KR20150100688A

KR20150100688A - 유리 적층체 및 그 제조 방법 및, 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재

Info

Publication number: KR20150100688A
Application number: KR1020157016690A
Authority: KR
Inventors: 다케오미 미야코; 히로토시 데루이; 다이스케 우치다; 마사루 야마우치
Original assignee: 아사히 가라스 가부시키가이샤
Priority date: 2012-12-28
Filing date: 2013-12-09
Publication date: 2015-09-02
Also published as: TW201429710A; WO2014103678A1; CN104903095A; JPWO2014103678A1; TWI596006B; CN104903095B; JP6252490B2

Abstract

본 발명은 지지 기재와 실리콘 수지층과 유리 기판을 이 순서대로 구비하고, 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도가, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도보다 높은 유리 적층체이며, 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고, 나노인덴테이션법에 의해 측정한 실리콘 수지층의 탄성률이 0.5 내지 2.5㎫인 유리 적층체에 관한 것이다.

Description

유리 적층체 및 그 제조 방법 및, 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재{GLASS LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SUPPORTING BASE WITH SILICONE RESIN LAYER}

본 발명은 유리 적층체 및 그 제조 방법에 관한 것이고, 특히, 소정의 탄성률을 나타내는 실리콘 수지층을 갖는 유리 적층체 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재에 관한 것이고, 특히, 유리 기판이 그 표면에 박리 가능하게 적층되는 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

최근, 태양 전지(PV), 액정 패널(LCD), 유기 EL 패널(OLED) 등의 디바이스(전자 기기)의 박형화, 경량화가 진행되고 있고, 이들 디바이스에 사용하는 유리 기판의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 유리 기판의 강도가 부족하면, 디바이스의 제조 공정에 있어서, 유리 기판의 핸들링성이 저하된다.

따라서, 종래부터, 최종 두께보다 두꺼운 유리 기판 상에 디바이스용 부재(예를 들어, 박막 트랜지스터)를 형성한 후, 유리 기판을 화학 에칭 처리에 의해 박판화하는 방법이 널리 채용되고 있다.

그러나, 이 방법에서는, 예를 들어 1매의 유리 기판의 두께를 0.7㎜로부터 0.2㎜나 0.1㎜로 박판화할 경우, 원래의 유리 기판 재료의 대부분을 에칭액으로 제거하게 되므로, 생산성이나 원재료의 사용 효율이라는 관점에서는 바람직하지 않다. 또한, 상기 화학 에칭에 의한 유리 기판의 박판화 방법에 있어서는, 유리 기판 표면에 미세한 흠집이 존재하는 경우, 에칭 처리에 의해 흠집을 기점으로 하여 미세한 오목부(에치 피트)가 형성되어, 광학적인 결함이 되는 경우가 있었다.

최근에는, 상기 과제에 대응하기 위해서, 박판 유리 기판과 보강판을 적층한 유리 적층체를 준비하여, 유리 적층체의 박판 유리 기판 상에 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재를 형성한 후, 박판 유리 기판으로부터 지지판을 분리하는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 보강판은, 지지판과, 상기 지지판 상에 고정된 실리콘 수지층을 갖고, 실리콘 수지층과 박판 유리 기판이 박리 가능하게 밀착된다. 유리 적층체의 실리콘 수지층과 박판 유리 기판의 계면이 박리되고, 박판 유리 기판으로부터 분리된 보강판은, 새로운 박판 유리 기판과 적층되어, 유리 적층체로서 재이용하는 것이 가능하다.

국제 공개 제2007/018028호

특허문헌 1에 기재된 유리 적층체에 대해서, 최근에 더욱 높은 내열성이 요구되게 되었다. 유리 적층체의 유리 기판 상에 형성되는 전자 디바이스용 부재의 고기능화나 복잡화에 수반하여, 전자 디바이스용 부재를 형성할 때의 온도가 더 고온이 됨과 함께, 그 고온에 노출되는 시간도 장시간을 필요로 하는 경우가 적지 않다. 또한, 사용되는 유리 기판도 더욱 박막화되고 있어, 그 취급성이 곤란해지고 있었다.

특허문헌 1에 기재된 유리 적층체는 대기 중 300℃, 1시간의 처리에 견딜 수 있다. 그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 특허문헌 1을 참조하여, 보다 두께가 얇은 유리 기판을 사용한 유리 적층체에 대하여 360℃, 1시간의 처리를 행한 경우, 유리 기판을 실리콘 수지층 표면으로부터 박리할 때, 유리 기판이 수지층 표면으로부터 박리되지 않고 그 일부가 파괴되거나, 수지층의 수지 일부가 유리 기판 상에 잔존하거나 해서, 결과적으로 전자 디바이스의 생산성 저하를 초래하는 경우가 있었다.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 고온 가열 처리 후에도 유리 기판과 실리콘 수지층과의 박리 강도의 상승이 억제되어, 용이하게 유리 기판을 박리할 수 있는 유리 적층체 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

또한, 본 발명은 상기 유리 적층체의 제조에 사용되는 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재를 제공하는 것도 목적으로 한다.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 행한 결과, 본 발명을 완성하였다.

즉, 본 발명의 제1 형태는, 지지 기재와 실리콘 수지층과 유리 기판을 이 순서대로 구비하고, 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도가, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도보다 큰 유리 적층체이며, 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고, 나노인덴테이션법에 의해 측정한 실리콘 수지층의 탄성률이 0.5 내지 2.5㎫인, 유리 적층체이다.

제1 형태에 있어서, 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이, 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산과, 히드로실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산을 반응시켜서 얻어지는 가교물인 것이 바람직하다.

제1 형태에 있어서, 알케닐기와 히드로실릴기의 혼합 몰비(알케닐기의 몰수/히드로실릴기의 몰수)가 1/1 내지 1/0.8인 것이 바람직하다.

제1 형태에 있어서, 실리콘 수지층이 실리콘 오일을 더 포함하는 것이 바람직하다.

제1 형태에 있어서, 실리콘 수지층의 두께가 2 내지 100㎛인 것이 바람직하다.

제1 형태에 있어서, 지지 기재가 유리판인 것이 바람직하다.

본 발명의 제2 형태는, 지지 기재의 편면에 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층을 형성하고, 지지 기재면 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜서 실리콘 수지층을 형성하고, 이어서 실리콘 수지층의 표면에 유리 기판을 적층하는 제1 형태의 유리 적층체를 제조하는 방법이다.

본 발명의 제3 형태는, 지지 기재와 지지 기재면 상에 형성된 실리콘 수지층을 갖는 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재이며, 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고, 나노인덴테이션법에 의해 측정한 실리콘 수지층의 탄성률이 0.5 내지 2.5㎫인, 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재이다.

본 발명에 따르면, 고온 가열 처리 후에도 유리 기판과 실리콘 수지층과의 박리 강도의 상승이 억제되어, 용이하게 유리 기판을 박리할 수 있는 유리 적층체 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 유리 적층체의 제조에 사용되는 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재를 제공할 수도 있다.

도 1은 본 발명에 따른 유리 적층체의 일 실시 형태의 모식적 단면도이다.
도 2의 (A) 내지 도 2의 (D)는 본 발명에 따른 부재가 장착된 유리 기판의 제조 방법의 일 실시 형태를 공정 순으로 도시하는 모식적 단면도이다.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시 형태에 제한되지 않으며, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고서, 이하의 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.

본 발명의 유리 적층체는, 지지 기재와 실리콘 수지층과 유리 기판을 이 순서대로 구비한다. 즉, 지지 기재와 유리 기판의 사이에 실리콘 수지층을 갖고, 따라서, 실리콘 수지층은 한쪽 측이 지지 기재에 접하고, 다른 쪽 측이 유리 기판에 접하고 있다.

본 발명의 유리 적층체의 특징점 중 하나는, 나노인덴테이션법에 의해 측정되는 실리콘 수지층의 탄성률이 소정의 범위 내에 있는 점을 들 수 있다. 특히, 지지 기재 상에 형성한 실리콘 수지층의 탄성률이 소정의 범위 내에 있다. 탄성률이 소정의 범위 내에 있는 실리콘 수지층은, 종래의 실리콘 수지층과 비교하여 부드럽다. 이러한 유연한 실리콘 수지층을 사용하면, 이 실리콘 수지층 상에 배치되는 유리 기판과 어느 정도 밀착하여 그 위치 어긋남을 방지함과 함께, 비교적 용이하게 유리 기판을 박리할 수 있다. 상기와 같은 특성이 얻어지는 상세한 이유는 불분명하지만, 이하와 같이 추측된다. 먼저, 유리 기판이 실리콘 수지층 상에 적층된 경우, 실리콘 수지층이 부드럽기 때문에 유리 기판 표면의 형상에 추종하도록 변형되고, 실리콘 수지층과 유리 기판의 사이에 공극 등을 발생시키는 일 없이, 실리콘 수지층과 유리 기판이 양호하게 밀착된다. 또한, 고온 가열 처리 후에 유리 기판을 실리콘 수지층으로부터 박리할 때에는, 실리콘 수지층이 변형되기 쉽기 때문에 국소적으로 유리 기판에 응력이 가해지는 것도 억제할 수 있고, 결과적으로 유리 기판을 용이하게 박리할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 유리 적층체의 일례의 모식적 단면도이다.

도 1에 도시하는 바와 같이, 유리 적층체(10)는 지지 기재(12)와 유리 기판(16)과 그들 사이에 실리콘 수지층(14)이 존재하는 적층체이다. 실리콘 수지층(14)은, 그 한쪽 면이 지지 기재(12)에 접함과 함께, 그 다른 쪽 면이 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 접하고 있다. 다시 말해, 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 접하고 있다.

지지 기재(12) 및 실리콘 수지층(14)을 포함하는 2층 부분은, 액정 패널 등의 전자 디바이스용 부재를 제조하는 부재 형성 공정에 있어서, 유리 기판(16)을 보강한다. 또한, 유리 적층체(10)의 제조를 위하여 미리 제조되는 지지 기재(12) 및 실리콘 수지층(14)을 포함하는 2층 부분을 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재(18)라고 한다.

이 유리 적층체(10)는 후술하는 부재 형성 공정까지 사용된다. 즉, 이 유리 적층체(10)는, 그 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)의 표면 상에 액정 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재가 형성될 때까지 사용된다. 그 후, 전자 디바이스용 부재가 형성된 유리 적층체는, 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재(18)와 전자 디바이스용 부재가 장착된 유리 기판으로 분리되고, 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재(18)는 전자 디바이스를 구성하는 부분이 되지는 않는다. 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재(18)에는 새로운 유리 기판(16)이 적층되고, 새로운 유리 적층체(10)로서 재이용할 수 있다.

지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면은 박리 강도 (x)를 갖고, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면에 박리 강도 (x)를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면이 박리된다. 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면은 박리 강도 (y)를 갖고, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면에 박리 강도 (y)를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면이 박리된다.

유리 적층체(10)(후술하는 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체도 의미함)에 있어서는, 상기 박리 강도 (x)는 상기 박리 강도 (y)보다 크다(높다). 따라서, 유리 적층체(10)에 지지 기재(12)와 유리 기판(16)을 박리하는 방향의 응력이 가해지면, 본 발명의 유리 적층체(10)는 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면에서 박리되어 유리 기판(16)과 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재(18)로 분리된다.

즉, 실리콘 수지층(14)은 지지 기재(12) 상에 고정되어서 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재(18)를 형성하고, 유리 기판(16)은 실리콘 수지층(14) 상에 박리 가능하게 밀착되어 있다.

