JP2013225647A - 半導体ウェハ表面保護用粘着テープ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材フィルム上に粘着剤層を有し、基材フィルムが、総厚み50〜200μmで、高弾性率層厚み:低弾性率層厚みの比が1:9〜5:5であり、高弾性率層が、粘着剤層の背面に配置され、かつポリプロピレンもしくは直鎖状のポリエチレンからなる厚み10μm以上の層であり、低弾性率層が、酢酸ビニル含有率5〜20質量%で、MFRが0.8〜10g/10minのエチレン−酢酸ビニル共重合体からなり、粘着剤層の厚みが10μm〜50μmであり、SUS280研磨面に対する50℃における加熱剥離時の粘着力又は500mJの紫外線照射後の粘着力の何れかが、1.0N/25mm以下であって、かつ未加熱時または紫外線未照射時における粘着力の50%以下である半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【選択図】なし
Description
(1)基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、
前記基材フィルムが、総厚み50μm〜200μmであって、高弾性率層と低弾性率層とからなる複合基材フィルムであり、該高弾性率層と該低弾性率層の厚みの比率(高弾性率層の厚み:低弾性率層の厚み)が1:9〜5:5の範囲であり、
前記高弾性率層が、前記粘着剤層の背面(基材フィルムの粘着剤層を塗工する面と反対面)に配置されており、かつポリプロピレンもしくは直鎖状のポリエチレンからなる厚み10μm以上の層であり、
前記低弾性率層が、酢酸ビニル含有率5〜20質量%であり、かつMFRが0.8〜10g/10minであるエチレン−酢酸ビニル共重合体からなり、
前記半導体ウェハ表面保護用粘着テープの前記粘着剤層の厚みが10μm〜50μmであり、SUS280研磨面に対する50℃における加熱剥離時の粘着力または500mJの紫外線照射後の粘着力の何れかが、1.0N/25mm以下であって、かつ未加熱時または紫外線未照射時における粘着力の50%以下であることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
(2)前記高弾性率層の樹脂が、密度0.910〜0.970g/cm3であり、かつMFRが10g/10min以下の直鎖状のポリエチレンであることを特徴とする(1)に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
_(3)前記基材フィルムの前記高弾性率層と前記低弾性率層を、接着剤の他材料を使用せず積層されてなることを特徴とする(1)または(2)に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
(4)前記粘着剤層が感圧型粘着剤であり、エッチング工程を含む半導体加工プロセスで用いられることを特徴とする(1)〜(3)のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
(5)前記基材フィルムのポリプロピレンもしくは直鎖状のポリエチレンが二軸延伸処理されていることを特徴とする(1)〜(4)のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
(6)タック力が60〜200kPaであることを特徴とする(1)〜(5)のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
(7)前記粘着剤層がエマルジョン系粘着剤であることを特徴とする(1)〜(6)のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
(8)前記エマルジョン系粘着剤層中に水分散性イソシアネート架橋剤を含有しないことを特徴とする(7)に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルム20の少なくとも片面に、少なくとも1種類の粘着剤23が塗布され、粘着剤層を形成している。図1では、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの断面において、背面21と前面22の複数の層からなる基材フィルム20と、粘着剤層23からなる例を示している。
本発明の粘着剤層23は、1種類の粘着剤層からなるものでも、異なる2種類以上の複層の粘着剤層が積層されていてもよいが、粘着剤層の厚みは10μm〜50μmである。10μm未満では半導体ウェハ表面のスクライブライン等の段差に対応できないためダスト浸入やエッチング液の浸入を起こしてしまい表面を十分に保護することができない。一方、50μmを超えると粘着剤層の断面積が大きくなり、エッチング液へ粘着剤による溶けだしや凝集力不足による糊残り等の問題を発生させてしまう。また、粘着剤層の粘着剤は、感圧型または紫外線硬化型のいずれであってもよいが、感圧型の粘着剤が好ましい。感圧型粘着剤の場合は、剥離時に加熱して剥離されるため、50℃における加熱剥離時のSUS280研磨面に対する粘着力が通常剥離時での粘着力と比較して50%以下であり、かつ1.0N/25mm以下である。一方、紫外線硬化型の粘着剤を用いる場合は、500mJの紫外線硬化後のSUS280研磨面に対する粘着力が紫外線硬化前の粘着力に対して同じく50%以下であり、かつ1.0N/25mm以下である。なお、紫外線硬化型の粘着剤では更に好ましくは10%以下である。
この範囲にすることで、更に半導体ウェハの段差に追従でき、ダスト浸入を起さず、またエッジ浮きの発生もなく、エッチング液の浸入も回避される。また、厚みが厚すぎることによる高コスト化が避けられ、凝集破壊による糊残りもない。
ここで、主成分とは、粘着剤の重合体全質量のうち、50質量%を超えることを意味するもので、60〜100質量%が好ましく、80〜100質量%がより好ましい。また主モノマーとは、重合体を構成する各モノマーのうち、最も多くの質量が組み込まれるモノマーを意味する。
この場合のゲル分率はサンプルを100mm×125mmの大きさに切断し、試験片とした。この試験片を23℃、65%RH雰囲気下に2時間放置し、質量を測定した。次いで24時間トルエンに浸漬した後、ゲルを取り出し完全に乾燥させて質量を測定した。乾燥後のゲルの質量とトルエン浸漬前粘着剤の質量からゲル分率を算出した値をいう。
