TW202307161A - 晶圓處理用黏結膜 - Google Patents

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Abstract

本發明的晶圓處理用黏結膜，包括：多層基材，包括上部基材層及下部基材層；第一黏結層，配置於上述上部基材層上；以及第二黏結層，配置於上述上部基材層與下部基材層之間，上述晶圓處理用黏結膜滿足70～150MPa範圍的拉伸強度，並通過調節上述第一黏結層及第二黏結層的流動性，減少或消除在背面研磨製程中產生的應力（剪切應力），從而防止晶圓的破損，抑制捲曲，並通過防止切割的半導體芯片的移動或碰撞及產生裂紋的現象使得工藝性非常優秀。

Description

晶圓處理用黏結膜
本發明涉及黏結膜，在晶圓的背面研磨（（晶圓背面研磨（wafer back grinding）或晶圓磨薄（wafer lapping）或晶圓減薄（wafer thinning））製程中，為了保護晶圓的表面而使用。更具體地，本發明涉及如下的晶圓背面研磨用黏結膜，即，通過減少或消除在晶圓背面研磨加工過程中產生的應力使得加工性非常優秀。
隨著近年來技術的發展，要求半導體芯片的小型化、高密度化及薄型化，因此，晶圓也要求薄型化。用於薄型化晶圓芯片的典型方法是通過研磨晶圓的背面來減少厚度，從而實現薄型化。
在這種背面研磨製程中，隨著溫度上升會產生剪切及壓縮應力（振動、衝擊等），為了保護晶圓的表面，在黏附有晶圓處理用黏結膜的狀態下進行晶圓的背面研磨製程。
一般情況下，作為公知的晶圓的背面研磨製程方法，主要適用：先研磨晶圓背面，然後根據芯片尺寸分割薄膜化晶圓的過去一直使用的方法（預（先）研磨法），以及在晶圓中預先形成槽，然後通過研磨背面來切割芯片的最近使用的方法（“預切割法”或“先劃片後減薄法（DBG，Dicing Before Grinding）”）等。
當通過預研磨法研磨背面時，晶圓背面研磨用黏結膜典型地適用了具有軟質的基材及在基材的一側面與晶圓黏附的黏結層，或具有硬質的基材及在基材的一側面與晶圓黏附的黏結層，同時具有在黏結層的反面能夠緩和衝擊的軟質的緩衝層的形態。但是，若使用軟質的基材或作為基材層使用硬質的基材和軟質的緩衝層，則降低晶圓背面研磨用黏結膜整體的強度，當晶圓背面研磨用黏結膜黏附於晶圓時，由於施加的張力沒有得到解除而在膜上留下殘留應力。在殘留這種應力的狀態下，當通過預研磨法薄膜化晶圓時，由於殘留應力在研磨完成的晶圓上沿著黏附黏結膜的方向產生捲曲（curl），之後在分割晶圓時，無法吸附在用於固定晶圓的夾具，從而無法進行分割製程。進而，在捲曲非常嚴重的情況下，晶圓本身可能會破損。
另一方面，當通過預切割法研磨背面時，在切割芯片後會施加在研磨製程中產生的剪切應力。芯片可在剪切應力的影響下因黏結層的流動性而移動，並且由於芯片的移動，可能會導致芯片相互碰撞而產生裂紋（crack）缺陷。
尤其是近年來引進了利用雷射束將晶圓分割成各個設備芯片的技術“研磨前隱形切割（SDBG，Stealth DBG）工藝”，隨著在芯片切割後芯片之間的距離（也稱為“切口寬度（kerf width）”）變得非常窄，抑制芯片的移動在技術上變得重要。
發明所欲解決之問題
本發明的目的在於，提供一種晶圓處理用黏結膜，在晶圓背面研磨製程中的晶圓的表面的保護效果（緩衝效果）優秀，同時通過減少或消除製程中產生的應力（剪切應力）來防止晶圓的破損，通過抑制因殘留應力而沿著晶圓上黏附黏結膜的方向產生的捲曲（curl），同時防止切割的半導體芯片（chip）的移動或碰撞及產生裂紋（crack）的現象，從而加工性非常優秀。
本發明的目的並不限定於以上所提及的目的，未提及的本發明的其他目的及優點可通過如下說明來理解，可通過本發明實施例來更清楚地理解。並且，可知本發明的目的及優點可通過發明要求保護範圍中所示的方案及其組合來實現。
解決問題之技術手段
用於解決上述的技術問題的本發明的實施方式的晶圓處理用黏結膜，可包括：多層基材，包括上部基材層及下部基材層；第一黏結層，配置於上述上部基材層上；以及第二黏結層，配置於上述上部基材層與下部基材層之間，上述晶圓處理用黏結膜可滿足70～150MPa範圍的拉伸強度，上述第一黏結層及第二黏結層可滿足如下式1及式2。
式1：0.2≤C1/C2≤1.4
在上述式1中，C1是在30℃的溫度條件下的第一黏結層的蠕變量（μm），C2是在30℃的溫度條件下的第二黏結層的蠕變量（μm）。
式2：0.2≤C1’/C2’≤1.4
在上述式2中，C1’是在60℃的溫度條件下的第一黏結層的蠕變量（μm），C2’是在60℃的溫度條件下的第二黏結層的蠕變量（μm）。
在上述式1及式2中，上述C1及C1’可以是30μm至200μm，C2及C2’可以是50μm至350μm。
