JP2017143124A - 半導体用ウエハ加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子と基板との間に、アンダーフィル材を供給した際における、半導体素子の上面へのアンダーフィル材の這い上がりを的確に抑制または防止することができる半導体用ウエハ加工用粘着テープ、および、かかる半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００は、樹脂材料を含有する基材４と、この基材４上に積層された粘着層２とを備える積層体により構成されたものであり、粘着層２は、撥油剤を含有している。また、この撥油剤は、シリコーン系オイルであることが好ましい。【選択図】図４

Description

本発明は、半導体用ウエハ加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法に関するものである。

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。

これらの半導体装置の製造方法としては、例えば、半導体用ウエハに半導体用ウエハ加工用粘着テープを貼付し、半導体用ウエハの周囲をウエハリングで固定しながら、ダイシングソーを用いたダイシング工程で前記半導体用ウエハを個々の半導体素子に切断分離（個片化）した後、エキスパンディング工程の後、個片化した半導体素子をピックアップするピックアップ工程を行い、次いで、この半導体素子を基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するための搭載工程へ移送する。実装用プローブにピックアップされた半導体素子は、搭載工程で、基板に搭載され、その後、基板と半導体素子との間にアンダーフィル材が充填されることにより、基板に接合される。そして、半導体素子と基板の上面側とを半導体封止材により封止することにより、半導体装置が製造される。

このような半導体装置の製造に用いられる半導体用ウエハ加工用粘着テープについて、近年、種々の検討がなされている（例えば、特許文献１参照。）。

この半導体用ウエハ加工用粘着テープは、一般に、基材（フィルム基材）と、この基材上に形成された粘着層とを有するものであり、粘着層により半導体用ウエハが固定される。また、半導体用ウエハのダイシング工程後に半導体チップを容易にピックアップすることができるように、粘着層は、通常、粘着性を有するベース樹脂および光硬化性樹脂等を含有する樹脂組成物で構成されている。つまり、ダイシング工程後、粘着層にエネルギーが付与されると、樹脂組成物が硬化して粘着層の粘着性が低下し、半導体素子のピックアップが容易となるようになっている。

ところで、上述した半導体装置の製造方法において、搭載工程では、アンダーフィル材は、基板と半導体素子との間に供給される。この際、半導体素子の上面にアンダーフィル材が這い上がると、半導体封止材による封止が不十分となったり、さらに、かかる半導体装置同士を積層して電気的に接合する場合には、この電気的な接合が得られなかったりすると言う問題があった。

そこで、半導体用ウエハ加工用粘着テープは、ピックアップ工程で、半導体素子から剥離され、搭載工程の際には、半導体素子上には存在しないが、かかる半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて、上記問題点を解決し得る半導体用ウエハ加工用粘着テープの開発が求められている。

特開２００９−２４５９８９号公報

本発明は、半導体素子と基板との間に、アンダーフィル材を供給した際における、半導体素子の上面へのアンダーフィル材の這い上がりを的確に抑制または防止することができる半導体用ウエハ加工用粘着テープ、および、かかる半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１２）に記載の本発明により達成される。
（１） 樹脂材料を含有する基材と、該基材上に積層された粘着層とを備える積層体により構成された半導体用ウエハ加工用粘着テープであって、
前記粘着層は、撥油剤を含有することを特徴とする半導体用ウエハ加工用粘着テープ。

（２） 前記撥油剤は、シリコーン系オイルである上記（１）に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。

（３） 前記粘着層は、さらに、粘着性を有するベース樹脂を含有する上記（１）または（２）に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。

（４） 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である上記（３）に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。

（５） 前記粘着層は、さらに、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂を含有する上記（３）または（４）に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。

（６） 前記撥油剤を主材料として構成される撥油層は、その表面のヘキサデカンに対する接触角が１０°以上である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。

（７） 前記樹脂材料は、エステル類高分子、スチレン系高分子、オレフィン系高分子、カーボネート系高分子、またはこれらの高分子の少なくとも１種が含有されている共重合物である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。

（８） 前記基材は、その厚さが１０μｍ以上３００μｍ以下である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。

（９） 前記粘着層は、その厚さが１μｍ以上３０μｍ以下である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。

（１０） 前記粘着層上に、半導体用ウエハが積層される上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。

（１１） 上記（１０）に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法であって、
前記半導体用ウエハ加工用粘着テープを用意し、前記半導体用ウエハ加工用粘着テープに半導体用ウエハを貼付する貼付工程と、
前記半導体用ウエハを、ダイシングして個片化することにより半導体素子を得る個片化工程と、
前記半導体用ウエハ加工用粘着テープを放射状に伸ばした後、前記半導体素子をピックアップするとともに、前記ピックアップにより前記半導体素子の前記半導体用ウエハ加工用粘着テープに接触した表面に前記撥油層を形成するピックアップ工程と、
前記半導体素子を、前記表面を上側にして、基板上に搭載する搭載工程と、
前記半導体素子と前記基板との間に形成された間隙に、アンダーフィル材を充填し、その後、前記アンダーフィル材を硬化させることにより、アンダーフィル材の硬化物で構成された封止層を形成する封止層形成工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

（１２） 前記ピックアップ工程に先立って、前記粘着層にエネルギーを付与することで、前記粘着層の半導体用ウエハに対する粘着性を低下させるエネルギー付与工程を有する上記（１１）に記載の半導体装置の製造方法。

