JP5149779B2 - 半導体ウエハの保持方法、ダイシング方法、およびスペーサ - Google Patents

Description

本発明は、表面に回路が形成され、裏面外周部に環状凸部を有する半導体ウエハの保持方法、該保持方法による半導体ウエハのダイシング方法および該保持方法に用いられるスペーサに関する。

半導体ウエハは表面に回路が形成された後、ウエハの裏面側に研削加工を施し、ウエハの厚みを調整する裏面研削工程およびウエハを所定のチップサイズに個片化するダイシング工程が行われる。近年のＩＣカードの普及にともない、その構成部材である半導体チップの薄型化が進められている。このため、従来３５０μｍ程度の厚みであったウエハを、５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。しかし、半導体ウエハは薄くなるにつれて、加工や運搬の際、破損する危険性が高くなる。

このため、図３〜図５に示すように、ウエハの裏面研削時に、裏面内周部１６のみを研削し、裏面外周部に環状凸部１７を残存させ、ウエハに剛性を持たせることが提案されている（特許文献１、２、３等）。ウエハ１１表面には、図３に示すように、外周端から数ｍｍの範囲には回路１３が形成されていない余剰部分１５があり、回路１３は余剰部分を除くウエハ内周部１４に形成されている。上記の環状凸部を有するウエハでは、表面の回路形成部分（ウエハ内周部１４）に対応する裏面内周部１６が所定の厚みまで研削され、回路が形成されていない余剰部分１５に対応する裏面外周部は研削されずに残存し、環状凸部１７となる。環状凸部１７は比較的剛性が高いため、上記の形態に研削されたウエハ１１は、安定して搬送、保管でき、また加工時の破損が少なくなる。なお、図４は環状凸部１７が形成されている裏面側からの斜視図、図５は図３、４の断面図を示す。

上記のような半導体ウエハの裏面を下にしてテーブルに保持する場合、裏面内周部１６とテーブルとの間には空間ができる。このため、半導体ウエハの表面に剥離用粘着テープを貼り付け、剥離用粘着テープを用いて表面保護テープを剥離する際には、この空間を流体で満たすことが提案されている（特許文献４）。

また、半導体ウエハの裏面内周部１６にダイボンド用の粘着フィルムを貼付し、その後に半導体ウエハの裏面にダイシングテープを貼付してダイシングすることが提案されている（特許文献５）。
特開2007-19379号公報 特開2007-266352号公報 特開2007-287796号公報 特開2008-34710号公報 特開2007-73767号公報

半導体ウエハをダイシングする際には、ウエハの裏面全面をダイシングシートと呼ばれる粘着シートで固定し、ダイシングシートの外周部をリングフレームにより固定している。その後、ウエハ表面側から回路パターンを認識しつつ、回路間のストリートに沿ってダイシングを行う。ダイシング時には、ウエハをフルカットしてチップを作成し、ダイシングシートを切断しないようにダイシングの深さを設定する。この結果、生成したチップは、ダイシングシート上に保持され、その後、所定の手段によりチップのピックアップを行う。

しかし、上記のようにウエハの裏面内周部のみを研削し、外周部に環状凸部を残存させた場合には、裏面内周部１６とダイシングシートとの間に空間があるために、その部分においてウエハ内周部が垂れ下がり、ダイシングを行うことが困難になる。また、裏面内周部１６とダイシングシートとの間の空間を、流体やダイボンド用粘着フィルムで満たした場合であっても、ダイシング時の振動を抑えることは困難であり、ウエハ割れやチッピングの原因となることがある。

したがって、本発明は、ウエハの裏面内周部のみが研削され、外周部に環状凸部を有し、内周部平面と環状凸部との間に段差が形成されたウエハ裏面に対して、追従性良く密着して貼付できるダイシングシートを介して、裏面内周部に貼付でき、ダイシング時にウエハの振動を抑えることができるスペーサを用いた半導体ウエハの保持方法、該保持方法によるダイシング方法、および該保持方法に用いられるスペーサを提供することを目的としている。なお、本発明において、半導体ウエハの裏面内周部とは、半導体ウエハの裏面外周部に形成された環状凸部により囲繞された領域をいう。

このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
（１）表面に回路が形成され、裏面外周部に環状凸部を有する半導体ウエハの裏面にダイシングシートを貼付し、
半導体ウエハの裏面内周部に、前記ダイシングシートを介して、粘着剤層を有するスペーサを貼付する半導体ウエハの保持方法。
（２）前記スペーサは、基材と、その上に形成される粘着剤層とからなる粘着体またはその積層体である（１）に記載の半導体ウエハの保持方法。
（３）上記（１）または（２）の半導体ウエハの保持方法で半導体ウエハを保持し、半導体ウエハを個片化する半導体ウエハのダイシング方法。
（４）基材と、その上に形成される粘着剤層とからなる粘着体の単層または積層してなるスペーサ。

本発明によれば、ウエハの裏面内周部のみが研削され、外周部に環状凸部を有し、内周部平面と環状凸部との間に段差が形成されたウエハ裏面に対して、追従性良く密着して貼付できるダイシングシートを介して、裏面内周部に貼付でき、ダイシング時にウエハの振動を抑えることができるスペーサを用いた半導体ウエハの保持方法、該保持方法によるダイシング方法、および該保持方法に用いられるスペーサが提供される。

以下本発明の好ましい態様について、図面を参照しながら、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。

本発明の半導体ウエハの保持方法は、図１に示すように、表面に回路１３が形成され、裏面外周部に環状凸部１７を有する半導体ウエハ１１の裏面にダイシングシート１０を貼付し、ダイシングシート１０を介して、環状凸部１７の内径よりもやや小さな外径のスペーサ４０を、環状凸部１７により囲繞された領域に貼付する。また、図２は本発明のスペーサ、図３は表面に回路１３が形成され、裏面外周部に環状凸部１７を有する半導体ウエハ１１の回路面側の平面図、図４は環状凸部１７が形成された裏面側からの斜視図、図５は図４の断面図、図６はダイシングされた部分の拡大断面図を示す。

半導体ウエハ１１はシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路１３の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路１３が形成される。回路１３は、ウエハ１１の内周部１４表面に格子状に形成され、外周端から数ｍｍの範囲には回路が存在しない余剰部分１５が残存する。ウエハ１１の研削前の厚みは特に限定はされないが、通常は５００〜１０００μｍ程度である。

裏面研削時には、表面の回路１３を保護するために回路面に、表面保護シートと呼ばれる粘着シートを貼付する。裏面研削は、ウエハ１１の回路面側（すなわち表面保護シート側）をチャックテーブル等により固定し、回路１３が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。裏面研削時には、まず裏面全面を所定の厚みまで研削した後に、表面の回路形成部分（内周部１４）に対応する裏面内周部１６のみを研削し、回路１３が形成されていない余剰部分１５に対応する裏面領域は研削せずに残存させる。この結果、研削後の半導体ウエハ１１は、裏面の内周部１６のみがさらに薄く研削され、外周部分には環状の凸部１７が残存する。このような裏面研削は、たとえば前記した特許文献１〜３に記載された公知の手法により行うことができる。

環状凸部１７の全厚Ｔ１（図５参照）は特に限定はされず、ウエハに必要な剛性を与え、またハンドリング性を損なわない程度であればよく、一般的には４００〜７２５μｍ程度である。環状凸部の幅は、余剰部分１５の幅程度であり、一般的には２〜５ｍｍ程度である。また、内周部１６の厚みＴ２はデバイスの設計に依存し、通常は２５〜２００μｍ程度である。したがって、内周部１６の平面と環状凸部１７との段差（Ｔ１−Ｔ２）は２００〜７００μｍ程度である。

裏面研削工程の後、研削によって生成した破砕層を除去する処理が行われてもよい。また、裏面研削工程に続いて、必要に応じ裏面にエッチング処理などの発熱を伴う加工処理や、裏面への金属膜の蒸着、有機膜の焼き付けのように高温で行われる処理を施してもよい。裏面の内周部１６のみが所定の厚みにまで研削され、外周部分には環状凸部１７を有するウエハ１１によれば、環状凸部１７の剛性が高いため、ウエハを破損することなく、搬送、保管、加工等を行うことができる。

