WO2017082212A1 - マスク一体型表面保護テープ - Google Patents

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WO2017082212A1
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adhesive layer
pressure
sensitive adhesive
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啓時 横井
具朗 内山
祥文 岡
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古河電気工業株式会社
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    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Definitions

  • the present invention relates to a mask-integrated surface protection tape.
  • These semiconductor chips are obtained by thinning a semiconductor wafer into a predetermined thickness in a back grinding process, an etching process, etc., and then dividing it into individual chips through a dicing process.
  • a blade dicing method in which cutting is performed by a dicing blade has been used.
  • cutting resistance by the blade is directly applied to the semiconductor wafer during cutting. Therefore, the chipping may occur in the semiconductor chip due to this cutting resistance.
  • the occurrence of chipping not only impairs the appearance of the semiconductor chip, but in some cases may cause chip damage during pick-up due to insufficient bending strength, possibly leading to damage to the circuit pattern on the chip.
  • the width of the kerf also referred to as a scribe line or street
  • the width of the kerf cannot be made narrower than the blade width having a large thickness.
  • the number (yield) of chips that can be taken from one wafer is reduced.
  • the wafer processing time is also a problem.
  • the blade dicing method various methods are used for the dicing process. For example, considering the difficulty of dicing after thinning the wafer, grooves are first formed in the wafer by a predetermined thickness, and then grinding is performed to reduce the thickness and divide into chips. There is a DBG (first dicing) method that is performed simultaneously. According to this method, the kerf width is about the same as the blade dicing method. However, since the bending strength of the chip is improved, there is an advantage that the breakage of the chip can be suppressed.
  • DBG first dicing
  • the laser dicing method there is also a laser dicing method in which dicing is performed with a laser.
  • the laser dicing method there is an advantage that the kerf width can be narrowed and dicing can be performed by a dry process.
  • the wafer surface is soiled by sublimated material at the time of cutting with a laser, and pretreatment for protecting the wafer surface with a predetermined liquid protective material may be required.
  • a dry process has not been realized yet.
  • the laser dicing method can increase the processing speed as compared with the blade dicing method. However, there is no change in processing one line at a time, and it takes time to manufacture a very small chip.
  • a stealth dicing method in which a modified layer is formed with a laser in the thickness direction of the wafer, expanded, divided, and separated into individual pieces.
  • This method has the merits that the kerf width can be made zero and processing can be performed dry.
  • the chip bending strength tends to decrease due to the thermal history when the modified layer is formed, and silicon debris may be generated when expanding and dividing. Furthermore, collisions with adjacent chips can cause insufficient bending strength.
  • a modified layer is formed by a predetermined thickness before thinning, and then grinding is performed from the back side to reduce the thickness and divide into chips.
  • the plasma dicing method is a method of dividing a semiconductor wafer by selectively etching a portion not covered with a mask with plasma.
  • the chip can be selectively divided, and even if the scribe line is bent, it can be divided without any problem.
  • the etching rate of a semiconductor wafer is very high, it has been regarded as one of the most suitable processes for chip cutting in recent years.
  • a fluorine-based gas having a very high reactivity with a wafer such as sulfur hexafluoride (SF 6 ) or carbon tetrafluoride (CF 4 ), is used as a plasma generating gas. From the rate, it is essential to protect the non-etched surface with a mask, and a mask must be formed in advance.
  • SF 6 sulfur hexafluoride
  • CF 4 carbon tetrafluoride
  • Patent Document 1 For this mask formation, as described in Patent Document 1, a technique is generally used in which a resist is applied to the surface of a wafer and then a portion corresponding to the street is removed by a photolithography process to form a mask. . Therefore, in order to perform the plasma dicing, a photolithographic process facility other than the plasma dicing facility is necessary, and there is a problem that the chip cost increases. In addition, since the mask (resist film) remains after plasma etching, it is necessary to use a large amount of solvent for removing the mask, and the mask may not be completely removed, resulting in defective chips. It was. Furthermore, since the resist masking process is performed, there is a disadvantage that the entire processing process becomes long.
  • the present invention relates to a mask-integrated surface protection tape that does not require mask formation by a photolithography process in the manufacture of a semiconductor chip using a plasma dicing method, and is bonded to a pattern surface of a semiconductor wafer.
  • the pattern surface can be effectively protected by being closely adhered to the pattern surface, and the releasability between the mask material layer and the adhesive layer after the thin film forming step is also provided.
  • a mask-integrated surface protective tape used for manufacturing a semiconductor chip including the following steps (a) to (d), wherein the mask-integrated surface protective tape is provided on a base film and the base film
  • a mask-integrated type comprising a pressure-sensitive adhesive layer and a mask material layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer, and each of the mask material layer and the pressure-sensitive adhesive layer contains a (meth) acrylic copolymer
  • Surface protection tape (A) With the mask-integrated surface protection tape bonded to the pattern surface side of the semiconductor wafer, the back surface of the semiconductor wafer is ground, and the wafer fixing tape is bonded to the back surface of the ground semiconductor wafer and supported by a ring frame.
  • the mask material layer corresponds to the street of the semiconductor wafer.
  • a process of opening a street of a semiconductor wafer by cutting a portion with a laser (C) a plasma dicing process in which a semiconductor wafer is divided at the streets by SF 6 plasma and separated into semiconductor chips; and (D) An ashing step of removing the mask material layer with O 2 plasma.
  • the pressure-sensitive adhesive is irradiated with ultraviolet rays. Curing the layer, Before the curing by ultraviolet irradiation, the adhesion between the mask material layer and the pattern surface of the semiconductor wafer and the adhesion between the mask material layer and the adhesive layer are both 0.2 N / 25 mm or more. Yes, The mask integrated type according to [2], wherein after the curing by ultraviolet irradiation, the adhesion between the mask material layer and the pressure-sensitive adhesive layer is lower than the adhesion between the mask material layer and the pattern surface of the semiconductor wafer. Surface protection tape.
  • the difference between the glass transition temperature of the (meth) acrylic copolymer forming the pressure-sensitive adhesive layer and the glass transition temperature of the (meth) acrylic copolymer forming the mask material layer is 10 ° C. or more.
  • a curing agent is used for the mask material layer and the pressure-sensitive adhesive layer, and the curing agent used for the mask material layer is different from the type of the curing agent used for the pressure-sensitive adhesive layer, [1] to [7] The mask-integrated surface protection tape according to any one of [7].
  • a base film, a pressure-sensitive adhesive layer provided on the base film, and a mask material layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer, both of the mask material layer and the pressure-sensitive adhesive layer metal
  • a mask-integrated surface protective tape comprising an acrylic copolymer and a curing agent, wherein the type of curing agent contained in the pressure-sensitive adhesive layer and that of the masking agent layer are different.
  • the mask-integrated surface protection tape of the present invention is a surface protection tape that does not require mask formation by a photolithography process in the manufacture of a semiconductor chip using a plasma dicing method.
  • the mask-integrated surface protective tape of the present invention can be effectively adhered to the pattern surface in the wafer thinning process by being bonded to the pattern surface of the semiconductor wafer, thereby effectively protecting the pattern surface.
  • the mask-integrated surface protective tape of the present invention has good releasability between the mask material layer and the pressure-sensitive adhesive layer after the thinning step, whereby the mask material layer can be easily exposed on the wafer surface, With SF 6 plasma, the wafer can be diced more accurately and accurately.
  • the mask material layer exposed on the wafer surface can be more reliably removed by O 2 plasma.
  • O 2 plasma As a result, it is possible to highly suppress the occurrence of defective chips by processing a semiconductor wafer using the mask-integrated surface protective tape of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating steps up to bonding of a surface protective tape to a semiconductor wafer in the first embodiment using the mask-integrated surface protective tape of the present invention.
  • 1A shows a semiconductor wafer
  • FIG. 1B shows a state where a mask-integrated surface protection tape is bonded to the semiconductor wafer
  • FIG. 1C shows a mask-integrated type. The semiconductor wafer which bonded the surface protection tape is shown.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining steps up to thinning and fixing of a semiconductor wafer in the first embodiment using the mask-integrated surface protection tape of the present invention.
  • FIG. 2A shows a semiconductor wafer thinning process
  • FIG. 2B shows a state in which a wafer fixing tape is bonded to the thinned semiconductor wafer.
  • FIG. ) Shows a state in which the semiconductor wafer is fixed to the ring frame.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating steps up to mask formation in the first embodiment using the mask-integrated surface protection tape of the present invention.
  • FIG. 3A shows a state in which the surface protection tape is peeled off from the mask-integrated surface protection tape while leaving the mask material layer
  • FIG. 3B is a mask material of the mask-integrated surface protection tape.
  • FIG. 3C shows a process of cutting a mask material layer corresponding to a street portion with a laser.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating plasma dicing and plasma ashing steps in the first embodiment using the mask-integrated surface protection tape of the present invention.
  • 4A shows a state where plasma dicing is performed
  • FIG. 4B shows a state where the chip is singulated
  • FIG. 4C shows a state where plasma ashing is performed.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating steps up to picking up a chip in the first embodiment using the mask-integrated surface protection tape of the present invention.
  • 5A shows a state where the mask material layer is removed
  • FIG. 5B shows a state where the chip is picked up.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a state before and after performing an ultraviolet irradiation process in the second embodiment using the mask-integrated surface protective tape of the present invention.
  • 6A shows a state in which the front and back surfaces of a semiconductor wafer are covered and fixed by a mask-integrated surface protection tape and a wafer fixing tape, respectively
  • FIG. 6B shows a state in which ultraviolet rays are irradiated.
  • FIG. 6C shows a state where the surface protective tape is peeled off from the mask-integrated surface protective tape while leaving the mask material layer.
  • the mask-integrated surface protective tape of the present invention is used in a method of obtaining a semiconductor chip by dividing and individualizing a semiconductor wafer by plasma dicing. As described below, by using the mask-integrated surface protective tape of the present invention, a photolithography process prior to the plasma dicing process is not required, and the manufacturing cost of a semiconductor chip or a semiconductor product can be significantly reduced.
  • the mask-integrated surface protective tape of the present invention has a base film, an adhesive layer provided on the base film, and a mask material layer provided on the adhesive layer, and the mask material Both the layer and the pressure-sensitive adhesive layer contain a (meth) acrylic copolymer.
  • the mask-integrated surface protective tape of the present invention is used for semiconductor processing. More specifically, the mask-integrated surface protective tape of the present invention is used by being bonded to the pattern surface in order to protect the pattern surface (front surface) when grinding the back surface of the semiconductor wafer.
  • the mask-integrated surface protective tape of the present invention is preferably used for plasma dicing.
  • the mask-integrated surface protection tape of the present invention is more preferably used for the production of a semiconductor chip including at least the following steps (a) to (d).
  • a process of supporting and fixing with a frame (B) The base film and the pressure-sensitive adhesive layer are integrally peeled off from the mask-integrated surface protective tape (that is, the surface protective tape is peeled off from the mask-integrated surface protective tape) to expose the mask material layer on the surface.
  • the method for manufacturing a semiconductor chip to which the mask-integrated surface protection tape of the present invention is applied preferably includes the following step (e) after the step (d). Moreover, when the following process (e) is included, it is preferable that the following process (f) is further included after the said process (e).
  • Step of picking up semiconductor chip from wafer fixing tape (f) Step of transferring picked-up semiconductor chip to die bonding step
  • the mask-integrated surface protective tape of the present invention has a base film, an adhesive layer provided on the base film, and a mask material layer provided on the adhesive layer as described above.
  • the laminated body which consists of a base film and the adhesive layer provided on this base film may be called "surface protection tape.” That is, the mask-integrated surface protective tape of the present invention is a tape having a laminated structure in which a mask material layer is further provided on the adhesive layer of the surface protective tape.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is preferably radiation-curable (that is, has a property of being cured by radiation irradiation), and only the pressure-sensitive adhesive layer is radiation-curable. More preferred.
  • the mask material layer is preferably pressure-sensitive (non-radiation curable).
  • the pressure-sensitive adhesive layer is radiation curable, in the step (b), before the mask material layer is exposed to the surface by peeling off the base film and the pressure-sensitive adhesive layer integrally from the mask-integrated surface protective tape.
  • a preferred embodiment of a semiconductor chip manufacturing method using the mask-integrated surface protective tape of the present invention (hereinafter simply referred to as “manufacturing method to which the present invention is applied”) will be described below with reference to the drawings.
  • the present invention is not limited to the following embodiment except that it is defined by the present invention.
  • the form shown in each drawing is a schematic diagram for facilitating the understanding of the present invention, and the size, thickness, or relative size relationship of each member may be changed for convenience of explanation. Yes, it does not show the actual relationship as it is.
  • it is not limited to the external shape and shape shown by these drawings except the matter prescribed
  • Preferred embodiments of the manufacturing method to which the present invention is applied can be classified into the following first and second embodiments.
  • the apparatus, material, etc. which are conventionally used for the processing of a semiconductor wafer can be used for the apparatus, material, etc. which are used for the following embodiment,
  • the use conditions are also normal. It can be appropriately set and optimized according to the purpose within the range of the method of use.