本発明によれば、粘着層が撥油剤を含有しており、これにより、半導体装置の製造方法において、個片化した半導体素子をピックアップした際に、粘着層に接触する半導体素子の上面に撥油剤を主材料とする撥油層が形成される。そのため、かかる半導体素子を、基板上に搭載した後に、基板と半導体素子との間に液状をなすアンダーフィル材（封止材）を充填する際に、このアンダーフィル材が、撥油層が形成された半導体素子の上面に這い上がるのを的確に抑制または防止することができる。

したがって、かかる半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法を適用して製造された半導体装置は、優れた信頼性を備えるものとなる。

本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 図１に示す半導体装置を、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。 本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。 図４に示す半導体用ウエハ加工用粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。

以下、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法について詳細に説明する。

まず、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを説明するのに先立って、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造された半導体装置、すなわち、本発明の半導体装置の製造方法を適用して製造された半導体装置について説明する。

＜半導体装置＞
図１は、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０と、半導体チップ２０を封止するモールド部（封止部）１７とを有している。

インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。

インターポーザー３０の上面（一方の面）には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子４１が、所定形状で設けられている。

また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。

各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。

バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。

このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。

また、インターポーザー３０上には、端子４１が形成されている。この端子４１に、接続部８１を介して、半導体チップ２０が有する端子２１が電気的に接続されている。

なお、本実施形態では、図１に示すように、端子２１は、半導体チップ２０に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている。

また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材が充填され、このアンダーフィル材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。

さらに、インターポーザー３０の上側には、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを覆うように形成されたモールド部１７が半導体封止材料の硬化物で構成されており、これにより、半導体装置１０内において半導体チップ２０が封止され、半導体チップ２０に対する異物や水分等の浸入が防止される。

かかる構成の半導体装置１０は、例えば、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法（本発明の半導体装置の製造方法）により、以下のようにして製造される。

＜半導体装置の製造方法＞
図２、図３は、図１に示す半導体装置を、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図２、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１Ａ］まず、基材４と、基材４の上面に積層された粘着層２とを有する半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００（以下、単に「粘着テープ１００」ということもある。）を用意する（図２（ａ）参照。）。

この粘着テープ１００が本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープで構成されるが、その詳細な説明は後に行うこととする。

［２Ａ］次に、図２（ｂ）に示すように、図示しないダイサーテーブルの上に、粘着テープ１００を設置し、その中心部１２２に半導体用ウエハ７の半導体素子の無い側の面を、粘着層２の上に置き、軽く押圧し、半導体用ウエハ７を積層（貼付）する（貼付工程）。

なお、粘着テープ１００に半導体用ウエハ７を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。

［３Ａ］次に、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー（ブレード）を用いて半導体用ウエハ７を切断（ダイシング）して半導体用ウエハ７を個片化することで半導体チップ２０を得る（個片化工程；図２（ｃ）参照）。

この際、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、半導体用ウエハ７を切断する際の割れ、欠け等を防止する。

また、ブレードを用いた半導体用ウエハ７の切断は、図２（ｃ）に示すように、基材４の厚さ方向の途中まで到達するように実施される。これにより、半導体用ウエハの個片化を確実に実施することができる。

なお、この際、半導体用ウエハ７の切断時に生じる粉塵が飛散するのを防止すること、さらには、半導体用ウエハ７が不必要に加熱されるのを抑制することを目的に、半導体用ウエハ７には切削水を供給しつつ、半導体用ウエハ７が切断される。

［４Ａ］次に、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性を低下させる（エネルギー付与工程）。
これにより、粘着層２と半導体用ウエハ７との間で剥離が生じる状態とする。

粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、粘着層２にエネルギー線を粘着テープ１００の基材４側から照射する方法を用いるのが好ましい。

かかる方法は、半導体チップ２０が不要な熱履歴を経る必要がなく、また、粘着層２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。

また、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性を効率よく低下させることができる。

［５Ａ］次に、粘着テープ１００を図示しないエキスパンド装置で放射状に伸ばして、個片化した半導体用ウエハ７（半導体チップ２０）を一定の間隔に開き（エキスパンディング工程；図２（ｄ）参照。）、その後、この半導体チップ２０を、ニードル等を用いて突き上げた状態とし、この状態で、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする（ピックアップ工程；図２（ｅ）参照。）。

この本工程［５Ａ］における、半導体チップ２０のピックアップの際に、粘着テープ１００として本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いることで、半導体チップ２０の粘着テープ１００と接触していた面（図２中では下面、図３中では上面）に撥油層２２が形成される。そのため、後工程［８Ａ］における、アンダーフィル材を用いた封止層８０の形成の際に、半導体チップ２０の上面に対するアンダーフィル材の這い上がりが的確に抑制または防止されるが、その詳細な説明は後に行うこととする。

［６Ａ］次に、ピックアップした半導体チップ２０を、真空コレットまたはエアピンセットから実装用プローブ等に受け渡して上下反転させた後、図３（ａ）に示すように、この半導体チップ２０が備える端子２１と、インターポーザー３０が備える端子４１とを、端子４１上に設けられた半田バンプ８５を介して対向させて、インターポーザー３０上に載置する。すなわち、半導体チップ２０の粘着テープ１００と接触していた面を上側にして、半導体チップ（半導体素子）２０をインターポーザー（基板）３０上に載置する。