박리 강도 (x)는 박리 강도 (y)와 비교하여, 충분히 높은 것이 바람직하다. 박리 강도 (x)를 높이는 것은, 지지 기재(12)에 대한 실리콘 수지층(14)의 부착력을 높이고, 또한 가열 처리 후에 있어서 유리 기판(16)에 대해서 보다 상대적으로 높은 부착력을 유지할 수 있는 것을 의미한다.

지지 기재(12)에 대한 실리콘 수지층(14)의 부착력을 높이기 위해서는, 후술하는 바와 같이, 가교성 오르가노폴리실록산을 지지 기재(12) 상에서 가교 경화시켜서 실리콘 수지층(14)을 형성하는 것이 바람직하다. 가교 경화 시의 접착력으로, 지지 기재(12)에 대하여 높은 결합력으로 결합한 실리콘 수지층(14)을 형성할 수 있다.

한편, 가교 경화 후의 가교성 오르가노폴리실록산의 경화물의 유리 기판(16)에 대한 결합력은, 상기 가교 경화 시에 발생하는 결합력보다 낮은 것이 일반적이다. 따라서, 지지 기재(12) 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교 경화시켜서 실리콘 수지층(14)을 형성하고, 그 후 실리콘 수지층(14)의 면에 유리 기판(16)을 적층하여, 유리 적층체(10)를 제조하는 것이 바람직하다.

본 발명의 제1 형태인 유리 적층체는, 지지 기재와 실리콘 수지층과 유리 기판을 이 순서대로 구비하고, 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도가 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도보다 큰 유리 적층체이며, 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고, 나노인덴테이션법에 의해 측정한 상기 실리콘 수지층의 탄성률이 0.5 내지 2.5㎫인, 유리 적층체이다.

이하에서, 먼저, 유리 적층체(10)를 구성하는 각 층(지지 기재(12), 유리 기판(16), 실리콘 수지층(14))에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후, 유리 적층체 및 전자 디바이스용 부재가 장착된 유리 기판의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.

[지지 기재]

지지 기재(12)는 유리 기판(16)을 지지하여 보강하고, 후술하는 부재 형성 공정(전자 디바이스용 부재를 제조하는 공정)에 있어서 전자 디바이스용 부재의 제조 시에 유리 기판(16)의 변형, 흠집 발생, 파손 등을 방지한다.

지지 기재(12)로서는, 예를 들어 유리판, 플라스틱판, SUS판 등의 금속판 등이 사용된다. 통상, 부재 형성 공정이 열처리를 동반하기 때문에, 지지 기재(12)는 유리 기판(16)과의 평균 선팽창 계수의 차가 작은 재료로 형성되는 것이 바람직하고, 유리 기판(16)과 동일 재료로 형성되는 것이 보다 바람직하며, 지지 기재(12)는 유리판인 것이 바람직하다. 특히, 지지 기재(12)는 유리 기판(16)과 같은 유리 재료를 포함하는 유리판인 것이 바람직하다.

지지 기재(12)의 두께는, 유리 기판(16)보다 두꺼워도 되고, 얇아도 된다. 바람직하게는, 유리 기판(16)의 두께, 실리콘 수지층(14)의 두께 및, 유리 적층체(10)의 두께에 기초하여, 지지 기재(12)의 두께가 선택된다. 예를 들어, 현행의 부재 형성 공정이 두께 0.5㎜의 기판을 처리하도록 설계된 것으로서, 유리 기판(16)의 두께와 실리콘 수지층(14)의 두께와의 합이 0.1㎜인 경우, 지지 기재(12)의 두께를 0.4㎜로 한다. 지지 기재(12)의 두께는 통상적인 경우, 0.2 내지 5.0㎜인 것이 바람직하다.

지지 기재(12)가 유리판인 경우, 유리판의 두께는 취급하기 쉽고, 깨지기 어렵다는 등의 이유로부터 0.08㎜ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 유리판의 두께는, 전자 디바이스용 부재 형성 후에 박리할 때, 깨지지 않고 적절하게 휘도록 하는 강성이 요망되는 이유로 인해, 1.0㎜ 이하인 것이 바람직하다.

지지 기재(12)와 유리 기판(16)과의 25 내지 300℃에서의 평균 선팽창 계수의 차는, 바람직하게는 500×10^-7/℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 300×10^-7/℃ 이하이며, 더욱 바람직하게는 200×10^-7/℃ 이하이다. 상기 평균 선팽창 계수의 차가 너무 크면, 부재 형성 공정에 있어서의 가열 냉각 시에, 유리 적층체(10)가 심하게 휘거나, 지지 기재(12)와 유리 기판(16)이 박리되거나 할 가능성이 있다. 지지 기재(12)의 재료가 유리 기판(16)의 재료와 동일한 경우, 이러한 문제가 발생하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 지지 기재는 유리판인 것이 바람직하다.

[유리 기판]

유리 기판(16)은, 제1 주면(16a)이 실리콘 수지층(14)과 접하고, 실리콘 수지층(14)측과는 반대측의 제2 주면(16b)에 전자 디바이스용 부재가 설치된다.

유리 기판(16)의 종류는, 일반적인 것이어도 되고, 예를 들어 LCD, OLED와 같은 표시 장치용 유리 기판 등을 들 수 있다. 유리 기판(16)은 내약품성, 내투습성이 우수하고, 또한, 열수축률이 낮다. 열수축률의 지표로서는 JIS R 3102(1995년 개정)에 규정되어 있는 평균 선팽창 계수가 사용된다.

유리 기판(16)의 평균 선팽창 계수가 크면, 부재 형성 공정은 가열 처리를 동반하는 경우가 많으므로, 다양한 문제가 발생하기 쉽다. 예를 들어, 유리 기판(16) 위에 TFT를 형성하는 경우, 가열 하에서 TFT가 형성된 유리 기판(16)을 냉각하면, 유리 기판(16)의 열수축에 의해, TFT의 위치 어긋남이 과대해질 우려가 있다.

유리 기판(16)은 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판상으로 성형하여 얻어진다. 이러한 성형 방법은, 일반적인 것이어도 되고, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로법, 푸르콜법, 러버스법 등이 사용된다. 또한, 특히 두께가 얇은 유리 기판(16)은 일단 판상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단으로 잡아늘여서 얇게 하는 방법(리드로우법)으로 성형하여 얻어진다.

유리 기판(16)의 유리의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 무알칼리 붕규산 유리, 붕규산 유리, 소다 석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로서는, 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90질량％인 유리가 바람직하다.

유리 기판(16)의 유리로서는, 전자 디바이스용 부재의 종류나 그 제조 공정에 적합한 유리가 채용된다. 예를 들어, 액정 패널용 유리 기판은, 알칼리 금속 성분의 용출이 액정에 영향을 주기 쉬운 점에서, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)를 포함한다(단, 통상적으로 알칼리 토금속 성분은 포함됨). 이와 같이, 유리 기판(16)의 유리는, 적용되는 디바이스의 종류 및 그 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.

유리 기판(16)의 두께는, 유리 기판(16)의 박형화 및/또는 경량화의 관점에서, 0.3㎜ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.20㎜ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.15㎜ 이하이며, 특히 바람직하게는 0.10㎜ 이하이다. 0.3㎜ 이하인 경우, 유리 기판(16)에 양호한 가요성을 부여하는 것이 가능하다. 0.15㎜ 이하인 경우, 유리 기판(16)을 롤 형상으로 권취하는 것이 가능하다.

또한, 유리 기판(16)의 두께는, 유리 기판(16)의 제조가 용이한 점, 유리 기판(16)의 취급이 용이한 점 등의 이유로 인해, 0.03㎜ 이상인 것이 바람직하다.

또한, 유리 기판(16)은 2층 이상을 포함하고 있어도 되고, 이 경우, 각각의 층을 형성하는 재료는 동종 재료여도 되고, 이종 재료여도 된다. 또한, 이 경우, 「유리 기판(16)의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.

[실리콘 수지층]

실리콘 수지층은 실질적으로 실리콘 수지를 포함하고, 상기 실리콘 수지는 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고, 나노인덴테이션법에 의해 측정한 탄성률이 0.5 내지 2.5㎫이다. 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도는, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도보다 크다.

실리콘 수지층(14)은, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)를 분리하는 조작이 행하여질 때까지 유리 기판(16)의 위치 어긋남을 방지함과 함께, 유리 기판(16) 등이 분리 조작에 의해 파손되는 것을 방지한다. 실리콘 수지층(14)의 유리 기판(16)과 접하는 표면(실리콘 수지층의 제1 주면)(14a)은, 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 박리 가능하게 밀착된다. 한편, 실리콘 수지층(14)은 지지 기재(12) 상에 고정되어 있다. 그로 인해, 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 약한 결합력으로 결합되어 있고, 그 계면의 박리 강도 (y)는, 실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12)의 사이의 계면 박리 강도 (x)보다 낮다.

즉, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)를 분리할 때에는, 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)과 실리콘 수지층(14)의 계면에서 박리하고, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)의 계면에서는 박리하기 어렵다. 이로 인해, 실리콘 수지층(14)은 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)과 밀착되지만, 유리 기판(16)을 용이하게 박리할 수 있는 표면 특성을 갖는다. 즉, 실리콘 수지층(14)은, 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 대하여 어느 정도의 결합력으로 결합하여 유리 기판(16)의 위치 어긋남 등을 방지하고 있는 동시에, 유리 기판(16)을 박리할 때에는, 유리 기판(16)을 파괴하지 않고, 용이하게 박리할 수 있을 정도의 결합력으로 결합되어 있다. 본 발명에서는, 이 실리콘 수지층(14) 표면의 용이하게 박리할 수 있는 성질을 박리성이라고 한다. 한편, 지지 기재(12)의 제1 주면과 실리콘 수지층(14)은 상대적으로 박리되기 어려운 결합력으로 결합되어 있다.

또한, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면의 결합력은, 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 면(제2 주면(16b)) 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하기 전후로 변화해도 된다(즉, 박리 강도 (x)나 박리 강도 (y)가 변화해도 됨). 그러나, 전자 디바이스용 부재를 형성한 후에도, 박리 강도 (y)는 박리 강도 (x)보다 낮다.

실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)은, 약한 접착력이나 반데발스 힘에 기인하는 결합력으로 결합되어 있다고 생각된다. 실리콘 수지층(14)을 형성한 후 그 표면에 유리 기판(16)을 적층하는 경우, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지가 접착력을 나타내지 않을 만큼 충분히 가교되어 있는 경우에는 반데발스 힘에 기인하는 결합력으로 결합되어 있다고 생각된다. 그러나, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지는, 어느 정도 약한 접착력을 갖는 경우가 적지 않다. 가령 접착성이 매우 낮은 경우에도, 유리 적층체(10) 제조 후 그 적층체 상에 전자 디바이스용 부재를 형성할 때에는, 가열 조작 등에 의해, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지는 유리 기판(16)면에 접착되고, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 사이의 결합력은 상승한다고 생각된다.

경우에 따라, 적층 전의 실리콘 수지층(14)의 표면이나 적층 전의 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)에 양자 간의 결합력을 약화시키는 처리를 행하여 적층할 수도 있다. 적층하는 면에 비접착성 처리 등을 행하고, 그 후 적층함으로써, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면의 결합력을 약화시켜, 박리 강도 (y)를 낮게 할 수 있다.

