WO2008047708A1 - Feuille pour tri de puce et procédé de transfert d'une puce ayant une couche d'adhésif - Google Patents

Feuille pour tri de puce et procédé de transfert d'une puce ayant une couche d'adhésif Download PDF

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WO2008047708A1
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WO
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adhesive layer
sheet
chip
die sort
die
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/069958
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Akie Hamasaki
Shino Moritani
Mikio Komiyama
Original Assignee
Lintec Corporation
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Publication date
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    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
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    • Y10T428/24777Edge feature

Definitions

  • the present invention relates to a die sorting sheet and a method for transferring a chip having an adhesive layer.
  • the present invention relates to a die sort sheet on which a chip having an adhesive layer is temporarily attached, and a method for transferring a chip having an adhesive layer by the die sort sheet.
  • One of the manufacturing processes of a semiconductor device is a dicing process in which a semiconductor wafer on which a circuit has been formed through a required pretreatment is cut and separated into a plurality of chips.
  • a die cinder sheet for fixing a semiconductor wafer is attached to a circular or rectangular frame called a ring frame, the semiconductor wafer is attached to this dicing sheet, and the circuit is diced into semiconductor chips.
  • a die bonding process is performed in which a die bonding adhesive such as an epoxy resin is applied to the pad portion of the chip substrate to bond the semiconductor chip to the chip substrate.
  • resin sealing is finally performed in a molding process, and a semiconductor device is manufactured.
  • the die bonding process is performed in outline.
  • a reel-shaped embossed carrier tape, a chip tray, or the like in which pocket-shaped concave portions are formed by embossing on a thermoplastic resin sheet are used. After the semiconductor chip is accommodated in the recess, it is covered with a cover sheet and stored and transported until the semiconductor chip is incorporated into the electronic device.
  • an embossed carrier tape After the dicing process, only non-defective products can be selected and shipped, and further, a single semiconductor wafer can be shipped to multiple factories.
  • a method of mounting a semiconductor chip using an adhesive tape such as a heat release tape or a general-purpose dicing tape, and storing and transporting the semiconductor chip is also used! 1).
  • the semiconductor chip is affixed to the adhesive layer of the adhesive tape and stored and transported.
  • the semiconductor chip accommodation / conveyance method using such an embossed carrier tape or general-purpose dicing tape is performed before the die bonding step, that is, with an adhesive applied to the back surface. It was used for semiconductor chips.
  • Patent Document 1 JP 2000-95291 A
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 32-32181
  • the adhesive used in this application has a certain amount of tack (adhesiveness) so that the wafer (chip) can be fixed in the dicing process!
  • tack adheres to the embossed carrier by the tack.
  • the adhesive layer on the back surface of the chip is deformed and becomes V.
  • a semiconductor device manufactured using such a semiconductor chip cannot obtain high reliability.
  • the adhesive layer of the semiconductor chip is fixed to the adhesive of the dicing tape, making it difficult to pick up in the next process. There was a problem. Also, when picking up, dicing The tape adhesive may adhere to the adhesive layer on the backside of the chip and become contaminated. Therefore, also in this case, the reliability of the manufactured semiconductor device is lowered.
  • an object of the present invention is to provide a die sort sheet that can be stably housed and transported even if the chip has an adhesive layer having a tack on the back surface, and an adhesive layer using the die sort sheet. It is an object of the present invention to provide a method capable of stably storing and transferring a chip having a chip.
  • the die sort sheet according to the present invention is:
  • the pressure-sensitive adhesive layer is exposed on the outer peripheral portion of the die sort sheet, and the base film is exposed on the central portion that is the inner side of the outer peripheral portion.
  • the die sort sheet is preferably formed by laminating an adhesive layer on the outer periphery of the base film.
  • the die sort sheet is formed by laminating a pressure-sensitive adhesive layer having the same shape on a support film, and laminating a base film on the center of the adhesive layer.
  • a method for transferring a chip having an adhesive layer according to the present invention includes:
  • a dicing die-bonding adhesive sheet consisting of an adhesive layer and a base material
  • the substrate is subjected to full-cut dicing together with the adhesive layer, and the chip having the adhesive layer on the back surface is picked up from the base material,
  • the adhesive layer of the picked-up chip is temporarily attached to the base film exposed on the die sort sheet, Transfer the die sort sheet with the chips temporarily attached via the adhesive layer to the next process.
  • the adhesive layers of the plurality of picked-up chips may be temporarily attached to the base film exposed on the die sort sheet so as to be separated from each other. I like it!
  • the method for transferring a chip having an adhesive layer using the die sort sheet of the present invention even a chip having an adhesive layer can be housed and transferred in a stable state.
  • the adhesive layer of the chip is not contaminated and does not deform. Therefore, if a chip picked up again is used, a highly reliable semiconductor device can be obtained.
  • FIG. 1 is a perspective view of a die sort sheet according to the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line XX of FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the die sort sheet of the present invention.
  • FIG. 4 is a perspective view of a die sort sheet according to the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of YY spring in FIG.
  • FIG. 6 is a perspective view of a ring frame.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining a method for transferring a chip having an adhesive layer of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining a method for transferring a chip having an adhesive layer according to the present invention.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining a method for transferring a chip having an adhesive layer of the present invention.
  • FIG. 10 is a view for explaining a method for transferring a chip having an adhesive layer according to the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining a method for transferring a chip having an adhesive layer of the present invention. It is.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining a method for transferring a chip having an adhesive layer according to the present invention.
  • the die sort sheet according to the present invention is a die sort sheet that is temporarily attached in order to transfer a chip having an adhesive layer, and the pressure sensitive adhesive layer is exposed on the outer periphery of the die sort sheet. It is characterized in that a base film is exposed in the central part which is the inside of the film.
  • a die sort sheet formed by laminating an adhesive layer 11 on the outer periphery of a base film 12 10 is preferably used.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 11 is exposed on the outer peripheral portion 13 of the die sort sheet 10
  • the base film 12 is exposed on the central portion 14 which is the inner side of the outer peripheral portion.
  • the base film 12 is not particularly limited, but polyethylene, polypropylene, polychlorinated butyl, ethylene acetate butyl copolymer, ethylene (meth) acrylic acid copolymer, ethylene (meth) acrylic acid ester copolymer. Resin films such as coalescence, polyethylene terephthalate film, and polyurethane film are used.
  • the thickness of the base film 12 is preferably 10 to 000 m, more preferably 20 to 800 m.
  • the surface tension of the surface of the base film 12 on which the chip is mounted is preferably 40 mN / m or less, more preferably 35 mN / m or less.
  • the above surface tension Is preferably 20 mN / m or more.
  • the base film 12 having a surface tension in the above range can be obtained by appropriately selecting the material, and can also be obtained by a release treatment in which a silicone resin or the like is applied to the surface of the resin film.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 11 is formed of a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet in which pressure-sensitive adhesive layers 11a and 11c are provided on both surfaces of a core material film ib.
  • a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet is adhered and fixed to the ring frame 50 with the pressure-sensitive adhesive layer 11a, and is bonded and integrated with the base film 12 with the pressure-sensitive adhesive layer 11c.
  • Adhesive strength required for chip storage, transfer, or pick-up operations varies, so use the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet to select a pressure-sensitive adhesive layer (adhesive layer lla, 11c) that has the optimum adhesive strength. There are advantages you can do.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 11 has a size that can be fixed to the ring frame 50 used in the transfer method of the present invention.
  • the ring frame 50 is usually a molded body made of metal or plastic, and the inner diameter of the opening 51 of the ring frame 50 is larger than the central portion where the base film is exposed for temporarily attaching a semiconductor chip. Needless to say, it is somewhat larger (see Figure 6).
  • a flat cutout 52 for guide is formed on a part of the outer periphery of the ring frame 50. As will be described later, in the transfer method of the present invention, the lower surface of this ring frame 50 is attached to the adhesive layer 11 of the die sort sheet 10 (see FIG. 10).
  • the surface to be attached to the pressure-sensitive adhesive layer 11 is referred to as “die sort sheet adhesion planned surface 53”.