  • duplicate descriptions of materials, structures, methods, effects, and the like common to the embodiments are omitted.
  • the semiconductor wafer 1 has a pattern surface 2 on which a circuit of a semiconductor element and the like are formed on the surface S (see FIG. 1A).
  • the mask-integrated surface protective tape 3 of the present invention in which a mask material layer 3b is further provided on the adhesive layer 3ab of the surface protective tape 3a provided with the adhesive layer 3ab on the base film 3aa. Is bonded (see FIG. 1B) to obtain a semiconductor wafer 1 in which the pattern surface 2 is covered with the mask-integrated surface protection tape 3 of the present invention (see FIG. 1C).
  • the back surface B of the semiconductor wafer 1 is ground by the wafer grinding apparatus M1 to reduce the thickness of the semiconductor wafer 1 (see FIG. 2A).
  • a wafer fixing tape 4 is bonded to the ground back surface B (see FIG. 2B) and supported and fixed to the ring frame F (see FIG. 2C).
  • the surface protective tape 3a of the mask-integrated surface protective tape 3 is peeled off from the semiconductor wafer 1 and the mask material layer 3b is left on the semiconductor wafer 1 (see FIG. 3A) to expose the mask material layer 3b (see FIG. 3A). (Refer FIG.3 (b)). Then, a CO 2 laser L is irradiated to a plurality of streets (not shown) appropriately formed in a lattice shape or the like on the pattern surface 2 from the surface S side, and a portion corresponding to the streets of the mask material layer 3b is applied. The semiconductor wafer is removed and a street of the semiconductor wafer is opened (see FIG. 3C).
  • the semiconductor wafer 1 exposed at the street portion is etched from the surface S side by the SF 6 gas plasma P1 (see FIG. 4A), and divided into individual chips 7 to be separated into individual pieces. (See FIG. 4B).
  • ashing is performed with plasma P2 of O 2 gas (see FIG. 4C), and the mask material layer 3b remaining on the surface S is removed (see FIG. 5A).
  • the separated chip 7 is pushed up by the pin M2 and sucked by the collet M3 to be picked up (see FIG. 5B).
  • the Si etching process of the semiconductor wafer using SF 6 gas is also referred to as a BOSCH process, and the exposed Si reacts with F atoms generated by converting SF 6 into plasma to produce silicon tetrafluoride (SiF 4 ) And is also called reactive ion etching (RIE).
  • RIE reactive ion etching
  • the removal by O 2 plasma is also used as a plasma cleaner in the semiconductor manufacturing process and is called ashing (ashing), and is one of the methods for removing organic matter. This is performed in order to clean the organic residue remaining on the surface of the semiconductor device.
  • the materials used in the above method will be described.
  • the material demonstrated below is a material applicable to all the mask integrated surface protection tapes of this invention, and is not a material applied only when using a mask integrated surface protection tape for the said method.
  • the semiconductor wafer 1 is a silicon wafer or the like having a pattern surface 2 on which a semiconductor element circuit or the like is formed on one side.
  • the pattern surface 2 is a surface on which a semiconductor element circuit or the like is formed, and is a street in plan view.
  • the mask-integrated surface protective tape 3 of the present invention has a configuration in which an adhesive layer 3ab is provided on a base film 3aa, and a mask material layer 3b is provided on the adhesive layer 3ab. It has a function of protecting the formed semiconductor element. That is, in the wafer thinning process (back surface grinding process) in the subsequent process, the semiconductor wafer 1 is supported by the pattern surface 2 and the back surface of the wafer is ground, so that the mask-integrated surface protection tape 3 can withstand this grinding load. There is a need. Therefore, the mask-integrated surface protection tape 3 is different from a mere resist film and the like, has a thickness sufficient to cover the elements formed on the pattern surface, has a low pressing resistance, and is free from dust and grinding water during grinding. In order to prevent the intrusion of the element, the adhesion is high enough to allow the elements to be in close contact with each other.
  • the base film 3aa is made of plastic, rubber or the like, for example, polyolefin resin such as polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene.
  • ⁇ -olefins such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer, or mixtures thereof, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, poly Etherimide, polyimide, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyurethane, styrene-ethylene-butene- or pentene copolymer, etc., or a mixture of two or more, and other resins Filler, a resin composition additives is blended can be mentioned as the material can be arbitrarily selected depending on the required characteristics.
  • ⁇ -olefins such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer, or mixtures thereof, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, poly Etherimide, polyimide, polycarbonate, poly
  • the base film 3aa preferably has a layer made of a polyolefin resin (also referred to as a polyolefin resin layer).
  • the base film 3aa may be a single layer made of a polyolefin resin layer, or may have a multilayer structure of two or more layers made of a polyolefin resin layer and another resin layer.
  • a laminate of low-density polyethylene and ethylene-vinyl acetate copolymer, a laminate of polypropylene and polyethylene terephthalate, polyethylene terephthalate, and polyethylene naphthalate are one of suitable materials.
  • These base film 3aa can be manufactured using a general extrusion method.
  • the base film 3aa is obtained by laminating various resins, it is manufactured by a coextrusion method, a lamination method, or the like.
  • an adhesive layer may be provided between the resins, as is usually done in the ordinary laminate film manufacturing method.
  • the thickness of such a base film 3aa is preferably 20 to 200 ⁇ m from the viewpoint of strong elongation characteristics and radiation transparency.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3ab together with the mask material layer 3b, absorbs the unevenness of the elements formed on the pattern surface, increases the adhesion with the pattern surface, and plays a role of protecting the pattern surface.
  • the adhesive layer 3ab has high adhesion to the mask material layer 3b or the base film 3aa in the wafer thinning process. preferable.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3ab is integrated with the base film 3aa and peeled off from the mask material layer 3b. Therefore, the adhesiveness with the mask material layer is preferably low (peeling). It is preferable that the property is high).
  • the resin constituting the pressure-sensitive adhesive layer is three-dimensionally reticulated by radiation irradiation, resulting in a decrease in adhesive force.
  • the strong adhesiveness with the mask material layer is released, and the pressure-sensitive adhesive layer can be easily peeled from the mask material layer (this specific embodiment will be described later).
  • radiation is used to mean both light rays such as ultraviolet rays and ionizing radiations such as electron beams.
  • the radiation used in the present invention is preferably ultraviolet rays.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3ab contains a (meth) acrylic copolymer.
  • the phrase that the pressure-sensitive adhesive layer 3ab contains a (meth) acrylic copolymer means that the (meth) acrylic copolymer is present in a state of reacting with a curing agent described later.
  • the (meth) acrylic copolymer includes, for example, a copolymer having a (meth) acrylic acid ester as a constituent component, or a mixture of these copolymers.
  • the weight average molecular weight of these polymers is usually about 300,000 to 1,000,000.
  • the proportion of the (meth) acrylic acid ester component is preferably 70 mol% or more, more preferably 80 mol% or more, and further preferably 90 mol% or more.
  • the proportion of the (meth) acrylic acid ester component is not 100 mol% in the total monomer components of the (meth) acrylic copolymer, the remaining monomer component is polymerized using a (meth) acryloyl group as a polymerizable group It is preferable that it is a monomer component (components derived from (meth) acrylic acid, etc.) present in
  • the proportion of the (meth) acrylic acid ester component having a functional group for example, a hydroxy group
  • the proportion of the (meth) acrylic acid ester component is preferably 35 mol% or less, and more preferably 25 mol% or less.
  • the (meth) acrylic acid ester component is preferably a (meth) acrylic acid alkyl ester (also referred to as an alkyl (meth) acrylate).
  • the number of carbon atoms in the alkyl group constituting the (meth) acrylic acid alkyl ester is preferably 1-20, more preferably 1-15, and still more preferably 1-12.
  • the content of the (meth) acrylic copolymer in the pressure-sensitive adhesive layer 3ab is preferably 80% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, and 95 to 95%. 99.9 mass% is further more preferable.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3ab is composed of a radiation-curable pressure-sensitive adhesive
  • a pressure-sensitive adhesive containing an acrylic pressure-sensitive adhesive and a radiation polymerizable compound can be suitably used.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive is a (meth) acrylic copolymer or a mixture of a (meth) acrylic copolymer and a curing agent.
  • the curing agent is used for adjusting the adhesive force and cohesive force by reacting with the functional group of the (meth) acrylic copolymer.
  • the functional group of the (meth) acrylic copolymer For example, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) toluene, 1,3-bis (N, N-diglycidylaminomethyl) ) Epoxy compounds having two or more epoxy groups in the molecule such as benzene, N, N, N ′, N′-tetraglycidyl-m-xylenediamine, ethylene glycol diglycidyl ether, terephthalic acid diglycidyl ester acrylate, etc.
  • isocyanate compounds having two or more isocyanate groups in the molecule such as adduct type (hereinafter, also referred to as “isocyanate curing agent”), tetramethylol-tri- ⁇ -aziridinyl propionate, Trimethylol-tri- ⁇ -aziridinylpropionate, trimethylolpropane-tri- ⁇ -aziridinylpropionate, trimethylolpropane-tri- ⁇ - (2-methylaziridine) propionate, Tris-2,4 , 6- (1-aziridinyl) -1,3,5-triazine, tris [1- (2-
  • the addition amount of the curing agent may be adjusted according to the desired adhesive strength, and is suitably 0.1 to 5.0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic copolymer.
  • the curing agent is in a state of reacting with the (meth) acrylic copolymer.
  • the radiation polymerizable compound low molecular weight compounds having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule, which can be three-dimensionally reticulated by irradiation with radiation, are widely used.
  • Urethane acrylate oligomers include polyester compounds or polyether compounds such as polyol compounds and polyisocyanate compounds (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene).
  • an acrylate or methacrylate having a hydroxy group for example, 2-hydroxy Ethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.
  • the blending ratio of the acrylic pressure-sensitive adhesive and the radiation-polymerizable compound in the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is 50 to 200 parts by weight, preferably 50 to 150 parts by weight of the radiation-polymerizable compound with respect to 100 parts by weight of the acrylic pressure-sensitive adhesive. It is desirable to blend in the range of parts. When the blending ratio is in this range, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer can be greatly reduced after irradiation.
  • the radiation-polymerizable (meth) acrylic copolymer in which the (meth) acrylic copolymer itself is radiation-polymerizable as the radiation-curable pressure-sensitive adhesive used for the pressure-sensitive adhesive layer 3ab.
  • the radiation curable pressure-sensitive adhesive may contain a curing agent.
  • the radiation-polymerizable (meth) acrylic copolymer is a copolymer having a reactive group capable of undergoing a polymerization reaction upon irradiation with radiation, particularly ultraviolet rays, in the copolymer molecule.
  • an ethylenically unsaturated group that is, a group having a carbon-carbon double bond (ethylenically unsaturated bond) is preferable.
  • groups include vinyl groups, allyl groups, styryl groups, (meth) acryloyloxy groups, (meth) acryloylamino groups, and the like.
  • the (meth) acrylic copolymer preferably has an ethylenically unsaturated bond in the side chain.
  • the ethylenically unsaturated bond content of the (meth) acrylic copolymer is preferably 0.05 to 10 meq / g, more preferably 0.5 to 5 meq / g.
  • the introduction of the reactive group into the copolymer includes, for example, a copolymer having a hydroxy group and a compound having a group that reacts with the hydroxy group (for example, an isocyanate group) and having the reactive group [ (Typically, it can be carried out by reacting with 2- (meth) acryloyloxyethyl isocyanate).
  • the carbon number of the alcohol part 8 to 12 (meth) acrylic acid alkyl ester components are preferably included.
  • the proportion of the (meth) acrylic acid alkyl ester component having 8 to 12 carbon atoms in the alcohol portion is 45 to 85.
  • the mol% is preferable, and 50 to 80 mol% is more preferable.
  • the “alcohol part” of the (meth) acrylic acid alkyl ester component means a structure derived from an alcohol forming an ester bond (in contrast to the (meth) acrylic acid alkyl ester component, A structure derived from (meth) acrylic acid is called an acid part).
  • the alcohol part has a structure derived from 2-ethylhexanol
  • the acid part has a structure derived from acrylic acid
  • the alcohol part has 8 carbon atoms.
  • the (meth) acrylic acid alkyl ester component is a lauryl acrylate component
  • the alcohol part has a structure derived from 1-dodecanol
  • the acid part has a structure derived from acrylic acid
  • the alcohol part has 12 carbon atoms.
  • a photopolymerization initiator such as isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, benzyl methyl ketal, ⁇ -hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2- Hydroxymethylphenylpropane or the like can be used.
  • a photopolymerization initiator such as isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, benzyl methyl ketal, ⁇ -hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2- Hydroxymethylphenylpropane or the like can be used.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 3ab may further contain a photosensitizer, a conventionally known tackifier, softener, antioxidant and the like.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3ab is preferably 5 to 100 ⁇ m from the viewpoint of further enhancing the protection ability of the elements formed on the pattern surface 2 and further improving the adhesion to the pattern surface.
  • the unevenness of the pattern surface is approximately several ⁇ m to 15 ⁇ m, and therefore the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 3ab is more preferably 5 to 30 ⁇ m.
  • the mask material layer 3b contains a (meth) acrylic copolymer.
  • that the (meth) acrylic copolymer is contained in the mask material layer 3b means that the (meth) acrylic copolymer is present in a state of reacting with the curing agent.
  • a non-radiation curable so-called pressure sensitive adhesive is suitably used.
  • the pressure-sensitive adhesive the above-mentioned mixture of (meth) acrylic copolymer and curing agent can be suitably used.
  • the mask material layer 3b preferably contains a fluorine-based release material. Examples of the fluorine-based mold release material include MegaFac (trade name, manufactured by DIC Corporation).
  • the thickness of the mask material layer 3b is preferably 5 to 100 ⁇ m, more preferably 5 to 30 ⁇ m, from the viewpoint of the removal rate by plasma ashing.
  • the mask-integrated surface protective tape of the present invention includes a curing agent used for forming the adhesive layer 3ab and a curing agent used for forming the mask material layer 3b (the description of the curing agent in the above-described adhesive layer can be applied).
  • the types are preferably different.
  • the cross-linked structure of each layer can be controlled. When the same cross-linked structure is formed, cross-linking occurs between the mask agent layer and the pressure-sensitive adhesive layer over time, and it becomes difficult to leave the mask agent on the wafer.
  • an isocyanate-based curing agent as the curing agent used for forming the pressure-sensitive adhesive layer 3ab and an epoxy-based curing agent as the curing agent used for the mask material layer 3b.
  • the glass transition temperature (Tg) of the (meth) acrylic copolymer forming the pressure-sensitive adhesive layer 3ab and the (meth) acrylic copolymer forming the mask material layer 3b is The difference is preferably 10 ° C. or more, more preferably 10 to 50 ° C.
  • the difference in glass transition temperature is 10 ° C. or more, the interlayer adhesive strength is reduced, and therefore, the mask agent layer and the pressure-sensitive adhesive layer can be easily separated.
  • the difference in glass transition temperature is 10 ° C. or more, the interlayer adhesive strength is reduced, and therefore, the mask agent layer and the pressure-sensitive adhesive layer can be easily separated.
  • the difference in glass transition temperature is 10 ° C. or more, the interlayer adhesive strength is reduced, and therefore, the mask agent layer and the pressure-sensitive adhesive layer can be easily separated.
  • Tg of the (meth) acrylic copolymer that forms the pressure-sensitive adhesive layer 3ab and Tg of the (meth) acrylic copolymer that forms the mask material layer 3b both react with the curing agent. It means Tg of the (meth) acrylic copolymer in the previous state.
  • the glass transition temperature of the pressure-sensitive adhesive layer 3ab is preferably lower than the glass transition temperature of the mask material layer 3b. Tg can be measured using a differential scanning calorimeter (manufactured by Shimadzu Corporation, DSC-60).
  • the temperature is raised from ⁇ 100 ° C. to 100 ° C. at a rate of temperature rise of 5 ° C./min, and the extrapolated glass transition start temperature of JIS K 7121 “Method for measuring plastic transition temperature” is Tg.
  • the adhesion between the mask material layer 3b and the pattern surface 2 of the semiconductor wafer is preferably 0.2 N / 25 mm or more, and is 1.0 to 20 N / 25 mm. It is more preferable.
  • the adhesion between the mask material layer 3b and the pressure-sensitive adhesive layer 3ab is also preferably 0.2 N / 25 mm or more, and more preferably 1.0 to 5.0 N / 25 mm. By having such adhesion, it is possible to realize adhesion that can withstand the load in the wafer thinning process.
  • the “adhesion strength” (unit: N / 25 mm) is a 5 mm width of a mask-integrated surface protection tape using a tensilon tester (AG-10kNI (trade name) manufactured by Shimadzu Corporation) with a cutter. After cutting, the mask material layer is pulled and peeled at 180 ° direction at a peel rate of 300 mm / min, and the stress (peel strength) at that time is measured.
  • AG-10kNI tensilon tester
  • the mask-integrated surface protective tape of the present invention uses a radiation curable adhesive for the adhesive layer 3ab, and the adhesive layer 3ab is cured by ultraviolet irradiation after the wafer thinning step, curing by ultraviolet irradiation is performed.
  • the adhesion force between the mask material layer 3b and the pattern surface 2 of the semiconductor wafer and the adhesion force between the mask material layer 3b and the adhesive layer 3ab are 0.2 N / 25 mm or more. .
  • the adhesion between the mask material layer 3b and the adhesive layer 3ab is greater than the adhesion between the mask material layer 3b and the pattern surface 2 of the semiconductor wafer. Is preferably low.
  • the ultraviolet irradiation condition is that the entire surface of the mask-integrated surface protection tape is irradiated from the base film side of the tape so that the total irradiation amount is 500 mJ / cm 2.
  • a high-pressure mercury lamp is used for ultraviolet irradiation.
  • the wafer fixing tape 4 needs to have a plasma resistance that holds the semiconductor wafer 1 and can withstand even if it is exposed to a plasma dicing process. Further, in the pick-up process, good pick-up properties and, in some cases, expandability and the like are also required.
  • the wafer fixing tape 4 the same tape as the surface protective tape 3a can be used.
  • the well-known dicing tape utilized with the conventional plasma dicing system generally called a dicing tape can be used.
  • a dicing die bonding tape in which a die bonding adhesive is laminated between the pressure-sensitive adhesive layer and the base film can also be used.
  • a laser irradiation apparatus for irradiating ultraviolet or infrared laser light can be used.
  • This laser beam irradiation apparatus is provided with a laser irradiation unit that can move freely along the street of the semiconductor wafer 1 and can irradiate a laser with an appropriately controlled output in order to remove the mask material layer 3b.
  • the CO 2 laser can obtain a large output of several W to several tens W, and can be suitably used in the present invention.
  • a plasma etching apparatus can be used to perform plasma dicing and plasma ashing.
  • the plasma etching apparatus is an apparatus capable of performing dry etching on the semiconductor wafer 1.
  • the plasma etching apparatus creates a sealed processing space in the vacuum chamber, the semiconductor wafer 1 is placed on the high frequency side electrode, and faces the high frequency side electrode.
  • the gas for generating plasma is supplied from the gas supply electrode provided. If a high-frequency voltage is applied to the high-frequency side electrode, plasma is generated between the gas supply electrode and the high-frequency side electrode, and this plasma is used.
  • a refrigerant is circulated in the heat generating high frequency electrode to prevent the temperature of the semiconductor wafer 1 from being raised by the heat of the plasma.
  • the resist used in the conventional plasma dicing process can be obtained by providing the surface protection tape for protecting the pattern surface with a mask function in plasma dicing.
  • a photolithographic process or the like for providing is unnecessary.
  • the use of surface protection tape eliminates the need for advanced alignment techniques such as printing and transfer for mask formation, and the mask-integrated surface protection tape of the present invention can be easily bonded to the surface of a semiconductor wafer.
  • a mask can be easily formed by a laser device.
  • the mask material layer 3b can be removed by O 2 plasma, the mask portion can be removed by the same apparatus as that for plasma dicing.
  • plasma dicing is performed from the pattern surface 2 side (surface S side), it is not necessary to invert the chip upside down before the picking operation. For these reasons, the equipment can be simplified and the process cost can be greatly reduced.
  • This embodiment is the first in that it includes a step of curing the pressure-sensitive adhesive layer by irradiating the mask-integrated surface protective tape 3 with radiation such as ultraviolet rays before the step of peeling the surface protective tape 3a in the first embodiment. Different from the embodiment. Other processes are the same as those in the first embodiment.
  • the mask-integrated type surface protection tape 3 is bonded to the front surface S side of the semiconductor wafer 1, and the wafer fixing tape 4 is bonded to the ground back surface B side of the semiconductor wafer 1 and supported and fixed to the ring frame F.
  • ultraviolet rays UV are irradiated from the surface S side toward the mask-integrated surface protection tape 3 (see FIG. 6B).
  • the adhesive layer 3ab of the mask-integrated surface protective tape 3 is cured, the surface protective tape 3a is removed (see FIG. 6C), and the mask material layer 3b is exposed.
  • the process moves to the step of cutting away the mask material layer 3b corresponding to the street by the laser L.
  • the mask-integrated surface protective tape used in this embodiment is a material that can be cured by radiation such as ultraviolet rays for the adhesive layer 3ab among the mask-integrated surface protective tape 3 shown in the first embodiment.
  • radiation such as ultraviolet rays for the adhesive layer 3ab among the mask-integrated surface protective tape 3 shown in the first embodiment.
  • Example 1 Production of mask-integrated surface protective tape, production of semiconductor chip ⁇ Manufacture of mask-integrated surface protective tape>
  • a (meth) acrylic copolymer solution having a weight average molecular weight of 700,000 was obtained by mixing 1.0 mol% of methacrylic acid, 78 mol% of 2-ethylhexyl acrylate, and 21 mol% of 2-hydroxyethyl acrylate, and polymerizing in the solution. .
  • 2-methacryloyloxyethyl isocyanate trade name: Karenz MOI, Showa Denko KK
  • Acrylic copolymer (weight average molecular weight: 400,000, hydroxyl value: 0 mgKOH / g, acid value: 48.% by mixing 20 mol% of acrylic acid, 70 mol% of butyl acrylate and 10 mol% of methyl acrylate and polymerizing in solution. 8 mg KOH / g, Tg: ⁇ 23 ° C.) was synthesized. This acrylic copolymer solution is mixed with 2.0 parts by mass of TETRAD-X (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., epoxy curing agent) as a curing agent with respect to 100 parts by mass of the copolymer. Product B was obtained.
  • TETRAD-X manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., epoxy curing agent
  • the pressure-sensitive adhesive composition A is applied on a release liner, and the formed pressure-sensitive adhesive layer is bonded to a 100 ⁇ m-thick LDPE (low density polyethylene) film to obtain a 130 ⁇ m-thick UV curable surface protection tape 3a. It was. Further, the pressure-sensitive adhesive composition B is coated on the release liner so that the thickness after drying becomes 10 ⁇ m, and the release liner of the UV curable surface protective tape 3a is peeled off and bonded to the exposed pressure-sensitive adhesive layer surface. Thus, an ultraviolet curable mask material-integrated surface protective tape 3 having a total thickness of 140 ⁇ m was obtained.
  • LDPE low density polyethylene
  • the UV curable mask-integrated surface protection tape obtained above is applied to the surface of a silicon wafer (diameter 8 inches) with a scribe line (street). Pasted together. Thereafter, using DGP8760 (trade name: manufactured by DISCO Corporation), the surface opposite to the surface on which the mask-integrated surface protection tape is bonded (the back surface of the wafer) is 50 ⁇ m in wafer thickness. Until ground. The ground wafer was mounted on a dicing tape from the back side of the wafer using RAD-2700F (trade name: manufactured by Lintec Corporation) and supported and fixed by a ring frame.
  • RAD-2700F trade name: manufactured by Lintec Corporation
  • the adhesive force between the mask material layer 3b and the surface protective tape 3a is reduced by irradiating ultraviolet rays of 500 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp from the ultraviolet curable mask-integrated tape side, and the surface protective tape Only 3a was peeled off, leaving only the mask material layer 3b on the wafer.
  • the adhesion between the mask agent layer and the adhesive layer is greater than the adhesion between the mask agent layer and the wafer after UV irradiation. was found to be low.
  • the mask agent on the scribe line was removed with a CO 2 laser, and the scribe line was opened.
  • SF 6 gas was used as a plasma generating gas
  • the silicon wafer was irradiated with plasma from the mask material layer side at an etching rate of 15 ⁇ m / min for 5 minutes.
  • the wafer was cut by this plasma dicing and divided into individual chips.
  • ashing was performed for 10 minutes using an O 2 gas as a plasma generating gas at an etching rate of 1.5 ⁇ m / min to remove the mask agent.
  • ultraviolet rays were irradiated from the dicing tape side (irradiation amount: 200 mJ / cm 2 ) to reduce the adhesive strength of the dicing tape and pick up chips.
  • Example 1 a mask-integrated surface protective tape having a width of 25 mm was bonded to a silicon wafer. Thereafter, when the adhesion force was measured at a peeling angle of 180 ° and a peeling speed of 300 mm / min, peeling between the mask agent layer and the wafer surface was confirmed at 1.6 N / 25 mm. From this result, it was confirmed that the adhesive force between the mask agent layer and the pressure-sensitive adhesive layer was 1.6 N / 25 mm or more.
  • Example 2 Production of mask-integrated surface protective tape, production of semiconductor chip ⁇ Manufacture of mask-integrated surface protective tape> SG-600TEA (trade name, manufactured by Nagase Chemtech, (meth) acrylic copolymer, weight average molecular weight: 1,200,000, hydroxyl value: 20 mgKOH / g, acid value: 0 mgKOH / g, Tg: -32 ° C.) 100 2.0 mass parts of coronate L (made by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) was mix
  • coronate L made by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.
  • the obtained pressure-sensitive adhesive composition C was coated on a release liner, the formed pressure-sensitive adhesive layer was bonded to a 100 ⁇ m thick LDPE (low density polyethylene) film, and a pressure sensitive surface protective tape 3 a having a thickness of 130 ⁇ m. Got. Further, the pressure-sensitive adhesive composition B was coated on the release liner so that the thickness after drying was 10 ⁇ m, and the total thickness was obtained by pasting the pressure-sensitive surface protective tape release liner on the pressure-sensitive adhesive layer. A 140 ⁇ m pressure-sensitive mask-integrated surface protective tape 3 was obtained.
  • LDPE low density polyethylene
  • Example 3 Production of mask-integrated surface protective tape, production of semiconductor chip ⁇ Manufacture of mask-integrated surface protective tape> A methacrylic acid 1.0 mol%, lauryl acrylate 53 mol%, 2-hydroxyethyl acrylate 26 mol%, 2-ethylhexyl acrylate 20 mol% are mixed and polymerized in a solution to polymerize a (meth) acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 300,000. A coalesced solution was obtained.
  • the pressure-sensitive adhesive composition D is coated on a release liner, and the formed pressure-sensitive adhesive layer is a 100 ⁇ m thick PET (polyethylene terephthalate) and LDPE (low density polyethylene) laminated film (layer structure 25 ⁇ m: 75 ⁇ m) LDPE layer
  • the UV curable surface protective tape 3a having a thickness of 130 ⁇ m was obtained.
  • the pressure-sensitive adhesive composition B prepared in Example 1 was applied onto a release liner so that the thickness after drying was 10 ⁇ m, and the release liner of the UV curable surface protection tape was peeled off to expose the pressure-sensitive adhesive.
  • an ultraviolet curable mask material-integrated surface protective tape 3 having a total thickness of 140 ⁇ m was obtained.
  • the adhesive force between the mask material layer 3b and the surface protective tape 3a is reduced by irradiating ultraviolet rays of 500 mJ / cm 2 using a high-pressure mercury lamp from the ultraviolet curable mask-integrated tape side, and the surface protective tape Only 3a was peeled off, leaving only the mask material layer 3b on the wafer.
  • the adhesion between the mask agent layer and the adhesive layer is greater than the adhesion between the mask agent layer and the wafer after UV irradiation. Was found to be low.
  • Example 3 an integrated tape having a width of 25 mm was bonded to a silicon wafer. Thereafter, when the adhesion force was measured at a peeling angle of 180 ° and a peeling speed of 300 mm / min, peeling between the mask agent layer and the wafer surface was confirmed at 2 N / 25 mm. From this result, it was confirmed that the adhesive force between the mask agent layer and the adhesive layer was also 2 N / 25 mm or more.
  • Comparative Example 2 Mask formation by photolithographic process, production of surface protection tape, production of semiconductor chip ⁇ production of wafer with mask> In the same manner as in Comparative Example 1, a masked silicon wafer was produced by a photolithography process.
  • ⁇ Preparation of UV curable surface protection tape> A methacrylic acid 20 mol%, 2-ethylhexyl acrylate 30 mol%, 2-hydroxyethyl acrylate 10 mol%, methyl acrylate 40 mol% were mixed and polymerized in a solution to form a (meth) acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 600,000. A solution was obtained. A hexafunctional urethane acrylate oligomer (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) is added as an ultraviolet-reactive resin to 100 parts by mass of the (meth) acrylic copolymer in the (meth) acrylic copolymer solution.
  • the obtained pressure-sensitive adhesive composition was coated on a transparent release liner so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was 30 ⁇ m, and the formed pressure-sensitive adhesive layer was subjected to corona treatment on a 100 ⁇ m-thick LDPE (low density polyethylene) film. The film was bonded to the surface to obtain an ultraviolet curable surface protective tape having a thickness of 130 ⁇ m.
  • LDPE low density polyethylene
  • Test Example 3 Evaluation of adhesive residue on scribe line In ⁇ Manufacturing of semiconductor chip> in each of the above examples and comparative examples, after peeling the surface protective tape, the surface of the wafer was observed with a microscope, and the adhesive on the scribe line was observed. The remaining was examined. -Evaluation criteria for adhesive residue on the scribe line- ⁇ : There is no adhesive residue. X: There is adhesive residue. The results of Test Examples 1 to 3 are shown in the table below.
  • the mask-integrated surface protective tape is attached to the pattern surface of the semiconductor wafer by using the mask-integrated surface protective tape of the present invention.
  • the mask-integrated surface protective tape of the present invention By simply peeling off the surface protection tape from the tape, it is possible to easily form a mask without producing adhesive residue, and the mask can be more reliably removed by O 2 plasma. It was found that generation can be suppressed to a high degree.

Abstract

プラズマダイシングによる半導体チップの製造に用いられるマスク一体型表面保護テープであって、当該マスク一体型表面保護テープが、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、該粘着剤層上に設けられたマスク材層とを有し、該マスク材層及び該粘着剤層がいずれも（メタ）アクリル系共重合体を含有する、マスク一体型表面保護テープ。

Description

マスク一体型表面保護テープ
　本発明は、マスク一体型表面保護テープに関する。
　最近の半導体チップの薄膜化・小チップ化への進化はめざましく、特に、メモリカードやスマートカードの様な半導体ＩＣチップが内蔵されたＩＣカードでは薄膜化が要求され、また、ＬＥＤ・ＬＣＤ駆動用デバイスなどでは小チップ化が要求されている。今後これらの需要が増えるにつれ半導体チップの薄膜化・小チップ化のニーズはより一層高まるものと考えられる。
　これらの半導体チップは、半導体ウェハをバックグラインド工程やエッチング工程等において所定厚みに薄膜化した後、ダイシング工程を経て個々のチップに分割することにより得られる。このダイシング工程においては、ダイシングブレードにより切断されるブレードダイシング方式が用いられてきた。ブレードダイシング方式では切断時にブレードによる切削抵抗が半導体ウェハに直接かかる。そのため、この切削抵抗によって半導体チップに微小な欠け（チッピング）が発生することがある。チッピングの発生は半導体チップの外観を損なうだけでなく、場合によっては抗折強度不足によるピックアップ時のチップ破損を招き、チップ上の回路パターンまで破損する可能性がある。また、ブレードによる物理的なダイシング工程では、チップ同士の間隔であるカーフ（スクライブライン、ストリートともいう）の幅を厚みのあるブレード幅よりも狭小化することができない。この結果、一枚のウェハから取ることができるチップの数（収率）は少なくなる。さらにウェハの加工時間が長いことも問題であった。
　ブレードダイシング方式以外にも、ダイシング工程には様々な方式が利用されている。例えば、ウェハを薄膜化した後にダイシングを行う難しさに鑑みて、先に所定の厚み分だけウェハに溝を形成しておき、その後に研削加工を行って薄膜化とチップへの個片化を同時に行うＤＢＧ（先ダイシング）方式がある。この方式によれば、カーフ幅はブレードダイシング方式と同程度である。しかし、チップの抗折強度が向上するためチップの破損を抑えることができるというメリットがある。
　また、ダイシングをレーザーで行うレーザーダイシング方式がある。レーザーダイシング方式によれば、カーフ幅を狭くでき、またダイシングをドライプロセスで実施できるメリットもある。しかし、レーザーによる切断時の昇華物でウェハ表面が汚れるという不都合があり、所定の液状保護材でウェハ表面を保護する前処理を要する場合がある。また、ドライプロセスといっても完全なドライプロセスを実現するには至っていない。さらに、レーザーダイシング方式はブレードダイシング方式よりも処理速度を高速化できる。しかし、１ラインずつ加工することには変わりはなく、極小チップの製造にはそれなりに時間がかかる。
　また、ダイシングを水圧で行うウォータージェット方式などのウェットプロセスを用いる方式もある。この方式では、ＭＥＭＳデバイスやＣＭＯＳセンサーなどの表面汚染を高度に抑える必要がある材料において、問題が起きる可能性がある。またカーフ幅の狭小化には制約があり、得られるチップの収率も低くなる。
　また、ウェハの厚み方向にレーザーで改質層を形成し、エキスパンドして分断し、個片化するステルスダイシング方式も知られている。この方式は、カーフ幅をゼロにでき、ドライで加工できるというメリットがある。しかしながら、改質層形成時の熱履歴によりチップ抗折強度が低下する傾向があり、また、エキスパンドして分断する際にシリコン屑が発生する場合がある。さらに、隣接チップとのぶつかりが抗折強度不足を引き起こす可能性がある。
　さらにステルスダイシングと先ダイシングを併せた方式として、薄膜化の前に所定の厚み分だけ改質層を形成しておき、その後に裏面から研削加工を行って薄膜化とチップへの個片化を同時に行う狭スクライブ幅対応チップ個片化方式がある。この技術は、上記プロセスのデメリットを改善したものであり、ウェハ裏面研削加工中に応力でシリコンの改質層が劈開し個片化するため、カーフ幅がゼロでありチップ収率は高く、抗折強度も向上するというメリットがある。しかし、裏面研削加工中に個片化されるため、チップ端面が隣接チップとぶつかってチップコーナーが欠ける現象が見られる場合がある。
