CN112289733A - 芯片接合切割片材 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题是提供一种芯片接合切割片材，其可在根据隐形切割法的半导体装置的制造中，改善扩展时粘合剂层从粘附剂层的剥离及飞散、进一步改善向半导体芯片的附着。解决上述课题的手段是，一种贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材，其具有如下构成：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。

Description

芯片接合切割片材
本申请是中国专利申请《芯片接合切割片材》的分案申请，原申请的申请日为2015年05月22日，申请号为201510268006.1。
技术领域
本发明涉及制造半导体装置时可适宜使用的芯片接合切割片材。
背景技术
传统上，半导体芯片和引线框架等支撑部件的接合主要使用银浆。但是，伴随近年的半导体芯片的小型化及高性能化，对于使用的导线框架也提出了小型化及细密化的要求。对于所述要求，在为进行所述接合而使用银浆时，趋于发生由浆体溢出或半导体的倾斜引起的引线接合时的故障。另外，基于难以控制粘合剂层的膜厚、并且粘合剂层中易于发生空隙等原因，使用银浆来应对所述要求也是有限度的。
因此近年来，人们开始用以单片贴附方式或晶片背面贴附方式使用薄膜状粘合剂及薄膜状接合材料等具有粘合性的薄膜部件的接合方法来代替银浆。
以所述单片贴附的方式制造半导体装置时，其代表性的制造工序包括下述(1)～(3)。
(1)首先通过切割或冲切，从卷状(卷筒状)的粘合薄膜上切出该粘合薄膜的单片。接着，将所述单片贴附在引线框架上。
(2)在得到的附有粘合薄膜的引线框架上，放置预先以切割工序而切断分离(切割(dicing))的元件小片(半导体芯片)。接着，通过将它们进行接合(芯片接合(die bond))，制作附有半导体芯片的引线框架。
(3)实施引线接合工序及封装工序等。
但是，在该方法中，要从卷状的粘合薄膜上切出粘合薄膜的单片，进一步地，将切出粘合薄膜的单片粘合在引线框架上，因此需要专门的装配装置。因此，相比使用银浆的方法，在制造成本相对较高的方面值得改善。
另一方面，以所述晶片背面贴附方式制造半导体装置时，其代表性的制造工序包括下述(1)～(4)。
(1)在半导体晶片的背面贴附粘合薄膜，进一步地在粘合薄膜之上贴合切割胶带。
(2)实施切割工序，在附有粘合薄膜的状态下，对半导体晶片进行单片化。
(3)拾取得到的附有粘合薄膜的半导体芯片的各个单片，将其贴附在引线框架上。
(4)然后，实施通过加热固化粘合薄膜的固化工序、引线接合工序及封装工序等。
这样的方法中，粘合薄膜和半导体晶片同时进行单片化，制作附有粘合薄膜的半导体芯片，因此，不需要独立的对粘合薄膜进行单片化的装置。因此，可以直接使用传统的使用银浆时所用的装配装置，或在装配装置上附加发热盘等、仅对所述装置进行部分改进即可，可以控制制造成本相对较低。但是，该方法到切割工序为止，需要进行粘合薄膜的贴附和之后的切割胶带的贴附这两道贴附工序。
因此，人们进行了不需要两次贴附工序，仅一次贴附工序即可完成的具有粘合性的薄膜部件的开发。作为像这样的薄膜部件的一个例子，已知的有预先贴合粘合薄膜和切割胶带的“芯片接合切割片材”、或可以用于切割工序和接合工序的两者的片材等。