  • the size of the pressure-sensitive adhesive layer 11 is sufficient to fix the pressure-sensitive adhesive layer 11 to the die sort sheet bonding planned surface 53 of the ring frame 50. More specifically, the outer diameter of the pressure-sensitive adhesive layer 11 only needs to be larger than the diameter of the opening 51.
  • the core film l ib a resin film similar to the base film 12 can be used. If a relatively rigid film such as a polyethylene terephthalate film is used, the die sort sheet 10 can be manufactured. This is preferable because dimensional stability is improved.
  • the thickness of the core film l ib is preferably 10 to 500 mm 01 and more preferably 30 to 200 mm.
  • the pressure-sensitive adhesive layer l la, 11 1c is formed of, for example, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive, an emulsion-based pressure-sensitive adhesive, or the like. Of these, acrylic adhesives are preferred.
  • the pressure-sensitive adhesive layers 11a and 11c may be formed of the same pressure-sensitive adhesive, but the pressure-sensitive adhesive layer 11c on the side facing the base film 12 is made of a highly-adhesive pressure-sensitive adhesive, and the ring frame 50 A configuration in which the pressure-sensitive adhesive layer 11a on the facing side is made of a pressure-sensitive adhesive exhibiting removability is preferable.
  • each of the pressure-sensitive adhesive layers l la and 11c is preferably;! ⁇ 100 m, more preferably 3 ⁇
  • the die sorting sheet 10 of the present invention is manufactured, for example, as follows.
  • the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet for forming the pressure-sensitive adhesive layer 11 is prepared in a form in which a release film treated with a silicone-based release agent or the like is laminated on both sides.
  • the light release type release film is peeled first, so the pressure-sensitive adhesive layer 11c laminated on the base film 12 A light release type release film is laminated on the surface, and a heavy release type release film is laminated on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 11a to be attached to the ring frame 50.
  • the structure is provided with a difference in separation such as a light peeling type and a heavy peeling type, the workability at the time of manufacturing the die sort sheet 10 can be improved.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 11 is cut and removed into a substantially circular shape by means such as punching before being laminated on the base film 12. At this time, if only the pressure-sensitive adhesive layer 11 and the light release type release film are punched out and the heavy release type release film is not completely punched out, the heavy release type release film becomes the carrier of the pressure-sensitive adhesive layer 11. As a result, subsequent processing can be done continuously with roll-to-roll.
  • the outer periphery of the pressure-sensitive adhesive layer 11 is punched out substantially concentrically with the cut and removed portion of the pressure-sensitive adhesive layer 11 and in accordance with the diameter of the ring frame 50 to be attached. Also at this time, it is preferable not to punch only the heavy release type release film. That is, in the configuration shown in FIGS. 1 and 2, the base film 12 and the pressure-sensitive adhesive layer 11 are cut and removed in advance according to the diameter of the ring frame 50. By cutting into the same shape as the ring frame 50 in advance, when the die sort sheet 10 is affixed to the ring frame 50, it is not necessary to perform a step of cutting the dia sheet 10 with a cutter. In this way, a die sort sheet 10 is obtained.
  • the present invention is not limited to the ring frame 50 shown in FIG. Therefore, the die sort sheet of the present invention is not limited to the shape shown in FIGS. 1 and 2, and may have a shape corresponding to the frame. For example, when the frame is square, the die sort sheet may also be square. Further, the shape of the central portion 14 of the die sort sheet 10, that is, the removed adhesive layer 11, can be arbitrarily changed.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be composed of one or two layers of pressure-sensitive adhesive that does not have a core film. When there is no core film, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer can be reduced, so that there is an advantage that the winding trace after storage in a roll state in which the thickness difference of the sheet for die sorting is small is not easily noticed.
  • a die sort sheet 20 in which the adhesive layer 21 is laminated on the lower surface of the base material 22 is used. Also good. That is, the pressure-sensitive adhesive layer 21 appears on the lower surface side outer peripheral portion 23 of the die sort sheet 20, and the base film 22 appears on the central portion 24 on the upper surface side (see FIG. 3). As will be described later, in this case, the upper surface of the base film 24 is a surface for temporarily housing the semiconductor chip 80 (see FIG. 11).
  • the pressure-sensitive adhesive layer 21 is a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet in which pressure-sensitive adhesive layers 21a and 21c are provided on both surfaces of the core material film 21b, and is used in the transfer method of the present invention in the same manner as the die sort sheet 10.
  • the ring frame 50 has a size that can be fixed.
  • the core film 21b is as described above.
  • the pressure-sensitive adhesive layers l ib are the same, and the pressure-sensitive adhesive layers 21a and 21c are the same as the pressure-sensitive adhesive layers l la and 11c described above.
  • the die sort sheet 20 is different in the surface on which the chip is temporarily attached and the surface on which the adhesive layer for fixing the chip is fixed, the keying of the adhesive layer 21 and the base film 22 (adhesion between the layers) Force) and surface properties required for temporary attachment of chips can be controlled to optimum conditions.
  • an adhesive layer 42a having the same shape is laminated on a support film 42b, and the adhesive A die sort sheet 40 in which a base film 41 is laminated at the center of the agent layer is also preferably used.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 42a is exposed on the outer peripheral portion 43 of the die sort sheet 40, and the base film 41 is exposed on the central portion 44 which is the inner side of the outer peripheral portion.
  • the adhesive layer 42a and the base film 41 have a larger diameter than the support film 42b, and the adhesive layer 42a is displayed on the outer peripheral portion on the lower surface side of the base film 41. It may be a configuration that has been taken out.
  • a general-purpose dicing tape 42 may be used, but is not limited thereto.
  • the base film 41 and the support film 42b can be appropriately selected from the same resin films as the base film 12.
  • the thickness of the base film 41 is preferably;! -200 m, more preferably 5-; 100 mm, and the thickness of the supporting finolem 42b is preferably 10-500 mm, more preferably 30- 300 m.
  • a preferable surface tension range of the surface on which the chip of the base film 41 is mounted is the same as that of the base film 12 described above.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 42a the same pressure-sensitive adhesive as that of the pressure-sensitive adhesive layer 11a is used.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 42a is preferably:! -100 ⁇ m, more preferably 3-80 ⁇ m.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 42a has a size such that the exposed portion can be fixed to the ring frame 50. That is, the size of the pressure-sensitive adhesive layer 42a to be exposed may be a size that can fix the pressure-sensitive adhesive layer 42a to the die sort sheet bonding planned surface 53 of the ring frame 50.
  • the outer diameter of the pressure-sensitive adhesive layer 42a only needs to be larger than the diameter of the portion 51. Further, the base film 41 for temporarily attaching the semiconductor chip is somewhat smaller than the inner diameter of the opening 51 of the ring frame 50.
  • a pressure-sensitive adhesive sheet comprising a support film 42b and a pressure-sensitive adhesive layer 42a is prepared, and a base film cut into a predetermined shape on the pressure-sensitive adhesive layer 42a. 41 is affixed. Next, the base film 41 and the pressure-sensitive adhesive layer 42a are laminated so that the surfaces on the side are covered with the release film. Subsequently, the support film 42b and the pressure-sensitive adhesive layer 42a are punched into a predetermined outer shape so as not to be punched from the support film 42b side to the release film.
  • a base film 41 is laminated on the pressure-sensitive adhesive layer 42a of the pressure-sensitive adhesive sheet comprising the support film 42b and the pressure-sensitive adhesive layer 42a, and then the base film 41 is placed so that the pressure-sensitive adhesive layer 42a is not punched out.
  • the outer peripheral portion is removed by punching into a predetermined shape.
  • the die sorting sheet 40 may be produced by laminating the release film and punching the outer shape in the same manner as described above.
  • a method for transferring a chip having an adhesive layer according to the present invention will be described.
  • a semiconductor wafer is used as a substrate
  • a method for transferring a semiconductor chip having an adhesive layer will be described.
  • the transfer method of the present invention is not limited to a semiconductor wafer, and a substrate such as a glass substrate may be used.