本発明に用いられる基材フィルム20は高弾性率層と低弾性率層の2層構成の複合基材フィルムである。高弾性率層は、粘着剤層が塗工される面とは逆面(背面)に配置される。複合基材フィルムの厚みは、50μm〜200μmであり、80μm〜150μmがより好ましい。
なお、通常、メモリ系のデバイスの場合は表面保護テープの剥離前にダイシングテープの貼合やダイシングダイボンディングフィルム(DDF)の貼合が行われる。一方、エッチング工程を必要とするデバイスの場合は、研削後にエッチング処理を行う必要があるためインラインの装置が使用できず、また比較的厚みが厚かったり、サポート板を用いてエッチングやバックメタル処理が行われることもあるため、表面保護テープ剥離後にダイシングテープにマウントされる。DDFを貼り付ける際には80℃程度の熱がかかることが一般的であるため、表面保護テープの背面側に耐熱性を有する基材フィルムが必須である。表面保護テープで回路面を保護したままエッチングする場合、酸との接触面積は基材フィルム背面が最も広いため、表面保護テープ背面側に耐エッチング性を有する基材フィルムがある程度の厚みで必須となる。またその際にエッチングレートをコントロールするためにエッチング液を加熱することもあるため、更に耐熱性が必要となる場合も少なくない。
なお、PPや直鎖状のPEのような高弾性率層を基材フィルム背面に用いた場合、研削後の反りの性能が悪化する。高弾性率層の構成比率が大きくなるほど反りが大きくなるため、薄膜研削後の反りと耐熱性、耐エッチング性をかね揃えるため、高弾性率層と低弾性率層の厚みの比(高弾性率層の厚み:低弾性率層の厚み)は、本発明においては、1:9〜5:5である。高弾性率層の比が5を超えると反りが大きくなり搬送エラー等が発生してしまう。また、逆に1未満になると耐熱性および耐エッチング性が不足してしまう。
また、高弾性率層の厚みは10μm以上であり、10μm〜50μmがより好ましい。
エチレン−酢酸ビニル共重合体を用いることで研削後も良好な半導体ウェハの厚み精度を実現可能となり、また反りも抑制するため薄膜研削用材料として最適となる。
エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含有率は、上記のように5〜20質量%であるが、この含有率が減っていくと通常のポリエチレンに近づくため反りが悪化してしまい、逆に20質量%を超えると融点が低すぎるため、基材フィルムの製膜時にブロッキングが発生したり厚み精度が悪化してしまったりする。
複層基材フィルムの直鎖状のポリエチレンまたはエチレン−酢酸ビニル共重合体からなる高弾性率層は、接着剤などの他材料等を使用せずにフィルム化することが望ましい。好ましくは、低弾性率層と同時に押出すことで接着剤成分のエッチング液への溶出や貼り合せにかかる応力による反りの影響を抑制することができる。接着剤なしで成形する方法としては、スクリューを用いて同時に押出し、冷却ロールにて一気に冷やすことで積層するなどの方法が挙げられる。
タック力を、上記範囲、好ましくは60〜200kPaに調整することで、ウェハエッジ部の浮きの発生が防止され、ダストやエッチング液が浸入しにくくなる。なお、タック力を大きくしすぎると、貼合機のロールに接触した際に剥がれにくいため、貼合エラーを度々起こすことになり、作業性の悪化を招くことになる。
ここでタック力はレスカ社製のプローブ型タッキング試験機により、3mmφ円柱プローブを30mm/minの速度で押し込み、停止荷重100gで1秒間保持後に600mm/minの速度で引き上げる際の荷重を測定することができる。
密度0.910g/cm3であるポリプロピレン(PP)の厚みを10μm、酢酸ビニル含有率(VAコンテント)を10質量%、MFRを9g/10minとしたエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)の厚みを90μmとして共押出加工によってフィルム化を行い、総厚100μmの2層からなる複層基材フィルム(1)を製膜した。また、製膜の際にEVA面側にコロナ処理を行い、粘着剤との密着性を向上させた。
脱イオンを行った純水中に界面活性剤としてアリル基を付加させたポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル化合物およびポリプロピレングリコール化合物を加え、重合開始剤として過硫酸アンモニウムを加えて加熱しながら攪拌した。次いでメチルメタクリレートを17質量部、ブチルアクリレートを40質量部、2−エチルヘキシルアクリレートを41質量部、メタクリル酸グリシジルを2質量部、攪拌溶液に滴下し、さらに攪拌を続け重合を行い、アクリルエマルジョン粘着剤組成物Aを得た。
25μmの離型剤塗工済PETセパレータ上に粘着剤組成物Aを乾燥後の厚みが30μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム(1)のEVA側に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚155μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
2軸延伸を行った密度0.910g/cm3である40μm厚のポリプロピレンフィルム(PP)であるトレファン(登録商標)2578(商品名、東レ株式会社製)と酢酸ビニル含有量20質量%、MFR0.8g/10minのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を40μm厚に押出加工及び両面にコロナ処理を行った基材フィルムを接着剤によりドライラミネートを行い、総厚80μmの複層基材フィルム(2)を得た。
実施例1と同様に粘着剤組成物Aを乾燥後の厚みが50μmとなるように25μm厚の離型剤塗工済PETセパレータに塗工し、複層基材フィルム(2)のEVA側に貼り合わせて総厚155μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
密度0.964g/cm3、MFR15g/10minである高密度ポリエチレン(HDPE)を押出加工によって20μm厚にフィルム化を行い、その後アニール処理を行った。酢酸ビニル含有量6質量%、MFR2.5g/10minのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を押出加工し厚み80μmのEVAフィルムを得た。HDPEフィルムとEVAフィルムを、接着剤を用いてドライラミネートを行い、総厚100μmの複層基材フィルム(3)を得た。その後、粘着剤との密着性を向上させるためEVA面にコロナ処理を行った。
アクリル系ポリマーであるATR−340(サイデン化学社製)を100質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を0.8質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Bを得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物Bを乾燥後の厚みが20μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム(3)に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚155μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
密度0.910g/cm3であるポリプロピレン(PP)を33μm厚で、酢酸ビニル含有量5質量%、MFR2.8g/10minのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を77μm厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚110μmの2層からなる複層基材フィルム(4)を製膜した。その後、EVA面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
エネルギー線硬化型共重合体として、ブチルアクリレート65質量部、2−ヒドロキシエチルアクリレート30質量部、メチルメタクリレート5質量部からなる質量平均分子量700,000のアクリル系共重合体の25%酢酸エチル溶液100質量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアナート8質量部(アクリル系共重合体の官能基100当量に対して80当量)とを反応させ、該エネルギー線硬化型アクリル共重合体を得た。このアクリル共重合体100質量部に対して、対してイソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を2質量部、光重合開始剤イルガキュア184(商品名、チバジャパン社製)を5質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し紫外線硬化型の粘着剤組成物Cを得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物Cを乾燥後の厚みが20μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム(4)に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚155μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
密度0.923g/cm3、MFR8g/10minである直鎖状の低密度ポリエチレン(LLDPE)GA701(住友化学社製スミカセン−L)を15μm厚で、酢酸ビニル含有量10質量%、MFR10g/10minのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を135μm厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚150μmの2層からなる複層基材フィルム(5)を製膜した。その後、EVA面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
アクリル系ポリマーであるポリシック410−SA(三洋化成社製)を100質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を6.5質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Dを得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物Dを乾燥後の厚みが30μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム(5)に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚205μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
密度0.965g/cm3、MFR5g/10minである高密度ポリエチレン(HDPE)を20μm厚で、酢酸ビニル含有量19質量%、MFR2.5g/10minのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を180μm厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚200μmの2層からなる複層基材フィルム(6)を製膜した。その後、EVA面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
アクリル系ポリマーであるS−1605(商品名、東亜合成社製)を100質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を2.2質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Eを得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物Eを乾燥後の厚みが10μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム(6)に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚235μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
密度0.952g/cm3、MFR21g/10minである高密度ポリエチレン(HDPE)を20μm厚で、酢酸ビニル含有量14質量%、MFR1.3g/10minのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を30μm厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚50μmの2層からなる複層基材フィルム(7)を製膜した。その後、EVA面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
2−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体である質量平均分子量70万のアクリル系ベース樹脂100質量部に対してイソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を4質量部、オリゴマーとして光重合性炭素−炭素二重結合を有するテトラメチロールメタンテトラアクリレート150部、光重合開始剤イルガキュア184(商品名、チバジャパン社製)を5質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Fを得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物Fを乾燥後の厚みが30μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム(7)に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚105μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
アクリル系ポリマーであるアクリセットASTR−228SN(日本触媒社製)を100質量部に対して、イソシアネート系架橋剤D−90(商品名、綜研化学社製)を1.5質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Gを得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物Gを乾燥後の厚みが40μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、厚み50μmのポリエチレンテレフタラート(PET)フィルムに貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚115μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
酢酸ビニル含有量5質量%のエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)フィルムを押出加工によって厚み50μmの単層基材フィルム(8)を製膜し、粘着剤を塗工する面にコロナ処理を行った。
アクリル系ポリマーである商品名ジーエスタックP−1000(三洋化成社製)を100質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を1質量部配合及びエポキシ系硬化剤TETRAD−X(三菱ガス化学社製)を0.1質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Hを得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物Hを乾燥後の厚みが10μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、単層基材フィルム(8)に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚85μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
密度0.910g/cm3であるポリプロピレン(PP)を5μm厚で、酢酸ビニル含有量19質量%、MFR2.5g/10minのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を75μm厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚80μmの2層からなる複層基材フィルム(9)を製膜した。その後、EVA面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
2−エチルヘキシルアクリレート、ブチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレートの共重合体である分子量30万のアクリル系ベース樹脂100質量部に対してイソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を2質量部、オリゴマーとして光重合性炭素−炭素二重結合を有するテトラメチロールメタンテトラアクリレート150質量部、光重合開始剤イルガキュア184(商品名、チバジャパン社製)を5質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Iを得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物Iを乾燥後の厚みが55μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム(9)に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚160μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
ポリプロピレン(PP)を押出加工によって厚み110μmの単層基材フィルム(10)を得た。その後、粘着剤を貼り合わせる面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
アクリル系ポリマーであるS−1605(商品名、東亜合成社製)を100質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を2.2質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Eを得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物Eを乾燥後の厚みが5μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、単層基材フィルム(10)に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚140μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
密度0.952g/cm3、MFR21g/10minである高密度ポリエチレン(HDPE)を198μm厚で、酢酸ビニル含有量6質量%、MFR2.5g/10minのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を22μm厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚220μmの2層からなる複層基材フィルム(11)を製膜した。その後、EVA面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
アクリル系ポリマーであるS−1605(東亜合成社製)を100質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を0.5質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し粘着剤組成物Jを得た。
50μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物Jを乾燥後の厚みが90μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム(11)のEVA側に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚335μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
アクリル系ポリマーである商品名ジーエスタックP−1000(三洋化成社製)を100質量部に対して、アダクト系イソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を0.5質量部配合及びエポキシ系硬化剤TETRAD−X(三菱ガス化学社製)を3.0質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し、粘着剤組成物Kを得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物Kを乾燥後の厚みが15μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、厚み50μmのポリエチレンテレフタラート(PET)の単層基材フィルム(12)に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚90μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
密度0.965g/cm3、MFR5g/10minである高密度ポリエチレン(HDPE)を20μm厚で、酢酸ビニル含有量30質量%、MFR32g/10minのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を80μm厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚200μmの2層からなる複層基材フィルム(12)を製膜しようとしたが、EVA層のベタつきが強く、ロール等に接着してしまいフィルム化ができなかった。
密度0.965g/cm3、MFR5g/10minである高密度ポリエチレン(HDPE)を108μm厚で、酢酸ビニル含有量6質量%、MFR2.5g/10minのエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を72μm厚で共押出加工によって製膜を行い、総厚180μmの2層からなる複層基材フィルム(13)を製膜した。その後、EVA面にコロナ処理を行うことで粘着剤との密着性を向上させた。
エネルギー線硬化型共重合体として、ブチルアクリレート65質量部、2−ヒドロキシエチルアクリレート30質量部、メチルメタクリレート5質量部からなる質量平均分子量700,000のアクリル系共重合体の25%酢酸エチル溶液100質量部と、メタクリロイルオキシエチルイソシアナート8質量部(アクリル系共重合体の官能基100当量に対して80当量)とを反応させ、該エネルギー線硬化型アクリル共重合体を得た。このアクリル共重合体100質量部に対して、対してイソシアネート系架橋剤コロネートL(商品名、日本ポリウレタン社製)を2質量部、光重合開始剤イルガキュア184(商品名、チバジャパン社製)を5質量部配合し、酢酸エチルで濃度を調整し紫外線硬化型の粘着剤組成物Cを得た。
25μmのPETセパレータ上に粘着剤組成物Cを乾燥後の厚みが20μmになるように塗布し、120℃の乾燥炉にて乾燥させ、複層基材フィルム(13)に貼り合わせてラミネートすることで積層し、総厚225μmのセパレータ付半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製した。
貼り付け機として日東精機株式会社製DR8500II(商品名)を用いて、8インチ半導体ウェハの厚さが725μm上に約10μm厚のポリイミド膜を形成し、更に幅200μm、深さ5μm程度のスクライブラインを約1mm間隔で格子状に形成した半導体ウェハを、更にプラズマエッチング処理を行い、表面を改質させた半導体ウェハに実施例および比較例で作製した半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼合した。その後、インライン機構を持つグラインダー(株式会社ディスコ製DFG8760(商品名))を使用して厚さ100μm厚みまでそれぞれ25枚の半導体ウェハの研磨を行い、以下の基準で評価した。
エッジクラックがほとんどなく、25枚全ての半導体ウェハで研削可能であったもの:○
エッジクラックが若干見られるもののウェハに割れはなく研削できたもの、または25枚の半導体ウェハ中割れが1枚〜2枚であったもの:△
半導体ウェハが3枚以上割れたもの:×
スクライブラインにダスト又は研削水が浸入しなかったもの:○
スクライブラインにダスト又は研削水が浸入したもの:×
搬送エラーが全く発生せず、反り量が15mm未満であったもの:○
搬送エラーが全く発生せず又は10%以下であり、反り量が15mm以上であったもの:△
搬送エラーが10%以上発生したもの:×
研削実験で100μm厚まで研削した半導体ウェハを、インライン機構を持つマウンターRAD2700にて剥離実験を行った。剥離の際、感圧型粘着剤を適用した表面保護用粘着テープについては50℃での加熱剥離を、紫外線硬化型粘着剤を適用した表面保護用粘着テープについては紫外線を照射量:500mJの照射を行った後、紫外線硬化型粘着剤は24℃で、感圧型粘着剤は50℃での加熱剥離を行った。以下の基準で評価した。
そのまますべて剥離可能であったもの:○
剥離エラーや剥離できなかったもの:×
剥離実験にて剥離を行った半導体ウェハ表面の観察を行い、糊残りの有無を評価した。
糊残り無し:○
糊残り有り:×
実施例および比較例の半導体ウェハ表面保護用粘着テープから幅25mm×長さ300mmの試験片を3点採取し、その試験片1について、図2に示す方法で、JIS R 6253に規定する280番の耐水研磨紙で仕上げたJIS G 4305に規定する厚さ1.5mm〜2.0mmのSUS鋼板2上に2kgのゴムローラを3往復かけ圧着し、1時間放置後、測定値がその容量の15〜85%の範囲に入るJIS B 7721に適合する引張試験機3を用いて粘着力を測定した。図中、矢印は引張方向を示す。測定は、180度引きはがし法によるものとし、この時の引張速さは300mm/minとした。
上記方法と同様の手順で50℃に加熱しながら剥離を行った時の粘着力を測定した。なお、紫外線硬化型粘着剤については、紫外線を照射量:500mJの照射を行った後、紫外線硬化型粘着剤は24℃で、感圧型粘着剤は50℃での加熱剥離を行った。
体積比率で硫酸:硝酸:フッ酸を85:13:2の割合で混合し、エッチング溶液を調整した。
(エッチング液浸入実験)
研削実験にて用いたものと同様の表面形状のスクライブラインを形成したミラーウェハに日東精機株式会社製DR8500II(商品名)を用いて実施例および比較例で作成した表面保護用粘着テープ貼合を行った。配合した30℃のエッチング液に表面保護付ウェハを浸漬し、15分間ウェハの裏面エッチングを行った。
エッチング液が浸入しなかったもの:○
エッチング液がスクライブライン又は基材面から浸入したもの:×
6インチのミラーウェハ上pH試験紙を載せ、日東精機株式会社製DR8500II(商品名)を用いて実施例及び比較例で作成した表面保護用粘着テープ貼合を行った。pH試験紙上に配合したエッチング液を滴下し、30分間室温にて放置を行った。
pH試験紙の色が変化しなかったもの:○
pH試験紙の色が変化したもの:×
タッキング試験機(商品名:TACII、レスカ製)を用いて、試験片の基材フィルム背面側(粘着剤塗工面と反対側)に、3mmφ円柱状プローブを30mm/minの速度で押し込み、停止荷重100gで1秒間保持後に600mm/minの速度で引き上げる際の荷重を測定し、タック力を求めた。
2 SUS鋼板
3 引張試験機
20 基材フィルム
21 背面
22 前面
23 粘着剤層
Claims (8)
- 基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、
前記基材フィルムが、総厚み50μm〜200μmであって、高弾性率層と低弾性率層とからなる複合基材フィルムであり、該高弾性率層と該低弾性率層の厚みの比率(高弾性率層の厚み:低弾性率層の厚み)が1:9〜5:5の範囲であり、
前記高弾性率層が、前記粘着剤層の背面(基材フィルムの粘着剤層を塗工する面と反対面)に配置されており、かつポリプロピレンもしくは直鎖状のポリエチレンからなる厚み10μm以上の層であり、
前記低弾性率層が、酢酸ビニル含有率5〜20質量%であり、かつMFRが0.8〜10g/10minであるエチレン−酢酸ビニル共重合体からなり、
前記半導体ウェハ表面保護用粘着テープの前記粘着剤層の厚みが10μm〜50μmであり、SUS280研磨面に対する50℃における加熱剥離時の粘着力または500mJの紫外線照射後の粘着力の何れかが、1.0N/25mm以下であって、かつ未加熱時または紫外線未照射時における粘着力の50%以下であることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。 - 前記高弾性率層の樹脂が、密度0.910〜0.970g/cm3であり、かつMFRが10g/10min以下の直鎖状のポリエチレンであることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
- 前記基材フィルムの前記高弾性率層と前記低弾性率層を、接着剤の他材料を使用せず積層されてなることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
- 前記粘着剤層が感圧型粘着剤であり、エッチング工程を含む半導体加工プロセスで用いられることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
- 前記基材フィルムのポリプロピレンもしくは直鎖状のポリエチレンが二軸延伸処理されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
- タック力が60〜200kPaであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
- 前記粘着剤層がエマルジョン系粘着剤であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
- 前記エマルジョン系粘着剤層中に水分散性イソシアネート架橋剤を含有しないことを特徴とする請求項7に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
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