［７Ａ］次に、図３（ｂ）に示すように、端子２１と端子４１との間に介在した半田バンプ８５を加熱しつつ、インターポーザー３０と半導体チップ２０とを接近させる。

これにより、溶融した半田バンプ８５が端子２１および端子４１の双方に接触し、この状態で、冷却することで、接続部８１が形成され、その結果、接続部８１を介して、端子２１と端子４１とが電気的に接続される（搭載工程；図３（ｃ）参照。）。

［８Ａ］次に、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に形成された間隙に、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材（封止材）を充填し、その後、このアンダーフィル材を硬化させることにより、アンダーフィル材の硬化物で構成された封止層８０を形成する（封止層形成工程；図３（ｄ）参照。）。

［９Ａ］次に、インターポーザー３０の上側に、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを覆うように、モールド部１７を形成することで、半導体チップ２０をインターポーザー３０とモールド部１７とで封止するとともに、インターポーザー３０が備えるビアを介して端子４１の一部に電気的に接続された、バンプ７０をインターポーザー３０の下側から突出するように形成する（図３（ｅ）参照。）。

ここで、モールド部１７による封止は、例えば、形成すべきモールド部１７の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ２０とインターポーザー３０とを覆うように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。

以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置１０が得られる。より詳しくは、前記工程［１Ａ］〜［９Ａ］を実施した後に、前記工程［５Ａ］〜［９Ａ］を繰り返して実施することで、１つの半導体用ウエハ７から複数の半導体装置１０を一括して製造することができる。

以下、このような半導体装置１０の製造方法に用いられる半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００（本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープ）について説明する。

＜半導体用ウエハ加工用粘着テープ＞
図４は、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

粘着テープ１００は、基材４と、この基材４の上面（一方の面）に積層された粘着層２とを備える積層体により構成されるものであり、粘着層２は、撥油剤を含有することを特徴とする。

このように、粘着層２が撥油剤を含有していることから、前記工程［５Ａ］において、半導体チップ２０をピックアップする際に、粘着テープ（本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープ）１００と接触していた面（図２中では下面、図３中では上面）に撥油層２２が形成される。そのため、前記工程［８Ａ］において、図３（ｄ）に示すように、アンダーフィル材を用いて封止層８０を形成する際に、毛細管現象により、半導体チップ２０の上面に対して、アンダーフィル材が這い上がるのを、的確に抑制または防止することができる。

そのため、前記工程［９Ａ］において、半導体封止材料を用いたモールド部１７の形成が優れた封止性をもって行われるため、優れた信頼性を有する半導体装置１０を製造することができる。

さらに、この半導体装置１０同士を積層して、上側に位置する半導体装置１０が備えるバンプ７０と、下側に位置する半導体装置１０が備える半導体チップ２０の上面に形成された端子（図示せず）とを電気的に接合する場合に、この電気的な接合を確実に得ることができる。そのため、かかる観点からも、優れた信頼性を有する半導体装置１０を製造することができる。

以下、このような粘着テープ（ダイシングテープ）１００が有する、基材４および粘着層２について、詳述する。

なお、粘着テープ１００は、このものが備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性が低下する機能を有するものである。

このような粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、粘着層２にエネルギー線を照射する方法および粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、半導体チップ２０が不要な熱履歴を経る必要がないことから、粘着層２にエネルギー線を照射する方法が好適に用いられる。そのため、以下では、粘着層２として、エネルギー線の照射により前記粘着性が低下するものを代表に説明する。

＜基材４＞
基材４は、主として樹脂材料から成り、この基材４上に設けられた粘着層２を支持する機能を有している。また、前記工程［５Ａ］におけるエキスパンド装置を用いた粘着テープ１００の面方向に対する伸長を実現させるためのものである。

かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロピレンのようなポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリイソブチレン等のポリオレフィン系樹脂（オレフィン系高分子）、エチレン−酢酸ビニル共重合体、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体のようなアイオノマー、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂（エステル類高分子）、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー（スチレン系高分子）、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー（オレフィン系高分子）、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート（カーボネート系高分子）等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられ、中でも、エステル類高分子、スチレン系高分子、オレフィン系高分子、カーボネート系高分子、アイオノマー、またはこれらの高分子の少なくとも１種が含有されている共重合物であることが好ましい。

これらの樹脂材料は、光（可視光線、近赤外線、紫外線）、Ｘ線、電子線等のエネルギー線を透過し得る材料であることから、前記工程［４Ａ］において、エネルギー線を基材４側から基材４を透過させて粘着層２に照射する場合に好ましく用いることができる。

特に、樹脂材料としては、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物を用いることが好ましい。

また、このエラストマーとしては、下記一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと、下記一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体（スチレン−イソプレンブロック共重合体：ＳＩＳ）が好ましい。

（一般式（１）中、ｎは２以上の整数を表す。）

（一般式（２）中、ｎは２以上の整数を表す。）

また、基材４は、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記ダイシング工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらのうち界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。

永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）としては、例えば、ポリエーテルとポリオレフィンブロックポリマー系列、ポリエステルアミド系列、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステルアミド、ポリウレタン系列等の全てのＩＤＰを用いることができる。

また、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。

金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。

さらに、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。

これらの中でも、導電性材料としては、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらのものは、抵抗率の温度依存性が小さいものであることから、前記工程［３Ａ］において、半導体用ウエハ７をダイシングする際に、基材４が加熱されたとしても、その表面抵抗値の変化量を小さくすることができる。