　そしてプラズマダイシング方式がある（例えば、特許文献１参照）。プラズマダイシング方式は、マスクで覆っていない箇所をプラズマで選択的にエッチングすることで、半導体ウェハを分割する方法である。このダイシング方法を用いると、選択的にチップの分断が可能であり、スクライブラインが曲がっていても問題なく分断できる。また、半導体ウェハのエッチングレートが非常に高いことから近年ではチップの分断に最適なプロセスの１つとされてきた。
特開２００７－１９３８５号公報
　プラズマダイシング方式では、六フッ化硫黄（ＳＦ６）や四フッ化炭素（ＣＦ４）など、ウェハとの反応性が非常に高いフッ素系のガスをプラズマ発生用ガスとして用いており、その高いエッチングレートから、エッチングしない面に対してマスクによる保護が必須であり、事前にマスク形成が必要となる。
　このマスク形成には、特許文献１にも記載があるように、ウェハの表面にレジストを塗布した後、ストリートに相当する部分をフォトリソグラフィプロセスで除去してマスクとする技術が一般的に用いられる。そのため、プラズマダイシングを行うためには、プラズマダイシング設備以外のフォトリソ工程設備が必要で、チップコストが上昇するという問題がある。また、プラズマエッチング後にマスク（レジスト膜）が残った状態であるため、マスク除去のために大量の溶剤を用いる必要があり、それでもマスクを完全に除去できないこともあり、不良チップが生じる場合があった。さらに、レジストによるマスキング工程を経るため、全体の処理プロセスが長くなるという不都合もあった。
　本発明は、プラズマダイシング方式を用いた半導体チップの製造において、フォトリソグラフィプロセスによるマスク形成を不要とするマスク一体型の表面保護テープであって、半導体ウェハのパターン面に貼り合わせることにより、半導体ウェハの薄膜化工程（裏面研削工程）においては当該パターン面に良好に密着してパターン面を効果的に保護することができ、上記薄膜化工程後におけるマスク材層と粘着剤層との剥離性も良好で、これによりマスク材層をウェハ表面に簡単に露出させることができ、ＳＦ６プラズマによってウェハをチップへとより確実に、高精度にダイシングすることを可能とし、さらにプラズマダイシング後（ウェハの分割後）においては、Ｏ２プラズマによってマスク材をより確実に除去することができ、結果、不良チップの発生を高度に抑えることを可能とするマスク一体型表面保護テープを提供することを目的とする。
　本発明の上記課題は以下の手段によって解決される。
〔１〕
　下記工程（ａ）～（ｄ）を含む半導体チップの製造に用いられるマスク一体型表面保護テープであって、当該マスク一体型表面保護テープが、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、該粘着剤層上に設けられたマスク材層とを有し、該マスク材層及び該粘着剤層がいずれも（メタ）アクリル系共重合体を含有する、マスク一体型表面保護テープ：
（ａ）マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、
（ｂ）前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
（ｃ）ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、及び、
（ｄ）Ｏ２プラズマにより前記マスク材層を除去するアッシング工程。
〔２〕
　前記マスク一体型表面保護テープの粘着剤層が放射線硬化型である、〔１〕記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔３〕
　前記工程（ｂ）において、前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させる前に、紫外線を照射して、前記粘着剤層を硬化させる工程を含み、
　前記紫外線照射による硬化前において、マスク材層と半導体ウェハのパターン面との間の密着力、及び、マスク材層と粘着剤層との間の密着力が、いずれも０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であり、
　前記紫外線照射による硬化後において、マスク材層と粘着剤層との間の密着力が、マスク材層と半導体ウェハのパターン面との間の密着力よりも低い、〔２〕記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔４〕
　前記粘着剤層を構成する（メタ）アクリル系共重合体が側鎖にエチレン性不飽和結合を有する、〔２〕又は〔３〕記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔５〕
　前記の側鎖にエチレン性不飽和結合を有する（メタ）アクリル系共重合体を構成するモノマー成分中に、アルコール部の炭素数が８～１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分を含有する、〔４〕記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔６〕
　前記基材フィルムがポリオレフィン系樹脂層を有する、〔１〕～〔５〕のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔７〕
　前記粘着剤層を形成する（メタ）アクリル系共重合体のガラス転移温度と前記マスク材層を形成する（メタ）アクリル系共重合体のガラス転移温度との差が１０℃以上である、〔１〕～〔６〕のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔８〕
　前記マスク材層及び前記粘着剤層には硬化剤が用いられており、前記マスク材層に用いられた硬化剤と、前記粘着剤層に用いられた硬化剤の種類が異なる、〔１〕～〔７〕のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔９〕
　前記マスク材層にはエポキシ系硬化剤が用いられ、前記粘着剤層にはイソシアネート系硬化剤が用いられている、〔１〕～〔８〕のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔１０〕
　前記マスク材層がフッ素系離型材を含有する、〔１〕～〔９〕のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔１１〕
　基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、該粘着剤層上に設けられたマスク材層とを有し、該マスク材層及び該粘着剤層がいずれも（メタ）アクリル系共重合体及び硬化剤を含有し、該粘着剤層が含有する硬化剤と該マスク剤層が含有する硬化剤の種類が異なる、マスク一体型表面保護テープ。
〔１２〕
　前記マスク材層にはエポキシ系硬化剤が用いられ、前記粘着剤層にはイソシアネート系硬化剤が用いられている、〔１１〕記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔１３〕
　前記マスク一体型表面保護テープの粘着剤層が放射線硬化型である、〔１１〕又は〔１２〕記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔１４〕
　前記マスク材層がフッ素系離型材を含有する、〔１１〕～〔１３〕のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
〔１５〕
　前記マスク一体型表面保護テープがプラズマダイシング用である、〔１１〕～〔１４〕のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
　本発明のマスク一体型表面保護テープは、プラズマダイシング方式を用いた半導体チップの製造において、フォトリソグラフィプロセスによるマスク形成を不要とする表面保護テープである。本発明のマスク一体型の表面保護テープは、半導体ウェハのパターン面に貼り合わせることにより、ウェハの薄膜化工程においては当該パターン面に良好に密着してパターン面を効果的に保護することができる。本発明のマスク一体型の表面保護テープは、上記薄膜化工程後におけるマスク材層と粘着剤層との剥離性も良好で、これによりマスク材層をウェハ表面に簡単に露出させることができ、ＳＦ６プラズマによってウェハをチップへとより確実に、高精度にダイシングすることを可能とする。さらにウェハ表面に露出させたマスク材層はＯ２プラズマによって、より確実に除去することができる。結果、本発明のマスク一体型の表面保護テープを用いて半導体ウェハを加工することにより、不良チップの発生を高度に抑えることが可能となる。
　本発明の上記及び他の特徴及び利点は、適宜添付の図面を参照して、下記の記載からより明らかになるであろう。
図１は、本発明のマスク一体型表面保護テープを使用する第１実施形態において、半導体ウェハへの表面保護テープ貼合までの工程を説明する概略断面図である。同図において、分図１（ａ）は半導体ウェハを示し、分図１（ｂ）は半導体ウェハにマスク一体型表面保護テープを貼合する様子を示し、分図１（ｃ）はマスク一体型表面保護テープを貼合した半導体ウェハを示す。 図２は、本発明のマスク一体型表面保護テープを使用する第１実施形態において、半導体ウェハの薄膜化と固定までの工程を説明する概略断面図である。同図において、分図２（ａ）は半導体ウェハの薄膜化処理を示し、分図２（ｂ）は薄膜化処理した半導体ウェハにウェハ固定テープを貼合する様子を示し、分図２（ｃ）は半導体ウェハをリングフレームに固定した状態を示す。 図３は、本発明のマスク一体型表面保護テープを使用する第１実施形態におけるマスク形成までの工程を説明する概略断面図である。同図において、分図３（ａ）はマスク一体型表面保護テープからマスク材層を残して表面保護テープを引き剥がす様子を示し、分図３（ｂ）はマスク一体型表面保護テープのマスク材層が剥き出しになった状態を示し、分図３（ｃ）はレーザーでストリート部分に相当するマスク材層を切除する工程を示す。 図４は、本発明のマスク一体型表面保護テープを使用する第１実施形態におけるプラズマダイシングとプラズマアッシングの工程を説明する概略断面図である。同図において、分図４（ａ）はプラズマダイシングを行う様子を示し、分図４（ｂ）はチップに個片化された状態を示し、分図４（ｃ）はプラズマアッシングを行う様子を示す。 図５は、本発明のマスク一体型表面保護テープを使用する第１実施形態におけるチップをピックアップするまでの工程を説明する概略断面図である。同図において、分図５（ａ）はマスク材層が除去された状態を示し、分図５（ｂ）はチップをピックアップする様子を示す。 図６は、本発明のマスク一体型表面保護テープを使用する第２実施形態における紫外線照射処理を行う前後の状態を説明する概略断面図である。同図において、分図６（ａ）は半導体ウェハの表裏両面をそれぞれマスク一体型表面保護テープとウェハ固定テープとで被覆し固定した状態を示し、分図６（ｂ）は紫外線が照射される様子を示し、分図６（ｃ）はマスク一体型表面保護テープからマスク材層を残して表面保護テープを引き剥がす様子を示す。
　本発明のマスク一体型表面保護テープは、半導体ウェハをプラズマダイシングにより分割、個別化して半導体チップを得る方法に用いられる。以下に説明するように、本発明のマスク一体型表面保護テープを用いることにより、プラズマダイシング工程に先立つフォトリソグラフィプロセスが不要となり、半導体チップないし半導体製品の製造コストを大幅に抑えることができる。
　本発明のマスク一体型表面保護テープは、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、該粘着剤層上に設けられたマスク材層とを有し、該マスク材層及び該粘着剤層がいずれも（メタ）アクリル系共重合体を含有する。本発明のマスク一体型表面保護テープは半導体加工に用いられる。より詳細には、本発明のマスク一体型表面保護テープは、半導体ウェハの裏面研削の際に、パターン面（表面）を保護するために、当該パターン面に貼り合わせて用いられる。
　本発明のマスク一体型表面保護テープは、プラズマダイシング用であることが好ましい。すなわち、半導体ウェハから半導体チップを得るに際し、プラズマダイシングによりウェハを分割、個別化する工程を含む半導体チップの製造において好適に用いることができる。
　本発明のマスク一体型表面保護テープは、さらに好ましくは、少なくとも下記工程（ａ）～（ｄ）を含む半導体チップの製造に用いられる。
（ａ）本発明のマスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、
（ｂ）前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離して（すなわちマスク一体型表面保護テープから表面保護テープを剥離して）マスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
（ｃ）ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、及び、
（ｄ）Ｏ２プラズマにより前記マスク材層を除去するアッシング工程。
　本発明のマスク一体型表面保護テープが適用される上記半導体チップの製造方法は、上記工程（ｄ）の後、下記工程（ｅ）を含むことが好ましい。また下記工程（ｅ）を含む場合、当該工程（ｅ）の後、さらに下記工程（ｆ）を含むことが好ましい。
（ｅ）ウェハ固定テープから半導体チップをピックアップする工程
（ｆ）ピックアップした半導体チップをダイボンディング工程に移行する工程
　本発明のマスク一体型表面保護テープは、上述の通り基材フィルムと、この基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、この粘着剤層上に設けられたマスク材層とを有する。本明細書において、基材フィルムと、この基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる積層体を「表面保護テープ」と呼ぶことがある。すなわち、本発明のマスク一体型表面保護テープは、表面保護テープの粘着剤層上に、さらにマスク材層が設けられた積層構造のテープである。
　本発明のマスク一体型表面保護テープは、少なくとも粘着剤層が放射線硬化型であること（すなわち、放射線照射により硬化する特性を有すること）が好ましく、粘着剤層のみが放射線硬化型であることがより好ましい。また、マスク材層は感圧型（非放射線硬化型）であることが好ましい。
　粘着剤層が放射線硬化型である場合、上記工程（ｂ）において、上記マスク一体型表面保護テープから上記基材フィルムと上記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させる前に、放射線を照射して、粘着剤層を硬化させる工程を含むことが好ましい。粘着剤層を硬化させることにより、マスク材層と粘着剤層との層間剥離性が向上し、マスク一体型表面保護テープから表面保護テープを剥離しやすくなる。
　本発明のマスク一体型表面保護テープを用いた半導体チップの製造方法（以下、単に「本発明が適用される製造方法」という。）について、その好ましい実施形態を、図面を参照して以下に説明するが、本発明は、本発明で規定されること以外は下記実施形態に限定されるものではない。また、各図面に示される形態は、本発明の理解を容易にするための模式図であり、各部材のサイズ、厚み、ないしは相対的な大小関係等は説明の便宜上大小を変えている場合があり、実際の関係をそのまま示すものではない。また、本発明で規定する事項以外はこれらの図面に示された外形、形状に限定されるものでもない。
　本発明が適用される製造方法の好ましい実施形態は、下記に示す第１及び２の実施形態に分類することができる。
　なお、下記の実施形態に用いる装置及び材料等は、特に断りのない限り、従来から半導体ウェハの加工に用いられている通常の装置及び材料等を使用することができ、その使用条件も通常の使用方法の範囲内で目的に応じて適宜に設定、好適化することができる。また、各実施形態で共通する材質、構造、方法、効果などについては重複記載を省略する。
＜第１実施形態［図１～図５］＞
　本発明が適用される製造方法の第１の実施形態を図１～図５を参照して説明する。
　半導体ウェハ１は、その表面Ｓに半導体素子の回路などが形成されたパターン面２を有している（図１(ａ)参照）。このパターン面２には、基材フィルム３ａａ上に粘着剤層３ａｂを設けた表面保護テープ３ａの粘着剤層３ａｂ上に、さらにマスク材層３ｂを設けた本発明のマスク一体型表面保護テープ３を貼合し（図１(ｂ)参照）、パターン面２が本発明のマスク一体型表面保護テープ３で被覆された半導体ウェハ１を得る（図１(ｃ)参照）。
