KR102243095B1 - 신장 가능 시트 및 적층 칩의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

(과제) 다돌설 워크에 있어서의 최원위 볼록부를 포함하는 적층 칩을 적절히 제조하는 것을 가능하게 하는 신장 가능 시트 및 그 신장 가능 시트를 사용하여 적층 칩을 제조하는 방법을 제공한다.
(해결 수단) 열 수축성을 갖는 기재 (1) 와, 기재 (1) 의 일방의 주면 상에 적층된 점착제층 (2) 을 구비하는 신장 가능 시트 (10) 로서, 신장 가능 시트 (10) 의 기재 (1) 보다 점착제층 (2) 에 근위인 측의 주면인 제 1 주면 (10A) 에 있어서의, 사용시에, 기판 (21) 상에 두께 방향으로 복수의 볼록부 (22) 를 구비하는 피가공 부재 (다돌설 워크) (20) 에 첩부되어야 할 영역인 가공용 영역 (10a) 은, 평면에서 보았을 때 가공용 영역 (10a) 의 외주를 그 외주로 하는 환상의 영역인 제 1 영역 (11a) 과, 환상의 영역인 제 1 영역 (11a) 의 내주측에 위치하고 가공용 영역 (10a) 의 평면에서 보았을 때의 중심을 포함하는 제 2 영역 (12a) 으로 이루어지고, 제 1 영역 (11a) 은, 제 2 영역 (12a) 기준으로 기재 (1) 로부터 이간하는 방향의 돌출부인 제 1 돌출부 (11p) 로 이루어지는 면 (11pa) 을 구비한다.

Description

신장 가능 시트 및 적층 칩의 제조 방법{EXPANDABLE SHEET AND METHOD OF MENUFACTURING LAMINATED CHIP}

본 발명은, 반도체 웨이퍼 등의 피가공 부재를 소편으로 분할할 때에 사용되는 신장 가능 시트 및 이 신장 가능 시트를 사용하는 적층 칩의 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「시트」 라는 용어의 개념은, 「테이프」 라는 용어의 개념 및 「필름」 이라는 용어의 개념을 포함하는 것으로 한다.

최근, 실장의 고밀도화가 진행되어, 실리콘 웨이퍼를 기판 대신으로 하고, 그 위에 Si 관통 전극 (TSV, Through-Silicon Via) 을 사용하여 칩을 적층하는 경우가 있다. 이와 같이 하여 제조 칩을 적층하는 기술을 칩 온 웨이퍼 (Chip on Wafer) 기술이라고도 한다 (예를 들어 특허문헌 1 참조). COW 기술에 의해 제조된 적층체는 실리콘 기판 상에 칩이 돌출한 상태가 되고, 그 돌출 높이는 수백 ㎛ 에 이르는 경우도 있다.

일본 공개특허공보 2009-110995호

이와 같은, 기판 상에 두께 방향으로 복수의 볼록부를 구비하는 적층체로 이루어지는 피가공 부재 (본 명세서에 있어서, 이와 같은 피가공 부재를 「다돌설 워크」 라고도 한다.) 를 분할하여, 복수의 볼록부 중 적어도 하나를 포함하는 편상체 (片狀體) 인 적층 칩을 제조하는 경우에는, 적층 칩을 구성하는 복수의 칩 사이에 용질을 포함하는 가공액이 들어갈 가능성이 있는 블레이드 다이싱과 같은 습식의 다이싱 가공보다, 스텔스 다이싱 (등록상표) 과 같은 건식의 다이싱 가공인 것이 바람직하다.

여기서, 스텔스 다이싱 (등록상표) 가공에서는, 피가공 부재에 첩착 (貼着) 하는 가공용 시트에 대해 그 주연부 (周緣部) 가 중앙부로부터 이간하는 장력을 부여하여 가공용 시트를 신장시킴으로써, 가공용 시트에 첩착하는 피가공 부재에 대해서도 그 중앙부로부터 주연부가 이간하는 방향의 힘을 부여하여, 서로 이간한 복수의 편상체를 얻고 있다. 본 명세서에 있어서, 스텔스 다이싱 (등록상표) 가공 등에 사용되는, 신장 가능한 가공용 시트를 「신장 가능 시트」 라고도 한다.

피가공 부재가 다돌설 (多突設) 워크인 경우에는, 다돌설 워크의 볼록부에 대해서만 신장 가능 시트가 첩부 (貼付) 되고, 신장 가능 시트의 신장에 기초하여, 분할 예정 라인을 사이에 두고 배치된 볼록부를 서로 이간시킴으로써, 다돌설 워크의 분할이 실시된다. 이 때문에, 다돌설 워크에 있어서의 당해 워크의 중심으로부터 가장 원위 (遠位) 에 위치하는 볼록부 (본 명세서에 있어서, 「최원위 볼록부」 라고도 한다.) 는, 다돌설 워크에 있어서의 최원위 (最遠位) 볼록부보다 더욱 원위에 위치하는 부분으로부터 스스로를 분리하는 것이 불가능하다. 따라서, 볼록부만이 신장 가능 시트에 첩착한 상태에서는, 이 최원위 볼록부를 포함하는 적층 칩을 적절한 크기로 제조하는 것은 불가능하고, 최원위 볼록부는, 더미의 볼록부로 하는 것이 필요하였다. 이와 같은 더미의 최원위 볼록부를 형성하는 공정은 그 자체가 쓸모없고, 또한 피가공 부재의 유효 이용이라는 관점에서도 개선이 요망되고 있었다.

본 발명은, 다돌설 워크에 있어서의 최원위 볼록부를 포함하는 적층 칩을 적절히 제조하는 것을 가능하게 하는 신장 가능 시트 및 그 신장 가능 시트를 사용하여 적층 칩을 제조하는 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명자들이 검토한 결과, 다돌설 워크에 대해 신장 가능 시트가 첩부된 상태로, 평면에서 보았을 때 다돌설 워크의 최원위 볼록부보다 다돌설 워크의 중심으로부터 원위에 위치하는 부분 (당연히 볼록부는 아니다) 으로서, 적층 칩의 일부가 되는 부분 이외의 부분 (본 명세서에 있어서, 최원위 잔여부) 에 첩착하는 부분을, 신장 가능 시트가 가짐으로써, 최원위 볼록부를 포함하는 적층 칩을 적절히 제조하는 것이 가능하다라는 새로운 지견을 얻었다.

이러한 지견에 기초하여 완성된 본 발명은, 첫번째로, 열 수축성을 갖는 기재와, 상기 기재의 일방의 주면 (主面) 상에 적층된 점착제층을 구비하는 신장 가능 시트로서, 상기 신장 가능 시트의 상기 기재보다 상기 점착제층에 근위 (近位) 인 측의 주면인 제 1 주면에 있어서의, 사용시에, 기판 상에 두께 방향으로 복수의 볼록부를 구비하는 피가공 부재에 첩부되어야 할 영역인 가공용 영역은, 평면에서 보았을 때 상기 가공용 영역의 외주를 그 외주로 하는 환상 (環狀) 의 영역인 제 1 영역과, 환상의 영역인 상기 제 1 영역의 내주측에 위치하고 상기 가공용 영역의 평면에서 보았을 때의 중심을 포함하는 제 2 영역으로 이루어지고, 상기 제 1 영역은, 상기 제 2 영역 기준으로 상기 기재로부터 이간하는 방향의 돌출부인 제 1 돌출부로 이루어지는 면을 구비하는 것을 특징으로 하는 신장 가능 시트를 제공한다 (발명 1).

상기 발명 (발명 1) 에 있어서, 상기 피가공 부재는, 피가공 부재에 대해 투과성을 갖는 레이저 광선을 조사하여 개질층을 연속적으로 형성하고, 이 개질층이 형성됨으로써 강도가 저하된 분할 예정 라인을 따라 피가공 부재를 분할하는 공정을 포함하는 프로세스에 의해 복수의 편상체로 분할되는 것이고, 상기 복수의 편상체는, 상기 복수의 볼록부 중 적어도 1 개를 구비하도록 분할된 편상체인 적층 칩을 포함하는 것이 바람직하다 (발명 2).

상기 발명 (발명 1 또는 2) 에 있어서, 사용시에, 상기 피가공 부재에 있어서의, 평면에서 보았을 때 상기 피가공 부재의 중심으로부터 가장 원위에 위치하는 볼록부보다 더욱 원위에 위치하는 부분으로서, 상기 적층 칩의 일부가 되는 부분 이외의 부분인 최원위 잔여부가, 상기 제 1 돌출부로 이루어지는 면에 첩착하는 것이 바람직하다 (발명 3).

상기 발명 (발명 1 내지 3) 에 있어서, 사용시에, 상기 피가공 부재에 있어서의 상기 복수의 볼록부가 상기 제 2 영역에 첩착하는 것이 바람직하다 (발명 4).

상기 발명 (발명 1 내지 4) 에 있어서, 상기 신장 가능 시트의 상기 제 1 주면은, 평면에서 보았을 때 상기 가공용 영역의 외주측에 제 3 영역을 구비하고, 상기 제 3 영역은, 상기 제 2 영역 기준으로 상기 기재로부터 이간하는 방향으로 돌출하는 돌출부인 제 3 돌출부의 면으로 이루어지는 제 3 돌출 영역을 갖고, 상기 제 3 돌출부는 열 수축성을 갖는 것이 바람직하다 (발명 5).

상기 발명 (발명 1 내지 5) 에 있어서, 상기 제 3 영역의 적어도 일부의 영역에 대응하는 상기 신장 가능 시트의 부분에서는, 상기 기재가 가장 두꺼운 부재인 것이 바람직하다 (발명 6).

상기 발명 (발명 1 내지 6) 에 있어서, 상기 기재 및 상기 점착제층으로 이루어지는 적층체를 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부하여, JIS Z0237：2000 준거하여 측정한 상기 적층체의 점착력이 1000 mN/25 ㎜ 이상 20000 mN/25 ㎜ 이하인 것이 바람직하다 (발명 7).

상기 발명 (발명 1 내지 7) 에 있어서, 상기 제 1 영역의 돌출부는, 상기 제 2 영역 기준의 돌출 높이가 200 ㎛ 이상인 것이 바람직하다 (발명 8).

상기 발명 (발명 1 내지 8) 에 있어서, 상기 기재는 폴리올레핀 필름을 구비하는 것이 바람직하다 (발명 9).

본 발명은, 두번째로, 기판 상에 두께 방향으로 복수의 볼록부를 구비하는 피가공 부재로부터 상기 복수의 볼록부를 적어도 1 개 포함하는 편상체인 적층 칩을 제조하는 방법으로서, 상기 피가공 부재에 레이저 광을 조사하여 상기 피가공 부재에 개질층을 연속적으로 형성하고, 이 개질층이 형성됨으로써 강도가 저하된 분할 예정 라인을 따라 피가공 부재를 분할하는 공정과, 상기 피가공 부재에 레이저 광을 조사하여 상기 피가공 부재에 개질층을 연속적으로 형성하고, 이 개질층이 형성됨으로써 강도가 저하된 분할 예정 라인을 따라 피가공 부재를 분할하는 공정을 거친 피가공 부재 및 평면에서 보았을 때 상기 피가공 부재의 외주측에 배치된 링 프레임에, 상기 발명 (발명 1 내지 9) 에 관련된 신장 가능 시트를 첩부하여, 상기 피가공 부재에 있어서의, 평면에서 보았을 때 상기 피가공 부재의 중심으로부터 가장 원위에 위치하는 볼록부보다 더욱 원위에 위치하는 부분으로서 상기 적층 칩의 일부가 되는 부분 이외의 부분인 최원위 잔여부에 상기 제 1 돌출부로 이루어지는 면이 첩착하고 있음과 함께, 상기 피가공 부재의 상기 복수의 볼록부에 상기 제 2 영역이 첩착하고 있는 상태로 하는 첩부 공정과, 상기 신장 가능 시트를 신장시켜, 상기 피가공 부재를 복수의 편상체로 분할하여, 상기 복수의 볼록부 중 적어도 1 개를 구비하는 편상체인 적층 칩의 복수가 서로 이간하면서 상기 신장 가능 시트 상에 배치됨과 함께, 상기 제 1 돌출부로 이루어지는 면에 첩착한 상기 피가공 부재의 상기 볼록부 이외의 부분이 상기 적층 칩으로부터 이간한 상태로 하는 익스팬드 공정과, 상기 적층 칩을 상기 신장 가능 시트로부터 이간시키는 픽업 공정을 구비하는 적층 칩의 제조 방법을 제공한다 (발명 10).