  • a case where the die sort sheet 10 illustrated in FIG. 2 is used as the die sort sheet will be described.
  • the above described misaligned die sort sheet may be used! /.
  • a semiconductor chip having the adhesive layer on the back surface is picked up by the base material force.
  • a dicing / die bonding adhesive sheet 60 composed of an adhesive layer 61 and a base material 62 is prepared.
  • the dicing / die-bonding adhesive sheet 60 has a structure in which an adhesive layer 61 is detachably laminated on a base material 62.
  • the adhesive layer 61 is used to protect the adhesive layer 61 until it is used in the present invention.
  • a release film may be laminated on the upper surface.
  • As the release film a general-purpose release film obtained by subjecting a film such as polyethylene terephthalate to release treatment with a release agent such as a silicone resin can be used.
  • the method for producing such a dicing die-bonding adhesive sheet 60 is not particularly limited.
  • the composition constituting the adhesive layer 61 may be applied and dried on the base material 62.
  • the adhesive layer 61 may be provided on the release film and transferred to the base material 62. May be manufactured.
  • a ring frame fixing pressure-sensitive adhesive sheet for fixing the ring frame is provided on the outer peripheral portion of the surface of the adhesive layer 61!
  • the dicing / die-bonding adhesive sheet 60 is fixed on the dicing apparatus by the ring frame 50, and one surface of the semiconductor wafer 70 is diced. It is placed on the adhesive layer 61 and lightly pressed to fix the semiconductor wafer 70.
  • the energy line is irradiated from the side of the base material 62 to increase the cohesive force of the adhesive layer 61, and the adhesive layer 61 and the base material 62 Reduce the adhesive strength between the two.
  • the energy beam irradiation may be performed after dicing, or may be performed after the following expanding step.
  • the semiconductor wafer 70 is cut for each circuit as shown in FIG.
  • the cutting depth at this time is set to a depth that takes into account the sum of the thickness of the semiconductor wafer 70 and the thickness of the adhesive layer 61 and the amount of wear of the dicing saw, and cuts the adhesive layer 61 together with the semiconductor wafer 70.
  • the dicing / die-bonding adhesive sheet 60 is expanded as necessary, the interval between the semiconductor chips is expanded, and the semiconductor chip 80 can be picked up more easily.
  • a deviation occurs between the adhesive layer 61 and the base material 62, the adhesive force between the adhesive layer 61 and the base material 62 decreases, and the pick-up property of the semiconductor chip 80 is improved. Up.
  • the cut adhesive layer 81 can be fixedly left on the back surface of the semiconductor chip 80 and peeled off from the substrate 62. That is, the semiconductor chip 80 having the adhesive layer 81 on the back surface is picked up.
  • the die sort sheet 10 fixed by the ring frame 50 through the pressure-sensitive adhesive layer 11 of the outer peripheral portion 13 is prepared.
  • the adhesive layer 81 of the picked-up semiconductor chip 80 is temporarily attached to the base film 12 exposed on the central portion 14 of the die sort sheet 10 (see FIG. 10).
  • Temporary semiconductor chip The deposition can be performed by using a normal die bonding apparatus. Since the adhesive layer 81 has a tack to such an extent that die bonding is possible, the semiconductor chip 80 should be bonded (temporarily attached) to the base film 12 exposed on the die sort sheet 10 so as not to fall off. Can do. If the temporary wearing state is unstable, a stable temporary wearing state can be obtained by resetting temporary wearing conditions (temperature, pressure, etc.). At this time, according to the present invention, since an arbitrary quantity of semiconductor chips 80 can be temporarily attached and stored, the desired quantity can be transferred to different places. Further, since the semiconductor chip 80 is temporarily attached to the base film 12 exposed on the die sort sheet 10, it is stably accommodated and transferred.
  • the die sort sheet 10 to which the semiconductor chip 80 is temporarily attached via the adhesive layer 81 is transferred to the next step.
  • Examples of the next process include a die bonding process.
  • a die bonding process unlike an adhesive tape such as a general-purpose dicing tape, since the adhesive layer is not provided in the region for accommodating the chip, even the semiconductor chip 80 having the adhesive layer 81 formed on the back surface can be used in the die bonding process. The adhesive layer 81 can be easily picked up again without deformation. Furthermore, since the adhesive layer 81 is not contaminated with the adhesive of the adhesive tape, a highly reliable semiconductor device can be manufactured.
  • the die sort sheet is not limited to the die sort sheet 10, and any of the die sort sheets 20 and 40 may be used.
  • the die sort sheet 20 is used, it is fixed with a ring frame 50 through an adhesive layer 21 on the outer peripheral portion 23 as shown in FIG.
  • the picked-up semiconductor chip 80 is temporarily attached to the base film 22 exposed in the central portion 24 of the die sort sheet 20 and transferred to the next process.
  • the die sort sheet 40 is used, it is fixed with a ring frame 50 through an adhesive layer 42a on the outer peripheral portion 43 as shown in FIG.
  • the picked-up semiconductor chip 80 is temporarily attached to the base film 41 exposed at the central portion 44 of the die sort sheet 40 and transferred to the next step.
  • an inspection process for confirming the operation of the diced semiconductor chip 80 may be performed before temporarily attaching the semiconductor chip 80 to the die sort tape. Only the semiconductor chip 80 determined to be non-defective by this inspection may be picked up together with the adhesive layer 81, and temporarily attached and accommodated on a die sort tape. Thereby, only good products can be used in the next step.
  • the adhesive layer 81 of the plurality of picked-up semiconductor chips 80 is provided on the base film 12 exposed on the die sorting sheet 10, and the chip detecting camera of the pick-up device places individual chips. They may be temporarily attached so that they can be recognized. In this case, the expansion process for separating the chips in the next process is unnecessary, and re-pickup can be performed more easily.
  • the spacing is preferably about 50 m to 1 mm depending on the chip size, camera accuracy, and magnification.
  • a cleaning step may be performed prior to the die bonding step or the like in order to remove dust (contamination) adhering during storage and transfer.
  • the semiconductor chip 80 is temporarily attached to the die sort sheet 10, there is an advantage that it can be cleaned as it is.
  • Acrylic copolymer based on butyl acrylate (Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., Coponil N-3327) 100 parts by weight of aromatic polyisocyanate (Nihon Polyurethane Industry Co., Ltd. Coronate U Two parts and 50 parts of toluene were added to prepare an adhesive solution a.
  • Acrylic copolymer based on butyl acrylate (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., SK Dyne 1811U, 100 parts by weight of aromatic polyisocyanate (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., Ding 0-75) ) 5 parts and 30 parts of toluene were added to prepare an adhesive solution b.
  • the pressure-sensitive adhesive solution a was applied onto a silicone-treated release film (SP-PET3811 (S) manufactured by Lintec Corporation) and dried (100 ° C for 1 minute in an oven). In this way, an adhesive layer A having a thickness of 10 ⁇ was produced. Further, using the above-mentioned pressure-sensitive adhesive solution b, a pressure-sensitive adhesive layer B having a thickness of 10 m was produced on the release film in the same manner as described above.
  • the pressure-sensitive adhesive layer A was transferred to one side.
  • transfer adhesive layer B was transferred to the other side.
  • the resulting double-sided PSA sheet was punched out (inside) with a diameter of 165 mm.
  • a low-density polyethylene film (thickness 100 am, surface tension 31 mN / m and 40 mN / m) was used as the base film, and the adhesive layer B side of the double-sided pressure-sensitive adhesive sheet was placed on the low surface tension side of the base film. Affixed and punched (outside) with a diameter of 207 mm. At this time, a die sorting sheet of the type shown in Fig. 2 was obtained so that the circle obtained by the inner punching and the circle obtained by the outer punching were concentric.
  • a semiconductor chip (5 mm x 5 mm size) with a thickness of 10 mm was prepared.
  • a semiconductor chip with an adhesive layer was picked up using a die bonding apparatus.
  • the die sort sheet was fixed with a ring frame through an adhesive layer on the outer periphery.
  • the picked-up semiconductor chip was temporarily attached to the base film exposed on the die sort sheet via an adhesive layer (see FIG. 10).
  • a total of 100 semiconductor chips were temporarily attached by being arranged in a lattice pattern so as to be spaced apart from each other by about 300 ⁇ .
  • the spin cleaning machine (Disco wafer grinding device, DFD651 internal unit) was used to wash the water for 1 minute at a rotational speed of 3000 rpm. The presence or absence of jumping was confirmed. Subsequently, a semiconductor chip with 10 adhesive layers was picked up from the sheet for die sorting using a die bonding apparatus by pushing up with 4 needles. At this time, the suction collet could not hold the semiconductor chip by suction, and it was left on the die sort sheet, or the missing one was regarded as a pickup failure, and this number was confirmed. In addition, it was confirmed whether or not the die sort sheet was dropped from the ring frame that occurred during temporary pick-up on the die sort sheet. The results are shown in Table 1.
  • a sheet for die sorting was obtained in the same manner as in Example 1 except that an ethylene-methyl methacrylate copolymer film (thickness 80 Hm, surface tension 33 mN / m and 40 mN / m) was used as the base film. [0077] Further, in the same manner as in Example 1, a semiconductor chip was transferred using the obtained die sort sheet, and chip fly and the like were evaluated. The results are shown in Table 1.
  • a die sort sheet of the type shown in FIG. 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that a double-sided PSA sheet was attached to the surface of the base film on the high surface tension side.
  • the above adhesive solution a is treated with a silicone-treated release film (Lintec Corporation, SP
  • An ethylene-methyl methacrylate copolymer film (thickness 100 am, surface tension 33 mN / m and 40 mN / m) was used as the base film, and the adhesive tape adhesive was used on the high surface tension side of the base film. Layer A side was bonded. Next, a punching process (inside) with a diameter of 165 mm was performed so as to cut only the base film, and the outer peripheral portion was removed. Further, a release film was laminated on the surface of the exposed pressure-sensitive adhesive layer A and the base film, and the support film and pressure-sensitive adhesive layer A were punched out (outside) with a diameter of 207 mm. At this time, a die sort sheet of the type shown in FIG. 5 was obtained so that the circle obtained by the inner punching and the circle obtained by the outer punching were concentric.
  • Example 1 Further, in the same manner as in Example 1, the obtained die sort sheet was used to transfer a semiconductor chip (see FIG. 11), and chip fly and the like were evaluated. The results are shown in Table 1.
  • the semiconductor chip was transferred in the same manner as in Example 1 except that a re-peeling adhesive type general-purpose dicing tape (Adwill G-19 manufactured by Lintec Corporation) was used instead of the die sort sheet.
  • a re-peeling adhesive type general-purpose dicing tape Adwill G-19 manufactured by Lintec Corporation
  • a UV curable adhesive type general-purpose dicing tape (Adwill D-175, manufactured by Lintec Co., Ltd.) was applied to the ring frame, and the adhesive layer was cured by UV irradiation.
  • Example 1 Further, in the same manner as in Example 1, the semiconductor chip was transferred using the general-purpose dicing tape after the ultraviolet irradiation, and chip fly and the like were evaluated. The results are shown in Table 1.

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Description

明 細 書
ダイソート用シートおよび接着剤層を有するチップの移送方法
技術分野
[0001] 本発明は、ダイソート用シートおよび接着剤層を有するチップの移送方法に関する
。より詳しくは、本発明は、接着剤層を有するチップを仮着するダイソート用シート、お よび該ダイソート用シートにより接着剤層を有するチップを移送する方法に関する。 背景技術
[0002] 半導体装置の製造工程の一つに、所要の前処理を経て回路が形成された半導体 ウェハを複数個のチップに切断分離するダイシング工程がある。この工程では、リン グフレームと呼ばれる円形または方形の枠に、半導体ウェハ固定用のダイシンダシー トを貼着し、このダイシングシートに半導体ウェハを貼付し、回路毎にダイシングし、 半導体チップとする。その後、ボンディングマシンによるエキスパンド工程に続いて、 たとえばエポキシ樹脂等のダイボンド用接着剤をチップ用基板のパッド部に塗布して 、半導体チップをチップ用基板に接着するダイボンディング工程が行われる。さらに、 ワイヤボンディング工程や検査工程などを経て、最終的にモールディング工程で樹 脂封止を行い、半導体装置が製造される。
