KR20140051079A - 이미지 센서의 제조 방법 및 그것에 사용하는 적층형 내열성 보호 테이프 - Google Patents

이미지 센서의 제조 방법 및 그것에 사용하는 적층형 내열성 보호 테이프 Download PDF

Info

Publication number
KR20140051079A
KR20140051079A KR1020130123920A KR20130123920A KR20140051079A KR 20140051079 A KR20140051079 A KR 20140051079A KR 1020130123920 A KR1020130123920 A KR 1020130123920A KR 20130123920 A KR20130123920 A KR 20130123920A KR 20140051079 A KR20140051079 A KR 20140051079A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pressure
sensitive adhesive
heat
adhesive layer
resistant protective
Prior art date
Application number
KR1020130123920A
Other languages
English (en)
Inventor
신야 아키즈키
준지 후쿠하라
도시마사 스기무라
도모카즈 다카하시
유키 히가시벳푸
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20140051079A publication Critical patent/KR20140051079A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 우수한 생산 효율을 실현할 수 있는 이미지 센서의 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 제조 방법은, [공정 A] 유리판의 한쪽 면에, 제1 기재층과 그의 한쪽 면에 적층된 제1 점착제층을 구비하는 내열성 보호 테이프를 상기 제1 점착제층이 상기 유리판측으로 되도록 부착하는 것, [공정 B] 상기 유리판을 소정의 크기로 다이싱하여, 상기 내열성 보호 테이프가 부착된 커버 유리를 얻는 것, 및 [공정 C] 고체 촬상 소자가 수납된 패키지의 수광면에, 상기 내열성 보호 테이프가 부착된 측의 면이 외측으로 되도록 상기 커버 유리를 설치하는 것을 포함한다.

Description

이미지 센서의 제조 방법 및 그것에 사용하는 적층형 내열성 보호 테이프 {METHOD FOR PRODUCING IMAGE SENSOR AND LAMINATED HEAT-RESISTANT PROTECTIVE TAPE USED THEREFOR}
본 발명은 이미지 센서의 제조 방법 및 그것에 사용하는 적층형 내열성 보호 테이프에 관한 것이다.
이미지 센서는, 최근 디지털 카메라나 비디오 카메라 등에 널리 사용되고 있다. 상기 이미지 센서에 있어서는 CCD나 CMOS 등의 고체 촬상 소자가 패키지 내에 수납되고, 그 수광면에는 커버 유리가 설치되어 있다. 그리고, 상기 커버 유리의 오염을 방지하기 위하여, 상기 커버 유리 상에 보호 테이프가 더 부착된 상태로 출하된다(예를 들어, 특허문헌 1).
일본 특허 공개 제2005-340753호 공보
본 발명자들이 종래의 이미지 센서의 제조 방법을 검토한 바, 개개의 패키지의 수광면에 설치된 커버 유리 상에 상기 커버 유리에 대응하는 크기의 보호 테이프를 1매씩 부착하고 있으며, 그로 인해 매우 손이 간다고 하는 문제를 발견하였다. 본 발명은 이러한 문제를 해결하기 위하여 이루어진 것이며, 그 목적은 우수한 생산 효율을 실현할 수 있는 이미지 센서의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명에 따르면, 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다. 상기 제조 방법은,
[공정 A] 유리판의 한쪽 면에, 제1 기재층과 그의 한쪽 면에 적층된 제1 점착제층을 구비하는 내열성 보호 테이프를 상기 제1 점착제층이 상기 유리판측으로 되도록 부착하는 것,
[공정 B] 상기 유리판을 소정의 크기로 다이싱하여 상기 내열성 보호 테이프가 부착된 커버 유리를 얻는 것, 및
[공정 C] 고체 촬상 소자가 수납된 패키지의 수광면에, 상기 내열성 보호 테이프가 부착된 측의 면이 외측으로 되도록 상기 커버 유리를 설치하는 것을 포함한다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, [공정 B]에 있어서, 상기 유리판의 상기 내열성 보호 테이프가 부착되어 있는 측의 면에, 제2 기재층과 그의 한쪽 면에 적층된 제2 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프를 상기 제2 점착제층이 상기 유리판측으로 되도록 부착한 상태로 다이싱을 행하고, 계속해서 상기 다이싱 테이프로부터 상기 내열성 보호 테이프가 부착된 커버 유리를 박리한다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, [공정 B]에 있어서, 상기 유리판의 상기 내열성 보호 테이프가 부착되어 있지 않은 측의 면에, 제2 기재층과 그의 한쪽 면에 적층된 제2 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프를 상기 제2 점착제층이 상기 유리판측으로 되도록 부착한 상태로 다이싱을 행하고, 계속해서 상기 다이싱 테이프로부터 상기 내열성 보호 테이프가 부착된 커버 유리를 박리한다.
바람직한 실시 형태에 있어서는, [공정 A]에서 사용하는 내열성 보호 테이프가, 상기 제1 기재층의 다른쪽 면에 상기 제1 기재층측으로부터 순서대로 적층된 제3 점착제층과 제3 기재층을 더 구비하는 적층형 내열성 보호 테이프이며,
[공정 B]와 [공정 C]의 사이에,
[공정 D] 상기 적층형 내열성 보호 테이프가 부착된 커버 유리에 있어서, 제1 기재층부터 커버 유리까지의 부분을 제3 점착제층으로부터 박리하는 것을 포함한다.
본 발명의 다른 국면에 따르면, 상기 이미지 센서의 제조 방법에 사용되는 적층형 내열성 보호 테이프가 제공된다. 상기 적층형 내열성 보호 테이프는, 제1 기재층과, 그의 한쪽 면에 적층된 제1 점착제층과, 다른쪽 면에 상기 제1 기재층측으로부터 순서대로 적층된 제3 점착제층과 제3 기재층을 구비한다.