さらに、基材４は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。

基材４の厚さは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下であるのが好ましく、３０μｍ以上２００μｍ以下であるのがより好ましく、８０μｍ以上２００μｍ以下であるのがさらに好ましい。基材４の厚さがこの範囲内であると、前記工程［３Ａ］における半導体用ウエハ７のダイシングを、優れた作業性により実施することができる。

さらに、基材４は、その表面に、粘着層２に含まれる構成材料と反応性を有する、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していることが好ましい。

また、基材４は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。さらに、前記樹脂材料をドライブレンドしたブレンドフィルムで構成されるものであってもよい。

＜粘着層＞
粘着層２は、前記工程［３Ａ］において、半導体用ウエハ７をダイシングする際に、半導体用ウエハ７を粘着して支持する機能を有している。また、この粘着層２は、このものに対するエネルギーの付与により半導体用ウエハ７への粘着性が低下し、これにより、粘着層２と半導体用ウエハ７との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。

また、本発明では、粘着層２と半導体用ウエハ７との間で剥離して、半導体用ウエハ７を切断して個片化した半導体チップ２０をピックアップする際に、粘着層２と接触していた半導体チップ２０の表面（図３では上面）に、撥油層２２を形成するためのものである。

かかる機能を備える粘着層２は、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂と、（５）撥油層２２を形成するための撥油剤と、を主材料として含有する樹脂組成物で構成される。

以下、樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
（１）ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、粘着層２へのエネルギー線の照射前に、半導体用ウエハ７に対する粘着性を粘着層２に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。

このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）、スチレン系エラストマー樹脂（粘着剤）、ポリイソプレン系樹脂（粘着剤）、ポリイソブチレン系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、ベース樹脂として好ましく用いられる。

アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとするもののことを言う。

（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。

なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。

また、このアクリル系樹脂は、そのガラス転移点が２０℃以下であることが好ましい。これにより、粘着層２へのエネルギー線の照射前において、粘着層２に優れた粘着性を発揮させることができる。

アクリル系樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、共重合性モノマーを含むものが用いられる。

このような共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、（メタ）アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドのようなアミド系モノマー、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルビニルピロリドン、Ｎ−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピペリドン、Ｎ−ビニルピリミジン、Ｎ−ビニルピペラジン、Ｎ−ビニルピラジン、Ｎ−ビニルピロール、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルオキサゾール、Ｎ−ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これら共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、４０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。

また、共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。

さらに、共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。

多官能性モノマーとしては、例えば、１，６−ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、エチレン−酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、共重合性モノマー成分として用いることができる。

なお、このようなアクリル系樹脂（ポリマー）は、単一のモノマー成分または２種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。

以上、説明したモノマー成分を重合することにより得られるアクリル系樹脂としては、炭素−炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているアクリル系樹脂（「二重結合導入型アクリル系樹脂」と言うこともある。）であることが好ましい。アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、後述する硬化性樹脂の添加を省略したとしても、得られる粘着層２に、上述した粘着層２としての機能を発揮させることができる。

このような二重結合導入型アクリル系樹脂としては、アクリル系樹脂を構成するポリマー内の側鎖のうち、１／１００以上の側鎖のそれぞれに、炭素−炭素二重結合を１個有している二重結合導入型アクリル系樹脂（「二重結合側鎖導入型アクリル系樹脂」と言うこともある。）であることが好ましい。このように、炭素−炭素二重結合を、アクリル系樹脂の側鎖に導入することは、分子設計の点からも有利である。なお、この二重結合側鎖導入型アクリル系樹脂は、主鎖中や、主鎖の末端にも、炭素−炭素二重結合を有していてもよい。

このような二重結合導入型アクリル系樹脂の合成方法（すなわち、アクリル系樹脂に炭素−炭素二重結合を導入する方法）としては、特に限定されず、例えば、共重合性モノマーとして官能基を有するモノマーを用いて共重合して、官能基を含有するアクリル系樹脂（「官能基含有アクリル系樹脂」と言うこともある。）を合成した後、官能基含有アクリル系樹脂中の官能基と反応し得る官能基と、炭素−炭素二重結合とを有する化合物（「炭素−炭素二重結合含有反応性化合物」と言うこともある。）を、官能基含有アクリル系樹脂に、炭素−炭素二重結合のエネルギー線硬化性（エネルギー線重合性）を維持した状態で、縮合反応または付加反応させることにより、二重結合導入型アクリル系樹脂を合成する方法等が挙げられる。

なお、アクリル系樹脂に炭素−炭素二重結合を、全側鎖のうちの１／１００以上の側鎖に導入する際の制御手段としては、例えば、官能基含有アクリル系樹脂に縮合反応または付加反応させる化合物である炭素−炭素二重結合含有反応性化合物の含有量を適宜調節することにより行う方法等が挙げられる。

また、官能基含有アクリル系樹脂に炭素−炭素二重結合含有反応性化合物を縮合反応又は付加反応させる際には、触媒を用いることにより、前記反応を効果的に進行させることができる。このような触媒としては、特に制限されないが、ジラウリン酸ジブチルスズのようなスズ系触媒が好ましく用いられる。このスズ系触媒の含有量としては、特に制限されないが、例えば、官能基含有アクリル系樹脂１００重量部に対して０．０５重量部以上１重量部以下であることが好ましい。

また、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Ａおよび炭素−炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Ｂとしては、例えば、カルボキシル基、酸無水物基、ヒドロキシル基、アミノ基、エポキシ基、イソシアネート基、アジリジン基等が挙げられ、さらに、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Ａと、炭素−炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Ｂとの組み合わせとしては、例えば、カルボン酸基（カルボキシル基）とエポキシ基との組み合わせ、カルボン酸基とアジリジル基との組み合わせ、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせ、ヒドロキシル基とカルボキシル基との組み合わせ等の各種の組み合わせが挙げられ、これらの中でも、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせであることが好ましい。これにより、これら官能基Ａ、Ｂ同士の反応追跡を容易に行うことができる。

さらに、これらの官能基Ａ、Ｂの組み合わせにおいて、何れの官能基が、官能基含有アクリル系樹脂の官能基Ａまたは炭素−炭素二重結合含有反応性化合物の官能基Ｂとなっていてもよいが、例えば、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせの場合、ヒドロキシル基が、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Ａとなっており、イソシアネート基が、炭素−炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Ｂとなっていることが好ましい。

この場合、官能基含有アクリル系樹脂を構成する官能基Ａを有するモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸のようなカルボキシル基を有するもの、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基を有するもの、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート、ビニルアルコール、アリルアルコール、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、２−ヒドロキシプロピルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、エチレングリコールモノビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、プロピレングリコールモノビニルエーテル、ジプロピレングリコールモノビニルエーテルのようなヒドロキシル基を有するもの、（メタ）アクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテルのようなエポキシ基を有するもの等が挙げられる。

また、官能基Ｂを有する炭素−炭素二重結合含有反応性化合物としては、イソシアネート基を有するものとして、例えば、（メタ）アクリロイルイソシアネート、（メタ）アクリロイルオキシメチルイソシアネート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−（メタ）アクリロイルオキシプロピルイソシアネート、３−（メタ）アクリロイルオキシプロピルイソシアネート、４−（メタ）アクリロイルオキシブチルイソシアネート、ｍ−プロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられ、エポキシ基を有するものとして、（メタ）アクリル酸グリシジル等が挙げられる。

アクリル系樹脂は、前記工程［３Ａ］において、半導体用ウエハ７をダイシングする際に、アクリル系樹脂による半導体用ウエハ７等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは３０万〜５００万に設定され、より好ましくは５０万〜５００万に設定され、さらに好ましくは８０万〜３００万に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、５０万未満であると、半導体用ウエハ７等に対する汚染防止性が低下し、半導体チップ２０を剥離させた際に糊残りが生じるおそれがある。

なお、アクリル系樹脂は、ヒドロキシル基やカルボキシル基（特に、ヒドロキシル基）のような、架橋剤や光重合開始剤に対して反応性を有する官能基（反応性官能基）を有していることが好ましい。これにより、架橋剤や光重合開始剤がポリマー成分であるアクリル樹脂に連結するため、粘着層２からこれら架橋剤や光重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、前記工程［４Ａ］におけるエネルギー線照射時により、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性が確実に低下される。

（２）硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。

このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２−プロペニル−ジ−３−ブテニルシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２−ヒドロキシエチル ビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２−アクリロキシエチル）２−［（５−アクリロキシヘキシル）−オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３−ジアクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１−アクリロキシエチル−３−メタクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４−アクリロキシ−ｎ−ブチル）イソシアヌレートのような炭素−炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、官能基数が６官能以上であるオリゴマーが含まれることが好ましく、官能基数が１５官能以上であるオリゴマーが含まれることがより好ましい。これにより、エネルギー線の照射により硬化性樹脂をより確実に硬化させることができる。また、このような硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートであることが好ましい。これにより、適度な柔軟性によるピックアップ時の糊割れを抑制できるという効果が得られる。

なお、このウレタンアクリレートとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナート等）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等）を反応させて得られたものが挙げられる。

また、硬化性樹脂には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる２つ以上の硬化性樹脂が混合されているのが好ましい。このような硬化性樹脂を利用すれば、エネルギー線照射による樹脂の架橋度を容易に制御することができ、前記工程［５Ａ］における半導体チップ２０のピックアップ性を向上させることができる。また、このような硬化性樹脂として、例えば、第１の硬化性樹脂と、第１の硬化性樹脂よりも重量平均分子量が大きい第２の硬化性樹脂との混合物等が用いられてもよい。

硬化性樹脂を、第１の硬化性樹脂と、第２の硬化性樹脂との混合物とする場合、第１の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１００〜１０００程度であることが好ましく、２００〜５００程度であることがより好ましい。また、第２の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１０００〜３００００程度であることが好ましく、１０００〜１００００程度であることがより好ましく、２０００〜５０００程度であることがさらに好ましい。さらに、第１の硬化性樹脂の官能基数は、１〜５官能基であることが好ましく、第２の硬化性樹脂の官能基数は、６官能基以上であることが好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。

硬化性樹脂は、ベース樹脂１００重量部に対して５重量部以上５００重量部以下で配合されることが好ましく、１０重量部以上３００重量部以下で配合されることがより好ましく、２０重量部以上２００重量部以下で配合されることがさらに好ましい。上記のように硬化性樹脂の配合量を調整することによって、前記工程［５Ａ］における半導体チップ２０のピックアップ性を優れたものとすることができる。

なお、この硬化性樹脂は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素−炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素−炭素二重結合の機能によって、粘着層２が硬化し、これにより、粘着層２の粘着力が低下することによる。

（３）光重合開始剤
また、粘着層２は、エネルギー線の照射により半導体用ウエハ７に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、硬化性樹脂には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。

光重合開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２−ナフタレンスルホニルクロリド、１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ｏ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４−ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２−エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８−オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン−４−カルボン酸エステル、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を備えるものであり、この反応性官能基を介して、ベース樹脂や硬化性樹脂に連結することができ、光重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。

光重合開始剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、０．５重量部以上１０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、粘着テープ１００のピックアップ性は好適なものとなる。

（４）架橋剤
さらに、硬化性樹脂には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、硬化性樹脂の硬化性の向上が図られる。

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。

イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。

また、多価イソシアネートとして、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。

架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、５重量部以上５０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することによって、粘着テープ１００のピックアップ性は好適なものとなる。

（５）撥油剤
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、本発明では、半導体チップ２０の粘着層２と接触する表面（図３では上面）に、粘着層２の剥離の後に撥油層２２を残存させるための撥油剤を含有している。

かかる撥油剤が、前記工程［５Ａ］における、半導体チップ２０のピックアップの際に、半導体チップ２０の粘着層２と接触する表面に残存することにより、撥油剤を主材料として構成される撥油層２２が形成される。

このような撥油層２２が形成されることで、前記工程［８Ａ］における、アンダーフィル材を用いた封止層８０の形成の際に、半導体チップ２０の撥油層２２が形成された表面（図３における上面）に対するアンダーフィル材の這い上がりを的確に抑制または防止することができる。

この撥油剤（撥油性材料）としては、撥油性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、フッ素系材料、フッ素原子を備えるカップリング剤、シリコーン系オイル等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらのうちフッ素系材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）のようなフッ素系有機材料、フッ化チタン酸カリウム、ケイフッ化カリウム、フッ化ジルコン酸のようなフッ素系無機材料等が挙げられる。

また、フッ素原子を備えるカップリング剤としては、例えば、トリデカフルオロ−１，トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

さらに、シリコーン系オイルとしては、ジメチルシリコーンオイル（ポリシロキサン）、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンポリシロキサン等の直鎖状シリコーンオイル、エポキシ変性シリコーンオイル、アミノ変性シリコーンオイル、カルボキシル変性シリコーンオイル、アルコール変性シリコーンオイル、フッ素変性シリコーンオイル、エポキシ・ポリエーテル変性シリコーンオイル、ポリエーテル変性シリコーンオイル等の変性シリコーンオイル等が挙げられる。

これらの中でも、撥油剤としては、シリコーン系オイルであることが好ましい。さらに、シリコーンオイルとしては、変性シリコーンオイルであることが好ましい。これにより、エネルギー線の照射により硬化性樹脂が硬化することで、ベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下した際に、この架橋構造からシリコーン系オイルが染み出すようになる。そのため、半導体チップ２０を粘着層２から剥離させた際に、粘着層２が接触した半導体チップ２０の表面に、撥油層２２をより均一な膜厚で形成することができる。

また、粘着層２中、すなわち樹脂組成物中における、撥油剤の含有量は、撥油剤の種類によっても若干異なるが、例えば、０．０１重量％以上１．０重量％以下であることが好ましく、０．０５重量％以上０．５重量％以下であることがより好ましい。撥油剤の含有量が前記下限値未満であると、撥油剤の種類によっては、半導体チップ２０を粘着層２から剥離させた際に、粘着層２が接触する半導体チップ２０の表面に、転写される撥油剤の付着量が少なくなり、撥油層２２としての機能を発揮させることが困難となるおそれがある。また、撥油剤の含有量が前記上限値を超えると、撥油剤の種類によっては、エネルギー線の照射前には、半導体チップ２０に粘着し、エネルギー線の照射の後には、半導体チップ２０から剥離し得る粘着層２としての機能を、粘着層２に付与することが困難となるおそれがある。

また、上記の通り、半導体チップ２０を粘着層２から剥離させた際に、粘着層２が接触した半導体チップ２０の表面に、撥油層２２が形成されるが、この撥油層２２は、その表面のヘキサデカンに対する接触角が１０°以上であることが好ましく、１５°以上４５°以下であることがより好ましい。これにより、撥油層２２に、前記工程［８Ａ］において、アンダーフィル材を用いて封止層８０を形成する際に、半導体チップ２０の上面に対して、アンダーフィル材が這い上がるのを防止する保護層としての機能を確実に発揮させることができる。また、撥油層２２に含まれる撥油剤としてシリコーン系オイルを用いることにより、かかる範囲内の接触角を有する撥油層２２を確実に形成することができる。

（６）導電性材料（帯電防止剤）
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記ダイシング工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］における、半導体チップ２０での静電気の発生が的確に抑制または防止される。

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、前記基材４に含まれる導電性材料として説明したのと、同様のものを用いることができる。

なお、基材４および粘着層２のうちの一方に導電性材料を含有させる構成とする場合には、基材４に導電性材料を含有させることが好ましい。これにより、半導体チップ２０に導電性材料を確実に付着させることなく、半導体チップ２０での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。

（７）その他の成分
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）〜（６）の他に他の成分として、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。

なお、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、粘着層２の厚さは、特に限定されないが、例えば、１μｍ以上３０μｍ以下であるのが好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下であるのがより好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であるのがさらに好ましい。粘着層２の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層２は、粘着層２へのエネルギー付与前には、良好な粘着力を発揮するとともに、粘着層２へのエネルギー付与後には、粘着層２と半導体用ウエハ７との間において、良好な剥離性を発揮する。

なお、粘着層２は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよく、この場合、半導体用ウエハ７が接合される層（基材４の反対側に位置する層）に撥油剤が含まれていればよい。

次に、かかる構成の半導体用ウエハ加工用粘着テープ１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。

＜半導体用ウエハ加工用粘着テープの製造方法＞
図５は、図４に示す半導体用ウエハ加工用粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［１Ｂ］まず、基材４を用意する（図５（ａ）参照。）
基材４の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Ｔダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材４が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材４の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。

また、基材４は、無延伸で用いることができ、さらに、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。

［２Ｂ］次に、基材４の上面に粘着層２を形成する（図５（ｂ）参照。）。
基材４の表面（上面）には、基材４と粘着層２との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。

また、粘着層２は、基材４上に、粘着層２の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させて粘着層２を形成することにより得ることができる。

なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、基材４上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。

［３Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、中心側と外周側とが分離されるように、粘着層２の厚さ方向に基材４を残存させて円環状に粘着層２の一部を除去することにより、粘着層２を中心部１２２と外周部１２１とを備えるものとする（図５（ｃ）参照。）。

粘着層２の一部を円環状に除去する方法としては、例えば、除去すべき領域を取り囲むように打ち抜いた後、この打ち抜かれた領域に位置する粘着層２を除去する方法が挙げられる。

また、除去すべき領域に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に粘着テープ１００を製造することができるロール状金型を用いる方法が好ましい。

なお、本工程では、粘着層２の一部をリング状（円形状）に打ち抜いて中心部１２２と外周部１２１とを形成したが、粘着層２の一部を打ち抜く形状は、前述した半導体装置の製造方法において、粘着層２の外周部１２１をウエハリングで固定できる形状となっていれば如何なる形状のものであってもよい。具体的には、打ち抜く形状としては、例えば、上述した円形状の他、楕円状、俵型状のような長円状や、四角形状、五角形状のような多角形状等が挙げられる。

［４Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、セパレーター１を積層することにより、粘着層２がセパレーター１で被覆された粘着テープ１００を得る（図５（ｄ）参照。）。

粘着層２にセパレーター１を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。

なお、セパレーター１としては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。

また、セパレーター１は、粘着テープ１００の使用時に剥がされるために、表面を離型処理されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター１表面にコーティングする処理や、セパレーター１表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。

以上のような工程を経て、セパレーター１で被覆された粘着テープ１００を形成することができる。

なお、本実施形態で製造されたセパレーター１で被覆された粘着テープ１００は、前述した粘着テープ１００を用いた半導体装置の製造方法において、粘着テープ１００をセパレーター１から剥離した後に使用される。

また、セパレーター１が被覆する粘着層２から、このセパレーター１を剥がす際には、粘着層２の面に対してセパレーター１を９０度以上１８０度以下の角度で剥離を行うことが好ましい。セパレーター１を剥離する角度を前記範囲とすることで、粘着層２とセパレーター１との界面以外での剥離を確実に防止することができる。

以上、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。

例えば、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープが備える各層には、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよく、あるいは、基材は、前記実施形態で説明したように、１層で構成されるものの他、複数の層で構成されるものであってもよく、例えば、前述した基材の粘着層とは反対側の面に、帯電防止層を備えるものであってもよい。

また、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて形成する半導体装置の構成によっては、半導体装置の製造方法で説明した、前記工程［９Ａ］における、モールド部１７の形成を省略することもできる。

また、本発明の半導体用ウエハ加工用粘着テープが備える各層の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。

さらに、本発明の半導体装置の製造方法では、任意の目的で、１以上の工程を追加することができる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。

１．原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。

（樹脂材料１）
樹脂材料１として、ポリプロピレン６０重量部と、下記一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと下記一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体４０重量部とを含有するものを用意した。

（式（１）中、ｎは２以上の整数）

（式（２）中、ｎは２以上の整数）

（ベース樹脂１）
ベース樹脂１として、第１の共重合体を１０重量部と、第２の共重合体を９０重量部とからなるものを用意した。なお、第１の共重合体としては、アクリル酸ブチル７０重量部と、アクリル酸２−エチルヘキシル２５重量部と、酢酸ビニル５重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が５０００００の共重合体を用いた。また、第２の共重合体としては、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部と、アクリル酸ブチル１０重量部と、酢酸ビニル３７重量部と、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が３０００００の共重合体を用いた。

（硬化性樹脂１）
硬化性樹脂１として、１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、品番：Ｍｉｒａｍｅｒ ＳＣ２１５２）を用意した。

（架橋剤１）
架橋剤１として、ポリイソシアネート（日本ポリウレタン工業株式会社製、品番：コロネートＬ）を用意した。

（光重合開始剤１）
光重合開始剤１として、ベンジルジメチルケタール（チバスペシャルティケミカルズ株式会社製、品番：イルガキュア６５１）を用意した。

（撥油剤１）
撥油剤１として、シリコーン系オイルである（ビックケミージャパン社製、品番：ＢＫＹ−３８１）を用意した。

（導電性材料１）
導電性材料１として、ペレスタット２３０（三洋化成社製）を用意した。

２．半導体用ウエハ加工用粘着テープの作製
［実施例１］
樹脂材料１（８５重量部）と導電性材料１（１５重量部）とを２軸混練機で混練した後、混練したものを押出し機で押し出して、厚さ１００μｍの基材４を作製した。

