用到後述的構件形成步驟為止。亦即，該玻璃積層體10，係使用到在該玻璃基板16第2主面16b表面上形成液晶顯示裝置等電子裝置用構件為止。之後，形成有電子裝置用構件的玻璃積層體會分離成附聚矽氧樹脂層之支持基材18與附電子裝置用構件之玻璃 基板，而附聚矽氧樹脂層之支持基材18不會成為構成電子裝置的部分。故可讓新的玻璃基板16積層於附聚矽氧樹脂層之支持基材18，作為新的玻璃積層體10而再利用。
支持基材12與聚矽氧樹脂層14的界面具有剝離強度(x)，若於支持基材12與聚矽氧樹脂層14的界面施加超過剝離強度(x)之拉開方向的應力，則支持基材12與聚矽氧樹脂層14之界面會剝離。聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面係具有剝離強度(y)，若於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面施加超過剝離強度(y)之拉開方向的應力，則聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面會剝離。
玻璃積層體10(亦意指後述之附電子裝置用構件之積層體)之中，上述剝離強度(x)係大於(高於)上述剝離強度(y)。因此，若對玻璃積層體10施加將支持基材12與玻璃基板16拉開之方向的應力，則本發明之玻璃積層體10，會於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16的界面剝離而分離成玻璃基板16與附聚矽氧樹脂層之支持基材18。
換言之，聚矽氧樹脂層14係固定於支持基材12上而形成附聚矽氧樹脂層之支持基材18，而玻璃基板16係於聚矽氧樹脂層14上以可剝離之方式密接。
剝離強度(x)宜充分高於剝離強度(y)。提高剝離強度(x)，意味著提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12的附著力，並且能夠在加熱處理後仍對玻璃基板16維持相對高的附著力。
為能提高聚矽氧樹脂層14對支持基材12的附著力，如 後述一般，宜使交聯性有機聚矽氧烷在支持基材12上作交聯硬化而形成聚矽氧樹脂層14。藉交聯硬化時的接著力，可形成以高結合力結合了支持基材12的聚矽氧樹脂層14。
另一方面，交聯硬化後之交聯性有機聚矽氧烷硬化物對玻璃基板16的結合力，較上述交聯硬化時產生的結合力更低是很普遍的。因此，在支持基材12上使交聯性有機聚矽氧烷交聯硬化而形成聚矽氧樹脂層14，之後於聚矽氧樹脂層14之面上積層玻璃基板16而製造玻璃積層體10，係為適宜的。
作為本發明第1態樣的玻璃積層體，係依序具有支持基材、聚矽氧樹脂層及玻璃基板，且支持基材與前述聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度大於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度，而聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，並且以奈米壓痕法測得之聚矽氧樹脂層的彈性率為0.5~2.5MPa。
以下，先就構成玻璃積層體10之各層(支持基材12、玻璃基板16、聚矽氧樹脂層14)加以詳述，之後，詳述關於玻璃積層體及附電子裝置用構件之玻璃基板的製造方法。
[支持基材]
支持基材12，係支持玻璃基板16而予以補強，在後述之構件形成步驟(製造電子裝置用構件的步驟)中於電子裝置用構件製造之時，防止玻璃基板16的變形、受傷及破損等。
作為支持基材12，可使用例如玻璃板、塑膠板、SUS板等金屬板等。通常，構件形成步驟伴隨有熱處理，故支持基材12係以和玻璃基板16之平均線膨張係數差距小的材料所形成者為宜，且以和玻璃基板16相同材料所形成者較佳，並且支持基材12宜為玻璃板。尤其，支持基材12宜為和玻璃基板16相同的玻璃材料所構成的玻璃板。
支持基材12的厚度，可較玻璃基板16更厚，亦可更薄。宜根據玻璃基板16的厚度、聚矽氧樹脂層14的厚度、及玻璃積層體10的厚度，來選擇支持基材12的厚度。例如，現行之構件形成步驟係經設計以處理厚度0.5mm之基板者，當玻璃基板16的厚度與聚矽氧樹脂層14的厚度合計為0.1mm時，係使支持基材12的厚度為0.4mm。支持基材12的厚度，一般而言，宜為0.2~5.0mm。
當支持基材12為玻璃板時，從易於操作、不易破裂等理由來看，玻璃板的厚度宜為0.08mm以上。又，於電子裝置用構件形成之後，在剝離時需要不會破裂地適度撓曲般的剛性，由此理由來看，玻璃板的厚度係1.0mm以下為宜。
支持基材12與玻璃基板16在25~300℃下的平均線膨張係數差值，宜為500×10-7/℃以下，較佳係300×10-7/℃以下，更佳係200×10-7/℃以下。若上述平均線膨張係數的差值過大，則在構件形成步驟中的加熱冷卻時，玻璃積層體10可能會大幅反曲，而支持基材12與玻璃基板16可能會剝離。支持基材12的材料和玻璃基板16的材料相同時， 可抑制此類問題的發生，故支持基材宜為玻璃板。
[玻璃基板]
玻璃基板16，其第1主面16a係與聚矽氧樹脂層14相接，而在與聚矽氧樹脂層14側相反側的第2主面16b上係設有電子裝置用構件。
玻璃基板16的種類，可為一般常用者，可舉例如，LCD、OLED等顯示裝置用的玻璃基板等。玻璃基板16在耐藥品性、耐透濕性方面優良，而且熱收縮率低。使用JIS R 3102(1995年修正)所規範之平均線膨張係數，作為熱收縮率的指標。
若玻璃基板16的平均線膨張係數高，則由於構件形成步驟多半伴隨有加熱處理，容易產生各種不良狀況。例如，在玻璃基板16上形成TFT時，若將在加熱下形成有TFT的玻璃基板16冷卻，則因為玻璃基板16的熱收縮，TFT的位置偏移可能會變得過大。
玻璃基板16，係將玻璃原料熔融，並使熔融玻璃成形為板狀而得。此類成形方法，可為一般方法者，例如，可使用浮製玻板法、熔融法、狹縫下拉法、垂直引上法、魯伯法(Lubbers process)等。另外，尤其是厚度小的玻璃基板16，可利用下述方法(再拉法，redraw process)成形而得：將暫時成形為板狀的玻璃加熱至能夠成形的溫度，以拉伸等手段伸展而减薄。
作為玻璃基板16的玻璃，並無特別限定，惟宜為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高氧化矽玻璃、 其它以氧化矽為主成分的氧化物系玻璃等。作為氧化物系玻璃，宜為以氧化物換算之氧化矽含量為40~90質量%的玻璃。
作為玻璃基板16的玻璃，係採用適合於諸如電子裝置用構件的種類、或其製造步驟等的玻璃。例如，液晶面板用的玻璃基板，由於鹼金屬成分的溶出容易給液晶帶來影響，故由實質上不含鹼金屬成分的玻璃(無鹼玻璃)構成(惟通常含有鹼土類金屬成分)。如此，玻璃基板16的玻璃係基於所適用之裝置種類及其製造步驟來作適宜選擇。
玻璃基板16的厚度，從玻璃基板16的薄型化及/或輕量化的觀點，宜為0.3mm以下，較佳為0.20mm以下，更佳為0.15mm以下，特佳為0.10mm以下。為0.3mm以下時，能夠對玻璃基板16賦予良好的可撓性。為0.15mm以下時，能夠將玻璃基板16捲取成卷狀。
又，從容易製造玻璃基板16、容易操作玻璃基板16等理由出發，玻璃基板16的厚度宜為0.03mm以上。
另外，玻璃基板16可由2層以上所構成，此時，形成各個層的材料可為同種材料，亦可為異種材料。又，此時，「玻璃基板16的厚度」意指所有層的合計厚度。
[聚矽氧樹脂層]
聚矽氧樹脂層係實質上由聚矽氧樹脂構成，且該聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，以奈米壓痕法測得之聚矽氧樹脂層的彈性率為0.5~2.5MPa。支持基材與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度，係大於聚矽氧樹脂層與玻 璃基板之界面的剝離強度。
聚矽氧樹脂層14，係防止玻璃基板16的位置偏移到進行將玻璃基板16與支持基材12分離的操作為止，同時防止玻璃基板16等因分離操作而破損。聚矽氧樹脂層14之與玻璃基板16相接的表面(聚矽氧樹脂層的第1主面)14a，係以可剝離的方式密接於玻璃基板16的第1主面16a。另一方面，聚矽氧樹脂層14係固定於支持基材12上。因此，聚矽氧樹脂層14係以弱結合力與玻璃基板16的第1主面16a結合，而其界面之剝離強度(y)，係較聚矽氧樹脂層14與支持基材12之間的界面剝離強度(x)更低。