본 발명에 따르면, 내열성 보호 테이프가 부착된 대직경의 유리판을 소정의 크기로 다이싱함으로써, 내열성 보호 테이프를 갖는 커버 유리를 얻고, 이것을 사용하여 패키지 공정을 행하므로, 패키지 공정 후에 보호 테이프를 각 패키지의 커버 유리에 부착하는 공정이 불필요하게 되어 생산 효율이 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 이미지 센서의 제조 방법을 설명하는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 제2 이미지 센서의 제조 방법을 설명하는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 제2 이미지 센서의 제조 방법에 사용될 수 있는 적층형 내열성 보호 테이프의 개략 단면도이다.
본 발명의 이미지 센서의 제조 방법은,
[공정 A] 유리판의 한쪽 면에, 제1 기재층과 그의 한쪽 면에 적층된 제1 점착제층을 구비하는 내열성 보호 테이프를 상기 제1 점착제층이 상기 유리판측으로 되도록 부착하는 것,
[공정 B] 상기 유리판을 소정의 크기로 다이싱하여, 상기 내열성 보호 테이프가 부착된 커버 유리를 얻는 것, 및
[공정 C] 고체 촬상 소자가 수납된 패키지의 수광면에, 상기 내열성 보호 테이프가 부착된 측의 면이 외측으로 되도록 상기 커버 유리를 설치하는 것
을 포함한다. 이와 같이 다이싱 전의 유리판에 내열성 보호 테이프를 부착해 둠으로써, 패키지에 설치된 커버 유리에, 그것과 대응하는 크기의 보호 테이프를 1매씩 부착하는 공정이 불필요하게 된다. 그 결과, 제조 프로세스가 간략화되어 생산 효율을 현저하게 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 제조 방법으로 얻어진 이미지 센서에 따르면, 내열성을 갖는 보호 테이프가 부착되어 있으므로, 기판 등에의 실장시에, 상기 보호 테이프를 부착한 채로 리플로우 로에 있어서 고온 처리를 실시하는 것이 가능하다.
본 발명의 이미지 센서의 제조 방법은, 제1 기재층과 그의 한쪽 면에 적층된 제1 점착제층을 구비하는 내열성 보호 테이프와, 제2 기재층과 그의 한쪽 면에 적층된 제2 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프를 사용하는 제1 이미지 센서의 제조 방법과, 제1 기재층과 그의 한쪽 면에 적층된 제1 점착제층과 다른쪽 면에 상기 제1 기재층측으로부터 순서대로 적층된 제3 점착제층과 제3 기재층을 구비하는 적층형 내열성 보호 테이프를 사용하는 제2 이미지 센서의 제조 방법으로 대별할 수 있다. 이하, 각각의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
≪제1 이미지 센서의 제조 방법≫
도 1은 제1 이미지 센서의 제조 방법을 설명하는 개략도이다. 도 1의 (a)에 도시한 바와 같이, [공정 A]에서는, 유리판(10)의 한쪽 면에, 제1 기재층(21)과 그의 한쪽 면에 적층된 제1 점착제층(22)을 구비하는 내열성 보호 테이프(20)를 제1 점착제층(22)이 유리판(10)측으로 되도록 부착한다. 부착 방법으로서는, 임의의 적절한 방법이 이용될 수 있다. 예를 들어, 테이블 상에 유리판을 적재하고, 그 위에 내열성 보호 테이프를 제1 점착제층이 유리판측으로 되도록 겹쳐, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 부착하는 방법이 이용될 수 있다.
유리판(10)으로서는, 이미지 센서의 투광창으로서 기능할 수 있기 위한 다양한 특성(예를 들어, 투과율, 균질성, 강도, 내후성 등)을 만족하는 한도에 있어서, 임의의 적절한 유리판이 사용될 수 있다.
유리판(10)의 크기 및 두께는 각각 목적 등에 따라 임의의 적절한 값으로 설정될 수 있다.
내열성 보호 테이프(20)는, [공정 C]에서의 커버 유리의 설치시나, 얻어진 이미지 센서가 기판 등에 실장될 때의 땜납 리플로우 공정 등에 있어서, 고온 환경하에 노출되는 경우가 있다. 따라서, 제1 기재층(21)은, 이러한 고온 조건에 대하여 내열성을 만족하는 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
제1 기재층(21)의 형성 재료로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 필름, 폴리에틸렌술폰(PES) 필름, 폴리에테르이미드(PEI) 필름, 폴리술폰(PSF) 필름, 폴리페닐렌술피드(PPS) 필름, 폴리에테르에테르케톤(PEEK) 필름, 폴리아릴레이트(PAR) 필름, 아라미드 필름, 액정 중합체(LCP) 필름 등의 수지 필름을 들 수 있다.
제1 기재층(21)의 두께는, 꺾임이나 찢어짐을 방지하는 관점에서 바람직하게는 5㎛ 이상이고, 적합한 핸들링성의 관점에서 보다 바람직하게는 10㎛ 내지 100㎛이다.
제1 점착제층(22)으로서는 내열성을 가지며, 또한 엔드 커스터머로 점착제 잔류없이 박리 가능한 응집력을 갖는 점착제에 의해 형성되는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 이러한 점착제로서는, 예를 들어 고무계 점착제, 아크릴계 점착제, 실리콘계 점착제 등을 들 수 있다.
상기 아크릴계 점착제로서는, 점착성을 제공하는 저Tg의 단량체를 주 단량체로 하고, 접착성이나 응집력을 제공하는 고Tg의 공단량체, 가교나 접착성 개량을 위한 관능기 함유 단량체 등의 모노에틸렌성 불포화 단량체 등을 공중합시켜 얻어지는 아크릴계 중합체가 사용된다. 주 단량체로서는, 예를 들어 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, n-헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 이소노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 여기서, 주 단량체란, 중합체를 구성하는 전체 단량체의 총 중량에 기초하여 50중량％ 이상 포함되는 단량체를 의미한다.
