KR20210001954A - 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름 - Google Patents

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유타 기무라
히데토시 마이카와
고헤이 다케다
다이키 우에노
히로시 나카우라
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

기재층과, 당해 기재층에 겹친 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프이며, 23℃ 또는 -5℃에 있어서 연신되었을 때의 영구 변형률이 35％ 이상인 다이싱 테이프 등을 제공한다.

Description

다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름{DICING TAPE AND DICING DIE-BONDING FILM}
본 발명은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조할 때에 사용되는 다이싱 테이프, 및 당해 다이싱 테이프를 구비한 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다.
종래, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서 사용되는 다이싱 다이 본드 필름이 알려져 있다. 이러한 종류의 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어 다이싱 테이프와, 당해 다이싱 테이프에 적층되며 또한 웨이퍼에 접착되는 다이 본드층을 구비한다. 다이싱 테이프는, 기재층과, 다이 본드층에 접하고 있는 점착층을 갖는다. 이러한 종류의 다이싱 다이 본드 필름은, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서, 예를 들어 하기와 같이 사용된다.
반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 일반적으로, 고집적의 전자 회로에 의해 웨이퍼의 편면측에 회로면을 형성하는 전공정과, 회로면이 형성된 웨이퍼로부터 칩을 잘라내어 조립을 행하는 후공정을 구비한다.
후공정은, 예를 들어 웨이퍼의 회로면과는 반대측의 면을 다이 본드층에 첩부하여, 다이싱 테이프에 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 다이 본드층을 통해 다이싱 테이프에 첩부된 웨이퍼를 작은 칩(다이)으로 할단하여 소편화하는 다이싱 공정과, 소편화된 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 다이 본드층과 점착제층 사이에서 박리되어 다이 본드층이 첩부된 상태의 칩(다이)을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드층이 첩부된 상태의 칩(다이)을 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는다. 반도체 집적 회로는, 이들 공정을 거쳐서 제조된다.
상기한 제조 방법에 있어서, 익스팬드 공정에서는, 예를 들어 다이싱 테이프에 겹친 다이 본드층 상에 웨이퍼가 배치된 상태에서, 빙점하와 같은 저온에서 다이싱 테이프를 방사 방향으로 잡아 늘이고, 또한 실온에서 잡아 늘임으로써, 인접하는 칩(다이)끼리의 간격(커프)을 넓힌다. 그 후, 간격(커프)을 유지시키기 위해, 신장되어 장력이 저하된 다이싱 테이프의 일부를, 열수축(히트 슈링크)시킨다. 구체적으로는, 할단된 칩(다이)에 겹치는 부분보다 외측 부분의 다이싱 테이프를 열수축시키고, 이에 의해 간격(커프)을 유지할 수 있다.
그러나 익스팬드 공정에 있어서, 일단 잡아늘여진 다이싱 테이프가 탄성에 의해 수축되고, 이에 수반하여 상기한 간격(커프)을 유지하지 못하게 되는 경우가 있다. 간격(커프)을 유지하지 못하면, 칩(다이)의 들뜸이 발생하여, 이어지는 픽업 공정에 지장이 발생하게 된다. 이러한 문제를 방지하기 위해, 다이싱 테이프에는, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있는 성능이 요망되고 있다.
이에 비해, 종래의 다이싱 테이프로서는, 예를 들어 폭이 25㎜이고, 표점간 거리 및 그립간 거리가 100㎜이고, 인장 속도가 300㎜/min인 시험 조건하에 있어서, 연신율 10％에서의 인장 하중이 16 내지 34N인 것이 알려져 있다(특허문헌 1).
특허문헌 1에 기재된 다이싱 테이프는, 익스팬드 공정에 있어서, 웨이퍼의 박리를 억제하는 점착력을 가지면서, 칩(다이)으로 할단할 수 있는 성능을 갖고, 또한 픽업 공정에 있어서, 다이 본드층을 비교적 용이하게 박리할 수 있다.
일본 특허 공개 제2011-155270호 공보
그러나 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름이나 다이싱 테이프에 대해서는, 아직 충분히 검토되어 있다고는 할 수 없다.
그래서 본 발명은, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있는 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하도록, 본 발명에 관한 다이싱 테이프는, 기재층과, 당해 기재층에 겹친 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프이며, 23℃에 있어서 연신되었을 때의 영구 변형률이 35％ 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 구성의 다이싱 테이프에 의하면, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있다.
상기 과제를 해결하도록, 본 발명에 관한 다이싱 테이프는, 기재층과, 당해 기재층에 겹친 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프이며, -5℃에 있어서 연신되었을 때의 영구 변형률이 35％ 이상인 것을 특징으로 한다.
상기 구성의 다이싱 테이프에 의하면, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있다.
본 발명에 관한 다이싱 테이프에서는, 동적 점탄성 인장 시험에 의해 측정되는 탄성률에 대해, 23℃에 있어서의 탄성률(A)에 대한, 60℃에서의 탄성률(B)의 비(B/A)가, 0.17 이상인 것이 바람직하다. 이에 의해, 실온에서 익스팬드되고, 또한 히트 슈링크된 후에, 커프를 더 양호하게 유지할 수 있다.
본 발명에 관한 다이싱 테이프에서는, 동적 점탄성 인장 시험에 의해 측정되는 탄성률에 대해, 23℃에 있어서의 탄성률(A)이 40㎫ 이상 300㎫ 이하이고, 60℃에 있어서의 탄성률(B)이 8㎫ 이상 100㎫ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 실온에서 익스팬드되고, 또한 히트 슈링크된 후에, 커프를 더 양호하게 유지할 수 있다.
본 발명에 관한 다이싱 테이프에서는, 동적 점탄성 인장 시험에 의해 측정되는 탄성률에 대해, 100℃에 있어서의 탄성률(C)이 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 실온에서 익스팬드되고, 또한 히트 슈링크된 후에, 커프를 더 양호하게 유지할 수 있다.
본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름은, 상기한 다이싱 테이프와, 당해 다이싱 테이프의 점착제층에 적층된 다이 본드층을 구비한다.
본 발명에 관한 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름은, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있다고 하는 효과를 나타낸다.
도 1은 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름을 두께 방향으로 절단한 단면도.
도 2a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2d는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 하프컷 가공의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 3b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 마운트 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 4c는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 저온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5a는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 5b는 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 상온에서의 익스팬드 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 6은 반도체 집적 회로의 제조 방법에 있어서의 픽업 공정의 양태를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 7은 영구 변형률의 측정 개념을 나타내는 모식도.
이하, 본 발명에 관한 다이싱 다이 본드 필름, 및 다이싱 테이프의 일 실시 형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다.
본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 다이싱 테이프(20)와, 당해 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 적층되며 또한 반도체 웨이퍼에 접착되는 다이 본드층(10)을 구비한다.
본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)는, 통상, 긴 시트이며, 사용될 때까지 권회된 상태로 보관된다. 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 할단 처리되는 실리콘 웨이퍼보다, 한 단계 큰 내경을 갖는 원환상의 프레임에 붙여져, 커트되어 사용된다.
본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)는, 기재층(21)과, 당해 기재층(21)에 겹쳐진 점착제층(22)을 구비한다.
본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)는, 23℃에 있어서 연신되었을 때의 영구 변형률이 35％ 이상이다. 통상, 23℃에 있어서 연신되었을 때의 영구 변형률은, 100％ 이하이다.
본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)는, -5℃에 있어서 연신되었을 때의 영구 변형률이 35％ 이상이다. 통상, -5℃에 있어서 연신되었을 때의 영구 변형률은, 100％ 이하이다.
본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)는, 상기한 어느 구성을 갖는다는 점에서, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있다.
상기한 영구 변형률은, 다이싱 테이프(20)가 23℃에서 100％ 연신되었을 때의 물성, 또는 다이싱 테이프(20)가 -5℃에서 120％ 연신되었을 때의 물성이며, 실시예에 기재된 방법에 따라서, 각 온도에 있어서 측정된다. 예를 들어 「100％ 연신」이란, 연신 전의 길이의 2배의 길이가 될 때까지 연신하는 것을 말한다.
다이싱 테이프(20)가 연신되는 방향은, MD 방향 및 TD 방향 중 어느 쪽이어도 되며, 어느 일방향에서의 연신에 의한 영구 변형률이 상기한 값에 해당되면 된다. 3회 측정한 측정값의 평균값을 상기 영구 변형률로서 채용한다.
상기한 영구 변형률은, 예를 들어 기재층(21)에 있어서, 소성 변형되기 쉬운 수지의 질량 비율을 증가시킴으로써, 크게 할 수 있다. 한편, 상기한 영구 변형률은, 예를 들어 기재층(21)에 있어서, 엘라스토머 수지의 질량 비율을 증가시킴으로써, 작게 할 수 있다.
또한, 기재층(21)이 복수의 수지층으로 구성되어 있는 경우, 상기한 영구 변형률은, 적어도 하나의 층의 상대적 두께를 바꿈으로써, 조정할 수 있다. 예를 들어, 더 소성 변형되기 쉬운 수지층의 두께를, 상대적으로 크게 함으로써, 상기한 영구 변형률을 크게 할 수 있다.
다이싱 테이프(20)에서는, 동적 점탄성 인장 시험에 의해 측정되는 탄성률에 대해, 23℃에 있어서의 탄성률(A)이 40㎫ 이상 300㎫ 이하이고, 60℃에 있어서의 탄성률(B)이 8㎫ 이상 100㎫ 이하인 것이 바람직하다. 이에 의해, 실온에서 익스팬드되고 또한 히트 슈링크된 후에, 커프를 더 양호하게 유지할 수 있다.
23℃에 있어서의 탄성률(A)은, 50㎫ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 250㎫ 이하인 것이 보다 바람직하다.
60℃에 있어서의 탄성률(B)은, 10㎫ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 80㎫ 이하인 것이 보다 바람직하다.
다이싱 테이프(20)에서는, 동적 점탄성 인장 시험에 의해 측정되는 탄성률에 대해, 100℃에 있어서의 탄성률(C)이 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하인 것이 바람직하다. 100℃에 있어서의 탄성률(C)이 0.5㎫ 이상임으로써, 히트 슈링크에 의해 다이싱 테이프(20)가 용융되어 파손되는 것이나 변형되어 버리는 것을 더 충분히 억제할 수 있다. 따라서, 더 균일한 커프를 실현할 수 있다. 또한, 100℃에 있어서의 탄성률(C)이 20㎫ 이하임으로써, 히트 슈링크에 의해 다이싱 테이프(20)가 더 충분히 열수축될 수 있다. 이러한 이유에 의해, 100℃에 있어서의 탄성률(C)이 상기한 값임으로써, 실온에서 익스팬드되고, 또한 히트 슈링크된 후에, 커프를 더 양호하게 유지할 수 있다.
100℃에 있어서의 탄성률(C)은, 1㎫ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 10㎫ 이하인 것이 보다 바람직하다.
다이싱 테이프(20)의 탄성률은, 실시예에 기재된 방법에 따라서, 각 온도에 있어서 측정된다. 상기한 탄성률은, 동적 점탄성 측정에 의해 측정된 인장 저장 탄성률의 값이다.
상기한 탄성률(A, B, C)은, 예를 들어 기재층(21)에 있어서, 보다 탄성률이 높은 수지의 질량 비율을 증가시킴으로써, 높일 수 있다. 한편, 상기한 탄성률은, 예를 들어 보다 탄성률이 높은 수지의 질량 비율을 감소시킴으로써, 저하시킬 수 있다.
또한, 기재층(21)이 복수의 수지층으로 구성되어 있는 경우, 상기한 탄성률은, 적어도 하나의 층의 상대적 두께를 바꿈으로써 조정할 수 있다. 예를 들어, 더 탄성률이 높은 수지층의 두께를, 상대적으로 크게 함으로써, 상기한 탄성률을 크게 할 수 있다.
다이싱 테이프에서는, 23℃에 있어서의 상기한 탄성률(A)에 대한, 60℃에 있어서의 상기한 탄성률(B)의 비(B/A)가, 0.17 이상인 것이 바람직하다. 이에 의해, 실온에서 익스팬드되고, 또한 히트 슈링크된 후에, 커프를 더 양호하게 유지할 수 있다.
상기한 비(B/A)는, 0.18 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.20 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 상기한 비(B/A)는, 0.5 이하여도 되고, 0.3 이하여도 된다.
기재층(21)은, 단층 구조여도 되고, 적층 구조를 가져도 된다. 각 층에 포함되는 수지의 종류를 바꾸거나, 층의 두께 비율을 바꾸거나 함으로써, 기재층(21)의 탄성률이나 영구 변형률을 비교적 용이하게 조정할 수 있다고 하는 점에서, 기재층(21)은, 적층 구조를 갖는 것이 바람직하다.
기재층(21)의 각 층은, 예를 들어 금속박, 종이나 천 등의 섬유 시트, 고무 시트, 수지 필름 등이다.
기재층(21)을 구성하는 섬유 시트로서는, 종이, 직포, 부직포 등을 들 수 있다.
수지 필름의 재질로서는, 예를 들어 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 폴리올레핀; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교호) 공중합체 등의 에틸렌의 공중합체; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 폴리아크릴레이트; 폴리염화비닐(PVC); 폴리우레탄; 폴리카르보네이트; 폴리페닐렌술피드(PPS); 지방족 폴리아미드, 전방향족 폴리아미드(아라미드) 등의 폴리아미드; 폴리에테르에테르케톤(PEEK); 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리염화비닐리덴; ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체); 셀룰로오스 또는 셀룰로오스 유도체; 실리콘 함유 고분자; 불소 함유 고분자 등을 들 수 있다. 이들은, 1종이 단독으로, 또는 2종 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
기재층(21)이 수지 필름을 갖는 경우, 수지 필름에 연신 처리 등이 실시되어, 연신율 등의 변형성이 제어되어 있어도 된다.
기재층(21)의 표면에는, 점착제층(22)과의 밀착성을 높이기 위해, 표면 처리가 실시되어 있어도 된다. 표면 처리로서는, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 방법 또는 물리적 방법에 의한 산화 처리 등이 채용될 수 있다. 또한, 앵커 코팅제, 프라이머, 접착제 등의 코팅제에 의한 코팅 처리가 실시되어 있어도 된다.
기재층(21)은, 복수의 층으로 구성되어 있는 것이 바람직하고, 적어도 3층으로 구성되어 있는 것이 보다 바람직하고, 3층으로 구성되어 있는 것이 더욱 바람직하다.
기재층(21)이 복수의 층의 적층 구조(예를 들어 3층 구조)를 가짐으로써, 각 층의 층 두께의 비를 바꾸어 탄성률이나 영구 변형률을 비교적 간편하게 조정할 수 있다고 하는 이점이 있다.
3층 구조의 기재층(21)은, 비엘라스토머로 형성된 2개의 비엘라스토머층(X, X)과, 2개의 비엘라스토머층 사이에 배치되며 또한 엘라스토머로 형성된 엘라스토머층(Y)을 갖는(X층/Y층/X층) 것이 바람직하다.
엘라스토머층은, 통상, 실온(23℃)에 있어서 고무 탄성을 나타내는 고분자 재료로 형성되어 있다. 엘라스토머층은, 상기한 영구 변형률의 측정과 마찬가지의 측정을 23℃에 있어서 행하였을 때, 영구 변형률이 35％ 미만이 되는 층이다. 한편, 비엘라스토머층은, 엘라스토머 이외의 층이다.
이러한 3층의 적층 구조를 갖는 엘라스토머의 각 층은, 통상, 수지로 형성되어 있다. 3층의 적층 구조를 갖는 엘라스토머는, 예를 들어 공압출 성형에 의해 제작되고, 3개의 층이 일체화되어 있다.
외측에 배치된 비엘라스토머층은, 예를 들어 100℃ 이상 130℃ 이하의 융점을 갖는다. 또한, 비엘라스토머층은, 구성되는 수지를 GPC 측정하였을 때, 3 이하의 분자량 분포 분산도(질량 평균 분자량/수 평균 분자량)를 갖는 것이 바람직하다.
비엘라스토머층(X)은, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE), 폴리프로필렌 등을 포함해도 된다. 폴리프로필렌으로서는, 호모폴리머(호모폴리프로필렌), 또는 랜덤 폴리프로필렌이나 블록 폴리프로필렌 등의 코폴리머 등을 들 수 있다. 폴리프로필렌은, 메탈로센 촉매에 의해 합성된 메탈로센 폴리프로필렌이어도 된다. 비엘라스토머층(X)은, 메탈로센 폴리프로필렌을 포함하는 것이 바람직하다.
한편, 엘라스토머층(Y)은, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 또는 α-올레핀계 열가소성 엘라스토머를 포함하는 것이 바람직하다. α-올레핀계 열가소성 엘라스토머로서는, α-올레핀의 호모폴리머, 2종류 이상의 α-올레핀의 코폴리머 등을 들 수 있다.
기재층(21)의 두께는, 60㎛ 이상 160㎛ 이하여도 된다. 기재층(21)의 두께는, 60㎛ 이상 120㎛ 이하인 것이 바람직하고, 80㎛ 이상 100㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 이러한 두께는, 랜덤으로 선택한 5개소에 있어서의 두께를 다이얼 게이지에 의해 측정한 측정값의 평균값이다.
엘라스토머층(Y층)의 두께에 대한, 비엘라스토머층의 1층분(X층)의 두께의 비(X층/Y층)는, 0.05 이상 0.25 이하의 범위인 것이 바람직하다.
기재층(21)의 배면측(점착제층(22)이 겹쳐 있지 않은 측)에는, 박리성을 부여하기 위해, 예를 들어 실리콘계 수지나 불소계 수지 등의 이형제(박리제) 등에 의해 이형 처리가 실시되어 있어도 된다.
기재층(21)은 배면측으로부터 자외선 등의 활성 에너지선을 점착제층(22)에 부여하는 것이 가능해지는 점에서, 광 투과성(자외선 투과성)의 수지 필름 등인 것이 바람직하다.
