JP2013225647A - 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ - Google Patents

Abstract

【課題】テープを貼合したまま半導体ウェハ裏面を研削しても、ダストや水が浸入することなく１００μｍ以下の薄膜ウェハとすることができ、更にテープを貼合したままエッチング工程に使用できる半導体ウェハ表面保護用粘着テープを提供する。
【解決手段】基材フィルム上に粘着剤層を有し、基材フィルムが、総厚み５０〜２００μｍで、高弾性率層厚み：低弾性率層厚みの比が１：９〜５：５であり、高弾性率層が、粘着剤層の背面に配置され、かつポリプロピレンもしくは直鎖状のポリエチレンからなる厚み１０μｍ以上の層であり、低弾性率層が、酢酸ビニル含有率５〜２０質量％で、ＭＦＲが０．８〜１０ｇ／１０ｍｉｎのエチレン−酢酸ビニル共重合体からなり、粘着剤層の厚みが１０μｍ〜５０μｍであり、ＳＵＳ２８０研磨面に対する５０℃における加熱剥離時の粘着力又は５００ｍＪの紫外線照射後の粘着力の何れかが、１．０Ｎ／２５ｍｍ以下であって、かつ未加熱時または紫外線未照射時における粘着力の５０％以下である半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープに関する。さらに詳しくは、半導体ウェハを薄膜に研削する際に使用される表面保護用粘着テープに関する。

半導体パッケージは、高純度シリコン単結晶等をスライスして半導体ウェハとした後、イオン注入、エッチング等により該ウェハ表面に集積回路を形成して製造される。集積回路が形成された半導体ウェハの裏面を研削、研磨等することにより、半導体ウェハは所望の厚さにされる。この際、半導体ウェハ表面に形成された集積回路を保護するために、半導体ウェハ表面保護用粘着テープが用いられる。裏面研削された半導体ウェハは、裏面研削が終了した後に半導体ウェハカセットへ収納され、ダイシング工程へ運搬され、半導体チップに加工される。

従来は、裏面研削により半導体ウェハの厚さを２００〜４００μｍ程度まで薄くすることが行われていた。特にメモリ系デバイスについては薄膜化且つ大口径化が進んできており、１２インチの半導体ウェハを１００μｍ以下や５０μｍ以下まで研削することが多くなっていている。そこで大口径な薄膜化ウェハの搬送を実現するため、様々な装置の開発も進んでおり、インラインシステムと呼ばれる薄膜研削専用機や専用の製造方法（特許文献１参照）も数多く導入されてきている。

一方、ディスクリート系ウェハやパワー系ウェハは、メモリ系デバイスの様に積層されることがほとんどないため、メモリ系ウェハに比べると余り薄膜化が進んでこなかった。しかしながら近年、クラウドコンピューティング化や電力の一括管理などの要求が増えてきており、大容量の電流の制御のためにパワーデバイスやディスクリートデバイスの薄膜化が加速してきている。ディスクリート系デバイスは表面電極から裏面電極へ電流を流す構造となっており、半導体ウェハの厚みが薄くなるほど抵抗が減るため、高性能なデバイスとなる。要求性能の向上に伴い、１００μｍ以下に研削する必要性が増してきておりディスクリート系ウェハを薄膜研削する要求が増えてきている。

ディスクリート系デバイスはチップサイズが小さいため大口径化は進んでおらず、５インチ〜６インチの半導体ウェハが主流である。上記で述べたインラインの装置は８インチ以上に対応した専用機であるため、ディスクリー系ウェハは旧型の装置で研削が行われることがほとんどであり、また研削後の裏面をエッチングする工程を必須としていることから、研削直後にそのままダイシングテープやダイシングダイボンディングテープに貼られることがないため、実質上、インライン装置は使用されておらず反りに対する要求はメモリ系デバイスに比べて高くなっている。

これらの問題に対して、薄膜研削用表面保護テープとして様々な開発品が存在し、剛性基材であるＰＥＴ系基材を用いた開発品など（特許文献２、３参照）が多く開示されているが、エッチングまで実施すると基材が溶けたり変色してしまったりしてしまい、そのまま使用することが出来ない。また、メモリ系ウェハには段差が小さい半導体ウェハが多いが、ディスクリート系ウェハは段差が大きかったり、チップサイズが小さいために段差の数が極端に多いため、エッチング液の浸入を許してしまいデバイスを破壊してしまう問題が発生する。

更に、上記薄膜研削用表面保護テープの改良として粘着剤厚みを上げることでエッチング液の浸入をカバーするなどが試みられているが、粘着剤部分が酸に対して接触する機会が多くなり酸の中に粘着剤成分が溶け出すなどの問題を発生させてしまう。そのため、ディスクリート系ウェハを薄膜研削することは容易ではない。また、粘着層の厚みを増すことによって、凝集破壊のリスクが上がるため、糊残りのリスクも上がってしまい糊残り問題を発生させるという不良も発生する可能性があり、まだ満足できる解決へと至っていない。また、製造方法の改善（特許文献４参照）などが開示されているが、エッチング前に紫外線照射を行うと粘着力が低下し、半導体ウェハの種類によってはテープが剥がれたりする問題が発生しており満足できる解決には至っていない。更にエッチング方法による改善（特許文献５参照）についても開示されているが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材フィルムを単層で用いる方法においては硫酸を含むエッチング液に対する耐酸性が弱く、基材フィルムが腐食したりし、一方、ポリプロピレン（ＰＰ）基材フィルムを単層で用いる方法では、薄膜化された半導体ウェハの研削性悪化による半導体ウェハ割れ、およびエッジチッピングを引き起こし、剥離不良や糊残りをも発生させてしまうこともあり、いずれにおいても満足できる解決に至っていない。