상기 공단량체로서는, 예를 들어 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐, 비닐에테르, 스티렌, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 비닐기 함유 화합물을 들 수 있다. 관능기 함유 단량체로서는, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, 말레산, 푸마르산, 이타콘산 등의 카르복실기 함유 단량체, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, N-메틸올아크릴아미드, 알릴알코올 등의 히드록실기 함유 단량체, 디메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 디에틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 디메틸아미노프로필(메트)아크릴레이트 등의 3급 아미노기 함유 단량체, 아크릴아미드, 메타크릴아미드 등의 아미드기 함유 단량체, N-메틸(메트)아크릴아미드, N-에틸(메트)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-에톡시메틸(메트)아크릴아미드, N-t-부틸아크릴아미드, N-옥틸아크릴아미드 등의 N-치환 아미드기 함유 단량체, 글리시딜메타크릴레이트 등의 에폭시기 함유 단량체를 들 수 있다.
상기 아크릴계 점착제는 임의의 적절한 가교제를 함유할 수 있다. 예를 들어, 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 화합물, 킬레이트계 가교제 등을 들 수 있다. 가교제의 사용량은, 예를 들어 상기 아크릴계 중합체 100중량부에 대하여 0.1중량부 내지 15중량부가 바람직하고, 1.0중량부 내지 10중량부가 보다 바람직하다. 이러한 아크릴계 점착제는 적절한 점착력이나 저장 탄성률을 얻기 쉽기 때문에, 본 발명의 제조 방법에 적절하게 사용될 수 있다.
제1 점착제층(22)은, 필요에 따라, 예를 들어 자외선 흡수제, 점착 부여제, 연화제(가소제), 충전제, 노화 방지제, 안료, 염료, 실란 커플링제, 이형제 등의 각종 첨가제를 함유할 수 있다.
제1 점착제층(22)의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 바람직하게는 1㎛ 내지 50㎛ 정도, 보다 바람직하게는 5㎛ 내지 25㎛이다.
내열성 보호 테이프(20)의 점착력으로서는, 측정 온도 23℃, 인장 속도 0.3m/분, 박리 각도 180도의 조건하에서의 스테인리스 강판(SUS판)에 대한 점착력이 바람직하게는 0.01N/20mm 내지 10.0N/20mm이고, 보다 바람직하게는 0.1N/20mm 내지 8.0N/20mm이다. 이러한 점착력이면, 다이싱시의 어긋남이나 점착제 잔류가 적절하게 방지될 수 있다. 상기 점착력의 측정은, 예를 들어 JIS-Z-0237(2000)에 준거하여 행할 수 있다.
또한, 내열성 보호 테이프(20)를 스테인리스판에 접합한 상태로 200℃에서 1시간 가열한 후에, JIS-Z-0237에 준하여 측정되는 점착력은 바람직하게는 0.001N/20mm 내지 8.0N/20mm이고, 보다 바람직하게는 0.005N/20mm 내지 5.0N/20mm이다.
내열성 보호 테이프(20)는, 예를 들어 점착제 및 필요에 따라 용매나 그 밖의 첨가제를 포함하는 혼합물을 제1 기재층(21) 상에 도포하는 방법, 적당한 세퍼레이터(박리지 등) 상에 상기 혼합물을 도포하여 제1 점착제층(22)을 형성하고, 이것을 제1 기재층(21) 상에 전사(이착)하는 방법 등에 의해 얻을 수 있다.
계속해서, [공정 B]에서는, 상기 유리판을 소정의 크기로 다이싱하여, 내열성 보호 테이프가 부착된 커버 유리를 얻는다. 다이싱은, 예를 들어 상기 유리판의 어느 한쪽 면에 다이싱 테이프를 부착하고, 임의의 적절한 다이싱 장치를 사용하여, 유리판의 다이싱 테이프가 부착되어 있지 않은 측으로부터 통상법에 따라 행해질 수 있다. 본 발명에서는, 예를 들어 다이싱 테이프까지 절입을 행하는 풀 컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 다이싱 테이프의 부착 방법으로서는, 임의의 적절한 방법이 이용될 수 있다. 예를 들어, [공정 A]에 있어서, 유리판에 내열성 보호 테이프를 부착하는 방법과 마찬가지의 방법이 이용될 수 있다.
하나의 실시 형태에 있어서는, 도 1의 (b-1) 내지 (d-1)에 도시한 바와 같이, 유리판(10)의 내열성 보호 테이프(20)가 부착되어 있는 측의 면에, 제2 기재층(31)과 그의 한쪽 면에 적층된 제2 점착제층(32)을 구비하는 다이싱 테이프(30)를 제2 점착제층(32)이 유리판(10)측으로 되도록 부착하고(b-1), 그 상태에서 다이싱을 행하고(c-1), 계속해서 다이싱 테이프(30)로부터 내열성 보호 테이프(20)가 부착된 커버 유리(40)를 박리한다(d-1). 또한, 도 1의 (c-1) 중의 점선은 다이싱 라인을 나타낸다.
다른 실시 형태에 있어서는, 도 1의 (b-2) 내지 (d-2)에 도시한 바와 같이, 유리판(10)의 내열성 보호 테이프(20)가 부착되어 있지 않은 측의 면에, 제2 기재층(31)과 그의 한쪽 면에 적층된 제2 점착제층(32)을 구비하는 다이싱 테이프(30)를 제2 점착제층(32)이 유리판(10)측으로 되도록 부착하고(b-2), 그 상태에서 다이싱을 행하고(c-2), 계속해서 상기 다이싱 테이프(30)로부터 내열성 보호 테이프(20)가 부착된 커버 유리(40)를 박리한다(d-2). 또한, 도 1의 (c-2) 중의 점선은 다이싱 라인을 나타낸다.
다이싱 테이프(30)의 제2 기재층(31)은, 제2 점착제층(32)의 지지 모체로서 기능할 수 있는 한도에 있어서, 임의의 적절한 기재로 구성될 수 있다. 바람직하게는, 제2 기재층은 방사선 투과성을 갖는다. 제2 기재층을 구성하는 기재로서는, 예를 들어 종이 등의 종이계 기재; 천, 부직포, 펠트, 네트 등의 섬유계 기재; 금속박, 금속판 등의 금속계 기재; 플라스틱의 필름이나 시트 등의 플라스틱계 기재; 고무 시트 등의 고무계 기재; 발포 시트 등의 발포체; 및 이들의 적층체; 등의 박엽체를 들 수 있다. 그 중에서도 플라스틱의 필름이나 시트 등의 플라스틱계 기재가 적절하게 사용될 수 있다. 이러한 플라스틱 기재의 형성 재료로서는, 예를 들어 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 올레핀계 수지; 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA), 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르 (랜덤, 교대) 공중합체 등의 에틸렌을 단량체 성분으로 하는 공중합체; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 아크릴계 수지; 폴리염화비닐(PVC); 폴리우레탄; 폴리카르보네이트; 폴리페닐렌술피드(PPS); 폴리아미드(나일론), 전체 방향족 폴리아미드(아라미드) 등의 아미드계 수지; 폴리에테르에테르케톤(PEEK); 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리염화비닐리덴; ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체); 셀룰로오스계 수지; 실리콘 수지; 불소 수지; 및 이들의 가교체 등을 들 수 있다. 제2 기재층은 상기 기재의 단층체 또는 적층체일 수 있다.
상기 플라스틱 필름은 비연신으로 사용하여도 되고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용하여도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 기재에 따르면, 다이싱 후에 상기 기재를 열수축시킴으로써 제2 점착제층과 유리 기판 또는 제1 기재층과의 접착 면적을 저하시켜 커버 유리의 회수 용이화를 도모할 수 있다.
제2 기재층(31)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위하여 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 방법에 의한 산화 처리 등이 실시되어도 된다. 또한, 하도제에 의한 코팅 처리 등이 실시되어도 된다.
제2 기재층(31)의 두께(적층체의 경우에는 총 두께)는 강도, 유연성, 목적 등에 따라 적절하게 설정될 수 있다. 상기 두께는, 예를 들어 1㎛ 내지 1000㎛, 바람직하게는 10㎛ 내지 500㎛, 보다 바람직하게는 20㎛ 내지 300㎛, 더욱 바람직하게는 30㎛ 내지 200㎛ 정도이다.
제2 점착제층(32)은 목적 등에 따라 임의의 적절한 점착제로 형성될 수 있다. 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 비닐알킬에테르계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 우레탄계 점착제, 불소계 점착제, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 점착제, 이들 점착제에 융점이 약 200℃ 이하인 열용융성 수지를 배합한 크리프 특성 개량형 점착제 등(예를 들어, 일본 특허 공개 소56-61468호 공보, 일본 특허 공개 소61-174857호 공보, 일본 특허 공개 소63-17981호 공보, 일본 특허 공개 소56-13040호 공보 등 참조)을 들 수 있다. 또한, 점착제로서는 방사선 경화형 점착제(또는 에너지선 경화형 점착제)나 열팽창성 점착제를 사용할 수도 있다. 점착제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 점착제로서는 아크릴계 점착제, 고무계 점착제를 적절하게 사용할 수 있으며, 특히 아크릴계 점착제가 적합하다. 아크릴계 점착제로서는 (메트)아크릴산 알킬에스테르의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체(단독중합체 또는 공중합체)를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제를 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴산 알킬에스테르로서는 바람직하게는 알킬기의 탄소수가 1 내지 20, 보다 바람직하게는 4 내지 18인 (메트)아크릴산 알킬에스테르가 사용된다. 또한, (메트)아크릴산 알킬에스테르의 알킬기는 직쇄상 또는 분지쇄상의 어느 것이어도 된다.
상기 아크릴계 중합체는 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라 (메트)아크릴산 알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분(공중합성 단량체 성분)에 대응하는 단위를 포함하여도 된다. 이러한 공중합성 단량체 성분으로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물기 함유 단량체; (메트)아크릴산 히드록시에틸, (메트)아크릴산 히드록시프로필, (메트)아크릴산 히드록시부틸, (메트)아크릴산 히드록시헥실, (메트)아크릴산 히드록시옥틸, (메트)아크릴산 히드록시데실, (메트)아크릴산 히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸메타크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드 등의 (N-치환) 아미드계 단량체; (메트)아크릴산 아미노에틸, (메트)아크릴산 N,N-디메틸아미노에틸, (메트)아크릴산 t-부틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산 아미노알킬계 단량체; (메트)아크릴산 메톡시에틸, (메트)아크릴산 에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산 알콕시알킬계 단량체; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노아크릴레이트 단량체; (메트)아크릴산 글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 단량체; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등의 비닐에스테르계 단량체; 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 단량체; 비닐에테르 등의 비닐에테르계 단량체; N-비닐피롤리돈, 메틸비닐피롤리돈, 비닐피리딘, 비닐피페리돈, 비닐피리미딘, 비닐피페라진, 비닐피라진, 비닐피롤, 비닐이미다졸, 비닐옥사졸, 비닐모르폴린, N-비닐카르복실산 아미드류, N-비닐카프로락탐 등의 질소 함유 단량체; N-시클로헥실말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드 등의 말레이미드계 단량체; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-부틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-시클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 단량체; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌숙신이미드 등의 숙신이미드계 단량체; (메트)아크릴산 폴리에틸렌글리콜, (메트)아크릴산 폴리프로필렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시에틸렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스테르 단량체; (메트)아크릴산 테트라히드로푸르푸릴, 불소 (메트)아크릴레이트, 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 복소환, 할로겐 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산 에스테르계 단량체; 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 디비닐벤젠, 부틸디(메트)아크릴레이트, 헥실디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 단량체 등을 들 수 있다. 이들 공중합성 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
상기 점착제로서 방사선 경화형 점착제(또는 에너지선 경화형 점착제)를 사용하는 경우, 방사선 경화형 점착제(조성물)로서는, 예를 들어 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 중합체를 베이스 중합체로서 사용한 내재형의 방사선 경화형 점착제나, 점착제 중에 자외선 경화성 단량체 성분이나 올리고머 성분이 배합된 방사선 경화형 점착제 등을 들 수 있다. 또한, 점착제로서 열팽창성 점착제를 사용하는 경우, 열팽창성 점착제로서는, 예를 들어 점착제와 발포제(특히 열팽창성 미소구)를 포함하는 열팽창성 점착제 등을 들 수 있다.
제2 점착제층(32)에는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 각종 첨가제(예를 들어, 점착 부여 수지, 착색제, 증점제, 증량제, 충전제, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 가교제 등)가 포함되어도 된다.
상기 가교제는, 자외선 조사 전의 점착력의 조정이나, 자외선 조사 후의 점착력의 조정 등을 위하여 사용할 수 있다. 가교제를 사용함으로써, 외부 가교를 행할 수 있다. 가교제로서는 특별히 제한되지 않으며, 공지된 가교제를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 가교제로서는 이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 멜라민계 가교제, 과산화물계 가교제 외에, 요소계 가교제, 금속 알콕시드계 가교제, 금속 킬레이트계 가교제, 금속염계 가교제, 카르보디이미드계 가교제, 옥사졸린계 가교제, 아지리딘계 가교제, 아민계 가교제 등을 들 수 있으며, 이소시아네이트계 가교제나 에폭시계 가교제가 적합하다. 가교제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 가교제의 사용량은 특별히 제한되지 않지만, 가교해야 할 베이스 중합체(특히 아크릴 중합체)와의 밸런스에 따라, 나아가 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절하게 결정된다. 일반적으로는, 가교제는, 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여 20중량부 정도 이하, 나아가 0.1중량부 내지 10중량부 배합하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 제조 방법에 있어서는, 가교제를 사용하는 대신에, 혹은 가교제를 사용함과 함께, 전자선이나 자외선 등의 조사에 의해 가교 처리를 실시하는 것도 가능하다.
제2 점착제층(32)의 두께는, 목적 등에 따라 임의의 적절한 값으로 설정될 수 있다. 상기 두께는, 예를 들어 5㎛ 내지 300㎛, 바람직하게는 5㎛ 내지 200㎛, 보다 바람직하게는 5㎛ 내지 100㎛, 더욱 바람직하게는 7㎛ 내지 50㎛이다.
제2 점착제층(32)의 유리판 또는 내열성 보호 테이프의 제1 기재층에 대한 접착력(23℃, 박리 각도 180도, 박리 속도 300mm/분)은 0.02N/20mm 내지 10N/20mm의 범위가 바람직하고, 0.05N/20mm 내지 5N/20mm의 범위가 보다 바람직하다. 상기 접착력을 0.02N/20mm 이상으로 함으로써, 다이싱시에 유리가 비산되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 상기 접착력을 10N/20mm 이하로 함으로써, 커버 유리를 픽업하여 회수할 때, 상기 커버 유리의 박리가 곤란해지거나 점착제 잔류가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
다이싱 필름(30)은, 예를 들어 점착제 및 필요에 따라 용매나 그 밖의 첨가제를 포함하는 혼합물을 제2 기재층(31) 상에 도포하는 방법, 적당한 세퍼레이터(박리지 등) 상에 상기 혼합물을 도포하여 제2 점착제층(32)을 형성하고, 이것을 제2 기재층(31) 상에 전사(이착)하는 방법 등에 의해 얻을 수 있다.
다이싱에 의해 얻어진 커버 유리(40)는, 예를 들어 픽업 장치 등에 의해 다이싱 테이프로부터 박리되어 회수된다. 제2 점착제층(32)이 방사선 경화형 점착제, 열팽창성 점착제 등으로 형성되어 있는 경우에는, 적절하게 방사선 조사, 가열 등에 의해 점착력을 저하시키고 나서 커버 유리를 박리한다.
커버 유리(40)의 크기는, [공정 C]에 있어서 설치되는 패키지의 크기에 따라 적절하게 설정된다.
계속해서, 도 1의 (e)에 도시한 바와 같이, [공정 C]에 있어서는, 고체 촬상 소자(50)가 수납된 패키지(60)의 수광면에, 내열성 보호 테이프(20)가 부착된 측의 면이 외측으로 되도록 커버 유리(40)를 설치한다. 구체적으로는, 수광면에 개구부를 갖는 패키지(60)의 상기 개구부에 접착제(도시하지 않음)에 의해 커버 유리(40)를 밀봉한다. 상기 접착제로서는, 예를 들어 열경화성 에폭시 수지, 자외선 경화성 아크릴계 수지 등이 바람직하게 사용될 수 있다.
패키지(60)는 알루미나 등의 세라믹스 재료, 코바르(Fe-Ni-Co 합금) 등의 금속 재료, 유리 에폭시 기재 등의 복합 재료, 에폭시 수지 등의 플라스틱 재료 등의 다양한 재료로 형성될 수 있다.
고체 촬상 소자(50)로서는, 예를 들어 CMOS, CCD 등을 사용한 반도체 소자가 바람직하게 사용될 수 있다.
≪제2 이미지 센서의 제조 방법≫
도 2는 제2 이미지 센서의 제조 방법을 설명하는 개략도이다. 도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, [공정 A]에서는, 유리판(10)의 한쪽 면에, 제1 기재층(21)과 그의 한쪽 면에 적층된 제1 점착제층(22)과 다른쪽 면에 제1 기재층(21)측으로부터 순서대로 적층된 제3 점착제층(23)과 제3 기재층(24)을 구비하는 적층형 내열성 보호 테이프(20')를 제1 점착제층(22)이 유리판(10)측으로 되도록 부착한다. 부착 방법 및 유리판(10)에 관해서는, 제1 이미지 센서의 제조 방법의 [공정 A]에 기재한 바와 같다.
도 3은 본 발명의 제2 이미지 센서의 제조 방법에서 바람직하게 사용되는 적층형 내열성 보호 테이프의 개략 단면도이다. 상기한 바와 같이, 적층형 내열성 보호 테이프(20')는, 제1 기재층(21)과 그의 한쪽 면에 적층된 제1 점착제층(22)과 다른쪽 면에 제1 기재층(21)측으로부터 순서대로 적층된 제3 점착제층(23)과 제3 기재층(24)을 구비한다. 즉, 적층형 내열성 보호 테이프(20')에 있어서는, 상기 내열성 보호 테이프(20)의 제1 기재층(21)의 제1 점착제층(22)이 형성되지 않는 측에, 제1 기재층(21)측으로부터 순서대로 제3 점착제층(23)과 제3 기재층(24)이 적층되어 있다. 여기서, 제3 점착제층(23) 및 제3 기재층(24)에 관해서는, 각각 상기 다이싱 테이프(30)의 제2 점착제층(32) 및 제2 기재층(31)과 마찬가지의 설명을 적용할 수 있다. 따라서, 하나의 실시 형태에 있어서, 적층형 내열성 보호 테이프(20')는, 내열성 보호 테이프(20)와 다이싱 테이프(30)가, 내열성 보호 테이프(20)의 제1 기재층(21)과 다이싱 테이프(30)의 제2 점착제층(32)이 인접하도록 적층된 구성을 갖는다. 실용적으로는, 사용에 제공될 때까지의 사이, 제1 점착제층(22)의 제1 기재층(21)과 반대측의 면에는 박리 라이너(도시하지 않음)가 적층될 수 있다.
적층형 내열성 보호 테이프(20')는, 예를 들어 제1 기재와 제1 점착제층의 적층체와, 제3 기재와 제3 점착제층의 적층체를 별개로 준비하고, 이들 적층체를 제1 기재와 제3 점착제층이 인접하도록 접합하는 방법 등에 의해 얻을 수 있다.
계속해서, 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, [공정 B]에서는, 상기 유리판(10)을 소정의 크기로 다이싱하여, 적층형 내열성 보호 테이프(20')가 부착된 커버 유리(40)를 얻는다. 다이싱은, 예를 들어 임의의 적절한 다이싱 장치를 사용하여, 유리판의 적층형 내열성 보호 테이프가 부착되어 있지 않은 측부터 통상법에 따라 행해질 수 있다. 본 발명에서는, 예를 들어 제3 점착제층 또는 제3 기재층까지 절입을 행하는 풀 컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 또한, 도 2의 (b) 중의 점선은 다이싱 라인을 나타낸다.
계속해서, 도 2의 (c)에 도시한 바와 같이, [공정 D]에서는, 적층형 내열성 보호 테이프(20')가 부착된 커버 유리(40)에 있어서, 제1 기재층(21)부터 커버 유리(40)까지의 부분을 제3 점착제층(23)으로부터 박리한다. 구체적으로는, 예를 들어 픽업 장치 등에 의해 제1 기재층부터 커버 유리까지의 부분이 제3 점착제층으로부터 박리되어 회수된다. 제3 점착제층이 방사선 경화형 점착제, 열팽창성 점착제 등으로 형성되어 있는 경우에는, 적절하게 방사선 조사, 가열 등에 의해 점착력을 저하시키고 나서 박리한다.
제3 점착제층으로부터 박리된 커버 유리(40)는, 그의 한쪽 면에 제1 점착제층(22)과 제1 기재층(21)이 커버 유리측으로부터 이 순서대로 적층되어 있으며, 제1 이미지 센서의 제조 방법의 [공정 B]에서 얻어지는 내열성 보호 테이프(20)가 부착된 커버 유리(40)에 상당한다.
계속해서, 도 2의 (d)에 도시한 바와 같이, [공정 C]에 있어서는, 고체 촬상 소자(50)가 수납된 패키지(60)의 수광면에, 내열성 보호 테이프(20)(적층형 내열성 보호 테이프(20')의 일부인 제1 점착제층(22) 및 제1 기재층(21))가 부착된 측의 면이 외측으로 되도록 커버 유리(40)를 설치한다. 상기 공정에 관해서는, 제1 이미지 센서의 제조 방법의 [공정 C]와 마찬가지의 설명을 적용할 수 있다.
<실시예>
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않는다.
[실시예 1]
25㎛ 두께의 폴리이미드 필름(도레이 듀퐁제: 상품명 「캡톤 100H」)을 기재로서 사용하였다. 한편, 부틸아크릴레이트 100중량부에 대하여 아크릴산 5중량부를 구성 단량체로 하는 아크릴계 공중합체를 사용하여, 이 중합체 100중량부에 대하여 에폭시계 가교제(미쯔비시 가스 가가꾸제: 상품명 「Tetrad-C」)를 3중량부 첨가하여 아크릴계 점착제 조성물을 제조하였다. 이 아크릴계 점착제 조성물을 기재 상에 도포하고, 120℃에서 3분간, 계속해서 50℃에서 48시간 가열하였다. 이에 의해, 두께 10㎛의 점착제층을 기재 상에 형성한 내열성 보호 테이프(1)를 제작하였다.
커버 유리용 유리판(두께: 500㎛)의 한쪽 면에 상기 내열성 보호 테이프(1)를 롤 압착하여 부착하였다. 계속해서, 상기 유리판의 내열성 보호 테이프가 부착되어 있지 않은 측의 면에 다이싱 테이프(상품명 「V-8-T」, 닛토덴코 가부시키가이샤제, PET계 수지 필름(두께: 65㎛)의 한쪽 면에 아크릴계 점착제층(두께: 20㎛)이 적층되어 있음)를 롤 압착하여 부착하고, 내열성 보호 테이프(1)가 부착되어 있는 측으로부터 다이싱을 행하여 20mm×20mm의 커버 유리를 얻었다. 계속해서, 다이싱 테이프측으로부터 니들로 밀어올려 커버 유리를 다이싱 테이프로부터 박리하여 픽업하였다. 이에 의해, 내열성 보호 테이프(1)가 한쪽 면에 부착된 커버 유리를 얻었다.
상기 내열성 보호 테이프(1)가 한쪽 면에 부착된 커버 유리를, 고체 촬상 소자가 수납된 패키지의 수광면의 개구부에 에폭시계 접착제를 통하여 밀봉하였다. 이때, 커버 유리의 내열성 보호 테이프(1)가 부착되어 있는 측이 외측으로 되도록 밀봉하였다. 이상과 같이 하여 이미지 센서를 얻었다.
[실시예 2]
커버 유리용 유리판(두께: 500㎛)의 한쪽 면에 실시예 1에서 제작한 내열성 보호 테이프(1)를 롤 압착하여 부착하였다. 계속해서, 상기 유리판의 내열성 보호 테이프가 부착되어 있는 측의 면에 다이싱 테이프(상품명 「V-8-T」, 닛토덴코 가부시키가이샤제)를 롤 압착하여 부착하고, 내열성 보호 테이프(1) 및 다이싱 테이프가 부착되어 있지 않은 측으로부터 다이싱을 행하여 20mm×20mm의 커버 유리를 얻었다. 계속해서, 다이싱 테이프측으로부터 니들로 밀어올려 내열성 보호 테이프(1)의 기재층과 다이싱 테이프의 점착제층을 박리하고, 내열성 보호 테이프(1)가 한쪽 면에 부착된 커버 유리를 픽업하였다.
계속해서, 실시예 1과 마찬가지로, 상기 내열성 보호 테이프(1)가 한쪽 면에 부착된 커버 유리를 고체 촬상 소자가 수납된 패키지의 수광면의 개구부에 밀봉하였다. 이상과 같이 하여 이미지 센서를 얻었다.
[실시예 3]
다이싱 테이프(상품명 「V-8-T」, 닛토덴코 가부시키가이샤제)의 점착제층과 실시예 1에서 제작한 내열성 보호 테이프(1)의 기재층이 인접하도록 이들 테이프를 적층하여 적층형 내열성 보호 테이프(1')를 얻었다. 적층형 내열성 보호 테이프(1')는, [제1 점착제층(내열성 보호 테이프(1)의 점착제층)/제1 기재층(내열성 보호 테이프(1)의 기재층)/제3 점착제층(다이싱 테이프의 점착제층)/제3 기재층(다이싱 테이프의 기재층)]의 구성을 갖는다.
커버 유리용 유리판(두께: 500㎛)의 한쪽 면에 적층형 내열성 보호 테이프(1')를 롤 압착하여 부착하였다. 계속해서, 적층형 내열성 보호 테이프(1')가 부착되어 있지 않은 측으로부터 다이싱을 행하여 20mm×20mm의 커버 유리를 얻었다. 계속해서, 적층형 내열성 보호 테이프(1')측으로부터 니들로 밀어올려 적층형 내열성 보호 테이프(1')의 제1 기재층과 제3 점착제층을 박리하고, 내열성 보호 테이프(1)(보다 구체적으로는, 적층형 내열성 보호 테이프(1')의 일부인 제1 점착제층 및 제1 기재층)가 한쪽 면에 부착된 커버 유리를 픽업하였다.
계속해서, 실시예 1과 마찬가지로, 상기 내열성 보호 테이프(1)가 한쪽 면에 부착된 커버 유리를 고체 촬상 소자가 수납된 패키지의 수광면의 개구부에 밀봉하였다. 이상과 같이 하여 이미지 센서를 얻었다.
본 발명의 제조 방법은 CMOS, CCD 등의 이미지 센서의 제조에 있어서 바람직하게 적용될 수 있다.