본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)는, 사용되기 전의 상태에 있어서, 점착제층(22)의 한쪽 면(점착제층(22)이 기재층(21)과 겹쳐 있지 않은 면)을 덮는 박리 시트를 구비해도 된다. 점착제층(22)보다 작은 면적의 다이 본드층(10)이 점착제층(22)에 수용되도록 배치되어 있는 경우, 박리 시트는, 점착제층(22) 및 다이 본드층(10)의 양쪽을 덮도록 배치된다. 박리 시트는, 점착제층(22)을 보호하기 위해 사용되고, 점착제층(22)에 다이 본드층(10)을 첩부하기 전에 박리된다.
박리 시트로서는, 예를 들어 실리콘계, 장쇄 알킬계, 불소계, 황화몰리브덴 등의 박리제에 의해 표면 처리된, 플라스틱 필름 또는 종이 등을 사용할 수 있다.
또한, 박리 시트로서는, 예를 들어 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리불화비닐, 폴리불화비닐리덴, 테트라플루오로에틸렌·헥사플루오로프로필렌 공중합체, 클로로플루오로에틸렌·불화비닐리덴 공중합체 등의 불소계 폴리머제의 필름; 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀제의 필름; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 폴리에스테르제의 필름 등을 사용할 수 있다.
또한, 박리 시트로서는, 예를 들어 불소계 박리제나 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된, 플라스틱 필름 또는 종이류 등을 사용할 수 있다.
또한, 박리 시트는, 점착제층(22)을 지지하기 위한 지지재로서 이용할 수 있다. 특히, 박리 시트는, 기재층(21) 상에 점착제층(22)을 겹칠 때, 적합하게 사용된다. 상세하게는, 박리 시트와 점착제층(22)이 적층된 상태에서 점착제층(22)을 기재층(21)에 겹치고, 겹친 후에 박리 시트를 박리함(전사함)으로써, 기재층(21) 상에 점착제층(22)을 겹칠 수 있다.
본 실시 형태에 있어서, 점착제층(22)은, 예를 들어 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 포함한다.
점착제층(22)은, 바람직하게는 3㎛ 이상 200㎛ 이하의 두께를 갖는다. 점착제층(22)의 형상 및 크기는, 통상, 기재층(21)의 형상 및 크기와 동일하다.
본 실시 형태의 다이싱 테이프(20)에 있어서, 다이싱 테이프(20)의 총 두께에 대해, 점착제층(22)의 두께가 차지하는 비율은, 1％ 이상 15％ 이하여도 된다.
상기한 아크릴 폴리머는, 분자 중에, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 적어도 갖는다. 구성 단위는, 아크릴 폴리머의 주쇄를 구성하는 단위이다. 상기한 아크릴 폴리머에 있어서의 각 측쇄는, 주쇄를 구성하는 각 구성 단위에 포함된다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크릴레이트」라는 표기는, 메타크릴레이트(메타크릴산에스테르) 및 아크릴레이트(아크릴산에스테르) 중 적어도 한쪽을 나타낸다. 마찬가지로, 「(메트)아크릴산」이라는 표기는, 메타크릴산 및 아크릴산 중 적어도 한쪽을 나타낸다.
점착제층(22)에 포함되는 아크릴 폴리머에 있어서, 상기한 구성 단위는, 1H-NMR, 13C-NMR 등의 NMR 분석, 열분해 GC/MS 분석, 및 적외 분광법 등에 의해 확인할 수 있다. 또한, 아크릴 폴리머에 있어서의 상기한 구성 단위의 몰 비율은, 통상, 아크릴 폴리머를 중합할 때의 배합량(투입량)으로부터 산출된다.
상기한 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머에서 유래된다. 환언하면, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머가 중합 반응한 후의 분자 구조가, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위이다. 「알킬」이라고 하는 표기는, (메트)아크릴산에 대해 에스테르 결합된 탄화수소 부분을 나타낸다.
알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서의 알킬 부분의 탄화수소는, 포화 탄화수소여도 되고, 불포화 탄화수소여도 된다.
또한, 알킬 부분은, 산소(O)나 질소(N) 등을 함유하는 극성기를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 이에 의해, 알킬 폴리머의 극성이 극단적으로 높아지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 점착제층(22)이 다이 본드층(10)에 대해 과도한 친화성을 갖는 것이 억제된다. 따라서, 다이 본드층(10)으로부터 다이싱 테이프(20)를 더 양호하게 박리할 수 있다. 알킬 부분의 탄소 수는, 6 이상 10 이하여도 된다.
알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 헥실(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트 등의 각 구성 단위를 들 수 있다.
아크릴 폴리머는, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖고, 이러한 구성 단위의 수산기가, 이소시아네이트기와 용이하게 반응한다.
수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖는 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물을 점착제층(22)에 공존시켜 둠으로써, 점착제층(22)을 적절하게 경화시킬 수 있다. 그 때문에, 아크릴 폴리머가 충분히 겔화될 수 있다. 따라서, 점착제층(22)은, 형상을 유지하면서 점착 성능을 발휘할 수 있다.
수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위인 것이 바람직하다. 「C2 내지 C4 알킬」이라고 하는 표기는, (메트)아크릴산에 대해 에스테르 결합된 탄화수소 부분의 탄소 수를 나타낸다. 바꾸어 말하면, 수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트 모노머는, (메트)아크릴산과, 탄소수 2 내지 4의 알코올(통상, 2가 알코올)이 에스테르 결합된 모노머를 나타낸다.
C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 통상, 포화 탄화수소이다. 예를 들어, C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 직쇄상 포화 탄화수소, 또는 분지쇄상 포화 탄화수소이다. C2 내지 C4 알킬의 탄화수소 부분은, 산소(O)나 질소(N) 등을 함유하는 극성기를 포함하지 않는 것이 바람직하다.
수산기 함유 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위로서는, 예를 들어 히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 히드록시n-부틸(메트)아크릴레이트, 또는 히드록시iso-부틸(메트)아크릴레이트와 같은 히드록시부틸(메트)아크릴레이트의 각 구성 단위를 들 수 있다. 또한, 히드록시부틸(메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서, 수산기(-OH기)는, 탄화수소 부분의 말단의 탄소(C)에 결합되어 있어도 되고, 탄화수소 부분의 말단 이외의 탄소(C)에 결합되어 있어도 된다.
상기한 아크릴 폴리머는, 측쇄에 중합성 불포화 이중 결합을 갖는 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함한다.
상기한 아크릴 폴리머가, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 포함함으로써, 픽업 공정 전에, 점착제층(22)을, 활성 에너지선(자외선 등)의 조사에 의해 경화시킬 수 있다. 상세하게는, 자외선 등의 활성 에너지선의 조사에 의해, 광중합 개시제로부터 라디칼을 발생시키고, 이 라디칼의 작용에 의해, 아크릴 폴리머끼리를 가교 반응시킬 수 있다. 이에 의해, 조사 전에 있어서의 점착제층(22)의 점착력을, 조사에 의해 저하시킬 수 있다. 그리고 다이 본드층(10)을 점착제층(22)으로부터 양호하게 박리시킬 수 있다.
또한, 활성 에너지선으로서는, 자외선, 방사선, 전자선이 채용된다.
중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 구체적으로는, 상술한 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위에 있어서의 수산기에, 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머의 이소시아네이트기가 우레탄 결합된 분자 구조를 가져도 된다.
중합성기를 갖는 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위는, 아크릴 폴리머의 중합 후에, 조제될 수 있다. 예를 들어, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머의 공중합 후에, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위 일부에 있어서의 수산기와, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를, 우레탄화 반응시킴으로써, 상기한 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 얻을 수 있다.
상기한 이소시아네이트기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머는, 분자 중에 이소시아네이트기를 하나를 갖고, 또한 (메트)아크릴로일기를 하나 갖는 것이 바람직하다. 이러한 모노머로서는, 예를 들어 2-이소시아나토에틸(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.
본 실시 형태에 있어서의 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)은, 또한 이소시아네이트 화합물을 포함한다. 이소시아네이트 화합물의 일부는, 우레탄화 반응 등에 의해 반응한 후의 상태여도 된다.
이소시아네이트 화합물은, 분자 중에 복수의 이소시아네이트기를 갖는다. 이소시아네이트 화합물이 분자 중에 복수의 이소시아네이트기를 가짐으로써, 점착제층(22)에 있어서의 아크릴 폴리머 사이의 가교 반응을 진행시킬 수 있다. 상세하게는, 이소시아네이트 화합물 중 한쪽의 이소시아네이트기를 아크릴 폴리머의 수산기와 반응시키고, 다른 쪽의 이소시아네이트기를 다른 아크릴 폴리머의 수산기와 반응시킴으로써, 이소시아네이트 화합물을 통한 가교 반응을 진행시킬 수 있다.
이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 지방족 디이소시아네이트, 지환족 디이소시아네이트, 또는 방향 지방족 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트를 들 수 있다.
또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 디이소시아네이트의 2량체나 3량체 등의 중합 폴리이소시아네이트, 폴리메틸렌폴리페닐렌폴리이소시아네이트를 들 수 있다.
또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 상술한 이소시아네이트 화합물의 과잉량과, 활성 수소 함유 화합물을 반응시킨 폴리이소시아네이트를 들 수 있다. 활성 수소 함유 화합물로서는, 활성 수소 함유 저분자량 화합물, 활성 수소 함유 고분자량 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 이소시아네이트 화합물로서는, 알로파네이트화 폴리이소시아네이트, 뷰렛화 폴리이소시아네이트 등도 사용할 수 있다.
상기한 이소시아네이트 화합물은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기한 이소시아네이트 화합물로서는, 방향족 디이소시아네이트와 활성 수소 함유 저분자량 화합물의 반응물이 바람직하다. 방향족 디이소시아네이트의 반응물은, 이소시아네이트기의 반응 속도가 비교적 느리기 때문에, 이러한 반응물을 포함하는 점착제층(22)은, 과도하게 경화되어 버리는 것이 억제된다. 상기한 이소시아네이트 화합물로서는, 분자 중에 이소시아네이트기를 3개 이상 갖는 것이 바람직하다.
점착제층(22)에 포함되는 중합 개시제는, 가해진 열이나 광의 에너지에 의해 중합 반응을 개시할 수 있는 화합물이다. 점착제층(22)이 중합 개시제를 포함함으로써, 점착제층(22)에 열 에너지나 광 에너지를 부여하였을 때, 아크릴 폴리머 사이에 있어서의 가교 반응을 진행시킬 수 있다. 상세하게는, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 갖는 아크릴 폴리머 사이에 있어서, 중합성기끼리의 중합 반응을 개시시켜, 점착제층(22)을 경화시킬 수 있다. 이에 의해, 점착제층(22)의 점착력을 저하시키고, 픽업 공정에 있어서, 경화한 점착제층(22)으로부터 다이 본드층(10)을 용이하게 박리시킬 수 있다.
중합 개시제로서는, 예를 들어 광 중합 개시제 또는 열 중합 개시제 등이 채용된다. 중합 개시제로서는, 일반적인 시판 제품을 사용할 수 있다.
점착제층(22)은, 상술한 성분 이외의 그 밖의 성분을 추가로 포함할 수 있다. 그 밖의 성분으로서는, 예를 들어 점착 부여제, 가소제, 충전제, 노화 방지제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 광 안정제, 내열 안정제, 대전 방지제, 계면 활성제, 경박리화제 등을 들 수 있다. 그 밖의 성분의 종류 및 사용량은, 목적에 따라서, 적절하게 선택될 수 있다.
다음으로, 본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)에 대해 상세하게 설명한다.
본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 상술한 다이싱 테이프(20)와, 당해 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 적층된 다이 본드층(10)을 구비한다. 다이 본드층(10)은, 반도체 집적 회로의 제조에 있어서, 반도체 웨이퍼에 접착되게 된다.
다이 본드층(10)은, 열경화성 수지 및 열가소성 수지 중 적어도 한쪽을 포함할 수 있다. 다이 본드층(10)은 열경화성 수지 및 열가소성 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
열경화성 수지로서는, 예를 들어 에폭시 수지, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로서는, 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다. 다이 본딩 대상인 반도체 칩의 부식 원인이 될 수 있는 이온성 불순물 등을 더 적게 함유한다고 하는 점에서, 상기 열경화성 수지로서는, 에폭시 수지가 바람직하다. 에폭시 수지의 경화제로서는, 페놀 수지가 바람직하다.
상기 에폭시 수지로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 또는 글리시딜아민형의 각 에폭시 수지를 들 수 있다.
페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용할 수 있다. 페놀 수지로서는, 예를 들어 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다.
노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등을 들 수 있다.
상기 페놀 수지로서는, 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다.
다이 본드층(10)에 있어서, 페놀 수지의 수산기는, 에폭시 수지의 에폭시기 1당량당, 바람직하게는 0.5당량 이상 2.0당량 이하, 보다 바람직하게는 0.7당량 이상 1.5당량 이하이다. 이에 의해, 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시킬 수 있다.
다이 본드층(10)이 열경화성 수지를 포함하는 경우, 다이 본드층(10)에 있어서의 이러한 열경화성 수지의 함유 비율은, 다이 본드층(10)의 총 질량에 대해, 5질량％ 이상 60질량％ 이하가 바람직하고, 10질량％ 이상 50질량％ 이하가 보다 바람직하다. 이에 의해, 다이 본드층(10)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킬 수 있다.
다이 본드층(10)에 포함될 수 있는 열가소성 수지로서는, 예를 들어 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론(상품명) 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 불소 수지 등을 들 수 있다.
상기 열가소성 수지로서는, 이온성 불순물이 적으면서 내열성이 높기 때문에 다이 본드층(10)의 접착성을 더 확보할 수 있다고 하는 점에서, 아크릴 수지가 바람직하다.
상기 열가소성 수지로서는, 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다.
상기 아크릴 수지는, 분자 중의 구성 단위 중, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위가 질량 비율로 가장 많은 폴리머인 것이 바람직하다. 당해 알킬(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 C2 내지 C4 알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.
상기 아크릴 수지는, 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에서 유래되는 구성 단위를 포함하고 있어도 된다.
상기 다른 모노머 성분으로서는, 예를 들어 카르복시기 함유 모노머, 산 무수물 모노머, 히드록시기 함유 모노머, 글리시딜기 함유 모노머, 술폰산기 함유 모노머, 인산기 함유 모노머, 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등의 관능기 함유 모노머, 또는 그 밖에 각종 다관능성 모노머 등을 들 수 있다.
상기 아크릴 수지는, 다이 본드층(10)에 있어서 보다 높은 응집력을 발휘할 수 있다고 하는 점에서, 바람직하게는 알킬(메트)아크릴레이트(특히, 알킬 부분의 탄소수가 4 이하인 알킬(메트)아크릴레이트)와, 카르복시기 함유 모노머와, 질소 원자 함유 모노머와, 다관능성 모노머(특히 폴리글리시딜계 다관능 모노머)의 공중합체이고, 보다 바람직하게는, 아크릴산에틸과, 아크릴산부틸과, 아크릴산과, 아크릴로니트릴과, 폴리글리시딜(메트)아크릴레이트의 공중합체이다.
상기 아크릴 수지의 유리 전이 온도(Tg)는, 다이 본드층(10)의 탄성이나 점성을 원하는 범위 내로 설정하기 쉽다고 하는 점에서, 5℃ 이상 35℃ 이하인 것이 바람직하고, 10℃ 이상 30℃ 이하인 것이 보다 바람직하다.
다이 본드층(10)이 열경화성 수지와 열가소성 수지를 포함하는 경우, 다이 본드층(10)에 있어서의 상기 열가소성 수지의 함유 비율은, 필러를 제외한 유기 성분(예를 들어, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 경화 촉매 등, 실란 커플링제, 염료)의 총 질량에 대해, 바람직하게는 30질량％ 이상 70질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 40질량％ 이상 60질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 45질량％ 이상 55질량％ 이하이다. 또한, 열경화성 수지의 함유 비율을 변화시킴으로써, 다이 본드층(10)의 탄성이나 점성을 조정할 수 있다.
다이 본드층(10)의 열가소성 수지가 열경화성 관능기를 갖는 경우, 당해 열가소성 수지로서, 예를 들어 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지를 채용할 수 있다. 이 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지는, 바람직하게는 분자 중에, 알킬(메트)아크릴레이트에서 유래되는 구성 단위를 가장 많은 질량 비율로 포함한다. 당해 알킬(메트)아크릴레이트로서는, 예를 들어 상기 예시의 (메트)알킬(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.
한편, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기로서는, 예를 들어 글리시딜기, 카르복시기, 히드록시기, 이소시아네이트기 등을 들 수 있다.
다이 본드층(10)은, 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지와 경화제를 포함하는 것이 바람직하다. 경화제로서는, 점착제층(22)에 포함될 수 있는 경화제로서 예시된 것을 들 수 있다. 열경화성 관능기 함유 아크릴 수지에 있어서의 열경화성 관능기가 글리시딜기인 경우에는, 복수의 페놀 구조를 갖는 화합물을 경화제로서 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상술한 각종 페놀 수지를 경화제로서 사용할 수 있다.
다이 본드층(10)은, 바람직하게는 필러를 함유한다. 다이 본드층(10)에 있어서의 필러의 양을 바꿈으로써, 다이 본드층(10)의 탄성 및 점성을 더 용이하게 조정할 수 있다. 또한, 다이 본드층(10)의 도전성, 열전도성, 탄성률 등의 물성을 조정할 수 있다.
필러로서는, 무기 필러 및 유기 필러를 들 수 있다. 필러로서는, 무기 필러가 바람직하다.
무기 필러로서는, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화 알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정질 실리카나 비정질 실리카와 같은 실리카 등을 포함하는 필러를 들 수 있다. 또한, 무기 필러의 재질로서는, 알루미늄, 금, 은, 구리, 니켈 등의 금속 단체나, 합금 등을 들 수 있다. 붕산 알루미늄 위스커, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등의 필러여도 된다. 필러의 형상은, 구상, 침상, 플레이크상 등의 각종 형상이어도 된다. 필러로서는, 상기한 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다.