상기 발명 (발명 10) 에 있어서, 상기 제 1 돌출부의 상기 제 2 영역 기준의 돌출 높이의, 상기 피가공 부재가 구비하는 상기 볼록부의 상기 기판 기준의 돌출 높이에 대한 비율은 80 ％ 이상 120 ％ 이하인 것이 바람직하다 (발명 11).

상기 발명 (발명 10 또는 11) 에 있어서, 상기 익스팬드 공정은, 상기 신장 가능 시트에 있어서의 상기 제 3 영역에 대응하는 부분의 일부에 환상의 부재를 맞닿음으로써, 상기 신장 가능 시트의 신장이 실시되고, 상기 신장 가능 시트에 있어서의 상기 환상의 부재가 맞닿아진 부분을 가열하여, 그 부분의 상기 기재를 수축시키는 복원 공정을, 상기 익스팬드 공정이 종료되고 나서 상기 픽업 공정을 개시할 때까지의 사이에 구비하는 것이 바람직하다 (발명 12).

상기 발명 (발명 10 내지 12) 에 있어서, 상기 신장 가능 시트가 구비하는 상기 점착제층은, 에너지선 경화성 재료를 함유하고, 상기 점착제층에 에너지선을 조사함으로써 상기 에너지선 경화성 재료를 경화시켜, 상기 점착제층의 상기 칩에 대한 점착성을 저하시키는 에너지선 조사 공정을, 상기 익스팬드 공정이 종료되고 나서 상기 픽업 공정을 개시할 때까지의 사이에 구비하는 것이 바람직하다 (발명 13).

본 발명에 관련된 신장 가능 시트를 사용하여 본 발명에 관련된 제조 방법을 실시함으로써, 다돌설 워크에 있어서의 최원위 볼록부를 포함하는 적층 칩을 적절히 제조하는 것이 가능해진다.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 신장 가능 시트의 일례의 개략 단면도.
도 2 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 신장 가능 시트의 일례의 개략 평면도.
도 3 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 신장 가능 시트의 다른 일례의 개략 평면도.
도 4 는, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 신장 가능 시트의 다른 일례의 개략 단면도.
도 5 는, 도 1 에 나타내는 신장 가능 시트에 다돌설 워크 및 링 프레임이 첩착하여 이루어지는 적층 구조체를 나타내는 개략 단면도.
도 6 은, 도 5 에 나타내는 적층 구조체에 대해 익스팬드 공정이 실시된 상태를 나타내는 개략 단면도.
도 7 은, 도 6 에 나타내는 적층 구조체로부터 얻어진 익스팬드 후 적층체를 나타내는 개략 단면도.
도 8 은, 도 3 및 도 4 에 나타내는 신장 가능 시트에 다돌설 워크 및 링 프레임이 첩착하여 이루어지는 적층 구조체에 대해 익스팬드 공정이 실시된 상태를 나타내는 개략 단면도.
도 9 은, 도 8 에 나타내는 적층 구조체로부터 얻어진 익스팬드 후 적층체를 나타내는 개략 단면도.

이하의 기재에 있어서, 「개질층 파괴식 인장 분할」 은, 피가공 부재에 대해 투과성을 갖는 레이저 광선을 조사하여 개질층을 연속적으로 형성하고, 이 개질층이 형성됨으로써 강도가 저하된 분할 예정 라인을 따라 피가공 부재를 분할하는 것을 말한다. 개질층 파괴식 인장 분할에 의한 칩의 제조 방법으로는, 하마마츠 포토닉스사가 제창하는 스텔스 다이싱 (등록상표) 법 등을 들 수 있다.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.

1. 신장 가능 시트

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 신장 가능 시트의 일례의 구조를 개념적으로 나타내는 단면도이다.

본 발명의 일 실시형태에 관련된 신장 가능 시트 (10) 는, 열 수축성을 갖는 기재 (1) 와, 상기 기재 (1) 의 일방의 주면 상에 적층된 점착제층 (2) 을 구비한다.

(1) 기재

본 실시형태에 관련된 신장 가능 시트 (10) 의 기재 (1) 는, 열 수축성을 가짐과 함께, 적층 칩을 얻기 위해서 신장 가능 시트 (10) 를 신장시켰을 때 (본 명세서에 있어서, 신장 가능 시트 (10) 를 신장시키기 위한 공정을 「익스팬드 공정」 이라고도 한다) 에 파단되지 않는 한, 그 구성 재료는 특별히 한정되지 않고, 통상적으로는 수지계의 재료를 주재 (主材) 로 하는 필름으로 구성된다. 그 필름의 구체예로서 올레핀에 기초하는 구성 단위를 갖는 중합체를 포함하는 필름인 폴리올레핀 필름이 예시된다. 폴리올레핀 필름의 구체예로서, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합 필름；저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) 필름, 직사슬 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름을 들 수 있다. 또한, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 필름, 노르보르넨 수지 필름 등도 폴리올레핀 필름의 구체예로서 들 수 있다. 또 이들 폴리올레핀 필름의 가교 필름, 아이오노머 필름과 같은 변성 필름도 사용된다. 상기 기재 (1) 는 이들 중 1 종으로 이루어지는 필름이어도 되고, 또한 이들을 2 종류 이상 조합한 적층 필름이어도 된다. 또한, 본 명세서에 있어서의 「(메트)아크릴산」 은, 아크릴산 및 메타크릴산의 양방을 의미한다. 다른 유사 용어에 대해서도 동일하다.

기재 (1) 를 구성하는 필름은, 열 수축성 및 익스팬드 공정의 적성 (파단되기 어려움) 의 관점에서, 에틸렌계 공중합 필름을 구비하는 것이 바람직하다.

기재 (1) 는, 상기 수지계 재료를 주재로 하는 필름 내에, 안료, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 활제, 필러 등의 각종 첨가제가 포함되어 있어도 된다. 안료로는, 예를 들어, 이산화티탄, 카본 블랙 등을 들 수 있다. 또, 필러로서, 멜라민 수지와 같은 유기계 재료, 퓸드 실리카와 같은 무기계 재료 및 니켈 입자와 같은 금속계 재료가 예시된다. 이러한 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않는다.

점착제층 (2) 에 에너지선을 조사하는 경우에 있어서, 에너지선으로서 자외선을 사용할 때에는, 기재 (1) 는 자외선에 대해 투과성을 갖는 것이 바람직하다. 점착제층 (2) 에 조사하는 에너지선으로서 전자선을 사용할 때에는 기재 (1) 는 전자선의 투과성을 갖고 있는 것이 바람직하다.

또, 기재 (1) 의 점착제층 (2) 에 대향하는 주면과 반대측의 면에는, 원하는 기능을 완수할 수 있는 한, 각종 도막이 형성되어 있어도 된다.

기재 (1) 의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 바람직하게는 20 ㎛ 이상 450 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 25 ㎛ 이상 400 ㎛ 이하, 특히 바람직하게는 50 ㎛ 이상 350 ㎛ 이하의 범위에 있다.

본 실시형태에 있어서의 기재 (1) 의 파단 신도는, 23 ℃, 상대 습도 50 ％ 일 때에 측정한 값으로서 100 ％ 이상인 것이 바람직하고, 특히 200 ％ 이상 1000 ％ 이하인 것이 바람직하다. 여기서, 파단 신도는 JIS K7161：1994 (ISO 527-1 1993) 에 준거한 인장 시험에 있어서의, 시험편 파괴시의 시험편 길이의 원래 길이에 대한 신장률이다. 상기 파단 신도가 100 ％ 이상인 기재 (1) 는, 익스팬드 공정시에 잘 파단되지 않고, 다돌설 워크를 분할하여 형성한 적층 칩을 이간하기 쉬운 것이 된다.

또, 본 실시형태에 있어서의 기재 (1) 의 25 ％ 왜곡시 인장 응력은 5 N/10 ㎜ 이상 15 N/10 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 최대 인장 응력은 15 ㎫ 이상 50 ㎫ 이하인 것이 바람직하다. 여기서 25 ％ 왜곡시 인장 응력 및 최대 인장 응력은 JIS K7161：1994 에 준거한 시험에 의해 측정된다. 25 ％ 왜곡시 인장 응력이 5 N/10 ㎜ 미만이거나, 최대 인장 응력이 15 ㎫ 미만이거나 하면, 신장 가능 시트 (10) 를 다돌설 워크에 첩부한 후, 링 프레임 등의 지그에 고정했을 때, 기재 (1) 가 부드럽기 때문에 늘어짐이 발생하는 것이 염려되며, 이 늘어짐은 반송 에러의 원인이 되는 경우가 있다. 한편, 25 ％ 왜곡시 인장 응력이 15 N/10 ㎜ 를 초과하거나, 최대 인장 응력이 50 ㎫ 를 초과하거나 하면, 익스팬드 공정시에 링 프레임 등의 지그로부터 신장 가능 시트 (10) 가 박리되거나 하는 등의 문제가 발생하기 쉬워지는 것이 염려된다. 또한, 상기의 파단 신도, 25 ％ 왜곡시 인장 응력 및 최대 인장 응력은, 기재 (1) 를 그 원단 (原反) 의 장척 (長尺) 방향으로 측정한 값을 가리킨다.

(2) 점착제층

본 실시형태에 관련된 신장 가능 시트 (10) 의 점착제층 (2) 은, 종래 공지된 여러 가지 점착제 조성물에 의해 형성될 수 있다. 이와 같은 점착제 조성물로는, 전혀 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐에테르 등의 점착제 조성물이 사용된다. 또, 에너지선 경화형이나 가열 발포형, 수 (水) 팽윤형의 점착제 조성물도 사용할 수 있다.

본 실시형태에 관련된 신장 가능 시트 (10) 가 구비하는 점착제층 (2) 은, 에너지선의 조사에 의해 중합 반응을 발생시키는 성분을 함유하는, 에너지선 중합형의 점착제 조성물로 구성되는 경우도 있다. 이 중합을 위한 에너지선으로는, X 선, 자외선과 같은 전자파, 전자선 등이 예시된다. 이들 에너지선 중에서도, 설비 설치에 필요로 하는 비용이 낮고, 작업성도 우수한 자외선이 바람직하다.

자외선에 의해 중합할 수 있는 점착제 조성물의 일례로서, 다음에 설명하는 아크릴계 중합체 (α) 및 에너지선 중합성 화합물 (β), 또한 필요에 따라 가교제 (γ) 등을 함유하는 점착제 조성물을 들 수 있다.

(2-1) 아크릴계 중합체 (α)

본 실시형태에 관련된 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 점착제 조성물의 일례는 아크릴계 중합체 (α) 를 함유한다. 이 점착제 조성물로 형성된 점착제층 (2) 에 있어서, 아크릴계 중합체 (α) 는 적어도 그 일부가 후술하는 가교제 (γ) 와 가교 반응을 실시하여 가교물로서 함유되는 경우도 있다.

아크릴계 중합체 (α) 로는, 종래 공지된 아크릴계의 중합체를 사용할 수 있다. 아크릴계 중합체 (α) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 상기 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 점착제 조성물 또는 이것에 용매를 첨가하여 얻어지는 조성물로 이루어지는 도공액 (본 명세서에 있어서, 이들 도공액을 「점착층 형성용 도공액」 이라고 총칭한다) 의 도공시의 조막성 (造膜性) 의 관점에서 1만 이상 200만 이하인 것이 바람직하고, 10만 이상 150만 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 아크릴계 중합체 (α) 의 유리 전이 온도 Tg 는, 바람직하게는 －70 ℃ 이상 30 ℃ 이하, 더욱 바람직하게는 －60 ℃ 이상 20 ℃ 이하의 범위에 있다. 유리 전이 온도는, Fox 식으로부터 계산할 수 있다.

상기 아크릴계 중합체 (α) 는, 1 종류의 아크릴계 모노머로 형성된 단독 중합체여도 되고, 복수 종류의 아크릴계 모노머로 형성된 공중합체여도 되며, 1 종류 또는 복수 종류의 아크릴계 모노머와 아크릴계 모노머 이외의 모노머로 형성된 공중합체여도 된다. 아크릴계 모노머가 되는 화합물의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않고, (메트)아크릴산, (메트)아크릴산에스테르, 그 유도체 (아크릴로니트릴 등) 를 구체예로서 들 수 있다.

(메트)아크릴산에스테르에 대해 더욱 구체예를 나타내면, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트 등의 사슬형 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트；시클로헥실(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 테트라하이드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트, 이미드아크릴레이트 등의 환상 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트；2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트 등의 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트；글리시딜(메트)아크릴레이트, N-메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트 등의 수산기 이외의 반응성 관능기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 또, 아크릴계 모노머 이외의 모노머로서, 에틸렌, 노르보르넨 등의 올레핀, 아세트산비닐, 스티렌 등이 예시된다. 또한, 아크릴계 모노머가 알킬(메트)아크릴레이트인 경우에는, 그 알킬기의 탄소수는 1 내지 18 의 범위인 것이 바람직하다.

본 실시형태에 관련된 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 점착제 조성물이, 후술하는 바와 같이 아크릴계 중합체 (α) 를 가교할 수 있는 가교제 (γ) 를 함유하고 있는 경우에는, 아크릴계 중합체 (α) 가 갖는 반응성 관능기의 종류는 특별히 한정되지 않고, 가교제 (γ) 의 종류 등에 기초하여 적절히 결정하면 된다. 예를 들어, 가교제 (γ) 가 폴리이소시아네이트 화합물인 경우에는, 아크릴계 중합체 (α) 가 갖는 반응성 관능기로서, 수산기, 카르복실기, 아미노기 등이 예시된다. 이들 중에서도, 가교제 (γ) 가 폴리이소시아네이트 화합물인 경우에는, 이소시아네이트기와의 반응성이 높은 수산기를 반응성 관능기로서 채용하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체 (α) 에 반응성 관능기로서 수산기를 도입하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 일례로서, 아크릴계 중합체 (α) 가 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트 등의 수산기를 갖는 아크릴레이트에 기초하는 구성 단위를 골격에 함유하는 경우를 들 수 있다.

아크릴계 중합체 (α) 가 반응성 관능기를 갖는 경우에는, 아크릴계 중합체 (α) 를 형성하기 위한 모노머 환산으로, 전체 모노머에 대한 반응성 관능기를 갖는 모노머의 함유 비율을 1 질량％ 이상 20 질량％ 이하 정도로 하는 것이 바람직하고, 2 질량％ 이상 10 질량％ 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.

(2-2) 에너지선 중합성 화합물 (β)

본 실시형태에 관련된 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 점착제 조성물이 함유하는 에너지선 중합성 화합물 (β) 는, 에너지선 중합성기를 갖고, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받아 중합 반응할 수 있는 한, 구체적인 구성은 특별히 한정되지 않는다. 에너지선 중합성 화합물 (β) 가 중합함으로써 점착제층 (2) 의 보호막 형성용 필름 (4) 에 대한 점착성을 저하시킬 수 있다.

에너지선 중합성기의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 그 구체예로서, 비닐기, (메트)아크릴로일기 등의 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 관능기 등을 들 수 있다. 점착제 조성물이 가교제 (γ) 를 함유하는 경우에는, 가교제 (γ) 의 가교 반응을 실시하는 부위와 기능적으로 중복될 가능성을 줄이는 관점에서, 에너지선 중합성기는 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 관능기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 에너지선이 조사되었을 때의 반응성의 높이의 관점에서 (메트)아크릴로일기가 보다 바람직하다.

에너지선 중합성 화합물 (β) 의 분자량은 특별히 한정되지 않는다. 그 분자량이 과도하게 작은 경우에는, 점착제 조성물 또는 점착제층 (2) 의 제조 과정에 있어서 그 화합물이 휘발되는 것이 염려되며, 이 때 점착제층 (2) 의 조성의 안정성이 저하된다. 따라서, 에너지선 중합성 화합물 (β) 의 분자량은, 중량 평균 분자량 (Mw) 으로서 100 이상으로 하는 것이 바람직하고, 200 이상으로 하는 것이 보다 바람직하며, 300 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다.

에너지선 중합성 화합물 (β) 의 적어도 일부는, 분자량이, 중량 평균 분자량 (Mw) 으로서 4,000 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 에너지선 중합성 화합물 (β) 로서, 에너지선 중합성기를 갖는 단관능 모노머 및 다관능의 모노머 그리고 이들 모노머의 올리고머로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상으로 이루어지는 화합물이 예시된다.

상기 화합물의 구체적인 조성은 특별히 한정되지 않는다. 상기 화합물의 구체예로서, 트리메틸롤프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸롤메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트 등의 사슬형 골격을 갖는 알킬(메트)아크릴레이트；디시클로펜타디엔디메톡시디(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트 등의 환상 골격을 갖는 알킬(메트)아크릴레이트；폴리에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 올리고 에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 올리고머, 에폭시 변성 (메트)아크릴레이트, 폴리에테르(메트)아크릴레이트 등의 아크릴레이트계 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 아크릴레이트계 화합물은 아크릴계 중합체 (α) 에 대한 상용성이 높기 때문에 바람직하다.

에너지선 중합성 화합물 (β) 가 1 분자 중에 갖는 에너지선 중합성기의 수는 한정되지 않지만, 복수인 것이 바람직하고, 3 이상인 것이 보다 바람직하며, 5 이상인 것이 특히 바람직하다.

본 실시형태에 관련된 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 점착제 조성물에 함유되는 에너지선 중합성 화합물 (β) 의 함유량은, 아크릴계 중합체 (α) 100 질량부에 대해 50 질량부 이상 300 질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 75 질량부 이상 150 질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 본 명세서에 있어서, 각 성분의 함유량을 나타내는 「질량부」 는 고형분으로서의 양을 의미한다. 에너지선 중합성 화합물 (β) 의 함유량을 이와 같은 범위로 함으로써, 에너지선 조사 후의 점착제층 (2) 의 다돌설 워크 또는 이것이 분할하여 이루어지는 적층 칩에 대한 점착성의, 에너지선 조사 전의 점착제층 (2) 의 다돌설 워크 또는 이것이 분할하여 이루어지는 적층 칩에 대한 점착성에 대한 차를 충분히 확보할 수 있다.

에너지선 중합성 화합물 (β) 의 다른 예로서, 에너지선 중합성 화합물 (β) 가 아크릴계 중합체로서, 에너지선 중합성기를 갖는 구성 단위를 주사슬 또는 측사슬에 갖는 것인 경우를 들 수 있다. 이 경우에는, 에너지선 중합성 화합물 (β) 는 아크릴계 중합체 (α) 로서의 성질을 갖기 때문에, 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 조성물의 조성이 간소화되는, 점착제층 (2) 에 있어서의 에너지선 중합성기의 존재 밀도를 제어하기 쉽다는 등의 이점을 갖는다.

상기와 같은 아크릴계 중합체 (α) 의 성질을 갖는 에너지선 중합성 화합물 (β) 는, 예를 들어 다음과 같은 방법으로 조제할 수 있다. 수산기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 함유하는 (메트)아크릴레이트에 기초하는 구성 단위 및 알킬(메트)아크릴레이트에 기초하는 구성 단위를 포함하여 이루어지는 공중합체인 아크릴계 중합체와, 상기 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 에너지선 중합성기 (예를 들어 에틸렌성 이중 결합을 갖는 기) 를 1 분자 내에 갖는 화합물을 반응시킴으로써, 상기 아크릴계 중합체에 에너지선 중합성기를 부가시킬 수 있다.

에너지선 중합성 화합물 (β) 를 경화시키기 위한 에너지선으로는, 전리 방사선, 즉, X 선, 자외선, 전자선 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 비교적 조사 설비의 도입이 용이한 자외선이 바람직하다.

전리 방사선으로서 자외선을 이용하는 경우에는, 취급용이성에서 파장 200 ∼ 380 ㎚ 정도의 자외선을 포함하는 근자외선을 사용하면 된다. 자외선량으로는, 에너지선 중합성 화합물 (β) 의 종류나 점착제층 (2) 의 두께에 따라 적절히 선택하면 되고, 통상적으로 50 ∼ 500 mJ/㎠ 정도이며, 100 ∼ 450 mJ/㎠ 가 바람직하고, 200 ∼ 400 mJ/㎠ 가 보다 바람직하다. 또, 자외선 조도는, 통상적으로 50 ∼ 500 mW/㎠ 정도이며, 100 ∼ 450 mW/㎠ 가 바람직하고, 200 ∼ 400 mW/㎠ 가 보다 바람직하다. 자외선원으로는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 고압 수은 램프, 메탈 할라이드 램프, UV-LED 등이 사용된다.

전리 방사선으로서 전자선을 사용하는 경우에는, 그 가속 전압에 대해서는, 에너지선 중합성 화합물 (β) 의 종류나 점착제층 (2) 의 두께에 따라 적절히 선정하면 되고, 통상적으로 가속 전압 10 ∼ 1000 ㎸ 정도인 것이 바람직하다. 또, 조사선량은, 에너지선 중합성 화합물 (β) 가 적절히 경화하는 범위로 설정하면 되고, 통상적으로 10 ∼ 1000 krad 의 범위에서 선정된다. 전자선원으로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 콕크로프트 월턴형, 반데그라프형, 공진 변압기형, 절연 코어 변압기형, 혹은 직선형, 다이나미트론형, 고주파형 등의 각종 전자선 가속기를 사용할 수 있다.

(2-3) 가교제 (γ)

본 실시형태에 관련된 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 점착제 조성물은, 전술한 바와 같이, 아크릴계 중합체 (α) 와 반응할 수 있는 가교제 (γ) 를 함유해도 된다. 이 경우에는, 본 실시형태에 관련된 점착제층 (2) 은, 아크릴계 중합체 (α) 와 가교제 (γ) 의 가교 반응에 의해 얻어진 가교물을 함유한다.

가교제 (γ) 의 종류로는, 예를 들어, 에폭시계 화합물, 이소시아네이트계 화합물, 금속 킬레이트계 화합물, 아지리딘계 화합물 등의 폴리이민 화합물, 멜라민 수지, 우레아 수지, 디알데히드류, 메틸롤 폴리머, 금속 알콕시드, 금속염 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 가교 반응을 제어하기 쉽다는 것 등의 이유에 의해, 가교제 (γ) 가 폴리이소시아네이트 화합물인 것이 바람직하다.

여기서, 폴리이소시아네이트 화합물에 대하여 약간 상세하게 설명한다. 폴리이소시아네이트 화합물은 1 분자당 이소시아네이트기를 2 개 이상 갖는 화합물로서, 예를 들어, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트 등의 방향족 폴리이소시아네이트；디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 비시클로헵탄트리이소시아네이트, 시클로펜틸렌디이소시아네이트, 시클로헥실렌디이소시아네이트, 메틸시클로헥실렌디이소시아네이트, 수첨 자일릴렌디이소시아네이트 등의 지환식 이소시아네이트 화합물；헥사메틸렌디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌디이소시아네이트, 리신디이소시아네이트 등의 사슬형 골격을 갖는 이소시아네이트를 들 수 있다.

또, 이들 화합물의, 뷰렛체, 이소시아누레이트체나, 이들 화합물과, 에틸렌글리콜, 트리메틸롤프로판, 피마자유 등의 비방향족성 저분자 활성 수소 함유 화합물과의 반응물인 어덕트체 등의 변성체도 사용할 수 있다. 상기 폴리이소시아네이트 화합물은 1 종류여도 되고, 복수 종류여도 된다.

본 실시형태에 관련된 점착제층 (2) 이 아크릴계 중합체 (α) 와 가교제 (γ) 에 기초하는 가교물을 갖는 경우에는, 점착제층 (2) 에 함유되는 가교물에 관련된 가교 밀도를 조정함으로써, 점착제층 (2) 의 조사 전 저장 탄성률 등의 특성을 제어할 수 있다. 이 가교 밀도는, 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 조성물에 포함되는 가교제 (γ) 의 함유량 등을 바꿈으로써 조정할 수 있다. 구체적으로는, 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 점착제 조성물의 가교제 (γ) 의 함유량을, 아크릴계 중합체 (α) 100 질량부에 대해 5 질량부 이상으로 함으로써, 점착제층 (2) 의 조사 전 저장 탄성률 등을 적절한 범위로 제어하는 것이 용이해진다. 이 제어성을 높이는 관점에서, 가교제 (γ) 의 함유량은, 아크릴계 중합체 (α) 100 질량부에 대해 10 질량부 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 20 질량부 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다. 가교제 (γ) 의 함유량의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 함유량이 과도하게 높은 경우에는, 점착제층 (2) 의 점착성을 후술하는 범위로 제어하는 것이 곤란해지는 경우도 있기 때문에, 아크릴계 중합체 (α) 100 질량부에 대해 50 질량부 이하로 하는 것이 바람직하고, 40 질량부 이하로 하는 것이 보다 바람직하다.

