KR20160140456A - 다이싱 다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 - Google Patents

다이싱 다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20160140456A
KR20160140456A KR1020160064655A KR20160064655A KR20160140456A KR 20160140456 A KR20160140456 A KR 20160140456A KR 1020160064655 A KR1020160064655 A KR 1020160064655A KR 20160064655 A KR20160064655 A KR 20160064655A KR 20160140456 A KR20160140456 A KR 20160140456A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
adhesive
adhesive film
dicing
bonding
Prior art date
Application number
KR1020160064655A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102467131B1 (ko
Inventor
겐지 오니시
사다히토 미스미
유이치로 시시도
유타 기무라
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20160140456A publication Critical patent/KR20160140456A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102467131B1 publication Critical patent/KR102467131B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J161/00—Adhesives based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J161/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C09J161/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C09J7/0264—
    • C09J7/0296—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241—Polyolefin, e.g.rubber
    • C09J7/243—Ethylene or propylene polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/255—Polyesters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/7806—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices involving the separation of the active layers from a substrate
    • C09J2201/622—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

[과제] 커버 필름의 박리 불량을 방지 가능하고, 반도체 칩의 정전기 파괴를 방지할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름 등을 제공한다.
[해결 수단] 롤상을 이루는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다. 다이싱 다이 본드 필름은, 커버 필름 및 커버 필름 상에 배치된 다이싱 시트 일체형 접착 필름을 포함한다. 다이싱 시트 일체형 접착 필름은, 제 1 면 및 제 1 면에 대향한 제 2 면으로 양면이 정의되는 기재층 및 제 1 면과 접한 점착제층을 포함하는 다이싱 시트를 포함한다. 다이싱 시트 일체형 접착 필름은, 점착제층과 접한 제 1 주면 및 제 1 주면에 대향한 제 2 주면으로 양면이 정의되는 접착 필름을 추가로 포함한다. 제 2 면의 표면 저항값이 1.0×1011Ω/sq. 이하이다. 제 2 주면의 표면 저항값이 1.0×1012Ω/sq. 이상이다.

Description

다이싱 다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치{DICING DIE BOND FILM, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 다이싱 다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것이다.
기재층, 기재층 상에 배치된 점착제층 및 점착제층 상에 배치된 접착 필름을 갖는 다이싱 다이 본드 필름이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 기재층은, 점착제층과 접한 접촉면 및 접촉면에 대향한 배면으로 양면을 정의할 수 있다.
최근, 반도체 칩의 고성능화에 수반하여, 정전기 파괴가 문제가 되고 있다. 정전기 파괴를 방지하기 위해, 점착제층에 도전성 재료를 첨가하는 것에 의해 대전 방지 성능을 올리는 기술이 있다.
또한, 접착 필름에 도전성을 부여하기 위해서, 접착 필름에 도전성 재료를 첨가하는 기술도 있다.
일본 특허공개 2015-5636호 공보
점착제층에 도전성 재료를 첨가하는 기술에는, 다이싱 시에 도전성 재료가 장치 내에서 비산되어, 반도체 웨이퍼나 반도체 칩에 부착된다는 문제가 있다. 익스팬드 시에도 도전성 재료가 비산되는 경우가 있다.
접착 필름에 도전성 재료를 첨가하는 기술에는, 접착 필름을 와이어 매설 용도로 사용했을 경우에 도전성 재료가 와이어의 부식을 촉진한다는 문제가 있다. 다이싱 시에 도전성 재료가 비산된다는 문제도 있다.
그런데, 다이싱 다이 본드 필름에 있어서, 커버 필름을 잘 박리할 수 없는 경우가 있다. 박리 불량의 원인에 대해 본 발명자가 예의 검토한 바, 기재층의 배면과 커버 필름의 대전이 커버 필름의 박리 불량을 일으키는 것을 발견했다.
본 발명은, 커버 필름의 박리 불량을 방지 가능하고, 반도체 칩의 정전기 파괴를 방지할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 또한, 다이싱 다이 본드 필름을 이용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 다이싱 다이 본드 필름을 이용하여 얻어진 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 롤상을 이루는 다이싱 다이 본드 필름에 관한 것이다. 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 커버 필름 및 커버 필름 상에 배치된 다이싱 시트 일체형 접착 필름을 포함한다. 다이싱 시트 일체형 접착 필름은, 제 1 면 및 제 1 면에 대향한 제 2 면으로 양면이 정의되는 기재층 및 제 1 면과 접한 점착제층을 포함하는 다이싱 시트를 포함한다. 다이싱 시트 일체형 접착 필름은, 점착제층과 접한 제 1 주면(主面) 및 제 1 주면에 대향한 제 2 주면으로 양면이 정의되는 접착 필름을 추가로 포함한다. 제 2 면의 표면 저항값이 1.0×1011Ω/sq. 이하이다. 1.0×1011Ω/sq. 이하이기 때문에, 커버 필름의 박리 불량을 방지할 수 있다. 제 2 주면의 표면 저항값이 1.0×1012Ω/sq. 이상이다. 1.0×1012Ω/sq. 이상이기 때문에, 패키징 시 등에 있어서의 리크 전류를 방지 가능하여, 반도체 칩의 정전기 파괴를 방지할 수 있다.
바람직하게는, 기재층은, 제 1 면을 갖는 제 1 기재층 및 제 2 면을 갖는 제 2 기재층을 포함한다. 바람직하게는, 제 2 기재층은 도전성 성분을 포함한다. 바람직하게는, 제 2 기재층의 두께는 1μm∼30μm이다. 바람직하게는, 도전성 성분은 유기계 도전성 성분이다. 바람직하게는, 제 2 기재층이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 수지를 추가로 포함한다.
바람직하게는, 다이싱 시트의 파단 신도는 500% 이상이다.
바람직하게는, 접착 필름이 에폭시 수지 또는 페놀 수지를 포함한다. 바람직하게는, 접착 필름이 아크릴 수지를 포함한다. 바람직하게는, 접착 필름에 있어서의 25℃의 택 강도가 0.2N 이상 3.0N 이하이다.
바람직하게는, 커버 필름은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이다. 바람직하게는, 커버 필름의 두께는 20μm∼75μm이다.
본 발명은 또한, 다이싱 다이 본드 필름을 준비하는 공정과, 다이싱 시트 일체형 접착 필름의 접착 필름에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과, 접착 필름에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정 후에, 다이 분할을 이루는 것에 의해 다이 본드용 칩을 형성하는 공정과, 다이 본드용 칩을 피착체에 압착하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 접착 필름에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정은, 커버 필름으로부터 다이싱 시트 일체형 접착 필름을 박리하는 스텝을 포함한다. 다이 본드용 칩은, 반도체 칩 및 반도체 칩 상에 배치된 필름상 접착제를 포함한다.
본 발명은 또한, 반도체 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 커버 필름의 박리 불량을 방지 가능하고, 반도체 칩의 정전기 파괴를 방지할 수 있는 다이싱 다이 본드 필름을 제공할 수 있다.
본 발명은 또한, 다이싱 다이 본드 필름을 이용하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다. 본 발명은 또한, 다이싱 다이 본드 필름을 이용하여 얻어진 반도체 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 다이싱 다이 본드 필름의 개략 평면도이다.
도 2는 다이싱 다이 본드 필름의 일부의 개략 단면도이다.
도 3은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 4는 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 5는 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 6은 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 7은 변형예 4에 있어서의 다이싱 다이 본드 필름의 일부의 개략 단면도이다.
도 8은 변형예 7에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 9는 변형예 8에 있어서의 반도체 장치의 제조 공정의 개략 단면도이다.
