KR20160135654A - 접착 필름, 다이싱 테이프 일체형 접착 필름, 복층 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 - Google Patents

접착 필름, 다이싱 테이프 일체형 접착 필름, 복층 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 Download PDF

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사다히토 미스미
나오히데 다카모토
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본딩 와이어 주변의 보이드를 저감 가능하고, 비어져 나옴을 저감할 수 있는 접착 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한 이러한 접착 필름을 포함하는 다이싱 테이프 일체형 접착 필름, 복층 필름 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.
120℃, 주파수 0.1Hz의 tanδ(손실 탄성률 G"/저장 탄성률 G')가 0.7 내지 2.0인 접착 필름 등에 관한 것이다.

Description

접착 필름, 다이싱 테이프 일체형 접착 필름, 복층 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치{ADHESIVE FILM, DICING TAPE INTEGRATED ADHESIVE FILM, MULTILAYERED FILM, PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 접착 필름, 다이싱 테이프 일체형 접착 필름, 복층 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 고기능화, 소형화 등의 요구에 응답하는 기술로서, 3차원 실장 기술이 알려져 있다.
일본 특허 공개 제2013-30684호 공보
도 12에 도시하는 바와 같이, 다이 본드용 칩(2005)을 부재(2006)에 압착하는 공정 등을 갖는 방법 등에 의해, 반도체 장치를 제조할 수 있다. 여기서, 다이 본드용 칩(2005)은, 반도체 칩(2041), 및 반도체 칩(2041) 상에 배치된 필름형 접착제(2111)를 갖는다. 부재(2006)는, 피착체(2606), 반도체 칩(2641), 및 반도체 칩(2641)과 피착체(2606)를 접속하는 본딩 와이어(2607)를 갖는다. 접착제층(2611)은 반도체 칩(2641)과 피착체(2606)의 사이에 위치한다.
이러한 제조 방법에 있어서, 본딩 와이어(2607)의 주변에 보이드가 발생하는 경우가 있다. 보이드는 반도체 장치의 신뢰성 저하로 연결되기 때문에, 보이드량을 저감하는 것이 바람직하다. 또한, 다이 본드용 칩(2005)을 부재(2006)에 압착함으로써, 필름형 접착제(2111)가 옆으로 비어져 나오는 경우가 있다.
본 발명은 상기 과제를 해결하여, 본딩 와이어 주변의 보이드를 저감 가능하고, 비어져 나옴을 저감할 수 있는 접착 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 또한 이러한 접착 필름을 포함하는 다이싱 테이프 일체형 접착 필름, 복층 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한 이러한 접착 필름을 사용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한 이러한 접착 필름을 사용하여 얻어진 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 120℃, 주파수 0.1Hz의 tanδ(손실 탄성률 G"/저장 탄성률 G')가 0.7 내지 2.0인 접착 필름에 관한 것이다. tanδ가 0.7 이상이기 때문에, 다이 어태치시에 본 발명의 접착 필름은 부드럽다. 따라서, 본딩 와이어 주변의 보이드를 저감할 수 있다. tanδ가 2.0 이하이기 때문에, 비어져 나옴을 저감할 수 있다.
본 발명의 접착 필름에서의 120℃, 주파수 0.1Hz의 저장 탄성률 G'는 10000Pa 이하가 바람직하다. 120℃, 주파수 0.1Hz의 손실 탄성률 G"는 5000Pa 이하가 바람직하다.
본 발명의 접착 필름에서의 120℃의 점도는 2000Paㆍs 이하가 바람직하다.
본 발명은 또한 다이싱 테이프 일체형 접착 필름에 관한 것이다. 본 발명의 다이싱 테이프 일체형 접착 필름은, 기재 및 기재 상에 배치된 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프와, 점착제층 상에 배치된 접착 필름을 포함한다.
본 발명은 또한 복층 필름에 관한 것이다. 본 발명의 복층 필름은, 세퍼레이터와, 세퍼레이터 상에 배치된 다이싱 테이프 일체형 접착 필름을 포함한다.
본 발명은 또한 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 피착체, 제1 반도체 칩 및 본딩 와이어를 포함하는 부재를 준비하는 공정을 포함한다. 본딩 와이어는 제1 반도체 칩과 피착체를 접속한다. 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 접착 필름에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과, 접착 필름에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정 후, 다이 분할을 행함으로써 다이 본드용 칩을 형성하는 공정과, 다이 본드용 칩을 부재에 압착하는 공정을 더 포함한다. 다이 본드용 칩은, 제2 반도체 칩, 및 제2 반도체 칩 상에 배치된 필름형 접착제를 포함한다.
본 발명은 또한 반도체 장치에 관한 것이다.
도 1은 복층 필름의 개략 평면도이다.
도 2는 복층 필름의 일부의 개략 단면도이다.
도 3은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 4는 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 5는 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 6은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 7은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 8은 변형예 4에서의 복층 필름의 일부의 개략 단면도이다.
도 9는 변형예 6에서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 10은 변형예 6에서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 11은 실시 형태 2에서의 복층 필름의 개략 단면도이다.
도 12는 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
이하에 실시 형태를 들어 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시 형태에만 한정되는 것은 아니다.
[실시 형태 1]
(복층 필름(1))
도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 복층 필름(1)은, 세퍼레이터(13), 및 세퍼레이터(13) 상에 배치된 접착 필름(11)을 포함한다. 보다 구체적으로는, 복층 필름(1)은, 세퍼레이터(13), 및 세퍼레이터(13) 상에 배치된 다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71a, 71b, 71c, ……, 71m)(이하, 「다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71)」이라고 총칭함)을 포함한다. 다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71a)과 다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71b)간의 거리, 다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71b)과 다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71c)간의 거리, …… 다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71l)과 다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71m)간의 거리는 일정하다. 복층 필름(1)은 롤형을 이룰 수 있다.
다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71)은, 다이싱 테이프(12), 및 다이싱 테이프(12) 상에 배치된 접착 필름(11)을 포함한다. 다이싱 테이프(12)는, 기재(121), 및 기재(121) 상에 배치된 점착제층(122)을 포함한다. 접착 필름(11)은, 점착제층(122)과 접하는 제1 주면, 및 제1 주면에 대향한 제2 주면으로 양면을 정의할 수 있다. 제2 주면은 세퍼레이터(13)와 접한다.
(접착 필름(11))
접착 필름(11)은 열경화성을 구비한다. 접착 필름(11)은 전기 절연성을 더 구비한다.
접착 필름(11)에서의 120℃, 주파수 0.1Hz의 tanδ는 0.7 이상이다. 0.7 이상이기 때문에, 다이 어태치시에 접착 필름(11)이 부드럽다. 따라서, 본딩 와이어 주변의 보이드를 저감할 수 있다. 한편, 접착 필름(11)에서의 120℃, 주파수 0.1Hz의 tanδ는 2.0 이하이다. 2.0 이하이면, 비어져 나옴을 저감할 수 있다. tanδ는, 바람직하게는 1.9 이하이다. tanδ는 손실 탄성률 G"/저장 탄성률 G'이다.
120℃, 주파수 0.1Hz의 tanδ는, 필러의 함유량, 아크릴 수지의 함유량 등에 따라 컨트롤할 수 있다. 예를 들어, 필러의 함유량을 저감시키는 것, 아크릴 수지의 함유량을 저감시키는 것에 의해, tanδ를 낮출 수 있다.
120℃, 주파수 0.1Hz의 저장 탄성률 G'는, 바람직하게는 10000Pa 이하, 보다 바람직하게는 8000Pa 이하, 더욱 바람직하게는 6000Pa 이하, 보다 더 바람직하게는 4000Pa 이하이다. 10000Pa 이하이면, 본딩 와이어 주변의 보이드를 저감할 수 있다. 120℃, 주파수 0.1Hz의 저장 탄성률 G'의 하한은, 예를 들어 100Pa, 200Pa 등이다.
120℃, 주파수 0.1Hz의 손실 탄성률 G"는, 바람직하게는 5000Pa 이하, 보다 바람직하게는 3000Pa 이하이다. 5000Pa 이하이면, 비어져 나옴을 효과적으로 저감할 수 있다. 120℃, 주파수 0.1Hz의 손실 탄성률 G"의 하한은, 예를 들어 300Pa, 400Pa 등이다.
접착 필름(11)에서의 120℃의 점도는, 바람직하게는 2000Paㆍs 이하, 보다 바람직하게는 1500Paㆍs 이하, 더욱 바람직하게는 1300Paㆍs 이하이다. 2000Paㆍs 이하이면, 본딩 와이어 주변의 보이드를 저감할 수 있다. 120℃의 점도의 하한은, 예를 들어 100Paㆍs, 300Paㆍs 등이다.
접착 필름(11)은 수지 성분을 포함한다. 수지 성분으로서는 열가소성 수지, 열경화성 수지 등을 들 수 있다.
열가소성 수지는, 바람직하게는 아크릴 수지이다.
아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 혹은 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
또한, 중합체(아크릴 공중합체)를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 혹은 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 혹은 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 혹은 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 혹은 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다.
아크릴 수지 중에서도 중량 평균 분자량이 10만 이상인 것이 바람직하고, 30만 내지 300만인 것이 보다 바람직하고, 50만 내지 200만인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 수치 범위 내이면, 접착성 및 내열성이 우수하기 때문이다. 또한, 중량 평균 분자량은, GPC(겔 투과 크로마토그래피)에 의해 측정하고, 폴리스티렌 환산에 의해 산출된 값이다.
아크릴 수지는, 에폭시기와 반응 가능한 관능기를 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 아크릴 수지와 에폭시 수지를 가교할 수 있다.
에폭시기와 반응 가능한 관능기로서는, 예를 들어 히드록실기, 카르복시기 등을 들 수 있다.
열경화성 수지로서는 에폭시 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다.
에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 혹은 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.
바람직하게는, 수지 성분은 실온에서 고형인 에폭시 수지(이하, 「제1 에폭시 수지」라고 함)를 포함한다.
제1 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 120g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 170g/eq. 이상이다. 제1 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 270g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 220g/eq. 이하이다.
또한, 에폭시 수지의 에폭시 당량은, JIS K 7236-2009에 규정된 방법으로 측정할 수 있다.
에폭시 수지 100중량％ 중의 제1 에폭시 수지의 함유량은, 바람직하게는 10중량％ 이상, 보다 바람직하게는 20중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 더 바람직하게는 40중량％ 이상이다. 에폭시 수지 100중량％ 중의 제1 에폭시 수지의 함유량은, 바람직하게는 70중량％ 이하, 보다 바람직하게는 60중량％ 이하이다.
바람직하게는, 수지 성분은 실온에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「제2 에폭시 수지」라고 함)를 포함한다.
제2 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 120g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 170g/eq. 이상이다. 제2 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 270g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 220g/eq. 이하이다.
본 명세서에 있어서, 실온에서 액상이란, 25℃의 점도가 5000Paㆍs 미만인 것을 말한다. 또한, 점도는 Thermo Scientific사제의 형번 HAAKE Roto VISCO1로 측정할 수 있다.
에폭시 수지 100중량％ 중의 제2 에폭시 수지의 함유량은, 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 40중량％ 이상이다. 에폭시 수지 100중량％ 중의 제2 에폭시 수지의 함유량은, 바람직하게는 90중량％ 이하, 보다 바람직하게는 80중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 70중량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 60중량％ 이하이다.
페놀 수지는 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
바람직하게는, 페놀 수지는 실온에서 고형을 이룬다.
페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 120g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 170g/eq. 이상이다. 페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 270g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 220g/eq. 이하이다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량으로 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 이러한 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.
접착 필름(11) 중의 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 40중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 50중량％ 이상이다. 접착 필름(11) 중의 수지 성분의 함유량은, 바람직하게는 95중량％ 이하이다.
접착 필름(11) 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 10중량％ 이상이다. 접착 필름(11) 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 70중량％ 이하, 보다 바람직하게는 50중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 40중량％ 이하, 보다 더 바람직하게는 30중량％ 이하이다.
접착 필름(11) 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 30중량％ 이상, 보다 바람직하게는 40중량％ 이상이다. 접착 필름(11) 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 80중량％ 이하, 보다 바람직하게는 70중량％ 이하이다.
접착 필름(11)은, 바람직하게는 필러를 포함한다. 바람직하게는, 필러는 전기 절연성을 구비한다.
필러로서는 무기 필러, 유기 필러 등을 들 수 있다. 그 중에서도 유기 필러가 바람직하다. 유기 필러는, 본딩 와이어를 구부리기 어렵고, 본딩 와이어, 반도체 칩의 흠집도 저감할 수 있다.
유기 필러로서는 3차원 그물눈 구조를 갖는 수지 등을 들 수 있다. 유기 필러는, 바람직하게는 폴리메타크릴산 메틸 수지(이하, 「PMMA 수지」라고 함)이다.
유기 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 1㎛ 이상이다. 0.01㎛ 이상이면, 접착 필름(11)의 유동성이 크게 저하되지 않는다. 유기 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 5㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3㎛ 이하이다. 5㎛ 이하이면, 접착 필름(11)의 표면 거칠음을 방지할 수 있다. 즉, 접착 필름(11)의 표면에 요철이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 유기 필러의 평균 입경은, 광도식 입도 분포계(HORIBA제, 장치명; LA-910)에 의해 구할 수 있다.
접착 필름(11)의 두께를 100％라고 했을 때, 유기 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 50％ 이하이다. 50％ 이하이면, 접착 필름(11)의 표면 거칠음을 방지할 수 있다. 접착 필름(11)의 두께를 100％라고 했을 때, 유기 필러의 평균 입경은, 바람직하게는 0.01％ 이상이다. 0.01％ 이상이면, 접착 필름(11)의 유동성이 크게 저하되지 않는다.
유기 필러의 최대 입경은, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5㎛ 이하이다. 10㎛ 이하이면, 접착 필름(11)의 표면 거칠음을 방지할 수 있다. 유기 필러의 최대 입경은, 광도식 입도 분포계(HORIBA제, 장치명; LA-910)에 의해 구할 수 있다.
접착 필름(11)의 두께를 100％라고 했을 때, 유기 필러의 최대 입경은, 바람직하게는 50％ 이하이다. 50％ 이하이면, 접착 필름(11)의 표면 거칠음을 방지할 수 있다.
유기 필러의 입도 분포에 있어서, 0.01㎛ 내지 5㎛의 범위에 90％ 이상의 유기 필러가 존재하는 것이 바람직하다. 이러한 범위에 90％ 이상의 유기 필러가 존재하면, 조대 입자가 적다. 따라서, 접착 필름(11)의 표면 거칠음을 방지할 수 있다.
유기 필러의 형상으로서는, 예를 들어 플레이크형, 바늘형, 필라멘트형, 구형, 비늘 조각형 등을 들 수 있다. 본딩 와이어의 흠집, 반도체 칩의 흠집을 저감할 수 있다고 하는 이유로, 구형이 바람직하다.
접착 필름(11) 중의 유기 필러의 함유량은, 바람직하게는 5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 10중량％ 이상이다. 접착 필름(11) 중의 유기 필러의 함유량은, 바람직하게는 60중량％ 이하, 보다 바람직하게는 50중량％ 이하이다.
무기 필러는, 바람직하게는 실리카이다.
실리카의 평균 입경은, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.1㎛ 이상이다. 실리카의 평균 입경은, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 2㎛ 이하이다. 실리카의 평균 입경은, 광도식 입도 분포계(HORIBA제, 장치명; LA-910)에 의해 구할 수 있다.
실리카의 형상으로서는, 예를 들어 플레이크형, 바늘형, 필라멘트형, 구형, 비늘 조각형 등을 들 수 있다. 그 중에서도 구형이 바람직하다.
접착 필름(11) 중의 무기 필러의 함유량은, 바람직하게는 5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 10중량％ 이상이다. 접착 필름(11) 중의 무기 필러의 함유량은, 바람직하게는 60중량％ 이하, 보다 바람직하게는 50중량％ 이하이다.
접착 필름(11)은 경화 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다. 경화 촉진제의 함유량은, 수지 성분 100중량부에 대하여, 바람직하게는 0.1 내지 5중량부, 보다 바람직하게는 0.1 내지 3중량부이다. 0.1중량부 이상이면, 단시간에 경화시키는 것이 가능하다.
경화 촉진제로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 트리페닐보란계 화합물, 트리할로겐보란계 화합물 등을 들 수 있다.
이미다졸계 화합물로서는, 2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ), 2-운데실이미다졸(상품명; C11Z), 2-헵타데실이미다졸(상품명; C17Z), 1,2-디메틸이미다졸(상품명; 1.2DMZ), 2-에틸-4-메틸이미다졸(상품명; 2E4MZ), 2-페닐이미다졸(상품명; 2PZ), 2-페닐-4-메틸이미다졸(상품명; 2P4MZ), 1-벤질-2-메틸이미다졸(상품명; 1B2MZ), 1-벤질-2-페닐이미다졸(상품명; 1B2PZ), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ-CN), 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸(상품명; C11Z-CN), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트(상품명; 2PZCNS-PW), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; C11Z-A), 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2E4MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물(상품명; 2MA-OK), 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(상품명; 2PHZ-PW), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(상품명; 2P4MHZ-PW) 등을 들 수 있다(모두 시꼬꾸 가세이(주)제).
트리페닐포스핀계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐톨릴포스핀 등의 트리오르가노포스핀, 테트라페닐포스포늄 브로마이드(상품명; TPP-PB), 메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MB), 메틸트리페닐포스포늄 클로라이드(상품명; TPP-MC), 메톡시메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MOC), 벤질트리페닐포스포늄 클로라이드(상품명; TPP-ZC) 등을 들 수 있다(모두 홋꼬 가가꾸사제).
트리페닐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 트리(p-메틸페닐)포스핀 등을 들 수 있다. 또한, 트리페닐보란계 화합물로서는, 트리페닐포스핀 구조를 갖는 것도 더 포함된다. 트리페닐포스핀 구조 및 트리페닐보란 구조를 갖는 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-K), 테트라페닐포스포늄테트라-p-트리보레이트(상품명; TPP-MK), 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-ZK), 트리페닐포스핀트리페닐보란(상품명; TPP-S) 등을 들 수 있다(모두 홋꼬 가가꾸사제).
아미노계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 모노에탄올아민트리플루오로보레이트(스텔라 케미파(주)제), 디시안디아미드(나칼라이 테스크(주)제) 등을 들 수 있다.
트리할로겐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 트리클로로보란 등을 들 수 있다.
접착 필름(11)은, 상기 성분 이외에도, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예를 들어 가교제 등을 적절히 함유해도 된다.
접착 필름(11)은, 통상의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들어, 상기 각 성분을 함유하는 접착제 조성물 용액을 제작하고, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께로 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 도포막을 건조시킴으로써, 접착 필름(11)을 제조할 수 있다.
접착제 조성물 용액에 사용하는 용매로서는 특별히 한정되지 않지만, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산할 수 있는 유기 용매가 바람직하다. 예를 들어, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤계 용매, 톨루엔, 크실렌 등을 들 수 있다. 도포 방법은 특별히 한정되지 않는다. 용제 도포 시공의 방법으로서는, 예를 들어 다이 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 리버스 코터, 콤마 코터, 파이프 닥터 코터, 스크린 인쇄 등을 들 수 있다. 그 중에서도 도포 두께의 균일성이 높다고 하는 점에서, 다이 코터가 바람직하다.
기재 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등이 사용 가능하다. 접착제 조성물 용액의 도포 방법으로서는, 예를 들어 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 도포막의 건조 조건은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 건조 온도 70 내지 160℃, 건조 시간 1 내지 5분간으로 행할 수 있다.
접착 필름(11)의 제조 방법으로서는, 예를 들어 상기 각 성분을 믹서로 혼합하고, 얻어진 혼합물을 프레스 성형하여 접착 필름(11)을 제조하는 방법 등도 적합하다. 믹서로서는 플래너터리 믹서 등을 들 수 있다.
접착 필름(11)의 두께는, 바람직하게는 5㎛ 이상, 보다 바람직하게는 10㎛ 이상이다. 접착 필름(11)의 두께는, 바람직하게는 200㎛ 이하, 보다 바람직하게는 100㎛ 이하이다.
접착 필름(11)은, 반도체 장치를 제조하기 위해 사용된다.
(세퍼레이터(13))
세퍼레이터(13)로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터(13)는 바람직하게는 이형 처리가 실시된 것이다. 세퍼레이터(13)의 두께는 적절히 설정할 수 있다.
(다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71))
다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71)은, 다이싱 테이프(12), 및 다이싱 테이프(12) 상에 배치된 접착 필름(11)을 포함한다. 다이싱 테이프(12)는, 기재(121), 및 기재(121) 상에 배치된 점착제층(122)을 포함한다. 점착제층(122)은 접착 필름(11)과 접하는 접촉부(122A)를 포함한다. 점착제층(122)은 접촉부(122A)의 주변에 배치된 주변부(122B)를 더 포함한다. 접촉부(122A)는 방사선에 의해 경화되어 있다. 한편, 주변부(122B)는 방사선에 의해 경화하는 성질을 갖는다. 방사선으로서는 자외선이 바람직하다.