또한, 실리콘 수지층(14)은, 접착력이나 점착력 등의 강한 결합력으로 지지 기재(12) 표면에 결합되어 있다. 예를 들어, 상술한 바와 같이, 가교성 오르가노폴리실록산을 지지 기재(12) 표면에서 가교 경화시킴으로써, 가교물인 실리콘 수지를 지지 기재(12) 표면에 접착하여, 높은 결합력을 얻을 수 있다. 또한, 지지 기재(12) 표면과 실리콘 수지층(14)과의 사이에 강한 결합력을 발생시키는 처리(예를 들어, 커플링제를 사용한 처리)를 실시하여 지지 기재(12) 표면과 실리콘 수지층(14) 사이의 결합력을 높일 수 있다.

실리콘 수지층(14)과 지지 기재(12)가 높은 결합력으로 결합되어 있는 것은, 양자의 계면의 박리 강도 (x)가 높은 것을 의미한다.

나노인덴테이션법에 의해 측정한 실리콘 수지층(14)의 탄성률은, 0.5 내지 2.5㎫이다. 그 중에서도, 유리 기판(16)의 박리성이 보다 우수한 점에서, 0.5 내지 2.0㎫가 바람직하고, 0.5 내지 1.2㎫가 보다 바람직하다.

실리콘 수지층(14)의 탄성률이 0.5㎫ 미만인 경우 및, 실리콘 수지층(14)의 파괴가 발생하고, 2.5㎫ 초과인 경우, 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)이 박리되기 어려워진다. 또한, 상기 탄성률은, 실리콘 수지층(14) 표면의 임의의 5군데 이상의 점에서 측정한 탄성률을 산술 평균하여 얻어지는 평균값이다.

나노인덴테이션법에 의해 측정한 탄성률을 상기 범위로 하기 위해서는, 후술하는 바와 같이, 실리콘 수지층을 소정의 실리콘 수지층으로 하는 것, 실리콘 수지층에 실리콘 오일을 포함시키는 것, 실리콘 수지층의 형성 방법 등에 의해 제어할 수 있다.

본 발명에 있어서, 나노인덴테이션법에 의한 탄성률 측정 방법으로서는, JKR(Johnson-Kendall-Roberts) 해석을 원자간력 현미경을 사용한 포스 측정과 조합함으로써 탄성률(영률)이 얻어진다. 이 방법에서는, 캔틸레버를 시료면에 대하여 수직으로 이동시키고, 캔틸레버의 위치에 대하여 하중을 측정한다. 캔틸레버의 스프링 상수에 대하여 충분히 단단한 시료에서는 시료 변형이 일어나지 않지만, 유연한 시료에서는 하중에 따라서 시료도 변형되는 점을 이용하여, 하중과 시료 변형량과의 관계가 얻어진다. 압입이 작고, 시료가 유연한 범위에서는 JKR 해석이 최적이다.

상기 탄성률 측정 방법의 상세 내용에 대해서는, 고분자 논문집 Vol.69, No.7, 435 내지 442에 개시된다. 또한, 탄성률의 측정 수순에 대해서는, 후술하는 실시예 란에 있어서 상세하게 설명한다.

실리콘 수지층(14)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 2 내지 100㎛인 것이 바람직하고, 3 내지 50㎛인 것이 보다 바람직하며, 7 내지 20㎛인 것이 더욱 바람직하다. 실리콘 수지층(14)의 두께가 이러한 범위이면, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 사이에 기포나 이물이 개재되는 경우가 있어도, 유리 기판(16)의 왜곡 결함의 발생을 억제할 수 있다. 또한, 실리콘 수지층(14)의 두께가 너무 두꺼우면, 형성하는 데 시간 및 재료를 필요로 하기 때문에 경제적이지 않고, 내열성이 저하되는 경우가 있다. 또한, 실리콘 수지층(14)의 두께가 너무 얇으면, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)과의 밀착성이 저하되는 경우가 있다.

또한, 실리콘 수지층(14)은 2층 이상을 포함하고 있어도 된다. 이 경우 「실리콘 수지층(14)의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.

또한, 실리콘 수지층(14)이 2층 이상을 포함하는 경우에는, 각각의 층을 형성하는 수지가 상이한 가교 실리콘 수지여도 된다.

실리콘 수지층(14)에 포함되는 실리콘 수지는 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고, 통상적으로 3차원 그물코 구조를 형성하고 있다.

가교성 오르가노폴리실록산의 종류는 특별히 제한되지 않고, 소정의 가교 반응을 통해서 가교 경화하여 실리콘 수지를 구성하는 가교물(경화물)이 되면, 특별히 그 구조는 한정되지 않으며, 소정의 가교성을 갖고 있으면 된다. 가교의 형식은 특별히 제한되지 않고, 가교성 오르가노폴리실록산 중에 포함되는 가교성 기의 종류에 따라 적절히 공지된 형식을 채용할 수 있다. 예를 들어, 히드로실릴화 반응, 축합 반응 또는, 가열 처리, 고 에너지선 처리 또는 라디칼 중합 개시제에 의한 라디칼 반응 등을 들 수 있다.

보다 구체적으로는, 가교성 오르가노폴리실록산이 알케닐기 또는 알키닐기 등의 라디칼 반응성 기를 갖는 경우, 상기 라디칼 반응을 개재한 라디칼 반응성 기끼리의 반응에 의해 가교하여 경화물(가교 실리콘 수지)이 된다.

또한, 가교성 오르가노폴리실록산이 실라놀기를 갖는 경우, 실라놀기끼리의 축합 반응에 의해 가교하여 경화물이 된다.

또한, 가교성 오르가노폴리실록산이, 규소 원자에 결합한 알케닐기(비닐기 등)를 갖는 오르가노폴리실록산(즉, 오르가노알케닐 폴리실록산) 및, 규소 원자에 결합한 수소 원자(히드로실릴기)를 갖는 오르가노폴리실록산(즉, 오르가노히드로겐폴리실록산)을 포함하는 경우, 히드로실릴화 촉매(예를 들어, 백금계 촉매)의 존재 하에, 히드로실릴화 반응에 의해 가교하여 경화물이 된다.

그 중에서도, 실리콘 수지층(14)의 형성이 용이하고, 유리 기판(16)의 박리성이 보다 우수한 점에서, 가교성 오르가노폴리실록산이, 양쪽 말단 및/또는 측쇄에 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산(이후, 적절히 오르가노폴리실록산 A라고도 함)과, 양쪽 말단 및/또는 측쇄에 히드로실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산(이후, 적절히 오르가노폴리실록산 B라고도 함)을 포함하는 형태가 바람직하다.

또한, 알케닐기로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 비닐기(에테닐 기), 알릴기(2-프로페닐기), 부테닐기, 펜테닐기, 헥시닐기 등을 들 수 있고, 그 중에서도 내열성이 우수한 점에서, 비닐기가 바람직하다.

또한, 오르가노폴리실록산 A에 포함되는 알케닐기 이외의 기 및 , 오르가노폴리실록산 B에 포함되는 히드로실릴기 이외의 기로서는, 알킬기(특히, 탄소수 4 이하의 알킬기)를 들 수 있다.

오르가노폴리실록산 A 중에 있어서의 알케닐기의 위치는 특별히 제한되지 않지만, 오르가노폴리실록산 A가 직쇄상인 경우, 알케닐기는 하기에 나타내는 M 단위 및 D 단위 중 어느 하나에 존재해도 되고, M 단위와 D 단위의 양쪽에 존재하고 있어도 된다. 경화 속도의 관점에서, 적어도 M 단위에 존재하고 있는 것이 바람직하고, 2개의 M 단위의 양쪽에 존재하고 있는 것이 바람직하다.

또한, M 단위 및 D 단위란, 오르가노폴리실록산의 기본 구성 단위의 예이며, M 단위란 유기기가 3개 결합한 1관능성의 실록산 단위, D 단위란 유기기가 2개 결합한 2관능성의 실록산 단위이다. 실록산 단위에 있어서, 실록산 결합은 2개의 규소 원자가 1개의 산소 원자를 개재하여 결합한 결합인 점에서, 실록산 결합에 있어서의 규소 원자 1개당 산소 원자는 1/2개로 간주하고, 식 중 O_1/2로 표현된다.

오르가노폴리실록산 A 중에 있어서의 알케닐기의 수는 특별히 제한되지 않지만, 1 분자 중에 1 내지 3개가 바람직하고, 2개가 보다 바람직하다.

오르가노폴리실록산 A의 적합한 구조로서는, 직쇄상 또는 환상이며, 1 분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖고, 상기 알케닐기가 2개의 M 단위의 양쪽에 1개 이상 존재하는 것이다.

오르가노폴리실록산 B 중에 있어서의 히드로실릴기의 위치는 특별히 제한되지 않지만, 오르가노폴리실록산 A가 직쇄상인 경우, 히드로실릴기는 M 단위 및 D 단위 중 어느 하나에 존재해도 되고, M 단위와 D 단위의 양쪽에 존재하고 있어도 된다. 경화 속도의 관점에서, 적어도 D 단위에 존재하고 있는 것이 바람직하다.

오르가노폴리실록산 B 중에 있어서의 히드로실릴기의 수는 특별히 제한되지 않지만, 1 분자 중에 적어도 3개 갖는 것이 바람직하고, 3개가 보다 바람직하다.

오르가노폴리실록산 B의 적합한 구조로서는, 오르가노폴리실록산 A가 직쇄상 또는 환상인 경우, 히드로실릴기를 1 분자 중에 2개 이상 갖고, 히드로실릴기의 몰 함유율이 30％ 이상인 것이 바람직하다.

오르가노폴리실록산 A와 오르가노폴리실록산 B의 혼합 비율은 특별히 제한되지 않지만, 얻어지는 실리콘 수지층의 나노인덴테이션법에 의한 탄성률을 소정의 범위로 하기 위해서, 오르가노폴리실록산 A와 오르가노폴리실록산 B의 혼합 비율을 조정할 수 있다. 오르가노폴리실록산 A 중의 전체 알케닐기와, 오르가노폴리실록산 B 중의 히드로실릴기(규소 원자에 결합한 수소 원자)와의 몰비(알케닐기의 몰수/히드로실릴기의 몰수)는, 유리 기판의 박리성이 보다 우수한 점에서, 1/1 내지 1/0.8이 되도록 조정하는 것이 바람직하다. 그 중에서도 1/1 내지 1/0.9가 되도록 혼합 비율을 조정하는 것이 바람직하다.

가교성 오르가노폴리실록산으로서 적합한 구조와 혼합 비율로는, 오르가노폴리실록산 A로서는 직쇄상 또는 환상이고, 1 분자 중에 2개 이상의 알케닐기를 갖고, 상기 알케닐기가 2개의 M 단위의 양쪽에 1개 이상 존재하는 것이 바람직하며, 오르가노폴리실록산 B로서는 히드로실릴기를 1 분자 중에 2개 이상 갖고, 히드로실릴기의 몰 함유율이 30％ 이상인 것이 바람직하며, 오르가노폴리실록산 A 중의 전체 알케닐기와, 오르가노폴리실록산 B 중의 히드로실릴기(규소 원자에 결합한 수소 원자)와의 몰비(알케닐기의 몰수/히드로실릴기의 몰수)가 1/1 내지 1/0.8이 되도록 조정하는 것이 바람직하다.

