JP2010073816A - 表面保護用シート - Google Patents

表面保護用シート Download PDF

Info

Publication number
JP2010073816A
JP2010073816A JP2008238384A JP2008238384A JP2010073816A JP 2010073816 A JP2010073816 A JP 2010073816A JP 2008238384 A JP2008238384 A JP 2008238384A JP 2008238384 A JP2008238384 A JP 2008238384A JP 2010073816 A JP2010073816 A JP 2010073816A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sheet
wafer
vinyl acetate
ethylene
acetate copolymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008238384A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5415732B2 (ja
Inventor
Shigeto Okuchi
茂人 奥地
Arata Kubota
新 久保田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Priority to JP2008238384A priority Critical patent/JP5415732B2/ja
Publication of JP2010073816A publication Critical patent/JP2010073816A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5415732B2 publication Critical patent/JP5415732B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】 表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着され、回路パターンを保護するために使用される表面保護用シートであって、裏面研削終了後にウエハ表面から剥離した際に、保護用シート由来の残渣物によるウエハ表面の汚染が極めて少ない保護用シートを提供すること。
【解決手段】 本発明に係る表面保護用シートは、表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、ウエハに仮着されるシート面が、プローブタック値100mN未満の樹脂からなり、該シート面の保持時間が70000秒以上であることを特徴としている。
【選択図】 図3

Description

本発明は、表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着され、回路パターンを保護するために使用される表面保護用シートに関する。
近年のICカードの普及にともない、その構成部材である半導体チップの薄型化が進められている。このため、従来350μm程度の厚みであったウエハを、50〜100μmあるいはそれ以下まで薄くすることが求められるようになった。
半導体ウエハ表面に回路パターン形成後にウエハ裏面を研削することは従来より行われている。この際、回路面に表面保護用シートと呼ばれる粘着シートを貼付して、回路面の保護およびウエハの固定を行い、裏面研削を行っている。研削時には、発生する研削屑および熱を除去するため、ウエハの研削面に水を噴霧することが一般的である。
従来、表面保護用シートには、軟質基材上に粘着剤が塗工されてなる粘着シートが用いられていた(たとえば特許文献1、2、3等参照)。
このような表面保護用シートに用いられる粘着剤としては、回路面への研削水の浸入を防止するため、比較的強い粘着力を有するアクリル系の粘着剤が汎用されている。たとえば、180°ピール強度が1.0N/25mm以上あるいはプローブタック値が650mN以上の粘着剤がよく使用されている。
ウエハ裏面の研削処理が終了した後、表面保護用シートはウエハ表面から剥離される。しかし、上記のように比較的強い粘着力を有する粘着剤が使用されているため、シートの剥離後に、ウエハ表面に粘着剤が残着してしまうことがあった。ウエハ表面に粘着剤が残着した場合には、付着した粘着剤を除去する必要がある。ウエハ表面に付着した粘着剤の除去は、ウエハ表面を、トリクロロエチレンなどの含塩素系有機溶剤で洗浄した後精製水で洗浄することによって行なわれてきた。ところがウエハ表面の洗浄に用いられるトリクロロエチレンなどの含塩素溶剤は、人体や環境に対して悪影響を与える危険性が指摘されているため、その使用を控えることが望まれている。また上記のようにウエハ表面の洗浄工程は、トリクロロエチレンなどの有機溶剤で洗浄した後精製水で洗浄するという2つの工程からなっているため、手間がかかるという問題点があった。
特開平07-201787号公報 特開2000-068237号公報 特開2000-150432号公報
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着され、回路パターンを保護するために使用される表面保護用シートであって、裏面研削終了後にウエハ表面から剥離した際に、保護用シート由来の残渣物によるウエハ表面の汚染が極めて少ない保護用シートを提供することを目的としている。
このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下のとおりである。
(1)表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、
ウエハに仮着されるシート面が、プローブタック値100mN未満の樹脂からなり、
該シート面の保持時間が70000秒以上である表面保護用シート。
(2)前記樹脂からなる単層シートである(1)に記載の表面保護用シート。
(3)前記樹脂からなる層が基材上に設けられてなる(1)に記載の表面保護用シート。
(4)前記樹脂がエチレン・酢酸ビニル共重合体からなる(1)〜(3)の何れかに記載の表面保護用シート。
(5)エチレン・酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル単位含量が50重量%以上である(4)に記載の表面保護用シート。
(6)表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、
ウエハに仮着されるシート面が、エチレン・酢酸ビニル共重合体からなり、
前記エチレン・酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル単位含量が50重量%以上である表面保護用シート。
本発明のウエハ表面保護用シートによれば、裏面研削終了後にウエハ表面から保護用シートを剥離した際に、保護用シート由来の残渣物によるウエハ表面の汚染が極めて少なく、洗浄工程が不要になり、また得られる半導体チップの品質も安定する。
以下本発明の好ましい態様について、図面を参照しながら、その最良の形態も含めてさらに具体的に説明する。
図1に示すように、本発明に係るウエハ表面保護用シート10は、半導体ウエハに仮着される側のシート面Aが、特定の樹脂層1により構成されている。表面保護用シート10は、図1に示すように、樹脂層1の単層シートであってもよく、また図2に示すように、基材2上に樹脂層1が形成された積層シートであってもよい。
樹脂層1は、シート面A(以下、「仮着面A」と記載することがある)におけるプローブタック値(JIS Z0237:1991 参考5に準拠)が、100mN未満、好ましくは50mN以下、さらに好ましくは10mN以下の範囲にある微粘着性または非粘着性の樹脂からなる。仮着面Aのプローブタック値が上記範囲にあると、ウエハ回路面に密着し、裏面研削時に剪断力が加えられても保護用シートの剥離が無く、また研削中に研削水が回路面に浸入することもない。さらに、裏面研削終了後にウエハから保護用シート10を剥離しても、保護用シート由来の残渣物によるウエハ表面の汚染が極めて少ないという効果が奏される。
一方、プローブタック値が高すぎる場合には、裏面研削終了後にウエハから保護用シート10を剥離した際に、保護用シート由来の残渣物、特に樹脂層1を構成する樹脂がウエハ表面に転着し、ウエハを汚染するおそれがある。
従来、表面保護用シートに用いられる粘着剤としては、回路面への研削水の浸入を防止するため、比較的強い粘着力を有するアクリル系の粘着剤が汎用されている。たとえば、180°ピール強度が1.0N/25mm以上あるいはプローブタック値が650mN以上の粘着剤がよく使用されている。しかしながら、このような粘着剤では、ウエハ表面に粘着剤が残着するという問題があった。本発明者らは、従来は粘着剤としての使用が考えられない微粘着性あるいは非粘着性の樹脂を仮着面に用いた場合であっても、仮着面におけるプローブタック値が所定範囲にあればウエハの保護を確実に行えるとの知見を得て本発明を完成するに至った。
また、本発明の表面保護用シート10において、仮着面Aの保持時間(JIS Z0237:2000に準拠)は、70000秒以上の範囲にある。さらに、本発明の表面保護用シート10の仮着面Aにおける180°ピール強度(JIS Z0237:2000に準拠)は、好ましくは30〜1000mN/25mm、さらに好ましくは50〜980mN/25mm、特に好ましくは100〜600mN/25mmの範囲にある。仮着面Aの保持時間および180°ピール強度が上記範囲にあると、裏面研削時にウエハに剪断力が加えられても、ウエハと保護用シート10とが剥離することなく、また研削水の回路面への浸入も防止できる。
本発明において、仮着面Aを構成する樹脂は、上述したような物性を有する限り特に限定はされないが、所定の物性を達成する観点から、下記特性を有することが好ましい。
すなわち、仮着面Aを構成する樹脂のヤング率は、好ましくは0.5〜100MPa、さらに好ましくは1〜50MPa、特に好ましくは1〜30MPaの範囲にある。仮着面Aを構成する樹脂として上記特性を有する樹脂を使用することで、前述した本発明で規定する物性の達成が容易になる。
仮着面Aを構成する樹脂の材質は、上記物性を満足する限り特に限定はされず、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリウレタン系、ポリウレタンアクリレート系、ポリエステル系、ポリオレフィン系、ポリビニルエーテル系等からなる非粘着性の樹脂や微粘着性の樹脂であってもよい。また紫外線などのエネルギー線により硬化し、粘着性が任意に制御されたエネルギー線硬化型の樹脂であってもよい。
しかしながら、特にエチレン・酢酸ビニル共重合体を使用することで、上記した所定の物性の達成が容易になる。エチレン・酢酸ビニル共重合体は、エチレンと酢酸ビニルとを共重合してなり、エチレン単位と酢酸ビニル単位とを含むポリオレフィン系の樹脂である。エチレン・酢酸ビニル共重合体における酢酸ビニル単位含量は、好ましくは50重量%以上であり、さらに好ましくは55〜98重量%の範囲にある。酢酸ビニル単位含量が少なすぎる場合には、所定の物性が達成されないおそれがある。
また、エチレン・酢酸ビニル共重合体の重量平均分子量(Mw)は、好ましくは1万〜100万、さらに好ましくは3万〜50万、特に好ましくは10万〜40万の範囲にある。
本発明に係るウエハ表面保護用シート10は、図1に示すように、樹脂層1の単層シートであってもよく、また図2に示すように、基材2上に樹脂層1が形成された積層シートであってもよい。
保護用シート10が樹脂層1の単層シートである場合には、その厚みは好ましくは5〜500μm、さらに好ましくは10〜300μm、特に好ましくは30〜200μmの範囲にある。シートの厚みが薄すぎる場合には、研削時に研削水が浸入し、ウエハ表面が汚染されることがある。また、保護シートに自立性がなく、取扱性が低下する。一方、シートの厚みが厚すぎる場合には、ウエハの研削厚み精度が低下する。また、ウエハに残渣物が発生することがある。
また、ウエハ表面保護用シート10が基材2と樹脂層1とから構成される積層シートである場合、基材2は特に限定はされないが例えば低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオレフィン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリ塩化ビニル、アクリルゴム、ポリアミド、ウレタン等からなるフィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。上記の基材は1種単独でもよいし、さらにこれらを2種類以上組み合わせた複合フィルムであってもよい。また上記のフィルムの他、これらを着色した透明フィルムまたは不透明フィルム等を用いることができる。
また、基材2の上面、すなわち樹脂層1が設けられる側の基材表面には樹脂層1との密着性を向上するために、コロナ処理を施したり、プライマー層を設けてもよい。また樹脂層1とは反対面に耐熱性、易滑性等の各種層を設けてもよい。このようなウエハ表面保護用シート10は、上記のような基材2上に所定の樹脂層1を設けることで製造される。
ウエハ表面保護用シート10が基材2と樹脂層1とから構成される積層シートである場合、樹脂層1の厚みは好ましくは0.5〜200μm、さらに好ましくは1〜100μm、特に好ましくは5〜50μmの範囲にある。また、基材2の厚みは好ましくは5〜500μm、さらに好ましくは10〜300μm、特に好ましくは30〜200μmの範囲にある。積層シートの場合には、シートの自立性が保たれるため、樹脂層1は単層シートの場合と比べて薄くても良い。
なお、ウエハ表面保護用シート10の樹脂層1には、その使用前に樹脂層を保護するために剥離シートが積層されていてもよい。
剥離シートは、特に限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂からなるフィルムまたはそれらの発泡フィルムや、グラシン紙、コート紙、ラミネート紙等の紙に、シリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有カルバメート等の剥離剤で剥離処理したものを使用することができる。
単層シートの製造は、種々周知の方法で行われ、たとえば押し出し成形、キャスト成膜などにより製造することができる。
また、基材2表面に樹脂層1を設ける方法は、溶剤希釈した樹脂を、剥離シート上に所定の膜厚になるように塗布、乾燥し形成した樹脂層を基材表面に転写しても構わないし、基材表面に直接、溶剤希釈した樹脂を塗布、乾燥して樹脂層1を形成しても構わない。さらに、前記の単層シートと基材とをドライラミネートなどの方法で積層してもよい。
次に、本発明のウエハ表面保護用シート10を用いた半導体ウエハの裏面研削方法について説明する。
ウエハの裏面研削においては、図3に示すように、表面に回路が形成された半導体ウエハ11の回路面に、ウエハ表面保護用シート10の仮着面Aを仮着して回路面を保護しつつウエハの裏面をグラインダー20により研削し、所定厚みのウエハとする。
半導体ウエハ11はシリコンウエハであってもよく、またガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。ウエハ表面への回路12の形成はエッチング法、リフトオフ法などの従来より汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。半導体ウエハの回路形成工程において、所定の回路12が形成される。図4に示すように、回路12は、ウエハ11の内周部13表面に格子状に形成され、外周端から数mmの範囲には回路が存在しない余剰部分14が残存する。ウエハ11の研削前の厚みは特に限定はされないが、通常は500〜1000μm程度である。
裏面研削時には、図3に示すように、ウエハ表面の回路を保護するために回路面に本発明のウエハ表面保護用シート10を仮着する。なお、ここでシートを仮着するとは、シートを再剥離可能に被着体に固定することをいう。ウエハ表面へのウエハ表面保護用シート10の仮着は、テープマウンターなどを用いた汎用の手法により行われる。また、ウエハ表面保護用シート10は、予め半導体ウエハ11と略同形状に切断されていてもよく、ウエハにシートを仮着後、余分なシートをウエハ外周に沿って切断、除去してもよい。
ウエハ11の裏面研削はウエハ表面保護用シート10が回路の全面に仮着された状態で、グラインダー20およびウエハ固定のための吸着テーブル(図示せず)等を用いた公知の手法により行われる。本発明においては、微粘着性あるいは非粘着性の樹脂層1により半導体ウエハ11を仮着しているにも関わらず、ウエハ裏面研削時における剪断力に抗してウエハを安定して保持できるため、回路面への研削水の浸入もなく、またウエハ裏面を均一に研削することができる。
本発明においては、室温(例えば23℃)でウエハ回路面に表面保護用シート10を仮着することにより本発明の効果が得られるが、ウエハの外周部を確実に封止し、研削水の浸入を防止するため、ウエハ回路面に表面保護用シート10を仮着する際に、ウエハ外周部においてシート10を加熱貼付してもよい。ウエハ外周部には前述した余剰部分14が形成されている。したがって、シート10を加熱貼付する際に、余剰部分14においてシート10とウエハ11とを貼合することが好ましい。
裏面研削後の半導体ウエハの厚みは、特に限定はされないが、好ましくは10〜300μm、特に好ましくは25〜200μm程度である。
裏面研削終了後、ウエハ表面からウエハ表面保護用シート10を剥離する。本発明のウエハ表面保護用シートによれば、裏面研削終了後にウエハ表面から保護用シートを剥離した際に、保護用シート由来の残渣物によるウエハ表面の汚染が極めて少なく、洗浄工程が不要になり、また得られる半導体チップの品質も安定する。
次いで、ウエハのダイシング、チップのマウンティング、樹脂封止などの工程を経て、半導体装置が得られる。
以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
実施例および比較例における各種物性値は以下のように評価した。
(プローブタック値)
実施例および比較例で作成した表面保護用シートの樹脂層において、理学工業社製 PROBE TACK TESTERを用い、JIS Z0237:1991 参考5に準拠して測定した。具体的には、表面保護用シートを25mm×25mmの試験片に切り取り、23℃の環境下、その試験片のウエハに貼付する面に直径5mmのステンレス製プローブを10秒間、接触荷重0.98N/cmで接触させた後、プローブを10mm/秒の速度で試験片から離し、その際に必要な力を測定した。
(保持時間)
圧着回数1回で試験板(SUS304鋼板)に表面保護用シート(幅25mm、長さ150mm)の樹脂層を25mm×25mmの面積が接するように貼り付け、JIS Z0237:2000の保持力試験に準拠して測定した。
(180°ピール強度)
表面保護用シートを幅25mm、長さ100mmに切り出し、樹脂層をシリコンウエハの鏡面に貼付し20分放置後、オリエンテック社製テンシロン RTA−100を用いて、300mm/分のピール速度でJIS Z0237:2000に準拠して測定した。なお、ピール強度が極端に低い場合には、上記の測定値においては、シートのコシ(基材を180°湾曲させるための力)の影響が大きくなる。
(ヤング率)
幅15mm、長さ100mmに切り出した樹脂層をオリエンテック社製テンシロン RTA−100を用いて速度200mm/分で引っ張り、得られたStress−Strain曲線よりヤング率を求めた。
(酢酸ビニル単位含量)
樹脂層にエチレン・酢酸ビニル共重合体を使用する場合には、共重合体の酢酸ビニル単位含量を13C−NMRにて測定した。
(裏面研削結果の評価)
また、本発明の表面保護用シートを用いたウエハの裏面研削において、「ウエハの割れ」、「研削水の浸入」および「残留パーティクル」を以下のように評価した。
厚さ725μmの8インチシリコンウエハに室温でリンテック社製RAD−3500を用いて表面保護用シートの樹脂層を仮着し、ディスコ社製DGP−8760を用いてウエハ厚み100μmまで研削した。研削後、ウエハの割れ、研削水浸入の有無を確認した。表面保護用シートを剥離後、日立エンジニアリング社製パーティクルカウンター(型式:LS6600)を用いてシリコンウエハ表面上の残渣物(サイズ:0.27〜0.5μm)をカウントした。
(実施例1)
日本合成化学社製エチレン・酢酸ビニル共重合体(品名:ソアレックスSE−830、酢酸ビニル単位含量86.4%)を固形濃度20%になるようにトルエンにて希釈した塗布液を、厚み38μmの剥離処理したポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上に、乾燥後の厚みが5μmになるように塗布し、100℃で1分間乾燥した。エチレン・酢酸ビニル共重合体層と、厚み110μmの低密度ポリエチレンフィルム基材とを貼り合わせ、剥離処理したPETフィルムを剥がして、樹脂層がエチレン・酢酸ビニル共重合体層からなる半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。
(実施例2)
日本合成化学社製エチレン・酢酸ビニル共重合体(品名:ポリエースS−4306、酢酸ビニル単位含量69.6%)を固形濃度20%になるようにトルエンにて希釈した塗布液を、厚み38μmの剥離処理したPETフィルム上に、乾燥後の厚みが5μmになるように塗布し、100℃で1分間乾燥した。エチレン・酢酸ビニル共重合体層と、厚み110μmの低密度ポリエチレンフィルム基材とを貼り合わせ、剥離処理したPETフィルムを剥がして、樹脂層がエチレン・酢酸ビニル共重合体層からなる半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。
(実施例3)
日本合成化学社製エチレン・酢酸ビニル共重合体(品名:ポリエースS−4305、酢酸ビニル単位含量59.4%)を固形濃度20%になるようにトルエンにて希釈した塗布液を、厚み38μmの剥離処理したPETフィルム上に、乾燥後の厚みが5μmになるように塗布し、100℃で1分間乾燥した。エチレン・酢酸ビニル共重合体層と、厚み110μmの低密度ポリエチレンフィルム基材とを貼り合わせ、剥離処理したPETフィルムを剥がして、樹脂層がエチレン・酢酸ビニル共重合体層からなる半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。
(実施例4)
基材として、重量平均分子量3800のウレタンアクリレート系オリゴマー(荒川化学社製)40重量部と、イソボルニルアクリレート40重量部とフェニルヒドロキシプロピルアクリレート20重量部と、光重合開始剤(チバスペシャルティケミカルズ社製ダロキュアD−1173)0.5重量部を配合して樹脂組成物を作製後、ファウンテンダイ方式によりポリウレタンフィルム(110μm厚)を得た。日本合成化学社製エチレン・酢酸ビニル共重合体(品名:ソアレックスSE−830)を固形濃度20%になるようにトルエンにて希釈した塗布液を、厚み38μmの剥離処理したPETフィルム上に、乾燥後の厚みが5μmになるように塗布し、100℃で1分間乾燥した。エチレン・酢酸ビニル共重合体層と、ポリウレタンフィルム基材とを貼り合わせ、剥離処理したPETフィルムを剥がして、樹脂層がエチレン・酢酸ビニル共重合体層からなる半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。
(実施例5)
日本合成化学社製エチレン・酢酸ビニル共重合体(品名:ソアレックスSE−830)を固形濃度20%になるようにトルエンにて希釈し、厚み38μmの剥離処理したPETフィルム上に、乾燥後の厚みが100μmの厚みになるように塗布し、70℃で3分間乾燥した。さらにエチレン・酢酸ビニル共重合体上に厚み38μmの剥離処理したPETフィルムを貼り合せた。その後、エチレン・酢酸ビニル共重合体の両面に貼られたPETフィルムをそれぞれ剥離し、樹脂層がエチレン・酢酸ビニル共重合体層からなる半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。
(比較例1)
エチレン・酢酸ビニル共重合体として、三井デュポン社製エチレン・酢酸ビニル共重合体(品名:エバフレックスEV45X、酢酸ビニル単位含量45.8%)を用いた以外は実施例1と同様にして半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。
(比較例2)
エチレン・酢酸ビニル共重合体として、積水フーラー社製エチレン・酢酸ビニル共重合体(品名:エスダイン#1210、酢酸ビニル単位含量33.0%)を用いた以外は実施例1と同様にして半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。
(比較例3)
エチレン・酢酸ビニル共重合体として、三井デュポン社製エチレン・酢酸ビニル共重合体(品名:エバフレックスEV150、酢酸ビニル単位含量42.0%)を用いた以外は実施例1と同様にして半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。
(比較例4)
表面保護用シートとして、リンテック社製再剥離性粘着シート(品名:Adwill P−1600B)を用いた以外は実施例1と同様にして評価した。
(比較例5)
エチレン・酢酸ビニル共重合体の代わりに、アクリル系粘着剤(ブチルアクリレート/アクリル酸=90/10)を用いた以外は実施例1と同様にして半導体ウエハの表面保護用シートを作製し評価した。
(比較例6)
表面保護用シートとして、PET基材25μm/エチレン・酢酸ビニル共重合体120μm/オレフィン系樹脂350μmの積層フィルムを用いた以外は実施例1と同様にして評価した。なお、シリコンウエハの回路面には表面保護用シートのオレフィン系樹脂側を仮着した。
表1に表面保護用シートの特性値を示し、表2に裏面研削結果を示す。
Figure 2010073816
Figure 2010073816
本発明の1態様に係るウエハ表面保護用シートの断面図を示す。 本発明の他の態様に係るウエハ表面保護用シートの断面図を示す。 本発明のウエハ表面保護用シートを用いたウエハ裏面研削工程を示す。 半導体ウエハの回路形成面の平面図を示す。
符号の説明
1…樹脂層
2…基材
10…ウエハ表面保護用シート
11……半導体ウエハ
12…回路
13…回路表面内周部
14…余剰部分
20…グラインダー

Claims (6)

  1. 表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、
    ウエハに仮着されるシート面が、プローブタック値100mN未満の樹脂からなり、
    該シート面の保持時間が70000秒以上である表面保護用シート。
  2. 前記樹脂からなる単層シートである請求項1に記載の表面保護用シート。
  3. 前記樹脂からなる層が基材上に設けられてなる請求項1に記載の表面保護用シート。
  4. 前記樹脂がエチレン・酢酸ビニル共重合体からなる請求項1〜3の何れかに記載の表面保護用シート。
  5. エチレン・酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル単位含量が50重量%以上である請求項4に記載の表面保護用シート。
  6. 表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面研削時に該ウエハ表面に仮着される表面保護用シートであって、
    ウエハに仮着されるシート面が、エチレン・酢酸ビニル共重合体からなり、
    前記エチレン・酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル単位含量が50重量%以上である表面保護用シート。
JP2008238384A 2008-09-17 2008-09-17 表面保護用シート Active JP5415732B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008238384A JP5415732B2 (ja) 2008-09-17 2008-09-17 表面保護用シート

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008238384A JP5415732B2 (ja) 2008-09-17 2008-09-17 表面保護用シート

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010073816A true JP2010073816A (ja) 2010-04-02
JP5415732B2 JP5415732B2 (ja) 2014-02-12

Family

ID=42205350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008238384A Active JP5415732B2 (ja) 2008-09-17 2008-09-17 表面保護用シート