본 실시형태에 관련된 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 점착제 조성물이 가교제 (γ) 를 함유하는 경우에는, 그 가교제 (γ) 의 종류 등에 따라 적절한 가교 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 가교제 (γ) 가 폴리이소시아네이트 화합물인 경우에는, 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 점착제 조성물은 유기 주석 화합물 등의 유기 금속 화합물계의 가교 촉진제를 함유하는 것이 바람직하다.

(2-4) 기타 성분

본 실시형태에 관련된 신장 가능 시트 (10) 가 구비하는 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 점착제 조성물은, 상기 성분에 더하여, 점착 부여 수지나 장사슬 알킬기를 갖는 아크릴 중합체의 올리고머 등의 올리고머 성분, 광 중합 개시제, 염료나 안료 등의 착색 재료, 난연제, 필러, 대전 방지제 등의 각종 첨가제를 함유해도 된다.

광 중합 개시제로는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오잔톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광 개시제, 아민이나 퀴논 등의 광 증감제 등을 들 수 있으며, 구체적으로는, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-크롤안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등이 예시된다. 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 광 중합 개시제를 배합함으로써 조사 시간, 조사량을 적게 할 수 있다.

(2-5) 두께

본 실시형태에 관련된 신장 가능 시트 (10) 가 구비하는 점착제층 (2) 의 두께는 특별히 한정되지 않는다. 점착제층 (2) 의 피착체 (다돌설 워크, 다돌설 워크가 분할하여 이루어지는 적층 칩, 링 프레임 등의 지그 등) 에 대한 점착성을 적절히 유지하는 관점에서, 점착제층 (2) 의 두께는 1 ㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 2 ㎛ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하며, 3 ㎛ 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다. 한편, 다이싱 공정 중에 칩 결손이 발생할 가능성을 저감시키는 관점에서, 점착제층 (2) 의 두께는 80 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 50 ㎛ 이하로 하는 것이 보다 바람직하며, 30 ㎛ 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.

(2-6) 점착성

본 실시형태에 관련된 신장 가능 시트 (10) 가 구비하는 점착제층 (2) 의 점착성은 특별히 한정되지 않는다. 개질층 파괴식 인장 분할에 있어서, 얻어지는 칩을 안정적으로 점착제층 상에 유지하는 관점에서, 기재 (1) 및 점착제층 (2) 으로 이루어지는 적층체를 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부하여 측정한 JIS Z0237：2000 준거의 점착력 (피착체로의 첩부 후의 점착성 저감을 목적으로 하여, 점착제층 (2) 을 에너지선 중합형의 점착제 조성물로 구성한 경우에는, 에너지선을 조사하기 전의 점착력) 은 1000 mN/25 ㎜ 이상 20000 mN/25 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 1500 mN/25 ㎜ 이상 15000 mN/25 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.

(3) 제 1 주면 (10A)

본 발명의 일 실시형태에 관련된 신장 가능 시트 (10) 가 첩부되는 피가공 부재는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 기판 (21) 과, 기판 (21) 의 일방의 주면 상에 적층된 두께 방향으로 돌출하는 복수의 볼록부 (22) 를 구비하는 다돌설 워크 (20) 이다. 기판 (21) 내에는, 분할 예정 라인을 따라 개질층 (21m) 이 형성되어 있다. 이들 볼록부 (22) 중, 평면에서 보았을 때 다돌설 워크 (20) 의 중심으로부터 가장 원위에 위치하는 볼록부가 최원위 볼록부 (22d) 이다. 다돌설 워크 (20) 에 있어서의, 평면에서 보았을 때 최원위 볼록부 (22d) 보다 다돌설 워크 (20) 의 중심으로부터 더욱 원위에 위치하는 부분으로서, 분할되었을 때에 적층 칩 (40) 의 일부가 되는 부분 이외의 부분이, 최원위 잔여부 (21r) 이다. 도 6 등에 나타내는 바와 같이, 다돌설 워크 (20) 가 분할되어 얻어지는 적층 칩 (40) 중, 최원위 볼록부 (22d) 를 구비하는 적층 칩이 최원위 적층 칩 (40d) 이다.

신장 가능 시트 (10) 의 기재 (1) 보다 점착제층 (2) 에 근위인 측의 주면인 제 1 주면 (10A) 은, 신장 가능 시트 (10) 의 사용시에, 기판 (21) 상에 두께 방향으로 복수의 볼록부 (22) 를 구비하는 피가공 부재인 다돌설 워크 (20) 에 첩부되어야 할 영역인 가공용 영역 (10a) 을 구비한다. 가공용 영역 (10a) 의 형상은, 당연히 다돌설 워크 (20) 의 형상과 동일하다. 통상적으로 신장 가능 시트 (10) 는, 그 중심으로부터 주연부가 이간하는 방향으로 장력이 부여되기 때문에, 가공용 영역 (10a) 은 제 1 주면 (10A) 의 거의 중앙부에 위치한다.

가공용 영역 (10a) 은, 다음에 설명하는 제 1 영역 (11a) 및 제 2 영역 (12a) 으로 이루어진다.

(3-1) 제 1 영역 (11a)

제 1 영역 (11a) 은, 평면에서 보았을 때 가공용 영역 (10a) 의 외주를 그 외주로 하는 환상의 영역이다. 제 1 영역 (11a) 은, 후술하는 제 2 영역 (12a) 기준으로 기재 (1) 로부터 이간하는 방향의 돌출부인 제 1 돌출부 (11p) 로 이루어지는 면 (11pa) 을 구비한다. 본 명세서에 있어서 제 1 돌출부 (11p) 로 이루어지는 면 (11pa) 을 「제 1 돌출면」 이라고도 한다. 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 영역 (11a) 은, 그 전체면이 제 1 돌출면 (11pa) 으로 구성되어 있어도 된다. 도 3 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 제 1 영역 (11a) 은, 그 일부가 제 1 돌출면 (11pa) 으로 구성되어 있어도 된다. 도 3 및 도 4 에서는, 제 1 영역 (11a) 의 일부가 제 1 돌출면 (11pa) 으로 구성되어 있는 경우의 구체예로서, 제 1 돌출부 (11p) 가 원환상 (員環狀) 으로 배치된 소돌기의 복수로 이루어지고, 그 정점을 포함하는 면이 제 1 돌출면 (11pa) 을 구성하는 경우가 나타나 있다.

제 1 돌출면 (11pa) 은, 신장 가능 시트 (10) 의 사용시에, 최원위 잔여부 (21r) 에 첩부된다.

(3-2) 제 2 영역 (12a)

제 2 영역 (12a) 은, 상기와 같이 환상인 제 1 영역 (11a) 의 평면에서 보았을 때 내주측에 위치하고, 가공용 영역 (10a) 의 평면에서 보았을 때의 중심을 포함한다. 제 2 영역 (12a) 은, 신장 가능 시트 (10) 의 사용시에, 다돌설 워크 (20) 의 복수의 볼록부 (22) 에 첩부된다.

이와 같이 가공용 영역 (10a) 이 제 1 영역 (11a) 및 제 2 영역 (12a) 으로 이루어짐으로써, 신장 가능 시트 (10) 를 다돌설 워크 (20) 에 첩부했을 때에, 최원위 잔여부 (21r) 에 제 1 영역 (11a) 이 첩착하고, 최원위 볼록부 (22d) 에 제 2 영역 (12a) 이 첩착하는 상태가 실현된다. 이 상태로 신장 가능 시트 (10) 를 신장시키면, 제 1 영역 (11a) 과 최원위 볼록부 (22d) 에 첩부된 제 2 영역 (12a) 이 이간하는 것에 수반하여, 최원위 볼록부 (22d) 에 접속하는 기판 (21) 과 최원위 잔여부 (21r) 사이를 이간시키는 힘이 부여되어, 최원위 적층 칩 (40d) 으로부터 최원위 잔여부 (21r) 를 분리시키는 것이 가능해진다.

(3-3) 제 1 돌출부 (11p)

제 1 영역 (11a) 이 최원위 잔여부 (21r) 에 첩착한 상태를 유지할 수 있는 높이를 갖고, 그 첩착한 상태로 신장 가능 시트 (10) 가 신장된 것에 기인하여 발생한 전단력이 제 1 돌출부 (11p) 에 부여되었을 때에, 최원위 잔여부 (21r) 와 최원위 적층 칩 (40d) 을 분리시키기 위해서 필요한 장력을 최원위 잔여부 (21r) 에 부여할 수 있는 한, 제 1 돌출부 (11p) 의 구체적인 구조는 한정되지 않는다.

최원위 잔여부 (21r) 와 최원위 적층 칩 (40d) 의 분리가 적절히 실시되는 것을 보다 안정적으로 실현시키는 관점에서, 제 1 돌출부 (11p) 의 제 2 영역 (12a) 기준의 돌출 높이는, 최원위 볼록부 (22d) 의 기판 (21) 기준의 돌출 높이에 대한 비율로 80 ％ 이상 120 ％ 이하인 것이 바람직하다. 당해 비율이 과도하게 낮은 경우에는, 제 1 영역 (11a) 이 최원위 잔여부 (21r) 에 적절히 첩착하지 않아, 익스팬드 공정에 있어서 제 1 영역 (11a) 과 최원위 잔여부 (21r) 사이에서 박리가 발생할 가능성이 높아진다. 반대로 상기 비율이 과도하게 높은 경우에는, 최원위 잔여부 (21r) 에 인접하는 최원위 볼록부 (22d) 에 제 2 영역 (12a) 이 적절히 첩착하지 않아, 익스팬드 공정에 있어서 제 2 영역 (12a) 과 최원위 볼록부 (22d) 사이에서 박리가 발생할 가능성이 높아진다. 제 1 돌출부 (11p) 의 제 2 영역 (12a) 기준의 돌출 높이의 구체예로서, 200 ㎛ 이상을 들 수 있으며, 300 ㎛ 이상, 혹은 400 ㎛ 이상도, 제 1 돌출부 (11p) 의 제 2 영역 (12a) 기준의 돌출 높이의 구체예로서 들 수 있다.

익스팬드 공정에 있어서 최원위 잔여부 (21r) 를 최원위 볼록부 (22d) 로부터 이간시키는 것이 보다 안정적으로 실시되기 쉬워지는 관점에서, 제 1 돌출부 (11p) 는, 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률이 0.01 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 0.1 ㎫ 이상 10000 ㎫ 이하인 것이 보다 바람직하며, 1 ㎫ 이상 1000 ㎫ 이하인 것이 특히 바람직하다. 제 1 돌출부 (11p) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률이 0.01 ㎫ 이상임으로써, 익스팬드 공정시에 신장 가능 시트 (10) 가 파단할 가능성이 저감된다. 제 1 돌출부 (11p) 의 23 ℃ 에 있어서의 저장 탄성률이 10000 ㎫ 이하이면, 신장 가능 시트 (10) 의 다돌설 워크 (20) 에 대한 첩부성을 향상시킬 수 있다.

제 1 돌출부 (11p) 를 구성하는 재료는, 소정의 돌출 높이를 유지할 수 있는 것, 및 최원위 잔여부 (21r) 에 대한 박리 강도가 적절하면, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 「최원위 잔여부 (21r) 에 대한 박리 강도가 적절하다」 란, 익스팬드 공정에 있어서 제 1 영역 (11a) 과 최원위 잔여부 (21r) 사이에서 박리가 발생하지 않는 것을 의미한다. 또한, 익스팬드 공정 종료 후, 최원위 잔여부 (21r) 로 이루어지는 편상체를 신장 가능 시트 (10) 로부터 적절히 박리할 수 있는 것도 의미하는 경우도 있다.

최원위 잔여부 (21r) 에 제 1 영역 (11a) 을 첩부하는 것을 실현하기 위해서, 제 1 돌출면 (11pa) 은 점착성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 제 1 돌출면 (11pa) 이 점착성을 갖고 있는 제 1 돌출부 (11p) 의 구체예로서, 수지계 재료로 이루어지는 필름 (수지 필름) 과 점착제층을 구비하는 적층체, 점착제층으로 이루어지는 적층체 (각 층은 복수여도 된다), 자착성 수지로 이루어지는 구조체 등을 들 수 있다.

상기 적층체의 수지 필름의 구체예로서, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름 등의 에틸렌계 공중합 필름；저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) 필름, 직사슬 저밀도 폴리에틸렌 (LLDPE) 필름, 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE) 필름 등의 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 필름, 노르보르넨 수지 필름 등의 폴리올레핀계 필름；폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름 등의 폴리염화비닐계 필름；폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르계 필름；폴리우레탄 필름；폴리이미드 필름；폴리스티렌 필름；폴리카보네이트 필름；불소 수지 필름 등을 들 수 있다. 또 이들의 가교 필름, 아이오노머 필름과 같은 변성 필름도 사용된다. 또, 수지 필름으로서, 에너지선 경화성 조성물을 에너지선에 의해 경화시켜 이루어지는 경화물을 사용해도 된다. 이와 같은 경화물로는, 예를 들어 일본 특허공보 4841802호에서 중간층으로서 이용되고 있는, 우레탄 올리고머를 함유하는 조성물을 제막 (製膜)·경화하여 이루어지는 필름 (폴리우레탄계 필름) 을 들 수 있다. 에너지선 경화성 조성물을 에너지선에 의해 경화시켜 이루어지는 층은 무용제형으로 할 수 있고, 건조 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 수지 필름이 캐스트 필름인 경우에, 생산성을 저하시키지 않고 두꺼운 필름을 얻을 수 있으며, 제 1 돌출부 (11p) 의 높이를 높게 할 수 있다.

상기 적층체에 있어서의 점착제층은, 공지된 여러 가지 점착제 조성물에 의해 형성될 수 있다. 이와 같은 점착제 조성물로는, 전혀 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐에테르 등의 점착제 조성물이 사용된다. 또, 전술한 바와 같은 에너지선 경화형의 점착제 조성물을 사용할 수도 있다. 나아가서는, 가열 발포형, 수팽윤형의 점착제 조성물도 사용할 수 있다.

자착성 수지로는, 아크릴 수지나 막두께가 있는 실리콘 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 우레탄 수지 등이 예시된다. 자착성을 갖는 아크릴 수지의 구체예로서, 아크릴산에스테르 공중합체를 들 수 있다. 이 목적으로 사용되는 아크릴산에스테르 공중합체의 중량 평균 분자량은 100,000 이상이고, 바람직하게는 100,000 ∼ 1,500,000 이며, 특히 바람직하게는 150,000 ∼ 1,000,000 이다. 아크릴산에스테르 공중합체는, (메트)아크릴산, (메트)아크릴산에스테르 모노머 혹은 그 유도체 등으로부터 유도되는 구성 단위로 이루어진다. (메트)아크릴산에스테르 모노머로는, 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 18 인 (메트)아크릴산알킬에스테르가 사용된다. (메트)아크릴산에스테르 모노머의 유도체로는, 디메틸아크릴아미드, 디메틸메타크릴아미드, 디에틸아크릴아미드, 디에틸메타크릴아미드 등의 디알킬(메트)아크릴아미드가 들 수 있다. 이들 중에서도, 특히 바람직하게는 메틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필아크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 2-에틸헥실메타크릴레이트, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 디메틸아크릴아미드 등이다. 이들 모노머 외에, 아세트산비닐, 스티렌, 비닐아세테이트 등이 공중합되어 있어도 된다.

관능기를 갖는 아크릴산에스테르 공중합체로는, 2-하이드록시에틸아크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 2-하이드록시프로필아크릴레이트, 2-하이드록시프로필메타크릴레이트, 2-하이드록시부틸아크릴레이트, 2-하이드록시부틸메타크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 아크릴레이트, 아크릴산, 메타크릴산 등의 카르복실기 함유 화합물을 구성 단위로서 갖는다.

아크릴산에스테르 공중합체는, 점착제로서 범용되는 중합체이며, 많은 경우, 점착제 특유의 끈적거림감을 갖는다. 따라서, 자착성 수지층으로서 사용하는 경우에는, 가교제로 부분 가교하고, 끈적거림감을 억제하고, 전술한 저장 탄성값을 갖도록 조정한다. 가교제로는, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 에폭시 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 들 수 있다. 일반적으로 가교제의 사용량이 많아지면, 아크릴산에스테르 공중합체의 끈적거림감은 저하되고, 저장 탄성률은 상승한다.

자착성을 보다 안정적으로 나타내는 관점에서, 자착성 수지로 이루어지는 구조체로 제 1 돌출부 (11p) 가 구성되는 경우에는, 표면의 산술 평균 조도 Ra 는 1 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 0.7 ㎛ 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.0001 ㎛ 이상 0.2 ㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다.

(3-4) 제 3 영역 (13a)

신장 가능 시트 (10) 의 제 1 주면 (10A) 은, 가공용 영역 (10a) 과, 평면에서 보았을 때 가공용 영역 (10a) 의 외주측의 영역인 제 3 영역 (13a) 으로 이루어진다.

통상적으로 제 3 영역 (13a) 에 있어서의 외주 근방의 영역은 링 프레임 (30) 등의 지그에 첩착된다. 그리고, 익스팬드 공정에서는, 링 프레임 (30) 의 내주측으로서 다돌설 워크 (20) 의 외측에 위치하는, 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 제 3 영역 (13a) 에 대응하는 부분에 대해, 링상의 부재 (60) 가 꽉 눌려져, 그 링상의 부재와 링 프레임 (30) 등 지그와의 수직 방향의 상대 위치를 변화시키는 (일반적으로는, 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 제 1 주면 (10A) 과 반대측의 면으로부터 링상의 부재 (60) 를 부딪히게 한다.) 것이 실시된다. 그 결과, 평면에서 보았을 때 링상의 부재 (60) 의 내주측에 위치하는 신장 가능 시트 (10) 의 부분과, 링 프레임 (30) 이 첩착하고 있는 신장 가능 시트 (10) 의 부분은, 연직 방향에서 위치 어긋남이 발생하고, 이 위치 어긋남량에 따라 신장 가능 시트 (10) 가 신장된다.

이 때, 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의, 링상의 부재 (60) 와 접하는 부분 또는 그 근방 부분은, 특히 기계적 부하를 받기 쉬워, 가장 신장되는 부분이 된다. 즉, 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 제 3 영역 (13a) 에 대응하는 부분은, 익스팬드 공정에 있어서 가장 신장되는 부분을 포함한다.

후술하는 바와 같이, 취급성을 높이는 관점 등에 의해, 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 제 3 영역 (13a) 에 대응하는 부분을 열 수축시키는 것 (복원 공정) 이 실시되는 경우가 있다. 이 부분의 열 수축이 적절히 실시되도록, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 신장 가능 시트 (10) 는 다음의 구성을 구비하고 있어도 된다.

(3-4-1) 제 3 돌출 영역 (13b)

제 3 영역 (13a) 은, 제 2 영역 (12a) 기준으로 기재 (11) 로부터 이간하는 방향으로 돌출하는 돌출부인 제 3 돌출부 (13p) 의 면으로 이루어지는 제 3 돌출 영역 (13b) 을 구비해도 된다. 제 3 돌출 영역 (13b) 은, 제 3 영역 (13a) 의 일부여도 되고, 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이 제 3 영역 (13a) 의 전부여도 된다.

제 1 돌출부 (11p) 와 제 3 돌출부 (13p) 의 관계는 특별히 한정되지 않는다. 이들은 서로 상이한 부재로 구성되어 있어도 되고, 동일한 부재로 구성되어 있어도 된다. 또, 제 1 돌출부 (11p) 와 제 3 돌출부 (13p) 는 연속하고 있는 부분을 갖고 있어도 되고, 불연속이어도 된다. 도 1 및 도 2 에 나타내는 신장 가능 시트 (10) 에서는, 제 1 돌출부 (11p) 와 제 3 돌출부 (13p) 가 연속하고 있다.

제 3 돌출부 (13p) 의 재료나 구조 (특히 적층 구조) 는 특별히 한정되지 않는다. 제 3 돌출부 (13p) 는 열 수축성을 갖는 것이 바람직하고, 기재 (1) 와 동등한 열 수축성을 갖는 것이 보다 바람직하다. 제 3 돌출부 (13p) 가 기재 (1) 와 동등한 열 수축성을 갖는 경우에는, 가열에 의해 신장 가능 시트 (10) 가 열 수축했을 때에, 제 3 돌출부 (13p) 가 우선적으로 수축하거나 기재 (1) 가 우선적으로 수축하거나 할 가능성이 저감되고, 결과적으로, 제 3 돌출 영역 (3b) 에 있어서의 기재 (1) 의 열 수축이 방해받을 가능성이 저감된다.

제 3 돌출부 (13p) 는, 기재 (1) 가 구비하는 열 수축성 재료를 구비해도 된다. 이 경우에는, 제 3 돌출부 (13p) 는 기재 (1) 와 마찬가지로 열 수축하는 것이 가능하기 때문에, 신장 가능 시트 (10) 의 늘어짐량 (신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 링 프레임 (30) 에 첩착하는 부분의 하측면을 기준으로 하는, 신장 가능 시트 (10) 의 저면의 연직 방향의 이간 거리) 을 보다 안정적으로 저감시킬 수 있다.

제 3 돌출부 (13p) 는 통상적인 사용 양태에서는 피가공 부재 (다돌설 워크 (20)) 에 첩부되지 않기 때문에, 제 3 돌출 영역 (13b) 은 점착성을 갖고 있지 않아도 된다. 단, 상기와 같이, 제 1 돌출부 (11p) 와 제 3 돌출부 (13p) 가 연속하고 있는 부분을 갖는 등의 이유에 의해, 제 1 돌출부 (11p) 와 제 3 돌출부 (13p) 가 동일한 재료로 구성되어 있는 경우에는, 제 3 영역 (13a) 을 점착성을 갖고 있어도 된다. 이 경우에 있어서, 열 수축 후의 신장 가능 시트 (10) 의 형상 안정성을 높이는 관점에서, 제 1 돌출부 (11p) 및 제 3 돌출부 (13p) 는 기재 (1) 가 구비하는 열 수축성 재료를 구비하는 것이 바람직하다.

(3-4-2) 복원 용이 영역 (13c)

제 3 영역 (13a) 은, 그 영역에 대응하는 신장 가능 시트 (10) 의 부분에서는 기재 (1) 가 가장 두꺼운 부재인 복원 용이 영역 (13c) 을 구비해도 된다. 복원 용이 영역 (13c) 은, 제 3 영역 (13a) 의 일부여도 되고, 제 3 영역 (13a) 의 전부여도 된다. 도 3 및 도 4 에 나타내는 신장 가능 시트 (10) 에서는, 제 3 영역 (13a) 모두가 복원 용이 영역 (13c) 으로 구성되어 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 복원 용이 영역 (13c) 에 대응하는 부분이 가열되었을 때에, 기재 (1) 가 열 수축함으로써 신장 가능 시트 (10) 가 변형되기 쉬워진다. 제 3 영역 (13a) 은, 제 3 돌출 영역 (13b) 및 복원 용이 영역 (13c) 의 쌍방을 구비해도 된다. 또, 제 3 영역 (13a) 에 대응하는 신장 가능 시트 (10) 부분의 총 두께에서 차지하는 기재의 두께 비율은 50 ％ 이상인 것이 바람직하고, 70 ％ 이상 100 ％ 이하인 것이 바람직하며, 90 ％ 이상 100 ％ 이하인 것이 바람직하다. 신장 가능 시트 (10) 의 총 두께에서 차지하는 기재의 두께 비율이 두꺼울수록 기재 이외의 부재의 존재에 의해 복원 용이 영역 (13c) 이 가열되었을 때의 신장 가능 시트 (10) 의 변형이 방해받는 것이 방지된다.

(4) 박리 시트

본 발명의 일 실시형태에 관련된 신장 가능 시트 (10) 의 제 1 주면 (10A) 은, 사용될 때까지, 박리 시트의 박리면이 첩부되어 있어도 된다. 박리 시트의 구성은 임의이며, 플라스틱 필름을 박리제 등에 의해 박리 처리한 것이 예시된다. 플라스틱 필름의 구체예로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 및 폴리프로필렌이나 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 필름을 들 수 있다. 박리제로는, 실리콘계, 불소계, 장사슬 알킬계 등을 사용할 수 있지만, 이들 중에서, 저렴하고 안정된 성능이 얻어지는 실리콘계가 바람직하다. 박리 시트의 두께에 대해 특별히 제한은 없지만, 통상적으로 20 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하 정도이다.

(5) 장척체, 권수체 (卷收體)

본 발명의 일 실시형태에 관련된 신장 가능 시트 (10) 는, 그 복수가 일방향으로 연속해서 배치되어 이루어지는 장척체의 형태여도 된다. 이 경우의 구체예로서, 기재 (1) 가 재단 전의 장척의 원단 상태에 있고, 그 원단에 의해 기재 (1) 를 공통 부재로 하는 복수의 신장 가능 시트 (10) 로 이루어지는 장척체를 들 수 있다. 이 장척체는 권취되어 권수체로서 보관·수송되어도 된다. 사용시에는, 이 권수체를 전개하여, 장척의 원단으로부터 기재 (1) 를 재단함으로써, 신장 가능 시트 (10) 를 제조할 수 있다.

본 발명의 일 실시형태에 관련된 신장 가능 시트 (10) 는 박리 시트와의 적층체가 장척체의 형태여도 된다. 이 경우의 구체예로서, 장척의 박리 시트에, 그 장척 방향으로 복수의 신장 가능 시트 (10) 가 배치되어 이루어지는 장척체를 들 수 있다. 이 장척체는 권취되어 권수체로서 보관·수송되어도 된다. 사용시에는, 이 권수체를 전개하여, 박리 시트로부터 신장 가능 시트 (10) 를 박리하면 된다.

2. 신장 가능 시트 (10) 의 제조 방법

신장 가능 시트 (10) 의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 소정의 재료에 대해 재단 (하프 컷을 포함한다) 작업 및 적층 작업 (필름상의 부재를 형성하는 작업을 포함한다) 을 실시함으로써 제조할 수 있다. 이하, 신장 가능 시트 (10) 와 박리 시트의 적층체의 제조 방법의 일례에 대하여 설명한다.

먼저, 기재 (1) 를 부여하는 장척의 원단을 준비한다. 다음으로, 장척의 원단의 일방의 주면 상에, 점착제층 (2) 을 형성하기 위한 점착제 조성물을 도포하여 도막을 얻는다. 도포 방법은 한정되지 않는다. 점착제 조성물의 조성이나 점착제층 (2) 의 두께에 따라 적절히 설정하면 된다. 다이 코터, 커튼 코터, 스프레이 코터, 슬릿 코터, 나이프 코터 등의 공지된 도포 방법을 구체예로서 들 수 있다. 장척의 원단 상의 도막을 건조시킴으로써, 장척의 원단과 점착제층 (2) 의 적층체 (이하, 「제 1 적층체」 라고도 한다) 가 얻어진다. 이 건조 조건은 특별히 한정되지 않고, 점착제 조성물의 조성이나 점착제층 (2) 의 두께에 따라 적절히 설정하면 된다. 건조 조건의 구체예로서, 70 ℃ 이상 130 ℃ 이하에서 20 초간 정도 내지 3 분간 정도 건조시키는 것을 들 수 있다.

계속해서, 제 1 적층체의 점착제층 (2) 으로 이루어지는 면 상에 제 1 돌출부 (11p) 를 형성한다. 제 1 돌출부 (11p) 의 형성 방법은 특별히 한정되지 않는다. 구체적인 일례를 들면 다음과 같다. 제 1 돌출부 (11p) 를 형성하기 위한 액상 조성물을 준비하고, 이 액상 조성물을 적당한 지지체 상에 도포하고, 얻어진 도막을 건조시킴 또는 경화시킴으로써 제 1 돌출부 (11p) 를 부여하는 필름상의 부재 (수지 필름이나 점착제층) 를 얻는다. 이 필름상의 부재에 대해 하프 컷 및 불필요부 제거로 이루어지는 트리밍을 실시하면, 원하는 형상의 제 1 돌출부 (11p) 를 부여하는 부재를 얻을 수 있다. 이와 같은 제 1 돌출부 (11p) 를 부여하는 부재와, 제 1 적층체의 점착제층 (2) 으로 이루어지는 면 상에 첩합 (貼合) 하고, 지지체를 제거하면, 제 1 적층체의 점착제층 (2) 으로 이루어지는 면 상에 형성할 수 있다. 제 1 돌출부 (11p) 를 부여하는 부재가 수지 필름인 경우에는, 수지 필름은 압출 성형 등에 의해 얻은 필름이어도 된다. 제 1 돌출부 (11p) 를 부여하는 부재가 수지 필름과 점착제층을 구비하는 적층체인 경우에는, 각각의 요소를 트리밍에 앞서 미리 적층해 두면 된다.

제 1 돌출부 (11p) 를 형성하기 위한 다른 구체적인 일례로서, 디스펜서, 스핀 코트나 잉크젯, 스크린 인쇄 등의 인쇄, 3D 프린터 등의 적층 조형법, 사출 성형 등을 이용하여, 제 1 돌출부 (11p) 를 형성하기 위한 액상 조성물 등을 제 1 적층체의 점착제층 (2) 으로 이루어지는 면 상에 토출, 조형 등을 실시하고, 토출물 등을 건조시킴 또는 경화시킴으로써 제 1 돌출부 (11p) 를 얻어도 된다. 이 경우에는, 전술한 예와 같이 트리밍을 실시하는 일 없이, 원하는 형상의 제 1 돌출부 (11p) 를 제 1 적층체의 점착제층 (2) 으로 이루어지는 면 상에 형성할 수 있다. 디스펜서 등에 의한 제 1 돌출부 (11p) 의 형성은, 점착제층 (2) 으로 이루어지는 면 상에 실시하는 것이 아니라, 예를 들어 기재 (1) 상에 직접 형성해도 된다.

제 3 돌출부 (13p) 도, 기본적으로는, 제 1 돌출부 (11p) 를 형성하는 방법과 동일한 방법에 의해 형성할 수 있다. 도포를 포함하는 작업에 의해 제 1 돌출부 (11p) 를 제조하는 경우에는, 제 3 돌출부 (13p) 는 제 1 돌출부 (11p) 를 형성할 때에 동시에 형성하는 것이 생산성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는, 트리밍에 있어서 하프 컷하는 위치를 변경하고, 제거하는 불필요부의 양을 줄임으로써, 제 1 돌출부 (11p) 에 연속하는 제 3 돌출부 (13p) 를 형성하는 것이 가능하다.

이렇게 하여 제 1 적층체 상에 제 1 돌출부 (11p) 등을 형성하고, 제 1 적층체에 있어서의 제 1 돌출부 (11p) 등이 형성된 측의 면에 박리 시트를 첩부한다. 얻어진 제 1 적층체와 박리 시트의 적층체에 대해, 제 1 적층체측으로부터 하프 컷을 실시하고, 불필요 부분을 제거하여, 기재 (1) 를 형성한다. 이상의 작업에 의해, 박리 시트 상에 신장 가능 시트 (10) 가, 제 1 주면 (10A) 이 박리면에 대향하도록 박리 시트에 첩부된 상태로 얻어진다.

3. 적층 칩 (40) 의 제조 방법

이하, 개질층의 형성을 위해 다돌설 워크 (20) 로의 레이저 조사가 실시되어, 다돌설 워크 (20) 의 기판 (21) 내에 분할 예정 라인을 따라 개질층 (21m) 이 형성된 상태에 있는 다돌설 워크 (20) 로부터, 신장 가능 시트 (10) 를 이용하여 적층 칩 (40) 을 제조하는 방법을 설명한다.

(1) 첩부 공정

개질층의 형성을 거친 다돌설 워크 (20) 및 평면에서 보았을 때 다돌설 워크 (20) 의 외주측에 배치된 링 프레임 (30) 에 신장 가능 시트 (10) 를 첩부한다. 그 결과, 도 5 에 나타내는 바와 같은, 최원위 잔여부 (21r) 에 제 1 돌출부 (11p) 로 이루어지는 면이 첩착하고 있음과 함께, 다돌설 워크 (20) 의 복수의 볼록부 (22) 에 제 2 영역 (12a) 이 첩착하고 있는 상태가 얻어진다. 이렇게 하여, 신장 가능 시트 (10) 의 제 1 주면 (1A) 상에 다돌설 워크 (20) 및 링 프레임 (30) 이 적층되어 이루어지는 적층 구조체 (50) 를 얻는다.

여기서, 전술한 바와 같이, 최원위 잔여부 (21r) 와 최원위 적층 칩 (40d) 의 분리가 적절히 실시되는 것을 보다 안정적으로 실현시키는 관점에서, 첩부 공정이 종료된 단계에 있어서, 제 1 돌출부 (11p) 의 제 2 영역 (12a) 기준의 돌출 높이는, 최원위 볼록부 (22d) 의 기판 (21) 기준의 돌출 높이에 대한 비율로 80 ％ 이상 120 ％ 이하인 것이 바람직하다.

(2) 익스팬드 공정

계속해서, 적층 구조체 (50) 에 있어서의, 평면에서 보았을 때, 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의, 제 1 주면 (10A) 이 노출된 환상의 영역, 즉 제 3 영역 (13a) 의 일부에 대응하는 부분에, 제 1 주면 (10A) 에 반대의 주면측으로부터 링상의 부재 (60) 를 꽉 누른다. 본 명세서에 있어서, 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 링상의 부재 (60) 가 꽉 눌려진 부분 및 그 근방에 대응하는 제 1 주면 (1A) 의 영역을 「부하 영역 (10L)」 이라고 한다.

그리고, 링상의 부재 (60) 의 신장 가능 시트 (10) 에 대한 접촉부의, 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 링 프레임 (30) 에 첩착하는 부분의 하측면을 기준으로 한 연직 방향의 이간 거리가 커지도록 링상의 부재 (60) 를 연직 방향으로 이동시킨다. 그 결과, 신장 가능 시트 (10) 에 대해 평면에서 보았을 때 중앙부로부터 외주부로의 방향의 장력이 부여된다.

이 부여된 장력은, 점착제층 (2) 을 통해서 다돌설 워크 (20) 의 볼록부 (22) 및 제 1 돌출부 (11p) 를 통해서 다돌설 워크 (20) 의 최원위 잔여부 (21r) 에 전달되고, 다돌설 워크 (20) 의 최원위 볼록부 (22d) 와 최원위 잔여부 (21r) 사이에 이들을 이간시키는 방향의 힘이 발생한다. 이 힘에 의해, 최원위 볼록부 (22d) 와 최원위 잔여부 (21r) 의 파단 및 이들의 이간이 발생한다. 또한, 개질층의 형성을 위한 레이저 조사에 의해 최원위 볼록부 (22d) 와 최원위 잔여부 (21r) 가 이미 파단되어 있는 경우도 있지만, 이 경우에는, 상기의 이간시키는 방향의 힘에 의해 최원위 볼록부 (22d) 와 최원위 잔여부 (21r) 는 이간한다. 따라서, 최원위 적층 칩 (40d) 을, 최원위 잔여부 (21r) 와 분리한 상태로 얻는 것이 가능해진다. 이렇게 하여, 신장 가능 시트 (10) 상에, 최원위 적층 칩 (40d) 을 포함하는 다수의 적층 칩 (40) 이 서로 다른 것으로부터 이간한 상태로 배치됨과 함께, 평면에서 보았을 때 외주부 근방에 링 프레임 (30) 이 첩착하여 이루어지는 적층 구조체 (이하, 「익스팬드 후 적층체 (70)」 라고도 한다) 가 얻어진다.

(3) 픽업 공정

픽업 공정에서는, 익스팬드 후 적층체 (70) 가 구비하는 적층 칩 (40) 을 신장 가능 시트 (10) 로부터 이간시킨다.

(4) 복원 공정

전술한 바와 같이, 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 부하 영역 (10L) 에 대응하는 부분에는 상대적으로 가장 강한 외력이 부여되고, 이 부분에 있어서, 신장 가능 시트 (10) 는 가장 신장한 상태가 된다. 이 때문에, 익스팬드 후 적층체 (70) 에 접하고 있던 링상 부재 (60) 를 이간시켜 신장 가능 시트 (10) 를 무부하 상태로 하면, 도 7 및 도 9 에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 후 적층체 (70) 가 구비하는 신장 가능 시트 (10) 는 늘어져, 링 프레임 (30) 에 첩착하는 신장 가능 시트 (10) 의 부분과 신장 가능 시트 (10) 의 중앙 부분은 연직 방향으로 이간되어 버린다. 이 늘어짐량이 과도하게 많으면, 반송시에, 신장 가능 시트 (10) 가 늘어진 저면 또는 그 근방이 이물질에 충돌하기 쉬워져, 익스팬드 후 적층체 (70) 의 사용시에 있어서의 취급성이 저하된다.

그래서, 익스팬드 후 적층체 (70) 의 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 부하 영역 (10L) 에 대응하는 부분을 가열하는 복원 공정을 실시해도 된다. 당해 부분을 가열함으로써, 신장 가능 시트 (10) 의 기재 (1) 는 열 수축하여, 익스팬드 후 적층체 (70) 의 신장 가능 시트 (10) 의 늘어짐량을 저감시킬 수 있다.

도 7 에 나타내는 바와 같이, 부하 영역 (10L) 과 제 3 돌출 영역 (13b) 이 중복하는 경우로서, 제 3 돌출부 (13p) 가 열 수축성 재료로 이루어지는 경우에는, 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 부하 영역 (10L) 에 대응하는 부분을 가열함으로써, 기재 (1) 와 함께 제 3 돌출부 (13p) 를 열 수축시킬 수 있다. 제 3 돌출부 (13p) 가, 기재 (1) 가 구비하는 열 수축성 재료를 구비하는 경우에는, 기재 (1) 와 마찬가지로 열 수축하여, 신장 가능 시트 (10) 의 늘어짐량을 보다 안정적으로 저감시키는 것이 가능하다.

도 9 에 나타내는 바와 같이, 부하 영역 (10L) 과 복원 용이 영역 (13c) 이 중복하는 경우에는, 신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 복원 용이 영역 (13c) 에 대응하는 부분의 열 수축 특성은, 그 부분에 있어서 가장 두꺼운 부재인 기재 (1) 의 영향이 크기 때문에, 기재 (1) 의 열 수축에 의해 신장 가능 시트 (10) 의 늘어짐량을 보다 안정적으로 저감시키는 것이 가능하다.

신장 가능 시트 (10) 에 있어서의 부하 영역 (10L) 에 대응하는 부분을 가열할 때의 조건 (온도나 시간 등이 구체적으로 예시된다) 은, 신장 가능 시트 (10) 를 구성하는 부재 중 적어도 하나가 열 수축하는 것에 기인하여 신장 가능 시트 (10) 의 늘어짐량을 저감시킬 수 있는 한 특별히 한정되지 않는다. 가열 조건의 구체적인 일례로서, 신장 가능 시트 (10) 가 50 ℃ 내지 70 ℃ 정도의 온도가 된 상태를 1 분간 정도 유지하는 것을 들 수 있다.

복원 공정을 실시하는 경우에 있어서, 그 실시 타이밍은 익스팬드 공정 후에 실시되는 한 한정되지 않는다. 픽업 공정을 개시할 때까지 사이에 실시되는 것이 바람직하고, 익스팬드 공정에 계속해서 실시되는 것이 보다 바람직하다.

(5) 에너지선 조사 공정

신장 가능 시트 (10) 가 구비하는 점착제층 (2) 이 에너지선 경화 재료 (구체예로서, 전술한 에너지선 중합성 화합물 (β) 를 포함하는 재료가 예시된다) 를 함유하는 경우에는, 에너지선의 조사에 의해 상기 에너지선 경화성 재료를 경화시켜, 점착제층 (2) 의 다돌설 워크 (20) 에 대한 점착성을 저하시키는 공정인 에너지선 조사 공정이, 통상적으로 픽업 공정의 개시까지 실시된다. 에너지선 조사 공정의 실시 타이밍과 복원 공정의 실시 타이밍의 관계는 한정되지 않는다.

이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서 기재된 것으로서, 본 발명을 한정하기 위해서 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.

예를 들어, 신장 가능 시트 (10) 의 제 1 주면 (10A) 에 있어서의 제 2 영역 (12a) 은, 상기 실시형태에서는 점착제층 (2) 으로 이루어지는 면에 의해 구성되어 있지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 점착제층 (2) 상에 다른 필름상의 부재가 적층되고, 그 적층체로 이루어지는 면에 의해 상기 제 2 영역 (12a) 이 구성되어 있어도 된다. 그와 같은 필름상의 부재의 구체예로서, 적층 칩 (40) 에 적층되어, 그대로, 혹은 바람직하게는 가열이나 에너지선의 조사에 의해 경화되어 적층 칩 (40) 의 보호막이 되는 부재나, 적층 칩 (40) 과 다른 부재를 접착하기 위해서 사용되는 접착층이 되는 부재 (이하 「경화성 필름 등」 이라고도 한다) 를 들 수 있다.

또, 점착제층 (2) 은 그 자체가 경화성 필름 등이어도 된다. 이 경우에는, 픽업 공정에 있어서, 적층 칩 (40) 과 경화성 필름 등인 점착제층 (2) 의 적층체가 신장 가능 시트 (10) 로부터 취출되게 된다.

실시예

이하, 실시예 등에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하는데, 본 발명의 범위는 이들 실시예 등에 한정되는 것은 아니다.

[실시예 1]

(1) 신장 가능 시트의 제조

두께 38 ㎛ 의 실리콘 박리 처리 폴리에틸렌테레프탈레이트계 박리 필름이 첩합된, 에틸렌메타크릴산 공중합체 필름 및 아크릴계 점착제로 이루어지는, 두께 220 ㎛ 의 점착 시트를 2 매 준비하고, 1 매로부터 박리 필름을 제거하였다. 박리 필름을 제거하지 않은 점착 시트의 필름면과 박리 필름을 제거한 점착 시트면이 첩합되도록 2 층 적층하여, 박리 필름을 제외한 총 두께가 440 ㎛ 인 부재를 얻었다. 이 부재에 대해 박리 필름을 제외한 부재를 완전히 절단하는 하프 컷 및 불필요부의 트리밍을 실시함으로써 형상 가공을 실시하였다. 이에 따라, 결손부를 갖는, 평면에서 보았을 때 원환 형상 (외경：270 ㎜, 내경：194 ㎜) 의 부재를, 돌출부를 부여하는 부재로서 얻었다. 기재로서의 두께 80 ㎛ 의 에틸렌메타크릴산 공중합체 필름 및 점착제층으로서의 두께 10 ㎛ 의 아크릴계 점착제로 이루어지는 점착 시트 (이하, 「제 1 점착 시트」 라고도 한다) 의 점착제층으로 이루어지는 주면에, 상기 돌출부를 부여하는 부재를, 당해 돌출부를 부여하는 부재의 필름면이 대향하도록 첩합하여, 적층체를 얻었다.

그 후, 전체의 재단을 실시하여, 평면에서 보았을 때 외경이 270 ㎜ 로서 상기 돌출부를 구비하는 신장 가능 시트를 얻었다.

이 신장 가능 시트의 가공용 영역은, 평면에서 보았을 때, 신장 가능 시트와 중심을 공통으로 하는 직경 200 ㎜ 의 원형의 영역이었다. 따라서, 제 1 영역은 제 1 돌출 영역으로 이루어지고, 외경이 200 ㎜, 내경이 194 ㎜ 인 원환상의 영역이었다. 또, 제 3 영역은 제 3 돌출 영역으로 이루어지고, 외경이 270 ㎜, 내경이 200 ㎜ 인 원환상의 영역이었다.

(2) 적층 칩의 제조

평면에서 보았을 때 직경 200 ㎜ 의 원환상을 갖는 실리콘 웨이퍼의 일방의 주면에 있어서의, 평면에서 보았을 때 실리콘 웨이퍼와 중심을 공통으로 하는 직경 180 ㎜ 의 원형 영역에, 5 ㎜ × 5 ㎜, 높이 400 ㎛ 의 사각기둥이, 평면에서 보았을 때 최근접의 사각기둥과의 이간 거리가 5 ㎜ 가 되도록 정연하게 배열된 상태로 고정되어 이루어지는 부재를, 피가공 부재로서 준비하였다.

테이프 마운터 (린텍사 제조 「RAD2700m/8」) 를 사용하여, 실시예 및 비교예에 의해 작성한 신장 가능 시트의 기재측과 반대측의 주면을, 상기 개질층을 형성하는 공정을 거친 피가공 부재 및 링 프레임 (내경 250 ㎜) 에 대해, 이들이 동심원이 되도록 첩부하는 첩부 공정을 실시하였다.

피가공 부재의 실리콘 웨이퍼에 대해, 파장 1064 ㎚ 의 펄스 레이저를 신장 가능 시트의 기재측으로부터 조사함으로써, 20 ㎜ × 20 ㎜ 의 분할 예정 라인을 따라 실리콘 웨이퍼 내에 개질층을 형성하였다.

첩부 공정에 의해 얻어진, 신장 가능 시트, 피가공 부재 및 링 프레임으로 이루어지는 적층 구조체에 대해, 다이 세퍼레이터 (디스코사 제조 「DDS2300」) 를 사용하여, 히터 익스팬드로 칩 분할을 위한 익스팬드 공정을 이하의 조건으로 실시하였다. 그 결과, 피가공 부재는 분할되어, 20 ㎜ × 20 ㎜ 의 편상체로 이루어지는 적층 칩의 복수가 신장 가능 시트 상에 형성되었다.

＜익스팬드 조건＞

온도：23 ℃

밀어올림 속도：1 ㎜/s

밀어올림량：12 ㎜

밀어올림 후의 유지 시간：1 분

상기 다이 세퍼레이터를 사용하여, 신장 가능 시트에 있어서의, 평면에서 보았을 때 피가공 부재와 링 프레임 사이에 위치하는 부분 (제 3 영역의 일부) 을 가열하는 복원 공정을 실시하였다. 구체적으로는, 2 개 지점의 분출구로부터 온풍을 분사하고, 1°／s 의 속도로 선회하면서 180 초 걸쳐 실시하였다. 가열 조건은 이하에 나타내는 바와 같다. 그 결과, 당해 부분은 열 수축하여, 신장 가능 시트의 늘어짐량은 감소하였다.

＜익스팬드 조건＞

온도：23 ℃

밀어올림 속도：1 ㎜/s

밀어올림량：12 ㎜

＜복원 조건＞

온풍 출력 온도：220 ℃

분출구 ∼ 신장 가능 시트간 거리：20 ㎜

속도：1°／s, 180 초 가온

복원 공정을 거친 신장 가능 시트에 대해 첩착되어 있는, 복수의 적층 칩의 각각을 신장 가능 시트로부터 단리하는 픽업 공정을 실시하였다.

이렇게 하여, 피가공 부재로 신장 가능 시트를 사용하여 적층 칩을 제조하였다.

[실시예 2]

에너지선 경화성 조성물을 에너지선 조사에 의해 경화하여 이루어지는 폴리우레탄 필름 및 아크릴계 점착제로 이루어지는 두께 330 ㎛ 의 점착 시트 (이하, 「제 2 점착 시트」 라고도 한다) 와, 제 2 점착 시트의 아크릴계 점착제측의 면에 그 박리면이 첩부된 두께 38 ㎛ 의 실리콘 박리 처리 폴리에틸렌테레프탈레이트계 박리 필름으로 이루어지는 적층체를 준비하였다. 이 적층체의 우레탄 필름측으로부터, 제 2 점착 시트를 완전히 절단하는 하프 컷 및 불필요부의 트리밍을 실시함으로써 형상 가공을 실시하였다. 이에 따라, 평면에서 보았을 때 원환 형상 (외경：272 ㎜, 내경：266 ㎜) 의 부재를, 제 1 돌출부를 부여하는 부재로서 박리 시트 상에 얻었다. 이 제 1 돌출부를 부여하는 부재와 박리 시트로 이루어지는 적층체의 제 1 돌출부를 부여하는 부재측의 면 (필름면) 을, 실시예 1 에 있어서 사용한 제 1 점착 시트와 동종의 점착 시트의 점착제층으로 이루어지는 주면에 첩합하였다. 이렇게 하여 얻어진 적층체의 제 1 점착 시트를, 평면에서 보았을 때 외경이 270 ㎜ 인 원형이 되도록 재단하였다. 그 때, 그 원과 제 1 돌출부를 부여하는 부재가 평면에서 보았을 때 획성 (劃成) 하는 2 개의 원 (내주측의 원 및 외주측의 원) 이 동심이 되도록 하였다. 이렇게 하여, 평면에서 보았을 때 외경이 270 ㎜ 인 제 1 돌출부를 구비하는 신장 가능 시트를 얻었다.

이 신장 가능 시트를 사용하여, 이하, 실시예 1 과 동일하게 하여, 피가공 부재로 적층 칩을 제조하였다.

[비교예 1]

기재로서의 에틸렌메타크릴산 공중합체 필름 및 점착제층으로서의 아크릴계 점착제로 이루어지는 두께 90 ㎛ 의 점착 시트를 재단하여, 평면에서 보았을 때 외경 270 ㎜ 의 신장 가능 시트로 하였다.

이 신장 가능 시트를 사용하여, 이하, 실시예 1 과 동일하게 하여, 피가공 부재로 적층 칩을 제조하였다.

[시험예 1] ＜첩부 상태의 관찰＞

첩부 공정을 거쳐 얻어진, 신장 가능 시트, 피가공 부재 및 링 프레임으로 이루어지는 적층 구조체에 대해, 다음의 관점을 육안으로 관찰하였다.

(관점 1) 피가공 부재의 최원위 잔여부에 대한 제 1 돌출 영역의 첩착 상태

(관점 2) 피가공 부재의 볼록부에 대한 제 2 영역의 첩착 상태

관찰 결과에 대해, 다음의 판정 기준으로 평가하였다.

A：적절히 첩착되어 있다 (양호)

B：적절히 첩착되어 있지 않다 (불량)

평가 결과를 표 1 에 나타낸다.

[시험예 2] ＜익스팬드성 평가＞

익스팬드 공정 후의 신장 가능 시트를 관찰하여, 다음의 판정 기준으로 평가하였다.

A：신장 가능 시트는 적절히 신장되어 있다 (양호)

B：신장 가능 시트는 적절히 신장되어 있지 않다 (불량)

평가 결과를 표 1 에 나타낸다.

[시험예 3] ＜칩 분할성 평가＞

익스팬드 공정 후의 피가공 부재의 분할 상태를 관찰하여, 다음의 판정 기준으로 평가하였다.

A：최원위 볼록부를 포함하는 적층 칩이 적절히 최원위 잔여부로부터 분할되어 있다 (양호)

B：최원위 볼록부를 포함하는 적층 칩이 적절히 최원위 잔여부로부터 분할되어 있지 않은 것이 있다 (불량)

평가 결과를 표 1 에 나타낸다.

[시험예 4] ＜열 수축성 평가＞

복원 공정 후의 신장 가능 시트를 관찰하여, 다음의 판정 기준으로 평가하였다.

A：신장 가능 시트 상의 복수의 적층 칩은 서로 적절히 이간하고 있음과 함께, 신장 가능 시트의 늘어짐이 충분히 저감되었다 (양호)

B：신장 가능 시트의 점착 시트의 부분은 열 수축했지만, 제 3 돌출부는 열 수축하지 않고, 결과적으로 신장 가능 시트의 늘어짐이 충분하게는 저감되지 않았다 (불량)

평가 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 비교예 1 에서는, 칩 분할성이 불량이었기 때문에, 열 수축성의 평가는 실시하지 않았다.

표 1 로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 조건을 만족하는 실시예의 신장 가능 시트는, 익스팬드 공정 및 복원 공정 중 어느 것에 있어서도 문제가 잘 발생하지 않는다고 말할 수 있는 것이었다.

본 발명에 관련된 신장 가능 시트는, COW 기술에 의해 제조된 적층체와 같은 다돌설 워크로부터 적층 칩을 얻기 위한 시트, 예를 들어 다이싱 시트로서 적합하게 사용된다.

10 : 신장 가능 시트
1 : 기재
2 : 점착제층
10A : 신장 가능 시트 (10) 의 제 1 주면
10a : 가공용 영역
11a : 제 1 영역
11p : 제 1 돌출부
11pa : 제 1 돌출면
12a : 제 2 영역
13a : 제 3 영역
13p : 제 3 돌출부
13b : 제 3 돌출 영역
13c : 복원 용이 영역
10L : 부하 영역
20 : 다돌설 워크
21 : 기판
21r : 최원위 잔여부
21m : 개질층
22 : 복수의 볼록부
22d : 최원위 볼록부
30 : 링 프레임
40 : 적층 칩
40d : 최원위 적층 칩
50 : 신장 가능 시트 (10) 의 제 1 주면 (1A) 상에 다돌설 워크 (20) 및 링 프레임 (30) 이 적층되어 이루어지는 적층 구조체
60 : 링상의 부재
70 : 익스팬드 후 적층체

Claims (13)

1. 열 수축성을 갖는 기재와, 상기 기재의 일방의 주면 (主面) 상에 적층된 점착제층을 구비하는 신장 가능 시트로서,
   상기 신장 가능 시트의 상기 기재보다 상기 점착제층에 근위 (近位) 인 측의 주면인 제 1 주면에 있어서의, 사용시에, 기판 상에 두께 방향으로 복수의 볼록부를 구비하는 피가공 부재에 첩부 (貼付) 되어야 할 영역인 가공용 영역은,
   평면에서 보았을 때 상기 가공용 영역의 외주를 그 외주로 하는 환상 (環狀) 의 영역인 제 1 영역과, 환상의 영역인 상기 제 1 영역의 내주측에 위치하고 상기 가공용 영역의 평면에서 보았을 때의 중심을 포함하는 제 2 영역으로 이루어지고,
   상기 제 1 영역은, 상기 제 2 영역 기준으로 상기 기재로부터 이간하는 방향의 돌출부인 제 1 돌출부로 이루어지는 면을 구비하는 것을 특징으로 하는 신장 가능 시트.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 피가공 부재는, 피가공 부재에 대해 투과성을 갖는 레이저 광선을 조사하여 개질층을 연속적으로 형성하고, 이 개질층이 형성됨으로써 강도가 저하된 분할 예정 라인을 따라 피가공 부재를 분할하는 공정을 포함하는 프로세스에 의해 복수의 편상체 (片狀體) 로 분할되는 것이고, 상기 복수의 편상체는, 상기 복수의 볼록부 중 적어도 1 개를 구비하도록 분할된 편상체인 적층 칩을 포함하는, 신장 가능 시트.
3. 제 1 항에 있어서,
   사용시에, 상기 피가공 부재에 있어서의, 평면에서 보았을 때 상기 피가공 부재의 중심으로부터 가장 원위 (遠位) 에 위치하는 볼록부보다 더욱 원위에 위치하는 부분으로서, 상기 적층 칩의 일부가 되는 부분 이외의 부분인 최원위 (最遠位) 잔여부가, 상기 제 1 돌출부로 이루어지는 면에 첩착 (貼着) 하는, 신장 가능 시트.
4. 제 1 항에 있어서,
   사용시에, 상기 피가공 부재에 있어서의 상기 복수의 볼록부가 상기 제 2 영역에 첩착하는, 신장 가능 시트.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 신장 가능 시트의 상기 제 1 주면은 평면에서 보았을 때 상기 가공용 영역의 외주측에 제 3 영역을 구비하고,
   상기 제 3 영역은, 상기 제 2 영역 기준으로 상기 기재로부터 이간하는 방향으로 돌출하는 돌출부인 제 3 돌출부의 면으로 이루어지는 제 3 돌출 영역을 갖고, 상기 제 3 돌출부는 열 수축성을 갖는, 신장 가능 시트.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 3 영역의 적어도 일부의 영역에 대응하는 상기 신장 가능 시트의 부분에서는, 상기 기재가 가장 두꺼운 부재인, 신장 가능 시트.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 기재 및 상기 점착제층으로 이루어지는 적층체를 실리콘 미러 웨이퍼에 첩부하여, JIS Z0237：2000 준거하여 측정한 상기 적층체의 점착력이 1000 mN/25 ㎜ 이상 20000 mN/25 ㎜ 이하인, 신장 가능 시트.
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 영역의 돌출부는 상기 제 2 영역 기준의 돌출 높이가 200 ㎛ 이상인, 신장 가능 시트.
9. 제 1 항에 있어서,
   상기 기재는 폴리올레핀 필름을 구비하는, 신장 가능 시트.
10. 기판 상에 두께 방향으로 복수의 볼록부를 구비하는 피가공 부재로부터 상기 복수의 볼록부를 적어도 1 개 포함하는 편상체 (片狀體) 인 적층 칩을 제조하는 방법으로서,
    상기 피가공 부재에 레이저 광을 조사하여 상기 피가공 부재에 개질층을 연속적으로 형성하고, 이 개질층이 형성됨으로써 강도가 저하된 분할 예정 라인을 따라 피가공 부재를 분할하는 공정과,
    상기 피가공 부재에 레이저 광을 조사하여 상기 피가공 부재에 개질층을 연속적으로 형성하고, 이 개질층이 형성됨으로써 강도가 저하된 분할 예정 라인을 따라 피가공 부재를 분할하는 공정을 거친 피가공 부재 및 평면에서 보았을 때 상기 피가공 부재의 외주측에 배치된 링 프레임에, 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재되는 신장 가능 시트를 첩부하여, 상기 피가공 부재에 있어서의, 평면에서 보았을 때 상기 피가공 부재의 중심으로부터 가장 원위에 위치하는 볼록부보다 더욱 원위에 위치하는 부분으로서 상기 적층 칩의 일부가 되는 부분 이외의 부분인 최원위 잔여부에 상기 제 1 돌출부로 이루어지는 면이 첩착하고 있음과 함께, 상기 피가공 부재의 상기 복수의 볼록부에 상기 제 2 영역이 첩착하고 있는 상태로 하는 첩부 공정과,
    상기 신장 가능 시트를 신장시켜, 상기 피가공 부재를 복수의 편상체로 분할하여, 상기 복수의 볼록부 중 적어도 1 개를 구비하는 편상체인 적층 칩의 복수가 서로 이간하면서 상기 신장 가능 시트 상에 배치됨과 함께, 상기 제 1 돌출부로 이루어지는 면에 첩착한 상기 피가공 부재의 상기 볼록부 이외의 부분이 상기 적층 칩으로부터 이간한 상태로 하는 익스팬드 공정과,
    상기 적층 칩을 상기 신장 가능 시트로부터 이간시키는 픽업 공정을 구비하는, 적층 칩의 제조 방법.
11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 돌출부의 상기 제 2 영역 기준의 돌출 높이의, 상기 피가공 부재가 구비하는 상기 볼록부의 상기 기판 기준의 돌출 높이에 대한 비율은 80 ％ 이상 120 ％ 이하인, 적층 칩의 제조 방법.
12. 제 10 항에 있어서,
    상기 익스팬드 공정은, 상기 신장 가능 시트에 있어서의 상기 제 3 영역에 대응하는 부분의 일부에 환상의 부재를 맞닿음으로써, 상기 신장 가능 시트의 신장이 실시되고,
    상기 신장 가능 시트에 있어서의 상기 환상의 부재가 맞닿아진 부분을 가열하여, 그 부분의 상기 기재를 수축시키는 복원 공정을, 상기 익스팬드 공정이 종료되고 나서 상기 픽업 공정을 개시할 때까지의 사이에 구비하는, 적층 칩의 제조 방법.
13. 제 10 항에 있어서,
    상기 신장 가능 시트가 구비하는 상기 점착제층은 에너지선 경화성 재료를 함유하고,
    상기 점착제층에 에너지선을 조사함으로써 상기 에너지선 경화성 재료를 경화시켜, 상기 점착제층의 상기 칩에 대한 점착성을 저하시키는 에너지선 조사 공정을, 상기 익스팬드 공정이 종료되고 나서 상기 픽업 공정을 개시할 때까지의 사이에 구비하는, 적층 칩의 제조 방법.

Images