히드로실릴화 촉매로서는, 백금족 금속계 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 백금족 금속계 촉매로서는, 백금계, 팔라듐계, 로듐계 등의 촉매를 들 수 있고, 특히 백금계 촉매로 사용하는 것이 경제성, 반응성의 점에서 바람직하다. 백금족 금속계 촉매로서는 공지된 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 백금 미분말, 백금흑, 염화 제1 백금산, 염화 제2 백금산 등의 염화 백금산, 4염화 백금, 염화 백금산의 알코올 화합물, 알데히드 화합물, 또는 백금의 올레핀 착체, 알케닐 실록산 착체, 카르보닐 착체 등을 들 수 있다.

히드로실릴화 촉매의 사용량으로서는, 오르가노폴리실록산 A와 오르가노폴리실록산 B와의 합계 질량 100질량부에 대하여 0.1 내지 20질량부가 바람직하고, 1 내지 10질량부가 보다 바람직하다. 백금 성분으로서는, 오르가노폴리실록산 A와 오르가노폴리실록산 B와의 합계 질량 100질량부에 대하여 2 내지 400ppm이 바람직하고, 2 내지 300ppm이 보다 바람직하다.

가교성 오르가노폴리실록산의 중량 평균 분자량은 특별히 제한되지 않지만, 취급성이 우수함과 함께, 성막성도 우수하고, 고온 처리 조건 하에 있어서의 실리콘 수지의 분해가 보다 억제되는 점에서, GPC(겔 투과 크로마토그래피) 측정에 의한, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량은 1,000 내지 5,000,000이 바람직하고, 2,000 내지 3,000,000이 보다 바람직하다.

가교성 오르가노폴리실록산의 점도는 10 내지 5000m㎩·s가 바람직하고, 15 내지 3000m㎩·s가 보다 바람직하다. 또한 본 명세서에 있어서, 특별한 언급이 없는 경우에는, 점도는 25℃에서 측정했을 때의 값이다.

본 발명에 있어서의 경화성 실리콘 수지 조성물에는, 또한, 촉매와 함께 촉매 활성을 조정할 목적으로 촉매 활성을 억제하는 작용이 있는 활성 억제제(반응 억제제, 지연제 등이라고도 불리는 화합물)를 병용하는 것이 바람직하다. 활성 억제제로서는, 예를 들어 각종 유기 질소 화합물, 유기인 화합물, 아세틸렌계 화합물, 옥심 화합물, 유기 클로로 화합물 등을 들 수 있다. 아세틸렌계 화합물로서는 구체적으로, 1-에티닐-1-시클로헥산올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 4-에틸-1-옥틴-3-올 등을 들 수 있다. 또한 필요에 따라, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 각종 실리카, 탄산 칼슘, 산화철 등의 무기 필러 등을 함유하고 있어도 된다. 또한, 내열성 향상제로서, 금속 산화물 등의 금속 화합물을 포함하고 있어도 된다.

또한, 헥산, 헵탄, 옥탄, 톨루엔, 크실렌 등의 유기 용매나 물 등의 분산매는, 경화 실리콘 수지를 구성하지 않는 성분이지만, 경화성 실리콘 수지 조성물의 도포를 위한 작업성 향상 등의 목적으로 본 발명에 있어서의 경화성 실리콘 수지 조성물에 배합하여 사용할 수 있다.

실리콘 수지층(14)에는 실리콘 오일이 포함되어 있어도 된다. 실리콘 수지층에 실리콘 오일이 포함됨으로써도 나노인덴테이션법에 의해 측정한 실리콘 수지층의 탄성률을 소정의 값으로 제어할 수 있다. 실리콘 오일은, 상기 가교성 오르가노폴리실록산과 상이하여, 가교성 오르가노폴리실록산과는 반응하지 않는, 가교성을 갖지 않는 비가교성(비반응성)의 오르가노폴리실록산이다.

실리콘 오일의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 디메틸폴리실록산, 메틸페닐폴리실록산, 디페닐폴리실록산 등의 스트레이트 실리콘 오일, 스트레이트 실리콘 오일의 측쇄 또는 말단에 폴리에테르기, 할로겐기 등을 도입한 변성 실리콘 오일이 예시된다.

또한, 실리콘 오일의 구체적으로 시판되고 있는 상품명 또는 형식 번호로서는, 방향족기(예를 들어, 페닐기)를 갖는 실리콘 오일로서, KTSF433(모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈·재팬 고도카이샤 제조), KF-50, KF-53, KF-54(신에쯔카가쿠코교사 제조), SH550(도레이다우코닝사 제조) 등을 들 수 있다.

방향족기를 갖지 않는 실리콘 오일로서는, SH200(도레이다우코닝사 제조), KNS-330(신에쯔카가쿠사 제조) 등을 들 수 있다.

실리콘 오일의 점도는 특별히 제한되지 않지만, 실리콘 수지층(14) 표면에 블리드 아웃하기 쉽고 유리 기판(16)의 박리성이 보다 우수한 점 및, 박리된 유리 기판(16)의 투명성이 보다 우수한 점에서, 100 내지 6000㎟/s가 바람직하고, 100 내지 3000㎟/s가 보다 바람직하며, 125 내지 1000㎟/s가 더욱 바람직하다.

실리콘 수지층(14) 중에 있어서의 실리콘 오일의 함유 비율은 특별히 제한되지 않지만, 유리 기판(16)의 박리성이 우수함과 함께, 박리된 유리 기판의 투명성이 보다 우수한 점에서, 실리콘 수지 100질량부에 대하여 6 내지 20질량부가 바람직하고, 6 내지 15질량부가 보다 바람직하며, 8 내지 15질량부가 더욱 바람직하다.

[유리 적층체 및 그 제조 방법]

본 발명의 유리 적층체(10)는, 상술한 바와 같이 지지 기재(12)와 유리 기판(16)과 그들 사이에 실리콘 수지층(14)이 존재하는 적층체이다.

본 발명의 유리 적층체(10)의 제조 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 지지 기재(12) 상에 실리콘 수지층(14)이 고정화된 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재(18)의 실리콘 수지층(14) 상에 유리 기판(16)을 적층하는 방법이 바람직하다. 그 중에서도, 박리 강도 (x)가 박리 강도 (y)보다 높은 적층체를 얻기 위해서, 지지 기재(12) 표면 상에서 소정의 가교성 오르가노폴리실록산을 가교 경화시켜서 실리콘 수지층(14)을 형성하는 방법이 바람직하다. 즉, 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층을 지지 기재(12)의 표면에 형성하고, 지지 기재(12) 표면 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜서 실리콘 수지층(14)(가교 실리콘 수지)을 형성하고, 이어서, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지면에 유리 기판(16)을 적층하여, 유리 적층체(10)를 제조하는 방법이다. 또한, 지지 기재(12) 표면 상에서 소정의 가교성 오르가노폴리실록산을 가교 경화시키는 것에 의해서도, 나노인덴테이션법에 의한 탄성률을 소정의 범위로 제어할 수 있다.

가교성 오르가노폴리실록산을 지지 기재(12) 표면에서 경화시키면, 경화 반응 시의 지지 기재(12) 표면과의 상호 작용에 의해 접착되어, 실리콘 수지와 지지 기재(12) 표면과의 박리 강도는 높아진다고 생각된다. 따라서, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)가 동일한 재질을 포함하는 것이어도, 실리콘 수지층(14)과 양자 간의 박리 강도에 차이를 형성할 수 있다.

이하, 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층을 지지 기재(12)의 표면에 형성하고, 지지 기재(12) 표면 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜서 실리콘 수지층(14)을 형성하는 공정을 수지층 형성 공정, 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지면에 유리 기판(16)을 적층하여 유리 적층체(10)로 하는 공정을 적층 공정이라고 하고, 각 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.

(수지층 형성 공정)

수지층 형성 공정에서는, 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층을 지지 기재(12)의 표면에 형성하고, 지지 기재(12) 표면 상에서 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜서 실리콘 수지층(14)을 형성한다.

지지 기재(12) 상에 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층을 형성하기 위해서는, 가교성 오르가노폴리실록산을 용매에 용해시킨 코팅용 조성물을 사용하고, 이 조성물을 지지 기재(12) 상에 도포하여 용액의 층을 형성하고, 이어서 용매를 제거하여 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층으로 하는 것이 바람직하다. 조성물 중에 있어서의 가교성 오르가노폴리실록산의 농도의 조정 등에 의해, 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층의 두께를 제어할 수 있다.

용매로서는, 작업 환경 하에서 가교성 오르가노폴리실록산을 용이하게 용해할 수 있고, 또한, 용이하게 휘발 제거시킬 수 있는 용매라면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 구체적으로는, 예를 들어 아세트산 부틸, 헵탄, 2-헵타논, 1-메톡시-2-프로판올아세테이트, 톨루엔, 크실렌, THF, 클로로포름 등을 예시할 수 있다.

지지 기재(12) 표면 상에 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 조성물을 도포하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 스프레이 코팅법, 다이 코팅법, 스핀 코팅법, 딥 코팅법, 롤 코팅법, 바 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코팅법 등을 들 수 있다.

그 후, 필요에 따라, 용매를 제거하기 위한 건조 처리가 실시되어도 된다. 건조 처리의 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 감압 조건 하에서 용매를 제거하는 방법이나, 가교성 오르가노폴리실록산의 경화가 진행되지 않도록 하는 온도로 가열하는 방법 등을 들 수 있다.

이어서, 지지 기재(12) 상의 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜서, 실리콘 수지층(14)을 형성한다. 보다 구체적으로는, 도 2의 (A)에 도시하는 바와 같이, 상기 공정에서는 지지 기재(12)의 적어도 편면의 표면 상에 실리콘 수지층(14)이 형성된다.

경화(가교)의 방법은, 상술한 바와 같이, 가교성 오르가노폴리실록산의 가교 형식에 따라서 적절히 최적의 방법이 선택되고, 예를 들어 가열 처리나 노광 처리를 들 수 있다. 그 중에서도 가교성 오르가노폴리실록산이 히드로실릴화 반응, 축합 반응, 라디칼 반응에 의해 가교될 경우, 유리 기판(16)에 대한 밀착성 및 내열 성이 우수한 실리콘 수지가 얻어지는 점에서, 열경화에 의해 실리콘 수지층(14)을 제조하는 것이 바람직하다.

이하, 열경화의 형태에 대하여 상세하게 설명한다.

가교성 오르가노폴리실록산을 열경화시키는 온도 조건은, 실리콘 수지층(14)의 내열성을 향상하고, 유리 기판(16)과 적층 후의 박리 강도 (y)를 상기와 같이 제어할 수 있는 범위 내에서 특별히 제한되지 않지만, 150 내지 300℃가 바람직하고, 180 내지 250℃가 보다 바람직하다. 또한, 가열 시간은, 통상, 10 내지 120분이 바람직하고, 30 내지 60분이 보다 바람직하다. 열경화의 온도가 너무 낮으면, 내열성이나 실리콘 수지층(14)의 평탄성이 저하되고, 한편, 온도가 너무 높으면 박리 강도 (y)가 너무 낮아져, 양쪽 모두 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)과의 밀착성이 약해지는 경우가 있다.

또한, 가교성 오르가노폴리실록산은 프리큐어(예비 경화)를 행한 후, 후 경화(본 경화)를 행하여 경화시켜도 된다. 프리큐어를 행함으로써, 내열성이 보다 우수한 실리콘 수지층(14)을 얻을 수 있다. 프리큐어는 용매의 제거에 이어서 행하는 것이 바람직하고, 그 경우, 층으로부터 용매를 제거하여 가교성 오르가노폴리실록산 및 실리콘 오일을 포함하는 층을 형성하는 공정과 프리큐어를 행하는 공정은 특별히 구별되지 않는다.