裏面研削工程後、図１に示すように、ウエハ１１の研削面側にダイシングシート１０を貼付し、ダイシングシート１０を介して、環状凸部１７の内径よりもやや小さな外径のスペーサ４０を、環状凸部１７により囲繞された領域に貼付して、ウエハ１１のダイシングを行う。ダイシングは回路１３を個片化するように、ウエハ表面に形成されたダイシングストリートＤＳ（図３参照）に沿って行われる。なお、ウエハ表面に貼付されている表面保護シートは、ダイシングシート１０の貼付前に剥離してもよく、ダイシングシート１０の貼付後に剥離してもよい。また、ダイシング工程の終了後に個片化されたチップ表面から表面保護シートを剥離してもよい。

ダイシングシート１０のウエハ裏面への貼付は、マウンターと呼ばれる装置（貼合装置）により行われるのが一般的だが特に限定はされない。特に、これらの貼付は、真空（減圧雰囲気）下で行うことが好ましい。

また、ダイシングシート１０において、基材１の厚みと、粘着剤層２の厚みとの総和は、好ましくは０．０２６ｍｍ〜０．６ｍｍ、さらに好ましくは０．０３３〜０．４ｍｍ、特に好ましくは０．０４〜０．２５ｍｍの範囲にある。ダイシングシート１０に半導体ウエハ１１を貼付し、ウエハ１１をダイシングする際には、図６に示すようにダイシングシート１０の表層部も切り込まれることがある。ダイシングブレード（回転丸刃）３は、先端部がやや丸みを帯びている。したがって、ウエハ上面からウエハのみを切断する深さまで切り込むと、図６に示すように生成するチップ１２の下端部はダイシングブレード３の先端部によってのみ切り込まれることになる。この結果、チップ１２の下端部には、ダイシングブレード３の先端部の丸みに対応した裾部が残される（図６のＡ部分参照）。裾部の厚みは薄く、強度が低いためチッピングの原因となる。

このため、ダイシングブレード３を用いてのダイシングにおいては、チップ１２の下端部を垂直に切り落とすために、ダイシングブレード３の先端部をダイシングシート１０の表層部にまで切り込むように（図６のＢ部分参照）ウエハ１１の内周部をフルカットする。この際の切り込み深さは、ダイシングブレード３の厚みの半分程度である。

したがって、ダイシングシート１０の厚みが薄すぎる場合には、ダイシングブレード３による切り込みの結果、ダイシングシート１０が切断され、チップ１２の保持機能が著しく損なわれる。また、ダイシングシート１０が切断されない場合であっても、ダイシングシート１０表面には溝が切り込まれため、溝の深さがダイシングシート１０の厚みに対して深すぎると、ダイシングシート１０の強度が低下する。

基材１の厚みは、何ら制限されないが、好ましくは２５〜３００μｍ、さらに好ましくは３０〜２５０μｍ、特に好ましくは３５〜２００μｍの範囲にある。

また、粘着剤層２の厚みは、好ましくは１〜３００μｍ、さらに好ましくは３〜１５０μｍ、特に好ましくは５〜５０μｍの範囲にある。粘着剤層２の厚みが薄すぎる場合には、充分な粘着力が得られない場合がある。一方、粘着剤層２の厚みが厚すぎる場合には、ウエハ１１のダイシング時にウエハが振動し、チッピングが発生するおそれがある。

ダイシングシート１０に用いられる基材１の材質は、上記物性を満足する限り特に限定はされないが、例えば、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、フッ素樹脂フィルム、およびその水添加物または変性物等からなるフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。上記の基材は１種単独でもよいし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた複合フィルムであってもよい。

また、後述するように、粘着剤層２を紫外線硬化型粘着剤で形成し、粘着剤を硬化するために照射するエネルギー線として紫外線を用いる場合には、紫外線に対して透明である基材が好ましい。なお、エネルギー線として電子線を用いる場合には透明である必要はないので、上記のフィルムの他、これらを着色した透明フィルム、不透明フィルム等を用いることができる。

また、基材１の上面、すなわち粘着剤層２が設けられる側の基材表面には粘着剤との密着性を向上するために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。また、粘着剤層２とは反対面に各種の塗膜を塗工してもよい。ダイシングシート１０は、上記のような基材上に粘着剤層を設けることで製造される。

粘着剤層２は、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化（紫外線硬化、電子線硬化等）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。なお、粘着剤層２には、その使用前に粘着剤層を保護するために剥離シートが積層されていてもよい。