上述第一黏結層和第二黏結層的厚度之和可以是20μm至150μm。
上述第一黏結層可由紫外線固化黏結組合物形成。
上述第二黏結層可由熱固性黏結組合物形成。
在30℃及60℃的溫度條件下的上述第二黏結層的剪切儲能模量可以是0.02～1.0MPa。
上述下部基材層及上部基材層分別可包括選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二酯、全芳族聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、聚醚酮及雙向拉伸聚丙烯組成的組中的一種以上，更佳地，可由聚對苯二甲酸乙二醇酯材料形成。
在上述上部基材層的上部面、上述上部基材層的下部面及上述下部基材層的上部面中的至少一面還可包括底漆層。
對照先前技術之功效
當將本發明的晶圓處理用黏結膜適用於晶圓的背面研磨製程時，晶圓的表面的保護效果（緩衝效果）優秀。
本發明的晶圓處理用黏結膜可通過減少或抑制在背面研磨製程中產生的應力來防止晶圓的破損。
本發明的晶圓處理用黏結膜可抑制因殘留應力而沿著晶圓上黏附黏結膜的方向產生的捲曲（curl），可通過防止切割的半導體芯片（chip）的移動或碰撞及產生裂紋的現象來提高晶圓加工性及製備的半導體芯片的質量。
本說明書的效果並不限定於以上所提及的效果，未提及的其他效果可由本領域中的通常知識者從如下的記載中清楚地理解。以下，將在描述用於實施本發明的具體細節的同時描述上述效果和本發明的具體效果。
將參照附圖對前述的目的、特徵及優點進行詳細說明，由此，本發明所屬技術領域的通常知識者可容易地實施本發明的技術思想。在說明本發明的過程中，若判斷為對與本發明相關的公知技術的具體說明可能不必要地混淆本發明的主旨，則省略詳細說明。如下，參照附圖，對本發明的較佳實施例進行詳細的說明。在附圖中，相同的附圖標記用於表示相同或類似的結構要素。
在本說明書中，任意結構配置於結構要素的“上部（或下部）”或結構要素的“上（或下）”不僅意味著任意結構與上述結構要素的上部面（或下部面）相接觸的配置，還意味著其他結構可介於上述結構要素與配置於上述結構要素上（或下）的任意結構之間。
除非本說明書中另有明確的提及，否則在本說明書中所使用的單數表達包括複數表達。在本申請中，“由……組成”或“包括”等術語不應被解釋為必須包括說明書中記載的所有各種結構要素，應解釋為可不包括其中部分結構要素，或還可包括額外的結構要素。
在本說明書中，“一側面”、“另一側面”、“兩側面”等術語用於區分某個結構要素與其他結構要素，結構要素並不受限於上述術語。
本說明書的記載中，“（甲基）丙烯酸酯”是作為包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”的術語而使用，對於與其類似的術語也相同。
以下，在說明本發明的過程中，省略對不必要地混淆本發明的主旨的相關的公知技術的詳細說明。
圖1為簡要示出本發明實施例的晶圓處理用黏結膜100的剖視圖。參照圖1，本發明的晶圓處理用黏結膜，包括：多層基材110；第一黏結層120，配置於多層基材的上部基材層112上；以及第二黏結層115，配置於上述上部基材層112與下部基材層111之間。
第一黏結層120可黏附於晶圓表面起到固定晶圓的作用，第二黏結層115可配置於上部基材層112與下部基材層111之間，作用為緩和在背面研磨時施加的振動及衝擊的緩衝層。
尤其，本發明人潛心研究的結果，確認了可通過將上部基材層112與下部基材層111形成為剛性基材來增加晶圓處理用黏結膜100的拉伸強度，從而抑制在背面研磨製程中的殘留應力，並且第二黏結層115可緩和在背面研磨製程中產生的衝擊。但是，若晶圓處理用黏結膜100的拉伸強度過高，則可成為無法使用在背面研磨製程中的過硬的結構。考慮到這一點，本發明的晶圓處理用黏結膜100的拉伸強度較佳為70～150MPa，更佳地為70～120MPa，最佳地為70～100MPa。
並且，在本發明中還通過實驗確認了可通過適當調節第一黏結層120與第二黏結層115的流動程度來解決在背面研磨製程中應力導致切割的半導體芯片移動的問題和半導體芯片之間碰撞而產生裂紋的現象的問題，從而顯著提高工藝性。
具體地，作為用於調節第一黏結層120與第二黏結層115的流動程度的手段，可分別在30℃及60℃（在背面研磨製程中上升的最高溫度）的溫度條件下測定第一黏結層120及第二黏結層115各自的蠕變量（單位：μm），使得這些比例屬於特定範圍，較佳地，可滿足如下式1及式2的範圍。
式1：0.2≤C1/C2≤1.4
在上述式1中，C1是在30℃的溫度條件下的第一黏結層的蠕變量（μm），C2是在30℃的溫度條件下的第二黏結層的蠕變量（μm）。
式2：0.2≤C1’/C2’≤1.4