기재(121)는 방사선 투과성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 기재(121)는 자외선 투과성을 갖고 있는 것이 보다 바람직하다. 기재(121)로서는, 예를 들어 종이 등의 종이계 기재; 천, 부직포, 펠트, 네트 등의 섬유계 기재; 금속박, 금속판 등의 금속계 기재; 플라스틱 필름이나 시트 등의 플라스틱계 기재; 고무 시트 등의 고무계 기재; 발포 시트 등의 발포체나, 이들의 적층체 [특히, 플라스틱계 기재와 다른 기재의 적층체나, 플라스틱 필름(또는 시트)끼리의 적층체 등] 등의 적당한 박엽체를 사용할 수 있다. 기재(121)로서는, 플라스틱 필름이나 시트 등의 플라스틱계 기재를 적절히 사용할 수 있다. 이러한 플라스틱재에 있어서의 소재로서는, 예를 들어 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 올레핀계 수지; 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA), 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스테르 (랜덤, 교대) 공중합체 등의 에틸렌을 단량체 성분으로 하는 공중합체; 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 폴리에스테르; 아크릴계 수지; 폴리염화비닐(PVC); 폴리우레탄; 폴리카르보네이트; 폴리페닐렌술피드(PPS); 폴리아미드(나일론), 전체 방향족 폴리아미드(아라미드) 등의 아미드계 수지; 폴리에테르에테르케톤(PEEK); 폴리이미드; 폴리에테르이미드; 폴리염화비닐리덴; ABS(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체); 셀룰로오스계 수지; 실리콘 수지; 불소 수지 등을 들 수 있다.
기재(121)는 비연신으로 사용해도 되며, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 기재(121)에 부여함으로써, 기재(121)를 열수축시킴으로써 점착제층(122)과 접착 필름(11)의 접착 면적을 저하시켜, 반도체 소자의 회수 용이화를 도모할 수 있다.
기재(121)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.
기재(121)는 동종 또는 이종의 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있으며, 필요에 따라 수종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다. 또한, 기재(121)에는, 대전 방지능을 부여하기 위해, 기재(121) 상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등을 포함하는 두께가 30 내지 500Å 정도인 도전성 물질의 증착층을 형성할 수 있다. 기재(121)는 단층 혹은 2종 이상의 복층이어도 된다.
기재(121)의 두께(적층체인 경우에는 총 두께)는, 특별히 제한되지 않고 강도나 유연성, 사용 목적 등에 따라 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 일반적으로는 1000㎛ 이하(예를 들어, 1㎛ 내지 1000㎛), 바람직하게는 10㎛ 내지 500㎛, 더욱 바람직하게는 20㎛ 내지 300㎛, 특히 30㎛ 내지 200㎛ 정도이지만, 이들에 한정되지 않는다.
또한, 기재(121)에는, 각종 첨가제(착색제, 충전재, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 난연제 등)가 포함되어 있어도 된다.
점착제층(122)은 점착제에 의해 형성되어 있고, 점착성을 갖고 있다. 이러한 점착제로서는, 특별히 제한되지 않고, 공지된 점착제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 점착제로서는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 비닐알킬에테르계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 우레탄계 점착제, 불소계 점착제, 스티렌-디엔 블록 공중합체계 점착제, 이들 점착제에 융점이 약 200℃ 이하인 열용융성 수지를 배합한 크리프 특성 개량형 점착제 등의 공지된 점착제(예를 들어, 일본 특허 공개 소56-61468호 공보, 일본 특허 공개 소61-174857호 공보, 일본 특허 공개 소63-17981호 공보, 일본 특허 공개 소56-13040호 공보 등 참조) 중에서, 이러한 특성을 갖는 점착제를 적절히 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 점착제로서는, 방사선 경화형 점착제(또는 에너지선 경화형 점착제)나 열팽창성 점착제를 사용할 수도 있다. 점착제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
점착제로서는 아크릴계 점착제, 고무계 점착제를 적절히 사용할 수 있고, 특히 아크릴계 점착제가 적합하다. 아크릴계 점착제로서는, (메트)아크릴산 알킬에스테르의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체(단독중합체 또는 공중합체)를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제를 들 수 있다.
아크릴계 점착제에서의 (메트)아크릴산 알킬에스테르로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 프로필, (메트)아크릴산 이소프로필, (메트)아크릴산 부틸, (메트)아크릴산 이소부틸, (메트)아크릴산 s-부틸, (메트)아크릴산 t-부틸, (메트)아크릴산 펜틸, (메트)아크릴산 헥실, (메트)아크릴산 헵틸, (메트)아크릴산 옥틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 이소옥틸, (메트)아크릴산 노닐, (메트)아크릴산 이소노닐, (메트)아크릴산 데실, (메트)아크릴산 이소데실, (메트)아크릴산 운데실, (메트)아크릴산 도데실, (메트)아크릴산 트리데실, (메트)아크릴산 테트라데실, (메트)아크릴산 펜타데실, (메트)아크릴산 헥사데실, (메트)아크릴산 헵타데실, (메트)아크릴산 옥타데실, (메트)아크릴산 노나데실, (메트)아크릴산 에이코실 등의 (메트)아크릴산 알킬에스테르 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산 알킬에스테르로서는, 알킬기의 탄소수가 4 내지 18인 (메트)아크릴산 알킬에스테르가 적합하다. 또한, (메트)아크릴산 알킬에스테르의 알킬기는, 직쇄상 또는 분지쇄상의 어느 것이어도 된다.
또한, 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라 (메트)아크릴산 알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분(공중합성 단량체 성분)에 대응하는 단위를 포함해도 된다. 이러한 공중합성 단량체 성분으로서는, 예를 들어 (메트)아크릴산(아크릴산, 메타크릴산), 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물기 함유 단량체; (메트)아크릴산 히드록시에틸, (메트)아크릴산 히드록시프로필, (메트)아크릴산 히드록시부틸, (메트)아크릴산 히드록시헥실, (메트)아크릴산 히드록시옥틸, (메트)아크릴산 히드록시데실, (메트)아크릴산 히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸메타크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; (메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, N-부틸(메트)아크릴아미드, N-메틸올(메트)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메트)아크릴아미드 등의 (N-치환) 아미드계 단량체; (메트)아크릴산 아미노에틸, (메트)아크릴산 N,N-디메틸아미노에틸, (메트)아크릴산 t-부틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산 아미노알킬계 단량체; (메트)아크릴산 메톡시에틸, (메트)아크릴산 에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산 알콕시알킬계 단량체; 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴 등의 시아노아크릴레이트 단량체; (메트)아크릴산 글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 단량체; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 스티렌계 단량체; 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등의 비닐에스테르계 단량체; 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 단량체; 비닐에테르 등의 비닐에테르계 단량체; N-비닐피롤리돈, 메틸비닐피롤리돈, 비닐피리딘, 비닐피페리돈, 비닐피리미딘, 비닐피페라진, 비닐피라진, 비닐피롤, 비닐이미다졸, 비닐옥사졸, 비닐모르폴린, N-비닐카르복실산 아미드류, N-비닐카프로락탐 등의 질소 함유 단량체; N-시클로헥실말레이미드, N-이소프로필말레이미드, N-라우릴말레이미드, N-페닐말레이미드 등의 말레이미드계 단량체; N-메틸이타콘이미드, N-에틸이타콘이미드, N-부틸이타콘이미드, N-옥틸이타콘이미드, N-2-에틸헥실이타콘이미드, N-시클로헥실이타콘이미드, N-라우릴이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 단량체; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌숙신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌숙신이미드 등의 숙신이미드계 단량체; (메트)아크릴산 폴리에틸렌글리콜, (메트)아크릴산 폴리프로필렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시에틸렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스테르 단량체; (메트)아크릴산 테트라히드로푸르푸릴, 불소 (메트)아크릴레이트, 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 복소환, 할로겐 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산 에스테르계 단량체; 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 폴리에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트, 디비닐벤젠, 부틸디(메트)아크릴레이트, 헥실디(메트)아크릴레이트 등의 다관능 단량체 등을 들 수 있다. 이들 공중합성 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다.
점착제로서 방사선 경화형 점착제(또는 에너지선 경화형 점착제)를 사용하는 경우, 방사선 경화형 점착제(조성물)로서는, 예를 들어 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 중합체를 베이스 중합체로서 사용한 내재형의 방사선 경화형 점착제나, 점착제 중에 자외선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분이 배합된 방사선 경화형 점착제 등을 들 수 있다. 또한, 점착제로서 열팽창성 점착제를 사용하는 경우, 열팽창성 점착제로서는, 예를 들어 점착제와 발포제(특히 열팽창성 미소구)를 포함하는 열팽창성 점착제 등을 들 수 있다.
점착제층(122)은, 각종 첨가제(예를 들어, 점착 부여 수지, 착색제, 증점제, 증량제, 충전재, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 가교제 등)를 포함할 수 있다.
점착제층(122)은, 예를 들어 점착제(감압 접착제)와, 필요에 따라 용매나 그 밖의 첨가제 등을 혼합하여, 시트형의 층으로 형성하는 관용의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 점착제 및 필요에 따라 용매나 그 밖의 첨가제를 포함하는 혼합물을 기재(121) 상에 도포하는 방법, 적당한 세퍼레이터(박리지 등) 상에 혼합물을 도포하여 점착제층(122)을 형성하고, 이것을 기재(121) 상에 전사(이착)하는 방법 등에 의해, 점착제층(122)을 형성할 수 있다.
점착제층(122)의 두께는, 바람직하게는 1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 2㎛ 이상, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이상이다. 점착제층(122)의 두께는, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 50㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 30㎛ 이하이다. 또한, 점착제층(122)은 단층, 복층 중 어느 것이어도 된다.
(반도체 장치의 제조 방법)
도 3에 도시하는 바와 같이, 다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착한다. 반도체 웨이퍼(4)로서는 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 웨이퍼로서는 질화갈륨 웨이퍼 등을 들 수 있다.
압착 방법으로서는, 예를 들어 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하는 방법 등을 들 수 있다.
압착 온도(부착 온도)는 35℃ 이상이 바람직하고, 37℃ 이상이 보다 바람직하다. 압착 온도의 상한은 낮은 쪽이 바람직하며, 바람직하게는 80℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이하이다. 저온으로 압착함으로써, 반도체 웨이퍼(4)에의 열영향을 방지하는 것이 가능하고, 반도체 웨이퍼(4)의 휨을 억제할 수 있다. 또한, 압력은 1×105Pa 내지 1×107Pa인 것이 바람직하고, 2×105Pa 내지 8×106Pa인 것이 보다 바람직하다.
도 4에 도시하는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱함으로써, 다이 본드용 칩(5)을 형성한다. 다이 본드용 칩(5)은, 반도체 칩(41), 및 반도체 칩(41) 상에 배치된 필름형 접착제(111)를 포함한다. 반도체 칩(41)은 전극 패드를 포함한다. 전극 패드의 재료로서는 알루미늄 등을 들 수 있다. 본 공정에서는 다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71)까지 절입을 행하는 풀컷이라고 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(4)는, 다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 절결이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다.
다이 본드용 칩(5)을 픽업한다. 픽업 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩(41)을 다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71)측으로부터 니들에 의해 밀어 올리고, 계속해서 다이 본드용 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 부재(6)를 준비한다. 부재(6)는, 피착체(606), 반도체 칩(641), 및 반도체 칩(641)과 피착체(606)를 접속하는 본딩 와이어(607)를 포함한다. 보다 구체적으로는, 부재(6)는, 피착체(606), 피착체(606) 상에 배치된 접착층(611), 접착층(611) 상에 배치된 반도체 칩(641), 및 반도체 칩(641)과 피착체(606)를 접속하는 본딩 와이어(607)를 포함한다. 본딩 와이어(607)는, 반도체 칩(641)의 전극 패드와 피착체(606)의 단자를 접속한다. 즉, 본딩 와이어(607)의 일단부는 반도체 칩(41)의 전극 패드와 접한다. 본딩 와이어(607)의 타단부는 피착체(606)의 단자와 접한다. 피착체(606)로서는 리드 프레임, TAB 필름, 기판 등을 들 수 있다. 본딩 와이어(607)의 재료로서는 구리 등을 들 수 있다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 다이 본드용 칩(5)을 부재(6)에 압착함으로써 복합 부재(2)를 형성한다. 구체적으로는, 다이 본드용 칩(5)을 부재(6)의 반도체 칩(641)에 압착한다.
복합 부재(2)는, 부재(6), 및 부재(6) 상에 배치된 다이 본드용 칩(5)을 포함한다. 구체적으로는, 복합 부재(2)는, 피착체(606), 피착체(606) 상에 배치된 접착층(611), 접착층(611) 상에 배치된 반도체 칩(641), 반도체 칩(641) 상에 배치된 필름형 접착제(111), 필름형 접착제(111) 상에 배치된 반도체 칩(41), 및 필름형 접착제(111)로 메워진 부분을 갖는 본딩 와이어(607)를 포함한다. 본딩 와이어(607)는 반도체 칩(641)과 피착체(606)를 접속한다. 본딩 와이어(607)의 일단부는 반도체 칩(41)의 전극 패드와 접한다. 본딩 와이어(607)의 타단부는 피착체(606)의 단자와 접한다. 본딩 와이어(607)의 타단부는 필름형 접착제(111)와 접하지 않는다.
다이 본드용 칩(5)을 부재(6)에 압착하는 온도(이하, 「다이 어태치 온도」라고 함)는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 100℃ 이상, 더욱 바람직하게는 110℃ 이상이다. 또한, 다이 어태치 온도는, 바람직하게는 180℃ 이하, 보다 바람직하게는 140℃ 이하, 더욱 바람직하게는 130℃ 이하이다.
다이 어태치의 하중은, 바람직하게는 0.05MPa 이상이다. 다이 어태치의 하중은, 바람직하게는 0.5MPa 이하, 보다 바람직하게는 0.3MPa 이하이다.
복합 부재(2)를 가열함으로써 필름형 접착제(111)를 경화시킨다. 이에 의해, 반도체 칩(41)을 부재(6)에 고착시킨다. 바람직하게는, 가압 분위기하에서 필름형 접착제(111)를 가열한다. 가압 분위기하에서 필름형 접착제(111)를 경화시킴으로써, 필름형 접착제(111)와 부재(6)의 사이에 존재하는 보이드를 소멸시키는 것이 가능하여, 필름형 접착제(111)가 부재(6)와 접촉하는 면적을 확보할 수 있다.
가압 분위기하에서 가열하는 방법으로서는, 예를 들어 불활성 가스가 충전된 챔버 내에 배치된 복합 부재(2)를 가열하는 방법 등을 들 수 있다. 가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 0.5kg/cm2(4.9×10-2MPa) 이상이다. 0.5kg/cm2 이상이면, 필름형 접착제(111)와 부재(6)의 사이에 존재하는 보이드를 용이하게 소멸시킬 수 있다. 가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 20kg/cm2(1.96MPa) 이하이다. 20kg/cm2 이하이면, 과도한 가압에 의한 필름형 접착제(111)의 비어져 나옴을 억제할 수 있다.
가열 온도는, 바람직하게는 100℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상이다. 가열 온도는, 바람직하게는 260℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하이다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 반도체 칩(41)의 전극 패드와 피착체(606)의 단자를 본딩 와이어(407)로 전기적으로 접속한다.
와이어 본딩 공정은, 본딩 와이어(407)의 일단부와 반도체 칩(41)의 전극 패드를 접합하는 스텝, 본딩 와이어(407)의 타단부와 피착체(606)의 단자를 접합하는 스텝 등을 포함한다.
와이어 본딩 공정을 행한 후, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(41) 및 반도체 칩(641)을 밀봉한다. 밀봉 수지(8)로서는, 예를 들어 에폭시계 수지를 사용한다.
필요에 따라, 밀봉 후에 더 가열해도 된다(후경화 공정). 이에 의해, 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지(8)를 완전히 경화할 수 있다. 가열 온도는 적절히 설정할 수 있다.
이상의 방법에 의해 얻어진 반도체 장치는, 피착체(606), 피착체(606) 상에 배치된 접착층(611), 접착층(611) 상에 배치된 반도체 칩(641), 반도체 칩(641) 상에 배치된 접착층(411), 접착층(411) 상에 배치된 반도체 칩(41), 및 접착층(411)으로 메워진 부분을 갖는 본딩 와이어(607)를 포함한다. 반도체 장치는, 반도체 칩(41), 반도체 칩(641)을 덮는 밀봉 수지(8)를 더 포함한다. 밀봉 수지(8)는 본딩 와이어(607)도 덮는다. 접착층(411)은, 필름형 접착제(111)가 경화함으로써 형성된다.
반도체 장치는 메모리 등에 사용할 수 있다.
이상과 같이, 반도체 장치의 제조 방법은, 부재(6)를 준비하는 공정과, 접착 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정과, 접착 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정 후, 다이 분할을 행함으로써 다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정과, 다이 본드용 칩(5)을 부재(6)에 압착하는 공정을 포함한다.
다이 본드용 칩(5)을 부재(6)에 압착하는 공정에 의해 형성된 복합 부재(2)를 가열함으로써 필름형 접착제(111)를 경화시키는 공정을 더 포함한다. 반도체 칩(41)과 피착체(606)를 본딩 와이어(407)로 접속하는 공정을 더 포함한다. 밀봉 수지(8)로 반도체 칩(41) 및 반도체 칩(641)을 밀봉하는 공정을 더 포함한다.
(변형예 1)
점착제층(122)의 접촉부(122A)는 방사선에 의해 경화하는 성질을 갖는다. 점착제층(122)의 주변부(122B)도 방사선에 의해 경화하는 성질을 갖는다. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 다이 본드용 칩(5)을 형성하고, 점착제층(122)에 자외선을 조사하고, 다이 본드용 칩(5)을 픽업한다. 이에 의해, 점착제층(122)의 다이 본드용 칩(5)에 대한 점착력이 저하되므로, 다이 본드용 칩(5)을 용이하게 픽업할 수 있다.
(변형예 2)
점착제층(122)의 접촉부(122A)는 방사선에 의해 경화되어 있다. 점착제층(122)의 주변부(122B)도 방사선에 의해 경화되어 있다.
(변형예 3)
접착 필름(11)은, 제1층, 및 제1층 상에 배치된 제2층을 포함하는 복층 형상을 이룬다.
(변형예 4)
도 8에 도시하는 바와 같이, 다이싱 테이프(12)에서의 점착면의 전체가 접착 필름(11)과 접한다. 점착제층(122)은 방사선에 의해 경화하는 성질을 갖는 것이 바람직하다. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 다이 본드용 칩(5)을 형성하고, 점착제층(122)에 자외선을 조사하고, 다이 본드용 칩(5)을 픽업한다. 이에 의해, 점착제층(122)의 다이 본드용 칩(5)에 대한 점착력이 저하되므로, 다이 본드용 칩(5)을 용이하게 픽업할 수 있다.
(변형예 5)
다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정이, 다이싱 테이프 일체형 접착 필름(71) 상에 배치된 반도체 웨이퍼(4)에 레이저광을 조사함으로써, 반도체 웨이퍼(4)의 내부에 취약층을 형성하는 스텝을 포함한다. 다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정은, 취약층을 형성하는 스텝 후에 익스팬드를 이루는 스텝을 더 포함한다. 익스팬드에 의해 접착 필름(11) 및 반도체 웨이퍼(4)를 동시에 분할한다.
(변형예 6)
도 9에 도시하는 바와 같이, 다이 본드용 칩(5)을 부재(6)의 피착체(606)에 압착함으로써, 복합체(20)를 형성한다. 복합체(20)는, 피착체(606), 피착체(606) 상에 배치된 필름형 접착제(111), 및 필름형 접착제(111) 상에 배치된 반도체 칩(41)을 포함한다. 복합체(20)는, 필름형 접착제(111)로 메워진 반도체 칩(641) 및 본딩 와이어(607)를 포함한다. 본딩 와이어(607)는 반도체 칩(641)과 피착체(606)를 접속한다. 본딩 와이어(607)의 일단부는 반도체 칩(41)의 전극 패드와 접한다. 본딩 와이어(607)의 타단부는 피착체(606)의 단자와 접한다. 본딩 와이어(607)는 필름형 접착제(111)로 메워진 양단을 포함한다. 피착체(606)와 반도체 칩(641)의 사이에 접착층(611)이 위치한다. 반도체 칩(641)은, 바람직하게는 컨트롤러 칩이다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 적층용 칩(1005)을 반도체 칩(41)에 압착한다. 적층용 칩(1005)은, 반도체 칩(1041), 및 반도체 칩(1041) 상에 배치된 필름형 접착제(1111)를 포함한다. 반도체 칩(1041)과 반도체 칩(41)을 본딩 와이어(1407)로 접속한다. 밀봉 수지로 반도체 칩(41) 및 반도체 칩(1041)을 밀봉한다.
(그 밖의 변형예)
변형예 1 내지 변형예 6 등은 임의로 조합할 수 있다.
[실시 형태 2]
(복층 필름(9))
도 11에 도시하는 바와 같이, 복층 필름(9)은, 세퍼레이터(14), 세퍼레이터(14) 상에 배치된 접착 필름(11), 및 접착 필름(11) 상에 배치된 세퍼레이터(15)를 포함한다. 접착 필름(11)은, 세퍼레이터(14)와 접하는 제1 면, 및 제1 면에 대향한 제2 면으로 양면을 정의할 수 있다. 제2 면은 세퍼레이터(15)와 접한다.
세퍼레이터(14)로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터(14)는 바람직하게는 이형 처리가 실시된 것이다. 세퍼레이터(14)의 두께는 적절히 설정할 수 있다.
세퍼레이터(15)로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 등을 들 수 있다. 세퍼레이터(15)는 바람직하게는 이형 처리가 실시된 것이다. 세퍼레이터(15)의 두께는 적절히 설정할 수 있다.
(반도체 장치의 제조 방법)
반도체 장치의 제조 방법은, 부재(6)를 준비하는 공정과, 접착 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정과, 접착 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정 후, 다이 분할을 행함으로써 다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정과, 다이 본드용 칩(5)을 부재(6)에 압착하는 공정을 포함한다.
반도체 장치의 제조 방법은, 세퍼레이터(14)를 박리하는 스텝과, 세퍼레이터(14)를 박리하는 스텝 후에 접착 필름(11)과 다이싱 테이프(12)를 접합하는 스텝을 포함하는 공정을 더 포함한다. 접착 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정은, 세퍼레이터(15)를 박리하는 스텝, 세퍼레이터(15)를 박리하는 스텝 후에 접착 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 스텝을 포함한다.
다이 본드용 칩(5)을 부재(6)에 압착하는 공정에 의해 형성된 복합 부재(2)를 가열함으로써 필름형 접착제(111)를 경화시키는 공정을 더 포함한다. 반도체 칩(41)과 피착체(606)를 본딩 와이어(407)로 접속하는 공정을 더 포함한다. 밀봉 수지(8)로 반도체 칩(41) 및 반도체 칩(641)을 밀봉하는 공정을 더 포함한다.
(변형예)
접착 필름(11)은, 제1층, 및 제1층 상에 배치된 제2층을 포함하는 복층 형상을 이룬다. 실시 형태 2는, 실시 형태 1의 변형예 5, 6 등도 채용할 수 있다.
<실시예>
이하, 본 발명에 관하여 실시예를 사용하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 넘지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예에서 사용한 성분에 대하여 설명한다.
아크릴 수지: 나가세 켐텍스사제의 테이산 레진 SG-708-6(히드록실기 및 카르복시기를 갖는 아크릴산 에스테르 공중합체, Mw: 70만, 유리 전이 온도: 4℃)
에폭시 수지 1: 도또 가세이사제의 KI-3000(에폭시 당량 195 내지 205g/eq.의 고형 에폭시 수지)
에폭시 수지 2: 미쯔비시 가가꾸사제의 jER YL980(에폭시 당량 180 내지 190g/eq.의 액상 에폭시 수지)
페놀 수지: MEH-7851SS: 메이와 가세이사제의 MEH-7851SS(수산기 당량 203g/eq.의 고형 페놀 수지)
실리카 필러: 애드마텍스사제의 SE-2050MC(평균 입경 0.5㎛의 실리카 필러)
PMMA 입자: 네가미 고교사제의 아트펄 J-4PY(평균 입경 2.2㎛, 최대 입경 5㎛, 단분산 그레이드, 비중 1.2의 구형 PMMA 입자)
촉매: 홋꼬 가가꾸사제의 TPP-MK(테트라페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트)
[접착 필름의 제작]
표 1에 기재된 배합비에 따라, 각 성분 및 메틸에틸케톤(MEK)을 배합하고, 교반함으로써 바니시를 얻었다. 세퍼레이터(실리콘 이형 처리한 PET 필름) 상에 바니시를 도포하고, 130℃의 오븐에서 2분간 건조하여, 두께 60㎛의 접착 필름을 얻었다.
[평가]
얻어진 접착 필름에 대하여, 이하의 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(저장 탄성률 G', 손실 탄성률 G" 및 tanδ)
복수의 접착 필름을 적층함으로써, 두께 약 1000㎛의 적층체를 얻었다. 적층체를 펀칭함으로써, 직경 8mm의 원반형의 시험편을 얻었다. HAAKE사제의 MARS III을 사용하여, 주파수 0.1Hz 내지 10Hz, 측정 온도 120℃, 측정 갭 700㎛, 변형 0.10％, 지그 직경 8mm의 조건에서, 시험편의 저장 탄성률 G', 손실 탄성률 G", tanδ를 측정하였다.
(점도)
복수의 접착 필름을 적층함으로써, 두께 약 120㎛의 시트를 얻었다. 시트로부터 한 변이 20mm인 사각형의 시험편을 잘라냈다. HAAKE사제의 MARS III을 사용하여, 측정 속도 5(1/s), 측정 온도 120℃, 측정 시간 5min, 측정 갭 100㎛, 지그 직경 15mm의 조건에서, 시험편의 점도를 측정하였다.
(매립성)
두께가 25㎛인 것 이외에는 실시예 1의 접착 필름과 동일한 다이 본딩 필름을 제작하였다. 세로 6mm×가로 6mm의 제1 칩을 다이 본딩 필름에 부착하였다. 다이 본딩 필름을 제1 칩을 따라 절단함으로써, 제1 칩을 갖는 다이 본딩 필름을 얻었다. 제1 칩을 갖는 다이 본딩 필름을 BGA 기판에 압착함으로써, 제1 칩을 갖는 BGA 기판을 얻었다. 그 후, 0.5kg/cm2하에서 150℃, 1시간의 열경화를 행하였다. 제1 칩을 갖는 BGA 기판에, 23㎛의 와이어를 47개 찍었다. 와이어끼리의 간격은 100㎛, 제1 칩의 상면부터 와이어 정점까지의 높이는 최고 50㎛였다. 세로6mm×가로 6mm의 제2 칩을 접착 필름에 부착하였다. 접착 필름을 제2 칩을 따라 절단함으로써, 제2 칩을 갖는 접착 필름을 얻었다. 다이 어태치 온도 120℃, 다이 어태치 시간 1sec, 다이 어태치 하중 0.1MPa로, 제2 칩을 갖는 접착 필름을 제1 칩을 갖는 BGA 기판의 제1 칩에 압착하였다. 그 후, 0.5kg/cm2하에서 150℃, 1시간의 열경화를 행하였다. 주사형 전자 현미경(SEM)을 사용하여 와이어 밑에 보이드가 존재하는지 여부를 관찰하였다. 와이어 밑에 보이드가 존재하지 않은 경우에 「○」라고 판정하였다. 와이어 밑에 보이드가 존재한 경우에 「×」라고 판정하였다.
(비어져 나옴)
세로 6mm×가로 6mm의 칩을 접착 필름에 부착하였다. 접착 필름을 칩을 따라 절단함으로써, 칩을 갖는 접착 필름을 얻었다. 다이 어태치 온도 120℃, 다이 어태치 시간 1sec, 다이 어태치 하중 0.1MPa로, 칩을 갖는 접착 필름을 BGA 기판에 압착함으로써, 칩을 갖는 BGA 기판을 얻었다. 현미경을 사용하여 칩을 갖는 BGA 기판을 위에서 관찰하였다. 접착 필름이 칩의 단부로부터 100㎛를 넘어 비어져 나온 경우에 「×」라고 판정하였다. 접착 필름이 칩의 단부로부터 100㎛ 이하 비어져 나온 경우에 「○」라고 판정하였다.
Figure pat00001
1: 복층 필름
11: 접착 필름
12: 다이싱 테이프
13: 세퍼레이터
71: 다이싱 테이프 일체형 접착 필름
121: 기재
122: 점착제층
122A: 접촉부
122B: 주변부
4: 반도체 웨이퍼
5: 다이 본드용 칩
41: 반도체 칩
111: 필름형 접착제
6: 부재
606: 피착체
611: 접착층
641: 반도체 칩
607: 본딩 와이어
2: 복합 부재
407: 본딩 와이어
411: 접착층
8: 밀봉 수지
20: 복합체
1005: 적층용 칩
1041: 반도체 칩
1111: 필름형 접착제
1407: 본딩 와이어
9: 복층 필름
14: 세퍼레이터
15: 세퍼레이터

Claims (8)

120℃, 주파수 0.1Hz의 tanδ(손실 탄성률 G"/저장 탄성률 G')가 0.7 내지 2.0인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 120℃, 주파수 0.1Hz의 저장 탄성률 G'가 10000Pa 이하, 120℃, 주파수 0.1Hz의 손실 탄성률 G"가 5000Pa 이하인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 120℃의 점도가 2000Paㆍs 이하인, 접착 필름.
제1항에 있어서, 피착체, 제1 반도체 칩, 및 상기 제1 반도체 칩과 상기 피착체를 접속하는 본딩 와이어를 포함하는 부재를 준비하는 공정과,
접착 필름에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과,
상기 접착 필름에 상기 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정 후, 다이 분할을 행함으로써 제2 반도체 칩, 및 상기 제2 반도체 칩 상에 배치된 필름형 접착제를 포함하는 다이 본드용 칩을 형성하는 공정과,
상기 다이 본드용 칩을 상기 부재에 압착하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 사용하기 위한, 접착 필름.
기재 및 상기 기재 상에 배치된 점착제층을 포함하는 다이싱 테이프와,
상기 점착제층 상에 배치된 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 접착 필름을 포함하는, 다이싱 테이프 일체형 접착 필름.
세퍼레이터와,
상기 세퍼레이터 상에 배치된 제5항에 기재된 다이싱 테이프 일체형 접착 필름을 포함하는, 복층 필름.
피착체, 제1 반도체 칩, 및 상기 제1 반도체 칩과 상기 피착체를 접속하는 본딩 와이어를 포함하는 부재를 준비하는 공정과,
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 접착 필름에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과,
상기 접착 필름에 상기 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정 후, 다이 분할을 행함으로써 제2 반도체 칩, 및 상기 제2 반도체 칩 상에 배치된 필름형 접착제를 포함하는 다이 본드용 칩을 형성하는 공정과,
상기 다이 본드용 칩을 상기 부재에 압착하는 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법.
제7항에 기재된 제조 방법에 의해 얻어진, 반도체 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190021004A (ko) * 2017-08-22 2019-03-05 (주)이녹스첨단소재 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107446535A (zh) * 2017-08-16 2017-12-08 浙江林境新材料科技有限公司 一种复合板
EP3706164A4 (en) * 2017-10-31 2021-08-11 Nagase ChemteX Corporation PROCESS FOR PRODUCING A PACKAGING STRUCTURE AND SHEET USED THEREIN
JP7176536B2 (ja) * 2018-01-30 2022-11-22 昭和電工マテリアルズ株式会社 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート、及び半導体装置の製造方法
JP7028264B2 (ja) * 2018-01-30 2022-03-02 昭和電工マテリアルズ株式会社 フィルム状接着剤及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2019150444A1 (ja) * 2018-01-30 2019-08-08 日立化成株式会社 半導体装置の製造方法、及びフィルム状接着剤
TW202100694A (zh) * 2019-03-22 2021-01-01 日商琳得科股份有限公司 膜狀接著劑以及半導體加工用片
WO2020217401A1 (ja) * 2019-04-25 2020-10-29 日立化成株式会社 ドルメン構造を有する半導体装置及びその製造方法、並びに、支持片形成用積層フィルム及びその製造方法
WO2020217397A1 (ja) 2019-04-25 2020-10-29 日立化成株式会社 ドルメン構造を有する半導体装置の製造方法、支持片の製造方法及び積層フィルム
CN110441115B (zh) * 2019-09-09 2022-02-22 中国科学院电工研究所 一种多层膜x射线波带片的制备方法
WO2023188170A1 (ja) * 2022-03-30 2023-10-05 株式会社レゾナック 半導体用接着フィルム、ダイシングダイボンディングフィルム、及び半導体装置を製造する方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TR199701251T1 (xx) * 1995-04-25 1998-02-21 Minnesota Mining & Manufacturing Company Yap��kan hale getirilmi� polidiorganosiloksan oligo�re segmentli kopolimerler ve bunlar�n �retimine y�nelik bir proses.
JPH11279521A (ja) * 1997-05-08 1999-10-12 Sekisui Chem Co Ltd 接着剤組成物
EP1360258B1 (en) * 2000-01-31 2007-03-14 H.B. Fuller Licensing & Financing, Inc. Radiation curable adhesive compositions comprising block copolymers having vinyl functionalized polydiene blocks
JP4748941B2 (ja) * 2004-02-27 2011-08-17 リンテック株式会社 粘着シート
JP4776188B2 (ja) * 2004-08-03 2011-09-21 古河電気工業株式会社 半導体装置製造方法およびウエハ加工用テープ
JP5063262B2 (ja) * 2006-08-30 2012-10-31 Ｄｉｃ株式会社 再剥離用粘着シート
WO2008146503A1 (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Dic Corporation 再剥離用粘着シート
US20110229721A1 (en) * 2008-09-11 2011-09-22 Lanxess Deutschland Gmbh Hotmelt adhesives
US20100286642A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-11 Allen Jr William Maxwell Water-stable, oil-modified, nonreactive alkyd resin construction adhesives, and use thereof
JP2011102383A (ja) * 2009-10-14 2011-05-26 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP5437111B2 (ja) * 2010-03-01 2014-03-12 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置
JP5897839B2 (ja) * 2011-07-29 2016-03-30 日東電工株式会社 半導体装置
JP5888805B2 (ja) * 2011-09-01 2016-03-22 日東電工株式会社 接着フィルム及びダイシング・ダイボンドフィルム
JP2013191592A (ja) * 2012-03-12 2013-09-26 Idemitsu Unitech Co Ltd 電気・電子部品の封止方法
JP5499111B2 (ja) * 2012-07-06 2014-05-21 日東電工株式会社 半導体装置用接着剤組成物、半導体装置用接着フィルム、ダイシングフィルム付き接着フィルム、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
CN102994009B (zh) * 2012-11-27 2015-02-25 明尼苏达矿业制造医用器材（上海）有限公司 水胶体粘合剂和水胶体敷料
JP2014216488A (ja) * 2013-04-25 2014-11-17 日東電工株式会社 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190021004A (ko) * 2017-08-22 2019-03-05 (주)이녹스첨단소재 유기전자장치 봉지재용 접착필름 및 이를 포함하는 유기전자장치용 봉지재

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