作为一个例子，举例有具有基材/粘附剂层/粘合剂层/剥离性片材的4层结构的芯片接合切割片材(例如，专利文献1)。专利文献1中，如图1(a)及(b)所示，通过在剥离性片材10之上形成有盘状的粘合剂层(接合材料)12，在其上积层比所述粘合剂层12大一圈的盘状的粘附剂层13，进一步地，积层具有与粘附剂层13相同的尺寸和形状的基材14，制作所述片材。此外，专利文献1中公开了，通过由辐射固化型粘附剂构成所述粘附剂层13，并维持辐射固化后的弹性模量在规定的范围内，改善了切割工序后的扩展性以及拾取性。此外，已知的还有，具有基材/粘合剂层/剥离性片材的3层结构的芯片接合切割片材。
传统上，切割工序中，使用被称为刀片(ブレード)的刀具实施晶片的单片化。但是，伴随晶片的薄型化和芯片的小型化，近年来，逐渐使用通过切割胶带的拉伸进行芯片的单片化的隐形切割法。所述隐形切割法，如图2所示，代表性地具有以下的工序。另外，图2的例示与所述使用3层结构的芯片接合切割片材的情况相对应。
(1)在通常的半导体晶片30上照射激光，在晶片内部形成改质部30a(图2(a))。
(2)剥离芯片接合切割片材的剥离性片材10，使粘合剂层12露出(图2(b))。
(3)在粘合剂层12的所述露出面上，贴合具有改质部30a的晶片30及切割用环40(图2(c))。
(4)通过使用扩展夹具50拉伸基材14以及粘附剂层13(切割胶带)，扩展切断晶片，使芯片单片化(图2(d))。
现有技术文献
专利文献
[专利文献1]日本专利特开平7-045557号公报
发明内容
发明要解决的课题
所述经由隐形切割法的切割工序中，使用4层结构的芯片接合切割片材(参考图1)时，如图3所示，代表性地，可以通过以下的工序制造半导体装置。
(1)剥离芯片接合切割片材的剥离性片材10，使粘合剂层12及粘附剂层13的一部分露出(图3(a))。另外，所述粘附剂层13的露出部具有带状圆环形状，其为切割用环的放置区域。
(2)接着，在所述粘附剂层13的露出部之上放置切割用环40，在环内侧的规定的位置(接着剂层12之上)上，放置预先通过激光形成改质部30a的半导体晶片30(图3(b)及(c))。
(3)接着，通过使用扩展夹具50拉伸基材14及粘附剂层13(切割胶带)，同时切断半导体晶片30和粘合剂层12，制作附有粘合剂层的半导体芯片(12b及30b)(图3(d))。
(4)从粘附剂层13的表面上拾取所述附有粘合剂层的半导体芯片，放置于引线框架之上，进行加热及接合(芯片接合(die bond))。接着进行引线接合处理，使用封装材料封装半导体芯片(未图示)。
但是，所述制造方法中，对于在薄膜状的粘合剂层上贴附的半导体晶片(参考图3(c)及(d))实施扩展切断，同时对粘合剂层和晶片进行单片化的工序时，有时产生粘合剂层的一部分发生剥离，附着在半导体晶片的上表面的问题。这被称为DAF(Die Attach Film，芯片粘合膜)飞散。更详细地，如图4所示，DAF飞散是指，位于半导体晶片30的外侧、不与半导体晶片接触的粘合剂层的部分12c(图4(a))，由于扩展切断时的冲击，从粘附剂层13上剥离及飞散，附着在所述半导体晶片切断后得到的半导体芯片30b的上表面的现象((图4(b))。图4(b)中，参考符号12c’显示了飞散附着在芯片上表面的粘合剂层。像这样地，因为附着有飞散的粘合剂层的芯片变得不能拾取，生产性降低，因此期望进行改善。
鉴于这样的状况，本发明的目的是提供一种可以改善诸如扩展时粘合剂层从粘附剂层上剥离、以及所述粘合剂层的飞散、进一步改善地附着在半导体芯片上的问题的芯片接合切割片材。
解决课题的手段
为完成所述目的，本发明人进行了种种研究，结果发现，通过将粘合剂层的尺寸设定为与半导体晶片相同、或者与半导体晶片相近的尺寸，可以防止扩展切断时的粘合剂层的飞散，完成了本发明。本申请涉及以下事项。
(1)一种芯片接合切割片材，贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用，其具有：剥离性的第1基材、设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。
(2)所述(1)所述的芯片接合切割片材，其中，所述半导体元件搭载用支撑部件为半导体晶片。
(3)所述(1)或(2)所述的芯片接合切割片材，其中，所述第1基材具有长条形状，在所述长条形状的第1基材的上表面上，配置有多个岛状的积层体，该积层体包含所述粘合剂层、所述粘附剂层、所述第2基材，并且，所述芯片接合切割片材以所述第1基材的上表面作为内侧，沿长轴方向卷取为卷状而成。
(4)所述(1)～(3)中任意1项所述的芯片接合切割片材，其中，所述第2基材为在通过依隐形切割法实施的扩展进行切断时不发生断裂的切割片材基材。
(5)一种制造方法，使用所述(1)～(4)中任意1项所述的芯片接合切割片材作为上述芯片接合切割片材，其为包含通过依隐形切割法实施的扩展进行的切断工序的半导体装置的制造方法，所述切断工序包括：
(i)工序：在所述半导体元件搭载用支撑部件上照射激光，形成改质层，
(ii)工序：是将所述半导体元件搭载用支撑部件与依次含有剥离性的第1基材、粘合剂层、粘附剂层和第2基材的芯片接合切割片材贴合的工序，通过剥离所述芯片接合切割片材的所述第1基材使所述粘合剂层露出，接着将所述粘合剂层与所述半导体元件搭载用支撑部件贴合，然后
(iii)工序：通过扩展所述芯片接合切割片材的所述第2基材与所述粘附剂层，同时切断所述半导体元件搭载用支撑部件与所述粘合剂层，获得单片的附有粘合剂层的所述半导体元件搭载用支撑部件。
(6)所述(5)所述的制造方法，其中，所述工序(iii)在所述第2基材及所述粘附剂层不被切断的扩展条件下实施。
本申请的公开与2014年5月23日所申请的日本国专利申请号2014-107251号所述的主题相关，作为参考，此处援引其说明书的公开内容。
发明的效果
依据本发明，可以改善诸如扩展时粘合剂层从粘附剂层上的剥离及飞散，进一步地改善附着于半导体芯片的问题。
附图说明
[图1]显示芯片接合切割片材的结构的图，(a)为平面图，(b)为沿(a)的A-A线的截面图。
[图2]说明通过依照隐形切割法实施的扩展进行的切断工序的示意性截面图。
[图3]说明通过依照隐形切割法实施的扩展进行的切断工序的示意性截面图。
[图4]说明通过扩展进行切断工序时的DAF飞散的示意性截面图，(a)表示扩展前的状态，(b)表示扩展后的状态。
[图5]显示本发明的芯片接合切割片材的一个实施方式的示意图，(a)为平面图，(b)为沿(a)的B-B线的截面图。
[图6]说明本发明的芯片接合切割片材的结构的图，(a)为平面图，(b)为沿(a)的C-C线的截面图。
符号说明
10：剥离性第1基材(剥离性片材、保护薄膜)
12：粘合剂层、12b：切断的粘合剂层、12c：不与半导体晶片接触的粘合剂层的部分、12c’：飞散附着的粘合剂层
13：粘附剂层、13a：周缘部
14：第2基材(切割片材基材)
20：激光源
30：支撑部件(半导体晶片)、30a：激光改质部、30b：半导体芯片
40：切割用环
50：扩展切断用夹具
D：粘合剂层末端与粘附剂层末端的间隔
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行详细说明。
(芯片接合切割片材)
本发明的第1方式涉及贴附在通过切割工序切断的半导体元件搭载用支撑部件上使用的芯片接合切割片材。此处，所述半导体元件搭载用支撑部件意指构成搭载半导体元件的基板的部件，是由制造半导体元件时能够进行单片化的材料构成的部件。作为一个实施方式，举例有作为半导体晶片而为人所知的硅制半导体元件用基板、或由其他的半导体材料构成的半导体元件用基板。
图5是显示本发明的芯片接合切割片材的一个实施方式的图。如图5所示，本发明的芯片接合切割片材，具有剥离性的第1基材10、设置于所述第1基材10的一侧表面之上的粘合剂层12、覆盖所述粘合剂层12的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层12重合的周缘部13a的粘附剂层13、设置于所述粘附剂层13的上表面的第2基材14。
图6是用于说明本发明的芯片接合切割片材的结构的图。图6是表示剥离图5所示的本发明的芯片接合切割片材的所述第1基材10后，贴附于半导体元件搭载用支撑部件(半导体晶片)上的状态。如图6(b)所具体显示，本发明的芯片接合切割片材中，具有如下特征，所述粘合剂层12的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件30的平面外形，并且，所述粘合剂层12的端部与所述支撑部件30的端部之间的间隔D为1mm以上、12mm以下。
此处，从易于防止扩展时的粘合剂层的飞散的角度出发，所述间隔D优选为12mm以下，更优选为10mm以下，进一步优选为8mm以下。另一方面，从半导体晶片和所述片材在贴合工序中的位置偏差、及装置精度的角度出发，作为所述间隔D，必须为至少1mm。此外，从制作接合切割胶带时，有必要使粘合剂层的位置与粘附剂层以及第2基材的位置重合的角度考虑，所述间隔D优选为2mm以上，更优选为3mm以上。如上所述，同时考虑制造面和装置精度的话，作为一个实施方式，所述间隔D优选为1～12mm，更优选为2～10mm的范围，进一步优选为3～8mm的范围。
作为一个实施方式，所述的芯片接合切割片材的所述第1基材具有长条形状，在所述长条形状的第1基材的上表面上，配置有多个岛状的积层体，该积层体包含所述粘合剂层、所述粘附剂层、所述第2基材，并且，所述芯片接合切割片材具有以所述第1基材的上表面作为内侧沿长轴方向卷取为卷状的形状。
本发明的芯片接合切割片材具有所述规定的形状即可，可以使用本技术领域公知的材料构成。虽无特别限定，但各层的构成例可为如下所述。
(第1基材)
剥离性的第1基材可以使用本技术领域中公知的作为保护薄膜的物质。例如，一个实施方式中，优选使用塑料薄膜。作为塑料薄膜的具体例，举例有聚对苯二甲酸乙二酯薄膜等聚酯系薄膜，聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚乙酸乙烯酯薄膜等聚烯系薄膜，聚氯乙烯薄膜，聚亚酰胺薄膜等。作为其他实施方式，也可以使用纸、无纺布、金属箔等。所述第1基材的是以保护片材为目的的材料，使用时被剥离，因此优选对基材的剥离面采用硅氧烷系剥离剂、氟系剥离剂、长链丙烯酸烷基酯系剥离剂等脱模剂进行预先处理。此外，第1基材的厚度，在不损害操作性的范围内可以进行适当选择。通常为1000μm以下的厚度。作为一个实施方式，第1基材的厚度优选为1～100μm，更优选为2～20μm。进一步优选为3～10μm。
(粘合剂层)
粘合剂层可以使用用于半导体芯片的粘合(接合)中的各种公知粘合剂构成。粘合剂优选可在切割时固定半导体晶片，在切断晶片后作为芯片接合材料发挥作用，可容易地使半导体芯片接合在芯片搭载用基板上的物质。从该角度出发，优选调整粘合剂，使粘合剂层和粘附剂层的界面中的UV照射前的剥离强度在适当的范围内。例如，可以使用从由热固化性粘合剂、光固化性粘合剂、热塑性粘合剂及氧反应性粘合剂形成的组中选择的至少一种。虽然没有特别限定，但可以使用含有环氧树脂、苯酚固化剂、丙烯酸树脂、以及无机填料的粘合剂。在上述粘合剂的一个实施方式中，优选各成分的比例以重量计，依次为10：5：5：8。
粘合剂层可依照涂布法等公知的方法，通过在所述第1基材之上使用粘合剂而形成。粘合剂层的厚度并无特别限定，但通常优选为1～200μm的范围。通过使粘合层的厚度为1μm以上，易于确保充分的芯片接合的粘合力。另一方面，使其厚度超过200μm时，没有性能上的优点，是不经济的。基于该角度，作为一个实施方式，所述厚度优选为3～150μm，进一步优选为10～100μm。
(粘附剂层)
粘附剂层没有特别限定，可以使用本技术领域公知的粘附剂而构成。切割时可介由粘合剂层固定半导体晶片和第2基材，优选适当调整粘附剂的构成成分，使其在拾取切断晶片后得到的半导体芯片时，易于与粘合剂层发生剥离。例如，作为粘附剂，可以使用从由具有二醇基化合物、异氰酸酯化合物、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯化合物、二胺化合物、尿素甲基丙烯酸酯化合物以及侧链上具有乙烯性不饱和基团的高能量射线聚合性共聚物形成的组中选择的至少一种。粘附剂优选由粘附性不易随着温度或湿度、保管时间、氧的有无等保管环境发生变化的成分构成，更优选粘附性不随保管环境发生变化的物质。
此外，粘附剂也可以含有通过紫外线或放射线等高能量射线或热进行固化的成分。在这样的成分之中，优选通过高能量射线进行固化的成分，特别优选为通过紫外线进行固化的成分。粘附剂在含有通过紫外线或放射线等高能量射线或热进行固化的成分时，可以通过固化处理使粘附剂的粘附力降低。
(第2基材)
第2基材可以是本技术领域中用于切割片材的公知的基材。作为所述基材，没有特别限定，可以使用之前作为第1基材例示的各种塑料薄膜。所述基材可以是单层结构，也是积层多层薄膜的多层结构。即，一个实施方式中，所述基材优选使用选自聚对苯二甲酸乙二酯薄膜等聚酯系薄膜，聚四氟乙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚乙酸乙烯酯薄膜等聚烯系薄膜，聚氯乙烯薄膜，及聚酰亚胺薄膜形成的组中的至少1种构成。切割片材基材优选在扩展时显示优异的拉伸性。从该角度出发，一种实施方式中优选使用聚烯系薄膜。另外，切割片材基材的厚度通常为10～500μm，优选为50～200μm的范围。
所述芯片接合切割片材可以通过本技术领域公知的方法制造。所述芯片接合切割片材，例如，可在第1或第2基材之上，通过涂布法依次形成粘合剂层及粘附剂层而制造。作为其他方法，也可以通过使在第1基材之上形成的粘合层与在第2基材之上形成的粘附剂层相互贴合而制造。
本发明的第2方式涉及使用本发明的芯片接合切割片材的半导体装置的制造方法。所述制造方法包括，在半导体晶片的背面贴附所述芯片接合切割片材的粘合剂层的工序，将所述半导体晶片和所述芯片接合切割片材的粘合剂层同时进行单片化的切断工序，拾取单片化的附有粘合剂层的半导体晶片(芯片)、将其固定于引线框架上的工序，引线接合工序和封装工序。所述切断工序中，可以使用本技术领域公知的分断方法，但优选通过扩展进行的切断方法。特别地，优选使用基于依照隐形切割法实施的扩展的方法。
本发明优选的一个实施方式涉及半导体装置的制造方法，其包括通过依照隐形切割法实施的扩展进行的切断工序，在所述分断工序中使用作为本发明的第1方式的芯片接合切割片材。依照这样的实施方式，可以抑制扩展时的DAF飞散，因此可以以较高的成品率获得半导体芯片，也可以良好地实施半导体芯片的拾取操作。由此，可以高效率地实施半导体装置的制造。
所述制造方法的一个实施方式中，优选切断工序具有，
(i)工序：在所述半导体元件搭载用支撑部件上照射激光，形成改质层，
(ii)工序：是将所述半导体元件搭载用支撑部件与依次含有剥离性的第1基材、粘合剂层、粘附剂层和第2基材的芯片接合切割片材贴合的工序，通过剥离所述芯片接合切割片材的所述第1基材，使所述粘合剂层露出，接着，使所述粘合剂层与所述半导体元件搭载用支撑部件贴合，然后
(iii)工序：通过扩展所述芯片接合切割片材的所述第2基材与所述粘附剂层，同时切断所述半导体元件搭载用支撑部件与所述粘合剂层，获得单片化的附有粘合剂层的所述半导体元件搭载用支撑部件。
此处，所述工序(iii)优选在扩展时所述第2基材及所述粘附剂层不被切断的条件下实施。通常，切割片材具有切割片材基材和其上设置的粘附剂层。工序(iii)中，通过扩展施加外力，拉伸切割片材(第2基材及粘附剂层)。从易于同时切断半导体晶片和粘合剂层的角度，优选所述切割片材的拉伸量较大。另一方面，拉伸量过分增大的话，切割片材本身容易发生断裂。虽没有特别限定，但作为切割片材基材，使用含有离聚物树脂的厚度为100μm的切割片材基材的情况下，优选在-15℃～10℃的温度、10mm/秒的扩展速度以及10～15mm的扩展量的条件下，实施扩展。扩展可以使用本技术领域公知的扩展夹具进行实施。
依据本发明的半导体装置的制造方法，在所述切断工序之外，根据需要，也可根据(iv)粘附剂层的特性，具有照射紫外线等活性能量的工序。在所述粘附剂层包含通过活性能量的照射而固化的成分时，通过固化所述粘附剂层，可以降低所述粘合剂层和所述粘附剂层之间的粘合力。
本发明的制造方法的一个实施方式包含使用所述切断工序中得到的半导体芯片，制造半导体装置的其他的工序。具体地，在包括所述(i)～(iv)的切断工序之后，可以通过实施(v)将各个半导体芯片以附有粘合剂层的状态，从粘附剂层上剥离以及拾取，接着，将该附有粘合剂层的半导体芯片放置在引线框架等的支撑部件之上，进行加热及粘合的工序，(vi)引线接合工序，(vii)使用封装材料封装所述半导体芯片的工序，制造半导体装置。
实施例
以下基于实施例以及比较例，更具体地说明本发明，但本发明并不被下述实施例限定。
(实施例1)
准备厚度100μm、直径300mm的半导体晶片。通过向所述半导体晶片照射激光，形成10mm×10mm的格状的改质部。此外，准备在剥离性的第1基材之上，具有厚度60μm的粘合剂层、厚度20μm的粘附剂层及厚度150μm的第2基材的直径305mm的芯片接合切割片材。调节此时的粘合剂与保护薄膜之上的粘附剂层的界面中的UV照射前的剥离强度，使其在90°剥离试验方法中为1.3N/25mm。
更为具体地，作为所述第1基材，使用PET薄膜。所述粘合剂层使用以重量比10：5：5：8的比例混合环氧树脂、苯酚固化剂、丙烯酸树脂、以及无机填料而得到的热固性材料形成。上述粘附剂层使用含有UV反应性成分的丙烯酸树脂形成。作为所述第2基材，使用离聚物树脂制薄膜。上述剥离强度，例如，可以通过改变UV反应性成分的使用量进行调节。
剥离所述芯片接合切割片材的第1基材，使粘合剂层露出。对于所述晶片，在12mm/秒、70℃的条件下，贴附所述芯片接合切割片材的粘合剂层面。接着，将所述附有片材的晶片在-15℃的条件下，以100mm/秒的速度进行扩展，上推切割胶带至上方12mm，从而进行晶片的切断。
在进行扩展切断、将上推夹具返回至上推之前的位置的时间点，对于晶片周边的粘合剂层的剥离，及在晶片上表面的粘合剂层的附着，按照以下的标准进行评价。结果表示于表1中。表中的“A”、“B”和“C”的个数，与所评价的晶片的枚数相对应。
(评价标准)
A：粘合剂层未从粘附剂层上剥离。并且，粘合剂层没有载于晶片上表面。
B：部分粘合剂层从粘附剂层上剥离。但是，剥离的粘合剂层未到达晶片上表面。
C：粘合剂层从粘附剂层上剥离。并且，剥离的粘合剂层到达晶片的上表面(飞散及附着有)。
