KR20110040733A - 열경화형 다이 본드 필름 - Google Patents

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KR20110040733A
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thermosetting
film
die bond
die
bond film
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KR1020100100235A
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유이찌로 시시도
나오히데 다까모또
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닛토덴코 가부시키가이샤
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    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29364—Palladium [Pd] as principal constituent
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    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29371—Chromium [Cr] as principal constituent
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    • H01L2224/29393—Base material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/293 - H01L2224/29391, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
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    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
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Abstract

본 발명의 과제는 다이 본딩 후의 경화 수축을 억제하고, 이에 의해 피착체에 대한 휨의 발생을 방지하는 것이 가능한 열경화형 다이 본드 필름, 및 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 열경화형 다이 본드 필름은 피착체 상에 반도체 소자를 접착하여 고정시키기 위한 열경화형 다이 본드 필름이며, 열경화성 성분으로서의 에폭시 수지 및 페놀 수지를 적어도 포함하고, 상기 열경화성 성분 중 페놀성 수산기의 몰수에 대한, 상기 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수의 비율이 1.5 내지 6의 범위 내이다.

Description

열경화형 다이 본드 필름{THERMOSETTING DIE BONDING FILM}
본 발명은, 예를 들어 반도체 칩 등의 반도체 소자를 기판이나 리드 프레임 등의 피착체 상에 고착할 때에 사용되는 열경화형 다이 본드 필름에 관한 것이다. 또한 본 발명은, 당해 열경화형 다이 본드 필름과 다이싱 필름이 적층된 다이싱ㆍ다이 본드 필름에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치의 제조 과정에 있어서는, 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 접착 유지함과 함께, 마운트 공정에 필요한 칩 고착용 접착제층도 부여하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름이 사용되어 왔다(하기 특허문헌 1 참조). 이 다이싱ㆍ다이 본드 필름은, 지지 기재 상에 점착제층 및 접착제층이 순차 적층되어 구성된 것이다. 즉, 접착제층에 의한 유지 하에 반도체 웨이퍼를 다이싱한 후, 지지 기재를 연신하고, 반도체 칩을 다이 본드 필름과 함께 픽업한다. 또한, 리드 프레임의 다이 패드 상에 다이 본드 필름을 통하여 반도체 칩을 다이 본드한다.
그러나, 최근, 반도체 웨이퍼의 대형화ㆍ박형화에 수반하여, 반도체 칩도 박형화되고 있다. 그와 같은 반도체 칩을 상기 다이 본드 필름을 통하여 기판 등의 피착체 상에 고착시켜 열경화시키면(다이 본딩), 다이 본드 필름의 열경화에 의해 경화 수축된다. 그 결과, 피착체가 휘게 되는 문제가 있다.
일본 특허 공개 소60-57342호 공보
본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 다이 본딩 후의 경화 수축을 억제하고, 이에 의해 피착체에 대한 휨의 발생을 방지하는 것이 가능한 열경화형 다이 본드 필름 및 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본원 발명자들은, 상기 종래의 과제를 해결하기 위하여, 열경화형 다이 본드 필름 및 다이싱ㆍ다이 본드 필름에 대하여 검토하였다. 그 결과, 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수와 페놀성 수산기의 몰수의 비율을 제어함으로써, 열경화 후의 경화 수축을 저감할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시키는 데 이르렀다.
즉, 본 발명에 관한 열경화형 다이 본드 필름은, 피착체 상에 반도체 소자를 접착하여 고정시키기 위한 열경화형 다이 본드 필름이며, 열경화성 성분으로서의 에폭시 수지 및 페놀 수지를 적어도 포함하고, 상기 열경화성 성분 중 페놀성 수산기의 몰수에 대한, 상기 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수의 비율이 1.5 내지 6의 범위 내인 것을 특징으로 한다.
열경화형 다이 본드 필름을 사용하여, 반도체 소자를 피착체 상에 다이 본딩 할 때에는, 반도체 소자와 피착체의 접착 고정을 확실하게 하는 관점에서, 열경화형 다이 본드 필름을 충분히 열경화시키는 것이 바람직하다. 여기서, 열경화형 다이 본드 필름을 구성하는 열경화성 성분으로서 에폭시 수지를 사용하고, 이 에폭시 수지에 대한 경화제로서 페놀 수지를 사용하는 경우에는, 에폭시 수지 중에 포함되는 에폭시기와 페놀 수지 중에 포함되는 페놀성 수산기가 같은 당량비인 것이 바람직하다. 같은 당량비이면, 에폭시 수지의 열경화 반응을 충분히 진행시켜, 3차원 가교 구조의 충분한 형성을 가능하게 하기 때문이다. 그러나, 에폭시 수지의 열경화 반응을 지나치게 진행시키면 열경화형 다이 본드 필름 자체가 경화 수축하는 경우가 있다.
본원 발명에 있어서는, 상기 구성과 같이, 열경화성 성분 중 페놀성 수산기의 몰수에 대한, 상기 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수의 비율을 1.5 내지 6의 범위 내로 하여, 페놀성 수산기의 몰수에 대한 에폭시기의 몰수를 종래의 열경화형 다이 본드 필름보다도 높게 하고 있다. 이에 의해, 열경화형 다이 본드 필름 자체의 인장 탄성률을 저하시켜, 경화 수축의 저감을 가능하게 하고 있다. 그 결과, 상기 구성의 열경화형 다이 본드 필름을 반도체 장치의 제조에 적용한 경우에는, 다이 본딩시, 피착체에 휨이 발생하는 것을 억제할 수 있고, 처리량의 향상이 도모된다.
상기 구성에 있어서는, 열경화 촉매가, 유기 성분 100중량부에 대하여 0.07 내지 3.5중량부의 범위 내로 배합된 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 페놀성 수산기에 대한 에폭시기의 비율이 높기 때문에, 열경화 후라도, 필름 중에는 미반응의 에폭시기가 잔존하고 있다. 그러나, 예를 들어, 피착체 상에 다이 본딩된 반도체 소자를 밀봉 수지에 의해 밀봉하고, 또한 후경화 공정을 행할 때에는, 열경화형 다이 본드 필름을 충분히 열경화시키는 것이 바람직하다. 본 발명에 있어서는, 상기 구성과 같이 필름 중에 열경화 촉매를 배합시킴으로써, 피착체 상에의 반도체 소자의 다이 본딩시에는 경화 수축이 발생하지 않을 정도로 열경화시키고, 상기 후경화 공정시에는 미반응의 에폭시기끼리를 중합시켜 이를 저감시키는 것이 가능해진다. 그 결과, 피착체 상에 반도체 소자를 확실하게 접착 고정시켜, 반도체 소자가 피착체로부터 박리되지 않는 반도체 장치의 제조가 가능해진다.
상기 열경화 촉매의 배합량을, 유기 성분 100중량부에 대하여, 0.07중량부 이상으로 함으로써, 미반응의 에폭시기를 소실시키고, 상기 후경화 공정의 후에 있어서는 열경화형 다이 본드 필름의 열경화를 충분히 진행시킬 수 있다. 한편, 상기 배합량을 3.5중량부 이하로 함으로써, 후경화 공정 후에 있어서 열경화형 다이 본드 필름의 열경화 반응이 지나치게 진행되는 것을 방지하고, 피착체로부터 반도체 소자가 박리되거나, 보이드가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 구성에 있어서는, 140℃, 2시간의 열경화 후에 있어서의 유리 전이 온도가 80℃ 이하인 것이 바람직하다. 열경화형 다이 본드 필름의 유리 전이 온도를 80℃ 이하로 함으로써, 열경화 후의 필름의 경화 수축을 한층 저감시킬 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서는, 열경화 전의 120℃에 있어서의 용융 점도가 50 내지 1000Paㆍs의 범위 내인 것이 바람직하다. 열경화형 다이 본드 필름의 열경화 전의 용융 점도를 50Paㆍs 이상으로 함으로써, 피착체에 대한 밀착성을 양호한 것으로 한다. 그 결과, 피착체와의 접착면에 있어서, 보이드의 발생을 저감시킬 수 있다. 또한, 상기 용융 점도를 1000Paㆍs 이하로 함으로써, 열경화형 다이 본드 필름으로부터 접착제 성분 등이 스며나오는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 피착체나 이에 접착 고정시키는 반도체 소자의 오염을 방지할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 완전 열경화 후의 260℃에 있어서의 저장 탄성률이 1㎫ 이상인 것이 바람직하다. 이에 의해, 예를 들어, 내습 땜납 리플로우 시험 등에 있어서도 신뢰성이 높고, 내습 리플로우성이 우수한 반도체 장치의 제조를 가능하게 한다.
또한, 본 발명에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름은, 상기한 과제를 해결하기 위하여, 상기에 기재된 열경화형 다이 본드 필름이 다이싱 필름 상에 적층된 구조인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 관한 반도체 장치는, 상기한 과제를 해결하기 위하여, 상기에 기재된 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 사용하여 제조된 것인 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 상기에 설명한 수단에 의해, 이하에 설명하는 효과를 발휘한다.
즉, 본 발명에 따르면, 열경화성 성분으로서의 에폭시 수지 및 페놀 수지를 적어도 포함하고, 상기 열경화성 성분 중 페놀성 수산기의 몰수에 대한, 상기 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수의 비율을 1.5 내지 6의 범위 내로 하고, 열경화 후에 있어서도 미반응의 에폭시기를 잔존시키므로, 열경화형 다이 본드 필름 자체의 인장 탄성률을 저하시켜, 경화 수축의 저감을 가능하게 한다. 그 결과, 상기 구성의 열경화형 다이 본드 필름을 반도체 장치의 제조에 적용한 경우에는, 다이 본딩시, 피착체에 휨이 발생하는 것을 억제할 수 있어, 처리량의 향상이 도모된다.
도 1은 본 발명의 실시의 일 형태에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도.
도 3은 본 발명의 실시의 일 형태에 관한 다이 본드 필름을 통하여 반도체 칩을 실장한 예를 도시하는 단면 모식도.
도 4는 상기 다이 본드 필름을 통하여 반도체 칩을 3차원 실장한 예를 도시하는 단면 모식도.
도 5는 상기 다이 본드 필름을 사용하여, 2개의 반도체 칩을 스페이서를 통하여 3차원 실장한 예를 도시하는 단면 모식도.
도 6은 솔더 레지스트를 구비한 수지 기판 상에 열경화형 다이 본드 필름을 통하여 다이 본딩된 반도체 칩에 있어서, 그 휨량의 측정 방법을 설명하기 위한 설명도.
본 실시 형태에 관한 열경화형 다이 본드 필름(이하, 「다이 본드 필름」이라고 함)에 대하여, 도 1에 도시하는 바와 같이 기재(1) 상에 점착제층(2)이 적층되어 이루어지는 다이싱 필름 상에 적층된 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 형태를 예로 하여 이하에 설명한다.
상기 다이 본드 필름(3)의 구성 재료로서는, 열경화성 성분으로서, 적어도 에폭시 수지 및 페놀 수지를 사용한 것이면 특별히 한정되지 않는다.
상기 에폭시 수지는, 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형 혹은 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지 또는 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다. 또한, 에폭시 수지는 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적다.
또한, 상기 페놀 수지는, 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어, 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중, 하기 화학식으로 나타내어지는 비페닐형 페놀노볼락 수지나, 페놀아르알킬 수지가 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
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(상기 n은 0 내지 10의 자연수이다.)
또한, 상기 n은 0 내지 10의 자연수인 것이 바람직하고, 0 내지 5의 자연수인 것이 보다 바람직하다. 상기 수치 범위 내로 함으로써, 다이 본드 필름(3)의 유동성의 확보가 도모된다.
상기 에폭시 수지와 페놀 수지는, 열경화성 성분 중 페놀성 수산기의 몰수에 대한, 상기 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수의 비율이 1.5 내지 6의 범위 내가 되도록 배합된다. 또한 상기 비율은, 바람직하게는 1.5 내지 4, 보다 바람직하게는 2 내지 3이다. 상기 비율을 1.5 이상으로 함으로써, 열경화형 다이 본드 필름 자체의 인장 탄성률을 저하시켜, 경화 수축의 저감을 가능하게 한다. 또한, 상기 비율을 6 이하로 함으로써, 에폭시 수지의 열경화 반응이 불충분해지는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 관한 다이 본드 필름(3)은, 열경화성 성분으로서의 에폭시 수지 및 페놀 수지에 의해 형성되는 것이면, 다른 열경화성 성분을 포함해도 된다. 그와 같은 다른 열경화성 성분으로서는, 예를 들어, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 또는 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 또한, 탈용매화하고, 시트화, B 스테이지화한 열경화성 성분이 적합하다. 이들 수지는, 단독으로 또는 2종 이상 병용하여 사용할 수 있다. 상기 다른 열경화성 성분의 배합 비율은, 열경화성 성분 100중량부에 대하여, 0.1 내지 10중량부의 범위 내가 바람직하고, 0.4 내지 5중량부의 범위 내가 보다 바람직하다.
상기 다이 본드 필름(3)의 구성 재료에 있어서는, 열가소성 성분을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 열가소성 성분으로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 아크릴 수지가 바람직하다. 또한, 상기 아크릴 수지로서는, 예를 들어, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 혹은 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르의 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 단량체로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 혹은 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산 혹은 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 단량체, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴 혹은 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 단량체, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 혹은 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 단량체, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 단량체를 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
여기서, 열가소성 수지로서 아크릴 수지를 사용하는 경우, 에폭시 수지 및 페놀 수지와의 배합 비율은, 아크릴 수지 100중량부에 대하여, 에폭시 수지 및 페놀 수지의 혼합량이 10 내지 700중량부의 범위 내인 것이 바람직하고, 20 내지 600중량부의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 또한, 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지는, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높으므로, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서는, 다이 본드 필름(3)의 구성 재료로서 열경화 촉매를 사용해도 된다. 그 배합 비율로서는, 유기 성분 100중량부에 대하여, 0.01 내지 3.5중량부의 범위 내가 바람직하고, 0.01 내지 1중량부의 범위 내가 보다 바람직하고, 0.01 내지 0.5중량부의 범위 내가 특히 바람직하다. 배합 비율을 0.01중량부 이상으로 함으로써, 다이 본딩시에 있어서는 미반응이었던 에폭시기끼리를, 예를 들어 후경화 공정까지는 중합시켜, 당해 미반응의 에폭시기를 저감 혹은 소실시킬 수 있다. 그 결과, 피착체(상세에 대해서는 후술함) 상에 반도체 소자를 확실하게 접착 고정시켜 박리가 없는 반도체 장치의 제조가 가능해진다. 한편, 배합 비율을 3.5중량부 이하로 함으로써, 경화 저해의 발생을 방지할 수 있다.
상기 열경화 촉매로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 이미다졸계 화합물, 트리페닐포스핀계 화합물, 아민계 화합물, 트리페닐보란계 화합물, 트리할로겐보란계 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
상기 이미다졸계 화합물로서는, 2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ), 2-운데실이미다졸(상품명; C11Z), 2-헵타데실이미다졸(상품명; C17Z), 1,2-디메틸이미다졸(상품명; 1.2DMZ), 2-에틸-4-메틸이미다졸(상품명; 2E4MZ), 2-페닐이미다졸(상품명; 2PZ), 2-페닐-4-메틸이미다졸(상품명; 2P4MZ), 1-벤질-2-메틸이미다졸(상품명; 1B2MZ), 1-벤질-2-페닐이미다졸(상품명; 1B2PZ), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(상품명; 2MZ-CN), 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸(상품명; C11Z-CN), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트(상품명; 2PZCNS-PW), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; C11Z-A), 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진(상품명; 2E4MZ-A), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물(상품명; 2MA-OK), 2-페닐 -4,5-디히드록시메틸이미다졸(상품명; 2PHZ-PW), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(상품명; 2P4MHZ-PW) 등을 들 수 있다(모두 시꼬꾸 가세(주)제).
상기 트리페닐포스핀계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀, 디페닐트릴포스핀 등의 트리오르가노포스핀, 테트라페닐포스포늄브로마이드(상품명; TPP-PB), 메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MB), 메틸트리페닐포스포늄클로라이드(상품명; TPP-MC), 메톡시메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MOC), 벤질트리페닐포스포늄클로라이드(상품명; TPP-ZC) 등을 들 수 있다(모두 홋꼬 가가꾸사제). 또한, 상기 트리페닐포스핀계 화합물로서는, 에폭시 수지에 대하여 실질적으로 비용해성을 나타내는 것이 바람직하다. 에폭시 수지에 대하여 비용해성이면, 열경화가 과도하게 진행되는 것을 억제할 수 있다. 트리페닐포스핀 구조를 갖고, 또한 에폭시 수지에 대하여 실질적으로 비용해성을 나타내는 열경화 촉매로서는, 예를 들어 메틸트리페닐포스포늄(상품명; TPP-MB) 등을 예시할 수 있다. 또한, 상기 「비용해성」이라 함은, 트리페닐포스핀계 화합물을 포함하는 열경화 촉매가 에폭시 수지를 포함하는 용매에 대하여 불용성인 것을 의미하고, 보다 상세하게는, 온도 10 내지 40℃의 범위에 있어서 10중량% 이상 용해하지 않는 것을 의미한다.
상기 트리페닐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 트리(p-메틸페닐)포스핀 등을 들 수 있다. 또한, 트리페닐보란계 화합물로서는, 또한 트리페닐포스핀 구조를 갖는 것도 포함된다. 당해 트리페닐포스핀 구조 및 트리페닐보란 구조를 갖는 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-K), 테트라페닐포스포늄테트라-p-트리보레이트(상품명; TPP-MK), 벤질트리페닐포스포늄테트라페닐보레이트(상품명; TPP-ZK), 트리페닐포스핀트리페닐보란(상품명; TPP-S) 등을 들 수 있다(모두 홋꼬 가가꾸사제).
상기 아미노계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 모노에탄올아민트리플루오로보레이트(스텔라 케미파(주)제), 디시안디아미드(나카라이테스크(주)제) 등을 들 수 있다.
상기 트리할로겐보란계 화합물로서는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 트리클로로보란 등을 들 수 있다.
본 발명의 다이 본드 필름(3)을 미리 어느 정도 가교시켜 놓은 경우에는, 제작시에, 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시켜 두는 것이 좋다. 이에 의해, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시켜, 내열성의 개선을 도모할 수 있다.
상기 가교제로서는, 종래 공지의 것을 채용할 수 있다. 특히, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물 등의 폴리이소시아네이트 화합물이 보다 바람직하다. 가교제의 첨가량으로서는, 상기한 중합체 100중량부에 대하여, 통상 0.05 내지 7중량부로 하는 것이 바람직하다. 가교제의 양이 7중량부보다 많으면, 접착력이 저하되므로 바람직하지 않다. 한편, 0.05중량부 보다 적으면, 응집력이 부족하므로 바람직하지 않다. 또한, 이와 같은 폴리이소시아네이트 화합물과 함께, 필요에 따라서, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 함께 포함시키도록 해도 된다.
또한, 다이 본드 필름(3)에는, 그 용도에 따라서 무기 충전제를 적절하게 배합할 수 있다. 무기 충전제의 배합은, 도전성의 부여나 열전도성의 향상, 탄성률의 조절 등을 가능하게 한다. 상기 무기 충전제로서는, 예를 들어, 실리카, 클레이, 석고, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화알루미나, 산화베릴륨, 탄화규소, 질화규소 등의 세라믹류, 알루미늄, 구리, 은, 금, 니켈, 크롬, 납, 주석, 아연, 팔라듐, 땜납 등의 금속, 또는 합금류, 그 밖의 카본 등으로 이루어지는 다양한 무기 분말을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 그중에서도, 실리카, 특히 용융 실리카가 적절하게 사용된다. 또한, 무기 충전제의 평균 입경은 0.1 내지 80㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 상기 무기 충전제의 배합량은, 유기 수지 성분 100중량부에 대하여 0 내지 80중량부로 설정하는 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는 0 내지 70중량부이다.
또한, 다이 본드 필름(3)에는, 상기 무기 충전제 이외에, 필요에 따라서 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는, 예를 들어 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 하이드로탈사이트류, 수산화비스무트 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
상기 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)의 다이 본드 필름(3)은, 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는 실용에 제공할 때까지 다이 본드 필름(3)을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또한, 세퍼레이터는, 또한 점착제층(2)에 다이 본드 필름(3)을 전사할 때의 지지 기재로서 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이싱ㆍ다이 본드 필름의 다이 본드 필름(3) 상에 워크를 부착할 때에 벗겨진다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.
상기 다이 본드 필름(3)의 열경화 후의 유리 전이 온도는 80℃ 이하인 것이 바람직하고, 20 내지 70℃인 것이 보다 바람직하고, 20 내지 50℃인 것이 특히 바람직하다. 상기 유리 전이 온도를 80℃ 이하로 함으로써, 다이 본드 필름(3)의 경화 수축을 한층 저감시킬 수 있다. 또한, 상기 「열경화」라 함은 140℃에서 2시간의 가열 처리에 의해 열경화시킨 경우를 의미한다. 또한, 유리 전이 온도는 다음 측정 방법에 의해 측정하여 산출할 수 있다. 즉, 다이 본드 필름(3)을 140℃에서 2시간의 가열 처리에 의해 열경화시키고, 그 후 두께 200㎛, 길이 400㎜(측정 길이), 폭 10㎜의 직사각형으로 커터 나이프로 잘라내고, 고체 점탄성 측정 장치(RSAIII, 레오메트릭 사이언티픽(주)제)를 사용하여, -50 내지 300℃에 있어서의 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 측정한다. 측정 조건은, 주파수 1Hz, 승온 속도 10℃/min으로 한다. 또한, tanδ(G"(손실 탄성률)/G'(저장 탄성률))의 값을 산출함으로써 유리 전이 온도가 얻어진다.
또한, 상기 다이 본드 필름(3)의 열경화 전의 120℃에 있어서의 용융 점도는 50 내지 1000Paㆍs인 것이 바람직하고, 100 내지 800Paㆍs인 것이 보다 바람직하고, 200 내지 600Paㆍs인 것이 특히 바람직하다. 상기 용융 점도를 50Paㆍs 이상으로 함으로써, 기판 등의 피착체에 대한 밀착성을 양호한 것으로 한다. 그 결과, 피착체와의 접착면에 있어서, 보이드의 발생을 저감시킬 수 있다. 한편, 상기 용융 점도를 1000Paㆍs 이하로 함으로써, 열경화형 다이 본드 필름으로부터 접착제 성분 등이 스며나오는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 피착체나 이에 접착 고정시키는 반도체 소자의 오염을 방지할 수 있다. 또한, 상기 용융 점도는 다음 측정 방법에 의해 측정하여 산출할 수 있다. 즉, 레오미터(HAAKE사제, 상품명; RS-1)를 사용하여, 패럴렐 플레이트법에 의해 측정할 수 있다. 즉, 100℃가 되도록 가열하고 있는 플레이트에, 다이 본드 필름(3)으로부터 0.1g의 시료를 넣고, 측정을 개시한다. 측정 개시로부터 120초 후의 값의 평균값을 용융 점도로 한다. 또한, 플레이트간의 갭은 0.1㎜로 한다.
상기 다이 본드 필름(3)의 완전 열경화 후의 260℃에 있어서의 저장 탄성률은 1㎫ 이상인 것이 바람직하고, 5 내지 100㎫인 것이 보다 바람직하고, 10 내지 100㎫인 것이 특히 바람직하다. 이에 의해, 예를 들어 밀봉 공정에 있어서 반도체 소자가 경사지는 것을 방지하고, 또한 땜납 리플로우 공정시에 다이 본드 필름과 피착체 사이에 박리가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 여기서 말하는 다이 본드 필름(3)의 완전 열경화라 함은, 140℃에서 2시간의 열처리를 행한 후, 다시 175℃에서 1시간의 열처리를 행하였을 때의 상태를 의미한다. 또한, 저장 탄성률의 측정은, 예를 들어, 고체 점탄성 측정 장치(레오메트릭 사이언티픽사제: 형식: RSA-III)를 사용함으로써 가능하다. 즉, 샘플 크기를 길이 400㎜×폭 10㎜×두께 200㎛로 하고, 측정 시료를 필름 인장 측정용 지그에 세트하여 -50 내지 300℃의 온도 영역에서의 인장 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 주파수 1Hz, 승온 속도 10℃/min의 조건 하에서 측정하고, 260℃에서의 저장 탄성률(E')을 판독함으로써 얻어진다.
다이 본드 필름(3)의 두께(적층체의 경우에는, 총 두께)는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 5 내지 100㎛ 정도, 바람직하게는 5 내지 50㎛ 정도이다.
또한, 다이 본드 필름(3)은, 예를 들어 접착제층의 단층만으로 이루어지는 구성으로 할 수 있다. 또한, 유리 전이 온도가 다른 열가소성 수지, 열경화 온도가 다른 열경화성 수지를 적절하게 조합하여, 2층 이상의 다층 구조로 해도 된다. 반도체 웨이퍼의 다이싱 공정에서는 절삭수를 사용하므로, 다이 본드 필름(3)이 흡습하여, 상태 이상의 함수율이 되는 경우가 있다. 이와 같은 고함수율 상태로, 기판 등에 접착시키면, 후경화의 단계에서 접착 계면에 수증기가 모여, 부상이 발생하는 경우가 있다. 따라서, 다이 본드 필름(3)으로서는, 투습성이 높은 코어 재료를 접착제층 사이에 끼운 구성으로 함으로써, 후경화의 단계에서는, 수증기가 필름을 통하여 확산되어, 이와 같은 문제를 피하는 것이 가능해진다. 이러한 관점에서, 다이 본드 필름(3)은 코어 재료의 한쪽면 또는 양면에 접착제층을 형성한 다층 구조로 해도 된다.
상기 코어 재료로서는, 필름(예를 들어 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카르보네이트 필름 등), 유리 섬유나 플라스틱제 부직 섬유로 강화된 수지 기판, 미러 실리콘 웨이퍼, 실리콘 기판 또는 유리 기판 등을 들 수 있다.
또한, 다이 본드 필름(3)은 세퍼레이터(도시하지 않음)에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다. 세퍼레이터는 실용에 제공할 때까지 다이 본드 필름을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또한, 세퍼레이터는, 또한 다이싱 필름에 다이 본드 필름(3)을 전사할 때의 지지 기재로서 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이 본드 필름(3) 상에 워크를 부착할 때에 벗겨진다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.
상기 다이싱 필름으로서는, 예를 들어 기재(1) 상에 점착제층(2)을 적층한 것을 들 수 있다. 다이 본드 필름(3)은 점착제층(2) 상에 적층된다. 또한 도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼 부착 부분에만 다이 본드 필름(3')을 형성한 구성이어도 된다.
상기 기재(1)는 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10, 11)의 강도 모체가 되는 것이다. 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모 폴리프롤렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 섬유, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다. 점착제층(2)이 자외선 경화형인 경우, 기재(1)는 자외선에 대하여 투과성을 갖는 것이 바람직하다.
또한 기재(1)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 중합체를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은, 비연신으로 사용해도 되고, 필요에 따라서 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 따르면, 다이싱 후에 그 기재(1)를 열수축시킴으로써 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 접착 면적을 저하시켜, 반도체 칩의 회수의 용이화를 도모할 수 있다.
기재(1)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위하여, 관용의 표면 처리, 예를 들어 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들어, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.
상기 기재(1)는 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라서 수종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다. 또한, 기재(1)에는, 대전 방지능을 부여하기 위하여, 상기한 기재(1) 상에 금속, 합금, 이들 산화물 등으로 이루어지는 두께가 30 내지 500Å 정도의 도전성 물질의 증착층을 형성할 수 있다. 기재(1)는 단층 또는 2종 이상의 복층이어도 된다.
기재(1)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.
또한, 기재(1)에는, 본 발명의 효과 등을 손상시키지 않는 범위에서, 각종 첨가제(예를 들어, 착색제, 충전제, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 난연제 등)가 포함되어 있어도 된다.
점착제층(2)의 형성에 사용하는 점착제는, 다이 본드 필름(3)을 박리 가능하게 제어할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들어, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 접착제를 사용할 수 있다. 상기 감압성 접착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염에 민감한 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 중합체를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.
상기 아크릴계 중합체로서는, 아크릴산에스테르를 주 단량체 성분으로서 사용한 것을 들 수 있다. 상기 아크릴산에스테르로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산 시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 중합체 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르라 함은 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하고, 본 발명의 (메트)라 함은 모두 같은 의미이다.
상기 아크릴계 중합체는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라서, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 단량체 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 단량체 성분으로서, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 단량체; (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 4-히드록시부틸, (메트)아크릴산 6-히드록시헥실, (메트)아크릴산 8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-히드록시데실, (메트)아크릴산 12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 단량체; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미드프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 단량체; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 단량체; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체 성분은, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 단량체의 사용량은, 전체 단량체 성분의 40중량% 이하가 바람직하다.
또한, 상기 아크릴계 중합체는, 가교시키기 위하여, 다관능성 단량체 등도, 필요에 따라서 공중합용 단량체 성분으로서 포함할 수 있다. 이와 같은 다관능성 단량체로서, 예를 들어, 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 단량체도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 단량체의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 단량체 성분의 30중량% 이하가 바람직하다.
상기 아크릴계 중합체는, 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합시킴으로써 얻어진다. 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어떠한 방식으로 행할 수도 있다. 청정한 피착체에의 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계 중합체의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.
또한, 상기 점착제에는, 베이스 중합체인 아크릴계 중합체 등의 수 평균 분자량을 높이기 위하여, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 할 베이스 중합체와의 밸런스에 의해, 나아가, 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절하게 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 5중량부 정도 이하, 나아가 0.1 내지 5중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제로는, 필요에 따라서, 상기 성분 이외에, 종래 공지의 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.
점착제층(2)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성할 수 있다. 방사선 경화형 점착제는, 자외선 등의 방사선의 조사에 의해 가교도를 증대시켜 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시하는 점착제층(2)의 부분(2a)에만 방사선 조사함으로써, 부분(2b)과의 점착력의 차를 마련할 수 있다.
