JP5328193B2 - 多層バックグラインド用基体フィルム、バックグラインドフィルム、及びその製造方法 - Google Patents
多層バックグラインド用基体フィルム、バックグラインドフィルム、及びその製造方法 Download PDFInfo
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Description
本発明の多層バックグラインド用基体フィルムは、A層は非晶性オレフィン0〜70重量%とポリプロピレン系樹脂30〜100重量%とからなる樹脂組成物を含み、B層は非晶性オレフィン15〜100重量%とポリプロピレン系樹脂0〜85重量%とからなる樹脂組成物を含み、C層はゴム弾性を有する熱可塑性樹脂を含み、A層/B層/C層をこの順で積層したことを特徴とする。
メチル−1−ペンテン等が例示される。
II.バックグラインド用基体フィルムの製造方法
A層/B層/C層からなる3層バックグラインド用基体フィルムは、上記のA層〜C層を構成する樹脂を多層共押出成形して製造する。具体的には、非晶性オレフィン0〜70重量%とポリプロピレン系樹脂30〜100重量%とからなる樹脂組成物を含むA層用樹脂、非晶性オレフィン15〜100重量%とポリプロピレン系樹脂0〜85重量%とからなる樹脂組成物を含むB層用樹脂、ゴム弾性を有する熱可塑性樹脂を含むC層用樹脂を、A層/B層/C層の順で多層共押出成形することにより製造される。
III.バックグラインドフィルム
得られる多層バックグラインド用基体フィルムのA層の表面上に公知の粘着剤をコートして粘着剤層が形成され、さらに該粘着剤層上に離型フィルムが設けられて、バックグラインドフィルムが製造される。粘着剤層の厚さは、例えば、10〜200μm程度、離型フィルムの厚さは、例えば、10〜100μm程度であればよい。
IV.半導体ウエハのバックグラインド方法
本発明のバックグラインド方法は、バックグラインドフィルムを半導体ウエハの表面(回路面)に貼着し、該半導体ウエハの裏面を研削し、半導体ウエハからバックグラインドフィルムを除去する。
<原料>
実施例及び比較例において下記の原料を用いた。以下、下記の略語で示す。
PP:ポリプロピレン系樹脂(サンアロマー株式会社製 PC412A)
EMA:エチレン−メチルアクリレート共重合体(アトフィナジャパン株式会社製 ロトリル9MA)
<反りの評価>
ウェハの代替として、常温(25℃)から50℃の温度域で、半導体ウェハと同程度に寸法安定性の良いポリイミド(PI)テープ(住友スリーエム株式会社製 スコッチポリイミドテープ No.5434、厚さ53μm)を使用した。
<ブロッキングの評価>
実施例及び比較例で得られたフィルムの任意の場所から、たて100 mm×よこ30 mm(フィルムの流れ方向をたて方向、幅方向をよこ方向としてサンプルを切り出した)の大きさに測定用サンプルを2枚切り出した。2枚の測定用サンプルを、同一面(冷却ロールと接する面)同士がたて40 mm×よこ30 mm の面積で重なり合うようにし、この重なり合った測定用サンプルを2枚のガラス板で挟み、その上から、サンプルが重なり合っている部分に600 gの重りをのせた。これを40℃の恒温槽の中に入れ、7日間放置した。7日後、恒温槽より取り出したサンプルを、新東科学株式会社製剥離試験器(Peeling TESTER HEIDON−17)にセットし、引張り速度200 mm/minで、180度せん断剥離強度を測定し、4.9 N/10 mm以下であれば、ブロッキングなしとした。
非晶PP 20重量%及びPP 80重量%をドライブレンドし、これをA層用樹脂とした。非晶PP 20重量%及びPP 80重量%をドライブレンドし、これをB層用樹脂とした。EMA 100重量%をC層用樹脂とした。
表1に記載の樹脂組成及び配合割合にすること以外は実施例1と同様に処理して、実施例2〜11、比較例1〜3の3層フィルムを得た。
Claims (6)
- A層/B層/C層の順で積層してなる多層バックグラインド用基体フィルムであって、A層は非晶性オレフィン0〜70重量%とポリプロピレン系樹脂30〜100重量%とからなる樹脂組成物を含み、B層は非晶性オレフィン15〜100重量%とポリプロピレン系樹脂0〜85重量%とからなる樹脂組成物を含み、C層はゴム弾性を有する熱可塑性樹脂を含む多層バックグラインド用基体フィルム。
- 厚みが50〜300μmである請求項1に記載の多層バックグラインド用基体フィルム。
- 請求項1又は2記載の多層バックグラインド用基体フィルムのA層の表面にさらに粘着剤層及び離型フィルムを有するバックグラインドフィルム。
- 請求項3に記載のバックグラインドフィルムを半導体ウエハの表面(回路面)に貼着し、該半導体ウエハの裏面を研削し、該半導体ウエハからバックグラインドフィルムを除去することを特徴とする半導体ウエハのバックグラインド方法。
- A層/B層/C層の順で積層してなる多層バックグラインド用基体フィルムの製造方法であって、非晶性オレフィン0〜70重量%とポリプロピレン系樹脂30〜100重量%とからなるA層用樹脂、非晶性オレフィン15〜100重量%とポリプロピレン系樹脂0〜85重量%とからなるB層用樹脂、ゴム弾性を有する熱可塑性樹脂からなるC層用樹脂を、A層/B層/C層の順で共押出成形することを特徴とする製造方法。
- C層のゴム弾性を有する熱可塑性樹脂がエチレンとアクリル酸エステルの共重合体である請求項1又は2に記載の多層バックグラインド用基体フィルム。
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