[0003] 一方、個片化された半導体チップをダイボンドせずに、収容'搬送することもある。
なお、この場合はアウトラインにてダイボンディング工程が行われる。
[0004] このような半導体チップの収容 ·搬送には、熱可塑性樹脂シートにポケット状凹部を エンボス加工により形成した、リール状のエンボスキャリアテープやチップトレイなどが 用いられている。この凹部に半導体チップを収容後、カバーシートで被覆して、半導 体チップを電子装置に組み込むまで保管 ·搬送する。このようなエンボスキャリアテー プを用いる事によりダイシング工程後、良品のみを選り分けて出荷することができ、更 に 1枚の半導体ウェハから複数の工場への出荷も可能となる。
[0005] しかしながら、半導体装置ではホコリ '汚れなどが不具合を起こす原因となるため、 半導体チップが搬送された場所で、これを使用する前に水洗浄することもある。ェン ボスキャリアテープを用いたときは、再度ダイシングテープなどに固定し洗浄する必 要があるため、大変非効率的である。
[0006] これに対して、熱剥離テープや汎用ダイシングテープなどの粘着テープを用いて 半導体チップをマウントし、半導体チップを収容'搬送するとレ、う手法も用いられて!/、 る(特許文献 1)。この場合は、粘着テープの粘着剤層に半導体チップが貼付され、 保管 '搬送される。
[0007] このようなエンボスキャリアテープまたは汎用ダイシングテープなどを利用した半導 体チップの収容'搬送方法は、上述したように、ダイボンディング工程前、すなわち、 裏面に接着剤が塗布されてレ、なレ、半導体チップに対して用いられてレ、た。
[0008] これに対して、近年ダイボンディング時に接着剤の塗布作業を行なうのは極めて煩 雑であるため、ウェハ固定用感圧接着剤とダイボンド用接着剤とを兼用する性能を有 する接着剤層を備えたダイシングシートが開発されている (たとえば特許文献 2参照) 。この接着剤層は、ダイシング工程に先立ちウェハ裏面に貼付され、ウェハとともにチ ップサイズにダイシングされ、さらに、チップをピックアップすることによりチップの裏面 に当該接着剤層を有する構造となる。
特許文献 1 :特開 2000— 95291号公報
特許文献 2:特開平 2— 32181号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0009] しかしながら、この用途に用いられる接着剤としては、ダイシング工程でウェハ(チッ プ)を固定できるようにある程度のタック(付着性)を有して!/、る。このような裏面にタツ クを有する半導体チップをエンボスキャリアへ収容した場合、該タックにより半導体チ ップがエンボスキャリアへ付着する。このため、次工程で、凹部から半導体チップを取 り出すことは困難であり、さらに取り出した場合も、チップ裏面の接着剤層が変形して V、るとレ、う問題があった。このような半導体チップを用いて製造された半導体装置で は高い信頼性は得られない。
[0010] また、上記半導体チップを別の汎用ダイシングテープに収容する場合は、このダイ シングテープの粘着剤に半導体チップの接着剤層が固着してしまい、次工程でのピ ックアップが困難になるという問題があった。また、ピックアップする際に、ダイシング テープの粘着剤がチップ裏面の接着剤層に付着して汚染することがある。したがって 、この場合も製造された半導体装置の信頼性は低下する。
[0011] なお、上記のような問題は、半導体ウェハから得られるチップに限られず、例えば光 学素子チップなどあらゆるチップ状物品においても懸念される。
[0012] したがって、本発明の目的は、裏面にタックを有する接着剤層を有するチップであ つても、安定した状態で収容および移送できるダイソート用シート、ならびに、該ダイ ソート用シートにより接着剤層を有するチップを安定した状態で収容および移送でき る方法を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0013] 本発明者らは鋭意研究した結果、特定のダイソート用シートにより上記課題を解決 できることを見出し、本発明を完成するに至った。
[0014] すなわち、本発明に係るダイソート用シートは、
接着剤層を有するチップを仮着するダイソート用シートであって、
上記ダイソート用シートの外周部に粘着剤層が表出され、上記外周部の内側であ る央部に基材フィルムが表出されてなることを特徴とする。
[0015] 上記ダイソート用シートは、基材フィルムの外周部に粘着剤層を積層してなることが 好ましい。
[0016] また、上記ダイソート用シートは、支持フィルム上に同形の粘着剤層を積層し、該粘 着剤層の央部に基材フィルムを積層してなること力 S好ましレ、。
[0017] 本発明に係る接着剤層を有するチップの移送方法は、
基板の一方の面に、接着剤層と基材とからなるダイシング 'ダイボンド兼用接着シー トを貼付し、
上記基板をチップ毎に、上記接着剤層とともにフルカットダイシングを行い、 裏面に上記接着剤層を有するチップを上記基材からピックアップし、
別途、上記外周部の粘着剤層を介して枠体で固定されている上記ダイソート用シ ートを用意し、
上記ピックアップされたチップの接着剤層を、上記ダイソート用シートに表出される 基材フィルムに仮着し、 上記接着剤層を介して上記チップが仮着されたダイソート用シートを次工程に移送 すること
を特徴とする。
[0018] 上記接着剤層を有するチップの移送方法は、複数の上記ピックアップされたチップ の接着剤層を、上記ダイソート用シートに表出される基材フィルムに互いに離間する ように仮着することが好まし!/、。
発明の効果
[0019] 本発明のダイソート用シートを用いた、接着剤層を有するチップの移送方法によれ ば、接着剤層を有するチップであっても、安定した状態で収容および移送できる。収 容および移送後の次工程において、ダイソート用シートに仮着したチップを再びピッ クアップする際も、チップの接着剤層は汚染されず、変形しない。このため、再びピッ クアップされたチップを用いれば、信頼性の高レ、半導体装置が得られる。
図面の簡単な説明
[0020] [図 1]図 1は、本発明のダイソート用シートの斜視図である。
[図 2]図 2は、図 1の X— X線断面図である。
[図 3]図 3は、本発明のダイソート用シートの断面図である。
[図 4]図 4は、本発明のダイソート用シートの斜視図である。
[図 5]図 5は、図 4の Y— Y泉断面図である。
[図 6]図 6は、リングフレームの斜視図である。
[図 7]図 7は、本発明の接着剤層を有するチップの移送方法を説明するための図であ
[図 8]図 8は、本発明の接着剤層を有するチップの移送方法を説明するための図であ
[図 9]図 9は、本発明の接着剤層を有するチップの移送方法を説明するための図であ
[図 10]図 10は、本発明の接着剤層を有するチップの移送方法を説明するための図 である。
[図 11]図 11は、本発明の接着剤層を有するチップの移送方法を説明するための図 である。
園 12]図 12は、本発明の接着剤層を有するチップの移送方法を説明するための図 である。
符号の説明
10: ダイソート用シ-ート
11: 粘着剤層
11a: 粘着剤層
lib: 芯材フィルム
11c: 粘着剤層
12: 基材フイノレム
13: 外周部
14: 央部
20: ダイソート用シ -卜
21: 粘着剤層
21a: 粘着剤層
21b: 芯材フィルム
21c: 粘着剤層
22: 基材フイノレム
23: 外周部
24: 央部
40: ダイソート用シ -卜
41: 基材フィルム
42a: 粘着剤層
42b: 支持フィルム
42: 汎用ダイシングシ
43: 外周部
44: 央部
50: リングフレーム 51 : 開口部
52 : 平坦切欠部
53 : ダイソート用シート接着予定面
60 : ダイシング 'ダイボンド兼用接着シート
61 : 接着剤層
62 : 基材
70 : 半導体ウエノ、
80 : 半導体チップ
81 : 切断された接着剤層
発明を実施するための最良の形態
[0022] 以下、本発明について具体的に説明する。
[0023] 〔ダイソート用シート〕
本発明に係るダイソート用シートは、接着剤層を有するチップを移送等するために 仮着するダイソート用シートであって、上記ダイソート用シートの外周部に粘着剤層が 表出され、上記外周部の内側である央部に基材フイルムが表出されてなることを特徴 とする。
[0024] 上記ダイソート用シートとして、具体的には、図 1に斜視図、図 2に断面図を示すよう に、基材フィルム 12の外周部に粘着剤層 11を積層してなるダイソート用シート 10が 好適に用いられる。このように、ダイソート用シート 10の外周部 13に粘着剤層 11が表 出され、上記外周部の内側である央部 14に基材フィルム 12が表出されている。
[0025] 基材フィルム 12としては、特に限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ 塩化ビュル、エチレン酢酸ビュル共重合体、エチレン (メタ)アクリル酸共重合体、ェ チレン(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリウ レタンフィルムなどの樹脂フィルムが用いられる。
[0026] 基材フィルム 12の厚さは、好ましくは 10〜 000〃 m、より好ましくは 20〜800〃 m である。
[0027] また、基材フィルム 12のチップを搭載する側の面の表面張力は、好ましくは 40mN /m以下、より好ましくは 35mN/m以下であることが望ましい。また、上記表面張力 は、好ましくは 20mN/m以上であることが望ましい。本発明のダイソート用シート 10 を使用するときは、基材フィルム上に、接着剤層が形成されたチップを該接着剤層を 介して仮着する。上記表面張力を有する基材フィルムであれば、安定してチップを収 容-移送できる。また、このような基材フィルムを用いると、半導体チップの接着剤層と の剥離性が向上し、次工程での再ピックアップが行いやすくなる。さらに、基材フィル ムが接着剤層を完全に覆っているため接着剤層が汚染されないこと、また剥離性が 向上しているので剥離操作による接着剤層の変形が起きないことにより、信頼性の高 い半導体装置が製造できる。
[0028] 表面張力が上記範囲にある基材フィルム 12は、材質を適宜に選択して得られ、ま た、樹脂フィルムの表面にシリコーン樹脂等を塗布する離型処理によっても得られる
[0029] 粘着剤層 11は、例えば図 2に示すように、芯材フィルム l ibの両面に粘着剤層 11a 、 11cを設けた両面粘着シートで形成される。このような両面粘着シートは、粘着剤層 11 aでリングフレーム 50に貼着し固定されるとともに、粘着剤層 11cで基材フィルム 1 2と接着一体化される。チップの収容、移送あるいはピックアップの操作で必要とされ る接着力がそれぞれ異なるため、上記両面粘着シートを用いれば、それぞれ最適な 接着力を有する粘着剤層(粘着剤層 l la、 11c)を選択できる利点がある。
[0030] また、粘着剤層 11は、本発明の移送方法に用いられるリングフレーム 50に固定可 能な大きさを有する。リングフレーム 50は、通常金属製またはプラスチック製の成形 体であり、リングフレーム 50の開口部 51の内径寸法は、半導体チップを仮着するた めの、基材フィルムが表出した央部よりも幾分大きいことはいうまでもない(図 6参照) 。またリングフレーム 50の外周の一部にはガイド用の平坦切欠部 52が形成されてい る。なお、後述するように、本発明の移送方法において、このリングフレーム 50は、下 面がダイソート用シート 10の粘着剤層 11に貼付される(図 10参照)。本明細書にお いて、粘着剤層 11に貼付される面を「ダイソート用シート接着予定面 53」という。粘着 剤層 11の大きさの説明に戻ると、粘着剤層 11の大きさは、粘着剤層 1 1をリングフレ ーム 50のダイソート用シート接着予定面 53に固定できる程度の大きさであればよぐ 具体的には、開口部 51の径よりも、粘着剤層 11の外径が大きければよい。 [0031] 芯材フィルム l ibとしては、基材フィルム 12と同様の樹脂フィルムが使用可能であり 、ポリエチレンテレフタレートフィルムのような比較的剛性の高いフィルムを用いれば、 ダイソート用シート 10の製造時の寸法安定性が良好となるため好ましい。
[0032] 芯材フィルム l ibの厚さは、好ましくは10〜500〃01、より好ましくは 30〜200〃 m である。
[0033] 粘着剤層 l la、 1 1cは、たとえば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系 粘着剤、ェマルジヨン系粘着剤などから形成される。これらのうちで、アクリル系粘着 剤が好ましい。粘着剤層 l la、 11cは同じ粘着剤で形成されていてもよいが、基材フ イルム 12に面する側の粘着剤層 11cが強粘着性を有する粘着剤からなり、リングフレ ーム 50に面する側の粘着剤層 11 aが再剥離性を示す粘着剤からなる構成が好まし い。
[0034] 粘着剤層 l la、 1 1cの厚さは、それぞれ好ましくは;!〜 100 m、より好ましくは 3〜
80 μ mである。
[0035] 本発明のダイソート用シート 10は、たとえば、以下のようにして製造される。
[0036] まず、粘着剤層 11を形成する両面粘着シートは、その両面にシリコーン系剥離剤 等で処理が施された剥離フィルムが積層された形で準備しておく。粘着剤層 l la、 1 lcが異なる粘着剤からなる両面粘着シートを用いる場合は、軽剥離タイプの剥離フィ ルムは先に剥離されるので、基材フィルム 12に積層する粘着剤層 11 cの表面に軽剥 離タイプの剥離フィルムを積層し、リングフレーム 50に貼付する粘着剤層 11aの表面 に重剥離タイプの剥離フィルムを積層しておく。このように、軽剥離タイプ ·重剥離タイ プのように剥離差を付けて構成すれば、ダイソート用シート 10の作製時の作業性が 向上できる。
[0037] 次に、粘着剤層 11は基材フィルム 12に積層される前に、打ち抜き等の手段で略円 形に切断除去する。このとき、粘着剤層 11および軽剥離タイプの剥離フィルムのみを 打ち抜き、重剥離タイプの剥離フィルムは完全に打ち抜かないようにすれば、重剥離 タイプの剥離フィルムが粘着剤層 11のキャリアとなる。これにより、その後の加工も roll -to-rollで連続して fiえるので好まし!/、。
[0038] 続!/、て、残りの軽剥離タイプの剥離フィルムと打ち抜かれた粘着剤層 11の内側円 形部分を剥離し除去しながら基材フィルム 12に積層する。
[0039] 次いで、粘着剤層 11の切断除去された部分と略同心円状に、かつ貼付するリング フレーム 50の径に合わせて粘着剤層 11の外周を打ち抜く。このときも重剥離タイプ の剥離フィルムのみは打ち抜かないようにしておくことが好ましい。すなわち、図 1、 2 に示す構成において、予め基材フィルム 12および粘着剤層 11をリングフレーム 50の 径に合わせて外周も切断除去しておく。予めリングフレーム 50と同形状にカットする ことにより、リングフレーム 50にダイソート用シート 10を貼付する際、カッターでダイソ ート用シート 10を切除する工程を行わずに済む。このようにしてダイソート用シート 10 が得られる。
[0040] また、後述する本発明の移送方法においては、図 6に示すリングフレーム 50に限定 されず、従来用いられている種々の形状の枠体が用いられる。したがって、本発明の ダイソート用シートも、図 1、 2に示す形状に限定されず、上記枠体に対応する形状で あってもよい。たとえば、枠体が方形であるときは、ダイソート用シートも方形であって もよい。さらに、ダイソート用シート 10の央部 14すなわち除去された粘着剤層 11の形 状も任意に変更できる。
[0041] また、上記粘着剤層は、芯材フィルムを有さない 1層または 2層の粘着剤からなるも のであってもよい。芯材フィルムがない場合は、粘着剤層の厚みを薄くすることができ るのでダイソート用シートの厚みの段差が小さぐロール状態で保管した後の巻き跡 がっきにくいという利点を有する。
[0042] また、図 3に示すように、図 2に例示するダイソート用シート 10とは逆に、基材フィノレ ム 22の下面に粘着剤層 21が積層されたダイソート用シート 20が用いられても良い。 すなわち、ダイソート用シート 20の下面側外周部 23に粘着剤層 21が表出し、上面側 でその央部 24に基材フィルム 22が表出する(図 3参照)。後述するように、この場合 は、基材フィルム 24の上面が半導体チップ 80を仮着収容する面である(図 11参照)
[0043] また、粘着剤層 21は、芯材フィルム 21bの両面に粘着剤層 21a、 21cを設けた両面 粘着シートであり、ダイソート用シート 10の場合と同様に、本発明の移送方法に用い られるリングフレーム 50に固定可能な大きさを有する。芯材フィルム 21bは上述した 粘着剤層 l ibと同様であり、粘着剤層 21a、 21cは上述した粘着剤層 l la、 11cと同 様である。
[0044] ダイソート用シート 20は、チップを仮着する面とリングフレームに固定するための粘 着剤層が設けられる面が異なるため、粘着剤層 21と基材フィルム 22のキーイング( 層間の密着力)やチップを仮着するために必要な表面物性を、それぞれ最適な状態 に制御することが可能となる。
[0045] また、上記ダイソート用シートとして、具体的には、図 4に斜視図、図 5に断面図を示 すように、支持フィルム 42b上に同形の粘着剤層 42aを積層し、該粘着剤層の央部 に基材フィルム 41を積層してなるダイソート用シート 40も好適に用いられる。このよう に、ダイソート用シート 40の外周部 43に粘着剤層 42aが表出され、上記外周部の内 側である央部 44に基材フィルム 41が表出されている。また、図 5と同じ積層順であつ て、支持フィルム 42bよりも粘着剤層 42aおよび基材フィルム 41が大径であり、粘着 剤層 42aが基材フィルムの 41の下面側の外周部に表出した構成であってもよい。
[0046] また、支持フィルム 42bおよび粘着剤層 42aとしては、汎用ダイシングテープ 42を 用いてもよいが、これに限られない。
[0047] 基材フィルム 41及び支持フィルム 42bとしては、上記基材フィルム 12と同様の樹脂 フィルムから適宜選択できる。基材フィルム 41の厚さは、好ましくは;!〜 200 m、より 好ましくは 5〜; 100〃 mであり、支持フイノレム 42bの厚さは、好ましくは 10〜500〃 m、 より好ましくは 30〜300 mである。基材フィルム 41のチップを搭載する側の面の好 ましい表面張力の範囲は、上記基材フィルム 12と同様である。
[0048] 粘着剤層 42aとしては、上記粘着剤層 11aと同様の粘着剤が用いられる。粘着剤 層 42aの厚さは、好ましくは;!〜 100 μ m、より好ましくは 3〜80 μ mである。
[0049] また、粘着剤層 42aは、表出する部分がリングフレーム 50に固定可能な大きさを有 する。すなわち、表出する部分の粘着剤層 42aの大きさは、粘着剤層 42aをリングフ レーム 50のダイソート用シート接着予定面 53に固定できる程度の大きさであればよく 、具体的には、開口部 51の径よりも、粘着剤層 42aの外径が大きければよい。また、 半導体チップを仮着するための基材フィルム 41は、リングフレーム 50の開口部 51の 内径寸法よりも幾分小さい。 [0050] このようなダイソート用シート 40の製造方法としては、まず、支持フィルム 42bと粘着 剤層 42aよりなる粘着シートを用意し、粘着剤層 42a上に所定の形状にカットされた 基材フィルム 41を貼付する。次に、基材フィルム 41及び粘着剤層 42aの側の面を剥 離フィルムで覆うように積層する。続いて、支持フィルム 42b側より剥離フィルムまで打 ち抜かないようにして支持フィルム 42b及び粘着剤層 42aを所定の外形に打ち抜き、 作成される。
[0051] また、支持フィルム 42bと粘着剤層 42aよりなる粘着シートの粘着剤層 42a上に基 材フィルム 41を積層し、次に、粘着剤層 42aが打ち抜かれないように基材フィルム 41 を所定の形状に打ち抜き外周部分を除去する。続いて、剥離フィルムの積層と外形 の打ち抜きを上記と同様に行うことでダイソート用シート 40を作製してもよい。
[0052] 〔接着剤層を有するチップの移送方法〕
以下、本発明の接着剤層を有するチップの移送方法を説明するが、基板として半 導体ウェハを用いた場合、すなわち、接着剤層を有する半導体チップの移送方法に ついて述べる。なお、本発明の移送方法には、半導体ウェハに限られず、ガラス基板 などの基板を用いてもよい。また、ダイソート用シートとして図 2に例示するダイソート 用シート 10を用いた場合について説明する。なお、本発明の接着剤層を有するチッ プの移送方法では、上述したレ、ずれのダイソート用シートを用いてもよ!/、。
[0053] 接着剤層を有する半導体チップの移送方法では、まず、半導体ウェハの裏面に、 接着剤層と基材とからなるダイシング 'ダイボンド兼用接着シートを貼付し、
上記半導体ウェハをチップ毎に、上記接着剤層とともにフルカットダイシングを行い
、裏面に上記接着剤層を有する半導体チップを上記基材力 ピックアップする。
[0054] 具体的には、まず、図 7に示すように、接着剤層 61と基材 62とからなるダイシング- ダィボンド兼用接着シート 60を用意する。このダイシング 'ダイボンド兼用接着シート 60は、基材 62上に接着剤層 61が剥離可能に積層された構成であり、本発明に用い るまで、接着剤層 61を保護するために接着剤層 61の上面に剥離フィルムを積層して おいてもよい。剥離フィルムとしてはポリエチレンテレフタレート等のフィルムにシリコ ーン樹脂等の剥離剤で剥離処理を施した汎用の剥離フィルムが使用可能である。
[0055] このようなダイシング 'ダイボンド兼用接着シート 60の製造方法は、特に限定されず 、基材 62上に、接着剤層 61を構成する組成物を塗布乾燥することで製造してもよく 、また接着剤層 61を剥離フィルム上に設け、これを基材 62に転写することで製造し てもよい。また、接着剤層 61の表面外周部には、リングフレームを固定するためのリ ングフレーム固定用粘着シートが設けられて!/、てもよ!/、。
[0056] 次いで、図 8に示すように、ダイシング 'ダイボンド兼用接着シート 60をダイシング装 置上に、リングフレーム 50により固定し、半導体ウェハ 70の一方の面をダイシング.ダ ィボンド兼用接着シート 60の接着剤層 61上に載置し、軽く押圧し、半導体ウェハ 70 を固定する。
[0057] その後、接着剤層 61がエネルギー線硬化性を有する場合には、基材 62側からェ ネルギ一線を照射し、接着剤層 61の凝集力を上げ、接着剤層 61と基材 62との間の 接着力を低下させておく。なお、エネルギー線照射は、ダイシングの後に行ってもよく 、また下記のエキスパンド工程の後に行ってもよい。
[0058] 次いで、ダイシングソ一などの切断手段を用いて、図 9に示すように、半導体ウェハ 70を回路毎に切断し半導体チップ 80を得る。この際の切断深さは、半導体ウェハ 70 の厚みと、接着剤層 61の厚みとの合計およびダイシングソ一の磨耗分を加味した深 さにし、半導体ウェハ 70とともに接着剤層 61も切断する。
[0059] 次いで、必要に応じ、ダイシング 'ダイボンド兼用接着シート 60のエキスパンドを行 うと、半導体チップ間隔が拡張し、半導体チップ 80のピックアップをさらに容易に行え るようになる。この際、接着剤層 61と基材 62との間にずれが発生することになり、接 着剤層 61と基材 62との間の接着力が減少し、半導体チップ 80のピックアップ性が向 上する。
[0060] このようにして半導体チップ 80のピックアップを行うと、切断された接着剤層 81を半 導体チップ 80裏面に固着残存させて基材 62から剥離することができる。すなわち、 裏面に接着剤層 81を有する半導体チップ 80がピックアップされる。
[0061] 次に、上記とは別に、上記外周部 13の粘着剤層 11を介してリングフレーム 50で固 定されているダイソート用シート 10を用意する。
[0062] 次に、上記ピックアップされた半導体チップ 80の接着剤層 81を、ダイソート用シート 10の央部 14に表出した基材フィルム 12に仮着する(図 10参照)。半導体チップの仮 着は、通常のダイボンド装置を使用により行うことができる。接着剤層 81はダイボンド が可能な程度にはタックを有しているので、半導体チップ 80は、ダイソート用シート 1 0に表出した基材フィルム 12に脱落しない程度に接着(仮着)することができる。仮着 の状態が不安定である場合は、仮着条件 (温度、圧力など)を設定し直すことで安定 な仮着状態にすることができる。このとき、本発明によれば、任意数量の半導体チッ プ 80を仮着して収納できるため、所望の数量ごと、異なる場所に移送することができ る。また、半導体チップ 80は、ダイソート用シート 10に表出した基材フィルム 12に仮 着されているため安定して収容 ·移送される。
[0063] 次に、接着剤層 81を介して半導体チップ 80が仮着されたダイソート用シート 10を 次工程に移送する。
[0064] 次工程としては、ダイボンド工程などが挙げられる。本発明によれば、汎用ダイシン グテープ等の粘着テープと異なりチップを収容する領域に粘着剤層を有しないため 、裏面に接着剤層 81が形成された半導体チップ 80であっても、ダイボンド工程では 、接着剤層 81が変形することなく容易に再びピックアップできる。さらに、接着剤層 8 1が粘着テープの粘着剤で汚染されないため、信頼性の高い半導体装置が製造で きる。
[0065] また、上記ダイソート用シートとして、ダイソート用シート 10に限られず、ダイソート用 シート 20、 40のいずれを用いてもよい。ダイソート用シート 20を用いる場合は、図 11 に示すように、外周部 23の粘着剤層 21を介してリングフレーム 50で固定しておく。 次いで、ピックアップされた半導体チップ 80をダイソート用シート 20の央部 24に表出 される基材フィルム 22に仮着し、次工程に移送する。また、ダイソート用シート 40を用 いる場合は、図 12に示すように、外周部 43の粘着剤層 42aを介してリングフレーム 5 0で固定しておく。次いで、ピックアップされた半導体チップ 80をダイソート用シート 4 0の央部 44に表出される基材フィルム 41に仮着し、次工程に移送する。