特開号２００６−３５１７９０公報 特開号２０１１−１５１３５５公報 特開号２００３−２６１８４２公報 特開平５−１９５２５５公報 特開平４−２５１９３１公報

本発明は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープをディスクリート系ウェハやパワーデバイス系ウェハなどエッチング工程を必須とする半導体製造工程で使用される表面保護テープにおいて、該表面保護テープを貼合したまま該半導体ウェハ裏面を研削しても、ダストや水が浸入することなく１００μｍ以下の薄膜ウェハとすることができ、更に表面保護テープを貼合したままエッチング工程にも使用できる半導体ウェハ表面保護用粘着テープを提供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、粘着剤層の厚みを特定の厚みとし、半導体ウェハ表面保護用粘着テープのＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力の関係において、５０℃における加熱剥離時の粘着力または５００ｍＪの紫外線照射後の粘着力の何れかが、１．０Ｎ／２５ｍｍ以下であって、かつ未加熱時または紫外線未照射時における粘着力の５０％以下であり、しかも基材フィルムが特定の複合基材フィルム（基材フィルムの一部がポリプロピレンもしくは直鎖状のポリエチレン）を用いることにより上記課題を解決しうることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。

すなわち、本発明の課題は、以下の手段により解決された。
（１）基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、
前記基材フィルムが、総厚み５０μｍ〜２００μｍであって、高弾性率層と低弾性率層とからなる複合基材フィルムであり、該高弾性率層と該低弾性率層の厚みの比率（高弾性率層の厚み：低弾性率層の厚み）が１：９〜５：５の範囲であり、
前記高弾性率層が、前記粘着剤層の背面（基材フィルムの粘着剤層を塗工する面と反対面）に配置されており、かつポリプロピレンもしくは直鎖状のポリエチレンからなる厚み１０μｍ以上の層であり、
前記低弾性率層が、酢酸ビニル含有率５〜２０質量％であり、かつＭＦＲが０．８〜１０ｇ／１０ｍｉｎであるエチレン−酢酸ビニル共重合体からなり、
前記半導体ウェハ表面保護用粘着テープの前記粘着剤層の厚みが１０μｍ〜５０μｍであり、ＳＵＳ２８０研磨面に対する５０℃における加熱剥離時の粘着力または５００ｍＪの紫外線照射後の粘着力の何れかが、１．０Ｎ／２５ｍｍ以下であって、かつ未加熱時または紫外線未照射時における粘着力の５０％以下であることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（２）前記高弾性率層の樹脂が、密度０．９１０〜０．９７０ｇ／ｃｍ^３であり、かつＭＦＲが１０ｇ／１０ｍｉｎ以下の直鎖状のポリエチレンであることを特徴とする（１）に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
＿（３）前記基材フィルムの前記高弾性率層と前記低弾性率層を、接着剤の他材料を使用せず積層されてなることを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（４）前記粘着剤層が感圧型粘着剤であり、エッチング工程を含む半導体加工プロセスで用いられることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（５）前記基材フィルムのポリプロピレンもしくは直鎖状のポリエチレンが二軸延伸処理されていることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（６）タック力が６０〜２００ｋＰａであることを特徴とする（１）〜（５）のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（７）前記粘着剤層がエマルジョン系粘着剤であることを特徴とする（１）〜（６）のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（８）前記エマルジョン系粘着剤層中に水分散性イソシアネート架橋剤を含有しないことを特徴とする（７）に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。

本発明で上記の「粘着力」とは被着体に２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着し、１時間放置後、ＪＩＳ Ｂ ７７２１に適合する引張試験機を用いて、１８０度引き剥がし法により速度３００ｍｍ／ｍｉｎで測定した際の粘着力のことを言う。また、「未加熱時」、「紫外線未照射時」、「紫外線照射後」の測定条件は、いずれも２４℃、相対湿度５０％で得られた値である。なお、ＳＵＳ研磨面とはＪＩＳ Ｒ ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ Ｇ ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍ〜２．０ｍｍのＳＵＳ鋼板の面のことを言う。

本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを半導体ウェハ（例えばディスクリートウェハ）表面に貼合したまま該半導体ウェハ裏面を研削して、１００μｍ以下の薄膜ウェハとした場合であっても、ダストの浸入もなく、更に半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼合したままエッチング工程でも問題なく半導体ウェハを処理することができる。すなわち、ディッピング方式のエッチング工程においても酸の浸入を許すことなくウェハ裏面のポリッシュを行うことができ、更に該半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離する場合、糊残りなく容易に剥離可能である。

本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープの一実施形態を拡大して示す断面図である。 本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープの粘着力の測定方法の説明図である。

図面を参照して本発明の好ましい半導体ウェハ表面保護用粘着テープについて説明する。

以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルム２０の少なくとも片面に、少なくとも１種類の粘着剤２３が塗布され、粘着剤層を形成している。図１では、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの断面において、背面２１と前面２２の複数の層からなる基材フィルム２０と、粘着剤層２３からなる例を示している。

（粘着剤層）
本発明の粘着剤層２３は、１種類の粘着剤層からなるものでも、異なる２種類以上の複層の粘着剤層が積層されていてもよいが、粘着剤層の厚みは１０μｍ〜５０μｍである。１０μｍ未満では半導体ウェハ表面のスクライブライン等の段差に対応できないためダスト浸入やエッチング液の浸入を起こしてしまい表面を十分に保護することができない。一方、５０μｍを超えると粘着剤層の断面積が大きくなり、エッチング液へ粘着剤による溶けだしや凝集力不足による糊残り等の問題を発生させてしまう。また、粘着剤層の粘着剤は、感圧型または紫外線硬化型のいずれであってもよいが、感圧型の粘着剤が好ましい。感圧型粘着剤の場合は、剥離時に加熱して剥離されるため、５０℃における加熱剥離時のＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力が通常剥離時での粘着力と比較して５０％以下であり、かつ１．０Ｎ／２５ｍｍ以下である。一方、紫外線硬化型の粘着剤を用いる場合は、５００ｍＪの紫外線硬化後のＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力が紫外線硬化前の粘着力に対して同じく５０％以下であり、かつ１．０Ｎ／２５ｍｍ以下である。なお、紫外線硬化型の粘着剤では更に好ましくは１０％以下である。

粘着剤が紫外線硬化型である場合は、分子鎖中に二重結合を有するオリゴマーが用いられるが、分子量が小さいと凝集力が低いためエッチング溶液中に溶出しやすく、エッチング液の汚染に繋がる。オリゴマーとポリマーの割合を調整することでエッチング溶液への溶出を抑えることができるが、より好ましくはポリマー中に二重結合を有するポリマーを主成分とし、オリゴマーを含まない粘着剤である。粘着剤の主成分にオリゴマーを含まないようにすると粘着剤中の低分子量成分が減ることにより耐酸性に優れ、エッチング液への溶出を極力減らすことが可能となる。

粘着剤が感圧型である表面保護テープは、剥離される際に、通常は５０℃程度の熱がかけられる。加熱された際に粘着力を低下させることで剥離を容易にすることができる。このため、５０℃における加熱剥離時のＳＵＳ２８０研磨面に対する粘着力が通常剥離時（常法（２４℃）での剥離）での粘着力と比較して５０％以下になれば容易に剥離可能となる。

粘着剤層の厚みは、更に好ましくは２０μｍ〜４０μｍである。
この範囲にすることで、更に半導体ウェハの段差に追従でき、ダスト浸入を起さず、またエッジ浮きの発生もなく、エッチング液の浸入も回避される。また、厚みが厚すぎることによる高コスト化が避けられ、凝集破壊による糊残りもない。

本発明において、粘着剤層２３の主成分は（メタ）アクリル系ポリマーの共重合体であることが好ましく、（メタ）アクリル系ポリマーを使用することで粘着力の制御が容易になり、ゲル分率等をコントロールできるため、糊残りや有機物による汚染を少なくすることができる。（メタ）アクリル系ポリマーの共重合体としては、例えば特開２００３−８２３０７号公報に記載の（メタ）アクリル酸アルキルエステルを主成分とするモノマー混合物と、ラジカル重合性官能基を含みエチレンあるいはプロピレンオキサイド平均付加モル数が１５以下のノニオンアニオン系反応性乳化剤と、レドックス系重合開始剤によるエマルジョン重合（乳化重合）により得られるアクリルエマルジョン系重合体（ラテックスも包含する）を主成分とすることもできる。

粘着剤組成物は、アクリルエマルジョン系重合体を主成分とするものであって、主モノマーとしての（メタ）アクリル酸アルキルエステルと必要に応じてこれら主モノマーと共重合可能な他のモノマーをエマルジョン重合して得られる重合体を用いることができる。
ここで、主成分とは、粘着剤の重合体全質量のうち、５０質量％を超えることを意味するもので、６０〜１００質量％が好ましく、８０〜１００質量％がより好ましい。また主モノマーとは、重合体を構成する各モノマーのうち、最も多くの質量が組み込まれるモノマーを意味する。

重合反応させる主モノマーとして用いられる（メタ）アクリル酸のアルキルエステル系モノマーの具体例としては、例えば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸イソアミル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸イソデシルなどがあげられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。２種以上を混合して用いられることが好ましく、２種以上を混合することで様々な粘着剤としての機能を発揮させることができる。３種以上を混合することが更に好ましく、（メタ）アクリル酸メチル（メチルアクリレート）、アクリル酸ブチル（ブチルアクリレート）及び（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル（２−エチルヘキシルアクリレート）の３種を少なくとも共重合することが特に好ましい。とりわけ３種類のモノマーを共重合することで段差への追従性および糊残りを含む非汚染性の両立がより行いやすくなる。

更に、上記主モノマーの他に必要に応じてエマルジョン粒子の安定化、粘着剤層の基材への密着性の向上、また被着体への初期接着性の向上などを目的として、種々の共重合性モノマーを併用することができる。

上記の共重合性モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、クロトン酸、酢酸ビニル、スチレン、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、アクリロイルモルホリンなどがあげられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

また、粘着剤層２３のゲル分率の調整のため、アクリルエマルジョン系共重合体を重合する際に多官能モノマー成分を共重合することができる。この他の方法として、水分散性の架橋剤を混ぜることによってもゲル分率を調整することができる。水分散性架橋剤としては、主にエポキシ系の架橋剤が用いられる。水分散性架橋剤を用いることなくアクリルエマルジョン系共重合体を重合することが好ましく、残留した架橋剤による汚染をなくすことができる。

本発明に用いる粘着剤層において、粘着剤中のゲル分率は特に制限はないが、８０〜９９％が好ましく、９０〜９９％がより好ましい。
この場合のゲル分率はサンプルを１００ｍｍ×１２５ｍｍの大きさに切断し、試験片とした。この試験片を２３℃、６５％ＲＨ雰囲気下に２時間放置し、質量を測定した。次いで２４時間トルエンに浸漬した後、ゲルを取り出し完全に乾燥させて質量を測定した。乾燥後のゲルの質量とトルエン浸漬前粘着剤の質量からゲル分率を算出した値をいう。

上記の多官能モノマーとしては、例えばジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ジビニルベンゼンなどが挙げられる。

上記モノマー混合物に重合開始剤および界面活性剤（乳化剤）などを加え、通常のエマルジョン重合方法を用いてアクリルエマルジョン系重合体を合成する。エマルジョン重合は、一般的な一括重合、連続滴下重合、分割滴下重合など任意の方法を用いることができ、その方法は特に限定されるものではない。

界面活性剤としては、ラウリル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸アンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウムなどのアニオン系、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルなどのノニオン系界面活性剤などを併用することができる。これらの界面活性剤の中から、１種または２種以上が用いられるが、好ましくは２種以上の界面活性剤が併用して用いられる。ポリプロピレングリコール系化合物およびポリエチレンオキサイドアルキルフェニルエーテルを併用することが特に好ましく、これによって半導体ウェハへの有機物汚染を減らすことができる。

界面活性剤の配合量は全モノマー混合物１００質量部に対して０．５〜１０質量部、好ましくは１〜７質量部程度である。界面活性剤の配合量が１０質量部を超えると粘着剤の凝集力が低下して被着体への汚染量が増加し、また界面活性剤が粘着剤層の表面にブリードすることによる汚染も起こる場合がある。また乳化剤の配合量が０．５質量部未満では安定した乳化が維持できない場合がある。