(적층 공정)

적층 공정은, 상기 수지층 형성 공정에서 얻어진 실리콘 수지층(14)의 실리콘 수지면 상에 유리 기판(16)을 적층하고, 지지 기재(12)와 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)을 이 순서대로 구비하는 유리 적층체(10)를 얻는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 2의 (B)에 도시하는 바와 같이, 실리콘 수지층(14)의 지지 기재(12)측과는 반대측의 표면(실리콘 수지층의 제1 주면)(14a)과, 제1 주면(16a) 및 제2 주면(16b)을 갖는 유리 기판(16)의 제1 주면(16a)을 적층면으로 해서, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)을 적층하여, 유리 적층체(10)를 얻는다.

유리 기판(16)을 실리콘 수지층(14) 상에 적층하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다.

예를 들어, 상압 환경 하에서 실리콘 수지층(14)의 표면 상에 유리 기판(16)을 겹치는 방법을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라, 실리콘 수지층(14)의 표면 상에 유리 기판(16)을 겹친 후, 롤이나 프레스를 사용하여 실리콘 수지층(14)에 유리 기판(16)을 압착시켜도 된다. 롤 또는 프레스에 의한 압착에 의해, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 사이에 혼입되어 있는 기포가 비교적 용이하게 제거되므로 바람직하다.

진공 라미네이트법이나 진공 프레스법에 의해 압착하면, 기포의 혼입의 억제나 양호한 밀착의 확보가 행하여지므로 보다 바람직하다. 진공 하에서 압착함으로써, 미소한 기포가 잔존한 경우에도, 가열에 의해 기포가 성장하는 경우가 없어, 유리 기판(16)의 왜곡 결함으로 이어지기 어렵다는 이점도 있다.

유리 기판(16)을 적층할 때에는, 실리콘 수지층(14)에 접촉하는 유리 기판(16)의 표면을 충분히 세정하고, 클린도가 높은 환경에서 적층하는 것이 바람직하다. 클린도가 높을수록, 유리 기판(16)의 평탄성은 양호해지므로 바람직하다.

또한, 유리 기판(16)을 적층한 후, 필요에 따라, 프리 어닐 처리(가열 처리)를 행해도 된다. 상기 프리 어닐 처리를 행함으로써, 적층된 유리 기판(16)의 실리콘 수지층(14)에 대한 밀착성이 향상되고, 적절한 박리 강도 (y)로 할 수 있으며, 후술하는 부재 형성 공정 시에 전자 디바이스용 부재의 위치 어긋남 등이 발생하기 어려워져, 전자 디바이스의 생산성이 향상된다.

프리 어닐 처리의 조건은 사용되는 실리콘 수지층(14)의 종류에 따라 적절히 최적의 조건이 선택되지만, 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14) 사이의 박리 강도 (y)를 보다 적절하게 하는 점에서, 300℃ 이상(바람직하게는, 300 내지 400℃)에서 5분간 이상(바람직하게는 5 내지 30분간) 가열 처리를 행하는 것이 바람직하다.

또한, 실리콘 수지층(14)의 형성은, 상기 방법에 한정되는 것은 아니다.

예를 들어, 실리콘 수지 표면에 대한 밀착성이 유리 기판(16)보다 높은 재질의 지지 기재(12)를 사용하는 경우에는, 가교성 오르가노폴리실록산을 어떠한 박리성 표면 상에서 경화하여 실리콘 수지의 필름을 제조하고, 이 필름을 유리 기판(16)과 지지 기재(12)의 사이에 개재시켜 동시에 적층할 수 있다.

또한, 가교성 오르가노폴리실록산의 경화에 의한 접착성이 유리 기판(16)에 대하여 충분히 낮고, 또한 그 접착성이 지지 기재(12)에 대하여 충분히 높은 경우에는, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)의 사이에서 가교성 오르가노폴리실록산을 경화시켜서 실리콘 수지층(14)을 형성할 수 있다.

또한, 지지 기재(12)가 유리 기판(16)과 마찬가지의 유리 재료를 포함하는 경우에도, 지지 기재(12) 표면의 접착성을 높이는 처리를 실시하여 실리콘 수지층(14)에 대한 박리 강도를 높일 수도 있다. 예를 들어, 실란 커플링제와 같은 화학적으로 고정력을 향상시키는 화학적 방법(프라이머 처리)이나, 플레임(화염) 처리와 같이 표면 활성기를 증가시키는 물리적 방법, 샌드블라스트 처리와 같이 표면의 조도를 증가시킴으로써 걸림을 증가시키는 기계적 처리 방법 등이 예시된다.

(유리 적층체)

본 발명의 유리 적층체(10)는 다양한 용도로 사용할 수 있고, 예를 들어 후술하는 표시 장치용 패널, PV, 박막 2차 전지, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품을 제조하는 용도 등을 들 수 있다. 또한, 상기 용도에서는, 유리 적층체(10)가 고온 조건(예를 들어, 360℃ 이상)에 노출되는(예를 들어, 1시간 이상) 경우가 많다.

여기서, 표시 장치용 패널이란, LCD, OLED, 전자 페이퍼, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드에미션 패널, 양자 도트 LED 패널, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 셔터 패널 등이 포함된다.

[부재가 장착된 유리 기판 및 그 제조 방법]

본 발명에 있어서는, 상술한 적층체를 사용하여, 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 포함하는 부재가 장착된 유리 기판(전자 디바이스용 부재가 장착된 유리 기판)이 제조된다.

상기 부재가 장착된 유리 기판의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 전자 디바이스의 생산성이 우수한 점에서, 상기 유리 적층체 중의 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체를 제조하고, 얻어진 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체로부터 실리콘 수지층의 유리 기판측 계면을 박리면으로 하여 부재가 장착된 유리 기판과 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재로 분리하는 방법이 바람직하다.

이하, 상기 유리 적층체 중의 유리 기판 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하여 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체를 제조하는 공정을 부재 형성 공정, 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체로부터 실리콘 수지층의 유리 기판측 계면을 박리면으로 하여, 부재가 장착된 유리 기판과 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재로 분리하는 공정을 분리 공정이라고 한다.

이하에, 각 공정에서 사용되는 재료 및 수순에 대하여 상세하게 설명한다.

(부재 형성 공정)

부재 형성 공정은, 상기 적층 공정에 있어서 얻어진 유리 적층체(10) 중의 유리 기판(16) 상에 전자 디바이스용 부재를 형성하는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 2의 (C)에 도시하는 바와 같이, 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)(노출 표면) 상에 전자 디바이스용 부재(20)를 형성하여, 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체(22)를 얻는다.

먼저, 본 공정에서 사용되는 전자 디바이스용 부재(20)에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후속 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.

(전자 디바이스용 부재(기능성 소자))

전자 디바이스용 부재(20)는, 유리 적층체(10) 중의 유리 기판(16) 상에 형성되어 전자 디바이스의 적어도 일부를 구성하는 부재이다. 보다 구체적으로는, 전자 디바이스용 부재(20)로서는, 표시 장치용 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 또는, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품 등에 사용되는 부재(예를 들어, 표시 장치용 부재, 태양 전지용 부재, 박막 2차 전지용 부재, 전자 부품용 회로)를 들 수 있다.

예를 들어, 태양 전지용 부재로서는, 실리콘형으로는, 정극의 산화 주석 등 투명 전극, p층/i층/n층으로 표시되는 실리콘층 및 부극의 금속 등을 들 수 있고, 그 밖에 화합물형, 색소 증감형, 양자 도트형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.

또한, 박막 2차 전지용 부재로서는, 리튬 이온형으로는 정극 및 부극의 금속 또는 금속 산화물 등의 투명 전극, 전해질층의 리튬 화합물, 집전층의 금속, 밀봉층으로서의 수지 등을 들 수 있고, 그 밖에 니켈 수소형, 중합체형, 세라믹스 전해질형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.

또한, 전자 부품용 회로로서는, CCD나 CMOS로는 도전부의 금속, 절연부의 산화규소나 질화규소 등을 들 수 있고, 그 밖에 압력 센서·가속도 센서 등 각종 센서나 리지드 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 리지드 플렉시블 프린트 기판 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.

(공정의 수순)

상술한 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체(22)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 전자 디바이스용 부재의 구성 부재의 종류에 따라 종래 공지된 방법으로, 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)의 표면 상에, 전자 디바이스용 부재(20)를 형성한다.

또한, 전자 디바이스용 부재(20)는, 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 최종적으로 형성되는 부재의 전부(이하, 「전체 부재」라고 함)가 아니라, 전체 부재의 일부(이하, 「부분 부재」라고 함)여도 된다. 실리콘 수지층(14)으로부터 박리된 부분 부재가 장착된 유리 기판을, 그 후의 공정에서 전체 부재가 장착된 유리 기판(후술하는 전자 디바이스에 상당)으로 할 수도 있다.

또한, 실리콘 수지층(14)으로부터 박리된, 전체 부재가 장착된 유리 기판에는, 그 박리면(제1 주면(16a))에 다른 전자 디바이스용 부재가 형성되어도 된다. 또한, 전체 부재가 장착된 적층체를 조립하고, 그 후, 전체 부재가 장착된 적층체로부터 지지 기재(12)를 박리하여, 전자 디바이스를 제조할 수도 있다. 또한, 전체 부재가 장착된 적층체를 2장 사용하여 조립하고, 그 후, 전체 부재가 장착된 적층체로부터 2매의 지지 기재(12)를 박리하여, 2매의 유리 기판을 갖는 부재가 장착된 유리 기판을 제조할 수도 있다.

예를 들어, OLED를 제조하는 경우를 예로 들면, 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 실리콘 수지층(14)측과는 반대측의 표면 상(유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 해당)에 유기 EL 구조체를 형성하기 위해, 투명 전극을 형성하고, 또한 투명 전극을 형성한 면 상에 홀 주입층·홀 수송층·발광층·전자 수송층 등을 증착하고, 이면 전극을 형성하고, 밀봉판을 사용하여 밀봉하는, 등의 각종 층 형성이나 처리가 행하여진다. 이들 층 형성이나 처리로서, 구체적으로는, 예를 들어 성막 처리, 증착 처리, 밀봉판의 접착 처리 등을 들 수 있다.

또한, 예를 들어 TFT- LCD를 제조하는 경우에는, 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 상에 레지스트액을 사용하여, CVD법 및 스퍼터법 등, 일반적인 성막법에 의해 형성되는 금속막 및 금속 산화막 등에 패턴 형성하여 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 TFT 형성 공정과, 다른 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 상에, 레지스트액을 패턴 형성에 사용하여 컬러 필터(CF)를 형성하는 CF 형성 공정과, TFT 형성 공정에서 얻어진 TFT가 장착된 적층체와 CF 형성 공정에서 얻어진 CF가 장착된 적층체를 적층하는 접합 공정 등의 각종 공정을 갖는다.

TFT 형성 공정이나 CF 형성 공정에서는, 주지의 포토리소그래피 기술이나 에칭 기술 등을 사용하여, 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 TFT나 CF를 형성한다. 이때, 패턴 형성용 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다.

또한, TFT나 CF를 형성하기 전에, 필요에 따라, 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)을 세정해도 된다. 세정 방법으로서는, 주지의 드라이 세정이나 웨트 세정을 사용할 수 있다.