在上述式2中，C1’是在60℃的溫度條件下的第一黏結層的蠕變量（μm），C2’是在60℃的溫度條件下的第二黏結層的蠕變量（μm）。
在本發明中，將用於形成測定對象黏結層的黏結組合物塗覆於聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET），在100℃的溫度條件下乾燥4分鐘後，在保持40℃的溫度及50%的相對濕度條件的恒溫恒濕裝置中，通過進行3天老化來製備用於測定蠕變量的黏結層樣品。之後，將製備的黏結層樣品切割成15mm×120mm的大小，將其黏附到蠕變量測定用被粘物（不銹鋼（SUS），玻璃（Glass）等），使黏附面積為15mm×15mm，並利用萬能物性分析儀（裝置名：TA.XT Plus_Stable Micro Systems），在30℃及60℃的溫度環境下，當施加1.5kg的力1000秒時，將黏結層沿著施加力的方向變形的長度（μm）作為蠕變量。
並且，對於上述式1及式2中的C1、C2、C1’及C2’的值，較佳地，與第一黏結層相關的上述C1及C1’可以是30～200μm，更佳地，可以是30～160μm，最佳地，可以是70～160μm。並且，較佳地，與第二黏結層相關的上述C2及C2'可以是50～350μm，更佳地，可以是50～320μm，最佳地，可以是80～320μm。
當上述式1及式2中的C1、C2、C1’及C2’的值分別小於較佳的下限值時，意味著黏結層本身的凝聚力非常高，因此，對於被粘物的密著力降低，對於剪切應力的抗性降低，進而，當與第二黏結層相關的C2及C2’小於下限值時，第二黏結層的剪切儲能模量變得過高，存在不能充分發揮作為緩衝層的功能的問題，另一方面，當其大於較佳的上限值時，黏結層的流動性增加，從而可產生芯片的移動及由此導致的裂紋缺陷問題。
本發明的第一黏結層120和第二黏結層115的厚度並不受限，但可分別具有10～100μm的範圍內的厚度。
並且，第一黏結層120和第二黏結層115的厚度之和可以是20～150μm，更佳地，可以是80～150μm。當第一黏結層120和第二黏結層115的厚度之和小於20μm時，可存在因不能吸收由剪切應力引起的振動及衝擊而產生裂紋缺陷的問題，當第一黏結層120和第二黏結層115的厚度之和大於150μm時，可存在因蠕變量的增加而導致芯片的移動及由此產生裂紋缺陷的問題。
如下，對晶圓背面研磨用黏結膜的各層進行詳細說明。
多層基材
多層基材110包括：下部基材層111、上部基材層112及第二黏結層115。第一黏結層120配置於上部基材層112上，第二黏結層115配置於下部基材層111與上部基材層112之間。在本發明的晶圓處理用黏結膜中，多層基材具有第二黏結層115配置於下部基材層111與上部基材層112之間的三明治結構。
下部基材層111和上部基材層112可由具有高拉伸彈性模量的材料形成。更具體地，下部基材層111及上部基材層112可具有1000MPa以上的拉伸彈性模量，例如，1200MPa以上、1500MPa以上、2000MPa以上，最佳地為3000MPa以上。
當上部基材層112及下部基材層111的拉伸彈性模量相對低，小於1000MPa時，由於晶圓或切割的半導體芯片的支撐力較低，因此在背面研磨製程中半導體芯片有可能發生碰撞。
在本發明中，不僅僅是晶圓黏結側的上部基材層112，下部基材層111也適用剛性基材，從而可使晶圓處理用黏結膜的拉伸強度滿足70MPa以上，當拉伸強度為70MPa以上時，可通過對背面研磨製程中強應力具有抗性來提高工藝性。
下部基材層111及上部基材層112分別可包括選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚對苯二甲酸丁二酯（PBT）、全芳族聚酯等的聚酯、聚醯亞胺（PI）、聚醯胺（PA）、聚碳酸酯（PC）、聚縮醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、聚醚酮、雙向拉伸聚丙烯（Oriented Poly-propylene）組成的組中的一種以上。
較佳地，下部基材層111與上部基材層112可以由相同的材料形成。例如，上述下部基材層111及上部基材層112可以由具有3000MPa以上的拉伸彈性模量的聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）材料形成。
下部基材層111及上部基材層112可具有相同的厚度，但並不限定於此。下部基材層111及上部基材層112可分別具有約10～150μm的厚度。另一方面，在本發明中，由於下部基材層111及上部基材層112具有高的拉伸彈性模量，因此在下部基材層111及上部基材層112，尤其是上部基材層112的厚度太厚時，可能會容易受到背面研磨製程中產生的衝擊。為此，較佳地，可將下部基材層111及上部基材層112的厚度分別設定為約150μm以下。