重合開始剤としては、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２‐アミジノプロパン）ジヒドロクロライド、２，２’‐アゾビス（Ｎ，Ｎ’‐ジメチレンイソブチルアミジン）などのアゾ系化合物やその他に過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウムなどの過硫酸塩、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイドなどの過酸化物系化合物、過酸化水素水とアスコルビン酸、過酸化水素水と塩化第一鉄、過硫酸塩と亜硫酸水素ナトリウムなどのレドックス系重合開始剤などが挙げられる。

重合開始剤は、全モノマー混合物１００質量部あたり、０．０１〜１．０質量部の範囲で使用するのが望ましい。

また、（メタ）アクリル系ポリマーである（メタ）アクリル系共重合体の製造方法の１つとして、アクリル酸アルキルエステル等のモノマー（１）と、後述する硬化剤と反応しうる官能基を有するモノマー（２）を有機溶剤中で共重合する方法がある。

モノマー（１）としては、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

モノマー（２）としては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、フマル酸、マレイン酸、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、メタクリルアミド等が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。

（メタ）アクリル系共重合体は上記モノマー（１）と（２）を常法により溶液重合法によって共重合することで得られる。

アクリルエマルジョン系重合体の場合は、架橋剤なしでも使用できるが、溶剤中で重合した（メタ）アクリル系共重合体は、更に硬化剤を配合することによって粘着力が制御される。硬化剤の配合量を調整することで所定の粘着力を得ることができる。

硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力および凝集力を調整するために用いられるものである。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ系化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。

（基材フィルム）
本発明に用いられる基材フィルム２０は高弾性率層と低弾性率層の２層構成の複合基材フィルムである。高弾性率層は、粘着剤層が塗工される面とは逆面（背面）に配置される。複合基材フィルムの厚みは、５０μｍ〜２００μｍであり、８０μｍ〜１５０μｍがより好ましい。
なお、通常、メモリ系のデバイスの場合は表面保護テープの剥離前にダイシングテープの貼合やダイシングダイボンディングフィルム（ＤＤＦ）の貼合が行われる。一方、エッチング工程を必要とするデバイスの場合は、研削後にエッチング処理を行う必要があるためインラインの装置が使用できず、また比較的厚みが厚かったり、サポート板を用いてエッチングやバックメタル処理が行われることもあるため、表面保護テープ剥離後にダイシングテープにマウントされる。ＤＤＦを貼り付ける際には８０℃程度の熱がかかることが一般的であるため、表面保護テープの背面側に耐熱性を有する基材フィルムが必須である。表面保護テープで回路面を保護したままエッチングする場合、酸との接触面積は基材フィルム背面が最も広いため、表面保護テープ背面側に耐エッチング性を有する基材フィルムがある程度の厚みで必須となる。またその際にエッチングレートをコントロールするためにエッチング液を加熱することもあるため、更に耐熱性が必要となる場合も少なくない。

以上の性能を備える必要があることから、高弾性率層の材質として、本発明では、ポリプロピレン（ＰＰ）もしくは直鎖状のポリエチレン（ＰＥ）を必須材料としている。ポリプロピレンもしくは直鎖状のポリエチレンはその分子構造上、極性が小さいため耐水性が高く、また極性を持った酸に強いと推測される。そのため、エッチングの際に、硫酸などの強酸の割合が増加しても半導体ウェハへの酸の浸透を防ぐことができる。特に硫酸の割合が多いときにこの効果は顕著に現れる。これに対し、極性の高いＰＥＴフィルムなどは酸の浸入を許してしまう。
なお、ＰＰや直鎖状のＰＥのような高弾性率層を基材フィルム背面に用いた場合、研削後の反りの性能が悪化する。高弾性率層の構成比率が大きくなるほど反りが大きくなるため、薄膜研削後の反りと耐熱性、耐エッチング性をかね揃えるため、高弾性率層と低弾性率層の厚みの比（高弾性率層の厚み：低弾性率層の厚み）は、本発明においては、１：９〜５：５である。高弾性率層の比が５を超えると反りが大きくなり搬送エラー等が発生してしまう。また、逆に１未満になると耐熱性および耐エッチング性が不足してしまう。
また、高弾性率層の厚みは１０μｍ以上であり、１０μｍ〜５０μｍがより好ましい。

更に、使用されるポロプロピレンは延伸処理したものが好ましい。延伸させることで強度が上がるためである。延伸としては二軸延伸が好ましく、両方向に延伸することで製膜の際の残留応力を緩和することができるため、半導体ウェハ裏面研削後の反り量を減らすことができ、薄膜研削後の搬送工程に於いてもエラーを起こすことなく搬送可能となる。この延伸処理ポリプロピレンは、アニール等により製造できるが、市販品としてもアルファイン（商品名、王子特殊製紙株式会社製）、ＯＰ−Ｕ１（商品名、三井化学東セロ株式会社製）、パイレン（登録商標、東洋紡績株式会社）フィルムなどが入手できる。

直鎖状のポリエチレンとは、直鎖状にエチレンを重合させたものを言い、主に高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）および直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）の２種類が存在する。直鎖状のポリエチレンは中圧法または低圧法によって製造され、低圧法では例えばチーグラー法が挙げられる。チーグラー法では、チーグラー・ナッタ触媒であるトリエチルアルミニウム−四塩化チタン固体複合物を触媒とし、パラフィンやナフテンまたは低級脂肪族炭化水素などを溶剤とし、エチレンを常圧または数気圧程度の圧力を掛けながら溶媒中に吹き込み、６０〜１００℃程度の溶液温度下で重合する。得られたスラリー状重合物は、その後水で洗浄して溶剤を分離回収し、乾燥させて得られる。中圧法ではフィリップス法とスタンダード法があり、フィリップス法ではシリカ‐アルミナ・六価クロムを触媒、パラフィンやナフテンまたはヘキサンなどを溶剤としエチレンを３０〜４０気圧・１００〜１７５℃の環境下で重合する。スタンダード法ではガンマ−アルミナ・酸化モリブデンを触媒とし、１５〜１５０気圧・１５０〜２５０℃の環境下で重合する。その後、その後、残留モノマーを分離し、冷却後に溶剤をろ過回収して得られる。

これら直鎖状のポリエチレンの密度（ｇ／ｃｍ^３）は０．９１０〜０．９７０が好ましく、０．９４５〜０．９６９がより好ましい。密度が０．９７以上になると非常に脆くなるため製造性およびフィルム物性が悪化することがあり、密度が０．９１０未満である場合は、耐酸性に欠けてしまう場合がある。このものは、例えば旭化成エンジニアリング社、日本ポリエチレン社、東ソー社、日本ユニカー社、プライムポリマー社が製造する直鎖状に重合したポリエチレン樹脂をＴダイによって押出し成形することで製造することができる。また、成形したフィルムをアニール処理によって二軸延伸処理することもできる。本発明で使用する直鎖状のポリエチレンは二軸延伸処理されものが好ましい。

直鎖状のポリエチレンのメルトマスフローレイト（ＭＦＲ）は１０ｇ／１０ｍｉｎ以下が好ましい。ＭＦＲが１０ｇ／１０ｍｉｎ以上である場合には、分子量分布が広く低分子量成分も多いため流動性が高く、エッチングの際に酸に侵される可能性が高い。また、製膜時の厚み精度も悪くなる傾向にある。

本発明の低弾性率層には、酢酸ビニル含有率が５〜２０質量％で、かつＭＦＲが１〜１０ｇ／１０ｍｉｎのエチレン−酢酸ビニル共重合体を使用する。なお、低弾性率層に特開２００４−１８６４２９号公報に記載のものを用いると反りの悪化や研削後の厚み精度の悪化を招き、最悪の場合は半導体ウェハ割れが発生する。
エチレン−酢酸ビニル共重合体を用いることで研削後も良好な半導体ウェハの厚み精度を実現可能となり、また反りも抑制するため薄膜研削用材料として最適となる。
エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含有率は、上記のように５〜２０質量％であるが、この含有率が減っていくと通常のポリエチレンに近づくため反りが悪化してしまい、逆に２０質量％を超えると融点が低すぎるため、基材フィルムの製膜時にブロッキングが発生したり厚み精度が悪化してしまったりする。

エチレン−酢酸ビニル共重合体のＭＦＲは０．８〜１０ｇ／１０ｍｉｎであるが、ＭＦＲが０．８ｇ／１０ｍｉｎ未満になると押出し成形しにくく厚み精度を悪化させてしまい、逆に１０ｇ／１０ｍｉｎを超えると押出し中にスクリュー内に樹脂が滞留してしまいやすく樹脂やけや、フィッシュアイを発生させてしまう。
複層基材フィルムの直鎖状のポリエチレンまたはエチレン−酢酸ビニル共重合体からなる高弾性率層は、接着剤などの他材料等を使用せずにフィルム化することが望ましい。好ましくは、低弾性率層と同時に押出すことで接着剤成分のエッチング液への溶出や貼り合せにかかる応力による反りの影響を抑制することができる。接着剤なしで成形する方法としては、スクリューを用いて同時に押出し、冷却ロールにて一気に冷やすことで積層するなどの方法が挙げられる。

本発明の基材フィルム上に上記の粘着剤層を形成するためには、基材フィルムの少なくとも片面に、少なくとも１種類の粘着剤を任意の方法で塗布すればよい。粘着剤層の厚さは、前述のように、１０〜５０μｍが好ましい。また、基材フィルムと粘着剤層の間に、必要に応じてプライマー層などの中間層を設けてもよい。

また、必要に応じて、実用に供するまでの間、粘着剤層を保護するため通常セパレータとして用いられる合成樹脂フィルムを粘着剤層側に貼付しておいてもよい。

本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープのタック力は６０〜４５０ｋＰａであることが好ましく、６０〜２００ｋＰａであることがより好ましい。
タック力を、上記範囲、好ましくは６０〜２００ｋＰａに調整することで、ウェハエッジ部の浮きの発生が防止され、ダストやエッチング液が浸入しにくくなる。なお、タック力を大きくしすぎると、貼合機のロールに接触した際に剥がれにくいため、貼合エラーを度々起こすことになり、作業性の悪化を招くことになる。
ここでタック力はレスカ社製のプローブ型タッキング試験機により、３ｍｍφ円柱プローブを３０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、停止荷重１００ｇで１秒間保持後に６００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げる際の荷重を測定することができる。