即，在使玻璃基板16與支持基材12分離時，係在玻璃基板16的第1主面16a與聚矽氧樹脂層14的界面剝離，而在支持基材12與聚矽氧樹脂層14的界面不易剝離。因此，雖然聚矽氧樹脂層14係與玻璃基板16之第1主面16a密接，但具有能夠輕易將玻璃基板16剝離的表面特性。亦即，聚矽氧樹脂層14，對玻璃基板16之第1主面16a係以一定程度的結合力結合，來防止玻璃基板16的位置偏移等的同時，在將玻璃基板16剝離時以不會破壞玻璃基板16，而能夠輕易剝離之程度的結合力結合。本發明中，將該聚矽氧樹脂層14表面之能夠輕易剝離的性質稱為剝離性。另一方面，支持基材12之第1主面與聚矽氧樹脂層14係以相對難以剝離的結合力結合。
另外，聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面的結合力，可在玻璃積層體10之玻璃基板16的面(第2主面16b)上形成 電子裝置用構件的前後有所變化(亦即，剝離強度(x)或剝離強度(y)可變化)。但是，即使在形成電子裝置用構件之後，剝離強度(y)仍較剝離強度(x)更低。
聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16，認為係以源自弱接著力或凡得瓦耳力之結合力而結合。當形成聚矽氧樹脂層14後、在其表面積層玻璃基板16時，如果聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂充分交聯到不會展現接著力的程度時，咸認係以源自凡得瓦耳力的結合力作結合。但是，聚矽氧樹脂層14的聚矽氧樹脂，不少是具有一定程度的弱接著力者。即使在例如接著性極低的情況下，於玻璃積層體10製造後、在該積層體上形成電子裝置用構件時，咸認仍因加熱操作等，聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂會黏著於玻璃基板16面，而使聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間的結合力上升。
依情況，亦可進行使積層前之聚矽氧樹脂層14表面、或積層前之玻璃基板16之第1主面16a兩者間結合力弱化的處理而進行積層。藉由在積層面進行非接著性處理等之後再積層，可使聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之界面的結合力弱化，降低剝離強度(y)。
又，聚矽氧樹脂層14，係以接著力或黏著力等強結合力結合於支持基材12表面。例如，如上所述，可藉由使交聯性有機聚矽氧烷在支持基材12表面行交聯硬化，使作為交聯物的聚矽氧樹脂接著於支持基材12表面，而獲得高結合力。又，可施加使支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間產生強結合力的處理(例如，使用偶合劑的處理)，來 提高支持基材12表面與聚矽氧樹脂層14之間的結合力。
聚矽氧樹脂層14與支持基材12以高結合力結合，意指兩者之界面剝離強度(x)高。
以奈米壓痕法測得之聚矽氧樹脂層14之彈性率為0.5~2.5MPa。其中，以玻璃基板16之剝離性更良好的觀點，係0.5~2.0MPa為宜，0.5~1.2MPa較佳。
在聚矽氧樹脂層14之彈性率未達0.5MPa時、以及聚矽氧樹脂層14發生破壞而超過2.5MPa時，玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14會難以剝離。另外，上述彈性率，係將在聚矽氧樹脂層14表面之任意5處以上的點測得之彈性率作算術平均而得到的平均值。
要使以奈米壓痕法測得之彈性率在上述範圍，如後所述，可藉由以特定聚矽氧樹脂層作為聚矽氧樹脂層、使聚矽氧樹脂層中包含聚矽氧油、聚矽氧樹脂層之形成方法等來作控制。
本發明之中利用奈米壓痕法之彈性率測定方法，係藉著組合JKR(Johnson-Kendall-Roberts)解析與使用原子力顯微鏡之力測試，而獲得彈性率(楊氏率)。該方式，係使懸臂對試樣面垂直移動，並對懸臂位置測定荷重。對懸臂的彈性常數而言非常硬的試樣，不會發生試樣變形，但柔軟的試樣會因應荷重而試樣發生變形，利用此點，得到荷重與試樣變形量的關係。在壓痕小、試樣柔軟的範圍中，JKR解析為最適化。
有關上述彈性率測定方法的細節，係揭示於高分子論 文集Vol.69，No.7，435~442。另外，關於彈性率的測定程序，係於後述的實施例節詳述。
聚矽氧樹脂層14的厚度沒有特別限制，惟以2~100μm為宜，3~50μm較佳，7~20μm更佳。若聚矽氧樹脂層14的厚度在這樣的範圍下，則即使有氣泡或異物等介於聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間，仍可抑制玻璃基板16的歪曲缺陷的發生。又，若聚矽氧樹脂層14的厚度過厚，則為了形成而需要花費時間及材料故並不經濟，且可能耐熱性低下。又，若聚矽氧樹脂層14的厚度過薄，則可能聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之密接性會降低。
另外，聚矽氧樹脂層14可由2層以上所構成。此時「聚矽氧樹脂層14的厚度」係意指所有層的合計厚度。
又，當聚矽氧樹脂層14係由2層以上所構成時，形成各層的樹脂可為相異的交聯聚矽氧樹脂。
聚矽氧樹脂層14所含聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷的交聯物，通常係形成3維網目結構。
交聯性有機聚矽氧烷的種類沒有特別限制，只要是通過預定交聯反應作交聯硬化，而成為構成聚矽氧樹脂的交聯物(硬化物)，就沒有特別限制其結構，而具有預定交聯性即可。交聯形式沒有特別限制，可因應交聯性有機聚矽氧烷中所含交聯性基的種類而採用適宜的習知形式。可列舉例如，氫矽基化反應、縮合反應，或者，因加熱處理、高能量線處理或自由基聚合起始劑而起的自由基反應等。
更具體而言，在交聯性有機聚矽氧烷具有烯基或炔基 等自由基反應性基時，係由通過上述自由基反應之自由基反應性基彼此的反應進行交聯而成為硬化物(交聯聚矽氧樹脂)。
又，當交聯性有機聚矽氧烷具有矽醇基時，係藉由矽醇基彼此的縮合反應進行交聯而成為硬化物。
再者，當交聯性有機聚矽氧烷，包含具有與矽原子鍵結之烯基(乙烯基等)的有機聚矽氧烷(即，有機烯基聚矽氧烷)、以及具有與矽原子鍵結之氫原子(氫矽基)的有機聚矽氧烷(即，有機氫聚矽氧烷)時，係於氫矽基化觸媒(例如，鉑系觸媒)的存在下，藉由氫矽基化反應進行交聯而成為硬化物。
其中，從易於形成聚矽氧樹脂層14、玻璃基板16之剝離性較良好的觀點，交聯性有機聚矽氧烷宜為包含下述有機聚矽氧烷的態樣：於兩末端及/或側鏈具有烯基之有機聚矽氧烷(以下亦適當稱為有機聚矽氧烷A)、及於兩末端及/或側鏈具有氫矽基之有機聚矽氧烷(以下亦適當稱為有機聚矽氧烷B)。
另外，作為烯基沒有特別限制，惟可舉例如乙烯基(ethenyl基)、烯丙基(2-丙烯基)、丁烯基、戊烯基、己烯基等，其中從耐熱性良好的觀點，以乙烯基為宜。
又，有機聚矽氧烷A所含之烯基以外的基團，以及有機聚矽氧烷B所含之氫矽基以外的基團，可列舉如烷基(尤其是碳數4以下的烷基)。
烯基在有機聚矽氧烷A中的位置沒有特別限制， 惟當有機聚矽氧烷A為直鏈狀時，烯基係可存在於以下述所示之M單元及D單元之任一者，亦可存在於M單元與D單元兩者中。從硬化速度的觀點，宜至少存在於M單元中，並宜存在於2個M單元兩者中。
另外，M單元及D單元係有機聚矽氧烷之基本結構單元之例，M單元係鍵結有3個有機基的1官能性矽氧烷單元；D單元係鍵結有2個有機基之2官能性矽氧烷單元。矽氧烷單元之中，由於矽氧烷鍵結係2個矽原子透過1個氧原子結合的鍵結，故矽氧烷鍵結的每1個矽原子的氧原子係視為1/2個，式中表記為O1/2。
有機聚矽氧烷A中的烯基數並無特別限制，惟宜於1分子中有1~3個，並以2個較佳。
有機聚矽氧烷A的適宜結構，係直鏈狀或環狀，且1分子中有2個以上的烯基、而該烯基在2個M單元兩邊存在1個以上者。
有機聚矽氧烷B中的氫矽基位置並無特別限制，當有機聚矽氧烷A為直鏈狀時，氫矽基可存在於M單元及D單元之任一者，亦可存在於M單元與D單元兩者。從硬化速度的觀點，宜至少存在於D單元。
有機聚矽氧烷B中的氫矽基數並無特別限制，宜於1分 子中有至少3個，並以3個較佳。
有機聚矽氧烷B的適宜結構，在有機聚矽氧烷A為直鏈狀或環狀時，係宜於1分子中具有2個以上的氫矽基，且氫矽基的莫耳含有率為30%以上。
有機聚矽氧烷A與有機聚矽氧烷B的混合比例沒有特別限制，惟為使所得之聚矽氧樹脂層利用奈米壓痕法的彈性率在特定範圍內，可調整有機聚矽氧烷A與有機聚矽氧烷B的混合比例。從玻璃基板的剝離性較良好的觀點，有機聚矽氧烷A中的全部烯基，對有機聚矽氧烷B中的氫矽基(與矽原子鍵結的氫原子)的莫耳比(烯基莫耳數/氫矽基莫耳數)係宜調整為1/1~1/0.8。其中，調整混合比率為1/1~1/0.9者為佳。
作為交聯性有機聚矽氧烷，在適宜的結構與混合比例方面，有機聚矽氧烷A係宜為直鏈狀或環狀、且於1分子中具有2個以上的烯基而該烯基於2個M單元兩邊各存在1個以上者，有機聚矽氧烷B係宜為1分子中有2個以上氫矽基、且氫矽基的莫耳含有率為30%以上者；有機聚矽氧烷A中的全部烯基，與有機聚矽氧烷B中的氫矽基(與矽原子鍵結之氫原子)的莫耳比(烯基莫耳數/氫矽基莫耳數)宜調整為1/1~1/0.8。
作為氫矽基化觸媒，宜使用鉑族金屬系觸媒。鉑族金屬系觸媒可列舉如鉑系、鈀系、銠系等觸媒，尤其使用鉑系觸媒從經濟性、反應性的觀點係為適宜的。作為鉑族金屬系觸媒，可使用習知物質。具體上，可列舉如鉑微 粉末、鉑黑、氯化第一鉑酸及氯化第二鉑酸等氯鉑酸、四氯化鉑、氯化鉑酸之醇化合物或醛化合物、或者鉑的烯烴錯合物、烯基矽氧烷錯合物、羰基錯合物等。
作為氫矽基化觸媒的使用量，相對於100質量份之有機聚矽氧烷A與有機聚矽氧烷B的合計質量，係0.1~20質量份為宜，1~10質量份較佳。作為鉑成分，相對於100質量之有機聚矽氧烷A與有機聚矽氧烷B的合計質量，係2~400ppm為宜，2~300ppm較佳。
交聯性有機聚矽氧烷的重量平均分子量並無特別限制，惟就操作性良好同時成膜性亦良好、且更為抑制高溫處理條件下聚矽氧樹脂的分解的觀點，以GPC(凝膠滲透層析)測得之經聚苯乙烯換算的重量平均分子量，係1,000~5,000,000為宜，2,000~3,000,000較佳。
交聯性有機聚矽氧烷的黏度係10~5000mPa‧s為宜，15~3000mPa‧s較佳。另於本說明書中，尤其在未指明時，黏度係在25℃下測定時的值。
本發明中的硬化性聚矽氧樹脂組成物，以調整觸媒及觸媒活性為目的，宜進一步併用具有抑制觸媒活性作用的活性抑制劑(亦稱為反應抑制劑、延遲劑等之化合物)。作為活性抑制劑，可列舉例如各種有機氮化合物、有機磷化合物、炔系化合物、肟化合物、有機氯化合物等。炔系化合物具體上可列舉如，1-乙炔-1-環己醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、4-乙基-1-辛炔-3-醇等。進一步視需要，在不損及本發明效果的範圍下，可含有各種氧化矽、碳酸鈣、氧 化鐵等無機填料等。又，可含有金屬氧化物等的金屬化合物作為耐熱性提升劑。
又，己烷、庚烷、辛烷、甲苯、二甲苯等有機溶劑或水等分散媒，雖為不構成硬化聚矽氧樹脂的成分，惟可為了硬化性聚矽氧樹脂組成物的塗布以提升作業性等為目的，於本發明之硬化性聚矽氧樹脂組成物中混合使用。
於聚矽氧樹脂層14中，可包含聚矽氧油。藉由在聚矽氧樹脂層中包含聚矽氧油，可將以奈米壓痕法測得之聚矽氧樹脂層彈性率控制在預定的數值。聚矽氧油，與上述交聯性有機聚矽氧烷不同，對交聯性有機聚矽氧烷不會起反應，為不具有交聯性的非交聯性(非反應性)有機聚矽氧烷。
聚矽氧油的種類沒有特別限制，惟可例示如二甲基聚矽氧烷、甲基苯基聚矽氧烷、二苯基聚矽氧烷等直鏈聚矽氧油、於直鏈聚矽氧油之側鏈或末端導入聚醚基、鹵基等的改質聚矽氧油。
另外，聚矽氧油的具體市售商品名或型號，在具有芳香族基(例如，苯基)的聚矽氧油方面，可列舉如KTSF433(邁圖高新材料日本集團製)；KF-50、KF-53、KF-54(信越化學工業公司製)；SH550(東麗陶氏康寧公司製)等。
不具有芳香族基的聚矽氧油方面、SH200(東麗陶氏康寧公司製)、KNS-330(信越化學公司製)等。
聚矽氧油的黏度並無特別限制，惟從易於聚矽氧樹脂層14表面滲出而玻璃基板16的剝離性更良好的觀點， 以及從經剝離之玻璃基板16的透明性更良好的觀點，係100~6000mm2/s為宜，100~3000mm2/s較佳，125~1000mm2/s更佳。
聚矽氧樹脂層14中的聚矽氧油含有比例並無特別限制，惟從玻璃基板16之剝離性良好且同時經剝離之玻璃基板透明性更為良好的觀點，相對於聚矽氧樹脂100質量份，係以6~20質量份為宜，6~15質量份較佳，8~15質量份更佳。
[玻璃積層體及其製造方法]
本發明之玻璃積層體10係如上所述般，為支持基材12、玻璃基板16及存在於其等之間之聚矽氧樹脂層14的積層體。
本發明玻璃積層體10之製造方法沒有特別限制，可採用習知的方法。例如，宜為於支持基材12上固定有聚矽氧樹脂層14之附聚矽氧樹脂層之支持基材18，並在其聚矽氧樹脂層14上使玻璃基板16積層的方法。其中，為了獲得剝離強度(x)大於剝離強度(y)的積層體，宜為在支持基材12表面上使預定交聯性有機聚矽氧烷進行交聯硬化而形成聚矽氧樹脂層14的方法。即，在支持基材12的表面形成含有交聯性有機聚矽氧烷的層，且在支持基材12表面上使交聯性有機聚矽氧烷進行交聯而形成聚矽氧樹脂層14(交聯聚矽氧樹脂)，接著，在聚矽氧樹脂層14之聚矽氧樹脂面積層玻璃基板16，而製造玻璃積層體10的方法。又，藉由在支持基材12表面上使預定交聯性有機聚矽氧烷進行交聯硬化，可將利用奈米壓痕法之彈性率控制在預定的範圍。
咸認當令交聯性有機聚矽氧烷在支持基材12表面硬化時，藉由硬化反應時與支持基材12表面之相互作用而接著，聚矽氧樹脂與支持基材12表面的剝離強度便會變高。因此，即使玻璃基板16與支持基材12是由相同材質構成者，仍可就聚矽氧樹脂層14與兩者間的剝離強度作出差異。
以下，將在支持基材12表面形成含交聯性有機聚矽氧烷之層、並於支持基材12表面上使交聯性有機聚矽氧烷進行交聯而形成聚矽氧樹脂層14的步驟，稱為樹脂層形成步驟；將在聚矽氧樹脂層14的聚矽氧樹脂面積層玻璃基板16而作成玻璃積層體10的步驟，稱為積層步驟，並就各步驟的程序加以詳述。
(樹脂層形成步驟)
在樹脂層形成步驟中，係於支持基材12的表面形成含交聯性有機聚矽氧烷的層，並在支持基材12表面上使交聯性有機聚矽氧烷進行交聯而形成聚矽氧樹脂層14。
為能在支持基材12上形成含交聯性有機聚矽氧烷之層，宜使用將交聯性有機聚矽氧烷溶解於溶劑而成的塗佈用組成物，將該組成物塗佈於支持基材12上而形成溶液層，再去除溶劑作成含交聯性有機聚矽氧烷之層。經由對組成物中交聯性有機聚矽氧烷之濃度的調整等，可控制含交聯性有機聚矽氧烷之層的厚度。
作為溶劑，只要是能在作業環境下易於使交聯性有機聚矽氧烷溶解、且易於使其揮發去除的溶劑即可，沒有特別限制。具體上，可例示例如醋酸丁酯、庚烷、2-庚酮、 1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、甲苯、二甲苯、THF、氯仿等。
在支持基材12表面上塗佈含有交聯性有機聚矽氧烷的組成物的方法並無特別限制，可使用習知的方法。可列舉例如，噴塗法、模塗法、旋塗法、浸塗法、輥塗法、棒塗法、網版印刷法、凹版印刷法等。
之後，視需要，可實施乾燥處理以去除溶劑。乾燥處理的方法並無特別限制，可列舉例如在減壓條件下去除溶劑的方法、以不會使交聯性有機聚矽氧烷進行硬化的溫度來加熱的方法等。
接著，使支持基材12上的交聯性有機聚矽氧烷進行交聯，而形成聚矽氧樹脂層14。更具體地，係如圖2(A)所示，在該步驟中於支持基材12之至少單面的表面上形成聚矽氧樹脂層14。
硬化(交聯)的方法，如上所述，可因應交聯性有機聚矽氧烷的交聯形式而選擇適當的最適宜的方法，可舉例如加熱處理或曝光處理等。其中，當交聯性有機聚矽氧烷係經由氫矽基化反應、縮合反應、自由基反應而交聯時，從可獲得對玻璃基板16之密接性及耐熱性良好的聚矽氧樹脂的觀點出發，宜以熱硬化製造聚矽氧樹脂層14。
以下，就熱硬化態樣加以詳述。
