JP5383069B2

JP5383069B2 - バックグラインドフィルム及びその製造方法

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Publication number: JP5383069B2
Application number: JP2008078205A
Authority: JP
Inventors: 真明岡川; 茂佐合; 隆太斎藤
Original assignee: Gunze Ltd
Current assignee: Gunze Ltd
Priority date: 2008-03-25
Filing date: 2008-03-25
Publication date: 2014-01-08
Anticipated expiration: 2028-03-25
Also published as: JP2009231735A

Description

本発明は、半導体ウェハの裏面研削（以下、「バックグラインド」という）する際に、該半導体ウェハに貼着して使用されるフィルムに関する。

半導体を製造する場合には、半導体ウェハの表面にイオン注入、エッチング等で回路を形成した後、ウェハを所定の厚さにするためにウェハの回路形成面とは反対の面をグラインダー等で研削するバックグラインド工程を経るのが一般的である。

この半導体ウェハのバックグラインド時に、半導体ウェハの破損を防止し、研削加工を容易にするため、半導体ウェハの回路形成面（表面）に裏面研削用表面保護フィルム（バッググラインドフィルム）を貼着して保護する方法がとられている。

バッググラインドフィルムはバックグラインド時の摩擦熱により加熱され、バックグラインド終了後は常温まで冷却される。従来用いられているバッググラインドフィルムは、バックグラインド終了後の冷却過程で収縮するため半導体ウェハ側に反りが発生することが知られている。

近年、半導体ウェハの超薄型化（５０μｍ以下）の進行により、バッググラインドフィルムの反りに追随して貼着された半導体ウェハにも反りが発生しやすくなり、ひいては半導体ウェハチップに欠けが発生するという問題が生じている（例えば、図１）。

そのため、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程で反りが生じにくい寸法安定性に優れるバッググラインドフィルムが望まれてきている。

かかるウェハの反りの問題を解決するべく、特許文献１には、粘着剤層上にＥＶＡフィルムをラミネートし、さらに粘着剤及びＰＥＴフィルムをラミネートして得られる半導体ウェハ加工用保護シートが提案されている（実施例１等）。

また、特許文献２には、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン系共重合体からなる基材フィルムの方表面に粘着剤を塗布した半導体ウェハ表面保護用粘着フィルムが提案されている（請求の範囲、実施例１等）。

また、特許文献３には、ジエン系ブロック重合体の水素添加物及び極性基変性オレフィン系重合体から選ばれる少なくとも１種を含むエラストマーからなるバックグラインドテープが記載されている。
特開２００６−１２８２９２号公報特開２００６−２６１４８２号公報特開２００５−１９１２９６号公報

本発明は、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくい優れた寸法安定性を有するバッググラインド用基体フィルム及びバックグラインドフィルムを提供することを目的とする。

本発明者は、上記の課題を解決するために鋭意研究を行った結果、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体をそれぞれ所定割合含む、Ａ層／Ｂ層／Ｃ層からなるバックグラインド用基体フィルムが、バックグラインド工程において寸法安定性に優れることを見いだした。かかる知見に基づき、さらに研究を重ねて本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は下記のバックグラインド用基体フィルム及びその製造方法を提供する。

項１．ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物０〜５０重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体５０〜１００重量％を含むＡ層、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物５０〜１００重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体０〜５０重量％を含むＢ層、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物０〜５０重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体５０〜１００重量％を含むＣ層を有し、Ａ層／Ｂ層／Ｃ層の順で積層されてなるバックグラインド用基体フィルム。

項２．厚みが５０〜３００μｍである項１に記載のバックグラインド用基体フィルム。

項３．項１又は２に記載のバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するバックグラインドフィルム。

項４．項３に記載のバックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面（回路面）に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去することを特徴とする半導体ウェハのバックグラインド方法。

項５．バックグラインド用基体フィルムの製造方法であって、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物０〜５０重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体５０〜１００重量％を含むＡ層用樹脂、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物５０〜１００重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体０〜５０重量％を含むＢ層用樹脂、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物０〜５０重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体５０〜１００重量％を含むＣ層用樹脂を、Ａ層／Ｂ層／Ｃ層の順で共押出成形することを特徴とする製造方法。

本発明のバッググラインド用基体フィルムは、薄型半導体ウェハのバックグラインド工程において、該半導体ウェハに反りが生じにくく寸法安定性に優れている。また、基体フィルム巻き取り時におけるブロッキングを効果的に抑制することができる。