도 10은 실시예에 있어서의 다이싱 시트 일체형 접착 필름의 개략 단면도이다.
이하에 실시형태를 게재하여, 본 발명을 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시형태에만 한정되는 것은 아니다.
[실시형태 1]
(다이싱 다이 본드 필름(1))
도 1에 나타내는 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름(1)은 롤상을 이룬다.
다이싱 다이 본드 필름(1)은, 커버 필름(13) 및 커버 필름(13) 상에 배치된 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71a, 71b, 71c, ……, 71m)(이하, 「다이싱 시트 일체형 접착 필름(71)」이라고 총칭한다.)을 포함한다. 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71a)과 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71b) 사이의 거리, 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71b)과 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71c) 사이의 거리, ……, 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71l)과 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71m) 사이의 거리는 일정하다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71)은, 다이싱 시트(12) 및 다이싱 시트(12) 상에 배치된 접착 필름(11)을 포함한다. 다이싱 시트(12)는, 기재층(121) 및 기재층(121) 상에 배치된 점착제층(122)을 포함한다. 기재층(121)은, 점착제층(122)과 접한 제 1 면(121a) 및 제 1 면(121a)에 대향한 제 2 면(121b)으로 양면이 정의된다. 접착 필름(11)은, 점착제층(122)과 접한 제 1 주면(11a) 및 제 1 주면(11a)에 대향한 제 2 주면(11b)으로 양면이 정의된다. 제 2 주면(11b)은 커버 필름(13)과 접한다.
제 2 면(121b)의 표면 저항값은, 1.0×1011Ω/sq. 이하, 바람직하게는 8.0×1010Ω/sq. 이하이다. 1.0×1011Ω/sq. 이하이기 때문에, 커버 필름(13)의 박리 불량을 방지할 수 있다. 제 2 면(121b)의 표면 저항값의 하한은, 예를 들면 1.0×105Ω/sq., 1.0×107Ω/sq., 1.0×108Ω/sq. 등이다.
제 2 면(121b)의 광택은, 바람직하게는 1∼20이다.
제 2 주면(11b)의 표면 저항값은, 1.0×1012Ω/sq. 이상, 바람직하게는 1.0×1014Ω/sq. 이상이다. 1.0×1012Ω/sq. 이상이기 때문에, 패키징 시 등에 있어서의 리크 전류를 방지 가능하여, 반도체 칩의 정전기 파괴를 방지할 수 있다. 제 2 주면(11b)의 표면 저항값의 상한은, 예를 들면 1.0×1017Ω/sq., 1.0×1018Ω/sq. 등이다.
다이싱 시트(12)의 파단 신도는, 바람직하게는 500% 이상이다. 500% 이상이면, 익스팬드성이 양호하다. 다이싱 시트(12)의 헤이즈는, 바람직하게는 45%∼95%이다.
기재층(121)의 두께는, 바람직하게는 50μm∼150μm이다.
기재층(121)은, 제 1 면(121a)을 갖는 제 1 기재층(1211)을 포함한다. 제 1 기재층(1211)은, 제 1 면(121a) 및 제 1 면(121a)에 대향한 숨은 면으로 양면을 정의할 수 있다. 기재층(121)은, 제 2 면(121b)을 갖는 제 2 기재층(1212)을 추가로 포함한다. 제 2 기재층(1212)은, 제 1 기재층(1211)의 숨은 면과 접한다.
제 1 기재층(1211)은 수지를 포함한다. 수지로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체(EVA) 등을 들 수 있다. 양호한 익스팬드성을 발현하기 때문에, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체가 바람직하다. 익스팬드성이 나쁘다는 점에서, 폴리에틸렌 테레프탈레이트는 바람직하지 않다.
제 1 기재층(1211)이 도전성 성분을 포함하는 경우, 도전성 성분이 다이싱 시에 장치 내에 비산되는 경우가 있다. 따라서, 바람직하게는, 제 1 기재층(1211)은 도전성 성분을 포함하지 않는다.
제 1 기재층(1211)의 두께는, 바람직하게는 30μm∼150μm이다.
바람직하게는, 제 2 기재층(1212)은 도전성 성분을 포함한다. 도전성 성분이 제 2 면(121b)의 표면 저항값을 낮추기 때문이다.
도전성 성분으로서는, 유기계 도전성 성분, 무기계 도전성 성분 등을 들 수 있다. 유기계 도전성 성분은 탈락하기 어렵고, 수지와 용이하게 섞이기 때문에, 바람직하다. 유기계 도전성 성분으로서는, 도전성 고분자를 들 수 있다.
바람직하게는, 제 2 기재층(1212)은 수지를 포함한다. 수지로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체 등을 들 수 있다. 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체는 유기계 도전성 성분과 용이하게 섞여, 양호한 익스팬드성을 발현하기 때문에, 바람직하다. 익스팬드성이 나쁘다는 점에서, 폴리에틸렌 테레프탈레이트는 바람직하지 않다.
제 2 기재층(1212)의 두께는, 바람직하게는 1μm∼30μm이다.
제 1 기재층(1211)의 두께의 제 2 기재층(1212)의 두께에 대한 비(제 1 기재층(1211)의 두께/제 2 기재층(1212)의 두께)는, 바람직하게는 1∼30이다.
점착제층(122)은, 접착 필름(11)과 접하는 접촉부(122A)를 포함한다. 점착제층(122)은, 접촉부(122A)의 주변에 배치된 주변부(122B)를 추가로 포함한다. 접촉부(122A)는 방사선에 의해 경화되어 있다. 한편, 주변부(122B)는 방사선에 의해 경화되는 성질을 갖는다. 방사선으로서는 자외선이 바람직하다.
점착제층(122)은 점착제에 의해 형성되어 있으며, 점착성을 갖고 있다. 이와 같은 점착제로서는, 특별히 제한되지 않고, 공지의 점착제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 구체적으로는, 점착제로서는, 예를 들면, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 바이닐 알킬 에터계 점착제, 실리콘계 점착제, 폴리에스터계 점착제, 폴리아마이드계 점착제, 유레테인계 점착제, 불소계 점착제, 스타이렌-다이엔 블록 공중합체계 점착제, 이들 점착제에 융점이 약 200℃ 이하인 열용융성 수지를 배합한 크리프 특성 개량형 점착제 등의 공지의 점착제(예를 들면, 일본 특허공개 소56-61468호 공보, 일본 특허공개 소61-174857호 공보, 일본 특허공개 소63-17981호 공보, 일본 특허공개 소56-13040호 공보 등 참조) 중에서, 이러한 특성을 갖는 점착제를 적절히 선택하여 이용할 수 있다. 또한, 점착제로서는, 방사선 경화형 점착제(또는 에너지선 경화형 점착제)나, 열팽창성 점착제를 이용할 수도 있다. 점착제는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
점착제로서는, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제를 적합하게 이용할 수 있고, 특히 아크릴계 점착제가 적합하다. 아크릴계 점착제로서는, (메트)아크릴산 알킬 에스터의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 이용한 아크릴계 중합체(단독중합체 또는 공중합체)를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제를 들 수 있다.