剥離シートは、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂からなるフィルムまたはそれらの発泡フィルムや、グラシン紙、コート紙、ラミネート紙等の紙に、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤で剥離処理したものを使用することができる。

基材１表面に粘着剤層２を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層２を基材１表面に転写しても構わないし、基材１表面に直接塗布して粘着剤層２を形成しても構わない。

スペーサ４０は、基材４１と、その片面に形成された粘着剤層４２とからなる。なお、基材４１は、後述する樹脂フィルムの単層または樹脂フィルムを積層して形成してもよいし、ガラス、金属等で形成してもよい。また、スペーサ４０は、樹脂フィルム、ガラス、または金属等上に粘着剤層を形成した粘着体を積層することにより形成してもよい。積層体の積層数は特に限定はされず、図２においては、スペーサ４０は、たとえば、樹脂フィルム４１ａ，４１ｂ，４１ｃ，４１ｄ上に粘着剤層４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄを形成した４層の粘着フィルムの積層体からなる。スペーサにおける各層の材質は、同じでもよいし、異なっていてもよい。

スペーサ４０の厚みは、半導体ウエハ１１の内周部１６の平面と環状凸部１７との間の段差と、ダイシングシート１０における基材１の厚みと粘着剤層２の厚みとの総和との関係により適宜に選択される。

スペーサ４０の外径は、半導体ウエハ１１の環状凸部１７の内径と、ダイシングシート１０における基材１の厚みと粘着剤層２の厚みとの総和との関係により適宜に選択される。

スペーサ４０のヤング率は、好ましくは１ＧＰａ以上、さらに好ましくは１〜２００ＧＰａ、特に好ましくは１．５〜４ＧＰａである。スペーサ４０のヤング率が上記範囲にあると、ウエハをダイシングする際の振動を抑制し、ウエハ割れやチッピングを防ぐことができる。

スペーサ４０に用いられる基材４１が樹脂フィルムの場合、材質は上記物性を満足する限り特に限定はされないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリウレタンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、フッ素樹脂フィルム、およびその水添加物または変性物等からなるフィルムなどが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。上記の基材は１種単独でも良いし、さらにこれらを２種類以上組み合わせた複合フィルムであっても良い。また、スペーサ４０に用いられる基材４１が金属の場合、材質は上記物性を満足する限り特に限定されないが、鉄、銅、ステンレス、アルミ、チタンおよびそれらの合金などが用いられる。

また、後述するように、粘着剤層４２を紫外線硬化型粘着剤で形成し、粘着剤を硬化するために照射するエネルギー線として紫外線を用いる場合には、紫外線に対して透明である基材が好ましい。なお、エネルギー線として電子線を用いる場合には透明である必要はないので、上記のフィルムの他、これらを着色した透明フィルム、不透明フィルム等を用いることができる。

また、樹脂フィルムの上面、すなわち粘着剤層２が設けられる側の樹脂フィルム表面には粘着剤との密着性を向上するために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。また、粘着剤層４２とは反対面に各種の塗膜を塗工してもよい。スペーサ４０は、上記のような基材４１上に粘着剤層を設けることで製造される。

粘着剤層４２は、従来より公知の種々の粘着剤により形成され得る。このような粘着剤としては、何ら限定されるものではないが、上記ダイシングシート１０の粘着剤層２と同様に、たとえばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル等の粘着剤が用いられる。また、エネルギー線硬化型や加熱発泡型、水膨潤型の粘着剤も用いることができる。エネルギー線硬化（紫外線硬化、電子線硬化等）型粘着剤としては、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。なお、粘着剤層４２には、その使用前に粘着剤層を保護するために剥離シートが積層されていてもよい。

剥離シートは、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂からなるフィルムまたはそれらの発泡フィルムや、グラシン紙、コート紙、ラミネート紙等の紙に、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤で剥離処理したものを使用することができる。

基材４１表面に粘着剤層４２を設ける方法は、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布し形成した粘着剤層を基材４１表面に転写しても構わないし、基材４１表面に直接塗布して粘着剤層４２を形成しても構わない。

スペーサ４０は、上記したような特定の物性を満たすため、ウエハをダイシングする際に、ウエハ内周部の垂れ下がりを防止し、振動を抑制し、ウエハ割れやチッピングを防ぐことができる。