另一方面，根據需要，下部基材層111和/或上部基材層112可包括少量的各種添加劑，如耦合劑、可塑劑、防靜電劑、抗氧化劑等。
第一黏結層
在圖1中第一黏結層120是與晶圓黏結的部分。第一黏結層120只要是在常溫條件下具有適當的黏結性就沒有特別限定，能夠以各種方式適用公知的紫外線固化黏結組合物。
例如，第一黏結層由包含丙烯酸類、聚氨酯類、橡膠類、矽類黏結樹脂的黏結組合物等形成，較佳地，可由包含紫外線固化丙烯酸類黏結樹脂的黏結組合物（丙烯酸類黏結組合物）形成。
上述紫外線固化丙烯酸類黏結樹脂可以是通過聚合至少包含（甲基）丙烯酸烷基酯的單體來製備，作為上述單體的例示包含（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸正丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸正戊酯、（甲基）丙烯酸正己酯、（甲基）丙烯酸正庚酯、（甲基）丙烯酸正辛酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸正壬酯、（甲基）丙烯酸正癸酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸2-乙基己酯，丙烯酸4-甲基-2-戊酯等，（甲基）丙烯酸烷基酯可包含1種或2種以上。
根據需要，為了調節丙烯酸類黏結組合物的黏結特性，除了（甲基）丙烯酸烷基酯單體之外，可通過還包含含官能團的單體來聚合。上述官能團的例包含羥基、羧基、氨基、環氧基等。
含羥基的單體包含（甲基）丙烯酸羥烷基酯，如（甲基）丙烯酸-2-羥乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸-3-羥丙酯、（甲基）丙烯酸-2-羥丁酯、（甲基）丙烯酸-3-羥丁酯、（甲基）丙烯酸-4-羥丁酯等，或不飽和醇，如乙烯醇、烯丙醇等。
當通過包含含官能團的單體來聚合的丙烯酸類黏結組合物時，也可通過進一步反應具有光聚合性不飽和基的化合物來製備。具有不飽和基的化合物是具有可與丙烯酸類黏結組合物中的官能團鍵合的取代基及光聚合性不飽和基的化合物。光聚合性不飽和基可例舉（甲基）丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、乙烯基苄基等，較佳地，例舉（甲基）丙烯醯基。
並且，在具有不飽和基的化合物中，可與官能團鍵合的取代基包含異氰酸酯及縮水甘油基等。例如，具有不飽和基的化合物包含（甲基）丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、（甲基）丙烯醯異氰酸酯及（甲基）丙烯酸縮水甘油酯等。
第一黏結組合物還可包含交聯劑、光聚合引發劑中的一種以上。
紫外線固化交聯劑包含異氰酸酯類交聯劑，如甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯等，或環氧交聯劑，如乙二醇縮水甘油醚等，或氮丙啶類交聯劑，如六[1-（2-甲基）-氮丙啶基]三磷三嗪等，或螯合物類交聯劑，如鋁螯合物等。
光聚合引發劑包含苯偶姻化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物及過氧化物化合物，其例包含1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苄基苯硫醚、四甲基秋蘭姆一硫化物、偶氮二異丁腈、二苄基、二乙醯基、8-氯蒽醌、雙（2,4,6-三甲基苯甲醯基）苯基氧化膦等。
對第一黏結層120的厚度沒有特別限制，例如可以為10～100μm左右。
圖2為簡要示出本發明的一實施例的晶圓處理用黏結膜100的剖視圖。
參照圖2，在多層基材的上部基材層112的上部面還可包括底漆層113。這種底漆層113可用於提高第一黏結層120與多層基材110之間的黏附力。
底漆層113可作為單獨的層形成在上部基材層112的上部面，即，在形成第一黏結層120的面。作為另一例，底漆層113可通過對上部基材層112的上部面進行改性來形成。
在圖2中示出了底漆層113形成在上部基材層112的上部面的例子，但本發明並不限定於此，也可在上部基材層112的下部面或下部基材層111的上部面形成底漆層。
儘管在圖2中未示出，但還可包括設置在第一黏結層的上部面並通過上述黏結層黏結的離型膜。可對上述離型膜的一側面進行離型處理。上述離型處理只要是在本領域通常用於離型處理的物質，可不受限制地使用，例如，較佳地，用矽酮進行離型處理。
第二黏結層