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5415732B2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017078050A1 (ja) * 2015-11-04 2017-05-11 リンテック株式会社 硬化性樹脂フィルム及び第1保護膜形成用シート
JP2019096811A (ja) * 2017-11-27 2019-06-20 株式会社ディスコ 加工方法
JP2019186488A (ja) * 2018-04-16 2019-10-24 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2019186355A (ja) * 2018-04-09 2019-10-24 株式会社ディスコ 保護シート配設方法
JP2019186489A (ja) * 2018-04-16 2019-10-24 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2019201023A (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019201024A (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019212783A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019212782A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019212784A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020024993A (ja) * 2018-08-06 2020-02-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020024994A (ja) * 2018-08-06 2020-02-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020024992A (ja) * 2018-08-06 2020-02-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02129282A (ja) * 1988-11-09 1990-05-17 Tonen Sekiyukagaku Kk 粘着性フィルム及びその製造方法
JP2001354930A (ja) * 2000-06-15 2001-12-25 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化性粘着テープ
JP2002155249A (ja) * 2000-11-22 2002-05-28 Mitsui Chemicals Inc ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
JP2002348554A (ja) * 2001-05-24 2002-12-04 Lintec Corp ワーク固定用シートおよびワーク加工方法
JP2004128115A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Hitachi Chem Co Ltd 減圧固定用フィルム、ウエハ保護フィルム、ダイシングフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
JP2005191296A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp バックグラインドテープ及び半導体ウェハの研磨方法
JP2008016624A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Sekisui Chem Co Ltd 半導体の製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02129282A (ja) * 1988-11-09 1990-05-17 Tonen Sekiyukagaku Kk 粘着性フィルム及びその製造方法
JP2001354930A (ja) * 2000-06-15 2001-12-25 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化性粘着テープ
JP2002155249A (ja) * 2000-11-22 2002-05-28 Mitsui Chemicals Inc ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
JP2002348554A (ja) * 2001-05-24 2002-12-04 Lintec Corp ワーク固定用シートおよびワーク加工方法
JP2004128115A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Hitachi Chem Co Ltd 減圧固定用フィルム、ウエハ保護フィルム、ダイシングフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
JP2005191296A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp バックグラインドテープ及び半導体ウェハの研磨方法
JP2008016624A (ja) * 2006-07-05 2008-01-24 Sekisui Chem Co Ltd 半導体の製造方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2017078050A1 (ja) * 2015-11-04 2017-11-09 リンテック株式会社 硬化性樹脂フィルム及び第1保護膜形成用シート
TWI623425B (zh) * 2015-11-04 2018-05-11 日商琳得科股份有限公司 固化性樹脂膜及第一保護膜形成用片
US11594458B2 (en) 2015-11-04 2023-02-28 Lintec Corporation Curable resin film and first protective film forming sheet
WO2017078050A1 (ja) * 2015-11-04 2017-05-11 リンテック株式会社 硬化性樹脂フィルム及び第1保護膜形成用シート
JP7001441B2 (ja) 2017-11-27 2022-01-19 株式会社ディスコ 加工方法
JP2019096811A (ja) * 2017-11-27 2019-06-20 株式会社ディスコ 加工方法
JP2019186355A (ja) * 2018-04-09 2019-10-24 株式会社ディスコ 保護シート配設方法
JP7034809B2 (ja) 2018-04-09 2022-03-14 株式会社ディスコ 保護シート配設方法
JP2019186489A (ja) * 2018-04-16 2019-10-24 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2019186488A (ja) * 2018-04-16 2019-10-24 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2019201024A (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019201023A (ja) * 2018-05-14 2019-11-21 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7139038B2 (ja) 2018-05-14 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7139039B2 (ja) 2018-05-14 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019212782A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019212784A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7154686B2 (ja) 2018-06-06 2022-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2019212783A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020024992A (ja) * 2018-08-06 2020-02-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020024994A (ja) * 2018-08-06 2020-02-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020024993A (ja) * 2018-08-06 2020-02-13 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5415732B2 (ja) 2014-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5415732B2 (ja) 表面保護用シート
JP5124778B2 (ja) レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
WO2005038894A1 (ja) 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP5997477B2 (ja) 表面保護用シート
JP4219605B2 (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シートおよびその使用方法
JP5997478B2 (ja) 表面保護用シート
JP5379377B2 (ja) 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP2003332267A (ja) 半導体ウエハの加工方法
TWI625376B (zh) 黏著片
TW201905995A (zh) 切晶帶一體型接著性片材
TW201906962A (zh) 切晶帶一體型背面保護膜
JP2008066336A (ja) ウエハ加工用シート
JP5990910B2 (ja) 半導体ウエハ等加工用粘着テープ
JP5522773B2 (ja) 半導体ウエハの保持方法、チップ体の製造方法、およびスペーサ
JP2009242776A (ja) 半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
JP2007012670A (ja) 粘接着テープ
US20130273716A1 (en) Method of dicing substrate
JP2010225753A (ja) ダイシングテープ
JP5546232B2 (ja) 感圧型半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
JP2013206961A (ja) 粘着フィルム
KR20140051079A (ko) 이미지 센서의 제조 방법 및 그것에 사용하는 적층형 내열성 보호 테이프
TWI782146B (zh) 工件加工用片材及加工畢工件之製造方法
JP5193753B2 (ja) ダイシングシートおよび半導体チップの製造方法
TWI791695B (zh) 工件加工用片材及加工畢工件之製造方法
JP5193752B2 (ja) レーザーダイシングシートおよび半導体チップの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130322

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20130322

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130717

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130809

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131112

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131114

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5415732

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250