　次に、半導体ウェハ１の裏面Ｂをウェハ研削装置Ｍ１で研削し、半導体ウェハ１の厚みを薄くする（図２(ａ)参照）。その研削した裏面Ｂにはウェハ固定テープ４を貼り合わせて（図２(ｂ)参照）、リングフレームＦに支持固定する（図２(ｃ)参照）。
　半導体ウェハ１からマスク一体型表面保護テープ３の表面保護テープ３ａを剥離するとともにそのマスク材層３ｂは半導体ウェハ１に残して（図３(ａ)参照）、マスク材層３ｂを剥き出しにする（図３(ｂ)参照）。そして、表面Ｓの側からパターン面２に格子状等に適宜形成された複数のストリート（図示せず）に対してＣＯ２レーザーＬを照射して、マスク材層３ｂのストリートに相当する部分を除去し、半導体ウェハのストリートを開口する（図３(ｃ)参照）。
　次に、表面Ｓ側からＳＦ６ガスのプラズマＰ１による処理を行いストリート部分で剥き出しになった半導体ウェハ１をエッチングし（図４(ａ)参照）、個々のチップ７に分割して個片化する（図４(ｂ)参照）。次いでＯ２ガスのプラズマＰ２によってアッシングを行い（図４(ｃ)参照）、表面Ｓに残ったマスク材層３ｂを取り除く（図５(ａ)参照）。そして最後に個片化されたチップ７をピンＭ２により突き上げコレットＭ３により吸着してピックアップする（図５(ｂ)参照）。
　ここで、ＳＦ６ガスを用いた半導体ウェハのＳｉのエッチングプロセスはＢＯＳＣＨプロセスとも呼ばれ、露出したＳｉと、ＳＦ６をプラズマ化して生成したＦ原子とを反応させ、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）として除去するものであり、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）とも呼ばれる。一方、Ｏ２プラズマによる除去は、半導体製造プロセス中ではプラズマクリーナーとしても用いられる方法でアッシング（灰化）とも呼ばれ、対有機物除去の手法の一つである。半導体デバイス表面に残った有機物残渣をクリーニングするために行われる。
　次に上記方法で用いた材料について説明する。なお、下記で説明する材料は、本発明のマスク一体型表面保護テープすべてに適用可能な材料であり、マスク一体型表面保護テープを上記方法に用いる場合に限定して適用される材料ではない。
　半導体ウェハ１は、片面に半導体素子の回路などが形成されたパターン面２を有するシリコンウェハなどであり、パターン面２は、半導体素子の回路などが形成された面であって、平面視においてストリートを有する。
　本発明のマスク一体型表面保護テープ３は、基材フィルム３ａａ上に粘着剤層３ａｂが設けられ、さらに粘着剤層３ａｂ上にマスク材層３ｂが設けられた構成を有し、パターン面２に形成された半導体素子を保護する機能を有する。即ち、後工程のウェハ薄膜化工程（裏面研削工程）ではパターン面２で半導体ウェハ１を支持してウェハの裏面が研削されるため、マスク一体型表面保護テープ３はこの研削時の負荷に耐える必要がある。そのため、マスク一体型表面保護テープ３は単なるレジスト膜等とは異なり、パターン面に形成される素子を被覆するだけの厚みがあって、その押圧抵抗は低く、また研削時のダストや研削水などの浸入が起こらないように素子を密着できるだけの密着性が高いものである。
　本発明のマスク一体型表面保護テープ３のうち基材フィルム３ａａはプラスチックやゴム等からなり、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン－プロピレン共重合体等のポリオレフィン樹脂、ポリブテン－１、ポリ－４－メチルペンテン－１、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα－オレフィンの単独重合体または共重合体、あるいはこれらの混合物、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタン、スチレン－エチレン－ブテン－もしくはペンテン系共重合体等の単体もしくは２種以上を混合させたもの、さらにこれらにこれら以外の樹脂や充填材、添加剤等が配合された樹脂組成物をその材質として挙げることができ、要求特性に応じて任意に選ぶことができる。
　基材フィルム３ａａはポリオレフィン樹脂からなる層（ポリオレフィン系樹脂層とも称す。）を有することが好ましい。この場合において、基材フィルム３ａａはポリオレフィン樹脂層からなる単層でもよいし、ポリオレフィン樹脂層と他の樹脂層とからなる２層又はそれ以上の複層構造であってもよい。また、低密度ポリエチレンとエチレン－酢酸ビニル共重合体の積層体や、ポリプロピレンとポリエチレンテレフタレートの積層体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートは好適な材質の一つである。
　これらの基材フィルム３ａａは、一般的な押出し法を用いて製造できる。基材フィルム３ａａを種々の樹脂を積層して得る場合には、共押出し法、ラミネート法などで製造される。この際、通常のラミネートフィルムの製法に於いて普通に行われている様に、樹脂と樹脂の間に接着層を設けても良い。この様な基材フィルム３ａａの厚さは、強伸度特性、放射線透過性の観点から２０～２００μｍが好ましい。
　粘着剤層３ａｂは、マスク材層３ｂと共に、パターン面に形成される素子の凹凸を吸収してパターン面との密着性を高め、パターン面を保護する役割を担う。マスク一体型表面保護テープをウェハ薄膜化工程の負荷に耐えるものとするために、粘着剤層３ａｂは、ウェハ薄膜化工程においてはマスク材層３ｂないし基材フィルム３ａａとの密着性が高いことが好ましい。一方、ウェハ薄膜化工程後においては、粘着剤層３ａｂは、基材フィルム３ａａと一体となって、マスク材層３ｂから剥離されるため、マスク材層との密着性は低いことが好ましい（剥離性が高いことが好ましい）。かかる特性をより高いレベルで実現するために、粘着剤層３ａｂには放射線硬化型の粘着剤を採用することが好ましい。粘着剤層３ａｂを放射線硬化型粘着剤層とすることにより、放射線照射によって粘着剤層を構成する樹脂が三次元網状化して粘着力が低下するため、ウェハ薄膜化工程後に紫外線を照射することによりマスク材層との強固な密着性が解かれて、粘着剤層をマスク材層から簡単に剥離することが可能となる（この具体的実施形態は後述する）。
　本明細書において「放射線」とは紫外線のような光線や電子線のような電離性放射線の双方を含む意味に用いる、本発明に用いる放射線は紫外線が好ましい。
　本発明のマスク一体型表面保護テープにおいて、粘着剤層３ａｂは（メタ）アクリル系共重合体を含有する。ここで、粘着剤層３ａｂが（メタ）アクリル系共重合体を含有するとは、（メタ）アクリル系共重合体が後述する硬化剤と反応した状態で存在する形態を含む意味である。
　本明細書において（メタ）アクリル系共重合体とは、例えば（メタ）アクリル酸エステルを構成成分として有する共重合体、あるいはこれらの共重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の重量平均分子量は、通常は３０万～１００万程度である。上記（メタ）アクリル系共重合体の全モノマー成分中、（メタ）アクリル酸エステル成分の割合は７０モル％以上が好ましく、８０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上がさらに好ましい。また、（メタ）アクリル系共重合体の全モノマー成分中、（メタ）アクリル酸エステル成分の割合が１００モル％でない場合、残部のモノマー成分は（メタ）アクリロイル基を重合性基として重合した形態で存在するモノマー成分（（メタ）アクリル酸由来の構成成分等）であることが好ましい。また、（メタ）アクリル系共重合体の全モノマー成分中、後述する硬化剤と反応する官能基（例えばヒドロキシ基）を有する（メタ）アクリル酸エステル成分の割合は、１モル％以上が好ましく、２モル％以上がより好ましく、５モル％以上がより好ましく、１０モル％以上がより好ましい。また当該（メタ）アクリル酸エステル成分の割合は３５モル％以下が好ましく、２５モル％以下がより好ましい。
　上記（メタ）アクリル酸エステル成分は、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（アルキル（メタ）アクリレートともいう）であることが好ましい。この（メタ）アクリル酸アルキルエステルを構成するアルキル基の炭素数は、１～２０が好ましく、１～１５がより好ましく、１～１２がさらに好ましい。
　粘着剤層３ａｂ中の（メタ）アクリル系共重合体の含有量（硬化剤と反応する前の状態に換算した含有量）は８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましく、９５～９９．９質量％がさらに好ましい。
　粘着剤層３ａｂが放射線硬化型粘着剤で構成される場合、アクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを含有してなる粘着剤を好適に用いることができる。
　アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル系共重合体、あるいは（メタ）アクリル系共重合体と硬化剤との混合物である。
　硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力及び凝集力を調整するために用いられるものである。例えば、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－ｍ－キシレンジアミン、エチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアクリレートなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物（以下、「エポキシ系硬化剤」ともいう。）、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート及びこれらのアダクトタイプなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート化合物（以下、「イソシアネート系硬化剤」ともいう。）、テトラメチロール－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、トリメチロール－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン－トリ－β－アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン－トリ－β－（２－メチルアジリジン）プロピオネート、トリス－２，４，６－（１－アジリジニル）－１，３，５－トリアジン、トリス〔１－（２－メチル）－アジリジニル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ〔１－（２－メチル）－アジリジニル〕トリホスファトリアジンなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン化合物（アジリジン系硬化剤）等が挙げられる。硬化剤の添加量は、所望の粘着力に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１～５．０質量部が適当である。本発明のマスク一体型表面保護テープの粘着剤層において、硬化剤は（メタ）アクリル系共重合体と反応した状態にある。
　上記放射線重合性化合物としては、放射線の照射によって三次元網状化しうる、分子内に光重合性炭素－炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられる。具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等のアクリレート系化合物を広く適用可能である。
　また、上記アクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いる事も出来る。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４－トリレンジイソシアナート、２，６－トリレンジイソシアナート、１，３－キシリレンジイソシアナート、１，４－キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４－ジイソシアナートなど）とを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシエチルメタクリレート、２－ヒドロキシプロピルアクリレート、２－ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。
　放射線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物との配合比としては、アクリル系粘着剤１００質量部に対して放射線重合性化合物を５０～２００質量部、好ましくは５０～１５０質量部の範囲で配合されるのが望ましい。この配合比の範囲である場合、放射線照射後に粘着剤層の粘着力を大きく低下させることが可能となる。
　また、粘着剤層３ａｂに用いる放射線硬化型粘着剤として、上記（メタ）アクリル系共重合体自体を放射線重合性とした、放射線重合性（メタ）アクリル系共重合体を用いることも好ましい。この場合において、放射線硬化型粘着剤は硬化剤を含んでいてもよい。
　放射線重合性（メタ）アクリル系共重合体は、共重合体の分子中に、放射線、特に紫外線照射で重合反応することが可能な反応性の基を有する共重合体である。このような反応性の基としては、エチレン性不飽和基すなわち、炭素－炭素二重結合（エチレン性不飽和結合）を有する基が好ましい。かかる基の例として、ビニル基、アリル基、スチリル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基などが挙げられる。（メタ）アクリル系共重合体は、側鎖にエチレン性不飽和結合を有することが好ましい。（メタ）アクリル系共重合体のエチレン性不飽和結合含有量は、０．０５～１０ｍｅｑ／ｇが好ましく、０．５～５ｍｅｑ／ｇがより好ましい。
　上記反応性基の共重合体中への導入は、例えば、ヒドロキシ基を有する共重合体と、ヒドロキシ基と反応する基（例えば、イソシアネート基）を有し、かつ上記反応性基を有する化合物〔（代表的には、２－（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート〕とを反応させることにより行うことができる。
　本発明のマスク一体型表面保護テープの粘着剤層３ａｂを構成する、側鎖にエチレン性不飽和結合を有する（メタ）アクリル系共重合体を構成するモノマー成分中には、アルコール部の炭素数が８～１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分が含まれることが好ましい。側鎖にエチレン性不飽和結合を有する（メタ）アクリル系共重合体を構成するモノマー成分中、アルコール部の炭素数が８～１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分の割合は、４５～８５モル％が好ましく、５０～８０モル％がより好ましい。
　ここで、（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分の「アルコール部」とは、エステル結合を形成しているアルコールに由来する構造を意味する（これに対し、（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分中、（メタ）アクリル酸由来の構造を酸部と呼ぶ）。例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分が２－エチルヘキシルアクリレート成分である場合、アルコール部は２－エチルヘキサノール由来の構造、酸部はアクリル酸由来の構造であり、アルコール部の炭素数は８となる。また、（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分がラウリルアクリレート成分である場合、アルコール部は１－ドデカノール由来の構造、酸部はアクリル酸由来の構造であり、アルコール部の炭素数は１２となる。
　また、放射線により粘着剤層３ａｂを重合硬化させる場合には、光重合開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を用いることが出来る。これらのうち少なくとも１種類を粘着剤層に添加することにより、効率よく重合反応を進行させることが出来る。
