CN104185896B - 半导体晶片表面保护用胶带 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体晶片表面保护用胶带，其中，在基材膜上具有粘合剂层，基材膜的总厚度为50μm～200μm，高弹性模量层厚度：低弹性模量层厚度之比为1：9～5：5，高弹性模量层配置在粘合剂层的背面，且为由聚丙烯或直链状的聚乙烯构成的厚度10μm以上的层，低弹性模量层由乙酸乙烯酯含有率为5质量％～20质量％、MFR为0.8g/10min～10g/10min的乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物构成，粘合剂层的厚度为10μm～50μm，在50℃加热剥离时相对于SUS280研磨面的粘合力或500mJ的紫外线照射后的粘合力中的任一者为1.0N/25mm以下、且为未加热时或未照射紫外线时的粘合力的50％以下。

Description

半导体晶片表面保护用胶带
技术领域
本发明涉及一种半导体晶片表面保护用胶带。更详细而言，涉及一种将半导体晶片磨削成薄膜时所使用的表面保护用胶带。
背景技术
半导体封装件通过下述方法制造得到：在将高纯度硅单晶等切片而制成半导体晶片后，通过离子注入、蚀刻等在该晶片表面形成集成电路，由此制造半导体封装件。通过对形成有集成电路的半导体晶片的背面进行磨削、研磨等，而使半导体晶片成为所需厚度。此时，为了保护形成在半导体晶片表面的集成电路，使用半导体晶片表面保护用胶带。经背面磨削的半导体晶片在背面磨削结束后收纳在半导体晶片盒中，搬运至切割工序，加工成半导体芯片。
以往，通过背面磨削而使半导体晶片的厚度变薄至200μm～400μm左右。尤其是存储系装置持续发展薄膜化且大口径化，多数情况下将12英寸的半导体晶片磨削至100μm以下或50μm以下。因此，为了实现大口径的薄膜化晶片的输送，也不断推进各种装置的开发，且大量导入被称为线内系统(in-line system)的薄膜磨削专用机或专用的制造方法(参照专利文献1)。
另一方面，分立系晶片或功率系晶片几乎不会如存储系装置那样层积，因此与存储系晶片相比，薄膜化发展并不多。然而，近年来云端计算或电力的统一管理等要求不断增加，为了控制大容量的电流，功率装置或分离装置的薄膜化不断加速。分离系装置形成为使电流自表面电极向背面电极流动的结构，半导体晶片的厚度越薄则电阻越低，因此形成高性能的装置。随着要求性能的提高，磨削至100μm以下的必要性不断增加，对分立系晶片进行薄膜磨削的要求不断增加。
分立系装置的芯片尺寸较小，因此并未发展大口径化，5英寸～6英寸的半导体晶片为主流。上述的线内装置为对应于8英寸以上的专用机，因此分立系晶片大多利用旧型装置进行磨削，另外，对磨削后的背面进行蚀刻的工序是必需的，因此在进行磨削后并不直接贴在切晶带或切晶粘晶带，因此实质上并未使用线内装置，与存储系装置相比对翘曲的要求变高。
针对这些问题，作为薄膜磨削用表面保护带存在各种开发品，大量揭示有使用刚性基材即聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)系基材的开发品等(参照专利文献2、3)，但若实施至蚀刻工序，则基材会溶解或变色等，无法直接使用。另外，存储系晶片中阶差小的半导体晶片多，但分立系晶片的阶差较大，或因芯片尺寸小因此阶差的数量极多，因此产生会让蚀刻液渗入而破坏装置的问题。
进一步，作为上述薄膜磨削用表面保护带的改良，正尝试通过增加粘合剂厚度来抵挡蚀刻液的渗入等，但粘合剂部分与酸接触的机会增多而产生粘合剂成分溶出至酸中等问题。因此，对分立系晶片进行薄膜磨削并不容易。另外，增加粘合层的厚度会导致凝聚破坏的风险上升，因此粘合剂残留的风险也上升，而有可能也产生发生粘合剂残留问题这样的不良情况，尚小于成令人满意的解决对策。另外，揭示有制造方法的改善(参照专利文献4)等，但若在蚀刻前进行紫外线照射，则粘合力降低，根据半导体晶片的种类不同而产生带剥离等问题，小于成令人满意的解决对策。进一步，也揭示有利用蚀刻方法的改善(参照专利文献5)，但在使用单层聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基材膜的方法中，对于含硫酸的蚀刻液的耐酸性弱，基材膜发生腐蚀等，另一方面，在使用单层聚丙烯(PP)基材膜的方法中，也有发生由经薄膜化的半导体晶片的磨削性恶化所致的半导体晶片破裂及边缘碎裂，有时也会产生剥离不良或粘合剂残留，无论何种方法均小于成令人满意的解决对策。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-351790号公报
专利文献2：日本特开2011-151355号公报
专利文献3：日本特开2003-261842号公报
专利文献4：日本特开平5-195255号公报
专利文献5：日本特开平4-251931号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的课题在于提供一种半导体晶片表面保护用胶带，其是在分立系晶片或功率装置系晶片等以蚀刻工序为必需工序的半导体制造工序中使用的表面保护带，即使在贴合有该表面保护带的状态下对该半导体晶片背面进行磨削，也不会渗入灰尘或水而可制成100μm以下的薄膜晶片，进一步也可在贴合有表面保护带的状态下使用于蚀刻工序。
用于解决问题的手段
本发明人为解决上述问题而进行深入研究，结果发现，将粘合剂层的厚度设为特定厚度，而在半导体晶片表面保护用胶带相对于SUS280研磨面的粘合力关系中，在50℃加热剥离时的粘合力或500mJ的紫外线照射后的粘合力中的任一者为1.0N/25mm以下、且为未加热时或未照射紫外线时的粘合力的50％以下，而且通过基材膜使用特定的复合基材膜(基材膜的一部分为聚丙烯或直链状聚乙烯)可解决上述课题。本发明是基于该见解而完成的。
即，本发明的课题是通过以下方法而解决的。
(1)一种半导体晶片表面保护用胶带，其是在基材膜上具有粘合剂层的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于：
上述基材膜的总厚度为50μm～200μm，为由高弹性模量层与低弹性模量层构成的复合基材膜，该高弹性模量层与该低弹性模量层的厚度的比例(高弹性模量层厚度：低弹性模量层厚度)为1：9～5：5的范围，
上述高弹性模量层配置在上述粘合剂层背面(基材膜的与涂布粘合剂层的面相反的面)，且为由聚丙烯或直链状聚乙烯构成的厚度10μm以上的层，
上述低弹性模量层由乙酸乙烯酯含有率为5～20质量％、且MFR为0.8～10g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物构成，
上述半导体晶片表面保护用胶带的上述粘合剂层厚度为10μm～50μm，在50℃加热剥离时相对于SUS280研磨面的粘合力或500mJ的紫外线照射后的粘合力中的任一者为1.0N/25mm以下、且为未加热时或未照射紫外线时的粘合力的50％以下。
(2)如(1)所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，上述高弹性模量层的树脂是密度为0.910g/cm3～0.970g/cm3、且MFR为10g/10min以下的直链状聚乙烯。
(3)如(1)或(2)所述的半导体晶片表面保护用胶带，其是在不使用粘接剂以外的其它材料的情况下对上述基材膜的上述高弹性模量层与上述低弹性模量层进行层积而成的。
(4)如(1)至(3)中的任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，上述粘合剂层为压敏型粘合剂，在包含蚀刻工序的半导体加工工艺中使用。
(5)如(1)至(4)中的任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，上述基材膜的聚丙烯或直链状聚乙烯经双向拉伸处理而成。
(6)如(1)至(5)中的任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其粘合力为60kPa～200kPa。
(7)如(1)至(6)中的任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，上述粘合剂层为乳液系粘合剂。
(8)如(7)所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，上述乳液系粘合剂层中不含水分散性异氰酸酯交联剂。
在本发明中，上述“粘合力”是指将2kg的橡胶辊往复3次施加于被粘合体而进行压接，放置1小时后，使用符合JIS B 7721的拉伸试验机，利用180度剥离法以速度300mm/min进行测定时的粘合力。另外，“未加热时”、“未照射紫外线时”、“紫外线照射后”的测定条件是均为以24℃、相对湿度50％获得的值。需要说明的是，SUS研磨面是指利用JIS R 6253中规定的280号耐水研磨纸进行了精加工的JIS G 4305中规定的厚度1.5mm～2.0mm的SUS钢板的面。
发明效果
即便在将本发明的半导体晶片表面保护用胶带贴合在半导体晶片(例如分立晶片)表面的状态下对该半导体晶片背面进行磨削而制成100μm以下的薄膜晶片的情况下，也不会渗入灰尘，进一步在贴合有半导体晶片表面保护用胶带的状态下，即便在蚀刻工序中也可毫无问题地对半导体晶片进行处理。即，即使在浸渍方式的蚀刻工序中，也可不让酸渗入而进行晶片背面的抛光，进一步在将该半导体晶片表面保护用胶带剥离的情况下，可无粘合剂残留而容易地剥离。
本发明的上述及其它特征及优点可适当参照附图而由下述的记载更加明确。
附图说明
图1是将本发明的半导体晶片表面保护用胶带的一实施方式放大显示的截面图。
图2是本发明的半导体晶片表面保护用胶带的粘合力测定方法的说明图。
具体实施方式
参照附图对本发明优选的半导体晶片表面保护用胶带进行说明。
以下，详细地说明本发明的实施方式。
本发明的半导体晶片表面保护用胶带中，在基材膜20的至少单面涂布有至少1种粘合剂23，从而形成粘合剂层。图1中显示半导体晶片表面保护用胶带的截面由基材膜20与粘合剂层23构成的例，该基材膜20由背面21与前面22的2层以上的层构成。
(粘合剂层)
本发明的粘合剂层23可由1种粘合剂层构成，也可层积有不同的2种以上的多层粘合剂层，粘合剂层的厚度为10μm～50μm。若小于10μm，则无法与半导体晶片表面的划线等阶差对应，因此产生灰尘渗入或蚀刻液渗入而无法充分保护表面。另一方面，若超过50μm，则粘合剂层的截面面积变大，而产生粘合剂向蚀刻液的溶出或凝聚力不足所致的粘合剂残留等问题。另外，粘合剂层的粘合剂可为压敏型或紫外线固化型中的任一者，但优选为压敏型粘合剂。在压敏型粘合剂的情况下，在剥离时进行加热而剥离，因此在50℃加热剥离时相对于SUS280研磨面的粘合力与通常剥离时的粘合力相比为50％以下，且为1.0N/25mm以下。另一方面，在使用紫外线固化型粘合剂的情况下，500mJ的紫外线固化后对SUS280研磨面的粘合力相对于紫外线固化前的粘合力，同样地为50％以下、且为1.0N/25mm以下。需要说明的是，在紫外线固化型粘合剂的情况下，进一步优选为10％以下。
在粘合剂为紫外线固化型的情况下，使用在分子链中具有双键的低聚物，若分子量小则凝聚力低，因此容易在蚀刻溶液中溶出，而导致蚀刻液的污染。通过调整低聚物与聚合物的比例，可抑制向蚀刻溶液的溶出，但更优选的是以聚合物中具有双键的聚合物为主成分且不含低聚物的粘合剂。若使粘合剂的主成分中不含低聚物，则粘合剂中的低分子量成分减少，由此可使耐酸性优异，极力减少向蚀刻液的溶出。
粘合剂为压敏型的表面保护带在剥离时，通常施加50℃左右的热。在进行加热时粘合力降低，由此可容易地剥离。因此，若50℃加热剥离时相对于SUS280研磨面的粘合力与通常剥离时(利用一般方法(24℃)的剥离)的粘合力相比为50％以下，则可容易地剥离。
粘合剂层的厚度进一步优选为20μm～40μm。
通过设为该范围，可进一步与半导体晶片的阶差相吻合，而不发生灰尘渗入，也不产生边缘隆起，也避免蚀刻液的渗入。另外，避免了厚度过厚所致的高成本化，也无凝聚破坏所致的粘合剂残留。
在本发明中，粘合剂层23的主成分优选为(甲基)丙烯酸系聚合物的共聚物，通过使用(甲基)丙烯酸系聚合物而容易控制粘合力，可控制凝胶分率等，因此可减少粘合剂残留或有机物所致的污染。作为(甲基)丙烯酸系聚合物的共聚物，也可以将下述丙烯酸乳液系聚合物(也包含乳胶)作为主要成分：如日本特开2003-82307号公报中所记载的那样，利用以(甲基)丙烯酸烷基酯为主要成分的单体混合物、含有自由基聚合性官能基且环氧乙烷平均加成摩尔数或环氧丙烷平均加成摩尔数为15以下的非离子阴离子系反应性乳化剂、和氧化还原系聚合引发剂，通过乳液聚合乳化聚合，得到丙烯酸乳液系聚合物
粘合剂组合物以丙烯酸乳液系聚合物为主成分，可使用使作为主单体的(甲基)丙烯酸烷基酯与根据需要的能够与这些主单体共聚的其它单体进行乳液聚合而获得的聚合物。
此处，所谓主成分是指在粘合剂的聚合物总质量中超过50质量％的成分，优选为60质量％～100质量％，更优选为80质量％～100质量％。另外，所谓主单体是指构成聚合物的各单体中引入质量最多的单体。
作为用作进行聚合反应的主单体的(甲基)丙烯酸的烷基酯系单体的具体例，可以举出例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸异戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸异癸酯等。这些单体可单独使用，也可将2种以上混合使用。优选将2种以上混合使用，通过将2种以上混合而可发挥作为各种粘合剂的功能。进一步优选为将3种以上混合，特别优选为至少使(甲基)丙烯酸甲酯(丙烯酸甲酯)、(甲基)丙烯酸丁酯(丙烯酸丁酯)及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯(丙烯酸2-乙基己酯)这3种单体进行共聚合。尤其是通过使3种单体共聚而更容易进行与阶差的吻合性及包含粘合剂残留的非污染性的兼具。
进一步，除上述主单体以外，可根据需要为了稳定乳液颗粒、提高粘合剂层在基材上的密合性、及提高在被粘合体上的初期粘接性等，合用各种共聚性单体。
作为上述共聚性单体，可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、丁烯酸、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酸2-羟基丙酯、N,N-二乙基丙烯酰胺、N-异丙基丙烯酰胺、丙烯酰吗啉等。这些共聚性单体可单独使用，也可将2种以上混合使用。
另外，为调整粘合剂层23的凝胶分率，可在丙烯酸乳液系共聚物的聚合时进行多官能单体成分的共聚。作为其它方法，通过掺混水分散性交联剂也可调整凝胶分率。作为水分散性交联剂，主要使用环氧系交联剂。优选的是，不使用水分散性交联剂而使丙烯酸乳液系共聚物聚合，由此可消除残留的交联剂所致的污染。
在本发明使用的粘合剂层中，对于粘合剂中的凝胶分率并无特别限制，优选为80％～99％，更优选为90％～99％。
此情况下的凝胶分率是以如下方式求出的。
将试样切割成100mm×125mm的尺寸，制成试验片。将该试验片在23℃、65％RH气氛下放置2小时，测定质量。接着，在甲苯中浸渍24小时之后，取出凝胶，使其完全干燥并测定质量。根据干燥后凝胶的质量与浸渍甲苯前的粘合剂的质量算出凝胶分率。
作为上述多官能单体，可以举出例如二乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、乙二醇二丙烯酸酯、乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、新戊二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六甲基丙烯酸酯、二乙烯基苯等。
在上述单体混合物中添加聚合引发剂及表面活性剂(乳化剂)等，使用通常的乳液聚合方法来合成丙烯酸乳液系聚合物。乳液聚合可使用通常的一次性聚合、连续滴加聚合、分批滴加聚合等任意方法，其方法并无特别限定。
作为表面活性剂，可以合用月桂基硫酸钠、月桂基硫酸铵、十二烷基苯磺酸钠、聚氧乙烯烷基醚硫酸钠、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸钠等阴离子系表面活性剂，聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚等非离子系表面活性剂等。从这些表面活性剂中使用1种或2种以上，优选合用2种以上表面活性剂。特别优选合用聚丙二醇系化合物和聚氧乙烯烷基苯基醚，由此可减少对半导体晶片的有机物污染。
相对于总单体混合物100质量份，表面活性剂的混配量为0.5质量份～10质量份，优选为1质量份～7质量份左右。通过将表面活性剂的混配量设为该范围，不会降低粘合剂的凝聚力，由此也使对被粘合体的污染量较少，另外，也无因表面活性剂渗出至粘合剂层的表面而导致的污染，可维持稳定的乳化。
作为聚合引发剂，可以举出2,2'-偶氮二异丁腈、2,2'-偶氮双(2-脒基丙烷)二盐酸盐、2,2'-偶氮双(N,N'-二亚甲基异丁基脒)等偶氮系化合物，以外还有过硫酸钾、过硫酸铵等过硫酸盐，过氧化苯甲酰、叔丁基过氧化氢等过氧化物系化合物；双氧水与抗坏血酸、双氧水与氯化亚铁、过硫酸盐与亚硫酸氢钠等氧化还原系聚合引发剂等。
期望的是，聚合引发剂在相对于每100质量份总单体混合物为0.01质量份～1.0质量份的范围使用。
另外，作为(甲基)丙烯酸系聚合物的(甲基)丙烯酸系共聚物的制造方法之一，有使丙烯酸烷基酯等单体(1)、与下述的具有可与固化剂反应的官能基的单体(2)在有机溶剂中进行共聚的方法。
作为单体(1)，可以举出丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯等。这些单体可单独使用，也可将2种以上混合使用。
作为单体(2)，可以举出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、中康酸、柠康酸、富马酸、马来酸、丙烯酸2-羟基乙酯、甲基丙烯酸2-羟基乙酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等。这些单体可单独使用，也可将2种以上混合使用。
(甲基)丙烯酸系共聚物可以通过使上述单体(1)与(2)通过常规方法利用溶液聚合进行共聚而得到。
在丙烯酸乳液系聚合物的情况下，即使没有交联剂也可使用，但是在溶剂中聚合的(甲基)丙烯酸系共聚物的情况下，通过进一步混配固化剂而控制粘合力。可通过调整固化剂的混配量而获得特定的粘合力。
固化剂用于与(甲基)丙烯酸系共聚物所具有的官能基反应来调整粘合力及凝聚力。可以举出例如1,3-双(N,N-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷、1,3-双(N,N-二缩水甘油基氨基甲基)甲苯、1,3-双(N,N-二缩水甘油基氨基甲基)苯、N,N,N',N'-四缩水甘油基间苯二甲胺等分子中具有2个以上环氧基的环氧系化合物；2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二甲基二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二异氰酸酯等分子中具有2个以上异氰酸酯基的异氰酸酯系化合物；四羟甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶基)丙酸酯等分子中具有2个以上氮丙啶基的氮丙啶系化合物；等等。
(基材膜)
本发明中使用的基材膜20为高弹性模量层与低弹性模量层的2层构成的复合基材膜。高弹性模量层配置在与涂布有粘合剂层的面相反的面(背面)。复合基材膜的厚度为50μm～200μm，更优选为80μm～150μm。
需要说明的是，通常在存储系装置的情况下，在表面保护带的剥离前进行切晶带的贴合或切晶粘晶膜(DDF)的贴合。另一方面，在将蚀刻工序设为必需工序的装置的情况下，需要在磨削后进行蚀刻处理，因此无法使用线内装置，另外，存在厚度相对较厚、或使用支持板进行蚀刻或背垫金属处理的情况，因此在表面保护带剥离后安装在切晶带。在贴附DDF时，通常施加80℃左右的热，因此必需为在表面保护带的背面侧具有耐热性的基材膜。在利用表面保护带保护电路面的状态下进行蚀刻的情况下，对于与酸的接触面积而言，基材膜背面最大，因此在表面保护带背面侧具有耐蚀刻性的基材膜必需为某种程度的厚度。另外，此时为了控制蚀刻速率，有时也对蚀刻液进行加热，因此进一步需要耐热性的情况也不少。
由于需要具备上述性能，因此作为高弹性模量层的材质，本发明中将聚丙烯(PP)或直链状聚乙烯(PE)作为必需材料。聚丙烯或直链状的聚乙烯就其分子结构而言，极性小因此耐水性高，另外推测比较能耐受具有极性的酸。因此，在蚀刻时即使硫酸等强酸的比例增加也可防止酸对半导体晶片的渗透。特别是在硫酸的比例较多时，该效果表现显著。相对于此，极性高的PET膜等会让酸渗入。
需要说明的是，在将如PP或直链状PE的高弹性模量层用于基材膜背面的情况下，磨削后的翘曲性能恶化。高弹性模量层的构成比例越大翘曲越大，因此为了兼具薄膜磨削后的翘曲与耐热性、耐蚀刻性，高弹性模量层与低弹性模量层的厚度之比(高弹性模量层的厚度：低弹性模量层的厚度)在本发明中为1：9～5：5。若高弹性模量层之比超过5，则翘曲变大，会产生输送错误等。另外，相反地，若小于1，则耐热性及耐蚀刻性不足。
另外，高弹性模量层的厚度为10μm以上，更优选为10μm～50μm。
进一步，使用的聚丙烯优选经拉伸处理而得到。其原因在于，通过进行拉伸而增加强度。作为拉伸，优选为双向拉伸，通过向两个方向进行拉伸，从而可缓和制膜时的残留应力，因此可减少半导体晶片背面磨削后的翘曲量，在薄膜磨削后的输送工序中也可不产生错误地进行输送。该拉伸处理聚丙烯可通过退火等而制造，作为市售品，也可获得Allfine(商品名，王子特殊制纸株式会社制)、OP-U1(商品名，Mitsui ChemicalsTohcello株式会社制)、PYLEN(注册商标，东洋纺织株式会社)膜等。
所谓直链状聚乙烯，是指使乙烯直链状地聚合而得到的聚乙烯，主要存在高密度聚乙烯(HDPE)和直链状低密度聚乙烯(LLDPE)2种。直链状的聚乙烯通过中压法或低压法而制造，低压法可以举出例如齐格勒法。在齐格勒法中，将作为齐格勒-纳塔催化剂的三乙基铝-四氯化钛固体复合物作为催化剂，将石蜡或环烷或低级脂肪族烃等作为溶剂，一边对乙烯施加常压或数个大气压左右的压力一边吹入溶剂中，在60℃～100℃左右的溶液温度下进行聚合。所获得的浆料状聚合物在此后利用水进行清洗，然后分离回收溶剂并进行干燥而获得。中压法有菲利普斯法与标准法，在菲利普斯法中，将硅铝/六价铬作为催化剂，将石蜡或环烷或己烷等作为溶剂，使乙烯在30气压～40气压、100℃～175℃的环境下进行聚合。在标准法中，将γ-氧化铝/氧化钼作为催化剂，在15气压～150气压、150℃～250℃的环境下进行聚合。其后，分离残留单体，在冷却后过滤回收溶剂而获得。
这些直链状聚乙烯的密度(g/cm3)优选为0.910～0.970，更优选为0.945～0.969。通过将密度设为该范围，不会变脆，因此，可避免制造性及膜物性的恶化。另外，也可维持耐酸性。这种聚乙烯例如可通过将旭化成Engineering社、Nippon Polyethylene社、Tosoh社、Nippon Unicar社、PrimePolymer社制造的直链状地聚合而成的聚乙烯树脂利用T字模进行挤出成型而制造得到。另外，也可利用退火处理对成型的膜进行双向拉伸处理。本发明中使用的直链状聚乙烯优选经双向拉伸处理而成。
直链状聚乙烯的熔体流动速率(MFR)优选为10g/10min以下。通过使MFR为10g/10min以下，进行交联的高分子量成分增加，或分子量分布较窄且低分子量成分也较少，因此在蚀刻时受酸侵害的可能性变低。另外，制膜时的厚度精度也增高。
在本发明的低弹性模量层中，使用乙酸乙烯酯含有率为5重量％～20质量％、且MFR为1～10g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。需要说明的是，若在低弹性模量层中使用日本特开2004-186429号公报中所记载的物质，则会导致翘曲的恶化或磨削后的厚度精度的恶化，最差的情况下会发生半导体晶片破裂。
通过使用乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，可实现在磨削后也为良好的半导体晶片的厚度精度，另外也抑制了翘曲，因此作为薄膜磨削用材料最适合。
如上所述，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的乙酸乙烯酯含有率为5质量％～20质量％，若该含有率减少，则接近于通常的聚乙烯，因此翘曲恶化；相反地，若超过20质量％，则熔点过低，因此在基材膜的制膜时发生结块或厚度精度恶化。
乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的MFR为0.8g/10min～10g/10min，若MFR小于0.8g/10min，则不易挤出成型，会使厚度精度恶化；相反地，若超过10g/10min，则在挤出中树脂容易滞留在螺杆内而产生树脂烧痕或鱼眼。
多层基材膜的由直链状聚乙烯或乙烯-乙酸乙烯酯共聚物构成的高弹性模量层期望为不使用粘接剂等其它材料等而进行膜化。优选的是，可通过与低弹性模量层同时挤出而抑制粘接剂成分向蚀刻液的溶出或贴合的应力所致的翘曲的影响。作为不使用粘接剂而成型的方法，可以举出使用螺杆同时挤出、通过利用冷却辊一次性冷却而层积等的方法。
为了在本发明的基材膜上形成上述粘合剂层，在基材膜的至少单面以任意方法涂布至少1种粘合剂即可。如上所述，粘合剂层的厚度优选为10μm～50μm。另外，也可根据需要在基材膜与粘合剂层之间设置底涂层等中间层。
另外，根据需要也可在供于实际使用前的期间将为了保护粘合剂层而通常被用作隔离膜的合成树脂膜贴附在粘合剂层侧。
本发明的半导体晶片表面保护用胶带的胶粘力优选为60kPa～450kPa、更优选为60kPa～200kPa。
通过将胶粘力调整为上述范围，优选调整为60kPa～200kPa，从而可防止产生晶片边缘部的隆起，使灰尘或蚀刻液不易渗入。需要说明的是，若使胶粘力过大，则在与贴合机的辊接触时不易剥离，因此会多次产生贴合错误，导致作业性的恶化。
此处，胶粘力可如下测定：利用Rhesca社制的探针型胶粘性试验机，以30mm/min的速度压入3mmφ圆柱探针，以静止负荷100g保持1秒钟后，以600mm/min的速度提拉，测定此时的负荷。
实施例
以下，基于实施例进一步详细地说明本发明，但本发明并不限于这些实施例。
<实施例1>
将密度为0.910g/cm3的聚丙烯(PP)的厚度设为10μm，将乙酸乙烯酯含有率(VA含量)为10质量％、MFR为9g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)的厚度设为90μm，通过共挤出加工进行膜化，制成总厚100μm的由2层构成的多层基材膜(1)。另外，在制膜时对EVA面侧进行电晕处理，提高与粘合剂的密合性。
在经去离子的纯水中添加加成有烯丙基的聚氧乙烯烷基苯基醚化合物及聚丙二醇化合物作为表面活性剂，添加过硫酸铵作为聚合引发剂，一边进行加热一边搅拌。接着，在搅拌溶液中滴加甲基丙烯酸甲酯17质量份、丙烯酸丁酯40质量份、丙烯酸2-乙基己酯41质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯2质量份，进一步持续搅拌进行聚合，获得丙烯酸系乳液粘合剂组合物A。
在25μm的脱模剂涂布完毕的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为30μm的方式涂布粘合剂组合物A，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在多层基材膜(1)的EVA侧并通过层压而层积，制作得到总厚155μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例2>
将进行了双向拉伸的密度0.910g/cm3的40μm厚的聚丙烯膜(PP)即Torayfan(注册商标)2578(商品名，Toray株式会社制)、与将乙酸乙烯酯含量为20质量％、MFR为0.8g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)挤出加工成40μm厚并在两面进行电晕处理而获得的基材膜利用粘接剂进行干式层压，获得总厚80μm的多层基材膜(2)。
与实施例1同样，按照干燥后的厚度为50μm的方式将粘合剂组合物A涂布在25μm厚的脱模剂涂布完毕的PET隔离膜，将其贴合在多层基材膜(2)的EVA侧，制作得到总厚155μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例3>
将密度为0.964g/cm3、MFR为15g/10min的高密度聚乙烯(HDPE)通过挤出加工而进行膜化成20μm厚，其后进行退火处理。对乙酸乙烯酯含量为6质量％、MFR为2.5g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)进行挤出加工而获得厚度80μm的EVA膜。使用粘接剂对HDPE膜与EVA膜进行干式层压，获得总厚100μm的多层基材膜(3)。其后，为了提高与粘合剂的密合性而对EVA面进行电晕处理。
相对于作为丙烯酸系聚合物的ATR-340(Saiden Chemical社制)100质量份，混配加成物系异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE社制)0.8质量份，利用乙酸乙酯调整浓度从而获得粘合剂组合物B。
在25μm的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为20μm的方式涂布粘合剂组合物B，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在多层基材膜(3)并通过层压而层积，制作得到总厚155μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例4>
将密度为0.910g/cm3的聚丙烯(PP)以33μm厚、将乙酸乙烯酯含量为5质量％、MFR为2.8g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以77μm厚通过共挤出加工进行制膜，制成总厚110μm的由2层构成的多层基材膜(4)。其后，通过对EVA面进行电晕处理而提高与粘合剂的密合性。
作为能量射线固化型共聚物，使由丙烯酸丁酯65质量份、丙烯酸2-羟基乙酯30质量份、甲基丙烯酸甲酯5质量份构成的重均分子量700,000的丙烯酸系共聚物的25％乙酸乙酯溶液100质量份、与甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯8质量份(相对于丙烯酸系共聚物的官能基100当量为80当量)反应，从而获得该能量射线固化型丙烯酸共聚物。相对于该丙烯酸共聚物100质量份，混配异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE社制)2质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名，CibaJapan社制)5质量份，利用乙酸乙酯调整浓度而获得紫外线固化型的粘合剂组合物C。
在25μm的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为20μm的方式涂布粘合剂组合物C，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在多层基材膜(4)并通过层压而层积，制作得到总厚155μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例5>
将密度为0.923g/cm3、MFR为8g/10min的直链状低密度聚乙烯(LLDPE)GA701(住友化学社制的Sumikathene-L)以15μm厚、将乙酸乙烯酯含量为10质量％、MFR为10g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以135μm厚通过共挤出加工进行制膜，制作总厚150μm的由2层构成的多层基材膜(5)。其后，通过对EVA面进行电晕处理而提高与粘合剂的密合性。
相对于作为丙烯酸系聚合物的Polythick 410-SA(三洋化成社制)100质量份，混配加成物系异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE社制)6.5质量份，利用乙酸乙酯调整浓度而获得粘合剂组合物D。
在25μm的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为30μm的方式涂布粘合剂组合物D，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在多层基材膜(5)并通过层压而层积，制作得到总厚205μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例6>
将密度为0.965g/cm3、MFR为5g/10min的高密度聚乙烯(HDPE)以20μm厚、将乙酸乙烯酯含量为19质量％、MFR为2.5g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以180μm厚通过共挤出加工进行制膜，制成总厚200μm的由2层构成的多层基材膜(6)。其后，通过对EVA面进行电晕处理而提高与粘合剂的密合性。
相对于作为丙烯酸系聚合物的S-1605(商品名，东亚合成社制)100质量份，混配加成物系异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE社制)2.2质量份，利用乙酸乙酯调整浓度而获得粘合剂组合物E。
在25μm的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为10μm的方式涂布粘合剂组合物E，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在多层基材膜(6)并通过层压而层积，制作得到总厚235μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<实施例7>
将密度为0.952g/cm3、MFR为21g/10min的高密度聚乙烯(HDPE)以20μm厚、将乙酸乙烯酯含量为14质量％、MFR为1.3g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以30μm厚通过共挤出加工进行制膜，制成总厚50μm的由2层构成的多层基材膜(7)。其后，通过对EVA面进行电晕处理而提高与粘合剂的密合性。
相对于丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物即重均分子量70万的丙烯酸系基底树脂100质量份，混配异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE社制)4质量份、作为低聚物的具有光聚合性碳-碳双键的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯150份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名，Ciba Japan社制)5质量份，利用乙酸乙酯调整浓度而获得粘合剂组合物F。
在25μm的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为30μm的方式涂布粘合剂组合物F，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在多层基材膜(7)并通过层压而层积，制作得到总厚105μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例1>
相对于作为丙烯酸系聚合物的ACRYSET ASTR-228SN(日本触媒社制)100质量份，混配异氰酸酯系交联剂D-90(商品名，综研化学社制)1.5质量份，利用乙酸乙酯调整浓度而获得粘合剂组合物G。
在25μm的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为40μm的方式涂布粘合剂组合物G，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜并通过层压而层积，制作得到总厚115μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例2>
将乙酸乙烯酯含量为5质量％的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜通过挤出加工制成厚度50μm的单层基材膜(8)，对涂布粘合剂的面进行电晕处理。
相对于作为丙烯酸系聚合物的商品名GS TAC P-1000(三洋化成社制)100质量份，混配加成物系异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE社制)1质量份，并混配环氧系固化剂TETRAD-X(三菱瓦斯化学社制)0.1质量份，利用乙酸乙酯调整浓度而获得粘合剂组合物H。
在25μm的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为10μm的方式涂布粘合剂组合物H，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在单层基材膜(8)并通过层压而层积，制作得到总厚85μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例3>
将密度为0.910g/cm3的聚丙烯(PP)以5μm厚、将乙酸乙烯酯含量为19质量％、MFR为2.5g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以75μm厚通过共挤出加工进行制膜，制成总厚80μm的由2层构成的多层基材膜(9)。其后，通过对EVA面进行电晕处理而提高与粘合剂的密合性。
相对于丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-羟基乙酯的共聚物即分子量30万的丙烯酸系基底树脂100质量份，混配异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE社制)2质量份、作为低聚物的具有光聚合性碳-碳双键的四羟甲基甲烷四丙烯酸酯150质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名，Ciba Japan社制)5质量份，利用乙酸乙酯调整浓度而获得粘合剂组合物I。
在25μm的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为55μm的方式涂布粘合剂组合物I，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在多层基材膜(9)并通过层压而层积，制作得到总厚160μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例4>
通过对聚丙烯(PP)进行挤出加工而获得厚度110μm的单层基材膜(10)。其后，通过对贴合粘合剂的面进行电晕处理而提高与粘合剂的密合性。
相对于作为丙烯酸系聚合物的S-1605(商品名，东亚合成社制)100质量份，混配加成物系异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE社制)2.2质量份，利用乙酸乙酯调整浓度而获得粘合剂组合物E。
在25μm的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为5μm的方式涂布粘合剂组合物E，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在单层基材膜(10)并通过层压而层积，制作得到总厚140μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例5>
将密度为0.952g/cm3、MFR为21g/10min的高密度聚乙烯(HDPE)以198μm厚、将乙酸乙烯酯含量为6质量％、MFR为2.5g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以22μm厚通过共挤出加工进行制膜，制成总厚220μm的由2层构成的多层基材膜(11)。其后，通过对EVA面进行电晕处理而提高与粘合剂的密合性。
相对于作为丙烯酸系聚合物的S-1605(东亚合成社制)100质量份，混配加成物系异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE社制)0.5质量份，利用乙酸乙酯调整浓度而获得粘合剂组合物J。
在50μm的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为90μm的方式涂布粘合剂组合物J，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在多层基材膜(11)的EVA侧并通过层压而层积，制作得到总厚335μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例6>
相对于作为丙烯酸系聚合物的商品名GS TAC P-1000(三洋化成社制)100质量份，混配加成物系异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE社制)0.5质量份，并混配环氧系固化剂TETRAD-X(三菱瓦斯化学社制)3.0质量份，利用乙酸乙酯调整浓度而获得粘合剂组合物K。
在25μm的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为15μm的方式涂布粘合剂组合物K，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)的单层基材膜(12)并通过层压而层积，制作得到总厚90μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
<比较例7>
想要将密度为0.965g/cm3、MFR为5g/10min的高密度聚乙烯(HDPE)以20μm厚、将乙酸乙烯酯含量为30质量％、MFR为32g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以80μm厚通过共挤出加工进行制膜，制成总厚200μm的由2层构成的多层基材膜(12)，但EVA层的粘附感较强，粘接在辊等而无法进行膜化。
<比较例8>
将密度为0.965g/cm3、MFR为5g/10min的高密度聚乙烯(HDPE)以108μm厚、将乙酸乙烯酯含量为6质量％、MFR为2.5g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)以72μm厚通过共挤出加工进行制膜，制成总厚180μm的由2层构成的多层基材膜(13)。其后，通过对EVA面进行电晕处理而提高与粘合剂的密合性。
作为能量射线固化型共聚物，使由丙烯酸丁酯65质量份、丙烯酸2-羟基乙酯30质量份、甲基丙烯酸甲酯5质量份构成的重均分子量700,000的丙烯酸系共聚物的25％乙酸乙酯溶液100质量份、与甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯8质量份(相对于丙烯酸系共聚物的官能基100当量为80当量)反应，获得该能量射线固化型丙烯酸共聚物。相对于该丙烯酸共聚物100质量份，混配异氰酸酯系交联剂Coronate L(商品名，NIPPON POLYURETHANE社制)2质量份、光聚合引发剂Irgacure 184(商品名，CibaJapan社制)5质量份，利用乙酸乙酯调整浓度而获得紫外线固化型的粘合剂组合物C。
在25μm的PET隔离膜上，按照干燥后的厚度为20μm的方式涂布粘合剂组合物C，在120℃的干燥炉中使其干燥，将其贴合在多层基材膜(13)并通过层压而层积，制作得到总厚225μm的附有隔离膜的半导体晶片表面保护用胶带。
对上述实施例及比较例中制作的半导体晶片表面保护用胶带进行以下试验，并评价其性能。将评价结果记载于下述表1及表2中。
1.磨削性试验
作为贴附机，使用日东精机株式会社制的DR8500II(商品名)，在厚度为725μm的8英寸半导体晶片上形成约10μm厚的聚酰亚胺膜，进一步对以约1mm的间隔呈格子状地形成有宽度200μm、深度5μm左右的划线的半导体晶片进一步进行等离子体蚀刻处理，在表面进行了改性的半导体晶片贴合实施例及比较例中制作的半导体晶片表面保护用胶带。其后，使用具有线内机构的研磨机(Disco株式会社制的DFG8760(商品名))分别进行25片半导体晶片的研磨直至厚度为100μm，按照以下基准进行评价。
(薄膜磨削性评价基准)
几乎无边缘裂纹，全部25片半导体晶片均可磨削的试样：A
可见若干边缘裂纹但晶片并未破裂而可磨削的试样、或25片半导体晶片中有1片～2片破裂的试样：B
半导体晶片破裂3片以上的试样：C
(灰尘渗入评价基准)
划线中并未渗入灰尘或磨削水的试样：A
划线中渗入有灰尘或磨削水的试样：C
(翘曲评价基准)
完全未发生输送错误、翘曲量小于15mm的试样：A
输送错误完全未发生或小于10％、翘曲量为15mm以上的试样：B
发生10％以上搬送错误的试样：C
2.剥离性评价
利用具有线内机构的Mounter RAD2700对在磨削实验中磨削至100μm厚的半导体晶片进行剥离实验。在剥离时，对于适用压敏型粘合剂的表面保护用胶带，进行50℃的加热剥离，对于适用紫外线固化型粘合剂的表面保护用胶带，进行照射量：500mJ的紫外线照射后，紫外线固化型粘合剂进行24℃的加热剥离，压敏型粘合剂进行50℃的加热剥离，按照以下基准进行评价。
可直接全部剥离的试样：A
剥离错误或无法剥离的试样：C
3.粘合剂残留评价
对剥离实验中经剥离的半导体晶片表面进行观察，按照以下基准评价有无粘合剂残留。
无粘合剂残留：A
有粘合剂残留：C
4.SUS#280的粘合力
自实施例及比较例的半导体晶片表面保护用胶带提取3片宽度25mm×长度300mm的试验片，针对该试验片1，利用图2所示的方法，将2kg的橡胶辊往复3次施加在经JIS R 6253中规定的280号耐水研磨纸精加工的JIS G 4305中规定的厚度1.5mm～2.0mm的SUS钢板2上进行压接，放置1小时之后，使用测定值处于其容量的15％～85％的范围的符合JIS B 7721的拉伸试验机3测定粘合力。图中，箭头表示拉伸方向。测定是以180度剥离法进行的，此时的拉伸速度为300mm/min。
5.加热剥离的SUS#280的粘合力
利用与上述方法相同的程序测定一边加热至50℃一边进行剥离时的粘合力。需要说明的是，对于紫外线固化型粘合剂，进行照射量：500mJ的紫外线照射后，紫外线固化型粘合剂进行24℃的加热剥离，压敏型粘合剂进行50℃的加热剥离。
6.蚀刻评价
按照体积比例将硫酸：硝酸：氢氟酸以85：13：2的比例混合，制备蚀刻溶液。
(蚀刻液渗入实验)
在与磨削实验中使用的试样相同的表面形状的形成有划线的镜面晶片上，使用日东精机株式会社制的DR8500II(商品名)进行实施例及比较例中制作的表面保护用胶带的贴合。在混配得到的30℃的蚀刻液中浸渍附有表面保护的晶片，进行15分钟晶片的背面蚀刻，按照以下基准进行评价。
蚀刻液未渗入的试样：A
蚀刻液从划线或基材面渗入的试样：C
7.基材膜耐酸性实验
在6英寸的镜面晶片上载置pH值试纸，使用日东精机株式会社制的DR8500II(商品名)进行实施例及比较例中制作的表面保护用胶带的贴合。在pH值试纸上滴加混配得到的蚀刻液，在室温下放置30分钟，按照以下基准进行评价。
pH值试纸的颜色未变化的试样：A
pH值试纸的颜色发生变化的试样：C
8.胶粘试验
使用胶粘性试验机(商品名：TACII，Rhesca制)，将3mmφ圆柱状探针以30mm/min的速度压入试验片的基材膜背面侧(与粘合剂涂布面相反侧)，以静止负荷100g保持1秒钟后，以600mm/min的速度提拉，测定此时的负荷，求出胶粘力。
需要说明的是，下述表1、2中的“层比例(高弹性层：低弹性层)”为高弹性模量层与低弹性模量层的厚度之比。
如表1和表2所示，实施例1～7中，磨削成薄膜的聚酰亚胺膜改性晶片全部能够剥离，未见粘合剂残留，也未见蚀刻液的渗入等。另一方面，比较例1～8中，薄膜磨削时发生破裂产生、粘合剂残留、剥离不良、灰尘渗入、蚀刻液渗入或蚀刻液通过基材膜对半导体晶片面的渗透中的任一情况。具体而言，比较例1、2、3中，基材膜的耐酸性差，蚀刻液渗入，未作为基材膜而发挥作用。另外，由于粘合剂层的厚度厚，因此比较例3、5中也发生了粘合剂向蚀刻液的溶出，因此半导体晶片的表面端部可见蚀刻液所产生的污染。进一步，比较例3和5中，因蚀刻剂而受到侵害，因此在边缘部产生粘合剂残留。另外，由于因蚀刻液污染的部分的光反应引发剂分解，因此在比较例3中，紫外线固化型粘合剂在端部的剥离较为严重，结果也产生剥离不良。比较例4中，粘合剂的厚度非常薄、为5μm，因此产生灰尘渗入及蚀刻液的渗入。比较例5中，粘合剂层的厚度非常厚、为90μm，因此在剥离时产生凝聚力不足所致的粘合剂残留，即使进一步进行加热剥离也为高粘合，因此产生带剥离不良。比较例6中，基材膜对蚀刻液的耐酸性差，半导体晶片的保持力、磨削性完全不良，失去胶带的功能。比较例7中无法进行基材膜的制膜。比较例8中，翘曲量大，因此频繁发生输送错误，也产生了半导体晶片落下而破裂的不良情况。
将本发明与其实施方式一同进行了说明，但发明人认为，只要未特别限定，则在说明的任一细微处均不是对本申请发明进行限定，应在不违反所附权利要求中所示的发明精神和范围的情况下做出宽泛的解释。
本申请主张基于2012年3月19日在日本提出专利申请的日本特愿2012-062725和2012年12月20日在日本提出专利申请的日本特愿2012-278733的优先权，以参照的方式将其内容作为本说明书记载的一部分并入到本说明书中。
符号说明
1 胶带试验片
2 SUS钢板
3 拉伸试验机
20 基材膜
21 背面
22 前面
23 粘合剂层

Claims (8)

1.一种半导体晶片表面保护用胶带，其是在基材膜上具有粘合剂层的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，
所述基材膜的总厚度为50μm～200μm，其是由高弹性模量层与低弹性模量层构成的复合基材膜，该高弹性模量层与该低弹性模量层的厚度的比例、即高弹性模量层厚度：低弹性模量层厚度为1：9～5：5的范围，
所述高弹性模量层配置在所述粘合剂层背面、即配置在基材膜的与涂布粘合剂层的面相反的面，且为由聚丙烯或直链状聚乙烯构成的厚度10μm以上的层，
所述低弹性模量层由乙酸乙烯酯含有率为5质量％～20质量％、且MFR为0.8g/10min～10g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物构成，
所述半导体晶片表面保护用胶带的所述粘合剂层厚度为10μm～50μm，在50℃加热剥离时相对于SUS280研磨面的粘合力或500mJ的紫外线照射后的粘合力中的任一者为1.0N/25mm以下、且为未加热时或未照射紫外线时的粘合力的50％以下；
其中，所述“粘合力”是指将2kg的橡胶辊往复3次施加于被粘合体而进行压接，放置1小时后，使用符合JIS B 7721的拉伸试验机，利用180度剥离法以速度300mm/min进行测定时的粘合力；
所述“未加热时”、“未照射紫外线时”、“紫外线照射后”的测定条件是均为以24℃、相对湿度50％获得的值；
所述SUS研磨面是指利用JIS R 6253中规定的280号耐水研磨纸进行了精加工的JIS G 4305中规定的厚度1.5mm～2.0mm的SUS钢板的面。
2.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述高弹性模量层的树脂是密度为0.910g/cm3～0.970g/cm3、且MFR为10g/10min以下的直链状聚乙烯。
3.如权利要求1或2所述的半导体晶片表面保护用胶带，其是在不使用粘接剂以外的其它材料的情况下对所述基材膜的所述高弹性模量层与所述低弹性模量层进行层积而成的。
4.如权利要求1或2所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述粘合剂层为压敏型粘合剂层，在包含蚀刻工序的半导体加工工艺中使用。
5.如权利要求1或2所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述基材膜的聚丙烯或直链状聚乙烯经双向拉伸处理而成。
6.如权利要求1或2所述的半导体晶片表面保护用胶带，其胶粘力为60kPa～200kPa。
7.如权利要求1或2所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述粘合剂层为乳液系粘合剂层。
8.如权利要求7所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述乳液系粘合剂层中不含水分散性异氰酸酯交联剂。
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