半導体ウエハ１１のダイシング方法は、本発明の半導体ウエハの保持方法を用いるのであれば、特に限定はされない。一例としてウエハ１１のダイシング時にはダイシングテープ１０の周辺部をリングフレーム５により固定した後、ダイシングブレード３などの回転丸刃を用いるなどの公知の手法によりウエハ１１のチップ化を行う方法などが挙げられる。本発明の半導体ウエハの保持方法によれば、ダイシング時のウエハの振動を抑え、ウエハおよびチップを確実に保持できるため、チップの歩留まりが向上し、またチップの飛散によるダイシング装置の破損を防止できる。

次いで、ダイシングシート１０からチップ１２をピックアップする。なお、スペーサ４０は、チップ１２のピックアップに先立ち、剥離してもよい。スペーサ４０を剥離する場合には、粘着剤層４２を紫外線硬化型粘着剤で形成することが好ましく、粘着剤層４２に紫外線を照射し、粘着力を低下させて剥離する。また、ダイシングシート１０の粘着剤層２を紫外線硬化型粘着剤で形成した場合には、ピックアップに先立ち、粘着剤層２に紫外線を照射して粘着力を低下した後にチップ１２のピックアップを行う。

また、ダイシング終了後に、ダイシングシート１０上に整列しているチップ群を、ピックアップ用の他の粘着シートに転写した後に、チップのピックアップを行ってもよい。

ピックアップされたチップ１２はその後、常法によりダイボンド、樹脂封止がされ半導体装置が製造される。

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の実施例および比較例においては、下記の形状を有するシリコンウエハ及び下記の粘着剤組成物を用いた。また、実施例および比較例におけるスペーサのヤング率及びダイシング適性は以下のように評価した。

（ウエハ形状）
外径：１５０ｍｍ
環状凸部の内径：１４５ｍｍ
内周部厚み：１００μｍ
環状凸部厚み：４００μｍ

（粘着剤組成物）
２−エチルヘキシルアクリレート８０重量部、メチルメタクリレート１０重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１０重量部からなるアクリル系共重合体（重量平均分子量６００，０００）のトルエン３０重量％溶液に対し、多価イソシアナート化合物（コロネートＬ（日本ポリウレタン社製））２．５重量部を混合し、粘着剤組成物を得た。

（スペーサのヤング率）
スペーサのヤング率は、ＪＩＳ Ｋ７１６１：１９９４に準拠し、島津製作所社製オートグラフを用いて、引張速度２００ｍｍ／ｍiｎで測定した（サンプルサイズ：１５ｍｍ×１００ｍｍ）。なお、スペーサが積層体の場合は、積層体のヤング率を測定した。結果を表１に示す。

（ダイシング条件）
ウエハのダイシングは、株式会社ディスコ社製ダイシング装置（型番：ＤＦＤ６５１）を用い、切断速度８０ｍｍ／秒、チップサイズ５ｍｍ角、ダイシングシートへの切り込み深さ５０μｍで行った（実施例３においては、切り込み深さ２０μｍ）。

（ダイシング適性）
ダイシング中のチップの飛散やウエハの割れ、チップ端部の欠け（チッピング）の有無を検査し、チップが飛散した場合やウエハが割れた場合、チッピングが発生した場合を「不良」とした。

＜実施例１＞
（スペーサの作製）
樹脂フィルム（基材）として、厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを用い、樹脂フィルム上に上記粘着剤組成物を、乾燥後の厚みが２５μｍになるように塗布した後に、乾燥（１００℃、１分間）させ、粘着剤層を有する粘着フィルム（粘着体）を得た。

次いで、上記粘着フィルムの粘着剤層を、別に用意した粘着フィルムの樹脂フィルムに貼り合わせた。この工程を合計３回繰り返し、その後、直径１４２ｍｍの円形にくりぬき、総厚３００μｍのスペーサ（粘着体の積層体）を得た。