또한, 다이 본드 필름(3')에 맞추어, 방사선 경화형 점착제층(2)을 경화시킴으로써, 점착력이 현저하게 저하된 부분(2a)을 용이하게 형성할 수 있다. 경화되어 점착력이 저하된 부분(2a)에 다이 본드 필름(3')이 부착되므로, 부분(2a)과 다이 본드 필름(3')의 계면은 픽업시에 용이하게 벗겨지는 성질을 갖는다. 한편, 방사선을 조사하지 않은 부분은 충분한 점착력을 갖고 있고, 부분(2b)을 형성한다.
전술한 바와 같이, 도 1에 도시하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)의 점착제층(2)에 있어서, 미경화의 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 상기 부분(2b)은 다이 본드 필름(3)과 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다. 이와 같이 방사선 경화형 점착제는, 반도체 칩(반도체 칩 등)을 기판 등의 피착체에 고착하기 위한 다이 본드 필름(3)을 접착ㆍ박리의 밸런스 좋게 지지할 수 있다. 도 2에 도시하는 다이싱ㆍ다이 본드 필름(11)의 점착제층(2)에 있어서는, 상기 부분(2b)이 웨이퍼링을 고정할 수 있다.
방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 관능기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화성 점착제를 예시할 수 있다.
배합하는 방사선 경화성의 단량체 성분으로서는, 예를 들어 우레탄올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리스톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 다양한 올리고머를 들 수 있고, 그 중량 평균 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라서, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.
또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화성 점착제 외에, 베이스 중합체로서, 탄소-탄소 이중 결합을 중합체 측쇄 또는 주쇄 중 혹은 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화성 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 대부분은 포함하지 않으므로, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 재 중을 이동하지 않고, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있으므로 바람직하다.
상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 중합체로서는, 아크릴계 중합체를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 중합체의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 중합체를 들 수 있다.
상기 아크릴계 중합체에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러 가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 중합체 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계가 용이하다. 예를 들어, 미리 아크릴계 중합체에 관능기를 갖는 단량체를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 상태에서 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
이들 관능기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함으로부터, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 중합체를 생성하는 조합이면, 관능기는 아크릴계 중합체와 상기 화합물의 어느 측에 있어도 되지만, 상기한 바람직한 조합에서는, 아크릴계 중합체가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 중합체로서는, 상기 예시의 히드록시기 함유 단량체나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.
상기 내재형의 방사선 경화성 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체(특히 아크릴계 중합체)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 단량체 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 중합체 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.
상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광 중합 개시제를 함유시키는 것이 바람직하다. 광 중합 개시제로서는, 예를 들어, 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광 활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3, 3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스피녹시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광 중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 중합체 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여, 예를 들어 0.05 내지 20중량부 정도이다.
점착제층(2)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 부분(2a)의 점착력＜부분(2b)의 점착력이 되도록 점착제층(2)의 일부를 방사선 조사하는 것이 바람직하다. 도 2의 다이싱ㆍ다이 본드 필름에서는, 예를 들어, 피착체로서 SUS304판(#2000 연마)에 대한 관계에서, 부분(2a)의 점착력＜부분(2b)의 점착력이 되도록 한다.
상기 점착제층(2)에 상기 부분(2a)을 형성하는 방법으로서는, 기재(1)에 방사선 경화형의 점착제층(2)을 형성한 후, 상기 부분(2a)에 부분적으로 방사선을 조사하여 경화시키는 방법을 들 수 있다. 부분적인 방사선 조사는, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a) 이외의 부분(3b) 등에 대응하는 패턴을 형성한 포토마스크를 통하여 행할 수 있다. 또한, 스폿적으로 자외선을 조사하여 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 방사선 경화형의 점착제층(2)의 형성은, 세퍼레이터 상에 형성한 것을 기재(1) 상에 전사함으로써 행할 수 있다. 부분적인 방사선 경화는 세퍼레이터 상에 설치한 방사선 경화형의 점착제층(2)에 행할 수도 있다.
또한, 점착제층(2)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는, 기재(1)의 적어도 한쪽면의, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대응하는 부분 이외의 부분의 전부 또는 일부가 차광된 것을 사용하고, 이에 방사선 경화형의 점착제층(2)을 형성한 후에 방사선 조사하여, 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a)에 대응하는 부분을 경화시켜 점착력을 저하시킨 상기 부분(2a)을 형성할 수 있다. 차광 재료로서는, 지지 필름 상에서 포토마스크가 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 제작할 수 있다. 이러한 제조 방법에 따르면, 효율적으로 본 발명의 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)을 제조 가능하다.
또한, 방사선 조사시에, 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는, 방사선 경화형의 점착제층(2)의 표면으로부터 임의의 방법으로 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 상기 점착제층(2)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 방사선의 조사를 행하는 방법 등을 들 수 있다.
점착제층(2)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 이지러짐 방지나 접착층의 고정 유지의 양립성 등의 관점에서 1 내지 50㎛ 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 30㎛, 나아가 바람직하게는 5 내지 25㎛이다.
또한, 점착제층(2)에는, 본 발명의 효과 등을 손상시키지 않는 범위에서, 각종 첨가제(예를 들어, 착색제, 증점제, 증량제, 충전제, 점착 부여제, 가소제, 노화 방지제, 산화 방지제, 계면 활성제, 가교제 등)가 포함되어 있어도 된다.
본 실시 형태에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름은, 다음과 같이 하여 제조할 수 있다. 이하에서는, 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)을 예로 하여 설명한다. 우선, 기재(1)는 종래 공지의 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.
다음에, 기재(1) 상에 점착제 조성물을 도포하고, 건조시켜(필요에 따라서 가열 가교시켜) 점착제층(2)을 형성한다. 도포 방식으로서는, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 도포는 직접 기재(1) 상에 행해도 되고, 표면에 박리 처리를 행한 박리지 등에 도포 후, 기재(1)에 전사해도 된다.
한편, 다이 본드 필름(3)을 형성하기 위한 형성 재료를 박리지 상에 소정 두께가 되도록 도포하고, 또한 소정 조건 하에서 건조하여 도포층을 형성한다. 이 도포층을 상기 점착제층(2) 상에 전사함으로써, 다이 본드 필름(3)을 형성한다. 또한, 상기 점착제층(2) 상에 형성 재료를 직접 도포한 후, 소정 조건 하에서 건조시킴으로써도 다이 본드 필름(3)을 형성할 수 있다. 이상에 의해, 본 발명에 관한 다이싱ㆍ다이 본드 필름(10)을 얻을 수 있다.
(반도체 장치의 제조 방법)
다음에, 본 실시 형태에 관한 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 3은 다이 본드 필름을 통하여 반도체 소자를 실장한 예를 도시하는 단면 모식도이다.
본 실시 형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 칩(반도체 소자)(5)을 피착체(6) 상에 다이 본드 필름(3)의 웨이퍼 부착 부분(3a)[이하, 다이 본드 필름(3a)이라 함]을 통하여 고착하는 고착 공정과, 와이어 본딩을 하는 와이어 본딩 공정을 갖는다. 또한, 반도체 칩(5)을 밀봉 수지(8)로 밀봉하는 수지 밀봉 공정과, 당해 밀봉 수지(8)를 후경화하는 후경화 공정을 갖는다.
상기 피착체(6)로서는, 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 피착체(6)는, 예를 들어 용이하게 변형되는 변형형 피착체이어도 되고, 변형하는 것이 곤란한 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)이어도 된다. 상기 기판으로서는, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임으로서는, Cu 리드 프레임, 42Alloy 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리 에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등으로 이루어지는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체 소자를 마운트하여, 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.
상기 고착 공정은, 도 3에 도시한 바와 같이, 반도체 칩(5)을, 다이 본드 필름(3a)을 통하여 피착체(6)에 다이 본드하는 공정이다. 당해 공정은, 소정 조건 하에서의 열처리를 행함으로써, 다이 본드 필름(3a)을 열경화시켜 반도체 칩(5)을 피착체(6) 상에 완전히 접착시킨다. 열처리를 행할 때의 온도는, 100 내지 200℃로 행하는 것이 바람직하고, 120℃ 내지 180℃의 범위 내로 행하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 열처리 시간은 0.25 내지 10시간으로 행하는 것이 바람직하고, 0.5 내지 8시간으로 행하는 것이 보다 바람직하다. 반도체 칩(5)을 피착체(6) 상에 고착하는 방법으로서는, 예를 들어 피착체(6) 상에 다이 본드 필름(3a)을 적층한 후, 다이 본드 필름(3a) 상에 와이어 본드면이 상측이 되도록 하여 반도체 칩(5)을 순차 적층하여 고착하는 방법을 들 수 있다. 또한, 미리 다이 본드 필름(3a)이 고착된 반도체 칩(5)을 피착체(6)에 고착하여 적층해도 된다.
상기 와이어 본딩 공정은, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 공정이다. 상기 본딩 와이어(7)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선 또는 구리선 등이 사용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는 80 내지 250℃, 바람직하게는 80 내지 220℃의 범위 내에서 행해진다. 또한, 그 가열 시간은 몇 초 내지 몇 분간 행해진다. 결선은, 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행해진다.
상기 수지 밀봉 공정은, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(5)을 밀봉하는 공정이다. 본 공정은, 피착체(6)에 탑재된 반도체 칩(5)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위하여 행해진다. 본 공정은, 밀봉용 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지(8)로서는, 예를 들어 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 밀봉시의 가열 온도는, 통상 175℃에서 60 내지 90초간 행해지지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 예를 들어 165 내지 185℃에서, 몇 분간 경화할 수 있다. 이에 의해, 밀봉 수지를 경화시킨다. 본 발명에 있어서는, 다이 본드 공정에 있어서, 다이 본드 필름(3a)을 열경화시키기 위하여 열처리를 행하는 경우에도, 밀봉 수지 공정 후에 있어서, 다이 본드 필름(3a)과 피착체(6) 사이의 보이드를 소실시킬 수 있다.
상기 후경화 공정에 있어서는, 상기 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지(8)를 완전히 경화시킨다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는 밀봉 수지의 종류에 따라 상이하지만, 예를 들어 165 내지 185℃의 범위 내이며, 가열 시간은 0.5 내지 8시간 정도이다. 또한, 본 공정에 있어서는, 다이 본드 필름(3a)을 완전히 열경화시킬 수도 있다. 그 경우, 다이 본드 필름(3a) 중에는 상기 열경화 촉매가 배합되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 잔존하는 미반응의 에폭시기끼리를 중합 반응하여, 다이 본드 필름(3a)의 열경화가 한층 진행된다. 그 결과, 다이 본드 필름(3a)을 통하여 반도체 칩(5)을 피착체에 확실하게 고정할 수 있다.
이상과 같이 하여 얻어진 반도체 패키지는, 예를 들어 내습 땜납 리플로우 시험을 행한 경우에도 당해 시험에 견딜 수 있는 고신뢰성을 갖는다. 내습 땜납 리플로우 시험은 종래 공지의 방법으로 행해진다.
또한, 본 발명의 다이싱ㆍ다이 본드 필름은, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 반도체 칩을 적층하여 3차원 실장을 하는 경우에도 적절하게 사용할 수 있다. 도 4는, 다이 본드 필름을 통하여 반도체 칩을 3차원 실장한 예를 도시하는 단면 모식도이다. 도 4에 도시하는 3차원 실장의 경우, 우선 반도체 칩과 같은 크기가 되도록 잘라낸 적어도 하나의 다이 본드 필름(3a)을 피착체(6) 상에 고착한 후, 다이 본드 필름(3a)을 통하여 반도체 칩(15)을, 그 와이어 본드면이 상측이 되도록 하여 고착한다. 다음에, 다이 본드 필름(13)을 반도체 칩(5)의 전극 패드 부분을 피하여 고착한다. 또한, 다른 반도체 칩(15)을 다이 본드 필름(13) 상에 그 와이어 본드면이 상측이 되도록 하여 고착한다.
다음에, 와이어 본딩 공정을 행한다. 이에 의해, 반도체 칩(5) 및 다른 반도체 칩(15)에 있어서의 각각의 전극 패드와, 피착체(6)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속한다.
계속해서, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(5) 등을 밀봉하는 밀봉 공정을 행하고, 밀봉 수지를 경화시킨다. 그와 함께, 다이 본드 필름(3a)에 의해 피착체(6)와 반도체 칩(5) 사이를 고착한다. 또한, 다이 본드 필름(13)에 의해 반도체 칩(5)과 다른 반도체 칩(15) 사이도 고착시킨다. 또한, 밀봉 공정 후, 후경화 공정을 행해도 된다.
반도체 칩의 3차원 실장의 경우에 있어서도, 다이 본드 필름(3a, 13)의 가열에 의한 가열 처리를 행하지 않으므로, 제조 공정의 간소화 및 수율의 향상이 도모된다. 또한, 피착체(6)에 휨이 발생하거나, 반도체 칩(5) 및 다른 반도체 칩(15)에 균열이 발생하는 일도 없기 때문에, 반도체 소자의 한층 박형화가 가능해진다.
또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 반도체 칩 사이에 다이 본드 필름을 개재하여 스페이서를 적층시킨 3차원 실장으로 해도 된다. 도 5는 2개의 반도체 칩을 스페이서를 개재하여 다이 본드 필름에 의해 3차원 실장한 예를 도시하는 단면 모식도이다.
도 5에 나타내는 3차원 실장의 경우, 우선 피착체(6) 상에 다이 본드 필름(3a), 반도체 칩(5) 및 다이 본드 필름(21)을 순차 적층하여 임시 고착한다. 또한, 다이 본드 필름(21) 상에, 스페이서(9), 다이 본드 필름(21), 다이 본드 필름(3a) 및 반도체 칩(5)을 순차 적층하여 고착한다.
다음에, 도 5에 도시한 바와 같이, 와이어 본딩 공정을 행한다. 이에 의해, 반도체 칩(5)에 있어서의 전극 패드와 피착체(6)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속한다.
계속해서, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(5)을 밀봉하는 밀봉 공정을 행하고, 밀봉 수지(8)를 경화시킨다. 이에 의해, 반도체 패키지가 얻어진다. 밀봉 공정은, 반도체 칩(5)측만을 한쪽면 밀봉하는 일괄 밀봉법이 바람직하다. 밀봉은 점착 시트 상에 부착된 반도체 칩(5)을 보호하기 위하여 행해지고, 그 방법으로서는 밀봉 수지(8)를 사용하여 금형 중에 성형되는 것이 대표적이다. 그때, 복수의 캐비티를 갖는 상부 금형과 하부 금형으로 이루어지는 금형을 사용하여, 동시에 밀봉 공정을 행하는 것이 일반적이다. 수지 밀봉시의 가열 온도는, 예를 들어 170 내지 180℃의 범위 내인 것이 바람직하다. 밀봉 공정 후에, 후경화 공정을 행해도 된다.
또한, 상기 스페이서(9)로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 종래 공지의 실리콘 칩, 폴리이미드 필름 등을 사용할 수 있다. 또한, 상기 스페이서로서 코어 재료를 사용할 수 있다. 코어 재료로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 필름(예를 들어 폴리이미드 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리카르보네이트 필름 등), 유리 섬유나 플라스틱제 부직 섬유로 강화된 수지 기판, 미러 실리콘 웨이퍼, 실리콘 기판 또는 유리 기판 등을 사용할 수 있다.
다음에, 프린트 배선판 상에 상기의 반도체 패키지를 표면 실장한다. 표면 실장의 방법으로서는, 예를 들어, 프린트 배선판 상에 미리 땜납을 공급한 후, 온풍 등에 의해 가열 용융하여 납땜을 행하는 리플로우 납땜을 들 수 있다. 가열 방법으로서는, 열풍 리플로우, 적외선 리플로우 등을 들 수 있다. 또한, 전체 가열, 국부 가열의 어떠한 방식이어도 된다. 가열 온도는 240 내지 265℃, 가열 시간은 1 내지 20초의 범위 내인 것이 바람직하다.
(그 밖의 사항)
상기 기판 등 위에 반도체 소자를 3차원 실장하는 경우, 반도체 소자의 회로가 형성되는 면측에는, 버퍼 코트막이 형성되어 있다. 당해 버퍼 코트막으로서는, 예를 들어 질화규소막이나 폴리이미드 수지 등의 내열 수지로 이루어지는 것을 들 수 있다.
또한, 반도체 소자의 3차원 실장시에, 각 단계에서 사용되는 다이 본드 필름은 동일 조성으로 이루어지는 것에 한정되는 것은 아니고, 제조 조건이나 용도 등에 따라서 적절하게 변경 가능하다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 기판 등에 복수의 반도체 소자를 적층시킨 후에, 일괄하여 와이어 본딩 공정을 행하는 형태에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 반도체 소자를 기판 등의 위에 적층할 때마다 와이어 본딩 공정을 행하는 것도 가능하다.
<실시예>
이하에, 본 발명의 적합한 실시예를 예시적으로 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하의 실시예에 기재되어 있는 재료나 배합량 등에 있어서, 한정적인 기재가 없는 한, 그들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 부라고 되어 있는 것은 중량부를 의미한다.
(실시예 1)
아크릴산에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산에스테르계 중합체(네가미 고교(주)제, 파라클론 W-197CM) 7.7중량%, 에폭시 수지 A(JER(주)제, 에피코트 1004) 18.6중량%, 에폭시 수지 B(JER(주)제, 에피코트 827) 12.0중량%, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 21.7중량%, 구 형상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 39.9중량%, 열경화 촉매(시꼬꾸 가세(주)제, C11-Z) 0.1중량%(구 형상 실리카를 제외한 유기 성분 100중량부에 대하여 0.166중량부)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23.6중량%의 접착제 조성물을 제조하였다(단, 상기 유기 성분으로부터 메틸에틸케톤은 제외함). 또한, (접착제 조성물에 있어서의 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수)/(접착제 조성물에 있어서의 열경화성 성분 중 페놀성 수산기의 몰수)는 1.5이었다.
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 두께 25㎛의 열경화형 다이 본드 필름을 제작하였다.
(실시예 2)
아크릴산에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산에스테르계 중합체(네가미 고교(주)제, 파라클론 W-197CM) 7.7중량%, 에폭시 수지 A(JER(주)제, 에피코트 1004) 24.0중량%, 에폭시 수지 B(JER(주)제, 에피코트 827) 12.0중량%, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 16.3중량%, 구 형상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 39.9중량%, 열경화 촉매(시꼬꾸 가세(주)제, C11-Z) 0.1중량%(구 형상 실리카를 제외한 유기 성분 100중량부에 대하여 0.166중량부)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23.6중량%의 접착제 조성물을 제조하였다(단, 상기 유기 성분으로부터 메틸에틸케톤은 제외함). 또한, (접착제 조성물에 있어서의 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수)/(접착제 조성물에 있어서의 열경화성 성분 중 페놀성 수산기의 몰수)는 2.3이었다.
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 두께 25㎛의 열경화형 다이 본드 필름을 제작하였다.
(실시예 3)
아크릴산에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산에스테르계 중합체(네가미 고교(주)제, 파라클론 W-197CM) 7.7중량%, 에폭시 수지 A(JER(주)제, 에피코트 1004) 29.4중량%, 에폭시 수지 B(JER(주)제, 에피코트 827) 12.0중량%, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 10.9중량%, 구 형상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 39.9중량%, 열경화 촉매(시꼬꾸 가세(주)제, C11-Z) 0.1중량%(구 형상 실리카를 제외한 유기 성분 100중량부에 대하여 0.166중량부)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23.6중량%의 접착제 조성물을 제조하였다(단, 상기 유기 성분으로부터 메틸에틸케톤은 제외함). 또한, (접착제 조성물에 있어서의 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수)/(접착제 조성물에 있어서의 열경화성 성분 중 페놀성 수산기의 몰수)는 4이었다.
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 두께 25㎛의 열경화형 다이 본드 필름을 제작하였다.
(비교예 1)
아크릴산에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산에스테르계 중합체(네가미 고교(주)제, 파라클론 W-197CM) 7.7중량%, 에폭시 수지 A(JER(주)제, 에피코트 1004) 13.3중량%, 에폭시 수지 B(JER(주)제, 에피코트 827) 12.0중량%, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 27중량%, 구 형상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 39.9중량%, 열경화 촉매(시꼬꾸 가세(주)제, C11-Z) 0.1중량%(구 형상 실리카를 제외한 유기 성분 100중량부에 대하여 0.166중량부)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23.6중량%의 접착제 조성물을 제조하였다(단, 상기 유기 성분으로부터 메틸에틸케톤은 제외함). 또한, (접착제 조성물에 있어서의 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수)/(접착제 조성물에 있어서의 열경화성 성분 중 페놀성 수산기의 몰수)는 1이었다.
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 두께 25㎛의 열경화형 다이 본드 필름을 제작하였다.
(비교예 2)
아크릴산에틸-메틸메타크릴레이트를 주성분으로 하는 아크릴산에스테르계 중합체(네가미 고교(주)제, 파라클론 W-197CM) 7.7중량%, 에폭시 수지 A(JER(주)제, 에피코트 1004) 34.8중량%, 에폭시 수지 B(JER(주)제, 에피코트 827) 12.0중량%, 페놀 수지(미쯔이 가가꾸(주)제, 미렉스 XLC-4L) 5.5중량%, 구 형상 실리카(애드마텍스(주)제, SO-25R) 39.9중량%, 열경화 촉매(시꼬꾸 가세(주)제, C11-Z) 0.1중량%(구 형상 실리카를 제외한 유기 성분 100중량부에 대하여 0.166중량부)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 농도 23.6중량%의 접착제 조성물을 제조하였다(단, 상기 유기 성분으로부터 메틸에틸케톤은 제외함). 또한, (접착제 조성물에 있어서의 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수)/(접착제 조성물에 있어서의 열경화성 성분 중 페놀성 수산기의 몰수)는 9이었다.
이 접착제 조성물 용액을, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 두께 25㎛의 열경화형 다이 본드 필름을 제작하였다.
(용융 점도의 측정)
각 실시예 및 비교예에서 제작한 각 열경화형 다이 본드 필름에 대하여, 각각 120℃에 있어서의 용융 점도를 측정하였다. 즉, 레오미터(HAAKE사제, RS-1)를 사용하여 패럴렐 플레이트법에 의해 측정하였다. 각 실시예 또는 비교예에서 제작한 열경화형 다이 본드 필름으로부터 0.1g의 시료를 채취하고, 미리 100℃로 가열되어 있는 플레이트에 넣었다. 다음에, 측정 개시로부터 120초 후의 값을 용융 점도로 하였다. 플레이트간의 갭은 0.1㎜로 하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
(내리플로우성)
각 실시예 및 비교예에서 제작한 각 열경화형 다이 본드 필름을 각각 온도 40℃의 조건 하에서, 한 변이 10㎜인 사각형, 두께 50㎛의 반도체 칩에 부착하였다. 또한, 각 열경화형 다이 본드 필름을 통하여 반도체 칩을 BGA 기판에 임시 고착하였다. 그때의 조건은, 온도 120℃, 압력 0.2㎫, 2초로 하였다. 또한, 반도체 칩이 고착된 BGA 기판을, 건조기에서 120℃, 1시간 열처리하고, 열경화형 다이 본드 필름을 열경화시켰다.
다음에, 밀봉 수지(닛또덴꼬(주)사제, GE-100)에 의해 반도체 칩의 패키징을 행하였다(수지 밀봉 공정). 그 후, 온도 175℃, 5시간의 조건 하에서 밀봉 수지의 열경화를 행하였다(후경화 공정).
또한, 85℃, 60%Rh, 168시간의 조건 하에서 흡습을 행하고, 컨베이어식 리플로우(TAMURA사제, TAP30-407PM)에 260℃로, 10초간 적재하였다. 계속해서, 반도체 패키지를 초음파 영상 장치(히따찌 겡끼(주)제, FineSAT II)로 관찰하여 반도체 패키지 내부의 균열의 유무를 확인하였다. 균열이 발생하지 않은 경우를 ○, 발생한 경우를 ×로 하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
(260℃에서의 저장 탄성률)
각 실시예 및 비교예에서 제작한 각 열경화형 다이 본드 필름을 140℃에서 2시간의 가열 처리를 한 후, 다시 175℃에서 1시간의 가열 처리를 행하여 열경화시켰다. 계속해서, 열경화 후의 각 열경화형 다이 본드 필름을 두께 200㎛, 길이 400㎜, 폭 10㎜의 직사각형으로 커터 나이프로 잘라냈다. 또한, 이들 시료를 고체 점탄성 측정 장치(RSAIII, 레오메트릭 사이언티픽사제)를 사용하여, 주파수 1Hz, 승온 속도 10℃/min의 조건 하에서, -50 내지 300℃에서의 인장 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 측정하였다. 저장 탄성률(E')은, 이 측정시의 260℃에 있어서의 값을 판독하여 얻었다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
(유리 전이 온도(Tg)의 측정)
각 실시예 및 비교예에서 사용한 열경화형 다이 본드 필름을 140℃, 2시간의 조건 하에서 열처리하여 열경화시켰다. 계속해서, 열처리 후의 각 열경화형 다이 본드 필름을 두께 200㎛, 길이 400㎜, 폭 10㎜의 직사각형으로 커터 나이프로 잘라냈다. 또한, 이들 시료를 고체 점탄성 측정 장치(RSAIII, 레오메트릭 사이언티픽사제)를 사용하여, 주파수 1Hz, 승온 속도 10℃/min의 조건 하에서, -50 내지 300℃에서의 인장 저장 탄성률 및 손실 탄성률을 측정하였다. 유리 전이 온도는, 이 측정시의 tan(δ)의 피크값을 판독하여 얻었다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
(휨량)
각 실시예 및 비교예에서 제작한 각 열경화형 다이 본드 필름을 각각 온도 40℃의 조건 하에서, 한 변이 10㎜인 사각형, 두께 50㎛의 반도체 칩에 부착하였다. 또한, 각 열경화형 다이 본드 필름을 통하여 반도체 칩을 솔더 레지스트를 구비한 수지 기판(유리 에폭시계 기판, 기판 두께 0.23㎜)으로 마운트하였다. 그때의 조건은, 온도 120℃, 압력 0.2㎫, 2초로 하였다. 또한, 반도체 칩이 마운트된 상기 수지 기판을, 건조기로 140℃, 2시간 열처리하고, 열경화형 다이 본드 필름을 열경화시켰다.
계속해서, 상기 수지 기판이 하측이 되도록 평판 상에 적재하고, 반도체 칩의 대각선 상의 요철을 측정하였다. 이에 의해, 평판 상으로부터 부상하고 있는 반도체 칩의 높이, 즉 휨량(㎛)을 측정하였다. 측정시에는, 반도체 칩의 대각선 상에 있어서의 양단부를 평형으로 보정하였다(0으로 하였음). 또한 측정은, 표면 조도계(Veeco사제, DEKTAK8)를 사용하여, 측정 속도 1.5㎜/s, 가중 1g의 조건 하에서 행하였다. 측정 결과, 휨량이 50㎛ 이하인 것을 ○로 하고, 50㎛를 초과하는 것을 ×로 하였다. 결과를 하기 표 1에 나타낸다.
(결과)
하기 표 1에 있어서의 실시예 1 내지 3의 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 열경화성 성분 중 페놀성 수산기의 몰수에 대한, 상기 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수의 비율이 1.5, 2.3 및 4인 경우, 솔더 레지스트를 구비한 수지 기판의 휨량이 모두 50㎛ 이하이고, 열경화형 다이 본드 필름의 경화 수축이 억제되어 있는 것이 확인되었다. 또한, 패키지 균열의 발생도 없고, 내리플로우성이 우수한 것이 나타내어졌다. 한편, 비교예 1과 같이, 상기 페놀성 수산기의 몰수에 대한 에폭시기의 몰수의 비율이 1이면, 열경화형 다이 본드 필름의 경화 수축에 의해 휨량이 96㎛가 되었다. 한편, 비교예 2와 같이, 상기 페놀성 수산기의 몰수에 대한 에폭시기의 몰수의 비율이 9인 경우, 휨량은 0㎛이었지만, 패키지 균열이 발생하여 내리플로우성이 저하되어 있는 것이 나타났다.
Figure pat00002
1: 기재
2: 점착제층
3, 13, 21: 다이 본드 필름
3a: 다이 본드 필름
3a: 부분
3b: 부분
5: 반도체 칩
6: 피착체
7: 본딩 와이어
8: 밀봉 수지
9: 스페이서
10, 11: 다이싱ㆍ다이 본드 필름
15: 반도체 칩

Claims (7)

  1. 피착체 상에 반도체 소자를 접착하여 고정시키기 위한 열경화형 다이 본드 필름이며,
    열경화성 성분으로서의 에폭시 수지 및 페놀 수지를 적어도 포함하고, 상기 열경화성 성분 중 페놀성 수산기의 몰수에 대한, 상기 열경화성 성분 중 에폭시기의 몰수의 비율이 1.5 내지 6의 범위 내인 열경화형 다이 본드 필름.
  2. 제1항에 있어서, 열경화 촉매가 유기 성분 100중량부에 대하여 0.07 내지 3.5중량부의 범위 내에서 배합된 열경화형 다이 본드 필름.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 140℃, 2시간의 열경화 후에 있어서의 유리 전이 온도가 80℃ 이하인 열경화형 다이 본드 필름.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 열경화 전의 120℃에 있어서의 용융 점도가 50 내지 1000Paㆍs의 범위 내인 열경화형 다이 본드 필름.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 완전 열경화 후의 260℃에 있어서의 저장 탄성률이 1㎫ 이상인 열경화형 다이 본드 필름.
  6. 제1항 또는 제2항에 기재된 열경화형 다이 본드 필름이 다이싱 필름 상에 적층된 구조인 다이싱ㆍ다이 본드 필름.
  7. 제6항에 기재된 다이싱ㆍ다이 본드 필름을 사용하여 제조된 반도체 장치.
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