KR102326099B1 - 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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사다히토 미스미
슈헤이 무라타
유이치로 시시도
유타 기무라
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 저온 상태로 수송하는 경우에, 균열이나 결손이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 또한 다이싱 시트와 다이 본드 필름이 박리되는 것을 억제할 수 있는 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 제공하는 것.
[해결 수단] 다이싱 시트 상에 다이 본드 필름이 형성된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름으로서, 다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 20 ㎫ 이상 500 ㎫ 이하인 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름.

Description

다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법{DIE-BONDING FILM WITH DICING SHEET, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 다이싱 시트 상에 다이 본드 필름이 형성된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름이 사용되는 경우가 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조).
다이 본드 필름은, 고온·고습의 환경하에 놓이거나, 하중이 가해진 상태에서 장기간 보존되면 경화되는 경우가 있다. 그리고, 이것에 기인해, 유동성의 저하나 반도체 웨이퍼에 대한 유지력의 저하, 다이싱 후의 박리성의 저하를 초래한다. 이 때문에, 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름은 -30 ∼ -10 ℃ 의 냉동, 또는 -5 ∼ 10 ℃ 의 냉장 상태로 보존하면서 수송되는 경우가 많고, 이로써 필름 특성의 장기간 보존을 가능하게 하고 있다.
일본 공개특허공보 평05-179211호
그러나, 저온 상태로 수송하는 경우, 다이 본드 필름에 균열이나 결손이 발생한다는 문제가 있다. 또, 다이싱 시트와 다이 본드 필름이 박리된다는 문제가 있다.
본 발명은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이고, 그 목적은 저온 상태로 수송하는 경우에 균열이나 결손이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 또한 다이싱 시트와 다이 본드 필름이 박리되는 것을 억제할 수 있는 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 제공하는 것에 있다. 또, 당해 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 이용하여 제조된 반도체 장치를 제공하는 것에 있다. 또, 당해 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 상기 문제점을 해결하기 위하여 예의 검토했다. 그 결과, 하기 구성의 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 채용함으로써, 저온 상태로 수송하는 경우에 다이 본드 필름에 균열이나 결손이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 또한 다이싱 시트와 다이 본드 필름이 박리되는 것을 억제하는 것이 가능해지는 것을 찾아내, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명에 관련된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름은, 다이싱 시트 상에 다이 본드 필름이 형성된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름으로서,
상기 다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 20 ㎫ 이상 500 ㎫ 이하인 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의하면, 다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 500 ㎫ 이하이기 때문에, 저온 상태에 있어서 어느 정도의 유연성을 갖는다. 따라서, 저온 상태로 수송하는 경우에, 다이 본드 필름에 균열이나 결손이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또, 다이 본드 필름이, 저온 상태에 있어서 어느 정도의 유연성을 갖기 때문에 다이싱 시트와의 밀착성이 향상된다. 그 결과, 저온 수송시 등에 있어서, 다이싱 시트와 다이 본드 필름이 박리되는 것을 억제할 수 있게 된다.
또, 다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 20 ㎫ 이상이기 때문에, 필름으로서의 형상을 유지할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 다이싱 시트의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 10 ㎫ 이상 500 ㎫ 이하인 것이 바람직하다.
상기 다이싱 시트의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 500 ㎫ 이하이면, 저온 상태에 있어서 어느 정도의 유연성을 갖는다. 따라서, 저온 상태로 수송하는 경우에, 다이싱 시트에 균열이나 결손이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또, 다이싱 시트가, 저온 상태에 있어서 어느 정도의 유연성을 갖기 때문에 다이 본드 필름과의 밀착성이 향상된다. 그 결과, 저온 상태에 있어서, 다이싱 시트와 다이 본드 필름이 박리되는 것을 보다 억제할 수 있게 된다.
또, 다이싱 시트의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 10 ㎫ 이상이기 때문에, 필름으로서의 형상을 유지할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 측정 온도 0 ℃, 인장 속도 300 ㎜/분, T 형 박리 시험의 조건하에 있어서의, 상기 다이싱 시트로부터 상기 다이 본드 필름을 박리할 때의 박리력이 0.01 N/20 ㎜ 이상 2 N/20 ㎜ 이하인 것이 바람직하다.
측정 온도 0 ℃, 인장 속도 300 ㎜/분, T 형 박리 시험의 조건하에 있어서의, 상기 다이싱 시트로부터 상기 다이 본드 필름을 박리할 때의 박리력이 0.01 N/20 ㎜ 이상이면, 저온 상태로 수송하는 경우에 다이싱 시트와 다이 본드 필름이 박리되는 것을 보다 억제할 수 있게 된다. 또, 상기 박리력이 2 N/20 ㎜ 이하이면, 픽업시에 바람직하게 박리시킬 수 있다.
상기 구성에 있어서, 측정 온도 0 ℃, 인장 속도 300 ㎜/분, T 형 박리 시험의 조건하에 있어서의, 상기 다이싱 시트로부터 상기 다이 본드 필름을 박리할 때의 박리력의, 0 ℃ 에서 72 시간 방치 전후에 있어서의 변화율이 -75 ％ ∼ 75 ％ 의 범위인 것이 바람직하다.
상기 변화율이 -75 ％ ∼ 75 ％ 의 범위이면, 0 ℃ 에서 보존했을 때에 필름 특성의 변화가 적다고 할 수 있다. 따라서, 장기간의 보존이 가능해진다.
또한, 상기 변화율은 하기 식에 의해 얻어진다.
[(방치 후의 박리력) - (방치 전의 박리력)]/(방치 전의 박리력) × 100 (％)
상기 구성에 있어서, 상기 다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 인장 파단 신도가 10 ％ 이상 500 ％ 이하인 것이 바람직하다.
상기 다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 인장 파단 신도가 10 ％ 이상이면, 저온 수송 중에 보다 파단되기 어렵게 할 수 있다. 또, 상기 다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 인장 파단 신도가 500 ％ 이하이면, 다이 본드 필름과 다이싱 시트의 박리를 방지할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 다이 본드 필름은, 유기 수지 성분 전체에 대해 아크릴계 공중합체를 85 중량％ 이상 함유하는 것이 바람직하다.
상기 다이 본드 필름이, 유기 수지 성분 전체에 대해 아크릴계 공중합체를 85 중량％ 이상 함유하면, 저온 상태로 수송하는 경우에 균열이나 결손이 발생하는 것을 보다 억제할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 다이 본드 필름은 부틸아크릴레이트, 및 아크릴로니트릴을 포함하는 모노머 원료를 중합하여 얻어지고, 또한 관능기로서 에폭시기, 또는 카르복실기를 갖는 아크릴계 공중합체를 함유하는 것이 바람직하다.
관능기로서 에폭시기, 또는 카르복실기를 갖는 아크릴계 공중합체를 함유하면, 가교 형성 공정에 있어서의 가열에 의해 상기 관능기에 의해 가교를 형성할 수 있다. 또, 상기 아크릴계 공중합체가, 아크릴로니트릴을 포함하는 모노머 원료를 중합하여 얻어진 것이면, 가교 형성 공정에서의 응집력을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 가교 형성 공정 후의 접착력을 향상시킬 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 다이 본드 필름은 연화점이 0 ℃ 이하인 열가교제를 포함하는 것이 바람직하다.
연화점이 0 ℃ 이하인 열가교제를 포함하면 저온 상태에 있어서도 고정 성분의 함유량이 억제되기 때문에, 저온 상태로 수송하는 경우에 충격 등에 의해 균열이 생기기 어려운 다이 본드 필름으로 할 수 있다.
또, 본 발명에 관련된 반도체 장치는, 상기에 기재된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 이용하여 제조된 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 관련된 반도체 장치의 제조 방법은,
상기에 기재된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 준비하는 공정과,
상기 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름의 다이 본드 필름과, 반도체 웨이퍼의 이면을 첩합 (貼合) 하는 첩합 공정과,
상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이 본드 필름과 함께 다이싱해, 칩상 (狀) 의 반도체 칩을 형성하는 다이싱 공정과,
상기 반도체 칩을, 상기 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름으로부터 상기 다이 본드 필름과 함께 픽업하는 픽업 공정과,
상기 다이 본드 필름을 개재하여, 상기 반도체 칩을 피착체 상에 다이 본드하는 다이 본드 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 의하면, 상기 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 이용하고 있기 때문에, 다이 본드 필름이나 다이싱 시트에 균열이나 결손이 발생하는 것이 억제되어 있다. 또, 저온 수송시 등에 있어서, 다이싱 시트와 다이 본드 필름이 박리되는 것이 억제되어 있다. 그 결과, 당해 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 이용하여 제조된 반도체 장치는 수율이 향상된다.
도 1 은 본 발명의 일실시형태에 관련된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 나타내는 단면 모식도이다.
도 2 는 본 실시형태에 관련된 반도체 장치의 일제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
(다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름)
본 발명의 일실시형태에 관련된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름에 대해, 이하에 설명한다. 도 1 은, 본 발명의 일실시형태에 관련된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 나타내는 단면 모식도이다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 은, 다이싱 시트 (11) 상에 다이 본드 필름 (16) 이 적층된 구성을 갖는다. 다이싱 시트 (11) 는 기재 (基材; 12) 상에 점착제층 (14) 을 적층해 구성되어 있고, 다이 본드 필름 (16) 은 점착제층 (14) 상에 형성되어 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 다이싱 시트 (11) 에는 다이 본드 필름 (16) 으로 덮여있지 않은 부분 (14b) 이 존재하는 경우에 대해 설명하지만, 본 발명에 관련된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름은 이 예에 한정되지 않고, 다이싱 시트 전체를 덮도록 다이 본드 필름이 다이싱 시트에 적층되어 있어도 된다.
다이 본드 필름 (16) 의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률은 20 ㎫ 이상 500 ㎫ 이하이고, 18 ㎫ 이상 400 ㎫ 이하가 바람직하며, 15 ㎫ 이상 300 ㎫ 이하가 보다 바람직하다. 다이 본드 필름 (16) 의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 500 ㎫ 이하이기 때문에, 저온 상태에 있어서 어느 정도의 유연성을 갖는다. 따라서, 저온 상태로 수송하는 경우에 다이 본드 필름 (16) 에 균열이나 결손이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또, 다이 본드 필름 (16) 이 저온 상태에 있어서 어느 정도의 유연성을 갖기 때문에 다이싱 시트 (11) 와의 밀착성이 향상된다. 그 결과, 저온 수송시 등에 있어서, 다이싱 시트 (11) 와 다이 본드 필름 (16) 이 박리되는 것을 억제할 수 있게 된다.
또, 다이 본드 필름 (16) 의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 20 ㎫ 이상이기 때문에, 필름으로서의 형상을 유지할 수 있다.
또한, 다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률은, 실시예에 기재된 방법에 의한다.
상기 손실 탄성률은, 다이 본드 필름 (16) 을 구성하는 재료에 의해 컨트롤할 수 있다. 예를 들어, 다이 본드 필름 (16) 을 구성하는 열가소성 수지의 종류나 함유량, 필러의 평균 입경이나 함유량을 적절히 선택함으로써 컨트롤할 수 있다.
다이 본드 필름 (16) 은, 0 ℃ 에서의 인장 파단 신도가 10 ％ 이상 500 ％ 이하인 것이 바람직하고, 12 ％ 이상 400 ％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 15 ％ 이상 300 ％ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 다이 본드 필름 (16) 의 0 ℃ 에서의 인장 파단 신도가 10 ％ 이상이면, 저온 수송 중에 보다 파단되기 어렵게 할 수 있다. 또, 다이 본드 필름 (16) 의 0 ℃ 에서의 인장 파단 신도가 500 ％ 이하이면, 다이 본드 필름과 다이싱 시트의 박리를 방지할 수 있다.
상기 인장 파단 신도는, 다이 본드 필름 (16) 을 구성하는 재료에 의해 컨트롤할 수 있다. 예를 들어, 다이 본드 필름 (16) 을 구성하는 열가소성 수지의 종류나 함유량, 필러의 평균 입경이나 함유량을 적절히 선택함으로써 컨트롤할 수 있다.
다이 본드 필름 (16) 을 구성하는 재료로는, 열가소성 수지를 들 수 있다.
상기 열가소성 수지로는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET 나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로, 또는 2 종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으며, 반도체 칩의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.
상기 아크릴 수지로는 특별히 한정되는 것은 아니고, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 ∼ 18 의 직사슬 혹은 분기의 알킬기를 갖는 아크릴산의 에스테르 또는 메타크릴산의 에스테르 (알킬아크릴레이트, 또는 알킬메타크릴레이트) 의 1 종 또는 2 종 이상을 성분으로 하는 중합체 (아크릴계 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
또, 상기 중합체를 형성하는 다른 모노머로는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 혹은 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 모노머, 무수 말레산 혹은 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 모노머, (메트)아크릴산2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산4-하이드록시부틸, (메트)아크릴산6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산10-하이드록시데실, (메트)아크릴산12-하이드록시라우릴 혹은 (4-하이드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 하이드록실기 함유 모노머, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 혹은 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 모노머, 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머, 아크릴로니트릴을 들 수 있다.
그 중에서도, 다이 본드 필름 (16) 은 부틸아크릴레이트, 및 아크릴로니트릴을 포함하는 모노머 원료를 중합하여 얻어지고, 또한 관능기로서 에폭시기, 또는 카르복실기를 갖는 아크릴계 공중합체를 함유하는 것이 바람직하다. 관능기로서 에폭시기, 또는 카르복실기를 갖는 아크릴계 공중합체를 함유하면, 가교 형성 공정에 있어서의 가열에 의해 상기 관능기에 의해 가교를 형성할 수 있다. 또, 상기 아크릴계 공중합체가 아크릴로니트릴을 포함하는 모노머 원료를 중합하여 얻어진 것이면, 가교 형성 공정에서의 응집력을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 가교 형성 공정 후의 접착력을 향상시킬 수 있다.
상기 열가소성 수지의 배합 비율로는 특별히 한정되지 않지만, 유연성 부여의 관점에서 다이 본드 필름 (16) 전체에 대해 35 중량％ 이상인 것이 바람직하고, 40 중량％ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또, 내열성의 관점에서 다이 본드 필름 (16) 전체에 대해 100 중량％ 이하인 것이 바람직하고, 98 중량％ 이하인 것이 보다 바람직하다.
그 중에서도, 다이 본드 필름 (16) 은, 유기 수지 성분 전체에 대해 아크릴계 공중합체를 85 중량％ 이상 함유하는 것이 바람직하고, 88 중량％ 이상 함유하는 것이 보다 바람직하며, 90 중량％ 이상 함유하는 것이 더욱 바람직하다. 다이 본드 필름 (16) 이 유기 수지 성분 전체에 대해 아크릴계 공중합체를 85 중량％ 이상 함유하면, 저온 상태로 수송하는 경우에 균열이나 결손이 발생하는 것을 보다 억제할 수 있다.
또, 다이 본드 필름 (16) 은, 연화점이 0 ℃ 이하인 열가교제를 포함하는 것이 바람직하다. 연화점이 0 ℃ 이하인 열가교제를 포함하면, 저온 상태에 있어서도 고정 성분의 함유량이 억제되기 때문에, 저온 상태로 수송하는 경우에 충격 등에 의해 균열이 생기기 어려운 다이 본드 필름으로 할 수 있다. 또, 연화점이 0 ℃ 이하인 열가교제를 포함하면, 가열에 의해 열가소성 수지가 갖는 관능기와 가교 구조를 형성할 수 있다. 본 명세서에 있어서 열가교제란, 열가소성 수지가 갖는 관능기와 가교 구조를 형성시키는 것을 말한다.
또한, 본 명세서에 있어서, 연화점은 JIS K 5902 및 JIS K 2207 에 규정하는 연화점 시험 방법 (환구법) 에 기초하여 측정된 값으로서 정의된다. 구체적으로는, 시료를 가능한 한 저온에서 신속하게 융해하고, 이것을 평평한 금속판 상에 둔 고리 안에, 기포가 생기지 않도록 주의해 채운다. 식은 후, 조금 가열한 소도로 고리의 상단을 포함하는 평면으로부터 부풀어오른 부분을 잘라낸다. 다음으로, 직경 85 ㎜ 이상, 높이 127 ㎜ 이상의 유리 용기 (가열욕) 안에 지지기 (支持器) (고리대) 를 넣고, 글리세린을 깊이 90 ㎜ 이상이 될 때까지 붓는다. 다음으로, 강구 (직경 9.5 ㎜, 중량 3.5 g) 와, 시료를 채운 고리를 서로 접촉하지 않게 하여 글리세린 안에 담그고, 글리세린의 온도를 20 ℃ ± 5 ℃ 로 15 분간 유지한다. 다음으로, 고리 중의 시료 표면의 중앙에 강구를 얹고, 이것을 지지기 상의 정위치 (定位置) 에 둔다. 다음으로, 고리의 상단으로부터 글리세린면까지의 거리를 50 ㎜ 로 유지하고, 온도계를 놓고, 온도계의 수은구의 중심 위치를 고리의 중심과 동일한 높이로 하고, 용기를 가열한다. 가열에 사용하는 분젠 버너의 불꽃은 용기 바닥의 중심과 가장자리의 중간에 해당하도록 해, 가열을 균등하게 한다. 또한, 가열이 시작되고 나서 40 ℃ 에 도달한 후의 욕온이 상승하는 비율은, 매분 5.0 ± 0.5 ℃ 이어야만 한다. 시료가 차츰 연화되어 고리로부터 흘러내려, 마침내 바닥판에 접촉했을 때의 온도를 판독하고, 이것을 연화점으로 한다. 연화점의 측정은 동시에 2 개 이상 실시하고, 그 평균치를 채용한다.
연화점이 23 ℃ 이하인 열가교제의 구체예로는, 연화점이 23 ℃ 이하인 에폭시 수지나, 연화점이 23 ℃ 이하인 페놀 수지를 들 수 있다. 단, 복수종의 열가교제를 첨가하는 경우, 열가교제가 열가소성 수지가 갖는 관능기와 바람직하게 가교 구조를 형성하도록 선택하는 것이 바람직하고, 열가교제끼리가 반응하지 않게 선택하는 것이 바람직하다.
상기 열가교제의 함유량은, 유기 수지 성분 전체에 대해 0.5 ∼ 35 중량％ 인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 20 중량％ 인 것이 보다 바람직하며, 0.5 ∼ 15 중량％ 인 것이 더욱 바람직하다. 상기 열가교제의 함유량이, 유기 수지 성분에 대해 0.5 중량％ 이상이면 열가소성 수지가 갖는 관능기와 바람직하게 가교 구조를 형성시킬 수 있다. 한편, 35 중량％ 이하이면, 몰드시에 그 열과 압력에 의해, 피착체와 다이 본드 필름의 간극을 메울 수 있다.
상기 에폭시 수지는 연화점이 0 ℃ 이하이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 비스페놀 A 형, 비스페놀 F 형, 비스페놀 S 형, 브롬화비스페놀 A 형, 수소 첨가 비스페놀 A 형, 비스페놀 AF 형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스하이드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2 관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 혹은 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2 종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
상기 페놀 수지는 연화점이 0 ℃ 이하이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2 종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
또, 다이 본드 필름 (16) 에는, 그 용도에 따라 필러를 적절히 배합할 수 있다. 상기 필러의 배합은, 도전성 부여, 열전도성 향상, 탄성률 조절 등을 가능하게 한다. 상기 필러로는 무기 필러, 및 유기 필러를 들 수 있지만, 취급성 향상, 열전도성 향상, 용융 점도 조정, 틱소트로픽성 부여 등의 특성의 관점에서 무기 필러가 바람직하다. 상기 무기 필러로는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2 종 이상을 병용해 사용할 수 있다. 열전도성 향상의 관점에서는, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카가 바람직하다. 또, 상기 각 특성의 밸런스가 양호하다는 관점에서는, 결정질 실리카, 또는 비정질 실리카가 바람직하다. 또, 도전성 부여, 열전도성 향상 등의 목적에서 무기 필러로서 도전성 물질 (도전 필러) 을 사용하는 것으로 해도 된다. 도전 필러로는, 은, 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 도전성 합금 등을 구상, 침상, 플레이크상으로 한 금속분, 알루미나 등의 금속 산화물, 아모르퍼스 카본 블랙, 그라파이트 등을 들 수 있다.
상기 필러의 평균 입경은 0.001 ∼ 1 ㎛ 인 것이 바람직하고, 0.01 ∼ 0.6 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다. 상기 필러의 평균 입경을 0.001 ㎛ 이상으로 함으로써, 다이 본드 필름의 고점도화를 방지할 수 있다. 또, 1 ㎛ 이하로 함으로써, 다이 본드 필름으로부터 필러가 튀어나오는 것을 억제할 수 있어, 피착체에 대한 데미지를 억제할 수 있다. 또한, 필러의 평균 입경은, 예를 들어 광도식 입도 분포계 (HORIBA 제조, 장치명 ; LA-910) 에 의해 구한 값이다.
상기 필러의 첨가량으로는, 다이 본드 필름 (16) 전체에 대해 0 ∼ 60 중량％ 가 바람직하고, 0 ∼ 50 중량％ 가 보다 바람직하다.
또한, 다이 본드 필름 (16) 에는, 상기 필러 이외에 필요에 따라 다른 첨가제를 적절히 배합할 수 있다. 다른 첨가제로는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다. 상기 난연제로는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2 종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제로는, 예를 들어 β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 또는 2 종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로는, 예를 들어 하이드로탈사이트류, 수산화비스무트 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2 종 이상을 병용해 사용할 수 있다.
다이 본드 필름 (16) 의 두께 (적층체의 경우에는 총 두께) 는 특별히 한정되지 않지만, 3 ∼ 200 ㎛ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5 ∼ 100 ㎛, 더욱 바람직하게는 5 ∼ 30 ㎛ 이다.
다이싱 시트 (11) 는, 상기 서술한 바와 같이 기재 (12) 상에 점착제층 (14) 이 적층된 구성을 갖고 있다.
다이싱 시트 (11) 의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률은, 10 ㎫ 이상 500 ㎫ 이하인 것이 바람직하고, 8 ㎫ 이상 400 ㎫ 이하가 보다 바람직하며, 5 ㎫ 이상 300 ㎫ 이하가 더욱 바람직하다. 다이싱 시트 (11) 의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 500 ㎫ 이하이면, 저온 상태에 있어서 어느 정도의 유연성을 갖는다. 따라서, 저온 상태로 수송하는 경우에, 다이싱 시트 (11) 에 균열이나 결손이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또, 다이싱 시트 (11) 가, 저온 상태에 있어서 어느 정도의 유연성을 갖기 때문에 다이 본드 필름 (16) 과의 밀착성이 향상된다. 그 결과, 저온 상태에 있어서, 다이싱 시트 (11) 와 다이 본드 필름 (16) 이 박리되는 것을 보다 억제할 수 있게 된다.
또, 다이싱 시트 (11) 의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 10 ㎫ 이상이기 때문에, 필름으로서의 형상을 유지할 수 있다.
또한, 다이싱 시트의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률은, 실시예에 기재된 방법에 의한다.
상기 손실 탄성률은, 다이싱 시트 (11) 를 구성하는 재료에 의해 컨트롤할 수 있다. 예를 들어, 다이싱 시트 (11) 를 구성하는 열가소성 수지의 종류나 함유량에 의해 컨트롤할 수 있다.
기재 (12) 는, 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 의 강도 모체가 되는 것이다. 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직사슬형 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 (랜덤, 교호) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술파이드, 아라미드 (종이), 유리, 유리 클로스, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 (silicone) 수지, 금속 (박) 등을 들 수 있다. 기재 (12) 는, 후술하는 점착제층 (14) 이 방사선 경화형 점착제로 형성되어 있는 경우, 당해 방사선을 투과시키는 재료로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
기재 (12) 의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 노출, 화염 노출, 고압 전격 노출, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제 (예를 들어, 후술하는 점착 물질) 에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다. 기재 (12) 는, 동종 또는 이종 (異種) 의 것을 적절히 선택해 사용할 수 있고, 필요에 따라 몇 종의 재료를 블렌드한 것을 사용할 수 있다.
기재 (12) 의 두께는 특별히 제한되지 않고 적절히 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 ∼ 200 ㎛ 정도이다.
점착제층 (14) 의 형성에 사용하는 점착제로는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제를 사용할 수 있다. 상기 감압성 점착제로는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 꺼리는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머로는, 예를 들어 (메트)아크릴산알킬에스테르 (예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 ∼ 30, 특히 탄소수 4 ∼ 18 의 직사슬형 또는 분기사슬형의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산시클로알킬에스테르 (예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등) 의 1 종 또는 2 종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르란 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하고, 본 발명의 (메트) 란 모두 동일한 의미이다.
상기 아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 모노머 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머 ; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머 ; (메트)아크릴산2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산4-하이드록시부틸, (메트)아크릴산6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산10-하이드록시데실, (메트)아크릴산12-하이드록시라우릴, (4-하이드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머 ; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머 ; 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머 ; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은 1 종 또는 2 종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은 전체 모노머 성분의 40 중량％ 이하가 바람직하다.
또한, 상기 아크릴계 폴리머는, 가교시키기 위해, 다관능성 모노머 등도 필요에 따라 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이와 같은 다관능성 모노머로서, 예를 들어 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 모노머도 1 종 또는 2 종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서 전체 모노머 성분의 30 중량％ 이하가 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머는, 단일 모노머 또는 2 종 이상의 모노머 혼합물을 중합에 부여함으로써 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어떤 방식으로 실시할 수도 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계 폴리머의 수평균 분자량은 바람직하게는 10 만 이상, 더욱 바람직하게는 20 만 ∼ 300 만 정도이고, 특히 바람직하게는 30 만 ∼ 100 만 정도이다.