在本發明中，第二黏結層115是配置於上部基材層112與下部基材層111之間的黏結層，可在晶圓加工時作為緩衝效果高的緩衝層或衝擊吸收層，起到保護晶圓表面的功能。
本發明的第二黏結層可由熱固性樹脂組合物形成，可適用各種公知熱固性黏結組合物，較佳地，可使用包含熱固性丙烯酸類黏結樹脂的黏結組合物。
上述熱固性丙烯酸類黏結樹脂是可通過聚合包含碳原子數為4以上的（甲基）丙烯酸烷基酯的單體來製備，根據需要，為了調節黏結特性，除了（甲基）丙烯酸烷基酯單體之外，可通過還包含含官能團的單體來聚合。上述官能團的例包含羥基、羧基、氨基、環氧基等。
作為可利用在熱固性丙烯酸類黏結組合物的丙烯酸酯化合物包含（甲基）丙烯酸酯、如烷基的碳原子數為4以上的（甲基）丙烯酸烷基酯等（甲基）丙烯酸烷基酯、非-氨基甲酸乙酯類多官能（甲基）丙烯酸酯等，但並不限定於此。
上述第二黏結組合物還可包含熱固化劑，例如可包含異氰酸酯類熱固化劑、碳二亞胺類熱固化劑、惡唑啉類熱固化劑、環氧類熱固化劑、氮丙啶類熱固化劑及過氧化物類熱固化劑等，但並不限定於此。
相對於100重量份的第二黏結組合物的黏結樹脂，可包含2重量份以下的熱固化劑，但並不一定限定於此。
另一方面，由於第二黏結層115起到緩衝層的功能，因此，剪切儲能模量越低，緩衝效果就越優秀，從而可有效地保護晶圓的表面。相反，在具有低剪切儲能模量的緩衝層的情況下，可產生由於在背面研磨製程中的溫度上升而使得緩衝層在高溫條件下流動或厚度不均勻的問題。考慮到這種問題，較佳地，在30℃及60℃的溫度條件下的第二黏結層115的剪切儲能模量可以為0.02～1.0MPa，更佳地，可以為0.02～0.5MPa，最佳地，可以為0.02～0.2MPa。
上述第二黏結層115可具有10℃以下的玻璃轉化溫度（Tg），較佳地，可具有-35～10℃之間的玻璃轉化溫度，更佳地，可具有-30～8℃之間的玻璃轉化溫度。由於這種第二黏結層的低玻璃轉化溫度，可具有強的黏結力，因此，即使將晶圓背面研磨製程的溫度從常溫上升到最高90℃，也可以防止上部基材層112與下部基材層111分離的現象。但是，當具有低於-35℃溫度條件的過低的玻璃轉化溫度時，由於可在晶圓背面研磨製程中產生的熱量和壓力而使得第二黏結組合物流動，從而污染晶圓。
以下，通過本發明的較佳實施例來更詳細地說明本發明的結構及作用。但是，這是作為本發明的較佳示例提出的，並在任何意義上都不能解釋為限制了本發明。未在此記載的內容只要是本技術領域的通常知識者可充分地在技術上類推，因此省略其說明。
製備例1：黏結組合物A1的製備
將由27克丙烯酸正丁酯（BA）、48克丙烯酸甲酯（MA）及25克丙烯酸羥乙酯（HEA）組成的單體混合物放入反應器中，在上述反應器中通過設置冷卻裝置來使得氮氣回流且容易調節溫度。
接下來，在100重量份的上述單體混合物中放入作為溶劑的100重量份的乙酸乙酯（EAc），為了去除上述反應器內的氧氣，注入氮氣且在30℃的溫度條件下充分混合30分鐘以上。之後，將溫度上升至50℃並保持，作為反應引發劑放入0.1重量份濃度的偶氮二異丁腈，開始進行反應之後，通過聚合24小時來製備第一反應物。
將24.6重量份的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯（MOI）及相對於MOI的1重量份的催化劑（二月桂酸二丁基錫（DBTDL：dibutyl tin dilaurate））與上述第一反應物配合，通過在40℃的溫度條件下反應24小時來得到重均分子量為60萬的丙烯酸類樹脂。
將作為光引發劑的0.1重量份的Irgacure184（BASF公司製造，商品名）與通過上述操作得到的聚合液（丙烯酸類聚合物，含量：100重量份）配合，並添加2重量份的異氰酸酯類交聯劑（日本聚氨酯工業株式會社（Nippon Polyurethane Kogyo Co.，Ltd.）製備，商品名“Coronate C”），得到黏結組合物A1。
製備例2：黏結組合物A2的製備
在黏結組合物A1的製備過程中，除了變更為由45克丙烯酸正丁酯（BA）、30克丙烯酸甲酯（MA）及25克丙烯酸羥乙酯（HEA）組成的單體混合物，並將異氰酸酯類交聯劑（“Coronate C”）變更為1重量份之外，以與黏結組合物A1相同的方式製備。
製備例3：黏結組合物B1的製備
將由33克丙烯酸正丁酯（BA）、50克丙烯酸甲酯（MA）、10克丙烯酸羥乙酯（HEA）及10克丙烯酸2-乙基己酯（EHA）組成的單體混合物放入反應器中，在上述反應器中通過設置冷卻裝置來使得氮氣回流且容易調節溫度。
接下來，在100重量份的上述單體混合物中放入作為溶劑的100重量份的乙酸乙酯（EAc），為了去除上述反應器內的氧氣，注入氮氣且在30℃的溫度條件下充分混合30分鐘以上。之後，將溫度上升至50℃並保持，作為反應引發劑放入0.1重量份濃度的偶氮二異丁腈，開始進行反應之後，通過聚合24小時來得到平均分子量為50萬的丙烯酸類樹脂。