以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

＜実施例１＞
密度０．９１０ｇ／ｃｍ^３であるポリプロピレン（ＰＰ）の厚みを１０μｍ、酢酸ビニル含有率（ＶＡコンテント）を１０質量％、ＭＦＲを９ｇ／１０ｍｉｎとしたエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）の厚みを９０μｍとして共押出加工によってフィルム化を行い、総厚１００μｍの２層からなる複層基材フィルム（１）を製膜した。また、製膜の際にＥＶＡ面側にコロナ処理を行い、粘着剤との密着性を向上させた。
脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてアリル基を付加させたポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら攪拌した。次いでメチルメタクリレートを１７質量部、ブチルアクリレートを４０質量部、２−エチルヘキシルアクリレートを４１質量部、メタクリル酸グリシジルを２質量部、攪拌溶液に滴下し、さらに攪拌を続け重合を行い、アクリルエマルジョン粘着剤組成物Ａを得た。
２５μｍの離型剤塗工済ＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ａを乾燥後の厚みが３０μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム（１）のＥＶＡ側に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚１５５μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例２＞
２軸延伸を行った密度０．９１０ｇ／ｃｍ^３である４０μｍ厚のポリプロピレンフィルム（ＰＰ）であるトレファン（登録商標）２５７８（商品名、東レ株式会社製）と酢酸ビニル含有量２０質量％、ＭＦＲ０．８ｇ／１０ｍｉｎのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を４０μｍ厚に押出加工及び両面にコロナ処理を行った基材フィルムを接着剤によりドライラミネートを行い、総厚８０μｍの複層基材フィルム（２）を得た。
実施例１と同様に粘着剤組成物Ａを乾燥後の厚みが５０μｍとなるように２５μｍ厚の離型剤塗工済ＰＥＴセパレータに塗工し、複層基材フィルム（２）のＥＶＡ側に貼り合わせて総厚１５５μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例３＞
密度０．９６４ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ１５ｇ／１０ｍｉｎである高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）を押出加工によって２０μｍ厚にフィルム化を行い、その後アニール処理を行った。酢酸ビニル含有量６質量％、ＭＦＲ２．５ｇ／１０ｍｉｎのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を押出加工し厚み８０μｍのＥＶＡフィルムを得た。ＨＤＰＥフィルムとＥＶＡフィルムを、接着剤を用いてドライラミネートを行い、総厚１００μｍの複層基材フィルム（３）を得た。その後、粘着剤との密着性を向上させるためＥＶＡ面にコロナ処理を行った。
アクリル系ポリマーであるＡＴＲ−３４０（サイデン化学社製）を１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を０．８質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Ｂを得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ｂを乾燥後の厚みが２０μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム（３）に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚１５５μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例４＞
密度０．９１０ｇ／ｃｍ^３であるポリプロピレン（ＰＰ）を３３μｍ厚で、酢酸ビニル含有量５質量％、ＭＦＲ２．８ｇ／１０ｍｉｎのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を７７μｍ厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚１１０μｍの２層からなる複層基材フィルム（４）を製膜した。その後、ＥＶＡ面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
エネルギー線硬化型共重合体として、ブチルアクリレート６５質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート３０質量部、メチルメタクリレート５質量部からなる質量平均分子量７００，０００のアクリル系共重合体の２５％酢酸エチル溶液１００質量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアナート８質量部（アクリル系共重合体の官能基１００当量に対して８０当量）とを反応させ、該エネルギー線硬化型アクリル共重合体を得た。このアクリル共重合体１００質量部に対して、対してイソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２質量部、光重合開始剤イルガキュア１８４（商品名、チバジャパン社製）を５質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し紫外線硬化型の粘着剤組成物Ｃを得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ｃを乾燥後の厚みが２０μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム（４）に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚１５５μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例５＞
密度０．９２３ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ８ｇ／１０ｍｉｎである直鎖状の低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）ＧＡ７０１（住友化学社製スミカセン−Ｌ）を１５μｍ厚で、酢酸ビニル含有量１０質量％、ＭＦＲ１０ｇ／１０ｍｉｎのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を１３５μｍ厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚１５０μｍの２層からなる複層基材フィルム（５）を製膜した。その後、ＥＶＡ面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
アクリル系ポリマーであるポリシック４１０−ＳＡ（三洋化成社製）を１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を６．５質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Ｄを得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ｄを乾燥後の厚みが３０μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム（５）に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚２０５μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例６＞
密度０．９６５ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ５ｇ／１０ｍｉｎである高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）を２０μｍ厚で、酢酸ビニル含有量１９質量％、ＭＦＲ２．５ｇ／１０ｍｉｎのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を１８０μｍ厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚２００μｍの２層からなる複層基材フィルム（６）を製膜した。その後、ＥＶＡ面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
アクリル系ポリマーであるＳ−１６０５（商品名、東亜合成社製）を１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２．２質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Ｅを得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ｅを乾燥後の厚みが１０μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム（６）に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚２３５μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜実施例７＞
密度０．９５２ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ２１ｇ／１０ｍｉｎである高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）を２０μｍ厚で、酢酸ビニル含有量１４質量％、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を３０μｍ厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚５０μｍの２層からなる複層基材フィルム（７）を製膜した。その後、ＥＶＡ面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
２−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体である質量平均分子量７０万のアクリル系ベース樹脂１００質量部に対してイソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を４質量部、オリゴマーとして光重合性炭素−炭素二重結合を有するテトラメチロールメタンテトラアクリレート１５０部、光重合開始剤イルガキュア１８４（商品名、チバジャパン社製）を５質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Ｆを得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ｆを乾燥後の厚みが３０μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム（７）に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚１０５μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜比較例１＞
アクリル系ポリマーであるアクリセットＡＳＴＲ−２２８ＳＮ（日本触媒社製）を１００質量部に対して、イソシアネート系架橋剤Ｄ−９０（商品名、綜研化学社製）を１．５質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Ｇを得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ｇを乾燥後の厚みが４０μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、厚み５０μｍのポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルムに貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚１１５μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜比較例２＞
酢酸ビニル含有量５質量％のエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルムを押出加工によって厚み５０μｍの単層基材フィルム（８）を製膜し、粘着剤を塗工する面にコロナ処理を行った。
アクリル系ポリマーである商品名ジーエスタックＰ−１０００（三洋化成社製）を１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１質量部配合及びエポキシ系硬化剤ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱ガス化学社製）を０．１質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Ｈを得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ｈを乾燥後の厚みが１０μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、単層基材フィルム（８）に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚８５μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜比較例３＞
密度０．９１０ｇ／ｃｍ^３であるポリプロピレン（ＰＰ）を５μｍ厚で、酢酸ビニル含有量１９質量％、ＭＦＲ２．５ｇ／１０ｍｉｎのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を７５μｍ厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚８０μｍの２層からなる複層基材フィルム（９）を製膜した。その後、ＥＶＡ面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
２−エチルヘキシルアクリレート、ブチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体である分子量３０万のアクリル系ベース樹脂１００質量部に対してイソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２質量部、オリゴマーとして光重合性炭素−炭素二重結合を有するテトラメチロールメタンテトラアクリレート１５０質量部、光重合開始剤イルガキュア１８４（商品名、チバジャパン社製）を５質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Ｉを得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ｉを乾燥後の厚みが５５μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム（９）に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚１６０μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜比較例４＞
ポリプロピレン（ＰＰ）を押出加工によって厚み１１０μｍの単層基材フィルム（１０）を得た。その後、粘着剤を貼り合わせる面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
アクリル系ポリマーであるＳ−１６０５（商品名、東亜合成社製）を１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２．２質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Ｅを得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ｅを乾燥後の厚みが５μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、単層基材フィルム（１０）に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚１４０μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜比較例５＞
密度０．９５２ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ２１ｇ／１０ｍｉｎである高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）を１９８μｍ厚で、酢酸ビニル含有量６質量％、ＭＦＲ２．５ｇ／１０ｍｉｎのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を２２μｍ厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚２２０μｍの２層からなる複層基材フィルム（１１）を製膜した。その後、ＥＶＡ面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
アクリル系ポリマーであるＳ−１６０５（東亜合成社製）を１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を０．５質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Ｊを得た。
５０μｍのＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ｊを乾燥後の厚みが９０μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム（１１）のＥＶＡ側に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚３３５μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜比較例６＞
アクリル系ポリマーである商品名ジーエスタックＰ−１０００（三洋化成社製）を１００質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を０．５質量部配合及びエポキシ系硬化剤ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱ガス化学社製）を３．０質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し、粘着剤組成物Ｋを得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ｋを乾燥後の厚みが１５μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、厚み５０μｍのポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）の単層基材フィルム（１２）に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚９０μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

＜比較例７＞
密度０．９６５ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ５ｇ／１０ｍｉｎである高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）を２０μｍ厚で、酢酸ビニル含有量３０質量％、ＭＦＲ３２ｇ／１０ｍｉｎのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を８０μｍ厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚２００μｍの２層からなる複層基材フィルム（１２）を製膜しようとしたが、ＥＶＡ層のベタつきが強く、ロール等に接着してしまいフィルム化ができなかった。

＜比較例８＞
密度０．９６５ｇ／ｃｍ^３、ＭＦＲ５ｇ／１０ｍｉｎである高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）を１０８μｍ厚で、酢酸ビニル含有量６質量％、ＭＦＲ２．５ｇ／１０ｍｉｎのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を７２μｍ厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚１８０μｍの２層からなる複層基材フィルム（１３）を製膜した。その後、ＥＶＡ面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
エネルギー線硬化型共重合体として、ブチルアクリレート６５質量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート３０質量部、メチルメタクリレート５質量部からなる質量平均分子量７００，０００のアクリル系共重合体の２５％酢酸エチル溶液１００質量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアナート８質量部（アクリル系共重合体の官能基１００当量に対して８０当量）とを反応させ、該エネルギー線硬化型アクリル共重合体を得た。このアクリル共重合体１００質量部に対して、対してイソシアネート系架橋剤コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を２質量部、光重合開始剤イルガキュア１８４（商品名、チバジャパン社製）を５質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し紫外線硬化型の粘着剤組成物Ｃを得た。
２５μｍのＰＥＴセパレータ上に粘着剤組成物Ｃを乾燥後の厚みが２０μｍになるように塗布し、１２０℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム（１３）に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚２２５μｍのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。

上記の実施例および比較例で作製した半導体ウェハ表面保護用粘着テープについて、以下の試験を行い、その性能を評価した。評価結果を下記表１および表２に記載した。

１．研削性試験
貼り付け機として日東精機株式会社製ＤＲ８５００ＩＩ（商品名）を用いて、８インチ半導体ウェハの厚さが７２５μｍ上に約１０μｍ厚のポリイミド膜を形成し、更に幅２００μｍ、深さ５μｍ程度のスクライブラインを約１ｍｍ間隔で格子状に形成した半導体ウェハを、更にプラズマエッチング処理を行い、表面を改質させた半導体ウェハに実施例および比較例で作製した半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼合した。その後、インライン機構を持つグラインダー（株式会社ディスコ製ＤＦＧ８７６０（商品名））を使用して厚さ１００μｍ厚みまでそれぞれ２５枚の半導体ウェハの研磨を行い、以下の基準で評価した。

（薄膜研削性評価基準）
エッジクラックがほとんどなく、２５枚全ての半導体ウェハで研削可能であったもの：○
エッジクラックが若干見られるもののウェハに割れはなく研削できたもの、または２５枚の半導体ウェハ中割れが１枚〜２枚であったもの：△
半導体ウェハが３枚以上割れたもの：×

（ダスト浸入評価基準）
スクライブラインにダスト又は研削水が浸入しなかったもの：○
スクライブラインにダスト又は研削水が浸入したもの：×

（反り評価基準）
搬送エラーが全く発生せず、反り量が１５ｍｍ未満であったもの：○
搬送エラーが全く発生せず又は１０％以下であり、反り量が１５ｍｍ以上であったもの：△
搬送エラーが１０％以上発生したもの：×

２．剥離性評価
研削実験で１００μｍ厚まで研削した半導体ウェハを、インライン機構を持つマウンターＲＡＤ２７００にて剥離実験を行った。剥離の際、感圧型粘着剤を適用した表面保護用粘着テープについては５０℃での加熱剥離を、紫外線硬化型粘着剤を適用した表面保護用粘着テープについては紫外線を照射量：５００ｍＪの照射を行った後、紫外線硬化型粘着剤は２４℃で、感圧型粘着剤は５０℃での加熱剥離を行った。以下の基準で評価した。
そのまますべて剥離可能であったもの：○
剥離エラーや剥離できなかったもの：×

３．糊残り評価
剥離実験にて剥離を行った半導体ウェハ表面の観察を行い、糊残りの有無を評価した。
糊残り無し：○
糊残り有り：×

４．ＳＵＳ♯２８０の粘着力
実施例および比較例の半導体ウェハ表面保護用粘着テープから幅２５ｍｍ×長さ３００ｍｍの試験片を３点採取し、その試験片１について、図２に示す方法で、ＪＩＳ Ｒ ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ Ｇ ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍ〜２．０ｍｍのＳＵＳ鋼板２上に２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着し、１時間放置後、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳ Ｂ ７７２１に適合する引張試験機３を用いて粘着力を測定した。図中、矢印は引張方向を示す。測定は、１８０度引きはがし法によるものとし、この時の引張速さは３００ｍｍ／ｍｉｎとした。