상기 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 0.005㎛ 이상 10㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.005㎛ 이상 1㎛ 이하이다. 상기 평균 입경이 0.005㎛ 이상임으로써, 반도체 웨이퍼 등의 피착체에 대한 습윤성, 접착성이 더 향상된다. 상기 평균 입경이 10㎛ 이하임으로써, 첨가한 필러에 의한 특성을 더 충분히 발휘시킬 수 있고, 또한 다이 본드층(10)의 내열성을 더 발휘시킬 수 있다. 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식 입도 분포계(예를 들어, 제품명 「LA-910」, 호리바 세이사쿠쇼사제)를 사용하여 구할 수 있다.
다이 본드층(10)이 필러를 포함하는 경우, 상기 필러의 함유 비율은, 다이 본드층(10)의 총 질량에 대해, 바람직하게는 30질량％ 이상 70질량％ 이하이고, 보다 바람직하게는 40질량％ 이상 60질량％ 이하이고, 더욱 바람직하게는 42질량％ 이상 55질량％ 이하이다.
다이 본드층(10)은, 필요에 따라서 다른 성분을 포함해도 된다. 상기 다른 성분으로서는, 예를 들어 경화 촉매, 난연제, 실란 커플링제, 이온 트랩제, 염료 등을 들 수 있다.
난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다.
실란 커플링제로서는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다.
이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화비스무트, 벤조트리아졸 등을 들 수 있다.
상기 다른 첨가제로서는, 1종만, 또는 2종 이상이 채용된다.
다이 본드층(10)은, 탄성 및 점성을 조정하기 쉽다고 하는 점에서, 바람직하게는 열가소성 수지(특히, 아크릴 수지), 열경화성 수지 및 필러를 포함한다.
다이 본드층(10)에 있어서, 필러를 제외한 유기 성분의 총 질량에 대한, 아크릴 수지 등의 열가소성 수지의 함유 비율은, 30질량％ 이상 70질량％ 이하인 것이 바람직하고, 40질량％ 이상 60질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 45질량％ 이상 55질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
다이 본드층(10)의 총 질량에 대해, 필러의 함유 비율은, 30질량％ 이상 70질량％ 이하인 것이 바람직하고, 40질량％ 이상 60질량％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 42질량％ 이상 55질량％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
다이 본드층(10)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 1㎛ 이상 200㎛ 이하이다. 이러한 두께의 상한값은, 바람직하게는 100㎛이고, 보다 바람직하게는 80㎛이다. 이러한 두께의 하한값은, 바람직하게는 3㎛, 보다 바람직하게는 5㎛이다. 또한, 다이 본드층(10)이 적층체인 경우, 상기한 두께는, 적층체의 총 두께이다.
다이 본드층(10)의 유리 전이 온도(Tg)는, 바람직하게는 0℃ 이상이고, 보다 바람직하게는 10℃ 이상이다. 상기 유리 전이 온도가 0℃ 이상임으로써, 쿨 익스팬드에 의해 다이 본드층(10)을 용이하게 할단할 수 있다. 다이 본드층(10)의 유리 전이 온도의 상한은, 예를 들어 100℃이다.
다이 본드층(10)은, 예를 들어 도 1에 도시하는 바와 같이, 단층 구조를 가져도 된다. 본 명세서에 있어서, 단층이란, 동일한 조성물로 형성된 층만을 갖는 것이다. 동일한 조성물로 형성된 층이 복수 적층된 형태도 단층이다.
한편, 다이 본드층(10)은, 예를 들어 2종 이상의 다른 조성물로 각각 형성된 층이 적층된 다층 구조를 가져도 된다.
본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)에서는, 사용될 때, 예를 들어 자외선이 조사됨으로써, 점착제층(22)이 경화된다. 상세하게는, 한쪽 면에 반도체 웨이퍼가 접착된 다이 본드층(10)과, 당해 다이 본드층(10)의 다른 쪽 면에 접합된 점착제층(22)이 적층된 상태에서, 자외선 등이 적어도 점착제층(22)에 조사된다. 예를 들어, 기재층(21)이 배치되어 있는 쪽으로부터 자외선 등을 조사하여, 기재층(21)을 거친 자외선 등이 점착제층(22)에 도달한다. 자외선 등의 조사에 의해, 점착제층(22)이 경화된다.
조사 후에 점착제층(22)이 경화됨으로써, 점착제층(22)의 점착력을 낮출 수 있으므로, 조사 후에 점착제층(22)으로부터 다이 본드층(10)(반도체 웨이퍼가 접착된 상태)을 비교적 용이하게 박리시킬 수 있다.
본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 사용되기 전의 상태에 있어서, 다이 본드층(10)의 한쪽 면(다이 본드층(10)이 점착제층(22)과 겹쳐 있지 않은 면)을 덮는 박리 시트를 구비해도 된다. 박리 시트는, 다이 본드층(10)을 보호하기 위해 사용되고, 다이 본드층(10)에 피착체(예를 들어 반도체 웨이퍼)를 첩부하기 직전에 박리된다.
이 박리 시트로서는, 상술한 박리 시트와 마찬가지의 것을 채용할 수 있다. 이 박리 시트는, 다이 본드층(10)을 지지하기 위한 지지재로서 이용할 수 있다. 박리 시트는, 점착제층(22) 상에 다이 본드층(10)을 겹칠 때, 적합하게 사용된다. 상세하게는, 박리 시트와 다이 본드층(10)이 적층된 상태에서 다이 본드층(10)을 점착제층(22)에 겹치고, 겹친 후에 박리 시트를 박리함(전사함)으로써, 점착제층(22) 상에 다이 본드층(10)을 겹칠 수 있다.
본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 이상과 같이 구성되어 있다는 점에서, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있다.
다음으로, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(20), 및 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 실시 형태의 다이싱 다이 본드 필름(1)의 제조 방법은,
다이싱 테이프(20)를 제조하는 공정(다이싱 테이프의 제조 방법)과, 제조된 다이싱 테이프(20)에 다이 본드층(10)을 겹쳐 다이싱 다이 본드 필름(1)을 제조하는 공정을 구비한다.
다이싱 테이프의 제조 방법(다이싱 테이프를 제조하는 공정)은,
아크릴 폴리머를 합성하는 합성 공정과,
상술한 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제와, 용매와, 목적에 따라서 적절하게 추가하는 그 밖의 성분을 포함하는 점착제 조성물로부터 용매를 휘발시켜 점착제층(22)을 제작하는 점착제층 제작 공정과,
점착제층(22)과 기재층(21)을 접합함으로써, 기재층(21)과 점착제층(22)을 적층시키는 적층 공정을 구비한다.
합성 공정에서는, 예를 들어 C9 내지 C11 알킬(메트)아크릴레이트 모노머와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트 모노머를 라디칼 중합시킴으로써, 아크릴 폴리머 중간체를 합성한다.
라디칼 중합은, 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 상기한 각모노머를 용매에 용해시켜 가열하면서 교반하고, 중합 개시제를 첨가함으로써, 아크릴 폴리머 중간체를 합성할 수 있다. 아크릴 폴리머의 분자량을 조정하기 위해, 연쇄 이동제의 존재하에서 중합을 행해도 된다.
다음으로, 아크릴 폴리머 중간체에 포함되는, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위의 일부의 수산기와, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를, 우레탄화 반응에 의해 결합시킨다. 이에 의해, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위의 일부가, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위가 된다.
우레탄화 반응은, 일반적인 방법에 의해 행할 수 있다. 예를 들어, 용매 및 우레탄화 촉매의 존재하에서, 가열하면서 아크릴 폴리머 중간체와 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머를 교반한다. 이에 의해, 아크릴 폴리머 중간체의 수산기의 일부에, 이소시아네이트기 함유 중합성 모노머의 이소시아네이트기를 우레탄 결합시킬 수 있다.
점착제층 제작 공정에서는, 예를 들어 아크릴 폴리머와, 이소시아네이트 화합물과, 중합 개시제를 용매에 용해시켜, 점착제 조성물을 조제한다. 용매의 양을 변화시킴으로써, 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 다음으로, 점착제 조성물을 박리 시트에 도포한다. 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등의 일반적인 도포 방법이 채용된다. 도포한 조성물에, 탈용매 처리나 고화 처리 등을 실시함으로써, 도포한 점착제 조성물을 고화시켜, 점착제층(22)을 제작한다.
적층 공정에서는, 박리 시트에 겹친 상태의 점착제층(22)과 기재층(21)을 겹쳐 적층시킨다. 또한, 박리 시트는, 사용 전까지 점착제층(22)에 겹친 상태여도 된다.
또한, 가교제와 아크릴 폴리머의 반응을 촉진하기 위해, 또한 가교제와 기재층(21)의 표면 부분의 반응을 촉진하기 위해, 적층 공정 후에, 50℃ 환경하에서, 48시간의 에이징 처리 공정을 실시해도 된다.
또한, 기재층(21)은, 시판되고 있는 필름 등을 사용해도 되고, 일반적인 방법에 의해 제막하여 제작되어도 된다. 제막하는 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T 다이 압출법, 드라이 라미네이트법 등을 들 수 있다. 또한, 공압출 성형법을 채용해도 된다.
이들 공정에 의해, 다이싱 테이프(20)를 제조할 수 있다.
다이싱 다이 본드 필름의 제조 방법(다이싱 다이 본드 필름을 제조하는 공정)은,
다이 본드층(10)을 형성하기 위한 수지 조성물을 조제하는 수지 조성물 조제 공정과,
수지 조성물로부터 다이 본드층(10)을 제작하는 다이 본드층 제작 공정과,
상기한 바와 같이 제조한 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이 본드층(10)을 첩부하는 첩부 공정을 구비한다.
수지 조성물 조제 공정에서는, 예를 들어 에폭시 수지, 에폭시 수지의 경화 촉매, 아크릴 수지, 페놀 수지, 용매 등을 혼합하여, 각 수지를 용매에 용해시킴으로써 수지 조성물을 조제한다. 용매의 양을 변화시킴으로써, 조성물의 점도를 조정할 수 있다. 또한, 이들 수지로서는, 시판되고 있는 제품을 사용할 수 있다.
다이 본드층 제작 공정에서는, 예를 들어 상기한 바와 같이 조제한 수지 조성물을, 박리 시트에 도포한다. 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등의 일반적인 도포 방법이 채용된다. 다음으로, 필요에 따라서, 탈용매 처리나 경화 처리 등에 의해, 도포한 조성물을 고화시켜, 다이 본드층(10)을 제작한다.
첩부 공정에서는, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22), 및 다이 본드층(10)으로부터 각각 박리 시트를 박리하고, 다이 본드층(10)과 점착제층(12)이 직접 접촉하도록 양자를 접합한다. 예를 들어, 압착함으로써 접합할 수 있다. 접합할 때의 온도는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 30℃ 이상 50℃ 이하이고, 바람직하게는 35℃ 이상 45℃ 이하이다. 접합할 때의 선압은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.1kgf/㎝ 이상 20㎏f/㎝ 이하이고, 보다 바람직하게는 1㎏f/㎝ 이상 10㎏f/㎝ 이하이다.
상기한 바와 같이 제조된 다이싱 다이 본드 필름(1)은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조하기 위한 보조 용구로서 사용된다. 이하, 사용에 있어서의 구체예에 대해 설명한다.
반도체 집적 회로를 제조하는 방법은, 일반적으로 회로면이 형성된 반도체 웨이퍼로부터 칩을 잘라내어 조립을 행하는 공정을 구비한다.
이 공정은, 예를 들어 반도체 웨이퍼를 할단 처리에 의해 칩(다이)으로 가공하기 위해 반도체 웨이퍼에 홈을 형성하고, 또한 반도체 웨이퍼를 연삭하여 두께를 얇게 하는 하프컷 공정과, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼의 일면(예를 들어, 회로면과는 반대측의 면)을 다이 본드층(10)에 첩부하여, 다이싱 테이프(20)에 반도체 웨이퍼를 고정하는 마운트 공정과, 하프컷 가공된 반도체 칩끼리의 간격을 넓히는 익스팬드 공정과, 다이 본드층(10)과 점착제층(22) 사이를 박리하여 다이 본드층(10)이 첩부된 상태에서 반도체 칩(다이)을 취출하는 픽업 공정과, 다이 본드층(10)이 첩부된 상태의 반도체 칩(다이)을 피착체에 접착시키는 다이 본드 공정을 갖는다. 이들 공정을 실시할 때, 본 실시 형태의 다이싱 테이프(다이싱 다이 본드 필름)가 제조 보조 용구로서 사용된다.
하프컷 공정에서는, 도 2a 내지 도 2d에 도시하는 바와 같이, 반도체 집적 회로를 소편(다이)으로 할단하기 위한 하프컷 가공을 실시한다. 상세하게는, 반도체 웨이퍼의 회로면과는 반대측의 면에, 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한다. 또한, 웨이퍼 가공용 테이프 T에 다이싱 링 R을 설치한다. 웨이퍼 가공용 테이프 T를 첩부한 상태에서, 분할용 홈을 형성한다. 홈을 형성한 면에 백그라인드 테이프 G를 첩부하는 한편, 처음에 첩부한 웨이퍼 가공용 테이프 T를 박리한다. 백그라인드 테이프 G를 첩부한 상태에서, 반도체 웨이퍼가 소정의 두께가 될 때까지 연삭 가공을 실시한다.
마운트 공정에서는, 도 3a 내지 도 3b에 도시하는 바와 같이, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이싱 링 R을 설치한 후, 노출된 다이 본드층(10)의 면에, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼를 첩부한다. 그 후, 반도체 웨이퍼로부터 백그라인드 테이프 G를 박리한다.
익스팬드 공정에서는, 도 4a 내지 도 4c에 도시하는 바와 같이, 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)에 다이싱 링 R을 설치한 후, 익스팬드 장치의 보유 지지구 H에 고정한다. 익스팬드 장치가 구비하는 밀어올림 부재 U를, 다이싱 다이 본드 필름(1)의 하측으로부터 밀어올림으로써, 다이싱 다이 본드 필름(1)을 면 방향으로 확대되도록 잡아늘인다. 이에 의해, 특정한 온도 조건에 있어서, 하프컷 가공된 반도체 웨이퍼를 할단한다. 상기 온도 조건은, 예를 들어 -20 내지 5℃이고, 바람직하게는 -15 내지 0℃, 보다 바람직하게는 -10 내지 -5℃이다. 밀어올림 부재 U를 하강시킴으로써 익스팬드 상태를 해제한다(여기까지 쿨 익스팬드 공정).
또한, 익스팬드 공정에서는, 도 5a 내지 도 5b에 도시하는 바와 같이, 더 높은 온도 조건하에서, 면적을 확대하도록 다이싱 테이프(20)를 잡아늘인다. 이에 의해, 할단된 인접하는 반도체 칩을 필름면의 면 방향으로 분리하여, 간격을 더 넓힌다(상온 익스팬드 공정).
여기서, 할단된(소편화된) 반도체 웨이퍼의 간격을 유지시키도록, 다이싱 테이프(20)의 일부를 열수축(히트 슈링크)시킨다. 구체적으로는, 반도체 웨이퍼에 겹치는 부분보다 외측의 부분을 열수축(히트 슈링크)시켜, 다이싱 테이프(20)를 고정한다.
픽업 공정에서는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 다이 본드층(10)이 첩부된 상태의 반도체 칩을 다이싱 테이프(20)의 점착제층(22)으로부터 박리한다. 상세하게는, 핀 부재 P를 상승시켜, 픽업 대상인 반도체 칩을, 다이싱 테이프(20)를 통해 밀어올린다. 밀어올려진 반도체 칩을 흡착 지그 J에 의해 보유 지지한다.
다이 본드 공정에서는, 다이 본드층(10)이 첩부된 상태의 반도체 칩을 피착체에 접착시킨다.
본 명세서에 의해 개시되는 사항은, 이하의 것을 포함한다.
(1)
기재층과, 당해 기재층에 겹친 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프이며,
23℃에 있어서 연신되었을 때의 영구 변형률이 35％ 이상인, 다이싱 테이프.
(2)
기재층과, 당해 기재층에 겹친 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프이며,
-5℃에 있어서 연신되었을 때의 영구 변형률이 35％ 이상인, 다이싱 테이프.
(3)
동적 점탄성 인장 시험에 의해 측정되는 탄성률에 대해,
23℃에 있어서의 탄성률(A)에 대한, 60℃에 있어서의 탄성률(B)의 비(B/A)가, 0.17 이상 0.50 이하인, 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 다이싱 테이프.
(4)
동적 점탄성 인장 시험에 의해 측정되는 탄성률에 대해,
23℃에 있어서의 탄성률(A)이 40㎫ 이상 300㎫ 이하이고,
60℃에 있어서의 탄성률(B)이 8㎫ 이상 100㎫ 이하인, 상기 (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.
(5)
동적 점탄성 인장 시험에 의해 측정되는 탄성률에 대해,
100℃에 있어서의 탄성률(C)이 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하인, 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.
(6)
상기 기재층은, 복수의 층으로 구성되어 있는, 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.
(7)
상기 기재층은, 적어도 3층으로 구성되고, 비엘라스토머로 형성된 2개의 비엘라스토머층과, 2개의 상기 비엘라스토머층 사이에 배치되며 또한 엘라스토머로 형성된 엘라스토머층을 갖는, 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.
(8)
상기 비엘라스토머층은, 폴리프로필렌을 포함하는, 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.
(9)
상기 엘라스토머층은, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA), 또는 α-올레핀계 열가소성 엘라스토머 중 적어도 한쪽을 포함하는, 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.
(10)
상기 엘라스토머층(Y층)의 두께에 대한, 상기 비엘라스토머층의 1층분(X층)의 두께의 비(X층/Y층)는, 0.05 이상 0.25 이하의 범위인, 상기 (7) 내지 (9) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.
(11)
상기 기재층의 두께는, 60㎛ 이상 160㎛ 이하인, 상기 (1) 내지 (10) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.
(12)
상기 점착제층은, 아크릴 폴리머를 포함하고, 당해 아크릴 폴리머는, 분자 중에, 알킬(메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 수산기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위와, 중합성기 함유 (메트)아크릴레이트의 구성 단위를 적어도 갖는, 상기 (1) 내지 (11) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.
(13)
상기 점착제층은, 이소시아네이트 화합물 및 중합 개시제를 추가로 포함하는, 상기 (12)에 기재된 다이싱 테이프.
(14)
상기 다이싱 테이프의 총 두께에 대해, 상기 점착제층의 두께가 차지하는 비율은, 1％ 이상 15％ 이하인, 상기 (1) 내지 (13) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프.
(15)
상기 (1) 내지 (14) 중 어느 하나에 기재된 다이싱 테이프와, 당해 다이싱 테이프의 점착제층에 적층된 다이 본드층을 구비하는, 다이싱 다이 본드 필름.
본 실시 형태의 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름은 상기 예시한 바와 같지만, 본 발명은, 상기 예시의 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름에 한정되는 것은 아니다.
즉, 일반적인 다이싱 테이프, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서 사용되는 다양한 형태가, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 채용될 수 있다.
[실시예]
다음으로 실험예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.
이하와 같이 하여, 다이싱 테이프를 제조하였다. 또한, 이 다이싱 테이프를 사용하여, 다이싱 다이 본드 필름을 제조하였다.
<기재층>
·실시예에 있어서 3층 구조(X층/Y층/X층), 비교예에 있어서 단층(Y층)
[비엘라스토머층: X층]
제품명: WXK1233, WMX03
메탈로센계 폴리프로필렌 랜덤 공중합체
니혼 폴리프로사제 윈텍(WINTEC) 시리즈
[엘라스토머층: Y층]
제품명: EV250, EV550
에틸렌-아세트산비닐 공중합 수지
미츠이·다우폴리케미컬사제 에바플렉스(EVAFLEX) 시리즈
제품명: Vistamaxx
프로필렌계 엘라스토머 수지
엑슨모빌 재팬사제 Vistamaxx 시리즈
·성형 조건
압출 T 다이 성형기를 사용하여, X층/Y층/X층의 3층 구조의 기재층을 제작하였다. 상세하게는, T 다이로부터 공압출 성형하여 일체화시키고, 압출한 적층체가 충분히 고화된 후에, 롤 형상으로 권취함으로써 롤체를 얻었다. 또한, 압출 온도 조건은, 이하와 같았다.
X층(외층): 190℃
Y층(내층): 190℃
다이스 온도: 190℃
또한, 각 실시예 및 각 비교예에 있어서의 기재층의 두께는, 표 1에 나타내는 바와 같다.
<점착제층>
(아크릴 폴리머의 합성)
냉각관, 질소 도입관, 온도계, 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 하기의 원료를 넣고, 질소 기류 중에서 60℃에서 10시간 중합 처리를 하고, 아크릴 폴리머 중간체를 합성하였다.
·2-에틸헥실아크릴레이트(이하, 「2EHA」라고도 함): 100질량부,
·2-히드록시에틸아크릴레이트(이하, 「HEA」라고도 함): 19질량부,
·과산화벤조일: 0.4질량부,
톨루엔: 80질량부
합성한 아크릴 폴리머 중간체에, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, 「MOI」라고도 함) 1.2질량부를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 60시간, 부가 반응 처리를 실시하고, 아크릴 폴리머를 합성하였다.
(점착제층의 제작)
다음으로, 하기의 조성으로 점착제 용액을 조제하였다.
·합성한 아크릴 폴리머: 100질량부,
·폴리이소시아네이트 화합물
(제품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄사제)
: 1.3질량부,
·광중합 개시제
(제품명 「이르가큐어 184」, 지바 스페셜티 케미컬즈사제):
: 3질량부
박리 시트로서, PET계 필름을 준비하였다. 박리 시트의 면에, 상기한 바와 같이 조제한 점착제 용액을 도포하였다. 또한, 박리 시트(PET계 필름)의 편면에는, 이형 처리로서 실리콘 처리가 실시되고, 이 이형 처리가 실시된 면에 점착제 용액을 도포하였다. 도포 후, 120℃에서 2분간, 가열에 의해 건조 처리를 실시하고, 두께 10㎛의 점착제층을, 박리 시트 상에 제작하였다.
<다이싱 테이프의 제작>
박리 시트 상에 제작한 점착제층의 노출면과, 각 기재층을 접합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 테이프를 제작하였다.
<다이 본드층의 제작>
하기 (a) 내지 (e)를 메틸에틸케톤에 용해시키고, 고형분 농도 20질량％의 수지 조성물을 조제하였다.
(a) 아크릴 수지(제품명 「SG-P3」 나가세 켐텍스사제 유리 전이 온도 12℃): 100질량부
(b) 에폭시 수지(제품명 「JER1001」 미쓰비시 가가쿠사제): 46질량부
(c) 페놀 수지(제품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사제) 51질량부
(d) 구상 실리카(제품명 「SO-25R」 아드마텍스사제): 191질량부
(e) 경화 촉매(제품명 「큐어졸 2P㎐」 시코쿠 가세이 고교사제): 0.6질량부
수지 조성물을, 실리콘 이형 처리한 두께 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름(박리 시트) 상에 도포하였다. 그 후, 130℃에서 2분간, 건조 처리를 실시하였다. 이에 의해, 두께(평균 두께) 10㎛의 다이 본드층을 제작하였다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
제작한 다이싱 테이프로부터, PET 박리 시트를 박리하여, 노출된 점착제층에, 다이 본드층을 접합하였다. 접합 시에, 핸드 롤러를 사용하였다. 다음으로, 300mJ/㎠의 자외선(적산 광량)을 다이싱 테이프측에서 조사하였다. 이와 같이 하여, 다이싱 다이 본드 필름을 제조하였다.
(실시예 1 내지 6)
표 1에 나타내는 구성의 기재층을 제작하여, 상기한 방법에 따라서, 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 각각 제조하였다.
(비교예 1 내지 4)
표 1에 나타내는 구성의 기재층을 제작하여, 실시예와 마찬가지로 하여, 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제조하였다.
실시예 및 비교예의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름을 제조하기 위한 기재층의 구성을 표 1에 나타낸다.
또한, 하기의 방법에 의해 측정한 각 다이싱 테이프의 물성(영구 변형률 등)을 표 1에 나타낸다.
Figure pat00001
<다이싱 테이프의 영구 변형률의 측정>
상기와 같이 제조한 각 다이싱 테이프를, 각각 폭 10㎜로 절단하여 시료를 제작하였다. 다음으로, 이 시료에 대해, 하기와 같이 하여 영구 변형률을 측정하였다. 상세하게는, 인장 시험기(제품명 「텐실론」, 시마즈 세이사쿠쇼사제)를 사용하여, 초기 척간 거리 50㎜, 인장 속도 100㎜/분의 조건으로 시험을 실시하였다. 또한, 본 측정에서는 MD 방향으로 인장을 행하였지만, 이것에 한정되지 않는다. 그리고 실온(23℃)에서 100％ 연신(연신 전의 길이의 2배 길이로 연신)하였을 때, 또는 -5℃에서 120％ 연신하였을 때, 1분간 유지하였다. 그 후, 100㎜/분의 속도로 인장력을 완화해 가서, 장력이 0이 되었을 때의 척간 거리 L을 측정하여, 초기 척간 거리에 대한 L의 비율의 백분율을 영구 변형률로 하였다. 영구 변형률을 구하기 위한 측정의 개념도를 도 7에 나타낸다.
<다이싱 테이프의 탄성률(인장 저장 탄성률)의 측정>
상기와 같이 제조한 각 다이싱 테이프를, 두께가 200㎛가 될 때까지 겹쳤다. 다음으로, 길이 40㎜(측정 길이), 폭 10㎜의 직사각 형상이 되도록, 커터 나이프로 잘라냈다. 계속해서, 고체 점탄성 측정 장치(제품명 「RSAIII」, 레오메트릭 사이언티픽사제)를 사용하여, -50 내지 100℃에 있어서의 인장 저장 탄성률을 측정하였다. 측정 조건은, 주파수 1㎐, 승온 속도 10℃/분, 척간 거리 22.5㎜로 하였다. 23℃ 및 60℃에서의 값을 판독하고, 판독한 값을 인장 저장 탄성률의 측정값으로 하였다. 1회 실시한 측정값을 탄성률로서 채용하였다.
<다이닝 다이 본드 필름의 사용 성능 평가>
실제로 반도체 집적 회로를 제조할 때는, 이미 웨이퍼 상에 회로가 형성된 상태(회로층이 형성된 상태)에서 웨이퍼를 할단하는 경우가 많다. 공간이 많은 회로층이 형성되어 있으면, 내부 응력을 발생하기 쉬워, 웨이퍼 전체에 어느 정도의 휨이 발생한다. 이러한 상황하에 있어서 사용 성능을 평가하기 위해, 웨이퍼에 휨을 발생시킬 수 있는 휨 조정층(경화층)을 마련하였다. 웨이퍼의 편면측에 휨 조정층을 마련하여 웨이퍼에 휨을 발생시키기 쉽게 한 후, 하기와 같이 사용 성능 평가를 실시하였다.
(휨 조정층의 조성)
하기 (a) 내지 (f)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 고형분 농도 20질량％의 휨 조정층용 조성물을 조제하였다.
(a) 아크릴 수지(상품명 「SG-70L」 나가세 켐텍스사제): 5질량부
(b) 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미쓰비시 가가쿠사제): 5질량부
(c) 페놀 수지(상품명 「LDR8210」 메이와 가세이사제) 14질량부
(d) 에폭시 수지(상품명 「MEH-8005」 미쓰비시 가가쿠사제): 2질량부
(e) 구상 실리카(상품명 「SO-25R」가부시키가이샤 아드마텍스 제조): 53질량부
(f) 인계 촉매(TPP-K): 1질량부
상기한 조성물을, 실리콘 이형 처리한 두께 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조 처리를 실시하였다. 이에 의해, 두께(평균 두께) 25㎛의 휨 조정층을 제작하였다.
(평가용 웨이퍼의 제작)
상기와 같이 제작한 휨 조정층을 웨이퍼(회로층이 없는 베어 웨이퍼)에 접합하고, 이형 처리 필름을 제거하였다. 또한, 접합 시의 조건은, 60℃, 0.1㎫, 10㎜/s로 하였다. 그 후, 오븐 내에 있어서, 175℃에서 1시간 가열하여, 휨 조정층을 열경화시켰다.
계속해서, 웨이퍼 노출면에 웨이퍼 가공용 테이프를 접합하여, 다이싱 링에 고정하고, 휨 조정층측의 면에 홈을 형성하였다(하프컷 가공). 구체적으로는, 다이싱 장치(DFD6361, DISCO사제)를 사용하여, 폭 20㎛, 4㎜×11㎜의 격자상으로, 깊이 100㎛의 홈을 형성하였다. 또한, 휨 조정층의 표면에 백그라인드 테이프를 접합하고, 웨이퍼 가공용 테이프를 박리하였다. 그리고 DISCO사제 백 그라인더 DGP8760을 사용하여, 휨 조정층 및 웨이퍼의 적층체의 총 두께가 55㎛가 되도록, 이면을 연삭하였다.
그 후, 노출된 웨이퍼의 면을, 다이 본드층에 첩부하였다. 상세하게는, 다이싱 링에 고정된 다이싱 테이프의 점착제층에 적층되어 있는 다이 본드층에, 연마 후의 노출된 웨이퍼의 면을 첩부하고, 백그라인드 테이프를 박리하였다.
(익스팬드 방법)
다이 세퍼레이터 장치(DDS2300, DISCO사제)를 사용하여, 반도체 웨이퍼의 할단 및 다이싱 테이프의 열수축을 행하였다.
구체적으로는, 먼저, 쿨 익스팬더 유닛에서, 익스팬드 온도 -15℃, 익스팬드 속도 200㎜/초, 익스팬드양 12㎜의 조건으로 반도체 웨이퍼 및 다이 본드층을 할단하였다.
그 후, 히트 익스팬더 유닛에서, 익스팬드양 10㎜, 히트 온도 250℃, 풍량 40L/분, 히트 거리 20㎜, 로테이션 스피드 3°/초의 조건으로, 다이싱 테이프를 열수축(히트 슈링크)시켰다.
(커프 평가)
디지털 마이크로스코프(VHX-6000, 키엔스사제)를 사용하여 커프의 측정을 행하였다. 측정은, 히트 익스팬드 종료 후에, 할단된 부분에 있어서의 칩과 칩의 간격(커프)을 디지털 마이크로스코프로 관찰하여, 간격 길이를 측정하였다. 임의로 선택한 5개소에 있어서, MD 방향 및 TD 방향의 커프를 각각 측정하고, 측정값의 최솟값을 채용하였다. 30㎛ 이상의 커프이면, ○로 평가하고, 30㎛ 미만의 커프이면 ×로 평가하였다. 또한, 임의의 5개소란, 원형 웨이퍼의 최외주 부분이며 주위 방향으로 서로 약 90도 이격된 4개소, 및 웨이퍼의 중앙 부근이다.
상기한 평가 결과로부터 파악되는 바와 같이, 실시예의 다이싱 다이 본드 필름은, 비교예의 다이싱 다이 본드 필름에 비해, 익스팬드 후에 커프를 양호하게 유지할 수 있었다.
실시예의 다이싱 테이프에서는, 23℃에서 100％ 연신되었을 때 또는 -5℃에 있어서 120％ 연신되었을 때의 영구 변형률이 35％ 이상이다.
영구 변형률은, 그 온도에 있어서 다이싱 테이프가 소성 변형되기 쉬운지 여부의 지표가 된다. 영구 변형률이 35％ 이상인 것은, 연신된 후에 탄성에 의해 수축되는 것이 비교적 억제되어 있는 것을 나타낸다. 따라서, 연신된 후에 그다지 수축되지 않는 만큼, 익스팬드 후에 커프를 충분히 유지할 수 있다고 생각된다.
실시예의 다이싱 테이프에서는, 예를 들어 23℃에 있어서의 탄성률(A)에 대한, 60℃에 있어서의 탄성률(B)의 비(B/A)가, 0.17 이상이다.
상기한 비(B/A)가 0.17 이상인 것은, 23℃에 있어서의 탄성과 비교하여, 보다 고온인 60℃에 있어서의 탄성이, 그다지 저하되어 있지 않은 것을 나타낸다. 따라서, 다이싱 테이프가 연신된 후에, 60℃로 가열(예를 들어 주연부만 가열되는 히트 슈링크)되어도, 주연부의 탄성이 그다지 저하되지 않는다고 할 수 있다. 주연부의 탄성이 그다지 저하되지 않는 만큼, 연신된 다이싱 테이프가 원래 상태로 돌아가려고 하는 현상을, 주연부의 탄성에 의해 억제할 수 있다. 이에 의해, 할단된 웨이퍼를 올려 놓은 상태의 다이싱 테이프는, 익스팬드 후에 커프를 충분히 유지할 수 있다고 생각된다.
본 발명의 다이싱 테이프 및 다이싱 다이 본드 필름은, 예를 들어 반도체 집적 회로를 제조할 때의 보조 용구로서, 적합하게 사용된다.
1: 다이싱 다이 본드 필름
10: 다이 본드층
20: 다이싱 테이프
21: 기재층
22: 점착제층

Claims (6)

  1. 기재층과, 당해 기재층에 겹친 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프이며,
    23℃에 있어서 연신되었을 때의 영구 변형률이 35％ 이상인, 다이싱 테이프.
  2. 기재층과, 당해 기재층에 겹친 점착제층을 구비하는 다이싱 테이프이며,
    -5℃에 있어서 연신되었을 때의 영구 변형률이 35％ 이상인, 다이싱 테이프.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    동적 점탄성 인장 시험에 의해 측정되는 탄성률에 대해,
    23℃에 있어서의 탄성률(A)에 대한, 60℃에 있어서의 탄성률(B)의 비(B/A)가, 0.17 이상인, 다이싱 테이프.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    동적 점탄성 인장 시험에 의해 측정되는 탄성률에 대해,
    23℃에 있어서의 탄성률(A)가 40㎫ 이상 300㎫ 이하이고,
    60℃에 있어서의 탄성률(B)가 8㎫ 이상 100㎫ 이하인, 다이싱 테이프.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    동적 점탄성 인장 시험에 의해 측정되는 탄성률에 대해,
    100℃에 있어서의 탄성률(C)이 0.5㎫ 이상 20㎫ 이하인, 다이싱 테이프.
  6. 제1항 또는 제2항에 기재된 다이싱 테이프와, 당해 다이싱 테이프의 점착제층에 적층된 다이 본드층을 구비하는, 다이싱 다이 본드 필름.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011155270A (ja) 2005-07-20 2011-08-11 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングテープ

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011151110A (ja) 2010-01-20 2011-08-04 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体用接着フィルム、半導体用接着フィルムの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2011216704A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体ウェハ加工用粘着テープ
JP2012193321A (ja) 2011-03-18 2012-10-11 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化型粘着剤組成物、それを用いたウェハ加工用粘着テープ、放射線硬化型粘着剤組成物の判定方法
JP6318750B2 (ja) 2014-03-20 2018-05-09 住友ベークライト株式会社 半導体用ウエハ加工用粘着テープ
JP2018166148A (ja) 2017-03-28 2018-10-25 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JP6921644B2 (ja) 2017-06-27 2021-08-18 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型裏面保護フィルム
JP7007827B2 (ja) 2017-07-28 2022-01-25 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法
JP7046586B2 (ja) 2017-12-14 2022-04-04 日東電工株式会社 接着フィルムおよびダイシングテープ付き接着フィルム
JP7041505B2 (ja) 2017-12-14 2022-03-24 日東電工株式会社 接着フィルムおよびダイシングテープ付き接着フィルム
JP7046585B2 (ja) 2017-12-14 2022-04-04 日東電工株式会社 接着フィルムおよびダイシングテープ付き接着フィルム

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011155270A (ja) 2005-07-20 2011-08-11 Furukawa Electric Co Ltd:The ダイシングテープ

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