在通過上述操作得到的聚合液（丙烯酸類聚合物，含量：100重量份）中添加1.5重量份的異氰酸酯類交聯劑（日本聚氨酯工業株式會社（Nippon Polyurethane Kogyo Co.，Ltd.）製備，商品名“Coronate C”），得到黏結組合物B1。
製備例4：黏結組合物B2的製備
在黏結組合物A1的製備過程中，除了變更為由50克丙烯酸正丁酯（BA）、20克丙烯酸甲酯（MA）、8克丙烯酸羥乙酯（HEA）及22克丙烯酸-2-乙基己酯（EHA）組成的單體混合物，並將異氰酸酯類交聯劑（“Coronate C”）變更為0.5重量份之外，以與黏結組合物A1相同的方式製備。
實施例1
將製備例1的黏結組合物A1以30μm的厚度塗覆在離型處理的PET（聚對苯二甲酸乙二醇酯膜，厚度為50μm）上，然後通過將50μm厚度的雙向拉伸PET膜（上部基材層）粘合來製備具有130μm厚度的第一黏結層的複合膜。
接下來，將製備例3的黏結劑組合物B1以50μm的厚度塗覆在厚度為25μm的雙向拉伸PET膜（下部基材層）上，製備具有75μm厚度的第二黏結層的複合膜。
通過將具有上述第一黏結層的複合膜與具有第二黏結層的複合膜粘合來製備總厚度為205μm的晶圓處理用黏結膜。
實施例2至實施例9及比較例1至比較例5
以與實施例1相同的方法製備晶圓處理用黏結膜，如以下表1至表3所示，通過變更黏結組合物的種類和厚度、上部基材層和下部基材層的種類及厚度來製備實施例2至實施例9及比較例1至比較例5各自的晶圓處理用黏結膜。
實驗例1：基材層的拉伸彈性模量及晶圓處理用黏結膜的拉伸強度
對於實施例1至實施例9及比較例1至比較例5的上部基材層、下部基材層的拉伸彈性模量及晶圓處理用黏結膜的拉伸強度，通過製備15mm×200mm大小的試片來利用萬能材料試驗機設備（設備名：5566A_Instron）在200mm/分鐘的速度條件下進行測定，並表示在如下的表1至表3中。
實驗例2：第二黏結層的剪切儲能模量
實施例1至實施例9及比較例1至比較例5的第二黏結層的剪切儲能模量是通過將製備例3及製備例4的黏結組合物層疊來製備成直徑為8mm、厚度為500μm的圓形試片，設置測定溫度為0～80℃、升溫速度為10/分鐘、測定頻率為0.796Hz，用剪切儲能模量測定設備（設備名：ARES G2_TA Instruments）進行測定，並表示在如下的表1至表3中。
實驗例3：蠕變量
將實施例1至實施例9及比較例1至比較例5的第一黏結組合物及第二黏結組合物分別製備成樣品，測定蠕變量。上述樣品是將用於形成測定對象黏結層的黏結組合物按照如下表1至表3中記載的第一黏結層及第二黏結層的厚度塗覆在聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）被粘物上，在100℃的溫度條件下乾燥4分鐘，然後通過在保持40℃的溫度及50%的相對濕度的恒溫恒濕裝置中老化3天來製備。之後，將製備的黏結層樣品裁剪為15mm×120mm的大小，以15mm×15mm的黏附面積黏附於蠕變量測定用被粘物，利用萬能物性分析儀（設備名：TA.XT Plus_Stable Micro Systems）在30℃及60℃的溫度環境下，當施加1.5kg的力1000秒時，將黏結層沿著施加力的方向變形的長度（μm）作為蠕變量，並表示在如下的表1至表3中。
實驗例4：背面研磨製程
在具有直徑為8英寸，厚度為775μm的晶圓的半導體電路面上，利用切割分割（鋸切；sawing）裝置（設備名：DFD6341_DISCO），用具有32.5寬度的刀刃以5mm×5mm的尺寸進行半切割（預切割）後，黏附（設備名：DT-ECS2030-SL_Dynatech）實施例1至實施例9及比較例1至比較例5的晶圓處理用黏結膜。之後，實施了背面研磨製程（設備名：DGP8760_DISCO），直到晶圓的厚度達到50μm為止。在背面研磨製程後，將切割膠帶黏附於黏附有晶圓處理用黏結膜的晶圓背面後，對晶圓處理用黏結膜面照射300mJ/cm2的紫外線A，然後，通過去除晶圓處理用黏結膜來得到切割的晶圓芯片。
實驗例5：測定芯片（chip）之間的距離（=切口；kerf）
在上述實驗例4中，當將任意晶圓芯片的4個角聚集在黏附於切割膠帶的切割的晶圓上的地點作為測定位置P時，將在P周圍的4個芯片中相鄰的芯片之間的距離稱為L（測定每個P的4個芯片之間的距離，L1～L4）。每個晶圓選定12處任意P（P1至P12），並測定L1至L48（詳細的測定方法參照圖3）。在此情況下，將L1至L48中最大的值與最小的值的差定義為芯片之間的距離變化（=切口變化）。測定實施例1至實施例9及比較例1至比較例5的晶圓處理用黏結膜的切口變化，並表示在如下的表1至表3中。