Ｉ．バックグラインドフィルム
本発明のバックグラインド用基体フィルムは、次のＡ層／Ｂ層／Ｃ層を含む少なくとも３層からなり、特に３層のバックグラインド用基体フィルムが典型例として挙げられる。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物０〜５０重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体５０〜１００重量％を含むＡ層、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物５０〜１００重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体０〜５０重量％を含むＢ層、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物０〜５０重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体５０〜１００重量％を含むＣ層を有し、Ａ層／Ｂ層／Ｃ層の順で積層されてなるバックグラインド用基体フィルムが挙げられる。ここで、（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味する。

このバックグラインド用基体フィルムは、バックグラインド工程において発生する熱に対し高い寸法安定性を有し、半導体ウェハの反りを抑制することができる。しかも、該基体フィルムをロール状に巻き取った場合でもブロッキングの発生を抑えることができる。

ここで、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物とは、ビニル芳香族炭化水素と共役ジエン炭化水素との共重合体を水素添加した化合物である。該化合物は市販されているか、或いは公知の方法により容易に製造ですることができる。ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体は、ランダム、ブロックのいずれでもよいが、好ましくはブロックである。

ビニル芳香族炭化水素としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、１，１−ジフェニルエチレン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−アミノエチルスチレン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｐ−アミノエチルスチレン等があげられ、これらは一種のみならず二種以上を使用してもよい。特にスチレンが好適である。

共役ジエン炭化水素とは、１対の共役二重結合を有するジオレフィンであり、例えば１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン（イソプレン）、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエンなどであるが、特に一般的なものとしては１，３−ブタジエン、イソプレンが挙げられる。これらは一種のみならず二種以上を使用してもよい。特にブタジエンが好適である。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物におけるビニル芳香族炭化水素単位の含有量は、通常８〜７５重量％、好ましくは１０〜７０重量％であり、また、共役ジエン炭化水素単位の含有量は、通常２５〜９２重量％、好ましくは２０〜９０重量％である。スチレン系単量体単位の含有量は、紫外分光光度計又は核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて、ジエン系単量体単位の含有量は、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて測定することができる。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物の硬度（ＪＩＳＫ６２５３デュロメータータイプＡ）は４０〜９０程度、好ましくは、５５〜８５程度である。その比重（ＡＳＴＭＤ２９７）は０．８５〜１．０程度であり、ＭＦＲ（ＡＳＴＭＤ１２３８：２３０℃、２１．２Ｎ）は２〜６ｇ／１０ｍｉｎ程度である。

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、１０万〜５０万程度、好ましくは１５万〜３０万程度であればよい。重量平均分子量は、市販の標準ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いて測定できる。

使用するビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物は、共役ジエン炭化水素に由来の二重結合を、公知の方法により水素添加（例えば、ニッケル触媒等）して飽和にしておくのがよい。これにより、耐熱性、耐薬品性、耐久性等に優れたより安定な樹脂になるからである。そのビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物の水添率は、共重合体中の共役ジエン炭化水素に基づく二重結合の８５％以上、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上である。この水添率は、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）を用いて測定できる。

また、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体としては、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体とスチレン系単量体、さらに必要に応じジエン系単量体、アクリロニトリル系単量体等からなる共重合体が挙げられる。

（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体としては、（メタ）アクリル酸のアルキルエステルであり、該アルキルは一般に炭素数１〜５のアルキル（特に、メチル、エチル等）であり、炭素数が大きくなる程該重合体の硬度は低下する傾向にある。（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体の具体例としては、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル等が挙げられる。

ジエン系単量体としては、１対の共役二重結合を有するジオレフィンが挙げられ、例えば１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン（イソプレン）、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、２−メチル−１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエンなどであるが、特に一般的なものとしては１，３−ブタジエン、イソプレンが挙げられる。これらは一種のみならず二種以上を使用してもよい。特にブタジエンが好適である。

スチレン系単量体は、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ジビニルベンゼン、１，１−ジフェニルエチレン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｐ−アミノエチルスチレン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−ｐ−アミノエチルスチレン等があげられ、これらは一種のみならず二種以上を使用してもよい。特にスチレンが好適である。

具体的なメタアクリル酸アルキルエステル系重合体としては、例えば、メタアクリル酸アルキルエステル系単量体単位と、スチレン系単量体単位とからなる共重合体（ＭＳ２元共重合体）が挙げられ、好ましくは（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体単位４０〜６０重量％（特に５０〜６０重量％）と、スチレン系単量体単位４０〜６０重量％（特に４０〜５０重量％）とからなる共重合体が挙げられる。

ＭＳ２元共重合体は硬質樹脂であり、その硬度（ＪＩＳＫ６２５３デュロメータータイプＤ）は、７０〜９０程度、好ましくは、８０〜９０である。その比重（ＡＳＴＭＤ２９７）は１．１０〜１．1２程度であり、ＭＦＲ（ＡＳＴＭＤ１２３８：２３０℃、２１．２Ｎ）は１.０〜５.０ｇ／１０ｍｉｎ程度であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、示差走査熱量測定法（ＤＳＣ法）により測定した値で８５〜１０５℃程度、好ましくは、９０〜１００℃程度である。また、ＭＳ２元樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０万〜４０万程度、好ましくは１０万〜２０万程度である。測定は、ＧＰＣ法による。

また、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体単位と、ジエン系単量体単位と、スチレン系単量体単位とからなる共重合体（ＭＢＳ３元共重合体）が挙げられ、好ましくは（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体単位３０〜６２重量％（特に３０〜４０重量％）と、ジエン系単量体単位３〜３５重量％（特に１０〜２０重量％）と、スチレン系単量体単位３５〜６７重量％（特に４０〜６０重量％）とからなる共重合体が挙げられる。

ＭＢＳ３元共重合体は硬質樹脂であり、その硬度（ＪＩＳＫ６２５３デュロメータータイプＤ）は、２０〜５０程度、好ましくは、３０〜４０である。その比重（ＡＳＴＭＤ２９７）は１．０９〜１．１１程度であり、ＭＦＲ（ＡＳＴＭＤ１２３８：２３０℃、２１．２Ｎ）は２．０〜６．０ｇ／１０ｍｉｎ程度であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、示差走査熱量測定法（ＤＳＣ法）により測定した値で８０〜９５℃程度、好ましくは、８５〜９０℃程度である。また、ＭＢＳ３元樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０万〜４０万程度、好ましくは１０万〜２０万程度である。測定は、ＧＰＣ法による。

また、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体単位と、アクリロニトリル系単量体単位と、ジエン系単量体単位と、スチレン系単量体単位とからなる共重合体（ＭＡＢＳ４元共重合体）が挙げられ、好ましくは（メタ）アクリル酸アルキルエステル系単量体単位２０〜４０重量％（特に２０〜３０重量％）と、アクリロニトリル系単量体単位５〜１５重量％（特に５〜１０重量％）と、ジエン系単量体単位５〜１５重量％（特に５〜１０重量％）と、スチレン系単量体単位３０〜７０重量％（特に５０〜７０重量％）とからなる共重合体が挙げられる。

ＭＡＢＳ４元共重合体は硬質樹脂であり、その硬度（ＪＩＳＫ６２５３デュロメータータイプＤ）は、２０〜５０程度、好ましくは、３０〜４０である。その比重（ＡＳＴＭＤ２９７）は１．０９〜１．１１程度であり、ＭＦＲ（ＡＳＴＭＤ１２３８：２３０℃、２１．２Ｎ）は１.０〜５.０ｇ／１０ｍｉｎ程度であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）は、示差走査熱量測定法（ＤＳＣ法）により測定した値で８０〜９５℃程度、好ましくは、８５〜９０℃程度である。また、ＭＡＢＳ４元樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０万〜４０万程度、好ましくは１０万〜２０万程度である。測定は、ＧＰＣ法による。

上記で示される３層バックグラインド用基体フィルムの中間層であるＢ層は、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物を５０〜１００重量％（好ましくは６０〜１００重量％、より好ましくは７０〜１００重量％）含み、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体を０〜５０重量％（好ましくは０〜４０重量％、より好ましくは０〜３０重量％）含んでいる。かかる組成割合とすることにより、主に、熱に対する優れた寸法安定性をバッググラインド用基体フィルムに付与し反りを生じにくくする働きを有する。

上記で示される３層バックグラインド用基体フィルムの表裏層であるＡ層及びＣ層は、同一又は異なって、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物を０〜５０重量％（好ましくは２０〜５０重量％、より好ましくは３０〜５０重量％）含み、（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体を５０〜１００重量％（好ましくは５０〜８０重量％、より好ましくは５０〜７０重量％）含んでいる。かかる組成にすることにより、主に、該基体フィルムをロール状に巻き取った状態においてブロッキングを効果的に抑制することができる。