　上記粘着剤層３ａｂは、さらに光増感剤、従来公知の粘着付与剤、軟化剤、酸化防止剤等を含有していてもよい。
　上記粘着剤層３ａｂとして、特開２０１４－１９２２０４号公報の段落番号００３６～００５５に記載されている形態を採用することも好ましい。
　粘着剤層３ａｂの厚さは、パターン面２に形成された素子等の保護能をより高め、またパターン面への密着性をより高める観点から、５～１００μｍが好ましい。なお、デバイスの種類にもよるが、パターン表面の凹凸は概ね数μｍ～１５μｍ程度であるため、粘着剤層３ａｂの厚さは５～３０μｍがより好ましい。
　マスク材層３ｂには、（メタ）アクリル系共重合体が含有される。ここで、マスク材層３ｂに（メタ）アクリル系共重合体が含有されるとは、（メタ）アクリル系共重合体が硬化剤と反応した状態で存在する形態を含む意味である。
　マスク材層３ｂには、非放射線硬化型である、いわゆる感圧型の粘着剤が好適に用いられる。この感圧型の粘着剤としては、上述した、（メタ）アクリル系共重合体と硬化剤との混合物を好適に用いることができる。
　また、マスク材層３ｂはフッ素系離型材を含有することも好ましい。フッ素系離型材としては、例えば、メガファック（商品名、ＤＩＣ株式会社製）を挙げることができる。
　マスク材層３ｂの厚みは、プラズマアッシングでの除去速度の観点から、５～１００μｍが好ましく、５～３０μｍがより好ましい。
　本発明のマスク一体型表面保護テープは、粘着剤層３ａｂの形成に用いる硬化剤と、マスク材層３ｂの形成に用いる硬化剤（上述の粘着剤層における硬化剤の記載を適用できる。）の種類が異なることが好ましい。異なる硬化剤を用いることにより、それぞれの層の架橋構造を制御することができる。同一の架橋構造になると時間の経過でマスク剤層と粘着剤層の層間で架橋してしまい、マスク剤をウェハ上に残すことが難しくなる。
　なかでも、粘着剤層３ａｂの形成に用いる硬化剤としてイソシアネート系硬化剤を用い、マスク材層３ｂに用いる硬化剤としてエポキシ系硬化剤を用いることが好ましい。かかる構成とすることにより、マスク剤層のみをウェハ上に残すことが容易となる。
　本発明のマスク一体型表面保護テープにおいて、粘着剤層３ａｂを形成する（メタ）アクリル系共重合体とマスク材層３ｂを形成する（メタ）アクリル系共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、その差が１０℃以上であることが好ましく、１０～５０℃であることがより好ましい。
　ガラス転移温度の差が１０℃以上になると層間接着力が低下するため、マスク剤層と粘着剤層の間で容易に剥離することができる。また、ガラス転移温度の差を５０℃以下とすることにより、マスク剤層と粘着剤層の間の層間密着力を適度な強度に維持しやすくなり、ダスト侵入やウェハ割れが発生するリスクをより低減することができる。
　ここで、上記の粘着剤層３ａｂを形成する（メタ）アクリル系共重合体のＴｇ、及びマスク材層３ｂを形成する（メタ）アクリル系共重合体のＴｇは、いずれも硬化剤と反応する前の状態における（メタ）アクリル系共重合体のＴｇを意味する。
　粘着剤層３ａｂのガラス転移温度は、マスク材層３ｂのガラス転移温度よりも低いことが好ましい。
　Ｔｇは、示差走査型熱量分析装置（島津製作所製、ＤＳＣ－６０）を用いて測定することができる。より詳細には、－１００℃～１００℃まで昇温速度５℃／分で昇温し、ＪＩＳ　Ｋ　７１２１「プラスチックの転移温度測定方法」の、補外ガラス転移開始温度をＴｇとする。
　本発明のマスク一体型表面保護テープは、マスク材層３ｂと半導体ウェハのパターン面２との間の密着力が０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、１．０～２０Ｎ／２５ｍｍであることがより好ましい。また、マスク材層３ｂと粘着剤層３ａｂとの間の密着力も０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましく、１．０～５．０Ｎ／２５ｍｍであることがより好ましい。かかる密着力を有することにより、ウェハ薄膜化工程における負荷に耐える密着性を実現することができる。
　本明細書において「密着力」（単位：Ｎ／２５ｍｍ）は、テンシロンテスター（株式会社島津製作所製ＡＧ－１０ｋＮＩ（商品名））を使用して、マスク一体型表面保護テープをカッターで５ｍｍ幅の切り込みを入れた後、マスク材層をピール速度３００ｍｍ／ｍｉｎで１８０°方向に引っ張って引き剥がし、その際の応力（ピール強度）を測ることで求められる。
　本発明のマスク一体型表面保護テープが、粘着剤層３ａｂに放射線硬化型粘着剤を用いており、ウェハ薄膜化工程後、紫外線照射により粘着剤層３ａｂを硬化させる場合には、紫外線照射による硬化前において、マスク材層３ｂと半導体ウェハのパターン面２との間の密着力、及び、マスク材層３ｂと粘着剤層３ａｂとの間の密着力が０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。また、紫外線照射による粘着剤層３ａｂの硬化後においては、マスク材層３ｂと粘着剤層３ａｂとの間の密着力が、マスク材層３ｂと半導体ウェハのパターン面２との間の密着力よりも低くなることが好ましい。
　ここで、上記密着力の測定において、紫外線照射条件は、紫外線を積算照射量５００ｍＪ／ｃｍ２となるように、マスク一体型表面保護テープ全体に、当該テープの基材フィルム側から照射することをいう。紫外線照射には高圧水銀灯を用いる。
　ウェハ固定テープ４は、半導体ウェハ１を保持し、プラズマダイシング工程にさらされても耐えうるプラズマ耐性が必要である。またピックアップ工程においては良好なピックアップ性や場合によってはエキスパンド性等も要求されるものである。こうしたウェハ固定テープ４には、上記表面保護テープ３ａと同様のテープを用いることができる。また一般的にダイシングテープと称される従来のプラズマダイシング方式で利用される公知のダイシングテープを用いることができる。また、ピックアップ後のダイボンディング工程への移行を容易にするために、粘着剤層と基材フィルムとの間にダイボンディング用接着剤を積層したダイシングダイボンディングテープを用いることもできる。
　マスク材層３ｂを切断するレーザー照射には、紫外線または赤外線のレーザー光を照射するレーザー照射装置を用いることができる。このレーザー光照射装置は、半導体ウェハ１のストリートに沿って自在に移動可能なレーザー照射部が配設されており、マスク材層３ｂを除去するために適切に制御された出力のレーザーを照射できる。なかでもＣＯ２レーザーは数Ｗ～数十Ｗの大出力を得ることが可能であり、本発明に好適に利用できる。
　プラズマダイシングおよびプラズマアッシングを行うにはプラズマエッチング装置を用いることができる。プラズマエッチング装置は、半導体ウェハ１に対してドライエッチングを行い得る装置であって、真空チャンバ内に密閉処理空間をつくり、高周波側電極に半導体ウェハ１が載置され、その高周波側電極に対向して設けられたガス供給電極側からプラズマ発生用ガスが供給されるものである。高周波側電極に高周波電圧が印加されればガス供給電極と高周波側電極との間にプラズマが発生するため、このプラズマを利用する。発熱する高周波電極内には冷媒を循環させて、プラズマの熱による半導体ウェハ１の昇温を防止している。
　上記半導体チップの製造方法（半導体ウェハの処理方法）によれば、パターン面を保護する表面保護テープにプラズマダイシングにおけるマスク機能を持たせたことで、従来のプラズマダイシングプロセスで用いられていたレジストを設けるためのフォトリソ工程等が不要となる。特に表面保護テープを用いたため、マスクの形成に印刷や転写等の高度な位置合わせを要求される技術が不要であり、本発明のマスク一体型表面保護テープを簡単に半導体ウェハ表面に貼合でき、レーザー装置により簡単にマスクを形成できる。
　また、マスク材層３ｂをＯ２プラズマで除去できるため、プラズマダイシングを行う装置と同じ装置でマスク部分の除去ができる。加えてパターン面２側（表面Ｓ側）からプラズマダイシングを行うため、ピッキング作業前にチップの上下を反転させる必要がない。これらの理由から設備を簡易化でき、プロセスコストを大幅に抑えることができる。
＜第２実施形態［図６］＞
　本実施形態では第１実施形態における表面保護テープ３ａを剥離する工程の前に、マスク一体型表面保護テープ３に紫外線等の放射線を照射して粘着剤層を硬化させる工程を含む点で第１実施形態と異なる。その他の工程は第１実施形態と同じである。
　即ち、半導体ウェハ１の表面Ｓ側にはマスク一体型表面保護テープ３を貼合し、半導体ウェハ１の研削した裏面Ｂ側にはウェハ固定テープ４を貼合し、リングフレームＦに支持固定した（図２(ｃ)、図６(ａ)参照）後、表面Ｓ側からマスク一体型表面保護テープ３に向けて紫外線ＵＶを照射する（図６(ｂ)参照）。そして、マスク一体型表面保護テープ３の粘着剤層３ａｂを硬化させた後、表面保護テープ３ａを取り除いて（図６(ｃ)参照）マスク材層３ｂを剥き出しにする。そしてレーザーＬによりストリートに相当する部分のマスク材層３ｂを切除する工程に移る。
　本実施形態で用いるマスク一体型表面保護テープは、第１実施形態で示したマスク一体型表面保護テープ３の中でも紫外線等の放射線で硬化可能な材質を粘着剤層３ａｂに用いたものである。
　粘着剤層３ａｂを紫外線等で硬化させることにより、表面保護テープ３ａとマスク材層３ｂとの剥離が容易になる。
　上記各実施形態は本発明の一例であり、こうした形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に反しない限度において、各プロセスにおける公知のプロセスの付加や削除、変更等を行い得るものである。
　以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。
［実施例１］　マスク一体型表面保護テープの作製、半導体チップの製造
＜マスク一体型表面保護テープの作製＞
　メタクリル酸１．０ｍｏｌ％、２－エチルヘキシルアクリレート７８ｍｏｌ％、２－ヒドロキシエチルアクリレート２１ｍｏｌ％を混合し、溶液中で重合することにより重量平均分子量７０万の（メタ）アクリル系共重合体溶液を得た。
　得られた共重合体に２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（商品名：カレンズＭＯＩ、昭和電工株式会社製）を付加することで以下の物性の（メタ）アクリル共重合体を得た。（重量平均分子量：７０万、二重結合量：０．９０ｍｅｑ／ｇ、水酸基価：３３．５ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価：５．５ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：－６８℃）
　このエチレン性不飽和基含有（メタ）アクリル共重合体１００質量部に対し、硬化剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン工業株式会社製、イソシアネート系硬化剤）を２．０質量部、光重合開始剤としてイルガキュア１８４（ＢＡＳＦ社製）を５．０質量部配合し、粘着剤組成物Ａを得た。
　アクリル酸２０ｍｏｌ％、ブチルアクリレート７０ｍｏｌ％、メチルアクリレート１０ｍｏｌ％を混合し、溶液中で重合することによりアクリル系共重合体（重量平均分子量：４０万、水酸基価：０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価：４８．８ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：－２３℃）を合成した。
　このアクリル系共重合体の溶液に該共重合体１００質量部に対して、硬化剤としてＴＥＴＲＡＤ－Ｘ（三菱ガス化学株式会社製、エポキシ系硬化剤）を２．０質量部配合し粘着剤組成物Ｂを得た。
　上記粘着剤組成物Ａを剥離ライナー上に塗工し、形成された粘着剤層を厚さ１００μｍのＬＤＰＥ（低密度ポリエチレン）フィルムに貼り合せ、厚さ１３０μｍの紫外線硬化型表面保護テープ３ａを得た。
　更に粘着剤組成物Ｂを剥離ライナー上に乾燥後の厚みが１０μｍ厚となるように塗工し、当該紫外線硬化型表面保護テープ３ａの剥離ライナーを剥がして露出させた粘着剤層表面に貼り合せることで、総厚１４０μｍの紫外線硬化型のマスク材一体型表面保護テープ３を得た。
＜半導体チップの製造＞
　ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、スクライブライン（ストリート）付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
　その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後のウェハを、ＲＡＤ－２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することでマスク材層３ｂと表面保護テープ３ａとの間の密着力を低減させ、表面保護テープ３ａのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。ここで、マスク材層３ｂを残して表面保護テープ３ａのみを剥離できていることから、紫外線照射後において、マスク剤層と粘着剤層の密着力が、マスク剤層とウェハ間の密着力よりも低いことが分かった。
　次にＣＯ２レーザーでスクライブライン上のマスク剤の除去し、スクライブラインを開口した。
　その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ６ガスを用い、シリコンウェハを１５μｍ／分のエッチング速度で５分間、マスク材層側からプラズマ照射した。このプラズマダイシングによりウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ２ガスを用い、１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシングを行い、マスク剤を除去した。その後、ダイシングテープ側から紫外線を照射し（照射量２００ｍＪ／ｃｍ２）、ダイシングテープの粘着力を低減させ、チップをピックアップした。
　上記実施例１において、幅２５ｍｍのマスク一体型表面保護テープをシリコンウェハに貼合した。その後、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎで密着力を測定したところ、１．６Ｎ／２５ｍｍにおいてマスク剤層とウェハ表面との間での剥離が確認された。この結果により、マスク剤層と粘着剤層との間の密着力も１．６Ｎ／２５ｍｍ以上であることが確認された。
［実施例２］　マスク一体型表面保護テープの作製、半導体チップの製造
＜マスク一体型表面保護テープの作製＞
　ＳＧ－６００ＴＥＡ（商品名、ナガセケムテック社製、（メタ）アクリル系共重合体、重量平均分子量：１２０万、水酸基価：２０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価：０ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：－３２℃）１００質量部に対し、硬化剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン工業株式会社製）を２．０質量部配合し、粘着剤組成物Ｃを得た。
　得られた粘着剤組成物Ｃを剥離ライナー上に塗工し、形成された粘着剤層を厚さ１００μｍのＬＤＰＥ（低密度ポリエチレン）フィルムに貼り合せ、厚さ１３０μｍの感圧型の表面保護テープ３ａを得た。
　更に粘着剤組成物Ｂを剥離ライナー上に乾燥後の厚みが１０μｍ厚となるように塗工し、上記感圧型の表面保護テープの剥離ライナーを剥がした粘着剤層上に貼り合せることで総厚１４０μｍの感圧型のマスク一体型表面保護テープ３を得た。
＜半導体チップの製造＞
　ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、スクライブライン付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に上記で得られた感圧型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
　その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後の前記マスク剤付ウェハをＲＡＤ－２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に表面保護テープ３ａのみを剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。
　その後、紫外線照射を行わないこと以外は実施例１と同様にして、すなわち実施例１と同様にしてスクライブラインを開口し、プラズマダイシング、アッシングを行い、チップをピックアップした。
［実施例３］　マスク一体型表面保護テープの作製、半導体チップの製造
＜マスク一体型表面保護テープの作製＞
　メタクリル酸１．０ｍｏｌ％、ラウリルアクリレート５３ｍｏｌ％、２－ヒドロキシエチルアクリレート２６ｍｏｌ％、２－エチルヘキシルアクリレート２０ｍｏｌ％を混合し、溶液中で重合することにより重量平均分子量３０万の（メタ）アクリル系共重合体溶液を得た。
　得られた共重合体に２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（商品名：カレンズＭＯＩ、昭和電工株式会社製）を付加することで以下の物性の（メタ）アクリル共重合体を得た。（重量平均分子量：３０万、二重結合量０．５９ｍｅｑ／ｇ、水酸基価５５．６ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価５．５ｍｇＫＯＨ／ｇ、Ｔｇ：－２０℃）
　このエチレン性不飽和基含有（メタ）アクリル共重合体１００質量部に硬化剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン工業株式会社製）を２．０質量部、光重合開始剤としてイルガキュア１８４（ＢＡＳＦ社製）を５．０質量部配合し、粘着剤組成物Ｄを得た。
　上記粘着剤組成物Ｄを剥離ライナー上に塗工し、形成された粘着剤層を厚さ１００μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）とＬＤＰＥ（低密度ポリエチレン）積層フィルム（層構成２５μｍ：７５μｍ）のＬＤＰＥ層上に貼り合せ、厚さ１３０μｍの紫外線硬化型表面保護テープ３ａを得た。
　更に上記実施例１で調製した粘着剤組成物Ｂを剥離ライナー上に乾燥後の厚みが１０μｍ厚となるように塗工し、当該紫外線硬化型表面保護テープの剥離ライナーを剥がして露出させた粘着剤層表面に貼り合せることで、総厚１４０μｍの紫外線硬化型のマスク材一体型表面保護テープ３を得た。
＜半導体チップの製造＞
　ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、スクライブライン付シリコンウェハ（直径８インチ）表面に、上記で得られた紫外線硬化型のマスク一体型表面保護テープを貼り合わせた。
　その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク一体型表面保護テープを貼り合わせた面とは反対の面（ウェハの裏面）を、ウェハの厚さが５０μｍまで研削した。研削後のウェハを、ＲＡＤ－２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。更に紫外線硬化型のマスク一体型テープ側から高圧水銀ランプを用いて５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射することでマスク材層３ｂと表面保護テープ３ａとの間の密着力を低減させ、表面保護テープ３ａのみ剥離し、ウェハ上にマスク材層３ｂのみを残した。ここで、マスク材層３ｂを残して表面保護テープ３ａのみを剥離できていることから、紫外線照射後において、マスク剤層と粘着剤層の密着力が、マスク剤層とウェハ間の密着力よりも低いことが分かった。
　その後、実施例１と同様にして、スクライブラインを開口し、プラズマダイシング、アッシングを行い、紫外線を照射した後、チップをピックアップした。
　上記実施例３に置いて、幅２５ｍｍの一体型テープをシリコンウェハに貼合した。その後、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍｍ/ｍｉｎで密着力の測定を実施したところ２Ｎ／２５ｍｍにおいてマスク剤層とウェハ表面との間での剥離が確認された。この結果により、マスク剤層と粘着剤層との間の粘着力も２Ｎ／２５ｍｍ以上であることが確認された。
［比較例１］　フォトリソグラフィプロセスによるマスク形成、表面保護テープの作製、半導体チップの製造
＜マスク付ウェハの作製＞
　レーザーを用いてチップサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍ、スクライブライン幅７０μｍの８インチスクライブライン付シリコンウェハを作製した。ポジ型感光性材料を前記スクライブライン付シリコンウェハ上に塗布し、厚み１０μｍのレジストマスク層を形成した。フォトマスクを用いてスクライブライン上のみに紫外線を照射し、アルカリ性の現像液を用いてスクライブライン上のレジストを除去し、マスク付ウェハを作製した。
＜感圧型表面保護テープの作製＞
　ＫＰ－１９０９Ｂ（商品名、日本カーバイト社製）１００質量部に対して、硬化剤としてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン工業株式会社製）１．０質量部を配合し、粘着剤組成物を得た。
　この粘着剤組成物を厚さが３０μｍになるように剥離ライナー上に塗工し、厚み１００μｍのＬＤＰＥ（低密度ポリエチレン）フィルムのコロナ処理面に貼り合せ、厚さ１３０μｍの感圧型表面保護テープを得た。
＜半導体チップの製造＞
　ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、上記で調製したマスク付ウェハのマスク上に、上記で調製した感圧型表面保護テープを貼り合わせた。
　その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク付シリコンウェハの裏面を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後の前記マスク剤付シリコンウェハをＲＡＤ－２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。その後、感圧型表面保護テープを剥離した。
　その後、実施例１と同様にしてプラズマダイシングによりウェハをチップへと分割し、次いで実施例１と同様にしてアッシングによりマスクを除去し、更に、実施例１と同様にしてチップをピックアップした。
［比較例２］　フォトリソグラフィプロセスによりマスク形成、表面保護テープの作製、半導体チップの製造
＜マスク付ウェハの作製＞
　比較例１と同様にして、フォトリソグラフィプロセスによりマスク付シリコンウェハを作製した。
＜紫外線硬化型表面保護テープの作製＞
　メタクリル酸２０ｍｏｌ％、２－エチルヘキシルアクリレート３０ｍｏｌ％、２－ヒドロキシエチルアクリレート１０ｍｏｌ％、メチルアクリレート４０ｍｏｌ％を混合し、溶液中で重合することにより重量平均分子量６０万の（メタ）アクリル系共重合体の溶液を得た。
　上記（メタ）アクリル系共重合体の溶液に、該（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して、紫外線反応性樹脂として６官能のウレタンアクリレートオリゴマー（新中村化学工業株式会社製）を１００質量部および３官能のウレタンアクリレートオリゴマー（新中村化学工業株式会社製）を５０質量部、硬化剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン工業株式会社製）を４．０質量部、光重合開始剤としてイルガキュア１８４（ＢＡＳＦ社製）を１０質量部配合し、粘着剤組成物を得た。
　得られた粘着剤組成物を粘着剤層の厚みが３０μｍになるように透明な剥離ライナー上に塗工し、形成された粘着剤層を厚さ１００μｍのＬＤＰＥ（低密度ポリエチレン）フィルムのコロナ処理面に貼り合せ、厚さ１３０μｍの紫外線硬化型表面保護テープを得た。
＜半導体チップの製造＞
　ラミネータＤＲ８５００ＩＩＩ（商品名：日東精機（株）社製）を用いて、上記で調製したマスク付ウェハのマスク上に上記で調製した紫外線硬化型表面保護テープを貼り合わせた。
　その後、ＤＧＰ８７６０（商品名：ディスコ（株）社製）を用いて、前記マスク付ウェハの裏面を、ウェハの厚さが５０μｍになるまで研削した。研削後の前記マスク付ウェハをＲＡＤ－２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて、ウェハ裏面側からダイシングテープ上にマウントし、リングフレームにて支持固定した。その後、５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を表面保護テープの側から照射した後、紫外線硬化型表面保護テープを剥離した。
［試験例１］　表面保護テープの剥離性評価
　上記各実施例及び比較例の＜半導体チップの製造＞において、表面保護テープを剥離した際に要した力（剥離性）を下記評価基準により評価した。なお、表面保護テープの剥離はＲＡＤ－２７００Ｆ（商品名：リンテック（株）社製）を用いて行った。
－表面保護テープの剥離性の評価基準－
　◎：弱い力で簡単に表面保護テープのみを剥離することができた。
　○：剥離するのにやや強い力を要したが、表面保護テープのみを剥離することができた。
　×：剥離することができなかった。又は、マスク材層ごと剥離されてしまった。
［試験例２］　Ｏ２プラズマアッシングによるマスク材層の除去性評価
　上記各実施例及び比較例の＜半導体チップの製造＞において、Ｏ２プラズマアッシング（１．５μｍ／分のエッチング速度で１０分間アッシング）後のマスク材の残留の有無を、レーザー顕微鏡を用いて調べた。
－マスク材層の除去性の評価基準－
　○：マスク材層の残留が無い。
　×：マスク材層の残留が有る。
［試験例３］　スクライブライン上の糊残りの評価
　上記各実施例及び比較例の＜半導体チップの製造＞において、表面保護テープを剥離した後、ウェハ表面を顕微鏡で観察し、スクライブライン上の糊残りの有無を調べた。
－スクライブライン上の糊残りの評価基準－
　○：糊残りが無い。
　×：糊残りが有る。
　試験例１～３の結果を下表に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　上記各試験例の結果から、半導体ウェハを加工して半導体チップを製造するに際し、本発明のマスク一体型表面保護テープを用いることにより、半導体ウェハのパターン面にマスク一体型表面保護テープを貼り付け、当該テープから表面保護テープを剥離するだけで、糊残りを生じずに簡単にマスクを形成することができ、さらに、当該マスクはＯ２プラズマによってより確実に除去することができ、不良チップの発生を高度に抑制できることがわかった。
　本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。
　本願は、2015年11月9日に日本国で特許出願された特願2015-219737に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
　　１　半導体ウェハ
　　２　パターン面
　　３　マスク一体型表面保護テープ
　　　３ａ　表面保護テープ
　　　　３ａａ　基材フィルム
　　　　３ａｂ　粘着剤層
　　　３ｂ　マスク材層
　　４　ウェハ固定テープ
　　　４ａ　粘着剤層または接着剤層
　　　４ｂ　基材フィルム
　　７　チップ
　Ｓ　表面
　Ｂ　裏面
　Ｍ１　ウェハ研削装置
　Ｍ２　ピン
　Ｍ３　コレット
　Ｆ　リングフレーム
　Ｌ　レーザー（ＣＯ２レーザー）
　Ｐ１　ＳＦ６ガスのプラズマ
　Ｐ２　Ｏ２ガスのプラズマ

Claims (15)

  1. 　下記工程（ａ）～（ｄ）を含む半導体チップの製造に用いられるマスク一体型表面保護テープであって、当該マスク一体型表面保護テープが、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、該粘着剤層上に設けられたマスク材層とを有し、該マスク材層及び該粘着剤層がいずれも（メタ）アクリル系共重合体を含有する、マスク一体型表面保護テープ：
    （ａ）マスク一体型表面保護テープを半導体ウェハのパターン面側に貼り合せた状態で、該半導体ウェハの裏面を研削し、研削した半導体ウェハの裏面にウェハ固定テープを貼り合わせ、リングフレームで支持固定する工程、
    （ｂ）前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させた後、該マスク材層のうち半導体ウェハのストリートに相当する部分をレーザーにより切断して半導体ウェハのストリートを開口する工程、
    （ｃ）ＳＦ６プラズマにより半導体ウェハを前記ストリートで分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、及び、
    （ｄ）Ｏ２プラズマにより前記マスク材層を除去するアッシング工程。
  2. 　前記マスク一体型表面保護テープの粘着剤層が放射線硬化型である、請求項１記載のマスク一体型表面保護テープ。
  3. 　前記工程（ｂ）において、前記マスク一体型表面保護テープから前記基材フィルムと前記粘着剤層を一体に剥離してマスク材層を表面に露出させる前に、紫外線を照射して、前記粘着剤層を硬化させる工程を含み、
    　前記紫外線照射による硬化前において、マスク材層と半導体ウェハのパターン面との間の密着力、及び、マスク材層と粘着剤層との間の密着力が、いずれも０．２Ｎ／２５ｍｍ以上であり、
    　前記紫外線照射による硬化後において、マスク材層と粘着剤層との間の密着力が、マスク材層と半導体ウェハのパターン面との間の密着力よりも低い、請求項２記載のマスク一体型表面保護テープ。
  4. 　前記粘着剤層を構成する（メタ）アクリル系共重合体が側鎖にエチレン性不飽和結合を有する、請求項２又は３記載のマスク一体型表面保護テープ。
  5. 　前記の側鎖にエチレン性不飽和結合を有する（メタ）アクリル系共重合体を構成するモノマー成分中に、アルコール部の炭素数が８～１２の（メタ）アクリル酸アルキルエステル成分を含有する、請求項４記載のマスク一体型表面保護テープ。
  6. 　前記基材フィルムがポリオレフィン系樹脂層を有する、請求項１～５のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
  7. 　前記粘着剤層を形成する（メタ）アクリル系共重合体のガラス転移温度と前記マスク材層を形成する（メタ）アクリル系共重合体のガラス転移温度との差が１０℃以上である、請求項１～６のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
  8. 　前記マスク材層及び前記粘着剤層には硬化剤が用いられており、前記マスク材層に用いられた硬化剤と、前記粘着剤層に用いられた硬化剤の種類が異なる、請求項１～７のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
  9. 　前記マスク材層にはエポキシ系硬化剤が用いられ、前記粘着剤層にはイソシアネート系硬化剤が用いられている、請求項１～８のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
  10. 　前記マスク材層がフッ素系離型材を含有する、請求項１～９のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
  11. 　基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、該粘着剤層上に設けられたマスク材層とを有し、該マスク材層及び該粘着剤層がいずれも（メタ）アクリル系共重合体及び硬化剤を含有し、該粘着剤層が含有する硬化剤と該マスク剤層が含有する硬化剤の種類が異なる、マスク一体型表面保護テープ。
  12. 　前記マスク材層にはエポキシ系硬化剤が用いられ、前記粘着剤層にはイソシアネート系硬化剤が用いられている、請求項１１記載のマスク一体型表面保護テープ。
  13. 　前記マスク一体型表面保護テープの粘着剤層が放射線硬化型である、請求項１１又は１２記載のマスク一体型表面保護テープ。
  14. 　前記マスク材層がフッ素系離型材を含有する、請求項１１～１３のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
  15. 　前記マスク一体型表面保護テープがプラズマダイシング用である、請求項１１～１４のいずれか１項記載のマスク一体型表面保護テープ。
     
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