（ダイシングシートの作製）
上記粘着剤組成物をシリコーン系剥離処理した厚み３８μｍのＰＥＴフィルム（ＳＰ−ＰＥＴ３８１１（Ｓ）（リンテック社製））上に、乾燥後の厚みが１０μｍとなるように塗布し、乾燥（１００℃、１分間）させ、粘着剤層を形成した。基材として、厚み８０μｍのポリ塩化ビニルフィルムを用い、粘着剤層を、基材に貼り合わせて転写し、剥離処理したＰＥＴフィルムを剥がして、総厚９０μｍのダイシングシートを得た。

上記ダイシングシートをウエハの裏面に貼付し、ダイシングシートを介して、ウエハの裏面内周部に上記スペーサの粘着剤層を貼付した。次いで、スペーサ側を平坦なチャックテーブル上に保持してウエハのダイシングを行い、チップをピックアップした。各種物性値及びダイシング適性を表１に示す。

＜実施例２＞
スペーサに用いる樹脂フィルムをポリイミドフィルムとした以外は実施例１と同様の方法でスペーサ及びダイシングシートを得、評価を行った。各種物性値及びダイシング適性を表１に示す。

＜実施例３＞
ダイシングシートに用いる基材を、厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムとした以外は実施例２と同様の方法でスペーサ及びダイシングシートを得、評価を行った。スペーサのヤング率及びダイシング適性を表１に示す。

＜実施例４＞
ダイシングシートに用いる基材を、厚み８０μｍのポリオレフィンフィルムとした以外は実施例１と同様の方法でスペーサ及びダイシングシートを得、評価を行った。スペーサのヤング率及びダイシング適性を表１に示す。

＜比較例１＞
スペーサを用いず、実施例１と同様の方法でダイシングシートを得、ウエハの裏面に貼付した。次いで、平坦なチャックテーブル上にダイシングシートを介してウエハを保持し、ダイシングを行った。ダイシング適性を表１に示す。

＜比較例２＞
スペーサを用いず、実施例１と同様の方法でダイシングシートを得、ウエハの裏面に貼付した。次いで、ウエハの裏面内周部と嵌合する形状の金属板を配置したチャックテーブル上にダイシングシートを介してウエハを保持し、ダイシングを行った。ダイシング適性を表１に示す。

実施例１〜４のスペーサを用いた場合は、ダイシング工程でも問題なく使用可能であった。

比較例１のスペーサを用いなかった場合は、ウエハの裏面内周部とチャックテーブルの間に空間ができ、ウエハ内周部がダイシング中に垂れ下がるため、ダイシングできなかった。また、比較例２のスペーサを用いなかった場合は、ダイシング時にウエハが振動し、チッピングが生じた。

本発明に係るチップの保持方法、及び該保持方法を用いたダイシング方法を示す。 本発明に係るスペーサを示す。 半導体ウエハの回路形成面の平面図を示す。 裏面外周部に環状凸部が形成された半導体ウエハの斜視図を示す。 図４の断面図を示す。 ダイシングされた部分の拡大断面図を示す。

符号の説明

１…ダイシングシートの基材
２…ダイシングシートの粘着剤層
３…ダイシングブレード
５…リングフレーム
１０…ダイシングシート
１１…半導体ウエハ（ウエハ）
１２…半導体チップ（チップ）
１３…回路
１４…回路表面内周部
１５…余剰部分
１６…裏面内周部
１７…環状凸部
４０…スペーサ
４１…基材
４１ａ〜４１ｈ…樹脂フィルム
４２…粘着剤層
４２ａ〜４２ｄ…粘着剤層

Claims (4)

1. 表面に回路が形成され、裏面外周部に環状凸部を有する半導体ウエハの裏面にダイシングシートを貼付し、
   半導体ウエハの裏面内周部に、前記ダイシングシートを介して、粘着剤層を有するスペーサを貼付する半導体ウエハの保持方法であって、
   前記スペーサが、基材と、その上に形成される粘着剤層とからなる粘着体またはその積層体である半導体ウエハの保持方法。
2. 前記スペーサのヤング率が、１ＧＰａ以上である請求項１に記載の半導体ウエハの保持方法。
3. 請求項１または２の半導体ウエハの保持方法で半導体ウエハを保持し、半導体ウエハを個片化する半導体ウエハのダイシング方法。
4. 請求項１または２の半導体ウエハの保持方法に用いる、基材と、その上に形成される粘着剤層とからなる粘着体またはその積層体であるスペーサ。
   
   
   

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