Ａ層及びＣ層の樹脂組成及び割合は同一又は異なっていてもよい。多層基体フィルムの製造のしやすさ、熱に対する寸法安定性等を考慮すると、Ａ層及びＣ層の樹脂組成及び割合が同一のものが好ましい。つまり、基体フィルムの積層構造が対称であることが好ましい。

上記で示される３層バックグラインド用基体フィルムのＡ層〜Ｃ層の全厚みは、通常５０〜３００μｍ、好ましくは６０〜２５０μｍ、より好ましくは７０〜２００μｍである。３層バックグラインド用基体フィルムの全厚みが７０〜２００μｍの場合、Ａ層の厚みは、通常５〜６０μｍ、好ましくは２０〜４０μｍである。Ｂ層の厚みは、通常３０〜１９０μｍ、好ましくは３０〜１６０μｍである。Ｃ層の厚みは、通常５〜６０μｍ、好ましくは２０〜４０μｍである。Ａ層とＣ層の厚みは同等とすることが好ましい。

特に、バックグラインド用基体フィルムの熱に対する寸法安定性を維持するためには、Ａ層〜Ｃ層の全厚みに対するＢ層の厚みが、５〜９０％、さらに３０〜８０％、特に５０〜８０％とするのが好ましい。

具体的には、Ａ層、Ｂ層及びＣ層の厚みは、各層の樹脂組成とその割合に応じて変化させることができる。

例えば、Ａ層、Ｂ層の及びＣ層の樹脂組成とその割合が近似する場合には、各層において反りを抑制し外層（Ａ層及びＣ層）におけるブロッキングも抑制することができる。例えば、Ａ層及びＣ層が、同一又は異なってビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物を１５〜５０重量％程度及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体を８５〜５０重量％程度を含み、Ｂ層がビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物を５０〜１００重量％程度及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体を０〜５０重量％程度含む場合には、Ａ層、Ｂ層及びＣ層の厚み比率は、例えば、１５〜３５％／３０〜７０％／１５〜３５％程度とすることができる。

また、Ａ層及びＣ層においてビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物の割合が少なく、Ｂ層においてビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物の割合が多い場合、Ｂ層は主に反りを抑制する機能を有し、外層（Ａ層及びＣ層）は主にブロッキングを抑制する機能を有し、各層が異なる役割を分担することになる。例えば、Ａ層及びＣ層が、同一又は異なってビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物を０から１５重量％程度未満及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体を８５重量％程度を越えてを含み、Ｂ層がビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物を８５〜１００重量％程度及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体を０〜１５重量％程度含む場合には、Ａ層、Ｂ層及びＣ層の厚み比率は、例えば、５〜１５％／７０〜９０％／５〜１５％程度とすることができる。

上記により得られるバックグラインド用基体フィルムのＡ層の表面上に公知の粘着剤をコートして粘着剤層が形成され、さらに該粘着剤層上に離型フィルムが設けられる。粘着剤層の厚さは、例えば、１０〜２００μｍ程度、離型フィルムの厚さは、例えば、１０〜１００μｍ程度であればよい。

粘着剤層で用いられる粘着剤成分としては、公知のものが用いられ、例えば、特開平５−２１１２３４号公報等に記載された粘着剤成分を用いることができる。なお、離型フィルムも公知のものが用いられる。

この粘着剤層を構成する粘着剤としては、アクリル系粘着剤が好ましく、具体的には、（メタ）アクリル酸エステルを主たる構成単量体単位とする単独重合体および共重合体から選ばれたアクリル系重合体、その他の官能性単量体との共重合体、およびこれら重合体の混合物が用いられる。例えば、（メタ）アクリル酸エステルとしては、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸グリシジル、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、アクリル酸グリシジル、アクリル酸２−ヒドロキシエチルなどが好ましく使用できる。アクリル系重合体の分子量は、１．０×１０^５〜１０．０×１０^５であり、好ましくは、４．０×１０^５〜８．０×１０^５である。

また、上記のような粘着剤層中に放射線重合性化合物を含ませることによって、半導体ウェハの裏面を研削した後、該粘着剤層に放射線を照射することによって、粘着力を低下させることができる。このような放射線重合性化合物としては、たとえば、光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用いられる（例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報、特開昭６０−２２３１３９号公報等）。

具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられる。

さらに、放射線重合性化合物として、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレートを反応させて得られる。このウレタンアクリレート系オリゴマーは、炭素−炭素二重結合を少なくとも１個以上有する放射線重合性化合物である。

さらに、粘着剤層中には、上記のような粘着剤と放射線重合性化合物とに加えて、必要に応じ、放射線照射により着色する化合物（ロイコ染料等）、光散乱性無機化合物粉末、砥粒（粒径０．５〜１００μｍ程度）、イソシアネート系硬化剤、ＵＶ開始剤等を含有させることもできる。

ＩＩ．バックグラインドフィルムの製法
本発明の多層構成のバックグラインド用基体フィルムは、Ｔダイスまたは環状ダイスを使用した押出法やカレンダー法等、従来から用いられている方法で成形することが可能である。基材フィルムの厚み精度の点から考えると、Ｔダイスを使用した押出法が好ましいため、以下Ｔダイスを使用した押出法について説明する。

複数の押出機を用い、それぞれの原料樹脂をそれぞれの押出機に投入し、上記と同様にしてロール状の多層基体フィルムを得る。具体的には、Ａ層／Ｂ層／Ｃ層からなる３層構成のバックグラインド用基体フィルムを成形する場合、上記の各層の原料樹脂を用いて成形する。ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物０〜５０重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体５０〜１００重量％を含むＡ層用樹脂、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物５０〜１００重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体０〜５０重量％を含むＢ層用樹脂、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物０〜５０重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体５０〜１００重量％を含むＣ層用樹脂を、Ａ層／Ｂ層／Ｃ層の順で共押出成形することにより製造される。

上記の各層用樹脂は、ドライブレンド又は溶融混練し調製することができる。各層用樹脂をそれぞれこの順でスクリュー式押出機に供給し、１８０〜２２５℃で多層Ｔダイからフィルム状に押出し、これを５０〜７０℃の冷却ロ−ルに通しながら冷却して実質的に無延伸で引き取る。或いは、各層用樹脂を一旦ペレットとして取得した後、上記の様に押出成形してもよい。

なお、引き取りの際に実質的に無延伸とするのは、バックグラインド工程において、延伸したことによるフィルムの収縮を抑制するためである。この実質的に無延伸とは、無延伸、或いは、バックグラインド時のウェハの反りに影響を与えない程度の僅少の延伸を含むものである。通常、フィルム引き取りの際に、たるみの生じない程度の引っ張りであればよい。

上記で得られるバックグラインド用基体フィルムのＡ層の表面に粘着剤層及び離型フィルムを設ける方法は、公知の方法を採用することができる。バックグラインドフィルムは、通常テープ状にカットされたロール巻き状態で取得される。

ＩＩＩ．半導体ウェハのバックグラインド方法
本発明のバックグラインド方法は、バックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面（回路面）に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去する。

具体的には、該バックグラインドフィルムの粘着剤層から離型フィルムを剥離して、粘着剤層の表面を露出させて、その粘着剤層を介して集積回路が組み込まれた側の半導体ウェハの表面に貼着する。半導体ウェハの研削前の厚みは、通常、３００μｍ〜１０００μｍ程度である。次いで、半導体ウェハを固定して、その裏面を常法により研削する。研削後の半導体ウェハの厚みは、得られるチップのサイズ、回路の種類、用途等に応じて選択されるが、例えば、５０μｍ〜２００μｍ程度となる。裏面研削が終了した後、必要に応じケミカルエッチング工程やＣＭＰ（メカノケミカルポリッシング）工程を追加してもよい。その後、バックグラインドフィルムを剥離（除去）する。また、必要に応じて、バックグラインドフィルム剥離後に、半導体ウェハ表面に対して、水洗、プラズマ洗浄等の洗浄処理が施される。

以下に、本発明を、実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。なお、「％」は重量％を意味する。
＜原料＞
実施例及び比較例において下記の原料を用いた。
・スチレン−ブタジエンブロック共重合体水素添加物（ＳＥＢＳ）：旭化成ケミカルズ株式会社製 S.O.E. SS9000
・メタアクリル酸メチル−スチレンブロック共重合体（ＭＳ）：電気化学工業株式会社ＴＸ100Ｋ
・メタアクリル酸メチル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＭＢＳ）：電気化学工業株式会社ＴＨ23Ｔ
・メタアクリル酸メチル−アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＭＡＢＳ）：電気化学工業株式会社ＣＬ430
＜反りの評価＞
ウェハの代替として、常温（25℃）から50℃の温度域で、半導体ウェハと同程度に寸法安定性の良いポリイミド（PI）テープ（住友スリーエム株式会社製スコッチポリイミドテープ No.5434、厚さ53μｍ）を使用した。

作成したバックグラインド用基体フィルムに上記PIテープ（幅2 cm×長さ14 cm）を貼付け、サンプルとして切り出し、2枚のステンレス板（厚み２ｍｍ）に挟み、50℃に設定したオーブン内で１０分間加熱した。その後、サンプルを取り出して常温（２５℃）で１０分間放冷し、フィルムの収縮によって発生する反りを測定した。

反り量は、バックグラインド用基体フィルムにPIテープを貼り付けた状態で、バックグラインド用基体フィルムが上側になるように水平面上に置き、該水平面から最も浮いているPIテープの端部の高さ（ｍｍ）を測定した（図２）。

反りが３ｍｍ以下を「○」とし、３ｍｍを越えるものを「×」とした。
＜ブロッキングの評価＞
得られた基体フィルムの任意の場所から、たて100 mm×よこ30 mm（フィルムの流れ方向をたて方向、幅方向をよこ方向としてサンプルを切り出した）の大きさに測定用サンプルを2枚切り出した。2枚の測定用サンプルを、同一面（冷却ロールと接する面）同士がたて40 mm×よこ30 mm の面積で重なり合うようにし、この重なり合った測定用サンプルを2枚のガラス板で挟み、その上から、サンプルが重なり合っている部分に600 gの重りをのせた。これを40℃の恒温槽の中に入れ、7日間放置した。7日後、恒温槽より取り出したサンプルを、新東科学株式会社製剥離試験器（Peeling TESTER HEIDON−17）にセットし、引張り速度200 mm／minで、180度せん断剥離強度を測定し、4.9 N／10 mm以下であれば、ブロッキングなしとした。

実施例１（Ａ／Ｂ／Ｃの３層フィルム）
ＳＥＢＳ２０重量％及びＭＢＳ８０重量％をドライブレンドし、これをＡ層用樹脂とした。ＳＥＢＳ５０重量％及びＭＢＳ５０重量％をドライブレンドし、これをＢ層用樹脂とした。ＳＥＢＳ２０重量％及びＭＢＳ８０重量％をドライブレンドし、これをＣ層用樹脂とした。

Ａ層用樹脂、Ｂ層用樹脂及びＣ層用樹脂をこの順でバレル温度１８０〜２２０℃の多層押出機に供給した。２３０℃のＴダイスから押出し、設定温度４０℃の引き取りロールにて冷却固化して、無延伸の状態で巻き取った。

得られた３層フィルムの厚みは、Ａ層２０μｍ、Ｂ層１１０μｍ、Ｃ層２０μｍで総厚み１５０μｍであった。

実施例２−１６、比較例１〜３（Ａ／Ｂ／Ｃの３層フィルム）
表１、２に記載の樹脂組成及び配合割合にすること以外は実施例１と同様に処理して、実施例２−１６、比較例１〜３の３層フィルムを得た。

バッググラインド用基体フィルムの反りに追随して半導体ウェハにも反りが発生し欠けが発生することを模式的に示した図である。バッググラインド用基体フィルムの反りの測定方法を模式的に示した図である。

Claims

ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物０〜５０重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体５０〜１００重量％を含むＡ層、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物５０〜１００重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体０〜５０重量％を含むＢ層、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物０〜５０重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体５０〜１００重量％を含むＣ層を有し、Ａ層／Ｂ層／Ｃ層の順で積層されてなるバックグラインド用基体フィルム。
厚みが５０〜３００μｍである請求項１に記載のバックグラインド用基体フィルム。
請求項１又は２に記載のバックグラインド用基体フィルムの表面に粘着剤層及び離型フィルムを有するバックグラインドフィルム。
請求項３に記載のバックグラインドフィルムを半導体ウェハの表面（回路面）に貼着し、該半導体ウェハの裏面を研削し、半導体ウェハからバックグラインドフィルムを除去することを特徴とする半導体ウェハのバックグラインド方法。
バックグラインド用基体フィルムの製造方法であって、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物０〜５０重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体５０〜１００重量％を含むＡ層用樹脂、ビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物５０〜１００重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体０〜５０重量％を含むＢ層用樹脂、並びにビニル芳香族炭化水素−共役ジエン炭化水素共重合体の水素添加物０〜５０重量％及び（メタ）アクリル酸アルキルエステル系重合体５０〜１００重量％を含むＣ層用樹脂を、Ａ層／Ｂ層／Ｃ層の順で共押出成形することを特徴とする製造方法。