10: 유리판
20: 내열성 보호 테이프
20': 적층형 내열성 보호 테이프
30: 다이싱 테이프
40: 커버 유리
50: 고체 촬상 소자
60: 패키지

Claims (8)

  1. [공정 A] 유리판의 한쪽 면에, 제1 기재층과 그의 한쪽 면에 적층된 제1 점착제층을 구비하는 내열성 보호 테이프를 상기 제1 점착제층이 상기 유리판측으로 되도록 부착하는 것,
    [공정 B] 상기 유리판을 소정의 크기로 다이싱하여 상기 내열성 보호 테이프가 부착된 커버 유리를 얻는 것, 및
    [공정 C] 고체 촬상 소자가 수납된 패키지의 수광면에, 상기 내열성 보호 테이프가 부착된 측의 면이 외측으로 되도록 상기 커버 유리를 설치하는 것을 포함하는, 이미지 센서의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, [공정 B]에 있어서, 상기 유리판의 상기 내열성 보호 테이프가 부착되어 있는 측의 면에, 제2 기재층과 그의 한쪽 면에 적층된 제2 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프를 상기 제2 점착제층이 상기 유리판측으로 되도록 부착한 상태로 다이싱을 행하고, 계속해서 상기 다이싱 테이프로부터 상기 내열성 보호 테이프가 부착된 커버 유리를 박리하는, 이미지 센서의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 제2 점착제층을 형성하는 점착제층이 방사선 경화형 점착제 또는 열팽창성 점착제인, 이미지 센서의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, [공정 B]에 있어서, 상기 유리판의 상기 내열성 보호 테이프가 부착되어 있지 않은 측의 면에, 제2 기재층과 그의 한쪽 면에 적층된 제2 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프를 상기 제2 점착제층이 상기 유리판측으로 되도록 부착한 상태로 다이싱을 행하고, 계속해서 상기 다이싱 테이프로부터 상기 내열성 보호 테이프가 부착된 커버 유리를 박리하는, 이미지 센서의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 제2 점착제층을 형성하는 점착제층이 방사선 경화형 점착제 또는 열팽창성 점착제인, 이미지 센서의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, [공정 A]에서 사용하는 내열성 보호 테이프가, 상기 제1 기재층의 다른쪽 면에 상기 제1 기재층측으로부터 순서대로 적층된 제3 점착제층과 제3 기재층을 더 구비하는 적층형 내열성 보호 테이프이며,
    [공정 B]와 [공정 C]의 사이에,
    [공정 D] 상기 적층형 내열성 보호 테이프가 부착된 커버 유리에 있어서, 제1 기재층부터 커버 유리까지의 부분을 제3 점착제층으로부터 박리하는 것
    을 포함하는, 이미지 센서의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 제2 점착제층을 형성하는 점착제층이 방사선 경화형 점착제 또는 열팽창성 점착제인, 이미지 센서의 제조 방법.
  8. 제1 기재층과, 그의 한쪽 면에 적층된 제1 점착제층과, 다른쪽 면에 상기 제1 기재층측으로부터 순서대로 적층된 제3 점착제층과 제3 기재층을 구비하는, 제6항 또는 제7항에 기재된 이미지 센서의 제조 방법에 사용되는, 적층형 내열성 보호 테이프.
KR1020130123920A 2012-10-22 2013-10-17 이미지 센서의 제조 방법 및 그것에 사용하는 적층형 내열성 보호 테이프 KR20140051079A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012232510A JP2014086478A (ja) 2012-10-22 2012-10-22 イメージセンサの製造方法およびそれに用いる積層型耐熱性保護テープ
JPJP-P-2012-232510 2012-10-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140051079A true KR20140051079A (ko) 2014-04-30

Family

ID=50571436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130123920A KR20140051079A (ko) 2012-10-22 2013-10-17 이미지 센서의 제조 방법 및 그것에 사용하는 적층형 내열성 보호 테이프

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2014086478A (ko)
KR (1) KR20140051079A (ko)
CN (1) CN103779370A (ko)
TW (1) TW201423968A (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017120419A1 (de) * 2017-09-05 2019-03-07 Certoplast Technische Klebebänder Gmbh Verfahren und Einrichtung zur Herstellung eines Klebebandes
CN111146225B (zh) * 2019-12-24 2023-04-28 中芯集成电路（宁波）有限公司 一种组合图像传感器芯片的形成方法和芯片分离方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09171977A (ja) * 1995-12-20 1997-06-30 Sony Corp 基板の分割方法
JP4642436B2 (ja) * 2004-11-12 2011-03-02 リンテック株式会社 マーキング方法および保護膜形成兼ダイシング用シート
TWI256142B (en) * 2005-07-21 2006-06-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Image sensor package, optical glass used thereby, and processing method thereof
JP5479991B2 (ja) * 2010-04-19 2014-04-23 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
TW201423968A (zh) 2014-06-16
CN103779370A (zh) 2014-05-07
JP2014086478A (ja) 2014-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101933339B1 (ko) 다이싱 테이프 일체형 반도체 이면용 필름 및 그의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101829585B1 (ko) 가열 박리 시트 일체형 반도체 이면용 필름, 반도체 소자의 회수 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP5689336B2 (ja) 加熱剥離型粘着シート
JP5501060B2 (ja) 半導体ウエハ保護用粘着シートの貼り合わせ方法、及びこの貼り合わせ方法に用いる半導体ウエハ保護用粘着シート
KR102585832B1 (ko) 백그라인드용 점착 테이프
TWI429034B (zh) 覆晶型半導體背面用膜及其應用
JP5415732B2 (ja) 表面保護用シート
JP5318435B2 (ja) 半導体ウエハの裏面研削用粘着シート及びこの裏面研削用粘着シートを用いる半導体ウエハの裏面研削方法
JP5997477B2 (ja) 表面保護用シート
US20090065133A1 (en) Pressure-sensitive adhesive sheet for dicing and dicing method
KR20160077076A (ko) 반도체 접합용 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI760315B (zh) 半導體裝置之製造方法
JP2009275060A (ja) 粘着シート、その粘着シートを使用した被着体の加工方法、及び粘着シート剥離装置
TW201602302A (zh) 切晶帶一體型半導體背面用膜、及半導體裝置之製造方法
KR20180048677A (ko) 점착제 조성물 및 점착 시트
JP6648906B2 (ja) リワーク方法
JP2013211439A (ja) 表面保護用シート
KR20130117676A (ko) 기판의 다이싱 방법
KR20140051079A (ko) 이미지 센서의 제조 방법 및 그것에 사용하는 적층형 내열성 보호 테이프
JP6415383B2 (ja) 半導体素子の裏面を保護するための裏面保護フィルム、一体型フィルム、フィルム、半導体装置の製造方法および保護チップの製造方法
JP6078581B2 (ja) 一体型フィルム、フィルム、半導体装置の製造方法および保護チップの製造方法
JP7049796B2 (ja) 粘着性フィルム
KR101217907B1 (ko) 표면 보호막을 구비하는 반도체 웨이퍼의 백그라인딩용 점착필름
KR20210001954A (ko) 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름
KR20180048676A (ko) 점착 시트

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination