JP5388465B2 - バックグラインド用基体フィルム及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、次のA層/B層/C層を含む少なくとも3層からなるフィルム、及びA層/B層/A’層を含む少なくとも3層からからなるフィルムである。
(1)A層/B層/C層を含むバックグラインドフィルム
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、次のA層/B層/C層を含む少なくとも3層からなり、特に3層のバックグラインド用基体フィルムが典型例として挙げられる。
上記で示される3層バックグラインド用基体フィルムの中間層であるB層は、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物を50〜100重量%(好ましくは60〜100重量%、より好ましくは70〜100重量%)含み、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体を0〜50重量%(好ましくは0〜40重量%、より好ましくは0〜30重量%)含んでいる。かかる組成割合とすることにより、主に、熱に対する優れた寸法安定性をバッググラインド用基体フィルムに付与し反りを生じにくくする働きを有する。
(2)A層/B層/A’層を含むバックグラインドフィルム
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、次のA層/B層/A’層を含む少なくとも3層からなり、特に3層のバックグラインド用基体フィルムが典型例として挙げられる。
本発明の多層構成の(1)A層/B層/C層、又は(2)A層/B層/A’層を含むバックグラインド用基体フィルムは、それぞれTダイスまたは環状ダイスを使用した押出法やカレンダー法等、従来から用いられている方法で成形することが可能である。基材フィルムの厚み精度の点から考えると、Tダイスを使用した押出法が好ましいため、以下Tダイスを使用した押出法について説明する。
(1)A層/B層/C層を含むバックグラインドフィルムの製法
複数の押出機を用い、それぞれの原料樹脂をそれぞれの押出機に投入し、上記と同様にしてロール状の多層基体フィルムを得る。具体的には、A層/B層/C層からなる3層構成のバックグラインド用基体フィルムを成形する場合、上記の各層の原料樹脂を用いて共押出しにより成形する。 ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層用樹脂、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層用樹脂、並びにゴム弾性を有する熱可塑性樹脂を含むC層用樹脂を、A層/B層/C層の順で共押出成形することにより製造される。
(2)A層/B層/A’層を含むバックグラインドフィルムの製法
複数の押出機を用い、それぞれの原料樹脂をそれぞれの押出機に投入し、上記と同様にしてロール状の多層基体フィルムを得る。具体的には、A層/B層/A’層からなる3層構成のバックグラインド用基体フィルムを成形する場合、上記の各層の原料樹脂を用いて共押出により成形する。
III.半導体ウェハのバックグラインド方法
本発明のバックグラインド方法は、バックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面(回路面)に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去する。
<原料>
実施例及び比較例において下記の原料を用いた。
・スチレン−ブタジエンブロック共重合体水素添加物(SEBS):旭化成ケミカルズ株式会社製 S.O.E. SS9000
・メタアクリル酸メチル−スチレンブロック共重合体(MS):電気化学工業株式会社 TX100K
・メタアクリル酸メチル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(MBS):電気化学工業株式会社 TH23T
・メタアクリル酸メチル−アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体(MABS):電気化学工業株式会社 CL430
・エチレン−アクリル酸メチル共重合体(EMA):アトフィナジャパン株式会社製 ロトリル9MA02
<反りの評価>
ウェハの代替として、常温(25℃)から50℃の温度域で、半導体ウェハと同程度に寸法安定性の良いポリイミド(PI)テープ(住友スリーエム株式会社製 スコッチポリイミドテープ No.5434、厚さ53μm)を使用した。
<ブロッキングの評価>
得られた基体フィルムの任意の場所から、たて100 mm×よこ30 mm(フィルムの流れ方向をたて方向、幅方向をよこ方向としてサンプルを切り出した)の大きさに測定用サンプルを2枚切り出した。2枚の測定用サンプルを、同一面(冷却ロールと接する面)同士がたて40 mm×よこ30 mm の面積で重なり合うようにし、この重なり合った測定用サンプルを2枚のガラス板で挟み、その上から、サンプルが重なり合っている部分に600 gの重りをのせた。これを40℃の恒温槽の中に入れ、7日間放置した。7日後、恒温槽より取り出したサンプルを、新東科学株式会社製剥離試験器(Peeling TESTER HEIDON−17)にセットし、引張り速度200 mm/minで、180度せん断剥離強度を測定し、4.9 N/10 mm以下であれば、ブロッキングなしとした。
SEBS 20重量%及びMBS 80重量%をドライブレンドし、これをA層用樹脂とした。SEBS 50重量%及びMBS 50重量%をドライブレンドし、これをB層用樹脂とした。EMA 100重量%をC層用樹脂とした。
表1、2に記載の樹脂組成及び配合割合にすること以外は実施例1と同様に処理して、実施例2−16、比較例1〜3の3層フィルムを得た。
SEBS 20重量%及びMBS 80重量%をドライブレンドし、これをA層用樹脂とした。SEBS 50重量%及びMBS 50重量%をドライブレンドし、これをB層用樹脂とした。SEBS 20重量%及びMBS 80重量%をドライブレンドし、これをA’層用樹脂とした。
表3、4に記載の樹脂組成及び配合割合にすること以外は実施例1と同様に処理して、実施例18−32、比較例4〜6の3層フィルムを得た。
Claims (7)
- ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層、並びにゴム弾性を有する熱可塑性樹脂を含むC層を有し、A層/B層/C層の順で積層されてなるバックグラインド用基体フィルム。
- ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜20重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体80〜100重量%を含むA’層を有し、A層/B層/A’層の順で積層されてなるバックグラインド用基体フィルム。
- 厚みが50〜300μmである請求項1又は2に記載のバックグラインド用基体フィルム。
- 請求項1又は2に記載のバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するバックグラインドフィルム。
- 請求項3に記載のバックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面(回路面)に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去することを特徴とする半導体ウェハのバックグラインド方法。
- バックグラインド用基体フィルムの製造方法であって、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層用樹脂、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層用樹脂、並びにゴム弾性を有する熱可塑性樹脂を含むC層用樹脂を、A層/B層/C層の順で共押出成形することを特徴とする製造方法。
- バックグラインド用基体フィルムの製造方法であって、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜80重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体20〜100重量%を含むA層用樹脂、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物50〜100重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体0〜50重量%を含むB層用樹脂、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物0〜20重量%及び(メタ)アクリル酸アルキルエステル系重合体80〜100重量%を含むA’層用樹脂を、A層/B層/A’層の順で共押出成形することを特徴とする製造方法。
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