또, 상기 점착제에는, 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머 등의 수평균 분자량을 높이기 위해, 외부 가교제를 적절히 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 이른바 가교제를 첨가해 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 따라, 나아가서는 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100 중량부에 대해 5 중량부 정도 이하, 나아가서는 0.1 ∼ 5 중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는 필요에 따라 상기 성분 외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.
점착제층 (14) 은, 방사선 경화형 점착제에 의해 형성해도 된다. 방사선 경화형 점착제는, 자외선 등의 방사선 조사에 의해 가교도를 증대시켜 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다.
예를 들어, 도 1 에 나타내는 다이 본드 필름 (16) 의 웨이퍼 첩부 (貼付) 부분 (16a) 에 맞춰 방사선 경화형의 점착제층 (14) 을 경화시킴으로써, 점착력이 현저하게 저하된 상기 부분 (14a) 을 용이하게 형성할 수 있다. 경화되어, 점착력이 저하된 상기 부분 (14a) 에 다이 본드 필름 (16) 이 첩부되기 때문에, 점착제층 (14) 의 상기 부분 (14a) 과 다이 본드 필름 (16) 의 계면은, 픽업시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다. 한편, 방사선을 조사하고 있지 않은 부분은 충분한 점착력을 갖고 있고, 상기 부분 (14b) 을 형성한다. 상기 부분 (14b) 에는, 웨이퍼 링을 강고하게 고정할 수 있다.
또한, 다이싱 시트 전체를 덮도록 다이 본드 필름을 다이싱 시트에 적층하는 경우에는, 다이 본드 필름의 외주 부분에 웨이퍼 링을 고정할 수 있다.
방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로는, 예를 들어 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.
배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로는, 예를 들어 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러 가지 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100 ∼ 30000 정도의 범위의 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라 점착제층의 점착력을 저하시킬 수 있는 양을 적절히 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대해, 예를 들어 5 ∼ 500 중량부, 바람직하게는 40 ∼ 150 중량부 정도이다.
또, 방사선 경화형 점착제로는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화형 점착제 외에, 베이스 폴리머로서 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측사슬 또는 주사슬 중 혹은 주사슬 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 다량으로는 포함하지 않기 때문에, 시간 경과적으로 올리고머 성분 등이 점착제 재중을 이동하지 않아, 안정적인 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있으므로 바람직하다.
상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 폴리머로는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머로의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러 가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 폴리머 측사슬에 도입하는 것이 분자 설계의 점에서 용이하다. 예를 들어, 미리 아크릴계 폴리머에 관능기를 갖는 모노머를 공중합시킨 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
이들 관능기의 조합의 예로는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 하이드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함으로부터, 하이드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 바람직하다. 또, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이면, 관능기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물의 어느 측에 있어도 되지만, 상기 바람직한 조합에서는, 아크릴계 폴리머가 하이드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 바람직하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또, 아크릴계 폴리머로는, 상기 예시한 하이드록시기 함유 모노머나 2-하이드록시에틸비닐에테르, 4-하이드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합시킨 것이 사용된다.
상기 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머 (특히 아크릴계 폴리머) 를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않는 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 폴리머 100 중량부에 대해 30 중량부의 범위 내이고, 바람직하게는 0 ∼ 10 중량부의 범위이다.
상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광 중합 개시제를 함유시킨다. 광 중합 개시제로는, 예를 들어 4-(2-하이드록시에톡시)페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤, α-하이드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-하이드록시프로피오페논, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물 ; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물 ; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물 ; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물 ; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물 ; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물 ; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물 ; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물 ; 캠퍼 퀴논 ; 할로겐화 케톤 ; 아실포스핀옥사이드 ; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광 중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100 중량부에 대해, 예를 들어 0.05 ∼ 20 중량부 정도이다.
또 방사선 경화형 점착제로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 소60-196956호에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2 개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광 중합성 화합물과, 카르보닐 화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광 중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.
방사선 경화형의 점착제층 (14) 중에는, 필요에 따라 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 함유시킬 수도 있다. 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 점착제층 (14) 에 포함시킴으로써, 방사선 조사된 부분만을 착색할 수 있다. 즉, 도 1 에 나타내는 웨이퍼 첩부 부분 (16a) 에 대응하는 부분 (14a) 을 착색할 수 있다. 따라서, 점착제층 (14) 에 방사선이 조사되었는지의 여부를 육안에 의해 즉시 판명할 수 있어, 웨이퍼 첩부 부분 (16a) 을 인식하기 쉬워, 워크의 첩합 (貼合) 이 용이하다. 또 광 센서 등에 의해 반도체 칩을 검출할 때에 그 검출 정밀도가 높아져, 반도체 칩의 픽업시에 오동작이 발생하는 경우가 없다.
방사선 조사에 의해 착색되는 화합물은, 방사선 조사 전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 유색이 되는 화합물이다. 이러한 화합물의 바람직한 구체예로는 류코 염료를 들 수 있다. 류코 염료로는, 관용의 트리페닐메탄계, 플루오란계, 페노티아진계, 아우라민계, 스피로피란계의 것이 바람직하게 사용된다. 구체적으로는 3-[N-(p-톨릴아미노)]-7-아닐리노플루오란, 3-[N-(p-톨릴)-N-메틸아미노]-7-아닐리노플루오란, 3-[N-(p-톨릴)-N-에틸아미노]-7-아닐리노플루오란, 3-디에틸아미노-6-메틸-7-아닐리노플루오란, 크리스탈바이올렛락톤, 4,4',4''-트리스디메틸아미노트리페닐메탄올, 4,4',4''-트리스디메틸아미노트리페닐메탄 등을 들 수 있다.
이들 류코 염료와 함께 바람직하게 사용되는 현색제로는, 종래부터 이용되고 있는 페놀포르말린 수지의 초기 중합체, 방향족 카르복실산 유도체, 활성 백토 등의 전자 수용체를 들 수 있고, 또한 색조를 변화시키는 경우에는 여러 가지 공지된 발색제를 조합하여 사용할 수도 있다.
이와 같은 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물은, 일단 유기 용매 등에 용해된 후에 방사선 경화형 접착제 중에 포함시켜도 되고, 또 미분말상으로 해 당해 점착제 중에 포함시켜도 된다. 이 화합물의 사용 비율은, 점착제층 (14) 중에 10 중량％ 이하, 바람직하게는 0.01 ∼ 10 중량％, 더욱 바람직하게는 0.5 ∼ 5 중량％ 인 것이 바람직하다. 그 화합물의 비율이 10 중량％ 를 초과하면, 점착제층 (14) 에 조사되는 방사선이 이 화합물에 지나치게 흡수되어 버리기 때문에, 점착제층 (14) 의 상기 부분 (14a) 의 경화가 불충분해져, 충분히 점착력이 저하되지 않는 경우가 있다. 한편, 충분히 착색시키려면, 그 화합물의 비율을 0.01 중량％ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
점착제층 (14) 을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 점착제층 (14) 에 있어서의 상기 부분 (14a) 의 점착력 ＜ 기타 부분 (14b) 의 점착력이 되도록 점착제층 (14) 의 일부를 방사선 조사해도 된다.
점착제층 (14) 에 상기 부분 (14a) 을 형성하는 방법으로는, 기재 (12) 에 방사선 경화형의 점착제층 (14) 을 형성한 후, 상기 부분 (14a) 에 부분적으로 방사선을 조사해 경화시키는 방법을 들 수 있다. 부분적인 방사선 조사는, 다이 본드 필름 (16) 웨이퍼 첩부 부분 (16a) 이외의 부분에 대응하는 패턴을 형성한 포토마스크를 개재하여 실시할 수 있다. 또, 스폿적으로 방사선을 조사해 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 방사선 경화형의 점착제층 (14) 의 형성은, 세퍼레이터 상에 형성한 것을 기재 (12) 상에 전사함으로써 실시할 수 있다. 부분적인 방사선 경화는 세퍼레이터 상에 형성한 방사선 경화형의 점착제층 (14) 에 실시할 수도 있다.
또, 점착제층 (14) 을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 기재 (12) 의 적어도 편면의, 웨이퍼 첩부 부분 (16a) 에 대응하는 부분 이외의 부분의 전부 또는 일부가 차광된 것을 이용하고, 이것에 방사선 경화형의 점착제층 (14) 을 형성한 후에 방사선 조사해, 웨이퍼 첩부 부분 (16a) 에 대응하는 부분을 경화시켜, 점착력을 저하시킨 상기 부분 (14a) 을 형성할 수 있다. 차광 재료로는, 지지 필름 상에서 포토마스크가 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 제작할 수 있다. 이러한 제조 방법에 의하면, 효율적으로 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 을 제조할 수 있다.
또한, 방사선 조사시에, 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는, 방사선 경화형의 점착제층 (14) 의 표면에서 어떠한 방법으로 산소 (공기) 를 차단하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 점착제층 (14) 의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 방사선의 조사를 실시하는 방법 등을 들 수 있다.
점착제층 (14) 의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 결손 방지나 다이 본드 필름 (16) 의 고정 유지의 양립성 등의 점에서는 1 ∼ 50 ㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 ∼ 30 ㎛, 나아가서는 5 ∼ 25 ㎛ 가 바람직하다.
다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 에 있어서, 측정 온도 0 ℃, 인장 속도 300 ㎜/분, T 형 박리 시험의 조건하에 있어서의, 다이싱 시트 (11) 로부터 다이 본드 필름 (16) 을 박리할 때의 박리력은 0.01 N/20 ㎜ 이상 2 N/20 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 0.02 N/20 ㎜ 이상 1.5 N/20 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.03 N/20 ㎜ 이상 1.0 N/20 ㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 상기 박리력이 0.01 N/20 ㎜ 이상이면, 저온 상태로 수송하는 경우에 다이싱 시트 (11) 와 다이 본드 필름 (16) 이 박리되는 것을 보다 억제할 수 있게 된다. 또, 상기 박리력이 2 N/20 ㎜ 이하이면, 픽업시에 바람직하게 박리시킬 수 있다.
다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 에 있어서, 측정 온도 0 ℃, 인장 속도 300 ㎜/분, T 형 박리 시험의 조건하에 있어서의, 다이싱 시트 (11) 로부터 다이 본드 필름 (16) 을 박리할 때의 박리력의, 0 ℃ 에서 72 시간 방치 전후에 있어서의 변화율은 -75 ％ ∼ 75 ％ 의 범위인 것이 바람직하고, -50 ％ ∼ 50 ％ 의 범위인 것이 보다 바람직하며, -40 ％ ∼ 40 ％ 의 범위인 것이 더욱 바람직하다. 상기 변화율이 -75 ％ ∼ 75 ％ 의 범위이면, 0 ℃ 에서 보존했을 때에 필름 특성의 변화가 적다고 말할 수 있다. 따라서, 장기간의 보존이 가능해진다.
다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 의 다이 본드 필름 (16) 은, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다 (도시 생략). 세퍼레이터는, 실용에 제공할 때까지 다이 본드 필름 (16) 을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또, 세퍼레이터는, 또한 점착제층 (14) 에 다이 본드 필름 (16) 을 전사할 때의 지지 기재로서 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 의 다이 본드 필름 (16) 상에 워크 (반도체 웨이퍼) 를 첩착 (貼着) 할 때에 박리된다. 세퍼레이터로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장사슬 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코트된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용할 수 있다.
본 실시형태에 관련된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 은, 예를 들어 다음과 같이 하여 제작된다.
먼저, 기재 (12) 는, 종래 공지된 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T 다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.
다음으로, 기재 (12) 상에 점착제 조성물 용액을 도포해 도포막을 형성한 후, 그 도포막을 소정 조건하에서 건조시켜 (필요에 따라 가열 가교시켜), 점착제층 (14) 을 형성한다. 도포 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 롤 도공, 스크린 도공, 그라비어 도공 등을 들 수 있다. 또, 건조 조건으로는, 예를 들어 건조 온도 80 ∼ 150 ℃, 건조 시간 0.5 ∼ 5 분간의 범위 내에서 실시된다. 또, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물을 도포해 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건으로 도포막을 건조시켜 점착제층 (14) 을 형성해도 된다. 그 후, 기재 (12) 상에 점착제층 (14) 을 세퍼레이터와 함께 첩합한다. 이로써, 다이싱 시트 (11) 가 제작된다.
다이 본드 필름 (16) 은, 예를 들어 다음과 같이 하여 제작된다.
먼저, 다이 본드 필름 (16) 의 형성 재료인 접착제 조성물 용액을 제조한다. 당해 접착제 조성물 용액에는, 전술한 바와 같이 상기 수지나, 그 외 필요에 따라 각종 첨가제 등이 배합되어 있다.
다음으로, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께가 되도록 도포해 도포막을 형성한 후, 그 도포막을 소정 조건하에서 건조시켜, 다이 본드 필름 (16) 을 형성한다. 도포 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 롤 도공, 스크린 도공, 그라비어 도공 등을 들 수 있다. 또, 건조 조건으로는, 예를 들어 건조 온도 70 ∼ 160 ℃, 건조 시간 1 ∼ 5 분간의 범위 내에서 실시된다. 또, 세퍼레이터 상에 접착제 조성물 용액을 도포해 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건으로 도포막을 건조시켜 다이 본드 필름 (16) 을 형성해도 된다. 그 후, 기재 세퍼레이터 상에 접착제층을 세퍼레이터와 함께 첩합한다.
계속해서, 다이싱 시트 (11) 및 다이 본드 필름 (16) 으로부터 각각 세퍼레이터를 박리하고, 접착제층 (14) 과 다이 본드 필름 (16) 이 첩합면이 되도록 해 양자를 첩합한다. 첩합은, 예를 들어 압착에 의해 실시할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 30 ∼ 50 ℃ 가 바람직하고, 35 ∼ 45 ℃ 가 보다 바람직하다. 또, 선압은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 0.1 ∼ 20 kgf/㎝ 가 바람직하고, 1 ∼ 10 kgf/㎝ 가 보다 바람직하다. 이로써, 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 이 얻어진다.
(반도체 장치의 제조 방법)
다음으로, 반도체 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
이하에서는, 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법은, 상기에 기재된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 준비하는 공정과,
상기 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름의 다이 본드 필름과, 반도체 웨이퍼의 이면을 첩합하는 첩합 공정과,
상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이 본드 필름과 함께 다이싱해, 칩상 (狀) 의 반도체 칩을 형성하는 다이싱 공정과,
상기 반도체 칩을, 상기 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름으로부터 상기 다이 본드 필름과 함께 픽업하는 픽업 공정과,
상기 다이 본드 필름을 개재하여, 상기 반도체 칩을 피착체 상에 다이 본드 하는 다이 본드 공정을 포함하는 것이다.
본 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 먼저 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 을 준비한다 (준비하는 공정). 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 은, 다이 본드 필름 (16) 상에 임의로 형성된 세퍼레이터를 적절히 박리해, 다음과 같이 사용된다. 이하에서는, 도 1, 및 도 2 를 참조하면서 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 을 사용한 경우를 예로 들어 설명한다.
먼저, 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 에 있어서의 다이 본드 필름 (16) 의 반도체 웨이퍼 첩부 부분 (16a) 상에 반도체 웨이퍼 (4) 를 압착하고, 이것을 접착 유지시켜 고정한다 (첩합 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 압압 (押壓) 수단에 의해 압압하면서 실시한다. 마운트시의 첩부 온도는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 40 ∼ 90 ℃ 의 범위 내인 것이 바람직하다.
다음으로, 반도체 웨이퍼 (4) 의 다이싱을 실시한다 (다이싱 공정). 이로써, 반도체 웨이퍼 (4) 를 소정의 사이즈로 절단하여 개편화 (個片化) 해, 반도체 칩 (5) 을 제조한다. 다이싱의 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 반도체 웨이퍼 (4) 의 회로면측으로부터 통상적인 방법에 따라 실시된다. 또, 본 공정에서는, 예를 들어 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 까지 절입을 실시하는 풀컷으로 불리는 절단 방식 등을 채용할 수 있다. 본 공정에서 사용하는 다이싱 장치로는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또, 반도체 웨이퍼 (4) 는, 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 에 의해 접착 고정되어 있으므로, 칩 결손이나 칩 비산을 억제할 수 있음과 함께, 반도체 웨이퍼 (4) 의 파손도 억제할 수 있다.
다음으로, 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 에 접착 고정된 반도체 칩 (5) 을 박리하기 위해서, 반도체 칩 (5) 의 픽업을 실시한다 (픽업 공정). 픽업의 방법으로는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩 (5) 을 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 (10) 측으로부터 니들에 의해 밀어 올리고, 밀어 올려진 반도체 칩 (5) 을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.
픽업 조건으로는, 치핑 방지의 점에서, 니들 밀어 올림 속도를 5 ∼ 100 ㎜/초로 하는 것이 바람직하고, 5 ∼ 10 ㎜/초로 하는 것이 보다 바람직하다.
여기서 픽업은, 점착제층 (14) 이 방사선 경화형인 경우, 그 점착제층 (14) 에 방사선을 조사한 후에 실시한다. 이로써, 점착제층 (14) 의 다이 본드 필름 (16) 에 대한 점착력이 저하되어, 반도체 칩 (5) 의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 칩 (5) 을 손상시키지 않고 픽업이 가능해진다. 방사선 조사시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고, 적절히 필요에 따라 설정하면 된다. 또, 방사선 조사에 사용하는 광원으로는, 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 점착제층에 미리 방사선 조사해 경화시켜 두고, 이 경화된 점착제층과 다이 본드 필름을 첩합하고 있는 경우에는, 여기서의 방사선 조사는 불필요하다.
다음으로, 픽업한 반도체 칩 (5) 을, 다이 본드 필름 (16) 을 개재하여 피착체 (6) 에 접착 고정한다 (다이 본드 공정). 피착체 (6) 로는, 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 피착체 (6) 는, 예를 들어 용이하게 변형되는 변형형 피착체여도 되고, 잘 변형되지 않는 비변형형 피착체 (반도체 웨이퍼 등) 여도 된다.
상기 기판으로는, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또, 상기 리드 프레임으로는, Cu 리드 프레임, 42Alloy 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리 에폭시, BT (비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등으로 이루어지는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 반도체 칩을 마운트해, 반도체 칩과 전기적으로 접속시켜 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.
다음으로, 다이 본드 필름 (16) 을 가열해 가교 구조를 형성시켜, 반도체 칩 (5) 을 피착체 (6) 에 접착 고정해, 내열 강도를 향상시킨다 (가교 형성 공정). 가열 온도는 80 ∼ 200 ℃, 바람직하게는 100 ∼ 175 ℃, 보다 바람직하게는 120 ∼ 160 ℃ 에서 실시할 수 있다. 또, 가열 시간은 0.1 ∼ 24 시간, 바람직하게는 0.1 ∼ 3 시간, 보다 바람직하게는 0.2 ∼ 1 시간으로 실시할 수 있다. 또, 가교 형성은 가압 조건하에서 실시해도 된다. 가압 조건으로는 1 ∼ 20 ㎏/㎠ 의 범위 내가 바람직하고, 3 ∼ 15 ㎏/㎠ 의 범위 내가 보다 바람직하다. 가압하에서의 가교 형성은, 예를 들어 불활성 가스를 충전한 챔버 안에서 실시할 수 있다. 또한, 다이 본드 필름 (16) 을 개재하여 반도체 칩 (5) 이 기판 등에 접착 고정된 것은, 후경화 공정에 제공할 수 있다.
열처리 후의 다이 본드 필름 (16) 의 전단 접착력은, 피착체 (6) 에 대해 0.2 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 ∼ 10 ㎫ 이다. 다이 본드 필름 (16) 의 전단 접착력이 적어도 0.2 ㎫ 이상이면, 와이어 본딩 공정시에 당해 공정에 있어서의 초음파 진동이나 가열에 의해, 다이 본드 필름 (16) 과 반도체 칩 (5) 또는 피착체 (6) 의 접착면에서 전단 변형을 일으키지 않는다. 즉, 와이어 본딩시의 초음파 진동에 의해 반도체 칩이 움직이지 않고, 이로써 와이어 본딩의 성공률이 저하하는 것을 방지한다.
다음으로, 필요에 따라, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 피착체 (6) 의 단자 부 (이너 리드) 의 선단과 반도체 칩 (5) 상의 전극 패드 (도시 생략) 를 본딩 와이어 (7) 로 전기적으로 접속한다 (와이어 본딩 공정). 상기 본딩 와이어 (7) 로는, 예를 들어 금선, 알루미늄선 또는 구리선 등이 사용된다. 와이어 본딩을 실시할 때의 온도는 80 ∼ 250 ℃, 바람직하게는 80 ∼ 220 ℃ 의 범위 내에서 실시된다. 또, 그 가열 시간은 수초 ∼ 수분간 실시된다. 결선은, 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 실시된다. 본 공정은, 다이 본드 필름 (16) 의 가교 형성을 실시하지 않고 실행할 수도 있다.
다음으로, 필요에 따라, 도 2 에 나타내는 바와 같이 봉지 (封止) 수지 (8) 에 의해 반도체 칩 (5) 을 봉지한다 (봉지 공정). 본 공정은, 피착체 (6) 에 탑재된 반도체 칩 (5) 이나 본딩 와이어 (7) 를 보호하기 위해서 실시된다. 본 공정은, 봉지용 수지를 금형으로 성형함으로써 실시할 수 있다. 봉지 수지 (8) 로는, 예를 들어 에폭시계 수지를 사용한다. 수지 봉지시의 가열 온도는 통상 175 ℃ 에서 60 ∼ 90 초간 실시되지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 165 ∼ 185 ℃ 에서, 수분간 큐어할 수 있다. 이로써, 봉지 수지 (8) 를 경화시킴과 함께, 다이 본드 필름 (16) 을 개재하여 반도체 칩 (5) 과 피착체 (6) 를 고착시킨다. 즉, 본 발명에 있어서는, 후술하는 후경화 공정이 실시되지 않는 경우에 있어서도, 본 공정에 있어서 다이 본드 필름 (16) 에 의한 고착이 가능하여, 제조 공정수의 감소 및 반도체 장치의 제조 기간 단축에 기여할 수 있다. 또, 본 봉지 공정에서는, 시트상의 봉지용 시트에 반도체 칩 (5) 을 매립하는 방법 (예를 들어, 일본 공개특허공보 2013-7028호 참조) 을 채용할 수도 있다.
다음으로, 필요에 따라 가열을 실시해, 상기 봉지 공정에서 경화 부족의 봉지 수지 (8) 를 완전히 경화시킨다 (후경화 공정). 봉지 공정에 있어서 다이 본드 필름 (16) 이 완전히 가교 형성되어 있지 않은 경우라도, 본 공정에 있어서 봉지 수지 (8) 와 함께 다이 본드 필름 (16) 의 완전한 가교 형성이 가능해진다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는 봉지 수지의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들어 165 ∼ 185 ℃ 의 범위 내이고, 가열 시간은 0.5 ∼ 8 시간 정도이다.
또한, 본 실시형태에 관련된 반도체 장치의 제조 방법은, 다이 본드 공정에 의한 가고착 (假固着) 후, 다이 본드 필름 (16) 의 가열 처리에 의한 가교 형성 공정을 거치지 않고 와이어 본딩을 실시하고, 추가로 반도체 칩 (5) 을 봉지 수지 (8) 로 봉지하고, 당해 봉지 수지 (8) 를 경화 (후경화) 시켜도 된다. 이 경우, 다이 본드 필름 (16) 의 가고착시의 전단 접착력은, 피착체 (6) 에 대해 0.2 ㎫ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 ∼ 10 ㎫ 이다. 다이 본드 필름 (16) 의 가고착시에 있어서의 전단 접착력이 적어도 0.2 ㎫ 이상이면, 가열 공정을 거치지 않고 와이어 본딩 공정을 실시해도, 당해 공정에 있어서의 초음파 진동이나 가열에 의해, 다이 본드 필름 (16) 과 반도체 칩 (5) 또는 피착체 (6) 의 접착면에서 전단 변형을 일으키지 않는다. 즉, 와이어 본딩시의 초음파 진동에 의해 반도체 칩이 움직이지 않고, 이로써 와이어 본딩의 성공률이 저하되는 것을 방지한다. 또한, 가고착이란, 이후의 공정에 있어서 지장이 없게, 다이 본드 필름의 가교 반응을 완전히 진행시킨 상태에 이르지 않는 정도로 그 다이 본드 필름을 가열시켜 반도체 칩 (5) 을 고정한 상태를 말한다. 또한, 다이 본드 필름의 가열 처리에 의한 가교 형성 공정을 거치지 않고 와이어 본딩을 실시하는 경우, 상기 후경화시키는 공정은 본 명세서에 있어서의 가교 형성 공정에 상당한다.
또한, 본 발명의 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름은, 복수의 반도체 칩을 적층해 3 차원 실장을 하는 경우에도 바람직하게 사용할 수 있다. 이때, 반도체 칩 사이에 다이 본드 필름과 스페이서를 적층시켜도 되고, 스페이서를 적층하지 않고 다이 본드 필름만을 반도체 칩 사이에 적층시켜도 되고, 제조 조건이나 용도 등에 따라 적절히 변경 가능하다.
실시예
이하에, 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 본 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등은, 특별히 한정적인 기재가 없는 한은 본 발명의 요지를 그것들에만 한정하는 취지의 것은 아니다. 또한, 이하에 있어서, 부라는 것은 중량부를 의미한다.