접합 공정에서는, TFT가 장착된 적층체의 박막 트랜지스터 형성면과, CF가 장착된 적층체의 컬러 필터 형성면을 대향시켜서, 밀봉제(예를 들어, 셀 형성용 자외선 경화형 밀봉제)를 사용하여 접합한다. 그 후, TFT가 장착된 적층체와 CF가 장착된 적층체로 형성된 셀 내에 액정재를 주입한다. 액정재를 주입하는 방법으로서는, 예를 들어, 감압 주입법, 적하 주입법이 있다.

(분리 공정)

분리 공정은, 도 2의 (D)에 도시하는 바와 같이, 상기 부재 형성 공정에서 얻어진 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체(22)로부터, 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면을 박리면으로 하여, 전자 디바이스용 부재(20)가 적층된 유리 기판(16)(부재가 장착된 유리 기판(24))과, 지지 기재(12)로 분리하고, 전자 디바이스용 부재(20) 및 유리 기판(16)을 포함하는 부재가 장착된 유리 기판(24)을 얻는 공정이다.

박리 시의 유리 기판(16) 상의 전자 디바이스용 부재(20)가 필요한 전체 구성 부재의 형성의 일부인 경우에는, 분리 후, 나머지 구성 부재를 유리 기판(16) 상에 형성할 수도 있다.

유리 기판(16)과 지지 기재(12)를 박리하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들어 유리 기판(16)과 실리콘 수지층(14)의 계면에 예리한 칼날 형상으로 된 것을 삽입하여, 박리의 계기를 부여한 다음, 물과 압축 공기의 혼합 유체를 분사하거나 하여 박리할 수 있다. 바람직하게는, 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체(22)의 지지 기재(12)가 상측, 전자 디바이스용 부재(20)측이 하측이 되도록 정반 상에 설치하여, 전자 디바이스용 부재(20)측을 정반 상에 진공 흡착하고(양면에 지지 기재가 적층되어 있는 경우에는 차례로 행함), 이 상태에서 먼저 칼날을 유리 기판(16)-실리콘 수지층(14) 계면에 칼날을 침입시킨다. 그리고, 그 후에 지지 기재(12)측을 복수의 진공 흡착 패드로 흡착하고, 칼날을 삽입한 지점 부근으로부터 순서대로 진공 흡착 패드를 상승시킨다. 그러면 실리콘 수지층(14)과 유리 기판(16)의 계면이나 실리콘 수지층(14)의 응집 파괴면에 공기층이 형성되고, 그 공기층이 계면이나 응집 파괴면의 전체면으로 확산되어, 지지 기재(12)를 용이하게 박리할 수 있다.

또한, 지지 기재(12)는, 새로운 유리 기판과 적층되어, 본 발명의 유리 적층체(10)를 제조할 수 있다.

또한, 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체(22)로부터 부재가 장착된 유리 기판(24)을 분리할 때에 있어서는, 이오나이저에 의한 분사나 습도를 제어함으로써, 실리콘 수지층(14)의 부서진 조각이 부재가 장착된 유리 기판(24)에 정전 흡착되는 것을 보다 억제할 수 있다.

상술한 부재가 장착된 유리 기판(24)의 제조 방법은, 휴대 전화나 PDA와 같은 모바일 단말기에 사용되는 소형의 표시 장치의 제조에 적합하다. 표시 장치는 주로 LCD 또는 OLED이고, LCD로서는 TN형, STN형, FE형, TFT형, MIM형, IPS형, VA형 등을 포함한다. 기본적으로 패시브 구동형, 액티브 구동형 중 어느 하나의 표시 장치인 경우에도 적용할 수 있다.

상기 방법으로 제조된 부재가 장착된 유리 기판(24)으로서는, 유리 기판과 표시 장치용 부재를 갖는 표시 장치용 패널, 유리 기판과 태양 전지용 부재를 갖는 태양 전지, 유리 기판과 박막 2차 전지용 부재를 갖는 박막 2차 전지, 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 부품 등을 들 수 있다. 표시 장치용 패널로서는, 액정 패널, 유기 EL 패널, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드 에미션 패널 등을 포함한다.

본 발명의 제3 형태인 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재는, 지지 기재와 지지 기재면 상에 형성된 실리콘 수지층을 갖는 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재이며, 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고, 나노인덴테이션법에 의해 측정한 상기 실리콘 수지층의 탄성률이 0.5 내지 2.5㎫인, 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재이다.

실리콘 수지층이 장착된 지지 기재는, 제1 형태에서 설명한 것과 마찬가지의 실리콘 수지층이 제1 형태에서 설명한 것과 마찬가지의 지지 기재의 표면에 형성된 것이다. 이러한 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재는, 지지 기재 표면에 실리콘 수지층을 형성하는 것이나, 상기 적층체로부터 유리 기판 또는 부재가 장착된 유리 기판을 박리함으로써 얻어진다.

[실시예]

이하에, 실시예 등에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의하여 한정되는 것은 아니다.

이하의 실시예 1 내지 9, 비교예 1 내지 2에서는, 유리 기판으로서, 무알칼리 붕규산 유리를 포함하는 유리판(세로 200㎜, 가로 200㎜, 판 두께 0.2㎜, 평균 선팽창 계수 38×10^-7/℃, 아사히글래스사 제조 상품명 「AN100」)을 사용하였다. 또한, 지지 기재로서는, 동일하게 무알칼리 붕규산 유리를 포함하는 유리판(세로 240㎜, 가로 240㎜, 판 두께 0.5㎜, 평균 선팽창 계수 38×10^-7/℃, 아사히글래스사 제조 상품명 「AN100」)을 사용하였다.

<실시예 1>

먼저, 판 두께 0.5㎜의 지지 기재를 순수 세정한 후, 다시 UV 세정하여 청정화하였다.

이어서, 아라카와카가쿠사 제조 주제 (ASA-V01)(100질량부)과, 아라카와카가쿠사 제조 경화제 (ASA-X01)(13질량부)과 배합하였다. 아라카와카가쿠사 제조 촉매 (ASA-C01)은 (ASA-V01) 100질량부에 대하여 5중량부 첨가하였다. 또한, 헵탄을 첨가하여 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 X를 제작하였다. 이 용액 X를 스핀 코터(회전 수: 300rpm, 15초)로 지지 기재의 제1 주면 상에 도포하고, 미경화된 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층을 지지 기재 상에 형성했다(도포 시공량 20g/㎡).

이어서, 230℃에서 10분간 대기 중에서 가열 경화하여, 지지 기재의 제1 주면에 두께 10㎛의 실리콘 수지층을 형성하였다.

그 후, 유리 기판과, 지지 기재의 실리콘 수지층면을, 실온 하에서 진공 프레스에 의해 접합하여, 유리 적층체 A를 얻었다.

얻어진 유리 적층체 A에 있어서는, 지지 기재와 유리 기판은, 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고서 밀착되어 있고, 변형 형상 결점도 없으며, 평활성도 양호하였다.

이어서, 유리 적층체 A를 질소 분위기 하에서 360℃에서 60분간 가열 처리를 행하고, 실온까지 냉각한 결과, 유리 적층체 A의 지지 기재와 유리 기판의 분리나, 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 확인되지 않았다.

그리고, 유리 적층체 A의 4군데 중 1군데의 코너부에 있어서의 유리 기판과 지지 실리콘 수지층의 계면에 두께 0.1㎜의 스테인리스제 칼날을 삽입시켜서 박리된 절결부를 형성하면서, 유리 기판과 지지 기재 각각의 박리면이 아닌 면에 진공 흡착 패드를 흡착시키고, 서로 유리 기판과 지지 기재가 분리되는 방향으로 외력을 가하여, 유리 기판과 지지 기재를 파손하는 일 없이 분리했다. 여기서 칼날의 삽입은, 이오나이저(키엔스사 제조)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행하였다. 구체적으로는, 형성된 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분사하면서 진공 흡착 패드를 끌어올렸다.

또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되고, 상기 결과로부터, 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (x)가, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (y)보다 높은 것이 확인되었다.

또한, 유리 기판 박리 후의 지지 기재 상의 실리콘 수지층의 탄성률을 나노인덴테이션법으로 측정한 결과, 2.36㎫였다.

나노인덴테이션법의 측정 조건은 이하와 같았다.

오미크론나노테크놀로지재팬 가부시끼가이샤 제조의 TI-950 Tribo Indenter를 사용하여, 실리콘 수지층의 여러 물성값의 측정을 행하였다. 즉, 사용 압자로서 Conical 5um형 삼각추 압자를 사용하고, 변위 속도 일정 모드 30㎚/sec로 압입 하중을 가하고, 최대 하중인 2μN에 도달한 후, 마찬가지로 스텝 형상으로 압입 하중을 제하(除荷)해 나간다. 측정은 25℃의 항온 조건 하에서 행하고, 측정 장치와 샘플의 온도를 충분히 안정시킨 후에, 압입의 강도 0.2μN으로, 깊이 200㎚에서의 탄성률을 측정하고, 5회의 연속 측정의 평균값을 측정값으로 하였다.

<실시예 2>

가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 X에, 또한 메틸페닐실리콘 오일(신에쯔카가쿠코교사 제조, KF-50, 점도 100㎟/s)을 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 B를 얻었다.

또한, 메틸페닐실리콘 오일의 사용량은, 실리콘 수지 100질량부에 대하여 5질량부였다.

얻어진 유리 적층체 B에 있어서는, 지지 기재와 유리 기판은, 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고서 밀착되어 있고, 변형 형상 결점도 없으며, 평활성도 양호하였다.

이어서, 유리 적층체 B를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 결과, 유리 적층체 B의 지지 기재와 유리 기판의 분리나, 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 확인되지 않았다.

그리고, 유리 적층체 B를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판의 분리를 행한 결과, 유리 기판과 지지 기재가 파손되는 일 없이 분리되었다. 또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되었다. 상기 결과로부터, 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (x)가, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (y)보다 높은 것이 확인되었다.

또한, 유리 기판 박리 후의 지지 기재 상의 실리콘 수지층의 탄성률을 나노인덴테이션법으로 측정한 결과, 2.29㎫였다.

<실시예 3>

메틸페닐실리콘 오일(신에쯔카가쿠코교사 제조, KF-50, 점도 100㎟/s)의 사용량을 5질량부로부터 15질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 2과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 C를 얻었다.

얻어진 유리 적층체 C에 있어서는, 지지 기재와 유리 기판은, 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고서 밀착되어 있고, 변형 형상 결점도 없으며, 평활성도 양호하였다.

이어서, 유리 적층체 C를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 결과, 유리 적층체 C의 지지 기재와 유리 기판의 분리나, 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 확인되지 않았다.

그리고, 유리 적층체 C를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판과의 분리를 행한 결과, 유리 기판과 지지 기재가 파손되는 일 없이 분리되었다. 또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되었다. 상기 결과로부터, 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (x)가, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (y)보다 높은 것이 확인되었다.

또한, 유리 기판 박리 후의 지지 기재 상의 실리콘 수지층의 탄성률을 나노인덴테이션법으로 측정한 결과, 2.09㎫였다.

<실시예 4>

메틸페닐실리콘 오일(신에쯔카가쿠코교사 제조, KF-50, 점도 100㎟/s)의 사용량을 5질량부로부터 20질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 2와 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 D를 얻었다.

얻어진 유리 적층체 D에 있어서는, 지지 기재와 유리 기판은, 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고서 밀착되어 있고, 변형 형상 결점도 없으며, 평활성도 양호하였다.

이어서, 유리 적층체 D를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 결과, 유리 적층체 D의 지지 기재와 유리 기판의 분리나, 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 확인되지 않았다.

그리고, 유리 적층체 D를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판과의 분리를 행한 결과, 유리 기판과 지지 기재가 파손되는 일 없이 분리되었다. 또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되었다. 상기 결과로부터, 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (x)가, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (y)보다 높은 것이 확인되었다.

또한, 유리 기판 박리 후의 지지 기재 상의 실리콘 수지층의 탄성률을 나노인덴테이션법으로 측정한 결과, 1.15㎫였다.

<실시예 5>

메틸페닐실리콘 오일(신에쯔카가쿠코교사 제조, KF-50, 점도 100㎟/s) 대신에, 메틸페닐실리콘 오일(도레이다우코닝사 제조, SH200, 점도 200㎟/s)을 사용한 것 이외에는, 실시예 2과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 E를 얻었다.

얻어진 유리 적층체 E에 있어서는, 지지 기재와 유리 기판은, 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고서 밀착되어 있고, 변형 형상 결점도 없으며, 평활성도 양호하였다.

이어서, 유리 적층체 E를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 결과, 유리 적층체 E의 지지 기재와 유리 기판의 분리나, 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 확인되지 않았다.

그리고, 유리 적층체 E를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판과의 분리를 행한 결과, 유리 기판과 지지 기재가 파손되는 일 없이 분리되었다. 또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되었다. 상기 결과로부터, 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (x)가, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (y)보다 높은 것이 확인되었다.

또한, 유리 기판 박리 후의 지지 기재 상의 실리콘 수지층의 탄성률을 나노인덴테이션법으로 측정한 결과, 2.34㎫였다.

<실시예 6>

메틸페닐실리콘 오일(도레이다우코닝사 제조, SH200, 점도 200㎟/s)의 사용량을 5질량부로부터 10질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 5와 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 F를 얻었다.

얻어진 유리 적층체 F에 있어서는, 지지 기재와 유리 기판은, 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고서 밀착되어 있고, 변형 형상 결점도 없으며, 평활성도 양호하였다.

이어서, 유리 적층체 F를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 결과, 유리 적층체 F의 지지 기재와 유리 기판의 분리나, 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 확인되지 않았다.

그리고, 유리 적층체 F를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판과의 분리를 행한 결과, 유리 기판과 지지 기재가 파손되는 일 없이 분리되었다. 또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되었다. 상기 결과로부터, 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (x)가, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (y)보다 높은 것이 확인되었다.

또한, 유리 기판 박리 후의 지지 기재 상의 실리콘 수지층의 탄성률을 나노인덴테이션법으로 측정한 결과, 2.31㎫였다.

<실시예 7>

메틸페닐실리콘 오일(도레이다우코닝사 제조, SH200, 점도 200㎟/s)의 사용량을 5질량부로부터 15질량부로 변경한 것 이외에는, 실시예 5과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 G를 얻었다.

얻어진 유리 적층체 G에 있어서는, 지지 기재와 유리 기판은, 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고서 밀착되어 있고, 변형 형상 결점도 없으며, 평활성도 양호하였다.

이어서, 유리 적층체 G를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 결과, 유리 적층체 G의 지지 기재와 유리 기판의 분리나, 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 확인되지 않았다.

그리고, 유리 적층체 G를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판과의 분리를 행한 결과, 유리 기판과 지지 기재가 파손되는 일 없이 분리되었다. 또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되었다. 상기 결과로부터, 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (x)가, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (y)보다 높은 것이 확인되었다.

<실시예 8>

가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 X 대신에, 이하의 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 Y를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 H를 얻었다.

(가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 Y)

주제로서, 양쪽 말단에 비닐기를 1개씩 도입한 디메틸실리콘(56m㎩·s)(100질량부)과, 경화제로서, 메틸히드로겐실리콘(메틸:히드로겐(몰비)=2:1, 히드로실릴기의 몰 함유율은 33.3％, 104m㎩·s)(10질량부)을 배합하였다. 칼스테트 촉매를 수지 성분에 대하여 백금 환산으로 3ppm 첨가하였다. 지연제로서, 1-에티닐-1-시클로헥산올을 수지 성분에 대하여 0.2질량부 첨가하였다. 또한, 헵탄을 첨가하여 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 Y를 제작하였다. 주제인 비닐기와 경화제인 히드로겐기와의 몰비(알케닐기의 몰수/히드로실릴기의 몰수)는 1몰:0.8몰이 되도록 배합되어 있다.

얻어진 유리 적층체 H에 있어서는, 지지 기재와 유리 기판은, 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고서 밀착되어 있고, 변형 형상 결점도 없으며, 평활성도 양호하였다.

이어서, 유리 적층체 H를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 결과, 유리 적층체 H의 지지 기재와 유리 기판의 분리나, 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 확인되지 않았다.

그리고, 유리 적층체 H를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판과의 분리를 행한 결과, 유리 기판과 지지 기재가 파손되는 일 없이 분리되었다. 또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되었다. 상기 결과로부터, 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (x)가, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (y)보다 높은 것이 확인되었다.

또한, 유리 기판 박리 후의 지지 기재 상의 실리콘 수지층의 탄성률을 나노인덴테이션법으로 측정한 결과, 0.65㎫였다.

<실시예 9>

가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 X 대신에, 이하의 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 Z를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 I를 얻었다.

(가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 Z)

아라카와카가쿠사 제조의 주제 (A78)(100질량부)과, 아라카와카가쿠사 제조의 경화제 (ASA-X01)(15질량부)과 배합하였다. 아라카와카가쿠사 제조 촉매 (ASA-C01)은 (A78) 100질량부에 대하여 5중량부 첨가하였다. 또한, 헵탄을 첨가하여 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 Z를 제작하였다.

얻어진 유리 적층체 I에 있어서는, 지지 기재와 유리 기판은, 실리콘 수지층과 기포를 발생하지 않고서 밀착되어 있고, 변형 형상 결점도 없으며, 평활성도 양호하였다.

이어서, 유리 적층체 I를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 결과, 유리 적층체 I의 지지 기재와 유리 기판의 분리나, 실리콘 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 확인되지 않았다.

그리고, 유리 적층체 I를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판과의 분리를 행한 결과, 유리 기판과 지지 기재가 파손되는 일 없이 분리되었다. 또한, 실리콘 수지층은 지지 기재와 함께 유리 기판으로부터 분리되었다. 상기 결과로부터, 지지 기재와 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도 (x)가, 실리콘 수지층과 유리 기판의 계면의 박리 강도 (y)보다 높은 것이 확인되었다.

또한, 유리 기판 박리 후의 지지 기재 상의 실리콘 수지층의 탄성률을 나노인덴테이션법으로 측정한 결과, 1.10㎫였다.

<비교예 1>

가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 X 대신에, 이하의 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 W를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로, 유리 적층체 J를 얻었다.

(가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 W)

ADEKA사 제조 FX-T153Vi-5K(900m㎩·s)(100질량부)와, ADEKA사 제조 경화제 FX-T153H-5K(1240m㎩·s)(10질량부)를 배합하였다. 또한, 도데칸을 첨가하여 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 W를 제작하였다. 알케닐기와 히드로실릴기의 몰비가 1:1이 되도록 배합하였다.

얻어진 유리 적층체 J를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판과의 분리를 행한 결과, 실리콘 수지층과 유리 기판이 박리되기 어렵고, 유리 기판이 깨져버리거나, 또는 실리콘 수지층이 파괴되어, 그 대부분이 유리 기판 상에 부착되어버렸다.

또한, 유리 기판 박리 후의 지지 기재 상의 실리콘 수지층의 탄성률을 나노인덴테이션법으로 측정한 결과, 0.23㎫였다.

<비교예 2>

가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 X 대신에, 이하의 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 V를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 K를 얻었다.

(가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 V)

아라카와카가쿠사 제조의 주제 (A41)(100질량부)과, 아라카와카가쿠사 제조 경화제 (ASA-X01)(13질량부)을, 알케닐기와 히드로실릴기의 몰비가 1:1이 되도록 배합하였다. 아라카와카가쿠사 제조 촉매 (ASA-C01)은 (A41) 100질량부에 대하여 5중량부 첨가하였다. 또한, 도데칸을 첨가하여 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 용액 V를 제작하였다.

얻어진 유리 적층체 K를 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판과의 분리를 행한 결과, 실리콘 수지층과 유리 기판이 박리되기 어려워, 유리 기판이 깨져버리거나, 또는 실리콘 수지층이 파괴되어, 그 대부분이 유리 기판 상에 부착되어버렸다.

또한, 유리 기판 박리 후의 지지 기재 상의 실리콘 수지층의 탄성률을 나노인덴테이션법으로 측정한 결과, 3.15㎫였다.

상기 실시예 및 비교예의 결과를, 이하에 정리하여 나타낸다.

또한, 표 1 중 「박리성」은, 유리 기판 및 실리콘 수지층의 파괴가 없고, 유리 기판을 유리 적층체로부터 박리할 수 있는 경우를 「○」, 유리 기판의 박리 시에, 유리 기판 또는 실리콘 수지층의 파괴가 발생한 경우를 「×」로 하였다.

또한, 360℃, 60분간의 가열 처리 후의 유리 적층체 A 내지 K에 대하여, 이하의 박리 시험을 행하고, 유리 기판의 박리 강도(N/25㎜)를 측정하였다.

폭 25㎜·길이 70㎜의 유리 적층체 A 내지 K를 준비하고, 오토그래프 AG-20/50kNXDplus(시마즈세이사쿠쇼)를 사용하여 유리 기판의 박리를 행하였다. 또한, 박리 속도는 30㎜/min이었다. 하중을 검지한 지점을 0으로 하고, 그 위치로부터 1.5㎜ 이격된 위치에서의 박리 강도를 측정값으로 하였다.

상기 표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 실리콘 수지층의 탄성률이 소정의 범위(0.5 내지 2.5㎫)에 있을 경우, 유리 기판의 박리성이 우수한 것이 확인되었다.

한편, 실리콘 수지층의 탄성률이 너무 낮은 비교예 1 및, 너무 높은 비교예 2에 있어서는, 유리 기판의 박리성이 떨어졌다.

<실시예 10>

본 예에서는, 실시예 1에서 얻은 유리 적층체 A를 사용하여 OLED를 제조한다.

먼저, 유리 적층체 A에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에, 플라즈마 CVD법에 의해 질화 실리콘, 산화 실리콘, 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 성막한다. 이어서, 이온 도핑 장치에 의해 저농도의 붕소를 아몰퍼스 실리콘층에 주입하고, 질소 분위기 하에 450℃ 60분간 가열 처리해 탈수소 처리를 행한다. 이어서, 레이저 어닐 장치에 의해 아몰퍼스 실리콘층의 결정화 처리를 행한다. 이어서, 포토리소그래피법을 사용한 에칭 및 이온 도핑 장치로부터, 저농도의 인을 아몰퍼스 실리콘층에 주입하여, N형 및 P형의 TFT 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 플라즈마 CVD법에 의해 산화 실리콘막을 성막하여 게이트 절연막을 형성한 후에, 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 포토리소그래피법과 이온 도핑 장치에 의해, 고농도의 붕소와 인을 N형, P형 각각의 원하는 에리어에 주입하여, 소스 에리어 및 드레인 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 플라즈마 CVD법에 의한 산화 실리콘의 성막으로 층간 절연막을, 스퍼터링법에 의해 알루미늄의 성막 및 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 TFT 전극을 형성한다. 이어서, 수소 분위기 하에 450℃ 60분간 가열 처리해 수소화 처리를 행한 후에, 플라즈마 CVD법에 의한 질소 실리콘의 성막으로, 패시베이션층을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 자외선 경화성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 평탄화층 및 콘택트 홀을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 산화 인듐 주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다.

계속해서, 증착법에 의해, 유리 기판의 제2 주면측에, 정공 주입층으로서 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀 알루미늄 착체(Alq₃)에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴(BSN-BCN)을 40체적％ 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq₃을 이 순서대로 성막한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 알루미늄을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 대향 전극을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 자외선 경화형의 접착 층을 개재하여 유리 기판을 한 장 더 접합하여 밀봉한다. 상기 수순에 의해, 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 형성한다. 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 갖는 유리 적층체 A(이하, 패널 A라고 함)가, 본 발명의 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체(지지 기재를 구비한 표시 장치용 패널)이다.

계속해서, 패널 A의 밀봉체측을 정반에 진공 흡착시킨 다음, 패널 A의 코너부의 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에, 두께 0.1㎜의 스테인리스제 칼날을 삽입하고, 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 패널 A의 지지 기재 표면을 진공 흡착 패드로 흡착한 다음, 흡착 패드를 상승시킨다. 여기서 칼날의 삽입은, 이오나이저(키엔스사 제조)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행한다. 이어서, 형성된 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분사하면서 진공 흡착 패드를 끌어올린다. 그 결과, 정반 상에 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판만을 남기고, 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재를 박리할 수 있다.

계속해서, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 분리한 유리 기판의 박리면을 청정화하고, 분리된 유리 기판을 레이저 커터 또는 스크라이브-브레이크법을 사용하여 절단하여, 복수의 셀로 분단한 후, 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판과 대향 기판을 조립하고, 모듈 형성 공정을 실시하여 OLED를 제작한다. 이렇게 하여 얻어지는 OLED는, 특성 상 문제는 발생하지 않는다.

<실시예 11>

본 예에서는, 실시예 1에서 얻은 유리 적층체 A를 사용하여 LCD를 제조한다.

먼저, 2매의 유리 적층체 A를 준비하고, 한쪽 유리 적층체 A1에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에, 플라즈마 CVD법에 의해 질화 실리콘, 산화 실리콘, 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 성막한다. 이어서, 이온 도핑 장치에 의해 저농도의 붕소를 아몰퍼스 실리콘층에 주입하고, 질소 분위기 하에 450℃ 60분간 가열 처리해 탈수소 처리를 행한다. 이어서, 레이저 어닐 장치에 의해 아몰퍼스 실리콘층의 결정화 처리를 행한다. 이어서, 포토리소그래피법을 사용한 에칭 및 이온 도핑 장치로부터, 저농도의 인을 아몰퍼스 실리콘층에 주입하고, N형 및 P형의 TFT 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 플라즈마 CVD법에 의해 산화 실리콘막을 성막해 게이트 절연막을 형성한 후에, 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 포토리소그래피법과 이온 도핑 장치에 의해, 고농도의 붕소와 인을 N형, P형 각각의 원하는 에리어에 주입하여, 소스 에리어 및 드레인 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 플라즈마 CVD법에 의한 산화 실리콘의 성막으로 층간 절연막을, 스퍼터링법에 의해 알루미늄의 성막 및 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 TFT 전극을 형성한다. 이어서, 수소 분위기 하에 450℃ 60분간 가열 처리해 수소화 처리를 행한 후에, 플라즈마 CVD법에 의한 질소 실리콘의 성막으로, 패시베이션층을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 자외선 경화성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 평탄화층 및 콘택트 홀을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 산화 인듐 주석을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다.

이어서, 다른 한쪽의 유리 적층체 A2를 대기 분위기 하 450℃ 60분간 가열 처리한다. 이어서, 유리 적층체 A에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에, 스퍼터링법에 의해 크롬을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 차광층을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 다이 코팅법에 의해 컬러 레지스트를 도포하고, 포토리소그래피법 및 열경화에 의해 컬러 필터층을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 산화 인듐 주석을 성막하고, 대향 전극을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 다이 코팅법에 의해 자외선 경화 수지액을 도포하고, 포토리소그래피법 및 열경화에 의해 기둥 형상 스페이서를 형성한다. 이어서, 롤 코팅법에 의해 폴리이미드 수지액을 도포하고, 열경화에 의해 배향층을 형성하고, 러빙을 행한다.

이어서, 디스펜서법에 의해 시일용 수지액을 프레임 형상으로 묘화하고, 프레임 내에 디스펜서법에 의해 액정을 적하한 후에, 상기 화소 전극이 형성된 유리 적층체 A1을 사용하여, 2매의 유리 적층체 A의 유리 기판의 제2 주면측끼리를 접합하여, 자외선 경화 및 열경화에 의해 LCD 패널을 얻는다.

계속해서, 유리 적층체 A1의 제2 주면을 정반에 진공 흡착시키고, 유리 적층체 A2의 코너부의 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에, 두께 0.1㎜의 스테인리스제 칼날을 삽입하여, 유리 기판의 제1 주면과 실리콘 수지층의 박리성 표면과의 박리의 계기를 부여한다. 여기서 칼날의 삽입은, 이오나이저(키엔스사 제조)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행한다. 이어서, 형성된 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분사하면서 진공 흡착 패드를 끌어올린다. 그리고, 유리 적층체 A2의 지지 기재의 제2 주면을 진공 흡착 패드로 흡착한 다음, 흡착 패드를 상승시킨다. 그 결과, 정반 상에 유리 적층체 A1의 지지 기재가 장착된 LCD의 빈 셀만을 남기고, 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재를 박리할 수 있다.

이어서, 제1 주면에 컬러 필터가 형성된 유리 기판의 제2 주면을 정반에 진공 흡착시키고, 유리 적층체 A1의 코너부의 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에, 두께 0.1㎜의 스테인리스제 칼날을 삽입하여, 유리 기판의 제1 주면과 실리콘 수지층의 박리성 표면과의 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 유리 적층체 A1의 지지 기재의 제2 주면을 진공 흡착 패드로 흡착한 다음, 흡착 패드를 상승시킨다. 그 결과, 정반 위에 LCD 셀만을 남기고, 실리콘 수지층이 고정된 지지 기재를 박리할 수 있다. 이렇게 해서, 두께 0.1㎜의 유리 기판으로 구성되는 복수의 LCD의 셀이 얻어진다.

계속해서, 절단하는 공정에 의해, 복수의 LCD의 셀로 분단된다. 완성된 각각의 LCD 셀에 편광판을 부착하는 공정을 실시하고, 계속해서 모듈 형성 공정을 실시하여 LCD를 얻는다. 이렇게 하여 얻어지는 LCD는, 특성상 문제는 발생하지 않는다.

<실시예 12>

먼저, 유리 적층체 A에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 상에, 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 플라즈마 CVD법에 의해, 유리 기판의 제2 주면측에 또한 질화규소를 성막하여 게이트 절연막을 형성하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 산화 인듐 갈륨 아연을 성막하여 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 산화물 반도체층을 형성한다. 이어서, 플라즈마 CVD법에 의해, 유리 기판의 제2 주면측에 또한 질화 규소를 성막하여 채널 보호층을 형성하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하여 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다. 이어서, 대기 중에서 450℃에서 60분간 가열 처리를 행한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 또한 플라즈마 CVD법에 의해 질화규소를 성막하여 패시베이션층을 형성하고, 계속해서 스퍼터링법에 의해 산화 인듐 주석을 성막하여 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해, 화소 전극을 형성한다.

계속해서, 증착법에 의해, 유리 기판의 제2 주면측에, 정공 주입층으로서 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀알루미늄 착체(Alq₃)에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴(BSN-BCN)을 40 체적％ 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq₃을 이 순서대로 성막한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 알루미늄을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 대향 전극을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 자외선 경화형의 접착층을 개재하여 유리 기판을 한 장 더 접합하여 밀봉한다. 상기 수순에 의해, 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 형성한다. 유리 기판 상에 유기 EL 구조체를 갖는 유리 적층체 A(이하, 패널 A라고 함)가, 본 발명의 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체(지지 기재를 구비한 표시 장치용 패널)이다.

계속해서, 패널 A의 밀봉체측을 정반에 진공 흡착시킨 다음, 패널 A의 코너부의 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에, 두께 0.1㎜의 스테인리스제 칼날을 삽입하여, 유리 기판과 실리콘 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 패널 A의 지지 기재 표면을 진공 흡착 패드로 흡착한 다음, 흡착 패드를 상승시킨다. 여기서 칼날의 삽입은, 이오나이저(키엔스사 제조)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행한다. 이어서, 형성된 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속해서 제전성 유체를 분사하면서 진공 흡착 패드를 끌어올린다. 그 결과, 정반 상에 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판만을 남기고, 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재를 박리할 수 있다.

본 출원은, 2012년 12월 28일에 출원된 일본 특허 출원 제2012-286768호에 기초하는 것이고, 그 내용은 본 명세서에 참조로서 도입된다.

10: 유리 적층체
12: 지지 기재
14: 실리콘 수지층
14a: 실리콘 수지층의 제1 주면
16: 유리 기판
16a: 유리 기판의 제1 주면
16b: 유리 기판의 제2 주면
18: 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재
20: 전자 디바이스용 부재
22: 전자 디바이스용 부재가 장착된 적층체
24: 부재가 장착된 유리 기판

Claims

지지 기재와 실리콘 수지층과 유리 기판을 이 순서대로 구비하고, 상기 지지 기재와 상기 실리콘 수지층의 계면의 박리 강도가, 상기 실리콘 수지층과 상기 유리 기판의 계면의 박리 강도보다 큰 유리 적층체이며,
상기 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고,
나노인덴테이션법에 의해 측정한 상기 실리콘 수지층의 탄성률이 0.5 내지 2.5㎫인 유리 적층체.
제1항에 있어서,
상기 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이, 알케닐기를 갖는 오르가노폴리실록산과, 히드로실릴기를 갖는 오르가노폴리실록산을 반응시켜서 얻어지는 가교물인 유리 적층체.
제2항에 있어서,
상기 알케닐기와 상기 히드로실릴기의 혼합 몰비(알케닐기의 몰수/히드로실릴기의 몰수)가 1/1 내지 1/0.8인 유리 적층체.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 실리콘 수지층이 실리콘 오일을 더 포함하는 유리 적층체.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 실리콘 수지층의 두께가 2 내지 100㎛인 유리 적층체.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 지지 기재가 유리판인 유리 적층체.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
지지 기재의 편면에 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 층을 형성하고, 상기 지지 기재면 상에서 상기 가교성 오르가노폴리실록산을 가교시켜서 실리콘 수지층을 형성하고, 이어서 상기 실리콘 수지층의 표면에 유리 기판을 적층하는, 유리 적층체의 제조 방법.
지지 기재와 상기 지지 기재면 상에 형성된 실리콘 수지층을 갖는 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재이며,
상기 실리콘 수지층의 실리콘 수지가 가교성 오르가노폴리실록산의 가교물이고,
나노인덴테이션법에 의해 측정한 상기 실리콘 수지층의 탄성률이 0.5 내지 2.5㎫인, 실리콘 수지층이 장착된 지지 기재.