實驗例6：芯片（chip）之間的裂紋產生率
在上述實驗例4中，通過顯微鏡觀察黏附於切割膠帶的芯片來觀察裂紋。裂紋產生率意味著在切割的所有晶圓芯片中產生裂紋的芯片的百分比，通過如下的式3來定義並計算，並表示在如下的表1至表3中。
式3：裂紋產生率（%）=（產生裂紋的晶圓芯片數量/總晶圓芯片數量）×100（%）
實驗例7：捲曲（curl）測定
在具有直徑為8英寸，厚度為775μm的晶圓的半導體電路面上黏附（設備名：DT-ECS2030-SL_Dynatech）實施例1至實施例9及比較例1至比較例5的晶圓處理用黏結膜。之後，實施了背面研磨製程（設備名：DGP8760_DISCO），直到晶圓的厚度達到50μm為止。
在背面研磨製程之後，將黏附有黏結膜的晶圓置於溫度為25℃、相對濕度為50%的環境下的水平平臺上，凸出的部分與平臺相接觸，利用尺子測定從水平平臺上翹到最高位置的高度，將其長度定義為捲曲（curl）。若捲曲的長度為10mm以下，則評價為良好（○），若超過10mm，則評價為不良（×），將其在如下的表1至表3中示出。
表1
  實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5
第一黏結層種類及厚度[μm] A1 30 30     60
A2     30 30  
第二黏結層種類及厚度[μm] B1 50 50 50 50 50
B2          
上部基材層種類及厚度[μm] PET（50） PET（50） PET（50） PET（50） PET（50）
下部基材層種類及厚度[μm] PET（25） PET（50） PET（25） PET（50） PET（25）
上部基材層拉伸彈性模量[MPa] 3000 3000 3000 3000 3000
下部基材層拉伸彈性模量[MPa] 3000 3000 3000 3000 3000
第二黏結層剪切儲能模量[MPa] 30℃ 0.19 0.19 0.19 0.19 0.19
60℃ 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1
拉伸強度[MPa] 79 98 78 97 79
蠕變量 （μm，@30℃） C1 72 72 94 94 91
C2 81 81 81 81 81
蠕變量 （μm，@60℃） C1' 98 98 153 153 131
C2' 115 115 115 115 115
蠕變量比 C1/C2 0.89 0.89 1.16 1.16 1.12
C1'/C2' 0.85 0.85 1.33 1.33 1.14
切口變化（μm） 19.7 11.4 21.0 12.3 20.8
裂紋產生率（%） 0.8 0.6 1.5 1.0 1.4
捲曲（curl） ○ ○ ○ ○ ○
表2
  實施例6 實施例7 實施例8 實施例9
第一黏結層種類及厚度[μm] A1 60 30 30 30
A2        
第二黏結層種類及厚度[μm] B1   100 50 50
B2 50      
上部基材層種類及厚度[μm] PET（50） PET（50） PET（50） PET（50）
下部基材層種類及厚度[μm] PET（25） PET（25） PI（25） PEN（25）
上部基材層拉伸彈性模量[MPa] 3000 3000 3000 3000
下部基材層拉伸彈性模量[MPa] 3000 3000 4300 5000
第二黏結層 剪切儲能模量 [MPa] 30℃ 0.08 0.19 0.19 0.19
60℃ 0.02 0.1 0.1 0.1
拉伸強度[MPa] 78 79 85 89
蠕變量 （μm，@30℃） C1 91 72 72 72
C2 122 106 81 81
蠕變量 （μm，@60℃） C1' 131 98 98 98
C2' 303 154 115 115
蠕變量比 C1/C2 0.75 0.68 0.89 0.89
C1'/C2' 0.43 0.64 0.85 0.85
切口變化（μm） 12.8 19.2 16.7 15.4
裂紋產生率（%） 1.6 1.3 0.8 0.7
捲曲（curl） ○ ○ ○ ○
上述表1及表2的“PI”及“PEN”意味著聚醯亞胺（polyimide）及聚萘二甲酸乙二醇酯（polyethylene naphthalate）。
表3
  比較例1 比較例2 比較例3 比較例 4 比較例5
第一黏結層種類及厚度[μm] A1 30 30 30 30  
A2         60
第二黏結層種類及厚度[μm] B1 50 50 50   50
B2       120  
上部基材層種類及厚度[μm] PET（50） PET（50） PE（50） PET（50） PET（50）
下部基材層種類及厚度[μm] EVA（25） PE（25） PET（25） PET（50） PET（25）
上部基材層拉伸彈性模量[MPa] 3000 3000 350 3000 3000
下部基材層拉伸彈性模量[MPa] 100 350 3000 3000 3000
第二黏結層剪切儲能模量[MPa] 30℃ 0.19 0.19 0.19 0.08 0.19
60℃ 0.1 0.1 0.1 0.02 0.1
拉伸強度[MPa] 49 53 50 95 79
蠕變量 （μm，@30℃） C1 72 72 72 72 123
C2 81 81 81 216 81
蠕變量 （μm，@60℃） C1' 98 98 98 98 275
C2' 115 115 115 681 115
蠕變量比 C1/C2 0.89 0.89 0.89 0.33 1.52
C1'/C2' 0.85 0.85 0.85 0.14 2.39
切口變化（μm） 31.9 34.2 36.0 40.1 32.8
裂紋產生率（%） 3.4 4.1 4.9 6.7 4.8
捲曲（curl） × × × ○ ○
上述表3的“EVA”及“PE”意味著乙烯醋酸乙烯酯（ethylene vinyl acetate）及聚乙烯（polyethylene）。
如上所述，雖然參照例示的附圖對本發明進行了說明，但本發明並不受在本說明書中公開的實施例和附圖的限制，顯而易見的是，本領域中的通常知識者可在本發明的技術思想的範圍內實現多種變形。而且，即使在先說明本發明實施例時沒有明確記載說明對本發明的結構的作用效果，但也應該認可能夠通過相應結構預測的效果。
100:晶圓處理用黏結膜 110:多層基材 111:下部基材層 112:上部基材層 113:底漆層 115:第二黏結層 120:第一黏結層 A1-A10:黏結組合物 L1-L4:芯片之間的距離
圖1為簡要示出本發明的一實施方式的晶圓處理用黏結膜的剖視圖。
圖2為簡要示出本發明的另一實施方式的晶圓處理用黏結膜的剖視圖。
圖3是用於簡要說明本發明的實驗例5中的芯片（chip）之間的距離（=切口寬度）測定方法的示意圖。
100:晶圓處理用黏結膜
110:基材
111:下部基材層
112:上部基材層
115:第二黏結層
120:第一黏結層

Claims (10)

  1. 一種晶圓處理用黏結膜，其中，包括： 多層基材，包括上部基材層及下部基材層； 第一黏結層，配置於該上部基材層上；以及 第二黏結層，配置於該上部基材層與該下部基材層之間， 該晶圓處理用黏結膜滿足如下式1及式2，且拉伸強度為70～150MPa： 式1：0.2≤C1/C2≤1.4， 在該式1中，C1是在30℃的溫度條件下的該第一黏結層的蠕變量，C2是在30℃的溫度條件下的該第二黏結層的蠕變量，該蠕變量的單位為μm 式2：0.2≤C1’/C2’≤1.4， 在上述式2中，C1’是在60℃的溫度條件下的該第一黏結層的蠕變量，C2’是在60℃的溫度條件下的該第二黏結層的蠕變量，該蠕變量的單位為μm。
  2. 如請求項1之晶圓處理用黏結膜，其中，該C1及C1’分別是30～200μm。
  3. 如請求項1之晶圓處理用黏結膜，其中，該C2及C2’分別是50～350μm。
  4. 如請求項1之晶圓處理用黏結膜，其中，該第一黏結層和該第二黏結層的厚度之和是20～150μm。
  5. 如請求項1之晶圓處理用黏結膜，其中，該下部基材層及該上部基材層分別包括選自由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二酯、全芳族聚酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳酸酯、聚縮醛、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、聚醚酮及雙向拉伸聚丙烯組成的群組中的一種以上。
  6. 如請求項5之晶圓處理用黏結膜，其中，該下部基材層及該上部基材層由聚對苯二甲酸乙二醇酯材料形成。
  7. 如請求項1之晶圓處理用黏結膜，其中，該第一黏結層由紫外線固化黏結組合物形成。
  8. 如請求項1之晶圓處理用黏結膜，其中，該第二黏結層由熱固性黏結組合物形成。
  9. 如請求項1之晶圓處理用黏結膜，其中，在該上部基材層的上部面、該上部基材層的下部面及該下部基材層的上部面中的至少一面還包括底漆層。
  10. 如請求項1之晶圓處理用黏結膜，其中，在30℃及60℃的溫度條件下的該第二黏結層的剪切儲能模量是0.02～1.0MPa。
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