使交聯性有機聚矽氧烷熱硬化的溫度條件，係以提升聚矽氧樹脂層14的耐熱性、並能夠使玻璃基板16與積層後的剝離強度(y)控制在如前述之範圍內，而沒有特別限制，惟以150~300℃為宜，180~250℃較佳。又，加熱時間 通常以10~120分為宜，30~60分較佳。若熱硬化的溫度過低，則諸如耐熱性或聚矽氧樹脂層14的平坦性會降低；另一方面，若溫度過高，則剝離強度(y)會變得過低，都可能會讓玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14的密接性變弱。
另外，交聯性有機聚矽氧烷可於進行預固化(預備硬化)後，進行後硬化(正式硬化)而使其硬化。經由進行預固化，可獲得耐熱性更佳的聚矽氧樹脂層14。預固化係宜接續溶劑的去除而進行，此時，從層去除溶劑而形成包含交聯性有機聚矽氧烷及聚矽氧油之層的步驟、與進行預固化的步驟並未特別區分。
(積層步驟)
積層步驟，係在於上述樹脂層形成步驟所得聚矽氧樹脂層14的聚矽氧樹脂面上積層玻璃基板16，而獲得依序具有支持基材12、聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16的玻璃積層體10的步驟。更具體地，如圖2(B)所示，將聚矽氧樹脂層14之與支持基材12側相對側的表面(聚矽氧樹脂層之第1主面)14a、以及具有第1主面16a及第2主面16b之玻璃基板16的第1主面16a作為積層面，使聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16積層，而獲得玻璃積層體10。
使玻璃基板16積層於聚矽氧樹脂層14上的方法沒有特別限制，可採用公知的方法。
可舉例如，在常壓環境下於聚矽氧樹脂層14的表面上重疊玻璃基板16的方法。另外，視需要，於聚矽氧樹脂層14表面上重疊玻璃基板16後，可使用輥或壓件使玻璃基板 16與聚矽氧樹脂層14壓合。經由以輥或壓件的壓合，在聚矽氧樹脂層14與玻璃基板16之間混入的氣泡會較容易去除，故而為宜。
當以真空層合法或真空壓延法作壓合時，可抑制氣泡混入及確保良好的密接，故較佳。藉由在真空下壓合亦有下述優點：即使有微小氣泡殘留，也不會因加熱而讓氣泡成長，而不易涉及到玻璃基板16的歪曲缺陷。
在使玻璃基板16積層時，宜將與聚矽氧樹脂層14接觸之玻璃基板16的表面充分洗淨，在清潔度高的環境下進行積層。清潔度越高，玻璃基板16的平坦性會越良好，故而為宜。
另外，在使玻璃基板16積層之後，視需要可進行預退火處理(加熱處理)。經由進行該預退火處理，可提升經積層之玻璃基板16對聚矽氧樹脂層14的密接性，而達到適當的剝離強度(y)，且在後述之構件形成步驟時電子裝置用構件的位置偏移等不易發生，而電子裝置的生產性會提高。
預退火處理的條件，係因應所用聚矽氧樹脂層14的種類來選擇適當的最適宜的條件，從使玻璃基板16與聚矽氧樹脂層14之間的剝離強度(y)更為適切的觀點出發，宜於300℃以上(300~400℃為佳)進行5分鐘以上(5~30分鐘為佳)的加熱處理。
另外，聚矽氧樹脂層14的形成，並不受限於上述方法。
例如，在使用對聚矽氧樹脂表面之密接性大於玻璃基板16之材質的支持基材12時，可使交聯性有機聚矽氧烷在任何剝離性表面上硬化而製造聚矽氧樹脂薄膜，使該薄膜介於玻璃基板16與支持基材12之間同時進行積層。
又，當因交聯性有機聚矽氧烷之硬化所得的接著性對玻璃基板16夠低、且該接著性對支持基材12夠高時，可在玻璃基板16與支持基材12之間使交聯性有機聚矽氧烷進行硬化而形成聚矽氧樹脂層14。
再者，即便當支持基材12係以和玻璃基板16相同的玻璃材料構成時，亦可施以提高支持基材12表面接著性的處理，來提高對聚矽氧樹脂層14的剝離強度。例如，可例示為矽烷偶合劑此類化學性提升固定力的化學性方法(底塗處理)、如火焰(火炎)處理般增加表面活性基的物理性方法、如噴砂處理般藉由增加表面粗度而使抓力增加的機械性處理方法等。
(玻璃積層體)
本發明之玻璃積層體10，可用於各式各樣的用途，可舉例如製造後述之顯示裝置用面板、PV、薄膜2次電池、表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件的用途等。另外，在該用途中，玻璃積層體10多暴露於高溫條件(例如，360℃以上)下(例如，1小時以上)。
在此，所謂顯示裝置用面板，包括LCD、OLED、電子紙、電漿顯示面板、場發小面板、量子點LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)快門面板等。
[附構件之玻璃基板及其製造方法]
本發明中，係使用上述積層體，製造包含玻璃基板與電子裝置用構件的附構件之玻璃基板(附電子裝置用構件之玻璃基板)。
該附構件之玻璃基板的製造方法沒有特別限制，惟從電子裝置之生產性良好的觀點出發，宜為下述方法：於上述玻璃積層體中的玻璃基板上形成電子裝置用構件而製造附電子裝置用構件之積層體，將聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面作為剝離面，從所得附電子裝置用構件之積層體分離成附構件之玻璃基板與附聚矽氧樹脂層之支持基材。
以下，將上述在玻璃積層體中的玻璃基板上形成電子裝置用構件而製造附電子裝置用構件之積層體的步驟，稱為構件形成步驟；而將從附電子裝置用構件之積層體，以聚矽氧樹脂層之玻璃基板側界面為剝離面而分離成附構件之玻璃基板與附聚矽氧樹脂層之支持基材的步驟，稱為分離步驟。
以下，詳述各步驟使用的材料及程序。
(構件形成步驟)
構件形成步驟，係於在上述積層步驟所得之玻璃積層體10中的玻璃基板16上形成電子裝置用構件的步驟。更具體地，如圖2(C)所示，於玻璃基板16之第2主面16b(露出表面)上形成電子裝置用構件20，而獲得附電子裝置用構件之積層體22。
首先，就本步驟所使用之電子裝置用構件20加以詳述， 之後再詳述步驟的程序。
(電子裝置用構件(機能性元件))
電子裝置用構件20，係形成於玻璃積層體10中之玻璃基板16上且構成電子裝置之至少一部份的構件。更具體地，作為電子裝置用構件20，可列舉如用於顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜2次電池、或、表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等的構件(例如顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜2次電池用構件、電子零件用電路)。
例如，作為太陽電池用構件，在矽型方面，可列舉正極之氧化錫等透明電極、以p層/i層/n層表示的矽層、及負極的金屬等；其他方面則可列舉如對應於化合物型、染料敏化型、量子點型等的各種構件等。
又，作為薄膜2次電池用構件，在鋰離子型方面，可列舉如正極及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層的樹脂等；其他方面，可列舉如對應於鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等的各種構件等。
又，作為電子零件用電路，在諸如CCD或CMOS方面，可列舉如導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等；其他方面則可列舉如對應於壓力感測器.加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、可撓性印刷基板、剛性可撓性印刷基板等之各種構件等。
(步驟的程序)
上述附電子裝置用構件之積層體22的製造方法沒有特 別限制，係因應電子裝置用構件之結構構件的種類，依習知方法，於玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b表面上形成電子裝置用構件20。
另外，電子裝置用構件20，不一定是在玻璃基板16之第2主面16b上最終形成之構件的全部(以下稱為「全部構件」)，可為全構件之一部分(以下稱為「部分構件」)。可將已從聚矽氧樹脂層14剝離的附部分構件之玻璃基板，以後續步驟作成附全部構件之玻璃基板(相當於後述之電子裝置)。
又，從聚矽氧樹脂層14剝離的附全部構件之玻璃基板，可在其剝離面(第1主面16a)形成其他的電子裝置用構件。又，亦可組裝附全部構件之積層體，之後從附全部構件之積層體將支持基材12剝離，而製造電子裝置。再者，亦可使用2片附全部構件之積層體來組裝，之後從附全部構件之積層體將2片支持基材12剝離，而製造具有2片玻璃基板的附構件之玻璃基板。
例如，以製造OLED的狀況為例，為了在玻璃積層體10之玻璃基板16之與聚矽氧樹脂層14側相反側的表面上(相當於玻璃基板16之第2主面16b)形成有機EL構造體，而進行各種層的形成或處理，如形成透明電極，進而在形成有透明電極的面上蒸鍍電洞注入層‧電洞輸送層‧發光層‧電子輸送層等，形成背面電極，使用密封板密封等。作為此等層形成或處理，具體上，可舉例如成膜處理、蒸鍍處理、密封板的接著處理等。
又，例如，在製造TFT-LCD時，係具有下述步驟等各種步驟：TFT形成步驟，於玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b上，使用光阻液，在利用CVD法及濺鍍法等一般成膜法形成的金屬膜及金屬氧化膜等上形成圖案，而形成薄膜電晶體(TFT)；CF形成步驟，在另一個玻璃積層體10之玻璃基板16的第2主面16b上，使用光阻液以形成圖案，而形成彩色濾光片(CF)；以及貼合步驟，將於TFT形成步驟所得之附TFT積層體、與於CF形成步驟所得之附CF積層體積層。
在TFT形成步驟或CF形成步驟，係使用熟知的光刻法技術或蝕刻技術等，在玻璃基板16之第2主面16b形成TFT或CF。此時，會使用光阻液作為形成圖案用的塗佈液。
另外，在形成TFT或CF之前，視需要可清洗玻璃基板16之第2主面16b。作為清洗方法，可使用熟知的乾式清洗法或濕式清洗法。
於貼合步驟中，係使附TFT積層體的薄膜電晶體形成面與附CF積層體之彩色濾光片形成面相對向，並使用封合劑(例如，形成晶胞槽用的紫外線硬化型封合劑)使其貼合。之後，在附TFT積層體與附CF積層體所形成的晶胞槽(cell)內，注入液晶材。注入液晶材的方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。
(分離步驟)
分離步驟，係如圖2(D)所示為下述步驟：從以上述構件形成步驟獲得之附電子裝置用構件之積層體22，將聚矽 氧樹脂層14與玻璃基板16之界面作為剝離面，分離成積層有電子裝置用構件20的玻璃基板16(附構件之玻璃基板24)、以及支持基材12，而獲得包含電子裝置用構件20及玻璃基板16的附構件之玻璃基板24。
當剝離時的玻璃基板16上的電子裝置用構件20為必要之全部結構構件之形成的一部份時，可在分離後於玻璃基板16上形成其餘結構構件。
將玻璃基板16與支持基材12剝離的方法沒有特別限制。具體而言，例如可於玻璃基板16與樹脂層14之界面插入鋒利之刀具狀者而提供剝離之起點，然後，噴附水與壓縮空氣之混合流體等而進行剝離。較佳為以附有電子裝置用構件之積層體22的支持基材12成為上側，電子裝置用構件20側成為下側之方式設置於壓盤上，將電子裝置用構件20側真空吸附於壓盤上(於在兩面積層支持板之情形時，依序進行)，於該狀態下首先使刀具侵入至玻璃基板16-樹脂層14之界面。並且，其後利用多個真空吸附墊吸附支持基材12側，使真空吸附墊自插入有刀具之位置附近起依序上升。如此，於樹脂層14與玻璃基板16之界面或樹脂層14之凝集破壞面會形成空氣層，該空氣層會擴展至界面或凝集破壞面之整面，而可將支持基材12容易地剝離。
又，支持基材12，可與新的玻璃基板積層，而製造本發明之玻璃積層體10。
另外，在從附電子裝置用構件之積層體22分離附構件之玻璃基板24時，藉由利用電離器噴附或控制濕度， 可進一步抑制聚矽氧樹脂層14的碎片靜電吸附於附構件之玻璃基板24上。
上述附構件之玻璃基板24的製造方法，係適於製造諸如行動電話或PDA等使用於行動終端的小型顯示裝置。顯示裝置主要為LCD或OLED，LCD方面包含TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上亦可適用於被動式驅動型、主動式驅動型中任一顯示裝置。
作為以上述方法製造的附構件之玻璃基板24，可列舉如具有玻璃基板與顯示裝置用構件的顯示裝置用面板、具有玻璃基板與太陽電池用構件的太陽電池、具有玻璃基板與薄膜2次電池用構件的薄膜2次電池、具有玻璃基板與電子裝置用構件的電子零件等。作為顯示裝置用面板，係包含液晶面板、有機EL面板、電漿顯非面板、場發射面板等。
作為本發明之第3態樣的附聚矽氧樹脂層之支持基材，係具有支持基材、及設置於支持基材面上之聚矽氧樹脂層者，其聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷的交聯物，又，以奈米壓痕法測得之前述聚矽氧樹脂層的彈性率為0.5~2.5MPa。
附聚矽氧樹脂層之支持基材，係在與第1態樣所述相同的支持基材的表面上，形成與第1態樣所述相同樣的聚矽氧樹脂層者。此種附聚矽氧樹脂層之支持基材，係經由諸如於支持基材表面形成聚矽氧樹脂層、或從前述積層體剝離玻璃基板或附構件之玻璃基板而得。
實施例
以下，以實施例等具體說明本發明，惟本發明不受該等例所限制。
在以下實施例1~9及比較例1~2中，使用無鹼硼矽酸玻璃構成之玻璃板(長200mm，寬200mm，板厚0.2mm，平均線膨張係數38×10-7/℃，旭硝子公司製商品名「AN100」)，作為玻璃基板。又，使用相同的無鹼硼矽酸玻璃構成之玻璃板(長240mm，寬240mm，板厚0.5mm，平均線膨張係數38×10-7/℃，旭硝子公司製商品名「AN100」)，作為支持基材。
<實施例1>
首先，將板厚0.5mm的支持基材以純水洗淨後，再以UV洗淨而清潔化。
其次，混合荒川化學公司製主劑(ASA-V01)(100質量份)、與荒川化學公司製硬化劑(ASA-X01)(13質量份)。相對於(ASA-V01)100質量份，添加5重量份之荒川化學公司製觸媒(ASA-C01)。再者，添加庚烷，製作含交聯性有機聚矽氧烷的溶液X。將該溶液X以旋塗方法(旋轉數：300rpm，15秒)塗佈於支持基材的第1主面上，並將含未硬化之交聯性有機聚矽氧烷的層設於支持基材上(塗佈量20g/m2)。
接著，於230℃下在大氣中加熱硬化10分鐘，而於支持基材之第1主面形成厚度10μm的聚矽氧樹脂層。
然後，將玻璃基板、與支持基材之聚矽氧樹脂層面，在室溫下利用真空壓合機貼合，而獲得玻璃積層體A。
所得玻璃積層體A之中，支持基材及玻璃基板係以未產生氣泡的狀態與聚矽氧樹脂層密接，沒有歪斜狀缺陷，平滑性亦良好。
接著，在氮氣環境下對玻璃積層體A進行360℃下60分鐘的加熱處理，並冷卻至室溫後，結果未觀察到玻璃積層體A的支持基材與玻璃基板的分離、或聚矽氧樹脂層的發泡或白化等外觀上的變化。
然後，在玻璃積層體A之4個部位中之1個部位之角隅部，於玻璃基板與支持板之樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具而形成剝離之切口部，並同時使真空吸附墊吸附於玻璃基板與支持板各自之非剝離面之面，相互朝使玻璃基板與支持板分離的方向施加外力，在未破損下分離玻璃基板與支持基材。此處，刀具的插入係一邊從電離器(KEYENCE公司製造)將除靜電性流體往該界面噴附一邊進行。具體上，係一邊朝向所形成之空隙自電離器連續地噴附附靜電性流體一邊提拉真空吸附墊。
另外，聚矽氧樹脂層係與支持基材一起自玻璃基板被分離，由該結果確認，支持基材與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)，係大於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。
又，以奈米壓痕法測定玻璃基板剝離後支持基材上的聚矽氧樹脂層的彈性率，結果為2.36MPa。
奈米壓痕法的測定條件係如以下所述。
使用Omicron奈米科技日本股份公司製的TI-950 Tribo Indenter，進行聚矽氧樹脂層各種物性值的測定。即，使用作為壓子的Conical 5um型三角錐壓子，以位移速度固定模式30nm/sec壓入並增加荷重，到達最大荷重2μN後，同樣以步進式壓入並慢慢增加荷重。測定係於25℃的恆溫條件下進行，使測定裝置與試樣的溫度十分穩定之後，測定於壓入強度0.2μN、深度200nm下的彈性率，以連續測定5次的平均值作為測定值。
<實施例2>
於包含交聯性有機聚矽氧烷的溶液X中，進一步加入甲基苯基聚矽氧油(信越化學工業公司製，KF-50，黏度100mm2/s)，除此之外，以和實施例1相同的方法，獲得玻璃積層體B。
另外，甲基苯基聚矽氧油的使用量，係相對於聚矽氧樹脂100質量份而為5質量份。
所得玻璃積層體B之中，支持基材及玻璃基板係以未產生氣泡的狀態與聚矽氧樹脂層密接，亦無歪斜狀缺陷，平滑性亦良好。
接著，使玻璃積層體B進行和實施例1相同的加熱處理，結果未觀察到玻璃積層體B的支持基材與玻璃基板的分離、或聚矽氧樹脂層的發泡或白化等外觀上的變化。
然後，將玻璃積層體B以和實施例1相同的方法進行支持基材與玻璃基板的分離，結果在玻璃基板與支持基材無破損下分離。另外，聚矽氧樹脂層係與支持基材一起自玻璃基板被分離，由該結果確認，支持基材與聚矽氧樹脂層 之界面的剝離強度(x)，係大於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。
又，以奈米壓痕法測定玻璃基板剝離後支持基材上的聚矽氧樹脂層的彈性率，結果為2.29MPa。
<實施例3>
除了將甲基苯基聚矽氧油(信越化學工業公司製，KF-50，黏度100mm2/s)的使用量從5質量份變更為15質量份以外，以和實施例2相同的方法，獲得玻璃積層體C。
所得玻璃積層體C之中，支持基材及玻璃基板係以未產生氣泡的狀態與聚矽氧樹脂層密接，亦無歪斜狀缺陷，平滑性亦良好。
接著，使玻璃積層體C進行和實施例1相同的加熱處理，結果未觀察到玻璃積層體C的支持基材與玻璃基板的分離、或聚矽氧樹脂層的發泡或白化等外觀上的變化。
然後，將玻璃積層體C以和實施例1相同的方法進行支持基材與玻璃基板的分離，結果在玻璃基板與支持基材無破損下分離。另外，聚矽氧樹脂層係與支持基材一起自玻璃基板被分離，由該結果確認，支持基材與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)，係大於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。
又，以奈米壓痕法測定玻璃基板剝離後支持基材上的聚矽氧樹脂層的彈性率，結果為2.09MPa。
<實施例4>
除了將甲基苯基聚矽氧油(信越化學工業公司製， KF-50，黏度100mm2/s)的使用量從5質量份變更為20質量份以外，以和實施例2相同的方法，獲得玻璃積層體D。
所得玻璃積層體D之中，其支持基材及玻璃基板係以未產生氣泡的狀態與聚矽氧樹脂層密接，亦無歪斜狀缺陷，平滑性亦良好。
接著，使玻璃積層體D進行和實施例1相同的加熱處理，結果未觀察到玻璃積層體D的支持基材與玻璃基板的分離、或聚矽氧樹脂層的發泡或白化等外觀上的變化。
然後，將玻璃積層體D以和實施例1相同的方法進行支持基材與玻璃基板的分離，結果在玻璃基板與支持基材無破損下分離。另外，聚矽氧樹脂層係與支持基材一起自玻璃基板被分離，由該結果確認，支持基材與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)，係大於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。
又，以奈米壓痕法測定玻璃基板剝離後支持基材上的聚矽氧樹脂層的彈性率，結果為1.15MPa。
<實施例5>
使用甲基苯基聚矽氧油(東麗陶氏康寧公司製，SH200，黏度200mm2/s)來代替甲基苯基聚矽氧油(信越化學工業公司製，KF-50，黏度100mm2/s)，除此之外，以和實施例2相同的方法，獲得玻璃積層體E。
所得玻璃積層體E之中，支持基材及玻璃基板係以未產生氣泡的狀態與聚矽氧樹脂層密接，亦無歪斜狀缺陷，平滑性亦良好。
接著，使玻璃積層體E進行和實施例1相同的加熱處理，結果未觀察到玻璃積層體E的支持基材與玻璃基板的分離、或聚矽氧樹脂層的發泡或白化等外觀上的變化。
然後，將玻璃積層體E以和實施例1相同的方法進行支持基材與玻璃基板的分離，結果在玻璃基板與支持基材無破損下分離。另外，聚矽氧樹脂層係與支持基材一起自玻璃基板被分離，由該結果確認，支持基材與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)，係大於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。
又，以奈米壓痕法測定玻璃基板剝離後支持基材上的聚矽氧樹脂層的彈性率，結果為2.34MPa。
<實施例6>
除了將甲基苯基聚矽氧油(東麗陶氏康寧公司製，SH200，黏度200mm2/s)的使用量從5質量份變更為10質量份以外，以和實施例5相同的方法，獲得玻璃積層體F。
所得玻璃積層體F之中，支持基材及玻璃基板係以未產生氣泡的狀態與聚矽氧樹脂層密接，亦無歪斜狀缺陷，平滑性亦良好。
接著，使玻璃積層體F進行和實施例1相同的加熱處理，結果未觀察到玻璃積層體F的支持基材與玻璃基板的分離、或聚矽氧樹脂層的發泡或白化等外觀上的變化。
然後，將玻璃積層體F以和實施例1相同的方法進行支持基材與玻璃基板的分離，結果在玻璃基板與支持基材無破損下分離。另外，聚矽氧樹脂層係與支持基材一起自玻 璃基板被分離，由該結果確認，支持基材與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)，係大於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。
又，以奈米壓痕法測定玻璃基板剝離後支持基材上的聚矽氧樹脂層的彈性率，結果為2.31MPa。
<實施例7>
除了將甲基苯基聚矽氧油(東麗陶氏康寧公司製，SH200，黏度200mm2/s)的使用量從5質量份變更為15質量份以外，以和實施例5相同的方法，獲得玻璃積層體G。
所得玻璃積層體G之中，其支持基材及玻璃基板係以未產生氣泡的狀態與聚矽氧樹脂層密接，亦無歪斜狀缺陷，平滑性亦良好。
接著，使玻璃積層體G進行和實施例1相同的加熱處理，結果未觀察到玻璃積層體G的支持基材與玻璃基板的分離、或聚矽氧樹脂層的發泡或白化等外觀上的變化。
然後，將玻璃積層體G以和實施例1相同的方法進行支持基材與玻璃基板的分離，結果在玻璃基板與支持基材無破損下分離。另外，聚矽氧樹脂層係與支持基材一起自玻璃基板被分離，由該結果確認，支持基材與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)，係大於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。
又，以奈米壓痕法測定玻璃基板剝離後支持基材上的聚矽氧樹脂層的彈性率，結果為2.09MPa。
<實施例8>
除了使用以下含交聯性有機聚矽氧烷之溶液Y，來替代含交聯性有機聚矽氧烷之溶液X以外，以和實施例1相同的方法，獲得玻璃積層體H。
(含交聯性有機聚矽氧烷之溶液Y)
將作為主劑的於兩末端各導入1個乙烯基的二甲基聚矽氧(56mPa‧s)(100質量份)、以及作為硬化劑的甲基氫聚矽氧(甲基：氫(莫耳比)=2：1，氫矽基的莫耳含有率為33.3%，104mPa‧s)(10質量份)相混合。將Karstedt觸媒以相對於樹脂成分計，換算成鉑添加3ppm。以相對於樹脂成分計，添加0.2質量份的1-乙炔-1-環己醇作為延遲劑。然後，添加庚烷，而製作含交聯性有機聚矽氧烷之溶液Y。主劑的乙烯基與硬化劑的氫矽基的莫耳比(烯基莫耳數/氫矽基莫耳數)，係經調配以呈1莫耳：0.8莫耳。
所得玻璃積層體H之中，支持基材及玻璃基板係以未產生氣泡的狀態與聚矽氧樹脂層密接，亦無歪斜狀缺陷，平滑性亦良好。
接著，使玻璃積層體H進行和實施例1相同的加熱處理，結果未觀察到玻璃積層體H的支持基材與玻璃基板的分離、或聚矽氧樹脂層的發泡或白化等外觀上的變化。
然後，將玻璃積層體H以和實施例1相同的方法進行支持基材與玻璃基板的分離，結果在玻璃基板與支持基材無破損下分離。另外，聚矽氧樹脂層係與支持基材一起自玻璃基板被分離，由該結果確認，支持基材與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)，係大於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之 界面的剝離強度(y)。
又，以奈米壓痕法測定玻璃基板剝離後支持基材上的聚矽氧樹脂層的彈性率，結果為0.65MPa。
<實施例9>
除了使用以下含交聯性有機聚矽氧烷之溶液Z，來替代含交聯性有機聚矽氧烷之溶液X以外，以和實施例1相同的方法，獲得玻璃積層體I。
(含交聯性有機聚矽氧烷之溶液Z)
混合荒川化學公司製主劑(A78)(100質量份)、及荒川化學公司製硬化劑(ASA-X01)(15質量份)。荒川化學公司製觸媒(ASA-C01)，係以相對於(A78)100質量份而添加5重量份。進一步添加庚烷，而製作含交聯性有機聚矽氧烷之溶液Z。
所得玻璃積層體I之中，支持基材及玻璃基板係以未產生氣泡的狀態與聚矽氧樹脂層密接，亦無歪斜狀缺陷，平滑性亦良好。
接著，使玻璃積層體I進行和實施例1相同的加熱處理，結果未觀察到玻璃積層體I的支持基材與玻璃基板的分離、或聚矽氧樹脂層的發泡或白化等外觀上的變化。
然後，將玻璃積層體I以和實施例1相同的方法進行支持基材與玻璃基板的分離，結果在玻璃基板與支持基材無破損下分離。另外，聚矽氧樹脂層係與支持基材一起自玻璃基板被分離，由該結果確認，支持基材與聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度(x)，係大於聚矽氧樹脂層與玻璃基板之界面的剝離強度(y)。
又，以奈米壓痕法測定玻璃基板剝離後支持基材上的聚矽氧樹脂層的彈性率，結果為1.10MPa。
<比較例1>
除了使用以下含交聯性有機聚矽氧烷之溶液W來代替含交聯性有機聚矽氧烷之溶液X以外，以和實施例1相同的方法，獲得玻璃積層體J。
(含交聯性有機聚矽氧烷之溶液W)
混合ADEKA公司製FX-T153Vi-5K(900mPa‧s)(100質量份)、及ADEKA公司製硬化劑FX-T153H-5K(1240mPa‧s)(10質量份)。進一步添加十二烷，而製作含交聯性有機聚矽氧烷之溶液W。烯基與氫矽基的莫耳比係經調配以呈1：1。
將所得玻璃積層體J以和實施例1相同的方法，進行支持基材與玻璃基板的分離，結果聚矽氧樹脂層與玻璃基板不易剝離，而且玻璃基板破損、或聚矽氧樹脂層破壞而大部分附著在玻璃基板上。
另外，以奈米壓痕法測定玻璃基板剝離後支持基材上的聚矽氧樹脂層的彈性率，結果為0.23MPa。
<比較例2>
除了使用以下的含交聯性有機聚矽氧烷之溶液V來替代含交聯性有機聚矽氧烷之溶液X以外，以和實施例1相同的方法，獲得玻璃積層體K。
(含交聯性有機聚矽氧烷之溶液V)
將荒川化學公司製主劑(A41)(100質量份)、及荒川化學 公司製硬化劑(ASA-X01)(13質量份)混合，以使烯基與氫矽基的莫耳比呈1：1。荒川化學公司製觸媒(ASA-C01)，係相對於(A41)100質量份而添加5重量份。進一步添加十二烷，而製作含交聯性有機聚矽氧烷之溶液V。
所得玻璃積層體K以和實施例1相同的方法，進行支持基材與玻璃基板的分離，結果聚矽氧樹脂層與玻璃基板不易剝離，而且玻璃基板破損、或聚矽氧樹脂層破壞而大部分附著在玻璃基板上。
另外，以奈米壓痕法測定玻璃基板剝離後支持基材上的聚矽氧樹脂層的彈性率，結果為3.15MPa。
將上述實施例及比較例的結果彙整顯示如下。
另外，表1中，「剝離性」，係將玻璃基板及聚矽氧樹脂層未破壞、且可將玻璃基板自玻璃積層體剝離的狀況作為「○」；玻璃基板剝離時，發生玻璃基板或聚矽氧樹脂層的破壞的狀況作為「×」。
又，對經360℃、60分鐘之加熱處理後的玻璃積層體A~K，進行以下的剝離試驗，測定玻璃基板的剝離強度(N/25mm)。
準備寬25mm‧長70mm的玻璃積層體A~K，使用萬能試驗機Autograph AG-20/50kNXDplus(島津製作所)進行玻璃基板的剝離。另外，剝離速度為30mm/min。將檢測荷重的地點作為0，以該位置起距離1.5mm的位置的剝離強度作為測定值。
[表1]
如由上述表1所顯明，可確認當聚矽氧樹脂層的彈性率在特定範圍(0.5~2.5MPa)時，玻璃基板的剝離性優良。
另一方面，聚矽氧樹脂層的彈性率過低的比較例1、以及過高的比較例2方面，玻璃基板的剝離性不佳。
<實施例10>
於本例中，使用實施例1中獲得之玻璃積層體A製造OLED。
首先，於玻璃積層體A中之玻璃基板之第2主面上，藉由電漿CVD法按照氮化矽、氧化矽、非晶矽之順序進行成膜。其次，藉由離子摻雜裝置將低濃度之硼注入至非晶矽層中，於氮氣環境下在450℃進行60分鐘加熱處理並進行脫氫處理。接著，藉由雷射退火裝置進行非晶矽層之結晶化 處理。其次，藉由使用光刻法之蝕刻及離子摻雜裝置將低濃度之磷注入至非晶矽層中而形成N型及P型之TFT區域。接著，於玻璃基板之第2主面側藉由電漿CVD法使氧化矽膜成膜而形成閘極絕緣膜後，藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻而形成閘極電極。其次，藉由光刻法與離子摻雜裝置將高濃度之硼與磷注入至N型、P型各自所需之區域中而形成源極區域及汲極區域。接著，於玻璃基板之第2主面側，藉由利用電漿CVD法所行之氧化矽之成膜而形成層間絕緣膜，並藉由利用濺鍍法之鋁之成膜及使用光刻法之蝕刻而形成TFT電極。其次，於氫氣環境下在450℃下進行60分鐘加熱處理而進行氫化處理之後，藉由利用電漿CVD法所行之氮化矽之成膜而形成鈍化層。接著，於玻璃基板之第2主面側塗佈紫外線硬化性樹脂，藉由光刻法形成平坦化層及接觸孔。其次，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻而形成像素電極。
接著，藉由蒸鍍法，於玻璃基板之第2主面側依序使4,4',4"-三(3-甲基苯基胺基)三苯基胺成膜為正孔注入層，使雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺成膜為正孔傳輸層，使於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]伸萘基-1,5-二甲腈(BSN-BCN)40體積%而成者成膜為發光層，且使Alq3成膜為電子傳輸層。其次，藉由濺鍍法使鋁成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻而形成對向電極。其次，於玻璃基板之第2主面側經由紫外線硬化型之接著層貼合另一片玻璃基板進行密封。按照上述程序， 於玻璃基板上形成有機EL構造體。玻璃基板上具有有機EL構造體之玻璃積層體A(以下，稱為面板A)為本發明之附電子裝置用構件之積層體(附支持基材之顯示裝置用面板)。
接著，使面板A之密封體側真空吸附於定盤之後，於面板A之角隅部之玻璃基板與樹脂層之界面中插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，給玻璃基板與樹脂層之界面提供剝離之起點。然後，利用真空吸附墊吸附面板A之支持基材表面之後，使吸附墊上升。此處，刀具之插入係一邊自電離器(KEYENCE公司製造)向該界面噴附除靜電性流體一邊進行。其次，一邊朝向所形成之空隙自電離器連續地噴附除靜電性流體一邊提拉真空吸附墊。其結果，定盤上僅殘留形成有有機EL構造體之玻璃基板，而可將附有樹脂層之支持基材剝離。
接著，利用與實施例1相同之方法對經分離之玻璃基板之剝離面進行清潔化，使用雷射裁刀或劃線-折斷法(scribe-break)對經分離之玻璃基板進行切割，分割成多個晶胞槽之後，將形成有有機EL構造體之玻璃基板與對向基板組裝，實施模組形成步驟而製作OLED。如此所獲得之OLED於特性上未產生問題。
<實施例11>
於本例中，使用實施例1中獲得之玻璃積層體A製造LCD。
首先，準備2片玻璃積層體A，於其中一片之玻璃積層體A1中之玻璃基板之第2主面上藉由電漿CVD法按照氮化 矽、氧化矽、非晶矽之順序進行成膜。其次，藉由離子摻雜裝置將低濃度之硼注入至非晶矽層中，於氮氣環境下在450℃下進行60分鐘加熱處理並進行脫氫處理。接著，藉由雷射退火裝置進行非晶矽層之結晶化處理。其次，藉由使用光刻法之蝕刻及離子摻雜裝置，將低濃度之磷注入至非晶矽層中，而形成N型及P型之TFT區域。接著，於玻璃基板之第2主面側藉由電漿CVD法成膜氧化矽膜而形成閘極絕緣膜之後，藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻而形成閘極電極。其次，藉由光刻法與離子摻雜裝置，將高濃度之硼與磷注入至N型、P型各自所需之區域中，而形成源極區域及汲極區域。接著，於玻璃基板之第2主面側，藉由利用電漿CVD法所行之氧化矽之成膜而形成層間絕緣膜，並藉由利用濺鍍法之鋁之成膜及使用光刻法之蝕刻而形成TFT電極。其次，於氫氣環境下在450℃下進行60分鐘加熱處理而進行氫化處理之後，藉由利用電漿CVD法之氮化矽之成膜而形成鈍化層。接著，於玻璃基板之第2主面側塗佈紫外線硬化性樹脂，藉由光刻法形成平坦化層及接觸孔。其次，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻而形成像素電極。