(实施例2)
除将芯片接合切割片材中的粘合剂层的外部尺寸变更为直径312mm之外，全部与实施例1同样地制作芯片接合切割片材。接着，使用得到的芯片接合切割片材，与实施例1同样地进行晶片的切断，进行各评价。结果表示于表1中。
(比较例1)
除将芯片接合切割片材中的粘合剂层的外部尺寸变更为直径320mm之外，全部与实施例1同样地制作芯片接合切割片材。接着，使用得到的芯片接合切割片材，与实施例1同样地进行晶片的切断，进行各评价。结果表示于表1中。
(实施例3)
除将芯片接合切割片材中的粘合剂层的外部尺寸变更为直径308mm之外，全部与实施例1同样地制作芯片接合切割片材。接着，使用得到的芯片接合切割片材，与实施例1同样地进行晶片的切断，进行各评价。结果表示于表1中。
(实施例4)
除将芯片接合切割片材中的粘合剂层的外部尺寸变更为直径303mm之外，全部与实施例1同样地制作芯片接合切割片材。接着，使用得到的芯片接合切割片材，与实施例1同样地进行晶片的切断，进行各评价。结果表示于表1中。
[表1]
粘合剂层直径 评价结果
实施例1 305mm AABAAB
实施例2 312mm BBBBBB
实施例3 308mm ABABAB
实施例4 303mm AAAAAA
比较例1 320mm CCCCCC

Claims (6)

1.一种芯片接合切割片材，贴附在半导体元件搭载用支撑部件上使用，其具有：剥离性的第1基材、
设置于所述第1基材的一侧表面之上的粘合剂层、
覆盖所述粘合剂层的整个上表面并且具有不与所述粘合剂层重合的周缘部的粘附剂层、以及
设置于所述粘附剂层的上表面的第2基材，
所述粘合剂层的平面外形大于所述半导体元件搭载用支撑部件的平面外形，并且，所述粘合剂层的端部与所述支撑部件的端部之间的间隔为1mm以上、12mm以下。
2.根据权利要求1所述的芯片接合切割片材，其中，所述半导体元件搭载用支撑部件为半导体晶片。
3.根据权利要求1或2所述的芯片接合切割片材，其中，所述第1基材具有长条形状，在所述长条形状的第1基材的上表面上，配置有多个岛状的积层体，该积层体包含所述粘合剂层、所述粘附剂层、所述第2基材，并且，所述芯片接合切割片材以所述第1基材的上表面作为内侧沿长轴方向卷取为卷状而成。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的芯片接合切割片材，其中，所述第2基材为在通过依隐形切割法实施的扩展进行切断时不发生断裂的切割片材基材。
5.一种制造方法，使用根据权利要求1～4中任意一项所述的芯片接合切割片材作为芯片接合切割片材，其为包含通过依隐形切割法实施的扩展进行的切断工序的半导体装置的制造方法，所述切断工序包括：
(i)工序：在所述半导体元件搭载用支撑部件上照射激光，形成改质层，
(ii)工序：是将所述半导体元件搭载用支撑部件与依次含有剥离性的第1基材、粘合剂层、粘附剂层和第2基材的芯片接合切割片材贴合的工序，通过剥离所述芯片接合切割片材的所述第1基材使所述粘合剂层露出，接着将所述粘合剂层与所述半导体元件搭载用支撑部件贴合，然后
(iii)工序：通过扩展所述芯片接合切割片材的所述第2基材与所述粘附剂层，同时切断所述半导体元件搭载用支撑部件与所述粘合剂层，获得单片的附有粘合剂层的所述半导体元件搭载用支撑部件。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述工序(iii)在所述第2基材及所述粘附剂层不被切断的扩展条件下实施。
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