次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）、光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）および撥油剤１（ベース樹脂１００重量部に対して０．２重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが１０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１分間乾燥させて、基材４の上面（一方の面）に粘着層２を形成した。

［比較例１］
樹脂組成物中への撥油剤１の添加を省略した以外は、前記実施例１と同様にして、撥油層の形成が省略された比較例１の粘着テープを得た。

３．評価
得られた各実施例および各比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープを、以下の方法で評価した。

３−１．撥油層の接触角の評価
実施例および比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて、それぞれ、１２インチの半導体用ウエハを粘着層２の上に置き、軽く押圧することで、半導体用ウエハ７を積層した後、この半導体用ウエハをダイシングソー（ＤＩＳＣＯ社製、ＤＦＤ６４５０）を用いてダイシングすることで、１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズに個片化した。

次に、粘着テープの裏面側から、紫外線を照射した（照射時間：２０秒間、照射強度：５００ｍＪ／ｃｍ²）。
次に、個片化により得られた半導体チップを、コレットを用いて、ピックアップした。

次に、半導体チップの粘着層が接触していた上面に形成された撥油層に、ヘキサデカンを供給し、撥油層のヘキサデカンに対する接触角を求めた。なお、比較例では、この上面における撥油層の形成は省略されている。

その結果、実施例の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて得られた半導体チップの上面に形成された撥油層のヘキサデカンに対する接触角は、４０°であり、これに対して、比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて得られた半導体チップの上面のヘキサデカンに対する接触角は、５°であった。

３−２．アンダーフィル材の這い上がりの評価
実施例および比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープについて、それぞれ、１２インチの半導体用ウエハを粘着層２の上に置き、軽く押圧することで、半導体用ウエハ７を積層した後、この半導体用ウエハをダイシングソー（ＤＩＳＣＯ社製、ＤＦＤ６４５０）を用いてダイシングすることで、１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズに個片化した。

次に、粘着テープの裏面側から、紫外線を照射した（照射時間：２０秒間、照射強度：５００ｍＪ／ｃｍ²）。
次に、個片化により得られた半導体チップを、コレットを用いて、ピックアップした。

次に、ピックアップした半導体チップを、基板上に搭載し、その後、基板と半導体素子との間にアンダーフィル材（住友ベークライト社製、「ＣＲＰ−３４２０」）を充填した。

このアンダーフィル材の充填の際における、半導体チップの上面に対するアンダーフィル材の這い上がりを目視にて観察したところ、実施例の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて得られた半導体チップの上面には、撥油層が形成されているため、アンダーフィル材の這い上がりは、認められなかった。これに対して、比較例の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて得られた半導体チップの上面には、撥油層が形成されておらず、これに起因して、アンダーフィル材の這い上がりが認められる結果を示した。

１ セパレーター
２ 粘着層
４ 基材
７ 半導体用ウエハ
９ ウエハリング
１０ 半導体装置
１７ モールド部
２０ 半導体チップ
２１ 端子
２２ 撥油層
３０ インターポーザー
４１ 端子
７０ バンプ
８０ 封止層
８１ 接続部
８５ 半田バンプ
１００ 半導体用ウエハ加工用粘着テープ（粘着テープ）
１２１ 外周部
１２２ 中心部

Claims (12)

1. 樹脂材料を含有する基材と、該基材上に積層された粘着層とを備える積層体により構成された半導体用ウエハ加工用粘着テープであって、
   前記粘着層は、撥油剤を含有することを特徴とする半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
2. 前記撥油剤は、シリコーン系オイルである請求項１に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
3. 前記粘着層は、さらに、粘着性を有するベース樹脂を含有する請求項１または２に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
4. 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である請求項３に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
5. 前記粘着層は、さらに、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂を含有する請求項３または４に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
6. 前記撥油剤を主材料として構成される撥油層は、その表面のヘキサデカンに対する接触角が１０°以上である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
7. 前記樹脂材料は、エステル類高分子、スチレン系高分子、オレフィン系高分子、カーボネート系高分子、またはこれらの高分子の少なくとも１種が含有されている共重合物である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
8. 前記基材は、その厚さが１０μｍ以上３００μｍ以下である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
9. 前記粘着層は、その厚さが１μｍ以上３０μｍ以下である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
10. 前記粘着層上に、半導体用ウエハが積層される請求項１ないし９のいずれか１項に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープ。
11. 請求項１０に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いた半導体装置の製造方法であって、
    前記半導体用ウエハ加工用粘着テープを用意し、前記半導体用ウエハ加工用粘着テープに半導体用ウエハを貼付する貼付工程と、
    前記半導体用ウエハを、ダイシングして個片化することにより半導体素子を得る個片化工程と、
    前記半導体用ウエハ加工用粘着テープを放射状に伸ばした後、前記半導体素子をピックアップするとともに、前記ピックアップにより前記半導体素子の前記半導体用ウエハ加工用粘着テープに接触した表面に前記撥油層を形成するピックアップ工程と、
    前記半導体素子を、前記表面を上側にして、基板上に搭載する搭載工程と、
    前記半導体素子と前記基板との間に形成された間隙に、アンダーフィル材を充填し、その後、前記アンダーフィル材を硬化させることにより、アンダーフィル材の硬化物で構成された封止層を形成する封止層形成工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 前記ピックアップ工程に先立って、前記粘着層にエネルギーを付与することで、前記粘着層の半導体用ウエハに対する粘着性を低下させるエネルギー付与工程を有する請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。

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