[0066] また、半導体チップ 80をダイソート用テープに仮着する前に、ダイシングされた半 導体チップ 80の動作を確認する検査工程を行ってもよい。この検査によって良品と 判断された半導体チップ 80のみを接着剤層 81とともにピックアップし、ダイソート用テ 一プに仮着、収容してもよい。これにより、良品のみを次工程で用いることができる。 [0067] また、複数の上記ピックアップされた半導体チップ 80の接着剤層 81を、ダイソート 用シート 10に表出した基材フィルム 12に、ピックアップ用装置のチップ検出用のカメ ラが個別のチップを認識可能となる程度に、互いに離間するように仮着してもよい。こ の場合は、次工程でチップを離間させるためのエキスパンド処理が不要となり、さらに 容易に再ピックアップできる。離間する間隔は、チップサイズやカメラの精度、倍率に もよる力 50 m〜 lmm程度とすることが好ましい。
[0068] また、次工程として、ダイボンド工程などに先立って、保管、移送中に付着するゴミ ( コンタミ)を除去するため、洗浄工程が行われてもよい。本発明においては、半導体 チップ 80はダイソート用シート 10に仮着されているため、そのまま洗浄できる利点が ある。
[0069] [実施例]
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの 実施例に限定されるものではない。
[0070] (実施例 1)
〔ダイソート用シートの製造〕
ブチルアタリレートを主成分としたアクリル共重合体(日本合成化学工業株式会社 製、コーポニール N— 3327) 100重量部に対して、芳香族性ポリイソシアナート(日 本ポリウレタン工業株式会社製コロネート U 2部、トルエン 50部を加えて粘着剤溶液 aを調製した。
[0071] ブチルアタリレートを主成分としたアクリル共重合体 (綜研化学株式会社製、 SKダ イン 1811U 100重量部に対して、芳香族性ポリイソシアナート(綜研化学株式会社 製、丁0— 75) 5部、トルエン 30部を加えて粘着剤溶液 bを調製した。
[0072] 上記粘着剤溶液 aをシリコーン処理された剥離フィルム(リンテック株式会社製、 SP — PET3811 (S) )上に塗布し、乾燥 (オーブンにて 100°C1分間)した。このようにし て厚み 10 πιの粘着剤層 Aを作製した。また、上記粘着剤溶液 bを用いて、上記と 同様にして剥離フィルム上に厚み 10 mの粘着剤層 Bを作製した。
[0073] 次!/、で、芯材フィルムとしてエチレンーメタクリル酸共重合体フィルム(厚み 90 H m) を用い、この片面に粘着剤層 Aを転写した。次いでもう一方の面に粘着剤層 Bを転写 し、両面粘着シートを得た。得られた両面粘着シートに対し、直径 165mmの抜き加 ェ(内側)を行った。
[0074] 基材フィルムとして低密度ポリエチレンフィルム(厚み 100 a m、表面張力 31mN/m 及び 40mN/m)を用い、基材フィルムの低表面張力側の面に両面粘着シートの粘着 剤層 B側を貼付し、直径 207mmの抜き加工(外側)を行った。このとき、内側の抜き 加工で得られる円と外側の抜き加工で得られる円とが同心円となるようにして、図 2の タイプのダイソート用シートを得た。
〔半導体チップの移送〕
接着剤層がタックを有するダイシング 'ダイボンド兼用接着シート(リンテック製 Adwi 11 LE5000)上に半導体ウェハ(ダミーウエノ、、直径 200mm)を貼付し、接着剤層ご とウェハをダイシングし、裏面に接着剤層を有する半導体チップ(5mm X 5mmサイズ) を用意した。ダイボンド装置を用いて接着剤層付きの半導体チップをピックアップした 。次いで、上記ダイソート用シートを外周部の粘着剤層を介してリングフレームで固定 した。上記ピックアップされた半導体チップを上記ダイソート用シートに表出した基材 フィルムに接着剤層を介して仮着した(図 10参照)。合計 100個の半導体チップを互 いに 300 πι程度の間隔で離間するように格子状に配列して仮着した。
[0075] この状態で、 25°Cで 12時間保管した後、スピン洗浄機 (ディスコ社製ウェハ研削装 置、 DFD651内ユニット)により回転数 3000rpmで 1分の水洗浄を行い、この時のチッ プ飛びの有無を確認した。続いて、ダイボンド装置を用いてダイソート用シートから 1 0個の接着剤層付きの半導体チップのピックアップを 4本ニードルによる突き上げによ り行った。この時、吸着コレットが半導体チップを吸着保持できずダイソート用シート に残着したり、取りこぼしたものをピックアップ不良とし、この数を確認した。また、ダイ ソート用シートへの仮着からピックアップの間に発生するダイソート用シートのリングフ レームからの脱落の有無を確認した。結果を表 1に示す。
[0076] (実施例 2)
基材フィルムとしてエチレンーメタクリル酸メチル共重合体フィルム(厚み 80 H m、 表面張力 33mN/m及び 40mN/m)を用いた以外は、実施例 1と同様にしてダイソート 用シートを得た。 [0077] また、実施例 1と同様にして、得られたダイソート用シートを用いて半導体チップの 移送を行い、チップ飛びなどを評価した。結果を表 1に示す。
[0078] (実施例 3)
基材フィルムの高表面張力側の面に両面粘着シートを貼付した以外は、実施例 1と 同様にして図 2のタイプのダイソート用シートを得た。
[0079] また、実施例 1と同様にして、得られたダイソート用シートを用いて半導体チップの 移送を行い、チップ飛びなどを評価した。結果を表 1に示す。
[0080] (実施例 4)
上記粘着剤溶液 aをシリコーン処理された剥離フィルム(リンテック株式会社製、 SP
— PET3811 (S) )上に塗布し、乾燥 (オーブンにて 100°C1分間)した。このようにし て厚み 10 mの粘着剤層 Aを作製した。支持フィルムとしてエチレンーメタクリル酸 共重合体フィルム(厚み 90 πι)を用い、この片面に粘着剤層 Αを転写し、粘着テー プを得た。
[0081] 基材フィルムとしてエチレンーメタクリル酸メチル共重合体フィルム(厚み 100 a m、 表面張力 33mN/m及び 40mN/m)を用い、基材フィルムの高表面張力側の面に粘着 テープの粘着剤層 A面を貼合した。次に、基材フィルムのみをカットするように、直径 165mmの抜き加工(内側)を行い外周部の除去を行った。さらに、露出した粘着剤 層 A及び基材フィルムの面に剥離フィルムを積層し、支持フィルム及び粘着剤層 Aを 直径 207mmの抜き加工(外側)を行った。このとき、内側の抜き加工で得られる円と 外側の抜き加工で得られる円とが同心円となるようにして、図 5のタイプのダイソート 用シートを得た。
[0082] また、実施例 1と同様にして、得られたダイソート用シートを用いて半導体チップの 移送を行い(図 11参照)、チップ飛びなどを評価した。結果を表 1に示す。
[0083] (比較例 1)
ダイソート用シートの代わりに再剥離粘着タイプの汎用ダイシングテープ (リンテック 社製 Adwill G— 19)を用いた以外は、実施例 1と同様にして半導体チップの移送を 行った。
[0084] また、実施例 1と同様にして、チップ飛びなどを評価した。結果を表 1に示す。 [0085] (比較例 2)
ダイソート用シートの代わりに、紫外線硬化粘着タイプの汎用ダイシングテープ (リン テック社製 Adwill D— 175)をリングフレームに貼付した後紫外線照射して粘着剤層 を硬化したものを用いた。
[0086] また、実施例 1と同様にして、この紫外線照射後の汎用ダイシングテープを用いて 半導体チップの移送を行い、チップ飛びなどを評価した。結果を表 1に示す。
[0087] [表 1]
【表 1】 チッ び ピックアップ不良数 リングフ ム脱落 魏例 1 なし 0/10 なし 纖例 2 なし 0/10 なし 魏例 3 なし 0/10 なし 鶴例 4 なし 0/10 なし
1:瞻 J1 なし 10/10 なし t咖 2 なし 8/10 ~¾藤

Claims

請求の範囲
[1] 接着剤層を有するチップを仮着するダイソート用シートであって、
前記ダイソート用シートの外周部に粘着剤層が表出され、前記外周部の内側であ る央部に基材フィルムが表出されてなることを特徴とするダイソート用シート。
[2] 基材フィルムの外周部に粘着剤層を積層してなる請求項 1に記載のダイソート用シ ート。
[3] 支持フィルム上に同形の粘着剤層を積層し、該粘着剤層の央部に基材フィルムを 積層してなる請求項 1に記載のダイソート用シート。
[4] 基板の一方の面に、接着剤層と基材とからなるダイシング 'ダイボンド兼用接着シー トを貼付し、
前記基板をチップ毎に、前記接着剤層とともにフルカットダイシングを行い、 裏面に前記接着剤層を有するチップを前記基材からピックアップし、
別途、前記外周部の粘着剤層を介して枠体で固定されている請求項;!〜 3のいず れかに記載のダイソート用シートを用意し、
前記ピックアップされたチップの接着剤層を、前記ダイソート用シートに表出される 基材フィルムに仮着し、
前記接着剤層を介して前記チップが仮着されたダイソート用シートを次工程に移送 すること
を特徴とする接着剤層を有するチップの移送方法。
[5] 複数の前記ピックアップされたチップの接着剤層を、前記ダイソート用シートに表出 される基材フィルムに互いに離間するように仮着することを特徴とする請求項 4に記 載の接着剤層を有するチップの移送方法。
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