아크릴계 점착제에 있어서의 (메트)아크릴산 알킬 에스터로서는, 예를 들면, (메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 프로필, (메트)아크릴산 아이소프로필, (메트)아크릴산 뷰틸, (메트)아크릴산 아이소뷰틸, (메트)아크릴산 s-뷰틸, (메트)아크릴산 t-뷰틸, (메트)아크릴산 펜틸, (메트)아크릴산 헥실, (메트)아크릴산 헵틸, (메트)아크릴산 옥틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 아이소옥틸, (메트)아크릴산 노닐, (메트)아크릴산 아이소노닐, (메트)아크릴산 데실, (메트)아크릴산 아이소데실, (메트)아크릴산 운데실, (메트)아크릴산 도데실, (메트)아크릴산 트라이데실, (메트)아크릴산 테트라데실, (메트)아크릴산 펜타데실, (메트)아크릴산 헥사데실, (메트)아크릴산 헵타데실, (메트)아크릴산 옥타데실, (메트)아크릴산 노나데실, (메트)아크릴산 에이코실 등의 (메트)아크릴산 알킬 에스터 등을 들 수 있다. (메트)아크릴산 알킬 에스터로서는, 알킬기의 탄소수가 4∼18인 (메트)아크릴산 알킬 에스터가 적합하다. 한편, (메트)아크릴산 알킬 에스터의 알킬기는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 어느 것이어도 된다.
한편, 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성, 가교성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, (메트)아크릴산 알킬 에스터와 공중합 가능한 다른 단량체 성분(공중합성 단량체 성분)에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 공중합성 단량체 성분으로서는, 예를 들면, (메트)아크릴산(아크릴산, 메타크릴산), 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 퓨마르산, 크로톤산 등의 카복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물기 함유 모노머; (메트)아크릴산 하이드록시에틸, (메트)아크릴산 하이드록시프로필, (메트)아크릴산 하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 하이드록시헥실, (메트)아크릴산 하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 하이드록시데실, (메트)아크릴산 하이드록시라우릴, (4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸메타크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머; 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아마이드프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머; 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; (메트)아크릴아마이드, N,N-다이메틸 (메트)아크릴아마이드, N-뷰틸 (메트)아크릴아마이드, N-메틸올 (메트)아크릴아마이드, N-메틸올프로페인 (메트)아크릴아마이드 등의 (N-치환)아마이드계 모노머; (메트)아크릴산 아미노에틸, (메트)아크릴산 N,N-다이메틸아미노에틸, (메트)아크릴산 t-뷰틸아미노에틸 등의 (메트)아크릴산 아미노알킬계 모노머; (메트)아크릴산 메톡시에틸, (메트)아크릴산 에톡시에틸 등의 (메트)아크릴산 알콕시알킬계 모노머; 아크릴로나이트릴, 메타크릴로나이트릴 등의 사이아노아크릴레이트 모노머; (메트)아크릴산 글리시딜 등의 에폭시기 함유 아크릴계 모노머; 스타이렌, α-메틸스타이렌 등의 스타이렌계 모노머; 아세트산 바이닐, 프로피온산 바이닐 등의 바이닐 에스터계 모노머; 아이소프렌, 뷰타다이엔, 아이소뷰틸렌 등의 올레핀계 모노머; 바이닐 에터 등의 바이닐 에터계 모노머; N-바이닐 피롤리돈, 메틸 바이닐 피롤리돈, 바이닐 피리딘, 바이닐 피페리돈, 바이닐 피리미딘, 바이닐 피페라진, 바이닐 피라진, 바이닐 피롤, 바이닐 이미다졸, 바이닐 옥사졸, 바이닐 모폴린, N-바이닐 카복실산 아마이드류, N-바이닐 카프로락탐 등의 질소 함유 모노머; N-사이클로헥실 말레이미드, N-아이소프로필 말레이미드, N-라우릴 말레이미드, N-페닐 말레이미드 등의 말레이미드계 모노머; N-메틸 이타콘이미드, N-에틸 이타콘이미드, N-뷰틸 이타콘이미드, N-옥틸 이타콘이미드, N-2-에틸헥실 이타콘이미드, N-사이클로헥실 이타콘이미드, N-라우릴 이타콘이미드 등의 이타콘이미드계 모노머; N-(메트)아크릴로일옥시메틸렌 석신이미드, N-(메트)아크릴로일-6-옥시헥사메틸렌 석신이미드, N-(메트)아크릴로일-8-옥시옥타메틸렌 석신이미드 등의 석신이미드계 모노머; (메트)아크릴산 폴리에틸렌글리콜, (메트)아크릴산 폴리프로필렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시에틸렌글리콜, (메트)아크릴산 메톡시폴리프로필렌글리콜 등의 글리콜계 아크릴에스터 모노머; (메트)아크릴산 테트라하이드로퍼퓨릴, 불소 (메트)아크릴레이트, 실리콘 (메트)아크릴레이트 등의 헤테로환, 할로젠 원자, 규소 원자 등을 갖는 아크릴산 에스터계 모노머; 헥세인다이올 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스터 아크릴레이트, 유레테인 아크릴레이트, 다이바이닐 벤젠, 뷰틸 다이(메트)아크릴레이트, 헥실 다이(메트)아크릴레이트 등의 다작용 모노머 등을 들 수 있다. 이들 공중합성 단량체 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다.
점착제로서 방사선 경화형 점착제(또는 에너지선 경화형 점착제)를 이용하는 경우, 방사선 경화형 점착제(조성물)로서는, 예를 들면, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 폴리머를 베이스 폴리머로서 이용한 내재형의 방사선 경화형 점착제나, 점착제 중에 자외선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분이 배합된 방사선 경화형 점착제 등을 들 수 있다. 또한, 점착제로서 열팽창성 점착제를 이용하는 경우, 열팽창성 점착제로서는, 예를 들면, 점착제와 발포제(특히 열팽창성 미소구)를 포함하는 열팽창성 점착제 등을 들 수 있다.
바람직한 단량체 성분은 아크릴산 2-에틸헥실이다. 바람직하게는, 아크릴계 점착제가 유레테인 결합을 갖는 아크릴계 중합체를 포함한다.
점착제층(122)은, 각종 첨가제(예를 들면, 점착 부여 수지, 착색제, 증점제, 증량제, 충전재, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 가교제 등)를 포함할 수 있다.
점착제층(122)은, 예를 들면, 점착제(감압 접착제)와 필요에 따라 용매나 그 밖의 첨가제 등을 혼합하여, 시트상의 층으로 형성하는 관용의 방법을 이용하여 형성할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 점착제 및 필요에 따라 용매나 그 밖의 첨가제를 포함하는 혼합물을, 기재층(121) 상에 도포하는 방법, 적당한 세퍼레이터(박리지 등) 상에 혼합물을 도포하여 점착제층(122)을 형성하고, 이를 기재층(121) 상에 전사(이착(移着))하는 방법 등에 의해, 점착제층(122)을 형성할 수 있다.
점착제층(122)의 두께는, 바람직하게는 3μm 이상, 보다 바람직하게는 5μm 이상이다. 점착제층(122)의 두께는, 바람직하게는 50μm 이하, 보다 바람직하게는 30μm 이하이다. 한편, 점착제층(122)은 복층 형상을 이루어도 된다.
(접착 필름(11))
접착 필름(11)은 열경화성을 구비한다.
접착 필름(11)에 있어서의 25℃의 택 강도는, 바람직하게는 0.2N∼3.0N이다. 0.2N∼3.0N이면, 픽업성이 양호하다.
접착 필름(11)에 있어서의 120℃의 손실 탄성률 G"는, 바람직하게는 2KPa∼20KPa이다. 2KPa 이상이면, 다이 본드 시의 접착 필름(11)의 밀려나옴을 방지하는 것이 가능하다. 20KPa 이하이면, 다이 본드 시의 접착 필름(11)의 피착체에 대한 젖음성이 양호하다.
접착 필름(11)은 수지 성분을 포함한다. 수지 성분으로서는, 열가소성 수지, 열경화성 수지 등을 들 수 있다.
바람직하게는, 열가소성 수지는 아크릴 수지이다.
아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4∼18의 직쇄 또는 분기의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스터의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, t-뷰틸기, 아이소뷰틸기, 아밀기, 아이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 사이클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 아이소옥틸기, 노닐기, 아이소노닐기, 데실기, 아이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트라이데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
또한, 중합체(아크릴 공중합체)를 형성하는 다른 모노머로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸 아크릴레이트, 카복시펜틸 아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 퓨마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카복실기 함유 모노머, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 모노머, (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 4-하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴 또는 (4-하이드록시메틸사이클로헥실)-메틸 아크릴레이트 등과 같은 하이드록실기 함유 모노머, 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아마이드프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등과 같은 설폰산기 함유 모노머, 또는 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머를 들 수 있다.
아크릴 수지 중에서도, 중량 평균 분자량이 10만 이상인 것이 바람직하고, 30만∼300만인 것이 보다 바람직하고, 50만∼200만인 것이 더 바람직하다. 이러한 수치 범위 내이면, 접착성 및 내열성이 우수하기 때문이다. 한편, 중량 평균 분자량은, GPC(겔 퍼미에이션 크로마토그래피)에 의해 측정하여, 폴리스타이렌 환산에 의해 산출된 값이다.
아크릴 수지는 작용기를 포함하는 것이 바람직하다. 작용기로서는, 예를 들면, 하이드록실기, 카복시기, 나이트릴기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 나이트릴기가 바람직하다.
수지 성분 100중량% 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 10중량% 이상, 보다 바람직하게는 20중량% 이상이다. 10중량% 이상이면, 가요성이 양호하다. 수지 성분 100중량% 중의 열가소성 수지의 함유량은, 바람직하게는 80중량% 이하, 보다 바람직하게는 70중량% 이하이다.
열경화성 수지로서는, 에폭시 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있다.
에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브로민화 비스페놀 A형, 수첨 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 바이페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오쏘크레졸노볼락형, 트리스하이드록시페닐메테인형, 테트라페닐올에테인형 등의 2작용 에폭시 수지나 다작용 에폭시 수지, 또는 하이단토인형, 트리스글리시딜 아이소사이아누레이트형 또는 글리시딜 아민형 등의 에폭시 수지가 이용된다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메테인형 수지 또는 테트라페닐올에테인형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하여, 내열성 등이 우수하기 때문이다.
에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 100g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 120g/eq. 이상이다. 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 1000g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 500g/eq. 이하이다.
한편, 에폭시 수지의 에폭시 당량은, JIS K 7236-2009에 규정된 방법으로 측정할 수 있다.
페놀 수지는, 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들면, 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-뷰틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스타이렌 등의 폴리옥시스타이렌 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 150g/eq. 이상, 보다 바람직하게는 200g/eq. 이상이다. 페놀 수지의 수산기 당량은, 바람직하게는 500g/eq. 이하, 보다 바람직하게는 300g/eq. 이하이다.
에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들면, 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5∼2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8∼1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 이러한 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않고, 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.
수지 성분 100중량% 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 20중량% 이상, 보다 바람직하게는 30중량% 이상이다. 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 90중량% 이하, 보다 바람직하게는 80중량% 이하이다.
바람직하게는, 접착 필름(11)은 무기 충전제를 포함한다.
무기 충전제로서는, 예를 들면, 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크로뮴, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납, 카본 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 실리카, 알루미나, 은 등이 바람직하고, 실리카가 보다 바람직하다.
무기 충전제의 평균 입경은, 바람직하게는 0.001μm∼1μm이다. 필러의 평균 입경은, 이하의 방법으로 측정할 수 있다.
무기 충전제의 평균 입경의 측정
접착 필름(11)을 도가니에 넣고, 대기 분위기 하, 700℃에서 2시간 강열로 회화(灰化)시킨다. 얻어진 회분을 순수 중에 분산시켜 10분간 초음파 처리하고, 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정 장치(베크만쿨터사제, 「LS 13 320」; 습식법)를 이용하여 평균 입경을 구한다.
접착 필름(11) 중의 무기 충전제의 함유량은, 바람직하게는 0중량% 이상, 보다 바람직하게는 1중량% 이상, 더 바람직하게는 3중량% 이상, 보다 더 바람직하게는 20중량% 이상이다. 접착 필름(11) 중의 무기 충전제의 함유량은, 바람직하게는 85중량% 이하, 보다 바람직하게는 20중량% 이하, 더 바람직하게는 15중량% 이하이다.
접착 필름(11)은, 상기 성분 이외에도, 필름 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예를 들면, 실레인 커플링제, 경화 촉진제, 가교제 등을 적절히 함유해도 된다.
접착 필름(11)이 도전성 성분을 포함하는 경우, 도전성 성분이 다이싱 시에 장치 내에 비산되는 경우가 있다. 도전성 성분이 와이어의 부식을 촉진하는 경우도 있다. 따라서, 바람직하게는, 접착 필름(11)은 도전성 성분을 포함하지 않는다.
접착 필름(11)은, 통상의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 각 성분을 함유하는 접착제 조성물 용액을 제작하고, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께가 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 도포막을 건조시킴으로써, 접착 필름(11)을 제조할 수 있다.
접착제 조성물 용액에 이용하는 용매로서는 특별히 한정되지 않지만, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산시킬 수 있는 유기 용매가 바람직하다. 예를 들면, 다이메틸폼아마이드, 다이메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤계 용매, 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다. 도포 방법은 특별히 한정되지 않는다. 용제 도공의 방법으로서는, 예를 들면, 다이 코터, 그라비어 코터, 롤 코터, 리버스 코터, 콤마 코터, 파이프 닥터 코터, 스크린 인쇄 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 도포 두께의 균일성이 높다는 점에서, 다이 코터가 바람직하다.
기재 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬 아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등이 사용 가능하다. 접착제 조성물 용액의 도포 방법으로서는, 예를 들면, 롤 도공, 스크린 도공, 그라비어 도공 등을 들 수 있다. 또한, 도포막의 건조 조건은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 건조 온도 70∼160℃, 건조 시간 1∼5분간으로 행할 수 있다.
접착 필름(11)의 제조 방법으로서는, 예를 들면, 상기 각 성분을 믹서로 혼합하고, 얻어진 혼합물을 프레스 성형하여 접착 필름(11)을 제조하는 방법 등도 적합하다. 믹서로서는 플라네터리 믹서 등을 들 수 있다.
접착 필름(11)의 두께는, 바람직하게는 2μm 이상, 보다 바람직하게는 5μm 이상, 더 바람직하게는 10μm 이상이다. 접착 필름(11)의 두께는, 바람직하게는 200μm 이하, 보다 바람직하게는 150μm 이하, 더 바람직하게는 100μm 이하이다.
접착 필름(11)은, 반도체 장치를 제조하기 위해서 사용된다. 구체적으로는, 접착 필름(11)은 다이 본딩 용도로 사용된다.
(커버 필름(13))
커버 필름(13)으로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 커버 필름(13)은 이형 처리가 실시된 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이다.
커버 필름(13)의 두께는, 바람직하게는 20μm∼75μm, 보다 바람직하게는 25μm∼50μm이다.
(반도체 장치의 제조 방법)
도 3에 나타내는 바와 같이, 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착한다. 반도체 웨이퍼(4)로서는, 실리콘 웨이퍼, 실리콘 카바이드 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 웨이퍼로서는, 질화갈륨 웨이퍼 등을 들 수 있다.
압착 방법으로서는, 예를 들면, 압착 롤 등의 압압(押壓) 수단에 의해 압압하는 방법 등을 들 수 있다.
압착 온도(첩부 온도)는, 35℃ 이상이 바람직하고, 37℃ 이상이 보다 바람직하다. 압착 온도의 상한은 낮은 편이 바람직하고, 바람직하게는 50℃ 이하, 보다 바람직하게는 45℃ 이하이다. 저온에서 압착하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(4)에 대한 열영향을 방지하는 것이 가능하여, 반도체 웨이퍼(4)의 휨을 억제할 수 있다. 또한, 압력은, 1×105Pa∼1×107Pa인 것이 바람직하고, 2×105Pa∼8×106Pa인 것이 보다 바람직하다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱하는 것에 의해, 다이 본드용 칩(5)을 형성한다. 다이 본드용 칩(5)은, 반도체 칩(41) 및 반도체 칩(41) 상에 배치된 필름상 접착제(111)를 포함한다. 반도체 칩(41)은 전극 패드를 포함한다. 전극 패드의 재료로서는, 알루미늄 등을 들 수 있다. 본 공정에서는, 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71)까지 절입을 행하는 풀 컷으로 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 다이싱 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 이용할 수 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(4)는, 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71)에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 파편이나 칩 날림을 억제할 수 있음과 더불어, 반도체 웨이퍼(4)의 파손도 억제할 수 있다.
다이 본드용 칩(5)을 픽업한다. 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 여러 가지의 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 개개의 반도체 칩(41)을 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71)측으로부터 니들에 의해 밀어 올리고, 이어서 다이 본드용 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 다이 본드용 칩(5)을 피착체(6)에 압착하는 것에 의해 반도체 칩 부착 피착체(2)를 얻는다. 반도체 칩 부착 피착체(2)는, 피착체(6), 피착체(6) 상에 배치된 필름상 접착제(111) 및 필름상 접착제(111) 상에 배치된 반도체 칩(41)을 구비한다. 피착체(6)는 단자부를 구비한다. 피착체(6)로서는, 리드 프레임, 인터포저, TAB 필름, 반도체 칩 등을 들 수 있다. 피착체(6)가 리드 프레임인 경우, 단자부는 이너 리드일 수 있다.
다이 본드용 칩(5)을 피착체(6)에 압착하는 온도(이하, 「다이 어태치 온도」라고 한다)는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 90℃ 이상이다. 또한, 다이 어태치 온도는, 바람직하게는 150℃ 이하, 보다 바람직하게는 130℃ 이하이다.
반도체 칩 부착 피착체(2)를 가압 하에서 가열하는 것에 의해 필름상 접착제(111)를 경화시킨다. 이에 의해, 반도체 칩(41)을 피착체(6)에 고착시킨다. 가압 하에서 필름상 접착제(111)를 경화시키는 것에 의해, 필름상 접착제(111)와 피착체(6) 사이에 존재하는 보이드를 소멸시키는 것이 가능하여, 필름상 접착제(111)가 피착체(6)와 접촉하는 면적을 확보할 수 있다.
가압 하에서 가열하는 방법으로서는, 예를 들면, 불활성 가스가 충전된 챔버 내에 배치된 반도체 칩 부착 피착체(2)를 가열하는 방법 등을 들 수 있다. 가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 0.5kg/cm2(4.9×10-2MPa) 이상, 보다 바람직하게는 1kg/cm2(9.8×10-2MPa) 이상, 더 바람직하게는 5kg/cm2(4.9×10-1MPa) 이상이다. 0.5kg/cm2 이상이면, 필름상 접착제(111)와 피착체(6) 사이에 존재하는 보이드를 용이하게 소멸시킬 수 있다. 가압 분위기의 압력은, 바람직하게는 20kg/cm2(1.96MPa) 이하, 보다 바람직하게는 18kg/cm2(1.77MPa) 이하, 더 바람직하게는 15kg/cm2(1.47MPa) 이하이다. 20kg/cm2 이하이면, 과도한 가압에 의한 필름상 접착제(111)의 밀려나옴을 억제할 수 있다.
가열 온도는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상, 더 바람직하게는 150℃ 이상, 특히 바람직하게는 170℃ 이상이다. 80℃ 이상이면, 필름상 접착제(111)를 적당한 경도로 하는 것이 가능하여, 가압 큐어에 의해 보이드를 효과적으로 소실시킬 수 있다. 가열 온도는, 바람직하게는 260℃ 이하, 보다 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다. 260℃ 이하이면, 필름상 접착제(111)의 분해를 방지할 수 있다.
가열 시간은, 바람직하게는 0.1시간 이상, 보다 바람직하게는 0.2시간 이상이다. 가열 시간은, 바람직하게는 24시간 이하, 보다 바람직하게는 3시간 이하, 더 바람직하게는 1시간 이하, 특히 바람직하게는 30분 이하이다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(41)의 전극 패드와 피착체(6)의 단자부를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 행한다. 본딩 와이어(7)의 재료로서는, 구리 등을 들 수 있다.
와이어 본딩 공정은, 본딩 와이어(7)의 일단과 반도체 칩(41)의 전극 패드를 접합하는 스텝, 본딩 와이어(7)의 타단과 피착체(6)의 단자부를 접합하는 스텝 등을 포함한다.
와이어 본딩 공정을 행한 후, 봉지 수지(8)에 의해 반도체 칩(41)을 봉지하는 봉지 공정을 행한다. 본 공정은, 피착체(6)에 탑재된 반도체 칩(41)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위해 행해진다. 본 공정은, 봉지용의 수지를 금형으로 성형하는 것에 의해 행한다. 봉지 수지(8)로서는, 예를 들면 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 봉지 시의 가열 온도는, 바람직하게는 165℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상이며, 가열 온도는, 바람직하게는 185℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다.
필요에 따라, 봉지 후에 추가로 가열을 해도 된다(후경화 공정). 이에 의해, 봉지 공정에서 경화 부족의 봉지 수지(8)를 완전히 경화시킬 수 있다. 가열 온도는 적절히 설정할 수 있다.
이상의 방법에 의해 얻어진 반도체 장치는, 피착체(6), 피착체(6) 상에 배치된 접착층 및 접착층 상에 배치된 반도체 칩(41)을 포함한다. 접착층은, 필름상 접착제(111)가 경화되는 것에 의해 형성된다. 반도체 장치는, 반도체 칩(41)을 덮는 봉지 수지(8)를 추가로 포함한다.
이상과 같이, 반도체 장치의 제조 방법은, 다이싱 다이 본드 필름(1)을 준비하는 공정과, 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71)의 접착 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정과, 접착 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정 후에, 다이 분할을 이루는 것에 의해 다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정과, 다이 본드용 칩(5)을 피착체(6)에 압착하는 공정을 포함한다. 반도체 장치의 제조 방법은, 다이 본드용 칩(5)을 피착체(6)에 압착하는 공정 후에, 본딩 와이어(7)의 일단과 반도체 칩(41)의 전극 패드를 접합하는 스텝, 본딩 와이어(7)의 타단과 피착체(6)의 단자부를 접합하는 스텝을 포함하는 공정을 추가로 포함한다. 반도체 장치의 제조 방법은, 봉지 수지(8)로 반도체 칩(41)을 봉지하는 공정을 추가로 포함한다.
접착 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정은, 커버 필름(13)으로부터 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71)을 박리하는 스텝을 포함한다.
(변형예 1)
점착제층(122)의 접촉부(122A)는 방사선에 의해 경화되는 성질을 갖는다. 점착제층(122)의 주변부(122B)도 방사선에 의해 경화되는 성질을 갖는다. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 다이 본드용 칩(5)을 형성하고, 점착제층(122)에 자외선을 조사하여, 다이 본드용 칩(5)을 픽업한다. 이에 의해, 점착제층(122)의 다이 본드용 칩(5)에 대한 점착력이 저하되므로, 다이 본드용 칩(5)을 용이하게 픽업할 수 있다.