＜다이 본드 필름의 제작＞
(실시예 1)
하기 (a) ∼ (b) 를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23 중량％ 의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 에틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 및 아크릴로니트릴을 주모노머로 하는 아크릴산에스테르 공중합체 (나가세켐텍스 (주) 사 제조, 상품명 : SG-708-6, 각 주모노머의 함유량 : 에틸아크릴레이트 51 중량％, 부틸아크릴레이트 26 중량％, 아크릴로니트릴 19 중량％)
97 부
(b) 필러 (아드마텍스사 제조, 제품명 : SO-E1, 평균 입경 : 0.25 ㎛)
100 부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 38 ㎛ 인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름 (박리 라이너) 상에 도포한 후, 130 ℃ 에서 2 분간 건조시켰다. 이로써, 두께 20 ㎛ 의 다이 본드 필름 A 를 제작했다.
(실시예 2)
하기 (a) ∼ (b) 를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23 중량％ 의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 에틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 및 아크릴로니트릴을 주모노머로 하는 아크릴산에스테르 공중합체 (나가세켐텍스 (주) 사 제조, 상품명 : SG-708-6, 각 주모노머의 함유량 : 에틸아크릴레이트 51 중량％, 부틸아크릴레이트 26 중량％, 아크릴로니트릴 19 중량％)
83 부
(b) 열가교제 (액상 에폭시 수지 (연화점 : 0 ℃ 이하), 미츠비시 화학사 제조, 제품명 : JER828)
12 부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 38 ㎛ 인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름 (박리 라이너) 상에 도포한 후, 130 ℃ 에서 2 분간 건조시켰다. 이로써, 두께 20 ㎛ 의 다이 본드 필름 B 를 제작했다.
(실시예 3)
하기 (a) ∼ (b) 를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23 중량％ 의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 에틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 및 아크릴로니트릴을 주모노머로 하는 아크릴산에스테르 공중합체 (나가세켐텍스 (주) 사 제조, 상품명 : SG-P3, 각 주모노머의 함유량 : 에틸아크릴레이트 30 중량％, 부틸아크릴레이트 39 중량％, 아크릴로니트릴 28 중량％)
90 부
(b) 열가교제 (액상 페놀 수지 (연화점 : 0 ℃ 이하), 메이와 화성사 제조, 제품명 : MEH-8000H)
5 부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 38 ㎛ 인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름 (박리 라이너) 상에 도포한 후, 130 ℃ 에서 2 분간 건조시켰다. 이로써, 두께 20 ㎛ 의 다이 본드 필름 C 를 제작했다.
(비교예 1)
하기 (a) ∼ (c) 를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23 중량％ 의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 에틸아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 및 아크릴로니트릴을 주모노머로 하는 아크릴산에스테르 공중합체 (나가세켐텍스 (주) 사 제조, 상품명 : SG-708-6, 각 주모노머의 함유량 : 에틸아크릴레이트 51 중량％, 부틸아크릴레이트 26 중량％, 아크릴로니트릴 19 중량％)
80 부
(b) 상온 (23 ℃) 에서 고형의 에폭시 수지 (DIC 사 제조, 제품명 : HP-7200 L)
80 부
(c) 필러 (아드마텍스사 제조, 제품명 : SO-E1, 평균 입경 : 0.25 ㎛)
300 부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 38 ㎛ 인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름 (박리 라이너) 상에 도포한 후, 130 ℃ 에서 2 분간 건조시켰다. 이로써, 두께 20 ㎛ 의 다이 본드 필름 D 를 제작했다.
(비교예 2)
하기 (a) ∼ (b) 를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23 중량％ 의 접착제 조성물 용액을 얻었다.
(a) 부틸아크릴레이트, 및 아크릴로니트릴을 주모노머로 하는 아크릴산에스테르 공중합체 (나가세켐텍스 (주) 사 제조, 상품명 : SG-28GM, 각 주모노머의 함유량 : 부틸아크릴레이트 86 중량％, 아크릴로니트릴 7 중량％)
90 부
(b) 상온 (23 ℃) 에서 고형의 페놀 수지 (메이와 화성사 제조, 제품명 : MEH-7500)
5 부
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 38 ㎛ 인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름 (박리 라이너) 상에 도포한 후, 130 ℃ 에서 2 분간 건조시켰다. 이로써, 두께 20 ㎛ 의 다이 본드 필름 E 를 제작했다.
(다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률의 측정)
실시예, 및 비교예에 관련된 다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률을 측정하였다. 구체적으로는, 실시예, 비교예의 다이 본드 필름에 대해, 각각 두께 200 ㎛ 로 적층하고, 폭 10 ㎜, 길이 40 ㎜ 의 측정 샘플로 하였다. 다음으로, 동적 점탄성 측정 장치 (RSA(III), 레오메트릭 사이언티픽사 제조) 를 이용하여, -20 ∼ 300 ℃ 에서의 손실 탄성률을, 척간 거리 22.5 ㎜, 주파수 1 ㎐, 승온 속도 10 ℃/분의 조건하에서 측정하고, 그때의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률을 사용하였다.
(다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 인장 파단 신도의 측정)
실시예, 및 비교예에 관련된 다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 인장 파단 신도를 측정하였다. 구체적으로는, 실시예, 비교예의 다이 본드 필름에 대해, 두께 200 ㎛ 가 되도록 적층하고, 각각 초기 길이 40 ㎜, 폭 10 ㎜ 의 단책상 (短冊狀) 의 측정편이 되도록 절단하였다. 다음으로, 텐실론 만능 시험기 (오토그래프, 시마즈 제작소사 제조) 를 이용하여 인장 속도 50 ㎜/분, 척간 거리 10 ㎜ 의 조건하에서, 0 ℃ 에 있어서 인장 파단 신도를 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
＜다이싱 시트＞
실시예 1 ∼ 3, 및 비교예 1 ∼ 2 에 관련된 다이싱 시트 A (실시예 1 ∼ 3, 및 비교예 1 ∼ 2 에서 공통) 를 하기와 같이 하여 준비했다.
냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산2-에틸헥실 (2EHA) 75 부, 아크릴산2-하이드록시에틸 (HEA) 20 부, 과산화벤조일 0.2 부, 및 톨루엔 60 부를 넣고, 질소 기류 중에서 61 ℃ 에서 6 시간 중합 처리를 해, 아크릴계 폴리머 A 를 얻었다.
이 아크릴계 폴리머 A 에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트 (MOI) 8 부를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50 ℃ 에서 48 시간, 부가 반응 처리를 해, 아크릴계 폴리머 A' 를 얻었다.
다음으로, 아크릴계 폴리머 A' 100 부에 대해, 이소시아네이트계 가교제 (상품명 「코로네이트L」, 닛폰 폴리우레탄 (주) 제조) 1 부, 및 광 중합 개시제 (상품명 「이르가큐어651」, 치바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 4 부를 첨가해, 점착제 용액을 제조했다.
상기에서 조제한 점착제 용액을, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120 ℃ 에서 2 분간 가열 가교해, 두께 30 ㎛ 의 점착제층 전구체를 형성하였다. 이어서, 폴리프로필렌층 (두께 40 ㎛) 과 폴리에틸렌층 (두께 40 ㎛) 의 2 층 구조를 갖는 두께 80 ㎛ 의 기재 필름을 준비하고, 당해 점착제 전구체 표면에 폴리프로필렌층을 첩합면으로 하여 기재 필름을 첩합하였다. 그 후, 50 ℃ 에서 24 시간 보존을 하였다. 점착제층 전구체의 반도체 웨이퍼 첩부 부분 (직경 200 ㎜) 에 상당하는 부분 (직경 220 ㎜) 에만 자외선을 500 mJ 조사해, 점착제층을 형성하였다. 이로써, 다이싱 시트 A 를 얻었다.
또한, 기재의 폭은 390 ㎜, 길이는 200000 ㎜ 이다. 또, 자외선은, 각 원형 조사간의 중심간 거리가 380 ㎜ 가 되도록 조사했다.
(다이싱 시트의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률의 측정)
실시예, 및 비교예에 관련된 다이싱 시트의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률을 측정하였다. 구체적으로는, 실시예, 비교예의 다이싱 시트에 대해, 각각 두께 200 ㎛ 로 적층하고, 폭 10 ㎜, 길이 40 ㎜ 의 측정 샘플로 하였다. 다음으로, 동적 점탄성 측정 장치 (RSA(III), 레오메트릭 사이언티픽사 제조) 를 이용하여, -20 ∼ 300 ℃ 에서의 손실 탄성률을, 척간 거리 22.5 ㎜, 주파수 1 ㎐, 승온 속도 10 ℃/분의 조건하에서 측정하고, 그때의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률을 사용하였다.
＜다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름의 제작＞
(실시예 1)
다이 본드 필름 A 를 직경 330 ㎜ 로 300 장 타발하고, 이것을 길이가 긴 다이싱 시트 A 에, 간격 50 ㎜ 를 두고 1 열로 첩합하였다. 이로써, 실시예 1 에 관련된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 A 로 하였다. 첩합 조건은 40 ℃, 10 ㎜/초, 선압 30 kgf/㎝ 로 하였다.
(실시예 2)
다이 본드 필름 B 를 직경 330 ㎜ 로 300 장 타발하고, 이것을 길이가 긴 다이싱 시트 A 에, 간격 50 ㎜ 를 두고 1 열로 첩합하였다. 이로써, 실시예 1 에 관련된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 A 로 하였다. 첩합 조건은 40 ℃, 10 ㎜/초, 선압 30 kgf/㎝ 로 하였다.
(실시예 3)
다이 본드 필름 C 를 직경 330 ㎜ 로 300 장 타발하고, 이것을 길이가 긴 다이싱 시트 A 에, 간격 50 ㎜ 를 두고 1 열로 첩합하였다. 이로써, 실시예 1 에 관련된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 A 로 하였다. 첩합 조건은 40 ℃, 10 ㎜/초, 선압 30 kgf/㎝ 로 하였다.
(비교예 1)
다이 본드 필름 D 를 직경 330 ㎜ 로 300 장 타발하고, 이것을 길이가 긴 다이싱 시트 A 에, 간격 50 ㎜ 를 두고 1 열로 첩합하였다. 이로써, 실시예 1 에 관련된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 A 로 하였다. 첩합 조건은 40 ℃, 10 ㎜/초, 선압 30 kgf/㎝ 로 하였다.
(비교예 2)
다이 본드 필름 E 를 직경 330 ㎜ 로 300 장 타발하고, 이것을 길이가 긴 다이싱 시트 A 에, 간격 50 ㎜ 를 두고 1 열로 첩합하였다. 이로써, 실시예 1 에 관련된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름 A 로 하였다. 첩합 조건은 40 ℃, 10 ㎜/초, 선압 30 kgf/㎝ 로 하였다.
(다이싱 시트로부터 다이 본드 필름을 박리할 때의 박리력의 측정)
인장 시험기 ((주) 시마즈 제작소 제조, 상품명 「AGS-J」) 를 이용하여, 측정 온도 0 ℃, 인장 속도 300 ㎜/분, T 형 박리 시험의 조건하에서, 다이싱 시트로부터 다이 본드 필름을 박리하고, 그때의 박리력을 측정하였다. 그때, 다이 본드 필름의 배접 테이프로서 닛토 전공 제조, BT-315 를 사용하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
또, 0 ℃ 에서 72 시간 방치 후, 동일한 시험을 실시해, 0 ℃ 에서 72 시간 방치 전후에 있어서의 변화율을 구했다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
또한, 상기 변화율은 하기 식에 의해 구했다.
[(방치 후의 박리력) - (방치 전의 박리력)]/(방치 전의 박리력) × 100 (％)
(냉장 보관 후의 외관 평가)
제작한 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을, 직경이 5 ㎝ 인 권심에 권취했다. 이때의 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름에 가한 권취 장력은 12 N/m 로 하였다. 그 후, 0 ℃ 의 냉암소에서 72 시간 보관한 후, 23 ℃ 의 냉암소에 72 시간 보관했다. 다시 0 ℃ 의 냉암소에서 72 시간 보관한 후, 23 ℃ 의 냉암소에서 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 꺼내, 다이 본드 필름에 균열이나 결손이 발생했는지의 여부를 육안으로 확인하였다. 또, 다이싱 시트와 다이 본드 필름에 박리가 생기지 않았는지를 확인하였다.
다이 본드 필름에 균열이나 결손이 발생해 있지 않고, 또한 다이싱 시트와 다이 본드 필름에 박리가 생기지 않은 경우를 ○, 다이 본드 필름에 균열이나 결손이 발생했거나, 다이싱 시트와 다이 본드 필름에 박리가 생긴 경우를 × 로서 평가했다. 결과를 표 1 에 나타낸다.
Figure 112015027431636-pat00001
10 : 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름
11 : 다이싱 시트
12 : 기재
14 : 점착제층
16 : 다이 본드 필름
4 : 반도체 웨이퍼
5 : 반도체 칩
6 : 피착체
7 : 본딩 와이어
8 : 봉지 수지

Claims (10)

  1. 다이싱 시트 상에 다이 본드 필름이 형성된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름으로서,
    상기 다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 20 ㎫ 이상 500 ㎫ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이싱 시트의 0 ℃ 에서의 손실 탄성률이 10 ㎫ 이상 500 ㎫ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    측정 온도 0 ℃, 인장 속도 300 ㎜/분, T 형 박리 시험의 조건하에 있어서의, 상기 다이싱 시트로부터 상기 다이 본드 필름을 박리할 때의 박리력이 0.01 N/20 ㎜ 이상 2 N/20 ㎜ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    측정 온도 0 ℃, 인장 속도 300 ㎜/분, T 형 박리 시험의 조건하에 있어서의, 상기 다이싱 시트로부터 상기 다이 본드 필름을 박리할 때의 박리력의, 0 ℃ 에서 72 시간 방치 전후에 있어서의 변화율이 -75 ％ ∼ 75 ％ 의 범위인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이 본드 필름의 0 ℃ 에서의 인장 파단 신도가 10 ％ 이상 500 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이 본드 필름은, 유기 수지 성분 전체에 대해 아크릴계 공중합체를 85 중량％ 이상 함유하는 것을 특징으로 하는 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이 본드 필름은 부틸아크릴레이트, 및 아크릴로니트릴을 포함하는 모노머 원료를 중합하여 얻어지고, 또한 관능기로서 에폭시기, 또는 카르복실기를 갖는 아크릴계 공중합체를 함유하는 것을 특징으로 하는 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이 본드 필름은, 연화점이 0 ℃ 이하인 열가교제를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름을 준비하는 공정과,
    상기 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름의 다이 본드 필름과, 반도체 웨이퍼의 회로면과는 반대측의 면을 첩합 (貼合) 하는 첩합 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼를 상기 다이 본드 필름과 함께 다이싱해, 칩상 (狀) 의 반도체 칩을 형성하는 다이싱 공정과,
    상기 반도체 칩을, 상기 다이싱 시트가 부착된 다이 본드 필름으로부터 상기 다이 본드 필름과 함께 픽업하는 픽업 공정과,
    상기 다이 본드 필름을 개재하여, 상기 반도체 칩을 피착체 상에 다이 본드 하는 다이 본드 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6791701B2 (ja) * 2016-09-28 2020-11-25 日東電工株式会社 ダイシングダイボンディングテープおよび半導体装置の製造方法
CN109863428B (zh) * 2016-12-28 2021-07-30 日本瑞翁株式会社 光学膜的制造方法、偏振片及显示装置
JP7007827B2 (ja) * 2017-07-28 2022-01-25 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、および半導体装置製造方法
CN109037124B (zh) * 2018-09-30 2023-10-20 汕头大学 一种大尺寸超薄芯片阶段化高速剥离装置及其方法
CN113348533B (zh) * 2019-05-10 2022-06-03 昭和电工材料株式会社 拾取性的评价方法、切晶粘晶一体型膜及其评价方法及分选方法、半导体装置的制造方法
WO2022264546A1 (ja) * 2021-06-16 2022-12-22 日東電工株式会社 導電性シート及びダイシングダイボンドフィルム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011228399A (ja) 2010-04-16 2011-11-10 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
WO2014021450A1 (ja) 2012-08-02 2014-02-06 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、半導体接合用接着シート、および半導体装置の製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05179211A (ja) 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフイルム
JP3913372B2 (ja) * 1998-09-18 2007-05-09 リンテック株式会社 半導体素子を実装した回路基板および導電性粘弾性体
JP4780828B2 (ja) * 2000-11-22 2011-09-28 三井化学株式会社 ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法
JP2006245352A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Nitta Ind Corp ウエハのダイシング用テープ、半導体チップのピックアップ方法
JP2010129700A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2010262973A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Renesas Electronics Corp 半導体装置
JP5770995B2 (ja) * 2010-12-01 2015-08-26 デクセリアルズ株式会社 熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性接着シート及び熱硬化性接着シートの製造方法
JP5398083B2 (ja) * 2011-03-11 2014-01-29 日東電工株式会社 ダイボンドフィルム及びその用途
JP5976326B2 (ja) * 2012-01-25 2016-08-23 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法、及び、当該半導体装置の製造方法に用いられる接着フィルム
JP6128970B2 (ja) * 2012-08-13 2017-05-17 東京応化工業株式会社 接着剤組成物、接着フィルム、貼付方法、および処理方法
JP6264126B2 (ja) * 2014-03-20 2018-01-24 日立化成株式会社 ウエハ加工用テープ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011228399A (ja) 2010-04-16 2011-11-10 Nitto Denko Corp 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
WO2014021450A1 (ja) 2012-08-02 2014-02-06 リンテック株式会社 フィルム状接着剤、半導体接合用接着シート、および半導体装置の製造方法

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