接著，將另一片之玻璃積層體A2於大氣環境下在450℃下進行60分鐘加熱處理。其次，於玻璃積層體A中之玻璃基板之第2主面上藉由濺鍍法使鉻成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻而形成遮光層。其次，於玻璃基板之第2主面側藉由鑄模塗佈法塗佈彩色抗蝕劑，藉由光刻法及熱硬化而形成 彩色濾光片層。接著，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，而形成對向電極。其次，於玻璃基板之第2主面側藉由鑄模塗佈法塗佈紫外線硬化樹脂液，並藉由光刻法及熱硬化而形成柱狀間隔件。接著，藉由輥塗法塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化形成定向層，並進行磨擦。
其次，藉由分注器法將封合用樹脂液繪製成框狀，藉由分注器法將液晶滴加於框內之後，使用上述形成有像素電極之玻璃積層體A1，將2片玻璃積層體A之玻璃基板之第2主面側彼此貼合，藉由紫外線硬化及熱硬化而獲得LCD面板。
接著，使玻璃積層體A1之第2主面真空吸附於定盤，於玻璃積層體A2之角隅部之玻璃基板與樹脂層之界面中插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，而提供玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面之剝離之起點。此處，刀具之插入係一邊自電離器(KEYENCE公司製造)向該界面噴附除靜電性流體一邊進行。其次，一邊朝向所形成之空隙自電離器連續地噴附除靜電性流體一邊提拉真空吸附墊。然後，利用真空吸附墊吸附玻璃積層體A2之支持基材之第2主面之後，使吸附墊上升。其結果，定盤上僅殘存附有玻璃積層體A1之支持基材之LCD之空晶胞槽(cell)，而可將支持基材剝離。
接著，使第1主面形成有彩色濾光片之玻璃基板之第2主面真空吸附於定盤，於玻璃積層體A1之角隅部之玻璃基板與樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具， 而提供玻璃基板之第1主面與樹脂層之剝離性表面之剝離之起點。然後，利用真空吸附墊吸附玻璃積層體A1之支持基板之第2主面之後，使吸附墊上升。其結果，定盤上僅殘存LCD晶胞槽，而可將固定有樹脂層之支持基材剝離。如此，而獲得由厚度0.1mm之玻璃基板構成的多個LCD之晶胞槽。
接著，藉由切割之步驟，分割成多個LCD之晶胞槽。對完成所得之各LCD晶胞槽實施黏附偏光板之步驟，接著實施模組形成步驟而獲得LCD。如此所獲得之LCD於特性上未產生問題。
<實施例12>
於本例中，使用實施例1中獲得之玻璃積層體A製造OLED。
首先，於玻璃積層體A中之玻璃基板之第2主面上藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻而形成閘極電極。其次，藉由電漿CVD法，於玻璃基板之第2主面側進而使氮化矽成膜而形成閘極絕緣膜，接著藉由濺鍍法使氧化銦鎵鋅成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻而形成氧化物半導體層。接著，藉由電漿CVD法，於玻璃基板之第2主面側進而使氮化矽成膜而形成通道保護層，接著，藉由濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻而形成源極電極及汲極電極。其次，於大氣中在450℃下進行60分鐘加熱處理。接著，於玻璃基板之第2主面側進而藉由電漿CVD法使氮化矽成膜而形成鈍化層，接著，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜並 藉由使用光刻法之蝕刻而形成像素電極。
接著，藉由蒸鍍法於玻璃基板之第2主面側依序使4,4',4"-三(3-甲基苯基胺基)三苯基胺成膜為正孔注入層，使雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺成膜為正孔傳輸層，使於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]伸萘基-1,5-二甲腈(BSN-BCN)40體積%而成者成膜為發光層，使Alq3成膜為電子傳輸層。其次，藉由濺鍍法使鋁成膜，並藉由使用光刻法之蝕刻而形成對向電極。接著，於玻璃基板之第2主面側經由紫外線硬化型之接著層貼合另一片玻璃基板而進行密封。按照上述程序於玻璃基板上形成有機EL構造體。玻璃基板上具有有機EL構造體之玻璃積層體A(以下，稱為面板A)為本發明之附電子裝置用構件之積層體(附支持基材之顯示裝置用面板)。
接著，使面板A之密封體側真空吸附於定盤後，於面板A之角隅部之玻璃基板與樹脂層之界面中插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，而對玻璃基板與樹脂層之界面提供剝離之起點。然後，利用真空吸附墊吸附面板A之支持基材表面後，使吸附墊上升。此處，刀具之插入係一邊自電離器(KEYENCE公司製造)向該界面噴附除靜電性流體一邊進行。其次，一邊朝向所形成之空隙自電離器連續地噴附除靜電性流體一邊提拉真空吸附墊。其結果，定盤上僅殘存形成有有機EL構造體之玻璃基板，而可將附有樹脂層之支持基材剝離。
接著，利用與實施例1相同之方法對經分離之玻璃基板 之剝離面進行清潔化，使用雷射裁刀或劃線-折斷法切割經分離之玻璃基板而使其分割成多個晶胞槽後，將形成有有機EL構造體之玻璃基板與對向基板組裝，實施模組形成步驟而製作OLED。如此獲得之OLED於特性上未產生問題。
本申請案係基於2012年12月28日提出申請之日本專利申請案2012-286768者，其內容作為參照而併入本文中。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基材
14‧‧‧聚矽氧樹脂層
14a‧‧‧聚矽氧樹脂層之第1主面
16‧‧‧玻璃基板
16a‧‧‧玻璃基板之第1主面
16b‧‧‧玻璃基板之第2主面
18‧‧‧附聚矽氧樹脂層之支持基材

Claims (8)

  1. 一種玻璃積層體，依序具有支持基材、聚矽氧樹脂層及玻璃基板，且前述支持基材與前述聚矽氧樹脂層之界面的剝離強度大於前述聚矽氧樹脂層與前述玻璃基板之界面的剝離強度，前述聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，又，以奈米壓痕法測得之前述聚矽氧樹脂層的彈性率為0.5~2.5MPa。
  2. 如請求項1之玻璃積層體，其中前述交聯性有機聚矽氧烷之交聯物係使具有烯基之有機聚矽氧烷與具有氫矽基之有機聚矽氧烷起反應而獲得之交聯物。
  3. 如請求項2之玻璃積層體，其中前述烯基與前述氫矽基的混合莫耳比(烯基莫耳數/氫矽基莫耳數)為1/1~1/0.8。
  4. 如請求項1至3中任一項之玻璃積層體，其中前述聚矽氧樹脂層更包含聚矽氧油。
  5. 如請求項1至4中任一項之玻璃積層體，其中前述聚矽氧樹脂層的厚度為2~100μm。
  6. 如請求項1至5中任一項之玻璃積層體，其中前述支持基材為玻璃板。
  7. 一種製造如請求項1至6中任一項之玻璃積層體的方法，係於支持基材之單面形成含交聯性有機聚矽氧烷之層， 且在前述支持基材面上使前述交聯性有機聚矽氧烷交聯而形成聚矽氧樹脂層，接著在前述聚矽氧樹脂層之表面積層玻璃基板。
  8. 一種附聚矽氧樹脂層之支持基材，具有支持基材及設於前述支持基材面上的聚矽氧樹脂層，前述聚矽氧樹脂層之聚矽氧樹脂為交聯性有機聚矽氧烷之交聯物，又，以奈米壓痕法測得之前述聚矽氧樹脂層的彈性率為0.5~2.5MPa。
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