(변형예 2)
점착제층(122)의 접촉부(122A)는 방사선에 의해 경화되어 있다. 점착제층(122)의 주변부(122B)도 방사선에 의해 경화되어 있다.
(변형예 3)
접착 필름(11)은, 제 1 층 및 제 1 층 상에 배치된 제 2 층을 포함하는 복층 형상을 이룬다.
(변형예 4)
도 7에 나타내는 바와 같이, 다이싱 시트(12)에 있어서의 점착면의 전체가 접착 필름(11)과 접한다. 점착제층(122)은, 방사선에 의해 경화되는 성질을 갖는 것이 바람직하다. 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 다이 본드용 칩(5)을 형성하고, 점착제층(122)에 자외선을 조사하여, 다이 본드용 칩(5)을 픽업한다. 이에 의해, 점착제층(122)의 다이 본드용 칩(5)에 대한 점착력이 저하되므로, 다이 본드용 칩(5)을 용이하게 픽업할 수 있다.
(변형예 5)
기재층(121)은 단층 형상을 이룬다.
(변형예 6)
다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정이, 익스팬드에 의해 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71) 상에 배치된 반도체 웨이퍼(4)를 분할하는 단계를 포함한다. 예를 들면, 다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정이, 다이싱 시트 일체형 접착 필름(71) 상에 배치된 반도체 웨이퍼(4)에 레이저광을 조사하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(4)의 내부에 취약층을 형성하는 스텝을 포함한다. 이때, 다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정은, 취약층을 형성하는 스텝 후에 익스팬드를 이루는 스텝을 추가로 포함한다. 익스팬드에 의해 접착 필름(11) 및 반도체 웨이퍼(4)를 동시에 분할한다.
(변형예 7)
도 8에 나타내는 바와 같이, 반도체 장치의 제조 방법은, 접착 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정과, 접착 필름(11)에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하는 공정 후에, 다이 분할을 이루는 것에 의해 다이 본드용 칩(5)을 형성하는 공정과, 다이 본드용 칩(5)을 피착체(61)에 압착하는 공정을 포함한다. 구체적으로는, 다이 본드용 칩(5)을 피착체(61)에 압착하는 공정은, 다이 본드용 칩(5)을 피착체(61)의 반도체 칩(641)에 압착하는 공정이다. 피착체(61)는, 기판(606), 반도체 칩(641) 및 반도체 칩(641)과 기판(606)을 접속하는 본딩 와이어(607)를 포함한다. 보다 구체적으로는, 피착체(61)는, 기판(606), 기판(606) 상에 배치된 접착층(611), 접착층(611) 상에 배치된 반도체 칩(641) 및 반도체 칩(641)과 기판(606)을 접속하는 본딩 와이어(607)를 포함한다. 본딩 와이어(607)는, 필름상 접착제(111)에 메워진 부분을 갖는다.
(변형예 8)
도 9에 나타내는 바와 같이, 다이 본드용 칩(5)을 피착체(61)에 압착하는 공정은, 다이 본드용 칩(5)을 피착체(61)의 기판(606)에 압착하는 공정이다. 본딩 와이어(607)는, 필름상 접착제(111)에 메워진 양단을 포함한다.
(그 외의 변형예)
변형예 1∼변형예 8 등은 임의로 조합할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명에 관해 실시예를 이용하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 초과하지 않는 한, 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[1. 다이싱 시트 일체형 접착 필름의 제작]
다이싱 시트 일체형 접착 필름 A∼E를 제작했다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 다이싱 시트 일체형 접착 필름 A∼E는, 다이싱 시트(9) 및 다이싱 시트(9) 상에 배치된 접착 필름(3)을 갖는다. 다이싱 시트(9)는, 기재(91) 및 기재(91) 상에 배치된 점착제층(92)을 갖는다. 기재(91)는, 제 1 기재(911) 및 제 1 기재(911) 상에 배치된 제 2 기재(912)를 갖는다. 제 2 기재(912)는 제 2 면(912b)을 갖는다. 접착 필름 A는 제 2 주면(3b)을 갖는다.
(1) 접착 필름의 제작
접착 필름을 제작하기 위해서 사용한 성분에 대해 설명한다.
아크릴 수지: 나가세켐텍스사제의 테이산 레진 WS023-EK30(하이드록실기 및 카복시기를 갖는 아크릴산 에스터 공중합체, Mw: 50만, 유리 전이 온도: -10℃)
에폭시 수지 1: 미쓰비시화학사제의 jER1001(고형 에폭시 수지, 에폭시 당량 450g/eq.∼500g/eq.)
에폭시 수지 2: 미쓰비시화학사제의 jER828(액상 에폭시 수지, 에폭시 당량 180g/eq.)
페놀 수지 1: 메이와화성사제의 MEH-7851(페놀 수지, 수산기 당량 201∼220g/eq.)
구상 실리카: 아드머텍스사제의 SO-25R(평균 입경 0.5μm의 구상 실리카)
도전성 고분자: 소켄화학사제의 WED-S
표 1에 기재된 배합비에 따라, 각 성분을 메틸 에틸 케톤에 용해시켜, 고형분 농도 20중량%의 접착제 조성물 용액을 조제했다. 두께 50μm의 세퍼레이터(실리콘 이형 처리한 PET 필름) 상에 접착제 조성물 용액을 도포하고, 130℃의 오븐에서 2분간 건조하여, 두께 20μm의 접착 필름 A∼C를 제작했다.
Figure pat00001
(2) 점착제층의 제작
이어서, 냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산 2-에틸헥실(이하, 「2EHA」라고 한다.) 100부, 아크릴산-2-하이드록시에틸(이하, 「HEA」라고 한다.) 10부, 과산화 벤조일 0.3부 및 톨루엔 80부를 넣고, 질소 기류 중에서 60℃에서 8시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 A를 얻었다. 이 아크릴계 폴리머 A에 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트(이하, 「MOI」라고 한다.) 5부를 가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 50시간, 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 A'를 얻었다.
이어서, 아크릴계 폴리머 A' 100부에 대해서, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「콜로네이트L」, 닛폰폴리우레탄(주)제) 5부, 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어184」, 지바 스페셜티 케미컬즈사제) 5부를 가하여, 점착제 용액을 제작했다. 점착제 용액을, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조하여, 두께 30μm의 점착제층을 형성했다.
(3) 실시예 1에 있어서의 다이싱 시트 일체형 접착 필름 A의 제작
제 1 기재(911)는, 두께 50μm의 폴리프로필렌제의 기재이다. 제 2 기재(912)는, 폴리에틸렌 100중량부에 대해서, 소켄화학사제의 WED-S를 20중량부 함유하는 기재이다. 제 2 기재(912)의 두께는 30μm이다.
점착제층과 제 1 기재(911)를 첩합하고, 23℃에서 72시간 보존했다. 자외선 조사 장치(닛토정기제의 UM-810)를 이용하여, 기재(91) 너머로 「점착제층에 있어서의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 영역」에 500mJ/cm2의 자외선을 조사하는 것에 의해, 다이싱 시트(9)를 형성했다.
핸드 롤러를 이용하여, 접착 필름 A와 다이싱 시트(9)를 첩합하는 것에 의해, 다이싱 시트 일체형 접착 필름 A를 제작했다.
(4) 실시예 2에 있어서의 다이싱 시트 일체형 접착 필름 B의 제작
제 1 기재(911)는, 두께 80μm의 폴리프로필렌제의 기재이다. 제 2 기재(912)는, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체 100중량부에 대해서, T&K TOKA사제의 PA-200(도전성 고분자)을 20중량부 함유하는 기재이다. 제 2 기재(912)의 두께는 10μm이다.
점착제층과 제 1 기재(911)를 첩합하고, 23℃에서 72시간 보존했다. 자외선 조사 장치(닛토정기제의 UM-810)를 이용하여, 기재(91) 너머로 「점착제층에 있어서의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 영역」에 500mJ/cm2의 자외선을 조사하는 것에 의해, 다이싱 시트(9)를 형성했다.
핸드 롤러를 이용하여, 접착 필름 B와 다이싱 시트(9)를 첩합하는 것에 의해, 다이싱 시트 일체형 접착 필름 B를 제작했다.
(5) 실시예 3에 있어서의 다이싱 시트 일체형 접착 필름 C의 제작
제 1 기재(911)는, 두께 50μm의 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체제의 기재이다. 제 2 기재(912)는, 폴리에틸렌 100중량부에 대해서, T&K TOKA사제의 PA-200을 30중량부 함유하는 기재이다. 제 2 기재(912)의 두께는 30μm이다.
점착제층과 제 1 기재(911)를 첩합하고, 23℃에서 72시간 보존했다. 자외선 조사 장치(닛토정기제의 UM-810)를 이용하여, 기재(91) 너머로 「점착제층에 있어서의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 영역」에 500mJ/cm2의 자외선을 조사하는 것에 의해, 다이싱 시트(9)를 형성했다.
핸드 롤러를 이용하여, 접착 필름 A와 다이싱 시트(9)를 첩합하는 것에 의해, 다이싱 시트 일체형 접착 필름 C를 제작했다.
(6) 비교예 1에 있어서의 다이싱 시트 일체형 접착 필름 D의 제작
제 1 기재(911)는, 두께 50μm의 폴리프로필렌제의 기재이다. 제 2 기재(912)는, 두께 30μm의 폴리에틸렌제의 기재이다.
점착제층과 제 1 기재(911)를 첩합하고, 23℃에서 72시간 보존했다. 자외선 조사 장치(닛토정기제의 UM-810)를 이용하여, 기재(91) 너머로 「점착제층에 있어서의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 영역」에 500mJ/cm2의 자외선을 조사하는 것에 의해, 다이싱 시트(9)를 형성했다.
핸드 롤러를 이용하여, 접착 필름 C와 다이싱 시트(9)를 첩합하는 것에 의해, 다이싱 시트 일체형 접착 필름 D를 제작했다.
(7) 비교예 2에 있어서의 다이싱 시트 일체형 접착 필름 E의 제작
제 1 기재(911)는, 폴리에틸렌 100중량부에 대해서, 소켄화학사제의 WED-S를 20중량부 함유하는 기재이다. 제 1 기재(911)의 두께는 50μm이다. 제 2 기재(912)는, 두께 30μm의 폴리프로필렌제의 기재이다.
점착제층과 제 1 기재(911)를 첩합하고, 23℃에서 72시간 보존했다. 자외선 조사 장치(닛토정기제의 UM-810)를 이용하여, 기재(91) 너머로 「점착제층에 있어서의 반도체 웨이퍼가 탑재되는 영역」에 500mJ/cm2의 자외선을 조사하는 것에 의해, 다이싱 시트(9)를 형성했다.
핸드 롤러를 이용하여, 접착 필름 A와 다이싱 시트(9)를 첩합하는 것에 의해, 다이싱 시트 일체형 접착 필름 E를 제작했다.
[2. 평가]
다이싱 시트 일체형 접착 필름 A∼E에 대해, 이하의 평가를 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다.
(1) 제 2 면(912b)의 표면 저항값
아드반테스트사제 하이메그옴미터 TR-8601의 초고저항 측정용 시료 상자 TR-42를 이용했다. 23±2℃, 50±5% 분위기 하에 다이싱 시트 일체형 접착 필름을 2시간 정치한 후, 동일 환경 하에서 제 2 면(912b)에 인가 전압 500V를 가하고, 인가 개시부터 1분 후의 수치를 읽어냈다. 인가 전압을 표면 전류로 나눈 수치로부터, 표면 저항값을 구했다.
(2) 파단 신도
다이싱 시트(9)로부터 초기 길이 120mm, 폭 10mm의 단책상(短冊狀)의 샘플을 잘라내고, 척간 거리 50mm, 인장 속도 300mm/min로 인장 시험을 행하는 것에 의해, 샘플의 신도의 변화량(mm)을 측정했다. 인장 시험기로서 시마즈사제의 오토그래프 AG-IS, 로드 셀로서 시마즈사제의 PFG-50NA를 이용했다.
(3) 커버 필름 박리 시험
커버 필름에 다이싱 시트 일체형 접착 필름을 200매 첩부하여, 롤상으로 감고, 웨이퍼 마운트 장치 MA-3000III(닛토정기제)를 이용하여 웨이퍼 첩합 시험을 행했다. 다이싱 시트 일체형 접착 필름 10매로부터 커버 필름을 박리하여, 다이싱 시트 일체형 접착 필름 10매 모두에 있어서 커버 필름을 박리할 수 있었던 경우를 ○로 판정하고, 1매 이상 박리할 수 없었던 경우를 ×로 판정했다.
(4) 다이싱 후의 비산 상황
다이싱 시트 일체형 접착 필름에 12인치, 500μm 두께의 미러 웨이퍼를 웨이퍼 마운트 장치(MA-3000III, 닛토정기제)로 60℃, 10mm/sec의 속도로 첩합했다. 그 후, 다이싱 장치(DFD6361, 디스코제)에 의해 10mm×10mm의 칩 사이즈로 다이싱을 행했다(싱글 컷, 블레이드 높이 90μm, 속도 50mm/sec). 칩 상에 도전성 성분이 부착되어 있는지 여부를 SEM으로 분석했다. 도전성 성분이 칩 상에 부착되어 있지 않았던 경우를 ○로 판정하고, 도전성 성분이 칩 상에 부착되어 있었던 경우를 ×로 판정했다.
(5) 제 2 주면(3b)의 표면 저항값
아드반테스트사제 하이메그옴미터 TR-8601의 초고저항 측정용 시료 상자 TR-42를 이용했다. 23±2℃, 50±5% 분위기 하에 다이싱 시트 일체형 접착 필름을 2시간 정치한 후, 동일 환경 하에서 제 2 주면(3b)에 인가 전압 500V를 가하고, 인가 개시부터 1분 후의 수치를 읽어냈다. 인가 전압을 표면 전류로 나눈 수치로부터, 표면 저항값을 구했다.
(6) 택 강도
직경 5.0mm의 프로브를, 25℃, 가압 조건 100gf, 가압 시간 1초로 접착 필름에 내리누르고, 테스트 스피드 120mm/min으로 프로브가 접착 필름으로부터 떨어질 때의 하중을 측정했다.
Figure pat00002
1: 다이싱 다이 본드 필름
11: 접착 필름
11a: 제 1 주면
11b: 제 2 주면
12: 다이싱 시트
13: 커버 필름
71: 다이싱 시트 일체형 접착 필름
121: 기재층
121a: 제 1 면
121b: 제 2 면
1211: 제 1 기재층
1212: 제 2 기재층
122: 점착제층
122A: 접촉부
122B: 주변부
4: 반도체 웨이퍼
5: 다이 본드용 칩
41: 반도체 칩
111: 필름상 접착제
6: 피착체
7: 본딩 와이어
8: 봉지 수지
61: 피착체
606: 기판
607: 본딩 와이어
611: 접착층
641: 반도체 칩

Claims (10)

  1. 롤상을 이루는 다이싱 다이 본드 필름으로서,
    커버 필름과,
    상기 커버 필름 상에 배치된 다이싱 시트 일체형 접착 필름을 포함하고,
    상기 다이싱 시트 일체형 접착 필름은,
    제 1 면 및 상기 제 1 면에 대향한 제 2 면으로 양면이 정의되는 기재층 및 상기 제 1 면과 접한 점착제층을 포함하는 다이싱 시트, 및
    상기 점착제층과 접한 제 1 주면 및 상기 제 1 주면에 대향한 제 2 주면으로 양면이 정의되는 접착 필름을 포함하며,
    상기 제 2 면의 표면 저항값이 1.0×1011Ω/sq. 이하, 상기 제 2 주면의 표면 저항값이 1.0×1012Ω/sq. 이상인 다이싱 다이 본드 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재층은, 상기 제 1 면을 갖는 제 1 기재층 및 상기 제 2 면을 갖는 제 2 기재층을 포함하고,
    상기 제 2 기재층은 도전성 성분을 포함하는 다이싱 다이 본드 필름.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 기재층의 두께가 1μm∼30μm인 다이싱 다이 본드 필름.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 도전성 성분이 유기계 도전성 성분인 다이싱 다이 본드 필름.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 기재층이, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌 아세트산 바이닐 공중합체로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 수지를 추가로 포함하는 다이싱 다이 본드 필름.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이싱 시트의 파단 신도가 500% 이상인 다이싱 다이 본드 필름.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 접착 필름이, 에폭시 수지 또는 페놀 수지와, 아크릴 수지를 포함하고,
    상기 접착 필름에 있어서의 25℃의 택 강도가 0.2N 이상 3.0N 이하인 다이싱 다이 본드 필름.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 커버 필름이 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름이며,
    상기 커버 필름의 두께가 20μm∼75μm인 다이싱 다이 본드 필름.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 다이 본드 필름을 준비하는 공정과,
    상기 다이싱 시트 일체형 접착 필름의 상기 접착 필름에 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정과,
    상기 접착 필름에 상기 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정 후에, 다이 분할을 이루는 것에 의해 반도체 칩 및 상기 반도체 칩 상에 배치된 필름상 접착제를 포함하는 다이 본드용 칩을 형성하는 공정과,
    상기 다이 본드용 칩을 피착체에 압착하는 공정을 포함하고,
    상기 접착 필름에 상기 반도체 웨이퍼를 압착하는 공정은, 상기 커버 필름으로부터 상기 다이싱 시트 일체형 접착 필름을 박리하는 스텝을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 기재된 제조 방법에 의해 얻어진 반도체 장치.
KR1020160064655A 2015-05-27 2016-05-26 다이싱 다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 KR102467131B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-107262 2015-05-27
JP2015107262A JP6549902B2 (ja) 2015-05-27 2015-05-27 ダイシングダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160140456A true KR20160140456A (ko) 2016-12-07
KR102467131B1 KR102467131B1 (ko) 2022-11-14

Family

ID=57453526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160064655A KR102467131B1 (ko) 2015-05-27 2016-05-26 다이싱 다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6549902B2 (ko)
KR (1) KR102467131B1 (ko)
CN (1) CN106189897A (ko)
TW (1) TWI715586B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019117428A1 (ko) * 2017-12-14 2019-06-20 주식회사 엘지화학 다이싱 다이 본딩 필름
US11404301B2 (en) 2017-12-14 2022-08-02 Lg Chem, Ltd. Dicing die-bonding film

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6298226B1 (ja) * 2017-03-30 2018-03-20 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート
KR102445532B1 (ko) * 2017-03-30 2022-09-20 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성용 복합 시트
CN110128958A (zh) * 2018-02-09 2019-08-16 日东电工株式会社 切割带
JP7141924B2 (ja) * 2018-02-09 2022-09-26 日東電工株式会社 ダイシングテープ
WO2022137551A1 (ja) * 2020-12-25 2022-06-30 昭和電工マテリアルズ株式会社 フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
CN114701228A (zh) * 2022-04-12 2022-07-05 芊惠半导体科技(苏州)有限公司 一种滤光片及晶圆划裂片用环保型基材及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011017006A (ja) * 2010-08-18 2011-01-27 Hitachi Chem Co Ltd 接着シートの製造方法
JP2011060848A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP2014099620A (ja) * 2013-12-11 2014-05-29 Nitto Denko Corp ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置
JP2014135468A (ja) * 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型接着シート、及び、ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法
JP2015005636A (ja) 2013-06-21 2015-01-08 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンディングフィルム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4529357B2 (ja) * 2003-02-26 2010-08-25 日立化成工業株式会社 接着シート、ならびにこれを用いた半導体装置およびその製造方法
JP2010123763A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体ウエハ加工用粘着フィルム
JP5437111B2 (ja) * 2010-03-01 2014-03-12 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置
JP5590136B2 (ja) * 2010-10-15 2014-09-17 日立化成株式会社 ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法
KR102108102B1 (ko) * 2012-12-10 2020-05-11 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
TWI615453B (zh) * 2012-12-10 2018-02-21 Nitto Denko Corp 切晶帶一體型接著片材、使用切晶帶一體型接著片材之半導體裝置之製造方法、及半導體裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011060848A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP2011017006A (ja) * 2010-08-18 2011-01-27 Hitachi Chem Co Ltd 接着シートの製造方法
JP2014135468A (ja) * 2012-12-10 2014-07-24 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型接着シート、及び、ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法
JP2015005636A (ja) 2013-06-21 2015-01-08 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンディングフィルム
JP2014099620A (ja) * 2013-12-11 2014-05-29 Nitto Denko Corp ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019117428A1 (ko) * 2017-12-14 2019-06-20 주식회사 엘지화학 다이싱 다이 본딩 필름
US11404301B2 (en) 2017-12-14 2022-08-02 Lg Chem, Ltd. Dicing die-bonding film

Also Published As

Publication number Publication date
TW201701346A (zh) 2017-01-01
KR102467131B1 (ko) 2022-11-14
CN106189897A (zh) 2016-12-07
JP2016225342A (ja) 2016-12-28
TWI715586B (zh) 2021-01-11
JP6549902B2 (ja) 2019-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102321864B1 (ko) 도전성 필름형 접착제, 필름형 접착제 부착 다이싱 테이프 및 반도체 장치의 제조 방법
KR102467131B1 (ko) 다이싱 다이 본드 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
KR102062409B1 (ko) 필름형 접착제, 필름형 접착제를 지닌 다이싱 테이프, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
KR101420993B1 (ko) 다이싱·다이본드 필름
KR101420902B1 (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름
KR101417205B1 (ko) 다이싱ㆍ다이 본드 필름
WO2015105028A1 (ja) フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP6603479B2 (ja) 接着フィルム、ダイシングテープ一体型接着フィルム、複層フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置
WO2013011850A1 (ja) 電子部品の製造方法および該製造方法に用いる粘着シート
JP6289104B2 (ja) フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
KR102326099B1 (ko) 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20160137401A (ko) 접착 시트, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 필름, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
CN105623580B (zh) 粘接片、带有切割片的粘接片及半导体装置的制造方法
KR20170035842A (ko) 시트상 수지 조성물, 이면 연삭용 테이프 일체형 시트상 수지 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2015104988A1 (ja) 導電性フィルム状接着剤及びフィルム状接着剤付きダイシングテープ
JP2017092365A (ja) ダイシングテープ一体型接着シート、及び、半導体装置の製造方法
JP6259665B2 (ja) フィルム状接着剤、及びフィルム状接着剤付きダイシングテープ
JP2015129225A (ja) フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
KR20160106553A (ko) 도전성 필름형 접착제, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
JP2017098316A (ja) ダイシングテープ一体型接着シート
JP2015130418A (ja) 導電性フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant