JP5219553B2 - バックグラインド用基体フィルム及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、次のA層/B層/C層を含む少なくとも3層からなり、特に3層のバックグラインド用基体フィルムが典型例として挙げられる。
本発明の多層構成のバックグラインド用基体フィルムは、Tダイスまたは環状ダイスを使用した押出法やカレンダー法等、従来から用いられている方法で成形することが可能である。基体フィルムの厚み精度の点から考えると、Tダイスを使用した押出法が好ましいため、以下Tダイスを使用した押出法について説明する。 ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜50重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体50〜100重量%を含むA層用樹脂、非晶性オレフィン15〜100重量%及びポリプロピレン系樹脂0〜85重量%を含むB層用樹脂、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜50重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体50〜100重量%を含むC層用樹脂を、A層/B層/C層の順で共押出成形することにより製造することができる。
本発明のバックグラインド方法は、バックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面(回路面)に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去する。
<原料>
実施例及び比較例において下記の原料を用いた。
・スチレン−ブタジエンブロック共重合体水素添加物(SEBS):旭化成ケミカルズ株式会社製 S.O.E. SS9000
・メタアクリル酸メチルエステル−スチレンブロック共重合体(MS):電気化学工業株式会社 TX100K
・メタアクリル酸メチル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(MBS):電気化学工業株式会社 TH23T
・メタアクリル酸メチル−アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(MABS):電気化学工業株式会社 CL430
・非晶性オレフィン:住友化学株式会社製 タフセレン
・ポリプロピレン系樹脂:サンアロマー株式会社製 PC412A
<反りの評価>
ウェハの代替として、常温(25℃)から50℃の温度域で、半導体ウェハと同程度に寸法安定性の良いポリイミド(PI)テープ(住友スリーエム株式会社製 スコッチポリイミドテープ No.5434、厚さ53μm)を使用した。
<ブロッキングの評価>
得られた基体フィルムの任意の場所から、たて100 mm×よこ30 mm(フィルムの流れ方向をたて方向、幅方向をよこ方向としてサンプルを切り出した)の大きさに測定用サンプルを2枚切り出した。2枚の測定用サンプルを、同一面(冷却ロールと接する面)同士がたて40 mm×よこ30 mm の面積で重なり合うようにし、この重なり合った測定用サンプルを2枚のガラス板で挟み、その上から、サンプルが重なり合っている部分に600 gの重りをのせた。これを40℃の恒温槽の中に入れ、7日間放置した。7日後、恒温槽より取り出したサンプルを、新東科学株式会社製剥離試験器(Peeling TESTER HEIDON−17)にセットし、引張り速度200 mm/minで、180度せん断剥離強度を測定し、4.9 N/10 mm以下であれば、ブロッキングなしとした。
SEBS 20重量%及びMBS 80重量%をドライブレンドし、これをA層用樹脂とした。非晶性オレフィン 20重量%及びポリプロピレン系樹脂 80重量%をドライブレンドし、これをB層用樹脂とした。SEBS 20重量%及びMBS 80重量%をドライブレンドし、これをC層用樹脂とした。
表1、2に記載の樹脂組成及び配合割合にすること以外は実施例1と同様に処理して、実施例2−16、比較例1〜3の3層の基体フィルムを得た。
Claims (5)
- ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜50重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体50〜100重量%を含むA層、非晶性オレフィン15〜100重量%及びポリプロピレン系樹脂0〜85重量%を含むB層、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜50重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体50〜100重量%を含むC層を有し、前記(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体が、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体単位と、スチレン系単量体単位とからなる共重合体(MS2元共重合体)、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体単位と、ジエン系単量体単位と、スチレン系単量体単位とからなる共重合体(MBS3元共重合体)、及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体単位と、アクリロニトリル系単量体単位と、ジエン系単量体単位と、スチレン系単量体単位とからなる共重合体(MABS4元共重合体)からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、A層/B層/C層の順で積層されてなるバックグラインド用基体フィルム。
- 厚みが50〜300μmである請求項1に記載のバックグラインド用基体フィルム。
- 請求項1又は2に記載のバックグラインド用基体フィルムのA層の表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するバックグラインドフィルム。
- 請求項3に記載のバックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面(回路面)に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、該半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去することを特徴とする半導体ウェハのバックグラインド方法。
- バックグラインド用基体フィルムの製造方法であって、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜50重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体50〜100重量%を含むA層用樹脂、非晶性オレフィン15〜100重量%及びポリプロピレン系樹脂0〜85重量%を含むB層用樹脂、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜50重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体50〜100重量%を含むC層用樹脂を、A層/B層/C層の順で共押出成形すること、並びに前記(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体が、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体単位と、スチレン系単量体単位とからなる共重合体(MS2元共重合体)、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体単位と、ジエン系単量体単位と、スチレン系単量体単位とからなる共重合体(MBS3元共重合体)、及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系単量体単位と、アクリロニトリル系単量体単位と、ジエン系単量体単位と、スチレン系単量体単位とからなる共重合体(MABS4元共重合体)からなる群から選ばれる少なくとも1種であること、を特徴とする製造方法。
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