５．加熱剥離のＳＵＳ♯２８０の粘着力
上記方法と同様の手順で５０℃に加熱しながら剥離を行った時の粘着力を測定した。なお、紫外線硬化型粘着剤については、紫外線を照射量：５００ｍＪの照射を行った後、紫外線硬化型粘着剤は２４℃で、感圧型粘着剤は５０℃での加熱剥離を行った。

６．エッチング評価
体積比率で硫酸：硝酸：フッ酸を８５：１３：２の割合で混合し、エッチング溶液を調整した。
（エッチング液浸入実験）
研削実験にて用いたものと同様の表面形状のスクライブラインを形成したミラーウェハに日東精機株式会社製ＤＲ８５００ＩＩ（商品名）を用いて実施例および比較例で作成した表面保護用粘着テープ貼合を行った。配合した３０℃のエッチング液に表面保護付ウェハを浸漬し、１５分間ウェハの裏面エッチングを行った。
エッチング液が浸入しなかったもの：○
エッチング液がスクライブライン又は基材面から浸入したもの：×

７．基材フィルム耐酸性実験
６インチのミラーウェハ上ｐＨ試験紙を載せ、日東精機株式会社製ＤＲ８５００ＩＩ（商品名）を用いて実施例及び比較例で作成した表面保護用粘着テープ貼合を行った。ｐＨ試験紙上に配合したエッチング液を滴下し、３０分間室温にて放置を行った。
ｐＨ試験紙の色が変化しなかったもの：○
ｐＨ試験紙の色が変化したもの：×

８．タック試験
タッキング試験機（商品名：ＴＡＣＩＩ、レスカ製）を用いて、試験片の基材フィルム背面側（粘着剤塗工面と反対側）に、３ｍｍφ円柱状プローブを３０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、停止荷重１００ｇで１秒間保持後に６００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げる際の荷重を測定し、タック力を求めた。

なお、下記表１、２中の「層比率（高弾性層：低弾性層）」は、高弾性率層と低弾性率層の厚みの比である。

表１および表２で示すように、実施例１〜７では薄膜に研削したポリイミド膜改質ウェハで全て剥離可能であり、糊残りも見られず、エッチング液の侵入等も見られなかった。一方、比較例１〜８では薄膜研削時に割れ発生、糊残り、剥離不良、ダスト浸入、エッチング液の浸入もしくは基材フィルムを通しての半導体ウェハ面へのエッチング液の染込みのいずれかが起こってしまった。具体的には、比較例１、２、３は基材フィルムの耐酸性が悪く、エッチング液が侵入し、基材フィルムとして作用しなかった。また、粘着剤層の厚みが厚いため、比較例３、５はエッチング液へ粘着剤の溶出も発生したためか半導体ウェハの表面端部がエッチング液による汚染が見られた。さらに、比較例３および５ではエッチャントで侵されたため、エッジ部に糊残りが生じた。また、エッチング液で汚染された部分の光反応開始剤が分解したためか、比較例３では紫外線硬化型粘着剤では端部の剥離が重くなってしまい、剥離不良も発生する結果となった。比較例４では粘着剤の厚みが５μｍと非常に薄いため、ダスト浸入およびエッチング液の浸入が起きた。比較例５では、粘着剤層の厚みが９０μｍと非常に厚いため、剥離の際に凝集力不足による糊残りが発生し、更に加熱剥離を行っても高粘着であるため、テープ剥離不良が生じた。比較例６では基材フィルムのエッチング液に対する耐酸性が悪く、半導体ウェハの保持力、研削性が全く不良で、粘着テープの機能をなさなかった。比較例７については基材フィルムの製膜ができなかった。比較例８は反り量が大きいため、搬送エラーが頻発して発生し、半導体ウェハが落下して割れてしまう不具合も発生した。

１ 粘着テープ試験片
２ ＳＵＳ鋼板
３ 引張試験機
２０ 基材フィルム
２１ 背面
２２ 前面
２３ 粘着剤層

Claims (8)

1. 基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、
   前記基材フィルムが、総厚み５０μｍ〜２００μｍであって、高弾性率層と低弾性率層とからなる複合基材フィルムであり、該高弾性率層と該低弾性率層の厚みの比率（高弾性率層の厚み：低弾性率層の厚み）が１：９〜５：５の範囲であり、
   前記高弾性率層が、前記粘着剤層の背面（基材フィルムの粘着剤層を塗工する面と反対面）に配置されており、かつポリプロピレンもしくは直鎖状のポリエチレンからなる厚み１０μｍ以上の層であり、
   前記低弾性率層が、酢酸ビニル含有率５〜２０質量％であり、かつＭＦＲが０．８〜１０ｇ／１０ｍｉｎであるエチレン−酢酸ビニル共重合体からなり、
   前記半導体ウェハ表面保護用粘着テープの前記粘着剤層の厚みが１０μｍ〜５０μｍであり、ＳＵＳ２８０研磨面に対する５０℃における加熱剥離時の粘着力または５００ｍＪの紫外線照射後の粘着力の何れかが、１．０Ｎ／２５ｍｍ以下であって、かつ未加熱時または紫外線未照射時における粘着力の５０％以下であることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
2. 前記高弾性率層の樹脂が、密度０．９１０〜０．９７０ｇ／ｃｍ^３であり、かつＭＦＲが１０ｇ／１０ｍｉｎ以下の直鎖状のポリエチレンであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
3. 前記基材フィルムの前記高弾性率層と前記低弾性率層を、接着剤の他材料を使用せず積層されてなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
4. 前記粘着剤層が感圧型粘着剤であり、エッチング工程を含む半導体加工プロセスで用いられることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
5. 前記基材フィルムのポリプロピレンもしくは直鎖状のポリエチレンが二軸延伸処理されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
6. タック力が６０〜２００ｋＰａであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
7. 前記粘着剤層がエマルジョン系粘着剤であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
8. 前記エマルジョン系粘着剤層中に水分散性イソシアネート架橋剤を含有しないことを特徴とする請求項７に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。

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